KR20020008438A - Face board of plasma display panel and plasticity method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 및 그 소성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a front substrate of a plasma display panel and a firing method thereof.
본 발명은, 투명(ITO)전극과 버스전극으로 구비된 유지전극이 쌍을 이루며 배열되고 그 상측면에 유전층이 도포 소성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판에 있어서, 상기 유지전극과 상기 유전층의 사이에는 상기 버스전극과 상기 유전층이 소성시 반응되는 것을 억제하는 보호막이 더 구비된다.The present invention relates to a front substrate of a plasma display panel in which a transparent (ITO) electrode and a sustain electrode provided as a bus electrode are arranged in pairs, and a dielectric layer is coated and fired on an upper side thereof, between the sustain electrode and the dielectric layer. A protective film is further provided to suppress the bus electrode and the dielectric layer from reacting upon firing.
또한, 본 발명은, 전면 기판의 상측면에 대해 일정한 간격을 두고 쌍을 이루도록 투명전극과 버스전극으로 이루어진 유지전극을 배열하는 유지전극 배열단계; 상기 유지전극 배열단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 유지전극 소성단계; 상기 유지전극 소성단계를 완료 후 유지전극이 밀폐되도록 그 상측면에 대해 산화규소(SiO2)인 보호막을 도포하는 보호막 도포단계; 상기 보호막 도포단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 보호막 소성단계; 상기 보호막 소성단계를 완료 후 그 상측면에 대해 유전층을 도포하는 유전층 도포단계; 및 상기 유전층 도포단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 유전층 소성단계로 이루어진다.In addition, the present invention, the sustain electrode array step of arranging the sustain electrode consisting of a transparent electrode and a bus electrode to form a pair at regular intervals with respect to the upper surface of the front substrate; A sustain electrode firing step in which the sustain electrode arraying step is completed and then fired by being put into the firing furnace; A protective film applying step of coating a protective film of silicon oxide (SiO 2 ) on an upper surface of the sustain electrode to seal the sustain electrode after the firing of the sustain electrode; After the protective film coating step is completed, the protective film firing step of firing by putting into the interior of the firing furnace; A dielectric layer coating step of applying a dielectric layer on an upper side of the protective film firing step; And a dielectric layer firing step of firing the dielectric layer applying step after the completion of the dielectric layer coating step.
따라서, 전면 기판의 상측에 유지전극을 배열하고, 그 유지전극의 상측면에 대해 유전층을 도포한 상태에서 소성로의 내측에 투입하여 소성시킬 때 소성되는과정 중에 은(Ag) 또는 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 금속으로 제작된 버스전극이 유전층과 반응하는 것을 방지함으로써 투과율을 향상시키고 절연내압 저하를 방지한다.Therefore, silver (Ag) or chromium (Cr)-during the firing process is arranged when the sustaining electrode is arranged on the upper side of the front substrate, and is fired when the dielectric layer is applied to the upper side of the sustaining electrode and then injected into the firing furnace. By preventing a bus electrode made of a copper (Cu) -chromium (Cr) metal from reacting with the dielectric layer, the transmittance is improved and the breakdown voltage is prevented.
Description
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 및 그 소성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 전면 기판의 상측에 유지전극을 배열하고, 그 유지전극의 상측면에 대해 유전층을 도포한 상태에서 소성로의 내측에 투입하여 소성시킬 때 소성되는 과정 중에 은(Ag) 또는 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 금속으로 제작된 버스전극이 유전층과 반응하는 것을 방지하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 및 그 소성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a front substrate of a plasma display panel and a firing method thereof, and more particularly, to an inner side of a firing furnace in which a sustain electrode is arranged on an upper side of the front substrate and a dielectric layer is applied to an upper surface of the sustain electrode. The front substrate of the plasma display panel which prevents the bus electrodes made of silver (Ag) or chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr) metal from reacting with the dielectric layer during the firing process. And a firing method thereof.
최근 들어 고선명 텔레비젼의 개발이 일부 완료되고 이에 대한 개선 안이 계속 연구되는 과정에서 화상 표시장치(또는 영상 표시장치)의 중요성이 더욱 부각되고 있다. 이러한 화상 표시장치의 종류로는 이미 알려진 바와 같이, 칼라 음극선관 (CRT), 액정 표시장치(LCD), 형광 표시장치(VFD), 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel;이하 PDP라 약칭함.) 등이 있다.Recently, the importance of an image display device (or a video display device) has become more important as the development of high-definition television is partially completed and the improvement plan is continuously studied. As such a type of image display device, as is known, a color cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display (LCD), a fluorescent display (VFD), a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP), etc. There is this.
그러나, 고선명 텔레비젼 (High Definition Television)의 개발에 관련하여 이에 흡족될 만한 표시소자로서 기술적으로 완성되어 있지 못하기 때문에 서로 다른 위치에서 상호 보완관계를 유지하며 발전되어 가고 있다.However, since it is not technically completed as a display element that can be satisfied with the development of high definition television (High Definition Television), it is being developed while maintaining a complementary relationship at different positions.
상기한 화상 표시장치 중 플라즈마 디스플레이 패널은 가스 방전현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서 이 분야에서 가장 유망한 해상도 및 조도비를 갖고 있으며 응답속도가 빠를 뿐만 아니라 큰 면적의 화상을 표시하기에 적합하여, 텔레비젼, 모니터, 옥내외 광고용 표시판 등의 용도에서 광범위하게 사용되고 있다.Among the image display apparatuses, the plasma display panel is used to display an image by using a gas discharge phenomenon, has the most promising resolution and roughness ratio in this field, is fast in response, and suitable for displaying a large area image. Widely used in applications such as televisions, monitors, and indoor and outdoor advertising display panels.
도 1과 도 2에는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널을 분리한 상태를 보인 분해사시도와 결합상태를 보인 단면도가 도시되어 있으며, 도 3에는 전면 기판을 소성하는 공정을 보인 예시도이다.1 and 2 are exploded perspective views showing a state in which a typical plasma display panel is separated and a cross-sectional view showing a combined state, and FIG. 3 is an exemplary view showing a process of firing a front substrate.
부연하면 이해를 돕기 위해 도 2에 도시된 후면 기판은 전면 기판에 대해 90°회전시킨 상태를 도시한 것이다.In other words, the rear substrate shown in FIG. 2 is rotated 90 ° with respect to the front substrate for better understanding.
도시된 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이되는 표시면인 전면 기판(10)과 후면을 이루는 후면 기판(20)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합되어 있다.As illustrated, the plasma display panel is coupled in parallel with the front substrate 10, which is a display surface on which an image is displayed, and the rear substrate 20, which forms a rear surface, with a predetermined distance therebetween.
상기 전면 기판(10)의 하방에는 하나의 화소에서 상호간 방전에 의해 셀의 발광을 유지하기 위한 유지전극(11), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명전극(또는 ITO 전극)(11a)과 금속재질로 제작된 버스전극(11b)으로 구비된 유지전극(11)이 쌍을 이루며 설치된다.Under the front substrate 10, a sustain electrode 11 for maintaining light emission of a cell by mutual discharge in one pixel, that is, a transparent electrode (or ITO electrode) 11a formed of a transparent ITO material and a metal material The sustain electrodes 11 provided as the manufactured bus electrodes 11b are installed in pairs.
상기 버스전극(11b)은 은(Ag) 또는 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 복층 구조로 구비된다.The bus electrode 11b has a multilayer structure of silver (Ag) or chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr).
상기 유지전극(11)은 방전전류를 제한하며 전극쌍 간을 절연시켜주는 유전층(12)에 의해 덮혀지며 그 상면에는 방전조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(13)이 형성된다.The sustain electrode 11 is covered by a dielectric layer 12 that limits discharge current and insulates electrode pairs, and a protective layer 13 having MgO deposited thereon to facilitate discharge conditions. Is formed.
또 각각의 상기 유지전극(11)의 사이에는 전면 기판(10) 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광 차단의 기능과 전면 기판(10)의 퓨어러티(Purity) 및 콘트라스트를 향상시키는 등의 기능을 하는 블랙 메트릭스(도면표현을 생략함)가 배열된다.In addition, between each of the sustain electrodes 11, a light blocking function absorbs external light generated from the outside of the front substrate 10 to reduce reflection, and improves the purity and contrast of the front substrate 10. Black matrices (not shown in the drawings) which function as a function of making a pattern or the like are arranged.
상기 후면 기판(20)은 복수개의 방전공간 즉, 셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(21)이 평행을 유지하며 배열되고 상기 유지전극(11)과 교차되는 부위에서 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키게 되는 다수의 어드레스 전극(22)이 상기 격벽(21)에 대해 평행하게 배치된다.The rear substrate 20 has an address discharge at a portion where a plurality of discharge spaces, that is, stripe-type (or well-type) barrier ribs 21 for forming cells are arranged in parallel and intersect with the sustain electrode 11. A plurality of address electrodes 22 are generated in parallel with the partition wall 21 to generate vacuum ultraviolet rays.
또 상기 후면 기판의 상측면은 상기 격벽(21)의 상단면만을 제외한 상태에서 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R.G.B 형광층(23)이 도포된다.An upper surface of the rear substrate is coated with an R.G.B fluorescent layer 23 that emits visible light for image display during address discharge in a state in which only an upper surface of the barrier 21 is removed.
상기와 같이 구성된 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전, 후면 기판은 도면표현을 생략한 소성로에 투입된 상태에서 소성되는데, 전면 기판을 소성시킬 때에는 다음과 같은 문제점이 발생되었다.The front and rear substrates of the conventional plasma display panel configured as described above are fired while being put in a firing furnace, in which the drawing is omitted, and the following problems occur when firing the front substrate.
즉, 전면 기판(10)에 대해 투명한 ITO 물질로 형성된 투명전극(또는 ITO 전극)(11a)과 금속재질의 버스전극(11b)으로 구비된 유지전극(11)이 쌍을 이루도록 배치한 후, 그 유지전극(11)의 상측면에 대해 유전층(12)을 도포하여 고온의 온도조건에서 소성시키게 되는데, 상기와 같이 유전층(12)을 소성로에 투입한 상태에서 소성시킬 때 버스전극(11b)이 은(Ag)으로 제작되었을 경우에는 은(Ag)과유전층(12)이 반응하여 은(Ag)을 산포시키며 입자상태를 양산하게 되었고, 그와 같이 양산된 입자상태의 은(Ag)은 도 4의 a와 같이, 유전층(12)의 내측으로 확산되며, 그 유전층(12)을 통과하게 되는 빛을 난반사시키거나, 빛의 투과를 부분적으로 차단시키게 되는 요인이 되었다.That is, the transparent electrode (or ITO electrode) 11a formed of the transparent ITO material 11a and the sustain electrode 11 provided with the metal bus electrode 11b with respect to the front substrate 10 are arranged in pairs, and then The dielectric layer 12 is applied to the upper surface of the sustain electrode 11 and fired at a high temperature. When the dielectric layer 12 is fired in the firing furnace as described above, the bus electrode 11b is made of silver. In the case of (Ag), silver (Ag) and the dielectric layer 12 react with each other to disperse silver (Ag) and produce a grain state. As in a, the light diffuses into the dielectric layer 12 and diffuses the light passing through the dielectric layer 12, or partially blocks the light transmission.
따라서, 유전층(12) 내로 확산된 입자상태인 은(Ag)의 양만큼 유전층(12)의 절연 저항이 감소되어 절연불량을 가져오게 되는 문제점이 되었다.Therefore, the insulation resistance of the dielectric layer 12 is reduced by the amount of silver (Ag), which is a particle state diffused into the dielectric layer 12, resulting in a poor insulation.
또 버스전극(11b)이 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)으로 제작되었을 경우에는 그 상측면에 대해 유전층(12)을 도포하여 소성로에 투입한 상태에서 고열에 의해 소성시킬 때 구리(Cu)의 계면에 기포가 발생되어 도 3의 b와 같이, 구리(Cu)와 크롬(Cr)간에 들뜸 현상이 발생되었을 뿐만 아니라, 그와 같은 기포에 의해 도 4의 b와 같은 팁(Tip)이 발생되었다.In addition, when the bus electrode 11b is made of chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr), when the dielectric layer 12 is applied to the upper surface thereof and fired by high heat while being put into a sintering furnace, As bubbles are generated at the interface of copper (Cu), as shown in b of FIG. 3, not only the lifting phenomenon is generated between copper (Cu) and chromium (Cr), but also the tip (b) of FIG. Tip) occurred.
따라서, 상기와 같은 요인에 의해 발생된 버스전극(11b)의 팁 부분에서만 집중적으로 전계가 집중되어 절연내압을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem that the electric field is concentrated only at the tip of the bus electrode 11b generated by the above factors, thereby lowering the insulation breakdown voltage.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제, 즉 본 발명의 목적은, 종래와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판에 대해 ITO 물질로 형성된 투명전극과 금속재질의 버스전극으로 구비된 유지전극을 쌍을 이루도록 배치한 후, 그 유지전극의 상측면에 대해 유전층을 도포하여 소성로의 내측에 투입한 상태에서 소성시킬 때 은(Ag)으로 제작된 버스전극이 유전층과 반응하는 것을 방지함으로써 유전층에서 빛이 난반사되는 것을 방지하여 투과율을 향상시키고, 그에 따라 전계를 버스전극에서 골고루 발생시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 및 그 소성방법을 제공하는데 있다.Therefore, the technical problem to be solved by the present invention, that is, an object of the present invention, to pair the sustain electrode provided with a transparent electrode formed of ITO material and a bus electrode made of metal with respect to the front substrate of the plasma display panel as conventionally After the arrangement, the dielectric layer is applied to the upper surface of the sustain electrode and fired in a state in which the dielectric is applied to the inside of the sintering furnace so that light is diffused from the dielectric layer by preventing the bus electrode made of silver from reacting with the dielectric layer. The present invention provides a front substrate of a plasma display panel and a firing method thereof in which the transmittance is improved to improve the transmittance and thus an electric field is evenly generated at the bus electrode.
본 발명의 다른 목적은, 버스전극의 상측면에 유전층을 도포하여 소성로에 투입한 상태에서 고열에 의해 소성시킬 때 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)으로 구비된 버스전극의 계면에 기포가 발생되는 것을 방지하고, 또 그에 따라 구리(Cu)와 크롬(Cr)간에 들뜸 현상이 유발되거나, 기포에 의한 팁(Tip)이 발생되는 것을 방지함으로써 유니포미티 및 절연내압을 향상시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 및 그 소성방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is an interface of a bus electrode provided with chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr) when the dielectric layer is coated on the upper side of the bus electrode and calcined by high heat while being put into a firing furnace. It is possible to improve the uniformity and dielectric breakdown voltage by preventing bubbles from being generated, and thereby preventing the occurrence of lifting between copper (Cu) and chromium (Cr) or the generation of tips by bubbles. The present invention provides a front substrate of a plasma display panel and a firing method thereof.
도 1은 본 발명이 적용되는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널을 보이기 위한 분해 사시도.1 is an exploded perspective view for showing a general plasma display panel to which the present invention is applied.
도 2는 도 1의 결합상태를 보인 단면도.2 is a cross-sectional view showing a coupling state of FIG.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판을 제작하는 공정 중 그 요부를 예시한 예시도.3 is an exemplary view illustrating the main part of a process of manufacturing a front substrate of a conventional plasma display panel.
도 4의 a 내지 b는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판을 소성시킬 때 버스전극에 의해 제품에 불량이 발생되는 상태를 보인 확대 단면도.4A to 4B are enlarged cross-sectional views illustrating a state in which a defect occurs in a product by a bus electrode when firing a front substrate of a conventional plasma display panel.
도 5는 본 발명에 따른 전면 기판의 소성방법을 보인 공정도.5 is a process chart showing a firing method of a front substrate according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 전면 기판을 소성시키는 공정의 요부를 보인 예시도.Figure 6 is an exemplary view showing the main part of the process for firing the front substrate according to the present invention.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***
10,20;전,후면 기판 11;유지전극10,20; front and rear substrate 11; holding electrode
11a;투명전극 11b;버스전극11a; transparent electrode 11b; bus electrode
12;유전층 13;보호층12; dielectric layer 13; protective layer
21;격벽 30;보호막21; bulkhead 30; shield
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 실시예는, 투명(ITO)전극과 버스전극으로 구비된 유지전극이 쌍을 이루며 배열되고 그 상측면에 유전층이 도포 소성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판에 있어서, 상기 유지전극과 상기 유전층의 사이에는 상기 버스전극과 상기 유전층이 소성시 반응되는 것을 억제하는 보호막이 더 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판을 제공한다.In order to achieve the above object, a first embodiment of the present invention provides a front substrate of a plasma display panel in which a sustain electrode including a transparent (ITO) electrode and a bus electrode is arranged in pairs and a dielectric layer is coated and fired on an upper surface thereof. The front substrate of the plasma display panel is further provided with a protective layer between the sustain electrode and the dielectric layer to further prevent the bus electrode and the dielectric layer from reacting upon firing.
바람직하게는, 상기 보호막은 산화규소(SiO2)인 것이 바람직하다.Preferably, the protective film is silicon oxide (SiO 2 ).
또한, 본 발명의 제2 실시예로는, 전면 기판의 상측면에 대해 일정한 간격을두고 쌍을 이루도록 투명전극과 버스전극으로 이루어진 유지전극을 배열하는 유지전극 배열단계; 상기 유지전극 배열단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 유지전극 소성단계; 상기 유지전극 소성단계를 완료 후 유지전극이 밀폐되도록 그 상측면에 대해 산화물 박막을 도포하는 보호막 도포단계; 상기 보호막 도포단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 보호막 소성단계; 상기 보호막 소성단계를 완료 후 그 상측면에 대해 유전층을 도포하는 유전층 도포단계; 및 상기 유전층 도포단계를 완료 후 소성로의 내측에 투입하여 소성시키는 유전층 소성단계로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 소성방법을 제공한다.In addition, the second embodiment of the present invention, the sustain electrode array step of arranging the sustain electrode consisting of a transparent electrode and a bus electrode to form a pair at regular intervals with respect to the upper surface of the front substrate; A sustain electrode firing step in which the sustain electrode arraying step is completed and then fired by being put into the firing furnace; A protective film applying step of coating an oxide thin film on an upper surface of the sustain electrode to seal the sustain electrode after the firing of the sustain electrode; After the protective film coating step is completed, the protective film firing step of firing by putting into the interior of the firing furnace; A dielectric layer coating step of applying a dielectric layer on an upper side of the protective film firing step; And a dielectric layer firing step of firing the dielectric layer applying step after the completion of applying the dielectric layer to the inside of the firing furnace.
이하에서는 상기의 목적을 달성하는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 공정별로 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention for achieving the above object will be described in detail by process.
부연하면 본 발명에 의해 제작되는 전면 기판의 구조는 종래의 기술에서 상술했던 바와 같은 일반적인 전면 기판의 구조와 동일하므로 이에 대한 별도의 중복설명은 생략하고, 단지 종래와 동일한 부분, 부재에 대해서는 종래와 동일한 부호를 부여하여 설명한다.In other words, since the structure of the front substrate manufactured by the present invention is the same as the structure of the general front substrate as described above in the prior art, a separate overlapping description thereof will be omitted, and only the same parts and members as in the prior art will be described. It demonstrates by attaching | subjecting the same code | symbol.
또한 부연하면, 본 발명에 따른 전면 기판의 구조에 대해서는 별도의 설명을 생략하고, 본 발명에 따른 소성방법과 함께 설명한다.In addition, the structure of the front substrate which concerns on this invention is abbreviate | omitted a separate description, and it demonstrates with the baking method which concerns on this invention.
도 5는 본 발명에 따른 후면 기판 제조방법의 공정을 단계적으로 보이기 위한 공정도이고, 도 6은 본 발명에 따른 전면 기판의 구조와, 그 소성공정의 요부를 보인 예시도이다.Figure 5 is a process diagram for showing a step of the process of the back substrate manufacturing method according to the present invention, Figure 6 is an exemplary view showing the structure of the front substrate according to the present invention and the main part of the firing process.
유지전극 배열단계Sustaining Electrode Arrangement
전면 기판(10)의 상측면에 대해 일정한 간격을 두고 쌍을 이루도록 투명전극(11a)과 버스전극(11b)으로 이루어진 유지전극(11)을 배열한다.The sustain electrodes 11 made up of the transparent electrodes 11a and the bus electrodes 11b are arranged to be paired at regular intervals with respect to the upper surface of the front substrate 10.
물론, 상기 유지전극(11)을 소성할 때에는 투명(ITO)전극(11a)을 먼저 전면 기판(10)의 설정된 위치에 배치한 후 소성로를 통하여 소성 완료하고, 투명전극(11a)의 소성이 완료되면 그 가장자리 측에 버스전극(11b)을 배열한다.Of course, when firing the sustain electrode 11, the transparent (ITO) electrode 11a is first placed at the set position of the front substrate 10, and then the firing is completed through the firing furnace, and the firing of the transparent electrode 11a is completed. When the bus electrode 11b is arranged on the edge side thereof.
유지전극 소성단계Sustain electrode firing step
상기와 같이 유지전극(11)의 배열이 완료되면, 유지전극(11)이 배열된 전면 기판(10)을 다시 소성로의 내측에 투입하여 소성시킨다.When the arrangement of the sustain electrodes 11 is completed as described above, the front substrate 10 on which the sustain electrodes 11 are arranged is put again inside the firing furnace and fired.
보호막 도포단계Protective film applying step
상기와 같이 유지전극 소성단계가 완료되면 유지전극(11)이 밀폐되도록 그 상측면에 대해 산화물 박막으로 구성된 보호막(30)을 스프레이 방식 또는 스퍼터 방식에 의해 형성한다.When the sustain electrode firing step is completed as described above, the protective film 30 formed of an oxide thin film on the upper surface of the sustain electrode 11 is sealed by a spray method or a sputter method.
이때 산화물 박막으로는 산화마그네슘(MgO), 마그네슘 플로라이드(MgF), 산화규소(SiO2), ITO(인듐 틴 옥사이드), 산화 주석(SnO2)등이 있으며, 이중 산화 규소(SiO2) 가 대표적이다.The oxide thin film includes magnesium oxide (MgO), magnesium fluoride (MgF), silicon oxide (SiO 2 ), ITO (indium tin oxide), tin oxide (SnO 2 ), and double silicon oxide (SiO 2 ). Representative.
보호막 소성단계Protective Film Firing Step
상기와 같이 보호막 도포단계가 완료되면 전면 기판(10)을 소성로의 내측에 투입하여 보호막(30)을 소성한다.When the protective film applying step is completed as described above, the front substrate 10 is injected into the firing furnace to fire the protective film 30.
유전층 도포단계Dielectric layer application step
상기와 같이 보호막(30)의 소성이 완료되면, 그 상측면에 대해 유전층(12)을 도포한다.When baking of the protective film 30 is completed as mentioned above, the dielectric layer 12 is apply | coated to the upper side surface.
상기 유전층(12)은 스크린 프린터법에 의해 도포된다.The dielectric layer 12 is applied by a screen printer method.
유전층 소성단계Dielectric Layer Firing Step
상기와 같이 유전층 도포단계가 완료되면, 소성로의 내측에 투입하여 유전층(12)을 소성시킨다.When the dielectric layer coating step is completed as described above, the dielectric layer 12 is fired by being injected into the firing furnace.
물론, 상기와 같이 유전층의 소성이 완료되면 그 상측면에 대해 보호층(13)을 도포한 후 소성시킴으로써 전면 기판(10)의 제작을 완료한다.Of course, when the firing of the dielectric layer is completed as described above, the protective layer 13 is applied to the upper side thereof and then fired to complete the fabrication of the front substrate 10.
상기와 같은 공정에 의해 완성된 본 발명에 따른 전면 기판은 후면 기판에 대해 결합되어 종래와 동일하게 동작되므로 이에 대한 별도의 중복설명은 생략하고 다만 본 발명의 특징부에 대해서만 한정하여 설명한다.Since the front substrate according to the present invention completed by the above process is coupled to the rear substrate and operated in the same manner as in the prior art, a separate redundant description thereof will be omitted and only limited to the features of the present invention.
즉 본 발명에 따른 유지전극(11)의 상측에 산화규소(SiO2)로 제작된보호막(30)을 형성하고, 그 보호막(30)의 상측에 유전층(12)을 도포한 상태에서 소성로의 내측에 투입하여 소성 시킬 때 본 발명에 따른 보호막(30)은 은(Ag) 또는 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)으로 제작된 버스전극(11b)이 유전층(12)과 반응되는 것을 억제하는 기능을 하게 된다.That is, the protective film 30 made of silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the sustain electrode 11 according to the present invention, and the dielectric layer 12 is coated on the protective film 30. In the case of sintering and baking, the protective film 30 according to the present invention is a bus electrode 11b made of silver (Ag) or chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr) is reacted with the dielectric layer 12. It will act as a suppressor.
따라서, 종래와 같이 전면 기판(10)에 대해 투명한 ITO 물질로 형성된 투명전극(또는 ITO 전극)과 금속재질의 버스전극으로 구비된 유지전극이 쌍을 이루도록 배치한 후, 그 유지전극의 상측면에 대해 유전층을 도포하여 고온의 온도조건에서 소성시킬 때 유전층과 버스전극이 반응하여 은(Ag)을 산포시키고, 그와 같이 산포된 입자상태의 은(Ag)이 유전층의 내측으로 확산되며, 그에 따라 유전층을 통과하게 되는 빛을 난 반사시키거나, 빛의 투과를 부분적으로 차단시키게 되었던 종래의 문제점은 해결된다.Therefore, the transparent electrode (or ITO electrode) formed of the transparent ITO material with respect to the front substrate 10 and the sustain electrode provided with the metal bus electrode are arranged in pairs, and then, on the upper side of the sustain electrode. When the dielectric layer is coated and fired at a high temperature, the dielectric layer and the bus electrode react with each other to disperse silver (Ag), and the dispersed silver (Ag) is diffused into the dielectric layer. The conventional problem of reflecting light through the dielectric layer or partially blocking the transmission of light is solved.
또 상기와 같이 유전층의 내부로 확산된 입자상태인 은(Ag)에 의해 절연 저항이 감소되어 절연불량을 가져다주었던 종래의 문제점도 해결된다.In addition, the conventional problem that the insulation resistance is reduced by silver (Ag), which is a particle state diffused into the dielectric layer as described above, leads to poor insulation.
뿐만 아니라, 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)으로 제작된 버스전극의 상측에 유전층을 도포한 상태에서 소성로의 내측에 투입하여 소성시킬 때 구리(Cu)의 계면에 기포가 발생되어 구리와 크롬의 사이에 들뜸 현상을 유발시키거나, 팁(Tip)을 발생시켰고, 그에 따라 버스전극의 팁 부분에서만 전계가 집중적으로 발생됨으로써 유니포미티 또는 절연내압을 저하시키게 되었던 종래의 문제점도 해결된다.In addition, when the dielectric layer is applied on the upper side of the bus electrode made of chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr), bubbles are generated at the interface of copper (Cu) when the metal layer is injected into the firing furnace and fired. In addition, the conventional problem of causing a phenomenon of lifting between the copper and chromium or generating a tip, and consequently the electric field is concentrated only at the tip of the bus electrode, thereby lowering the uniformity or dielectric breakdown voltage. Resolved.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판에 대해 ITO 물질로 형성된 투명전극과 금속재질의 버스전극으로 구비된 유지전극을 쌍을 이루도록 배치한 후, 그 유지전극의 상측면에 대해 유전층을 도포하여 소성로의 내측에 투입한 상태에서 소성시킬 때 은(Ag)으로 제작된 버스전극이 유전층과 반응하는 것을 방지함으로써 투과율의 저하를 방지하고 절연저항이 감소되어 유전층의 절연내압이 저하되는 것을 방지하는 특징이 있다.As described in detail above, according to the present invention, a transparent electrode formed of an ITO material and a sustain electrode formed of a metal bus electrode are arranged in pairs with respect to the front substrate of the plasma display panel, and then the upper side of the sustain electrode is disposed. When the dielectric layer is coated and fired in a state where it is put inside the firing furnace, the bus electrode made of silver (Ag) is prevented from reacting with the dielectric layer, thereby preventing a decrease in transmittance and decreasing the insulation resistance, thereby reducing the dielectric breakdown voltage of the dielectric layer. There is a feature that prevents the deterioration.
또한 본 발명은, 버스전극의 상측면에 유전층을 도포하여 소성로에 투입한 상태에서 고열에 의해 소성시킬 때 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)으로 구비된 버스전극의 계면에 기포가 발생되는 것을 방지하고, 또 그에 따라 구리(Cu)와 크롬(Cr)간에 들뜸 현상이 유발되거나, 기포에 의한 팁(Tip)이 발생되는 것을 방지함으로써 유니포미티를 향상시키는 특징도 있다.In addition, the present invention, when the dielectric layer is applied to the upper surface of the bus electrode and fired by high heat in the state of being put into the kiln, bubbles in the interface of the bus electrode provided with chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr) Is prevented from being generated, and accordingly, there is a feature of improving the uniformity by preventing the floating phenomenon between the copper (Cu) and the chromium (Cr) or the generation of a tip due to bubbles.
지금까지는 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 한정하여 도시하고 설명하였지만 이에 한정되지 않고 당 분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양하게 변경 사용이 가능하다.Until now illustrated and described with respect to the preferred embodiment according to the present invention, but not limited to this can be variously changed and used by those skilled in the art.
그러나, 그와 같은 변경은 본 발명의 권리범위에 속함이 명백하다.However, it is apparent that such modifications fall within the scope of the present invention.
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