KR19980042825A - Coating film forming device - Google Patents
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Abstract
도포막 형성장치는, LCD기판을 실질적으로 수평으로 유지하는 재치대(10)와, 기판의 한 쪽 끝단부로부터 다른쪽 끝단부까지 연장된 슬릿형상의 액토출구(21)를 갖는 노즐(20)과, 이 노즐에 레지스트액(50)을 공급하는 레지스트액 공급기구(126∼128)와, 액토출구가 기판과 일정간격을 유지하도록 노즐을 지지하고, 액토출구의 긴쪽에 직교하는 방향으로 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 평행이동시키는 이동기구(130)를 구비한다. 이 노즐은, 레지스트액 공급기구로부터 레지스트액이 도입되는 입구(23a)와, 이 입구와 액토출구에 각각 연이어 통하고, 입구를 개재하여 도입된 레지스트액을 일시적으로 저장하여서 액토출구로 레지스트액을 송출하는 액저장부(22)와, 액토출구의 긴쪽방향 양 끝단부쪽에 설치되고, 액토출구의 긴쪽방향 양 끝단부쪽으로부터 토출되는 레지스트액의 토출압력을 저감시키는 막두께 제어수단(40),(40A),(40B),(40C)을 구비한다. 이 막두께 제어수단에 의하여 액토출구의 긴쪽방향 양 끝단부쪽으로부터 토출되는 레지스트액의 토출압력을 액토출구의 중간부쪽으로부터 토출되는 레지스트액의 토출압력과 실질적으로 동등하게 하고, 이에 의하여 기판상에 형성되는 레지스트도포막의 막두께를 균일화한다.The coating film forming apparatus includes a mounting table (10) for holding an LCD substrate substantially horizontally, and a nozzle (20) having a slit-shaped liquid ejection opening (21) extending from one end portion to the other end portion of the substrate. And the resist liquid supply mechanisms 126 to 128 for supplying the resist liquid 50 to the nozzles, and the nozzles are supported so that the liquid discharge ports maintain a constant distance from the substrate, and the nozzles are orthogonal to the longer side of the liquid discharge ports. And a moving mechanism 130 that moves relative to the substrate. This nozzle connects the inlet 23a through which the resist liquid is introduced from the resist liquid supply mechanism, and the resist liquid introduced through the inlet and the liquid discharge port, respectively, to temporarily store the resist liquid through the inlet. A film thickness control means (40) provided at the liquid storage portion (22) to be discharged, and at both end portions in the longitudinal direction of the liquid discharge port, and for reducing the discharge pressure of the resist liquid discharged from both end portions in the longitudinal direction of the liquid discharge port; 40A, 40B, 40C are provided. By this film thickness control means, the discharge pressure of the resist liquid discharged from the both ends of the liquid discharge port in the longitudinal direction is made to be substantially equal to the discharge pressure of the resist liquid discharged from the middle portion of the liquid discharge port. The film thickness of the resist coating film formed in the film is uniformed.
Description
본 발명은 LCD기판이나 반도체웨이퍼와 같은 기판에 레지스트막을 도포형성하기 위한 도포막 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coating film forming apparatus for coating and forming a resist film on a substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer.
액정표시장치(LCD)의 제조프로세스에서는 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피 기술에 있어서는, 유리기판상에 레지스트를 도포하고, 이 도포레지스트를 소정패턴으로 노광처리하고, 또한 현상처리한다. 이에 의하여 유리기판의 표면에 소정패턴의 레지스트막이 형성되고, 또한 성막 및 에칭처리함으로써 소정패턴의 반도체층, 절연체층, 전극층으로 이루어진 회로가 기판상에 형성된다.Photolithography technology is used in the manufacturing process of liquid crystal display devices (LCDs). In the photolithography technique, a resist is applied onto a glass substrate, the coating resist is exposed to a predetermined pattern, and further developed. As a result, a resist film having a predetermined pattern is formed on the surface of the glass substrate, and a film composed of a semiconductor layer, an insulator layer, and an electrode layer having a predetermined pattern is formed on the substrate by forming and etching.
예를들면, 미국출원번호 08/914,819 호(1997년 8월 20일 출원)에는 슬릿 노즐을 구비한 LCD기판용 레지스트도포장치가 기재되어 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 종래의 장치는 리니어한 슬릿형상 토출구(2)를 가진 노즐(1)을 갖추고 있다. 레지스트액 공급원(도시하지 않음)에 연이어 통하는 통로(1a)는, 입구(1b)의 장소에서 노즐(1)의 액저장부(1c)에 개구하고, 또한 액저장부(1c)는 슬릿형상 토출구(2)에 연이어 통하고 있다. 이 슬릿 노즐(1)로부터 레지스트액(3)을 띠형상으로 토출하면서, LCD기판을 따라서 노즐(1)을 기판의 일측변쪽으로부터 대향변쪽을 향해서 스캔이동시킴으로써 기판상에 레지스트를 도포하도록 되어 있다.For example, US application Ser. No. 08 / 914,819 (filed Aug. 20, 1997) describes a resist coating apparatus for an LCD substrate having a slit nozzle. As shown in FIG. 1, the conventional apparatus is equipped with the nozzle 1 which has the linear slit-shaped discharge port 2. As shown in FIG. The passage 1a which is connected to the resist liquid supply source (not shown) is opened in the liquid storage part 1c of the nozzle 1 at the place of the inlet 1b, and the liquid storage part 1c is the slit-shaped discharge port. It is connected to (2) in succession. The resist is applied to the substrate by scanning the nozzle 1 from one side of the substrate toward the opposite side along the LCD substrate while discharging the resist liquid 3 from the slit nozzle 1 in a band shape. .
그러나, 이 종래장치의 노즐(1)에서는, 슬릿형상 토출구(2)의 둘레가장자리부의 압력(P2)이 토출구(2)의 중간부의 압력(P1)보다 높아지는 경향에 있기 때문에, 토출되는 레지스트액(3)은 토출구(2)의 중간부보다 둘레가장자리부쪽이 많고, 도 2에 나타낸 바와 같이, 둘레가장자리부로부터 토출되는 레지스트액의 두께가 중간부의 두께보다도 두꺼워진다. 또, 레지스트액의 토출압력의 변화에 기인하여 레지스트액의 점성(粘性)이 영향을 받아 마찬가지로 토출구(2)의 양쪽 둘레가장자리부의 레지스트액의 두께가 두꺼워진다. 이 때문에, 도 3에 나타낸 바와 같이, LCD기판(G)의 폭방향의 양쪽 레지스트막(4)의 막두께가 두꺼워지고, 전체로서 레지스트 막두께가 불균일하게 되므로, 제품생산수율이 저하된다.However, in the nozzle 1 of this conventional apparatus, since the pressure P2 of the peripheral part of the slit-shaped discharge port 2 tends to become higher than the pressure P1 of the intermediate part of the discharge port 2, the resist liquid discharged ( 3) the peripheral part is larger than the middle part of the discharge port 2, and as shown in FIG. 2, the thickness of the resist liquid discharged from the peripheral part becomes thicker than the thickness of the intermediate part. In addition, due to the change in the discharge pressure of the resist liquid, the viscosity of the resist liquid is affected, and thus the thickness of the resist liquid in both peripheral edge portions of the discharge port 2 is similarly increased. For this reason, as shown in FIG. 3, since the film thickness of both the resist films 4 of the width direction of LCD substrate G becomes thick, and the resist film thickness becomes nonuniform as a whole, product production yield falls.
또, 노즐(1)로부터 토출된 레지스트액이 LCD기판 상에 도포될 때에, 주위의 온도나 정전기등의 영향을 받아서 레지스트막두께가 불균일하게 된다고 하는 문제도 있다.In addition, when the resist liquid discharged from the nozzle 1 is applied onto the LCD substrate, there is a problem that the thickness of the resist film becomes uneven under the influence of ambient temperature or static electricity.
본 발명의 목적은, 띠형상으로 토출되는 도포액의 토출량을 균일하게 하여서 균일한 막두께를 형성할 수 있도록 한 도포막 형성장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a coating film forming apparatus in which the discharge amount of the coating liquid discharged in a band shape is made uniform so that a uniform film thickness can be formed.
도 1은 종래장치의 슬릿 노즐을 나타낸 개략단면도,1 is a schematic cross-sectional view showing a slit nozzle of a conventional apparatus;
도 2는 종래장치의 슬릿 노즐로부터 토출된 도포액막을 모식적으로 나타낸 횡단면도,2 is a cross-sectional view schematically showing a coating liquid film discharged from a slit nozzle of a conventional apparatus;
도 3은 종래장치에 의하여 도포된 도포막의 상태를 나타낸 확대단면도,3 is an enlarged cross-sectional view showing a state of a coating film coated by a conventional apparatus;
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 도포막 형성장치의 개요를 나타낸 개략사시도,4 is a schematic perspective view showing an outline of a coating film forming apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 도포막 형성장치를 나타낸 블록평면도,5 is a block plan view showing a coating film forming apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 6은 슬릿 노즐의 스타트동작을 설명하기 위한 개요도,6 is a schematic diagram for explaining a start operation of a slit nozzle;
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 도포막 형성장치를 나타낸 블록단면도,7 is a block sectional view showing a coating film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention;
도 8은 슬릿 노즐로부터 토출된 도포액막을 모식적으로 나타낸 횡단면도,8 is a cross sectional view schematically showing a coating liquid film discharged from a slit nozzle;
도 9는 LCD용 유리기판위에 형성된 레지스트막의 막두께 분포도,9 is a film thickness distribution diagram of a resist film formed on a glass substrate for LCD,
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 도포막 형성장치를 나타낸 블록단면도,10 is a block sectional view showing a coating film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention;
도 11은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 도포막 형성장치를 나타낸 단면도,11 is a cross-sectional view showing a coating film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention;
도 12는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 도포막 형성장치를 나타낸 단면도,12 is a sectional view showing a coating film forming apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;
도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ선을 따라서 절단한 제 4 실시형태의 장치를 나타낸 개략단면도,FIG. 13 is a schematic sectional view showing a device of a fourth embodiment cut along the line III-III III of FIG. 12;
도 14는 도포막 형성장치를 갖는 도포현상처리시스템의 개요를 나타낸 사시도,14 is a perspective view showing an outline of a coating and developing treatment system having a coating film forming apparatus;
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
10: 재치대 20: 노즐10: mounting table 20: nozzle
20b: 확장경사내벽 20c,20d,20f: 수직내벽20b: Extended sloped inner wall 20c, 20d, 20f: Vertical inner wall
20e: 축소테이퍼내벽 21: 액토출구20e: inner wall of reduced taper 21: liquid outlet
22: 액저장부 23: 통로22: liquid reservoir 23: passage
23a: 입구 30: 대기부23a: entrance 30: waiting area
31: 프라임롤러 32: 용기31: prime roller 32: container
40,40A,40B,40C: 막두께 제어수단 41: 연통로40, 40A, 40B, 40C: Film thickness control means 41: Communication path
42,60: 흡인관 43: 다이어프램펌프42, 60: suction pipe 43: diaphragm pump
65: 진공펌프 70: 대기개구로65: vacuum pump 70: atmospheric opening
71: 개구조정밸브기구 80: 히터71: opening adjustment valve mechanism 80: heater
81: 단열스페이서 90: 로더부81: insulation spacer 90: loader
91,92: 처리부 93: 중계부91,92: processing unit 93: relay unit
94: 주고받음부 95: 노광장치94: exchange unit 95: exposure apparatus
99,112: 서브아암기구 100,100a: 메인아암기구99, 112: sub-arm mechanism 100, 100a: main arm mechanism
107: 도포막 형성장치 126: 레지스트액공급원107: coating film forming apparatus 126: resist liquid supply source
130: 이동기구 150: 간격유지기구130: moving mechanism 150: space keeping mechanism
본 발명에 관계된 도포막 형성장치는, 기판을 실질적으로 수평으로 유지하는 기판유지수단과, 기판의 한 쪽 끝단부로부터 다른쪽 끝단부까지 연장된 슬릿형상의 액토출구를 갖는 노즐과, 이 노즐에 도포액을 공급하는 수단과, 상기 액토출구가 기판과 일정간격을 유지하도록 상기 노즐을 지지하고, 상기 액토출구의 긴쪽에 직교하는 방향으로 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 평행이동시키는 이동수단을 구비하고, 상기 노즐은, 상기 도포액 공급수단으로부터 도포액이 도입되는 입구와, 이 입구와 상기 액토출구에 각각 연이어 통하고, 상기 입구를 개재하여서 도입된 도포액을 일시적으로 저장하여서, 상기 액토출구로 도포액을 송출하는 액저장부와, 상기 액토출구의 긴쪽방향 양측 끝단부쪽에 설치되고, 액토출구의 긴쪽방향 양측 끝단부쪽으로부터 토출되는 도포액의 토출압력을 저감시키는 막두께 제어수단을 구비하고, 상기 막두께 제어수단에 의하여 액토출구의 긴쪽방향 양측 끝단부쪽으로부터 토출되는 도포액의 토출압력을 액토출구의 중간부쪽으로부터 토출되는 도포액의 토출압력과 실질적으로 동등하게 하고, 이에 의하여 기판상에 형성되는 도포막의 막두께를 균일화하는 것을 특징으로 한다.A coating film forming apparatus according to the present invention includes a nozzle for holding a substrate substantially horizontally, a nozzle having a slit-shaped discharge port extending from one end portion to the other end portion of the substrate, Means for supplying a coating liquid, and moving means for supporting the nozzle so that the liquid discharge port maintains a constant distance from the substrate, and moving the nozzle relative to the substrate in a direction orthogonal to the long side of the liquid discharge port; And the nozzle communicates with the inlet through which the coating liquid is introduced from the coating liquid supplying means, the coating liquid introduced through the inlet and the liquid outlet, respectively, and temporarily stores the coating liquid introduced through the inlet to the liquid outlet. A liquid storage portion for dispensing the coating liquid, and is provided at both end portions in the longitudinal direction of the liquid discharge port, and toward both end portions in the longitudinal direction of the liquid discharge port. And a film thickness control means for reducing the discharge pressure of the coating liquid discharged from the discharge liquid, and the discharge pressure of the coating liquid discharged from both end portions in the longitudinal direction of the liquid discharge port by the film thickness control means toward the middle portion of the liquid discharge port. It is characterized in that it is substantially equal to the discharge pressure of the coating liquid discharged from the above, thereby making the film thickness of the coating film formed on the substrate uniform.
또한, 이 경우에, 상기 액저장부의 짧은 변쪽의 면은 확장테이퍼내벽과 제 1 의 수직내벽에 의하여 규정되고, 또한, 상기 액저장부의 긴변쪽의 면은 제 2 의 수직내벽과 축소테이퍼내벽과 제 3 의 수직내벽에 의하여 규정되며, 또한 상기 제 1 의 수직내벽은 상기 액토출구의 긴쪽방향 양끝단을 규정하고 있다.In this case, the short side of the liquid storage part is defined by the inner side of the tapered expansion tape and the first vertical inner wall. Further, the long side of the liquid storage part is defined by the second vertical inner wall and the reduced taper inner wall. It is defined by the third vertical inner wall, and the first vertical inner wall defines both ends in the longitudinal direction of the liquid discharge port.
상기 막두께 제어수단은, 액토출구의 긴쪽방향 양끝단을 규정하는 노즐내벽으로 각각 개구하는 복수의 연통로와, 각 연통로에 각각 연이어 통하는 복수의 흡인관과, 각 흡인관내를 배기하는 진공펌프를 구비할 수 있다.The film thickness control means includes a plurality of communication paths each opening to a nozzle inner wall defining both ends of the liquid discharge port in a longitudinal direction, a plurality of suction pipes respectively connected to each communication path, and a vacuum pump for evacuating each suction pipe. It can be provided.
또, 상기 막두께 제어수단은, 액토출구의 긴쪽방향 양끝단을 규정하는 노즐내벽으로 각각 개구하는 복수의 연통로와 각 연통로에 각각 연이어 통하는 흡인관과, 각 흡인관내를 감압하는 이젝터기구를 구비할 수도 있다.In addition, the film thickness control means includes a plurality of communication paths each opened to the nozzle inner wall defining both ends of the liquid discharge port in the longitudinal direction, a suction pipe connected to each communication path, and an ejector mechanism for depressurizing the inside of each suction pipe. You may.
또한, 액토출구의 긴쪽방향 양 끝단부쪽으로부터 토출되어서 기판상에 오른 직후의 도포액의 용제를 휘발시켜서, 도포액의 점성을 높이는 건조수단을 갖는 것이 바람직하다.It is also preferable to have a drying means which volatilizes the solvent of the coating liquid immediately after it is discharged from both ends of the longitudinal direction of the liquid discharge port and rises on the substrate, thereby increasing the viscosity of the coating liquid.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 여러 가지 바람직한 실시의 형태에 대하여 설명한다. 여기서는, LCD용 유리기판에 레지스트를 도포하기 위한 장치에 본 발명을 적용한 경우에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, various preferable embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. Here, the case where this invention is applied to the apparatus for apply | coating a resist to a glass substrate for LCD is demonstrated.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 도포막 형성장치(107)는, 재치대(10)와, 슬릿 노즐(20)과, 2개의 저장부(30)를 갖추고 있다. 재치대(10)는 도시하지 않은 진공흡착기구를 갖추고 있으며, 예컨대 650mm×550mm 사이즈의 유리기판(G)을 수평으로 흡착유지하도록 되어 있다. 슬릿 노즐(20)은 Y축방향으로 연장된 슬릿형상의 액토출구(21)를 갖추고, 이동기구(130)에 의하여 X축방향으로 이동가능하게 지지되어 있다. 슬릿형상의 액토출구(21)의 길이는 기판(G)의 짧은 변의 길이보다도 조금 짧게 되어 있다. 이 이유는, 유리기판(G)은, 레지스트가 도포되어야 할 피도포영역(8)외에, 그 둘레가장자리의 레지스트가 도포되지 않을 비도포영역(9)을 갖추고 있기 때문이다.As shown to FIG. 4 and FIG. 5, the coating film forming apparatus 107 is equipped with the mounting base 10, the slit nozzle 20, and two storage parts 30. As shown in FIG. The mounting table 10 is provided with a vacuum suction mechanism (not shown), and is adapted to horizontally hold and hold a glass substrate G having a size of 650 mm x 550 mm, for example. The slit nozzle 20 is provided with the slit-shaped liquid discharge port 21 extended in the Y-axis direction, and is supported by the movement mechanism 130 so that a movement to the X-axis direction is possible. The length of the slit-shaped liquid discharge port 21 is slightly shorter than the length of the short side of the board | substrate G. As shown in FIG. This is because the glass substrate G is provided with the non-coated area 9 to which the resist at its edge is not applied, in addition to the area to be coated 8 to which the resist is to be applied.
도 5에 나타낸 바와 같이, 이동기구(130)는 1쌍의 볼스크류(132)와, 1쌍의 모터(133)와, 1쌍의 가동부재(134)와, 1쌍의 리니어가이드(154)를 갖추고 있다. 1쌍의 볼스크류(132) 및 1쌍의 리니어가이드(154)는 X축방향으로 평행으로 각각 연장되어 있다. 기판(G)은, 1쪽의 리니어가이드(154)와 다른쪽의 리니어가이드(154)와의 사이에 위치하도록 재치대(10)의 위에 재치된다. 각 볼스크류(132)는 2개의 축받이(131)에 의하여 재치대(10)에 각각 지지되어 있다.As shown in FIG. 5, the moving mechanism 130 includes a pair of ball screws 132, a pair of motors 133, a pair of movable members 134, and a pair of linear guides 154. Equipped with. The pair of ball screws 132 and the pair of linear guides 154 extend in parallel in the X-axis direction, respectively. The board | substrate G is mounted on the mounting base 10 so that it may be located between the one linear guide 154 and the other linear guide 154. As shown in FIG. Each ball screw 132 is supported by the mounting base 10 by the two bearings 131, respectively.
슬릿 노즐(20)의 양쪽 끝단부에는 가동부재(134)가 각각 부착되어 있다. 이들 가동부재(134)는 볼너트 및 후술하는 노즐 요동기구(138)를 포함하는 것이며, 이 가동부재(134)를 개재하여서 슬릿 노즐(20)은 볼스크류(132) 및 리니어가이드(154)에 각각 연결지지되어 있다.Movable members 134 are attached to both ends of the slit nozzle 20, respectively. These movable members 134 include a ball nut and a nozzle rocking mechanism 138 which will be described later. The slit nozzle 20 is connected to the ball screw 132 and the linear guide 154 via the movable member 134. Each is connected.
또, 슬릿 노즐(20)의 양끝단부에는 간격유지기구(150)가 각각 설치되어 있다. 간격유지기구(150)는 노즐(20)의 토출구(21)와 기판(G)의 피도포면(8)과의 간격을 일정하게 유지하기 위한 것이다. 이와 같은 간격유지기구(150)로서, 미국출원번호 08/914,819 호에 기재한 장치에서는, 레지스트가 도포되지 않는 기판(G)의 둘레가장자리영역(9)의 위를 주행하는 롤러가 사용되고 있다.Moreover, the space | interval holding mechanism 150 is provided in the both ends of the slit nozzle 20, respectively. The gap holding mechanism 150 is for keeping the gap between the discharge port 21 of the nozzle 20 and the surface to be coated 8 of the substrate G constant. As such a space keeping mechanism 150, in the apparatus described in US Application No. 08 / 914,819, a roller traveling on the circumferential edge region 9 of the substrate G to which the resist is not applied is used.
각 볼스크류(132)의 한쪽 끝단은 각 모터(133)의 구동축에 각각 연결되어 있다. 양 모터(133)의 전원회로는 제어기(171)의 출력부에 각각 접속되어 있고, 양 모터(133)는 제어기(171)에 의하여 동기제어되도록 되어 있다. 이와 같은 이동기구(130)에 있어서는, 볼스크류(132)를 회전시키면, 노즐(20)이 재치대(10)상의 기판(G)의 피도포면(8)과 일정한 간격을 유지하면서 X축방향으로 이동한다.One end of each ball screw 132 is connected to the drive shaft of each motor 133, respectively. The power supply circuits of both motors 133 are connected to the output of the controller 171, respectively, and both motors 133 are controlled to be synchronized by the controller 171. In such a moving mechanism 130, when the ball screw 132 is rotated, the nozzle 20 is maintained in the X axis direction while maintaining a constant distance from the surface to be coated 8 of the substrate G on the mounting table 10. Move.
다음에, 슬릿 노즐(20)로의 레지스트액의 공급회로에 대하여 설명한다.Next, a supply circuit of the resist liquid to the slit nozzle 20 will be described.
도 5에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 공급회로는, 통로(23)와, 레지스트액 공급원(126)과 다이어프램펌프(127)와, 밸브(128)를 갖추고 있다. 슬릿 노즐(20)의 상부에는 레지스트액 공급회로의 통로(23)로 연이어 통하는 입구(23a)가 형성되어 있다. 이 입구(23a)를 개재하여 노즐(20)내에 레지스트액이 도입되도록 되어 있다. 통로(23)는 다이어프램펌프(127) 및 밸브(128)를 개재하여 레지스트액 공급원(126)에 연이어 통하고 있다. 통로(23)에는 연질(軟質) 수지제품의 튜브나 스텐레스강제품의 플렉시블호스를 사용한다. 다이어프램펌프(127) 및 밸브(128)의 동작회로는 제어기(171)의 출력부에 접속되고, 노즐(20)로의 레지스트액의 공급유량이 컨트롤되도록 되어 있다.As shown in FIG. 5, the resist liquid supply circuit includes a passage 23, a resist liquid supply source 126, a diaphragm pump 127, and a valve 128. The inlet 23a is formed in the upper part of the slit nozzle 20 and connects to the passage 23 of the resist liquid supply circuit. The resist liquid is introduced into the nozzle 20 via this inlet 23a. The passage 23 communicates with the resist liquid supply source 126 via the diaphragm pump 127 and the valve 128. The passage 23 uses a tube made of soft resin or a flexible hose made of stainless steel. The operation circuit of the diaphragm pump 127 and the valve 128 is connected to the output part of the controller 171, and the supply flow volume of the resist liquid to the nozzle 20 is controlled.
2개의 저장부(30)가 재치대(10)를 사이에 두고 마주 향하고 있다. 각 저장부(30)는 재치대(10)의 Y축에 평행인 양변에 근접하여서 설치되고, 대기중(비사용시)의 액토출구(21)의 건조방지를 위하여 프라임롤러(31)가 설치되어 있다.Two storage units 30 face each other with the mounting table 10 therebetween. Each storage unit 30 is installed close to both sides parallel to the Y axis of the mounting table 10, the prime roller 31 is provided to prevent the drying of the liquid discharge port 21 in the air (not in use) have.
도 6에 나타낸 바와 같이, 프라임롤러(31)는 저장부(30)의 용기(32)속에 수평으로 설치되고, 프라임롤러(31)의 하반부는 용기(32)속의 용제(시너)(50A)속에 침지되어 있다. 이 프라임롤러(31)는 회전기구(도시하지 않음)에 의하여 회전가능하게 지지되어 있다. 대기중의 노즐(20)은, 액토출구(21)를 프라임롤러(31)의 둘레면에 접촉시킨 상태에 있다. 프라임롤러(31)를 회전시키면, 시너(50A)가 프라임롤러(31)의 둘레면에 부착되고, 이 부착시너(50A)가 노즐의 액토출구(21)로 이동한다. 이에 의하여 노즐의 액토출구(21)의 건조가 방지되고, 액토출구(21)에 존재하는 레지스트액의 농도변화가 억제된다.As shown in FIG. 6, the prime roller 31 is horizontally installed in the container 32 of the storage unit 30, and the lower half of the prime roller 31 is placed in a solvent (thinner) 50A in the container 32. It is immersed. This prime roller 31 is rotatably supported by a rotating mechanism (not shown). The nozzle 20 in the air is in a state in which the liquid discharge port 21 is in contact with the peripheral surface of the prime roller 31. When the prime roller 31 is rotated, the thinner 50A is attached to the circumferential surface of the prime roller 31, and the attachment thinner 50A moves to the liquid discharge port 21 of the nozzle. Thereby, drying of the liquid discharge port 21 of a nozzle is prevented, and the density | concentration change of the resist liquid which exists in the liquid discharge port 21 is suppressed.
슬릿 노즐(20)과 가동부재(134)와의 사이에는 노즐요동기구(138)가 설치되어 있다. 이 노즐요동기구(138)는, 모터(135)와, 구동풀리(136)와, 종동풀리(155)와, 벨트(158)를 구비한 벨트구동기구이다. 모터(135)는 그 구동축(135a)이 수평이 되도록 가동부재(134)의 측부에 부착되어 있다. 구동축(135a)에는 구동풀리(136)가 끼워넣어져 있다. 또, 종동풀리(155)는 노즐(20)의 측부에 부착되어 있다. 종동풀리(155)와 구동풀리(136)와의 사이에는 벨트(158)가 연결되어 있다. 또한 종동풀리(155)의 외륜은 자유롭게 회전할 수 있도록 설치되어 있고, 이 외륜이 가이드레일(153a,153b)에 접촉하여 전동함으로써 노즐(20)이 안내되도록 되어 있다. 또한, 가이드레일은 커브부(153a)와 스트레이트부(153b)로 이루어진다.A nozzle swing mechanism 138 is provided between the slit nozzle 20 and the movable member 134. This nozzle swing mechanism 138 is a belt drive mechanism including a motor 135, a drive pulley 136, a driven pulley 155, and a belt 158. The motor 135 is attached to the side of the movable member 134 so that the drive shaft 135a is horizontal. The drive pulley 136 is fitted into the drive shaft 135a. In addition, the driven pulley 155 is attached to the side of the nozzle 20. The belt 158 is connected between the driven pulley 155 and the drive pulley 136. Moreover, the outer ring of the driven pulley 155 is provided so that it may rotate freely, and this outer ring contacts the guide rails 153a and 153b, and is rotated so that the nozzle 20 may be guided. In addition, the guide rail is composed of a curved portion 153a and a straight portion 153b.
센서(159)가 도포개시위치의 근방에 설치되고, 도포개시위치에 존재하는 노즐(20)을 검출하도록 되어 있다. 센서(159)로부터 노즐검출신호가 제어기(171)에 입력되면, 제어기(171)로부터의 지령에 의하여 노즐요동기구(138)의 모터(135)의 구동이 정지하고, X축 이동기구(130)의 구동이 개시되도록 되어 있다.The sensor 159 is provided in the vicinity of the application start position and detects the nozzle 20 existing at the application start position. When the nozzle detection signal is input from the sensor 159 to the controller 171, the driving of the motor 135 of the nozzle swing mechanism 138 is stopped by the command from the controller 171, and the X-axis movement mechanism 130 The driving of is started.
다음에, 슬릿 노즐(20)에 대하여 상세히 설명한다.Next, the slit nozzle 20 will be described in detail.
도 7에 도시한 바와 같이, 슬릿 노즐(20)은 액저장부(헤더부)(22) 및 액토출구(21)를 갖추고 있다. 액저장부(22)는, 노즐의 확장경사내벽(20b), 제 1 수직내벽(20c), 제 2 수직내벽(20d), 축소테이퍼내벽(20e) 및 제 3 수직내벽(20f)에 의하여 규정되어 있다. 즉, 액저장부(22)의 짧은 변쪽의 면은 확장경사내벽(20b)과 제 1 수직내벽(20c)에 의하여 규정되고, 액저장부(22)의 긴 변쪽의 면은 제 2 수직내벽(20d)과 축소테이퍼내벽(20e)과 제 3 수직내벽(20f)에 의하여 규정되어 있다. 또한, 제 1 수직내벽(20c)은 액토출구(21)에 연속하고 있다. 제 1 수직내벽(20c)에 후술하는 막두께 제어수단(40)의 연통로(41)가 개구되어 있다.As shown in FIG. 7, the slit nozzle 20 includes a liquid storage part (header part) 22 and a liquid discharge port 21. The liquid storage part 22 is defined by the inclined inner wall 20b, the first vertical inner wall 20c, the second vertical inner wall 20d, the reduced taper inner wall 20e and the third vertical inner wall 20f of the nozzle. It is. That is, the surface on the short side of the liquid reservoir 22 is defined by the expansion inclined inner wall 20b and the first vertical inner wall 20c, and the surface on the long side of the liquid reservoir 22 is defined by the second vertical inner wall ( 20d), the reduction taper inner wall 20e, and the 3rd vertical inner wall 20f are prescribed | regulated. In addition, the first vertical inner wall 20c is continuous to the liquid discharge port 21. The communication path 41 of the film thickness control means 40 mentioned later is opened in the 1st vertical inner wall 20c.
액저장부(22)의 상부중앙위치에는 입구(23a)가 형성되고, 이 입구(23a)를 개재하여 레지스트액공급 통로(23)가 액저장부(22)에 연이어 통하고 있다. 액토출구(21)는 액저장부(22)에 연속하도록 형성되어 있다. 또한, 도시한 경우는 액저장부(22)에 연이어 통하는 입구(23a)는 하나 뿐이지만, 복수의 입구(23a)를 액저장부(22)에 연이어 통하게 하도록 하여도 좋다. 또한, 노즐(20)은, PTFE와 같은 불화에틸렌계 수지로 만들어져 있다. 또, 레지스트액 공급회로에는 온도조절장치(도시하지 않음)가 설치되고, 레지스트액(50)의 온도가 적정온도범위로 조정되도록 되어 있다.An inlet 23a is formed at an upper center position of the liquid storage unit 22, and the resist liquid supply passage 23 communicates with the liquid storage unit 22 via the inlet 23a. The liquid discharge port 21 is formed to be continuous to the liquid storage unit 22. In addition, although there is only one inlet 23a which communicates with the liquid storage part 22 in the case of illustration, you may make it let the some inlet 23a communicate with the liquid storage part 22 in connection. The nozzle 20 is made of ethylene fluoride resin such as PTFE. In addition, a temperature controller (not shown) is provided in the resist liquid supply circuit so that the temperature of the resist liquid 50 is adjusted to a proper temperature range.
확장경사내벽(20b)에 의하여 액저장부(22)의 지름은 확장되고, 제 1 수직내벽(20c) 사이에 있는 부분의 액저장부(22)는 액토출구(21)의 Y축방향의 사이즈(L1)와 같아진다.The diameter of the liquid storage part 22 is expanded by the inclined inner wall 20b, and the liquid storage part 22 in the portion between the first vertical inner wall 20c is the size of the liquid discharge port 21 in the Y-axis direction. Is equal to (L1).
도 13에 나타낸 바와 같이, 액저장부(22)의 X축방향의 사이즈(W2)는 액토출구(21)의 X축방향의 사이즈(W1)보다 크다. 액저장부(22)는, 위쪽의 제 2 수직내벽(20d) 부분에서는 X축방향의 사이즈(W2)는 일정하다. 그러나, 액저장부(22)는 축소테이퍼내벽(20e)에 의하여 축소되고, 아래쪽의 제 3 수직내벽(20f) 부분에서는 액저장부(22)의 X축방향의 사이즈(W1)는 액토출구(21)의 X축방향의사이즈(W1)와 같아진다.As shown in FIG. 13, the size W2 in the X-axis direction of the liquid storage unit 22 is larger than the size W1 in the X-axis direction of the liquid discharge port 21. The liquid storage part 22 has a constant size W2 in the X-axis direction at the upper portion of the second vertical inner wall 20d. However, the liquid storage unit 22 is reduced by the reduced taper inner wall 20e, and the size W1 of the liquid storage unit 22 in the X-axis direction at the lower third vertical inner wall 20f is the liquid discharge port ( 21) is equal to the size W1 in the X-axis direction.
또한, 도포레지스트의 막두께를 균일하게 하기 위해서는, 액토출구(21)와 기판(G)과의 상호간격(H1)은 될 수 있는대로 작게 하는 것이 바람직하다. 상호간격(H1)은 100∼200㎛의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 또, 액 입구(23a)의 지름(d1)은 15±1mm이다. 확장경사내벽(20b)이 Z축과 이루는 각도(θ1)는 85°±2°이다. 각 사이즈(L1),(W1),(W2)는 각각 540mm, 0.1∼0.15mm, 20mm로 하는 것이 바람직하다.In addition, in order to make the film thickness of a coating resist uniform, it is preferable to make mutual gap H1 between the liquid discharge port 21 and the board | substrate G as small as possible. It is preferable to set mutual space H1 to the range of 100-200 micrometers. In addition, the diameter d1 of the liquid inlet 23a is 15 ± 1 mm. The angle θ1 formed by the expanded inclination inner wall 20b with the Z axis is 85 ° ± 2 °. Each size L1, W1, W2 is preferably set to 540 mm, 0.1 to 0.15 mm, and 20 mm, respectively.
또한, 노즐(20)의 최대 스캐닝속도는, 레지스트액의 점성율이 15cp(센티포와즈)인때, 20mm/초이고, 레지스트액의 점성율이 10cp(센티포이즈)인때는 35mm/초이다.The maximum scanning speed of the nozzle 20 is 20 mm / sec when the viscosity of the resist liquid is 15 cps (centipoise), and 35 mm / sec when the viscosity of the resist liquid is 10 cps (centi poise).
다음에, 막두께 제어수단에 대하여 설명한다.Next, the film thickness control means will be described.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제 1 실시형태의 막두께 제어수단(40)은, 복수의 연통로(41)와, 복수의 흡인관(42)과, 복수의 다이어프램펌프(43)와, 복수의 밸브(44)를 갖추고 있다. 각 연통로(41)는, 노즐(20)의 긴쪽방향 끝단부의 측벽 하부를 각각 관통하고, 액토출구(20c)의 바로 위의 위치에서 개구되어 있다. 각 연통로(41)는 흡인관(42)을 개재하여 다이어프램펌프(43)의 흡입쪽에 각각 연이어 통하고 있다. 또한, 밸브(44)는 연통로(41)와 다이어프램펌프(43)와의 사이에 설치되어 있다. 각 다이어프램펌프(43) 및 밸브(44)는 제어기(171)에 의하여 동작이 제어되도록 되어 있다.As shown in FIG. 7, the film thickness control means 40 of the first embodiment includes a plurality of communication paths 41, a plurality of suction pipes 42, a plurality of diaphragm pumps 43, and a plurality of valves. Equipped with 44. Each communication path 41 penetrates the lower part of the side wall of the longitudinal direction edge part of the nozzle 20, and is open at the position just above the liquid discharge port 20c. Each communication path 41 communicates with the suction side of the diaphragm pump 43 via the suction pipe 42, respectively. In addition, the valve 44 is provided between the communication path 41 and the diaphragm pump 43. The operation of the diaphragm pump 43 and the valve 44 is controlled by the controller 171.
다음에, 상기 장치의 동작을 설명한다.Next, the operation of the apparatus will be described.
저장부(30)에서 노즐(20)의 액토출구(21)를 프라임롤러(31)에 접속시키고, 액토출구(21)의 건조를 방지하고 있을 때에, 도시하지 않은 반송수단에 의하여 기판(G)을 재치대(10)위에 재치하고, 이것을 흡착유지한다. 다음에, 레지스트액 공급원(126)으로 부터 레지스트액(50)을 노즐(20)에 공급한다. 이때, 상기의 막두께 제어수단(40)에 의하여, 액토출구(21)의 둘레가장자리영역으로부터 토출되는 레지스트액(50)의 토출압(P2)이 저감된다. 이에 의하여 토출압(P2)이 액토출구(21)의 중앙영역으로부터 토출되는 레지스트액(50)의 토출압(P1)과 거의 같아진다. 이 결과, 도 8에 나타낸 바와 같이 액토출구(21)의 전길이에 걸쳐서 레지스트액(50)의 액두께가 같아진 상태에서, 액토출구(21)로부터 띠형상의 레지스트액(50)이 기판(G)상에 토출(공급)된다. 이때, 노즐(20)을 X축방향으로 이동시키면, 기판(G)의 피도포영역(8)에 레지스트액이 도포된다.When the liquid discharge port 21 of the nozzle 20 is connected to the prime roller 31 in the storage unit 30, and the drying of the liquid discharge port 21 is prevented, the substrate G is transferred by a conveying means (not shown). Is placed on the mounting table 10, and this is adsorbed and held. Next, the resist liquid 50 is supplied to the nozzle 20 from the resist liquid supply source 126. At this time, by the film thickness control means 40, the discharge pressure P2 of the resist liquid 50 discharged from the circumferential edge region of the liquid discharge port 21 is reduced. As a result, the discharge pressure P2 becomes substantially equal to the discharge pressure P1 of the resist liquid 50 discharged from the central region of the liquid discharge port 21. As a result, as shown in FIG. 8, in the state where the liquid thickness of the resist liquid 50 is the same over the entire length of the liquid discharge port 21, the strip | belt-shaped resist liquid 50 is carried out from the liquid discharge port 21 by the board | substrate ( It is discharged (supplied) on G). At this time, when the nozzle 20 is moved in the X-axis direction, the resist liquid is applied to the region to be coated 8 of the substrate G.
이와 같이 하여서 기판(G)의 피도포영역(8)에 레지스트막을 형성한 후에, 레지스트액의 공급을 정지하고, 노즐(20)을 저장부(30)로 이동시킨다. 그리고, 액토출구(21)를 프라임롤러(31)에 접촉시킨 상태에서 다음 기판의 처리에 대비한다. 한편, 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 도시하지 않은 반송수단에 의하여 재치대(10)로부터 반출되어, 다음의 처리장치로 반송된다.After forming a resist film in the to-be-coated area | region 8 of the board | substrate G in this way, supply of a resist liquid is stopped and the nozzle 20 is moved to the storage part 30. FIG. Then, the liquid discharge port 21 is brought into contact with the prime roller 31 to prepare for the processing of the next substrate. On the other hand, the substrate G coated with the resist liquid is carried out from the mounting table 10 by a conveying means (not shown) and conveyed to the next processing apparatus.
도 9는 가로축을 기판(G)상의 레지스트 막두께 측정위치로 하고, 세로축을 그 막두께 측정치로 하여 레지스트 막두께의 불균일에 대하여 조사한 결과를 나타낸 막두께 분포도이다. 레지스트 막두께는 Y축방향을 따라서 기판(G)의 위치(M1∼M5)의 5점에 대하여 엘리프소미터를 사용하여 측정하였다. 도면중에서 검정동그라미 플롯을 이은 특성선(J)은 도 7에 나타낸 본 발명장치에 의한 도포레지스트의 막두께 분포를 나타내고, 흰동그라미 플롯을 이은 특성선(K)은 도 1에 나타낸 종래장치에 의한 도포레지스트의 막두께분포를 나타낸다. 도면에서 분명한 바와 같이, 종래장치에 의한 도포레지스트는 중간위치(M2∼M4)보다도 둘레가장자리위치(M1,M5)쪽에서 막두께가 두꺼워진 것에 대하여, 본 발명장치에 의한 도포레지스트는 중간위치(M2∼M4)와 주연위치(M1,M5)에서 막두께차가 생기지 않았다. 이와 같이 도 7에 나타낸 본 발명장치에 의한 도포레지스트는 기판(G)의 전면에 걸쳐서 막두께가 균일하게 되는 것이 확인되었다.FIG. 9 is a film thickness distribution diagram showing the results of irradiating the variation in resist film thickness with the abscissa being the resist film thickness measurement position on the substrate G and the ordinate being the film thickness measurement value. The resist film thickness was measured using an ellipsometer with respect to five points of the positions M1-M5 of the board | substrate G along the Y-axis direction. In the figure, the characteristic line J following the black circle plot indicates the film thickness distribution of the coating resist according to the present invention device shown in FIG. 7, and the characteristic line K following the white circle plot shows the conventional device shown in FIG. The film thickness distribution of the coating resist is shown. As is apparent from the figure, the coating resist by the conventional apparatus has a thicker film thickness at the circumferential positions M1 and M5 than the intermediate positions M2 to M4, whereas the coating resist by the apparatus of the present invention is the intermediate position M2. M4) and the film thickness difference did not arise in the peripheral positions M1 and M5. Thus, it was confirmed that the coating resist by the apparatus of this invention shown in FIG. 7 becomes uniform in the film thickness over the whole surface of the board | substrate G. As shown in FIG.
다음에, 도 10을 참조하면서 제 2 실시형태의 막두께 제어수단(40A)에 대하여 설명한다. 또한, 이 제 2 실시형태가 상기 제 1 실시형태와 공통하는 부분에 대한 설명은 생략한다.Next, the film thickness control means 40A of 2nd Embodiment is demonstrated, referring FIG. In addition, description of the part which this 2nd Embodiment is common with the said 1st Embodiment is abbreviate | omitted.
제 2 실시형태의 막두께 제어수단(40A)은, 복수의 연통로(41)와, 복수의 흡인관(60)과, 복수의 기체압송관로(62)와, 복수의 N2가스 공급원(63)과, 복수의 드레인탱크(64)와, 복수의 진공펌프(65)를 갖춘 이젝터기구를 이루고 있다. 흡인관(60)은 역 U자 모양의 형상을 하고, 그 한 끝단은, 연통로(41)에 연이어 통하고, 그 다른끝단(개구끝단)은 드레인탱크(64)내에 삽입되고, 그 최상부(개구부)(61)는 기체압송관로(62)에 연이어 통하고 있다. 기체압송관로(62)의 한끝단에는 N2가스 공급원(63)이 연이어 통하고, 다른 끝단쪽에는 진공펌프(65)의 흡인구가 연이어 통하고 있다.The film thickness control means 40A of the second embodiment includes a plurality of communication paths 41, a plurality of suction pipes 60, a plurality of gas pressure pipe paths 62, and a plurality of N 2 gas supply sources 63. And an ejector mechanism including a plurality of drain tanks 64 and a plurality of vacuum pumps 65. The suction pipe 60 has an inverted U-shape shape, one end thereof is connected to the communication path 41, and the other end (opening end) is inserted into the drain tank 64, and the uppermost part (opening part) (61) is in communication with the gas pressure pipeline (62). The N 2 gas supply source 63 is connected to one end of the gas pressure passage 62, while the suction port of the vacuum pump 65 is connected to the other end.
기체압송관로(62)내에 N2가스를 통해서 흐르게 하고, 진공펌프(65)로 이것을 배기하면, 개구부(61)를 통하여 흡인관(60)내가 감압되어 액토출구(21)의 긴쪽방향 양 끝단부로부터 흡인관(60)내에 레지스트액이 흡인된다. 흡인된 레지스트액은 드레인탱크(64)내에 회수된다. 이와 같이 액토출구(21)의 수직내벽(20c)의 근방에 존재하는 레지스트액을 흡인제거하므로, 이 영역에 있어서의 레지스트액의 토출압력이 저감된다. 이 결과, 액토출구(21)의 중간부쪽의 레지스트액 토출압(P1)과 양쪽 둘레가장자리쪽의 레지스트액 토출압(P2)이 대략 같아지고, 도 8에 나타낸 바와 같이 레지스트액(50)의 액두께가 같게된 상태에서 레지스트액(50)은 액토출구(21)로부터 기판(G)상에 띠형상으로 공급된다.When the gas is flowed through the N 2 gas into the gas conveying line 62 and exhausted by the vacuum pump 65, the inside of the suction pipe 60 is depressurized through the opening 61 and from both ends in the longitudinal direction of the liquid discharge port 21. The resist liquid is sucked into the suction pipe 60. The sucked resist liquid is recovered in the drain tank 64. Thus, the resist liquid which exists in the vicinity of the vertical inner wall 20c of the liquid discharge port 21 is suction-removed, and the discharge pressure of the resist liquid in this area | region is reduced. As a result, the resist liquid discharge pressure P1 at the middle portion of the liquid discharge port 21 and the resist liquid discharge pressure P2 at both circumferential edges are approximately equal, and as shown in FIG. 8, the liquid of the resist liquid 50 is shown. In a state where the thicknesses are the same, the resist liquid 50 is supplied in a band form from the liquid discharge port 21 onto the substrate G.
다음에, 도 11을 참조하면서 제 3 실시형태의 막두께 제어수단(40B)에 대하여 설명한다. 또한, 이 제 3 실시형태가 상기 제 1 실시형태와 공통하는 부분에 대한 설명은 생략한다.Next, the film thickness control means 40B of 3rd Embodiment is demonstrated, referring FIG. In addition, description of the part which this 3rd Embodiment is common with the said 1st Embodiment is abbreviate | omitted.
제 3 실시형태의 막두께 제어수단(40B)은, 대기개구로(70) 및 개구조정밸브기구(71)를 구비하고 있다. 대기개구로(70)의 하단은, 노즐(20)의 확장경사내벽(20b)으로부터 수직내벽(20c)으로 이동하는 곳에서 액저장부(22)에 개구연통하고 있다. 이 대기개구로(70)와 수직내벽(20c)과는 Z축을 따라서 일직선상에 놓여 있다.The film thickness control means 40B of the third embodiment is provided with an atmospheric opening 70 and an opening adjustment valve mechanism 71. The lower end of the atmospheric opening 70 is in open communication with the liquid storage part 22 where it moves from the expansion inclination inner wall 20b of the nozzle 20 to the vertical inner wall 20c. The atmospheric opening 70 and the vertical inner wall 20c lie in a straight line along the Z axis.
개구조정밸브기구(71)는 본체(71a)와 밸브체(71b)를 가진다. 본체(71a)의 입구는 대기개구로(70)의 상단에 연이어 통하고, 그 출구는 대기에 개방되어 있다. 밸브체(71b)는 본체(71a)에 나사맞춤된 승강나사기구이고, 이것에 의하여 본체(71a)의 입구가 개폐되도록 되어 있다.The opening adjustment valve mechanism 71 has a main body 71a and a valve body 71b. The inlet of the main body 71a is connected to the upper end of the atmospheric opening 70, and the outlet is open to the atmosphere. The valve body 71b is a lifting screw mechanism screwed to the main body 71a, whereby the inlet of the main body 71a is opened and closed.
이와 같은 막두께 제어수단(40B)에 의하면, 액토출구(21)의 양쪽 둘레가장자리부에 있어서의 레지스트액의 토출압을 감압할 수 있고, 액토출구(21)의 중간부쪽의 레지스트액의 토출압(P1)과 양쪽 둘레가장자리부쪽의 레지스트액의 토출압(P2)을 대략 등압으로 할 수 있다.According to such film thickness control means 40B, the discharge pressure of the resist liquid at both peripheral edges of the liquid discharge port 21 can be reduced in pressure, and the discharge pressure of the resist liquid at the middle of the liquid discharge port 21. (P1) and the discharge pressure P2 of the resist liquid of the both peripheral edges can be made into substantially equal pressure.
다음에, 도 12 및 도 13을 참조하면서 제 4 실시형태의 막두께 제어수단(40C)에 대하여 설명한다. 또한, 이 제 4 실시형태가 상기 제 1 실시형태와 공통하는 부분에 대한 설명은 생략한다.Next, the film thickness control means 40C of 4th Embodiment is demonstrated, referring FIG. 12 and FIG. In addition, description of the part which this 4th Embodiment is common with the said 1st Embodiment is abbreviate | omitted.
제 4 실시형태의 막두께 제어수단(40C)은 2개의 히터(80)를 구비하고 있다. 각 히터(80)는 단열스페이서(81)를 개재하여 노즐(20)의 액토출구(21)의 측부에 부착되어 있다. 또한, 히터(80)는 반드시 단열스페이서(81)를 개재하여서 노즐(20)에 부착할 필요는 없고, 노즐(20)로부터 좀 떨어진 위치에 배치하도록 하여도 좋다.The film thickness control means 40C of the fourth embodiment includes two heaters 80. Each heater 80 is attached to the side of the liquid discharge port 21 of the nozzle 20 via the heat insulation spacer 81. As shown in FIG. In addition, the heater 80 does not necessarily need to be attached to the nozzle 20 via the heat insulation spacer 81, and may be arrange | positioned in the position some distance from the nozzle 20. FIG.
각 히터(80)의 부착위치는, 도 12에 나타낸 바와 같이 액토출구(21)의 Y축방향 둘레가장자리부의 근방이고, 또한 도 13에 나타낸 바와 같이 노즐(20)의 X축 이동진행방향의 후방쪽이다. 각 히터(80)의 전원회로는 제어기(171)의 출력부에 접속되어 있다. 단열스페이서(81)는 열전도율이 작은 수지나 플라스틱으로 이루어져 있다. 또한, 히터(80)를 스페이서(81)를 개재하여서 노즐(20)에 부착한 이유는, 히터(80)로 부터의 열이 직접 노즐(20)에 전하여지면, 레지스트액(50)이 액토출구(21)내에서 국부적으로 온도상승하여서 점성이 변동하기 때문이다. 이와 같이 액토출구(21)내의 레지스트액(50)으로의 열적영향을 될 수 있는대로 적게하는 한편, 기판(G)상에 오른 직후의 레지스트액(50)을 히터(80)로 가열하므로, 결과적으로 기판(G)에 대하여 균일한 막두께의 레지스트막이 형성되게 된다. 즉, 액토출구(21)의 긴쪽방향 양측 끝단쪽으로부터 토출된 레지스트액(50)의 점성을 높여서 유동속도를 더디게 하여(유동저항을 증대시켜), 이것을 액토출구(21)의 중앙쪽으로부터 토출된 레지스트액(50)의 유동속도(유동저항)와 같게 할 수 있다.As shown in FIG. 12, the attachment position of each heater 80 is the vicinity of the periphery of the peripheral part of the Y-axis direction of the liquid discharge port 21, and as shown in FIG. Side. The power supply circuit of each heater 80 is connected to the output of the controller 171. The insulating spacer 81 is made of resin or plastic having a low thermal conductivity. The reason why the heater 80 is attached to the nozzle 20 via the spacer 81 is that the heat of the heater 80 is transmitted directly to the nozzle 20, so that the resist liquid 50 is discharged from the liquid outlet. This is because the viscosity increases due to the local temperature rise within (21). In this way, the thermal effect on the resist liquid 50 in the liquid discharge port 21 is reduced as much as possible, while the resist liquid 50 immediately after being placed on the substrate G is heated by the heater 80. As a result, a resist film having a uniform film thickness is formed on the substrate G. That is, the viscosity of the resist liquid 50 discharged from both ends in the longitudinal direction of the liquid discharge port 21 is increased to slow the flow rate (increasing the flow resistance), and this is discharged from the center of the liquid discharge port 21. The flow rate (flow resistance) of the resist liquid 50 can be the same.
이와 같이 제 4 실시형태에서는, 액토출구(21)에 있어서의 중앙부측과 긴쪽방향 양측 끝단쪽의 압력변화에 기인하는 레지스트액(50)의 점성의 변화와, 기판(G)의 위에 오른 직후의 레지스트액(50)의 주위의 온도나 정전기등의 영향에 의한 점성의 변화에 착한하여 레지스트액(50)의 점성을 컨트롤함으로써 도포레지스트의 막두께를 균일하게 할 수 있다. 또, 히터(80)에 의하여 기판(G)상에 오른 레지스트액(50)중의 용제(시너)(50A)를 휘발시킬 수 있으므로, 레지스트액(50)의 건조를 촉진할 수 있고, 레지스트막의 형성시간을 단축할 수 있으며, 생산수율의 향상을 더욱 도모할 수 있다.Thus, in 4th Embodiment, the viscosity change of the resist liquid 50 resulting from the pressure change of the center part side in the liquid discharge port 21, and the both ends of a longitudinal direction, and just after rising on the board | substrate G are mentioned. The film thickness of the coating resist can be made uniform by controlling the viscosity of the resist liquid 50 in response to the change in viscosity due to the temperature around the resist liquid 50 or the influence of static electricity. Moreover, since the solvent (thinner) 50A in the resist liquid 50 raised on the board | substrate G by the heater 80 can be volatilized, drying of the resist liquid 50 can be accelerated | stimulated and formation of a resist film is carried out. Time can be shortened and production yield can be improved further.
또한, 상기 실시형태에서는 노즐(20)을 이동시키는 경우에 대하여 설명하였으나, 노즐(20)을 정지시킨 상태로 재치대(10)쪽을 이동시키도록 하여도 좋다. 또한 노즐(20)과 재치대(10)와의 쌍방을 이동시키도록 하여도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the case where the nozzle 20 was moved was demonstrated, you may make it move the mounting base 10 side in the state which stopped the nozzle 20. FIG. In addition, both the nozzle 20 and the mounting table 10 may be moved.
또, 상기 실시형태에서는, 기판유지수단이 진공흡착기구를 가진 재치대(10)인 경우에 대하여 설명하였으나, 기판유지수단으로서 복수의 롤러를 줄지어 설치한 것이라도 좋다.Moreover, in the said embodiment, although the case where the board | substrate holding means was the mounting base 10 with a vacuum suction mechanism was demonstrated, you may provide in which several rollers were lined up as a board | substrate holding means.
상기와 같이 구성되는 도포막 형성장치는 LCD기판의 레지스트 도포장치로서 단독으로 사용되는 것 외에, LCD기판용의 레지스트 도포현상처리시스템에 설치하여 사용할 수도 있다. 이하에, 상기 도포막 형성장치를 설치한 레지스트 도포현상처리시스템에 대하여 설명한다.The coating film forming apparatus configured as described above may be used alone or as a resist coating and developing system for LCD substrates, in addition to being used alone as a resist coating apparatus for LCD substrates. The resist coating and developing processing system in which the coating film forming apparatus is provided will be described below.
도 14에 나타낸 바와 같이, 레지스트 도포현상처리시스템은, 로더부(90)와, 2개의 서브아암기구(99),(112)와, 2개의 메인아암기구(100),(100a)와, 제 1 처리부(91)와, 제 2 처리부(92)와, 중계부(93)를 구비하고 있다. 또한, 제 2 처리부(92)에는 주고받음부(94)를 개재하여 도포레지스트를 노광처리하기 위한 노광장치(95)가 연이어 설치될 수 있도록 되어 있다.As shown in Fig. 14, the resist coating and developing processing system includes a loader section 90, two subarm mechanisms 99 and 112, two main arm mechanisms 100 and 100a, The first processing unit 91, the second processing unit 92, and the relay unit 93 are provided. In addition, the second processing unit 92 is provided so that an exposure apparatus 95 for exposing the coating resist through the exchange unit 94 can be provided successively.
이와 같은 레지스트 도포현상처리시스템을 사용하여서 LCD기판(G)을 처리하는 경우에 대하여 설명한다. LCD기판(G)은, 서브아암기구(99)에 의하여 카세트(96)로부터 꺼내지고, 메인아암기구(100)에 넘겨져 제 1 처리부(91)에 반입된다. 그리고, 기판(G)은, 브러시세정장치(103)내에서 스크러브 세정되고, 이어서 제트수세정장치(104)내에서 고압제트수로 세정된다. 또한, 기판(G)은, 어드히젼처리장치(105)내에서 어드히젼처리되고, 냉각처리장치(106)에서 냉각된 후에, 상기의 도포막 형성장치(107)내에서 레지스트도포된다. 이어서, 기판(G)은, 도포막 제거장치(108)내에서 기판 둘레가장자리부로부터 레지스트막이 제거된다. 또한, 기판(G)은 가열처리장치(109)내에서 가열베이킹처리된 후에, 제 2 메인아암(100a)에 의하여 주고받음대(113)로 반송되고, 주고받음대(113)로부터 제 2 서브아암기구(112)에 의하여 노광장치(95)로 반송되고, 노광장치(95)에서 노광처리된다. 그리고, 노광처리후의 기판(G)은 현상장치(110)내에서 현상처리되고, 순수(純水)로 린스처리되어서 현상처리를 완료한다.The case where the LCD substrate G is processed using such a resist coating and developing processing system will be described. The LCD substrate G is taken out of the cassette 96 by the sub arm mechanism 99, is passed to the main arm mechanism 100, and carried into the first processing unit 91. Subsequently, the substrate G is scrubbed in the brush cleaning device 103 and then cleaned in the jet water cleaning device 104 with high pressure jet water. In addition, the substrate G is adsorbed in the adjuvant processing apparatus 105 and cooled in the cooling processing apparatus 106, and then resist is coated in the coating film forming apparatus 107 described above. Subsequently, the resist film is removed from the peripheral portion of the substrate in the coating film removing apparatus 108. In addition, after the substrate G is heated and baked in the heat treatment apparatus 109, the substrate G is conveyed to the receiving base 113 by the second main arm 100a, and the second sub from the receiving base 113. It is conveyed to the exposure apparatus 95 by the arm mechanism 112, and is exposed by the exposure apparatus 95. FIG. Subsequently, the substrate G after the exposure treatment is developed in the developing apparatus 110 and rinsed with pure water to complete the development.
또한, 일련의 처리된 처리완료 LCD기판(G)은, 로더부(90)의 카세트(97)내에 수용되어, 카세트(97)채로 시스템 외부에 반출된다.In addition, a series of processed LCD substrates G are accommodated in the cassette 97 of the loader section 90 and carried out outside the system with the cassette 97.
상기 실시형태에서는, 이 발명에 따른 도포막 형성장치를 LCD기판의 레지스트도포장치에 적용한 경우에 대하여 설명하였으나, LCD기판 이 외의 반도체웨이퍼나 CD등의 피처리체의 도포막 형성장치 혹은 엘레키보드에 그린막을 도포하는 경우에도 적용할 수 있고, 레지스트 이외의 폴리이미드계 도포액(PIQ)이나 유리제를 함유하는 도포액(SOG)등에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.In the above embodiment, the case where the coating film forming apparatus according to the present invention is applied to the resist coating apparatus of the LCD substrate has been described. It is applicable also to the case of applying a film, and of course, it can be applied also to polyimide coating liquid (PIQ) other than a resist, coating liquid (SOG) containing glass, etc.
이상에서와 같이 본 발명에 의하면, 슬릿형상 토출구의 긴쪽방향의 양쪽으로부터 토출(공급)되는 도포액의 토출압을 저감시켜서, 토출구의 기타부분의 토출압과 등압으로 할 수 있으므로, 도포액의 토출압을 균일하게 하여서 도포액을 띠형상으로 토출(공급)할 수 있고, 기판의 표면 전체에 균일한 도포막을 형성할 수 있음과 동시에 생산수율의 향상을 도모할 수 있다.As described above, according to the present invention, since the discharge pressure of the coating liquid discharged (supplied) from both sides of the slit-shaped discharge port can be reduced, and can be made equal to the discharge pressure of other parts of the discharge port, the discharge of the coating liquid. By uniformizing the pressure, the coating liquid can be discharged (supplied) in a band shape, a uniform coating film can be formed on the entire surface of the substrate, and the production yield can be improved.
또한 본 발명에 의하면, 슬릿형상 토출구의 긴쪽방향의 양쪽으로부터 토출되는 도포액의 점성을 높여서 유동속도를 더디게 할 수 있고, 토출구 중간부쪽으로부터 토출되는 도포액의 유동속도와, 토출구의 양쪽 부분으로부터 토출되는 도포액의 유동속도를 같게 할 수 있으므로, 도포액의 유동속도를 균일하게 하여서 도포액을 띠형상으로 토출(공급)할 수 있고, 기판의 표면 전체에 균일한 도포막을 형성할 수 있음과 동시에 생산수율의 향상을 도모할 수 있다. 또, 건조수단에 의하여 토출된 도포액중의 용제를 휘발시켜서 도포액의 건조를 촉진하는 것으로, 도포막 형성시간의 단축화를 도모할 수 있고, 생산수율의 향상을 도모할 수 있다.Further, according to the present invention, the viscosity of the coating liquid discharged from both sides of the slit-shaped discharge port can be increased to slow down the flow rate, and the flow rate of the coating liquid discharged from the discharge port middle part and both portions of the discharge port can be reduced. Since the flow rate of the coating liquid to be discharged can be the same, the coating liquid can be discharged (supplyed) in a band shape by making the flow velocity of the coating liquid uniform, and a uniform coating film can be formed on the entire surface of the substrate. At the same time, production yield can be improved. Further, by evaporating the solvent in the coating liquid discharged by the drying means to accelerate the drying of the coating liquid, the coating film formation time can be shortened, and the production yield can be improved.
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