KR20010112501A - 기판을 열처리하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 기판에 경제적이고 균일한 열처리를 제공하는 것이다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위한 장치 및 방법은 전자기 방사에 의해 적어도 하나의 기판을 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 장치를 포함하도록 구성된다. 상기 가열 장치는 적어도 두개의 아크 램프, 개별적으로 제어되는 각각의 아크 램프에 대한 방사 특성, 및 가열 장치의 전자기 방사의 파워 밀도에 필연적으로 기여하는 아크 램프의 전자기 방사를 포함한다.
Description
전술한 타입의 장치는 US-A-4,698,486으로부터 공지되어 있으며, 이에 따르면, 반응 챔버내에 배치된 반도체 웨이퍼는 우선 수정 할로겐 램프 장치에 의해 가열된다. 웨이퍼가 임의의 온도에 도달한 후에, 웨이퍼를 가열하기 위해 추가의 램프 장치, 즉, 고-전력 펄스형 램프 장치가 사용된다. 상기 펄스형 램프 장치는 단시간 동안만 사용되며, 웨이퍼의 표면 온도는 반도체 재료의 용융점 근처의 온도까지 상승한다. 상기 펄스형 램프의 짧은 사용 주기로 인해, 웨이퍼의 온도는 단지 웨이퍼 표면 영역만 펄스형 램프에 의해 영향을 받아, 웨이퍼 두께에 대해 비균일한 온도 분포를 초래한다. 펄스형 램프뿐만 아니라 수정 할로겐 램프도 반응 챔버를 둘러싸이고 칼레이드스코프(kaleidscope)의 형태로 구현된 고 반응성 챔버내에 배치된다. 반응 챔버내의 웨이퍼 표면 상에 균일한 온도 분포를 얻기 위하여, 각 램프 및 웨이퍼 표면 사이의 간격이 반응성 챔버의 직경 이상의 크기를 가지는 것이 이러한 공지된 장치에서 중요하다. 특히 웨이퍼 양측을 가열하기에 적합한 장치에 있어서, 각 램프 및 반도체 표면 사이의 간격은 장치의 커다란 전체 크기에 이른다. 따라서, 예를 들어, 300mm 웨이퍼와 같은 계속해서 증가하는 웨이퍼 직경에 있어서, 매우 큰 반응 챔버가 필요하여, 장치에 대한 높은 제조 및 유지 비용이 발생한다.
US-A-5,336,641 및 US-A-4,398,094에서, 각각의 장치는 반도체 웨이퍼의 열처리용으로 공지되어 있으며, 이에 따라 각 경우에 미러를 구비한 개별의 아크 램프가 열원으로서 사용된다. 열원으로서 사용된 아크 램프는 일반적으로 고비용의 제품과 복잡한 냉각 장치를 구비한 고-전력 아크 램프이다. 램프를 개별적으로 사용하기 때문에, 웨이퍼를 균일하게 열처리하는 것은 불가능하다.
DD-A-295950에서, 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위한 글로우(glow) 램프와 함께 다양한 구성을 가지는 UV 방사 시스템을 사용하는 것이 공지되어 있다. 이런 맥락에서 볼때, 가열 장치의 전체 방사 밀도에 일부만 기여하는 금속 증기 저압 UV 소스가 사용된다. UV 방사 시스템의 목적은 웨이퍼의 실제 가열이 아니라 UV 조사를 통해 프로세스를 열적으로 활성화시킴과 동시에 광화학적 반응을 촉진시키는 것이다.
현재 상업적으로 이용 가능한 대부분의 기판의 열처리용 장치는 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위해 글로우 램프만을 이용한다. 그러나, 이 램프는 글로우 램프의 방사가 600℃ 미만의 웨이퍼 온도에서 극소량만 흡수된다는 결점을 갖는다. 이것은 글로우 램프의 특성 스펙트럼에 기인한 것이며, 약 1000nm의 파장에서 최대가된다. 그러나, Si 반도체 기판의 흡수율은 온도에 크게 의존하는 범위 내의 파장을 위한 것이며 약 0.1 내지 0.7에서 변화한다. 파장에 대해 거의 독립적인 이러한 파장 범위에서의 흡수율은 600℃ 이상의 온도에서만 존재한다. 이 결과, 글로우 램프의 에너지는 약 600℃ 이상의 웨이퍼 온도에서만 효과적으로 흡수될 수 있다.
공지된 장치에 따라, 본 발명의 목적은 효과적이고 균일하게 기판을 열처리할 수 있는 전술한 타입의 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이 목적은 각각의 아크 램프에 대한 방사 특성이 제어 장치에 의해 개별적으로 제어될 수 있으며, 아크 램프의 전자기 방사가 가열 장치의 전자기 방사의 전력 밀도에 크게 기여한다는 점에서 전술한 타입의 장치로 달성된다. 가열 장치의 전자기 방사의 전력 밀도에 크게 기여하는 아크 램프를 사용하면, 이러한 램프는 예를 들어 Si 웨이퍼가 가장 높은 흡수율을 갖는 스펙트럼 범위에서, 특히 이미 실온에서 방사된다는 이점을 가진다. 따라서, 아크 램프의 결과로서 반도체 웨이퍼의 특히 효과적인 가열은 실온에서도 가능하다. 아크 램프의 개별적인 제어가 가능하기 때문에, 상기 램프의 공간적 방사 필드가 성립될 수 있으며, 균일한 방사 분포로 인해 웨이퍼 표면에 대한 균일한 온도 분포가 가능하다. 공간적 방사 필드를 설정할 수 있는 능력 때문에, 아크 램프를 포함하는 가열 장치는 처리될 기판 근처에 배치될 수 있으며, 가열 장치와 기판 사이의 임의의 간격을 유지할 필요가 없으며, 상기 간격은 균일한 기판 처리를 수행할 수 있도록 처리 장치의 직경에 의해 정해진다. 따라서, 상기 장치의 전체 크기와 이와 관련한 비용은 상당히 감소될 수 있다.
처리 조건, 특히 처리될 기판에 대한 상기 장치의 방사 특성을 최적으로 적용하기 위해, 아크 램프의 동작 모드 및/또는 램프 전류는 바람직하게는 개별적으로 제어될 수 있다. 아크 램프는 플래시 또는 펄스형 램프로서 직류 전류 조절 및/또는 펄스 방식으로 바람직하게 제어될 수 있다. 아크 램프의 효율적인 사용을 위하여, 이것은 가열 장치의 전력 밀도의 적어도 1/10에 기여한다. 아크 램프의 양호하고 효율적인 냉각을 위하여, 이것은 바람직하게는 유체를 이용하여 냉각된다. 아크 램프의 양호한 냉각의 결과로서, 램프의 수명은 상당히 연장될 수 있다.
처리될 기판 상의 양호하고, 균일한 온도 분포를 얻기 위하여, 아크 램프의 가스 또는 글로우 방전 영역은 기본적으로 기판의 에지, 길이 또는 직경과 같은 기판의 치수와 동일하다. 이것은 기판의 치수보다 긴 것이 바람직하다. 온도 분포를 용이하게 제어할 수 있도록 아크 램프는 기판의 외부 주위 영역에 배치되는 것이 바람직하다. 아크 램프는 특히 이 영역이 적합한데, 이는 상기 램프는 빠른 응답 특성을 가지기 때문이다.
가열 장치는 서로 거의 평행하게 배치된 적어도 두개의 막대형 램프를 구비한 램프 뱅크(bank)를 포함하는 것이 바람직하다. 이런 맥락에서 볼때, 아크 램프 이외에, 램프 뱅크를 구비한 램프는 기판을 경제적으로 가열할 수 있는 글로우 램프를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 하나의 특정 실시예에 따르면, 장치 내의 방사 특성을 각 기판 또는 각각의 열처리 공정에 구체적으로 적용할 수 있도록 하기 위하여, 글로우 램프 및 아크 램프는 상호 교환될 수 있도록 기본적으로동일한 치수를 가진다. 바람직하게는 글로우 램프 및 아크 램프는 동일한 전력을 가지며, 그 결과 동일한 냉각 시스템이 상기 램프를 위해 사용될 수 있다. 장치의 효율을 증가시키기 위하여, 가열 장치는 적어도 여러 스테이지에 걸쳐 전자기 방사를 반사하는 챔버로 둘러싸이며, 그 결과 기판 상으로 직접 향하지 않는 램프의 방사는 기판 상에 반사된다. 이런 맥락에서 볼때, 기판 표면 상의 임의의 스펙트럼 방사 분포를 얻기 위하여, 챔버의 스펙트럼 반사 계수는 위치에 의존하는 것이 바람직하다. 특히, 아크 램프의 UV 방사가 아크 램프와 면하지 않는 기판의 임의의 영역 상에 반사되는 것을 방지할 수 있다.
상기 장치의 전체 크기를 감소시키기 위하여, 기판 표면에 비례한 가열 장치의 간격은 반응 챔버의 직경 미만이 바람직하다. 이런 맥락에서 볼때, 간격과 직경 사이의 비율은 0.5 미만이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 특정 실시예에 따르면, 가열 장치의 전자기 방사의 방사 특성은 조절될 수 있으며, 그 결과 웨이퍼의 온도를 결정할 양호한 가능성이 제공된다. 이런 맥락에서 볼때, 할로겐 램프보다 훨씬 높은 조절 주파수로 동작될 수 있다는 것이 아크 램프의 이점이다. 따라서, 온도 변동 동안의 대상물의 온도는 보다 단순한 평가 전자기기로 보다 정확하게 결정될 수 있다.
바람직하게는 가열 장치 및/또는 기판은 거의 균일하고, 조절 가능한 자계내에 배치되며, 상기 자계의 자속선(flux line)은, 적어도 아크 램프의 애노드 근처에서 아크 램프의 아크 방전과 기본적으로 평행하게 연장되는 성분을 포함한다. 상기 램프의 조절은 자계에 의해 영향을 받을 수 있다. 아울러, 자계가 아크 램프의 수명에 상당한 영향을 미칠 수 있는데, 이는 애노드의 부식 비율이 플러스로 감소될 수 있기 때문이다. 이런 맥락에서 볼때, 자계의 자속 밀도는 0.005 내지 0.3 테슬라 사이가 바람직하다.
기판 양측의 열처리를 위하여, 상기 장치는 제 2 가열 장치를 구비하고, 기판은 가열 장치 사이에 배치되는 바람직하다.
상기 장치는 기본적으로 기판을 둘러싸고 가열 장치의 전자기 방사가 거의 투과되는 것이 바람직하며, 반응 챔버에 수정 유리 및/또는 사파이어가 제공되는 것이 바람직하다. 반응 챔버의 재료는 센티미터 당 0.001 내지 0.1 사이에서 전자기 방사의 스펙트럼이 평균이 되는 흡수 계수를 가지는 것이 바람직하다. 반응 챔버의 벽 두께는 1 밀리미터 내지 5 밀리미터 사이가 바람직하다.
본 발명의 하나의 바람직한 특정 실시예에 따르면, 아크 램프는 적어도 부분적으로 나선형 필라멘트 구조를 가지며, 바람직하게는 소정의 기하학적 스펙트럼 방사 프로파일은 상기 구조로 달성될 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 상기 필라멘트는 나선형 및 비나선형 필라멘트 구조를 선택적으로 가지는 것이 바람직하다. 본 발명의 추가의 바람직한 특정 실시예에 따르면, 적어도 하나의 글로우 램프는 개별적으로 제어할 수 있는 적어도 두개의 필라멘트를 구비한다. 글로우 램프의 적어도 하나의 필라멘트는 적어도 세개의 전기 접속을 가지는 것이 바람직하다. 적어도 하나의 필라멘트 구조의 밀도는 필라멘트에 따라 변화하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 특정 실시예에 따르면, 반응 챔버 및/또는 램프 몸체는웨이퍼로부터 반사되는 방사를 결정하고 이에 의해 온도를 결정하는 이러한 스펙트럼 내의 크기로 가열 장치의 전자기 방사의 적어도 하나의 파장 범위에 대해 주파수 필터를 형성하며, 상기 램프의 방사는 필터 효과에 의해 억제된다. 이와 같은 주파수 필터는 예를 들어 합성 수정이 램프 전구에 대해 선택되고 용융된 수정이 반응 챔버에 대해 선택된다는 점에서 달성될 수 있다. 이러한 주파수 필터의 필터 효과는 램프 몸체의 온도를 선택함으로써 부가적으로 영향을 받을 수 있다. 특히, 저온에서 램프 몸체의 내인성(intrinsic) 방출이 부가적으로 감소된다. 따라서, 램프 방사는 약 2700nm에서 억제되지만, 2700nm의 웨이퍼 방사는 반응 챔버를 통해서 검출될 수 있다. 일반적으로, 이러한 주파수 필터는 흡수 필터 또는 간섭 필터의 형성으로, 다시 말해서, 박막 유전층을 이용함으로써 구현될 수 있다. 이러한 이점은 또한 바람직하게는 상기 적어도 하나의 램프가 가열 장치의 특정 파장 범위의 전자기 방사를 흡수하는 재료로 적어도 부분적으로 충전된다는 점에서 달성될 수 있다. 할로겐 램프에 있어서, 적합한 첨가제가 램프 충전용 할로겐 가스와 혼합될 수 있으며, 상기 첨가제는 협대역에서 흡수되어 바람직하게는 흡수 대역에서 단지 조금만 또는 전혀 방출되지 않는다.
본 발명은 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 전자기 방사에 의해 적어도 하나의 기판을 가열하기 위하여 적어도 두개의 아크 램프를 포함하는 적어도 하나의 가열 장치를 포함한다.
도 1은 기판을 열처리하기 위한 장치의 개략 단면도.
도 2는 도 3의 A-A 라인에 따라 절단된 선택적 특정 실시예의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 B-B 라인에 따른 도 2의 특정 실시예의 개략 단면도.
본 발명의 목적은 각각의 아크 램프의 방사 특성이 개별적으로 제어되며, 아크 램프의 전자기 방사가 가열 장치의 전자기 방사의 전력 밀도에 크게 기여한다는 점에서 전술한 타입의 방법으로 달성될 수 있다. 그 결과, 전술한 이점이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 특정 실시예에 따르면, 기판은 아크 램프에 의해 기본적으로 저온의 범위에서 가열되는데, 이는 아크 램프는 글로우 램프가 방사되는 600℃ 미만의 온도에서 예를 들어, Si 반도체 웨이퍼에 의해 양호하게 흡수되는 스펙트럼 범위에서 방사가 방출되기 때문이다. 기판은 아크 램프에 의해서만 저온의 범위에서 가열되는 것이 바람직하다. Si 반도체 웨이퍼에 있어서, 저온의 범위는 실온에서 대략 600℃ 사이가 바람직하다.
가열 장치의 전자기 방사는 바람직하게는 조절되며, 본 발명의 하나의 특정 실시예에 따르면, 이것은 기판 및/또는 가열 장치의 영역에서 자계를 인가함으로써 영향을 받을 수 있으며, 자계의 자속선은 적어도 아크 램프의 애노드 영역에서 아크 방전과 기본적으로 평행하게 연장되는 성분을 포함한다.
본 발명은 바람직한 특정 실시예와 도면을 참고로 이하에서 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 반도체 웨이퍼(2)를 열처리하기 위한 장치(1)를 도시한다. 상기 장치(1)는 기본적으로 밀폐된 챔버(10)를 형성하기 위하여, 상벽(5), 하벽(6), 좌측벽(7), 우측벽(8), 및 도시되지 않은 전면벽 및 후면벽을 구비한 하부징(4)을 포함한다. 챔버(10)에 접하는 하우징(4)의 벽 표면은 반사체 표면으로서 역할을 하도록 공지된 방식으로 코팅되거나, 상기 벽은 높은 반사율을 가지는 재료로 구성된다.
챔버(10) 내에서, 제 1 램프 장치(12)가 상벽(5), 그리고 제 2 램프 장치(14)가 하벽(6)에 인접하게 제공된다. 상기 램프 장치(12)는 5개의 할로겐 램프(16)와 5개의 아크 램프(15)를 포함하고, 상기 장치는 물론, 다수의 상이한 램프를 포함한다. 상기 램프(15, 16)는 상벽(5)에 기본적으로 평행하게 연장되고 도면의 평면에 수직하게 연장되는 막대형 램프로서 구체화된다. 램프(15, 16)는 도시되지 않은 전면벽과 후면벽에 적절한 방식으로 수용된다. 아크 램프(15)의 치수는 기본적으로 할로겐 램프(16)의 치수와 동일하여 상호 교환이 가능하다.
아크 램프(15)의 가스 또는 글로우 방전 영역은 웨이퍼(2)의 직경과 동일하여, 가열될 웨이퍼 표면 상에 균일한 방사 분포를 달성한다.
상부 램프 장치(12)의 각각의 램프(15, 16)는 도시되지 않은 제어 장치에 의해 개별적으로 제어될 수 있다. 이런 맥락으로 볼때, 예를 들어, 아크 램프(15)는 직류 전류로 제어될 수 있거나, 펄스 방식으로 제어될 수 있으며, 그 결과 플래쉬 모드로 동작된다. 특히, 램프 전류 및 방출된 방사 밀도 또한 각 램프에 대해 개별적으로 제어될 수 있다. 제어할 수 있는 개별의 능력에 의해, 공간 및 스펙트럼 방사 프로파일은 챔버(10) 내에서 정확하게 형성될 수 있다. 그렇게 함으로써, 300mm 웨이퍼 및 1000℃의 온도에 있어서, 0.5% 이상의 균일한 온도 분포를 웨이퍼 표면에 달성할 수 있다. 특히, 아크 램프의 전류 밀도를 제어하는 것 또한 가능하고, 방사의 UV 부분은 높은 전류 밀도로 크게 증가하며, 그 결과 아크 램프는 8000 내지 9000℃ 사이의 온도를 가지는 방사 시스템과 동일하다. 이런 맥락으로 볼때, 방사의 방출 스펙트럼은 약 350nm에서 최대가 된다. 이러한 파장 범위에서, 웨이퍼(Si) 재료는 웨이퍼 온도에 기본적으로 독립적인 높은 흡수 계수를 갖는다.
램프의 하부 뱅크(14)는 막대형 아크 램프 및 할로겐 램프와 동일한 방식으로 기본적으로 구현되며, 따라서 보다 상세히 기술하지 않을 것이다. 개구(18)는 하우징의 하벽(6)에 제공되며, 고온계(19 : pyrometer)는 웨이퍼(2)의 온도를 결정하는 공지된 방식에 따라 적어도 부분적으로 개구(18)를 통해서 도입된다.
램프(12, 14)의 상부 및 하부 뱅크 및 웨이퍼 사이의 간격은 일반적으로 1cm 내지 10cm이다. 처리될 웨이퍼(2)의 직경과 챔버(10)의 직경에 따라, 간격과 1.0에 상당히 못미치는 직경 사이의 비율이 초래된다. 상기 비율은 0.5 미만, 심지어는 0.15 미만도 바람직하다. 1cm의 램프 간격과 50cm의 챔버 직경에 있어서, 예를 들어 0.02의 비율이 얻어진다.
램프(15, 16)의 방사는 웨이퍼로부터 방출되는 방사와 램프의 방사를 구별할 수 있는 공지된 방식에 따라 장치의 동작 동안 조절된다. 웨이퍼로부터 방출된 방사로부터 웨이퍼의 온도를 차례대로 결정할 수 있다. 이런 맥락으로 볼때, 아크 램프는 할로겐 램프보다 높은 조절 주파수로 동작될 수 있는 이점을 가진다. 따라서, 웨이퍼의 온도는 특히, 온도가 상승된 단계 동안 부분적으로 급속한 온도 변화로 보다 정확하게 그리고 보다 단순한 평가 전자기기로 결정될 수 있다. 이하 보다 상세히 기술되는 바와 같이, 상기 조절은 램프 전류의 조절에 의해 영향을 받고아크 램프는 자계를 인가함으로써 영향을 받을 수 있다.
챔버(10) 내에서, 공지된 방식으로 웨이퍼가 수용되는 반응 챔버(22)를 형성하기 위해 반응 챔버의 하우징(20)이 상부 및 하부 램프 장치(12, 14) 사이에 제공된다. 반응 챔버의 하우징은 램프의 전자기 방사가 거의 투과되는 재료, 예를 들어, 수정 유리 및/또는 사파이어로 구성된다. 도 1의 좌측에서, 반응 챔버의 하우징(20)은 하우징(4)의 좌측벽(7)을 통해 연장되어 도시되지 않은 가스 공급 장치와 연결되는 주입관(24)을 포함한다. 웨이퍼(2)를 열처리하는 동안, 특정 프로세스 파라미터를 제공하기 위해 가스는 주입관(24)에 의해 반응 챔범(22) 내부로 도입된다.
상기 우측에서, 반응 챔버의 하우징(20)은 하우징(4)의 우측벽(8)의 개구(28)와 연결되는 개구(26)를 포함한다. 개구(28)는 웨이퍼(2)를 반응 챔버(22) 내부로 도입하고 이것으로부터 제거하기 위해 개방될 수 있는 문(30)에 의해 폐쇄된다.
도 1에서 도시된 본 발명의 특정 실시예에서, 상부 램프 장치(12) 및 하부 램프 장치(14)에 아크 램프 및 할로겐 램프가 제공된다. 그러나, 상기 구조의 주의 깊은 처리를 위해 구조화된 웨이퍼가 처리될 때에는, 어떠한 UV 광도 상기 구조상으로 떨어지지 않는 것이 바람직하다. 본 발명의 선택적인 미도시된 특정 실시예에 따르면, 이를 방지하기 위하여, 램프(12)의 상부 뱅크는 웨이퍼 구조와 접하는 아크 램프를 포함하지 않는다. 아울러, 웨이퍼 면 위에 배치되는 챔버(10)의 내부 벽은 UV 광에 대해 매우 낮은 반사 계수를 가지는 금과 같은 재료로 코팅된다. 이것은 UV 광이 웨이퍼 구조 상에 직접 떨어지거나, 그 위에 반사되는 것을 방지한다. 반대로, 웨이퍼(2) 면 아래에 배치되는 챔버(10)의 내부벽은 효율적인 조사를 달성하기 위해 UV 광을 반사시키고, 심지어는 UV 방사로도 웨이퍼의 하부를 가열하는 알루미늄과 같은 재료로 코팅될 수 있다.
도 2는 기판을 열처리하기 위한 장치의 선택적인 특정 실시예를 나타내며, 도 2에서, 동일하거나 상응하는 소자를 나타내기 위해 도 1과 동일한 도면부호가 사용된다.
따라서, 기본적으로 도 1의 장치와 동일한 방식으로, 도 2의 장치에는 램프 장치(12, 14) 및 반응 챔버 하우징(20)이 배치된 하우징(4)이 제공된다.
도시된 바와 같이, 도 2의 섹션은 램프 장치(12, 14)에 평행하게 연장된다. 하우징(4)은 부분적으로 전자석(35)으로 둘러싸인다. 전자석(35)은 자계를 인가하기 위한 코일(37) 및 강자성 요크(36 : yoke)를 포함한다. 요크(36) 및 코일(37)은 기본적으로 램프 장치(12, 14)의 램프에 평행하게, 즉, 웨이퍼 표면에 평행하게 연장된 자계를 형성하도록 배치된다. 전자석(35) 상에 유사하게 제공된 보조 코일(38)을 제공함으로써, 균일한 자계가 설정될 수 있다. 램프 장치(12, 14)에 포함된 기하학적 및 스펙트럼 방사 특성을 가진 아크 램프가 구현될 수 있다. 아울러, 자계에 의해 아크 램프의 수명이 연장될 수 있다. 아울러, 자계를 조절함으로써, 아크 램프의 방사 밀도가 조절될 수 있으며, 고온계(19)가 웨이퍼의 온도를 결정할 수 있다.
대신에, 또는 램프 방사의 조절와 함께, 램프의 전자기 방사의 적어도 하나의 파장 범위의 주파수 필터를 제공할 수도 있다. 이것은 적어도 하나의 주파수 범위에서, 웨이퍼에서 방출된 방사와 램프에서 방출된 방사 사이에 선택적인 구별을 초래한다. 이것은 웨이퍼의 온도를 차례로 결정할 수 있게 한다. 이런 맥락으로 볼때, 예를 들어, 램프 몸체 및/또는 반응 챔버는 주파수 필터를 형성할 수 있다. 필터 효과는 예를 들어, 램프 몸체를 위한 합성 수정 및 반응 챔버를 위한 용융된 수정을 사용함으로써 달성될 수 있다. 합성 수정은 약 2700nm에서 램프 방사를 억제하는 반면, 용융된 수정은 이러한 파장 범위에서 웨이퍼에 의해 방출된 방사가 통과하는 것을 가능하게 하며, 그 결과 이러한 파장 범위에서의 방사는 고온계에 의해 검출되며 웨이퍼의 온도를 결정하는데 사용될 수 있다. 상기 주파수 필터는 흡수 필터로서 또는 간섭 필터 형태로서, 즉 박막 유전층을 제공함으로써 형성될 수 있다.
또한, 특히 할로겐 램프에서, 충전되는 램프 가스는 협대역에서 흡수되고 흡수대역에서 조금 방출되거나 전혀 방출되지 않는 첨가제와 혼합될 수 있다.
도 3은 B-B에 따른 도 2의 장치의 단면도를 나타내며, 이 도면에서, 웨이퍼(2)를 둘러싸는 보상 링(40)이 보인다.
상기 장치는 바람직한 특정 실시예를 목적으로 기술되었지만, 본 발명은 이러한 실시예에 제한되지 않는 것이 인식되야 한다. 특히, 예를 들어, 램프 장치(12, 14) 내에 개별적으로 제어 가능한 아크 램프만으로 제공된 장치가 가능하다. 물론, 아크 램프는 또한 램프 장치 내의 전술한 할로겐 램프와는 다르게 사용될 수 있다. 아울러, 두개의 별도의 램프 장치(12, 14)를 제공하는 것은 불필요한데, 이는 임의의 환경하에서, 램프 장치(12)와 같은 단일 램프 장치는 반도체 웨이퍼(2)의 열처리에 적합하지 않기 때문이다. 가열 램프의 램프 충전을 위해 협대역에서 흡수되는 가스의 혼합 또는 주파수 필터의 제공과 같은 전술한 몇몇의 특징은 임의 타입의 램프의 사용에 독립되며, 특히 아크 램프의 사용에 대해 독립된다.
Claims (45)
- 적어도 두개의 아크 램프(15)를 포함하고, 전자기 방사에 의해 적어도 하나의 기판(2)을 가열하기 위한, 적어도 하나의 가열 장치(12, 14)로 기판(2), 특히 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위한 장치(1)에 있어서,각 아크 램프(15)의 방사 특성은 제어 장치에 의해 개별적으로 제어될 수 있으며, 상기 아크 램프(15)의 전자기 방사는 상기 가열 장치(12, 14)의 전자기 방사의 전력 밀도에 크게 기여하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,동작 모드 및/또는 램프 전류는 개별적으로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 또는 2항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 직류 전류 조절으로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 플래쉬 램프로서 펄스 방식으로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 상기 가열 장치의 전력 밀도에 대해 적어도 1/10 만큼 기여하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 유체 냉각되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)의 가스 방전 영역은 상기 기판(2)의 치수와 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)의 가스 방전 영역은 상기 기판(2)의 치수보다 긴 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 상기 기판(2)의 외부 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 장치에는 서로 거의 평행하게 배치되는 적어도 두개의 막대형 램프(15, 16)를 구비한 램프 뱅크가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 램프 뱅크로 구성된 램프에는 글로우 램프(16)가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11항에 있어서,상기 글로우 램프(16) 및 상기 아크 램프(15)는 동일한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 또는 12항에 있어서,상기 글로우 램프(16) 및 상기 아크 램프(15)는 동일한 램프 전력을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 장치(12, 14)는 전자기 방사를 위한 스테이지에서 반사되는 챔버(4)로 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 챔버(4)의 스펙트럼 반사 계수는 위치에 따라 변하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2)에 대한 상기 가열 장치(12, 14)의 간격은 반응 챔버(22)의 직경 미만인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 16항에 있어서,상기 간격과 직경 사이의 비율은 0.5 미만인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 장치(12, 14)의 전자기 방사의 방사 특성은 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 장치(12, 14) 및 상기 기판(2)은 거의 균일하고, 조절 가능한 자계내에 배치되며, 상기 자계의 자속선은 아크 램프의 애노드에 인접하게 아크 램프(15)의 아크 방전에 대해 평행하게 연장되는 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 19항에 있어서,상기 자계의 자속 밀도는 0.005 내지 0.3 테슬라 사이인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2)은 제 2의 가열 장치(12, 14) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 21항 중 어느 한 항에 있어서,반응 챔버(20)는 상기 기판(2)을 둘러싸며 상기 가열 장치(12, 14)의 전자기 방사가 거의 투과되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 23항에 있어서,상기 반응 챔버(20)에는 수정 유리 및/또는 사파이어가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 23 또는 24항에 있어서,상기 반응 챔버의 재료는 상기 전자기 방사의 스펙트럼에 대해 평균적으로 센티미터 당 0.001 내지 0.1 사이의 흡수 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 23 내지 25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응 챔버(20)는 1mm 내지 5cm 사이의 벽 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 글로우 램프(16)는 부분적으로 나선형 필라멘트 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 27항 중 어느 한 항에 있어서,소정의 기하학적 및 스펙트럼 방사 프로파일은 글로우 램프(16)의 필라멘트 구조에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 글로우 램프(16)의 상기 필라멘트는 나선형 및 비나선형의 선택적 필라멘트 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 29항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 글로우 램프(16)는 개별적으로 제어 가능한 적어도 두개의 필라멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 30항 중 어느 한 항에 있어서,상기 글로우 램프(16)의 적어도 하나의 필라멘트는 적어도 세개의 전기 접속을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 31항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 필라멘트 구조의 두께는 상기 필라멘트에 따라 변화하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 11 내지 32항 중 어느 한 항에 있어서,상기 글로우 램프는 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 32항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응 챔버(20) 및/또는 상기 램프 몸체는 상기 가열 장치(12, 14)의 상기 전자기 방사의 적어도 하나의 파장 범위를 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 33항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 상기 램프(15, 16)는 상기 가열 장치(12, 14)의 특정 파장 범위의 상기 전자기 방사를 흡수하는 재료로 부분적으로 충전되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 내지 34항 중 어느 한 항에 있어서,상기 재료는 상기 흡수 범위내에서 방출하지 않는 것을 특징으로 하는 장치.
- 적어도 두개의 아크 램프(15)를 포함하고, 전자기 방사에 의해 적어도 하나의 기판(2)을 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 장치(12, 14)로 기판(2), 특히 반도체 웨이퍼를 열처리하기 위한 방법에 있어서,각각의 아크 램프의 방사 특성은 개별적으로 제어되며, 상기 아크 램프(15)의 상기 전자기 방사는 상기 가열 장치(12, 14)의 상기 전자기 방사의 전력 밀도에 크게 기여하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36항에 있어서,상기 아크 램프(15)의 동작 모드 및/또는 램프 전류는 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 또는 37항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 직류 전류 조절로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 내지 38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아크 램프(15)는 플래쉬 동작시 펄스 방식으로 제어되는 것을 특징으로하는 방법.
- 제 36 내지 39항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2)은 글로우 램프(16)에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 내지 40항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2)은 저온의 범위에서 상기 아크 램프(15)에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 내지 41항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2)은 저온의 범위에서 상기 아크 램프(15)를 통해서만 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 41 또는 42항에 있어서,상기 저온의 범위는 실온 내지 600℃ 사이인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 내지 43항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 장치(12, 14)의 상기 전자기 방사는 조절되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 내지 44항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(2) 및 상기 가열 장치(12, 14)의 영역 내에 자계를 인가하는 단계를 포함하며, 상기 자계의 자속선은 아크 램프의 애노드 영역 내에서 아크 방전에 대해 평행하게 연장되는 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014069784A1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정의 열처리 방법 및 장치 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6771895B2 (en) * | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
| US6376806B2 (en) * | 2000-05-09 | 2002-04-23 | Woo Sik Yoo | Flash anneal |
| US6970644B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-11-29 | Mattson Technology, Inc. | Heating configuration for use in thermal processing chambers |
| US7015422B2 (en) * | 2000-12-21 | 2006-03-21 | Mattson Technology, Inc. | System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy |
| CN1295745C (zh) * | 2001-05-23 | 2007-01-17 | 马特森热力产品有限责任公司 | 用于热处理衬底的方法和装置 |
| ATE392008T1 (de) * | 2001-05-28 | 2008-04-15 | Gunther Ackermann | Vorrichtung zur erwärmung von substraten mit seitenblenden und sekundären reflektoren |
| JP2004031557A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Ushio Inc | 光加熱装置 |
| US6918965B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-07-19 | Micron Technology, Inc. | Single substrate annealing of magnetoresistive structure |
| JP4272418B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-06-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| DE102004039443B4 (de) | 2004-08-13 | 2023-05-25 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. | Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
| DE102004060188B4 (de) * | 2004-12-14 | 2011-06-16 | Infineon Technologies Ag | Prozess-Heizkammer und Verwendung derselben |
| DE102005010005A1 (de) * | 2005-03-04 | 2006-12-28 | Nunner, Dieter | Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Kleinteilen |
| US7335864B2 (en) * | 2005-06-01 | 2008-02-26 | Mrl Industries, Inc. | Magnetic field reduction resistive heating elements |
| US20060291833A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-28 | Mattson Techonology, Inc. | Switchable reflector wall concept |
| JP2007095889A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ushio Inc | 光照射式加熱方法 |
| JP2007274007A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP5559656B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-07-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| DE102011087885B3 (de) * | 2011-12-07 | 2013-02-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Blitzlampenanordnung |
| JP6184697B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-08-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
| KR102227596B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2021-03-15 | (주) 예스티 | 열처리 공정이 가능한 기판 처리 장치 |
| WO2023123461A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 华为技术有限公司 | 一种加热装置和外延生长设备 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE295950C (ko) | ||||
| JPS56100426A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Ushio Inc | Device and method for annealing |
| US4550684A (en) * | 1983-08-11 | 1985-11-05 | Genus, Inc. | Cooled optical window for semiconductor wafer heating |
| US4698486A (en) * | 1984-02-28 | 1987-10-06 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. |
| US4654509A (en) | 1985-10-07 | 1987-03-31 | Epsilon Limited Partnership | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus |
| US4820906A (en) * | 1987-03-13 | 1989-04-11 | Peak Systems, Inc. | Long arc lamp for semiconductor heating |
| JPH0325928A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Corp | 半導体ウェハーのランプ式熱処理装置 |
| JPH0482215A (ja) | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ランプアニール装置 |
| DD295950A5 (de) * | 1990-09-17 | 1991-11-14 | Technische Hochschule Ilmenau,De | Vorrichtung zur durchfuehrung schneller thermischer prozesse mit uv-anregung |
| US5180226A (en) * | 1991-10-30 | 1993-01-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for precise temperature measurement |
| US5336641A (en) * | 1992-03-17 | 1994-08-09 | Aktis Corporation | Rapid thermal annealing using thermally conductive overcoat |
| US5452396A (en) * | 1994-02-07 | 1995-09-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
| US5861609A (en) * | 1995-10-02 | 1999-01-19 | Kaltenbrunner; Guenter | Method and apparatus for rapid thermal processing |
| US5971565A (en) * | 1995-10-20 | 1999-10-26 | Regents Of The University Of California | Lamp system with conditioned water coolant and diffuse reflector of polytetrafluorethylene(PTFE) |
| JPH09270390A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
| JPH10229050A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH113868A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Yamagata Ltd | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
| JP3911071B2 (ja) * | 1997-06-13 | 2007-05-09 | サイエンステクノロジー株式会社 | 高速ランプ加熱処理装置及び高速ランプ加熱処理方法 |
| US6210484B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-04-03 | Steag Rtp Systems, Inc. | Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers |
| US6122440A (en) * | 1999-01-27 | 2000-09-19 | Regents Of The University Of Minnesota | Optical heating device for rapid thermal processing (RTP) system |
-
1999
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014069784A1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정의 열처리 방법 및 장치 |
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