[go: up one dir, main page]

KR19980082928A - Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection - Google Patents

Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection Download PDF

Info

Publication number
KR19980082928A
KR19980082928A KR1019970018034A KR19970018034A KR19980082928A KR 19980082928 A KR19980082928 A KR 19980082928A KR 1019970018034 A KR1019970018034 A KR 1019970018034A KR 19970018034 A KR19970018034 A KR 19970018034A KR 19980082928 A KR19980082928 A KR 19980082928A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
voltage
power supply
node
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1019970018034A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임종형
주재훈
강상석
최창주
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970018034A priority Critical patent/KR19980082928A/en
Publication of KR19980082928A publication Critical patent/KR19980082928A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 펄스 발생 회로에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 반도체 장치용 펄스 발생 회로에 관한 것으로서, 외부로부터 전원 전압을 인가받아 펄스 신호를 발생하고, 상기 펄스 신호에 따라 모드를 선택하는 반도체 장치에 있어서, 외부로부터 전원 전압과 접지 전압을 인가받고, 이를 분배하여 전압 분배 신호를 출력하는 전압 분배 수단과; 상기 전압 분배 신호가 양의 전압과 음의 전압이 될 때, 이를 전원 단자와 접지 단자의 전압 레벨로 프리챠지 시키기 위한 프리챠지 수단과; 외부로부터 전원 전압과 상기 전압 분배 신호를 인가받고, 상기 전압 분배 신호를 반전시켜 제 1 반전 신호를 출력하는 제 1 반전 수단과; 상기 제 1 반전 신호를 인가받고, 상기 제 1 반전 신호를 반전시켜 제 2 반전 신호를 출력하는 제 2 반전 수단과; 상기 제 2 반전 신호를 지연시켜 지연 신호를 출력하는 지연 수단과; 상기 지연 신호와 제 2 반전 신호를 인가받아 펄스 신호를 출력하는 출력 수단을 포함한다. 이와 같은 회로에 의해서 파워업시에 펄스 신호를 한 번만 발생시켜 전력의 소모를 줄일 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse generator circuit, and more particularly, to a semiconductor device pulse generator circuit, comprising: generating a pulse signal by applying a power supply voltage from an external source, and selecting a mode according to the pulse signal; Voltage dividing means for receiving a power supply voltage and a ground voltage from the outside, and distributing the same to output a voltage division signal; Precharge means for precharging the voltage division signal to a positive voltage and a negative voltage to a voltage level of a power supply terminal and a ground terminal; First inverting means for receiving a power supply voltage and the voltage division signal from an outside, inverting the voltage division signal, and outputting a first inversion signal; Second inverting means receiving the first inverted signal and inverting the first inverted signal to output a second inverted signal; Delay means for delaying the second inverted signal and outputting a delayed signal; And output means for receiving the delay signal and the second inversion signal and outputting a pulse signal. Such a circuit can reduce power consumption by generating a pulse signal only once during power-up.

Description

모드 선택을 위한 펄스 발생 회로를 갖는 반도체 장치Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection

본 발명은 펄스 발생 회로에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 모우드 선택용 펄스 발생 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a pulse generating circuit, and more particularly to a pulse selection circuit for the mode selection.

반도체 장치는 동작을 수행하기 이전에 내부 노드의 초기 동작 전위를 결정하기 위하여 일정 구간의 펄스 폭을 갖는 노드 리셋 펄스 신호(node reset pulse)를 사용한다. 반도체 장치나 제품에 있어서 여러 동작 모우드를 갖추기 위하여 모우드 선택용 펄스 발생 회로를 사용한다. 상기 여러 모우드의 동작을 수행하거나, 모우드를 퓨우즈(fuse)나 옵션(option) 등에 의해 선택적으로 사용하기 위해서는 더욱 리셋 펄스 발생 회로가 요구되고 있는 추세이다.The semiconductor device uses a node reset pulse signal having a pulse width of a predetermined interval in order to determine the initial operating potential of the internal node before performing the operation. In semiconductor devices or products, pulse generation circuits for mode selection are used to have various operating modes. In order to perform the operation of the various modes or to selectively use the modes by fuse or option, a reset pulse generation circuit is required.

도 1에는 펄스 발생 회로의 구성을 보여주는 회로도가 도시되어 있다.1 is a circuit diagram showing the configuration of a pulse generating circuit.

상기 리셋 펄스 발생 회로는 외부로부터 칩 인에이블 마스터 클럭 신호(chip enable master clock)를 인가받아 동작하게 된다. 이하 상기 칩 인에이블 마스터 클럭 신호를라 칭한다. 상기 마스터 클럭 신호의 활성화 구간에 따라 펄스 신호의 발생이 결정된다.The reset pulse generation circuit operates by receiving a chip enable master clock signal from the outside. Hereinafter, the chip enable master clock signal It is called. The master clock signal Generation of the pulse signal is determined according to the activation interval of.

도 1을 참고하면, 상기 펄스 발생 회로는 입력 회로(10), 지연 회로(20), 그리고 출력 회로(30)로 구성된다.Referring to FIG. 1, the pulse generation circuit includes an input circuit 10, a delay circuit 20, and an output circuit 30.

상기 입력 회로(10)는 인버터(I1)로 구비되고, 상기 지연 회로(20)는 복수 개의 인버터들(I2, I3, I4)을 포함하며, 상기 출력 회로(30)는 낸드 게이트(D1)로 구비된다. 상기 인버터(I1)로 마스터 클럭 신호가 인가되면, 상기 마스터 클럭 신호의 활성화 구간에서 펄스 신호(1ΦESET)가 발생된다. 상기 펄스 발생 회로는 반도체 장치에 노드의 초기화를 위한 리셋 펄스 신호를 인가하는 것이므로 하나의 펄스 신호만 있어도 동작하는데 이상은 발생되지 않는다.The input circuit 10 is provided with an inverter I1, the delay circuit 20 includes a plurality of inverters I2, I3, and I4, and the output circuit 30 is connected to the NAND gate D1. It is provided. Master clock signal to the inverter I1 When is applied, the master clock signal The pulse signal 1Φ ESET is generated in the activation period of. Since the pulse generator circuit applies a reset pulse signal for initializing the node to the semiconductor device, the pulse generator circuit operates even with only one pulse signal. However, no abnormality occurs.

도 2는 펄스 발생 회로를 이용한 모우드 선택 회로의 구성을 보여주는 회로도가 도시되어 있다.2 is a circuit diagram showing the configuration of a mode selection circuit using a pulse generation circuit.

마스터 클럭 신호의 활성화 구간마다 발생된 펄스 신호(1ΦESET)는 상기 모우드 선택 회로에 인가된다. 그런데 그 이전에 퓨우즈가 연결될 때에는 로우레벨의 모우드(mode)가 선택된다. 그러나 상기 펄스 발생 회로로부터 발생되는 리셋 펄스 신호(1ΦESET)가 인가되면, 상기 퓨우즈는 끊겨져 하이레벨의 모우드가 선택된다.Master clock signal The pulse signal 1Φ ESET generated for each activation period of is applied to the mode selection circuit. However, when the fuse is connected before that, a low level mode is selected. However, when the reset pulse signal 1Φ ESET generated from the pulse generating circuit is applied, the fuse is cut off and a high level mode is selected.

그러나, 상술한 바와 같은 펄스 발생 회로는 외부로부터 인가된 마스터 클럭 신호가 활성화되는 구간마다 활성화되는 불필요한 펄스 신호를 발생한다. 그에 따라 하나의 펄스 신호만이 아니라 그 이외의 펄스 신호들에 따라 동작을 매번 수행하는 모드 선택 회로에서는 불필요한 전력이 소모된다. 그리고 상기 펄스 발생 회로가 모드 선택 회로에 연결될 때, 퓨우즈가 절단되어도 특정 부분에 전류 패스를 형성시켜 그에 따라 전력이 소모되는 문제점이 발생하게 된다.However, the pulse generating circuit as described above generates an unnecessary pulse signal that is activated every interval in which the master clock signal applied from the outside is activated. Accordingly, unnecessary power is consumed in the mode selection circuit which performs the operation every time according to not only one pulse signal but also other pulse signals. When the pulse generation circuit is connected to the mode selection circuit, even if the fuse is cut, a problem arises in that a current path is formed in a specific portion and power is consumed accordingly.

따라서 본 발명의 목적은 반도체 장치에 동작 전원이 인가될 때 한 번의 리셋 펄스 신호만이 발생하도록 하여 전력이 소모되는 것을 막아 주는 것을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide that only one reset pulse signal is generated when operating power is applied to a semiconductor device, thereby preventing power consumption.

도 1은 종래 실시예에 따른 펄스 발생 회로의 구성을 보여주는 회로도;1 is a circuit diagram showing a configuration of a pulse generating circuit according to a conventional embodiment;

도 2는 펄스 발생 회로가 적용되는 모드 선택 회로의 구성을 상세하게 보여주는 회로도;2 is a circuit diagram showing in detail the configuration of a mode selection circuit to which a pulse generation circuit is applied;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 펄스 발생 회로의 구성을 상세하게 보여주는 회로도;3 is a circuit diagram showing in detail the configuration of a pulse generating circuit according to an embodiment of the present invention;

도 4는 종래와 본 발명의 실시예에 따른 펄스 신호들의 출력파형을 비교하여 보여주는 출력 파형도;4 is an output waveform diagram comparing and comparing output waveforms of pulse signals according to an exemplary embodiment of the present invention;

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on main parts of the drawings

100 : 전압 분배 회로 200 : 프리챠지 회로100: voltage distribution circuit 200: precharge circuit

300 : 제 1 반전회로 400 : 제 2 반전 회로300: first inversion circuit 400: second inversion circuit

500 : 지연 회로 600 : 출력 회로500: delay circuit 600: output circuit

(구성)(Configuration)

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 일 특징에 의하면, 외부로부터 전원전압을 인가받아 펄스 신호를 발생하고, 상기 펄스 신호에 따라 모드를 선택하는 반도체 장치에 있어서, 외부로부터 전원 전압과 접지 전압을 인가받고, 이를 분배하여 전압 분배 신호를 출력하는 전압 분배 수단과; 상기 전압 분배 신호가 양의 전압과 음의 전압이 될 때, 이를 전원 단자와 접지 단자의 전압 레벨로 프리챠지 시키기 위한 프리챠지 수단과; 외부로부터 전원 전압과 상기 전압 분배 신호를 인가받고, 상기 전압 분배 신호를 반전시켜 제 1 반전 신호를 출력하는 제 1 반전 수단과; 상기 제 1 반전 신호를 인가받고, 상기 제 1 반전 신호를 반전시켜 제 2 반전 신호를 출력하는 제 2 반전 수단과; 상기 제 2 반전 신호를 인가받아 이를 지연시켜 지연 신호를 출력하는 지연 수단과; 상기 지연 신호와 제 2 반전 신호를 인가받아 펄스 신호를 출력하는 출력 수단을 포함한다.According to one feature for achieving the above object, in the semiconductor device that generates a pulse signal by receiving a power supply voltage from the outside, and applying a power supply voltage and ground voltage from the outside Voltage dividing means for receiving and dividing this to output a voltage dividing signal; Precharge means for precharging the voltage division signal to a positive voltage and a negative voltage to a voltage level of a power supply terminal and a ground terminal; First inverting means for receiving a power supply voltage and the voltage division signal from an outside, inverting the voltage division signal, and outputting a first inversion signal; Second inverting means receiving the first inverted signal and inverting the first inverted signal to output a second inverted signal; Delay means for receiving the second inverted signal and delaying the second inverted signal to output a delayed signal; And output means for receiving the delay signal and the second inversion signal and outputting a pulse signal.

이와 같은 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 전압 분배 수단은 제 1 노드와, 외부로부터 전원 전압이 인가되는 전원 단자와 제 1 노드 사이에 소오스들 및 드레인들이 직렬 연결되고, 게이트들이 상호 접속되는 트랜지스터들과, 일단이 상기 제 1 노드에 접속되고, 타단이 접지 단자에 접속되는 저항을 포함한다.In a preferred embodiment of such a circuit, the voltage distribution means is a transistor in which the sources and the drains are connected in series between the first node, the power supply terminal to which a power supply voltage is applied from the outside, and the first node, and the gates are interconnected. And a resistor, one end of which is connected to the first node and the other end of which is connected to a ground terminal.

이와 같은 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 반전 수단은 소오스가 상기 전원 단자에 접속되고, 드레인이 출력단에 접속되는 PMOS 트랜지스터와, 드레인이 상기 출력단에 접속되고, 게이트가 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상호 접속되고, 소오스가 접지 된 NMOS 트랜지스터를 포함한다.In a preferred embodiment of such a circuit, the first inverting means includes a PMOS transistor having a source connected to the power supply terminal, a drain connected to the output terminal, a drain connected to the output terminal, and a gate connected to the gate of the PMOS transistor. And an NMOS transistor interconnected with the source and grounded.

이와 같은 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 지연 수단은 제 2 노드와, 제 3 노드와, 상기 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 직렬 접속되는 적어도 하나 이상인 홀수 개의 인버터들과, 일단에 전원 전압이 인가되고, 타단이 상기 인버터들의 출력단들 중 어느 하나에 접속되는 저항과, 상기 저항과 병렬 접속되어 일단에 전원 전압이 인가되는 커패시터를 포함한다.In a preferred embodiment of such a circuit, the delay means comprises a second node, a third node, at least one odd number of inverters connected in series between the second node and the third node, and a power supply voltage at one end. And a resistor connected to one of the output terminals of the inverters, and a capacitor connected to the resistor in parallel with one end of the inverter.

이와 같은 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 출력 수단은 일입력 단자가 상기 제 2 노드에 연결되고, 타입력 단자가 상기 제 3 노드에 접속되는 낸드 게이트와, 입력 단자가 상기 낸드 게이트의 출력단에 접속되고, 타입력 단자로 상기 펄스 신호가 출력되는 인버터를 포함한다.In a preferred embodiment of such a circuit, the output means includes a NAND gate having one input terminal connected to the second node, a type force terminal connected to the third node, and an input terminal connected to the output terminal of the NAND gate. And an inverter connected to and outputting the pulse signal to a type force terminal.

(실시예)(Example)

본 발명의 신규성을 갖는 펄스 발생 회로는 전원 전압 인가될 때, 하나의 리셋 펄스 신호만을 발생하도록 하며, 상기 리셋 펄스 신호를 인가받아 동작하는 모드 선택 회로는 외부 전원이 달리 인가되기 전까지는 모드를 유지하고 있어 전력의 소모가 줄어든다.The novel pulse generating circuit of the present invention generates only one reset pulse signal when a power supply voltage is applied, and a mode selection circuit operating by receiving the reset pulse signal maintains a mode until an external power source is otherwise applied. We reduce power consumption.

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 참고도면 도 2 내지 도 3,도 4에 의거하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the drawings according to the preferred embodiment of the present invention 2 to 3, 4 as follows.

리셋 펄스 발생 회로는 전압 분배 회로(100), 프리챠지 회로(200), 제 1 반전 회로(300), 제 2 반전 회로(400), 지연 회로(500), 그리고 출력 회로(600)를 포함한다. 상기 전압 분배 회로(100)는 외부로부터 전원 전압(VCC)이 인가되는 전원 단자(1)와 제 1 노드 사이에 소오스와 드레인이 직렬 연결되고, 게이트가 상호 접속되는 트랜지스터들(M4, M5)과, 상기 제 1 노드와 접지 전압(VSS)이 인가되는 접지 단자(2)사이에 접속되는 저항(R1)을 구비하고 있다. 상기 프리챠지 회로(200)는 애노드(anode)에 전원 전압(VCC)과 접지 전압(VSS)이 인가되고, 캐소드(cathode)가 직렬 연결된 다이오드들(D1, D2)을 포함하고 있다. 그리고 상기 제 1 반전 회로(300)는 소오스에 전원 전압(VCC)과 접지 전압(VSS)이 인가되고, 드레인이 상호 연결되고, 게이트도 상호 연결되는 트랜지스터들(M6, M7)을 구비하고 있다.The reset pulse generation circuit includes a voltage distribution circuit 100, a precharge circuit 200, a first inversion circuit 300, a second inversion circuit 400, a delay circuit 500, and an output circuit 600. . The voltage distribution circuit 100 includes transistors M4 and M5 having a source and a drain connected in series between a power supply terminal 1 to which a power supply voltage VCC is applied from the outside and a first node, and a gate of which is connected to each other. And a resistor R1 connected between the first node and the ground terminal 2 to which the ground voltage VSS is applied. The precharge circuit 200 includes diodes D1 and D2 to which a power supply voltage VCC and a ground voltage VSS are applied to an anode, and cathodes are connected in series. The first inversion circuit 300 includes transistors M6 and M7 to which a power supply voltage VCC and a ground voltage VSS are applied to a source, a drain is interconnected, and a gate is also interconnected.

상기 제 2 반전 회로(400)는 하나의 인버터(I8)로 구비되어 있다. 상기 지연 회로(500)는 제 2 노드와 제 3 노드사이에 직렬 연결되는 홀수 개의 인버터들(I9, I10, I11)을 포함한다. 마지막으로 출력 회로(600)는 상기 지연 회로(500)와 상기 제 2 노드에 입력 단자들이 접속되는 낸드 게이트(D2)와 상기 낸드 게이트(D2)의 출력단자에 접속되는 인버터(I12)를 구비하고 있다.The second inversion circuit 400 is provided with one inverter I8. The delay circuit 500 includes an odd number of inverters I9, I10, and I11 connected in series between the second node and the third node. Finally, the output circuit 600 includes a NAND gate D2 to which input terminals are connected to the delay circuit 500 and the second node, and an inverter I12 connected to an output terminal of the NAND gate D2. have.

도 3을 참고하면, 상기 전압 분배 회로(100)는 외부로부터 인가된 전원 전압(VCC)과 접지 전압(VSS)을 분배하여 제 1 노드로 출력한다. 상기 전원 전압(VCC)은 일정 기울기를 갖고 상승하는 전압임을 알아두어야 한다. 상기 전압 분배 회로(100)는 트랜지스터들(M4, M5)로 구성되어 있기 때문에 제 1 노드에는 트랜지스터의 문턱전압만큼 낮아진 전압이 전달된다. 이때 상기 제 1 노드에 출력되는 전압이 양의 전위로서 전원 전압(VCC)보다 크다면, 다이오드(D1)를 통해 전원 전압 레벨로 프리챠지 시킨다, 그리고 상기 제 1 노드로 출력되는 전압이 음의 전위로서 접지 전압(VSS)보다 작다면 다이오드(D2)를 통해 상기 접지 전압 레벨로 프리챠지 시킨다. 제 1 노드에 전달된 전압은 상기 제 1 반전 회로(400)의 PMOS 트랜지스터(M6)와 NMOS 트랜지스터(M7)의 게이트에 전달된다.Referring to FIG. 3, the voltage distribution circuit 100 divides the power supply voltage VCC and the ground voltage VSS applied from the outside and outputs the same to the first node. It should be noted that the power supply voltage VCC is a voltage rising with a constant slope. Since the voltage distribution circuit 100 is composed of transistors M4 and M5, a voltage lowered by a threshold voltage of the transistor is transmitted to the first node. At this time, if the voltage output to the first node is greater than the power supply voltage VCC as a positive potential, it is precharged to the power supply voltage level through the diode D1, and the voltage output to the first node is a negative potential. If less than the ground voltage (VSS) as a precharge to the ground voltage level through the diode (D2). The voltage transferred to the first node is transferred to the gates of the PMOS transistor M6 and the NMOS transistor M7 of the first inverting circuit 400.

상기 게이트들에 인가된 전압이 트랜지스터(M7)의 문턱 전압보다 높다면 NMOS 트랜지스터(M7)가 턴 온되어 접지로 전류가 디스챠지되고, 출력단으로 논리 ″0″의 신호가 출력된다. 상기 트랜지스터들(M6, M7)로 구성된 제 1 반전 회로(300)는 게이트에 인가되는 전압이 트랜지스터의 문턱 전압보다 높으냐, 낮으냐에 따라 동작이 결정된다. 이전에 제 1 반전 회로(300)에 낮은 전압이 인가될 때는 논리 ″1″의 신호를 출력하며, 제 2 반전 회로(400)의 출력단인 제 2 노드는 논리 ″0″의 신호를 유지한다.If the voltages applied to the gates are higher than the threshold voltage of the transistor M7, the NMOS transistor M7 is turned on to discharge current to ground, and a signal of logic ″ 0 ″ is output to the output terminal. The operation of the first inverting circuit 300 including the transistors M6 and M7 is determined depending on whether the voltage applied to the gate is higher or lower than the threshold voltage of the transistor. When a low voltage is previously applied to the first inversion circuit 300, a signal of logic ″ 1 ″ is output, and a second node, which is an output terminal of the second inversion circuit 400, maintains a signal of logic ″ 0 ″.

그리고 상기 제 2 반전 회로(400)는 상기 제 1 반전 회로(300)에 인가된 전압이 트랜지스터의 문턱 전압보다 높음에 따라, 제 2 노드의 논리 ″0″신호는 논리 ″1″의 신호로 천이 된다. 상기 논리 ″1″의 신호는 지연 회로(500)의 인버터(I9)에 인가되어 제 3 노드는 논리 ″1″의 신호로 바뀌게 된다. 이는 전원 전압(VCC)이 PMOS 트랜지스터의 문턱 전압(Vtb)과 NMOS 트랜지스터의 문턱 전압(Vtn)을 합한 것보다 클 때 변하게 된다.As the voltage applied to the first inversion circuit 300 is higher than the threshold voltage of the transistor, the second inversion circuit 400 transitions the logic ″ 0 ″ signal of the second node to a signal of logic ″ 1 ″. do. The signal of logic ″ 1 ″ is applied to the inverter I9 of the delay circuit 500 so that the third node is changed to the signal of logic ″ 1 ″. This is changed when the power supply voltage VCC is larger than the sum of the threshold voltage Vtb of the PMOS transistor and the threshold voltage Vtn of the NMOS transistor.

이로 인해 출력 회로(600)로부터는 논리 ″1″로 활성화되는 리셋 펄스 신호(1ΦESET)를 출력한다. 그리고 지연 회로(500)를 거친 제 3 노드의 논리 ″0″의 신호로 인해 소정 지연 시간후에는 논리 ″0″으로 비활성화 되는 리셋 펄스 신호(1ΦESET)가 출력된다. 상기 리셋 펄스 신호(1ΦESET)는 이때 잠시 활성화 상태에서 비활성화 상태를 유지한다. 이때 상기 발생되는 펄스 신호의 폭은 지연 회로(500)로부터 발생된 지연시간 만큼이며, 그에 따라 활성화되는 리셋 펄스 신호(1ΦESET)가 출력된다.As a result, the output circuit 600 outputs the reset pulse signal 1ΦESET which is activated by logic ″ 1 ″. The reset pulse signal 1ΦESET which is deactivated to the logic ″ 0 ″ is output after the predetermined delay time due to the signal of the logic ″ 0 ″ of the third node that has passed through the delay circuit 500. The reset pulse signal 1Φ ESET is then maintained in an inactive state for a while. At this time, the width of the generated pulse signal is as much as the delay time generated from the delay circuit 500, and accordingly the reset pulse signal 1Φ ESET is activated.

상기 지연 회로(500)는 인버터들(I9, I10, I11)만이 아니라 부가적으로 저항(R2)과 커패시터(C)를 구비하여 지연되는 시간에 따라 리셋 펄스 신호의 폭을 조절할 수가 있다.The delay circuit 500 may further include a resistor R2 and a capacitor C as well as inverters I9, I10, and I11 to adjust the width of the reset pulse signal according to a delay time.

다시 도 2로 돌아가면, 도 3과 같은 구성을 갖는 펄스 발생 회로는 모드 선택 회로에 필요하다. 상기 모드 선택 회로는 외부로부터 전원 전압(VCC)과 접지 전압(VSS)을 인가받아 항상 턴-온 상태에 있는 스위칭 회로(40)와, 퓨우즈(50)와, 트랜지스터(M2)로 구성된 전류 패스 회로(60)와, 트랜지스터(M3) 및 인버터(I5)로 구성된 래치 회로(70)와 짝수개의 인버터들(I6, I7)로 구성된 지연 회로(80)를 포함하고 있다. 상기 스위칭 회로(40)는 외부로부터 인가된 접지 전압(VSS)으로 인해 항상 턴-온되어 전류 패스를 형성한다. 그리고 상기 래치 회로(70)는 퓨우즈(50)가 연결됨에 따라 제 4 노드는 논리 ″1″이 유지된다. 상기 제 4 노드의 논리 ″1″은 인버터(I5)를 거쳐 논리 ″0″이 되고, 상기 논리 ″0″은 NMOS 트랜지스터(M3)에 전달되어 오프된다. 이에 따라 상기 제 4 노드는 논리 ″1″의 신호를 래치하게 된다. 그리고 지연 회로(80)는 인버터들(I6, I7)로부터 발생된 논리 ″1″의 신호를 지연시켜 출력한다. 이로써 논리 ″1″의 모드가 선택된다.2, a pulse generating circuit having the configuration as shown in FIG. 3 is required for the mode selection circuit. The mode selection circuit is a current path including a switching circuit 40, a fuse 50, and a transistor M2 that are always turned on by receiving a power supply voltage VCC and a ground voltage VSS from an external source. Circuit 60, a latch circuit 70 composed of transistor M3 and inverter I5, and a delay circuit 80 composed of even inverters I6, I7. The switching circuit 40 is always turned on due to the ground voltage VSS applied from the outside to form a current path. In the latch circuit 70, as the fuse 50 is connected, the fourth node maintains a logic ″ 1 ″. The logic ″ 1 ″ of the fourth node becomes a logic ″ 0 ″ through the inverter I5, and the logic ″ 0 ″ is transferred to the NMOS transistor M3 and turned off. Accordingly, the fourth node latches a signal of logic ″ 1 ″. The delay circuit 80 delays and outputs the signal of logic " 1 " generated from the inverters I6 and I7. This selects the mode of logic ″ 1 ″.

그러나 상기 펄스 발생 회로로부터 발생되는 한단의 논리 ″1″의 리셋 펄스 신호(1ΦESET)를 상기 모우드 선택 회로에 인가하면 퓨우즈의 접속은 절단된다. 논리 ″1″의 리셋 펄스 신호(1ΦESET)를 모우드 선택 회로에 인가하면, 전류 패스 회로(60)의 트랜지스터(M2)는 턴-온 되어 접지로 전류를 흘려 보낸다. 이로 인해 제 4 노드는 논리 ″0″이 되어 퓨우즈(50)와의 연결이 절단된다. 상기 논리 ″0″의 신호는 래치회로(70)의 인버터(I5)를 거쳐 논리 ″1 ″이 되고, 상기 신호는 NMOS 트랜지스터(M3)에 인가되어 상기 트랜지스터(M3)를 턴-온시킨다. 그러므로 제 4 노드는 논리 ″0″의 신호가 래치된다. 지연 회로(80)는 상기 인버터들로(I6, I7)부터 발생된 논리 ″1″의 신호를 지연시켜 논리 ″1″의 모드를 선택한다. 이는 전원이 일정레벨로 다운(power_down)되기 전까지 유지된다.However, when the reset pulse signal 1ΦESET of one stage of logic ″ 1 ″ generated from the pulse generating circuit is applied to the mode selection circuit, the connection of the fuse is disconnected. When a reset pulse signal 1ΦESET of logic " 1 " is applied to the mode select circuit, transistor M2 of current pass circuit 60 is turned on to send current to ground. As a result, the fourth node becomes a logic " 0 " and the connection with the fuse 50 is disconnected. The signal of logic ″ 0 ″ becomes logic ″ 1 ″ via inverter I5 of latch circuit 70, and the signal is applied to NMOS transistor M3 to turn on transistor M3. Therefore, the fourth node is latched with a signal of logic ″ 0 ″. The delay circuit 80 selects the mode of logic ″ 1 ″ by delaying the signal of logic ″ 1 ″ generated from the inverters I6 and I7. This is maintained until the power goes down to a certain level.

도 4에는 종래와 본 발명의 펄스 발생 회로로부터 발생되는 리셋 펄스 신호의 출력 파형도를 보여주고 있다.Figure 4 shows the output waveform diagram of the reset pulse signal generated from the pulse generating circuit of the prior art and the present invention.

도 4를 참고하면, 종래에는 외부로부터 인가된 칩 인에이블 마스터 클럭 신호가 로우레벨로 떨어질 때마다 펄스 신호(1ΦESET)가 발생되었다. 그에 따라 상기와 같은 여러 단의 펄스 신호(1ΦESET)를 모우드 선택 회로에 인가하면, 각각의 펄스 신호마다 동작을 수행하게 된다. 상기 모우드 선택 회로는 한 번의 모우드만을 선택 해주면 되는데, 하나 이상의 불필요한 리셋 펄스 신호에 따라 동작을 수행하여 전력이 소모되는 문제점이 발생하게 되었다.Referring to FIG. 4, a chip enable master clock signal applied from the outside in the related art. Pulse signal 1Φ ESET was generated each time the signal fell to the low level. Accordingly, when the pulse signals 1Φ ESET of the above stages are applied to the mode selection circuit, the operation is performed for each pulse signal. The mode selection circuit needs to select only one mode, and the power consumption is caused by performing an operation according to one or more unnecessary reset pulse signals.

그러나 본 발명에서는 외부로부터 인가되는 전원 전압의 소정 레벨 이상부터 펄스 신호도 상승하여 일정 시간이 지나면 비활성화되는 한 단의 펄스 신호만을 발생하도록 하였다. 그로 인해 모우드 선택 회로도 한 단의 펄스 신호만을 인가받아 한 번만 동작하게 됨으로써, 전력이 보다 적게 소모되었다. 이로써, 외부로부터 전원이 인가되어 상승될 때 한 단의 리셋 펄스 신호만을 발생하도록 하고, 상기 리셋 펄스 신호를 모우드 선택 회로에 인가하여 모드를 선택함으로써 반도체 장치의 노드를 초기화 할 수 있다.However, in the present invention, the pulse signal also rises above a predetermined level of the power voltage applied from the outside, so that only one stage of the pulse signal is inactivated after a predetermined time. As a result, the mode selection circuit is operated only once by receiving only one pulse signal, thereby consuming less power. As a result, only one stage of the reset pulse signal is generated when the power is applied and raised from the outside, and the node of the semiconductor device can be initialized by selecting the mode by applying the reset pulse signal to the mode selection circuit.

상술한 바와 같은, 펄스 발생 회로는 전원 전압이 외부로부터 인가되어 상승할 때, 소정 레벨 이상부터 펄스 신호도 같이 상승하고, 얼마간의 시간이 지연된 후에는 비활성화되는 한단 만의 펄스 신호만을 발생한다. 그러므로 상기 펄스 신호를 인가받는 모우드 선택 회로는 상기 한 단의 펄스 신호에 응답하여 동작하면 되므로 전력의 소모를 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, when the power supply voltage is applied from the outside and rises, the pulse signal also rises from the predetermined level or more, and generates only one pulse signal which is deactivated after a delay of some time. Therefore, the mode selection circuit to which the pulse signal is applied may operate in response to the pulse signal of one stage, thereby reducing power consumption.

Claims (5)

외부로부터 전원 전압을 인가받아 펄스 신호를 발생하고, 상기 펄스 신호에 따라 모드를 선택하는 반도체 장치에 있어서,A semiconductor device that generates a pulse signal by receiving a power supply voltage from the outside, and selects a mode according to the pulse signal. 외부로부터 전원 전압과 접지 전압을 인가받고, 이를 분배하여 전압 분배 신호를 출력하는 전압 분배 수단과;Voltage distribution means for receiving a power supply voltage and a ground voltage from an external source, dividing them, and outputting a voltage division signal; 상기 전압 분배 신호가 양의 전압과 음의 전압이 될 때, 이를 전원 단자와 접지 단자의 전압 레벨로 프리챠지 시키기 위한 프리챠지 수단과;Precharge means for precharging the voltage division signal to a positive voltage and a negative voltage to a voltage level of a power supply terminal and a ground terminal; 외부로부터 전원 전압과 상기 전압 분배 신호를 인가받고, 상기 전압 분배 신호를 반전시켜 제 1 반전 신호를 출력하는 제 1 반전 수단과;First inverting means for receiving a power supply voltage and the voltage division signal from an outside, inverting the voltage division signal, and outputting a first inversion signal; 상기 제 1 반전 신호를 인가받고, 상기 제 1 반전 신호를 반전시켜 제 2 반전 신호를 출력하는 제 2 반전 수단과;Second inverting means receiving the first inverted signal and inverting the first inverted signal to output a second inverted signal; 상기 제 2 반전 신호를 인가받고, 상기 제 2 반전 신호를 지연시켜 지연 신호를 출력하는 지연 수단과;Delay means for receiving the second inverted signal and delaying the second inverted signal to output a delayed signal; 상기 지연 신호와 제 2 반전 신호를 인가받아 펄스 신호를 출력하는 출력 수단을 포함하는 펄스 발생 회로.And output means for receiving the delay signal and the second inversion signal to output a pulse signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전압 분배 수단은The voltage distribution means 제 1 노드와;A first node; 외부로부터 전원 전압이 인가되는 전원 단자와 제 1 노드 사이에 소오스들 및 드레인들이 직렬 연결되고, 게이트들이 상호 접속되는 트랜지스터들과;Transistors in which the sources and the drains are connected in series and the gates are interconnected between a first terminal and a power supply terminal to which a power supply voltage is applied from the outside; 일단이 상기 제 1 노드에 접속되고, 타단이 접지 단자에 접속되는 저항을 포함하는 펄스 발생 회로.And a resistor having one end connected to the first node and the other end connected to a ground terminal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 반전 수단은 소오스가 상기 전원 단자에 접속되고, 드레인이 출력단에 접속되는 PMOS 트랜지스터와;The first inverting means includes a PMOS transistor having a source connected to the power supply terminal and a drain connected to an output terminal; 드레인이 상기 출력단에 접속되고, 게이트가 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상호 접속되고, 소오스가 접지된 NMOS 트랜지스터를 포함하는 펄스 발생 회로.And a NMOS transistor having a drain connected to the output terminal, a gate interconnected with a gate of the PMOS transistor, and a source grounded. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 지연 수단은The delay means 제 2 노드와;A second node; 제 3 노드와;A third node; 상기 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 직렬 접속되는 적어도 하나 이상인 홀수 개의 인버터들과;At least one odd inverter connected in series between the second node and a third node; 일단에 전원 전압이 인가되고, 타단이 상기 인버터들의 출력단들 중 어느 하나에 접속되는 저항과;A resistor to which a power supply voltage is applied at one end and the other end thereof connected to any one of the output terminals of the inverters; 상기 저항과 병렬 접속되어 일단에 전원 전압이 인가되는 커패시터를 포함하는 펄스 발생 회로.And a capacitor connected in parallel with the resistor and having a power supply voltage applied to one end thereof. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 출력 수단은The output means 일입력 단자가 상기 제 2 노드에 연결되고, 타입력 단자가 상기 제 3 노드에 접속되는 낸드 게이트와;A NAND gate having one input terminal connected to the second node and a type force terminal connected to the third node; 입력 단자가 상기 낸드 게이트의 출력단에 접속되고, 타입력 단자로 상기 펄스 신호가 출력되는 인버터를 포함하는 펄스 발생 회로.And an inverter having an input terminal connected to an output terminal of the NAND gate and outputting the pulse signal to a type force terminal.
KR1019970018034A 1997-05-09 1997-05-09 Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection Ceased KR19980082928A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970018034A KR19980082928A (en) 1997-05-09 1997-05-09 Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970018034A KR19980082928A (en) 1997-05-09 1997-05-09 Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980082928A true KR19980082928A (en) 1998-12-05

Family

ID=65990349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970018034A Ceased KR19980082928A (en) 1997-05-09 1997-05-09 Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980082928A (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299991A (en) * 1985-10-25 1987-05-09 Hitachi Ltd semiconductor storage device
KR870007512A (en) * 1986-01-28 1987-08-19 야마모도 다꾸마 Semiconductor integrated circuit with circuit for detecting address signal change
US4888498A (en) * 1988-03-24 1989-12-19 Texas Instruments Incorporated Integrated-circuit power-up pulse generator circuit
US5208776A (en) * 1990-07-31 1993-05-04 Texas Instruments, Incorporated Pulse generation circuit
KR940012389A (en) * 1992-11-27 1994-06-23 김광호 Operation mode selection circuit of semiconductor memory device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299991A (en) * 1985-10-25 1987-05-09 Hitachi Ltd semiconductor storage device
KR870007512A (en) * 1986-01-28 1987-08-19 야마모도 다꾸마 Semiconductor integrated circuit with circuit for detecting address signal change
US4888498A (en) * 1988-03-24 1989-12-19 Texas Instruments Incorporated Integrated-circuit power-up pulse generator circuit
US5208776A (en) * 1990-07-31 1993-05-04 Texas Instruments, Incorporated Pulse generation circuit
KR940012389A (en) * 1992-11-27 1994-06-23 김광호 Operation mode selection circuit of semiconductor memory device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100231091B1 (en) Level shifter circuit
KR100476927B1 (en) Power-on reset circuit and power-on reset method
US6231147B1 (en) Data storage circuits using a low threshold voltage output enable circuit
KR100562501B1 (en) Power-on initialization circuit and semiconductor integrated circuit device comprising same
US5113088A (en) Substrate bias generating circuitry stable against source voltage changes
US5469099A (en) Power-on reset signal generator and operating method thereof
KR100301546B1 (en) Pulse generator circuit
KR101074424B1 (en) High-speed low-power clock gated logic circuit
US6204703B1 (en) Power on reset circuit with power noise immunity
KR100317490B1 (en) Antifuse circuit
KR100211758B1 (en) Multi-power data buffer
KR100954110B1 (en) Power up signal generator and integrated circuit using the same
IE50902B1 (en) Circuit for maintaining the potential of a node of an mos dynamic circuit
US6310496B1 (en) Signal transition accelerating driver circuit for promptly driving bus line and bus driving system using the same
US7295056B2 (en) Level shift circuit
KR100656463B1 (en) Power-up circuit and semiconductor memory device including same
JPH09180452A (en) Memory address transition detection circuit
KR0167680B1 (en) Internal power supply voltage generation circuit of semiconductor memory device
KR19980082928A (en) Semiconductor device having pulse generating circuit for mode selection
KR20000022571A (en) Rc delay time stabilization circuit
KR100233331B1 (en) Signal Transition Detection Circuit
KR100706829B1 (en) Apparatus and method for generating power up signal of semiconductor memory
JPH04311898A (en) Semiconductor device
JP2927487B2 (en) Substrate bias generation circuit
KR100347535B1 (en) Power up pulse circuit

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970509

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20020509

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19970509

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040623

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20040908

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20040623

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I