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KR19980081128A - 반도체층 또는 절연재층의 신규한 화학적 기계적 연마 방법 - Google Patents

반도체층 또는 절연재층의 신규한 화학적 기계적 연마 방법 Download PDF

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KR19980081128A
KR19980081128A KR1019980012061A KR19980012061A KR19980081128A KR 19980081128 A KR19980081128 A KR 19980081128A KR 1019980012061 A KR1019980012061 A KR 1019980012061A KR 19980012061 A KR19980012061 A KR 19980012061A KR 19980081128 A KR19980081128 A KR 19980081128A
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abrasive
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에릭 작끼노
모리스 리브와르
외브라르드카테린
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베르냐르메티비에
클라리앙(프랑스)에스.에이.
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Abstract

본 발명에는 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 초소형 전자 반도체 산업에서 사용되는, 다결정 규소, 에피택셜 단결정 규소 또는 무정형 규소와 같은 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리 또는 보로포스포실리케이트 유리와 같은 절연재의 층을 연마제 조성물에 함침된 직물을 사용하여 러빙(rubbing)시킴으로써 반도체 재료층 또는 절연재층의 연마 단계를 수행하는 화학적 기계적 연마(polishing) 방법에 있어서, 상기 연마제가 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 개별 콜로이드상 실리카 입자 및 현탁액 매질로서의 물의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액으로 이루어지는 반도체 재료층 또는 절연재층의 화학적 기계적 연마 방법을 기재한다.

Description

반도체층 또는 절연재층의 신규한 화학적 기계적 연마 방법
본 발명은 집적 회로의 제조에 사용한 반도체 또는 절연재를 위한 신규한 화학적 기계적 연마 방법에 관한 것이다.
집적 회로의 구성은 2개의 연속 크래프트가 서로 분리되도록 한다.
제1크래프트는 집적 회로용 웨이퍼의 제조, 즉 규소 슬라이스의 제조에 존재한다. 따라서, 상기 유형의 산업에서는 규소 결정이 성장한 다음, 이것을 두께 약 750 ㎛의 웨이퍼가 되도록 절단한 다음, 이것을 연마시켜 연마된 순수한 규소의 웨이퍼를 수득한다. 그러나, 이러한 유형의 산업은 집적 회로를 제조하지 않으며, 집적 회로를 위한 이들 웨이퍼는 집적 회로의 제조를 위해 시판되고 있다.
US-A-3,170,273, US-A-A-4,664,679, US-A-4,117,093 및 EP-A-0,684,638은 집적 회로용 웨이퍼를 수득하기 위해 절단된 결정의 고형 바로부터 수득한 초기 규소 웨이퍼의 연마를 기술하고 있다.
이이서, 집적 회로 제조자의 것인 제2크래프트는 이미 언급한 산업으로부터 수득한 집적 회로용 웨이퍼를 출발물질로 사용하는, 집적 회로의 제조에 존재한다. 특히, 집적 회로의 제조는 하기 단계를 따른다:
우선, 집적 회로용 웨이퍼의 표면 전체를 산화시켜 절연층을 수득한다. 이어서, 산화물 층의 사진석판술을 수행하여, 후자가 규소에 도달하는 방식으로 에칭시킨다. 이렇게 하여 깊이 에칭된 지대를 활성 지대라고 칭한다. 이들 활성 지대의 위치에서, 그리드 산화라고 칭하는 신규한 산화를 수행한다. 이어서, 도핑된 다결정 규소의 일례인, 그리드를 구성하는 층을 배치시킨다. 이어서, 절연체를 증착시키고 또다른 사진석판술을 수행하여 다시 원래의 규소 수준으로 도달시킨다. 이어서, 이들 위치에서는 텅스텐과 같은 금속의 증착물이 생성된다. 본 발명은 상기 구성 수준 및 후속 수준에서의 집적 회로의 연마에 관한 것이다. 사실상, 현재는 증착물이 구비된 각 수준에서의 깊은 에칭, 및 이어서 본 발명에 따른 금속 및 절연체의 연마 작동에 의한 수준 조절을 포함하는 6가지 이하의 접촉 수준을 생성시킬 수 있다. 그러나, 본 발명은 집적 회로용 웨이퍼의 제1연마에 관한 것은 아니다.
상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 가변성 높이 단계는 주로 에칭 단계 및 이후의 정규적 증착에 의해 발생되며, 따라서 이것은 깊다. 트랜지스터의 크기 감소에 따라 이들 릴리프의 평탄화가 요구되는데, 그 이유는 이들이 (사진석판술 동안 초점에 모이는) 정렬의 곤란함, 증착 동안의 재료의 연속성 문제, 또는 이들 재료의 에칭 동안의 재료의 잔류물을 초래할 수 있기 때문이다. 초미세 기술을 위한 평탄화는 주로 다양한 증착층의 화학적 기계적 연마에 의해 수행된다. 이들 절연체, 반도체 또는 전도성 증착물의 연마 후의 두께는 집적 회로의 전기적 특징에 대해 효과를 갖는다.
집적 회로의 제조는 현재, 직경 200 ㎜의 웨이퍼 상에서 수행하며, 이때 웨이퍼 당 50 내지 200 개의 회로는 이들 크기에 의존한다.
집적 회로의 특징을 재생산해야 하는 경우, 웨이퍼 상에서의 이들의 위치와는 무관하게, 상이한 기술적 단계의 균일성이 필수적이다. 특히, 웨이퍼의 화학적 기계적 연마의 양호한 균일성에 의해, 회로의 파괴를 초래할 수 있거나, 또는 웨이퍼 상에서의 이들의 위치에 의존하는 집적 회로의 전기적 특징의 변화를 초래할 수 있는 재료의 과도한 국부적 연마를 방지할 수 있도록 한다.
따라서, 집적 회로의 증대된 통합은 릴리프 내의 패턴을 포함하는 표면의 평탄화에 적용된 화학적 기계적 연마와 같은 신규한 기술의 개발을 필요로 하였다.
그것은 오늘날의 집적 회로 제조에 대한 작동 동안, 이젠 주로 집적 회로 웨이퍼의 규소 뿐만 아니라, 산화규소와 같은 집적 회로 웨이퍼 및 텅스텐과 같은 특정 금속의 기타 조성물도 연마시킬 필요가 없는 이유이다. 이들 후자 재료에 대한 연마 방법은 널리 공지되어 있다.
그러나, 한편으로는 다결정 규소, 에피택셜 단결정 규소 또는 무정형 규소와 같은 반도체 재료, 또는 포스포실리케이트 유리(보다 통상적으로는 PSG로 칭함) 또는 보로포스포실리케이트 유리(보다 통상적으로는 BPSG로 칭함)와 같은 절연재를 위한 화학적 기계적 연마 방법는 여전히 꽤 불량하게 숙달되는데, 그 이유는 이들 다양한 재료에 적합한 연마제가 없기 때문이다.
이들 재료는 집적 회로의 제조시 상이한 단계에서, 에피택셜층(에피택셜 규소) 또는 증착층(다결정 규소 및 무정형 규소, PSG 및 BPSG) 중의 반도체의 초소형 전자 산업에서 사용한다.
따라서, 이들 집적 회로 웨이퍼 재료의 연마를 위한 특이 연마제의 개발은 이들의 연마 방법의 숙달을 위한 근거가 된다.
문헌에서는, 또한 염기성 pH, 대부분은 종종 pH 9 내지 12.5의 콜로이드상 실리카의 수성 현탁액을 사용하는 다결정 규소의 연마를 기술하였다. 이들 콜로이드상 실리카 수성 현탁액의 pH는 나트륨 또는 칼륨과 같은 금속의 알칼리성 수산화물의 첨가에 의해, 또는 수중 가용성 아민의 첨가에 의해 염기성으로 되었다(특히, 문헌[참조: M.T. Bohr 등, WO-A-9627206, M. Motoshu 등, US-A-5,376,222, A.V. Gelatos 등, US-A-5,324,690, R.L. Lachappelle, US-A-3,328,141, S. Yamamichi 등, JP-A-07074313, M. Watanabe 등, JP-A-072499600]을 참조함).
그러한 염기성 수성 현탁액을 사용함으로써 특정 수의 단점이 존재한다. 불량한 연마 균일성은 특히, 연마할 웨이퍼 연부에서 수득된다(영어 용어 웨이퍼를 통상적으로 사용함).
EP-A-0,745,656은 안정제 존재하의 산화알루미늄, 실리카 및 산화세륨의 혼합물을 함유하는 연마제 조성물을 사용하는, 반도체 기재 상의 미소한 절연체의 연마를 기술한다.
EP-A-0,363,100은 Sl3N4를 포함하는 표면과 Sl3N4보다 용이하게 처리할 수 있는 표면 사이에서의 연마 선택성에 있어서, 후자에 의해 도입된 단점 때문에, 암모니아가 제거된 순도 95.3%의 콜로이드상 실리카를 사용하는 선택된 연마를 기술한다.
출원인의 중요한 목적은 집적 회로의 제조시 반도체 또는 절연체로서 사용된, 집적 회로 웨이퍼 상에 설치된 이미 언급한 재료층의 연마 균일성의 개선을 달성하는 연마 방법을 개발하는 것이었다.
본 발명의 중요한 이점은 pH가 중성이거나 중성에 근접한 콜로이드상 실리카 수용액을 사용하여, 다결정 규소와 같은 반도체 재료의 층 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 절연재의 층의 화학적 기계적 연마의 균일성 개선이다.
본 발명의 또다른 이점은 특히, 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 개별 입자로 이루어지는 콜로이드상 실리카의, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액이 시간 경과에 따라 안정성이 상당히 양호하고, 이로부터 저장 시간 동안 입자가 침전하지 않게 결과한다는 것이다.
최종적으로, 본 출원의 목적은 바람직하게는 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 직경 3 내지 250 ㎚의 개별 입자를 포함하며, pH가 6 내지 8인 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 함유하는 액체 연마제 조성물에 함침된 직물을 포함하는, 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 다결정 규소, 에피택셜 규소 또는 무정형 규소와 같은 규소를 기재로 한 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리(PSG) 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 절연체의 층의 화학적 기계적 연마용 연마제이다.
도 1a는 연마 전의 다결정 규소에 의해 코팅된 고형 웨이퍼의 상태를 도시함.
도 1b는 연마 후의 다결정 규소에 의해 코팅된 고형 웨이퍼의 상태를 도시함.
도 1c 및 도 1d는 사진석판 에칭에 의해 형성된 릴리프를 갖는, 유사한 웨이퍼의 상태를 도시함.
연마를 고형 웨이퍼(도 1a 및 1b를 참조함) 상에서 또는 릴리프를 갖는 웨이퍼(도 1c 및 1d를 참조함) 상에서 수행하여, 이들 릴리프를 평탄화시킬 수 있을 것이라고 언급할 필요가 있다.
본 발명의 관심인 재료는 상기에서 알 수 있는 바와 같이, 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용한 초기 규소를 제외한, 다결정 규소, 에피택셜 규소, 무정형 규소, 포스포실리케이트 유리 또는 보로포스포실리케이트 유리(이때, 후자의 2개는 도핑된 산화규소를 기재로 함)와 같은 규소 또는 도핑된 규소를 기재로 한 재료를 통합시킨다.
상기 재료층의 화학적 기계적 연마시 이들 개선점을 모두 달성하기 위해서는, 놀랍게도 콜로이드상 실리카 현탁액, 특히 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않고 중성 매질 또는 중성에 근접한 매질 중에서 사용한 개별 실리카 미립자를 함유하는 (또는 바람직하게는 필수적으로 그로 이루어지는) 현탁액을 사용함으로써, 양호한 공격 속도, 우수한 평탄화 및 표면 품질을, 특히 실질적인 조도(roughness) 부재하에 유지하면서 연마 균일성을 상당히 개선시킬 수 있었다는 사실이 기대이상으로 관찰되었다. 본 출원 및 하기 내용에서, 용어 필수적으로란 50%보다 많은 것을 의미할 것이고, 현저하게란 60%보다 많은 것을 의미할 것이고, 특히란 80%보다 많은 것을 의미할 것이고, 보다 특히란 90%보다 많은 것을 의미할 것이고, 상당히 특히란 99%보다 많은 것을 의미할 것이다.
그것은 본 발명의 목적이 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 집적 회로의 제조에 사용되는, 다결정 규소, 에피택셜 단결정 규소 또는 무정형 규소와 같은 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리 또는 보로포스포실리케이트 유리와 같은 절연재의 층의 화학적 기계적 연마를 위한, 바람직하게는 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 콜로이드상 실리카의 개별 입자를 함유하는 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 포함하는 연마제의 사용인 이유이고, 또한 그것은 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 반도체의 초소형 전자 산업에서 사용되는, 다결정 규소, 에피택셜 단결정 규소 또는 무정형 규소와 같은 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리 또는 보로포스포실리케이트 유리와 같은 절연재의 층을 연마제 조성물에 함침된 직물을 사용하여 러빙시킴으로써 반도체 재료층 또는 절연재층의 연마 단계를 수행하는 화학적 기계적 연마 방법에 있어서, 상기 연마제가 바람직하게는 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 콜로이드상 실리카의 개별 입자 및 현탁액 매질로서의 물을 포함하는 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 포함하고, 현저하게는 필수적으로 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 상기 수성 현탁액으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 재료층 또는 절연재층의 화학적 기계적 연마 방법인 이유이다.
상기의 화학적 기계적 연마는 집적 회로 제조시의 상이한 단계에서, 특히 트랜지스터의 측부 절연 단계에서, 트랜지스터 게이트 제조시 및 유전체 상호 연결부 제조시 수행할 수 있다.
상기의 화학적 기계적 연마는 또한, 고형 웨이퍼 또는 릴리프를 갖는 웨이퍼 상에서 수행하여 후자를 평탄화시킬 수 있다.
다결정 규소, 에피택셜 규소 또는 무정형 규소와 같은 규소를 기재로 한 물질층, 또는 포스포실리케이트 유리(또는 PSG) 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 재료층의 화학적 기계적 연마를 위해서는, 사용한 콜로이드상 실리카 수성 현탁액의 각 입경이 바람직하게는 3 내지 250 ㎚, 특히 10 내지 100 ㎚이다.
본 발명에 따라 바람직한 콜로이드상 실리카 수성 현탁액은 염산, 질산 또는 황산과 같은 산을 사용한 실리카, 특히 나트륨 또는 칼륨의 알칼리성 토양(soil)의 중화에 의하거나, 또는 소다, 가성 칼륨 또는 암모니아, 바람직하게는 가성 칼륨 및 암모니아, 특히 암모니아를 사용한 산 실리카 토양의 중화에 의해 수득된다.
pH 8의 암모니아를 사용한 산 토양의 중화에 의해 수득된 콜로이드상 실리카의 상기 현탁액이 EP-A-0,363,100에 언급된 것과는 상이하게, 다결정 규소의 양호한 공격 속도를 유지하면서, 양호한 균일성 비율을 제공한 것이 주지되었다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실행 조건하에서는, pH 6 내지 8, 특히 pH 6.5 내지 7.5의 콜로이드상 실리카의, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 사용한다.
본 발명에 따른 방법의 기타 바람직한 실행 조건하에서는, 콜로이드상 실리카 현탁액의 원소 입경이 3 내지 250 ㎚, 특히 10 내지 100 ㎚이다.
본 발명에 따른 방법의 기타 바람직한 실행 조건하에서는, 연마 제품, 즉 실리카의 농도가 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 15 내지 40 중량%이다.
본 발명의 중요한 이점은 pH가 중성이거나 중성에 근접한 콜로이드상 실리카 수용액을 사용하여, 다결정 규소와 같은 반도체 재료의 층 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 절연재의 층의 화학적 기계적 연마의 균일성 개선이다.
상기의 개선은 예를 들면 필수적으로, 반도체 재료의 허용가능한 공격 속도를 유지하면서, 연마 공격의 균일성 시험으로 나타낼 수 있다. 연마 공격의 상기 균일성은 동일 웨이퍼 상의 다결정 규소의 두께 변화를 나타낸다. 그것은 하기 등식에 따라 연마 전 및 그 후에 동일 웨이퍼 상의 다결정 규소를 측정하여 계산한다:
U = [(최대 두께 - 최소 두께)/(2 x 제거된 평균 두께)] x 100
수득한 값이 낮을수록, 보다 큰 공격 균일성이 만족스럽다.
본 발명의 또다른 이점은 특히, 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 개별 입자로 이루어지는 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액이 시간 경과에 따라 안정성이 상당히 양호하고, 이로부터 저장 시간 동안 입자가 침전하지 않게 결과한다는 것이다.
최종적으로, 본 출원의 목적은 바람직하게는 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 직경 3 내지 250 ㎚의 개별 입자를 포함하며, pH가 6 내지 8인 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 함유하는 액체 연마제 조성물에 함침된 직물을 포함하는, 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 다결정 규소, 에피택셜 규소 또는 무정형 규소와 같은 규소를 기재로 한 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리(PSG) 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 절연체의 층의 화학적 기계적 연마용 연마제이다.
회사 CLARIANT(FRANCE)S.A.에 의해 개발된 특히 바람직한 현탁액은 하기의 방법의 작동 조건에 기술한다.
하기 실시예는 본 발명을 보다 잘 이해할 수 있도록 한다.
실시예
실시예 1
중성 pH의 콜로이드상 실리카를 갖는 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한 연마 예
연구한 웨이퍼 각각에 대하여 연마 전 및 그 후에 측정한 두께가 약 0.4㎛인 다결정 규소의 증착물을 제조한다.
이어서, 하기 표준 공정을 이용하여 웨이퍼를 연마시킨다:
로드력 0.7 daN/㎠
플레이트 속도 40 rpm
담체 속도 45 rpm
온도 20 ℃
연마제 처리량 50 ㎤/분
직물 RODEL PRODUCTS로부터인Suba 4 상의 IC 1400
그의 특징이 하기와 같은 콜로이드상 실리카를 사용함:
수성 현탁액의 pH 7
콜로이드상 실리카의 평균 원소 입경 50 ㎚
콜로이드상 실리카의 농도 30 중량%
하기를 수득함:
균일성(%) 4%
다결정 규소의 공격 속도 1,300 Å/분
실시예 2
중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카의 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하여 pH만을 변화시키면서 하기 결과를 수득한다:
a) pH 6의 경우:
균일성(%) 4.6%
다결정 규소의 공격 속도 820 Å/분
b) pH 8의 경우:
균일성(%) 6%
다결정 규소의 공격 속도 1,950 Å/분
실시예 3
중성 pH의 콜로이드상 실리카의 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한, 붕소 농도 4.4% 및 인 농도 4.7%의 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)의 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하여 pH만을 변화시키면서 하기 결과를 수득한다:
균일성(%) 3.9%
BPSG의 공격 속도 5,560 Å/분
실험 1
콜로이드상 실리카의 염기성 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하지만 이들을 염기성 매질 중에 적용시켜 하기 결과를 수득한다:
a) pH 10의 경우:
균일성(%) 18%
다결정 규소의 공격 속도 3,550 Å/분
b) pH 11의 경우:
균일성(%) 30%
다결정 규소의 공격 속도 7,088 Å/분
실험 2
콜로이드상 실리카의 산성 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하지만 이들을 pH 2.2의 산성 매질 중에 적용시켜 하기 결과를 수득한다:
균일성(%) 8%
다결정 규소의 공격 속도 470 Å/분
실험 3
콜로이드상 실리카의 염기성 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한, 붕소 농도 4.4% 및 인 농도 4.7%의 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)의 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하지만 이들을 pH 10의 염기성 매질 중에 적용시켜 하기 결과를 수득한다:
균일성(%) 12%
BPSG의 공격 속도 451 Å/분
실험 4
콜로이드상 실리카의 염기성 수성 현탁액을 기재로 한 연마제를 사용한, 붕소 농도 4.4% 및 인 농도 4.7%의 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)의 연마 예
실시예 1에 기술한 바와 동일한 조건하에 동일한 콜로이드상 실리카를 사용하지만 이들을 pH 2.5의 산성 매질 중에 적용시켜 하기 결과를 수득한다:
균일성(%) 7.9%
BPSG의 공격 속도 2,770 Å/분
따라서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 현탁액을 사용함으로써, 양호한 공격 속도, 상당히 양호한 웨이퍼 표면 상태 및 우수한 평탄화를 유지하면서, 다결정 규소 및 BPSG 둘다 위에서의 양호한 연마 균일성을 수득할 수 있게 되는 것이 관찰되었다.

Claims (11)

  1. 집적 회로용 웨이퍼의 제조에 사용되는 초기 규소를 제외한, 초소형 전자 반도체 산업에서 사용되는, 다결정 규소, 에피택셜 단결정 규소 또는 무정형 규소와 같은 반도체 재료의 층, 또는 포스포실리케이트 유리 또는 보로포스포실리케이트 유리와 같은 절연재의 층을 연마제 조성물에 함침된 직물을 사용하여 러빙시킴으로써 반도체 재료층 또는 절연재층의 연마 단계를 수행하는 화학적 기계적 연마 방법에 있어서,
    상기 연마제가 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 콜로이드상 실리카의 개별 입자 및 현탁액 매질로서 물을 포함하는 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료층 또는 절연재층의 화학적 기계적 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 연마제가 필수 성분으로서 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액의 pH가 6 내지 8인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액의 pH가 6.5 내지 7.5인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액이 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 직경 3 내지 250 ㎚의 콜로이드상 실리카의 개별 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액이 실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 직경 10 내지 100 ㎚의 콜로이드상 실리카의 개별 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액을 5 내지 50 중량%의 실리카 농도로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 콜로이드상 실리카 수성 현탁액을 15 내지 40 중량%의 실리카 농도로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 재료가 다결정 규소, 에피택셜 규소 또는 무정형 규소를 기재로 하거나, 또는 포스포실리케이트 유리(PSG) 및 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)로부터 선택된 도핑된 산화규소를 기재로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 반도체 재료층이 다결정 규소를 기재로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 다결정 규소, 에피택셜 규소 또는 무정형 규소와 같은 규소를 기재로 하거나, 또는 포스포실리케이트 유리(PSG) 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG)와 같은 도핑된 산화규소를 기재로 한 반도체 재료의 층의 화학적 기계적 연마용 연마제로서,
    실록산 결합에 의해 함께 결합되지 않은 직경 3 내지 250 ㎚의 개별 입자를 포함하며, pH가 6 내지 8인 콜로이드상 실리카의 중성 pH 또는 중성에 근접한 pH의 수성 현탁액을 함유하는 연마제 액체 조성물에 함침된 직물을 포함하는 화학적 기계적 연마용 연마제.
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