KR20000011933A - 카타다이옵트릭광학시스템및그를구비한노광장치 - Google Patents
카타다이옵트릭광학시스템및그를구비한노광장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (31)
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템과, 중간 이미지와, 제 1 재료로 제조된 렌즈 및 제 2 재료로 제조된 렌즈를 갖는 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 4 개 이하, 바람직하게는 3 개 이하의 렌즈들이 상기 제 2 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 하나 이상의 편향 소자, 하나의 오목 거울 및 그 사이에 다수의 렌즈들이 배치된 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 오목 거울과, 편향 소자 및 오목 거울 사이에 배치된 오든 렌즈들이 콤팩트 유닛 내에 배치되고, 바람직하게는 상기 렌즈들 중 임의의 하나에서 편향 소자까지의 거리가 오목 거울까지의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 하나 이상의 편향 소자, 오목 거울, 다수의 렌즈들을 갖는 물체측 카타다이옵트릭 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 카타다이옵트릭 시스템은 하나 이상의 포지티브 렌즈가 물체측 및 상기 제 1 편향 소자 사이에 배치되고, 1 개 이하의 포지티브 렌즈 및 3 개 이하의 네거티브 렌즈들이 상기 제 1 편향 소자 및 상기 오목 거울 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 중간 이미지측으로부터의 상기 굴절 렌즈 시스템은포지티브 굴절 파워의 제 1 렌즈군,네거티브 굴절 파워의 제 2 렌즈군,포지티브 굴절 파워의 제 3 렌즈군,네거티브 굴절 파워의 제 4 렌즈군, 및포지티브 굴절 파워의 제 5 렌즈군을 구비하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 물체측으로부터 네거티브 파워 렌즈 및 포지티브 파워 렌즈를 이러한 순서로 갖는 하나 이상의 - + 파워 이중렌즈가 상기 굴절 렌즈 시스템 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 굴절 렌즈 시스템은 필드 렌즈군, 중간 보정 렌즈군 및 포커싱 렌즈군으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 상기 카타다이옵트릭 시스템은 0.95 보다 크지만 1 이 아닌 이미징 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 물체측 카타다이옵트릭 시스템, 중간 이미지 및 굴절 렌즈 시스템을 갖는 투사 노광 렌즈에 있어서, 제 1 항 내지 제 7 항 중 2 항 이상의 특징들의 결합에 의해 특징되는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 굴절 렌즈 시스템이 한 쌍 이상의 메니스커스를 포함하고, 중간 이미지측 메니스커스의 볼록 표면은 상기 중간 이미지에 대향하고, 마주보는 나머지 메니스커스의 볼록 표면은 반대측에 대향하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 6 항 및 제 9 항에 있어서,상기 한 쌍 이상의 메니스커스가 상기 보정 렌즈군 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 5 항 및 제 6 항에 있어서, 상기 - + 파워 이중렌즈가 상기 포커싱 렌즈군 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 5 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 - + 파워 이중렌즈들 중 하나가 상기 시스템 개구 바로 옆에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 카타다이옵트릭 시스템의 하나 이하의 렌즈가 제 2 렌즈 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 제 2 렌즈 재료로 제조된 렌즈들의 직경이 최대 광학 소자의 직경의 0.85 배를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 14 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 제 2 렌즈 재료로 제조된 렌즈들의 직경이 220 ㎜ 를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 15 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 카타다이옵트릭 시스템은 6 개 이하, 바람직하게는 5 개 이하의 렌즈들만을 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 16 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 종방향 색수차는 193 ㎚ 에서 밴드폭 1 pm 당 0.015 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 16 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 종방향 색수차는 157 ㎚ 에서 밴드폭 1 pm 당 0.05 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 18 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 카타다이옵트릭 시스템의 상기 이미징 비율이 0.8 보다 크고, 바람직하게는 0.95 보다 큰 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 19 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 굴절 렌즈 시스템에서 상기 제 2 렌즈 재료로 제조된 모든 렌즈들이 상기 이미지 평면 바로 옆의 수렴하는 광빔 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 20 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 투사 노광 렌즈는 양측으로 텔레센트릭한 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 5 항에 있어서, 상기 투사 노광 렌즈는 상기 굴절 서브시스템 내에 하나 이상의 빔 허리부를 구비하고, 상기 - + 이중렌즈는 상기 최종 빔 허리부 뒤에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 5 항 또는 22 항에 있어서, 상기 - + 이중렌즈가 배치되어, 그들 렌즈 소자들의 내부에서 상기 광빔 직경이 상기 최대 빔 직경의 80 % 보다 큰 것이 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 23 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 반사 프리즘이 상기 물체 및 상기 오목 거울 사이의 상기 광빔을 반사시키기 위해 삽입되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 투사 노광 렌즈는 248 ㎚ 또는 193 ㎚ 광을 이용하기 위해 설계되고, 상기 제 1 렌즈 재료는 용융 실리카이고, 상기 제 2 렌즈 재료는 불화칼슘인 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 상기 제 1 렌즈 재료가 불화칼슘인 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 1 항 내지 제 26 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 단 1 개의 렌즈가 상기 물체 및 상기 제 1 편향 소자 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 제 27 항에 있어서, 상기 렌즈로부터 상기 오목 거울까지의 거리에 대한 상기 제 1 편향 거울 앞에 있는 상기 렌즈의 초점 거리의 비율은, 오차 범위 ±15 % 내에서, 1 인 것을 특징으로 하는 투사 노광 렌즈.
- 엑시머 레이저 광원,조광 시스템,마스크 핸들링 및 배치 시스템,제 1 항 내지 제 28 항 중 하나 이상의 항에 따른 투사 노광 렌즈, 및웨이퍼 핸들링 및 배치 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 장치.
- 제 29 항에 따른 투사 노광 장치를 이용한 리소그래피에 의해 마이크로구조의 디바이스를 생산하는 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이용 방법이 스텝 및 반복, 스캐닝 또는 스티칭 노광 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8284953B2 (en) | 2006-10-16 | 2012-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit and method of reducing pop-up noise in a digital amplifier |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US6680803B2 (en) * | 1996-12-21 | 2004-01-20 | Carl-Zeiss Smt Ag | Partial objective in an illuminating systems |
US7130129B2 (en) | 1996-12-21 | 2006-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
EP0964307A3 (en) | 1998-06-08 | 2001-09-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
DE19939088A1 (de) | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
EP1094350A3 (en) * | 1999-10-21 | 2001-08-16 | Carl Zeiss | Optical projection lens system |
EP1115019A3 (en) * | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
WO2002044786A2 (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6480330B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-11-12 | Silicon Valley Group, Inc. | Ultraviolet polarization beam splitter for microlithography |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
KR20010113527A (ko) * | 2000-06-19 | 2001-12-28 | 시마무라 테루오 | 투영 광학계, 그 제조 방법 및 투영 노광 장치 |
JP2002083766A (ja) | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
JP2002244034A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
US7031069B2 (en) | 2001-05-19 | 2006-04-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic illumination method and a projection lens for carrying out the method |
DE10127227A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
US7136220B2 (en) | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
US7453641B2 (en) * | 2001-10-30 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
AU2002317875A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptrical reduction lens |
AU2002358638A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
US7046459B1 (en) | 2001-12-18 | 2006-05-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reductions lens |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP4292497B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
DE10220324A1 (de) | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür |
US20050190446A1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Amt Ag | Catadioptric reduction objective |
US6922293B2 (en) | 2002-07-02 | 2005-07-26 | Nikon Corporation | Kinematic optical mounting assembly with flexures |
KR101124179B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP2007516613A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-06-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ |
JP5102492B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
CN100592210C (zh) * | 2004-02-13 | 2010-02-24 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
WO2005081067A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US20060244938A1 (en) * | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
JP2006119490A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
US20060198018A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system |
KR101954588B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2019-03-05 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 대물 렌즈 |
DE102005031084A1 (de) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens |
EP1837695A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric imaging system with beam splitter |
US8125613B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20070247729A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Rudolph Technologies, Inc. | Reflective objective |
EP1852745A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Carl Zeiss SMT AG | High-NA projection objective |
US8715909B2 (en) * | 2007-10-05 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Lithography systems and methods of manufacturing using thereof |
DE102008007449A1 (de) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
US8345350B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-01-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Chromatically corrected objective with specifically structured and arranged dioptric optical elements and projection exposure apparatus including the same |
JP5253081B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2013-07-31 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8830590B2 (en) * | 2012-05-30 | 2014-09-09 | Ultratech, Inc. | Unit magnification large-format catadioptric lens for microlithography |
CN112965212B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-04-07 | 江西晶超光学有限公司 | 成像系统、摄像模组及电子设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4779966A (en) * | 1984-12-21 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Single mirror projection optical system |
US5052763A (en) * | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
JPH06242379A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
US5668673A (en) * | 1991-08-05 | 1997-09-16 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system |
JP3235077B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法 |
US5323563A (en) * | 1992-07-31 | 1994-06-28 | Stageright Corporation | Retractable locators for deck panels of portable staging |
US5323263A (en) * | 1993-02-01 | 1994-06-21 | Nikon Precision Inc. | Off-axis catadioptric projection system |
US5592329A (en) * | 1993-02-03 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
JP3747951B2 (ja) * | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JP3747958B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH0713070A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Nikon Corp | 負レンズ及び該負レンズを有する光学系並びに 該負レンズの製造方法 |
JPH0772393A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系 |
JP3395801B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
DE4417489A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Zeiss Carl Fa | Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie |
JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
JP3624973B2 (ja) * | 1995-10-12 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
JPH103039A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US6157498A (en) * | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
JPH1010431A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US6631036B2 (en) * | 1996-09-26 | 2003-10-07 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective |
DE19639586A1 (de) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Zeiss Carl Fa | Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv |
US6486940B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-11-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture catadioptric lens |
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Cited By (1)
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