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KR20040065158A - Method for Eliminating Difference of Bumps on Wafer or Die - Google Patents

Method for Eliminating Difference of Bumps on Wafer or Die Download PDF

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KR20040065158A
KR20040065158A KR1020040000318A KR20040000318A KR20040065158A KR 20040065158 A KR20040065158 A KR 20040065158A KR 1020040000318 A KR1020040000318 A KR 1020040000318A KR 20040000318 A KR20040000318 A KR 20040000318A KR 20040065158 A KR20040065158 A KR 20040065158A
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pressing
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페이-자인 우
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칩본드 테크놀러지 코포레이션
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Abstract

PURPOSE: A method for reducing height difference of bumps on a wafer or a die is provided to bond a semiconductor apparatus on a package successfully by effectively coupling the semiconductor apparatus and the package. CONSTITUTION: A height difference between a plurality of bumps(100) disposed on a substrate(10) is substantially suppressed by using a press apparatus having a press plate(20). The press plate is arranged with a predetermined region of the substrate having bumps. The bumps are pressed using the press plate so that the bumps reach a predetermined height in a press operation. The press plate is separated from the bumps. The predetermined height used in the press operation is a distance between the substrate and the press plate.

Description

웨이퍼 또는 다이 상의 범프 높이차의 제거방법{Method for Eliminating Difference of Bumps on Wafer or Die}Method for Eliminating Difference of Bumps on Wafer or Die}

본 출원은 발명 명칭이 "웨이퍼 또는 다이 상의 범프 높이차의 제거방법"이고 2003년 1월 9일 출원된 대만 특허 출원 No. 092100401호에 대하여 우선권을 주장한 것이다.The present application is entitled "Method for Removing Bump Height Difference on a Wafer or Die" and is filed in Taiwan Patent Application No. Priority was asserted on 092100401.

본 발명은 일반적으로 기판(substrate) 상의 복수의 범프(bump) 간의 높이 차(height differences)를 제거하는 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 웨이퍼 또는 다이(die) 상에 형성된 범프 간의 높이 차를 제거하는 방법에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention generally relates to a method of removing height differences between a plurality of bumps on a substrate, and more particularly to removing height differences between bumps formed on a wafer or die. It is about how to.

전류 밀도(current density)와 플레이팅 용액(plating solution)의 농도를 조절하기가 힘들기 때문에, 웨이퍼 또는 다이 상의 범프를 제조하는 것에 관한 현재의 많은 공정들은 동일한 높이의 범프를 형성하는데 있어 문제점을 가지고 있다. 따라서, 도전 과제 중의 하나는 범프의 높이를 실질적으로 균일하게 유지하는 것이다.Because of the difficulty in controlling current density and the concentration of plating solutions, many current processes for manufacturing bumps on a wafer or die have problems in forming bumps of the same height. have. Therefore, one of the challenges is to keep the height of the bumps substantially uniform.

도 1은 웨이퍼 또는 다이와 같은 기판(10) 상에 형성된 복수 개의 범프(100)를 도시한 것이다. 이러한 범프(100)는, 예를 들면 범프(101)는 가장 낮고, 범프(102)는 가장 높은 등, 불균일한 높이를 가진다. 범프(101)와 범프(102) 간의 높이 차 △X는 반도체 장치를 그 패키지(package)에 성공적으로 부착하는 데 있어 결정적인 요인(factor)이 된다. 달리 말하면, 만약 하나 또는 그 이상의 범프가 다른 것들보다 심각하게 짧다고 한다면, 이러한 더 짧은 범프들은 그 상대 접촉 패드(mating contact pads)를 놓치기 쉬우며, 상기 반도체 장치와 패키지 간의 전기적인 접속을 형성하지 못하게 될 것이다.1 illustrates a plurality of bumps 100 formed on a substrate 10, such as a wafer or die. Such bump 100 has a non-uniform height, for example, bump 101 is the lowest, bump 102 is the highest, and so forth. The height difference ΔX between the bumps 101 and 102 is a decisive factor in successfully attaching the semiconductor device to its package. In other words, if one or more bumps are significantly shorter than others, these shorter bumps are likely to miss their mating contact pads, preventing them from forming an electrical connection between the semiconductor device and the package. Will be.

따라서, 범프의 높이가 실질적으로 균일하고 생산성이 향상되도록 하기 위하여 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법을 제공할 필요가 있다.Accordingly, there is a need to provide a method for substantially eliminating the height difference between bumps in order to ensure that the height of the bumps is substantially uniform and productivity is improved.

본 발명은 일측면으로는 웨이퍼 또는 다이 상에 형성된 복수 개의 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법을 제공하기 위한 것이다.One aspect of the present invention is to provide a method for substantially removing a height difference between a plurality of bumps formed on a wafer or a die.

본 발명에 수반되는 이점들과 이하에 설명될 관점들은 첨부 도면과함께 이하의 상세한 설명을 참조하면 더욱 용이하게 이해될 것이다.Advantages accompanying the present invention and aspects to be described below will be more readily understood with reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings.

도 1은 범프를 구비한 종래의 웨이퍼 또는 다이를 도시한 것이다.1 illustrates a conventional wafer or die with bumps.

도 2A는 본 발명의 일 구현체에서 압착 플레이트를 기판과 정렬시키는 것을 도시한 것이다.2A illustrates aligning the press plate with a substrate in one embodiment of the present invention.

도 2B는 도 2A의 상기 압착 플레이트에 의해 범프를 압착하는 것을 도시한 것이다.FIG. 2B illustrates compressing the bump by the press plate of FIG. 2A.

도 2C는 도 2B의 범프로부터 상기 압착 플레이트를 분리시키는 것을 도시한 것이다.FIG. 2C illustrates separating the compression plate from the bump of FIG. 2B.

도 3A는 본 발명의 다른 구현체에서 범프를 구비한 기판 상에 보호층을 코팅하는 것을 도시한 것이다.3A illustrates coating a protective layer on a substrate with bumps in another embodiment of the present invention.

도 3B는 압착 플레이트를 도 3A의 상기 기판과 정렬시키는 것을 도시한 것이다.FIG. 3B illustrates aligning the compression plate with the substrate of FIG. 3A.

도 3C는 도 3B의 상기 압착 플레이트에 의해 범프와 상기 보호층을 압착하는것을 도시한 것이다.FIG. 3C illustrates pressing the bump and the protective layer by the pressing plate of FIG. 3B.

도 3D는 도 3C의 범프로부터 상기 압착 플레이트를 분리하는 것을 도시한 것이다.FIG. 3D illustrates separating the compaction plate from the bumps of FIG. 3C.

도 3E는 도 3D의 상기 보호층을 제거하는 것을 도시한 것이다.3E illustrates removing the protective layer of FIG. 3D.

제 1 구현체에서는, 압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용함으로써, 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 압착 플레이트를 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬시키는 단계를 포함한다. 그리고 나서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 상기 기판과 상기 압착 플레이트 간의 거리인 기설정된 높이에 도달하도록 압착한다. 다음으로, 상기 압착 플레이트는 상기 범프로부터 분리된다.In a first embodiment, a method is provided for substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate by using a compaction apparatus comprising a compaction plate. The method includes aligning the compaction plate with a region of the substrate having bumps. The pressing plate then presses the bump to reach a predetermined height, which is the distance between the substrate and the pressing plate. Next, the pressing plate is separated from the bumps.

제 2 구현체에서는, 압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용함으로써, 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법이 제공된다. 모든 이웃하는 두 개의 범프는 그 사이에 공간을 가진다. 본 방법은 상기 기판 상에 보호층(protective layer)을 코팅하는 단계를 포함한다. 상기 보호층은 상기 범프를 덮으며 상기 공간을 메운다. 그리고 나서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬된다. 상기 압착 플레이트는 상기 범프와 보호층을 상기 기판과 상기 압착 플레이트 간의 거리인 기설정된 높이에 도달하도록 압착한다. 상기 압착 플레이트는 상기 범프로부터 분리되며, 그리고 나서 상기 보호층을 제거된다.In a second embodiment, a method is provided for substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate by using a compaction apparatus comprising a compaction plate. Every two neighboring bumps have a space between them. The method includes coating a protective layer on the substrate. The protective layer covers the bumps and fills the space. The crimp plate is then aligned with a region of the substrate with the bumps. The pressing plate compresses the bump and the protective layer to reach a predetermined height, which is a distance between the substrate and the pressing plate. The compression plate is separated from the bumps and then the protective layer is removed.

제 3 구현체에서는, 압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용함으로써, 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법이 제공된다. 모든 이웃하는 두 개의 범프는 그 사이에 공간을 가진다. 본 방법은 상기 기판 상에 보호층을 코팅하는 단계를 포함한다. 상기 보호층은 상기 범프를 덮으며 상기 공간을 메운다. 그리고 나서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬된다. 상기 압착 플레이트는 범프와 상기 보호층을 상기 기판과 압착 플레이트 간의 거리인 기설정된 높이에 도달하도록 압착한다. 상기 압착 플레이트는 그리고 나서, 상기 범프로부터 분리된다. 상기 범프와 보호층은 연마되며, 그리고 나서 상기 보호층은 제거된다.In a third embodiment, a method is provided for substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate by using a compaction apparatus comprising a compaction plate. Every two neighboring bumps have a space between them. The method includes coating a protective layer on the substrate. The protective layer covers the bumps and fills the space. The crimp plate is then aligned with a region of the substrate with the bumps. The pressing plate compresses the bump and the protective layer to reach a predetermined height, which is a distance between the substrate and the pressing plate. The compression plate is then separated from the bumps. The bumps and protective layer are polished, and then the protective layer is removed.

본 발명은 웨이퍼 또는 다이와 같은 기판 상의 복수 개의 범프 간 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법을 제공한다. 따라서, 상기 기판 상의 범프는 실질적으로 균일한 높이에 도달하도록 평탄화된다.The present invention provides a method for substantially eliminating height differences between a plurality of bumps on a substrate, such as a wafer or die. Thus, the bumps on the substrate are planarized to reach a substantially uniform height.

웨이퍼 또는 다이 상의 범프가 도 1에 도시된 바와 같이 높이 차를 가지는 경우에는, 본 발명을 수행함으로써, 상기 범프는 실질적으로 균일한 높이에 도달하도록 평탄화된다. 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 구현체에서의 압착 장치를 사용하는 것에 의하여 기판(10) 상의 복수 개의 범프(100) 간의 높이 차를 제거하는 방법을 도시한다. 기판(10)은 웨이퍼 또는 다이일 수 있으며, 범프(100)는 그 위에 형성된다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 압착 장치는 압착 플레이트(20)를 포함하며, 상기 방법은 압착 플레이트(20)가 범프(100)를 구비한 기판(10)의 일정 영역과 정렬되도록 하기 위하여, 압착 플레이트(20)를 기판(10)과 정렬시키는 단계를 포함한다.If the bumps on the wafer or die have a height difference as shown in FIG. 1, by carrying out the present invention, the bumps are planarized to reach a substantially uniform height. 2A-2C illustrate a method of eliminating the height difference between a plurality of bumps 100 on a substrate 10 by using a compaction apparatus in a first embodiment of the present invention. Substrate 10 may be a wafer or a die, and bump 100 is formed thereon. As shown in FIG. 2A, the compaction apparatus includes a compaction plate 20, which method allows the compaction plate 20 to be aligned with an area of the substrate 10 with bumps 100. Aligning the compression plate 20 with the substrate 10.

도 2b에 도시된 바와 같이, 압착 플레이트(20)는 범프(100)를 기설정된 높이 H1에 도달하도록 압착한다. 상기 기설정된 높이 H1은 기판(10)과 압착 플레이트(20) 간의 거리이다. 달리 말하면, 상기 기설정된 높이 H1은 평탄화된 이후의 대략적인 범프(100)의 높이이다. 상기 압착 단계 동안, 바람직하게는 상기 압착 플레이트(20)는 범프(100)를 압착하기 위하여 약 1 내지 5 [kg/㎛2] 범위의 압력을 약 5 내지 30 초 동안 제공한다. 더 나아가, 압착 플레이트(20)가 범프(100)를 압착하는 경우에는, 기판(10)은 바람직하게는 약 100 내지 250[℃] 범위의 온도로가열된다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 압착 단계 이후, 압착 플레이트(20)는 범프(100)로부터 분리되며, 범프(100)는 실질적으로 균일한 레벨이 된다.As shown in FIG. 2B, the pressing plate 20 compresses the bump 100 to reach a predetermined height H1. The predetermined height H1 is a distance between the substrate 10 and the pressing plate 20. In other words, the predetermined height H1 is the approximate height of the bump 100 after planarization. During the pressing step, the pressing plate 20 preferably provides a pressure in the range of about 1 to 5 [kg / μm 2 ] for about 5 to 30 seconds to press the bump 100. Furthermore, when the crimping plate 20 compresses the bump 100, the substrate 10 is preferably heated to a temperature in the range of about 100 to 250 [° C.]. As shown in FIG. 2C, after the pressing step, the pressing plate 20 is separated from the bump 100, and the bump 100 is at a substantially uniform level.

도 3a에 도시된 바와 같이, 모든 이웃하는 두 개의 범프(100)는 본 발명의 제 2 구현체에서 그 사이에 일정 공간(110)을 가진다. 본 구현체에서, 상기에서 언급한 정렬 단계 이전에 보호층(30)이 기판(10) 상에 코팅된다. 보호층(30)은 범프(100)을 덮으며 상기 공간(110)을 메운다. 그리고 나서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 압착 플레이트(20)는 범프(100)를 구비한 상기 기판(10)의 일정 영역과 정렬된다.As shown in FIG. 3A, all two neighboring bumps 100 have a space 110 therebetween in a second implementation of the invention. In this embodiment, the protective layer 30 is coated on the substrate 10 prior to the alignment step mentioned above. The protective layer 30 covers the bump 100 and fills the space 110. Then, as shown in FIG. 3B, the pressing plate 20 is aligned with a predetermined area of the substrate 10 having the bumps 100.

도 3c는 압착 플레이트(20)가 범프(100)와 보호층(30)을 기설정된 높이 H2에 도달하도록 압착하는 것을 도시한 것이다. 상기 기설정된 높이 H2는 기판(10)과 압착 플레이트(20) 간의 거리이다. 상기 압착 단계 동안, 압착 플레이트(20)는 바람직하게는 범프(100)를 압착하기 위하여 약 1 내지 5 [kg/㎛2] 범위의 압력을 약 5 내지 30 초 동안 제공한다. 더 나아가, 압착 플레이트(20)가 범프(100)를 압착하는 경우에는, 기판(10)은 바람직하게는 약 100 내지 250[℃] 범위의 온도로 가열된다. 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 압착 단계 이후, 압착 플레이트(20)는 범프(100)로부터 분리된다. 도 3e는 상기 공간(110)에 남아 있는 보호층(30)은 제거되고 범프(100)는 실질적으로 균일한 레벨인 것을 도시한 것이다.FIG. 3C illustrates that the pressing plate 20 compresses the bump 100 and the protective layer 30 to reach a predetermined height H2. The predetermined height H2 is a distance between the substrate 10 and the pressing plate 20. During the pressing step, the pressing plate 20 preferably provides a pressure in the range of about 1 to 5 [kg / μm 2 ] for about 5 to 30 seconds to squeeze the bump 100. Furthermore, when the crimping plate 20 compresses the bump 100, the substrate 10 is preferably heated to a temperature in the range of about 100 to 250 [° C.]. As shown in FIG. 3D, after the pressing step, the pressing plate 20 is separated from the bump 100. 3E shows that the protective layer 30 remaining in the space 110 is removed and the bump 100 is at a substantially uniform level.

본 발명의 제 3 구현체는 제 2 구현체의 도 3a 내지 도 3d에 도시된 것과 유사한 코팅, 정렬, 압착 단계와 같은 단계들을 구비한다. 제 2 구현체와는 달리, 본방법은 상기 공간(110)에 남아 있는 보호층(30)을 제거하기 전에 범프(100)과 보호층(30)을 연마(polishing)하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, 범프(100)와 보호층(30)은 그 평탄화를 더 향상시키기 위하여 화학 기계적 연마공정(CMP, chemical mechanical polishing)을 사용하여 연마된다. 그리고 나서, 상기 공간(110)에 남아 있는 보호층(30)은 제거되며, 범프(100)는 도 3e에 도시된 바와 같이 실질적으로 균일한 레벨이 된다.The third embodiment of the present invention has steps such as coating, aligning and pressing steps similar to those shown in FIGS. 3A-3D of the second embodiment. Unlike the second embodiment, the method further comprises polishing the bump 100 and the protective layer 30 before removing the protective layer 30 remaining in the space 110. For example, bump 100 and protective layer 30 are polished using chemical mechanical polishing (CMP) to further improve planarization thereof. Then, the protective layer 30 remaining in the space 110 is removed, and the bump 100 is at a substantially uniform level as shown in FIG. 3E.

압착 또는 연마 공정의 제어력을 향상시키기 위하여, 본 발명을 실행하기 전에, 범프(100)는 상기 기설정된 높이 H1 또는 H2보다 바람직하게는 더 높은 높이로 상기 기판(10) 상에 형성된다.In order to improve control of the crimping or polishing process, prior to practicing the present invention, bumps 100 are formed on the substrate 10 to a height that is preferably higher than the predetermined height H1 or H2.

보호층(30)은 바람직하게는 화학적 공정에 의해 제거될 수 있는 유기 폴리머(organic polymer) 또는 포토레지스트이다. 예를 들면, 보호층(30)은 폴리아릴렌 에테르(polyarylene ether), 폴리이미드(polyimide), 실록산(siloxane), 불화 폴리이미드(fluorinated polyimide), 비닐 에테르(vinyl ether), 불화 폴리아릴렌 에테르(fluorinated polyarylene ether) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)으로 구성된 군(group)으로부터 선택된 유기 폴리머층일 수 있다. 더 나아가, 보호층(30)은 인쇄 회로기판(PCB) 공정에 사용되는 건식 필름(dry film) 또는 습식 필름(wet film)을 포함하는 포토레지스트층일 수 있다. 상기 건식 필름 또는 습식 필름은 일반적으로 PCB 공정에 통상적으로 사용되는 레진(resin) 물질이며, 여기서는 자세히 기재되지는 않는다.The protective layer 30 is preferably an organic polymer or photoresist that can be removed by a chemical process. For example, the protective layer 30 may include polyarylene ether, polyimide, siloxane, fluorinated polyimide, vinyl ether, fluorinated polyarylene ether. It may be an organic polymer layer selected from the group consisting of (fluorinated polyarylene ether) and benzocyclobutene (benzocyclobutene). Furthermore, the protective layer 30 may be a photoresist layer including a dry film or a wet film used in a printed circuit board (PCB) process. The dry film or wet film is generally a resin material commonly used in PCB processing and is not described in detail here.

상기 범프 간의 높이 차는 반도체 장치를 그 패키지에 성공적으로 부착하는데 있어 결정적인 요인이 된다. 만약, 상기 범프가 실질적으로 균일한 높이에 도달하도록 평탄화되지 않는다면, 더 짧은 범프는 그 상대되는 접촉 패드를 놓치기 쉬우며, 상기 반도체 장치와 상기 패키지 간에 전기적인 접속을 형성하지 못하게 될 것이다. 상기 범프를 실질적으로 균일한 높이로 유지하기 위해, 본 발명은 범프들 간 높이 차를 없애기 위한 상기 압착 및 연마 공정을 수행하며, 따라서 장치의 신뢰성과 생산성은 향상된다.The height difference between the bumps is a decisive factor in successfully attaching the semiconductor device to the package. If the bumps are not flattened to reach a substantially uniform height, shorter bumps are likely to miss their mating contact pads and will not form an electrical connection between the semiconductor device and the package. In order to keep the bumps at a substantially uniform height, the present invention performs the compacting and polishing process to eliminate the height difference between the bumps, thus improving the reliability and productivity of the device.

특정 구현체가 도시되고 설명되었지만, 오직 첨부되는 청구항에 의해 한정되도록 의도되는 것으로부터 벗어나지 아니한 범위에서의 다양한 수정은 행해질 수 있다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.While specific implementations have been shown and described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined only by the appended claims. .

상기 범프 간의 높이 차는 제거하여 범프를 실질적으로 균일한 높이로 유지하도록 함으로써, 본 발명은 각각의 범프가 그 상대되는 접촉 패드를 놓치지 않도록 하고 반도체 장치와 패키지 간에 전기적인 접속을 효과적으로 형성할 수 있도록 하며, 이에 따라 반도체 장치를 그 패키지에 성공적으로 부착할 수 있도록 할 뿐만 아니라, 장치의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 이점을 가진다.By eliminating the height difference between the bumps to keep the bumps at a substantially uniform height, the present invention allows each bump to not miss its mating contact pads and to effectively form an electrical connection between the semiconductor device and the package. Therefore, not only can the semiconductor device be successfully attached to the package, but also the reliability and productivity of the device can be improved.

Claims (21)

압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용하여 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 실질적으로 제거하는 방법으로서,A method of substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate using a compaction device comprising a compaction plate, 상기 방법은,The method, 상기 압착 플레이트를 상기 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬시키는 단계와,Aligning the pressing plate with a predetermined area of the substrate having the bumps; 상기 범프를 기설정된 높이에 도달하도록 상기 압착 플레이트에 의해 압착하는 단계와,Pressing the bump by the pressing plate to reach a predetermined height; 상기 범프로부터 상기 압착 플레이트를 분리하는 단계를 포함하여 구성되고,And separating the compression plate from the bumps, 상기 압착하는 단계의 상기 기설정된 높이는 상기 기판과 압착 플레이트 간의 거리인 방법.The predetermined height of the pressing step is a distance between the substrate and the pressing plate. 제 1항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 압착하기 위하여 약 1 내지 5 [kg/㎛2] 범위의 압력을 제공하는 방법.The method of claim 1, wherein the press plate provides a pressure in the range of about 1 to 5 [kg / μm 2 ] to press the bumps. 제 1항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 5 내지 30 초 동안 압착하는 방법.The method of claim 1, wherein the compression plate compresses the bump for 5 to 30 seconds. 제 1항에 있어서, 상기 압착 플레이트가 상기 범프를 압착할 때, 상기 기판을 약 100 내지 250[℃] 범위의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 방법.The method of claim 1, further comprising heating the substrate to a temperature in the range of about 100 to 250 [deg.] C. when the compression plate compresses the bumps. 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용하여 실질적으로 제거하는 방법으로서, 모든 이웃하는 두 개의 범프는 그 사이에 공간을 가지며,A method of substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate using a compaction apparatus comprising a compaction plate, wherein all two neighboring bumps have a space therebetween, 상기 방법은,The method, 상기 범프를 덮으며 상기 공간을 메우는 보호층을 상기 기판 상에 코팅하는 단계와,Coating a protective layer covering the bumps and filling the space on the substrate; 상기 압착 플레이트를 상기 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬시키는 단계와,Aligning the pressing plate with a predetermined area of the substrate having the bumps; 상기 범프와 상기 보호층을 기설정된 높이에 도달하도록 상기 압착 플레이트에 의해 압착하는 단계와,Pressing the bump and the protective layer by the pressing plate to reach a predetermined height; 상기 범프로부터 상기 압착 플레이트를 분리하는 단계와,Separating the compression plate from the bumps; 상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하여 구성되고,And removing the protective layer, 상기 기설정된 높이는 상기 기판과 압착 플레이트 간의 거리인 방법.The predetermined height is a distance between the substrate and the compression plate. 제 5항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 압착하기 위하여 약 1 내지 5 [kg/㎛2] 범위의 압력을 제공하는 방법.The method of claim 5, wherein the press plate provides a pressure in the range of about 1 to 5 [kg / μm 2 ] to press the bumps. 제 5항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 5 내지 30 초 동안 압착하는 방법.The method of claim 5, wherein the pressing plate compresses the bumps for 5 to 30 seconds. 제 5항에 있어서, 상기 압착 플레이트가 상기 범프를 압착할 때, 상기 기판을 약 100 내지 250[℃] 범위의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 방법.6. The method of claim 5, further comprising heating the substrate to a temperature in the range of about 100 to 250 [deg.] C. when the compression plate compresses the bumps. 제 5항에 있어서, 상기 보호층은 유기 폴리머층(organic polymer layer)을 포함하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the protective layer comprises an organic polymer layer. 제 9항에 있어서, 상기 유기 폴리머층은 폴리아릴렌 에테르(polyaryleneether), 폴리이미드(polyimide), 실록산(siloxane), 불화 폴리이미드(fluorinated polyimide), 비닐 에테르(vinyl ether), 불화 폴리아릴렌 에테르(fluorinated polyarylene ether) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.The method of claim 9, wherein the organic polymer layer is a polyarylene ether, polyimide, siloxane, fluorinated polyimide, vinyl ether, fluorinated polyarylene ether (fluorinated polyarylene ether) and benzocyclobutene. 제 5항에 있어서, 상기 보호층은 포토레지스트층을 포함하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the protective layer comprises a photoresist layer. 제 11항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 인쇄회로기판 공정에 사용되는 건식 필름 또는 습식 필름인 방법.The method of claim 11, wherein the photoresist layer is a dry film or a wet film used in a printed circuit board process. 기판 상의 복수 개의 범프 간의 높이 차를 압착 플레이트를 포함하는 압착 장치를 사용하여 실질적으로 제거하는 방법으로서, 모든 이웃하는 두 개의 범프는 그 사이에 공간을 가지며,A method of substantially eliminating a height difference between a plurality of bumps on a substrate using a compaction apparatus comprising a compaction plate, wherein all two neighboring bumps have a space therebetween, 상기 방법은,The method, 상기 범프를 덮으며 상기 공간을 메우는 보호층을 상기 기판 상에 코팅하는 단계와,Coating a protective layer covering the bumps and filling the space on the substrate; 상기 압착 플레이트를 상기 범프를 구비한 상기 기판의 일정 영역과 정렬시키는 단계와,Aligning the pressing plate with a predetermined area of the substrate having the bumps; 상기 범프와 상기 보호층을 기설정된 높이에 도달하도록 상기 압착 플레이트에 의해 압착하는 단계와,Pressing the bump and the protective layer by the pressing plate to reach a predetermined height; 상기 범프로부터 상기 압착 플레이트를 분리하는 단계와,Separating the compression plate from the bumps; 상기 범프와 보호층을 연마하는 단계와,Polishing the bumps and the protective layer, 상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하여 구성되고,And removing the protective layer, 상기 기설정된 높이는 상기 기판과 압착 플레이트 간의 거리인 방법.The predetermined height is a distance between the substrate and the compression plate. 제 13항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 압착하기 위하여 약 1 내지 5 [kg/㎛2] 범위의 압력을 제공하는 방법.The method of claim 13, wherein the compaction plate provides a pressure in the range of about 1 to 5 [kg / μm 2 ] to compact the bumps. 제 13항에 있어서, 상기 압착 플레이트는 상기 범프를 5 내지 30 초 동안 압착하는 방법.The method of claim 13, wherein the compression plate compresses the bumps for 5 to 30 seconds. 제 13항에 있어서, 상기 압착 플레이트가 상기 범프를 압착할 때, 상기 기판을 약 100 내지 250[℃] 범위의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 방법.The method of claim 13, further comprising heating the substrate to a temperature in the range of about 100 to 250 [deg.] C. when the compression plate compresses the bumps. 제 13항에 있어서, 상기 보호층은 유기 폴리머층을 포함하는 방법.The method of claim 13, wherein the protective layer comprises an organic polymer layer. 제 17항에 있어서, 상기 유기 폴리머층은 폴리아릴렌 에테르, 폴리이미드, 실록산, 불화 폴리이미드, 비닐 에테르, 불화 폴리아릴렌 에테르 및 벤조사이클로부텐으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.18. The method of claim 17, wherein the organic polymer layer is selected from the group consisting of polyarylene ether, polyimide, siloxane, fluorinated polyimide, vinyl ether, fluorinated polyarylene ether, and benzocyclobutene. 제 13항에 있어서, 상기 보호층은 포토레지스트층을 포함하는 방법.The method of claim 13, wherein the protective layer comprises a photoresist layer. 제 19항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 인쇄회로기판 공정에 사용되는 건식 필름 또는 습식 필름인 방법.20. The method of claim 19, wherein the photoresist layer is a dry film or a wet film used in a printed circuit board process. 제 13항에 있어서, 상기 연마단계는 화학 기계적 연마공정(chemical mechanical polishing)을 이용하여 상기 범프와 보호층을 연마하는 공정을 포함하는 방법.The method of claim 13, wherein the polishing step comprises polishing the bumps and the protective layer using chemical mechanical polishing.
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