KR19980059998A - Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System - Google Patents
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Abstract
본 발명은 더욱 상세하게는, 유전체나 도체로 작용하는 어떤 층을 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 기판 위에 적층하는 대기압 화학 기상 증착 시스템에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템은 배기의 흐름을 균일하게 하기 위하여 2개의 배기구에서 하나의 배기구로 연결되는 배기관이 2단의 굴곡부로 형성되어 있다. 그리고 2개의 배기구는 헤드의 가장자리에서 배기되는 거리를 균일하게 하기 위하여 헤드의 장축 방향으로 타원형 모양으로 형성되어 있으며, 배출구는 단축 방향으로 형성되어 있다. 따라서 본 발명에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템에서는 배기되는 거리가 균일하게 형성되어 화학 물질의 균일한 산포를 유도할 수 있고, 헤드 커버의 내부에 입자의 형성을 억제할 수 있으며, 이로 인하여 설비의 효율을 향상시키고 공정 능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.More particularly, the present invention relates to an atmospheric pressure chemical vapor deposition system in which a layer acting as a dielectric or conductor is deposited on a substrate by chemical reaction after decomposing a gaseous compound. In the atmospheric pressure chemical vapor deposition system according to the present invention, the exhaust pipe is connected to one exhaust port from two exhaust ports in order to make the exhaust flow uniform. In addition, the two exhaust ports are formed in an elliptical shape in the long axis direction of the head in order to make the distance exhausted from the edge of the head uniform, and the exhaust ports are formed in the short axis direction. Therefore, in the atmospheric pressure chemical vapor deposition system according to the present invention, the distance to be exhausted is formed uniformly to induce uniform distribution of chemicals, and the formation of particles in the head cover can be suppressed, thereby increasing the efficiency of the installation. It has the effect of improving the performance and process capability.
Description
본 발명은 화학 기상 증착 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 유전체나 도체로 작용하는 어떤 층을 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 기판 위에 적층하는 대기압 화합 기상 증착 시스템에 관한 것이다.시스템은 화학 물질(기체 상태)이 다른 가스와 반응해서 원하는 물질을 만들어 웨이퍼(4)에 증착하기 위한 헤드(head)(1)의 반응 부분과 헤드(1)를 보호하기 위한 헤드 커버(2)로 이루어진다. 또한 헤드 커버(2) 내부에는 화학 물질 또는 다른 가스를 배출시키기 위하여 분리체(5)를 중심으로 양쪽에 두 개의 개구부(A, B)가 형성되어 있으며, 분리체(5)의 상부의 헤드 커버(2)에는 두 개의 개구부(A, B)가 하나의 수평으로 형성된 배기구로 연결되는 개구부(C)가 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition system, and more particularly, to an atmospheric pressure chemical vapor deposition system in which a layer acting as a dielectric or a conductor is decomposed into a gaseous compound and then deposited on a substrate by a chemical reaction. The system has a head cover (2) for protecting the head (1) and the reaction part of the head (1) for chemicals (gas state) to react with other gases to form the desired material and deposit it on the wafer (4). Is made of. In addition, inside the head cover 2, two openings A and B are formed at both sides of the separator 5 so as to discharge chemicals or other gases, and the head cover at the top of the separator 5 is formed. In (2) there is an opening C which connects two openings A and B to one horizontally formed exhaust port.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 헤드의 주변에서 배기되는 가스의 배기 흐름을 균일하게 하는 데 있다.The present invention is to solve such a problem, and to uniformize the exhaust flow of the gas exhausted from the surrounding of the head.
도 1은 종래의 기술에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템의 구조를 도시한 측면도이고,1 is a side view showing the structure of an atmospheric pressure chemical vapor deposition system according to the prior art,
도 2는 도 1에서 대기압 화학 기상 증착 시스템을 도시한 평면도 및 단면도이고,2 is a plan view and a cross-sectional view of the atmospheric pressure chemical vapor deposition system in FIG.
도 3은 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템을 통하여 제조된 반도체 장치를 도시한 평면도이고,3 is a plan view showing a semiconductor device manufactured through a conventional atmospheric chemical vapor deposition system,
이러한 본 발명에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템은 배기의 흐름을 균일하게 하기 위하여 2개의 개구부에서 하나의 개구부로 연결되는 배기관이 2단으로 형성되어 있다. 그리고 2개의 개구부는 헤드의 가장자리에서 배기되는 거리를 균일하게 하기 위하여 헤드의 장축 방향으로 타원형 모양으로 형성되어 있으며, 배출구는 단축 방향으로 형성되어 있다.The atmospheric chemical vapor deposition system according to the present invention has two stages of exhaust pipes connected from one opening to one opening in order to make the exhaust flow uniform. The two openings are formed in an elliptical shape in the long axis direction of the head in order to make the distance exhausted from the edge of the head uniform, and the outlet is formed in the short axis direction.
이러한 본 발명에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템에서는 헤드 커버의 개구부에 부착되어 있는 2단의 배기관을 통하여 가스가 배출되어 배출 압력의 영향이 웨이퍼에 간접적으로 미친다.웨이퍼 상부에 증착하기 위한 반응 부분을 내부로 하고, 이를 보호하기 위한 헤드 커버(20)가 있다. 또한 헤드 커버(20)에는 내부에서 형성되는 화학 물질 또는 다른 가스를 배출시키기 위하여 분리되어 있는 두 개의 개구부(A1,B1)가 형성되어 있으며, 두 개의 개구부(A1, B1)를 통하여 헤드 커버(20)에는 배기관(30)이 연결되어 있다. 여기서, 배기관(30)은 두 개의 개구부(A1, B1)를 통하여 헤드 커버(20)가 연결되는 부분에서는 서로 분리되어 독립적으로 수직으로 형성되어 있으며, 다시 하나의 배기관(30)의 개구부(C1)에 수평으로 이어져 있다.이러한 구조에서는 개구부(A1, B1)가 타원형으로 형성되어 헤드 커버(20)의 가장자리 부분까지 배기가 가능하고, 배기되는 거리가 모든 부분에서 균일하게 형성된다.In the atmospheric chemical vapor deposition system according to the present invention, the gas is discharged through two stage exhaust pipes attached to the opening of the head cover, and the influence of the discharge pressure indirectly affects the wafer. And, there is a head cover 20 for protecting it. In addition, the head cover 20 is formed with two openings A1 and B1 separated to discharge chemicals or other gases formed therein, and the head cover 20 through the two openings A1 and B1. ), The exhaust pipe 30 is connected. Here, the exhaust pipe 30 is separated from each other in the portion where the head cover 20 is connected through the two openings (A1, B1) are formed independently and vertically, again, the opening (C1) of one exhaust pipe (30) In this structure, the openings A1 and B1 are formed in an elliptical shape to allow exhaust to the edge portion of the head cover 20, and the distance to be exhausted is formed uniformly in all the portions.
따라서 본 발명에 따른 대기압 화합 기상 증착 시스템에서는 배기되는 거리가 균일하게 형성되어 화학 물질의 균일한 산포를 유도할 수 있고, 헤드 커버의 내부에 입자의 형성을 억제할 수 있으며, 이로 인하여 설비의 효율을 향상시키고 공정 능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the atmospheric pressure chemical vapor deposition system according to the present invention, the distance to be exhausted is formed uniformly to induce uniform distribution of chemicals, and it is possible to suppress the formation of particles in the head cover. It has the effect of improving the performance and process capability.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960079346A KR19980059998A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960079346A KR19980059998A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980059998A true KR19980059998A (en) | 1998-10-07 |
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Family Applications (1)
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| KR1019960079346A KR19980059998A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980059998A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322784B1 (en) * | 1998-04-29 | 2002-03-13 | 마이크로코팅 테크놀로지, 인크. | Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition |
-
1996
- 1996-12-31 KR KR1019960079346A patent/KR19980059998A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322784B1 (en) * | 1998-04-29 | 2002-03-13 | 마이크로코팅 테크놀로지, 인크. | Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19961231 |
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| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 19990414 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
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