KR20000012011A

KR20000012011A - 시료처리장치 및 시료처리방법

Info

Publication number: KR20000012011A
Application number: KR1019990030712A
Authority: KR
Inventors: 야나기타카즈타카; 요네하라타카오; 오오미카주아키; 사카구치키요후미
Original assignee: 미다라이 후지오; 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 1998-07-27
Filing date: 1999-07-27
Publication date: 2000-02-25

Abstract

본 발명은 분리층을 가지는 접착기판스택이 분리되는 경우 발생하는 결함을 방지한다. 다공질층(101b)을 가지는 접착기판스택(101)은 제 1 및 제 2공정의 2개의 스텝에서 분리된다. 제 1공정에서는, 미분리영역으로서 다공질층(101b)의 중심부를 남겨놓는 상태로 접착기판스택(101)을 부분적으로 분리하기 위해 접착기판스택(101)을 회전시키면서 다공질층(101b)에 제트를 분사한다. 제 2공정에서는, 접착기판스택(101)의 회전이 정지된 상태에서 다공질층(101b)에 제트를 분사한다. 접착기판스택(101)을 완전히 분리하기 위해 힘이 소정의 방향으로부터 미분리영역으로 인가된다. 또한, 다공질층(101b)을 가지는 접착기판스택(101)의 제 1영역(주변부)과 제 2영역(중심부)은 각각 제트와 초음파를 사용하여 분리된다. 더욱 상세하게는, 제 1영역은 접착기판스택(101)을 회전시키면서 노즐(102)로부터 분사된 제트에 의해 분리된다. 한편, 제 2영역은 초음파진동기(1203)에 의해 발생된 초음파에 의해 분리된다.

Description

시료처리장치 및 시료처리방법{SAMPLE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

발명의 분야

본 발명은 시료처리장치 및 시료처리방법, 더욱 상세하게는, 분리층을 가지는 시료를 처리하기에 적합한 시료처리장치 및 시료처리방법에 관한 것이다.

관련기술의 설명

SOI(Silicon On Insulator)구조를 가지는 기판(SOI기판)은 절연층위에 단결정Si층을 가지는 기판으로서 공지되어 있다. 이 SOI기판을 사용한 디바이스는 통상의 Si기판에 의해 달성될 수 없는 많은 이점을 가진다. 이점의 예는 이하와 같다.

(1) 유전체절연이 용이하므로 집적도가 증가될 수 있다.

(2) 방사저항이 증가될 수 있다.

(3) 기생커패시턴스가 작으므로 디바이스의 동작속도가 증가될 수 있다.

(4) 웰스텝이 불필요하다.

(5) 래치업이 방지될 수 있다.

(6) 완전한 공핍형 전계효과트랜지스터가 박막형성에 의해 형성될 수 있다.

SOI구조는 상기의 다양한 이점을 가지므로, 연구는 수년동안 SOI의 형성방법에 대해 행해졌다.

하나의 SOI기술로서, 단결정사파이어 기판위에 Si가 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 이종에피택셜 성장되는 SOS(Silicon On Sapphire)기술이 오랫동안 공지되어 왔다. 이 SOS기술은 가장 진보된 SOI기술로서 평판을 얻었다. 그러나, SOS기술은 예를 들면, Si층과 하부의 사파이어기판사이의 계면에서 격자부정합에 의해 많은 양의 결정결함이 발생하고, 사파이어기판을 형성하는 알루미늄이 Si층과 혼합되고, 기판이 비싸고, 대면적을 얻기 어렵기 때문에, 지금까지 실용화되지 않았다.

SIMOX(Separation by Ion Implanted Oxygen)기술이 SOS기술 다음에 나타났다. 이 SIMOX기술에 대해서는, 다양한 방법이 결정결함 또는 제조비용을 저감하기 위해 실시되었다. 이 방법은, 매립산화층을 형성하기 위해 기판내에 산소를 이온주입하는 방법, 산화막을 개재하여 2개의 웨이퍼를 접착하고 산화막상에 얇은 단결정Si층을 남기도록 하나의 웨이퍼를 연마하거나 에칭하는 방법, 및 산화막을 가지는 Si기판의 표면으로부터 소정의 깊이까지 수소를 이온주입하고, 이 기판을 다른 기판에 접착하고, 가열등에 의해 산화막상에 얇은 단결정Si층을 남기고, 접착기판중 하나(다른 기판)를 박리하는 방법을 포함한다.

본 출원은 일본특허공개공보 제 5-21338호에 새로운 SOI기술을 개시하였다. 이 기술에서, 다공질층을 가지는 단결정반도체기판위에 비다공질단결정층(단결정Si층 포함)을 형성함으로써 제조된 제 1기판은 절연층을 개재하여 제 2기판에 접착된다. 이후, 기판은 다공질층에서 분리됨으로써, 제 2기판으로 비다공질단결정층을 전사한다. 이 기술은, SOI층의 막두께균일성이 양호하고, SOI층내의 결정결함밀도가 감소될 수 있고, SOI층의 표면평면성이 양호하고, 특별한 사양을 가지는 고가의 제조장치가 불필요하고, 약 수백Å내지 10-㎛두께의 SOI막을 가지는 SOI기판이 단일의 제조장치에 의해 제조될 수 있으므로 유리하다.

본 출원은 또한 일본특허공개공보 제 7-302889호에, 제 1 및 제 2기판을 접착하고, 제 1기판을 파괴함이 없이 제 2기판으로부터 제 1기판을 분리하고, 분리된 제 1기판의 표면을 평탄화하고, 다시 다공질층을 형성하고, 다공질층을 재사용하는 기술을 개시하고 있다. 제 1기판이 낭비되지 않으므로, 이 기술은 제조비용을 대폭 저감시키고 제조공정을 간소화하는 이점이 있다.

상기 기술에서, 2개의 기판을 접착함으로써 얻어진 기판(이후 접착기판스택으로 칭함)이 다공질층에서 분리되는 경우, 이들은 높은 재생성을 가지고 이들에 어떠한 손상도 가함이 없이 분리되어야 한다.

도 1A 내지 도 1E는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 SOI기판을 제조하는 공정을 설명하는 도면

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 분리장치의 개략구성을 도시하는 도면

도 3은 접착기판스택을 일정속도로 회전시키면서 접착기판스택을 2개의 기판으로 분리하는 공정에 의해서 발생될 수 있는 결함을 개략적으로 도시하는 도면

도 4는 제 1모드의 제 1실시예에 의한 제 1공정에서 접착기판스택이 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 5는 제 1모드의 제 1실시예에 의한 제 2공정에서 접착기판스택이 완전히 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 6은 제 1모드의 제 1실시예에 의한 분리장치의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 7은 제 1모드의 제 2실시예에 의한 제 2공정에서 접착기판스택이 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 8은 제 1모드의 제 2실시예에 의한 제 2공정에서 접착기판스택이 완전히 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 9는 제 1모드의 제 2실시예에 의한 분리장치의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 10은 제 1모드의 제 3실시예에 의한 제 1공정에서 접착기판스택이 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 11은 제 1모드의 제 3실시예에 의한 분리장치의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 12는 제 1모드의 제 4실시예에 의한 제 1공정에서 접착기판스택이 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 13은 제 1모드의 제 4실시예에 의한 제 2공정에서 접착기판스택이 완전히 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면

도 14는 제 1모드의 제 4실시예에 의한 분리장치의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 15는 제 1모드의 제 5실시예에 의한 최종의 분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면

도 16은 제 1모드의 제 5실시예에 의한 최종의 분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면

도 17은 제 2공정을 위한 최종의 분리장치와 제 1공정을 위한 분리장치를 사용하는 분리처리의 흐름을 개략적으로 도시하는 흐름도

도 18은 제 2공정을 위한 최종의 분리장치와 제 1공정을 위한 분리장치를 가진 자동분리장치를 개략적으로 도시하는 평면도

도 19는 자동분리장치에 의한 분리처리를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 20A 내지 도 20E는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 의한 SOI기판을 제조하는 공정을 설명하는 도면

도 21은 본 발명의 제 2모드의 제 1 내지 제 3실시예에 의한 개량된 분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면

도 22는 제 2모드의 제 1실시예에서 제 1영역(예를 들면, 외주부)이 제트에 의해 분리된 후의 접착기판스택을 개략적으로 도시하는 도면

도 23은 도 21의 분리장치를 사용한 제 2모드의 제 1실시예에 의한 분리처리의 순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 24는 도 21의 분리장치를 사용한 제 2모드의 제 2실시예에 의한 분리처리의 순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 25는 도 21의 분리장치를 사용한 제 2모드의 제 3실시예에 의한 분리처리의 순서를 개략적으로 도시하는 흐름도

도 26은 본 발명의 제 2모드의 제 4실시예에 적용된 제 2분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도

도 27은 (제 2영역의 분리전에) 도 26에 도시된 카세트의 부품을 도시하는 확대도

도 28은 (제 2영역의 분리후에) 도 26에 도시된 카세트의 부품을 도시하는 확대도

도 29는 접착기판스택을 2개의 기판으로 분리하는 일련의 공정을 실행하는 제 2모드의 제 4실시예에 의한 처리시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 도면

도 30은 접착기판스택을 2개의 기판으로 분리하는 일련의 공정을 실행하는 제 2모드의 제 4실시예에 의한 처리시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 도면

도 31은 도 29 및 도 30에 도시된 처리시스템의 제어순서를 도시하는 흐름도

10: 제 1기판 11, 14: 단결정Si기판

12: 다공질Si층 13: 비다공질단결정Si층

15: 절연층 20: 제 2기판

100: 분리장치 101: 접착기판스택

101a, 101c: 기판 101b: 다공질층

101d, 101e: 결함 102: 노즐

103, 104: 회전축 103a, 104a: 회전밀봉부

103b, 104b: 진공라인 106: 노즐구동부

108, 111: 베어링 109: 지지테이블

110: 모터 112: 에어실린더

113: 밀봉부재 114: 펌프

120, 150: 기판유지부 181, 182: 흡입구멍

190, 700: 제어기 191: 실린더구동부

201, 204: 경계선 202: 미분리영역

203: 분리영역 300: 자동분리장치

310: 챔버 311: 대기위치

312: 이동경로 320: 셔터

331: 제 2언로더 332: 제 1언로더

333: 로더 334, 335, 336: 캐리어

340: 기판반송로보트 341: 로보트손

350: 최종분리장치 351: 쐐기

352, 355, 372: 실린더 353: 제 1지지부

354: 스테이지 356: 제 2지지부

361: 에어블로우유닛 370: 센터링유닛

371: 가이드부재 400: 제 2분리장치

401: 초음파조 402: 액체

403: 초음파원 410, 601, 602, 603: 카세트

411: 칸막이 412: 지지판

500: 건조로 701, 702, 703, 704: 로보트

1201:오실레이터 1203: 초음파진동기

1203a, 1203b, 1203e, 1203f: 신호라인 1203c, 1203d: 링

본 발명은 상기 상황을 고려하여 행해졌고, 분리층을 가지는 기판 등의 시료를 분리할 때 임의의 손상을 방지하기에 적합한 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

분리층을 가지는 기판 등의 시료가 분리되는 경우, 일부의 영역은 제 1공정에서 미분리영역으로서 남고, 다음에 제 2공정에서 시료를 완전히 분리하기 위해 소정의 방향으로부터 미분리영역에 힘이 인가됨으로써, 시료를 분리할 때 결함이 방지된다.

본 발명의 제 1 및 제 2측면에 의한 장치 및 방법은 제 1공정에 적합하다. 제 2공정에서의 분리조건은 제 2공정의 제어를 용이하게 하도록 제 1 및 제 2측면에 의한 장치 및 방법에 의해 균일하게 함으로써, 시료를 분리할 때 결함을 방지한다.

본 발명의 제 1측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 처리하는 시료처리장치에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료처리장치가 제공된다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 분리기구는 분리층에 유체를 분사하는 분사부를 가지고, 유체를 사용하여 시료를 부분적으로 분리한다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 분리기구는 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 분리기구는 미분리영역으로서 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 분리기구는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키는 구동기구와, 분리층에 유체를 분사하는 분사부를 구비하고, 시료는 구동기구에 의해 시료가 회전되면서 부분적으로 분리된다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 구동기구는 시료의 부분적인 분리처리의 초기단계에 낮은 속도로 시료를 회전시킨 다음 높은 속도로 시료를 회전시킨다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 구동기구는 시료를 부분적으로 분리할 때 시료의 회전속도를 점차적으로 또는 단계적으로 증가시키는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 구동기구는 시료를 부분적으로 분리할 때 시료의 회전속도를 변동시키는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 분사부는 샘플의 부분적인 분리처리의 초기단계에 높은 압력으로 유체를 분사한 다음 유체의 압력을 감소시킨다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 분사되는 유체의 압력을 점차적으로 또는 단계적으로 감소시키는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 분사되는 유체의 압력을 변동시키는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 평면방향으로 소정의 거리만큼 분리층의 중심으로부터 떨어진 위치에 유체를 분사하는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 미분리영역은 분리층이 부분적인 분리처리에 의해 분리되는 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성되는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성되는 것이 바람직하다.

제 1측면에 의한 시료처리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 2측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 처리하는 시료처리 방법에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 처리방법이 제공된다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층에 유체를 분사함으로써 부분적으로 분리되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 취약한 구조의 층을 분리층으로서 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 부분적으로 분리되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 부분적으로 분리되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사함으로써 부분적으로 분리되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 분리스텝의 초기단계에 낮은 속도로, 다음에 높은 속도로 회전되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 처리방법에서, 예를 들면 시료의 회전속도는 시료를 부분적으로 분리할 때 점차적으로 또는 단계적으로 증가되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료의 회전속도는 시료를 부분적으로 분리할 때 변동되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 고압의 유체가 시료의 부분적인 분리의 초기단계에 사용되고, 다음에 저압의 유체가 사용되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 분리에 사용되는 유체의 압력은 시료를 부분적으로 분리할 때 점차적으로 또는 단계적으로 감소되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 분리에 사용되는 유체의 압력은 시료를 부분적으로 분리할 때 변동되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 유체는 시료를 부분적으로 분리할 때 평면방향으로 소정의 거리만큼 분리층의 중심으로부터 떨어진 위치에 분사되는 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 미분리영역은 분리층이 분리처리에서 분리되는 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고, 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 2측면에 의한 시료처리방법에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 3측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 비분리영역으로서 남겨놓으면서 분리층에서 시료를 부분적으로 분리하는 제 1분리수단과, 제 1분리수단에 의해 처리된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리수단을 구비한 것을 특징으로 하는 분리장치가 제공된다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리수단은 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리수단은 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하고, 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료를 회전시킴이 없이 이 시료를 유지하고, 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리한다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료의 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하고, 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료의 회전을 거의 정지시키면서, 이 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아있는 미분리영역을 분리한다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리수단에 의해 처리된 후 남아 있는 미분리영역은 제 1분리수단에 의해 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 3측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 4측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 시료의 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키는 구동기구와, 분리층에 유체를 분사하는 분사부를 구비하고, 시료는 구동기구에 의해 시료를 회전시키고 분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 분사부로부터의 유체를 사용하여 분리층에서 부분적으로 분리되고, 시료의 회전을 거의 정지시키면서 분사부로부터의 유체를 사용하여 미분리영역을 분리함으로써 시료가 완전히 분리되는 것을 특징으로 하는 분리장치가 제공된다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 구조의 층을 분리층으로서 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료를 부분적으로 분리할 때, 대략 원형상영역은 미분리영역으로서 남아 있는 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료를 부분적으로 분리할 때, 대략 원형상영역은 분리층에 대략 중심부에 미분리영역으로서 남아 있는 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 부분적인 분리처리 후 남아 있는 미분리영역은 부분적인 분리처리에 의해 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성되는 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 4측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 5측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 제 1분리기구와, 제 1분리기구에 의한 분리처리에 의해 시료내에 형성된 갭에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치가 제공된다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리기구는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 2분리기구는 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 제 1분리기구에 의해 처리된 시료를 제 2분리기구로 반송하는 반송로보트를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 제 1분리기구 또는 제 2분리기구에 관해서 시료를 위치결정하는 위치결정기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리기구에 의한 처리후 남아 있는 미분리영역은 제 1분리기구에 의해 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성되는 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 5측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 6측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 분리층에서 부분적으로 분리된 시료를 부분적으로 유지함으로써 시료를 대략 휴지상태로 설정하는 유지기구와, 유지기구에 의해 유지된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치가 제공된다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 분리기구는 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료를 완전히 분리하는 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 분리기구는 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 미분리영역은 이미 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 6측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 7측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 제 1분리스텝과, 제 1분리스텝에서 처리된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1분리스텝은 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1분리스텝은 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어지고, 제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료를 회전시킴이 없이 이 시료를 유지하고, 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료의 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어지고, 제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료의 회전을 거의 정지시키면서 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1분리스텝후 남아 있는 미분리영역은 제 1분리스텝에서 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 7측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 8측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 분리층에서 부분적으로 분리된 시료를 부분적으로 유지함으로써, 시료를 대략 휴지상태로 설정하는 정지스텝과, 휴지상태의 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 8측면의 분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 미분리영역은 이미 분리된 영역보다 작은 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 8측면의 시료분리방법에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 9측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 분리층에 유체를 분사하여 분리층의 제 1영역을 주로 분리하는 제 1분리수단과 진동에너지를 사용하여 분리층의 제 2영역을 주로 분리하는 제 2분리수단을 구비하고, 시료는 제 1 및 제 2분리수단에 의해 분리층에서 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치가 제공된다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 분리층의 주변부에서의 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에서의 영역이다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 제 1영역을 주로 분리하는 것이 바람직하다.

바람직하게는, 예를 들면, 제 9측면에 의한 시료분리장치는 제 1 및 제 2분리수단에 의한 분리처리에서 시료를 지지하는 지지수단을 부가하여 구비하고, 제 2분리수단은 지지수단이 시료와 접촉하는 부분으로부터 진동에너지를 시료에 공급한다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 지지수단은 시료의 중심부 근처의 부분을 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가진다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 대략 바깥쪽에 위치하고, 제 2영역은 대략 지지면에 의해 가압된 영역이다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 2분리수단은 시료를 처리하는 처리탱크와 진동에너지를 발생하는 진동소스를 구비하고, 진동소스에 의해 발생된 진동에너지는 제 1분리수단에 의해 처리된 시료가 처리탱크내에 함침된 상태로 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 공급된다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 처리탱크는 시료가 진동에너지에 의해 완전히 분리되는 경우, 분리된 시료를 분할하는 분할수단을 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리수단은 먼저 제 1영역을 주로 분리한 다음, 제 2분리수단은 제 2영역을 주로 분리한다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 2분리수단은 먼저 제 2영역을 주로 분리한 다음, 제 1분리수단은 제 1영역을 주로 분리한다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1분리수단에 의한 분리처리와, 제 2분리수단에 의한 분리처리중 적어도 일부는 병행해서 행해지는 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 9측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서, 시료를 지지하는 지지부, 지지부에 의해 지지된 시료의 분리층에 유체를 분사하는 분사부 및 시료에 공급될 진동에너지를 발생하는 진동소스를 구비하고, 시료는 유체와 진동에너지에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치가 또한 제공된다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 지지부는 분리층에 수직인 축에 대해 샘플을 회전시키면서 시료를 지지하는 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 유체에 의해 분리층의 제 1영역을 주로 분리하기 위해 분사부가 유체를 분사하도록 하고, 진동에너지에 의해 분리층의 제 2영역을 주로 분리하기 위해 진동소스가 진동에너지를 발생하도록 하는 제어부를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제어부는, 먼저 유체에 의해 제 1영역을 주로 분리한 다음 진동에너지에 의해 제 2영역을 주로 분리하도록, 분사부와 진동소스를 제어하는 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제어부는 먼저 진동에너지에 의해 제 2영역을 주로 분리한 다음 유체에 의해 제 1영역을 주로 분리하도록, 분사부와 진동소스를 제어하는 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 제어부는 유체에 의한 시료의 분리처리와, 진동에너지에 의한 시료의 분리처리의 적어도 일부를 병행하여 행하도록, 분사부와 진동소스를 제어하는 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 분리층의 주변부에서의 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에서의 영역이다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 지지부는 시료의 중심부 근처의 부분을 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가진다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 바깥쪽 주변부상에 대략 위치하고, 제 2영역은 대략 지지면에 의해 가압된 영역이다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 진동소스는 지지부에 배치된 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 진동소스는 지지부가 시료와 접촉하는 지지부의 말단에 배치된 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서 바람직하게는, 예를 들면 분리장치는 시료를 처리하는 처리탱크를 부가하여 구비하고, 유체를 사용하여 시료를 분리하기 위해, 지지부에 의해 시료를 지지하면서 시료의 분리층에 유체가 분사되고, 진동에너지를 사용하여 시료를 분리하기 위해, 진동소스에 의해 발생된 진동에너지는 처리탱크내에 시료가 함침된 상태에서 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 공급된다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 처리탱크는, 시료가 진동에너지에 의해 완전히 분리되는 경우, 분리된 시료를 분할하는 분할부재를 가지는 것이 바람직히다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는 예를 들면 처리탱크내에서 처리된 시료를 건조시키는 건조노를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는 예를 들면 분리된 시료를 분류하는 분류기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는 예를 들면 지지부로부터 시료를 받고 처리탱크로 시료를 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 지지부로부터 복수의 시료를 순차로 수납하고, 하나의 카세트내에 복수의 시료를 순차로 저장하고, 처리탱크내에 카세트를 셋팅하는 반송기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 지지부, 처리탱크 및 건조노 사이에 시료를 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는, 예를 들면 지지부로부터 복수의 시료를 순차로 수납하고, 하나의 카세트내에 복수의 시료를 순차로 저장하고, 처리탱크내에 카세트를 함침시키고, 처리탱크내의 처리가 종료한 후 처리탱크로부터 카세트를 수납하고, 카세트를 건조노에 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치는 예를 들면 분리된 시료가 건조노내에서 건조된 후, 분리된 시료를 건조노로부터 인출하여 시료를 분류하는 분류기구를 부가하여 구비한 것이 바람직하다.

제 9측면에 의한 시료분리장치에서, 예를 들면 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 10측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 분리층의 제 1영역을 주로 분리하기 위해 분리층에 유체를 분사하는 제 1분리스텝과, 진동에너지를 사용하여 분리층의 제 2영역을 주로 분리하는 제 2분리스텝으로 이루어지고, 시료는 제 1 및 제 2분리스텝으로 분리층에서 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것이 바람직하다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 분리층의 주변부에서의 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에서의 영역이다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 제 1영역을 주로 분리하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 제 1 및 제 2분리스텝은 동일한 지지부에 의해 시료를 지지하는 것으로 이루어지고, 제 2분리스텝은 지지부가 시료와 접촉하는 부분으로부터 시료에 진동에너지를 공급하는 것으로 이루어진다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 지지부는 시료의 중심부 근처의 부분은 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가진다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 바깥측 주변부상에 대략 위치하고, 제 2영역은 대략 지지면에 의해 가압된 영역이다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 2분리스텝은 제 1분리스텝에서 처리된 시료를 처리탱크내에 함침하고, 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 진동에너지를 공급하는 것으로 이루어진 것이 바람직하다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 제 1분리스텝이 먼저 행해진 다음 제 2분리스텝이 행해진다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 바람직하게는, 예를 들면 제 2분리스텝이 먼저 행해진 다음 제 1분리스텝이 행해진다.

제 10측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1 및 제 2분리스텝중 적어도 일부는 병행하여 행해지는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 11측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 11측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리되는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 12측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료의 중심부 근처의 부분에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 12측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리되는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 13측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료에 진동에너지를 공급하고 시료내에 유체가 주입되어 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

본 발명의 제 14측면에 의하면, 분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서, 시료의 소정의 부분을 지지하면서 시료의 분리층에 유체를 분사함과 동시에 시료의 소정의 부분에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법이 제공된다.

제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리되는 것이 바람직하다.

제 10 내지 제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된다.

제 10 내지 제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 취약한 층은 다공질층으로 이루어진다.

제 10 내지 제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진다.

제 10 내지 제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된다.

제 10 내지 제 14측면에 의한 시료분리방법에서, 예를 들면 비다공질층을 단결정반도체층을 포함한다.

본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부도면과 함께 본 발명의 실시예의 이하 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1A 내지 도 1E는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 SOI기판을 제조하는 공정을 설명하는 도면이다.

도 1A에 도시된 공정에 있어서, 단결정Si기판(11)을 제조하고, 양극산화에 의해서 단결정Si기판의 표면상에 다공질Si층(12)을 형성한다. 도 1B에 도시된 공정에 있어서, 비다공질 단결정Si층(13)은 에피택셜성장에 의해서 다공질Si층상에 형성된다. 이 처리에 의해서 제 1기판이 형성된다.

도 1C에 도시된 공정에 있어서, 제 2기판(20)은 단결정Si기판(14)의 표면상에 절연층(예를 들면, SiO₂층)을 형성함으로써 제조된다. 제 1기판(10)과 제 2기판(20)은 비다공질단결정Si층(13)이 절연층(15)에 대향하도록 실온에서 서로 밀착되어 있다. 이후에, 제 1기판(10)과 제 2기판(20)은 영구적인 접착, 가압, 가열 또는 그 조합에 의해서 접착된다. 이 처리에 의해서, 비다공질단결정Si층(13)과 절연층(15)은 확고하게 접착된다. 절연층(15)은 상기 언급한 바와 같이 단결정Si기판(14)쪽이나 제 1 및 제 2기판이 서로 밀착될 때 도 1C에 도시된 상태를 얻을 수 있는 한 이후에 언급되는 바와 같이, 비다공질단결정Si층(13)이나 비다공질단결정Si층(13) 및 단결정Si기판(14)의 양쪽에 형성될 수 있다.

도 1D에 도시된 공정에 있어서, 접착기판은 다공질Si층(12)의 부분에서 분리된다. 제 2기판쪽(10"+20)은 다공질Si층(12")/단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(14)의 다층구조를 가진다. 제 1기판(10')쪽에는 다공질Si층(12')가 단결정Si기판(11)상에 형성된다.

분리후 기판(10')에 대해서, 잔류다공질Si층(12')은 제거되고, 표면은 필요에 따라 평탄화되어, 이 기판은 다른 제 1기판(10)을 형성하기 위해 단결정Si기판(11)으로 재사용된다.

접착기판스택의 분리 후에 도 1E에 도시된 공정에서는 제 2기판쪽(10"+20)의 표면상에 다공질층(12")이 선택적으로 제거된다. 이 처리에 의해서, 단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(14)의 다층구조를 가진 기판, 즉, SOI기판을 얻을 수 있다.

본 실시예에 있어서 도 1D에 도시된 공정의 적어도 일부에서 즉, 접착기판스택을 분리하는 처리에서, 분리층으로서, 다공질Si층에 액체나 가스(유체)를 분사해서 접착기판스택을 2개의 기판으로 분리하는 분리장치를 사용한다.

도 20A 내지 20E는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라서 SOI기판을 제조하는 공정을 설명하는 도면이다.

도 20A에 도시된 공정에 있어서, 단결정Si기판(11)을 제조하고, 다공질Si층(12)은 양극산화에 의해서 단결정Si기판의 표면상에 형성된다. 도 20B에 도시된 공정에 있어서, 비다공질단결정Si층(13)은 에피택셜성장에 의해 다공질Si층(12)상에 형성되고, 절연층(예를 들면 SiO₁층)(15)은 비다공질단결정Si층(13)상에 형성된다. 이 처리에 의해서 제 1기판(10)을 형성한다.

도 20C에 도시된 공정에서 제 2기판을 제조한다. 제 1기판(10)과 제 2기판은 실온에서 서로 밀착되어 절연층(15)은 제 2기판(14)과 대향한다. 이후에, 제 1기판(10)과 제 2기판(14)은 영구한 접착, 가압, 가열 또는 그 조합에 의해서 접착된다. 이 처리에 의해서, 절연층(15)과 제 2기판(14)은 확고하게 접착된다.

도 20D에 도시된 처리에서, 2개의 접착기판은 다공질Si층(12)의 부분에서 분리된다. 제 2기판쪽(10"+20)은 다공질Si층(12")/단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(14)의 다층구조를 가진다. 제 1기판(10')쪽에는 다공질Si층(12')이 단결정Si기판(11)상에 형성된다.

분리후 기판(10')에 대해서, 잔류다공질Si층(12')이 제거되고, 표면이 필요에 따라 평탄화되어, 기판은 다른 제 1기판(10)을 형성하기 위해 단결정Si기판(11)으로 재사용된다.

접착기판스택의 분리후에, 도 20E에 도시된 공정에서 제 2기판쪽(10"+20)의 표면상에 다공질층(12")은 선택적으로 제거된다. 이 처리에 의해서 단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(14)의 다음 구조를 가진 기판, 즉 SOI기판을 얻을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 도 20에 도시된 공정의 일부에서, 즉 접착기판스택을 분리하는 처리에서, 분리층으로서 다공질Si층에 액체나 가스(유체)를 분사하여 접착기판스택을 분리층에서 2개의 기판으로 분리하는 분리장치를 사용한다.

[분리장치의 기본구성]

이 분리장치는 워터제트방법을 사용한다. 일반적으로, 워터제트방법은 목표물에 고속고압의 증기수(고체재료를 절단하고 연마제를 첨가함)를 분사해서, 예를 들면 세라믹, 금속, 콘크리이트, 수지, 고무, 또는 목재를 절단하거나 처리하거나, 또는 표면에서 피복막을 제거하거나 표면을 세척한다("워터제트" Vol 1, No.1페이지 4(1984)). 종래에 워터제트방법은 절단, 처리, 피복막제거, 표면세척하기 위해 부분적으로 재료를 제거하였다.

이 분리장치는 접착기판스택의 취약한 구조로서 다공질층(분리영역)에 증기유체를 분사해서 다공질층을 선택적으로 파괴함으로써 다공질층에서 기판스택을 분리한다. 이 증기를 이후에 "제트"이라고 한다. 제트를 형성하는 유체는 "제트매체"라고 한다. 제트매체로서, 물, 알코올과 같은 유기용매, 불산이나 질산과 같은 산, 수산화칼륨과 같은 알칼리, 공기, 질소가스, 탄산가스, 희가스, 에칭가스와 같은 가스 또는 플라즈마를 사용할 수 있다.

이 분리장치가 반도체디바이스의 제조나 분리, 예를 들면 접착기판스택에 적용되면, 화소의 불순물금속류나 입자를 가진 순수한 물이 제트매체로서 바람직하게 사용된다.

이 분리장치에 있어서, 제트가 접착기판스택의 측면에 노출된 다공질층에 분사됨으로써 주변부에서 중심부로 다공질층을 제거한다. 이 방법에 의해서, 낮은 기계강도를 가진 접착기판스텍의 다공질층만 본체에 충격을 주지않고서 제거되고 접착기판스택은 2개의 기판으로 분리된다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 분리장치의 개략적인 구성을 도시하는 도면이다. 분리장치(100)는 진공척기구를 가진 기판유지부(120),(150)를 가진다. 기판유지부(120),(150)는 접착기판스택(101)을 양쪽에서 샌드위치해서 유지한다. 접착기판스택(101)은 취약한 구조부로서, 다공질층(101b)을 가진다. 분리장치(100)는 다공질층(101b)에서 접착기판스택(101)을 2개의 기판(101a),(101c)으로 분리한다. 예를 들면, 분리장치(100)에 있어서, 기판(101a)은 도 1C의 제 10기판(10)쪽에 설정되고, 기판(101c)은 도 1C의 제 2기판쪽(10"+20)에 설정된다.

기판유지부(120),(150)는 하나의 회전축에 위치된다. 기판유지부(120)는 베어링(108)을 개재해서 지지테이블(109)에 의해서 축상에 회전가능하게 회전축(104)의 일단부에 결합된다. 회전축(104)의 타단부는 모터(110)의 회전축에 결합되어 있다. 기판유지부(120)에 의해 진공흡착된 접착기판스택(101)은 모터(110)에 의해 발생된 회전력에 의해서 회전된다. 모터(110)는 제어기(190)에 의해서 제어되어 제어기(190)로부터 지령된 회전속도로 회전축(104)을 회전시키거나 정지시킨다.

기판유지부(150)는 베어링(111)을 개재하여 지지테이블(109)에 의해서 슬라이드가능하고 축상에 회전가능하게 지지된 회전축(103)의 일단부에 결합되어 있다. 회전축(103)의 타단부는 지지테이블(109)에 고정된 에어실린더(112)에 결합되어 있따. 에어실린더(112)는 제어기(190)에 의해 제어된 실린더구동부(191)에 의해 구동된다. 에어실린더(112)가 회전축(103)을 밀면, 접착기판스택(101)은 기판유지부(150)에 의해서 가압된다. 밀봉부재(113)는 지지테이블(109)에 고정되어, 회전축의 외표면을 커버한다. 밀봉부재(113)는 예를 들면 고무로 되어 있어, 제트매체가 베어링(111)쪽에서 유입되는 것을 방지한다.

기판유지부(120),(150)는 진공척기구로서 하나 또는 복수의 흡입구멍(181),(182)을 각각 가진다. 흡입구멍(181),(182)은 회전축(104),(103)을 개재하여 회전밀봉부(104a),(103a)와 각각 연통한다. 회전밀봉부(104a),(103a)는 진공라인(104b),(103b)에 각각 결합되어 있다. 진공라인(104b),(103b)은 접착기판스택(101)이나 분리된 기판의 탈착을 제어하는 솔레노이드밸브를 가진다. 솔레노이드밸브는 제어기(190)에 의해서 제어된다.

분리장치를 사용하는 기본분리처리와 이 처리의 문제점을 아래에 설명한다. 다음에, 분리장치(100)를 사용하는 개량된 분리처리는 본 발명의 제 1모드로서 설명한다. 개량된 분리장치와 분리처리를 본 발명의 제 2모드로서 다음에 설명한다.

[기본분리처리]

우선, 회전축(103)은 에어실린더(112)에서 끌어 당겨져서 적절한 거리만큼 기판유지부(120),(150)의 흡입부를 분리한다. 접착기판스택(101)은 반송로보트등에 의해서 기판유지부(120),(150)사이의 공간으로 반송되고, 접착기판스택의 중심과 회전축(104),(103)의 중심축이 정렬된다. 제어기(190)는 에어실린더(112)로 회전축(103)을 밀어서, 접착기판스택(101)은 가압되고 유지된다(도 2에 표시된 상태)

제어기(190)는 모터(110)를 제어해서 소정의 회전속도로 접착기판스택(101)을 회전시킨다. 회전축(104), 기판유지부(120), 접착기판스택(101), 기판유지부(150) 및 회전축(103)은 일체로 회전한다.

제어기(190)는 펌프(114)를 제어해서 노즐(102)에 제트매체(예를 들면, 물)를 보내고, 노즐(102)에서 분사된 제트가 안정될 때까지 대기한다. 제트가 안정되면, 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 노즐을 접착기판스택(101)의 중심으로 이동시켜서, 접착기판스택(101)의 다공질층(101b)으로 제트를 분사한다.

제트가 분사되면, 취약한 부분으로서 다공질층(101b)에 연속적으로 분사된 제트매체의 압력으로서 분리력은 접착기판스택(101)에 작용하여 기판(101a),(101c)을 결합한 다공질층(101b)을 파괴한다. 이 처리에 의해서 접착기판스택(101)은 예를 들면 수분내에 완전히 분리된다.

접착기판스택(101)이 2개의 기판으로 분리되면, 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고 다음에 펌프(114)의 동작을 정지시킨다. 또한, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)을 회전정지시킨다. 제어기(190)는 상기 언급한 솔레노이드밸브를 제어하여 기판유지부(120),(150)가 분리된 기판(101a),(101c)을 진공흡착하도록 한다.

다음에, 제어기(190)는 에어실린더(112)가 회전축(103)을 후퇴하도록 한다. 물리적으로 분리된 2개의 기판은 제트매체(예를 들면, 물)의 표면인장력을 파괴함으로써 서로 분리된다.

상기 언급한 분리처리에 따르면, 접착기판스택(101)은 기판의 최소의 충격이나 오염으로 효과적으로 분리될 수 있다. 따라서, 이 분리처리는 다른 유사한 재료나 접착기판스택의 분리에 매우 유망한 것이다. 그러나 다음의 문제는 미해결되어 있다.

(분리처리의 문제점)

도 3은 양쪽에서 접착기판스택의 중심부를 가압해서 유지하고 일정속도로 회전시키면서, 제트를 사용하여 접착기판스택을 2개의 기판으로 분리하는 처리 즉 상기 분리처리에 의해서 발생된 결함(101d),(101e)을 개략적으로 도시하는 도면이다. 결함(101d),(101e)은 접착기판스택(101)이 분리처리의 최종공정에 의해서 분리되는 부분에서 발생된다.

이러한 결함(101d),(101e)이 크면, 다공질층(도 3의 다공질층(101b) 또는 도 1C 및 도 20C의 다공질층(12))에 인접한 층(예를 들면, 도 1B 및 도 20B에 도시된 단결정Si층(13))이 충격을 받고, 분리된 기판은 다음공정에서(예를 들면, 도 1E 또는 도 20E에 도시된 공정) 사용될 수 없다.

결함(101d),(101e)은 아마 아래의 원인에 의거하여 발생된다.

접착기판스택(101)의 분리에 있어서, 첫째, 기판유지부(150)(에어실린더(112))에 의한 가압력은 접착기판스택(101)을 샌드위치하는 방향으로 접착기판스택(101)에 작용한다. 둘째, 접착기판스택(101)을 팽창시키는 힘(분리력)은 접착기판스택(101)을 분리해서 형성된 갭으로 주입된 제트매체에 기인해서 작용한다. 셋째, 접착기판스택(101)에서 다공질층(101b)의 접착력(분리력에 대향하는 반력)이 작용한다. 에어실린더(112)에 의한 가압력은, 대략 일정하게 유지된다. 한편, 접착기판스택의 분리영역이 넓어지면 분리력은 급격하게 증가한다. 자연적으로 미분리영역이 작아지면 접착력은 감소한다.

또한, 상기 분리처리는 기판유지부(120),(150)에 의해서 접착기판스택의 중심부를 유지하면서 실행된다. 이런 이유때문에, 접착기판스택(101)의 외주영역은 영역이 분리될 때 제트매체의 압력에 기인해서 상당히 구부러진다. 그러나 접착기판스택의 중심영역의 휨량은 작다. 휨량이 크면, 즉 접착기판스택(101)의 외주부가 분리되면, 분리력은 주로 미분리영역의 주위의 부분에 작용하고 점차적으로 분리를 진행한다. 한편, 휨량이 작으면, 즉 접착기판스택(101)의 중심부(기판유지부에 의해 유지된 영역)가 분리되면, 기판유지부는 후퇴하고, 분리력은 접착기판스택(101)의 전체중심부에 작용한다. 아마, 이런 이유때문에 미분리된 영역을 함께 필링하면서, 분리를 진행한다.

이런 가정에 따르면, 접착기판스택의 외주부가 분리될 때 (접착력)+(가압력)≫(분리력)의 관계가 유지된다. 접착기판스택에 과다한 분리력이 작용하지 않고, 분리력은 주로, 미분리영역의 주위의 부분에 작용한다. 따라서, 미분리영역은 약한 분리력과 제트충격에 의해서 점차 분리된다.

그러나, 분리를 진행하면, (접착력)+(가압력)＜(분리력)의 관계를 유지하고, 기판유지부(150)는 후퇴하기 시작한다. 이런 이유때문에 분리력은 접착기판스택에 더욱 효과적으로 작용해서 분리를 가속화한다. 분리처리의 최종단계에서, 즉 접착기판스택(101)의 중심부가 분리되면, 접착력이 약하기 때문에, (접착력)+(가압력)≪(분리력)의 관계를 유지하고 분리력이 급격하게 증가한다. 기판유지부(150)는 즉시 후퇴하고, 과다한 분리력이 미분리된 영역전체에 작용한다. 이때에 접착기판스택(101)이 제트충격에 의해서 최종적으로 분리될 뿐 아니라, 미분리영역전체가 분리력, 즉 접착기판스택을 분리해서 형성된 갭으로 주입된 제트매체가 접착기판스택을 팽창시키는 힘에 의해서 주로 함께 벗겨지는 경우가 가능하다.

요약하면, 상기 결함은 기판유지부에 의해 유지된 영역(상기 예에서의 중심부)이 분리력(제트매체의 압력)에 의해서 주로 분리되기 때문에 발생된다.

[제 1모드]

분리처리에 의해 결함을 감소시키는 개량된 분리처리는 본 발명의 제 1모드로서 아래에 설명된다.

본 발명자는 상기 결함이 아래의 방법에 의해서 감소될 수 있는 실험에 의거해서 발견하였다.

제 1공정에 있어서, 접착기판스택(101)은 부분적으로 분리되어 다공질층(101b)의 소정영역은 미분리영역으로 잔류한다. 바람직하게 미분리영역은 대략 원형이고, 바람직하게 미분리영역의 위치는 대략 접착기판스택의 중심부에 있다.

제 2공정에 있어서, 힘은 모든 방향으로부터가 아니라 소정의 방향으로부터 미분리영역에 인가되어, 접착기판스택(101)을 와전히 분리한다. 힘이 소정의 방향으로부터 미분리영역에 인가되면, 미분리영역의 주변부의 부분에 강한 분리력을 인가하고 잔류부분에 약한 분리력을 인가하면서 분리영역은 점차 넓어진다. 따라서, 미분리영역이 일시에 분리되는 경우와 비교하면, 분리된 영역의 결함은 효과적으로 방지될 수 있다.

이하, 개량된 분리처리의 바람직한 실시예를 설명한다.

(제 1실시예)

이 실시예에 있어서, 제 1공정에서 노즐(102)은 접착기판스택(101)의 중심으로 이동하고, 접착기판스택(101)의 주변부는 분리되고, 모터(110)에 의해서 접착기판스택(101)을 회전시키면서(예를 들면, 8rpm)중심부는 미분리영역으로 남는다. 제 1공정후에 잔류하는 미분리영역(202)의 형상과 위치가 다수의 접착기판스택에 대해서 균일해야 하기 때문에 기판스택(101)을 회전시키면서 분리처리를 행한다. 이 구성에 의해서, 접착기판스택(101)은 제 2공정에서 거의 동일한 조건하에서 처리될 수 있다.

도 4는 접착기판스택(101)이 이 실시예의 제 1공정에서 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 표시하는 도면이다. 도 4를 참조하면, (201)은 제 1공정동안 분리영역과 미분리영역사이의 경계선이다. 경계선(201)의 외부영역은 이미 분리된 영역이고, 경계선(201)내부영역은 미분리영역이다. 본 실시예의 제 1공정에 있어서, 접착기판스택(101)을 회전시키면서 분리처리를 진행하기 때문에, 경계선(201)의 자취는 나선형상이다. 해칭하지 않은 영역(202)은 제 1공정후에 잔류하는 미분리영역이다. 미분리영역(202)은 대략 원형상이고, 대략 접착기판스택(101)의 중심부에 위치한다. 해칭된 영역(203)은 제 1공정을 실행해서 분리된 영역(분리영역)이다. 바람직하게 미분리영역(202)은 분리영역(203)보다 작다.

제 1공정이 접착기판스택(101)을 회전시키면서 실행되면, 소망의 영역, 즉 접착기판스택(101)의 중심부는 미분리영역(202)으로서 잔류할 수 있다. 이 이유때문에 제 2공정은 대략 동일한 조건하에서 접착기판스택(101)에 대해서 실행할 수 있다.

제 2공정에 있어서, 미분리영역(202)은 접착기판스택(101)의 회전속도를 감소시키고, 회전을 거의 정지시키거나 (예를 들면 2rpm이하) 접착기판스택(101)의 회전을 완전히 정지시키면서 분리된다. 이 경우에, 힘은 소정방향에서 미분리영역(202)으로 인가될 수 있다. 가장 바람직하게는 접착기판스택(101)의 회전을 완전히 정지시킨다.

도 5는 접착기판스택(10)의 본 실시예의 제 2공정에서 왼전히 분리된 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 5를 참조하면 (204)는 제 2공정동안 분리영역과 미분리영역사이의 경계선을 도시한다.

접착기판스택(101)의 회전을 거의 정지시키면서 제트가 접착기판스택(101)의 갭에 분사되면, 힘은 소정방향에서 미분리영역(202)에 인가될 수 있다. 미분리영역(202)의 주변부의 부분에 강한 분리력을 인가하고 잔류부분에 약한 분리력을 인가하면서 분리영역이 점차 넓어지기 때문에 분리된 기판의 결함을 방지할 수 있다.

도 6은 본 실시예에 따른 분리장치의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)이 분리장치(100)에 설정된 후, 즉 접착기판스택(101)이 기판유지부(120),(150)에 의해서 유지된 후 실행된다.

스텝 S101내지 S104는 제 1공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어해서 소정의 회전속도로 접착기판스택(101)을 회전시킨다(S101). 회전속도는 바람직하게 약 4∼12rpm이고 더욱 바람직하게는 약 6∼10rpm이다. 본 실시예에 있어서 회전속도는 8rpm으로 설정되어 있다.

다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여, 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐(102)로부터 분사한다(S102). 다음에 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치(제트가 접착기판스택(101)에 충돌하지 않는 위치)에서 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S103). 접착기판스택(101)의 부분분리를 개시한다. 잔류된 미분리영역 이외의 영역이 분리된 후에 (예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(160)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시킨다(S104). 제 1공정을 종료한다.

스텝 S105 내지 S107은 제 2공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여, 접착기판스택(101)의 회전을 거의 정지시킨다(S105). 다음에, 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치에서 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S106). 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 분리를 개시한다. 접착기판스택(101)을 완전히 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고, 펌프(114)를 제어하여 제트분사를 정지시킨다(S107). 제 2공정을 종료한다.

(제 2실시예)

제 2실시예는 제 1공정후에 잔류한 미분리영역의 형상과 위치를 더욱 만족스럽게 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 실시예의 제 1공정은 노즐(102)이 접착기판스택(101)의 중심에 위치하고, 접착기판스택(101)을 모터(110)에 의해 회전시키면서 접착기판스택(101)의 주변부를 분리하고, 중심부를 미분리영역으로서 잔류하는 점에서 제 1실시예와 마찬가지이다.

그러나, 본 발명의 제 1공정은 접착기판스택(101)의 회전속도를 점차 또는 단계적으로 증가시키면서 접착기판스택(101)을 부분적으로 분리하는 점에서 제 1실시예와 다르다(2개의 스텝을 포함함). 예를 들면, 접착기판스택(101)이 분리개시후 약 1회전할 때까지 접착기판스택(101)은 저속으로 회전하고(제 1스텝), 이후에, 회전속도는 바람직하게 증가한다(제 2스텝).

제 1스텝에서 접착기판스택(101)의 회전속도는 예를 들면 바람직하게 약 4∼12rpm이고 더욱 바람직하게는 6∼10rpm이다. 본 실시예에 있어서 회전속도는 8rpm으로 설정되어 있다. 제 2스텝에서 접착기판스택(101)의 회전속도는 예를 들면 바람직하게 약 25∼35rpm이고 더욱 바람직하게 약 28∼32rpm이다. 본 실시예에 있어서 회전속도는 30rpm으로 설정되어 있다.

분리력이 초기단계에서 접착기판스택(101)에 효과적으로 작용할 수 없기 때문에 접착기판스택(101)은 제 1공정의 초기단계에서 저속으로 회전된다. 점대칭형상에 근사한 미분리영역이 고속에서 접착기판스택(101)을 회전시켜서 잔류할 수 있기 때문에 회전속도를 점차 또는 단계적으로 증가시키면서 제 1공정을 행한다.

도 7은 제 2실시예에 의한 제 1공정에서 접착기판스택(101)이 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 7에 도시된 예에 있어서 접착기판스택(101)은 약 1회전할 때까지 약 8rpm으로 회전하고, 이후에, 회전속도는 약 30rpm으로 증가된다.

본 실시예의 제 2공정은 제 1실시예와 마찬가지이다. 도 8은 접착기판스택(101)이 제 2실시예의 제 2공정에서 완전히 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다.

접착기판스택(101)의 회전속도가 제 1공정에서 점차 또는 단계적으로 증가하면, 제 1공정후에 남겨진 미분리영역(202)는 원형상에 근사하게 될 수 있고, 미분리영역(202)의 위치는 접착기판스택(101)의 중심과 매치될 수 있다. 이것은 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 형상이 더 균일할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서, 제 1실시예와 비교하면 제 2공정에서 발생된 결함은 감소될 수 있다.

도 9는 제 2실시예에 따른 분리장치(100)의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 흐름도에 표시된 처리는 접착기판스택(101)이 분리장치(100)에 설정된 후 실행된다.

스텝 S201 내지 S205는 제 1공정에 상당한다. 우선 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착리판스택((101)을 저속으로 회전시킨다(S201). 이때의 회전속도는 예를 들면 바람직하게 4∼12rpm이고, 더욱 바람직하게 6∼10rpm이다. 본 실시예에 있어서, 회전속도는 8rpm으로 설정된다.

다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐(102)로부터 분사한다(S202). 다음에 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치에서 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐을 이동시킨다(S203). 접착기판스택(101)의 부분분리를 개시한다.

제어기(190)는 접착기판스택(101)이 예를 들면 1회전만큼 회전할 때까지 대기하고 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)의 회전속도를 증가시킨다(S204). 이때 회전속도는 바람직하게 약 25∼35rpm이고, 더욱 바람지하게 약 28∼32rpm이다. 본 실시예에 있어서, 회전속도는 30rpm으로 설정된다.

잔류한 미분리영역(202)이외의 영역을 분리한 후(예를 들면 소정시간 경과후) 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 대기위치로 노즐(102)을 이동시킨다(S205). 제 1공정을 종료한다.

스텝 S206 내지 S208은 제 2공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여, 접착기판스택(101)의 회전을 거의 정지시킨다(S206). 다음에, 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 대기위치에서 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S207). 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 분리를 개시한다.

접착기판스택(101)을 완전히 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고, 펌프(114)를 제어하여 제트분사를 정지시킨다(S208). 제 2공정을 종료한다.

(제 3실시예)

제 3실시예는 또한 제 1공정후에 잔류한 미분리영역의 형상과 위치를 더욱 만족스럽게 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 실시예의 제 1공정은 노즐(102)이 접착기판스택(101)의 중심에 위치하고, 접착스판스택(101)을 모터(110)에 의해 회전시키면서 접착기판스택(101)의 주변부를 분리하고, 중심부가 미분리영역으로서 잔류하는 점에서 제 1실시예와 마찬가지이다. 그러나, 본 실시예의 제 1공정은 제트압력을 점차 또는 단계적으로 감소하면서 접착기판스택(101)을 부분적으로 분리하는 점에서 제 1실시예와 다르다(2개의 스텝에 포함함). 예를 들면, 분리개시후 접착기판스택(101)이 약 1회전만큼 회전할 때까지 제트압력은 높게 (예를 들면, 약 500㎏f/㎠)설정되고, 이후에 미분리영역으로서 잔류한 중심부가 분리되지 않는 제트압력(예를 들면, 약 220㎏f/㎠)이 설정된다.

초기단계에서 분리력이 접착기판스택(101)에 효과적으로 작용할 수 없기 때문에 제트압력은 제 1공정의 초기단계에서 높게 설정된다. 점대칭에 근사한 미분리영역이 낮은 제트압력을 소정해서 잔류할 수 있기 때문에 제트압력을 점차 또는 단계적으로 감소시키면서 제 1공정을 실행한다.

도 10은 접착기판스택(101)이 제 3실시예의 제 1공정에서 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 10에 표시된 예에 있어서, 접착기판스택(101)이 약 1회전만큼 회전할 때까지 제트압력은 500㎏f로 설정되고, 이후에, 제트압력은 220㎏f/㎠로 설정된다.

제 3실시예의 제 2공정은 제 1실시예와 마찬가지이다. 제 2공정에서 접착기판스택(101)의 분리는 대략 도 8에 도시된 바와 마찬가지이다.

제 1공정에서 제트압력이 점차 또는 단계적으로 감소되면, 제 1공정후에 잔류하는 미분리영역(202)은 원형상에 근사하게 될 수 있고, 미분리영역(202)의 위치는 접착기판스택의 중심과 매치될 수 있다. 이것은 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 형상이 다욱 균일하게 될 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 제 1실시예와 비교하면 제 1공정에서 발생된 결함은 감소될 수 있다.

도 11은 제 3실시예에 따른 분리장치(100)의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)이 분리장치(100)에 설정된 후 실행된다.

스텝 S301 내지 S305는 제 1공정에 상당한다. 우선 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)을 지속으로 회전시킨다(S301). 이때의 회전속도는 예를 들면 바람직하게 4∼12rpm이고, 더욱 바람직하게 6∼10rpm이다. 본 실시예에 있어서, 회전속도는 8rpm으로 설정된다.

다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 높은 압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐(102)로부터 분사한다(S302). 다음에 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치에서 접착된 기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐을 이동시킨다(S303). 접착기판스택(101)의 부분분리를 개시한다. 이후에 제어기(190)는 접착기판스택(101)이 예를 들면 1회전만큼 회전할때까지 대기하고, 펌프(114)를 제어하여 낮은 제트압력(예를 들면 220㎏f/㎠)을 설정한다.

잔류한 미분리영역(202)이외의 영역을 분리한 후(예를 들면 소정시간 경과후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 대기위치로 노즐(102)을 이동시킨다(S305). 제 1공정을 종료한다.

스텝 S306 내지 S309는 제 2공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여, 접착기판스택(101)의 회전을 거의 정시킨다(S306). 다음에 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 미분리영역(202)이 분리될 수 있는 높은 제트압력(예를 들면 500㎏f/㎠)을 설정한다(S307).

제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치에서, 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S308). 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 분리를 개시한다. 접착기판스택(101)을 완전히 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고, 펌프(114)를 제어하여 제트분사를 정지시킨다(S309). 제 2공정을 종료한다.

제 2 및 제 3실시예를 조합할 수 있다. 더욱 구체적으로 제 1공정에 있어서, 분리의 초기단계(예를 들면 제 1회전에 대해서)에서, 접착기판스택(101)을 저속으로 회전시키면서 접착기판스택(101)은 고압제트를 사용하여 분리된다. 이후에, 접착기판스택(101)의 회전속도를 점차 또는 단계적으로 증가시키는 동시에 제트압력을 점차 또는 단계적으로 감소시키면서 분리를 계속한다. 이 공정에 의해서, 제 1공정후에 잔류한, 미분리영역(202)은 더 균일해질 수 있다.

(제 4실시예)

제 4실시예는 제 1공정후에 잔류된 미분리영역의 형상과 위치를 더욱 만족스럽게 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 실시예의 제 1공정에서 노즐(102)은 소정거리(예를 들면 제트분사방향에 수직한 방향으로 20∼30㎜)만큼 접착기판스택(101)의 중심에서 변경된 위치에 설정되어 있고, 모터(110)에 의해 접착기판스택(101)을 회전시키면서(예를 들면 8rpm) 접착기판스택(101)의 주변부를 분리하고 중심부는 미분리영역으로 남는다. 제트가 접착기판스택(101)의 중심에서 변경된 위치로 분사되어 제 1공정후에 잔류하다. 다수의 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 형상과 위치를 더 균일하게 한다.

도 12는 접착기판스택(101)이 이 실시예의 제 1공정에서 부분적으로 분리되는 상태를 개략적으로 표시하는 도면이다. 도 12를 참조하면, (201)은 제 1공정동안 분리영역과 미분리영역사이의 경계선이다. 경계선(201)의 외부영역은 이미 분리된 영역이고, 경계선(201)내부영역은 미분리영역이다. 본 실시예의 제 1공정에 있어서, 접착기판스택(101)을 회전시키면서 분리처리를 진행하기 때문에, 경계선(201)의 자취는 나선형상이다. 해칭되지 않은 영역(202)은, 제 1공정후에 잔류하는 미분리영역이다. 제 1실시예와 비교하면 미분리영역(202)의 형상은 원형상에 근사하고, 중심은 접착기판스택(101)의 중심과 인접하다. 해칭된 영역(203)은 제 1공정을 실행해서 분리된 영역이다. 미분리영역(202)은 제 1실시예와 비교해서 제 1공정을 진행할 때 다공질층에 작용하는 분리력이 약하기 때문에 점대칭상에 근접하도록 될 수 있다.

본 실시예의 제 2공정은 제 1실시예와 마찬가지이다. 도 13은 접착기판스택(101)이 제 2공정에서 완전히 분리되는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 14은 본 실시예에 의한 분리장치(100)의 제어순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)이 분리장치(100)에 설정된 후, 즉 접착기판스택(101)이 기판유지부(120),(150)에 의해서 유지된 후 실행된다.

스텝S401 내지 S404는 제 1공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어해서 소정의 회전속도로(예를 들면 8rpm) 접착기판스택(101)을 회전시킨다(S401), 다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여, 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐(102)로부터 분사한다(S402). 다음에 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로부터 접착기판스택(101)의 중심축이 소정거리(예를 들면 20∼30㎜)만큼 수평방향으로 변경된 위치에서의 다공질층(101b)로 노즐(102)을 이동시킨다(S403). 접착기판스택(101)의 부분분리를 개시한다. 잔류된 미분리영역이외의 영역이 분리된 후에(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시킨다(S404). 제 1공정을 종료한다.

스텝S405 내지 S407은 제 2공정에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여, 접착기판스택(101)의 회전을 거의 중지시킨다(S405). 다음에, 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 대기위치에서, 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S406). 접착기판스택(101)의 미분리영역(202)의 분리를 개시한다. 접착기판스택(101)을 완전히 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고, 펌프(114)를 제어하여 제트분사를 정지시킨다(S407). 제 2공정을 종료한다.

상기 제 1 내지 제 4실시예에 있어서, 제 2공정은 제 1공정의 말단부에서 노즐(102)을 대기위치로 복구시키지 않고서 개시될 수 있다.

(제 5실시예)

제 5실시예는 제 2공정에서, 유체 대신에 쐐기를 사용하는 방법에 관한 것이다. 제 1공정으로서는 제 1 내지 제 4실시예중 하나의 제 1공정이 바람직하다.

도 15와 도 16은 제 2공정에 적합한(이후 최종분리장치라고 하는)분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 최종분리장치(350)는 제 1공정후 접착기판스택(101)의 소정위치를 지지하는 제 1 및 제 2지지부(353),(356)를 가진다. 예를 들면 지지위치는 접착기판스택의 주변부의 부분이 바람직하다.

제 1지지부(353)는 스테이지(354)상에 고정되어 있다. 제 2지지부(356)는 스테이지(354)상에 고정된 실린더(355)의 피스톤의 말단부에 고정되어 있다. 접착기판스택(101)이 최종분리장치(350)에 설정되면, 피스톤이 실린더(355)에서 후퇴하여 제 1지지부(353)와 제 2지지부(356)사이에 소정의 갭을 형성한다. 접착기판스택(101)이 갭에 삽입된 후, 실린더(355)는 실린더(355)로부터 밀려서 접착기판스택(101)이 제 2지지부(356)에 의해서 윗쪽으로부터 가압되어 유지된다.

예를 들면 고무로 형성된 탄성부재는 제 1지지부(353) 및/또는 제 2지지부(356)가 접착기판스택(101)과 접촉하는 위치에 설치되는 것이 바람직하다. 이런 구성에 의해서, 접착기판스택(101)의 분리를 용이하게 하고, 제 1지지부(353) 및 제 2지지부(356)에 의해 지지된 부분은 분리하는 동안 과다한 스트레스가 부여되는 것은 방지할 수 있다. 도 15 및 도 16에 도시된 예에 있어서, 탄성부재(357)는 제 2지지부(356)에 부착된다.

최종분리장치(350)는 소정방향에서 접착기판스택(101)에 힘을 인가하는 쐐기(351)를 가진다. 쐐기(351)는 실린더(352)에 의해 왕복이동한다. 더 구체적으로, 접착기판스택(101)을 분리하기 위해 쐐기(351)는 실린더(352)로부터 밀려서 도 16에 도시한 바와 같이, 접착기판스택(101)의 갭으로 쐐기(351)의 말단부를 삽입한다. 이런 동작에 의해서, 접착기판스택(101)의 미분리영역의 부분에 강한 분리력을 인가하고 나머지부분에 약한 분리력을 인가하면서, 분리영역이 점차 넓어질 수 있기 때문에, 분리된 기판의 결함을 방지할 수 있다.

도 17은 분리장치(100)와 최종분리장치(350)를 사용하는 분리처리의 흐름을 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 우선 접착기판스택(101)은 분리장치(100)에 설정된다(S501). 제 1 내지 제 4실시예중 하나의 제 1공정과 마찬가지의 공정에 의해서, 접착기판스택(101)은 미분리영역으로서 소정영역을 두면서 부분적으로 분리된다(S502). 제 1공정을 진행한 접착기판스택(101)은 최종분리장치(350)에 설정된다(S503). 접착기판스택(101)은 쐐기를 사용해서 완전히 분리된다(S504).

도 18은 분리장치(100)와 최종분리장치(350)를 가진 자동분리장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 자동분리장치(300)는 도 2에 도시된 분리장치(100)와, 도 15 및 도 16에 도시된 최종분리장치(350)와, 기판반송로보트(340)와, 로더(333)와, 제 1언로더(332)와, 제 2언로더(331)와, 센터링유닛과 에어블로우유닛(361)을 구비한다.

분리장치(100)는 챔버(310)에 배치되어 제트매체(예를 들면, 물)의 분산을 방지한다. 챔버(310)는 윈도우부분에서 셔터(320)를 가져서, 제 1공정 전후에 접착기판스택(101)을 로드/언로드한다.

분리처리전에, 미처리의 접착기판스택(101)을 저장하는 캐리어(336)는 로더(333)상에 위치하고, 분리된 기판을 저장하는 빈 캐리어(335),(334)는 제 1및 제 2언로더(332),(331)에 각각 위치된다.

센터링유닛(370)에 있어서, 접착기판스택(101)에 적합한 아치형 표면을 가진 가이드부재(371)는 실린더(372)에 의해서 밀려서 가이드부재(371)와 다른 가이드부재(373)사이에 접착기판스택(101)을 새드위치한다. 그래서, 접착기판스택(101)을 센터링한다. 센터링유닛(370)과 최종분리장치(350)는 일체로되어 있다. 이 이유때문에 제 1공정에서 처리된 접착기판스택(101)이 센터링되면, 접착기판스택(101)의 부분을 유지하면서 최종분리는 쐐기를 사용해서 행해질 수 있다. 도 18에서,도 15 및 도 16에 도시된 제 2지지부(356)등은 설명하지 않는다.

기판반송로보트(340)는 로보트손(341)으로 유지해서 접착기판스택(101)이나 각각의 분리된 기판을 반송한다. 로보트손(341)은 유지된 기판을 회전시키거나 수직으로 설정하는 기능을 가진다.

도 19는 자동분리장치(300)에 의한 박리처리를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(도시생략)에 의해서 제어된다. 이 처리는 미처리의 접착기판스택(101)을 저장하는 캐리어(336)가 로더(333)에 위치된 후에 실행되고, 분리된 기판을 저장하는 빈캐리어(335),(334)는 제 1 및 제 2언로더(332),(331)에 각각 위치된다.

우선, 접착기판스택(101)은 반송로보트(340)에 의해, 로더(333)상의 캐리어(336)로부터 인출되어 센터링유닛(370)에 의해 센터링된다(S601). 셔터(320)가 개방된다(S602). 센터링된 접착기판스택(101)의 표면은 로보트손을 90°회전시켜서 수직으로 설정되고, 접착기판스택(101)은 분리장치(100)에 설정된다(S603).

셔터(320)를 폐쇄한다(S604). 제트분사를 개시한다(S605). 노즐(102)은 이동경로(312)를 따라서 대기위치에서 접착기판스택(101)의 중심으로 이동하고, 제 1공정의 분리처리를 개시한다(S606). 제 1공정의 분리처리로서는 제 1 내지 제 4실시예중 하나의 제 1공정이 적절하다.

소정시간이 경과하고, 미분리영역으로서, 소정영역을 두면서 분리처리를 종료하면, 노즐(102)은 이동경로(312)를 따라서 대기위치(311)로 복귀하고(S607), 제트분사를 정지한다(S608).

셔터(320)를 개방한다(S609). 로보트손(341)은 분리장치(100)에서 접착기판스택(101)을 받는다. 접착기판스택(101)은 로보트손(341)을 90°회전시켜서 수직방향으로 설정하고, 최종분리장치(350)(센터링유닛(370))로 전달한다(S610). 셔터(320)를 개방한다(S611).

접착기판스택(101)은 센터링유닛(370)에 의해서 센터링되고, 제 1 및 제 2지지부재(353),(356),(도 15 및 도 16참조)에 의해서 유지된다(S612). 접착기판스택은, 이 접착기판스택(101)내의 갭에 쐐기(351)를 삽입해서 완전히 분리된다(S613). 분리시에 최종분리장치(350)와 센터링유닛(370)에서 발생된 먼지는 에어블로우유닛(361)에 의해서 제거된다(S614).

분리된 상부기판(101c)은 로보트손(341)(180°회전됨)에 의해서 회전되어, 언로터(332)상의 캐리어(335)에 저장된다(S615). 분리된 하부기판(101a)은 로보트손(341)에 의해서 언로더(331)상의 캐리어(334)에 저장된다.

상기 공정에 의해서, 하나의 접착기판스택(101)의 분리를 종료한다. 미처리의 접착기판스택(101)이 잔류하면, 상기 공정을 반복한다.

본 발명의 제 1모드에 따라서, 예를 들면 분리층을 가진 기판과 같은 시료의 분리시에 결함을 방지하기 위한 적절한 장치와 방법을 제공할 수 있다.

[제 2모드]

상기 문제를 해결하기 위한 개량된 분리장치 및 분리처리는 아래에 본 발명의 제 2모드로서 설명된다.

본 발명자는 아래의 방법에 의해서 상기 결함을 감소시킬 수 있는 실험에 의거해서 발견하였다.

다공질층(101b)의 제 1영역은 주로 제트를 사용해서, 분리되고, 접착된 기판의 제 2영역은 주로 진동에너지를 부여해서 분리되어 접착기판스택(101)을 완전히 분리한다. 바람직하게 제 1영역은 기판유지부(120),(150)가 접착기판스택(101)을 가압하는 영역외부의 영역(주변영역)이다. 바람직하게 제 2영역은 기판유지부(120),(150)가 접착기판스택(101)을 가압하는 영역, 즉 다공질층(101b)이 분리장치(100)에 의한 기본적인 분리처리에 의해서 일시에 벗겨지는 영역을 포함한다.

상기 언급한 바와 같이, 접착기판스택(110)의 제 1영역이 주로 제트를 사용해서 분리되면, 분리처리의 효율이 증가될 수 있다. 접착기판스택(101)의 제 2영역이 주로 진동에너지를 사용해서 분리되면, 상기 결함을 방지할 수 있다. 더 구체적으로, 제 2영역이 주로 진동에너지를 사용해서 분리되면, 제 2영역은 점차 분리될 수 있고, 상기 결함을 방지할 수 있다. 한편, 분리장치(100)에 의한 기본적인 분리처리와 마찬가지로, 소정속도로 접착기판스택을 회전시키면서 접착기판스택이 분리의 개시에서 종료까지, 소정압력을 가진 제트만을 사용해서 완전히 분리되면, 분리력은 최종단계에서 급격히 상승한다. 작은 미분리영역이 일시에 벗겨지기 때문에 결함이 발생될 수 있다.

제 1 및 제 2영역은 동시에 분리될 수 있다. 제 1영역이 먼저 분리되고 다음에 제 2영역이 분리된다. 반대로 제 2영역이 분리되고 다음에 제 1영역이 분리된다. 제 1 및 제 2영역의 분리처리는 하나의 장치나 다른 장치에 의해서 실행될 수 있다.

이하, 본 발명의 제 2모드에 따른 개량된 분리장치와 분리처리의 실시예를 설명한다.

(제 1실시예)

도 21은 본 발명의 제 2모드의 제 1실시예에 따른 개량된 분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 2에 도시된 분리장치와 마찬가지의 동일한 부호는 도 21의 동일한 부분을 도시하고 그에 대한 상세한 설명을 생략한다.

본 실시예의 분리장치(300)는 기판유지부(150)에 초음파진동기(1203)를 가진다. 초음파진동기(1203)는 오실레이터(1201)의 출력신호에 따라서 구동된다. 오실레이터(1201)의 출력신호는 말단부에 브러쉬를 가진 신호라인(1203e),(1203f), 브러쉬에 전기접속된 링(1203c),(1203d) 및 회전축(103)을 관통하는 신호라인(1203a),(1203b)을 개재해서, 초음파진동기(1203)에 공급된다. 오실레이터(1201)의 ON/OFF와 출력신호, 진폭 및 주파수는 제어기(190)에 의해서 제어된다.

도 23은 분리장치(300)를 사용한 제 1실시예에 따른 분리처리의 순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)이 분리장치(300)에 설정된 후에 실행된다.

제 1실시예에 따른 분리처리에 있어서, 우선, 접착기판스택(101)의 제 1영역은 접착기판스택(101)을 회전시키면서 제트에 의해서 분리된다. 다음에 접착기판스택(101)의 제 2영역은 초음파에 의해서 분리되어 접착기판스택(101)을 완전히 분리한다. 제 1영역은 대략 기판유지부(120),(150)에 의해 가압된 영역외부의 영역이다. 제 2영역은 기판유지부(120),(150)에 의해서 가압된 영역이다.

스텝S1101 내지 S1106은 제 1영역분리처리에 상당한다. 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여, 접착기판스택(101)을 소정의 회전속도(S1101)로 회전시킨다. 회전속도는 시간에 대해서 일정하거나 변동된다. 바람직하게, 회전속도는 제 1회전에 대해서 상대적으로 낮게(예를 들면 4∼12rpm) 설정되고 다음에 상대적으로 높게(예를 들면, 25∼35rpm) 설정된다.

다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐(102)로부터 분사한다(S1102).

제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로부터 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐(102)을 이동시킨다(S1103). 접착기판스택(101)의 제 1영역의 분리를 개시한다.

제 1영역이 분리된 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여, 노즐(102)을 대기위치로 이동시키고(S1104), 펌프(114)를 제어하여 제트분사를 정지시킨다(S1105). 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)의 회전을 정지시킨다(S1106).

도 22는 제 1영역이 제트에 의해서 분리된 후 접착기판스택(101)을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 22를 참조하면 (211)은 제트를 사용한 분리처리동안 아직 분리되지 않은 영역(미분리영역)과 이미 분리된 영역(분리영역)사이의 경계선이다. 이 실시예에 있어서, 접착기판스택(101)을 회전시키면서, 제 1영역이 제트에 의해서 분리되기 때문에, 경계선(211)의 자취는 나선형상이다. 해칭영역(213)은 제 1영역이고, 해칭이 없는 영역(212)은 제 2영역이다.

스텝S1107과 S1108은 제 2영역분리처리에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여 초음파진동기(1203)의 구동을 개시한다(S1107). 초음파진동기(1203)는 초음파(진동에너지)를 발생시키고, 이 초음파를 사용한 제 2영역의 분리를 개시한다. 제 2영역이 분리된 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여 초음파진동기(1203)의 동작을 정지시킨다(S1108). 접착기판스택(101)의 분리처리를 종료한다. 초음파를 사용한 제 2영역의 분리시에 접착기판스택(101)은 회전될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 제 1영역의 박리후에 잔류하는 제 2영역은 초음파를 사용하여 분리된다. 이 구성에 의하여 작은 미분리영역은 일시에 벗겨지는 것을 방지할 수 있고, 분리처리에 의한 결함을 방지할 수 있다.

또한, 이 실시예에 따르면 제트매체를 접착기판스택(101)에 존재시키면서 초음파를 부여한다. 제 2영역의 분리시에 제트매체는 다공질층(101b)을 파괴하는 매체로서 역할을 하고 이것이 분리처리를 효과적으로 진행하는 이유이다.

본 실시예에 있어서, 제 1 및 제 2영역은 하나의 분리장치(300)에 의해서 분리된다. 그 대신에, 제 1 및 제 2영역은 다른 분리장치를 사용해서 분리될 수 있다.

(제 2실시예)

제 2실시예는 도 21에 도시된 제 1실시예에 따른 분리장치(300)를 사용하고, 분리처리에서 제 1실시예와 다르다.

도 24는 분리장치(300)를 사용하는 제 2실시예에 따른 분리처리의 순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)을 분리장치(300)에 설정한 후에 실행된다.

제 2실시예에 따른 분리처리에 있어서, 우선 접착기판스택(101)의 제 2영역은 초음파를 사용하여 분리된다. 이후에, 접착기판스택(101)을 회전시키면서 접착된 제 1기판스택(101)의 제 1영역은 제트에 의해서 분리되어 접착기판스택(101)을 완전히 분리한다.

스텝 S1201과 S1202는 제 2영역분리처리에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여, 초음파진동기(1203)의 구동을 개시한다(S1201). 초음파진동기(1203)는 초음파를 발생시키고, 이 초음파를 사용한 제 2영역의 분리를 개시한다. 제 2영역을 분리한 후(예를 들면 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여 초음파진동기(1203)의 동작을 정지시킨다(S1202).

스텝S1203 내지 S1208은, 제 1영역분리처리에 상당한다. 우선, 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)을 소정의 회전속도로 회전시킨다(S1203). 접착기판스택(101)의 회전은 제 2영역의 분리개시전이나 제 2영역의 분리시에 개시될 수 있다.

다음에, 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐로부터 분사한다(S1204).

제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로부터, 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐을 이동시킨다(S1205). 접착기판스택(101)의 제 1영역의 분리를 개시한다.

제 1영역을 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고(S1206), 펌프(114)를 제어하여 제트의 분사를 정지시킨다(S1207). 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)의 회전을 정지시킨다(S1208).

제 2실시예에 따르면, 제 2영역(중심부)은 우선 초음파에 의해서 분리되고, 개시시부터 깨지기 쉬운 제 2영역에 인접한 주변부의 다공질층(101b)(링형상영역이라고 함)은 더 깨지기 쉽게 된다. 본 실시예에 있어서, 링형상영역은 제 1영역의 분리처리의 최종단계에서 분리된다. 이런 이유때문에, 링형상영역이 깨지기 쉽게 되면, 링형상영역은 제트에 의해서 용이하게 분리될 수 있고, 일시에 벗겨지는 것을 방지할 수 있다. 따라서 상기 언급된 기본분리장치에 의해 분리처리시에 발생될 수 있는 결함을 감소시킬 수 있다.

본 실시예에 있어서, 제 1 및 제 2영역은 하나의 분리장치(300)에 의해서 분리될 수 있다. 그러나 제 1 및 제 2영역은 다른 분리장치에 의해서 분리될 수 있다.

(제 3실시예)

제 3실시예는 도 21에 도시된 제 1실시예에 의한 분리장치(300)를 사용하고, 분리처리에서 제 1실시예와 다르다.

도 25는 분리장치(300)을 사용하는 제 3실시예에 의한 분리처리순서를 개략적으로 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(190)에 의해서 제어된다. 이 흐름도에 도시된 처리는 접착기판스택(101)을 분리장치(300)에 설정한 후에, 실행된다.

제 3실시예에 있어서, 제트를 사용한 제 1영역분리처리와 초음파를 사용한 제 2영역분리처리는 병행하여 실행된다. 이런 구성에 의해서, 접착기판스택을 완전히 분리하기 위해 필요한 시간을 단축시킬 수 있고, 처리량을 개선할 수 있다.

우선, 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여, 초음파진동기(1203)의 구동을 개시한다(S1301). 초음파진동기(1203)는 초음파를 발생시키고 이 초음파를 사용한 제 2영역의 분리를 개시한다.

다음에 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착된 기판스택(101)을 소정의 회전속도로 회전시킨다(S1302). 제어기(190)는 펌프(114)를 제어하여 소정압력(예를 들면, 500㎏f/㎠)을 가진 제트를 노즐로부터 분사한다(S1303).

제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로부터, 접착기판스택(101)의 중심축상의 다공질층(101b)으로 노즐을 이동시킨다(S1304). 접착기판스택(101)의 제 1영역의 분리를 개시한다.

제 1영역을 분리한 후(예를 들면, 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 노즐구동부(106)를 제어하여 대기위치로 노즐(102)을 이동시키고(S1305), 펌프(114)를 제어하여 제트의 분사를 정지시킨다(S1306). 제어기(190)는 모터(110)를 제어하여 접착기판스택(101)의 회전을 정지시킨다(S1307).

제 2영역을 분리한 후(예를 들면 소정시간 경과 후), 제어기(190)는 오실레이터(1201)를 제어하여 초음파진동기(1203)의 동작을 정지시키다(S1308).

본 실시예에 따르면, 제트에 의한 제 1영역분리처리와 초음파에 의한 제 2영역분리처리가 병행하여 실행되기 때문에, 접착기판스택(101)을 완전히 분리하기 위해 필요한 시간을 단축시킬 수 있고, 처리량을 개선할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따르면 접착기판스택(101)에 분사된 제트매체는 초음파를 전달하는 매체로서 역할을 하며 분리처리를 효과적으로 진행한다.

상기 스텝의 순서는 제 1영역분리처리를 위해 필요한 시간과 제 2영역분리처리를 위해 필요한 시간 사이의 관계를 고려해서 필요에 따라 변경될 수 있다.

상기 언급한 바와 같이, 제 3실시예에 따르면, 주로 초음파를 사용해서 제 2영역을 분리함으로써 분리처리시의 결함을 방지할 수 있다.

(제 4실시예)

제 4실시예에 있어서, 제 1영역은 도 2에 도시된 분리장치(제 1분리장치)(100)에 의해서 분리되고, 제 2영역은 초음파조를 가진 분리장치(제 2분리장치)에 의해서 분리된다. 도 21에 도시된 분리장치(300)는 이 분리장치(100) 대신에 사용될 수 있다.

도 26은 제 2분리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 제 2분리장치(400)는 초음파조(401)와 초음파원(403)을 가진다. 제 2영역이 분리되면 초음파조(401)에는 초음파전달매체로서 액체(예를 들면, 순수한 물)가 채워진다. 제 1영역이 분리된 하나 또는 복수의 접착기판스택(101)을 수납하는 카세트(410)를 초음파조(401)에 침지시킨다. 이 상태에서 초음파(진동에너지)가 초음파조(401)와 액체(402)를 개재하여 초음파원(403)에서 접착기판스택(101)에 전달되면 접착기판스택(101)의 제 2영역을 분리할 수 있다.

카세트(410)는 복수의 접착기판스택(101)을 지지하는 복수의 지지판(412)과 접착기판스택(101)을 2개의 기판으로 분리해서 얻어진 2개의 기판을 격리하는 복수의 칸막이(411)를 가진다. 칸막이(411)는 초음파조(401)의 하부에 설치되어 있고, 아랫쪽을 향해서 넓은 날카로운상부(말단부)를 형성한 쐐기형상을 가진다. 카세트(410)내에 접착기판스택(101)을 설정하기 위해 각각의 접착기판스택(101)의 측면내의 홈(즉, 2개의 기판이 접착되어 접착기판스택(101)을 형성하는 부분)은 칸막이(411)의 말단부와 걸어맞추어 진다.

도 27 및 도 28은 도 26에 도시된 카세트(410)의 부분을 도시하는 확대도이다. 도 27은 접착기판스택(101)의 제 2영역이 분리되기 전의 상태를 도시한다. 도 28은 접착기판스택(101)의 제 2영역이 분리된 후의 상태를 도시한다.

접착기판스택의 제 2영역이 초음파전달매체(402)를 개재해서 부여된 초음파에 의해서 분리되면, 접착기판스택(101)은 완전히 분리된다. 도 28에 도시된 바와 같이, 분리된 기판은 칸막이(411)의 측벽을 따라서 자중에 의해서 떨어지고 서로 분리된다.

도 29 및 도 30은 다공질층(101b)에서 접착기판스택(101)을 2개의 기판으로 분리하는 일련의 공정을 실행하는 처리시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 31은, 도 29 및 도 30에 도시된 처리시스템의 제어순서를 도시하는 흐름도이다. 이 흐름도에 도시된 처리는 제어기(700)에 의해서 제어된다.

이 처리시스템은 도 2에 도시된 제 1분리장치(100), 도 26에 도시된 제 2분리장치(400), 건조로(예를 들면, IPA증기건조기유닛)(500), 제어기(700), 기판을 반송하는 로보트(701),(703),(704), 카세트(410)를 반송하는 로보트(702)를 구비한다.

이 처리시스템에 의한 처리전에 하나 또는 복수의 접착기판스택(101)(예를 들면, 도 1C 또는 도 20C에 도시된 기판)을 수납하는 카세트(601)와 분리된 기판을 수납하는 카세트(602),(603)는 소정의 위치에 설정되어 있다.

이 상태에 있어서, 제어기(700)의 제어하에서 로보트(701)는 카세트(601)에서 하나의 접착기판스택(101)을 꺼내어 분리장치(100)에 이 접착기판스택을 설정한다(S1401). 다음에 제어기(700)의 제어하에서 분리장치(100)는 제트를 사용해서 접착기판스택(101)의 제 1영역(이 경우에는 주변부)을 분리한다(S1402). 제어기(700)의 제어하에서 로보트(701)는 분리장치(100)로부터 접착기판스택(101)을 받아서 카세트(410)에 접착기판스택(101)을 수납하여 접착기판스택(101)의 측면의 홈이 카세트(410)내의 칸막이(411)의 말단과 걸어맞추게 된다(S1403).

제어기(700)는 소정수의 접착기판스택(101)이 분리장치(100)에 의해서 처리되고 카세트(410)내에 수납되었는 지를 판정한다(S1404). 스텝S1404에서 NO로 되면 스텝S1401 내지 스텝 S1403의 처리를 반복한다.

스텝 S1404에서 YES이면, 제어기(700)이 제어하에서 로보트(702)는 소정수의 접착기판스택(101)을 수납한 카세트(410)를 제 2분리장치(400)의 세척조에 침지한다(S1405).

다음에, 제어기(700)의 제어하에서 제 2분리장치(400)는 초음파를 사용하여 각각의 접착기판스택(101)의 제 2영역(이 경우에는 중심부)을 분리한다(S1406). 이 처리에 의해서 각각의 기판스택(101)은 완전히 분리된다.

제어기(700)의 제어하에서, 로보트(702)는 제 2분리장치(400)의 초음파조에서 카세트(410)를 꺼내어 건조노(500)에 이 카세트(410)를 위치시킨다(S1407). 다음에 제어기(700)의 제어하에서, 건조노(500)는 카세트에 수납된 기판을 건조한다(S1408).

제어기(700)의 제어하에서, 로보트(702)는 건조노(500)에서 카세트(410)를 꺼내어 소정위치로 이 카세트(410)를 반송한다(S1409). 제어기(700)의 제어하에서, 로보트(703)는 하나의 분리된 기판(예를 들면, 도 1D에 도시된(10'))의 하부면을 흡착해서 카세트(410)로부터 기판을 꺼내어서, 카세트(602)내에 수납한다. 로보트(704)는 다른 하나의 분리된 기판(예를 들면, 도 1E에 도시된 (10"+20))의 하부면을 흡착해서 카세트(410)로부터 기판을 꺼내어서 카세트(603)에 수납한다(S1410).

상기의 방식으로 분리된 2개기판중 하나(예를 들면, 도 1D의 도시된 (10'))에 대해서는 표면상의 다공질층을 제거해서 다른 제 1기판을 형성하기 위한 단결정Si기판(예를 들면, 도 1B의 도시된(10))으로서 이 기판을 사용할 수 있다(도 1A 내지 도 1E참조). 한편, 분리된 기판의 다른 하나(예를 들면, 도 1D에 도시된 (10"+20))에 대해서는 표면상의 다공질층을 선택적으로 제거해서 이 기판을 SOI기판으로서 사용한다(도 1A 내지 도 1E참조).

제 4실시예에 따르면 초음파를 사용하여 액체내에서 제 2영역을 분리함으로써 분리시의 결함을 방지할 수 있다. 또한, 제 4실시예에 따르면, 복수의 접착기판스택의 제 2영역이 일시에 분리되기 때문에, 전체처리시간을 단축할 수 있고 처리량을 개선할 수 있다. 더욱이, 제 4실시예에 따르면 제 2영역이 초음파조내에서 분리되기 때문에 제 1영역분리처리에 의해 발생된 먼지는 기판표면에서 제거될 수 있다.

본 발명의 제 2모드에 따라서, 예를 들면 분리층을 가진 기판과 같은 샘플의 분리시에 결함을 방지하기 위해 적절한 장치와 방법을 제공할 수 있다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 각종 변형과 수정은 본 발명의 사상과 범위내에서 이루어질 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위의 공중에게 알리기 위해 다음의 청구범위를 작성하였다.

본 발명에 의하면, 예를 들면 내부에 분리용의 층을 가지는 기판 등의 시료를 분리할 때에 결함이 발생하는 것을 방지하는데 적합한 장치 및 방법을 제공할 수 있다.

Claims

분리층을 가지는 시료를 처리하는 시료처리장치에 있어서,

분리층의 소정영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항에 있어서, 상기 분리기구는 분리층에 유체를 분사하는 분사부를 가지고 유체를 사용하여 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리기구는 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리기구는 미분리영역으로서 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료처리장치
제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리기구는,

분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키는 구동기구와,

분리층에 유체를 분사하는 분사부와를 구비하고,

시료는, 상기 구동기구에 의해 시료를 회전시키면서, 부분적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 구동기구는 시료를 부분적으로 분리처리하는 초기단계에서 저속으로 시료를 회전시킨 다음에, 고속으로 시료를 회전시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 구동기구는 시료를 부분적으로 분리할 때 시료의 회전속도를 검차적으로 또는 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 구동기구는 시료를 부분적으로 분리할 때 시료의 회전속도를 변동시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 분리부는 시료의 부분적인 분리처리의 초기단계에서 고압으로 유체를 분사한 다음 유체의 압력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 분사될 유체의 압력을 점차적으로 또는 단계적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 분사될 유체의 압력을 변화시키는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 분사부는 시료를 부분적으로 분리할 때 평면방향으로 소정의 거리만큼 분리층의 중심으로부터 떨어진 위치에 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항 내지 제 13항중 어느 한 항에 있어서, 미분리영역은 분리층이 부분적인 분리처리에 의해 분리되는 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 1항 내지 제 14항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 15항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 16항 또는 제 17항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 17항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
제 18항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료처리장치.
분리층을 가지는 시료를 처리하는 시료처리방법에 있어서,

분리층의 소정영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 분리스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항 또는 제 21항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 처리방법.
제 20항 내지 제 22항중 어느 한 항에 있어서, 분리스텝은 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항 내지 제 23항중 어느 한 항에 있어서, 분리스텝은 미분리영역으로서 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항 내지 제 24항중 어느 한 항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 시료는 분리스텝의 초기단계에 저속으로, 다음에 고속으로 회전되는 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 시료의 회전속도를 점차적으로 또는 단계적으로 증가시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 시료의 회전속도를 변동시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 초기단계에서 고압의 유체를 사용하고 다음에 저압의 유체를 사용하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 분리를 위해 사용될 유체의 압력을 점차적으로 또는 단계적으로 감소시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 분리를 위해 사용될 유체의 압력을 변화시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 25항에 있어서, 분리스텝은 평면방향으로 소정의 거리만큼 분리층의 중심으로부터 떨어진 위치에 유체를 분사하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항 내지 제 32항중 어느 한 항에 있어서, 미분리영역은 분리층이 분리스텝에서 분리되는 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 20항 내지 제 33항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 34항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 34항 또는 제 35항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 36항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
제 37항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료처리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

분리층의 소정영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 제 1분리수단과;

상기 제 1분리수단에 의해 처리된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리수단을 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 또는 제 40항에 있어서, 상기 제 1분리수단은 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 또는 제 40항에 있어서, 상기 제 1분리수단은 미분리영역으로서 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 내지 제 42항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하고,

상기 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료를 회전시킴이 없이 이 시료를 유지하고 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 내지 제 42항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료의 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하고, 상기 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료의 회전을 거의 정지시키면서 이 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 내지 제 42항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2분리수단은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 내지 제 45항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1분리수단에 의해 처리된 후 남아 있는 미분리영역은 상기 제 1분리수단에 의해 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 39항 내지 제 46항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 47항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 49항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 50항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

시료의 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키는 구동기구와;

분리층에 유체를 분사하는 분사부와를 구비하고,

시료는 상기 구동기구에 의해 시료를 회전시키고 분리층의 소정영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 상기 분사부로부터의 유체를 사용하여 분리층에서 부분적으로 분리되고,

시료의 회전을 거의 정지시키면서 상기 분사부로부터의 유체를 사용하여 미분리영역을 분리함으로써 시료는 완전히 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 52항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 52항 또는 제 53항에 있어서, 시료를 부분적으로 분리할 때, 대략 원형상영역이 미분리영역으로서 남는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 52항 또는 제 53항에 있어서, 시료를 부분적으로 분리할 때, 대략 원형상영역이 분리층의 대략 중심부에 미분리영역으로서 남는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 52항 내지 제 55항중 어느 한 항에 있어서, 부분적인 분리처리 후 남아 있는 미분리영역은 부분적인 분리처리에 의해 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 52항 내지 제 56항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 57항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 57항 또는 제 58항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 59항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 60항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 제 1분리기구와;

상기 제 1분리기구에 의한 분리처리에 의해 시료내에 형성된 갭에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 62항에 있어서, 상기 제 1분리기구는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 62항 또는 제 63항에 있어서, 상기 제 2분리기구는 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 62항 내지 제 64항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1분리기구에 의해 처리된 시료를 상기 제 2분리기구로 반송하는 반송로보트를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 65항에 있어서, 상기 제 1분리기구 또는 상기 제 2분리기구에 관해서 시료를 위치결정하는 위치결정기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 62항 내지 제 66항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1분리기구에 의해 처리된 후 남아 있는 미분리영역은 상기 제 1분리기구에 의해 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 62항 내지 제 67항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 68항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 68항 또는 제 69항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 70항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 71항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

분리층의 소정의 영역을 미분리층으로서 남겨놓으면서 분리층에서 부분적으로 분리된 시료를 부분적으로 유지함으로써, 시료를 대략 휴지상태로 설정하는 유지기구와;

상기 유지기구에 의해 유지된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 분리기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 73항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 73항 또는 제 74항에 있어서, 상기 분리기구는 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료를 완전히 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 73항 또는 제 74항에 있어서, 상기 분리기구는 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 73항 내지 제 76항중 어느 한 항에 있어서, 미분리영역은 이미 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 73항 내지 제 77항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 78항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 78항 또는 제 79항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 80항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 81항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 분리층에서 부분적으로 분리하는 제 1분리스텝과;

제 1분리스텝에서 처리된 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 제 2분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 또는 제 84항에 있어서, 제 1분리스텝은 미분리영역으로서 대략 원형상영역을 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 또는 제 84항에 있어서, 제 1분리스텝은 분리층의 대략 중심부에 대략 원형상영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 내지 제 86항중 어느 한 항에 있어서,

제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어지고,

제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료를 회전시킴이 없이 이 시료를 유지하고 시료내의 갭에 유체를 분사하여, 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 내지 제 86항중 어느 한 항에 있어서,

제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료의 분리층에 유체를 분사하여 시료를 부분적으로 분리하는 것으로 이루어지고,

제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료의 회전을 거의 정지시키면서 이 시료내의 갭에 유체를 분사하여, 시료내에 남아 있는 미분리영역을 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 내지 제 86항중 어느 한 항에 있어서,

제 2분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 내지 제 89항중 어느 한 항에 있어서,

제 1분리스텝후 남아 있는 미분리영역은 제 1분리스텝에서 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 83항 내지 제 90항중 어느 한 항에 있어서,

시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 91항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 분리방법.
제 91항 또는 제 92항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 93항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 94항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

분리층의 소정의 영역을 미분리영역으로서 남겨놓으면서 분리층에서 부분적으로 분리된 시료를 부분적으로 유지함으로써 시료를 대략 휴지상태로 설정하는 정지스텝과;

유지상태에 있는 시료의 미분리영역에 소정의 방향으로부터 힘을 인가하여 시료를 완전히 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 96항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 96항 또는 제 97항에 있어서, 분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 유체를 분사하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 96항 또는 제 97항에 있어서, 분리스텝은 부분적인 분리처리에 의해 형성된 시료내의 갭에 쐐기를 삽입하여 시료를 완전히 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 96항 내지 제 99항중 어느 한 항에 있어서, 미분리영역은 이미 분리된 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 96항 내지 제 100항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 101항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 101항 또는 제 102항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 103항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 104항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 39항 내지 제 82항중 어느 한 항에 기재된 분리장치를 몇몇 공정에 적용함으로써 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
제 39항 내지 제 82항중 어느 한 항에 기재된 분리장치를 몇몇 공정에 적용함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 반도체기판.
제 83항 내지 제 105항중 어느 한 항에 기재된 분리방법을 몇몇 공정에 적용함으로써 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
제 83항 내지 제 105항중 어느 한 항에 기재된 분리방법에 의해 분리된 것을 특징으로 하는 반도체기판.
제 83항 내지 제 105항중 어느 한 항에 기재된 분리방법을 몇몇 공정에 적용함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 반도체기판.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

분리층에 유체를 분사하여 분리층의 제 1영역을 주로 분리하는 제 1분리수단과;

진동에너지를 사용하여 분리층의 제 2영역을 주로 분리하는 제 2분리수단으로 이루어지고,

시료는 상기 제 1 및 제 2분리수단에 의해 분리층에서 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 또는 제 112항에 있어서,

제 1영역은 분리층의 주변부에 있는 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에 있는 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 113항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1분리수단은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 제 1영역을 주로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 114항중 어느 한 항에 있어서,

상기 분리장치는 상기 제 1 및 제 2분리수단에 의한 분리처리에서 시료를 지지하는 지지수단을 부가하여 구비하고,

상기 제 2분리수단은 상기 지지수단이 시료와 접촉되어 있는 영역으로부터 시료로 진동에너지를 공급하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 115항에 있어서, 상기 지지수단은 시료의 중심부 근처의 부분을 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가지는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 116항에 있어서, 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 바깥측에 실제로 위치하고,

제 2영역은 지지면에 의해 실질적으로 가압되는 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 114항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2분리수단은,

시료를 처리하는 처리탱크와,

진동에너지를 발생하는 진동소스를 구비하고,

상기 진동소스에 의해 발생된 진동에너지는 상기 제 1분리수단에 의해 처리된 시료를 상기 처리탱크내에 함침한 상태로 상기 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 공급되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 118항에 있어서, 상기 처리탱크는 시료가 진동에너지에 의해 완전히 분리되는 경우 분리된 시료를 분할하는 분할수단을 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 117항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1분리수단은 먼저 제 1영역을 주로 분리하고 다음에 상기 제 2분리수단은 제 2영역을 주로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 117항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2분리수단은 먼저 제 2영역을 주로 분리하고, 다음에 상기 제 1분리수단은 제 1영역을 주로 분리하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 117항중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 1분리수단에 의한 분리처리와, 상기 제 2분리수단에 의한 분리처리중 적어도 일부는 병행하여 행해지는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 111항 내지 제 122항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 123항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 123항 또는 제 124항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 125항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 126항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리장치에 있어서,

시료를 지지하는 지지부와;

상기 지지부에 의해 지지된 시료의 분리층에 유체를 분사하는 분사부와;

시료에 공급될 진동에너지를 발생하는 진동소스와를 구비하고,

시료는 유체와 진동에너지에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 또는 제 129항에 있어서,

상기 지지부는 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료를 지지하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 130항중 어느 한 항에 있어서,

유체에 의해 분리층의 제 1영역을 주로 분리하기 위해 유체를 상기 분사부가 분사하도록 하고, 진동에너지에 의해 분리층의 제 2영역을 주로 분리하기 위해 상기 진동소스가 진동에너지를 발생하도록 하는 제어부를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 131항에 있어서, 상기 제어부는, 먼저 유체에 의해 제 1영역을 주로 분리한 다음 진동에너지에 의해 제 2영역을 주로 분리하도록, 상기 분사부와 상기 진동소스를 제어하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 131항에 있어서, 상기 제어부는 먼저 진동에너지에 의해 제 2영역을 주로 분리한 다음에 유체에 의해 제 1영역을 주로 분리하도록, 상기 분사부와 상기 진동소스를 제어하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 131항에 있어서, 상기 제어부는 유체에 의한 시료의 분리처리와, 진동에너지에 의한 시료의 분리처리의 적어도 일부를 병행하여 행하도록, 상기 분사부와 상기 진동소스를 제어하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 131항 내지 제 134항중 어느 한 항에 있어서, 제 1영역은 분리층의 주변부에서의 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에서의 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 131항 내지 제 134항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지부는, 시료의 중심부 근처의 부분을 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가지는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 136항에 있어서, 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 바깥측 주변부상에 실제로 위치하고, 제 2영역은 대략 지지면에 의해 가압된 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 137항중 어느 한 항에 있어서, 상기 진동소스는 지지부에 배치된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 137항중 어느 한 항에 있어서, 상기 진동소스는 상기 지지부가 시료와 접촉하는 상기 지지부의 말단에 배치된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 130항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리장치는 시료를 처리하는 처리탱크를 부가하여 구비하고,

유체를 사용하여 시료를 분리하기 위해, 상기 지지부에 의해 시료를 지지하면서 시료의 분리층에 유체가 분사되고,

진동에너지를 사용하여 시료를 분리하기 위해, 상기 진동소스에 의해 발생된 진동에너지는 상기 처리탱크내에 시료가 함침된 상태에서 상기 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 공급되는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 140항에 있어서, 상기 처리탱크는 시료가 진동에너지에 의해 완전히 분리되는 경우 분리된 시료를 분할하는 분할부재를 가지는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 140항 또는 제 141항에 있어서, 상기 처리탱크내에서 처리된 시료를 건조시키는 건조노를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 142항중 어느 한 항에 있어서, 분리된 시료를 분류하는 분류기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 140항 또는 제 141항에 있어서, 상기 지지부로부터 시료를 수납하고 상기 처리탱크로 시료를 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 140항에 있어서, 상기 지지부로부터 복수의 시료를 순차로 수납하고, 하나의 카세트내에 복수의 시료를 순차로 저장하고, 상기 처리탱크내에 카세트를 세팅하는 반송기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 142항에 있어서, 상기 지지부, 상기 처리탱크 및 상기 건조노 사이에 시료를 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 142항에 있어서, 상기 지지부로부터 복수의 시료를 순차로 수납하고, 하나의 카세트내에 복수의 시료를 순차로 저장하고, 상기 처리탱크내에 카세트를 함침하고, 상기 처리탱크내의 처리가 종료한 후 상기 처리탱크로부터 카세트를 수납하고, 카세트를 상기 건조노로 반송하는 반송기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 147항에 있어서, 분리된 시료가 상기 건조노내에서 건조된 후, 분리된 시료를 상기 건조노로부터 인출하여 시료를 분류하는 분류기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 128항 내지 제 148항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 149항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 149항 또는 제 150항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 151항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
제 152항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리장치.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

분리층의 제 1영역을 주로 분리하기 위해 분리층에 유체를 분사하는 제 1분리스텝과,

진동에너지를 사용하여 분리층의 제 2영역을 주로 분리하는 제 2분리스텝으로 이루어지고,

시료는 제 1 및 제 2분리스텝에서 분리층이 분리되는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항에 있어서, 시료는 분리층으로서 취약한 구조의 층을 가지는 평판부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 또는 제 155항에 있어서, 제 1영역은 분리층의 주변부에서의 영역이고, 제 2영역은 분리층의 중심에서의 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 156항중 어느 한 항에 있어서, 제 1분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 분리층에 유체를 분사하여 제 1영역을 주로 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 157항중 어느 한 항에 있어서, 제 1 및 제 2분리스텝은 동일한 지지부에 의해 시료를 지지하는 것으로 이루어지고,

제 2분리스텝은 지지부가 시료와 접촉하는 부분으로부터 시료에 진동에너지를 공급하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 158항에 있어서, 지지부는 시료의 중심부 근처의 부분을 양 측면으로부터 샌드위치하여 시료를 지지하는 부분을 가압하고, 대략 원형상인 한쌍의 대향 지지면을 가지는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 159항에 있어서, 제 1영역은 지지면에 의해 가압된 영역의 바깥측 주변부상에 실제로 위치하고,

제 2영역은 실질적으로 지지면에 의해 가압된 영역인 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 157항중 어느 한 항에 있어서, 제 2분리스텝은 제 1분리스텝에서 처리된 시료를 처리탱크내에 함침하고, 처리탱크내의 액체를 통하여 시료에 진동에너지를 공급하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 160항중 어느 한 항에 있어서, 제 1분리스텝이 먼저 행해진 다음 제 2분리스텝이 행해지는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 160항중 어느 한 항에 있어서, 제 2분리스텝이 먼저 행해진 다음 제 1분리스텝이 행해지는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 160항중 어느 한 항에 있어서, 제 1 및 제 2분리스텝중 적어도 일부는 병행하여 행해지는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 165항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료의 중심부 근처의 부분에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 167항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

시료의 분리층에 유체를 분사하는 동시에 시료에 진동에너지를 공급하고 시료내에 유체가 주입되어 시료를 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 169항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
분리층을 가지는 시료를 분리층에서 분리하는 시료분리방법에 있어서,

시료의 소정의 부분을 지지하면서 시료의 분리층에 유체를 분사함과 동시에 시료의 소정의 부분에 진동에너지를 공급하여 시료를 분리하는 분리스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 171항에 있어서, 분리스텝은 분리층에 수직인 축에 대해 시료를 회전시키면서 시료를 분리하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 154항 내지 제 172항중 어느 한 항에 있어서, 시료는 취약한 층을 가지는 제 1평판부재를 제 2평판부재에 접착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 173항에 있어서, 취약한 층은 다공질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 173항 또는 제 174항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 175항에 있어서, 제 1평판부재는 반도체기판의 한쪽 표면위에 다공질층을 형성하고 다공질층위에 비다공질층을 형성함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 176항에 있어서, 비다공질층은 단결정반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료분리방법.
제 111항 내지 제 153항중 어느 한 항에 기재된 분리장치를 몇몇 공정에 적용함으로써 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
제 111항 내지 제 153항중 어느 한 항에 기재된 분리장치를 몇몇 공정에 적용함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 반도체기판.
제 154항 내지 제 176항중 어느 한 항에 기재된 분리방법을 몇몇 공정에 적용함으로써 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
제 154항 내지 제 176항중 어느 한 항에 기재된 분리방법에 의해 분리된 것을 특징으로 하는 반도체기판.
제 154항 내지 제 176항중 어느 한 항에 기재된 분리방법을 몇몇 공정에 적용함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 반도체기판.