KR20040090734A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040090734A KR20040090734A KR1020040026101A KR20040026101A KR20040090734A KR 20040090734 A KR20040090734 A KR 20040090734A KR 1020040026101 A KR1020040026101 A KR 1020040026101A KR 20040026101 A KR20040026101 A KR 20040026101A KR 20040090734 A KR20040090734 A KR 20040090734A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- radiation
- plane
- projection
- mirror
- incidence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 86
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70158—Diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/36—Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- 리소그래피 투영장치에 있어서,- 방사선 투영빔을 제공하는 방사원;- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;- 기판을 잡아주는 기판테이블;- 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하고,상기 방사원이,ㆍ 상기 패터닝수단을 조명할 수 있도록 콘디셔닝된 방사선 빔을 제공 하기 위하여 상기 방사선 빔을 콘디셔닝하며 상기 방사선 빔이 상기 조명시스템으로 들어가는 입사평면을 한정하는 조명시스템; 및ㆍ 방사원으로부터 상기 조명시스템으로 상기 투영빔을 지향 및 전달 하는 재지향요소를 포함하는 빔전달시스템을 더 포함하며,- 상기 빔전달시스템은, 상기 입사평면으로부터 상기 입사평면 또는 그 부근에 위치한 묘화평면까지의 일정 거리에 위치한 대물평면으로부터 상기 방사선 빔을 묘화하는 묘화시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 묘화시스템은 1X 묘화시스템인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제2항에 있어서,상기 묘화시스템은 1쌍의 렌즈를 포함하며, 상기 렌즈 쌍의 각 렌즈는 상기 대물평면으로부터 상기 묘화평면까지의 상기 거리의 1/4배의 초점거리를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 빔전달시스템은 빔 방향에 대해 가로방향인 1이상의 방향으로 상기 투영빔을 이송시키는 1이상의 트랜스미터블 거울을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제4항에 있어서,상기 빔전달 경로의 연속하는 위치에 2개의 트랜스미터블 거울이 위치하고, 제1거울이 제1방향으로 상기 빔을 트랜스래이트하고, 제2빔이 제2방향으로 상기 빔을 트랜스래이트하며, 상기 제1 및 제2방향은 서로에 대하여, 그리고 상기 빔의 방향에 대하여 가로방향인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 트랜스미터블 거울은 상기 대물평면내에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 묘화시스템의 대물평면에 경사조정가능한 거울이 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제7항에 있어서,상기 경사조정가능한 거울은 상이한 두 방향으로 회전가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 경사조정가능한 거울은 트랜스래이트가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 디바이스 제조방법에 있어서,- 적어도 부분적으로 방사선 감응재의 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;- 방사원을 사용하는 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;- 상기 투영빔을 상기 방사원으로부터 상기 조명시스템으로 전달하는 단계;- 상기 방사선 빔이 상기 조명시스템으로 들어가는 입사평면을 한정하는 상기 조명시스템을 사용하여 상기 투영빔을 콘디셔닝하는 단계;- 패터닝수단을 사용하여 상기 콘디셔닝된 투영빔의 단면에 일정 패턴을 부여하는 단계; 및- 방사선의 상기 패터닝된 빔을 상기 방사선 감응재 층의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하며,- 상기 입사평면으로부터 상기 입사평면 또는 그 부근까지의 일정 거리에 위치한 대물평면으로부터 상기 방사선 빔을 묘화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 방법은, 입사평면에서 상기 빔의 포인팅 방향을 제어할 수 있도록 상기 방사선 빔의 대물평면내에 경사조정가능한 거울을 배치시키는 단계를 포함하며,입사평면에서 빔의 위치를 제어할 수 있도록 경사조정가능한 거울로 상기 방사선 빔을 반사시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03076142.3 | 2003-04-17 | ||
EP03076142A EP1469347A1 (en) | 2003-04-17 | 2003-04-17 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040090734A true KR20040090734A (ko) | 2004-10-26 |
Family
ID=32892938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040026101A Ceased KR20040090734A (ko) | 2003-04-17 | 2004-04-16 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040257547A1 (ko) |
EP (1) | EP1469347A1 (ko) |
JP (1) | JP2004349686A (ko) |
KR (1) | KR20040090734A (ko) |
CN (1) | CN1542552A (ko) |
SG (1) | SG115671A1 (ko) |
TW (1) | TWI240152B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100709372B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-04-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 빔 생성을 위한 방법 및 시스템 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7525638B2 (en) * | 2005-03-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070046917A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU |
US7397535B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036614A1 (nl) * | 2008-03-21 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same. |
DE102009010560A1 (de) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsbelichtungsanlage, Laserstrahlungsquelle und Bandbreiten-Einengungsmodul für eine Laserstrahlungsquelle |
WO2012116710A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP5682799B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-03-11 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
TWI711896B (zh) | 2013-09-25 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 光學元件、輻射系統及微影系統 |
KR101828711B1 (ko) | 2016-10-18 | 2018-02-13 | 인하대학교 산학협력단 | 복수의 dmd를 구비하는 노광장치 |
EP3647872A1 (en) | 2018-11-01 | 2020-05-06 | ASML Netherlands B.V. | A method for controlling the dose profile adjustment of a lithographic apparatus |
CN117355794A (zh) * | 2021-04-01 | 2024-01-05 | Asml荷兰有限公司 | 激光系统 |
EP4390544A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-26 | ASML Netherlands B.V. | Optical system |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6252647B1 (en) * | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH05217844A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置 |
JP3278896B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH08316123A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10229044A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-08-25 | Nikon Corp | 露光装置および該露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
US6313918B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-11-06 | Zygo Corporation | Single-pass and multi-pass interferometery systems having a dynamic beam-steering assembly for measuring distance, angle, and dispersion |
JP2000277421A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Nikon Corp | 照明装置 |
US6727981B2 (en) * | 1999-07-19 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus and making method thereof, exposure apparatus and making method thereof, and device manufacturing method |
JP2001155993A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Nikon Corp | 照明光学装置及び該装置を備える投影露光装置 |
TW490598B (en) * | 1999-11-30 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
JP3495992B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
EP1262836B1 (en) * | 2001-06-01 | 2018-09-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2003
- 2003-04-17 EP EP03076142A patent/EP1469347A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-04-08 US US10/820,150 patent/US20040257547A1/en not_active Abandoned
- 2004-04-14 SG SG200402027A patent/SG115671A1/en unknown
- 2004-04-16 KR KR1020040026101A patent/KR20040090734A/ko not_active Ceased
- 2004-04-16 JP JP2004121058A patent/JP2004349686A/ja active Pending
- 2004-04-16 TW TW093110737A patent/TWI240152B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-19 CN CNA2004100451549A patent/CN1542552A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100709372B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-04-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 빔 생성을 위한 방법 및 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG115671A1 (en) | 2005-10-28 |
TW200426540A (en) | 2004-12-01 |
US20040257547A1 (en) | 2004-12-23 |
TWI240152B (en) | 2005-09-21 |
EP1469347A1 (en) | 2004-10-20 |
JP2004349686A (ja) | 2004-12-09 |
CN1542552A (zh) | 2004-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4334436B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
KR100588117B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
KR100548713B1 (ko) | 디바이스제조방법, 이것에 의하여 제조된 디바이스 및상기 방법에 사용하기 위한 마스크 | |
KR20060052321A (ko) | 광학 위치 평가장치 및 방법 | |
KR100585461B1 (ko) | 마이크로리소그래피 투영장치 | |
KR20030006953A (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 | |
KR100549781B1 (ko) | 리소그래피투영마스크, 리소그래피투영마스크를 이용한디바이스제조방법 및 그 제조된 디바이스 | |
KR20010093056A (ko) | 전사장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해제조된 디바이스 | |
KR100706934B1 (ko) | Z오프셋 및 비-수직 조명으로 인한 마스크 대물시프트의 y에서의 위치보정 | |
KR20040090734A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100602917B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스 | |
KR20040099145A (ko) | 리소그래피 장치의 교정 방법, 정렬 방법, 컴퓨터프로그램, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100614955B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의해제작되는 디바이스 | |
KR100554247B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스 | |
KR100614295B1 (ko) | 디바이스 제조방법, 그 디바이스 및 그를 위한 리소그래피장치 | |
JP2006024944A (ja) | アライメント方法及び装置、リソグラフィ装置、デバイス製造方法並びにアライメント・ツール | |
KR100588116B1 (ko) | 리소그래피장치 및 빔크기와 발산을 결정하는 방법 | |
KR100757534B1 (ko) | 리소그래피장치 및 집적회로 제조방법 | |
KR20040002489A (ko) | 디바이스제조방법, 이에 의하여 제조된 디바이스 및컴퓨터 프로그램 | |
KR20040030273A (ko) | 정렬 툴, 리소그래피장치, 정렬방법, 디바이스제조방법 및그 제조된 디바이스 | |
KR100588114B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR20040078902A (ko) | 메트롤로지의 라우팅 및 조종을 위한 디바이스 및 방법 | |
KR100550032B1 (ko) | 기판의 정렬방법, 컴퓨터 프로그램, 디바이스 제조방법 및이에 따라 제조된 디바이스 | |
EP1480084A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20040054535A (ko) | 리소그래피장치, 거울요소, 디바이스 제조방법 및빔전달시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040416 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060427 Patent event code: PE09021S01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20060721 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20060427 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |