KR20030006733A - 비 전도성 재료에 형성되는 전자파간섭(emi) 차폐막의제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 비 전도성 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성하는 방법에 있어서,a) EMI 차폐막을 형성하고자 하는 비전도 재료의 한 표면을 거칠게 처리하는 단계, 및b) 거칠게 처리된 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,a) 단계의 거친 표면 처리는 견고한 미세 입자로 비전도 재료의 표면에 충격을 가함으로써 완성되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 2항에 있어서,a) 단계의 거친 표면 처리는 견고한 미세입자를 지닌 가압기체를 압력 해제 분사구를 통하여 비전도 재료의 표면에 충격을 가함으로써 완성되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,견고한 미세 입자는 알루미나, 금강사, 스테인리스강사, 철사 및 이산화 규소 등으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,견고한 미세 입자는 알루미나 또는 이산화 규소인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,견고한 미세 입자는 직경이 50-1000 메시(mesh) 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,견고한 미세 입자는 직경이 80-300 메시 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,비전도 재료는 플라스틱, 유리 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,비전도 재료는 플라스틱으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,a') b) 단계 전에, 거친 표면 처리를 거친 비전도 재료의 표면을 청결하게 하는 청결 단계를 더욱 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 청결 단계는 고압기체로 깨끗이 씻어내는 방법으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,단계 b)는 물리적으로 제1금속막 및 제2금속막을 증착하는 공정을 포함하고,상기 제1금속막은 우수한 전도성을 지니며, 상기 제2금속막은 항산화 및/또는 내마찰성을 지니고 있어서 상기 제1금속막을 보호하는 보호막 역할을 하는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,단계 b)는 물리적으로 제1금속막을 증착하는 공정을 포함하고, 그리고상기 방법은 상기 제1금속막 위에 지문 방지 처리를 위한 노볼락(novolac) 또는 왁스 층을 한겹 도포하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,단계 b)의 물리적 증착 방식은 스퍼터링 방식으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 제1금속막은 동, 은, 니켈, 아연, 금, 백금, 크롬, 카드뮴, 텅스텐 및 이러한 금속들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되며, 두께는 0.2미크론에서 10미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 제1금속막은 동, 은, 금 또는 알루미늄막으로 이루어지며, 두께는 0.2미크론에서 10미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제1금속막은 동막인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 16항에 있어서,상기 제2금속막은 니켈, 크롬, 니켈 합금, 크롬 합금 또는 스테인리스강막이고 두께는 0.1미크론에서 1.0미크론 사이인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,제2금속막은 스테인리스강막인 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
- 제 1항의 비 전도성 재료에 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성하는 방법에 있어서,표면을 거칠게 하는 처리를 진행하는 a) 단계 전에 비전도 재료의 표면 중 EMI 차폐막이 형성되어서는 안 되는 부분에 고온에 잘 견디는 점성 테이프를 부착하여 덮어씌우는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 전도성 재료에 형성되는 전자파 간섭(EMI) 차폐막의 제조방법.
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