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KR20030006733A - 비 전도성 재료에 형성되는 전자파간섭(emi) 차폐막의제조방법 - Google Patents

비 전도성 재료에 형성되는 전자파간섭(emi) 차폐막의제조방법 Download PDF

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KR20030006733A
KR20030006733A KR1020010042616A KR20010042616A KR20030006733A KR 20030006733 A KR20030006733 A KR 20030006733A KR 1020010042616 A KR1020010042616 A KR 1020010042616A KR 20010042616 A KR20010042616 A KR 20010042616A KR 20030006733 A KR20030006733 A KR 20030006733A
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emi
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film formed
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리우치-치흐
첸차이-푸
황광-차오
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파라곤 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명은 비전도 재료의 표면에 전자파 간섭(EMI)을 차폐하는 한 겹 또는 여러 겹의 금속 차폐막을 형성시키는 방법으로, 상기 방법은 비전도 재료의 표면을 거칠게 처리하는 단계와, 상기 거칠어진 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착(예: 스퍼터링)하는 단계를 구비하여, 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 해당 표면을 거칠게 처리함으로써 EMI 차폐막 역할을 하는 금속막이 물리적인 증착 방식을 거쳐 비전도 재료의 표면에 대해 뛰어난 부착력을 지닌다. 본 금속막의 부착력은 5B의 단계에 달하여 시장의 EMI 차폐막에 대한 요구에 부합될 뿐만 아니라 심지어 그 이상의 성능을 가진다.

Description

비 전도성 재료에 형성되는 전자파간섭(EMI) 차폐막의 제조방법{process of forming an electromagnetic interference (EMI) shielding film on a non-conductive material}
본 발명은 비 전도성 재료인 전자설비의 케이스, 가요성 도선 또는 가요성 인쇄 회로판의 외부 절연막층에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 물리적 증착공정(Physical-Vapor-Depositing)을 통하여 전자파 간섭 차폐막을 형성시키는 제조방법에 관한 것이다.
전자파 간섭(Electromagnetic Interference, 이하 EMI로 약칭)이라 함은 원치 않는 에너지 방출을 의미하는데, 대개 주파수범위는 60Hz에서 1000MHz 이상이며, 그 중 주파수가 0.01 내지 1000MHz를 나타낼 때 라디오 주파수 간섭(RFI)이 일어난다.
EMI의 방출은 전자레인지, 개인용 컴퓨터 등 전자설비를 사용할 때 발생된다. EMI의 방출은, 전자 설비들이 서로 신호전달을 간섭하게 되고, 따라서, 무선 전화 같은 통신 기기, 실험 기기 및 인공 심장 등의 정상 작동에 부정적인 영향을 미친다.
따라서 선진 국가에서는 이미 전자제품의 EMI 방출 최다 허용 표준치를 설정해 놓고 있다. 그 예로, 미국 연방 통신 위원회(FCC)는 1983년에 10KHz에서 1000MHz 사이의 주파수를 발생시키는 디지털 전자제품에 대하여 EMI 방출 표준 허용량을 정해놓았다.
일반적으로, EMI 방출을 방지하기 위한 방법으로서 각종 전자 부속품 및 설비에 저 저항의 차폐막을 형성하는 방법을 사용하고 있다. 대개 비 전도 경질재료의 EMI 방출을 차폐하는 방법으로, 예를 들면, 전자 설비의 플라스틱 케이스에 래커 칠이나 화학 금속화 및 진공 금속화 및 직접 금속 박편을 덧씌우는 등의 금속 코팅막을 형성시키는 것이다. 금속의 종류는 동(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 아연(Zn) 등이 있다. 이러한 방식으로 형성된 EMI 차폐막은, 전자설비가 점차 소형화됨에 따라 부착력과 정확도 및 차폐력을 더 이상 만족시킬 수 없게 되었다.
현재 전자 설비의 소형화로 인하여 가요성(flexible) 인쇄 회로판 및 그와 짝을 이루는 가요성 도선이 응용되는 기회가 점차로 보편화 되는 추세이다. 노트북 컴퓨터, 메인 보드와 LCD 모니터가 일체로 되어있는 LCD 개인용 컴퓨터, 휴대폰(mobile phone) 및 스캐너(scanner) 등이 그 예이다. 또한, 가요성 인쇄 회로판에 장착하는 각종 IC칩의 수(밀도)가 점차 높아지고 또한 IC칩의 계산 기능이 갈수록 강화됨에 따라 가요성 인쇄회로판 및 이와 짝을 이루는 가요성 도선이 방출하는 EMI 역시 갈수록 강력해진다. 따라서, 반드시 이러한 기기들의 외부 절연막 표면에 EMI 차폐층을 형성하여야 근처에 있는 기타 전자 설비에 원치 않는 영향이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
가요성 도선 및 가요성 인쇄 회로판에 EMI 차폐막을 형성시키는 방법으로 가요성 도선 또는 가요성 인쇄 회로판의 외부 절연막 표면에 금속성 코팅층 및 또는 전도성 점성 테이프를 부착시키는 방법이 포함된다. 전자의 성분은 금속 이외에 비금속 화학품을 매개로 해야만 충분한 부착력이 생긴다. 그리고 후자는 고분자 기재의 한 표면 위에 도금한 금속층 및 그 금속층에 형성된 접착제층이 포함된다. 인쇄방식의 금속성 코팅층을 EMI 차폐막으로 사용하는 경우 이것이 불완전한 금속막이기 때문에 반드시 상당한 두께(예로 약 20㎛ 또는 그 이상)를 지녀야 저저항의 성질을 가지게 되는데 이는 가요성 도선 또는 인쇄회로판의 가요성을 저하시키게 된다. 이밖에 EMI 차폐 능력 역시 그다지 이상적이지 못하기 때문에 해당 도선의 외부에 점성 테이프를 씌워야 한다. 그러나, 가요성 도선 또는 인쇄회로판 자체는 일반적으로 IC칩을 접속시키는 소케트(socket), 접속 포트(connecting port) 또는 접속공(via)등을 갖추고 있는데 이러한 부분은 반드시 노출 상태를 유지하여야 하며 EMI차폐막으로 가려져 있으면 안된다. 그러므로, 이러한 도선의 점성 테이프에는 EMI 차폐막을 원치않는 부분과 대응하는 창구가 반드시 먼저 만들어져야 가요성 도선 또는 인쇄회로판의 표면에 부착되므로 시간과 공정이 많이 들고 생산량을 증가시킬 수 없는 병목 현상이 발생한다.
본 발명의 주요 목적은 상술한 기존의 기술상의 결점을 가지지 않은 비전도 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시키는 방법으로 특히 개선된 부착력을 지닌 비전도 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시키는 방법이다.
도 1a는 본 발명에 따른 실시예에 대한 공정도이다.
도 1b는 하나의 비전도 재료가 도 1a 공정의 b)단계에서 c)단계를 거칠때의 횡단면도이다.
상술한 발명 목적을 달성하기 위하여 본 발명이 완성한 일종의 비전도 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시키는 방법은:
a) EMI 차폐막을 형성시키고자 하는 비전도 재료의 한 표면을 거칠게 처리하는 단계와:
b) 거칠게 처리된 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착시키는 단계를 포함하고 있다.
비전도 재료와 금속 사이에 강력한 결합이 이루어질 수 없기 때문에 비전도 재료에 물리적 증착(스퍼터링 등)방식을 이용하여 전자파 방해 차폐막을 형성할 때 비전도 재료에 반드시 먼저 상기 처리를 거침으로써 금속 박막의 부착 효과를 증가시킬 수 있다. 일반적으로 처리를 거치지 않은 플라스틱 케이스와 스퍼터링 금속막 사이의 부착력은 모두 1B(ASTM3359 테스트 방법에 따라)에 못 미치나 본 발명 방법은 그 부착력을 최고 등급인 5B까지 대폭 증가시킬 수 있어 공업상의 요구에 부합된다.
도 1a의 공정에 나타난 바와 같이 본 발명에 따라 완성된 일종의 비전도 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성하는 방법은:
a) EMI 차폐막을 형성시키고자 하는 비전도 재료의 한 표면을 거칠게 처리하는 단계와;
b) 거칠게 처리된 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착시키는 단계를 주요 단계로 포함하고 있다.
도 1b는 하나의 비전도 재료가 도 1a 공정의 각 단계를 거칠 때의 단면도이다.
본 발명 방법에 적용되는 비전도 재료는 특별한 제한이 없으며 일반적으로 전자 설비의 케이스를 가리킨다. 예를 들어 ABS, PS, PP, PC 등의 플라스틱, 유리 또는 세라믹 등을 포함하여 폴리이미드(polyimide) 및 에폭시 수지(epoxy resin) 등 가요성 도선 및 IC 칩에 용접되지 않은 가요성 인쇄 회로판의 외부 절연막 등도 가능하다. 본 발명 방법 중 이러한 비전도 재료의 표면에 소케트, 접속 포트, 비아(via) 등 EMI 차폐막을 형성시켜서는 안되는 부분에는 먼저 고온에 잘 견디는 점성 테이프를 붙여 덮어둔다.
본 발명 방법의 a)단계인 표면을 거칠게 하는 처리는 견고한 미세 입자로 해당 비전도 재료의 표면에 충격을 가함으로써 완성되는데 예를 들어 분사 설비 및 견고한 미세 입자를 지닌 고압 기체를 사용하여, 분사 설비의 압력 해제 분사구를 통하여 비전도 재료의 표면에 충격을 가한다. 적당하게 견고한 미세 입자의 크기는 50-1000 메시(mesh) 사이이며, 80-300 메시의 알루미나(alumina), 금강사, 스테인리스강사, 철사 혹은 실리카(silica) 입자 등이 바람직하며, 이 중 알루미나와실리카 입자가 보다 바람직한 재료이다.
더욱 우수하게, 거친 표면 처리를 거친 비전도 재료는 고압 기체로 씻어내는 등의 세정 처리를 함으로써 표면상에 남아있는 잔류 입자를 제거한다.
더욱 우수하게, 본 발명 방법의 단계 b)는 물리적으로 제1금속막 및 제2금속막을 증착하는 과정을 포함하는바, 여기서 제1금속막은 우수한 전도성을 지니고 있으며, 제2금속막은 항산화 및/또는 내마찰성을 지니고 있어 제1금속막의 보호막 역할을 한다.
선택적으로, 본 발명 방법의 단계 b)는 물리적으로 제1금속막을 증착하는 과정을 포함하고, 본 발명 방법은 제1금속막 위에 한 겹 더 지문 방지 처리용으로 사용되는 노볼락(novolac) 또는 왁스 층을 도포하는 단계를 더 포함한다.
더욱 우수하게, 본 발명 방법의 단계 b)의 물리적 증착은 스퍼터링(sputtering) 방식을 이용한다.
더욱 우수하게, 본 발명 방법의 제1금속막은 동, 은, 니켈, 아연, 금, 백금(Pt), 크롬, 카드뮴(Cd), 텅스텐(W) 및 이러한 금속들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된다. 제1금속막으로는 동, 은, 금 또는 알루미늄 막을 사용하는 것이 더욱 좋으며, 두께는 0.2미크론에서 10미크론 사이이다.
더욱 우수하게, 본 발명 방법의 제2금속막은 니켈, 크롬, 니켈 합금, 크롬 합금 또는 스테인리스 강막을 사용하는 것이 좋으며, 두께는 0.1미크론에서 10미크론 사이이다.
본 발명 방법 단계 b)의 물리적 증착으로 비교적 양호한 방법은 표면을 거칠게 하는 처리를 거친 비전도 재료를 운반대에 놓고 멀티 챔버 클러스터 툴(multi-chamber cluster tool)로 보내어 두 겹의 금속막을 연속적으로 스퍼터링하는 것이다. 예를 들어 동막 및 동막의 보호막 역할을 하는 스테인리스강막이 그것이다. 적당한 스퍼터링 조작 조건은: 10-2-10-5torr 압력의 불활성 기체 기압(inert gas atmosphere), 실온 내지 150℃의 온도, 1-10분, 1-50kW 공률이다.
다음에는 노트북 컴퓨터(Notebook Computer)의 플라스틱 케이스(PC 및 ABS 재질로 구성)를 실례로 본 발명 방법의 실행 과정을 설명하겠다.
청결 처리될 플라스틱 케이스를 배기 및 공기 여과 장치를 갖춘 밀폐실안에 넣어 게이지 상의 압력이 0.4kg/cm2인 가압 공기(가압 공기의 적당한 압력 범위는 게이지상에 표시된 압력 범위인 0.1에서 2kg/cm2사이이다)를 담체로 하는 분사 설비로 입자의 직경이 80-300 메시인 이산화규소 입자를 구경이 8.2mm인 분사구를 통하여 약 10cm의 거리에서 플라스틱 케이스의 표면에 약 15초 정도 충격을 가한다. 이어서 단순히 가압 공기를 사용하여 충격을 가한 표면을 씻어낸다. 밀폐실 내의 바닥 부분에 회수 장치를 설치하여 한번 사용된 이산화 규소 입자를 수집하고 배기 및 공기 여과 장치가 수집한 것들과 함께 재사용(recycle) 한다. 또 다른 실시 방안 중, 충격을 가한 플라스틱 케이스를 가압공기로 씻어내지 않고 물로 씻어낸 후 건조시키는 방법도 있다.
이렇게 표면을 거칠게 하는 처리를 거친 플라스틱 케이스는 운반대에 놓여져 연속적으로 두가지 스퍼터링 반응실을 갖춘 멀티 챔버 클러스터 툴에 보내져 순서대로 동막 및 스테인리스강막의 스퍼터링을 진행한다. 2x10-3torr압력, 150℃ 온도 및 5.5Kw 공률의 아르곤 기체 전액에 2분간 스퍼터링한 후 그 표면에 두께가 약 0.6미크론인 동막을 한겹 스퍼터링한다. 이 동막 위에 다시 유사한 조건으로 두께가 약 0.3미크론인 스테인리스강막을 입혀 동막이 쉽게 산화되지 않도록 보호한다. 그 중 스테인리스강 316을 사출 표적으로 삼는다.
본 발명은 전자 설비의 케이스와 같은 하나의 비전도 재료에 대하여 새로운 EMI 차폐막을 만드는 방법으로 본 발명 방법은 간단하고 생산량이 높으며 이렇게 형성된 EMI 차폐막의 우수한 부착력 등의 장점을 지닌다.
상술한 본 발명에 따른 방법으로 제작된 EMI 차폐막은 플라스틱 케이스 표면과의 부착력이 ASTM3599 테스트를 거친 결과 5B 등급에 달하여 공업상의 요구에 완전히 부합된다.
본 발명의 또 다른 실시예 중 석유 왁스를 스테인리스강막에 도포하여 지문 방지 처리를 하면 이는 스테인레스강막 및 동막을 한 단계 더 보호하는 역할을 하게 된다.

Claims (20)

  1. 비 전도성 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성하는 방법에 있어서,
    a) EMI 차폐막을 형성하고자 하는 비전도 재료의 한 표면을 거칠게 처리하는 단계, 및
    b) 거칠게 처리된 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    a) 단계의 거친 표면 처리는 견고한 미세 입자로 비전도 재료의 표면에 충격을 가함으로써 완성되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    a) 단계의 거친 표면 처리는 견고한 미세입자를 지닌 가압기체를 압력 해제 분사구를 통하여 비전도 재료의 표면에 충격을 가함으로써 완성되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    견고한 미세 입자는 알루미나, 금강사, 스테인리스강사, 철사 및 이산화 규소 등으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    견고한 미세 입자는 알루미나 또는 이산화 규소인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    견고한 미세 입자는 직경이 50-1000 메시(mesh) 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    견고한 미세 입자는 직경이 80-300 메시 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    비전도 재료는 플라스틱, 유리 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    비전도 재료는 플라스틱으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    a') b) 단계 전에, 거친 표면 처리를 거친 비전도 재료의 표면을 청결하게 하는 청결 단계를 더욱 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 청결 단계는 고압기체로 깨끗이 씻어내는 방법으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    단계 b)는 물리적으로 제1금속막 및 제2금속막을 증착하는 공정을 포함하고,
    상기 제1금속막은 우수한 전도성을 지니며, 상기 제2금속막은 항산화 및/또는 내마찰성을 지니고 있어서 상기 제1금속막을 보호하는 보호막 역할을 하는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    단계 b)는 물리적으로 제1금속막을 증착하는 공정을 포함하고, 그리고
    상기 방법은 상기 제1금속막 위에 지문 방지 처리를 위한 노볼락(novolac) 또는 왁스 층을 한겹 도포하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    단계 b)의 물리적 증착 방식은 스퍼터링 방식으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  15. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 제1금속막은 동, 은, 니켈, 아연, 금, 백금, 크롬, 카드뮴, 텅스텐 및 이러한 금속들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되며, 두께는 0.2미크론에서 10미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제1금속막은 동, 은, 금 또는 알루미늄막으로 이루어지며, 두께는 0.2미크론에서 10미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제1금속막은 동막인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  18. 제 12항 또는 제 16항에 있어서,
    상기 제2금속막은 니켈, 크롬, 니켈 합금, 크롬 합금 또는 스테인리스강막이고 두께는 0.1미크론에서 1.0미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    제2금속막은 스테인리스강막인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
  20. 제 1항의 비 전도성 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성하는 방법에 있어서,
    표면을 거칠게 하는 처리를 진행하는 a) 단계 전에 비전도 재료의 표면 중 EMI 차폐막이 형성되어서는 안 되는 부분에 고온에 잘 견디는 점성 테이프를 부착하여 덮어씌우는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050093235A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 주식회사 우성기업 이엠아이 차폐형 팩키지하우징의 제조방법
KR100749565B1 (ko) * 2006-05-08 2007-08-16 에스케이씨 주식회사 전자파 차폐능을 갖는 전도성 광학필름
KR101054538B1 (ko) * 2009-04-06 2011-08-04 엘에스엠트론 주식회사 전자파 차폐 커넥터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61253373A (ja) * 1985-04-30 1986-11-11 Chihiro Kogyo:Kk 電磁波シ−ルド材及びその製造方法
JPH04267597A (ja) * 1991-02-22 1992-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd フレキシブルプリント配線板の製造方法
US5473110A (en) * 1995-03-07 1995-12-05 Unisys Corporation Magnetically-attachable EMI shielding cover for attenuating electromagnetic emanation
JP2000348916A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Tokin Corp 磁気シートの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61253373A (ja) * 1985-04-30 1986-11-11 Chihiro Kogyo:Kk 電磁波シ−ルド材及びその製造方法
JPH04267597A (ja) * 1991-02-22 1992-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd フレキシブルプリント配線板の製造方法
US5473110A (en) * 1995-03-07 1995-12-05 Unisys Corporation Magnetically-attachable EMI shielding cover for attenuating electromagnetic emanation
JP2000348916A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Tokin Corp 磁気シートの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050093235A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 주식회사 우성기업 이엠아이 차폐형 팩키지하우징의 제조방법
KR100749565B1 (ko) * 2006-05-08 2007-08-16 에스케이씨 주식회사 전자파 차폐능을 갖는 전도성 광학필름
KR101054538B1 (ko) * 2009-04-06 2011-08-04 엘에스엠트론 주식회사 전자파 차폐 커넥터

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