KR102837636B1 - Microwave annealing apparatus - Google Patents
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Abstract
도파관 내부에 유전체 물질을 형성하고, 유전체 물질을 통해 처리 챔버 내부로 마이크로파를 전달하여 반도체 기판을 균일하게 가열할 수 있도록 하는 마이크로파 열처리 장치에 관한 것으로, 내부에 일정한 공간을 가지는 처리 챔버; 상기 처리 챔버 외부에 설치되어 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생부; 및 일단은 상기 마이크로파 발생부에 접속되고, 타단은 상기 처리 챔버 내부에 삽입되고, 상기 처리 챔버 내부에 삽입된 부분의 일면에는 적어도 하나 이상의 슬롯이 형성되어 있으며, 내부 공간 및 상기 슬롯 중에서 적어도 한 곳에 형성된 유전체 물질을 통해 상기 마이크로파 발생부가 발생시킨 마이크로파를 상기 처리 챔버 내로 전달하여 상기 처리 챔버 내에 배치된 기판을 가열시키는 도파관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.A microwave heat treatment device which forms a dielectric material inside a waveguide and transmits microwaves into a processing chamber through the dielectric material to uniformly heat a semiconductor substrate, comprises: a processing chamber having a predetermined space inside; a microwave generator which is installed outside the processing chamber and generates microwaves; and a waveguide which has one end connected to the microwave generator, the other end inserted into the processing chamber, and has at least one slot formed on one surface of a portion inserted into the processing chamber, and transmits microwaves generated by the microwave generator into the processing chamber through the dielectric material formed in at least one of the internal space and the slots to heat a substrate placed in the processing chamber.
Description
본 발명은 마이크로파 열처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로파를 이용하여 반도체 기판을 균일하게 가열할 수 있도록 하는 마이크로파 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a microwave heat treatment device, and more specifically, to a microwave heat treatment device capable of uniformly heating a semiconductor substrate using microwaves.
반도체 제조 공정 중 열처리(Annealing) 공정은 비정질 물질의 재배열, 결정성 물질의 결함 제거, 비정질 또는 결정성 물질의 도펀트들에 결함 제거 및 재결정화에 사용된다.During the semiconductor manufacturing process, the annealing process is used to rearrange amorphous materials, remove defects in crystalline materials, and remove and recrystallize defects in dopants in amorphous or crystalline materials.
이러한 열처리 공정으로는 퍼니스(furnace) 공정, 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process, RTP), 플래시 열처리 공정, 레이저 열처리 공정 등이 있다.These heat treatment processes include furnace process, rapid thermal process (RTP), flash heat treatment process, and laser heat treatment process.
그러나 퍼니스 공정은 800℃~1100℃의 고온에서 열처리 공정이 일률적으로 수행되어, 서로 다른 온도 특성을 가지고 있는 여러 물질이 혼합되어 있는 반도체 소자 내에서의 일률적인 열처리 공정은 반도체 장치의 전체 수율과 성능이 저하되는 문제점이 있다.However, since the furnace process uniformly performs the heat treatment process at high temperatures of 800℃ to 1100℃, there is a problem that the uniform heat treatment process within the semiconductor device, where various materials with different temperature characteristics are mixed, lowers the overall yield and performance of the semiconductor device.
급속 열처리 공정은 퍼니스 공정과 마찬가지로 800℃~1100℃의 고온에서 열처리 공정이 수행되어 반도체 재료의 성능이 저하되고, 주변 재료로의 원치 않는 도펀트 확산이 발생하는 문제점이 있다.The rapid heat treatment process, like the furnace process, has the problem that the heat treatment process is performed at high temperatures of 800°C to 1100°C, which deteriorates the performance of semiconductor materials and causes unwanted dopant diffusion into surrounding materials.
또한, 플래시 열처리 공정과 레이저 열처리 공정은 열처리 공정 중 불순물 영역의 경계가 이동하고, 직경 수 ㎜의 레이저 스폿 크기 내의 영역은 활성화되지만 웨이퍼 표면에서 활성화되는데 필요한 전체 영역보다 훨씬 작아서 도핑된 부위 전체를 커버하기 위해 매번 이동하면서 여러 번 열처리 공정을 수행해야 하는 번거로움이 있고, 깊이 방향으로 열처리의 균일성이 확보되지 못하여 재현성과 양산성이 제한되고 있다. 결과적으로 패턴을 형성하여 영역이 겹치거나 누락되는 패턴 효과가 발생하여, 패턴 효과에 의한 생산성 저하가 발생되는 문제점이 있다.In addition, the flash heat treatment process and the laser heat treatment process have the inconvenience of having to perform the heat treatment process multiple times while moving each time to cover the entire doped area because the boundary of the impurity region moves during the heat treatment process, and the region within the laser spot size of several millimeters in diameter is activated but is much smaller than the entire region required for activation on the wafer surface, and the uniformity of the heat treatment in the depth direction is not secured, which limits reproducibility and mass productivity. As a result, there is a problem that a pattern effect occurs in which regions overlap or are missing by forming a pattern, resulting in a decrease in productivity due to the pattern effect.
이러한 문제점을 해결하기 위해 종래에는 마이크로파(Microwave)를 이용하여 열처리 공정을 수행한다.To solve these problems, heat treatment processes are conventionally performed using microwaves.
이러한 마이크로파를 이용한 열처리 공정은 낮은 공정 온도로 인하여 반도체 장치의 성능을 향상시킬 수 있게 되고, 원하지 않는 확산을 최소화하며, 800℃ 이상의 열처리 공정에서는 사용할 수 없었던 금속(예를 들어, Al, Ni 등)이 포함된 유전 물질의 열처리 등의 반도체 공정에도 사용할 수 있게 된다.This microwave-assisted heat treatment process can improve the performance of semiconductor devices due to its low process temperature, minimize unwanted diffusion, and can be used in semiconductor processes such as heat treatment of dielectric materials containing metals (e.g., Al, Ni, etc.) that could not be used in heat treatment processes above 800°C.
또한, 마이크로파를 이용한 열처리 공정은 시료의 열적인 온도의 증가에 의한 물질의 상태 변화뿐만 아니라 마이크로파의 영향을 받은 시료 원자의 운동 에너지에 의한 비열적인 영향으로 인한 공정상 효과도 장점으로 작용한다.In addition, the heat treatment process using microwaves has the advantage of not only a change in the state of a material due to an increase in the thermal temperature of the sample, but also a process effect due to a non-thermal effect caused by the kinetic energy of sample atoms affected by microwaves.
전술한 바와 같이, 마이크로파를 이용하여 열처리 공정을 수행하는 경우, 반도체 기판에 마이크로파를 균일하게 방사하여 반도체 기판을 균일하게 가열하는 것을 필요로 한다.As described above, when performing a heat treatment process using microwaves, it is necessary to uniformly heat the semiconductor substrate by uniformly radiating microwaves to the semiconductor substrate.
본 발명은 상기한 바와 같은 필요성을 감안하여 안출된 것으로, 도파관 내부에 유전체 물질을 형성하고, 유전체 물질을 통해 처리 챔버 내부로 마이크로파를 전달하여 반도체 기판을 균일하게 가열할 수 있도록 하는 마이크로파 열처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made in consideration of the above-mentioned needs, and its purpose is to provide a microwave heat treatment device that forms a dielectric material inside a waveguide and transmits microwaves into a processing chamber through the dielectric material to uniformly heat a semiconductor substrate.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치는, 내부에 일정한 공간을 가지는 처리 챔버; 상기 처리 챔버 외부에 설치되어 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생부; 및 일단은 상기 마이크로파 발생부에 접속되고, 타단은 상기 처리 챔버 내부에 삽입되고, 상기 처리 챔버 내부에 삽입된 부분의 일면에는 적어도 하나 이상의 슬롯이 형성되어 있으며, 내부 공간 및 상기 슬롯 중에서 적어도 한 곳에 형성된 유전체 물질을 통해 상기 마이크로파 발생부가 발생시킨 마이크로파를 상기 처리 챔버 내로 전달하여 상기 처리 챔버 내에 배치된 기판을 가열시키는 도파관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above-described object, the microwave heat treatment device according to the present invention comprises: a treatment chamber having a predetermined space inside; a microwave generator installed outside the treatment chamber to generate microwaves; and a waveguide having one end connected to the microwave generator, the other end inserted inside the treatment chamber, at least one slot formed on one surface of a portion inserted inside the treatment chamber, and a dielectric material formed in at least one of the internal space and the slot to transmit microwaves generated by the microwave generator into the treatment chamber to heat a substrate placed in the treatment chamber.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 한 개로 구현되는 경우, 상기 도파관은 상기 처리 챔버를 관통하도록 설치되며, 상기 도파관의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부가 접속되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, when the microwave generating units are formed of a plurality of units and the waveguide is implemented as one unit, the waveguide is installed so as to penetrate the treatment chamber, and at least one microwave generating unit is connected to each of one end and the other end of the waveguide.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 한 개로 구현되는 경우, 상기 도파관은 상기 처리 챔버의 일측면에서 이웃하는 측면을 향해 굽어져 관통하도록 설치되며, 상기 도파관의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부가 접속되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, when the microwave generating units are formed of a plurality of units and the waveguide is implemented as one unit, the waveguide is installed to be bent and penetrate from one side of the treatment chamber toward an adjacent side, and at least one microwave generating unit is connected to each of one end and the other end of the waveguide.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 상기 마이크로파 발생부와 동일한 개수 또는 상기 마이크로파 발생부의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우, 적어도 하나 이상의 도파관은 가로로 형성되고, 나머지 도파관은 세로로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, when the microwave generating unit is formed with a plurality of microwave generating units and the waveguides are implemented with a number equal to or smaller than the number of the microwave generating units, it is characterized in that at least one waveguide is formed horizontally and the remaining waveguides are formed vertically.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 상기 마이크로파 발생부와 동일한 개수 또는 상기 마이크로파 발생부의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우, 상기 도파관은 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, when the microwave generating unit is formed of a plurality of units and the waveguides are implemented in a number equal to or smaller than the number of the microwave generating units, the waveguides are characterized in that they are arranged to face each other with the substrate interposed therebetween.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은, 서로 평행하고, 각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguides arranged to face each other with the substrate interposed between them are characterized in that they are arranged to be parallel to each other and the center lines of the slots formed in each waveguide are parallel to each other.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은, 서로 평행하고, 각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하며, 슬롯의 위치가 서로 일치하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguides arranged to face each other with the substrate interposed between them are characterized in that they are arranged so that they are parallel to each other, the center lines of the slots formed in each waveguide are parallel to each other, and the positions of the slots match each other.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은, 각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하지 않고, 임의의 각을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguides arranged to face each other with the substrate interposed between them are characterized in that the center lines of the slots formed in each waveguide are not parallel to each other but are arranged to form an arbitrary angle.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관 내부 공간 전체에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is characterized in that it is formed throughout the entire internal space of the waveguide.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관 내부 공간 일부에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is characterized in that it is formed in a part of the internal space of the waveguide.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 상기 유전체 로드는 상기 도파관의 내부로 연장 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric rod, and the dielectric rod is formed to extend into the interior of the waveguide.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 상기 유전체 로드는 슬롯의 두께와 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric load, and the dielectric load is formed to have a height equal to the thickness of the slot.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 상기 유전체 로드는 슬롯의 두께보다 높은 높이로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric load, and the dielectric load is formed to a height higher than the thickness of the slot.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 상기 유전체 로드는 슬롯의 두께보다 낮은 높이로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric load, and the dielectric load is formed to a height lower than the thickness of the slot.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 각 유전체 로드는 서로 다른 높이로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric rod, and each dielectric rod is formed with a different height.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 유전체 물질은, 상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며, 슬롯 밖으로 돌출되는 유전체 로드의 단면 모양은 사각형, 반원, 반타원, 삼각형, 사다리꼴 모양 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the dielectric material is formed in a slot formed in the waveguide to form a dielectric rod, and the cross-sectional shape of the dielectric rod protruding out of the slot is formed as any one of a square, a semicircle, a semi-ellipse, a triangle, and a trapezoid.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 도파관의 일면에 형성되는 적어도 하나 이상의 슬롯은, 원형, 사각형, 삼각형, 타원형, 직사각형 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, at least one slot formed on one side of the waveguide is characterized in that it is formed in any one of a circle, a square, a triangle, an oval, and a rectangle.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 도파관은, 일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguide is characterized in that at least one slot is formed at equal intervals on one surface.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 도파관은, 일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성되어 적어도 하나 이상의 열을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguide is characterized in that at least one slot is formed at equal intervals on one surface to form at least one row.
또한, 본 발명에 따른 마이크로파 열처리 장치에서, 상기 도파관은, 일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성된 적어도 하나 이상의 도파관을 병렬 배치하여 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the microwave heat treatment device according to the present invention, the waveguide is characterized in that it is formed by arranging at least one waveguide in parallel, with at least one slot formed at equal intervals on one surface.
기타 실시 예의 구체적인 사항은 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용" 및 첨부 "도면"에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the “Specific Details for Carrying Out the Invention” and the attached “Drawings.”
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 각종 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다.The advantages and/or features of the present invention and the methods for achieving them will become apparent with reference to the various embodiments described in detail below together with the accompanying drawings.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 각 실시 예의 구성만으로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로도 구현될 수도 있으며, 단지 본 명세서에서 개시한 각각의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구범위의 각 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐임을 알아야 한다.However, the present invention is not limited to the configuration of each embodiment disclosed below, but may be implemented in various different forms, and each embodiment disclosed in this specification is provided only to make the disclosure of the present invention complete, and to fully inform a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs of the scope of the present invention, and it should be understood that the present invention is defined only by the scope of each claim of the claims.
본 발명에 의하면, 도파관 내부에 유전체 물질을 형성하고, 유전체 물질을 통해 처리 챔버 내부로 마이크로파를 전달하여, 도파관의 일면에 형성되는 슬롯의 간격을 촘촘하게 형성할 수 있게 되고, 그로 인하여 기판을 균일하게 가열할 수 있게 된다.According to the present invention, a dielectric material is formed inside a waveguide, and microwaves are transmitted into a processing chamber through the dielectric material, so that slots formed on one side of the waveguide can be formed at close intervals, thereby uniformly heating the substrate.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 열처리 장치의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.
도 4 내지 도 9는 본 발명에 적용되는 도파관의 배치를 예시적으로 보인 도면이다.
도 10은 본 발명에 따라 도파관의 내부 공간 및 슬롯에 형성되는 유전체 물질을 예시적으로 보인 도면이다.
도 11은 본 발명에 따라 도파관의 슬롯에 형성되는 유전체 로드의 높이를 예시적으로 보인 도면이다.
도 12는 본 발명에 따라 도파관의 슬롯에 형성되는 유전체 로드의 단면을 예시적으로 보인 도면이다.
도 13은 본 발명에 따라 도파관에 형성되는 슬롯의 모양을 예시적으로 보인 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 발명에 따라 도파관에 형성되는 슬롯의 배치를 예시적으로 보인 도면이다.
도 16은 본 발명에 적용되는 도파관을 예시적으로 보인 도면이다.
도 17은 본 발명에 적용되는 도파관과 기판 지지대를 예시적으로 보인 도면이다.
도 18은 종래 기술에 따라 도파관에 형성되는 슬롯의 간격을 예시적으로 보인 도면이다.
도 19는 본 발명에 따라 도파관에 형성되는 슬롯의 간격을 예시적으로 보인 도면이다.Figures 1 to 3 are drawings schematically showing the configuration of a microwave heat treatment device according to one embodiment of the present invention.
Figures 4 to 9 are drawings exemplifying the arrangement of waveguides applied to the present invention.
FIG. 10 is a drawing exemplarily showing a dielectric material formed in the internal space and slot of a waveguide according to the present invention.
FIG. 11 is a drawing exemplarily showing the height of a dielectric load formed in a slot of a waveguide according to the present invention.
FIG. 12 is a drawing exemplarily showing a cross-section of a dielectric load formed in a slot of a waveguide according to the present invention.
FIG. 13 is a drawing exemplarily showing the shape of a slot formed in a waveguide according to the present invention.
FIG. 14 and FIG. 15 are drawings exemplarily showing the arrangement of slots formed in a waveguide according to the present invention.
Fig. 16 is a drawing exemplifying a waveguide applied to the present invention.
Figure 17 is a drawing exemplifying a waveguide and a substrate support applied to the present invention.
Fig. 18 is a drawing exemplarily showing the spacing of slots formed in a waveguide according to a conventional technique.
FIG. 19 is a drawing exemplarily showing the spacing of slots formed in a waveguide according to the present invention.
본 발명을 상세하게 설명하기 전에, 본 명세서에서 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 무조건 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 발명자가 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해서 각종 용어의 개념을 적절하게 정의하여 사용할 수 있고, 더 나아가 이들 용어나 단어는 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 함을 알아야 한다.Before describing the present invention in detail, it should be understood that the terms or words used in this specification should not be interpreted as being unconditionally limited to their usual or dictionary meanings, and that the inventor of the present invention may appropriately define and use the concepts of various terms in order to describe his or her invention in the best possible manner, and further that these terms or words should be interpreted as meanings and concepts that are consistent with the technical idea of the present invention.
즉, 본 명세서에서 사용된 용어는 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기 위해서 사용되는 것일 뿐이고, 본 발명의 내용을 구체적으로 한정하려는 의도로 사용된 것이 아니며, 이들 용어는 본 발명의 여러 가지 가능성을 고려하여 정의된 용어임을 알아야 한다.That is, the terms used in this specification are only used to describe preferred embodiments of the present invention, and are not intended to specifically limit the contents of the present invention. It should be understood that these terms are terms defined in consideration of various possibilities of the present invention.
또한, 본 명세서에 있어서, 단수의 표현은 문맥상 명확하게 다른 의미로 지시하지 않는 이상, 복수의 표현을 포함할 수 있으며, 유사하게 복수로 표현되어 있다고 하더라도 단수의 의미를 포함할 수 있음을 알아야 한다.Additionally, in this specification, it should be noted that a singular expression may include a plural expression unless the context clearly indicates a different meaning, and similarly, even if expressed in a plural manner, it may include a singular meaning.
본 명세서의 전체에 걸쳐서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소를 "포함"한다고 기재하는 경우에는, 특별히 반대되는 의미의 기재가 없는 한 임의의 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 임의의 다른 구성 요소를 더 포함할 수도 있다는 것을 의미할 수 있다.Throughout this specification, whenever a component is described as "including" another component, this may mean that the component may further include any other component, rather than excluding any other component, unless otherwise specifically stated.
더 나아가서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "내부에 존재하거나, 연결되어 설치된다"고 기재한 경우에는, 이 구성 요소가 다른 구성 요소와 직접적으로 연결되어 있거나 접촉하여 설치되어 있을 수 있고, 일정한 거리를 두고 이격되어 설치되어 있을 수도 있으며, 일정한 거리를 두고 이격되어 설치되어 있는 경우에 대해서는 해당 구성 요소를 다른 구성 요소에 고정 내지 연결시키기 위한 제 3의 구성 요소 또는 수단이 존재할 수 있으며, 이 제 3의 구성 요소 또는 수단에 대한 설명은 생략될 수도 있음을 알아야 한다.Furthermore, when it is described that a component is “existing within, or is installed in connection with” another component, it should be noted that the component may be installed in direct connection with or in contact with the other component, may be installed spaced apart from the other component by a certain distance, and if it is installed spaced apart from the other component by a certain distance, there may be a third component or means for fixing or connecting the component to the other component, and the description of this third component or means may be omitted.
반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결"되어 있다거나, 또는 "직접 접속"되어 있다고 기재되는 경우에는, 제 3의 구성 요소 또는 수단이 존재하지 않는 것으로 이해하여야 한다.On the other hand, when a component is described as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that no third component or means is present.
마찬가지로, 각 구성 요소 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 " ~ 사이에"와 "바로 ~ 사이에", 또는 " ~ 에 이웃하는"과 " ~ 에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지의 취지를 가지고 있는 것으로 해석되어야 한다.Likewise, other expressions that describe the relationship between each component, such as "between" and "directly between", or "adjacent to" and "directly adjacent to", should be interpreted as having the same meaning.
또한, 본 명세서에 있어서 "일면", "타면", "일측", "타측", "제 1", "제 2" 등의 용어는, 사용된다면, 하나의 구성 요소에 대해서 이 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소로부터 명확하게 구별될 수 있도록 하기 위해서 사용되며, 이와 같은 용어에 의해서 해당 구성 요소의 의미가 제한적으로 사용되는 것은 아님을 알아야 한다.In addition, it should be noted that the terms “one side,” “the other side,” “one side,” “the other side,” “first,” “second,” etc. in this specification, if used, are used to clearly distinguish one component from other components, and that the meaning of the component is not limited by such terms.
또한, 본 명세서에서 "상", "하", "좌", "우" 등의 위치와 관련된 용어는, 사용된다면, 해당 구성 요소에 대해서 해당 도면에서의 상대적인 위치를 나타내고 있는 것으로 이해하여야 하며, 이들의 위치에 대해서 절대적인 위치를 특정하지 않는 이상은, 이들 위치 관련 용어가 절대적인 위치를 언급하고 있는 것으로 이해하여서는 아니된다.In addition, terms related to position, such as “upper,” “lower,” “left,” and “right,” if used in this specification, should be understood to indicate relative positions of corresponding components in the corresponding drawings, and unless absolute positions are specified for these positions, these position-related terms should not be understood to refer to absolute positions.
더욱이, 본 발명의 명세서에서는, "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는, 사용된다면, 하나 이상의 기능이나 동작을 처리할 수 있는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있음을 알아야 한다.Furthermore, in the specification of the present invention, it should be noted that the terms “part,” “unit,” “module,” “device,” etc., if used, mean a unit capable of processing one or more functions or operations, which may be implemented by hardware or software, or a combination of hardware and software.
또한, 본 명세서에서는 각 도면의 각 구성 요소에 대해서 그 도면 부호를 명기함에 있어서, 동일한 구성 요소에 대해서는 이 구성 요소가 비록 다른 도면에 표시되더라도 동일한 도면 부호를 가지고 있도록, 즉 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지시하고 있다.In addition, in this specification, when specifying the drawing symbols for each component in each drawing, the same component is given the same drawing symbol even if the component is shown in a different drawing, that is, the same reference symbol indicates the same component throughout the specification.
본 명세서에 첨부된 도면에서 본 발명을 구성하는 각 구성 요소의 크기, 위치, 결합 관계 등은 본 발명의 사상을 충분히 명확하게 전달할 수 있도록 하기 위해서 또는 설명의 편의를 위해서 일부 과장 또는 축소되거나 생략되어 기술되어 있을 수 있고, 따라서 그 비례나 축척은 엄밀하지 않을 수 있다.In the drawings attached to this specification, the size, position, connection relationship, etc. of each component constituting the present invention may be described in an exaggerated, reduced, or omitted manner in order to sufficiently and clearly convey the idea of the present invention or for convenience of explanation, and therefore the proportions or scales may not be strict.
또한, 이하에서, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 구성, 예를 들어, 종래 기술을 포함하는 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략될 수도 있다.In addition, in the following description of the present invention, a detailed description of a configuration that is judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, for example, a known technology including a prior art, may be omitted.
이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로파 열처리 장치에 대해서 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a microwave heat treatment device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 열처리 장치의 구성을 개략적으로 보인 도면이다.FIG. 1 is a drawing schematically showing the configuration of a microwave heat treatment device according to one embodiment of the present invention.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로파 열처리 장치(100)는 처리 챔버(110), 진공 펌프(120), 마이크로파 발생부(130), 온도 측정부(140), 도파관(150) 등을 포함하여 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 1, a microwave heat treatment device (100) according to one embodiment of the present invention may include a treatment chamber (110), a vacuum pump (120), a microwave generating unit (130), a temperature measuring unit (140), a waveguide (150), etc.
처리 챔버(110)는 내부에 일정한 공간을 가지며, 내부 공간을 진공 상태로 유지할 수 있는 구조를 가질 수 있다.The processing chamber (110) has a certain space inside and may have a structure capable of maintaining the internal space in a vacuum state.
이에 따라, 처리 챔버(110)에는 챔버 내부의 기체를 배출할 수 있는 진공 펌프(120)가 구비되고, 챔버 내부로 기체를 주입할 수 있는 벤팅 장치도 구비될 수 있다.Accordingly, the processing chamber (110) may be equipped with a vacuum pump (120) capable of discharging gas inside the chamber, and may also be equipped with a venting device capable of injecting gas into the chamber.
마이크로파 발생부(130)는 처리 챔버(110) 외부에 설치될 수 있으며, 제어부(도시하지 않음)의 제어 하에 구동되어 마이크로파를 발생시킬 수 있다.The microwave generator (130) can be installed outside the processing chamber (110) and can be driven under the control of a control unit (not shown) to generate microwaves.
본 발명의 실시예에서 마이크로파 발생부(130)는 마그네트론으로 구현될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment of the present invention, the microwave generator (130) may be implemented as a magnetron, but is not limited thereto.
온도 측정부(140)는 열처리 대상인 반도체 기판(10)의 온도를 측정하고 측정된 값을 제어부(도시하지 않음)로 제공할 수 있다.The temperature measuring unit (140) can measure the temperature of a semiconductor substrate (10) that is a heat treatment target and provide the measured value to a control unit (not shown).
도파관(150)은 일단은 마이크로파 발생부(130)에 접속되고, 타단은 처리 챔버(110) 내부에 삽입될 수 있다.The waveguide (150) can be connected at one end to a microwave generator (130) and at the other end inserted into a processing chamber (110).
도파관(150)은 처리 챔버(110) 내부에 삽입된 부분의 일면(예를 들어, 도파관의 상부면 또는 하부면)에는 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 형성될 수 있다.The waveguide (150) may have at least one slot (155) formed on one side (e.g., the upper surface or lower surface of the waveguide) of the portion inserted inside the processing chamber (110).
도파관(150)은 마이크로파 발생부(130)가 발생시킨 마이크로파를 처리 챔버(110) 내로 전달하여 처리 챔버(110) 내에 배치된 기판(10)을 가열시킬 수 있다.The waveguide (150) can transmit microwaves generated by the microwave generator (130) into the processing chamber (110) to heat the substrate (10) placed in the processing chamber (110).
도파관(150)은 내부 공간 및 슬롯(155) 중에서 적어도 한 곳에 유전체 물질(160)이 형성될 수 있으며, 형성된 유전체 물질(160)을 통해 마이크로파 발생부(130)가 발생시킨 마이크로파를 처리 챔버(110) 내로 전달하여 처리 챔버(110) 내에 배치된 기판(10)을 가열시킬 수 있다.The waveguide (150) can have a dielectric material (160) formed in at least one of the internal space and the slot (155), and microwaves generated by the microwave generator (130) can be transmitted into the processing chamber (110) through the formed dielectric material (160) to heat the substrate (10) placed in the processing chamber (110).
도파관(150)은 도 1에 도시하는 바와 같이 처리 챔버(110)의 하부면에 설치되어 도파관(150)의 상부에 기판(10)이 배치되도록 구성될 수 있고, 처리 챔버(110) 내부의 상부면에 설치되어 처리 챔버(110)의 하부면에 배치된 기판(10)에 마이크로파를 조사하도록 구성될 수 있으며, 처리 챔버(110) 내부의 측면에 설치되어 처리 챔버(110)의 하부면에 배치된 기판(10)에 마이크로파를 조사하도록 구성될 수 있다.The waveguide (150) may be configured to be installed on the lower surface of the processing chamber (110) as shown in FIG. 1 so that a substrate (10) is placed on the upper surface of the waveguide (150), configured to be installed on the upper surface inside the processing chamber (110) so as to irradiate microwaves to the substrate (10) placed on the lower surface of the processing chamber (110), and configured to be installed on the side surface inside the processing chamber (110) so as to irradiate microwaves to the substrate (10) placed on the lower surface of the processing chamber (110).
도파관(150)이 처리 챔버(110)의 하부면에 설치되어 도파관(150)의 상부에 기판(10)이 배치되도록 구성되는 경우, 도 2에 도시하는 바와 같이 도파관(150)의 상부에는 도파관(150)과 기판(10)을 이격시키면서, 기판(10)과 도파관(150)의 상부면에 형성된 슬롯(155)(또는 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)) 사이의 간격을 조절할 수 있는 스페이서(170)가 구비될 수 있다.When the waveguide (150) is installed on the lower surface of the processing chamber (110) and the substrate (10) is arranged on the upper surface of the waveguide (150), as shown in FIG. 2, a spacer (170) may be provided on the upper surface of the waveguide (150) to separate the waveguide (150) and the substrate (10) while adjusting the gap between the substrate (10) and the slot (155) formed on the upper surface of the waveguide (150) (or the dielectric load (165) formed in the slot (155)).
또한, 도파관(150)이 처리 챔버(110)의 하부면에 설치되어 도파관(150)의 상부에 기판(10)이 배치되도록 구성되는 경우, 도 3에 도시하는 바와 같이 처리 챔버(110) 내부에는 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(180)와 기판 지지대(180)를 상승 또는 하강시켜 기판(10)과 도파관(150)의 상부면에 형성된 슬롯(155)(또는 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)) 사이의 간격을 조절할 수 있는 기판 지지대 구동부(185)가 구비될 수 있다.In addition, when the waveguide (150) is installed on the lower surface of the processing chamber (110) and the substrate (10) is arranged on the upper surface of the waveguide (150), as shown in FIG. 3, a substrate support (180) that supports the substrate (10) and a substrate support drive unit (185) that can adjust the gap between the substrate (10) and the slot (155) formed on the upper surface of the waveguide (150) by raising or lowering the substrate support (180) may be provided inside the processing chamber (110).
한편, 본 발명의 실시예에서 마이크로파 발생부(130)는 복수 개로 이루어질 수 있으며, 각각의 마이크로파 발생부(130)는 동일한 파장(주파수)을 갖는 마이크로파를 생성할 수 있고, 서로 다른 파장(주파수)을 갖는 마이크로파를 생성할 수도 있다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the microwave generating unit (130) may be composed of a plurality of units, and each microwave generating unit (130) may generate microwaves having the same wavelength (frequency) or may generate microwaves having different wavelengths (frequencies).
전술한 바와 같이, 마이크로파 발생부(130)가 복수 개로 이루어지는 경우, 도파관(150)은 한 개의 도파관으로 구현될 수 있고, 마이크로파 발생부(130)와 동일한 개수의 도파관으로 구현될 수 있고, 마이크로파 발생부(130)의 개수보다 작은 개수의 도파관으로 구현될 수 있다.As described above, when the microwave generating unit (130) is composed of multiple units, the waveguide (150) can be implemented as a single waveguide, can be implemented as a waveguide with the same number of waveguides as the microwave generating unit (130), or can be implemented as a waveguide with a smaller number of waveguides than the number of microwave generating units (130).
마이크로파 발생부(130)가 복수 개로 이루어지고, 도파관(150)이 한 개의 도파관으로 이루어지는 경우에는 도 4에 도시하는 바와 같이, 도파관(150)은 처리 챔버(110)의 마주보는 측면을 관통하여 설치되도록 구성될 수 있으며, 도파관(150)의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부(130)가 접속될 수 있다.In the case where the microwave generating unit (130) is composed of multiple units and the waveguide (150) is composed of a single waveguide, as shown in FIG. 4, the waveguide (150) may be configured to be installed so as to penetrate the opposing side surfaces of the processing chamber (110), and at least one microwave generating unit (130) may be connected to each of one end and the other end of the waveguide (150).
예를 들어, 마이크로파 발생부(130)가 2개로 구현되는 경우, 도파관(150)의 양단에는 각각 마이크로파 발생부(130)가 하나씩 접속될 수 있고, 마이크로파 발생부(130)가 3개로 구현되는 경우, 도파관(150)의 일단에는 하나의 마이크로파 발생부(130)가 접속되고 타단에는 2개의 마이크로파 발생부(130)가 접속될 수 있다.For example, if two microwave generators (130) are implemented, one microwave generator (130) can be connected to each end of the waveguide (150), and if three microwave generators (130) are implemented, one microwave generator (130) can be connected to one end of the waveguide (150) and two microwave generators (130) can be connected to the other end.
또한, 마이크로파 발생부(130)가 복수 개로 이루어지고, 도파관(150)이 한 개의 도파관으로 이루어지는 경우에는 도 5에 도시하는 바와 같이, 도파관(150)은 처리 챔버(110)의 일측면에서 이웃하는 측면을 향해 굽어져 관통되도록 구성될 수 있으며, 도파관(150)의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부(130)가 접속될 수 있다.In addition, when the microwave generating unit (130) is composed of a plurality of units and the waveguide (150) is composed of a single waveguide, as shown in FIG. 5, the waveguide (150) may be configured to be bent and penetrate from one side of the processing chamber (110) toward the adjacent side, and at least one microwave generating unit (130) may be connected to each end and the other end of the waveguide (150).
또한, 마이크로파 발생부(130)가 복수 개로 이루어지고, 도파관(150)이 마이크로파 발생부(130)와 동일한 개수 또는 마이크로파 발생부(130)의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우에는 도 6에 도시하는 바와 같이, 적어도 하나 이상의 도파관(150)은 처리 챔버(110)의 하부면에 가로로 형성되고, 나머지 도파관(150)은 처리 챔버(110)의 측면에 세로로 형성될 수 있다.In addition, when the microwave generator (130) is formed in multiple units and the waveguides (150) are implemented in a number equal to or smaller than the number of microwave generators (130), as shown in FIG. 6, at least one waveguide (150) may be formed horizontally on the lower surface of the processing chamber (110), and the remaining waveguides (150) may be formed vertically on the side surface of the processing chamber (110).
또한, 마이크로파 발생부(130)가 복수 개로 이루어지고, 도파관(150)이 마이크로파 발생부(130)와 동일한 개수 또는 마이크로파 발생부(130)의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우에는 도 7에 도시하는 바와 같이, 적어도 하나 이상의 도파관은 처리 챔버(110)의 하부면에 가로로 형성되고, 나머지 도파관은 처리 챔버(110)의 상부면에 가로로 형성되되, 기판(10)을 사이에 두고 처리 챔버(110)의 하부면에 형성된 도파관과 서로 마주 보도록 형성될 수 있다.In addition, when the microwave generator (130) is formed in multiple units and the waveguide (150) is implemented in a number equal to or smaller than the number of microwave generators (130), as shown in FIG. 7, at least one waveguide is formed horizontally on the lower surface of the processing chamber (110), and the remaining waveguides are formed horizontally on the upper surface of the processing chamber (110), but can be formed to face the waveguides formed on the lower surface of the processing chamber (110) with the substrate (10) interposed therebetween.
이때, 기판(10)을 사이에 두고 서로 마주 보도록 설치된 도파관(150)은 도 7에 도시하는 바와 같이 서로 평행하고, 각각의 도파관(150)에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하며, 슬롯(155)의 위치가 서로 일치하도록 설치될 수 있다.At this time, the waveguides (150) installed to face each other with the substrate (10) in between can be installed so that they are parallel to each other, the center lines of the slots formed in each waveguide (150) are parallel to each other, and the positions of the slots (155) match each other, as shown in FIG. 7.
또한, 기판(10)을 사이에 두고 서로 마주 보도록 설치된 도파관(150)은 도 8에 도시하는 바와 같이 서로 평행하고, 각각의 도파관(150)에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하며, 슬롯(155)의 위치가 서로 일치하지 않도록 설치될 수 있다.In addition, waveguides (150) installed to face each other with the substrate (10) in between can be installed so that they are parallel to each other, the center lines of the slots formed in each waveguide (150) are parallel to each other, and the positions of the slots (155) do not match each other, as shown in FIG. 8.
또한, 기판(10)을 사이에 두고 서로 마주 보도록 설치된 도파관(150)은 도 9에 도시하는 바와 같이 각각의 도파관(150)에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하지 않고, 임의의 각(θ)을 형성하도록 설치될 수 있다.In addition, the waveguides (150) installed to face each other with the substrate (10) in between can be installed so that the center lines of the slots formed in each waveguide (150) are not parallel to each other but form an arbitrary angle (θ), as shown in FIG. 9.
한편, 앞서 설명한 바와 같이 도파관(150)의 내부 공간 및 도파관(150)에 형성된 슬롯(155) 중에서 적어도 한 곳에는 유전체 물질(160)이 형성될 수 있다.Meanwhile, as described above, a dielectric material (160) may be formed in at least one of the internal space of the waveguide (150) and the slot (155) formed in the waveguide (150).
본 발명의 실시예에서, 유전체 물질(160)은 수정(quartz)으로 구현될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment of the present invention, the dielectric material (160) may be implemented as quartz, but is not limited thereto.
여기서 도파관(150) 내부 공간에 형성되는 유전체 물질(160)은 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이 도파관 내부 공간 전체에 형성될 수 있다.Here, the dielectric material (160) formed in the internal space of the waveguide (150) can be formed throughout the entire internal space of the waveguide, as shown in (a) of FIG. 10.
또한, 도파관(150) 내부 공간에 형성되는 유전체 물질(160)은 도 10의 (b), (c), (g), (h)에 도시하는 바와 같이 도파관 내부 공간 일부에만 형성될 수 있다.In addition, the dielectric material (160) formed in the internal space of the waveguide (150) may be formed only in a part of the internal space of the waveguide, as shown in (b), (c), (g), and (h) of FIG. 10.
또한, 유전체 물질(160)은 도파관(150)에 형성된 슬롯(155)에 형성되어 유전체 로드(165)를 형성할 수 있다.Additionally, the dielectric material (160) can be formed in a slot (155) formed in the waveguide (150) to form a dielectric load (165).
유전체 물질(160)은 도 10의 (a) 내지 (c)에 도시하는 바와 같이, 도파관(150)의 내부 공간 및 슬롯(155)에 모두 형성될 수 있고, 도 10의 (d)에 도시하는 바와 같이, 도파관(150) 내부에는 형성되지 않고, 슬롯(155)에만 형성될 수 있고, 도 10의 (e) 및 (f)에 도시하는 바와 같이, 도파관(150) 내부에는 형성되지 않고, 슬롯(155)에만 형성되되, 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)가 도파관(150)의 내부로 연장 형성되도록 구현될 수 있고, 도 10의 (g) 및 (h)에 도시하는 바와 같이, 도파관 내부 공간 일부와 슬롯(155)에 형성되되, 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)가 도파관(150)의 내부로 연장 형성되도록 구현될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The dielectric material (160) may be formed in both the internal space of the waveguide (150) and the slot (155), as shown in (a) to (c) of FIG. 10, and may be formed only in the slot (155) and not inside the waveguide (150), as shown in (d) of FIG. 10, and may be formed only in the slot (155) and not inside the waveguide (150), but the dielectric rod (165) formed in the slot (155) may be formed to extend into the inside of the waveguide (150), as shown in (e) and (f) of FIG. 10, and may be formed in a part of the internal space of the waveguide and the slot (155), but the dielectric rod (165) formed in the slot (155) may be formed to extend into the inside of the waveguide (150), and is limited thereto. It is not.
전술한 바와 같이, 슬롯(155)에 형성되는 유전체 로드(165)는 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 슬롯(155)의 두께와 동일한 높이로 형성될 수 있고, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 슬롯(155)의 두께보다 높은 높이로 형성될 수 있고, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 슬롯(155)의 두께보다 낮은 높이로 형성될 수 있고, 도 11의 (d)에 도시하는 바와 같이, 서로 다른 높이로 형성될 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.As described above, the dielectric load (165) formed in the slot (155) may be formed with the same height as the thickness of the slot (155), as shown in (a) of FIG. 11, may be formed with a height higher than the thickness of the slot (155), as shown in (b) of FIG. 11, may be formed with a height lower than the thickness of the slot (155), as shown in (c) of FIG. 11, and may be formed with different heights, as shown in (d) of FIG. 11, but is not limited thereto.
전술한 바와 같이, 슬롯(155)에 형성되는 유전체 로드(165)는 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 슬롯(155)의 두께보다 높은 높이로 형성될 수 있으며, 슬롯(155) 밖으로 돌출되는 유전체 로드(165)의 단면 모양은 도 12에 도시하는 바와 같이 사각형, 반원, 반타원, 삼각형, 구면의 홈 및 사다리꼴 모양 중에서 어느 하나로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.As described above, the dielectric rod (165) formed in the slot (155) can be formed with a height higher than the thickness of the slot (155), as shown in (b) of FIG. 11, and the cross-sectional shape of the dielectric rod (165) protruding out of the slot (155) can be formed as any one of a square, a semicircle, a semi-ellipse, a triangle, a spherical groove, and a trapezoidal shape, as shown in FIG. 12, but is not limited thereto.
한편, 도파관(150)은 앞서 설명한 바와 같이 처리 챔버(110) 내부에 삽입된 부분의 일면에는 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 형성될 수 있으며, 도 13에 도시하는 바와 같이 원형, 사각형, 삼각형, 타원형, 직사각형 중에서 어느 하나로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, as described above, the waveguide (150) may have at least one slot (155) formed on one side of the portion inserted into the processing chamber (110), and may be formed in any one of a circle, square, triangle, oval, and rectangle as shown in FIG. 13, but is not limited thereto.
도파관(150)의 일면에 형성되는 슬롯(155)은 도 14의 (a), (b) 및 (e)에 도시하는 바와 같이, 동일한 모양을 갖는 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 일정 간격을 두고 이격 형성될 수 있고, 도 14의 (c)에 도시하는 바와 같이 하나의 슬롯(155)이 형성될 수 있고, 도 14의 (d)에 도시하는 바와 같이 서로 다른 모양의 슬롯(155)이 일정 간격을 두고 이격 형성되되, 기판(10)의 중심부가 위치하는 부분에서 밖으로 멀어질수록 슬롯(155)의 크기가 커지도록 형성될 수 있고, 도 14의 (f)에 도시하는 바와 같이 동일한 모양을 갖는 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 서로 다른 간격으로 이격 형성될 수 있고, 도 14의 (g)에 도시하는 바와 같이 동일한 모양을 갖는 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 대칭을 이루며 서로 다른 간격으로 이격 형성되되, 기판(10)의 중심부가 위치하는 부분에서 밖으로 멀어질수록 이격 간격이 좁아지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in (a), (b), and (e) of FIG. 14, the slot (155) formed on one side of the waveguide (150) may include at least one slot (155) having the same shape spaced apart at a predetermined interval, as shown in (c) of FIG. 14, one slot (155) may be formed, as shown in (d) of FIG. 14, slots (155) having different shapes may be formed spaced apart at a predetermined interval, but the size of the slot (155) may be formed to increase as they move away from the part where the center of the substrate (10) is located, as shown in (f) of FIG. 14, at least one slot (155) having the same shape may be formed spaced apart at different intervals, as shown in (g) of FIG. 14, at least one slot (155) having the same shape may be formed spaced apart at different intervals symmetrically, but they move away from the part where the center of the substrate (10) is located, It can be formed so that the spacing between them becomes narrower as they get further away, but is not limited thereto.
여기서 도파관(150)의 일면에 형성되는 슬롯(155)은 처리 챔버(110) 내부에 삽입된 부분에서 기판(10)이 배치되는 위치에 대응하는 부분에만 형성될 수 있고, 처리 챔버(110) 내부에 삽입된 부분 전체에 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the slot (155) formed on one side of the waveguide (150) may be formed only in a portion corresponding to a position where the substrate (10) is placed in the portion inserted inside the processing chamber (110), or may be formed in the entire portion inserted inside the processing chamber (110), but is not limited thereto.
본 발명의 실시예에서 도파관(150)은 앞서 설명한 바와 같이 일면에 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 등간격으로 이격 형성되되, 도 15에 도시하는 바와 같이 도파관(150)의 일면에 적어도 하나 이상의 슬롯(155)이 등간격으로 이격 형성되어 적어도 하나 이상의 열을 형성할 수 있다. 이때, 열을 형성하는 슬롯(155)의 위치는 (b) 내지 (d)에 도시하는 바와 같이 이웃하는 열의 슬롯(155)과 일직선을 이루도록 형성될 수 있으며, (e)에 도시하는 바와 같이 이웃하는 열의 슬롯(155)과 서로 어긋나게 형성될 수 있다.In the embodiment of the present invention, as described above, the waveguide (150) may have at least one slot (155) formed at equal intervals on one surface, and as illustrated in FIG. 15, at least one slot (155) may be formed at equal intervals on one surface of the waveguide (150) to form at least one row. At this time, the position of the slot (155) forming the row may be formed to form a straight line with the slot (155) of the neighboring row, as illustrated in (b) to (d), and may be formed to be misaligned with the slot (155) of the neighboring row, as illustrated in (e).
본 발명의 실시예에서 도파관(150)은 도 16에 도시하는 바와 같이 슬롯(155) 열이 형성된 적어도 하나 이상의 도파관을 병렬 배치하여 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the waveguide (150) can be formed by arranging at least one waveguide in which a row of slots (155) is formed in parallel, as shown in FIG. 16.
본 발명의 실시예에서 도파관(150)이 처리 챔버(110)의 하부면에 배치되는 경우, 기판(10)은 도 1, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 도파관(150) 상부에 직접 배치되거나, 도 2에 도시하는 바와 같이 도파관(150)의 상부면에 설치되는 스페이서(170)의 상부에 배치될 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the waveguide (150) is placed on the lower surface of the processing chamber (110), the substrate (10) may be placed directly on the waveguide (150) as shown in FIGS. 1, 4, and 5, or may be placed on the upper surface of a spacer (170) installed on the upper surface of the waveguide (150) as shown in FIG. 2.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리 챔버(110) 내에 설치되는 기판 지지대(180)의 상부에 배치되거나, 도 7 내지 도 9에 도시하는 바와 같이 도파관(150)의 상부면에 설치되는 기판 지지대(190)의 상부에 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3, it may be placed on the upper part of the substrate support (180) installed in the processing chamber (110), or as shown in FIGS. 7 to 9, it may be placed on the upper part of the substrate support (190) installed on the upper surface of the waveguide (150).
전술한 기판 지지대(190)는 도파관(150)의 상부면에 설치되며, 상부에 배치되는 열처리 대상인 기판(10)을 지지한다.The aforementioned substrate support (190) is installed on the upper surface of the waveguide (150) and supports the substrate (10) to be heat treated, which is placed on the upper surface.
또한, 기판 지지대(190)는 도파관(150)과 기판(10)을 이격시키되, 기판(10)과 도파관(150)의 상부면에 형성된 슬롯(155)(또는 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)) 사이의 간격을 조절할 수 있도록 구현될 수 있다.In addition, the substrate support (190) may be implemented to separate the waveguide (150) and the substrate (10), while being able to adjust the gap between the substrate (10) and the slot (155) formed on the upper surface of the waveguide (150) (or the dielectric load (165) formed in the slot (155)).
이러한 기판 지지대(190)에는 도 17에 도시하는 바와 같이 적어도 하나 이상의 슬롯(175)이 일정 간격으로 이격 형성될 수 있으며, 각각의 슬롯(175)에는 유전체 물질(160)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 17, at least one slot (175) may be formed at regular intervals on the substrate support (190), and a dielectric material (160) may be formed in each slot (175).
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 도파관(150)의 내부 공간 및 슬롯(155) 중에서 적어도 한 곳에 유전체 물질(160)이 형성될 수 있다.As described above, in an embodiment of the present invention, a dielectric material (160) may be formed in at least one of the internal space and slot (155) of the waveguide (150).
전술한 바와 같이, 도파관(150)의 내부 공간 및 슬롯(155) 중에서 적어도 한 곳에 유전체 물질(160)을 형성하게 되면, 마이크로파 발생부(130)가 발생한 마이크로파가 도파관(150)의 내부 공간 및 슬롯(155) 중에서 적어도 한 곳에 형성된 유전체 물질(160)을 통해 전송된다.As described above, when a dielectric material (160) is formed in at least one of the internal space and slot (155) of the waveguide (150), the microwave generated by the microwave generating unit (130) is transmitted through the dielectric material (160) formed in at least one of the internal space and slot (155) of the waveguide (150).
마이크로파가 유전체 물질(160)을 통과할 때, 유전체 물질의 유전상수로 인하여 마이크로파의 파장이 감소하게 된다.When microwaves pass through a dielectric material (160), the wavelength of the microwaves decreases due to the dielectric constant of the dielectric material.
이와 같이, 마이크로파의 파장이 감소하게 되면, 마이크로파가 도파관(150)의 일면에 형성된 슬롯(155)을 통하여 빠져나오기 쉬워지고, 도파관(150)의 일면에 슬롯(155)을 좀 더 촘촘하게 형성할 수 있게 되며, 그로 인하여 기판(10)을 가열할 때 더 균일하게 가열할 수 있게 된다.In this way, when the wavelength of the microwave decreases, it becomes easier for the microwave to escape through the slot (155) formed on one side of the waveguide (150), and the slot (155) can be formed more densely on one side of the waveguide (150), thereby enabling the substrate (10) to be heated more uniformly.
일반적으로 유전체 물질(160)이 형성되지 않은 도파관(150)의 일면에 형성되는 슬롯(155)의 위치는 도 18에 도시하는 바와 같이 도파관(150)의 내부로 공급되는 파장의 λ/4 위치에 형성된다.The position of the slot (155) formed on one side of the waveguide (150) where the dielectric material (160) is not formed is formed at the λ/4 position of the wavelength supplied into the interior of the waveguide (150), as shown in FIG. 18.
반면, 도파관(150)의 내부 공간에 유전체 물질(160)이 형성된 경우에는, 유전체 물질의 유전상수로 인하여 마이크로파 발생부(130)에서 공급된 마이크로파의 파장이 도 19에 도시하는 바와 같이 유전체 물질 내에서 감소하게 되고, 슬롯(155)의 위치는 감소된 파장의 λ/4로 결정되므로, 도파관(150)의 일면에 형성되는 슬롯(155)의 간격이 더 촘촘하게 형성되게 된다.On the other hand, when a dielectric material (160) is formed in the internal space of the waveguide (150), the wavelength of the microwave supplied from the microwave generator (130) is reduced within the dielectric material due to the dielectric constant of the dielectric material, as shown in FIG. 19, and the position of the slot (155) is determined as λ/4 of the reduced wavelength, so that the spacing of the slots (155) formed on one surface of the waveguide (150) is formed more closely together.
슬롯(155)의 간격이 촘촘하게 형성되면, 마이크로파를 이용하여 기판(10)을 가열할 때 균일하게 기판을 가열할 수 있게 된다.When the slots (155) are formed at close intervals, the substrate (10) can be heated uniformly when heating the substrate using microwaves.
즉, 슬롯(155)의 간격이 촘촘하게 형성되면, 기판(10)에 도달하는 마이크로파의 간섭 구간을 더 많이 형성할 수 있게 되고, 그로 인하여 기판(10) 내 균일한 온도 상승을 유도할 수 있게 된다.That is, when the slots (155) are formed at a close interval, more interference sections of microwaves reaching the substrate (10) can be formed, thereby inducing a uniform temperature rise within the substrate (10).
이때 마이크로파의 간섭 구간은 기판(10)과 도파관(150)의 일면에 형성된 슬롯(155)(또는 슬롯(155)에 형성된 유전체 로드(165)) 사이의 간격, 슬롯(155) 간의 간격, 주파수 등을 조절하여 형성할 수 있다.At this time, the interference section of the microwave can be formed by adjusting the spacing between the slots (155) formed on one side of the substrate (10) and the waveguide (150) (or the dielectric load (165) formed in the slots (155), the spacing between the slots (155), the frequency, etc.
이상, 일부 예를 들어서 본 발명의 바람직한 여러 가지 실시 예에 대해서 설명하였지만, 본 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용" 항목에 기재된 여러 가지 다양한 실시 예에 관한 설명은 예시적인 것에 불과한 것이며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이상의 설명으로부터 본 발명을 다양하게 변형하여 실시하거나 본 발명과 균등한 실시를 행할 수 있다는 점을 잘 이해하고 있을 것이다.Above, although some examples have been given and various preferred embodiments of the present invention have been described, the description of various embodiments described in the “Specific Details for Carrying Out the Invention” section is merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains will readily understand that various modifications of the present invention can be implemented or equivalent implementations of the present invention can be implemented based on the above description.
또한, 본 발명은 다른 다양한 형태로 구현될 수 있기 때문에 본 발명은 상술한 설명에 의해서 한정되는 것이 아니며, 이상의 설명은 본 발명의 개시 내용이 완전해지도록 하기 위한 것으로 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것일 뿐이며, 본 발명은 청구범위의 각 청구항에 의해서 정의될 뿐임을 알아야 한다.In addition, since the present invention can be implemented in various other forms, the present invention is not limited by the above description, and the above description is provided only to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs of the scope of the present invention, and it should be understood that the present invention is defined only by each claim of the claims.
110. 처리 챔버,
120. 진공 펌프,
130. 마이크로파 발생부,
140. 온도 측정부,
150. 도파관,
155, 175. 슬롯
160. 유전체 물질,
165. 유전체 로드,
170. 스페이서,
180, 190. 기판 지지대,
185. 기판 지지대 구동부110. Processing chamber,
120. Vacuum pump,
130. Microwave generator,
140. Temperature measuring unit,
150. Waveguide,
155, 175. Slot
160. genetic material,
165. Genomic load,
170. Spacer,
180, 190. Substrate support,
185. Substrate support drive unit
Claims (20)
상기 처리 챔버 외부에 설치되어 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생부; 및
일단은 상기 마이크로파 발생부에 접속되고, 타단은 상기 처리 챔버 내부에 삽입되고, 상기 처리 챔버 내부에 삽입된 부분의 일면에는 적어도 하나 이상의 슬롯이 형성되어 있으며, 내부 공간에 유전체 물질이 형성되고, 상기 유전체 물질을 통해 상기 마이크로파 발생부가 발생시킨 마이크로파를 상기 처리 챔버 내로 전달하여 상기 처리 챔버 내에 배치된 기판을 가열시키는 도파관;을 포함하고,
상기 마이크로파 발생부가 발생시킨 마이크로파의 파장은, 상기 유전체 물질의 유전상수로 인하여 상기 유전체 물질 내에서 감소하게 되고, 상기 슬롯의 위치는 감소된 마이크로파 파장의 λ/4로 결정되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.A processing chamber having a certain space inside;
A microwave generating unit installed outside the above processing chamber to generate microwaves; and
A waveguide having one end connected to the microwave generator and the other end inserted into the processing chamber, at least one slot formed on one side of the portion inserted into the processing chamber, a dielectric material formed in the internal space, and transmitting microwaves generated by the microwave generator into the processing chamber through the dielectric material to heat a substrate placed in the processing chamber;
The wavelength of the microwave generated by the microwave generator is reduced within the dielectric material due to the dielectric constant of the dielectric material, and the position of the slot is determined as λ/4 of the reduced microwave wavelength.
Microwave heat treatment device.
상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 한 개로 구현되는 경우,
상기 도파관은 상기 처리 챔버를 관통하도록 설치되며,
상기 도파관의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부가 접속되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
If the above microwave generator is composed of multiple units and the waveguide is implemented as one unit,
The above waveguide is installed to penetrate the above processing chamber,
Characterized in that at least one microwave generating unit is connected to each of one end and the other end of the waveguide.
Microwave heat treatment device.
상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 한 개로 구현되는 경우,
상기 도파관은 상기 처리 챔버의 일측면에서 이웃하는 측면을 향해 굽어져 관통하도록 설치되며,
상기 도파관의 일단 및 타단에는 각각 적어도 하나 이상의 마이크로파 발생부가 접속되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
If the above microwave generator is composed of multiple units and the waveguide is implemented as one unit,
The above waveguide is installed so as to be bent and penetrate from one side of the processing chamber toward the adjacent side,
Characterized in that at least one microwave generating unit is connected to each of one end and the other end of the waveguide.
Microwave heat treatment device.
상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 상기 마이크로파 발생부와 동일한 개수 또는 상기 마이크로파 발생부의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우,
적어도 하나 이상의 도파관은 가로로 형성되고,
나머지 도파관은 세로로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
When the above microwave generating unit is composed of multiple units and the waveguide is implemented with the same number of microwave generating units or a number smaller than the number of microwave generating units,
At least one waveguide is formed transversely,
The remaining waveguides are characterized by being formed vertically.
Microwave heat treatment device.
상기 마이크로파 발생부가 복수 개로 이루어지고, 도파관이 상기 마이크로파 발생부와 동일한 개수 또는 상기 마이크로파 발생부의 개수보다 작은 개수로 구현되는 경우,
상기 도파관은 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
When the above microwave generating unit is composed of multiple units and the waveguide is implemented with the same number of microwave generating units or a number smaller than the number of microwave generating units,
The above waveguides are characterized in that they are arranged to face each other with the substrate interposed between them.
Microwave heat treatment device.
상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은,
서로 평행하고, 각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In paragraph 5,
The waveguides are arranged to face each other with the above substrate in between,
characterized in that the slots formed in each waveguide are arranged parallel to each other and the center lines of the slots formed in each waveguide are parallel to each other.
Microwave heat treatment device.
상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은,
서로 평행하고, 각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하며, 슬롯의 위치가 서로 일치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In paragraph 5,
The waveguides are arranged to face each other with the above substrate in between,
characterized in that the slots are arranged so that they are parallel to each other, the center lines of the slots formed in each waveguide are parallel to each other, and the positions of the slots are aligned with each other.
Microwave heat treatment device.
상기 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치된 도파관은,
각각의 도파관에 형성된 슬롯의 중심선이 서로 평행하지 않고, 임의의 각을 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In paragraph 5,
The waveguides are arranged to face each other with the above substrate in between,
Characterized in that the center lines of the slots formed in each waveguide are not parallel to each other and are arranged to form an arbitrary angle.
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관 내부 공간 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
Characterized in that it is formed throughout the entire internal space of the waveguide,
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관 내부 공간 일부에 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
Characterized in that it is formed in a part of the internal space of the waveguide,
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며,
상기 유전체 로드는 슬롯의 두께와 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
A dielectric load is formed in a slot formed in the above waveguide,
The above dielectric load is characterized in that it is formed with a height equal to the thickness of the slot.
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며,
상기 유전체 로드는 슬롯의 두께보다 높은 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
A dielectric load is formed in a slot formed in the above waveguide,
The above dielectric load is characterized in that it is formed with a height higher than the thickness of the slot.
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며,
상기 유전체 로드는 슬롯의 두께보다 낮은 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
A dielectric load is formed in a slot formed in the above waveguide,
The above dielectric load is characterized in that it is formed with a height lower than the thickness of the slot.
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며,
각 유전체 로드는 서로 다른 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
A dielectric load is formed in a slot formed in the above waveguide,
Each genetic load is characterized by being formed at a different height.
Microwave heat treatment device.
상기 유전체 물질은,
상기 도파관에 형성된 슬롯에 형성되어 유전체 로드를 형성하며,
슬롯 밖으로 돌출되는 유전체 로드의 단면 모양은 사각형, 반원, 반타원, 삼각형, 사다리꼴 모양 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above genetic material is,
A dielectric load is formed in a slot formed in the above waveguide,
The cross-sectional shape of the dielectric rod protruding out of the slot is characterized by being formed into any one of a square, a semicircle, a semi-ellipse, a triangle, and a trapezoid.
Microwave heat treatment device.
상기 도파관의 일면에 형성되는 적어도 하나 이상의 슬롯은,
원형, 사각형, 삼각형, 타원형, 직사각형 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
At least one slot formed on one side of the above waveguide,
Characterized by being formed into one of a circle, square, triangle, oval, or rectangle.
Microwave heat treatment device.
상기 도파관은,
일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above waveguide,
characterized in that at least one slot is formed at equal intervals on one side,
Microwave heat treatment device.
상기 도파관은,
일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성되어 적어도 하나 이상의 열을 형성하는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In Article 18,
The above waveguide,
characterized in that at least one slot is formed at equal intervals on one side to form at least one row.
Microwave heat treatment device.
상기 도파관은,
일면에 적어도 하나 이상의 슬롯이 등간격으로 이격 형성된 적어도 하나 이상의 도파관을 병렬 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는,
마이크로파 열처리 장치.In the first paragraph,
The above waveguide,
Characterized in that it is formed by arranging at least one waveguide in parallel, with at least one slot formed at equal intervals on one side.
Microwave heat treatment device.
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