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KR20010066845A - 광 모듈 및 그 제조방법, 반도체 장치 및 광 전송 장치 - Google Patents

광 모듈 및 그 제조방법, 반도체 장치 및 광 전송 장치 Download PDF

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KR20010066845A
KR20010066845A KR1020000032899A KR20000032899A KR20010066845A KR 20010066845 A KR20010066845 A KR 20010066845A KR 1020000032899 A KR1020000032899 A KR 1020000032899A KR 20000032899 A KR20000032899 A KR 20000032899A KR 20010066845 A KR20010066845 A KR 20010066845A
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KR
South Korea
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optical
semiconductor chip
optical element
hole
optical module
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사쿠라이카주노리
우메추카주시게
무라타아키히로
Original Assignee
구사마 사부로
세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

광 모듈은 광 파이버(30)와, 광학적 부분(12)을 가지고 있어 광 파이버(30)와의 상대적 위치가 고정된 광 소자(10)와, 광 소자(10)에 전기적으로 접속되어 있는 반도체 칩(20)을 포함하며, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)이 패키지화된 것이다. 반도체 칩(20)에는 구멍(28)이 형성되어 있고, 광 소자(10)는, 광학적 부분(12)을 구멍(28)으로 향하여 반도체 칩(20)에 탑재되어 있으며, 광 파이버(30)는 구멍(28)에 삽입되어 반도체 칩(20)에 부착되어 있다.

Description

광 모듈 및 그 제조방법, 반도체 장치 및 광 전송 장치{Optical module and method of manufacturing the same, semiconductor device, and optical transfer device}
기술 분야
본 발명은 광 모듈 및 그 제조방법, 반도체 장치 및 광 전달 장치에 관한 것이다.
배경 기술
최근, 정보통신이 고속화·대용량화의 경향에 있고, 광 통신의 개발이 진행되고 있다. 일반적으로, 광 통신에서는, 전기 신호를 광 신호로 변환하고, 광 신호를 광 파이버로 송신하며, 수신한 광 신호를 전기 신호로 변환한다. 전기 신호와 광 신호의 변환은 광 소자에 의해서 행해진다.
예를 들면, 일본 특개평10-339824호 공보에는, V홈이 형성된 플랫폼에 광 파이버를 위치 결정하여 고정하고, 광 모듈을 구성하는 것이 기재되어 있다.
그러나, 종래의 광 모듈은, 광 파이버와 광 소자가 일체화된 것으로서, 이 광 모듈을 또한 반도체 칩과 전기적으로 접속하는 것이 필요로 되어 있었다.
본 발명은 이 문제점을 해결하는 것이며, 그 목적은, 반도체 칩과의 접속이 불필요하게 되는 광 모듈 및 그 제조방법, 반도체 장치 및 광 전달 장치를 제공하는 것에 있다.
(1) 본 발명에 관련되는 광 모듈은, 광 도파로와,
광학적 부분을 가지고 이루어지는 광 소자와,
상기 광 소자에 전기적으로 접속하여 이루어지는 반도체 칩을 포함하고,
상기 광 소자 및 상기 반도체 칩이 패키지화된 것이다.
본 발명에 의하면, 광 소자 및 반도체 칩이 패키지화되어 있으며, 광 모듈에 반도체 칩이 내장되어 있다. 따라서, 광 모듈과 반도체 칩을 추가로 접속하는 것이 불필요하게 되고, 취급이 용이하게 되어 있다.
(2) 이 광 모듈에 있어서,
상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 있고,
상기 광 도파로는 상기 구멍에 삽입되어 있으며,
상기 광 소자는 상기 광학적 부분과, 삽입된 상기 광 도파로의 한쪽의 단면이 대향하도록 배치되어도 좋다.
이것에 의하면, 반도체 칩에 형성된 구멍에 의해서 광 도파로의 위치가 정해지기 때문에, 광 소자의 광학적 부분과 광 도파로의 단면의 위치 정밀도가 높아지고 있다.
(3) 이 광 모듈에 있어서,
상기 구멍이 관통 구멍이라도 좋다.
(4) 이 광 모듈에 있어서,
상기 관통 구멍에 광 투과성을 갖는 밀봉재가 형성되어도 좋다.
이것에 의하면, 밀봉재에 광 도파로가 접촉하여 그 위치 결정이 도모된다.
(5) 이 광 모듈에 있어서,
상기 광 소자와 상기 반도체 칩의 사이에는 언더필(underfill)재가 형성되어 있어도 좋다.
이것에 의하면, 광 소자 및 반도체 칩을 보호함과 동시에, 양자의 접속상태를 안정시킬 수 있다.
(6) 이 광 모듈에 있어서,
상기 반도체 칩에는 배선 패턴이 형성되어 있고, 상기 광 소자에는, 복수의 전극이 형성되어 있으며,
상기 복수의 전극의 적어도 하나는, 상기 배선 패턴에 전기적으로 접속되어 있어도 좋다.
이것에 의하면, 반도체 칩에 광 소자를 탑재하기 때문에, 광 모듈을 소형화할 수 있다. 또한, 반도체 칩을 구성하는 반도체 재료에는, 반도체 장치의 제조방법을 사용하여, 정밀도가 높은 배선 패턴을 형성할 수 있다.
(7) 이 광 모듈에 있어서,
상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽을 지지하는 기판을 더 포함하여도 좋다.
(8) 이 광 모듈에 있어서,
상기 기판은, 상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽의 열의 발산을 촉진하여도 좋다.
(9) 이 광 모듈에 있어서,
상기 기판에 설치되어 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩의 적어도 한쪽에 전기적으로 접속된 외부단자를 더 가져도 좋다.
(10) 이 광 모듈에 있어서,
상기 반도체 칩 및 상기 광 소자가 수지로 밀봉되어 있어도 좋다.
이것에 의하면, 반도체 칩 및 광 소자를 수지에 의해서 보호할 수 있다.
(11) 본 발명에 관련되는 반도체 장치는, 광학적 부분이 형성되어 이루어지는 광 소자와, 상기 광 소자에 전기적으로 접속하여 이루어지는 반도체 칩을 가지고, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩이 패키지화되어 이루어진다.
본 발명에 의하면, 광 소자 및 반도체 칩이 패키지화되어 있기 때문에, 광 모듈과 반도체 칩을 더 접속하는 것이 불필요하게 되고, 취급이 용이하게 되어 있다.
(12) 이 반도체 장치에 있어서,
상기 광 소자와 상기 반도체 칩이 적층되어 배치되어도 좋다.
(13) 이 반도체 장치에 있어서,
상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 이루어지고, 상기 광 소자는 상기 반도체 칩의 한쪽의 면과, 상기 광학적 부분이 대향하도록 배치되며, 또한 상기 광 소자와 상기 반도체 칩이 적층되어 배치되어도 좋다.
(14) 이 반도체 장치에 있어서,
상기 광 소자와 상기 반도체 칩과, 기판상에 나란히 배열되어 배치되어도 좋다.
(15) 이 반도체 장치에 있어서,
상기 기판에는 구멍이 형성되어 이루어지고, 상기 광 소자는 상기 반도체 칩의 한쪽의 면과, 상기 광학적 부분이 대향하도록 배치되며, 또한 상기 광 소자가 상기 기판상에 배치되어도 좋다.
(16) 본 발명에 관련되는 광 전달 장치는, 광 도파로와,
상기 광 도파로의 한쪽의 단면에 발광부를 향하여 탑재된 발광 소자와,
상기 발광 소자와 전기적으로 접속되어 상기 발광 소자와 패키지화된 반도체 칩과,
상기 광 도파로의 다른쪽의 단면에 수광부를 향하여 탑재된 수광 소자와,
상기 수광 소자와 전기적으로 접속되어 상기 수광 소자와 패키지화된 반도체칩을 포함한다.
본 발명에 의하면, 발광 소자 또는 수광 소자와, 반도체 칩이 패키지화되어 반도체 칩이 내장되어 있다. 따라서, 발광 소자 또는 수광 소자와 반도체 칩을 더 접속하는 것이 불필요하게 되고, 취급이 용이하게 되어 있다.
(17) 이 광 전달 장치에 있어서,
상기 발광 소자에 접속되는 플러그와,
상기 수광 소자에 접속되는 플러그를 더 포함하여도 좋다.
(18) 본 발명에 관련되는 광 모듈의 제조방법은, 광 도파로와, 광학적 부분을 갖는 광 소자와, 반도체 칩을 적어도 갖는 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 광 소자와 상기 반도체 칩을 전기적으로 접속하는 공정과,
상기 광 도파로와 상기 광 소자를, 상대적인 위치를 맞추어서 배치하는 공정과, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 패키지화하는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 광 소자 및 반도체 칩을 패키지화하기 때문에, 얻어진 광 모듈을 반도체 칩에 더 접속할 필요가 없고, 취급이 용이하게 된다.
(19) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 반도체 칩에는 배선 패턴이 형성되어 있고, 상기 광 소자는 복수의 전극을 가지며,
상기 광 소자와 상기 반도체 칩을 전기적으로 접속하는 공정은, 상기 복수의 전극의 적어도 하나를 상기 배선 패턴에 접합하여 행하여도 좋다.
이것에 의하면, 전극을 배선 패턴에 접합하는 것만으로, 간단하게 광 소자와반도체 칩과의 전기적인 접속을 도모할 수 있다. 또한, 반도체 칩에 광 소자를 탑재하기 때문에, 광 모듈을 소형화 할 수 있다. 반도체 칩을 구성하는 반도체 재료에는, 반도체 장치의 제조방법을 사용하고, 정밀도가 높은 배선 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
(20) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 전극과 상기 배선 패턴을 납재로 접합하여, 용융된 납재의 표면 장력에 의해서, 상기 광 소자와 반도체 칩과의 위치맞춤이 행해져도 좋다.
이것에 의하면, 납재의 표면 장력에 의해서, 자동적으로 광 소자와 반도체 칩과의 위치맞춤이 행해지기 때문에, 위치 맞춤 공정이 불필요하게 된다.
(21) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 있고,
상기 광 도파로와 상기 광 소자를 상대적인 위치를 맞추어서 배치하는 공정은, 상기 구멍에 상기 광 도파로를 삽입하는 공정을 포함하여도 좋다.
이것에 의하면, 구멍에 광 도파로를 삽입하는 것으로, 광 도파로와 반도체 칩의 위치가 결정된다. 따라서, 광 소자와 반도체 칩의 위치맞춤이 되어 있으면, 광 소자와 광 도파로와의 위치맞춤을 간단하게 행할 수 있다.
(22) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 구멍을 레이저에 의해 형성하는 광 모듈의 제조방법.
(23) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 구멍을 에칭에 의해 형성하는 광 모듈의 제조방법.
(24) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 반도체 칩의 상기 구멍이 개구하는 영역에 이방성 에칭에 의해서 오목부를 형성하고, 레이저에 의해서 상기 오목부를 관통시키며, 상기 반도체 칩에 상기 구멍을 형성하는 공정을 더 포함하여도 좋다.
이방성 에칭은, 반도체 장치의 제조 프로세스에서 널리 행해지고 있고, 정밀도가 높은 오목부의 형성이 가능하다. 또한, 이방성 에칭에 의하면, 오목부는 단면에 있어서 V자형을 이루기 때문에, 레이저에 의해서 오목부가 관통하여 형성된 구멍은, 개구 단부에 테이퍼가 붙여진 형상으로 되어 있다. 따라서, 개구 단부에 테이퍼가 붙여진 구멍을 간단하게 형성할 수 있다. 구멍의 테이퍼는, 광 도파로를 삽입할 때의 가이드로 된다.
(25) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 반도체 칩과 상기 광 소자와의 사이에 언더필재를 충전하는 공정을 더 포함하여도 좋다.
이것에 의하면, 언더필재에 의해서, 광 소자 및 반도체 칩을 보호할 수 있는 동시에, 양자의 접속상태를 안정시킬 수 있다.
(26) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 패키지화하는 공정은, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 수지로 밀봉하여 행하여도 좋다.
이것에 의하면, 반도체 칩 및 광 소자를 수지에 의해서 보호할 수 있다.
(27) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽에 기판을 설치하는 공정을 더 포함하여도 좋다.
(28) 이 광 모듈의 제조방법에 있어서,
상기 광 소자 및 상기 반도체 칩의 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되는 외부단자를, 상기 기판에 설치하는 공정을 더 포함하여도 좋다.
도 1은 본 발명을 적용한 제 1 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면.
도 2a 내지 도 2c는 반도체 칩에 구멍을 형성하는 방법을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명을 적용한 제 2 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면.
도 4는 본 발명을 적용한 제 3 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면.
도 5는 본 발명을 적용한 제 4 실시예에 관련되는 광 전달 장치를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명을 적용한 제 5 실시예에 관련되는 광 전달 장치의 사용예를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명을 적용한 제 6 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면.
도 8은 본 발명을 적용한 제 7 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 78, 210 : 광소자 12, 212 : 광학적 부분
14 : 제 1 전극 16 : 제 2 전극
20, 80, 110, 220 : 반도체 칩 21 : 오목부
22 : 전극 24, 48, 64, 76 : 배선 패턴
25 : 밀봉재 26 : 땜납
27, 52, 75, 77 : 와이어 28, 46, 66, 84, 112, 222 : 구멍
29 : 테이퍼 30, 82 : 광 파이버
40 : 언더필재 42, 62, 74 : 기판
43 : 절연막 44 : 접착제
50, 60, 72 : 외부단자 54 : 충전재
56, 68, 86 : 수지 70 : 리드 프레임
71 : 다이 패드 90 : 광 전송 장치
92, 100 : 전자기기 94 : 케이블
96 : 플러그 214 : 스토퍼
이하, 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
(제 1 실시예)
도 1은 본 발명을 적용한 제 1 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면이다. 광 모듈은, 광 소자(10)와, 반도체 칩(20)과, 광 파이버(30)를 포함한다. 광 파이버(30)는 광 도파로의 일 예이다. 이 광 모듈은, 반도체 칩(20)을 갖기 때문에 반도체 장치라고 정의하여도 좋다. 이 사실은, 이하의 모든 실시예에서도 동일하다.
광 소자(10)는, 발광 소자이거나 수광 소자라도 좋다. 발광 소자의 일 예로서 면 발광 소자, 특히 면 발광 레이저를 적용할 수 있다. 면 발광 레이저 등의 면 발광 소자는, 기판에 대하여 수직 방향으로 빛을 발한다. 광 소자(10)는, 광학적 부분(12)을 갖는다. 광 소자(10)가 발광 소자일 때는, 광학적 부분(12)은 발광부이고, 광 소자(10)가 수광 소자 일 때는, 광학적 부분(12)은 수광부이다.
광 소자(10)는, 광 파이버(30)와의 상대적인 위치가 고정된 상태로 되어 있다. 상세하게는, 광 소자(10)의 광학적 부분(12)과, 광 파이버(30)의 선단면과의상대적인 위치가 고정되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 광학적 부분(12)이 광 파이버(30)의 선단면을 향한 상태인 것이 많다. 또한, 본 실시예에서는, 광학적 부분(12)은, 반도체 칩(20)의 구멍(28)을 향하고 있다.
광 소자(10)는, 적어도 1개(일반적으로는 2개 또는 그 이상)의 전극을 갖는다. 예를 들면, 광학적 부분(12)이 형성된 면에, 제 1 전극(14)이 형성되어 있더라도 좋다. 또, 복수의 제 1 전극(14)중, 적어도 하나가 더미 전극이라도 좋다. 더미 전극은, 제 1 전극(14)과 같은 재료로 형성하여도 좋지만, 광 소자(10)의 내부에는 전기적으로 접속되어 있지 않는 것이다. 예를 들면, 전부를 직선으로 연결하여 삼각형 이상의 다각형을 그리는 위치에, 제 1 전극(14)을 형성하고, 그 중의 적어도 하나 또는 복수가 더미 전극이라도 좋다. 이렇게 하는 것으로, 광 소자(10)를 3점 이상의 개소(箇所)에서 안정하게 지지할 수 있다.
제 1 전극(14)이 형성된 면과는 다른 면에, 제 2 전극(16)이 형성되어 있어도 좋다. 광 소자(10)가 면 발광 레이저 등의 반도체 레이저일 때는, 제 1 전극(14)이 형성된 면과는 반대측의 면에 제 2 전극(16)이 형성되어도 좋다.
반도체 칩(20)은, 광 소자(10)를 구동하기 위한 것이다. 반도체 칩(20)에는, 광 소자(10)를 구동하기 위한 회로가 내장되어 있다. 반도체 칩(20)에는, 내부의 회로에 전기적으로 접속된 복수의 전극(또는 패드)(22)이 형성되어 있다. 전극(22)이 형성된 면에, 적어도 하나의 전극(22)에 전기적으로 접속한 배선 패턴(24)이 형성되는 것이 바람직하다.
반도체 칩(20)과 광 소자(10)는 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들면, 광소자(10)의 제 1 전극(14)과, 반도체 칩(20)상에 형성된 배선 패턴(24)을 전기적으로 접속한다. 접속에는, 와이어 등을 사용하여도 좋지만, 납재의 일 예인 땜납(26) 등에 의한 금속 접합이나 이방성 도전재료(막)을 통하여, 제 1 전극(14)과 배선 패턴(24)을 접합하여도 좋다. 이 경우, 광 소자(10)는, 반도체 칩(20)에 대하여 페이스 다운 실장된다. 이렇게 하는 것으로, 땜납(26)에 의해서, 전기적인 접속을 행할 수 있을 뿐만 아니라, 광 소자(10)와 반도체 칩(20)을 고정할 수 있다. 또, 제 1 전극(14)중, 더미 전극으로 되는 것도, 배선 패턴(24)에 접합하는 것이 바람직하다. 이렇게 하는 것으로, 광 소자(10)를 안정한 상태로 반도체 칩(20)상에 고정할 수 있다.
또한, 광 소자(10)의 제 2 전극(16)과, 배선 패턴(24)이 전기적으로 접속되어 있다. 접속에는, 와이어(27)를 사용하거나, 도전 페이스트를 제 2 전극(16)으로부터 배선 패턴(24)까지 형성하여도 좋다.
광 소자(10)와 반도체 칩(20)과의 사이에는, 언더필재(40)를 형성하여도 좋다. 언더필재(40)가 광 소자(10)의 광학적 부분(12)을 덮을 때에는, 언더필재(40)는 투명한 것이 바람직하다. 언더필재(40)는, 광 소자(10)와 반도체 칩(20)과의 전기적인 접속 부분을 덮어 보호함과 동시에, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 표면도 보호한다. 더욱이, 언더필재(40)는, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 접합상태를 유지한다.
반도체 칩(20)에는, 구멍(예를 들면 관통 구멍)(28)이 형성되어 있어도 좋다. 구멍(28)에는 광 파이버(30)가 삽입된다. 구멍(28)은, 내부의 회로를 피하여, 전극(22)이 형성된 면으로부터 그 반대측의 면에 도달할 때까지 형성되어 있다. 구멍(28)에는, 전극(22)이 형성된 면측의 개구부에 있어서 광 투과성의 밀봉재(25)가 형성되어 있어도 좋다. 밀봉재(25)를 형성하는 것으로 구멍(28)의 한쪽이 밀봉되고, 광 파이버(30)의 선단의 위치 결정을 도모할 수 있다. 밀봉재(25)를 형성하는 면과는 반대측의 면(이면)부터 구멍(28)을 형성하며, 밀봉재(25)를 형성하는 면(표면)에 형성되어 있는 SiO2나 SiNx등으로 패시베이션막을 남기는 것으로, 밀봉재(25)를 형성할 수 있다. 구멍(28)의 적어도 한쪽의 개구 단부에는, 테이퍼(29)가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 테이퍼(29)를 형성하는 것으로, 구멍(28)에 광 파이버(30)를 삽입하기 쉬워진다.
반도체 칩(20)은 기판(42)에 부착되어 있어도 좋다. 상세하게는, 반도체 칩(20)은, 접착제(44)를 통해 기판(42)에 접착하고 있어도 좋다. 기판(42)에는, 구멍(46)이 형성되어 있다. 구멍(46)은, 반도체 칩(20)의 구멍(28)과 연결하는 위치에 형성되어 있다. 반도체 칩(20)과 기판(42)을 접착하는 접착제(44)는, 2개의 구멍(28, 46)의 연결을 방해하지 않도록, 이들을 막지 않도록 형성된다. 기판(42)의 구멍(46)은, 반도체 칩(20)과는 반대측의 방향으로 내경이 커지도록, 테이퍼가 붙여진 형상으로 되어 있다. 이렇게 하는 것으로, 광 파이버(30)를 삽입하기 쉽게 되어 있다.
기판(42)은, 수지, 유리 또는 세라믹 등의 절연성을 갖는 재료로 형성되어도 좋지만, 금속 등의 도전성을 갖는 재료로 형성되어도 좋다. 기판(42)이 도전성의 재료로 이루어질 때는, 적어도 반도체 칩(20)이 부착되는 면에, 절연막(43)을 형성하는 것이 바람직하다. 또, 이하의 실시예에서도, 기판(42)으로서 같은 재료를 사용할 수 있다.
또한, 기판(42)은, 높은 열전도성을 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 기판(42)이, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 적어도 한쪽 열의 발산을 촉진한다. 이 경우, 기판(42)은 히트 싱크 또는 히트 스프레더이다. 본 실시예에서는, 반도체 칩(20)이 기판(42)에 접착되어 있기 때문에, 직접적으로는 반도체 칩(20)을 냉각할 수 있다. 또, 반도체 칩(20)과 기판(42)을 접착하는 접착제(44)는, 열전도성을 갖는 것이 바람직하다. 더욱이, 반도체 칩(20)이 냉각되기 때문에, 반도체 칩(20)에 접합된 광 소자(10)도 냉각된다.
기판(42)에는, 배선 패턴(48)이 설치되어 있다. 또한, 기판(42)에는, 외부단자(50)가 설치되어 있다. 본 실시예에서는, 외부단자(50)는 리드(lead)이다. 기판(42)에 형성된 배선 패턴(48)은, 예를 들면 와이어(52)를 통해, 반도체 칩(20)의 전극(22), 반도체 칩(20)상에 형성된 배선 패턴(24), 광 소자(10)의 제 1 또는 제 2 전극(14, 16)중, 적어도 하나와 전기적으로 접속된다. 또한, 배선 패턴(48)은, 외부단자(50)와 전기적으로 접속되어도 좋다.
광 파이버(30)는, 코어와 이것을 동심원형으로 둘러싸는 클래드를 포함하는 것이며, 코어와 클래드와의 경계에서 빛이 반사되고, 코어 내에 빛이 가두어져서 전파하는 것이다. 또한, 클래드의 주위는, 재킷에 의해서 보호되는 경우가 많다.
광 파이버(30)는, 반도체 칩(20)의 구멍(28)에 삽입되어 있다. 광 소자(10)의 광학적 부분(12)은, 반도체 칩(20)의 구멍(28)내를 향하고 있다. 따라서,구멍(28)에 삽입된 광 파이버(30)는, 광학적 부분(12)에 대하여 위치 어긋난 상태로 된다.
광 파이버(30)는, 기판(42)의 구멍(46)에도 삽입되어 있다. 구멍(46)은, 반도체 칩(20)의 구멍(26)으로 향하여 서서히 내경이 작아지고 있고, 반도체 칩(20)과는 반대측의 면에서는, 구멍(46)의 개구의 내경은, 광 파이버(30)보다도 커지고 있다. 광 파이버(30)와 구멍(46)의 내면과의 사이의 빈틈은, 수지 등의 충전재(54)로 채우는 것이 바람직하다. 충전재(54)는, 광 파이버(30)를 고정하여 빠짐 방지를 도모하는 기능도 갖는다.
본 실시예에서는, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)이, 수지(56)로 밀봉되어 있다. 수지(56)는, 광 소자(10)와 반도체 칩(20)과의 전기적인 접속 부분이나, 반도체 칩(20)과 기판(43)에 형성된 배선 패턴(48)과의 전기적인 접속 부분도 밀봉한다.
본 실시예에 관련되는 광 모듈에 의하면, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)이 패키지화되어 있다. 따라서, 광 모듈에, 이것을 구동하기 위한 회로를 접속하는 것이 반드시 필요하지 않기 때문에, 취급이 용이하게 되어 있다.
본 실시예는, 상기한 바와 같이 구성되어 있고, 이하 그 제조방법에 대하여 설명한다.
우선, 광 소자(10), 반도체 칩(20) 및 광 파이버(30)를 준비한다. 광 소자(10)는, 광학적 부분(12), 제 1 및 제 2 전극(14, 16)을 갖는다. 반도체 칩(20)에는, 바람직하게는 전극(22)이 형성된 면에, 배선 패턴(24)이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 반도체 칩(20)에는, 구멍(28)이 형성되어 있어도 좋다. 반도체 칩(20)에 있어서의 배선 패턴(24)과 구멍(28)은, 상대적으로 정확한 위치에 형성하는 것이 바람직하다.
구멍(28)의 형성방법에 대하여, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한다. 이들의 도면은, 반도체 칩(20)의 구멍(28)이 형성되는 부분을 통과하는 단면도이다. 도 2a에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(20)에, 오목부(21)를 형성한다. 오목부(21)는, 구멍(28)이 개구하는 위치에 형성된다. 바람직하게는, 구멍(28)이 개구하는 양면에 오목부(21)를 형성한다. 반도체 칩(20)은, 일반적으로 실리콘으로 구성되는 일이 많기 때문에, 이방성 에칭을 적용하여, 결정면에 따라서 정확한 단면 삼각형상의 오목부(21)를 형성할 수 있다. 또는, 단면 사각형상의 오목부(21)를 형성하여도 좋다. 또한, 오목부(21)의 개구의 평면형상은, 특히 한정되지 않지만, 직사각형이라도 좋다. 오목부(21)의 개구가 직사각형인 경우에는, 1변의 길이가, 광 파이버(30)의 지름보다도 긴 것이 바람직하다. 이렇게 하는 것으로, 오목부(21)의 적어도 일부를 테이퍼(29)로 할 수 있다.
다음에, 도 2b에 도시하는 바와 같이, 서로 반대측에 위치하는 한 쌍의 오목부(21) 사이에서 반도체 칩(20)을 관통시킨다. 예를 들면, 레이저를 사용할 수 있다. 즉, 한쪽의 오목부(21)내에 레이저광을 조사하고, 반도체 칩(20)을 관통시킬 수 있다. 더욱이, 한 쌍의 오목부(21) 사이에서 관통한 구멍에 대하여, 에칭을 실시하여 구멍 직경을 크게 하며, 도 2c에 도시하는 바와 같이 구멍(28)을 형성한다. 또, 구멍(28)의 개구부에, 오목부(21)의 적어도 일부를 남기는 것이 바람직하다.이렇게 하는 것으로, 오목부(21)의 적어도 일부를 테이퍼(29)로 할 수 있다.
또는, 구멍(28)의 형성에 광여기 전해 연마법(Optical Excitation Electropolishing Method)를 적용하여도 좋다.
본 실시예는, 광 소자(10)와 반도체 칩(20)을 전기적으로 접속하는 공정을 포함한다. 예를 들면, 광 소자(10)의 제 1 전극(14)과, 반도체 칩(20)에 형성된 배선 패턴(24)을 접합한다. 또는, 제 1 전극(14)과, 반도체 칩(20)에 형성된 전극(22)을 접합한다.
접합의 수단으로서, 땜납(26)을 사용하면 셀프 얼라인먼트 효과가 얻어진다. 즉, 제 1 전극(14)과, 배선 패턴(24) 또는 전극(22)과의 사이에, 용융한 땜납(26)을 통하면, 용융한 땜납(26)의 표면 장력에 의해서 광 소자(10)의 위치맞춤이 자동적으로 행해진다. 배선 패턴(24)에는, 땜납(26)을 형성하기 위한 랜드부를 형성하여 두는 것이 바람직하다. 셀프 얼라인먼트 효과에 의해서 광 소자(10)의 위치맞춤이 행하여지기 때문에, 광 소자(10)의 광학적 부분(12)을, 반도체 칩(20)의 구멍(28)에 자동적으로 향할 수 있다.
또한, 광 소자(10)의 제 2 전극(16)과, 반도체 칩(20)에 형성된 배선 패턴(24)을 전기적으로 접속한다. 접속에는 와이어(27)를 사용할 수 있다.
본 실시예는, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)중의 적어도 한쪽을 기판(42)에 부착시키는 공정을 포함한다. 예를 들면, 접착제(44)를 사용하여, 반도체 칩(20)을 기판(42)에 접합한다. 반도체 칩(20)에 구멍(28)이 형성되어 있을 때에는, 기판(42)의 구멍(46)을, 반도체 칩(20)의 구멍(28)과 연통시킨다.
본 실시예는, 기판(42)에 외부단자(50)를 설치하는 공정을 포함한다. 본 실시예에서는, 외부단자(50)로서의 리드를 기판(42)에 설치함과 동시에, 배선 패턴(48)과 전기적으로 접속한다. 외부단자(50)는, 배선 패턴(48)을 통하여, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 적어도 한쪽에 전기적으로 접속된다.
본 실시예는, 광 소자(10)와 광 파이버(30)를, 상대적인 위치를 맞추어서 배치하는 공정을 포함한다. 예를 들면, 반도체 칩(20)에 형성된 구멍(28)에 광 파이버(30)를 삽입한다. 또, 구멍(28)의 개구 단부에 테이퍼(29)를 형성하면, 광 파이버(30)를 삽입하기 쉽다. 또한, 기판(42)의 구멍(46)도, 광 파이버(30)를 삽입하는 측의 면으로 향하여 넓어지는 형상으로 되어 있으면, 광 파이버(30)를 삽입하기 쉽다.
광 파이버(30)를 구멍(28)에 삽입하는 것만으로, 광 파이버(30)와 반도체 칩(20)과의 위치 맞춤을 행할 수 있다. 반도체 칩(20)과 광 소자(10)가 정확하게 위치 맞춤되어 있으면, 광 파이버(30)와 광 소자(10)와의 상대적인 위치 맞춤을 행할 수 있다. 즉, 구멍(28)에 광 파이버(30)를 삽입하는 것만으로, 광 파이버(30)와 광 소자(10)와의 상대적인 위치 맞춤을 행할 수 있다.
본 실시예는, 광 파이버(30)의 빠짐 방지를 도모하는 공정을 포함하여도 좋다. 예를 들면, 기판(42)의 구멍(46)을 통하여, 광 파이버(30)를 반도체 칩(20)의 구멍(28)에 삽입하고, 기판(42)의 구멍(46)에 충전재(54)를 충전하여도 좋다. 충전재(54)가 경화하면, 광 파이버(30)를 기판(42)에 고정하기 때문에, 광 파이버(30)의 반도체 칩(20)의 구멍(28)으로부터의 빠짐 방지가 도모된다.
본 실시예는, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)을 패키지화하는 공정을 포함하여도 좋다. 예를 들면, 광 소자(10)와 반도체 칩(20)과의 사이에 언더필재(40)를 충전한다. 이로써, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 표면이 보호되고, 양자간의 전기적인 접속 부분이 보호되며, 양자의 결합상태가 유지된다.
더욱이, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 노출면, 양자의 전기적인 접속 부분, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)의 적어도 한쪽과 기판(42)에 형성된 배선 패턴(48)과의 전기적인 접속 부분 등을, 수지(56) 등으로 밀봉하는 것이 바람직하다. 이상의 공정에 의해서, 광 소자(10) 및 반도체 칩(20)이 패키지화된 광 모듈을 얻을 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 다음에 언급하는 여러가지의 변형이 가능하다.
(제 2 실시예)
도 3은 본 발명을 적용한 제 2 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면이다. 이 광 모듈은, 외부단자(60)의 구조에 있어서 제 1 실시예와 다르다. 즉, 외부단자(60)는, 기판(62)의 면에 설치되어 있다. 예를 들면, 기판(62)의 한쪽 면에 배선 패턴(64)이 형성되고, 관통 구멍(66)를 통하여 전기적으로 접속된 외부단자(60)가, 기판(62)의 다른쪽 면에 형성되어 있다. 외부단자(60)는, 예를 들면 땜납 볼이라도 좋다. 이것에 의하면, 광 모듈을 면 실장할 수 있다. 본 실시예에 관련되는 광 모듈도, 수지(68) 등에 의해서 패키지화가 도모되고 있다.
본 실시예에는, 상기 이외의 점에서, 제 1 실시예에서 설명한 내용이 적용되므로, 자세한 설명을 생략한다.
(제 3 실시예)
도 4는 본 발명을 적용한 제 3 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면이다. 이 광 모듈은, 리드 프레임(70)을 가지고, 리드 프레임(70)의 선단부(아우터리드)가 외부단자(72)이다.
리드 프레임(70)는, 기판(74)에 접착되어 있다. 반도체 장치용의 리드 프레임(70)을 사용하였을 때에는, 리드 프레임(70)의 다이 패드(71)에 기판(74)이 접착된다. 접착에는, 도시하지 않는 접착제를 사용할 수 있다. 기판(74)은, 수지 등으로 형성되어 있어도 좋고, 실리콘이나 유리로 형성하여도 좋다. 기판(74)에는, 배선 패턴(76)이 형성되어 있다. 특히, 기판(74)이 실리콘으로 형성되어 있을 때에는, 반도체 장치의 제조 프로세스를 적용하여, 정밀한 배선 패턴(76)을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는, 기판(74)에 광 소자(78) 및 반도체 칩(80)이 탑재되어 있다. 또한, 광 소자(78) 및 반도체 칩(80)는, 페이스 다운 본딩에 의해서, 기판(74)의 배선 패턴(76)에 접합되어 있다. 배선 패턴(76)은, 와이어(75) 등에 의해서 리드 프레임(70)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 와이어(77) 등에 의해서, 배선 패턴(76)과, 광 소자(78) 및 반도체 칩(80)의 적어도 한쪽이 전기적으로 접속되어도 좋다.
광 파이버(82)는, 기판(74)에 형성된 구멍(84)에 의해서, 위치 결정이 된다. 또한, 리드 프레임(70)에 있어서의 기판(74)에 접착되는 부분에는, 광 파이버(82)를 피하는 구멍을 형성하여 두는 것이 바람직하다.
그 밖의 구성에 대해서는, 제 1 실시예에서 설명한 내용을 적용할 수 있다. 본 실시예에 관련되는 광 모듈도, 수지(86) 등에 의해서 패키지화가 도모되고 있다.
또, 본 발명의 「반도체 칩」의 대신에, 반도체를 사용하지 않고 형성된 회로를 내장하는 칩을 적용하여도, 본 발명과 같은 작용 효과를 달성할 수 있다.
(제 4 실시예)
도 5는 본 발명을 적용한 실시예에 관련되는 광 전달 장치를 도시하는 도면이다. 광 전송 장치(90)는, 컴퓨터, 디스플레이, 기억장치, 프린터 등의 전자기기(92)를 서로 접속하는 것이다. 전자기기(92)는, 정보 통신 기기라도 좋다. 광 전송 장치(90)는, 케이블(94)의 양단에 플러그(96)가 설치된 것이라도 좋다. 케이블(94)은, 1개 또는 복수(적어도 하나)의 광 파이버(30)(도 1 참조)를 포함한다. 플러그(96)는, 반도체 칩(20)을 내장한다. 광 파이버(30)와, 광 소자(10) 또는 반도체 칩(20)과의 부착 상태는, 상술한 바와 같다.
광 파이버(30)의 한쪽의 단부에 접속되는 광 소자(20)는, 발광 소자이다. 한쪽의 전자기기(92)로부터 출력된 전기 신호는, 발광 소자인 광 소자(20)에 의해서 광 신호로 변환된다. 광 신호는 광 파이버(30)를 전해져, 다른쪽의 광 소자(20)에 입력된다. 이 광 소자(20)는, 수광 소자이고, 입력된 광 신호가 전기 신호로 변환된다. 전기 신호는, 다른 쪽의 전자기기(92)에 입력된다. 이렇게 해서, 본 실시예에 관련되는 광 전달 장치(90)에 의하면, 광 신호에 의해서, 전자기기(92)의 정보 전달을 행할 수 있다.
(제 5 실시예)
도 6은 본 발명을 적용한 실시예에 관련되는 광 전달 장치의 사용예를 도시하는 도면이다. 광 전송 장치(90)는, 전자기기(100)간을 접속한다. 전자기기(100)로서, 액정 표시 모니터 또는 디지털 대응의 CRT(금융, 통신 판매, 의료, 교육의 분야에서 사용되는 경우가 있다.), 액정 프로젝터, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 디지털 TV, 소매점의 레지스터(POS(Point of Sale Scanning)용), 비디오, 튜너, 게임 장치, 프린터 등을 들 수 있다.
(제 6 실시예)
도 7은 본 발명을 적용한 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면이다. 이 광 모듈은, 반도체 칩(110)과, 복수의 광 소자(10)와, 복수의 광 파이버(30)를 포함한다. 반도체 칩(110)에는, 복수의 구멍(112)이 형성되어 있고, 각 구멍(112)에 각 광 파이버(30)가 삽입되어 있다. 각 광 파이버(30)는 각 광 소자(10)에 대응하여 설치되어 있다. 도 7에 도시하는 예는, 4개의 광 소자(10)를 갖는 광 모듈이며, 이것을 컬러 화상신호의 전송에 사용할 때에는, 광 소자(10) 및 광 파이버(30)는, R, G, B의 신호 및 클록 신호의 송수신에 사용된다.
그 밖의 구성에 대해서는, 제 1 실시예에서 설명한 내용을 적용할 수 있다. 본 실시예에 관련되는 광 모듈도, 수지 등에 의해서 패키지화할 수 있다.
(제 7 실시예)
도 8은 본 발명을 적용한 실시예에 관련되는 광 모듈을 도시하는 도면이다.이 광 모듈은, 광 소자(210), 반도체 칩(220) 및 광 파이버(30)를 갖는다. 광 소자(210)에는, 광 파이버(30)의 선단부가 광학적 부분(212)에 접촉하지 않도록, 스토퍼(214)가 설치되어 있다. 스토퍼(214)는, 광 소자(210)에 있어서의 광학적 부분(212)이 설치된 면이고, 광 파이버(30)의 선단면의 범위 내에 대응하는 위치에 설치되어 있다. 스토퍼(214)가, 광학적 부분(212)보다도 높게 형성되는 것으로, 광학적 부분(212)에 광 파이버(30)의 선단면이 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
반도체 칩(220)에는, 광 파이버(30)를 삽입하기 위한 구멍(222)이 형성되어 있다. 구멍(222)은, 개구 단부와, 개구 단부보다도 직경이 큰 중간부를 갖는 형상을 이루고 있다. 개구 단부와 중간부는, 테이퍼부에 의해서 접속되어 있다.
이러한 구멍(222)은, 다음과 같이 하여 형성할 수 있다. 우선, 구멍(222)을 형성하는 영역에 있어서 개구하도록 패터닝된 층을 반도체 칩(220)에 형성한다. 이 층은, 레지스터라도 좋고, 산화막이라도 좋으며, 화학기상퇴적(CVD)을 적용하여 형성한 막이라도 좋다. 그리고, 레지스터등의 층의 개구부(반도체 칩(220)의 표면)을 에칭한다. 에칭에는 드라이 에칭을 적용하는 것이 바람직하다. 드라이 에칭는, 반응성 이온 에칭(RIE)이라도 좋다. 또한, 에칭으로서 웨트 에칭을 적용하여도 좋다. 이렇게 하여, 반도체 칩(220)의 표면에, 패임(관통하지 않는 구멍)을 형성한다.
그리고, 반도체 칩(220)의 패임이 형성된 부분에, 레이저(예를 들면 YAG 레이저나 CO2레이저) 등을 사용하여, 작은 구멍을 형성한다. 레이저 빔은, 패임에서 위치를 인식하여 조사할 수 있다. 레이저 빔을, 반도체 칩(220)의 한쪽 면으로부터만 조사하여 작은 구멍을 형성하여도 좋고, 반도체 칩(220)의 양면으로부터(차례로 또는 동시에) 레이저 빔을 조사하여도 좋다. 양면에서 레이저 빔을 조사하면, 반도체 칩(220)에 주는 영향이 적다. 또, 양면에서 레이저 빔을 조사할 때에는, 반도체 칩(220)의 양면에 패임을 형성하여 두는 것이 바람직하다. .
다음에, 작은 구멍을 확대시켜 구멍(222)을 형성한다. 예를 들면, 웨트 에칭을 적용하여, 작은 구멍의 내벽면을 에칭하여도 좋다. 에칭액으로서, 예를 들면, 불산과 불화 암모늄을 혼합한 수용액(버퍼드 불산)을 사용하여도 좋다. 그리고, 레지스터등의 층을 필요하다면 제거한다.
또, 구멍(222)을 형성한 후 반도체 칩(220)의 소자를 형성하여도 좋지만, 구멍(222)이 있기 때문에 소자의 형성이 어려운 경우에는, 소자의 형성을 먼저 행한다.
그 밖의 구성에 대해서는, 제 1 실시예에서 설명한 내용을 적용할 수 있다. 본 실시예에 관련되는 광 모듈도, 수지 등에 의해서 패키지화할 수 있다. 또, 광 파이버(30)를 고정하는 충전재(54)는, 구멍(222)의 내부에도 충전하는 것이 바람직하다.
상술한 실시예에서는, 광 도파로로서 광 파이버를 사용하였지만, 시트형이나테이프형의 광 도파로를 사용하여도 좋다. 광 도파로는, 폴리이미드 수지로 형성하여도 좋다.
본 발명은 반도체 칩과의 접속이 불필요하게 되는 광 모듈 및 그 제조방법,반도체 장치 및 광 전달 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 광 소자 및 반도체 칩이 패키지화되어 있으며, 광 모듈에 반도체 칩이 내장되어 있다. 따라서, 광 모듈과 반도체 칩을 추가로 접속하는 것이 불필요하게 되고, 취급이 용이하게 되어 있다.
본 발명은 반도체 칩에 형성된 구멍에 의해서 광 도파로의 위치가 정해지기 때문에, 광 소자의 광학적 부분과 광 도파로의 단면의 위치 정밀도가 높아지고 있다.

Claims (28)

  1. 광 도파로와,
    광학적 부분을 가지고 이루어진 광 소자와,
    상기 광 소자에 전기적으로 접속하여 이루어진 반도체 칩을 포함하고,
    상기 광 소자 및 상기 반도체 칩이 패키지화 된 광 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 있고,
    상기 광 도파로는 상기 구멍에 삽입되어 있으며,
    상기 광 소자는 상기 광학적 부분과, 삽입된 상기 광 도파로의 한쪽의 단면이 대향하도록 배치된 광 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 구멍이 관통 구멍인 광 모듈.
  4. 제 3 항에 있에서, 상기 관통 구멍에 광 투과성을 갖는 밀봉재가 형성되어 이루어지는 광 모듈.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 소자와 상기 반도체 칩과의 사이에는 언더필재가 형성되어 있는 광 모듈.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 칩에는 배선 패턴이 형성되어 있고,
    상기 광 소자에는, 복수의 전극이 형성되어 있으며,
    상기 복수의 전극의 적어도 하나는, 상기 배선 패턴에 전기적으로 접속되어있는 광 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽을 지지하는 기판을 더 포함하는 광 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 기판은, 상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽의 열의 발산을 촉진하는 광 모듈.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 기판에 설치되어 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩의 적어도 한쪽에 전기적으로 접속된 외부단자를 더 갖는 광 모듈.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 칩 및 상기 광 소자가 수지로 밀봉되어 있는 광 모듈.
  11. 광학적 부분이 형성되어 이루어지는 광 소자와, 상기 광 소자에 전기적으로 접속하여 이루어지는 반도체 칩을 가지고, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩이 패키지화 되어 이루어지는 반도체 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 광 소자와 상기 반도체 칩이 적층되어 배치되어 이루어지는 반도체 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 이루어지고, 상기 광 소자는 상기 반도체 칩의 한쪽 면과, 상기 광학적 부분이 대향하도록 배치되며, 또한 상기 광 소자와 상기 반도체 칩이 적층되어 배치되어 이루어지는 반도체 장치.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 광 소자와 상기 반도체 칩이, 기판상에 나란히 배치되어 이루어지는 반도체 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 기판에는 구멍이 형성되어 이루어지고, 상기 광 소자는 상기 반도체 칩의 한쪽 면과, 상기 광학적 부분이 대향하도록 배치되며, 또한 상기 광 소자가 상기 기판상에 배치되어 이루어지는 반도체 장치.
  16. 광 도파로와,
    상기 광 도파로의 한쪽 단면에 발광부를 향하여 탑재된 발광 소자와,
    상기 발광 소자와 전기적으로 접속되어 상기 발광 소자와 패키지화 된 반도체 칩과,
    상기 광 도파로의 다른쪽 단면에 수광부를 향하여 탑재된 수광 소자와,
    상기 수광 소자와 전기적으로 접속되어 상기 수광 소자와 패키지화 된 반도체 칩을 포함하는 광 전달 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 발광 소자에 접속되는 플러그와,
    상기 수광 소자에 접속되는 플러그를 더 포함하는 광 전달 장치.
  18. 광 도파로와, 광학적 부분을 갖는 광 소자와, 반도체 칩을 적어도 갖는 광 모듈의 제조방법에 있어서,
    상기 광 소자와 상기 반도체 칩을 전기적으로 접속하는 공정과,
    상기 광 도파로와 상기 광 소자를, 상대적인 위치를 맞추어 배치하는 공정과,
    상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 패키지화 하는 공정을 포함하는 광 모듈의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 반도체 칩에는 배선 패턴이 형성되어 있고, 상기 광 소자는 복수의 전극을 가지며,
    상기 광 소자와 상기 반도체 칩을 전기적으로 접속하는 공정은, 상기 복수의 전극의 적어도 하나를 상기 배선 패턴에 접합하여 행하는 광 모듈의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 전극과 상기 배선 패턴을 납재로 접합하고, 용융된 납재의 표면 장력에 의해서, 상기 광 소자와 반도체 칩과의 위치맞춤이 행해지는 광 모듈의 제조방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 반도체 칩에는 구멍이 형성되어 있고,
    상기 광 도파로와 상기 광 소자를 상대적인 위치를 맞추어 배치하는 공정은, 상기 구멍에 상기 광 도파로를 삽입하는 공정을 포함하는 광 모듈의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 구멍을 레이저에 의해 형성하는 광 모듈의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 구멍을 에칭에 의해 형성하는 광 모듈의 제조방법.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 반도체 칩의 상기 구멍이 개구하는 영역에 이방성 에칭에 의해서 오목부를 형성하고, 레이저에 의해서 상기 오목부를 관통시키며, 상기 반도체 칩에 상기 구멍을 형성하는 공정을 더 포함하는 광 모듈의 제조방법.
  25. 제 19 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 칩과 상기 광 소자와의 사이에 언더필재를 충전하는 공정을 더 포함하는 광 모듈의 제조방법.
  26. 제 19 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 패키지화 하는 공정은, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩을 수지로 밀봉하여 행하는 광 모듈의 제조방법.
  27. 제 18 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 칩 및 상기 광 소자중 적어도 한쪽에 기판을 설치하는 공정을 더 포함하는 광 모듈의 제조방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 광 소자 및 상기 반도체 칩의 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되는 외부단자를, 상기 기판에 설치하는 공정을 더 포함하는 광 모듈의 제조방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044255A (ko) * 2001-11-29 2003-06-09 한국전자통신연구원 플립칩 본딩 광모듈 패키지 및 그 패키징 방법
KR20030049400A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 옵토밸리(주) 광소자 고정용 서브마운트 및 광소자 마운팅 방법
KR20030088249A (ko) * 2002-05-13 2003-11-19 주식회사 씨큐브디지탈 반도체 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20040050503A (ko) * 2002-12-10 2004-06-16 한국과학기술연구원 감광제를 이용한 광섬유 고정 정렬장치의 제조방법
KR101287117B1 (ko) * 2009-07-06 2013-07-17 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 광전기 복합 배선 모듈 및 그 제조 방법

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10032796A1 (de) * 2000-06-28 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Optomodul
DE10034865B4 (de) * 2000-07-18 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul
US6883977B2 (en) * 2000-12-14 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Optical device package for flip-chip mounting
JP3738824B2 (ja) * 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
TW527676B (en) * 2001-01-19 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photo-semiconductor module and method for manufacturing
JP2002250846A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2002329873A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュールおよび半導体装置
US20030086661A1 (en) * 2001-11-02 2003-05-08 Boudreau Robert A. Silicon waferboard
DE10209047A1 (de) * 2002-03-01 2003-12-18 Siemens Ag Faseroptisches Kommunikationsmodul und Verfahren zum Betreiben eines solchen Moduls
EP1754986B1 (en) 2002-04-01 2012-12-05 Ibiden Co., Ltd. Optical communication device and optical communication device manufacturing method
TW550770B (en) * 2002-06-20 2003-09-01 Advanced Semiconductor Eng Optical integrated circuit element package and process for making the same
US6935792B2 (en) * 2002-10-21 2005-08-30 General Electric Company Optoelectronic package and fabrication method
JP3740117B2 (ja) * 2002-11-13 2006-02-01 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
FR2848303B1 (fr) * 2002-12-09 2005-03-04 Commissariat Energie Atomique Arrangement optique a deux entrees/sorties optiques et un procede de fabrication
JP3928723B2 (ja) 2003-02-10 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 光素子と光ファイバとの結合構造、光素子と光ファイバとの結合方法、ならびに光モジュール
JP3900280B2 (ja) 2003-02-10 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 光素子と光ファイバとの結合構造、光素子と光ファイバとの結合方法、ならびに光モジュール
US6856717B2 (en) * 2003-03-24 2005-02-15 Hymite A/S Package with a light emitting device
US20050018981A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Jds Uniphase Corporation Receiver optical sub-assembly with reduced back reflection
JP2005044967A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Hitachi Cable Ltd 光素子付き電気回路素子
WO2005052666A1 (ja) * 2003-11-27 2005-06-09 Ibiden Co., Ltd. Ｉｃチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ｉｃチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法
JP2005197659A (ja) * 2003-12-08 2005-07-21 Sony Corp 光学装置及び画像生成装置
EP1548475B1 (en) * 2003-12-26 2011-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor module and method of manufacturing the same
JP3920264B2 (ja) * 2003-12-26 2007-05-30 株式会社東芝 光半導体モジュールの製造方法
JP2005252032A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ素子およびそれを用いたレーザモジュール
JP2005294494A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
US7036999B2 (en) * 2004-05-14 2006-05-02 Schroedinger Karl Optoelectronic module and optoelectronic system
JP2006030660A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板、半導体装置、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP4558400B2 (ja) * 2004-07-23 2010-10-06 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP4359201B2 (ja) * 2004-07-26 2009-11-04 シャープ株式会社 光半導体装置、光コネクタおよび電子機器
JP2006053266A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Toshiba Corp 光半導体モジュールとそれを用いた半導体装置
CN100426539C (zh) * 2005-05-19 2008-10-15 沈育浓 发光二极管封装体及其封装方法
US7786588B2 (en) * 2006-01-31 2010-08-31 International Business Machines Corporation Composite interconnect structure using injection molded solder technique
JP4367430B2 (ja) * 2006-04-14 2009-11-18 オムロン株式会社 光モジュール、光モジュールの製造方法、光伝送モジュール、および電子機器
GB2442991A (en) * 2006-07-11 2008-04-23 Firecomms Ltd Optical emitter assembly and mounting of surface-emitting optical devices
JP4406447B2 (ja) * 2007-05-31 2010-01-27 株式会社東芝 光モジュールおよびその製造方法
JP4404141B2 (ja) * 2008-01-07 2010-01-27 オムロン株式会社 光伝送モジュールの基板を補強する補強部品を備えた光伝送モジュールおよび該光伝送モジュールを備えた電子機器
JP5195087B2 (ja) * 2008-06-30 2013-05-08 富士通株式会社 光電気変換デバイス、光電気変換モジュールおよび光電気変換デバイスの製造方法
JP2010135513A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 実装体
TWI416701B (zh) * 2010-05-20 2013-11-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝結構
CN102263086B (zh) * 2010-05-28 2013-04-17 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装结构
US9341791B2 (en) * 2011-04-07 2016-05-17 Sony Corporation Optical module, manufacturing method of optical module and optical communication device
KR101801945B1 (ko) * 2011-08-09 2017-11-28 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩 및 이를 갖는 반도체 패키지
WO2013085497A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-13 Intel Corporation Semiconductor chip stacking assemblies
JP5996215B2 (ja) * 2012-02-28 2016-09-21 オリンパス株式会社 光電変換モジュールおよび光伝送ユニット
US8908299B2 (en) * 2012-03-08 2014-12-09 Tyco Electronics Corporation Molded optical component with inspection features
CN104246569A (zh) * 2012-04-16 2014-12-24 惠普发展公司，有限责任合伙企业 集成光学子组件
KR102008909B1 (ko) * 2012-05-04 2019-08-08 삼성전자주식회사 광 커넥터 및 이를 구비하는 스택 모듈
CN104111504B (zh) * 2013-04-19 2018-04-27 东莞飞思凌通信技术有限公司 光学通讯装置
WO2016117121A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 オリンパス株式会社 光伝送モジュールおよび内視鏡
US10403669B2 (en) * 2015-06-15 2019-09-03 Sony Corporation Semiconductor device and electronic device having a chip size package (CSP) stack
CN105403963B (zh) * 2015-12-07 2017-07-18 武汉电信器件有限公司 一种气密性并行传输光器件
US10001611B2 (en) * 2016-03-04 2018-06-19 Inphi Corporation Optical transceiver by FOWLP and DoP multichip integration
JP2018078148A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 株式会社東芝 光半導体モジュール
DE102016124270A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
US20220158736A1 (en) * 2019-02-27 2022-05-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Optical Module and Method of Fabrication
CN114981697A (zh) * 2020-01-21 2022-08-30 Tdk株式会社 集成光学装置、集成光学模块和集成光学装置的制造方法
CN112864113A (zh) * 2021-02-10 2021-05-28 华为技术有限公司 功率器件、功率器件组件与相关装置
US12100698B2 (en) * 2021-08-19 2024-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3566169D1 (en) * 1984-09-24 1988-12-15 Siemens Ag Opto-electronic device
JPS61100705A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd 光通信装置およびその製造方法
GB8522316D0 (en) * 1985-09-09 1985-10-16 British Telecomm Optical fibre termination
JPS6430274A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Kanematsu Semiconductor Kk Optical semiconductor element package
US4826272A (en) * 1987-08-27 1989-05-02 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Means for coupling an optical fiber to an opto-electronic device
US4890895A (en) * 1987-11-13 1990-01-02 Kopin Corporation Optoelectronic interconnections for III-V devices on silicon
US4989934A (en) * 1987-11-13 1991-02-05 Kopin Corporation Monolithic integrated transceiver of III-V devices on silicon
CA2019074C (en) * 1989-06-19 1993-06-01 Takayuki Masuko Photo-semiconductor module
JPH0331808A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Fujitsu Ltd 光半導体モジュール構造
EP0562211A1 (en) * 1992-03-25 1993-09-29 International Business Machines Corporation Self-aligning fiber couplers
EP0613032B1 (en) 1993-02-23 1999-01-20 The Whitaker Corporation Fiber optic coupling devices
US5345529A (en) * 1993-07-06 1994-09-06 At&T Bell Laboratories Method for assembly of an optical fiber connective device
US5416872A (en) * 1993-07-06 1995-05-16 At&T Corp. Arrangement for interconnecting an optical fiber an optoelectronic component
JPH0818163A (ja) * 1994-06-24 1996-01-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光装置
JPH08110443A (ja) 1994-10-12 1996-04-30 Nec Corp 光素子と光ファイバの結合方法
JP3658426B2 (ja) * 1995-01-23 2005-06-08 株式会社日立製作所 光半導体装置
US5625733A (en) * 1995-02-09 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Arrangement for interconnecting an optical fiber to an optical component
JPH08220368A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置モジュール
JPH09159882A (ja) 1995-12-08 1997-06-20 Nec Tohoku Ltd 光素子と光ファイバの結合構造及び結合方法
US5657409A (en) * 1996-03-28 1997-08-12 Motorola, Inc. Optoelectric interconnect and method for interconnecting an optical fiber with an optoelectric device
JPH09318834A (ja) 1996-05-29 1997-12-12 Fuji Electric Co Ltd 光ファイバ位置決め方法
JPH108300A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Acs:Kk 電解脱脂装置
JP3452733B2 (ja) 1996-08-13 2003-09-29 日本板硝子株式会社 回折型の光学素子の製造方法
US5763900A (en) 1996-12-05 1998-06-09 Taiwan Liton Electronic Co. Ltd. Infrared transceiver package
JP4289512B2 (ja) 1997-05-09 2009-07-01 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 有機レーザー
JPH10339824A (ja) 1997-06-06 1998-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール用プラットフォームとその製造方法
JP3191729B2 (ja) * 1997-07-03 2001-07-23 日本電気株式会社 光半導体モジュールとその製造方法
FR2767389B1 (fr) * 1997-08-18 1999-10-29 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur a moyen optoelectronique d'echanges a distance de signaux
EP1044488A1 (de) 1997-12-31 2000-10-18 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Laser mit einem organischen emittermaterial und verteilter rückkopplung
JP3355122B2 (ja) * 1998-01-08 2002-12-09 富士通株式会社 光モジュールの封止方法
DE19809696A1 (de) 1998-03-06 1999-09-09 Bayer Ag Kunststoff-Substrat für Festkörper-Laser
JPH11258467A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール用リードフレーム、光モジュールの製造方法、及び光モジュール
JP3931936B2 (ja) 1998-05-11 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置
US6011301A (en) * 1998-06-09 2000-01-04 Stmicroelectronics, Inc. Stress reduction for flip chip package
US6301401B1 (en) * 1999-04-02 2001-10-09 Convergence Technologies, Ltd. Electro-optical package for reducing parasitic effects
JP3758938B2 (ja) * 1999-06-16 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044255A (ko) * 2001-11-29 2003-06-09 한국전자통신연구원 플립칩 본딩 광모듈 패키지 및 그 패키징 방법
US6707161B2 (en) 2001-11-29 2004-03-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical module package of flip chip bonding
KR20030049400A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 옵토밸리(주) 광소자 고정용 서브마운트 및 광소자 마운팅 방법
KR20030088249A (ko) * 2002-05-13 2003-11-19 주식회사 씨큐브디지탈 반도체 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20040050503A (ko) * 2002-12-10 2004-06-16 한국과학기술연구원 감광제를 이용한 광섬유 고정 정렬장치의 제조방법
KR101287117B1 (ko) * 2009-07-06 2013-07-17 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 광전기 복합 배선 모듈 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001059923A (ja) 2001-03-06
TW531675B (en) 2003-05-11
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