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KR20020092024A - Sequence alignment system and the method - Google Patents

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KR20020092024A
KR20020092024A KR1020010030873A KR20010030873A KR20020092024A KR 20020092024 A KR20020092024 A KR 20020092024A KR 1020010030873 A KR1020010030873 A KR 1020010030873A KR 20010030873 A KR20010030873 A KR 20010030873A KR 20020092024 A KR20020092024 A KR 20020092024A
Authority
KR
South Korea
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substrate
alignment
mask
predetermined pattern
alignment mark
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Ceased
Application number
KR1020010030873A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정연욱
김용래
Original Assignee
주식회사 실리콘 테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실리콘 테크 filed Critical 주식회사 실리콘 테크
Priority to KR1020010030873A priority Critical patent/KR20020092024A/en
Publication of KR20020092024A publication Critical patent/KR20020092024A/en
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Abstract

본 발명은 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 특정한 패턴과 정렬 마크간의 위치관계를 파악하고, 기재가 노광영역으로 이송되어 노광작업이 진행되기 전에 마스크의 정렬마크와 기재의 소정 패턴과의 위치관계를 파악하여 마스크 스테이지를 움직이거나 또는 기재 스테이지를 움직여 정렬하도록 한 순차정렬장치 및 방법을 제공한다.The present invention grasps the positional relationship between the specific pattern of the substrate and the alignment mark before the substrate is transferred to the exposure area, and the position of the alignment mark of the mask and the predetermined pattern of the substrate before the substrate is transferred to the exposure area and the exposure operation proceeds. Provided are a sequential alignment device and method for grasping a relationship to move a mask stage or to move and move a substrate stage.

이는 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 소정 정렬마크와 정렬을 위한 소정 패턴간의 위치관계를 파악하기 위한 기재 정렬계와; 상기 기재가 노광영역에 위치시 상기 기재의 소정 패턴과 상기 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크간의 위치관계를 파악하기 위한 마스크 대 기재 정렬계와; 상기 기재 정렬계에서 입력된 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치 오차값을 계산하고, 상기 마스크 대 기재 정렬계에서 입력되는 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크 간의 위치 오차값을 계산하여 이들 위치 오차값을 바탕으로 마스크 또는 기재를 움직여 위치 보정하는 호스트 PC를 구비함에 의해 달성될 수 있다.It includes a substrate alignment system for determining the positional relationship between a predetermined alignment mark of the substrate and a predetermined pattern for alignment before the substrate is transferred to the exposure area; A mask-to-substrate alignment system for determining a positional relationship between a predetermined pattern of the substrate and an alignment mark of a mask projected onto the predetermined pattern of the substrate when the substrate is positioned in an exposure area; The position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark is calculated based on the value input from the substrate alignment system, and is projected onto the predetermined pattern of the substrate and the predetermined pattern of the substrate based on the value input from the mask to substrate alignment system. It can be achieved by having a host PC that calculates position error values between alignment marks of the masks to be moved and corrects the position by moving the mask or the substrate based on these position error values.

Description

순차정렬장치 및 방법{SEQUENCE ALIGNMENT SYSTEM AND THE METHOD}Sequential Alignment System and Method {SEQUENCE ALIGNMENT SYSTEM AND THE METHOD}

본 발명은 노광 장비에서 원패턴이 새겨진 마스크와 이 패턴을 노광하고자 하는 기재(Substrate)의 특정 위치에 전사하도록 해주는 정렬장치에 관한 것으로, 특히 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 특정한 패턴과 정렬마크간의 위치관계를 파악하고, 기재가 노광영역으로 이송되어 노광작업이 진행되기 전에 마스크의 정렬마크와 기재의 소정 패턴간의 위치관계를 파악하여 마스크 스테이지를 움직이거나 또는 기재 스테이지를 움직여 정렬하도록 한 순차정렬장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask in which an original pattern is engraved in an exposure apparatus and an alignment device for transferring the pattern to a specific position of a substrate to be exposed, in particular, alignment with a specific pattern of the substrate before the substrate is transferred to an exposure area. Determine the positional relationship between the marks, and move the mask stage or move the substrate stage to find the positional relationship between the alignment mark of the mask and a predetermined pattern of the substrate before the substrate is transferred to the exposure area and the exposure operation proceeds. An alignment device and method are provided.

노광 장비에서 정렬장치는 마스크 상에 새겨진 소정의 패턴을 노광하고자 하는 여러 종류의 기재의 특정한 위치에 패턴의 형상을 전달하는데 반드시 필요한 장치이다.In the exposure equipment, the alignment device is an essential device for transferring the shape of the pattern to specific positions of various types of substrates on which a predetermined pattern engraved on a mask is to be exposed.

따라서 다양한 형태의 정렬장치가 이와 같은 용도에 사용되는데, 대부분의 정렬장치의 정렬은 기재가 노광하고자 하는 위치에 왔을 때에 수행되거나 또는 노광 위치에 오지 않았을 경우에 정렬이 수행되며, 정렬 작업이 완전히 완료된 후에 순차적으로 노광작업이 진행된다.Therefore, various types of alignment apparatuses are used for this purpose. Most alignment of alignment apparatuses is performed when the substrate is at the position to be exposed or alignment is not performed at the exposure position, and the alignment operation is completely completed. After that, the exposure operation proceeds sequentially.

필름 이송 타입(Film Carrier Type)의 노광장비에서는 기재가 노광영역에 이송되었을 때 기구적으로 고정된 핀을 사용하여 필름에 펀칭된 퍼포레이션 (Perforation)을 맞추어 줌으로써 정렬을 하는 기술이 많이 이용되고 있다.In film carrier type exposure equipment, a technique of aligning the substrate by punching the perforations using a mechanically fixed pin when the substrate is transferred to the exposure area is widely used. .

기구적으로 고정된 핀을 사용한 정렬장치의 예로는 미국특허번호 제 5,021,821호를 들 수 있다.An example of an alignment device using mechanically fixed pins is US Pat. No. 5,021,821.

이는 도 1에 도시한 바와 같이, 조사광원(1)으로부터 조사된 광이 미러(2)를 통해 레티클 지지부재(4) 상에 위치하는 레티클(3)에 조사된 후, 프로젝션 렌즈(5)를 통해 필름(6) 상에 상기 레티클(3)에 형성된 소정의 패턴을 형성할 수 있도록 되어 있는 노광장치에서, 노광전에 필름 프레싱 부재(8)상에 고정된 핀(9)에 필름(6)의 퍼포레이션(7)이 끼워지도록 하여 정렬을 행하고 있다.This is because, as shown in FIG. 1, the light irradiated from the irradiation light source 1 is irradiated to the reticle 3 positioned on the reticle support member 4 through the mirror 2, and then the projection lens 5 is turned on. In an exposure apparatus which is capable of forming a predetermined pattern formed on the reticle 3 on the film 6 through, the film 6 on the pin 9 fixed on the film pressing member 8 before exposure. Alignment is performed so that the perforations 7 may be fitted.

그러나 이러한 핀을 사용한 기구적(Mechanical)인 정렬은 필름이 노광위치로 이송시 정밀하게 직선으로 이송되기 힘들며, 미세하게나마 지그재그로 이송되기 쉬우며, 필름이 지그재그로 이송시 퍼포레이션이 고정핀과의 마찰로 커질 수가 있으며, 이로 인해 정렬 정밀도가 떨어질 수 있어 최근 필름의 두께가 30㎛ 이하로 경박화되어 가는 추세 및 패턴의 미세화로 고정도가 요구되는 추세에 만족할 수 있는 10㎛ 이하의 정렬 정도를 얻기 힘든 문제점이 있다.However, mechanical alignment using these pins is difficult to transport the film precisely in a straight line when the film is transferred to the exposure position. It can be increased by friction, which can reduce the alignment accuracy, so that the thickness of the film is thinned to 30㎛ or less recently, and the alignment degree of 10㎛ or less can be satisfied to satisfy the trend requiring high precision by miniaturization of the pattern. There is a hard problem.

그외 많은 종류의 노광장치에서의 정렬장치는 정렬 정밀도를 향상시키는 한 방법으로써 TTL(Through The Lens) 정렬방식을 사용한다. 즉, 마스크상의 소정 정렬마크를 결상 렌즈계를 통하여 기재의 특정 위치에 존재하는 소정 정렬 마크와 정렬작업을 수행한다. 기존 방식의 경우 TTL 정렬방식을 이용하여 정렬 작업을 수행할 때 기재의 어떤 위치에 정렬 마크가 존재하느냐에 따라 여러 가지 방식의 정렬 장치가 사용된다.Many other types of exposure devices use TTL (Through The Lens) alignment as a way to improve the alignment accuracy. That is, the predetermined alignment mark on the mask is aligned with the predetermined alignment mark existing at the specific position of the substrate through the imaging lens system. In the conventional method, when performing the alignment operation using the TTL alignment method, various alignment devices are used depending on where the alignment mark exists in the substrate.

이러한 정렬장치의 하나로 미국특허 제 5,198,857호를 들 수 있다.One such alignment device is U.S. Patent 5,198,857.

이는 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 마스크(M)의 포토마스크 사이드 정렬 마크(Photomask-side alignment mark : 이하, MM이라 칭함)와 필름(F)의 필름 사이드 정렬 마크(Film-side alignment mark : 이하, FM이라 칭함)를 이용하여 정렬하는 것으로, 도 2와 같은 시스템에서 조사 시스템(10)으로부터 조사된 광이 포토마스크 홀더(M11)에 위치하는 마스크(M)를 통해 프로젝션 렌즈(20)를 거쳐 필름(F)에 조사되어 도 4와 같이 상기 MM의 이미지(MM')가 FM의 위치에 정확히 맞으면 정렬이 된 것으로, MM의 이미지(MM')가 FM의 위치에 정확히 맞지 않으면 정렬되지 않은 것으로 판단하여 시스템 콘트롤러(40)에서 서보모터(M12)를 구동하여 포토마스크 홀더(M11)를 움직여 정렬하게 된다.3 and 4, the photomask side alignment mark (hereinafter referred to as MM) of the mask M and the film side alignment mark of the film F are shown. mark: hereinafter referred to as FM), in which the light irradiated from the irradiation system 10 is projected through the mask M positioned in the photomask holder M11 in the system as shown in FIG. 4) is irradiated to the film F and aligned as shown in FIG. 4 when the image MM 'of the MM is exactly aligned with the position of FM, and aligned if the image MM' of the MM is not exactly aligned with the location of FM. It is determined that it is not, the system controller 40 drives the servo motor M12 to move the photomask holder M11 to align.

이때, 정렬여부를 파악을 위해 검출 시스템(30)이 이용되며, 이 검출 시스템(30)에는 오브젝티브 렌즈(Objective Lens)(31) 및 컨덴서 렌즈(Condensor Lens)(32) 및 고감도의 광전변환기(Photoelectric Transducer)인 디텍터(33)가 사용되며, 상기 디텍터(33)의 출력이 증폭기(34)를 거쳐 시스템 콘트롤러(40)에 입력되도록 되어 있어 시스템 콘트롤러(40)에서 디텍터(33)의 출력값을 바탕으로 정렬 여부를 판단하도록 되어 있다.In this case, the detection system 30 is used to determine whether the alignment is performed, and the detection system 30 includes an objective lens 31, a condenser lens 32, and a high sensitivity photoelectric converter. Detector 33, which is a transducer, is used, and the output of the detector 33 is input to the system controller 40 through the amplifier 34, based on the output value of the detector 33 in the system controller 40. It is to determine the alignment.

그러나 이러한 종래의 광전변환 센서를 이용한 TTL 정렬 방식을 사용하는 정렬장치는 센서의 조정이 힘들고, 장비내의 노이즈에 민감하게 반응하여 정렬 정밀도를 떨어뜨릴 수 있다.However, the alignment device using the TTL alignment method using the conventional photoelectric conversion sensor is difficult to adjust the sensor, it may be sensitive to the noise in the equipment to reduce the alignment accuracy.

또한, 필름에 별도의 정렬을 위한 홀을 넣으므로 해서 필름의 사용면적을 줄어들게 하고, 장비 사용시 유저가 필름에 정렬 홀을 추가로 넣어줘야 한다.In addition, by inserting a hole for a separate alignment in the film to reduce the use area of the film, when using the equipment should be added to the user additional alignment holes in the film.

또한, 기재의 정렬 마크가 유효 노광 영역 즉, 노광 패턴이 존재하는 영역내에 있을 경우 이때 사용하는 정렬계용 광원은 비노광 광원이어야 하는데, 그 이유는 대개 노광전에 정렬작업이 수행되는데, 이때 정렬계에 사용되는 광원이 노광 광원이면 기재상에 도포되어 있는 감광제를 감광시키기 때문에 패턴을 노광할 때 악영향을 미치게 된다. 따라서 결상계 제작시 이 비노광 광원을 고려하여 색수차가 보정된 결상 렌즈계를 구성해야 하는데, 이로 인해 결상계의 설계/제작이 어려워진다.In addition, when the alignment mark of the substrate is in the effective exposure area, that is, the area in which the exposure pattern is present, the light source for the alignment system used at this time should be a non-exposure light source because the alignment operation is usually performed before exposure. If the light source to be used is an exposure light source, the photosensitive agent applied on the substrate is exposed to light, which adversely affects the exposure of the pattern. Therefore, when manufacturing the imaging system, it is necessary to configure an imaging lens system in which chromatic aberration is corrected in consideration of this non-exposure light source, which makes designing / manufacturing of the imaging system difficult.

또한, 노광영역에서의 TTL 정렬만을 수행함으로써 BGA와 같이 노광전에 필름에 미리 패턴을 새겨 넣는 디바이스의 경우 필름에 패턴을 새겨 넣을 시의 오정렬(Miss Align)로 인한 에러 양을 노광시 보정할 수 없다.In addition, in the case of a device in which a pattern is previously inscribed into a film before exposure such as BGA by performing only TTL alignment in the exposure area, an error amount due to miss alignment at the time of incorporating a pattern into the film cannot be compensated during exposure. .

본 발명은 이러한 점을 감안한 것으로, 기재가 노광영역에 위치하기 전단계에서 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치관계를 파악하고, 기재가 노광영역으로 진입한 후, 기재의 소정패턴과 마스크의 소정 정렬마크간의 위치관계를 파악하여 이들 값을 바탕으로 정렬을 행함으로써 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있도록 한 순차정렬장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above, and the positional relationship between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark at the stage before the substrate is positioned in the exposure area, and after the substrate enters the exposure area, the predetermined pattern of the substrate and the predetermined alignment of the mask It is an object of the present invention to provide a sequential sorting apparatus and method that can improve the sorting accuracy by grasping the positional relationship between marks and sorting based on these values.

본 발명의 다른 목적은 정렬시 정렬광원으로 노광광원을 사용함으로써 광학계의 색수차에 의한 오차를 없앨 수 있도록 한 순차정렬장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a sequential alignment device that can eliminate errors caused by chromatic aberration of an optical system by using an exposure light source as an alignment light source during alignment.

도 1은 종래의 노광장비에서의 정렬장치를 나타낸 도.1 is a view showing an alignment device in a conventional exposure apparatus.

도 2는 종래의 다른 실시 예의 정렬장치를 나타낸 도.2 is a view showing the alignment device of another conventional embodiment.

도 3 및 도 4는 종래의 다른 실시 예의 동작 설명을 위한 도3 and 4 are views for explaining the operation of another conventional embodiment

도 5는 본 발명에 따른 순차정렬장치의 구성도.5 is a block diagram of a sequential sorting apparatus according to the present invention.

도 6은 본 발명의 기재 정렬계에서 인식되는 패턴의 일 예도.6 is an example of a pattern recognized by the substrate alignment system of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시 예의 구성을 나타낸 도.7 is a diagram showing the configuration of another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기재 정렬계 200 : 마스크 대 기재 정렬계100: substrate alignment system 200: mask to substrate alignment system

300 : 호스트 PC 400 : 마스크 스테이지 구동부300: host PC 400: mask stage drive unit

101 : 기재 102: 기재 스테이지101: substrate 102: substrate stage

103 : 카메라 홀더 201 : 노광광원103: camera holder 201: exposure light source

202 : 마스크 스테이지 203 : 마스크202: mask stage 203: mask

204 : 라이트 마스크 205 : 투영광학계204: light mask 205: projection optical system

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 순차정렬장치는, 원패턴이 새겨된 마스크와 원패턴이 전사되어 원패턴이 형성될 기재간에, 상기 기재의 원하는 위치에 상기 마스크의 원패턴을 전사시킬 수 있도록 하는 정렬장치에 있어서, 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 소정 정렬마크와 정렬을 위한 소정 패턴간의 위치관계를 파악하기 위한 기재 정렬계와; 상기 기재가 노광영역에 위치시 상기 기재의 소정 패턴과 상기 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크간의 위치관계를 파악하기 위한 마스크 대 기재 정렬계와; 상기 기재 정렬계에서 입력된 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치 오차값을 계산하고, 상기 마스크 대 기재 정렬계에서 입력되는 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크 간의 위치 오차값을 계산하여 이들 위치 오차값을 바탕으로 마스크 또는 기재를 움직여 위치 보정하는 호스트 PC를 구비함을 특징으로 한다.A sequential alignment apparatus according to the present invention for achieving the above object, can transfer the original pattern of the mask to a desired position of the substrate between the mask in which the original pattern is engraved and the substrate on which the original pattern is to be transferred. An alignment apparatus, comprising: a substrate alignment system for determining a positional relationship between a predetermined alignment mark of a substrate and a predetermined pattern for alignment before the substrate is transferred to the exposure area; A mask-to-substrate alignment system for determining a positional relationship between a predetermined pattern of the substrate and an alignment mark of a mask projected onto the predetermined pattern of the substrate when the substrate is positioned in an exposure area; The position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark is calculated based on the value input from the substrate alignment system, and is projected onto the predetermined pattern of the substrate and the predetermined pattern of the substrate based on the value input from the mask to substrate alignment system. It is characterized in that it comprises a host PC for calculating the position error value between the alignment marks of the mask to be moved to correct the position by moving the mask or the substrate based on these position error values.

상기 기재 정렬계는 상기 기재의 노광면쪽 또는 그 반대쪽에 위치하는 기재의 소정 정렬마크와 소정 패턴간의 위치관계를 파악할 수 있도록, 상기 기재의 소정 패턴과 소정 정렬마크를 촬영하여 이를 전기적인 신호로 상기 호스트 PC에 전달하는 적어도 2개 이상의 CCD 카메라로 구성된다.The substrate alignment system photographs the predetermined pattern and the predetermined alignment mark of the substrate so that the positional relationship between the predetermined alignment mark and the predetermined pattern of the substrate located on the exposure surface side or the opposite side of the substrate may be captured by the electrical signal. It consists of at least two CCD cameras that deliver to a host PC.

상기 마스크 대 기재 정렬계는 상기 마스크의 상부에, 마스크의 정렬마크 부분 이외의 광원을 차단하여 노광광원이 기재의 유효 노광영역에 조사되지 않도록 하는 라이트 마스크가 배치된다.In the mask-to-substrate alignment system, a light mask is disposed above the mask to block light sources other than the alignment mark portion of the mask so that the exposure light source is not irradiated to the effective exposure area of the substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 순차정렬방법은, 원패턴이 새겨된 마스크와 원패턴이 전사되어 원패턴이 형성될 기재간에, 상기 기재의 원하는 위치에 상기 마스크의 원패턴을 전사시킬 수 있도록 하는 정렬방법에 있어서, 상기 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 소정 정렬마크와 정렬을 위한 소정 패턴의 위치관계를 파악하여 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치 오차값을 계산하는 제 1 단계와; 상기 기재가 노광영역에 위치시 상기 기재의 소정패턴과 상기 기재의 소정패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크간의 위치관계를 파악하여 기재의 소정 패턴과 마스크의 정렬마크 간의 위치 오차값을 계산하는 제 2 단계와; 상기 제 1 단계 및 제 2 단계에서 계산된 위치 오차값을 바탕으로 마스크 또는 기재를 움직여 위치 보정하는 제 3 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.The sequential alignment method according to the present invention for achieving the above object, the original pattern of the mask can be transferred between the mask and the original pattern is transferred to the desired position of the mask between the base pattern to be formed the original pattern A first step of calculating a position error value between a predetermined pattern of the substrate and the alignment mark by grasping the positional relationship between the predetermined alignment mark of the substrate and the predetermined pattern for alignment before the substrate is transferred to the exposure area. Wow; A second position for calculating a position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark of the mask by grasping the positional relationship between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark of the mask projected on the predetermined pattern when the substrate is positioned in the exposure area; Steps; And a third step of correcting the position by moving the mask or the substrate based on the position error values calculated in the first and second steps.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조로 하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명은 시트(Sheet) 단위 또는 롤 형태로 기재가 공급되는 방식의 노광장치에 적용 가능한 것이다.First, the present invention is applicable to an exposure apparatus of a method in which a substrate is supplied in sheet form or roll form.

도 5는 본 발명에 따른 순차정렬장치의 구성도를 도시한 것으로, 기재의 노광면측에 소정의 정렬마크가 존재하는 경우에 대한 구성도이다.5 is a configuration diagram of a sequential alignment apparatus according to the present invention, which is a configuration diagram when a predetermined alignment mark exists on the exposure surface side of the substrate.

이에 도시한 바와 같이, 기재 스테이지(102)에 배치된 기재(101)가 노광영역으로 진입하기 전에 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B)간의 위치관계를 파악하기 위한 기재 정렬계(100)와, 상기 기재(101)가 노광영역으로 진입한 후, 기재(101) 상의 퍼포레이션(A)과 노광광원(201)에 의해 상기 퍼포레이션(A)의 위치에 투영되는 마스크(203)의 정렬마크(C)의 위치관계를 파악하기 위한 마스크 대기재 정렬계(200)와, 상기 기재 정렬계(100)에서 입력되는 값을 바탕으로 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B)간의 위치 오차값을 계산하고, 상기 마스크 대 기재 정렬계(200)에서 입력되는 값을 바탕으로 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 마스크(203)의 정렬마크(C) 간의 위치 오차값을 계산하여 이들 위치 오차값을 바탕으로 상기 마스크 스테이지(202)를 구동하는 마스크 스테이지 구동부(400) 또는 기재 스테이지(102)를 구동하는 기재 스테이지 구동부(도시하지 않음)를 구동하여 최종적으로 마스크(203)와 기재(101) 내의 유효 노광영역 상의 패턴을 정밀하게 정렬시키는 호스트 PC(300)로 구성된다.As shown therein, the substrate alignment for grasping the positional relationship between the perforation A and the alignment mark B of the substrate 101 before the substrate 101 disposed on the substrate stage 102 enters the exposure area. After the system 100 and the substrate 101 enter the exposure area, the mask is projected to the position of the perforation A by the perforation A and the exposure light source 201 on the substrate 101 ( The perforation A of the substrate 101 and the mask atmospheric material alignment system 200 for grasping the positional relationship between the alignment marks C of 203 and the value input from the substrate alignment system 100. The position error value between the alignment marks B is calculated, and the perforation A of the substrate 101 and the alignment mark C of the mask 203 based on the values input from the mask-to-substrate alignment system 200. A mask stay for driving the mask stage 202 based on these position error values by calculating position error values A host PC 300 which drives a substrate stage driver (not shown) for driving the driver 400 or the substrate stage 102 to precisely align the pattern on the effective exposure area in the mask 203 and the substrate 101. It is composed of

상기 기재 스테이지(101)는 기재(101)가 공급되는 방향쪽으로 최소한 한번에 노광되는 노광 영역의 두배 크기 이상의 베이스를 가지고 있으며, 이 베이스의 앞쪽 반정도 되는 위치의 윗쪽에 상기 기재 정렬계(100)가 구성된다.The substrate stage 101 has a base that is at least twice as large as the exposure area exposed at least once in the direction in which the substrate 101 is supplied, and the substrate alignment system 100 is positioned above the front half of the base. It is composed.

기재 정렬계(100)는 기재(101) 상의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B)를 촬영하여 이를 전기적인 신호로 호스트 PC(300)에 전달하는 복수개의 CCD카메라(CCD11-CCD14)로 구성되며, CCD카메라(CCD11-CCD14)는 카메라 홀더(103)에 의해 지지된다.Substrate alignment system 100 is composed of a plurality of CCD camera (CCD11-CCD14) for photographing the perforation (A) and the alignment mark (B) on the substrate 101 and delivers it to the host PC 300 as an electrical signal The CCD cameras CCD11-CCD14 are supported by the camera holder 103.

상기 마스크 대 기재 정렬계(200)는 상기 기재(101)가 노광영역으로 진입한 후, 기재(101) 상의 퍼포레이션(A)과 상기 퍼포레이션(A)의 위치에 투영되는 마스크(203)의 정렬마크(C)의 위치관계를 파악하기 위한 것으로, 기재 스테이지(102)의 노광영역 하부에 위치하여 상기 퍼포레이션(A)과 상기 노광광원(201)에 의해 투영되는 마스크(203)의 정렬마크(C)를 촬영하여 이를 전기적인 신호로 호스트 PC(300)에 전달하기 위한 복수개의 CCD 카메라(CCD21, CCD22)를 구비하며, 이들 CCD 카메라(CCD21,CCD22) 역시 도시하지 않은 카메라 홀더에 의해 지지된다.The mask-to-substrate alignment system 200 of the mask 203 projected to the perforation A and the position of the perforation A on the substrate 101 after the substrate 101 enters the exposure area. For identifying the positional relationship of the alignment mark C, the alignment mark of the mask 203 positioned under the exposure area of the substrate stage 102 and projected by the perforation A and the exposure light source 201. (C) has a plurality of CCD cameras (CCD21, CCD22) for photographing and delivering them to the host PC 300 as an electrical signal, these CCD cameras (CCD21, CCD22) are also supported by a camera holder (not shown) do.

또한, 상기 마스크 대 기재 정렬계(200)의 구현을 위해 상기 마스크(203)의 상부에는 라이트 마스크(204)가 배치되며, 이 라이트 마스크(204)는 마스크(203)의 정렬마크(C) 부분 이외의 광원을 차단하여 노광광원(201)의 조사광이 기재(101)의 유효 노광영역에 조사되지 않도록 하여 노광광원(201)을 정렬광원으로 사용할 수 있도록 해준다.In addition, a light mask 204 is disposed on the mask 203 to implement the mask-to-substrate alignment system 200, and the light mask 204 is an alignment mark (C) portion of the mask 203. By blocking other light sources, the exposure light source 201 is not irradiated to the effective exposure area of the substrate 101 so that the exposure light source 201 can be used as the alignment light source.

상기와 같이 구성된 본 발명은 먼저, 기재(101)가 노광영역에 진입하기 전 단계에서 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B) 간의 위치관계를 파악하게 된다.According to the present invention configured as described above, first, the positional relationship between the perforation A and the alignment mark B of the substrate 101 is detected before the substrate 101 enters the exposure area.

즉, 상기 기재(101)가 노광영역 내에 위치하기 전에 기재(101)의 유효노광영역(즉, 노광패턴이 존재하는 영역)내에 존재하는 정렬마크(B)와 유효노광영역 바깥쪽(즉, 노광영역 안에는 있되 노광패턴 바깥쪽 영역)에 존재하는 퍼포레이션(A)의 위치관계를 파악하여 정렬에 이용하도록 한다.That is, the alignment mark B existing in the effective exposure area (that is, the area where the exposure pattern exists) of the substrate 101 and the outside of the effective exposure area (that is, the exposure before the substrate 101 is located in the exposure area). While inside the area, the positional relationship of the perforations A present in the area outside the exposure pattern is used to align.

일 예를 들면, CCD 카메라(CCD11-CCD14)에 의해 도 6과 같은 패턴이 인식될 경우, 호스트 PC(300)는 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B) 간에 수평, 수직 또는 각 변의 기울기 정도 등의 위치관계로부터 위치 오차값을 계산하여 이를 정렬에 이용하게 되며, 이러한 위치 오차값 계산 동작은 노광영역에 위치한 기재에 대한 노광작업이 완료된 후, 다음 작업을 위해 이송될 때까지 완료된다.For example, when the pattern as shown in FIG. 6 is recognized by the CCD cameras CCD11-CCD14, the host PC 300 tilts the horizontal, vertical, or inclination of each side between the perforation A and the alignment mark B. FIG. The position error value is calculated from the positional relationship, and the like is used for alignment, and the position error value calculation operation is completed until the exposure operation for the substrate located in the exposure area is completed and then transferred for the next operation.

한편, 상기와 같이 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B) 간의 위치관계가 파악된 후, 이 기재(101)가 노광영역에 진입하면 기재(101)의 퍼포레이션(A)과마스크(203)의 정렬마크(C) 간의 위치관계가 파악된다.On the other hand, after the positional relationship between the perforation A and the alignment mark B of the base 101 is determined as described above, when the base 101 enters the exposure area, the perforation A of the base 101 The positional relationship between the alignment marks C of the overmask 203 is grasped.

즉, 노광광원(201)에 의해 조사된 광에 의해 마스크(203)의 정렬패턴(C)이 투영광학계(205)를 거쳐 기재(101)의 퍼포레이션(A) 위치에 투영되며, 이때 라이트 마스크(204)에 의해 마스크(203)의 정렬패턴(C) 이외의 부분에는 노광광원(201)에 의해 조사된 광이 조사되지 않게 된다.That is, the alignment pattern C of the mask 203 is projected to the perforation A position of the substrate 101 through the projection optical system 205 by the light irradiated by the exposure light source 201, in which case the light mask By 204, the light irradiated by the exposure light source 201 is not irradiated to portions other than the alignment pattern C of the mask 203.

기재(101)의 퍼포레이션(A) 및 퍼포레이션(A)에 투영된 마스크(203)의 정렬마크(C)는 CCD 카메라(CCD21,CCD22)에 의해 인식되어 호스트 PC(300)로 전달된다. 호스트 PC(300)는 이를 바탕으로 퍼포레이션(A)과 정렬패턴(C)간의 위치관계 즉, 위치 오차값을 계산하게 된다.The perforation A of the substrate 101 and the alignment mark C of the mask 203 projected onto the perforation A are recognized by the CCD cameras CCD21 and CCD22 and transferred to the host PC 300. The host PC 300 calculates the positional relationship between the perforation A and the alignment pattern C, that is, the position error value, based on this.

그리고 호스트 PC(300)는 상기 기재(101)가 노광영역에 진입하기 바로 전단계에서 계산된 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B) 간의 위치 오차값과 기재가(101)가 노광영역으로 진입한 후 계산된 기재(101)의 퍼포레이션(A)과 마스크(203)의 정렬마크(C)간의 위치 오차값을 바탕으로 마스크 스테이지 구동부(400)를 구동하여 마스크(203)를 X,Y,θ축으로 움직여 최종적으로 마스크(203)와 기재(101)내의 유효 노광영역 상의 패턴을 정밀하게 정렬시키게 된다.In addition, the host PC 300 determines that the position error value and the substrate price 101 between the perforation A and the alignment mark B of the substrate 101 calculated just before the substrate 101 enters the exposure area. The mask 203 is driven by driving the mask stage driver 400 based on the position error value between the perforation A of the substrate 101 and the alignment mark C of the mask 203 calculated after entering the exposure area. By moving along the X, Y and θ axes, the pattern on the effective exposure area in the mask 203 and the substrate 101 is finally precisely aligned.

즉, 상기 호스트 PC(300)는 상기 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B) 간의 위치 오차값을 바탕으로 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B)를 정렬하고, 퍼포레이션(A)과 마스크(203)의 정렬마크(C)간의 위치 오차값을 바탕으로 퍼포레이션(A)과 정렬마크(C)를 정렬하게 되며, 이와 같이, 퍼포레이션(A)과 정렬마크(B)를 정렬한후, 퍼포레이션(A)과 정렬마크(C)를 정렬함에 따라 자동적으로 기재(101)의 정렬마크(B)와 마스크(203)의 정렬마크(C)가 정렬되게 된다.That is, the host PC 300 aligns the perforation (A) and the alignment mark (B) based on the position error value between the perforation (A) and the alignment mark (B), the perforation (A) and the mask Perforation (A) and alignment mark (C) are aligned based on the positional error value between alignment marks (C) of (203). After aligning perforation (A) and alignment mark (B) in this way, As the perforation A and the alignment mark C are aligned, the alignment mark B of the substrate 101 and the alignment mark C of the mask 203 are automatically aligned.

여기서, 상기 마스크 스테이지 구동부(400)를 구동하여 마스크(203)를 움직여 정렬하는 것 이외에 도시하지 않은 기재 스테이지 구동부를 통해 기재 스테이지(102)를 구동하여 정렬할 수 있음을 물론이다.Here, the substrate stage 102 may be driven and aligned through a substrate stage driving unit (not shown) in addition to moving and aligning the mask 203 by driving the mask stage driving unit 400.

상기와 같이 하여 정렬작업이 완료되면 상기 라이트 마스크(204)를 제거하고 노광을 수행하게 된다.When the alignment is completed as described above, the light mask 204 is removed to perform exposure.

도 7은 본 발명의 다른 실시 예의 시스템 구성도를 도시한 것으로, 기재의 정렬마크가 노광면쪽이 아니고, 그 반대쪽에 위치할 경우에 대한 실시 예로서, 기재 정렬계(100A)가 기재(101)의 아래쪽에 위치하여 기재(101)의 배면 정렬마크를 사용하여 정렬을 수행하는 점만 상기 실시 예와 상이한 것으로, 그 원리는 상기 실시예와 동일하므로 그 상세한 설명은 약한다.7 is a diagram illustrating a system configuration of another embodiment of the present invention, in which the alignment mark of the substrate is not on the exposure surface side but on the opposite side, and the substrate alignment system 100A is the substrate 101. Only the point of performing alignment using the rear alignment mark of the base material 101 positioned below the different from the above embodiment, the principle is the same as the above embodiment, the detailed description thereof is weak.

본 발명은 상기에 기술된 실시 예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above described embodiments, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 얻게 된다.As described above, the present invention obtains the following effects.

첫째, 기재가 노광영역에 진입하기 바로 전단계와 진입한 후 2차에 걸쳐 정렬을 위한 위치 오차값을 계산하여 정렬을 수행함으로써 종래에 비해 동일이상의 정렬 정밀도를 구현할 수 있게 된다.First, by performing the alignment by calculating the position error value for alignment over the second step immediately before the substrate enters the exposure area and after the entry, it is possible to implement the same or higher alignment accuracy than in the prior art.

둘째, 기재의 노광면 또는 그 반대면과 마스크 패턴의 정렬이 필요한 경우에 용이하게 정렬을 수행할 수 있게 된다. 즉, 1차 기재 정렬계를 기재의 상방향 또는 아랫방향에 설치함에 따라 이와 같은 정렬을 용이하게 수행할 수 있을 뿐만 아니라, 상하방향에 동시에 설치할 수도 있고 또는 완전히 제거하여 마스크 대 기재 정렬계을 통한 정렬만 수행할 수도 있는 등 기재 정렬계의 배치에 따라 다양한 정렬방식을 구현할 수 있게 된다. 다시 말해 장비 사용자가 기재 정렬계를 선택 사양으로 가져갈 수 있음에 따라 노광장비의 활용분야를 폭 넓게 할 수 있는 장점이 있다.Second, alignment can be easily performed when the mask pattern needs to be aligned with the exposed surface or the opposite surface of the substrate. That is, the alignment of the primary substrate alignment system in the upward or downward direction of the substrate can be easily performed as well as the alignment can be performed simultaneously in the vertical direction or completely removed to align through the mask to substrate alignment system. Various sorting methods can be implemented according to the arrangement of the substrate alignment system, such as only being able to be performed. In other words, as the user of the equipment can take the substrate alignment system as an option, there is an advantage of broadening the application field of the exposure equipment.

셋째, 노광광원을 정렬광원으로 사용함으로써 비노광 광원을 쓸때의 색수차에 의한 정렬 오차를 제거하여 전체적인 정렬 정밀도를 높일 수 있게 된다.Third, by using the exposure light source as the alignment light source, it is possible to eliminate the alignment error due to chromatic aberration when using the non-exposure light source, thereby increasing the overall alignment accuracy.

Claims (7)

원패턴이 새겨된 마스크와 원패턴이 전사되어 원패턴이 형성될 기재간에, 상기 기재의 원하는 위치에 상기 마스크의 원패턴을 전사시킬 수 있도록 하는 정렬장치에 있어서,In the alignment device to transfer the original pattern of the mask to the desired position of the substrate between the mask on which the original pattern is inscribed and the original pattern is transferred to form the original pattern, 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 소정 정렬마크와 정렬을 위한 소정 패턴간의 위치관계를 파악하기 위한 기재 정렬계와;A substrate alignment system for determining a positional relationship between a predetermined alignment mark of the substrate and a predetermined pattern for alignment before the substrate is transferred to the exposure area; 상기 기재가 노광영역에 위치시 상기 기재의 소정 패턴과 상기 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크간의 위치관계를 파악하기 위한 마스크 대 기재 정렬계와;A mask-to-substrate alignment system for determining a positional relationship between a predetermined pattern of the substrate and an alignment mark of a mask projected onto the predetermined pattern of the substrate when the substrate is positioned in an exposure area; 상기 기재 정렬계에서 입력된 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치 오차값을 계산하고, 상기 마스크 대 기재 정렬계에서 입력되는 값을 바탕으로 기재의 소정 패턴과 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크 간의 위치 오차값을 계산하여 이들 위치 오차값을 바탕으로 마스크 또는 기재를 움직여 위치 보정하는 호스트 PC를 구비함을 특징으로 하는 순차정렬장치.The position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark is calculated based on the value input from the substrate alignment system, and is projected onto the predetermined pattern of the substrate and the predetermined pattern of the substrate based on the value input from the mask to substrate alignment system. And a host PC for calculating position error values between alignment marks of the masks to be moved and correcting the position by moving the mask or the substrate based on these position error values. 제 1 항에 있어서, 상기 기재의 소정패턴은The method of claim 1, wherein the predetermined pattern of the substrate is 유효노광영역 바깥쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 순차정렬장치.Sequential alignment device, characterized in that located outside the effective exposure area. 제 1 항에 있어서, 상기 기재 정렬계는The method of claim 1, wherein the substrate alignment system 상기 기재의 노광면쪽 또는 그 반대쪽에 위치하는 기재의 소정 정렬마크와 소정 패턴간의 위치관계를 파악할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 순차정렬장치.And a positional relationship between a predetermined alignment mark and a predetermined pattern of the substrate positioned on the exposure surface side or the opposite side of the substrate. 제 3 항에 있어서, 상기 기재 정렬계는The system of claim 3, wherein the substrate alignment system 상기 기재의 소정 패턴과 소정 정렬마크를 촬영하여 이를 전기적인 신호로 상기 호스트 PC에 전달하는 적어도 2개 이상의 CCD 카메라로 구성됨을 특징으로 하는 순차정렬장치.And at least two CCD cameras photographing the predetermined pattern and the predetermined alignment mark of the substrate and transmitting the predetermined pattern and the predetermined alignment mark to the host PC as an electrical signal. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 대 기재 정렬계는The system of claim 1, wherein the mask to substrate alignment system 상기 기재의 소정 패턴과 상기 기재의 소정 패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크를 촬영하여 이를 전기적인 신호로 상기 호스트 PC에 전달하는 적어도 1개 이상의 CCD 카메라를 구비함을 특징으로 하는 순차정렬장치.And at least one CCD camera for photographing a predetermined pattern of the substrate and an alignment mark of a mask projected on the predetermined pattern of the substrate and transmitting the alignment mark to the host PC as an electrical signal. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 대 기재 정렬계는The system of claim 1, wherein the mask to substrate alignment system 상기 마스크의 상부에, 마스크의 정렬마크 부분 이외의 광원을 차단하여 노광광원이 기재의 유효 노광영역에 조사되지 않도록 하는 라이트 마스크가 배치됨을 특징으로 하는 순차정렬장치.And a light mask arranged above the mask to block light sources other than the alignment mark portions of the mask so that the exposure light source is not irradiated to the effective exposure area of the substrate. 원패턴이 새겨된 마스크와 원패턴이 전사되어 원패턴이 형성될 기재간에, 상기 기재의 원하는 위치에 상기 마스크의 원패턴을 전사시킬 수 있도록 하는 정렬방법에 있어서,In the alignment method to transfer the original pattern of the mask to a desired position of the substrate between the mask in which the original pattern is inscribed and the original pattern is transferred to form the original pattern, 상기 기재가 노광영역으로 이송되기 전에 기재의 소정 정렬마크와 정렬을 위한 소정 패턴의 위치관계를 파악하여 기재의 소정 패턴과 정렬마크간의 위치 오차값을 계산하는 제 1 단계와;A first step of identifying a positional relationship between a predetermined alignment mark of the substrate and a predetermined pattern for alignment before the substrate is transferred to the exposure area, and calculating a position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark; 상기 기재가 노광영역에 위치시 상기 기재의 소정패턴과 상기 기재의 소정패턴에 투영되는 마스크의 정렬마크간의 위치관계를 파악하여 기재의 소정 패턴과 마스크의 정렬마크 간의 위치 오차값을 계산하는 제 2 단계와;A second position for calculating a position error value between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark of the mask by grasping the positional relationship between the predetermined pattern of the substrate and the alignment mark of the mask projected on the predetermined pattern when the substrate is positioned in the exposure area; Steps; 상기 제 1 단계 및 제 2 단계에서 계산된 위치 오차값을 바탕으로 마스크 또는 기재를 움직여 위치 보정하는 제 3 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 순차정렬방법.And a third step of correcting the position by moving the mask or the substrate based on the position error values calculated in the first and second steps.
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KR100947946B1 (en) * 2007-12-27 2010-03-15 주식회사 동부하이텍 Exposure equipment

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