KR20040035345A - Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same - Google Patents
Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040035345A KR20040035345A KR1020020064458A KR20020064458A KR20040035345A KR 20040035345 A KR20040035345 A KR 20040035345A KR 1020020064458 A KR1020020064458 A KR 1020020064458A KR 20020064458 A KR20020064458 A KR 20020064458A KR 20040035345 A KR20040035345 A KR 20040035345A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesion
- formula
- resin composition
- cellulose
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
Abstract
본 발명은 샌드블라스트레지스트용 감광성 수지조성물에 관한 것으로서, 이는 알카리 가용성 바인더 폴리머로서 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(m은 3∼10의 정수이다),인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; 및 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(l은 2∼10의 정수이다),,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체 중에서 선택된 셀룰로오즈 유도체를 사용함으로써 반응성, 해상도, 밀착력 및 샌드블라스팅에 대한 내성이 우수하여 이를 포함하는 드라이필름 레지스트를 PDP 하판 제조시 사용되어지는 샌드블라스트 레지스트용으로 사용할 경우 샌드블라스트 레지스트와 격벽재료와의 밀착력을 강화시킬 수 있고 격벽재료와의 밀착력이 현저히 개선됨에 따라서 블랙 립 재료 뿐만 아니라 화이트 립 재료에서도 우수한 밀착력의 향상효과를 거둘 수 있다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for sandblast resist, which is an alkali-soluble binder polymer, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 is H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (m is an integer of 3 to 10), Cellulose derivatives represented by the formula (1); And R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (l is an integer from 2 to 10), , When using a cellulose derivative selected from the cellulose derivatives represented by the formula (1), the dry film resist including the same having excellent reactivity, resolution, adhesion, and sandblasting resistance is used for the sandblast resist used in the manufacture of the PDP lower plate. As the adhesion between the sandblast resist and the partition material can be strengthened, and the adhesion between the partition material is remarkably improved, it is possible to obtain an excellent effect of improving adhesion to the white lip material as well as the black lip material.
상기 식에서, 전체 분자의 총분자량은 30,000 ~ 100,000이다.In the above formula, the total molecular weight of the entire molecule is 30,000 to 100,000.
Description
본 발명은 샌드블라스트 레지스트용 감광성 수지조성물 및 이를 포함하는 감광성 필름에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 바인더 폴리머로서 특정의 셀룰로오즈 유도체를 사용함으로써 반응성, 해상도, 밀착력 및 샌드블라스팅에 대한 내성이 우수한 감광성 수지조성물과 이를 사용하여 얻어진 감광성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for sandblast resist and a photosensitive film comprising the same, and more particularly, by using a specific cellulose derivative as a binder polymer, a photosensitive resin composition having excellent reactivity, resolution, adhesion, and resistance to sandblasting. And a photosensitive film obtained by using the same.
드라이필름 레지스트는 인쇄회로기판 제조에 있어서 회로 패터닝을 위한 기본 소재로 널리 사용되어지고 있으며 최근에 들어서는 그 활용 범위가 점점 더 확대되어지고 있다. 과거에 액상 레지스트에서 행해지던 많은 영역들을 드라이 필름 레지스트로 전환하고자 하는 노력들이 많이 진행 중에 있으며, 특히 IC 패키징, 리드 프레임(Lead Frame)이나 BGA(Ball Grid Alley) 공정에서는 드라이필름 레지스트들이 많이 사용되어지고 있다. 최근에 들어서는 PDP(Plasma Display Panel)제조에 있어서 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide)의 패터닝 공정과 격벽형성공정에 드라이필름 레지스트가 많이 사용되어지고 있다.Dry film resists are widely used as a basic material for circuit patterning in printed circuit board manufacturing, and their application ranges are being expanded in recent years. Efforts are underway to convert many of the areas previously used in liquid resists to dry film resists, especially in IC packaging, lead frame or ball grid alley (BGA) processes. ought. Recently, dry film resists have been used in patterning and partition wall formation processes of indium tin oxide (ITO), which are transparent electrodes, in the production of plasma display panels (PDPs).
드라이필름 레지스트를 이용하여 PDP(Plasma Display Panel) 하판의 격벽을 형성하는 공정을 살펴보면, 격벽재가 인쇄된 PDP(Plasma Display Panel) 소재에 가열롤라를 이용하여 드라이 필름 레지스트를 라미네이션한다. 이 공정에서는 라미네이터를 이용하여 드라이필름 레지스트의 보호 필름을 벗겨내면서 드라이필름 레지스트의 포토레지스트층을 격벽재 위에 라미네이션시킨다. 일반적으로 라미네이션은 속도 0.5∼3.5m/min, 온도 100∼130℃, 가열롤압력 10∼90psi으로 진행한다.Looking at the process of forming the partition wall of the PDP (Plasma Display Panel) lower plate using the dry film resist, the dry film resist is laminated using a heating roller on the PDP (Plasma Display Panel) material on which the partition material is printed. In this process, the photoresist layer of the dry film resist is laminated on the partition material while the protective film of the dry film resist is peeled off using a laminator. In general, lamination proceeds at a speed of 0.5 to 3.5 m / min, a temperature of 100 to 130 ° C., and a heating roll pressure of 10 to 90 psi.
라미네이션 공정을 거친 유리기판은 기판의 안정화를 위하여 15분 이상 방치한 후 원하는 회로패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 드라이필름 레지스트의 포토레지스트에 대해 노광을 진행한다. 이 과정에서 포토마스크에 자외선을 조사하면 자외선이 조사된 포토레지스트는 조사된 부위에서 함유된 광개시제에 의해 중합이 개시된다. 먼저 초기에는 포토레지스트내의 산소가 소모되고, 다음 활성화된 모노머가 중합되어 가교반응이 일어나고 그 후 많은 양의 모노머가 소모되면서 중합반응이 진행된다. 한편 미노광부위는 가교 반응이 진행되지 않은 상태로 존재하게 된다.After the lamination process, the glass substrate is left for at least 15 minutes to stabilize the substrate, and then exposed to the photoresist of the dry film resist using a photomask having a desired circuit pattern. In this process, when ultraviolet rays are irradiated to the photomask, the photoresist irradiated with ultraviolet rays is initiated by the photoinitiator contained in the irradiated portion. Initially, oxygen in the photoresist is consumed, and then the activated monomer is polymerized to cause a crosslinking reaction, and then a large amount of monomer is consumed to proceed with the polymerization reaction. On the other hand, the unexposed portion is present in a state where the crosslinking reaction does not proceed.
다음 포토레지스트의 미노광 부분을 제거하는 현상공정을 진행하는데, 알카리 현상성 드라이필름 레지스트인 경우 현상액으로 0.2∼1.2wt%의 포타슘카보네이트 및 소듐카보네이트 수용액을 사용한다. 이 공정에서 미노광 부분의 포토레지스트는 현상액 내에서 바인더 폴리머의 카르복시산과 현상액의 비누화 반응에 의해서 씻겨 나가고, 경화된 포토레지스트는 격벽재 표면 위에 잔류하게 된다.Next, a developing process of removing unexposed portions of the photoresist is performed. In the case of an alkaline developable dry film resist, 0.2 to 1.2 wt% of potassium carbonate and sodium carbonate aqueous solution is used as a developer. In this process, the photoresist of the unexposed portion is washed away by the saponification reaction between the carboxylic acid of the binder polymer and the developer in the developer, and the cured photoresist remains on the partition wall surface.
위와 같이 드라이 필름이 패터닝된 유리기판은 샌드블라스팅(sandblasting) 공정에 의하여 격벽 패턴을 형성하게 된다. 상기 샌드블라스팅 공정에서 격벽재 위에 형성된 드라이필름 패턴은 밑에 있는 격벽재료가 깎이는 것을 방지하는 보호막 역할을 한다.As described above, the glass substrate on which the dry film is patterned forms a partition pattern by a sandblasting process. The dry film pattern formed on the partition wall material in the sandblasting process serves as a protective film to prevent the partition material beneath the cutting material.
그 후, 상기 드라이 필름 레지스트의 패턴을 제거하는 박리공정, 그리고 격벽재를 경화시키는 소성공정을 수행함으로써 격벽형성이 완성된다.Thereafter, the partition formation is completed by performing a peeling step of removing the pattern of the dry film resist and a baking step of curing the partition material.
그런데 최근에 PDP 제조에 있어서 발광효율이 양호한 격벽재료의 선택이 매우 주요한 사안으로 떠오르고 있는데, 이를 충족시키기 위하여 격벽재료를 선택함에 있어서 블랙 립(black rib) 재료에서 화이트 립(white rib) 재료를 사용하는 공법이 많이 이용되어지고 있다. 일반적으로 드라이필름을 샌드블라스트 마스크로 사용하는 PDP 하판 제조공법에 있어서, 화이트 립 재료를 이용하는 경우에는 드라이필름을 노광하는 공정에서 UV의 난반사가 많이 일어나 드라이필름의 노광 및 현상 후 드라이필름 패턴의 에지(edge) 부위가 거칠어지는 현상이 나타난다. 특히 화이트 립 재료를 사용한 경우에는 드라이필름과 화이트 립 재료와의 밀착력이 블랙 립 재료와 드라이필름과의 밀착력에 비하여 현저하게 떨어져 샌드블라스트 공정 후 립 오픈(rib open) 불량이 많이 일어나게 된다. 따라서 발광효율이 양호한 격벽재료인 화이트 립을 PDP 격벽재료로 선택할 경우, 격벽재료와 드라이필름과의 밀착력이 PDP 제조 수율의 향상이라는 측면에서 매우 주요한 인자가 된다.Recently, the selection of barrier materials with good luminous efficiency has emerged as a major issue in the manufacture of PDP. In order to satisfy this problem, a white rib material is used in the black rib material in selecting the barrier material. A lot of methods are used. In general, in the PDP lower plate manufacturing method using a dry film as a sand blast mask, in the case of using a white lip material, a lot of diffused reflection of UV occurs in the process of exposing the dry film, and the edge of the dry film pattern after exposure and development of the dry film. The edges are rough. In particular, when the white lip material is used, the adhesion between the dry film and the white lip material is remarkably lower than the adhesion between the black lip material and the dry film, and a lot of lip open defects occur after the sandblasting process. Therefore, when the white lip, which is a partition material having good luminous efficiency, is selected as the PDP partition material, the adhesion between the partition material and the dry film becomes a very important factor in terms of improving PDP manufacturing yield.
이와같이 최근 고휘도의 PDP제조를 위하여 격벽재료의 선택에 있어서 블랙 립 재료에서 화이트 립 재료로 격벽재료를 변화시키고 있는 추세이나, 일반적으로샌드블라스트 레지스트와 화이트 립 격벽 재료와의 밀착력이 블랙 립 재료에서와의 밀착력에 비하여 현저히 떨어짐에 따라 격벽형성 공정에서 샌드블라스트 레지스트의 부분적인 탈착이 발생하여 부분적인 립 오픈 불량이 다량 발생하여 수율의 저하가 일어나고 있는 상황이다. 따라서 샌드블라스트 레지스트의 밀착력을 향상시키는 것이 매우 중요한 사안이 되고 있다.As such, the recent trend of changing the partition material from the black lip material to the white lip material in the selection of the partition material for the production of high-brightness PDP, but in general, the adhesion between the sand blast resist and the white lip partition material is different from that of the black lip material. As a result of the significant drop in the adhesion force, the partial delamination of the sandblast resist occurs in the bulkhead forming process, resulting in a large amount of partial lip open failure, resulting in a decrease in yield. Therefore, it is very important to improve the adhesion of the sandblast resist.
따라서 샌드블라스트 레지스트의 조성물의 변화시켜 밀착력을 증가시키려는 노력이 많이 진행되고 있는데, 예를들어 미합중국 특허 제5,924,912호에서는 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트를 바인더 폴리머로 적용한 조성이 개시되어 있으며, 미합중국 특허 제6,200,733호에는 하이드록시프로필메틸 셀룰로오즈 프탈레이트와 하이드록시프로필메틸 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트를 바인더 폴리머로 적용한 조성이 개시되어 있고, 또한 미합중국 특허 제6,322,947호에는 하이드록시메틸 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트를 바인더 폴리머로 적용한 조성이 개시되어 있다.Therefore, a lot of efforts are being made to increase the adhesion by changing the composition of the sandblast resist. For example, US Patent No. 5,924,912 discloses a composition in which cellulose acetate phthalate is applied as a binder polymer, and US Patent No. 6,200,733 is disclosed. Compositions in which hydroxypropylmethyl cellulose phthalate and hydroxypropylmethyl cellulose acetate phthalate are applied as binder polymers are disclosed, and US Pat. No. 6,322,947 discloses compositions in which hydroxymethyl cellulose acetate phthalate is applied as binder polymer.
그런데, 기존에 알려진 카르복시기 함유 셀롤로스 화합물 즉, CAP(cellulose acetate phthalate), HPMCP(hydroxypropylmethyl cellulose phthalate), 그리고 HPMCAP(hydroxypropylmethyl cellulose acetate phthalate)를 바인더 폴리머로 적용한 드라이필름 포토레지스트의 경우에는 블랙 립 재료에서는 양호한 밀착력을 나타내었으나 화이트 립 재료에서는 밀착력이 급격하게 떨어지는 특성을 나타내었다.However, in the case of a dry film photoresist using a known carboxyl group-containing cellulose compound, that is, cellulose acetate phthalate (CAP), hydroxypropylmethyl cellulose phthalate (HPMCP), and hydroxypropylmethyl cellulose acetate phthalate (HPMCAP) as a binder polymer, Good adhesion was observed, but the white lip material showed a sharp drop in adhesion.
따라서, 본 발명에서는 PDP(Plasma Display Panel)의 밀착력을 향상시키기 위하여 드라이필름의 뼈대물질이라 할 수 있는 바인더폴리머를 새로이 도입함으로써 샌드블라스트 레지스트에 본래 요구대로 탄성 및 유연성이 양호하고, 기재표면에 대한 밀착성이 우수한 포토리소그래피에 의해 패턴화된 레지스트층을 부여할 수 있고, 또 알카리 현상성 및 박리성이 양호한 샌드블라스트레지스트용 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, by introducing a new binder polymer, which is a skeletal material of dry film, in order to improve the adhesion of PDP (Plasma Display Panel), the elasticity and flexibility of the sandblast resist are as good as originally required, and The object of this invention is to provide the photosensitive resin composition for sandblast resists which can provide the resist layer patterned by photolithography which is excellent in adhesiveness, and is excellent in alkali developability and peelability.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 샌드블라스트레지스트용 감광성 수지조성물은 알카리 가용성 바인더 폴리머로서 셀룰로오즈 유도체를 포함하며, 반응성 올리고머, 광중합개시제, 가소제 및 기타 첨가제를 포함하는 것으로서, 이때 바인더 폴리머는 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(m은 3∼10의 정수이다),인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체; 및 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(l은 2∼10의 정수이다),,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체 중에서 선택된 것임을 그 특징으로 한다.The photosensitive resin composition for sand blast resist of the present invention for achieving the above object includes an cellulose derivative as an alkali-soluble binder polymer, and includes a reactive oligomer, a photopolymerization initiator, a plasticizer and other additives, wherein the binder polymer is R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (m is an integer of 3 to 10), Cellulose derivatives represented by the formula (1); And R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (l is an integer from 2 to 10), , It is characterized in that it is selected from the cellulose derivative represented by the formula (1).
화학식 1Formula 1
전체 분자의 총분자량은 30,000 ~ 100,000이다.The total molecular weight of all molecules is 30,000 to 100,000.
이와같은 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.The present invention will be described in more detail as follows.
본 발명은 알카리 현상성이 우수한 감광성 수지조성물에 관한 것으로, 특히 반응성, 해상도, 밀착력 및 샌드블라스팅에 대한 내성이 우수한 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition having excellent alkali developability, and more particularly to a resin composition having excellent reactivity, resolution, adhesion and resistance to sandblasting.
본 발명은 샌드블라스트레지스트용 감광성 수지 조성물을 제조함에 있어서 바인더 폴리머로서 새로운 것을 도입하고자 한 것으로서, 종전에 바인더 폴리머로 사용되온 CAP와 HPMCAP를 비교하여 보았을 때, CAP(cellulose acetate phthalate)에 비하여 HPMCP(hydroxypropyl methyl cellulose phthalate)와HPMCAP(hydroxypropyl methyl cellulose acetate phthalate)가 블랙 립 재료나 화이트 립 재료에서 다소 양호한 밀착력을 나타내는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 CAP의 경우 격벽재료와 강한 상호작용을 나타낼 수 있는 하이드록시기가 리지드(rigid)한 육각형 고리구조에 직접적으로 붙어 있는 반면, HPMCP나 HPMCAP의 경우 하이드록시기가 리지드한 육각형 고리구조에 비교적 멀리 떨어져 존재하므로 입체장애효과가 적어 격벽재료와 비교적 양호한 밀착력을 나타내는 것으로 판단된다. 따라서 본 발명에서는 바인더 폴리머로서 사용되는 셀룰로오즈 유도체의 구조에 있어서 하이드록시기와 바인더 폴리머의 뼈대 구조와의 거리를 더 길게 디자인함으로써 밀착력을 증가시키고자 한 것이며, 또한 HPMCP와 HPMCAP의 하이드록시기 대신 디하이드록시프로필기를 도입함으로써 격벽재료와의 밀착력을 증가시키는 방법을 연구한 것이다. 또한 친수성이 강한 카르복시기의 숫자를 증가시켜 밀착력을 증가시키려는 노력을 수행한 바, 밀착력의 향상을 얻을 수 있었다.The present invention intends to introduce a new one as a binder polymer in manufacturing a photosensitive resin composition for sand blast resist, and compared with CAP (cellulose acetate phthalate), HPMCP It was observed that hydroxypropyl methyl cellulose phthalate (HPMCAP) and hydroxypropyl methyl cellulose acetate phthalate (HPMCAP) showed somewhat good adhesion in black lip material and white lip material. In the case of CAP, the hydroxy group is directly attached to the rigid hexagonal ring structure which can show strong interaction with the bulkhead material, while in the case of HPMCP or HPMCAP, the hydroxy group is relatively far from the hexagonal ring structure. Therefore, the effect of steric hindrance is small, so it is considered to show relatively good adhesion with the bulkhead material. Therefore, the present invention intends to increase adhesion by designing a longer distance between the hydroxy group and the skeleton structure of the binder polymer in the structure of the cellulose derivative used as the binder polymer, and also dehydrated instead of the hydroxyl group of HPMCP and HPMCAP. By introducing the oxypropyl group, a method of increasing the adhesion with the partition material is studied. In addition, an effort to increase the adhesion by increasing the number of carboxyl groups having a strong hydrophilicity, improved adhesion was obtained.
본 발명에서 감광성 수지조성물이라 함은 드라이필름 레지스트에 있어서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기재필름과 폴리에틸렌(PE) 필름 사이에 위치한 포토레지스트층을 말하는데, 여기서 포토레지스트층은 (a)광중합개시제, (b)알카리 현상성 바인더폴리머, (c)광중합성 올리고머 및 (d)각종 첨가제를 포함한다. 감광성 수지 조성물은 특히 샌드블라스팅 공정 동안 기판에 대한 밀착성이 우수하여야 하며 샌드블라스팅의 기계적인 내충격성을 가지기 위하여 우수한 탄성과 유연성이 요구된다.In the present invention, the photosensitive resin composition refers to a photoresist layer disposed between a polyethylene terephthalate (PET) base film and a polyethylene (PE) film in a dry film resist, wherein the photoresist layer is a photoinitiator, (b) A) alkali developable binder polymer, (c) photopolymerizable oligomer and (d) various additives. In particular, the photosensitive resin composition should have good adhesion to the substrate during the sandblasting process, and excellent elasticity and flexibility are required to have the mechanical impact resistance of the sandblasting process.
이를 위한 본 발명 감광성 수지조성물의 바인더 폴리머는 상기 화학식 1로표시된 바와 같은 구조를 갖는 것으로서, 구체적으로는 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체(이하, BP-1이라 함); R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체(이하, BP-2라 함); R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(m은 3∼10의 정수이다),인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체(이하, BP-3라 함); 및 R1, R2, R3, R4, R5또는 R6가 H,(l은 2∼10의 정수이다),,인 화학식 1로 표시되는 셀룰로오즈 유도체(이하, BP-4라 함) 중에서 선택된 것이다.The binder polymer of the photosensitive resin composition of the present invention for this has a structure as shown in Formula 1, specifically, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 is H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1) (hereinafter referred to as BP-1); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, , Cellulose derivatives represented by the formula (1) (hereinafter referred to as BP-2); R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (m is an integer of 3 to 10), Cellulose derivatives represented by the formula (1) (hereinafter referred to as BP-3); And R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 are H, (l is an integer from 2 to 10), , It is selected from cellulose derivatives represented by the formula (1) (hereinafter referred to as BP-4).
이와같은 바인더 폴리머를 제조하는 방법은 알려져 있으며, 일예로 BP-1의 경우는 셀룰로오즈 아세테이트 트리멜리테이트로서, 격벽재료와 강한 결합력을 가질 수 있는 카르복시기가 하나 더 추가된 형태로서 Aldrich사의 시약을 구입하여 실험하였다.A method for preparing such a binder polymer is known. For example, in the case of BP-1, cellulose acetate trimellitate is obtained by adding Aldrich's reagent as an additional form of a carboxyl group which can have a strong binding force with the partition material. Experiment.
BP-2는 알카리 셀룰로오즈와 3-클로로-1,2-프로판-디올의 반응에서 얻어진 디하이드록시프로필 셀룰로오즈와 프탈릭 안하이드라이드와의 반응으로부터 합성할 수 있다. 디하이드록시프로필 셀룰로오즈는 미합중국 특허 제1,502,379호와 제1,722,927호에 제시된 방법으로부터 합성할 수 있으며, 여기에 프탈레이트 그룹을 도입하는 방법은 미합중국 특허 제2,759,925호의 방법을 이용하여 합성할 수 있다.BP-2 can be synthesized from the reaction of dihydroxypropyl cellulose and phthalic anhydride obtained in the reaction of alkali cellulose with 3-chloro-1,2-propane-diol. Dihydroxypropyl cellulose can be synthesized from the methods described in US Pat. Nos. 1,502,379 and 1,722,927, and the method of introducing phthalate groups thereto can be synthesized using the method of US Pat. No. 2,759,925.
BP-3과 BP-4의 경우는 NaOH 분위기 하에서 셀룰로오즈와 여러 종류의 클로라이드 화합물과의 에테르화 반응 후 여기서 얻어진 중간체를 상기 앞에서 언급한 방법 즉, 미합중국 특허 제2,759,925호의 방법에 따라서 프탈레이트기를 셀룰로오즈에 도입함으로써 얻을 수 있다. 상기, BP-3과 BP-4의 에테르화 반응은 미합중국 특허 제1,502,379호와 제1,722,927호의 방법에 따른다. 상기 BP-3와 BP-4의 합성에서 사용할 수 있는 클로라이드 화합물의 예로는 6-클로로-1-헥산올(Cl-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-OH), 3-클로로-1-프로판올(Cl-CH2CH2CH2OH), 2-(2-클로로에톡시)에탄올(Cl-CH2CH2OCH2CH2OH), 그리고 2-[2-(2-클로로에톡시)에톡시]에탄올 (Cl-CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OH)을 들 수 있으며, 이들 시약들은 Aldrich로부터 구매하여 사용할 수 있다. 그러나 반드시 상기 화합물로 한정하는 것은 아니다.In the case of BP-3 and BP-4, after the etherification reaction between cellulose and various chloride compounds in NaOH atmosphere, the intermediate obtained therein is introduced with phthalate group to the cellulose according to the aforementioned method, that is, the method of US Pat. No. 2,759,925. It can be obtained by. The etherification of BP-3 and BP-4 is according to the methods of US Pat. Nos. 1,502,379 and 1,722,927. Examples of the chloride compound that can be used in the synthesis of BP-3 and BP-4 include 6-chloro-1-hexanol (Cl-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -OH), 3-chloro- 1-propanol (Cl-CH 2 CH 2 CH 2 OH), 2- (2-chloroethoxy) ethanol (Cl-CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OH), and 2- [2- (2-chloro Methoxy) ethoxy] ethanol (Cl-CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OH); these reagents can be purchased from Aldrich. However, it is not necessarily limited to the compound.
이같은 셀룰로오즈 유도체들의 산가는 50∼250mg/KOH인 것이 바람직하다.The acid value of such cellulose derivatives is preferably 50 to 250 mg / KOH.
그밖에 감광성 수지조성물에 있어서 반응성 올리고머는 적어도 하나 이상은 분자말단에 히드록시기를 지닌 폴리에테르 또는 폴리에스테르화합물, 디이소시아네이트화합물, 히드록시기를 지닌 (메타)아크릴레이트화합물로부터 얻어진, 분자말단에 (메타)아크릴레이트기를 지닌 우레탄 화합물로 분자량이 1,000∼30,000범위인 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition, at least one reactive oligomer is at least one (meth) acrylate at the molecular end obtained from a polyether or polyester compound having a hydroxy group at the molecular end, a diisocyanate compound, and a (meth) acrylate compound having a hydroxy group. The urethane compound having a group preferably has a molecular weight in the range of 1,000 to 30,000.
바인더 폴리머와 반응성 올리고머와의 중량비는 70:30∼5:95인 것이 바람직하다.It is preferable that the weight ratio of a binder polymer and a reactive oligomer is 70: 30-5: 95.
광중합개시제로는 통상의 드라이필름 레지스트 조성에서와 같이 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 부틸 에테르, 벤조인 페닐 에테르, 벤질 디페닐 디설파이드, 벤질 디메틸 케탈, 안트라퀴논, 나프토퀴논, 벤조페논, 피발론 에틸 에테르, 디클로로 아세토페논, 헥사아릴-이미다졸의 다이머, 트리브로모페닐설폰, 트리브로모메틸페닐설폰 등을 들 수 있다.As photopolymerization initiators, as in conventional dry film resist compositions, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl diphenyl disulfide, benzyl dimethyl ketal, anthraquinone And naphthoquinone, benzophenone, pivalon ethyl ether, dichloro acetophenone, dimer of hexaaryl-imidazole, tribromophenyl sulfone, tribromomethylphenyl sulfone and the like.
가소제는 프탈산 에스테르 형태의 디부틸 프탈레이트, 디헵틸 프탈레이트, 디옥틸 프탈레이트, 디알릴 프탈레이트; 그리고 글리콜 에스테르 형태인 트리에틸렌 글리콜 디아세테이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아세테이트, 산 아미드(acid amide)형태인 p-톨루엔설폰아미드, 벤젠설폰아미드, N-n-부틸벤젠설폰아미드, 그리고 트리페닐 포스페이트 등이 이용되어질 수 있다. 그러나 앞에서 언급한 예들로 한정하는 것은 아니다.Plasticizers include dibutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate, diallyl phthalate in the form of phthalic esters; Triethylene glycol diacetate in the form of glycol esters, tetraethylene glycol diacetate, p-toluenesulfonamide in the form of acid amides, benzenesulfonamide, Nn-butylbenzenesulfonamide, and triphenyl phosphate may be used. Can be. However, it is not limited to the examples mentioned above.
본 발명 감광성 수지조성물에 있어서 반응성 올리고머, 광중합개시제, 가소제 및 기타 첨가제는 통상의 드라이필름 레지스트 조성에 따르며 일부에 한정되는 것은 아니다.Reactive oligomers, photopolymerization initiators, plasticizers and other additives in the photosensitive resin composition of the present invention are in accordance with conventional dry film resist compositions and are not limited in part.
이와같은 감광성 수지조성물층은 드라이필름 레지스트 적층구조에 있어서 그두께가 10∼100㎛의 범위인 것이 바람직하다.Such a photosensitive resin composition layer preferably has a thickness in the range of 10 to 100 µm in a dry film resist laminated structure.
이하, 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited by the Examples.
이하의 실험에서는 광중합 개시제 및 광중합성 단량체 및 올리고머의 경우, PDP 격벽재료에 대한 샌드블라스트 레지스트의 밀착력에 대한 바인더폴리머의 영양을 관찰하기 위하여 다음에 개시된 물질로 고정하여 실험하였다.In the following experiments, the photopolymerization initiator, the photopolymerizable monomer and the oligomer were tested by fixing with a substance disclosed in the following to observe the nutrition of the binder polymer on the adhesion of the sandblast resist to the PDP partition material.
이 실험 결과로부터, 드라이필름의 뼈대물질인 바인더폴리머를 개질한 결과, 밀착력을 현저히 증가시켜 화이트 립 재료에서도 충분한 밀착력을 나타내어 고해상의 PDP 제조가 가능한 샌드블라스트레지스트용 드라이필름을 제조할 수 있음을 확인하였다.From the experimental results, it was confirmed that the result of modifying the binder polymer, which is a skeletal material of the dry film, significantly increased the adhesion, and showed sufficient adhesion even in the white lip material, thereby making it possible to manufacture a sandblast resist dry film capable of producing a high resolution PDP. It was.
합성예Synthesis Example
BP-1의 경우, Aldrich로부터 구매하여 사용하였으며 Aldrich Catalog No.는 43,522-8이다. BP-1 was purchased from Aldrich and used Aldrich Catalog No. 43,522-8.
BP-2는 다음의 합성법에 따라 2단계로 나누어 합성하였다: BP-2 was synthesized in two steps according to the following synthesis method:
(1단계)에테르화 반응으로서, 클로라이드 유도체를 셀룰로오즈와 반응시키는 단계(미합중국 특허 제1,502,379호와 제1,722,927호에 알려진 방법을 이용)(Step 1) As an Etherification Reaction, Chloride Derivatives with Cellulose (using methods known from US Patent Nos. 1,502,379 and 1,722,927)
셀룰로오즈를 50%의 가성소다 수용액에 충분히 함침시켰다(셀룰로오즈 C6H10O51당량에 대하여 약 4배 당량의 50% NaOH수용액에). 셀룰로오즈를 0℃에서 셀롤로오즈 C6H10O51당량에 대하여 약 2~3 몰 당량의 3-클로로-1,2-프로판디올(Cl-CH2CH(OH)CH2OH)과 함께 약 1시간 동안 섞어 이겼다(knead). 셀룰로오즈 덩어리를 6당량을 0℃에서 가루형태의 가성소다와 섞어 이긴 후, 여기에 약 3몰당량의 3-클로로-1,2-프로판디올 (Cl-CH2CH(OH)CH2OH) 과 약 1시간 동안 섞어 이겼다. 그리고 상온으로 승온시켰다. 치환정도를 조절하기 위하여 반응시간은 적절하게 조절하였다. 반응이 종결된 후 셀룰로오즈의 반응물은 물을 이용하여 충분하게 수세한 후, 이를 진공 오븐을 이용하여 충분히 건조하였다(에테르화에 의해서 생성된 중간체 화합물을 변성 셀룰로오즈-2라 칭함).Cellulose was sufficiently impregnated in 50% aqueous solution of caustic soda (cellulose C6H10O5In about 4 times the equivalent of 50% aqueous NaOH solution). Cellulose at 0 ° C. Cellulose C6H10O52 to 3 molar equivalents of 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH) per equivalent2CH (OH) CH2OH) and mixed for about 1 hour (knead). The cellulose mass was mixed with 6 equivalents of caustic soda in powder form at 0 ° C., followed by about 3 molar equivalents of 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH2CH (OH) CH2OH) Mixed for about 1 hour and won. And it heated up to room temperature. In order to control the degree of substitution, the reaction time was appropriately adjusted. After the reaction was completed, the reactant of cellulose was sufficiently washed with water and then dried sufficiently using a vacuum oven (the intermediate compound produced by the etherification was called modified cellulose-2).
(2단계)상기 에테르화 반응에서 얻어진 물질을 프탈릭 안하이드라이드와 반응시켜 셀룰로오즈 프탈레이트를 생성시키는 단계(미합중국 특허 제 2,759,925호의 방법에 따라서 합성)(Step 2) reacting the material obtained in the etherification with phthalic anhydride to produce cellulose phthalate (synthesized according to the method of US Pat. No. 2,759,925)
상기 1단계에서 생성된 반응물(변성 셀룰로오즈-2)을 반응기에 넣고 여기에 아세트산을 용매로 하고 여기에 일정량의 아세트산을 피리딘 아세테이트로 변환시키기 위하여 피리딘을 일정량 첨가하였다. 상기 반응기에 사용된 화학물질의 함량은 아래와 같으며 반응시간 및 반응온도는 6시간 약 100℃에서 이루어졌다.The reaction product (modified cellulose-2) produced in step 1 was placed in a reactor, acetic acid was used as a solvent, and a certain amount of pyridine was added thereto to convert acetic acid into pyridine acetate. The content of the chemical used in the reactor is as follows and the reaction time and the reaction temperature was made at about 100 ℃ for 6 hours.
BP-3-1의 합성: 상기 BP-2의 합성과 동일한 방법으로 진행하였으며 BP-2의 1단계에서 사용한 3-클로로-1,2-프로판디올(Cl-CH2CH(OH)CH2OH) 대신 3-클로로-1-프로판올(Cl-CH2CH2CH2OH)을 에테르화의 원료 물질로 사용한 것을 제외하면 동일하게 진행하였다.Synthesis of BP-3-1: 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH 2 CH (OH) CH 2 OH used in the same manner as the synthesis of BP-2 and used in step 1 of BP-2) The procedure was the same except that 3-chloro-1-propanol (Cl-CH 2 CH 2 CH 2 OH) was used as a raw material for etherification.
BP-3-2의 합성:상기 BP-2의 합성과 동일한 방법으로 진행하였으며 BP-2의 1단계에서 사용한 3-클로로-1,2-프로판디올(Cl-CH2CH(OH)CH2OH) 대신 6-클로로-1-헥산올(Cl-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-OH)을 에테르화의 원료 물질로 사용한 것을 제외하면 동일하게 진행하였다.Synthesis of BP-3-2: 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH 2 CH (OH) CH 2 OH used in the same manner as the synthesis of BP-2 and used in step 1 of BP-2) The procedure was the same except that 6-chloro-1-hexanol (Cl-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -OH) was used as a raw material for etherification.
BP-4-1의 합성: 상기 BP-2의 합성과 동일한 방법으로 진행하였으며 BP-2의 1단계에서 사용한 3-클로로-1,2-프로판디올(Cl-CH2CH(OH)CH2OH) 대신 2-(2-클로로에톡시)에탄올(Cl-CH2CH2OCH2CH2OH)을 에테르화의 원료 물질로 사용한 것을 제외하면 동일하게 진행하였다.Synthesis of BP-4-1: 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH 2 CH (OH) CH 2 OH used in the same manner as the synthesis of BP-2 and used in step 1 of BP-2) The procedure was the same except that 2- (2-chloroethoxy) ethanol (Cl-CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OH) was used as a raw material for etherification.
BP-4-2의 합성: 상기 BP-2의 합성과 동일한 방법으로 진행하였으며 BP-2의 1단계에서 사용한 3-클로로-1,2-프로판디올(Cl-CH2CH(OH)CH2OH) 대신 2-[2-(2-클로로에톡시)에톡시]에탄올(Cl-CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OH)을 에테르화의 원료 물질로 사용한 것을 제외하면 동일하게 진행하였다.Synthesis of BP-4-2: 3-chloro-1,2-propanediol (Cl-CH 2 CH (OH) CH 2 OH used in the same manner as the synthesis of BP-2 and used in step 1 of BP-2) The procedure was the same except that 2- [2- (2-chloroethoxy) ethoxy] ethanol (Cl-CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 OH) was used as a raw material for etherification. .
상기와 같은 방법에 따라 최종적으로 합성된 물질은 화학식 1로 표시되는 구조를 가지며, 이의 카르복시벤조일기 및 에테르화 반응에 의하여 도입된 치환기의 함량을 살펴보면 다음 표 1과 같다. 일반적으로 셀룰로오즈 유도체에 있어서 각 치환기의 위치를 규명하기는 용이하지 않으며, 다만 각각의 치환기의 함량으로서 그 치환정도를 예측할 수 있다.Finally, the material synthesized according to the above method has a structure represented by Chemical Formula 1, and the carboxybenzoyl group and the contents of the substituents introduced by the etherification reaction are as follows. In general, it is not easy to identify the position of each substituent in the cellulose derivative, but the degree of substitution can be predicted as the content of each substituent.
실시예 1∼6 및 비교예 1∼2Examples 1-6 and Comparative Examples 1-2
다음 표 2 내지 9에 나타낸 바와 같은 조성으로 통상의 방법에 따라 감광성 수지 조성물을 조성하였다.Next, the photosensitive resin composition was prepared according to a conventional method with the composition as shown in Tables 2 to 9 below.
상기 실시예 1∼6에 의하여 감광성 수지 조성물의 혼합액을 만든 후, 이를 20마이크론의 폴리에스테르 필름 위에 코팅 바를 이용하여 균일한 두께(40㎛)로 코팅한 후 열풍오븐 속에서 80℃에서 약 5분 정도 건조시킨 후 이 위에 폴리에틸렌 필름을 라미네이션시켜 감광성 수지조성물인 샌드블라스트 레지스트를 완성하였다.After the mixed solution of the photosensitive resin composition was prepared according to Examples 1 to 6, the coating solution was coated on a 20 micron polyester film with a uniform thickness (40 μm) using a coating bar, and then heated for about 5 minutes at 80 ° C. in a hot air oven. After drying to some extent, a polyethylene film was laminated thereon to complete the sandblast resist, which is a photosensitive resin composition.
상기 완성된 샌드블라스트 레지스트는 화이트 립 재료 위에 폴리에틸렌 필름을 제거하고 난 후 가열압착롤러를 이용하여 라미네이션시켰다. 여기에 5㎛ 단위로나누어져 있는 10∼200㎛의 포토마스크를 이용하여 레지스트의 밀착력과 해상도를 측정하였다. 밀착력의 경우 포토마스크의 패턴은 Line/Space=x:400(단위:㎛)이며 해상도의 경우는 Line/Space=400:x(단위:㎛)로 되어 있다. 반응성의 측도로 사용되어지는 감도는 Stouffer Graphic Arts Equipment Co.의 21단 스텝 타블렛(tablet)을 사용하여 레지스트를 기준으로 하여 측정하였다. 샌드블라스트 레지스트의 중요한 물성인 샌드블라스트 내성은 유리기판 위에 드라이필름을 라미네이션한 후 100mJ/㎠(실제 드라이필름이 받는 노광에너지=포토마스크 아래에서 측정한 UV에너지)를 5kW 평행광 노광기를 이용하여 조사한 후 폴리에틸렌 필름을 제거하고 난 후 여기에 연마제를 샌드블라스트 노즐을 이용하여 1.5kg/㎠의 압력으로 분사시켜 드라이필름의 막이 완전히 제거되는데 까지 걸리는 시간을 측정하였다. 여기서 샌드블라스트 노즐과 기판사이의 거리는 1cm이다.The finished sandblast resist was laminated using a hot pressing roller after removing the polyethylene film on the white lip material. The adhesion and resolution of the resist were measured using a 10-200 μm photomask divided into 5 μm units. In the case of adhesion, the pattern of the photomask is Line / Space = x: 400 (unit: 탆) and in the case of resolution, Line / Space = 400: x (unit: 탆). The sensitivity used as a measure of reactivity was measured on the basis of resist using a 21-step tablet from Stouffer Graphic Arts Equipment Co. Sandblast resistance, which is an important property of sandblast resist, was measured by laminating dry film on glass substrate and exposing 100mJ / cm2 (exposure energy received by real dry film = UV energy measured under photomask) using 5kW parallel light exposure machine. After the polyethylene film was removed, the abrasive was sprayed at a pressure of 1.5 kg / cm 2 using a sandblast nozzle to measure the time taken for the film of the dry film to be completely removed. Here the distance between the sandblast nozzles and the substrate is 1 cm.
그 결과는 다음 표 10에 나타낸 바와 같다.The results are shown in Table 10 below.
상기 표 10의 결과로부터, 비교예 1과 2을 비교해 보면 비교예 1에서 사용한 CAP(cellulose acetate phthalate)에 비해서 비교예 2에서 사용된HPMCAP(hydroxypropylmethyl cellulose acetate phthalate)가 드라이필름의 밀착력에 있어서 더 나은 특성을 보이고 있는데 이는 상기 언급한 바와 같이 PDP(plasma display pannel)의 격벽재료와 좋은 밀착특성을 나타낼 수 있는 하이드록시기가 CAP의 경우, 리지드한 육각형의 고리 화합물 구조에 직접적으로 붙어 있는 입체 장애를 많이 받는데 비하여, HPMCAP의 경우는 하이드록시기가 CAP에 비하여 상대적으로 셀룰로오즈 주골격으로부터 더 멀리 떨어져 있어 입체 장애를 덜 받게 되고 따라서 상대적으로 격벽재료와의 좋은 밀착성을 나타낸 것으로 판단된다.From the results of Table 10, when comparing Comparative Examples 1 and 2, compared to CAP (cellulose acetate phthalate) used in Comparative Example 1 HPMCAP (hydroxypropylmethyl cellulose acetate phthalate) used in Comparative Example 2 is better in the adhesion of the dry film As mentioned above, the hydroxy group, which can show good adhesion with the bulkhead material of the plasma display pannel (PDP), has a lot of steric hindrance that is directly attached to the rigid hexagonal ring compound structure in the case of CAP. In comparison with the HPMCAP, the hydroxyl group is farther away from the main cellulose skeleton than the CAP, so that the HMCAP is less steric hindrance, and therefore, it is considered that the HPMCAP exhibits relatively good adhesion to the bulkhead material.
실시예 1의 경우, 바인더폴리머의 분자구조에 카르복시산 부(Carbozylic acid moiety)가 하나 더 첨가된 형태로, 여기서도 기본적인 구조가 SiO2인 격벽재료와의 상호작용이 우수한 카르복시산의 함량증가로 인한 밀착력의 향상을 나타냄을 볼 수 있다.In the case of Example 1, the carboxylic acid moiety (carbozylic acid moiety) is added to the molecular structure of the binder polymer, even here, the adhesion of the adhesion due to the increase in the content of carboxylic acid having excellent interaction with the partition material of SiO 2 basic structure It can be seen that the improvement is shown.
실시예 3과 4는 격벽재료와의 밀착력을 유발하는 하이드록시기와 셀룰로오즈의 육각형 고리화합물과의 거리에 따른 밀착력의 차이를 나타내는 예로서, 실시예 3의 경우는 하이드록시기와 셀룰로오즈의 육각형 고리화합물과의 거리가 비교예 2의 하이드록시프로필의 하이드록시와 셀룰로오즈의 육각형 고리화합물과의 거리와 거의 유사하여 밀착력의 차이가 비교예 2와 거의 유사하나 실시예 4의 경우는 하이드록시기가 셀룰로오즈의 육각형 고리화합물과 충분히 떨어져 위치함에 따라서 하이드록시기가 격벽재료와 충분한 상호작용이 가능하게 되어 아주 우수한 밀착력을 나타내었다.Examples 3 and 4 show an example of the difference in adhesion between the hydroxy group and the hexagonal cyclic compound of cellulose, which induces adhesion to the partition material. In Example 3, the hexagonal cyclic compound of the hydroxy group and cellulose The distance between the two is almost similar to the distance between the hydroxy hydroxy of hydroxypropyl of Comparative Example 2 and the hexagonal ring compound of cellulose, so that the difference in adhesion is almost similar to that of Comparative Example 2, but in the case of Example 4, Positioned sufficiently apart from the compound, the hydroxyl group was able to interact sufficiently with the barrier material, thus exhibiting excellent adhesion.
실시예 5와 6의 경우는 하이드록시기가 셀룰로오즈의 육각형 고리화합물과 충분이 떨어져 격벽재료와의 충분한 밀착력 부여가 가능하게 됨과 동시에 친수성을 증가시키기 위하여 스페이서로 에틸렌 옥사이드 부를 도입함으로써 우수한 밀착력을 보여주고 있다.In Examples 5 and 6, the hydroxy group is sufficiently separated from the hexagonal cyclic compound of cellulose, thereby providing sufficient adhesion to the partition material and introducing ethylene oxide into the spacer to increase hydrophilicity. .
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따라 바인더 폴리머로서 특정계열의 셀룰로오즈 유도체를 적용하여 조성한 감광성 수지조성물을 사용한 드라이필름 레지스트를 PDP 하판 제조시 사용되어지는 샌드블라스트 레지스트용으로 사용할 경우 샌드블라스트 레지스트와 격벽재료와의 밀착력을 강화시킬 수 있고 격벽재료와의 밀착력이 현저히 개선됨에 따라서 블랙 립 재료 뿐만 아니라 화이트 립 재료에서도 우수한 밀착력의 향상효과를 거둘 수 있는 바, 결국 손쉽게 드라이필름의 밀착력 개선이 이루어질 수 있다.As described in detail above, when the dry film resist using the photosensitive resin composition prepared by applying a specific series of cellulose derivatives as a binder polymer according to the present invention is used for the sandblast resist used in the manufacture of the PDP underlay, sandblast resist and As the adhesion to the barrier material can be strengthened and the adhesion to the barrier material is remarkably improved, the adhesion of the black lip material as well as the white lip material can be improved, and thus the adhesion of the dry film can be easily improved. have.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020064458A KR20040035345A (en) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020064458A KR20040035345A (en) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040035345A true KR20040035345A (en) | 2004-04-29 |
Family
ID=37334290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020064458A Ceased KR20040035345A (en) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20040035345A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06342212A (en) * | 1993-04-07 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resist for forming fine pattern and fine pattern forming method |
KR19980063926A (en) * | 1996-12-10 | 1998-10-07 | 제럴드켄트화이트 | High-Resolution Positive Directing Dry Film Photoresist |
JPH11228640A (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Goo Chem Ind Co Ltd | Cellulose derivative compound and photosensitive composition and photoresist ink |
-
2002
- 2002-10-22 KR KR1020020064458A patent/KR20040035345A/en not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06342212A (en) * | 1993-04-07 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resist for forming fine pattern and fine pattern forming method |
KR19980063926A (en) * | 1996-12-10 | 1998-10-07 | 제럴드켄트화이트 | High-Resolution Positive Directing Dry Film Photoresist |
JPH11228640A (en) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Goo Chem Ind Co Ltd | Cellulose derivative compound and photosensitive composition and photoresist ink |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100521999B1 (en) | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist | |
JPH01901A (en) | Light-shielding screen structure | |
JP4341997B2 (en) | Photopolymerizable resin composition | |
JP4228467B2 (en) | Photosensitive paste, display member manufacturing method, and plasma display | |
KR101073620B1 (en) | Photoresist resin composition | |
TW557411B (en) | Photosensitive composition for sandblasting and photosensitive film comprising the same | |
KR20040035345A (en) | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and photosensitive film laminate comprising the same | |
JP2000066391A (en) | Photosensitive composition for sandblast and photosensitive film using same | |
JP2002023383A (en) | Photosensitive paste, member for display using the same and method for producing member for display | |
KR100813494B1 (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive film containing the same | |
KR101142631B1 (en) | Photosensitive Resin Composition for Sandblast Resist and dry-film photoresist | |
KR101071420B1 (en) | Photopolymerizable Resin Composition For Sandblast Resist and dry film photo resist formed thereof | |
JP4979341B2 (en) | Photosensitive resin composition and method for forming glass pattern | |
KR100674397B1 (en) | Insulation paste composition for rib formation and formation method of a rib pattern | |
JP2006023369A (en) | Photosensitive resin laminate for sand blasting | |
JP2021017004A (en) | Photosensitive film for sand blast | |
KR20100078035A (en) | Photopolymerizable resin compositions | |
JPH11188631A (en) | Photosensitive resin composition for sand blast and its use | |
JP4111293B2 (en) | Anti-reflective film forming solution for rib processing, laminate for forming rib applied with the same, and method for forming rib pattern | |
KR100716933B1 (en) | Photosensitive resin composition | |
JPH09114095A (en) | Photosensitive colored composition and production of color filter | |
JP2006054069A (en) | Manufacturing method of back plate of plasma display panel | |
JP2023127135A (en) | Photosensitive resin composition for sandblasting and dry film | |
JP2005084537A (en) | Photosensitive resin composition for sandblasting and its use |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20021022 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20070409 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20021022 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20080326 Patent event code: PE09021S01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20080918 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20080326 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |