KR19980031465U - Tube Device for Manufacturing Semiconductor Device - Google Patents
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Abstract
작업 공간으로부터 프로세스 튜브 내로의 역류 현상을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조용 튜브 장치가 개시되어 있다. 웨이퍼를 담기 위한 프로세스 튜브의 일단이 개구되어 있고, 타단에는 반응 가스 유입구가 형성되어 있다. 상기 프로세스 튜브의 개구되어 있는 일단에는 엔드캡이 부착되어 있다. 상기 엔드캡은 미반응 가스 및 부산물을 배출하기 위한 배기관을 구비한다. 상기 프로세스 튜브 외의 주변의 공기가 상기 프로세스 튜브 내로 역류하는 것을 방지하기 위하여 배기관의 중간 부위에 상기 배기관의 내경보다 작은 내경을 갖는 굴곡부가 형성된다. 엔드캡 내의 배기관 측의 압력이 다른 부위보다 높게 형성되어 작업 공간의 공기가 프로세스 튜브 내로 역류되는 것을 방지한다. 공기 내의 수분이 공정에 미치는 악영향을 방지한다.Disclosed is a tube device for manufacturing a semiconductor device capable of preventing backflow from a work space into a process tube. One end of the process tube for containing the wafer is opened, and the other end is formed with a reaction gas inlet. An end cap is attached to an open end of the process tube. The end cap has an exhaust pipe for discharging unreacted gas and by-products. In order to prevent the air outside the process tube from flowing back into the process tube, a bent portion having an inner diameter smaller than the inner diameter of the exhaust pipe is formed at an intermediate portion of the exhaust pipe. The pressure on the side of the exhaust pipe in the end cap is higher than at other sites to prevent air from the work space from flowing back into the process tube. To prevent adverse effects of moisture in the air on the process.
Description
본 고안은 반도체 장치 제조용 튜브 장치에 관한 것이다. 특히, 본 고안은 반도체 장치의 제조 공정에서 보론을 고농도로 증착시키기 위한 엔드캡 구조를 갖는 튜브 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a tube device for manufacturing a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a tube device having an end cap structure for depositing boron at a high concentration in the manufacturing process of a semiconductor device.
반도체 제조 공정에서, 각종의 막 성장이나 도펀트를 확산시키기 위하여 석영으로 구성된 튜브 장치를 사용하고 있다. 튜브 장치는 통상적으로 공정을 진행하기 위해 실리콘 웨이퍼를 담고 있는 프로세스 튜브, 상기 프로세스 튜브의 일측에 부착되어 공정 이후의 잔류 가스를 배출시키기 위한 엔드캡(end cap)으로 구성되어 있다.In the semiconductor manufacturing process, a tube device made of quartz is used to diffuse various films and dopants. The tube device is typically composed of a process tube containing a silicon wafer to proceed with the process, and an end cap attached to one side of the process tube to discharge residual gas after the process.
상기 프로세스 튜브는 가스 유입구를 통하여 들어온 반응 가스가 실리콘 웨이퍼 상에서 반응하여 소기의 막을 성장시키거나 도핑된 불순물을 확산시키는데 사용된다. 또한, 상기 엔드캡은 상기 프로세스 튜브의 일측에 장착되어 있으며, 상기 프로세스 튜브에서 반응하고 남은 미반응 가스나 반응에 의해 생성된 부산물 등을 배출시키기 위한 배기관이 구비되어 있다.The process tube is used to react reactant gas entering through the gas inlet on a silicon wafer to grow a desired film or to diffuse doped impurities. In addition, the end cap is mounted on one side of the process tube, and is provided with an exhaust pipe for discharging the unreacted gas or by-products generated by the reaction remaining in the process tube.
도 1은 종래의 반도체 장치 제조용 튜브 장치를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 튜브 장치(10)는 석영으로 구성되어 웨이퍼(20)를 담기 위한 프로세스 튜브(12)와 상기 프로세스 튜브(12)의 일단에 부착되어 있는 엔드캡(14)으로 구성된다. 상기 프로세스 튜브(12)내에는 웨이퍼들(20)이 안착된다. 상기 웨이퍼들(20)은 수직 방향으로 탑재하기 위한 석영 보트(quartz boat)(22)상에 먼저 안착되고, 상기 석영 보트(22)를 석영 캐리어(quartz carrier)(24)상에 탑재한 후, 상기 프로세스 튜브(12)내로 도입한다.1 is a cross-sectional view showing a conventional tube device for manufacturing a semiconductor device. Referring to FIG. 1, the tube device 10 is composed of a process tube 12 for holding a wafer 20 and an end cap 14 attached to one end of the process tube 12. Wafers 20 are seated in the process tube 12. The wafers 20 are first seated on a quartz boat 22 for mounting in the vertical direction, and then mounted on the quartz carrier 24. Is introduced into the process tube (12).
상기 튜브 장치(10)의 외주면상에는 상기 튜브 장치(10)에 열을 공급하여 반응을 진행시키기 위한 히터(16)가 구비된다. 상기 히터(16)는 전기로로 구성된다. 프로세스 튜브(12)는 도시한 바와 같이, 일단은 개구되어 엔드캡(14)이 장착되고, 다른 일단은 중앙부에 반응 가스 유입구(12a)가 형성된 원추 형상을 갖는다. 상기 반응 가스 유입구(12a)는 반응 가스 주입 장치(18)와 연결되어 있어, 튜브 장치(10)내로 반응 가스가 도입된다.On the outer peripheral surface of the tube device 10 is provided with a heater 16 for supplying heat to the tube device 10 to advance the reaction. The heater 16 is composed of an electric furnace. The process tube 12 has a conical shape, one end of which is opened, the end cap 14 is mounted, and the other end has a reaction gas inlet 12a formed in the center thereof, as shown. The reaction gas inlet 12a is connected to the reaction gas injection device 18 so that the reaction gas is introduced into the tube device 10.
엔드캡(14)은 튜브 장치(10)의 일단을 맬폐시킨다. 엔드캡(14)은 가스 공급 장치(18)에서 공급되는 반응 가스가 웨이퍼와 반응하고 생성된 부산물 가스가 작업 공간(32)전체에 퍼지는 것을 방지하고, 이러한 부산물 가스나 미반응 가스를 안전하게 배기시킨다. 또한, 엔드캡(14)은 전기로인 히터(16)의 온도 손실을 방지한다. 엔드캡(14)은 상부에 프로세스 튜브(12)내의 미반응 가스나 부산물 가스를 배출시키기 위한 실린더 형상의 배기관(14a)을 구비한다. 또한, 엔드캡(14)의 측면에는 엔드캡(14)을 핸들링하기 위한 손잡이(14b)가 형성되어 있다.The end cap 14 seals off one end of the tube device 10. The end cap 14 prevents the reactant gas supplied from the gas supply device 18 from reacting with the wafer and the generated by-product gas spreading throughout the work space 32 and safely evacuating the by-product gas or unreacted gas. . In addition, the end cap 14 prevents the temperature loss of the heater 16, which is an electric furnace. The end cap 14 has a cylindrical exhaust pipe 14a at the top for discharging the unreacted gas or by-product gas in the process tube 12. In addition, a handle 14b for handling the end cap 14 is formed at the side of the end cap 14.
일반적으로 반도체 장치의 제조에 사용되는 가스는 유독성 가스들이 대부분이기 때문에, 상기와 같은 튜브 장치(10)의 프로세스 튜브(12)는 저압의 밀폐된 공간(30)에 위치시키고, 작업자가 작업하기 위한 상압의 작업 공간(32)과는 분리되고, 상기 가스 공급 장치(18)와 상기 엔드캡(14)은 작업 공간(32)에 위치시킨다.In general, since most of the gases used in the manufacture of semiconductor devices are toxic gases, the process tube 12 of the tube device 10 as described above is placed in a low pressure sealed space 30, and is intended for the operator's work. Separate from the atmospheric pressure working space 32, the gas supply device 18 and the end cap 14 are located in the working space 32.
확산 공정을 수행하기 위하여는, 먼저 상기 석영 보트(22)에 웨이퍼(20)를 수직으로 탑재한 후, 상기 프로세스 튜브(12)내의 석영 캐리어(24)상에 탑재한 후, 상기 캐리어(24)를 상기 프로세스 튜브(12)내로 안치시켜 웨이퍼(20)를 프로세스 튜브(12)내로 도입한다. 다음에, 가스 공급 장치(18)를 통하여 반응 가스가 상기 프로세스 튜브(12)내로 도입하면, 웨이퍼(20)상에 각종의 막이 성장되거나 도펀트가 확산된다. 웨이퍼(20)상에 증착되지 않은 미반응 가스는 엔드캡(14)의 배기관(14a)을 통하여 외부로 배출된다.In order to perform the diffusion process, first, the wafer 20 is vertically mounted on the quartz boat 22, and then mounted on the quartz carrier 24 in the process tube 12, and then the carrier 24 is mounted. Is placed into the process tube 12 to introduce the wafer 20 into the process tube 12. Next, when a reaction gas is introduced into the process tube 12 through the gas supply device 18, various films are grown or dopants are diffused on the wafer 20. Unreacted gas not deposited on the wafer 20 is discharged to the outside through the exhaust pipe 14a of the end cap 14.
상기와 같은 종래의 반도체 장치의 튜브 장치에 있어서는, 엔드캡(14)에 형성되어 있는 배기관(14a)은 입구 측에서 출구 측까지 동일한 직경을 갖는 실린더 형상을 갖고 있다. 일반적으로, 작업 공간(32)의 압력이 밀폐 공간(30)의 압력보다 높아서 프로세스 튜브(12)와 엔드캡(14)사이의 틈을 통하여 작업 공간(32)의 공기가 프로세스 튜브(12)내로 유입되는 역류 현상이 발생한다. 이러한 경우에, 작업 공간(32)중의 공기에 포함되어 있는 수분이 공정에 영향을 주어, 보론과 같은 불순물을 확산 공정에 사용하는 경우 보론 피트(boron pit)현상이 발생한다.In the tube device of the conventional semiconductor device as described above, the exhaust pipe 14a formed in the end cap 14 has a cylindrical shape having the same diameter from the inlet side to the outlet side. Generally, the pressure in the work space 32 is higher than the pressure in the enclosed space 30 such that air in the work space 32 enters the process tube 12 through the gap between the process tube 12 and the end cap 14. Inflow backflow occurs. In this case, moisture contained in the air in the work space 32 affects the process, and boron pit phenomenon occurs when impurities such as boron are used in the diffusion process.
이에, 본 고안은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 본 고안의 목적은 작업 공간으로부터 프로세스 튜브 내로의 역류 현상을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조용 튜브 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention was created in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a tube device for manufacturing a semiconductor device capable of preventing a backflow phenomenon from a work space into a process tube.
도 1은 종래의 반도체 장치 제조용 튜브 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional tube device for manufacturing a semiconductor device.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조용 튜브 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a tube device for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시한 튜브 장치에서 반응 가스의 흐름을 설명하기 위하여 엔드캡 내부의 가스의 흐름을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the flow of the gas inside the end cap in order to explain the flow of the reaction gas in the tube device shown in FIG.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10, 110 ... 튜브 장치20, 120...웨이퍼10, 110 ... tube unit 20, 120 ... wafer
12, 112 ... 프로세스 튜브14, 114 ... 엔드캡12, 112 ... process tube 14, 114 ... end cap
22, 122 ... 석영 보트 24, 124 ... 석영 캐리어22, 122 ... quartz boat 24, 124 ... quartz carrier
16, 116 ... 히터 12a, 112a ...반응가스유입구16, 116 ... heater 12a, 112a ... reaction gas inlet
18, 118 ... 반응 가스 주입 장치18, 118 ... reactive gas injection device
14a, 114a ... 배기관14b, 114b ... 손잡이14a, 114a ... Exhaust Pipe 14b, 114b ... Handle
114c ... 굴곡부 200 ... 반응 가스114c ... bend 200 ... reaction gas
300 ... 역류300 ... reflux
상기 목적을 실현하기 위하여, 본 고안은, 일단이 개구되어 있고, 타단에는 반응 가스 유입구가 형성되어 있고, 웨이퍼를 담기 위한 프로세스 튜브; 및 상기 프로세스 튜브의 개구되어 있는 일단에 부착되어 있고, 미반응 가스 및 부산물을 배출하기 위한 배기관을 구비하는 반도체 장치 제조용 튜브 장치에 있어서, 상기 프로세스 튜브 외의 주변의 공기가 상기 프로세스 튜브 내로 역류하는 것을 방지하기 위하여 배기관의 중간 부위에 상기 배기관의 내경보다 작은 내경을 갖는 굴곡부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 튜브 장치를 제공한다.In order to realize the above object, the present invention, one end is opened, the other end is formed with a reaction gas inlet, a process tube for containing a wafer; And an exhaust pipe attached to an open end of the process tube and having an exhaust pipe for discharging unreacted gas and by-products, wherein the air outside the process tube flows back into the process tube. In order to prevent the present invention, there is provided a tube device for manufacturing a semiconductor device, wherein a bent portion having an inner diameter smaller than the inner diameter of the exhaust pipe is formed at an intermediate portion of the exhaust pipe.
본 고안에 따른 튜브 장치를 사용하는 경우에는 엔드캡 내의 배기관 측의 압력이 다른 부위보다 높게 형성되어 작업 공간의 공기가 프로세스 튜브 내로 역류되는 것을 방지한다. 따라서, 공기 내의 수분이 공정에 영향을 미칠 수 있는 보론 소오스를 고농도로 예비 증착시키는 경우에 공기의 역류 현상이 방지되어 보론 피트(혹은 네크레이스 손상(necklace damage))를 방지할 수 있다.In the case of using the tube device according to the present invention, the pressure on the side of the exhaust pipe in the end cap is formed higher than that of other parts to prevent the air in the working space from flowing back into the process tube. Thus, in case of preliminary deposition of high concentrations of boron sources in which moisture in the air can affect the process, backflow of air can be prevented to prevent boron pits (or necklace damage).
이하, 도면을 참조한 본 고안의 실시예를 통해 본 고안을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 고안에 따른 반도체 장치 제조용 석영 튜브를 도시한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 튜브 장치(110)는 석영으로 구성되어 웨이퍼(120)를 담기 위한 프로세스 튜브(112)와 상기 프로세스 튜브(112)의 일단에 부착되어 있는 엔드캡(114)으로 구성된다. 상기 프로세스 튜브(112)내에는 웨이퍼들(120)이 안착된다. 상기 웨이퍼들(120)은 수직 방향으로 탑재하기 위한 석영 보트(quartz boat)(122)상에 먼저 안착되고, 상기 석영 보트(122)를 석영 캐리어(quartz carrier)(124)상에 탑재한 후, 상기 프로세스 튜브(112)내로 도입한다.2 is a cross-sectional view showing a quartz tube for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. Referring to FIG. 2, the tube device 110 is composed of a process tube 112 for containing a wafer 120 and an end cap 114 attached to one end of the process tube 112. Wafers 120 are seated in the process tube 112. The wafers 120 are first seated on a quartz boat 122 for mounting in the vertical direction, and then mounted on the quartz carrier 124. It is introduced into the process tube 112.
상기 튜브 장치(110)의 외주면상에는 상기 튜브 장치(110)에 열을 공급하여 반응을 진행시키기 위한 히터(116)가 구비된다. 상기 히터(116)는 전기로로 구성된다. 프로세스 튜브(112)는 도시한 바와 같이, 일단은 개구되어 엔드캡(114)이 장착되고, 다른 일단은 중앙부에 반응 가스 유입구(112a)가 형성된 원추 형상을 갖는다. 상기 반응 가스 유입구(112a)는 반응 가스 주입 장치(118)와 연결되어 있어, 튜브 장치(110)내로 반응 가스가 도입된다.On the outer circumferential surface of the tube device 110 is provided a heater 116 for supplying heat to the tube device 110 to advance the reaction. The heater 116 is composed of an electric furnace. The process tube 112 has a conical shape, one end of which is open, the end cap 114 is mounted, and the other end is formed with a reaction gas inlet 112a at the center thereof. The reaction gas inlet 112a is connected to the reaction gas injector 118 so that the reaction gas is introduced into the tube device 110.
엔드캡(114)은 튜브 장치(110)의 일단을 맬폐시킨다. 엔드캡(114)은 가스 공급 장치(118)에서 공급되는 반응 가스가 웨이퍼와 반응하고 생성된 부산물 가스가 작업 공간(132)전체에 퍼지는 것을 방지하고, 이러한 부산물 가스나 미반응 가스를 안전하게 배기시킨다. 또한, 엔드캡(114)은 전기로인 히터(116)의 온도 손실을 방지한다. 엔드캡(114)은 상부에 프로세스 튜브(112)내의 미반응 가스나 부산물 가스를 배출시키기 위한 실린더 형상의 배기관(114a)을 구비한다. 또한, 엔드캡(114)의 측면에는 엔드캡(114)을 핸들링하기 위한 손잡이(114b)가 형성되어 있다.End cap 114 seals one end of tube device 110. The end cap 114 prevents the reactant gas supplied from the gas supply device 118 from reacting with the wafer and the generated by-product gas spread throughout the work space 132, and safely evacuating such by-product gas or unreacted gas. . In addition, the end cap 114 prevents the temperature loss of the heater 116, which is an electric furnace. The end cap 114 has a cylindrical exhaust pipe 114a for discharging unreacted gas or by-product gas in the process tube 112 at the top thereof. In addition, a handle 114b for handling the end cap 114 is formed at the side of the end cap 114.
상기 엔드캡(114)에 구비되어 있는 배기관(114a)의 중간 부위에 상기 배기관(114a)의 내경보다 작은 내경을 갖는 굴곡부(114c)가 형성되어 있다. 상기 굴곡부(114c)는 프로세스 튜브(112)의 주변의 공기가 상기 프로세스 튜브(112)내로 역류하는 것을 방지한다. 상기 배기관(114a)은 실린더 형상을 갖는다. 상기 배기관(114a)의 중앙부에 상기 배기관(114a)의 외주면을 따라서 동일한 반지름을 갖는 아크형 요부가 형성되어 상기 굴곡부(114c)를 형성한다.A bent portion 114c having an inner diameter smaller than the inner diameter of the exhaust pipe 114a is formed at an intermediate portion of the exhaust pipe 114a provided in the end cap 114. The bend 114c prevents air around the process tube 112 from flowing back into the process tube 112. The exhaust pipe 114a has a cylindrical shape. An arc-shaped recess having the same radius is formed along the outer circumferential surface of the exhaust pipe 114a at the central portion of the exhaust pipe 114a to form the curved portion 114c.
상기 튜브 장치(110)의 프로세스 튜브(112)는 저압의 밀폐된 공간(130)에 위치시키고, 작업자가 작업하기 위한 상압의 작업 공간(132)과는 분리되고, 상기 가스 공급 장치(118)와 상기 엔드캡(114)은 작업 공간(132)에 위치시킨다.The process tube 112 of the tube device 110 is located in the low pressure sealed space 130, is separated from the normal working space 132 for the operator to work, and the gas supply device 118 The end cap 114 is located in the workspace 132.
확산 공정을 수행하기 위하여는, 먼저 상기 석영 보트(122)에 웨이퍼(120)를 수직으로 탑재한 후, 상기 프로세스 튜브(112)내의 석영 캐리어(124)상에 탑재한 후, 상기 캐리어(124)를 상기 프로세스 튜브(112)내로 안치시켜 웨이퍼(120)를 프로세스 튜브(112)내로 도입한다. 다음에, 가스 공급 장치(118)를 통하여 보론과 같은 확산 반응에 이용되는 반응 가스가 상기 프로세스 튜브(112)내로 도입하면, 웨이퍼(120)상에 각종의 막이 성장되거나 도펀트가 확산된다. 웨이퍼(120)상에 증착되지 않은 미반응 가스는 엔드캡(114)의 배기관(114a)을 통하여 외부로 배출된다.In order to perform the diffusion process, first, the wafer 120 is vertically mounted on the quartz boat 122, and then mounted on the quartz carrier 124 in the process tube 112, and then the carrier 124 is mounted. Is placed into the process tube 112 to introduce the wafer 120 into the process tube 112. Next, when a reaction gas used for a diffusion reaction such as boron is introduced into the process tube 112 through the gas supply device 118, various films are grown or dopants are diffused on the wafer 120. Unreacted gas not deposited on the wafer 120 is discharged to the outside through the exhaust pipe 114a of the end cap 114.
도 3은 도 2에 도시한 튜브 장치에서 반응 가스(200)의 흐름을 설명하기 위하여 엔드캡(114)내부의 가스의 흐름을 나타내는 단면도이다. 엔드캡(114)의 배기관(114a)에 형성되어 있는 굴곡부(114c)에 의하여 배기관(114a)이 형성되어 있는 부근의 엔드캡(114)내의 A부분의 압력이 다른 부분의 압력보다 높게 유지된다. 도 2의 반응 가스 공급 장치(118)에서 공급된 반응 가스는 웨이퍼(120)상에 막을 성장시키거나, 확산 공정을 위하여 예비 증착된다. 반응하거나, 증착되고 남은 잔류 가스인 미반응 가스나, 반응(특히, 화학 기상 증착 공정에서의 반응)후에 생성된 부산물 가스는 엔드캡(114)의 배기관(114a)을 통하여 튜브 장치(110)의 외부로 배출된다.3 is a cross-sectional view showing the flow of the gas inside the end cap 114 in order to explain the flow of the reaction gas 200 in the tube device shown in FIG. The bent portion 114c formed in the exhaust pipe 114a of the end cap 114 maintains the pressure of the A portion in the end cap 114 in the vicinity of the exhaust pipe 114a where the exhaust pipe 114a is formed. The reactant gas supplied from the reactant gas supply device 118 of FIG. 2 grows a film on the wafer 120 or is preliminarily deposited for the diffusion process. The unreacted gas, which is the remaining gas which has been reacted or has been deposited, or the by-product gas generated after the reaction (especially in a chemical vapor deposition process), passes through the exhaust pipe 114a of the end cap 114 of the tube apparatus 110. It is discharged to the outside.
이 때, 도시한 바와 같이, 굴곡부(114c)에 의하여 배기관(114a)이 형성되어 있는 부근의 엔드캡(114)내의 부분 A의 압력이 다른 부분의 압력보다 높게 유지된다. 따라서, 작업 공간(132)으로 부터 수분을 포함하는 외부의 공기가 역류(300)되는 것이 방지된다. 따라서, 고농도의 보론을 사용하여 예비 증착 공정을 수행하는 경우에 주변 공기 중의 수분에 의해 형성되는 보론 피트(혹은 네크레이스 손상(necklace damage))를 방지할 수 있다.At this time, as shown in the drawing, the pressure of the portion A in the end cap 114 in the vicinity where the exhaust pipe 114a is formed by the bent portion 114c is maintained higher than the pressure of the other portions. Thus, the back flow 300 of the outside air containing moisture from the work space 132 is prevented. Therefore, when performing a preliminary deposition process using a high concentration of boron, it is possible to prevent boron pits (or necklace damage) formed by moisture in the surrounding air.
본 고안에 따른 튜브 장치를 사용하는 경우에는 엔드캡 내의 배기관 측의 압력이 다른 부위보다 높게 형성되어 작업 공간의 공기가 프로세스 튜브 내로 역류되는 것을 방지한다. 따라서, 공기 내의 수분이 공정에 영향을 미칠 수 있는 보론 소오스를 고농도로 예비 증착시키는 경우에 공기의 역류 현상이 방지되어 보론 피트(혹은 네크레이스 손상)과 같은 결함을 방지할 수 있다.In the case of using the tube device according to the present invention, the pressure on the side of the exhaust pipe in the end cap is formed higher than that of other parts to prevent the air in the working space from flowing back into the process tube. Thus, in case of preliminary deposition of high concentrations of boron sources in which moisture in the air can affect the process, backflow of air can be prevented and defects such as boron pits (or neck damage) can be prevented.
본 고안을 상기 실시예들에 의해 구체적으로 설명하였지만, 본 고안은 이에 의해 제한되는 것은 아니고, 당업자의 통상적인 지식의 범위 내에서 그 변형이나 개량이 가능하다.Although the present invention has been described in detail by the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and modifications and improvements of the present invention are possible within the ordinary knowledge of those skilled in the art.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960044628U KR19980031465U (en) | 1996-11-30 | 1996-11-30 | Tube Device for Manufacturing Semiconductor Device |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019960044628U KR19980031465U (en) | 1996-11-30 | 1996-11-30 | Tube Device for Manufacturing Semiconductor Device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980031465U true KR19980031465U (en) | 1998-08-17 |
Family
ID=53986542
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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1996
- 1996-11-30 KR KR2019960044628U patent/KR19980031465U/en not_active Abandoned
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