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KR200148632Y1 - 습식세정장치의 케미컬 베스 - Google Patents

습식세정장치의 케미컬 베스 Download PDF

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KR200148632Y1
KR200148632Y1 KR2019960019935U KR19960019935U KR200148632Y1 KR 200148632 Y1 KR200148632 Y1 KR 200148632Y1 KR 2019960019935 U KR2019960019935 U KR 2019960019935U KR 19960019935 U KR19960019935 U KR 19960019935U KR 200148632 Y1 KR200148632 Y1 KR 200148632Y1
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chemical bath
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chemical solution
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KR2019960019935U
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Inventor
오영수
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

본 고안은 습식세정장치의 케미컬 베스(Chemical Bath)에 관한 것으로, 종래의 케미컬 베스는 그 케미컬 베스의 본체의 상부에 설치되어 있는 냉각코일이 약 170 ℃정도로 비등하는 케미컬 용액에서 발생하는 펌을 극소량만 결로하여 회수할 수 있기 때문에 상기 결로되지 않은 펌으로 인하여 상기 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템을 오염시키게 되며, 그 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터등의 작동이 불량해지는 문제가 발생하게 되었으며, 또 이러한 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스 및 다른 시스템의 주기적인 클린닝이 필요하게 됨과 아울러 상기 냉각코일의 잦은 파손으로 인하여 상기 케미컬 베스가 빈번하게 다운(Down)되어 상기 반도체 웨이퍼등을 오염시키게 되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 소정의 용적을 갖는 본체와, 그 본체에 케미컬용액 및 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관과, 그 공급관으로 공급된 케미컬 용액을 비등하게 할 수 있는 가열장치와, 또 상기 본체의 상부에 설치되고 상기 케미컬 용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌(Fume)을 냉각하여 결로(結露)할 수 있는 냉각코일과, 그리고 상기 본체의 상단부에 설치되어 구동장치에 의하여 개폐가 가능할 뿐만 아니라 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌을 상기 냉각코일과 더불어 결로할 수 있는 냉각튜브(Tube)가 설치된 도어를 구비하여 구성함으로써, 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있게 된다.

Description

습식세정장치의 케미컬 베스
제1도는 종래의 케미컬 베스의 구조를 보인 측면도.
제2도는 종래의 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도.
제3도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 구조를 보인 개략도.
제4도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도.
제5도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 도어의 구조를 보인 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 케미컬 베스 12 : 본체
12a : 배출구 13 : 도어
13a : 로드 13b : 고정대
13c : 액츄레이터 13d : 냉각튜브
14 : 케미컬용액 공급관 15 : 헹굼용액 공급관
16 : 쿼츠히터 17 : 냉각코일
본 고안은 반도체 웨이퍼의 제조공정에 쓰이는 습식세정장치의 케미컬 베스(Chemical Bath)에 관한 것으로, 특히 케미컬의 펌(Fume)을 잡아 줌과 아울러 냉각효과를 높여 상기 케미컬을 절감하고 동시에 상기 반도체 웨이퍼의 제조공정효과를 높일 수 있게 한 습식세정장치의 케미컬 베스에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼를 재조함에 있어 그 반도체 웨이퍼는 여러 공정을 거치게 되는데 이러한 공정 중의 하나인 상기 반도체 웨이퍼의 세정공정은 인산(H3PO4)과 같은 케미컬 용액과 순수(DIW(DeIonizer Water))와 같은 헹굼용액을 사용하게 된다.
제1도와 제2도는 상기 케미컬 용액과 헹굼용액을 공급하여 담는 종래의 일반적인 케미컬 베스의 구조를 보인 것으로, 상기 도면에 도시된 바와 같은 구조의 케미컬 베스(Chemical Bath)(1)에 상기 케미컬 용액을 공급한 후 상기 반도체 웨이퍼를 세정하게 된다.
상기 케미컬 베스(Chemical Bath)(1)는 소정의 용적을 갖는 베스 (Bath)의 본체(2)가 있고, 그 본체(2)의 상단부에는 공압을 이용하는 액츄레이터(미도시)에 의하여 개폐가 가능한 도어(3)가 있으며, 또 상기 본체(2)에는 상기 케미컬용액과 헹굼용액이 공급되는 공급관(4,5)이 있고, 그 공급관(4)으로 공급된 케미컬용액을 비등상태로 유지하기 위한 퀘츠히터(QTZ Heater)(6)가 설치되며, 상기 본체(2)의 상부에는 상기 비등하는 케미컬용액의 펌을 결로(結露)하기 위하여 냉각수를 공급할 수 있는 냉각코일(7)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성된 케미컬 베스(1)는 케미컬 용액의 공급관(4)을 통하여 케미컬을 공급하여 상기 퀘츠히터(6)를 가동하여 상기 케미컬을 비등시키고, 그 비등한 케미컬의 펌은 상기 냉각코일(7)에 의하여 결로되어 상기 케미컬 베스(1)의 본체(2)의 하부로 낙하하계 되며, 또 상기 본채(2)의 상부에 설치된 도어(3)는 상기 반도체 웨이퍼의 캐리어(미도시)가 입출할 때만 개폐되게 된다.
※ 여기에서, 펌(Fume)은 상기 캐미컬용액이 증발한 기상의 케미컬용액을 의미한다.
그러나, 상기와 같은 구조의 케미컬 베스는 그 케미컬 베스의 본체의 상부에 설치되어 있는 냉각코일이 약 170℃정도로 비등하는 케미컬 용액에서 발생하는 펌을 극소량만 결로하여 회수할 수 있기 때문에 상기 결로되지 않은 펌으로 인하여 상기 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템을 오염시키게 되며, 그 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터등의 작동이 불량해지는 문제가 발생하게 되었으며, 또 이러한 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스 및 다른 시스템의 주기적인 클린닝이 필요하게 됨과 아울러 상기 냉각코일의 잦은 파손으로 인하여 상기 케미컬 베스가 빈번하게 다운(Down)되어 상기 반도체 웨이퍼등을 오염시키게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 케미컬용액의 펌의 발생을 방지하고 또 그 정으로 인한 케미컬 베스 및 다른 시스템의 오염을 방지함과 아울러 냉각코일의 파손을 막아 반도체 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 습식세정장치의 케미컬 베스( Chemical Bath )를 제공함에 있다.
본 고안의 목적은 소정의 용적을 갖는 본체와, 그 본체에 케미컬용액 및 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관과, 그 공급관으로 공급된 케미컬용액을 비등하게 할 수 있는 가열장치와, 또 상기 본체의 상부에 설치되고 상기 캐미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌(Fume)을 냉각하여 결로(結露)할 수 있는 냉각코일과, 그리고 상기 본체의 상단부에 설치되어 구동장치에 의하여 개폐가 가능할 뿐만 아니라 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌을 상기 냉각코일과 더불어 결로할 수 있는 냉각튜브가 설치된 도어가 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 케미컬 베스에 의하여 달성된다.
이하, 상기 본 고안에 의한 습식세정장치의 케미컬 베스의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 설명한다.
제3도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 구조를 보인 개략도이 고, 제4도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도이며, 제5도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 도어의 구조를 보인 개략도이다.
상기 제3도 내지 제5도에 도시된 바와 같이 소정의 용적을 갖는 본체(12)가 있고, 그 본체(12)의 하부의 일측에는 상기 케미컬용액 및 헹굼용액을 배출할 수 있는 태플론(12a')으로 피팅(Fitting)된 배출구(12a)가 있고, 또 상기 본체(12)에는 상기 케미컬용액과 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관(14,15)이 있으며, 그 공급관(14)으로 공급된 케미컬용액을 비등시킬 수 있도록 퀘츠히터(16)가 설치된다.
상기 본체(12)의 상부에는 상기 퀘츠히터(16)의 열로 인하여 상기 케미컬용액이 비등하게 되며, 이 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌을 결로(結露)하기 위한 냉각코일(17)이 있으며, 그 냉각코일(17)에는 순수가 공급된다.
그리고, 상기 본체(12)의 상단부레는 상기 반도체 웨이퍼의 캐리어가 입출할 때만 개폐되는 도어(13)가 설치되며, 그 도어(13)는 피브시(PVC) 로 형성된 로드(ROD)(12)와 그 로드(13a)의 일단부에 설치된 고정대 (13b) 그리고 다른 일단부에 설치된 로타리 액츄레이터(13c)에 의하여 개폐되게 된다.
상기 도어(13)에는 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌을 상기 냉각코일(17)과 함께 냉각하여 결로할 수 있도록 냉각수가 유동할 수 있는 망사구조의 냉각튜브(13d)를 설치한다. 상기 망사구조의 냉각튜브(13d)는 상기 도어의 배면에 전체적으로 설치한다.
이와 같이 구성한 본 고안의 습식세정장치의 케미컬 베스에 의한 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 습식세정장치의 케미컬 베스 (11)의 공급관(14)을 통하여 상기 케미컬용액을 공급한 후, 상기 퀘츠히터(16)에 전원을 인가하여 상기 케미컬용액을 비등시키고, 또 상기 도어(13)에 설치된 로타리 액츄레이터(13c)를 작동시켜 그 도어(13)를 개폐하여 상기 반도체 웨이퍼가 적재되어 있는 캐리어를 인입하고, 상기 반도체 웨이퍼를 세정하며, 그리고 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌은 상기 본체(12)의 상부에 설치된 냉각코일(17)에 의하여 결로되어 상기 본체(12)로 떨어짐과 아울러 상기 도어(13)에 설치된 냉각튜브(13d)에 의해서도 상기 펌이 결로되어 상기 본체(12)로 떨어지게 된다.
이와 갈이 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 상기 펌이 상기 본체의 상부에 설치된 냉각코일과 더불어 상기 도어에 설치된 냉각튜브에 의하여 완전하게 결로되게 되어 상기 케미컬 베스와 그 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템의 오염을 방지하고, 또 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터가 로타리식으로 되어 있어 상기 펌의 오염으로 인한 상기 도어의 작동이 불량해지는 문제가 발생하지 않게 됨과 아울러 상기 도어에 설치된 냉각튜브로 인하여 상기 냉각코일이 파손되어도 상기 케미컬 베스가 다운(Down)되지않게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있게 된다.

Claims (3)

  1. 소정의 용적을 갖는 본체와, 그 본체에 케미컬용액 및 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관과, 그 공급관으로 공급된 케미컬용액을 비등하게 할 수 있는 가열장치와, 또 상기 본체의 상부에 설치되고 상기 케미컬 용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌(Fume)을 냉각하여 결로(結露)할 수 있는 냉각코일과, 그리고 상기 본체의 상단부에 설치되어 하여 개폐가 가능할 뿐만 아니라 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌을 상기 냉각코일과 더불어 결로할 수 있는 냉각튜브(Tube) 가 설치된 도어가 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 케미컬 베스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동장치는 로타리 액츄레이터인 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 케미컬 베스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 냉각튜브는 냉각수가 유동할 수 있는 망사구조로 된 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 케미컬 베스.
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