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KR20020093592A - 탄성표면파 장치 - Google Patents

탄성표면파 장치 Download PDF

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KR20020093592A
KR20020093592A KR1020020031623A KR20020031623A KR20020093592A KR 20020093592 A KR20020093592 A KR 20020093592A KR 1020020031623 A KR1020020031623 A KR 1020020031623A KR 20020031623 A KR20020031623 A KR 20020031623A KR 20020093592 A KR20020093592 A KR 20020093592A
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acoustic wave
surface acoustic
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wave filter
frequency
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다카미네유이치
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 대역내 삽입손실의 큰 열화(劣化)를 초래하지 않으며, 전기기계결합계수의 큰 저하를 초래하지 않고, 양호한 주파수 온도 특성을 가지며, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 압전기판(2)상에 적어도 1개의 탄성표면파 필터(3)와, 탄성표면파 필터(3)에 직렬 및/또는 병렬로 접속된 적어도 1개의 탄성표면파 공진자(4)가 구성되고 있으며, 탄성표면파 필터(3)가 구성되어 있는 영역을 제외하고, 적어도 1개의 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개를 피복하도록 정(正)의 주파수 온도 특성을 갖는 막(7)이 형성되어 있는, 탄성표면파 장치(1)가 제공된다.

Description

탄성표면파 장치{Surface acoustic wave device}
본 발명은 탄성표면파 필터와 탄성표면파 공진자가 접속되어 있는 구조를 갖는 탄성표면파 장치에 관한 것으로, 특히, 압전기판상에 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있는 구조로 된 탄성표면파 장치 및 그 주파수조정방법에 관한 것이다.
최근, 휴대전화 시스템에서는, 가입자의 증가 및 서비스의 다양화에 따라서, 송신대역 및 수신대역의 폭이 넓고, 아울러 송신측 주파수대역과 수신측 주파수대역이 가까운 시스템이 증가되고 있다. 이에 따라서, 통과대역폭이 넓고, 또한 통과대역 아주 근방의 감쇠량이 큰 밴드패스필터가 강력히 요청되고 있다.
휴대전화용 RF 필터로서, 탄성표면파 필터이 널리 사용되고 있다. 이러한 종류의 탄성표면파 필터에서는, 광대역화를 달성하기 위해서, 전기기계결합계수가 큰 36°∼44° Y컷트 X전파의 LiTaO3기판이 사용되고 있다. 그러나, 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판의 주파수 온도 의존성은 -30∼-35ppm/℃로 크고, 따라서, 이 기판을 사용한 탄성표면파 필터에서는, 온도변화에 대한 마진(margin)을 많이 확보하지 않으면 안되었다. 이 때문에, 통과대역 아주 근방의 감쇠량을 크게 하는 것이 곤란하였다.
36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판의 주파수 온도 특성을 보상하는 방법으로서, Al 전극을 기판상에 형성한 후, SiO2막을 더 적층하는 방법이 제안되어 있다(일본국 특허공개 평2-37815호 공보). 여기에서는, 부의 온도계수를 갖는 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판상에, 정의 온도계수를 갖는 SiO2막을 형성함으로써, 온도계수의 절대값이 작게 되어 있다.
그러나, SiO2막을 적층하면, 탄성표면파 필터의 전파손실이 커지고, 전기기계결합계수가 작아진다고 하는 문제가 있었다.
예를 들면, 36° Y컷트 X전파 LiTaO3기판상에 세로결합 3IDT형 공진자 필터를 구성한 경우의 주파수 특성이 도 16에 나타낸 바와 같이 한다. 한편, 도면에 있어서, "확대 스케일로 나타낸 특성"은 세로축의 오른쪽에서 나타낸 확대 스케일에 의해 도시되어 있는 특성을 나타낸다. 이 공진자 필터상에, SiO2막을 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 15%의 두께가 되도록 적층한 경우의 주파수 특성은, 도 17에 나타낸 바와 같이 된다.
도 16 및 도 17의 비교로부터 확실한 바와 같이, SiO2막의 형성에 의한 전파손실의 악화에 의해, 대역내 삽입손실이 크게 악화되고, 또한 전기기계결합계수가 작아짐으로써, 필터의 통과대역의 중앙부가 크게 움푹 패어 있음을 알 수 있다.
상기와 같은 SiO2막의 형성에 의한 전파손실의 악화는, 필터의 중심주파수가 높을수록 커지고, 휴대전화용 RF필터로서 사용되는 주파수대역에서는, 사용 불가능하게 될수록, 대역내 삽입손실이 악화된다.
또한, 전기기계결합계수가 작아지기 때문에, 필터의 광대역화가 곤란해지고,따라서, SiO2막의 형성에 의한 주파수 온도 특성 개선방법은, RF필터에 채용하는 것은 곤란했다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술의 결점을 해소하고, 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 형성에 의해 주파수 온도 특성을 개선할 수 있으며, 게다가 대역내 삽입손실의 악화를 억제할 수 있으며, 아울러 광대역화를 도모할 수 있는, 탄성표면파 장치를 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는 비교를 위하여 준비한 탄성표면파 장치를 나타내며, SiO2막이 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성되어 있지 않는 탄성표면파 장치의 모식적평면도이다.
도 3은 제 1 실시형태의 탄성표면파 장치의 주파수특성을 나타낸 도이다.
도 4는 비교예 1의 탄성표면파 장치의 주파수특성을 나타낸 도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 있어서, 온도를 -25℃∼+75℃의 범위에서 변화시킨 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 6은 비교예 1의 탄성표면파 장치에 있어서, 온도를 -25℃∼+75℃의 범위에서 변화시킨 경우의 주파수특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 7은 제 1 실시형태에서 사용되고 있는 탄성표면파 필터 유닛에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 8은 제 1 실시형태에서 사용되고 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자 유닛에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 9는 비교예 1의 탄성표면파 장치에 사용되고 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자 유닛에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 10은 제 2 실시형태의 탄성표면파 장치의 회로구성을 설명하기 위한 모식적 평면도이다.
도 11은 비교예 2의 탄성표면파 장치를 설명하기 위한 도이며, SiO2막이 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성되어 있지 않는 탄성표면파 장치의 모식적 평면도이다.
도 12는 제 2 실시형태에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 13은 비교예 2에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치를 설명하기 위한 모식적 평면도이다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치에 있어서, 온도가 -25℃∼+75℃까지 변화된 경우의 주파수 특성의 변화를 나타낸 도이다.
도 16은 종래예의 주파수특성을 나타내는 도이며, 36° Y컷트 X전파 LiTaO3기판상에 세로결합형 3IDT형의 공진자 필터가 구성되어 있는 경우의 주파수 특성을나타낸 도이다.
도 17은 도 16에 나타낸 탄성표면파 필터에 있어서, 전극지 피치로 정해지는 파장의 15%의 두께 SiO2막을 적층한 경우의 주파수 특성을 나타낸 도이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
1: 탄성표면파 장치2: 압전기판
3: 탄성표면파 필터4: 1단자쌍 탄성표면파 공진자
5: 입력단자6: 출력단자
7: SiO2막(제 1 SiO2막)7A: 제 2 SiO2막
21: 탄성표면파 장치22: 압전기판
23: 탄성표면파 필터24: 1단자쌍 탄성표면파 공진자
25: 입력단자 26: 출력단자
41: 탄성표면파 장치43: 탄성표면파 필터
44: 1단자쌍 탄성표면파 공진자
45: 1단자쌍 탄성표면파 공진자
46: 입력단자 47:출력단자
48, 48A: SiO2막
본 발명의 넓은 국면에 따르면, 압전기판과, 상기 압전기판상에 구성된 적어도 1개의 탄성표면파 필터와, 상기 압전기판상에 구성되고 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 구비하고, 상기 압전기판상에 있어서, 상기 탄성표면파 필터가 구성되어 있는 영역을 제외하고, 적어도 1개의 상기 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개를 피복하도록 형성된 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을 구비하는 탄성표면파 장치가 제공된다.
본 발명의 특정한 국면에서는, 상기 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
본 발명의 다른 특정한 국면에서는, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성표면파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
본 발명의 다른 넓은 국면에 따르면, 압전기판과, 상기 압전기판상에 구성된 적어도 1개의 탄성표면파 필터와, 상기 압전기판상에 구성되고 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 접속된 적어도 1개의 탄성표면파 공진자를 구비하고, 상기 압전기판상에 있어서 상기 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성된 적어도 1개의 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막과, 상기 압전기판상에 있어서, 상기 탄성표면파 필터를 피복하도록 형성된 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을 구비하며, 상기 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께가, 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께보다도 얇게 되어 있는 탄성표면파 장치가 제공된다.
제 2 발명의 특정한 국면에서는, 상기 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
제 2 발명의 다른 특정한 국면에서는, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
제 2 발명에 따른 탄성표면파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 병렬로 접 속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다.
본 발명(제 1, 제 2 발명)에서는, 바람직하게는 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막으로서 산화 규소막 또는 질화 규소막이 사용되며, 더욱 바람직하게는 SiO2막이 사용된다.
본 발명(제 1, 제 2 발명)에서는, 바람직하게는 압전기판으로서 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판이 사용된다.
본 발명에 따른 탄성표면파 장치의 주파수 조정 방법은, 본 발명에 따라서 구성된 탄성표면파 장치의 주파수 조정시에 있어서, 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자에 있어서, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을 에칭(etching)하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시형태)
이하, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로서 본 발명을 확실하게 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 모식적 평면도이다.
본 실시형태의 탄성표면파 장치(1)에서는, 36° Y컷트 X전파 LiTaO3기판으로 이루어지는 압전기판(2)이 사용되어 있다.
압전기판(2)상에, 3IDT형의 탄성표면파 필터(3)와, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)가 Al전극에 의해 형성되어 있다.
Al전극의 막두께는 전극지 피치로 정해지는 파장의 8%로 했다. Al전극의 막두께는 주파수 또는 필요대역폭에 따라서 최적값이 다르다.
탄성표면파 필터(3)는, 표면 전파방향에 따라서 배치된 3개의 IDT(11∼13)와, IDT(11∼13)가 형성되어 있는 영역의 양 측에 배치된 반사기(14, 15)를 갖는다. 즉 탄성표면파 필터(3)는 세로결합의 3IDT형 탄성표면파 공진자 필터이다. 본 실시형태에 있어서, 상기 탄성표면파 필터(3)는 세로결합형 3IDT형 탄성표면파 공진자 필터에 한하지 않고, 다른 구조의 것이어도 된다.
1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)는 IDT(16)와, IDT(16)의 양측에 배치된 반사기(17, 18)를 갖는다. 반사기(17, 18)는 마련되어 있지 않아도 된다.
IDT(11, 13)의 한 단부가 공통접속되며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 IDT(16)에 접속되어 있다. 또한, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 IDT(16)의 다른 단부가 입력단자(5)에 접속되어 있다. IDT(12)의 한 단부가 출력단자(6)에 접속되어 있다. IDT(12)의 다른 단부가 접지 전위에 접속되어 있다. 또한, IDT(1,13)의 IDT(16)에 접속되어 있는 측과는 반대측의 단부는 접지 전위에 접속되어 있다.
즉, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)는 탄성표면파 필터(3)에 직렬로 접속되어 있다.
1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)를 피복하도록, SiO2막(7)이 형성되어 있다.
즉, 본 실시형태에서는, 압전기판(2)상에 있어서, 탄성표면파 필터(3)가 마련되어 있는 영역을 제외하고, 적어도 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)가 형성되어 있는 영역을 피복하도록 SiO2막(7)이 형성되어 있다. SiO2막(7)의 막두께는, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 15%로 되어 있으나, 이 SiO2막(7)의 막두께는, 탄성표면파 필터(3) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 구조 및 베이스의 Al 전극막의 막두께에 따라서, 그 최적값이 다르다.
본 실시형태에서는, SiO2막(7)의 형성은 아래와 같이 하여 행해진다. 다시 말해, 압전기판(2)상에, 탄성표면파 필터(3) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)를 Al전극막에 의해 형성한 후, 스퍼터링(sputtering)에 의해 전면(全面)에 SiO2막을 형성한다. 이 스퍼터링에는 어떠한 장치를 사용해도 좋지만, ECR 스퍼터 장치를 이용하는 것이 바람직하다. 그 후, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)가 형성되어 있는 영역을 레지스트로 피복하고, 레지스트로 피복되어 있는 영역 이외의 SiO2막을 에칭에 의해 제거한다. 다음으로, 상기 레지스트를 제거한다.
SiO2막(7)의 형성방법은 상기 방법에 한정되지 않고, CVD를 이용한 방법, 또는 에칭에 의해 불필요한 SiO2막을 제거하는 대신에 리프트 오프 프로세스에 의해 제거하는 방법 등, 여러가지 방법을 이용할 수 있다.
또, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)상의 SiO2막(7)을 필요한 만큼 드라이 에칭에 의해 제거함으로써, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 주파수조정을 행할 수있다. 이 주파수조정에서 행해지는 에칭 프로세스는 웨트 에칭이어도 된다. 상기와 같은 주파수 조정을 행함으로써, 탄성표면파 장치(1)의 불량율을 대폭 저감할 수 있다.
상기 실시형태에 따라서, 구성된 탄성표면파 장치(1)의 효과를 확인하기 위해서, SiO2막(7)이 형성되어 있지 않는 것을 제외하고는, 상기 실시형태와 마찬가지로 구성된 도 2에 나타낸 비교예의 탄성표면파 장치(1A)를 준비했다. 그리고, 탄성표면파 장치(1, 1A)의 주파수특성을 측정했다. 한편, 탄성표면파 필터(3) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 사양은 이하와 같이 하였다.
탄성표면파 필터(3)…IDT(11∼13)의 전극지 피치:1.02μm, IDT(11∼13)의 전극지의 쌍수 13.5/20.5/13.5쌍, 반사기(14, 15)의 전극지의 갯수=100개, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 IDT(16)의 전극지 피치=0.96μm, 전극지의 쌍수=150쌍, 반사기(17, 18)의 전극지의 갯수=30개
도 3 및 도 4로부터 확실한 바와 같이, 제 1 실시형태의 탄성표면파 장치(1)의 주파수 특성에서는, 비교예 1의 탄성표면파 장치(1A)에 비하여, 통과대역 고역측(2010∼2030MHz 부근)의 감쇠량 및 대역내 삽입손실이 약간 악화되어 있다. 이것은 SiO2막(7)의 형성에 의해, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 전파손실이 커졌기 때문이다.
그러나, 이 대역내 삽입손실의 악화는, RF 필터으로서 사용불가능한 정도까지 큰 것은 아니다. 또한, 탄성표면파 장치(1)에 있어서의 통과대역 고역측 아주근방의 급준성(急峻性)은, 탄성표면파 장치(1A)에 있어서의 급준성과 거의 동등하다.
다음으로, 탄성표면파 장치(1, 1A)에 대해서, 온도를 -25℃∼+75℃의 범위에서 변화시킨 경우의 주파수 특성의 변화를 측정했다. 결과를 도 5 및 도 6에 나타낸다.
도 5에 나타낸 탄성표면파 장치(1)의 주파수 특성에서는, 도 6에 나타낸 탄성표면파 장치(1A)의 주파수특성에 비하여, 통과대역 아주 근방의 주파수에 있어서는, 온도에 대한 변화가 작게 되어 있음을 알 수 있다. 이 변화를 온도계수로 비교하면, 통과대역 고역측에 있어서, 스루 레벨(0dB)로부터 5dB의 감쇠량의 위치에 있어서의 온도계수는, 탄성표면파 장치(1A)에서는 -35.1ppm/℃인데 비하여, 실시형태의 탄성표면파 장치(1)에서는 -23.8ppm/℃까지 개선되어 있음을 알 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서, 온도계수란, 온도에 대한 주파수의 변화량을 ppm로 나타낸 것이며, ppm으로 표현하고 있는 것은, 주파수가 변하면 피치가 바뀌기 때문에, 온도에 대한 변화의 정도가 변화하기 때문이다. 상기 스루 레벨로부터 감쇠량이 5dB인 주파수를 각 온도에서 구하고, 이 데이타을 직선근사(直線近似)함으로써, 온도에 대한 주파수 변화의 계수가 구해진다. 이 온도에 대한 주파수 변화의 계수를, 필터의 중심주파수(1960MHz)로 나누는 것에 의해, 온도계수(ppm)가 구해진다.
상기로부터, 실시형태의 탄성표면파 장치(1)에 따르면, 통과대역 아주 근방에 존재하는 감쇠역에 있어서의 주파수변화를, 사용온도범위를 -25℃∼+75℃로 한 경우, 약1.1MHz 작게 할 수 있음을 알 수 있다.
상기 온도특성이 개선되는 효과를 더욱 명료히 설명하기 위하여, 탄성표면파 장치(1)에 있어서의 탄성표면파 필터(3) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4), 및 탄성표면파 장치(1A)에 있어서의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를, 각각 유닛에서 -25℃∼+75℃까지 온도를 변화시킨 경우의 주파수 특성을 도 7∼도 9에 나타낸다. 한편, 탄성표면파 필터(1A)에 있어서의 탄성표면파 공진자에서는, 상술한 바와 같이 SiO2막(7)이 적층되어 있지 않다.
도 7∼도 9로부터 확실한 바와 같이, 탄성표면파 필터(3)의 통과대역 고역측의 감쇠역의 주파수와, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)의 반공진 주파수가 거의 일치하고 있음을 알 수 있다. 이에 따라서, 탄성표면파 장치(1)에서는, 통과대역 고역측 아주 근방의 주파수 온도 특성은, 탄성표면파 필터(3)에 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)가 직렬로 접속되면, 주파수 온도 특성은 양자의 중간적인 주파수 온도 특성이 된다. 즉 상기 실시형태와 같이 , 탄성표면파 필터(3)의 통과대역 고역측의 감쇠역에, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수를 설정함으로써, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 주파수 온도 특성이 개선되어, 통과대역 고역측에 있어서의 주파수 온도 특성이 개선된다.
도 8과 도 9를 비교하면, 도 8에 나타낸 특성의 탄성표면파 공진자쪽이, 도 9에 나타낸 특성의 탄성표면파 공진자보다도 온도에 대한 주파수 변화가 작게 되어 있다. 따라서, 도 8에 나타낸 특성의 탄성표면파 공진자 또는 도 9에 나타낸 특성의 탄성표면파 공진자를 도 7에 나타낸 탄성표면파 필터에 직렬로 접속한 경우, 통과대역 고주파측에 있어서의 온도에 대한 주파수 변화는, 도 8에 나타낸 특성의 탄성표면파 공진자를 사용한 경우쪽이 작게 된다.
이 경우, 탄성표면파 필터(3)에는 SiO2막이 형성되어 있지 않으므로, 전파손실이 크게 악화되지 않고, 또한 전기기계결합계수가 작아지는 일은 없다. 즉, 탄성표면파 필터(3)에 직렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자에 있어서 SiO2막이 형성되어 있는 경우의 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수를, 탄성표면파 필터(3)의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재시킴으로써, 대역내 삽입손실의 큰 열화(劣化)를 억제하고, 통과대역 고역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치(1)를 구성할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성표면파 장치(21)의 모식적 평면도이다. 제 2 실시형태의 탄성표면파 장치(21)에서는, 36° Y컷트 X전파 LiTaO3기판(22)상에, Al전극에 의해, 탄성표면파 필터(23) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자 (24)가 형성되어 있다. Al전극의 막두께는, 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 8%로 했다.
탄성표면파 필터(23)에서는, 표면파 전파방향에 따라 3개의 IDT(31∼33)가 배치되어 있다. 또한, IDT(31∼33)가 형성되어 있는 영역의 양측에 반사기(34, 35)가 배치되어 있다. 즉 탄성표면파 필터(23)는 세로결합형의 3IDT형 탄성표면파 공진자 필터이다.
1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)에서는, IDT(36)의 양측에 반사기(37, 38)가배치되어 있다. 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)를 피복하도록 SiO2막(27)이 형성되어 있다.
SiO2막(27)의 막두께는 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 15%로 되어 있다. 이 SiO2막의 형성방법은 제 1 실시형태와 같다.
본 실시형태에서는, 상기 탄성표면파 필터(23)의 IDT(31, 33)의 한 단부가 공통접속되어, 입력단자(25)에 접속되어 있다. 또한, IDT(31, 33)의 타단은 접지전위에 접속된다. IDT(32)의 한 단부가 출력단자(26)에 접속되고 있으며, 다른 단부가 접지전위에 접속되어 있다. 그리고, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)의 IDT(36)의 한 단부가 입력단자(25)에, 다른 단부가 접지전위에 접속되어 있다. 따라서, 1단자쌍 탄성표면파 공진자 (24)는 탄성표면파 필터(23)에 병렬로 접속되어 있다.
제 2 실시형태의 탄성표면파 장치(21)의 효과를 확실하게 하기 위해서, 비교예 2로서, 도 11에 모식적으로 나타낸 탄성표면파 장치(21A)를 준비했다. 이 탄성표면파 장치(21A)는 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)를 피복하도록 SiO2막(27)이 형성되어 있지 않는 것을 제외하고는, 탄성표면파 장치(21)와 마찬가지로 구성되어 있다.
게다가, 탄성표면파 필터(23) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)의 사양은 제 1 실시형태의 탄성표면파 필터(3) 및 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)와 동일하게 하였다.
도 12 및 도 13은 탄성표면파 장치(21, 21A)를, -25℃∼+75℃의 범위에서 온도 변화시킨 경우의 주파수 특성의 변화를 각각 나타낸다. 도 12 및 도 13으로부터 확실한 바와 같이, 제 2 실시형태의 탄성표면파 장치(21)의 주파수 특성에서는, 통과대역 저역측 아주 근방의 온도에 대한 변화가, 비교예 2의 탄성표면파 장치(21A)의 주파수 특성의 경우에 비하여 작게 되어 있음을 알 수 있다. 이것을 온도계수로 비교하면, 비교예 2의 탄성표면파 장치(21A)에서는, 통과대역 저역측에 있어서, 스루 레벨(0dB)로부터 감쇠량이 5dB의 위치에 있어서의 온도계수는 -35.7ppm/℃인데 비하여, 제 2 실시형태의 탄성표면파 장치(21)에서는, -25.6ppm/℃까지 개선되어 있다.
따라서, 제 2 실시형태에서는, 통과대역 저역측 아주 근방에 있는 감쇠역에 있어서의 주파수변화를, 사용온도범위를 -25℃∼+75℃로 한 경우, 약 1.0MHz 작게 할 수 있다.
상기 효과는, SiO2막이 적층되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)가 탄성표면파 필터(23)에 병렬로 접속되어 있으며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)의 공진주파수가, 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있음으로써, 탄성표면파 장치(21)의 통과대역 저역측의 주파수 온도 특성은, 탄성표면파 필터(23)의 주파수 온도 특성과 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)의 주파수 온도 특성의 중간적인 주파수 온도 특성으로 되어 있는 것에 따른다. 즉 탄성표면파 필터(23)에 병렬로 접속되고 있으며, 또한 SiO2막이 적층되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자(24)의 공진 주파수를, 탄성표면파 필터(23)의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재시킴으로써, 대역내 삽입손실의 큰 열화를 초래하지 않고, 통과대역 저역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치(21)를 제공할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 개략적 평면도이다. 탄성표면파 필터 장치(41)에서는, 36° Y컷트 X전파 LiTaO3기판으로 이루어지는 압전기판(도시하지 않음)상에, 탄성표면파 필터(43)와, 탄성표면파 필터(43)에 직렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자(44)와, 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자(45)가 형성되어 있다. 탄성표면파 필터(43), 1단자쌍 탄성표면파 공진자(44, 45)는, Al전극에 의해 구성되고 있으며, 이 Al전극의 막두께는, 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 8%로 되어 있다.
또한, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(44, 45)를 피복하도록, SiO2막(48, 48A)이 형성되어 있다. 탄성표면파 필터(43)상에는 SiO2막은 형성되어 있지 않다.
따라서, 탄성표면파 장치(41)는 제 1, 제 2 실시형태의 탄성표면파 장치(1, 21)를 조합시킨 구조에 상당한다. 탄성표면파 필터(43)는 탄성표면파 필터(3, 23)와 마찬가지로 구성되어 있다. 또한, 탄성표면파 공진자(44)는 제 1 실시형태에서 사용한 탄성표면파 공진자(4)와 마찬가지로 구성되어 있으며, 탄성표면파 공진자(45)는 제 2 실시형태에서 사용된 탄성표면파 공진자(24)와 마찬가지로 구성되어 있다.
게다가, 도 14에 있어서, 참조부호 46는 입력단자를 나타내고, 47은 출력단자를 나타낸다.
　본 실시형태에 있어서는, SiO2막(48, 48A)의 막두께는, 전극지 피치에 의해 정해지는 파장의 15%로 했다. 게다가, SiO2막의 형성방법은 제 1 실시형태와 마찬가지이다.
본 실시형태의 탄성표면파 장치(41)를, -25℃∼+75℃의 범위에서 온도 변화시킨 경우의 주파수 특성의 변화를 도 15에 나타낸다. 한편, 탄성표면파 필터(43), 탄성표면파 공진자(44, 45)는 제 1, 제 2 실시형태와 마찬가지로 구성했다.
도 15로부터 확실한 바와 같이, 제 3 실시형태의 주파수 특성에서는, 통과대역 저역측 및 고역측 아주 근방의 주파수에 있어서 온도에 대한 변화가 작게 되어 있음을 알 수 있다. 온도계수로 평가하면, 통과대역 저역측에 있어서, 스루 레벨(0dB)로부터 감쇠량이 5dB인 주파수에 있어서의 온도계수는 -25.3ppm/℃、통과대역 고역측에 있어서 스루 레벨로부터 감쇠량이 5dB인 주파수에 있어서의 온도계수는 -25.7ppm/℃이다. 따라서, 제 1, 제 2 실시형태에 있어서, 비교를 위하여 준비한 비교예 1, 2의 탄성표면파 장치에 비하여, 본 실시형태에서는, 통과대역 전체에 있어서 주파수 온도 특성이 개선될 수 있음을 알 수 있다.
제 3 실시형태에서는, 제 1, 제 2 실시형태를 조합시킨 구조로 되어 있으므로, 탄성표면파 필터(33)에 직렬로 접속되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자(34)의 반공진 주파수가, 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으며, 병렬로 접속되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자(45)의 공진주파수가, 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으므로, 제 1, 제 2 실시형태의 효과 모두를 얻을 수 있다. 따라서, 통과대역내에 있어서의 삽입손실의 큰 열화를 초래하지 않고, 통과대역내 전체에 있어서, 양호한 주파수 온도 특성을 가지며, 광대역의 탄성표면파 장치(41)를 제공할 수 있다.
게다가, 제 1∼제 3 실시형태에 있어서는, 탄성표면파 필터(3, 23, 43)상에는 SiO2막이 형성되어 있지 않지만, 예를 들면, 도 1에 있어서 파선으로 모식적으로 나타낸 바와 같이, 탄성표면파 필터(3)를 피복하도록 제 2 SiO2막(7A)을 형성해도 좋다. 이 경우, 1단자쌍 탄성표면파 공진자(4)를 피복하는 SiO2막을 제 1 SiO2막으로 하면, 제 2 SiO2막(7A)의 두께는, 제 1 SiO2막(7)의 두께보다 얇게 되어 있으면 된다. 즉 예를 들면 금속분이 부착되는 것을 방지하기 위해서는, 보호막으로서, 탄성표면파 필터(3)를 피복하도록 제 2 SiO2막(7A)을 형성해도 되며, 이 경우에는, 제 2 SiO2막(7A)의 두께를 제 1 SiO2막(7)보다도 얇게 해 두면 되고, 즉 탄성표면파 필터(3)의 특성이 열화되지 않을 정도의 얇은 SiO2막(7A)을 형성해도 좋다. 이러한 두께가 얇은 제 2 SiO2막(7A)을 형성한 경우이더라도, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 제 1 SiO2막(7)의 형성에 의해, 제 1 실시형태와 마찬가지로 대역내 삽입손실의 큰 열화를 초래하지 않고, 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다. 마찬가지로, 제 2, 제 3 실시형태에 있어서도, 탄성표면파 필터(23, 43)를 피복하도록 탄성표면파 공진자를 피복하는 제 1 SiO2막보다도 두께가 얇고, 특성이 열화되지 않을 정도의 제 2SiO2막을 형성해도 되고, 제 2, 제 3 실시형태와 마찬가지로 대역내 삽입손실의 큰 열화를 초래하지 않고 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다.
제 1 실시형태에서는, 탄성표면파 필터(3)에 직렬로 1개의 탄성표면파 공진자(4)가 접속되어 있으며, 제 2 실시형태에서는, 탄성표면파 필터(23)에 병렬로 1개의 탄성표면파 공진자(24)가 접속되어 있었으나, 각각 복수의 1단자쌍 탄성표면파 공진자가 접속되어 있어도 된다. 이 경우, 복수의 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개의 탄성표면파 공진자를 피복하도록 SiO2막이 형성되어 있으면, 제 1, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다.
또한, 제 3 실시형태에서는, 탄성표면파 필터(43)에 1개의 탄성표면파 공진자(44)가 직렬로, 1개의 탄성표면파 공진자(45)가 병렬로 접속되어 있었으나, 직렬로 접속되는 탄성표면파 공진자가 복수개이어도 되고, 병렬로 접속되는 탄성표면파 공진자가 복수개이어도 되며, 이들 양자가 복수개이어도 된다. 이 경우에 있어서도, 적어도 1개의 탄성표면파 공진자에 있어서, SiO2막이 형성되어 있으면, 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태와 마찬가지로 주파수 온도 특성을 개선할 수 있고, 바람직하게는, 직렬로 접속되는 탄성표면파 공진자 및 병렬로 접속되는 탄성표면파 공진자의 양자에, 제 3 실시형태와 마찬가지로 SiO2막이 형성되며, 이에 따라서 통과대역의 넓은 범위에 걸쳐서 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다.
제 1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 탄성표면파 장치에서는, 상기한 바와 같이 하여 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성되어 있는 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을, 적어도 1개의 탄성표면파 공진자에 있어서 에칭함으로써, 주파수 조정을 행할 수 있으며, 이에 따라서 소망하는 수신주파수의 탄성표면파 장치를 용이하게 제공할 수 있다.
게다가, 상기 실시형태에서는, 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막으로서, SiO2막이 사용되고 있었으나, SiO2막 이외의 산화 규소막을 사용해도 되며, 또한 질화 규소막 등의 다른 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을 사용해도 된다.
상기 실시형태에서는, 압전기판으로서, 36° Y컷트 X전파의 LiTaO3기판을 사용했으나, 본 발명에서는, 이것에 한하지 않고, 36°∼44° Y컷트 X전파의 LiTaO3기판, 즉 부의 온도계수를 갖는 상기 압전기판을 사용한 탄성표면파 장치에 바람직하게 사용할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서, 압전기판상에 구성되는 탄성표면파 필터는 복수개이어도 된다.
제 1 발명에 따른 탄성표면파 장치에서는, 적어도 1개의 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 적어도 1개의 탄성표면파 공진자가 접속되어 있으며, 탄성표면파 필터가 구성되어 있는 영역을 제외하고, 적어도 1개의 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개를 피복하도록 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있다. SiO2막은 정의 온도계수를 가지며, 따라서, 압전기판으로서, 부의 온도계수를 갖는 것이 사용되고 있으나, 탄성표면파 장치의 통과대역의 고역측 또는 저역측 아주 근방의 주파수 온도 특성이, 탄성표면파 필터 및 직렬 또는 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 주파수 온도 특성의 중간적인 주파수 온도 특성이 되기 때문에, 탄성표면파 장치 전체적인 주파수 온도 특성이 개선된다. 게다가, 탄성표면파 필터 자체에는, 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있지 않으므로, 전파손실의 큰 열화나 전기기계결합계수의 저하를 초래하지 않는다.
즉, 종래에는 온도특성을 개선하기 위해서 탄성표면파 필터에 있어서는 전면에 SiO2막이 형성되어 있었으나, 이 경우에는, 전기기계결합계수가 작아진다고 하는 문제가 있었다. 이에 비하여, 제 1 발명에서는, 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 탄성표면파 필터에 접속함으로써 충분한 감쇠량이 얻어진다. 게다가, 탄성표면파 공진자에만 일정한 주파수 온도 특성을 갖는 막을 형성함으로써, 온도특성이 개선되어 있다. 즉 필터 특성을 유지하면서, 온도특성이 개선된다. 따라서, 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 양호한 주파수 온도 특성을 갖는 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 1 발명의 제 1 특정한 국면에서는, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 SiO2막이 형성되어 있으며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있다. 따라서, 통과대역 고역측에 있어서의 주파수 온도 특성이 개선되며, 즉 큰 통과대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역 고역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 1 발명의 제 2 특정 국면에서는, 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개를 피복하도록 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되고 있으며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가, 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으므로, 통과대역 저역측에 있어서의 주파수 온도 특성을 개선할 수 있고, 대폭적인 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역 저역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 1 발명에 있어서, 상기 제 1, 제 2 특정 국면에서 제공되는 구성을 조합시킨 경우에는, 통과대역의 고역측 및 저역측의 양쪽에 있어서 주파수 온도 특성을 개선할 수 있고, 이에 따라서 대폭적인 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역의 전역에 걸쳐서 양호한 주파수 온도 특성을 가지며, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 2 발명에 따른 탄성표면파 장치에서는, 압전기판상에 적어도 1개의 탄성표면파 필터가 구성되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 적어도 1개의 탄성표면파 공진자가 접속되어 있는 구성에 있어서, 적어도 1개의 탄성표면파 공진자를 피복하도록 적어도 1개의 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 탄성표면파 필터를 피복하도록 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께가 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께보다도 얇게 되어 있으므로, 즉 제 2 발명에 있어서도, 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 적어도 1개의 탄성표면파 공진자를 피복하고 있으므로, 탄성표면파 공진자의 부하에 의해 충분한 감쇠량이 얻어지며, 또한 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막에 의해 온도특성이 개선된다. 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있기 때문에, 대폭적인 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역의 저역측 또는 고역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 실현할 수 있으며, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이 경우, 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막에 의해 탄성표면파 필터가 피복되어 있으므로, 금속분말 등에 대하여 탄성표면파 필터를 보호할 수 있다.
제 2 발명의 제 1 특정 국면에서는, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 제 1 SiO2막이 형성되어 있으며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으므로, 통과대역 고역측에 있어서의 주파수 온도 특성이 개선되며, 즉 큰 통과대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역 고역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 2 발명의 제 2 특정 국면에서는, 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개를 피복하도록 제 1 SiO2막이 형성되어 있으며, 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진 주파수가, 탄성표면파 필터의 통과대역저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으므로, 통과대역 저역측에 있어서의 주파수 온도 특성을 개선할 수 있고, 대폭적인 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역 저역측에 있어서 양호한 주파수 온도 특성을 갖는, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
제 2 발명에 있어서, 상기 제 1, 제 2 특정한 국면에서 제공되는 구성을 조합시킨 경우에는, 통과대역의 고역측 및 저역측의 양자에 있어서 주파수 온도 특성을 개선할 수 있으며, 이에 따라서 대폭적인 대역내 삽입손실의 열화를 초래하지 않고, 통과대역의 전역에 걸쳐서 양호한 주파수 온도 특성을 가지며, 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 압전기판으로서, 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판을 사용한 경우, 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판이 부의 저항 온도 특성을 갖는데, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 형성에 의해, 주파수 온도 특성을 개선할 수 있으므로, 본 발명에 따라서, 주파수 온도 특성이 양호한 광대역의 탄성표면파 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 주파수 조정 방법에서는, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서 적어도 1개의 탄성표면파 공진자에 있어서, SiO2막을 에칭하는 것만으로, 용이하게 주파수를 조정할 수 있으며, 소망하는 대역의 탄성표면파 장치를 용이하게 제공하는 것이 가능해진다.

Claims (12)

  1. 부(負)의 주파수 온도 특성을 갖는 압전기판과,
    상기 압전기판상에 구성된 적어도 1개의 탄성표면파 필터와,
    상기 압전기판상에 구성되고 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 구비하며,
    상기 압전기판상에 있어서, 상기 탄성표면파 필터가 구성되어 있는 영역을 제외하고, 적어도 1개의 상기 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성된 정(正)의 주파수 온도 특성을 갖는 적어도 1개의 막을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진 주파수가 상기 탄성 표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 압전기판과,
    상기 압전기판상에 구성된 적어도 1개의 탄성표면파 필터와,
    상기 압전기판상에 구성되고 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 직렬 및/또는 병렬로 접속된 적어도 1개의 탄성표면파 공진자를 구비하고,
    상기 압전기판상에 있어서 상기 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 형성된 적어도 1개의 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막과,
    상기 압전기판상에 있어서, 상기 탄성표면파 필터를 피복하도록 형성된 제 2정의 주파수 온도 특성을 갖는 막을 구비하고,
    상기 제 2 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께가, 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막의 두께보다도 얇게 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록, 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 적어도 1개를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가, 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 탄성표면파 필터에 직렬로 접속된 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있으며, 상기 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 반공진 주파수가 상기 탄성표면파 필터의 통과대역 고역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터에 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자를 피복하도록 상기 제 1 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되고 있으며, 상기 병렬로 접속된 1단자쌍 탄성표면파 공진자의 공진주파수가 상기 탄성 표면파 필터의 통과대역 저역측의 감쇠역에 존재하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 산화 규소막인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 산화 규소막이 SiO2막인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 압전기판이 36°∼44° Y컷트 X전파 LiTaO3기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 5 항에 기재된 탄성표면파 장치의 주파수 조정 방법으로,
    상기 정의 주파수 온도 특성을 갖는 막이 형성되어 있는 1단자쌍 탄성표면파 공진자 중에서, 적어도 1개의 1단자쌍 탄성표면파 공진자에 있어서, 정의 주파수온도 특성을 갖는 막을 에칭함으로써 주파수조정을 행하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치의 주파수조정방법.
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