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KR19980081562A - 전자사진용 감광체 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자사진용 감광체 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR19980081562A
KR19980081562A KR1019980014120A KR19980014120A KR19980081562A KR 19980081562 A KR19980081562 A KR 19980081562A KR 1019980014120 A KR1019980014120 A KR 1019980014120A KR 19980014120 A KR19980014120 A KR 19980014120A KR 19980081562 A KR19980081562 A KR 19980081562A
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히데끼 기나
아끼라 오타니
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나까사또요시히꼬
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Abstract

전하유지율이 높고, 편차가 적은 고감도의 전자사진용 감광체를 제공한다. 전도성 기판상에 감광층이 구비되어 있고, 상기 감광층은 광전도 재료로서 적어도 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 전자사진용 감광체에 있어서, 상기 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 층의 상기 티탄일옥시프탈로시아닌에 대한 SO4 2-함량이 500중량ppm이하인 전자사진용 감광체이다.

Description

전자사진용 감광체 및 그 제조 방법
본 발명은 전자사진방식의 프린터, 복사기, 팩시밀리 등에 사용되는 전자사진용 감광체 및 그 제조방법에 관한 것이며, 상세하게는 감광층의 광전도 재료를 개량함으로써, 안정성이 우수해진 전자사진용 감광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자사진용 감광체에는 어두운 곳에서 표면전하를 유지하는 기능, 빛을 수용하여 전하를 발생시키는 기능, 마찬가지로 빛을 수용하여 전하를 수송하는 기능이 요구되며, 하나의 층에 상기 모든 기능이 구비된 이른바 단층형 감광체와, 주로 전하발생에 기여하는 층과, 어두운 곳에서의 표면전하 유지 및 빛을 수용할 때 전하수송에 기여하는 층으로 기능이 분리된 층을 적층한 이른바 적층형 감광체가 있다.
이들 전자사진용 감광체를 이용한 전자사진법에 따른 화상형성에는 예를 들면 칼슨법(Carlson method)이 적용된다. 이 방법을 통한 화상형성은 어두운 곳에서 감광층에 대한 코로나 방전에 의한 대전, 대전된 감광체 표면상에 대한 원고의 문자나 그림 등의 정전(靜電)화상의 형성, 형성된 정전 화상의 토너를 통한 현상, 현상된 토너 상(像)을 종이 등의 지지체에 전사 정착시키는 작업을 통해, 토너상이 전사된 이후의 감광체는 전류의 제거, 잔류 토너의 제거, 빛을 통한 전류의 제거 후, 모두 재사용된다.
종래부터, 상기 전자사진용 감광체의 감광 재료로서, 셀렌, 셀렌합금, 산화아연, 또는 황화카드뮴 등의 무기 광전도성 물질을 이용한 것이나 폴리-N-비닐카르바졸, 9,10-안트라센디올폴리에스테르, 히드라존, 스틸벤부타디엔, 벤디딘, 프탈로시아닌 또는 비스아조 화합물등의 유기 광전도성 물질을 수지결착재에 분산시킨 것, 또는 진공증착 또는 승화시킨 것 등이 사용되었다.
한편, 이러한 유기 광전도성 물질중, 티탄일옥시프탈로시아닌에 대해서도 각종 검토가 이루어져 왔다. 특히, 700nm이상의 장파장 영역에서 고감도의 반도체 레이저빔 프린터 등에 적절히 이용될 가능성이 크기 때문에, 최근들어 활발한 개발이 이루어지고 있다. X선의 블록각(2θ±0.2°)에 있어서, 27.2°에서 최대의 피크를 가지는 티탄일옥시프탈로시아닌에 첨가물을 첨가한 경우에 대해서는 일본 특허 공개 공보 제 1993-313389호에 기재되어 있다.
전자사진 공정에 있어서, 감광체의 감광도가 큰 것이 중요하지만, 어두운 곳에서 표면 전하를 유지하는 특성(전하유지율)도 중요하며, 이러한 전자사진 감광체 특성을 향상시키기 위해, 통상적으로 감광체의 전하 발생 물질에 이용되는 안료는 활성화처리를 실시한 것이 이용된다.
티탄일옥시프탈로시아닌 안료에 대해서도 산(酸)페이스트법, 또는 밀링처리에 의한 결정형 변환 등에 의해 특성개선이 이루어지고 있다.
그러나, 티탄일옥시프탈로시아닌 안료를 전하 발생 물질로서 이용하는 감광체에 상기한 바와 같은 처리를 실시한 안료를 이용하면 감도에 대한 개선은 가능하지만, 전하유지율에 대해서는 편차가 크고, 그 결과 화상이 흐려지는 등의 화상결함이 빈번히 발생해 왔다.
상기한 바와 같이, 티탄일옥시프탈로시아닌을 전자사진용 감광체의 감광 재료로 이용하는 것은 공지된 사실이며, 무금속 프탈로시아닌에 있어서는 일본 특허 공개 공보 제 1991-54572호에서 전하유지율의 편차에 관여한 물질이 알려져 있으나, 티탄일옥시프탈로시아닌은 무금속 프탈로시아닌과는 분자간 거리가 명확히 다르고, 더욱이 무금속 프탈로시아닌에는 존재하지 않는 티탄금속이나 산소에 의한 효과가 있다.
티탄일옥시프탈로시아닌에 대해서는 각종 검토가 이루어지고 있으나 전하유지율의 편차에 관한 물질이 확실히 밝혀지지는 않은 실정이다.
명확한 화상을 얻고 공업적인 생산이 가능하기 위해서는 전하유지율이 높고 편차가 적은 것이 필수 불가결하다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전하유지율이 높고, 편차가 적은 고감도의 전자사진용 감광체를 제공하는 데 있다.
도 1(a)는 기능분리형 전자사진용 감광체의 단면도이다.
도 1(b)는 단층형 전자사진용 감광체의 단면도이다.
도 2는 X선 회절 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 전도성 기판 2 : 하부피복층
3 : 전하발생층 4 : 전하수송층
5 : 감광층
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 면밀히 검토한 결과, 감광층에 있어서 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유한 층의 SO4 2-함유량을 특정 범위로 한정함으로써 전하유지율이 대폭 향상되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 전자사진용 감광체는 전도성 기판상에 감광층이 구비되고, 상기 감광층이 광 도전 재료로서 적어도 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 전자사진용 감광체에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유한 층에서, 티탄일옥시프탈로시아닌에 대한 SO4 2-함유량이 500ppm이하임을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 있어서, SO4 2-를 함유하는 상기 티탄일옥시프탈로시아닌은 X선 회절 스펙트럼의 블록각(2θ±0.2°)에서 9.6°에 최대피크를 갖는 것이 바람직하며, SO4 2-를 함유하는 상기 티탄일옥시프탈로시아닌은 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서, 적어도 9.6°,14.2°,14.7°,18.0°, 및 27.2°에 회절피크를 가지는 것이 보다 바람직하다. 또한, SO4 2-를 함유하는 상기 티탄일옥시프탈로시아닌이 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서, 27.2°에 최대피크를 가지는 것도 바람직하다.
또한, 본 발명의 전자사진용 감광체의 제조방법은 전도성 기판상에 감광층을 도포하는 작업을 포함하는 전자사진용 감광체의 제조방법에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 도포액내 SO4 2-의 함유량을 티탄일옥시프탈로시아닌에 대해 500ppm 이하로 함을 특징으로 하는 것이다.
이하, 본 발명의 감광체의 구체적 구성을 도면에 근거하여 설명한다. 전자 사진용 감광체에는 이른바 음으로 대전된 적층형 감광층, 양으로 대전된 적층형 감광층 및 양으로 대전된 단층형 감광층 등이 있다. 이하에서 음으로 대전된 적층형 감광층을 예를 들어 구체적으로 설명하겠으나, 티탄일옥시프탈로시아닌에 관한 그 밖의 감광체의 형성 또는 제조 등을 위한 물질 및 방법 등은 공지된 물질 및 방법을 통해 적합한 것을 선택할 수 있다.
도 1은 대표적인 전자사진용 감광체의 단면도로서, (a)는 기능 분리형 전자사진용 감광체이고, (b)는 단층형 전자사진용 감광체이다. 도 1(a)에 도시된 음으로 대전된 적층형 감광체에서, 전도성 기판(1)상에, 하부피복층(2), 전하발생기능을 가진 전하발생층(3) 및 전하수송기능을 가진 전하수송층(4)으로 이루어진 감광층(5)이, 순차적으로 적층되어 있다.
한편, 도 1(b)에 도시된 양으로 대전된 단층형 전자사진용 감광체에서는 전도성 기판(1)상에 하부피복층(2)과, 전하발생 및 전하수송의 기능을 겸한 감광층(5)이, 순차적으로 적층되어 있다.
어떠한 구성에서도 하부피복층(2)이 반드시 필요한 것은 아니다. 또한, 어떠한 구성에서도 가장 표면에 있는 층에는 보호층을 설치할 수 있다. 이들 감광층(5)에는 빛을 수용하여 전하를 발생하는 전하발생물질이 함유되어 있다.
이하, 도 1(a)에 도시된 음으로 대전된 적층형 감광체를 예를 들어 구체적으로 설명한다.
전도성 기판(1)은 감광층의 전극으로서 역할함과 동시에 다른 각 층의 지지체로서도 기능하며, 원통형상, 판형상, 필름형상 중 어느 것이라도 상관없고, 재질적으로는 알루미늄, 스테인레스 강, 니켈 등의 금속, 또는 유리, 수지 등의 위에 전도처리를 실시한 것이어도 좋다.
하부피복층(2)에는 알코올 가용성 폴리아미드, 알코올 가용성 방향족 폴리아미드, 열경화형 우레탄수지 등을 이용할 수 있다.
알코올 가용성 폴리아미드로서는 나일론 6, 나일론 8, 나일론 12, 나일론 66, 나일론 610, 나일론 612 등의 공중합 화합물이나, N-알킬 변성 또는 N-알콕시 알킬 변성 나일론 등이 바람직하다.
이들의 구체적인 화합물로서는 아밀란 CM8000(도오레(주)제조 6/66/610/612 공중합 나일론), 다이아미드 T-171(다이셀퓰스(주)제조, 나일론 12 주체 공중합 나일론) 등을 들 수 있다.
더욱이, 하부피복층(2)에는 TiO2, 알루미나, 탄산칼슘, 실리카 등 무기미분말을 첨가할 수 있다.
전하발생층(3)은 유기 광전도성 물질의 입자를 그대로, 또는 수지결착재를 이용하여 용매로 분산시킨 재료를 도포하여 형성되며, 빛을 수용하여 전하를 발생한다. 전하발생층(3)은 그 전하발생율이 높아야 하며 발생된 전하의 전하수송층(4)에 대한 주입이 중요하므로, 전기장 의존성이 적고 저전기장에서도 주입이 양호한 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는 전하발생물질로서 적어도 티탄일옥시프탈로시아닌이 함유될 필요가 있으나, 다른 전하발생물질, 예를 들면, 아조, 퀴논, 인디고, 시아닌, 스쿠아리리움, 아드레늄 화합물 등의 안료나 염료를 함께 사용할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌 함유층의 SO4 2-함유량은 상기 티탄일옥시프탈로시아닌에 대해 500중량ppm 이하로 한다. SO4 2-함유량이 500중량ppm이하가 되면, 전하발생층의 암(暗)전류가 저하되어 감광체의 전하유지율의 재현성이 양호하며 우수한 유지율을 얻을 수 있게 된다.
본 발명에서 사용할 수 있는 티탄일옥시프탈로시아닌은 예를 들면 이하의 실시예의 합성예에 따라 합성할 수 있고 그 밖에, 일본 특허 공개 공보 제 1991-35245호에 기재된 예 등도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌은 감도가 양호하다는 견지에서 SO4 2-함유 티탄일옥시프탈로시아닌 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서, 9.6°에 최대 피크인 회절피크를 가지는 것이 바람직하고, 적어도 9.6°,14.2°,14.7°,18.0°,24.0° 및 27.2°에서 회절피크를 가지며, 9.6°에 최대 피크인 것(이후 9.6°에 최대피크를 가지는 회절피크군이라 약칭한다)이 보다 바람직하다. 또한, SO4 2-함유 티탄일옥시프탈로시아닌 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서, 27.3°에 최대 피크를 가지는 것도 바람직하다.
전하 발생층(3)은 전하수송층(4)이 적층되기 때문에, 그 막두께는 전하발생물질의 빛흡수계수에 의해 결정되며, 일반적으로는 5㎛이하이고 1㎛이하인 것이 바람직하다. 전하발생층(3)은 전하 발생 물질을 주체로 하며, 여기에 전하 수송 물질 등을 첨가하여 사용할 수도 있다. 전하발생층용 수지결착재로서는 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 실리콘, 메타크릴산 에스테르, 염화비닐, 케탈, 초산비닐 등의 중합체나 공중합체 및 이들의 할로겐화물, 시아노에틸 화합물 등을 적절히 조합하여 사용할 수도 있다.
또한, 전하발생물질의 사용량은 이러한 수지결착재 100중량부에 대해, 10 내지 500중량부이고, 50 내지 100중량부가 사용되는 것이 바람직하다.
전하수송층(4)은 수지결착재내에 전하수송물질, 예를 들면, 각종 히드라존계 화합물, 스티릴계 화합물, 아민계 화합물 및 이들 유도체를 단독으로 또는 이들을 조합한 것을 용해시킨 재료로 이루어진 도포막이며, 어두운 곳에서는 절연체층으로서 감광체의 전하를 유지하고, 빛의 수용시에는 전하발생층으로부터 주입되는 전하를 수송하는 기능을 가진다.
전하수송층용 수지결착재로서는 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리스틸렌, 메타크렌산 에스테르의 중합체 및 공중합체 등이 이용되지만, 기계적, 화학적 및 전기적 안정성, 밀착성 등 외에 전하수송물질과의 상용성(相溶性)이 중요하다.
전하수송물질의 사용량은 수지결착재 100중량부에 대해, 20 내지 500중량부이며, 30 내지 300중량부가 사용되는 것이 바람직하다. 전하수송층의 막두께는 실용적으로 유효한 표면전위를 유지하기 위해서는 3 내지 50㎛을 유지하는 것이 바람직하며, 10 내지 40㎛이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 전자사진용 감광체의 상기 감광층은 단층형 및 적층형을 모두 포함하는 것이며, 어느 하나에 한정되는 것이 아니다.
상기한 혼합 및 분산된 각종 도포액의 도포법으로서는 침지도포법, 분무도포법 등이 적용될 수 있으며, 본 발명의 제조방법에 있어서 도포액에는 침지도포법, 분무도포법 등을 적용할 수 있고, 어떠한 도포방법에 한정되는 것은 아니다.
실시예
이하에 본 발명의 구체적인 실시예를 나타내겠으나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
티탄일옥시프탈로시아닌의 합성예 1
반응 용기에 o-프탈로디니트릴(동경화성공업(주)제조) 800g, 퀴놀린 1.8ℓ를 첨가하여 교반하였다. 질소분위기하에서 사염화티탄 297g을 적하하여, 교반하였다. 적하 후 180℃에서 15시간 가열 교반하였다.
상기 반응액을 130℃까지 냉각 방치한 후 여과하여, N-메틸-2-피롤리디논(관동화학(주)제조)으로 세정하였다. 상기 습식 케이크를 질소분위기하에서 N-메틸-2-피롤리디논과 160℃에서 1시간 동안 가열, 교반하였다. 이를 냉각 방치, 여과하여, N-메틸-2-피롤리디논, 아세톤, 메탄올 및 온수를 사용하여 순차적으로 세정하여, 습식 케이크로 제조하였다.
상기 습식 케이크를 다시 물 4ℓ·36% 염산 360㎖의 희석 염산과 80℃에서 가열, 교반하였다. 이를 냉각 방치, 여과하여, 온수로 세정한 후 건조시켜 티탄일옥시프탈로시아닌 혼합물을 얻었다.
-5℃의 98%황산 4kg에 -5℃를 넘지않도록 냉각, 교반하면서 상기 티탄일옥시프탈로시아닌 혼합물 200g을 첨가하였다. 다음으로, -5℃로 유지하여 1시간 동안 냉각, 교반하였다. 또한, 냉수에 온도가 10℃를 넘지 않도록 냉각, 교반하면서 상기 황산용액을 첨가하여 1시간 동안 냉각, 교반하고 이를 여과하여, 습식 케이크로 제조하였다. 여과시에, 세정액으로서 메탄올과 물을 1:1로 혼합한 용매 또는 물을 이용하여, 여과 횟수를 각각 1회 내지 5회로 변경하여, 하기 표 1로 나타낸 No.1 내지 No.10의 SO4 2-함유 티탄일옥시프탈로시아닌을 얻었다. 또한 이 때, 티탄일옥시프탈로시아닌에 함유된 SO4 2-의 농도를 분석하였다. 그리고, 여과 1회 당 세정에 필요한 용적을 5ℓ로 하였다. 하기 표 1에 세정, 여과조건 및 SO4 2-함유농도를 각각 나타낸다.
SO4 2-함유티탄일옥시프탈로시아닌 세정·여과조건 SO4 2-함유농도(중량ppm)
No.1 물:메탄올=1:1로 5회 100
No.2 물:메탄올=1:1로 4회 200
No.3 물:메탄올=1:1로 3회 500
No.4 물:메탄올=1:1로 2회 700
No.5 물:메탄올=1:1로 1회 2500
No.6 물로 5회 400
No.7 물로 4회 900
No.8 물로 3회 1500
No.9 물로 2회 2000
No.10 물로 1회 5000
표 1을 통해, 세정액은 단순한 물보다도 메탄올과의 1:1 혼합액쪽이 SO4 2-제거효과가 크고, 또한 세정여과를 반복할수록 SO4 2-함유량을 저감시킬 수 있다는 것을 알았다.
이들 습식 케이크를 다시 물 10ℓ· 36%염산 770㎖의 희석 염산과 혼합하고, 80℃에서 1시간 동안 가열, 교반하였다. 이를 냉각 방치, 여과하고 온수로 세정하여 습식 케이크를 제조하였다.
얻어진 습식 케이크와 o-디클로로벤젠(관동화학(주)제조) 1.5ℓ를 직경 8mm의 지르코니아볼 6.6kg을 넣은 볼밀장치에 넣어서, 실온에서 24시간 동안 밀링하였다. 이를 여과하고, 건조시켜 이하에서 이용하는 티탄일 옥시프탈로시아닌을 얻었다.
실시예 1∼4, 비교예 1∼8
폴리아미드(도오레(주)제조 아밀란 CM8000) 70중량부와, 메탄올 930중량부를 혼합하여 하부피복층 도포액을 제조하였다.
상기 하부피복층 도포액을 알루미늄 기판상에 침지도포법에 의해 도포하여, 건조한 후의 막 두께가 0.5㎛인 하부피복층을 형성하였다.
다음으로, 상기 합성예 1에서 합성한 각각의 티탄일옥시프탈로시아닌 10중량부와 염화비닐계수지(일본제온(주)MR-110) 10중량부를 디클로로메탄 1000중량부에 분산시켜 10종류의 전하발생층 도포액을 제조하였다.
이들 도포액의 일부를 견고하게 증발 건조시키고, X선 회절 스펙트럼을 X선 회절장치(마크사이언스(주)제조 MXP18VA)를 이용하여 측정한 결과, 모두 9.6°에서 최대피크를 가졌다. 측정된 X선 회절스펙트럼의 챠트예를 도 2에 나타낸다.
상기 전하발생층 도포액을 상기 하부피복층위에 침지도포법에 의해 도포하여, 건조후의 막두께가 0.2㎛인 전하발생층을 형성하였다.
4-(디페닐아미노)벤즈알데히드페닐(2-티에닐메틸)히드라존(후지전기(주)제조) 100중량부와, 폴리카보네이트 수지(제인화성(주)제조 판라이트 K-1) 300중량부와, 디클로로메탄 800중량부와, 실란커플링제(신월화학공업(주)제조 KP-340) 1중량부를 혼합하여 전하수송층 도포액을 제조하였다. 상기 전하수송층 도포액을 상기 전하발생층상에 침지도포법에 의해 도포하고, 건조시킨 후 막두께가 20㎛인 전하수송층을 형성하여 전자사진용 감광체를 제조하였다.
티탄일옥시프탈로시아닌의 합성예 2
일본 특허 공개 공보 제 1991-35245호에 기재된 합성예 1의 방법에 준하여 합성하고, 황산용해시킨 후 여과시의 세정조건을 합성예 1의 표 1와 동일하게 변경하여, SO4 2-함유농도를 측정한 결과, 하기의 표 2와 같은 결과가 나타났다.
SO4 2-함유티탄일옥시프탈로시아닌 세정·여과조건 SO4 2-함유농도(중량ppm)
No.11 물:메탄올=1:1로 5회 200
No.12 물:메탄올=1:1로 4회 300
No.13 물:메탄올=1:1로 3회 500
No.14 물:메탄올=1:1로 2회 800
No.15 물:메탄올=1:1로 1회 3000
No.16 물로 5회 500
No.17 물로 4회 1000
No.18 물로 3회 1600
No.19 물로 2회 2100
No.20 물로 1회 5500
실시예 5∼8, 비교예 9∼14
상기 합성예 2에서 합성된 티탄일옥시프탈로시아닌 번호 11∼20을 이용하며, 그 밖의 것은 실시예 1과 동일하게 하여 각종 전자사진용 감광체를 제조하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 전하발생층도포액의 X선 회절 스펙트럼을 측정한 결과, 모두 27.2°에서 최대피크를 가졌다.
이와 같은 과정을 통해 얻어진 실시예 1∼8, 비교예 1∼14의 전자사진용 감광체의 전기 특성을 정전기록지 시험장치((주)가와구치 전기제작소 EPA-8200)를 이용하여, 20℃, 50% RH의 조건하에서 측정하였다. 어두운 곳에서 -5kV의 코로나 방전을 10초간 실시하고, 표면을 음으로 대전시켰을 때의 초기 대전위를 Vo라 하고, Vk5는 방전 중지후 5초후의 감광체 표면의 전하유지율을 나타낸다. 이어서 표면에 파장이 780㎚인 레이저광을 투사하여 표면의 대전위가 -100V로 감쇠하는 노출광량(E100)을 각각 측정하였다. 또한 3㎼ 광투사시의 노광부의 전위(VL)를 측정하였다.
SO4 2-함유티탄일옥시프탈로시아닌 Vo(V) Vk5(%) VL(V) E100μJ/㎠ SO4 2-함유농도 (중량ppm)
실시예1 No.1 -620 96 -20 0.35 100
실시예2 No.2 -615 96 -24 0.34 200
실시예3 No.3 -591 95 -29 0.36 500
비교예1 No.4 -485 92 -26 0.35 700
비교예2 No.5 -430 88 -21 0.37 2500
실시예4 No.6 -602 95 -27 0.34 400
비교예5 No.7 -467 92 -24 0.35 900
비교예6 No.8 -450 88 -25 0.36 1500
비교예7 No.9 -435 86 -28 0.37 2000
비교예8 No.10 -400 77 -24 0.40 5000
실시예5 No.11 -623 96 -23 0.33 200
실시예6 No.12 -607 95 -17 0.35 300
실시예7 No.13 -594 95 -22 0.34 500
비교예9 No.14 -477 91 -21 0.36 900
비교예10 No.15 -421 86 -24 0.37 3000
실시예8 No.16 -603 95 -26 0.35 500
비교예11 No.17 -459 91 -28 0.36 1000
비교예12 No.18 -455 88 -24 0.37 1600
비교예13 No.19 -426 85 -23 0.39 2100
비교예14 No.20 -422 76 -22 0.38 5500
전하유지율은 높은 것이 바람직하며, 본 층의 구성의 경우에는 95% 이상일 것이 요구되지만, 표 3을 통해 티탄일옥시프탈로시아닌에 함유되는 SO4 2-농도가 500중량ppm 이하인 경우에는, 이러한 요건을 충족시킬 수 있다는 것을 알았다.
또한, 상기 합성예 1,2에 있어서는 티탄일옥시프탈로시아닌의 황산용해이후 여과시의 세정여과조건을 물과 메탄올을 1:1로 혼합하여 용매를 이용해 3회 이상, 물로 5회 이상 반복함으로써 SO4 2-농도를 500중량ppm이하로 하였으나, 반드시 이러한 방법에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면 티탄일옥시프탈로시아닌에 함유되는 SO4 2-농도를 500중량 ppm이하로 함으로써 전하유지율이 높고, 편차가 적은 전자사진용 감광체를 안료양에 좌우되지 않고 안정적으로 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 전자사진용 감광체를 이용함으로써, 흐림없는 선명하고 양호한 화상을 안정적으로 얻을 수 있게 된다.

Claims (5)

  1. 전도성 기판상에 감광층이 구비되어 있고, 감광층이 광전도 재료로서 적어도 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 전자 사진용 감광체에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유한 층에서 티탄일옥시프탈로시아닌에 대한 SO4 2-함량이 500중량ppm이하임을 특징으로 하는 전자사진용 감광체.
  2. 제 1항에 있어서, SO4 2-를 함유하는 티탄일옥시프탈로시아닌이 X선 회절 스펙트럼의 블록각(2θ±0.2°)에서 9.6°에 최대피크를 가지는 전자사진용 감광체.
  3. 제 1항에 있어서, SO4 2-를 함유하는 티탄일옥시프탈로시아닌이 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서 27.2°에 최대피크를 가지는 전자사진용 감광체.
  4. 제 2항에 있어서, SO4 2-를 함유하는 티탄일옥시프탈로시아닌이 X선 회절 스펙트럼의 블럭각(2θ±0.2°)에서 적어도 9.6°, 14.2°, 14.7°, 18.0° 및 27.2°에 회절피크를 가지는 전자사진용 감광체.
  5. 전도성 기판상에 감광층을 도포하는 작업을 포함하는 제 1항에 따른 전자사진용 감광체의 제조방법에 있어서, 티탄일옥시프탈로시아닌을 함유하는 도포액중 SO4 2-의 함유량을 티탄일옥시프탈로시아닌에 대해 500ppm 이하로 함을 특징으로 하는 전자사진용 감광체의 제조방법.
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