KR20030059573A - Etch equipment have apparatus use for purge - Google Patents
Etch equipment have apparatus use for purge Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030059573A KR20030059573A KR1020020000019A KR20020000019A KR20030059573A KR 20030059573 A KR20030059573 A KR 20030059573A KR 1020020000019 A KR1020020000019 A KR 1020020000019A KR 20020000019 A KR20020000019 A KR 20020000019A KR 20030059573 A KR20030059573 A KR 20030059573A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- purge gas
- purge
- etching
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 title claims abstract description 133
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 26
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 86
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 퍼지장치가 구비된 식각장비에 관한 것으로, 금속배선의 부식을 감소시킬 수 있기 위하여, 금속배선을 위한 식각공정에서 부식불량의 유발요인이 감소될 수 있는 퍼지장치가 구비된 식각장비에 관한 것으로 본 발명에서는, 식각공정을 수행하는 멀티챔버용 식각장비에 있어서: 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급원과, 상기 퍼지가스 공급원에서 공급된퍼지가스가 상기 멀티챔버들로 각각 이동되는 퍼지가스 공급관과, 상기 퍼지가스 공급관에서 이동되는 퍼지가스를 상기 각 챔버 내부에서 요구되는 퍼지가스의 양으로 조절하는 다수의 퍼지가스 조절부를 구비한 퍼지장치와; 웨이퍼가 로딩되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되면서 진공압이 형성되는 로드락챔버와; 상기 로드락챔버로부터 이송된 웨이퍼가 정렬되는 얼라인챔버와; 상기 얼라인챔버로부터 이송된 웨이퍼에 식각공정이 수행되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 식각챔버와; 상기 식각챔버로부터 이송된 웨이퍼에 스트립공정이 수행되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 스트립챔버와; 상기 스트립챔버로부터 이송된 웨이퍼에 냉각되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 냉각챔버;를 구비한다.The present invention relates to an etching apparatus equipped with a purge apparatus, in order to reduce the corrosion of the metal wiring, to the etching equipment having a purge apparatus capable of reducing the cause of corrosion failure in the etching process for the metal wiring. In the present invention, in the etching apparatus for a multi-chamber performing an etching process: a purge gas supply source for supplying a purge gas, and a purge gas supply pipe to which the purge gas supplied from the purge gas supply is moved to the multi-chambers respectively And a purge device having a plurality of purge gas adjusting units configured to adjust the purge gas moved from the purge gas supply pipe to the amount of purge gas required in each chamber; A load lock chamber in which a vacuum pressure is formed while the purge gas is supplied and controlled by the purge device when the wafer is loaded; An alignment chamber in which wafers transferred from the load lock chamber are aligned; An etching chamber in which a purge gas is supplied and controlled by the purge apparatus and purged when an etching process is performed on the wafer transferred from the alignment chamber; A strip chamber in which a purge gas is supplied and controlled by the purge device when the strip process is performed on the wafer transferred from the etching chamber; And a cooling chamber in which purge gas is supplied and regulated by the purge device when the wafer is cooled on the wafer transferred from the strip chamber.
Description
본 발명은 퍼지장치가 구비된 식각장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속배선의 부식을 감소시킬 수 있기 위하여, 금속배선을 위한 식각공정에서 부식불량의 유발요인이 감소될 수 있는 퍼지장치가 구비된 식각장비에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus having a purge apparatus, and more particularly, to reduce corrosion of metal wiring, a purge apparatus capable of reducing the cause of corrosion failure in an etching process for metal wiring is provided. To an etched equipment.
일반적으로 반도체소자의 제조공정에서 금속배선공정은 반도체기판 상에 형성된 다수의 소자들을 전기적으로 연결하기 위한 것으로써, 반도체 기판상의 특정 층상에 금속배선물질층을 증착시키고, 이 금속배선물질층 상에 포토레지스트를 코팅한 후, 이 포토레지스트를 원하는 금속배선을 고려하여 설계된 특정의 패턴에 따라 노광 및 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하고, 이 포토레지스트패턴을 식각마스크로 하여 상기 금속배선물질층을 식각하고 이 포토레지스트 패턴을 제거하여 금속배선을 형성함으로써 이루어진다.In general, a metallization process in a semiconductor device manufacturing process is for electrically connecting a plurality of devices formed on a semiconductor substrate, and deposits a metallization material layer on a specific layer on the semiconductor substrate, and on the metallization material layer. After coating the photoresist, the photoresist is exposed and developed according to a specific pattern designed in consideration of the desired metallization to form a photoresist pattern, and the metallization material layer is etched using the photoresist pattern as an etch mask. The photoresist pattern is removed to form metal wiring.
이와 같은 도 1은 금속배선을 형성하기 위한 금속배선 물질층을 식각하고 포토레지스트패턴을 제거하는 일련의 공정이 수행되는 종래의 멀티챔버형 식각장비를개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a conventional multi-chamber type etching equipment in which a series of processes of etching a metal wiring material layer for forming metal wiring and removing a photoresist pattern are performed.
도 1을 참조하여 설명하면, 중앙부에는 웨이퍼 이송용 로봇(152)이 배치되어 있으며 펌프에 의해 일정한 진공도로 유지되는 트랜스퍼챔버(150)가 형성되어 있고, 이 트랜스퍼챔버(150)를 둘러싸고 복수개의 챔버들이 연통 연결되어 있다. 즉, 공정수행을 위해 대기중이거나 공정수행이 완료된 웨이퍼들이 대기중인 로드락챔버(100a,100b)와, 공정수행을 위한 웨이퍼를 정렬하기 위한 얼라인챔버(110)와, 금속배선을 위한 식각공정이 수행되는 식각챔버(120a,120b)와, 식각공정이 수행된 후 잔류하는 포토레지스트패턴이 제거되는 스트립챔버(130a,130b)와, 상술한 식각공정이 완료된 후 웨이퍼를 일정한 온도까지 냉각시키기 위한 냉각챔버(140)가 상술한 트랜스퍼챔버(150)를 둘러싸고 배치되어 있다.Referring to FIG. 1, a wafer transfer robot 152 is disposed at a central portion thereof, and a transfer chamber 150 is formed to be maintained at a constant vacuum degree by a pump. The transfer chamber 150 surrounds the transfer chamber 150. They are in communication. That is, the load lock chambers 100a and 100b in which the wafers waiting for the process execution or the process execution are completed, the alignment chamber 110 for aligning the wafers for the process execution, and the etching process for metal wiring The etching chambers 120a and 120b are performed, the strip chambers 130a and 130b from which the photoresist pattern remaining after the etching process is removed, and the wafer are cooled to a constant temperature after the etching process is completed. The cooling chamber 140 is disposed surrounding the transfer chamber 150 described above.
여기서 상술한 식각챔버(120a,120b) 내에서는, 반도체기판상의 특정 절연막 상에 금속배선물질 층이 형성되어 있고 그 상측에 원하는 금속배선패턴을 형성하기 위한 포토레지스트패턴이 형성되어 있는 웨이퍼가, 상술한 챔버 내부로 공급되는 식각가스에 의해 식각공정이 수행된다. 이때 금속배선의 재료로 주로 사용되는 알루미늄을 식각하기 위해 사용되는 식각가스에는 Cl2가스와 BCL3가스가 주로 사용된다. 그러나 상술한 바와 같이 Cl이 포함된 식각가스로 알루미늄의 식각공정을 수행할 경우, 알루미늄을 부식시키게 되어 금속배선라인내의 부식이 유발하게 된다.In the above-described etching chambers 120a and 120b, a wafer in which a metal wiring material layer is formed on a specific insulating film on a semiconductor substrate and a photoresist pattern for forming a desired metal wiring pattern is formed on the semiconductor substrate. The etching process is performed by the etching gas supplied into one chamber. At this time, Cl 2 gas and BCL 3 gas are mainly used as an etching gas used to etch aluminum which is mainly used as a material for metal wiring. However, when the etching process of aluminum is performed with the etching gas containing Cl as described above, the aluminum is corroded, causing corrosion in the metal wiring line.
또, 식각공정을 수행하기 위해 식각챔버로 웨이퍼가 이송되기 전의 각 챔버내부에서 또는 이송된 후의 각 챔버내부에 존재하고 있는 용액잔여물이나 가스잔여물로 인해 금속배선라인내의 부식이 유발될 수도 있게 된다.In addition, solution residues or gas residues present in each chamber before or after the wafer is transferred to the etching chamber to perform the etching process may cause corrosion in the metal wiring line. do.
상술한 바와 같은 원인으로 발생된 금속배선라인의 부식은 점차적으로 확장되면서 금속배선라인의 단락을 초래하고 반도체소자간의 전기적 연결불량이 되어 수율 저하의 요인이 되는 문제점이 있다.Corrosion of the metal wiring lines caused by the above-described causes is gradually expanded, causing short circuits of the metal wiring lines, and poor electrical connection between semiconductor devices, resulting in a decrease in yield.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 금속배선의 부식을 감소시킬 수 있기 위하여, 금속배선을 위한 식각공정이 진행되는 멀티챔버형 식각장비내에서 부식불량의 유발요인이 감소될 수 있는 퍼지장치가 구비된 식각장비를 제공함에 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to purge the corrosion of the metal wiring, the purge that can be reduced the cause of corrosion failure in the multi-chamber type etching equipment is subjected to the etching process for the metal wiring The present invention provides an etching apparatus equipped with a device.
도 1은 종래의 멀티챔버형 식각장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional multi-chamber type etching equipment.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시 예의 멀티챔버형 식각장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing a multi-chamber type etching equipment according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10, 20 : 멀티챔버형 식각장비10, 20: multi-chamber type etching equipment
100a,100b, 200a, 200b : 로드락챔버 110 , 210 : 얼라인챔버100a, 100b, 200a, 200b: load lock chamber 110, 210: alignment chamber
120a , 120b, 220a, 220b : 식각챔버 130a,130b, 230a, 230b : 스트립챔버120a, 120b, 220a, 220b: Etch chamber 130a, 130b, 230a, 230b: Strip chamber
140, 240 : 냉각챔버 150, 250 : 트랜스퍼챔버140, 240: cooling chamber 150, 250: transfer chamber
152, 252 : 로봇152, 252: robot
300a : 제1 퍼지가스 공급관 300b : 제1 퍼지가스 조절부300a: first purge gas supply pipe 300b: first purge gas control unit
300c : 제2 퍼지가스 공급관 300d : 제2 퍼지가스 조절부300c: second purge gas supply pipe 300d: second purge gas control unit
310a : 제3 퍼지가스 공급관 310b : 제3 퍼지가스 조절부310a: third purge gas supply pipe 310b: third purge gas control unit
320a : 제4 퍼지가스 공급관 320b : 제4 퍼지가스 조절부320a: fourth purge gas supply pipe 320b: fourth purge gas control unit
320c : 제5 퍼지가스 공급관 320d : 제5 퍼지가스 조절부320c: fifth purge gas supply pipe 320d: fifth purge gas control unit
330a : 제6 퍼지가스 공급관 330b : 제6 퍼지가스 조절부330a: sixth purge gas supply pipe 330b: sixth purge gas control unit
330c : 제7 퍼지가스 공급관 330d : 제7 퍼지가스 조절부330c: 7th purge gas supply pipe 330d: 7th purge gas control unit
340a : 제8 퍼지가스 공급관 340b : 제8 퍼지가스 조절부340a: eighth purge gas supply pipe 340b: eighth purge gas control unit
400 : 퍼지가스 공급원400: purge gas supply source
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 식각공정을 수행하는 멀티챔버용 식각장비에 있어서: 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급원과, 상기 퍼지가스 공급원에서 공급된퍼지가스가 상기 멀티챔버들로 각각 이동되는 퍼지가스 공급관과, 상기 퍼지가스 공급관에서 이동되는 퍼지가스를 상기 각 챔버 내부에서 요구되는 퍼지가스의 양으로 조절하는 다수의 퍼지가스 조절부를 구비한 퍼지장치와; 웨이퍼가 로딩되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되면서 진공압이 형성되는 로드락챔버와; 상기 로드락챔버로부터 이송된 웨이퍼가 정렬되는얼라인챔버와; 상기 얼라인챔버로부터 이송된 웨이퍼에 식각공정이 수행되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 식각챔버와; 상기 식각챔버로부터 이송된 웨이퍼에 스트립공정이 수행되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 스트립챔버와; 상기 스트립챔버로부터 이송된 웨이퍼에 냉각되면 상기 퍼지장치에 의해 퍼지가스가 공급ㆍ조절되어 퍼지되는 냉각챔버;를 구비한다.In order to achieve the above object, in the present invention, in the etching apparatus for a multi-chamber performing the etching process: a purge gas supply source for supplying a purge gas, and a purge gas supplied from the purge gas supply to the multi-chambers, respectively A purge device having a purge gas supply pipe to be moved and a plurality of purge gas adjusting units configured to adjust the purge gas moved from the purge gas supply pipe to the amount of purge gas required in the respective chambers; A load lock chamber in which a vacuum pressure is formed while the purge gas is supplied and controlled by the purge device when the wafer is loaded; An alignment chamber in which wafers transferred from the load lock chamber are aligned; An etching chamber in which a purge gas is supplied and controlled by the purge apparatus and purged when an etching process is performed on the wafer transferred from the alignment chamber; A strip chamber in which a purge gas is supplied and controlled by the purge device when the strip process is performed on the wafer transferred from the etching chamber; And a cooling chamber in which purge gas is supplied and regulated by the purge device when the wafer is cooled on the wafer transferred from the strip chamber.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티챔버형 식각장비를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 중앙부에는 웨이퍼 이송용 로봇(252)이 배치되어 있으며 펌프에 의해 일정한 진공도로 유지되는 트랜스퍼챔버(250)가 형성되어 있고, 이 트랜스퍼챔버(250)를 둘러싸고 복수개의 챔버들이 연통 연결되어 있다. 즉, 공정수행을 위해 대기중이거나 공정수행이 완료된 웨이퍼들이 대기중인 로드락챔버(100a,100b)와, 공정수행을 위한 웨이퍼를 정렬하기 위한 얼라인챔버(210)와, 금속배선을 위한 식각공정이 수행되는 식각챔버(220a, 220b)와, 식각공정이 수행된 후 잔류하는 포토레지스트패턴등을 스트립하는 스트립챔버(230a, 230b)와, 상술한 식각공정이 완료된 후 웨이퍼를 일정한 온도까지 냉각시키기 위한 냉각챔버(240)가 상술한 트랜스퍼챔버(250)를 둘러싸고 배치되어 있다.2 is a view schematically showing a multi-chamber type etching equipment according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a wafer transfer robot 252 is disposed at a central portion thereof, and a transfer chamber 250 is formed to maintain a constant vacuum degree by a pump. The transfer chamber 250 surrounds the transfer chamber 250. They are in communication. That is, the load lock chambers 100a and 100b in which the wafers which are waiting for the process execution or which have been completed are waiting, the alignment chamber 210 for aligning the wafers for the process execution, and the etching process for the metal wiring. The etching chambers 220a and 220b are performed, the strip chambers 230a and 230b stripping the photoresist pattern remaining after the etching process is performed, and the wafer is cooled to a constant temperature after the etching process is completed. Cooling chamber 240 is disposed surrounding the transfer chamber 250 described above.
한편, 도 1에서와 달리 본 발명의 식각장비에서의 상술한 로드락챔버(100a,100b), 식각챔버(220a, 220b), 스트립챔버(230a, 230b),냉각챔버(240) 및 트랜스퍼챔버(250)는 퍼지장치를 구비하게 되는 데, 이 퍼지장치는 퍼지가스(purge gas)가 이동하는 제1 퍼지가스 공급관(300a), 제2 퍼지가스 공급관(300c), 제3 퍼지가스 공급관(310a), 제4 퍼지가스 공급관(320a), 제5 퍼지가스 공급관(320c), 제6 퍼지가스 공급관(330a), 제7 퍼지가스 공급관(330c), 제8 퍼지가스 공급관(340a)과 이들 각 퍼지가스 공급관과 연결되어 퍼지가스를 공급하는 하나의 퍼지가스 공급원(400)과, 상술한 퍼지가스 공급관으로부터 이동되는 퍼지가스의 양을 각 챔버에 적절하게 조절하는 제1 퍼지가스 조절부(300b), 제2 퍼지가스 조절부(300d), 제3 퍼지가스 조절부(310b), 제4 퍼지가스 조절부(320b), 제5 퍼지가스 조절부(320d), 제6 퍼지가스 조절부(330b), 제7 퍼지가스 조절부(330d), 제8 퍼지가스 조절부(340b)가 각 챔버에 구비되고, 이로 인해, 각 챔버들은 퍼지를 수행할 수 있게 된다.Meanwhile, unlike in FIG. 1, the above-described load lock chambers 100a and 100b, etching chambers 220a and 220b, strip chambers 230a and 230b, cooling chambers 240 and transfer chambers in the etching apparatus of the present invention. 250 is provided with a purge apparatus, which is a first purge gas supply pipe 300a, a second purge gas supply pipe 300c, a third purge gas supply pipe 310a to which purge gas is moved. , Fourth purge gas supply pipe 320a, fifth purge gas supply pipe 320c, sixth purge gas supply pipe 330a, seventh purge gas supply pipe 330c, eighth purge gas supply pipe 340a, and each of these purge gases A purge gas supply source 400 connected to the supply pipe and supplying the purge gas, a first purge gas control unit 300b for appropriately adjusting the amount of purge gas moved from the above-described purge gas supply pipe to each chamber; The second purge gas control unit 300d, the third purge gas control unit 310b, the fourth purge gas control unit 320b, and the fifth purge gas control unit ( 320d), a sixth purge gas control unit 330b, a seventh purge gas control unit 330d, and an eighth purge gas control unit 340b are provided in each chamber, and thus, each chamber may perform purging. Will be.
한편, 상술한 각 챔버들은 각 챔버에서 공정이 수행되기 위해 요구되는 진공압이 형성되도록 하고, 상술한 각 챔버가 퍼지됨으로써 불순물을 외부로 배출시키게 되는 진공펌프(미도시)를 각기 구비하고 있다.On the other hand, each of the above-described chambers are each provided with a vacuum pump (not shown) to form a vacuum pressure required to perform the process in each chamber, and to discharge impurities to the outside by purging the above-mentioned each chamber.
이와 같은 구성을 가진 멀티챔버용 식각장비(10)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the multi-chamber etching equipment 10 having such a configuration as follows.
우선, 웨이퍼가 투입되면 로드락챔버(200a)는 진공펌프(미도시)를 통해 퍼지하고 그리하여 요구되는 진공압상태가 된다. 즉, 로드락챔버의 퍼지는 로드락챔버(200a)로 투입되는 퍼지가스의 양을 제1 퍼지가스 조절부(300b)를 통해 조절하여 이를 제1 퍼지가스 공급관(300a)으로 공급하고, 이 공급한 퍼지가스는 로드락챔버(200a)를 채움으로 해서 로드락챔버(200a) 내에 잔류되어 있는 불순물 즉, 가스잔여물이나 용액잔여물등을 진공펌프(미도시)의 펌핑을 통해 외부로 배출한다. 이때 진공펌프(미도시)는 로드락챔버(200a)에서 요구되는 진공압을 형성하는 동시에 로드락챔버(200a) 내부가 퍼지됨으로 인해 잔류하고 있던 불순물을 펌핑하여 이 불순물이 진공관을 통해 외부로 배출시키는 역할을 하게 된다. 그리하여 로드락챔버(200a)가 퍼지되면 웨이퍼는 로드락챔버(200a)에서의 공정을 완료한다.First, when the wafer is put in, the load lock chamber 200a is purged through a vacuum pump (not shown) and thus enters the required vacuum pressure state. That is, the purge of the load lock chamber is regulated through the first purge gas control unit 300b by supplying the amount of purge gas introduced into the load lock chamber 200a to the first purge gas supply pipe 300a and supplying the same. The purge gas fills the load lock chamber 200a and discharges impurities remaining in the load lock chamber 200a, ie, gas residues or solution residues, to the outside through pumping of a vacuum pump (not shown). At this time, the vacuum pump (not shown) forms a vacuum pressure required by the load lock chamber 200a and simultaneously pumps impurities remaining due to the purge of the load lock chamber 200a, and the impurities are discharged to the outside through the vacuum tube. It will play a role. Thus, when the load lock chamber 200a is purged, the wafer completes the process in the load lock chamber 200a.
다음으로 로드락챔버(200a)에서의 공정이 완료된 웨이퍼는 소정의 진공도가 유지되는 트랜스퍼챔버(250) 내의 로봇(252)에 의해 얼라인챔버(210)로 로딩되어 정렬시킨다.Next, the wafer in which the process in the load lock chamber 200a is completed is loaded and aligned to the alignment chamber 210 by the robot 252 in the transfer chamber 250 in which a predetermined degree of vacuum is maintained.
그리고 얼라인챔버(210)에서 정렬된 웨이퍼가 소정의 진공도가 유지되는 트랜스퍼챔버(250)내의 로봇(252)에 의해 두 개의 식각챔버(220a,220b)중 어느 하나로 이송되어 금속배선을 위한 식각공정이 실시된다. 다시 말해, 금속배선을 위한 식각공정은 특정형태의 포토레지스터패턴이, 식각하고자 하는 금속배선물질층상에 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 두 개의 식각챔버(220a,220b)중의 어느 하나에 로딩하여, 식각챔버(220a 또는 220b)내에 식각가스를 공급하고 상술한 포토레지스터패턴을 식각마스크로 하여 식각함으로써 금속패턴을 형성하게 된다. 그리하여 식각챔버(220a 또는 220b)가 식각공정을 마친 후에 상술한 로드락챔버(200a)와 마찬가지로 퍼지된다. 즉, 식각챔버의 퍼지는 식각챔버(220a 또는 220b)로 투입되는 퍼지가스의 양을 제4 퍼지가스 조절부(320b)또는 제5 퍼지가스 조절부(320d)를 통해 조절하여 이를 제4 퍼지가스 공급관(320a) 또는 제5 퍼지가스 공급관(320c)으로 공급하고, 이 공급한 퍼지가스는 식각챔버를 채움으로 해서 식각챔버(220a 또는 220b) 내에 잔류되어 있는 불순물 즉, 가스잔여물이나 용액잔여물등을 진공펌프(미도시)의 펌핑을 통해 외부로 배출한다. 이때 진공펌프(미도시)는 식각챔버(220a 또는 220b)에서 요구되는 진공압을 형성하는 동시에 식각챔버(220a 또는 220b) 내부가 퍼지됨으로 인해 잔류하고 있던 불순물을 펌핑하여 이 불순물이 진공관을 통해 외부로 배출시키는 역할을 하게 된다. 그리하여 식각챔버(220a 또는 220b)가 퍼지되면 웨이퍼는 식각챔버(220a 또는 220b)에서의 공정을 완료하게 된다.In addition, the wafer aligned in the alignment chamber 210 is transferred to any one of the two etching chambers 220a and 220b by the robot 252 in the transfer chamber 250 in which a predetermined degree of vacuum is maintained, thereby etching the metal. This is carried out. In other words, in the etching process for metal wiring, a semiconductor wafer in which a specific type of photoresist pattern is formed on the metal wiring material layer to be etched is loaded into one of the two etching chambers 220a and 220b, and the etching chamber The metal pattern is formed by supplying an etching gas into the 220a or 220b and etching the photoresist pattern as an etching mask. Thus, after the etching chamber 220a or 220b finishes the etching process, the etching chamber 220a or 220b is purged similarly to the load lock chamber 200a described above. That is, the purge of the etch chamber is controlled by the fourth purge gas control unit 320b or the fifth purge gas control unit 320d by adjusting the amount of purge gas introduced into the etch chamber 220a or 220b, and thus the fourth purge gas supply pipe. 320a or the fifth purge gas supply pipe 320c, and the supplied purge gas fills the etching chamber to remove impurities remaining in the etching chamber 220a or 220b, that is, gas residue or solution residue. Discharge to the outside through the pumping of a vacuum pump (not shown). At this time, the vacuum pump (not shown) forms the required vacuum pressure in the etching chamber 220a or 220b and pumps the remaining impurities due to the purging of the inside of the etching chamber 220a or 220b so that the impurities are transferred to the outside through the vacuum tube. It serves to discharge. Thus, when the etching chamber 220a or 220b is purged, the wafer completes the process in the etching chamber 220a or 220b.
다음으로 식각챔버(220a 또는 220b)에서의 공정이 완료된 웨이퍼가 소정의 진공도가 유지되는 트랜스퍼챔버(250)내의 로봇(252)에 의해 두 개의 스트립챔버(230a,230b)중 어느 하나로 이송되어 스트립공정을 수행한다. 이 스트립공정은 상술한 금속배선 상에 잔류하는 포토레지스터패턴을 제거하고, 금속배선에 흡착된 잔여물들을 제거하게 된다. 그리하여 스트립챔버(230a 또는 230b)에서 스트립공정을 마친 후에는 상술한 챔버들과 마찬가지로 퍼지된다. 즉, 스트립챔버의 퍼지는 스트립챔버(230a 또는 230b)로 투입되는 퍼지가스의 양을 제6 퍼지가스 조절부(330b) 또는 제7 퍼지가스 조절부(330d)를 통해 조절하여 이를 제6 퍼지가스 공급관(330a)또는 제7 퍼지가스 공급관(330b)으로 공급하고, 이 공급한 퍼지가스는 스트립챔버를 채움으로 해서 스트립챔버(230a 또는 230b) 내에 잔류되어 있는 불순물 즉, 가스잔여물이나 용액잔여물등을 진공펌프(미도시)의 펌핑을 통해 외부로 배출한다. 이때 진공펌프(미도시)는 스트립챔버(230a 또는 230b)에서 요구되는 진공압을 형성하는 동시에 스트립챔버(230a 또는 230b) 내부가 퍼지됨으로 인해 잔류하고 있던 불순물을 펌핑하여 이 불순물이 진공관을 통해 외부로 배출시키는 역할을 하게 된다. 그리하여 스트립챔버(230a 또는 230b)가 퍼지되면 웨이퍼는 스트립챔버(230a 또는 230b)에서의 공정을 완료하게 된다.Next, the wafer in which the process is completed in the etching chamber 220a or 220b is transferred to any one of the two strip chambers 230a and 230b by the robot 252 in the transfer chamber 250 in which the predetermined vacuum degree is maintained. Do this. This stripping process removes the photoresist pattern remaining on the metal wiring and removes residues adsorbed on the metal wiring. Thus, after the strip process is completed in the strip chamber 230a or 230b, it is purged similarly to the chambers described above. That is, the purge of the strip chamber is controlled through the sixth purge gas control unit 330b or the seventh purge gas control unit 330d by adjusting the amount of purge gas introduced into the strip chamber 230a or 230b, and the sixth purge gas supply pipe. 330a or the seventh purge gas supply pipe 330b, and the supplied purge gas fills the strip chamber to remove impurities remaining in the strip chamber 230a or 230b, that is, gas residue or solution residue. Discharge to the outside through the pumping of a vacuum pump (not shown). At this time, the vacuum pump (not shown) forms the required vacuum pressure in the strip chamber 230a or 230b and pumps the impurities remaining due to the purging of the inside of the strip chamber 230a or 230b so that the impurities are discharged through the vacuum tube. It serves to discharge. Thus, when the strip chamber 230a or 230b is purged, the wafer completes the process in the strip chamber 230a or 230b.
그리하여 스트립챔버(230a 또는 230b)에서의 공정이 완료된 웨이퍼는 소정의 진공도가 유지되는 트랜스퍼챔버(250)내의 로봇(252)에 의해 냉각챔버(240)로 이송되어, 공정수행시 요구된 온도로 상승되어 있던 웨이퍼를 냉각시키게 된다. 냉각챔버(240)에서 웨이퍼 냉각을 마친 후에는 상술한 챔버와 마찬가지로 퍼지된다. 즉, 냉각챔버의 퍼지는 냉각챔버(240)로 투입되는 퍼지가스의 양을 제8 퍼지가스 조절부(340b)를 통해 조절하여 이를 제8 퍼지가스 공급관(340a)으로 공급하고, 이 공급한 퍼지가스는 냉각챔버를 채움으로 해서 냉각챔버(240) 내에 잔류되어 있는 불순물 즉, 가스잔여물이나 용액잔여물등을 진공펌프(미도시)의 펌핑을 통해 외부로 배출한다. 이때 진공펌프(미도시)는 냉각챔버(240)에서 요구되는 진공압을 형성하는 동시에 냉각챔버(240) 내부가 퍼지됨으로 인해 잔류하고 있던 불순물을 펌핑하여 이 불순물이 진공관을 통해 외부로 배출시키는 역할을 하게 된다. 그리하여 냉각챔버(240)가 퍼지되면 웨이퍼는 냉각챔버(240)에서 언로딩된다.Thus, the wafer in which the process is completed in the strip chamber 230a or 230b is transferred to the cooling chamber 240 by the robot 252 in the transfer chamber 250 in which the predetermined vacuum degree is maintained, and rises to the required temperature during the process. The wafer is cooled. After the wafer cooling is completed in the cooling chamber 240, it is purged similarly to the above-described chamber. That is, the purge of the cooling chamber controls the amount of purge gas introduced into the cooling chamber 240 through the eighth purge gas adjusting unit 340b and supplies it to the eighth purge gas supply pipe 340a, and the supplied purge gas Fills the cooling chamber to discharge impurities remaining in the cooling chamber 240, that is, gas residue or solution residue, to the outside through the pumping of a vacuum pump (not shown). At this time, the vacuum pump (not shown) forms a vacuum pressure required in the cooling chamber 240 and at the same time pumps the remaining impurities due to the purging of the inside of the cooling chamber 240 to discharge the impurities to the outside through the vacuum tube. Will be Thus, when the cooling chamber 240 is purged, the wafer is unloaded in the cooling chamber 240.
또, 냉각챔버(240)에서 언로딩된 웨이퍼가 로드락챔버(200b)투입되면 상술한 로드락챔버(200a)와 마찬가지로 진공펌프(미도시)를 통해 퍼지되면서 요구되는 진공압으로 형성하게 된다.In addition, when the wafer unloaded from the cooling chamber 240 is loaded into the load lock chamber 200b, it is formed at the required vacuum pressure while being purged through a vacuum pump (not shown) similarly to the load lock chamber 200a described above.
상술한 바와 같이 금속배선의 부식을 발생하는 요인이 식각공정을 수행하는 식각챔버(220a,220b)와, 식각공정을 수행하기 위해 대기하고 있는로드락챔버(200a,200b), 얼라인챔버(210)와, 식각공정을 수행한 후에 대기하고 있는 스트립챔버(230a,230b), 냉각챔버(240)에 걸쳐 감소될 수 있게 된다.As described above, the factors causing corrosion of the metal wiring are the etching chambers 220a and 220b performing the etching process, the load lock chambers 200a and 200b and the alignment chamber 210 waiting to perform the etching process. ) And the strip chambers 230a and 230b and the cooling chamber 240 which are waiting after performing the etching process.
한편, 상술한 퍼지가스로는 N2가스를 사용하고 있음을 원칙으로 한다.On the other hand, as the purge gas described above, N 2 gas is used in principle.
한편, 상술한 진공펌프와 퍼지가스 공급부는 작업자에 의해 본 발명의 제한된 범위 안에서 변경 가능함을 원칙으로 한다.On the other hand, the above-mentioned vacuum pump and purge gas supply unit in principle can be changed within the limited scope of the present invention by the operator.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 금속배선의 부식을 발생하는 요인이 식각공정을 수행하는 식각챔버와, 식각공정을 수행하기 위해 대기하고 있는 로드락챔버, 얼라인챔버와, 식각공정을 수행한 후에 대기하고 있는 스트립챔버, 냉각챔버에 걸쳐 감소될 수 있어 반도체소자간의 전기적 연결불량을 해소할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, a corrosion factor of the metal wiring may be caused by an etching chamber performing an etching process, a load lock chamber waiting to perform the etching process, an alignment chamber, and an etching process. After that, it can be reduced over the waiting strip chamber and the cooling chamber, thereby reducing the electrical connection between the semiconductor devices.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020000019A KR20030059573A (en) | 2002-01-02 | 2002-01-02 | Etch equipment have apparatus use for purge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020000019A KR20030059573A (en) | 2002-01-02 | 2002-01-02 | Etch equipment have apparatus use for purge |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030059573A true KR20030059573A (en) | 2003-07-10 |
Family
ID=32216704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020000019A KR20030059573A (en) | 2002-01-02 | 2002-01-02 | Etch equipment have apparatus use for purge |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030059573A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736365B1 (en) * | 2005-05-24 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor manufacturing equipment |
| KR100971087B1 (en) * | 2010-05-06 | 2010-07-16 | 김현수 | Method of weaving a blind having blackout function on opaque area |
| US20100236718A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US8999103B2 (en) * | 2006-08-25 | 2015-04-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method and storage medium |
-
2002
- 2002-01-02 KR KR1020020000019A patent/KR20030059573A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736365B1 (en) * | 2005-05-24 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor manufacturing equipment |
| US8999103B2 (en) * | 2006-08-25 | 2015-04-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method and storage medium |
| US20100236718A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US9330950B2 (en) * | 2009-03-17 | 2016-05-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| KR100971087B1 (en) * | 2010-05-06 | 2010-07-16 | 김현수 | Method of weaving a blind having blackout function on opaque area |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102627546B1 (en) | Method and apparatus for anisotropic tungsten etching | |
| US10629473B2 (en) | Footing removal for nitride spacer | |
| US6733594B2 (en) | Method and apparatus for reducing He backside faults during wafer processing | |
| US6872322B1 (en) | Multiple stage process for cleaning process chambers | |
| US8435419B2 (en) | Methods of processing substrates having metal materials | |
| JP2002222861A (en) | Method for fabricating semiconductor element in device comprising plasma pretreatment module | |
| US20110130007A1 (en) | In-situ clean to reduce metal residues after etching titanium nitride | |
| US20050066994A1 (en) | Methods for cleaning processing chambers | |
| US11127599B2 (en) | Methods for etching a hardmask layer | |
| US20090317977A1 (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| KR20030059573A (en) | Etch equipment have apparatus use for purge | |
| US20050161435A1 (en) | Method of plasma etching | |
| US20110303639A1 (en) | Methods for processing substrates having metal hard masks | |
| US8465593B2 (en) | Substrate processing apparatus and gas supply method | |
| KR100845453B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US5939241A (en) | Method of preventing photoresist residue on metal lines | |
| US6303045B1 (en) | Methods and apparatus for etching a nitride layer in a variable-gap plasma processing chamber | |
| US9378954B2 (en) | Plasma pre-treatment for improved uniformity in semiconductor manufacturing | |
| KR102031304B1 (en) | Substrate treatment chamber for etching and ashing process and substrate treatment method | |
| JP2004327507A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100342393B1 (en) | a removing method of a photoresist pattern for a semiconductor device | |
| KR20080059770A (en) | Load Lock Chamber of Semiconductor Manufacturing Equipment | |
| KR0155623B1 (en) | Plasma etching apparatus of semiconductor manufacturing equipment | |
| KR100445635B1 (en) | Gas distribution plate for manufacturing wafer | |
| KR100444165B1 (en) | strip method of dummy wafer using ClF3 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20020102 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |