KR102783245B1

KR102783245B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: KR102783245B1
Application number: KR1020240037817A
Authority: KR
Inventors: 요시노리 이케다; 유키 다니구치; 가즈요시 시노하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2015-12-28
Filing date: 2024-03-19
Publication date: 2025-03-17
Anticipated expiration: 2036-12-27
Also published as: KR20170077829A; CN107026106B; JP6971365B2; KR102651287B1; JP6753762B2; JP2017120887A; JP2020188289A; CN107026106A; KR20240038695A

Abstract

[과제] 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
[해결수단] 실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 컵은, 바닥부와, 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 둘레벽부의 상측에 설치되어 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 유지부를 둘러싼다. 세정액 공급부는, 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급한다. [Assignment] A substrate processing device and a substrate processing method capable of removing foreign substances attached to the upper surface of the peripheral wall of a cup are provided.
[Solution] According to one aspect of the embodiment, a substrate processing device comprises a holding portion, a processing liquid supply portion, a cup, and a cleaning liquid supply portion. The holding portion holds a substrate. The processing liquid supply portion supplies a processing liquid to the substrate. The cup has a bottom portion, a cylindrical peripheral wall portion that is erected from the bottom portion, a liquid receiving portion that is installed on an upper side of the peripheral wall portion and receives a processing liquid sprayed from the substrate, and a groove portion formed along a circumferential direction on an upper surface of the peripheral wall portion, and surrounds the holding portion. The cleaning liquid supply portion supplies a cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall portion.

Description

{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

개시한 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The disclosed embodiment relates to a substrate processing device and a substrate processing method.

종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판과 같은 기판에 대하여, 정해진 처리액을 공급하여 각종 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). Conventionally, a substrate processing device that supplies a predetermined processing solution to perform various processing on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate has been known (see, for example, Patent Document 1).

상기 기판 처리 장치에 있어서는, 예를 들면, 기판으로부터 비산되는 처리액을, 기판의 주위를 둘러싸도록 설치된 컵으로 받아서 배출하도록 하고 있다. 이러한 컵은, 예를 들면, 바닥부로부터 세워져 설치되는 둘레벽부와, 둘레벽부의 상면에 설치되어 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부를 구비하고, 액수용부가 둘레벽부에 대하여 승강 가능해지도록 구성된다. In the above substrate treatment device, for example, the treatment liquid flying from the substrate is received and discharged by a cup installed so as to surround the periphery of the substrate. Such a cup is provided with, for example, a peripheral wall portion that is installed standing up from the bottom, and a liquid receiving portion that is installed on the upper surface of the peripheral wall portion to receive the treatment liquid flying from the substrate, and is configured so that the liquid receiving portion can be raised and lowered relative to the peripheral wall portion.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-089628호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2013-089628

그러나, 상기 종래 기술에 있어서는, 사용되는 처리액의 처리액 분위기나 비산된 처리액이, 예를 들면 액수용부와 둘레벽부의 간극에 침입하고, 침입된 처리액 분위기 등이 건조하여 컵의 둘레벽부의 상면에 처리액의 결정 등의 이물질이 부착되는 것을 알 수 있었다. However, in the above-mentioned conventional technology, it was found that the treatment liquid atmosphere or the scattered treatment liquid of the treatment liquid used penetrated into the gap between the liquid container and the peripheral wall, for example, and the penetrated treatment liquid atmosphere, etc. dried, so that foreign substances such as treatment liquid crystals were attached to the upper surface of the peripheral wall of the cup.

실시형태의 일 양태는, 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. One aspect of the embodiment is to provide a substrate processing device and a substrate processing method capable of removing foreign substances attached to an upper surface of a peripheral wall portion of a cup.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는 상기 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 컵은, 바닥부와, 상기 바닥부로부터 세워져 설치되는 통형상의 둘레벽부와, 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 처리액을 받는 액수용부와, 상기 둘레벽부의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부를 가지며, 상기 유지부를 둘러싼다. 세정액 공급부는, 상기 둘레벽부의 상면에 대하여 세정액을 공급한다. According to one aspect of the embodiment, a substrate processing device comprises a holding portion, a processing liquid supply portion, a cup, and a cleaning liquid supply portion. The holding portion holds a substrate. The processing liquid supply portion supplies a processing liquid to the substrate. The cup has a bottom portion, a cylindrical peripheral wall portion erected from the bottom portion, a liquid receiving portion installed on an upper side of the peripheral wall portion to receive a processing liquid sprayed from the substrate, and a groove portion formed along a circumferential direction on an upper surface of the peripheral wall portion, and surrounds the holding portion. The cleaning liquid supply portion supplies a cleaning liquid to the upper surface of the peripheral wall portion.

실시형태의 일 양태에 의하면, 컵의 둘레벽부의 상면에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. According to one aspect of the embodiment, foreign substances attached to the upper surface of the peripheral wall of the cup can be removed.

도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는, 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 5는, 도 4의 V-V선 모식 단면도이다.
도 6a는, 도 4의 VI-VI선 모식 단면도이고, 또한 제1 액수용부가 하강한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다.
도 6b는, 제1 액수용부가 상승한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 8은, 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 제1 둘레벽부의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 9는, 제1 변형예에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 10은, 제2 변형예에서의 세정액 공급관의 토출구 부근을 확대하여 나타내는 종단면도이다.
도 11은, 세정하는 부위의 토출구로부터의 거리와 세정액의 유량의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12a는, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부를 나타내는 모식 단면도이다.
도 12b는, 제4 변형예에서의 제1 둘레벽부를 나타내는 모식 단면도이다.
도 13은, 제2 실시형태에 따른 유지부의 이면의 모식 하면도이다.
도 14a는, 제1 고정부를 확대하여 나타내는 모식 하면도이다.
도 14b는, 비교예에 따른 제1 고정부를 나타내는 모식 하면도이다.
도 15는, 도 13의 XV-XV선 단면도이다.
도 16은, 제2 고정부를 확대하여 나타내는 모식 하면도이다.
도 17은, 도 13의 XVII-XVII선 단면도이다.
도 18은, 제3 실시형태에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 19는, 도 18의 모식 확대 평면도이다.
도 20은, 도 19의 XX-XX선 단면도이다.
도 21은, 제4 실시형태에서의 제1 둘레벽부의 모식 평면도이다.
도 22는, 도 21의 모식 확대 평면도이다.
도 23은, 도 22의 XXIII-XXIII선 단면도이다.
도 24는, 세정 처리의 처리 순서의 다른 예를 나타내는 플로우차트이다. Fig. 1 is a drawing showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the first embodiment.
Figure 2 is a drawing showing a schematic configuration of a processing unit.
Figure 3 is a schematic cross-sectional diagram showing a specific configuration example of a processing unit.
Figure 4 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion.
Figure 5 is a schematic cross-sectional view taken along line VV of Figure 4.
Fig. 6a is a schematic cross-sectional view taken along line VI-VI of Fig. 4, and is also a drawing showing the state of cleaning when the first liquid container is lowered.
Figure 6b is a drawing showing the state of cleaning when the first liquid container is raised.
Fig. 7 is a flowchart showing the processing sequence of processing executed by the substrate processing system according to the first embodiment.
Fig. 8 is a flow chart showing an example of the processing sequence of the first peripheral wall portion cleaning process performed in the substrate processing system.
Fig. 9 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the first modified example.
Figure 10 is a longitudinal cross-sectional view showing an enlarged view of the vicinity of the discharge port of the cleaning solution supply pipe in the second modified example.
Figure 11 is a drawing showing an example of the relationship between the distance from the discharge port of the area to be cleaned and the flow rate of the cleaning liquid.
Fig. 12a is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion in the third modified example.
Fig. 12b is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion in the fourth modified example.
Fig. 13 is a schematic diagram of the back of a retainer according to the second embodiment.
Figure 14a is a schematic diagram showing an enlarged view of the first fixed part.
Fig. 14b is a schematic diagram showing a first fixing part according to a comparative example.
Figure 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of Figure 13.
Figure 16 is a schematic diagram showing an enlarged view of the second fixed part.
Figure 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII of Figure 13.
Fig. 18 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the third embodiment.
Figure 19 is an enlarged schematic plan view of Figure 18.
Figure 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX of Figure 19.
Fig. 21 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion in the fourth embodiment.
Figure 22 is an enlarged schematic plan view of Figure 21.
Figure 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII of Figure 22.
Figure 24 is a flow chart showing another example of the processing sequence of the cleaning treatment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다. Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the substrate processing device and substrate processing method disclosed in the present invention will be described in detail. In addition, the present invention is not limited to the embodiments shown below.

<1. 기판 처리 시스템의 구성><1. Composition of substrate processing system>

(제1 실시형태)(First embodiment)

도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직(鉛直) 상향 방향으로 한다. Fig. 1 is a drawing showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are defined as being orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is set to a vertically upward direction.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다. As shown in Fig. 1, the substrate processing system (1) has an import/export station (2) and a processing station (3). The import/export station (2) and the processing station (3) are installed adjacent to each other.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(이하. 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다. The import/export station (2) is equipped with a carrier placement unit (11) and a return unit (12). In the carrier placement unit (11), a plurality of carriers (C) that accommodate a plurality of substrates, in this embodiment, semiconductor wafers (hereinafter, wafers (W)) in a horizontal state are placed.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The return unit (12) is installed adjacent to the carrier placement unit (11) and has a substrate return device (13) and a transfer unit (14) inside. The substrate return device (13) has a wafer holding mechanism for holding a wafer (W). In addition, the substrate return device (13) is capable of moving in the horizontal and vertical directions and rotating around the vertical axis, and uses the wafer holding mechanism to return the wafer (W) between the carrier (C) and the transfer unit (14).

처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다. The processing station (3) is installed adjacent to the return section (12). The processing station (3) is equipped with a return section (15) and a plurality of processing units (16). The plurality of processing units (16) are installed side by side on both sides of the return section (15).

반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The return unit (15) is provided with a substrate return device (17) inside. The substrate return device (17) is provided with a wafer holding mechanism that holds a wafer (W). In addition, the substrate return device (17) is capable of moving in the horizontal and vertical directions and rotating around the vertical axis, and returns the wafer (W) between the delivery unit (14) and the processing unit (16) using the wafer holding mechanism.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다. The processing unit (16) performs a predetermined substrate processing on a wafer (W) returned by a substrate return device (17).

또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. In addition, the substrate processing system (1) is equipped with a control device (4). The control device (4) is, for example, a computer, and is equipped with a control unit (18) and a memory unit (19). The memory unit (19) stores a program that controls various processes executed in the substrate processing system (1). The control unit (18) controls the operation of the substrate processing system (1) by reading and executing the program stored in the memory unit (19).

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. In addition, such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed from the storage medium into the memory (19) of the control device (4). Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, etc.

상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어 처리 유닛(16)에 반입된다. In the substrate processing system (1) configured as described above, first, the substrate return device (13) of the load/unload station (2) takes out a wafer (W) from a carrier (C) placed in a carrier placement unit (11) and places the taken out wafer (W) in a transfer unit (14). The wafer (W) placed in the transfer unit (14) is taken out from the transfer unit (14) by the substrate return device (17) of the processing station (3) and is placed in a processing unit (16).

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다. The wafer (W) loaded into the processing unit (16) is processed by the processing unit (16), then taken out of the processing unit (16) by the substrate return device (17) and placed in the transfer unit (14). Then, the processed wafer (W) placed in the transfer unit (14) is returned to the carrier (C) of the carrier placement unit (11) by the substrate return device (13).

다음으로, 기판 처리 시스템(1)의 처리 유닛(16)의 개략 구성에 관해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. Next, a schematic configuration of the processing unit (16) of the substrate processing system (1) will be described with reference to Fig. 2. Fig. 2 is a drawing showing a schematic configuration of the processing unit (16).

도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다. As shown in Fig. 2, the processing unit (16) has a chamber (20), a substrate holding mechanism (30), a processing fluid supply unit (40), and a recovery cup (50).

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)이 설치된다. FFU(21)는 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다. The chamber (20) accommodates a substrate holding mechanism (30), a processing fluid supply unit (40), and a recovery cup (50). A FFU (Fan Filter Unit) (21) is installed on the ceiling of the chamber (20). The FFU (21) forms a downflow within the chamber (20).

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부(基端部)가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 연직축 둘레에 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. The substrate holding mechanism (30) comprises a holding portion (31), a support portion (32), and a driving portion (33). The holding portion (31) holds the wafer (W) horizontally. The support portion (32) is a member extending in a vertical direction, and a base portion is rotatably supported by a driving portion (33), and the support portion (31) is supported horizontally at the tip portion. The driving portion (33) rotates the support portion (32) around a vertical axis. This substrate holding mechanism (30) rotates the support portion (32) by using the driving portion (33), thereby rotating the support portion (31) supported by the support portion (32), and thereby rotating the wafer (W) held by the support portion (31).

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다. The processing fluid supply unit (40) supplies processing fluid to the wafer (W). The processing fluid supply unit (40) is connected to a processing fluid supply source (70).

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다. The recovery cup (50) is arranged to surround the holding member (31) and collects the treatment liquid flying from the wafer (W) by the rotation of the holding member (31). A drainage port (51) is formed at the bottom of the recovery cup (50), and the treatment liquid collected by the recovery cup (50) is discharged from the drainage port (51) to the outside of the processing unit (16). In addition, an exhaust port (52) is formed at the bottom of the recovery cup (50) for discharging gas supplied from the FFU (21) to the outside of the processing unit (16).

<2. 처리 유닛의 구체적 구성><2. Specific configuration of the processing unit>

다음으로, 상기 처리 유닛(16)의 구성에 관해 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.Next, the configuration of the processing unit (16) will be described in more detail with reference to Fig. 3. Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing a specific configuration example of the processing unit (16).

도 3에 나타낸 바와 같이, FFU(21)에는, 밸브(22)를 통해 불활성 가스 공급원(23)이 접속된다. FFU(21)는, 불활성 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 N₂ 가스 등의 불활성 가스를 다운플로우 가스로서 챔버(20) 내에 토출한다. 이와 같이, 다운플로우 가스로서 불활성 가스를 이용함으로써, 웨이퍼(W)가 산화하는 것을 방지할 수 있다. As shown in Fig. 3, an inert gas supply source (23) is connected to the FFU (21) through a valve (22). The FFU (21) discharges an inert gas, such as N ₂ gas, supplied from the inert gas supply source (23) as a downflow gas into the chamber (20). In this way, by using an inert gas as a downflow gas, it is possible to prevent the wafer (W) from being oxidized.

기판 유지 기구(30)의 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. On the upper surface of the holding portion (31) of the substrate holding mechanism (30), a holding member (311) is installed to hold the wafer (W) from the side. The wafer (W) is held horizontally in a state slightly spaced from the upper surface of the holding portion (31) by this holding member (311).

처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. 노즐(41)에는, 도시하지 않은 배관의 일단이 접속되고, 이러한 배관의 타단은 복수 개로 분기되어 있다. 그리고, 분기된 배관의 각 단부에는, 각각 알칼리계 처리액 공급원(70a), 산계(酸系) 처리액 공급원(70b), 유기계 처리액 공급원(70c) 및 DIW 공급원(70d)이 접속된다. 또한, 각 공급원(70a∼70d)과 노즐(41)의 사이에는 밸브(60a∼60d)가 설치된다. The treatment fluid supply unit (40) is equipped with a nozzle (41), an arm (42) that horizontally supports the nozzle (41), and a rotating and lifting mechanism (43) that rotates and raises the arm (42). One end of a pipe (not shown) is connected to the nozzle (41), and the other end of the pipe is branched into a plurality of pieces. Then, an alkaline treatment liquid supply source (70a), an acid treatment liquid supply source (70b), an organic treatment liquid supply source (70c), and a DIW supply source (70d) are connected to each end of the branched pipe, respectively. In addition, valves (60a to 60d) are installed between each of the supply sources (70a to 70d) and the nozzle (41).

처리 유체 공급부(40)는, 상기 각 공급원(70a∼70d)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(상온의 순수)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 공급하여 웨이퍼(W)를 액처리한다. The treatment fluid supply unit (40) supplies alkaline treatment liquid, acid treatment liquid, organic treatment liquid and DIW (pure water at room temperature) supplied from each of the supply sources (70a to 70d) to the surface of the wafer (W) through a nozzle (41) to perform liquid treatment on the wafer (W).

또, 상기에서는, 웨이퍼(W)의 표면을 액처리하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 웨이퍼(W)의 이면이나 주연부를 액처리하도록 구성해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW가 하나의 노즐(41)로부터 공급되는 것으로 하지만, 처리 유체 공급부(40)는, 각 처리액에 대응하는 복수의 노즐을 구비하고 있어도 좋다. In addition, in the above, the surface of the wafer (W) is treated with liquid, but this is not limited to this, and for example, the back surface or the peripheral part of the wafer (W) may be configured to be treated with liquid. In addition, in the present embodiment, the alkaline treatment liquid, the acid treatment liquid, the organic treatment liquid, and the DIW are supplied from one nozzle (41), but the treatment fluid supply unit (40) may be equipped with a plurality of nozzles corresponding to each treatment liquid.

유지부(31)의 주연부에는, 유지부(31)와 함께 일체적으로 회전하는 제1, 제2 회전컵(101, 102)이 설치된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 회전컵(102)은 제1 회전컵(101)보다 내측에 배치된다. In the main body of the support member (31), first and second rotary cups (101, 102) that rotate integrally with the support member (31) are installed. As shown in Fig. 3, the second rotary cup (102) is positioned further inward than the first rotary cup (101).

이들 제1 회전컵(101)이나 제2 회전컵(102)은, 전체적으로는 링형으로 형성된다. 제1, 제2 회전컵(101, 102)은, 유지부(31)와 함께 회전되면, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 회수컵(50)으로 안내한다. These first rotary cups (101) and second rotary cups (102) are formed in a ring shape as a whole. When the first and second rotary cups (101, 102) are rotated together with the holding member (31), they guide the treatment liquid flying from the rotating wafer (W) to the recovery cup (50).

회수컵(50)은, 유지부(31)에 의해 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 회전 중심에 가까운 내측으로부터 순서대로, 제1 컵(50a)과 제2 컵(50b)과 제3 컵(50c)을 구비한다. 또한, 회수컵(50)은, 제1 컵(50a)의 내주측에, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 중심으로 하는 원통형의 내벽부(54d)를 구비한다. The recovery cup (50) is provided with a first cup (50a), a second cup (50b), and a third cup (50c) in order from the inner side closer to the center of rotation of the wafer (W) that is held and rotated by the holding member (31). In addition, the recovery cup (50) is provided with a cylindrical inner wall portion (54d) centered on the center of rotation of the wafer (W) on the inner circumferential side of the first cup (50a).

제1∼제3 컵(50a∼50c) 및 내벽부(54d)는, 회수컵(50)의 바닥부(53)의 위에 설치된다. 구체적으로, 제1 컵(50a)은, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a)를 구비한다. The first to third cups (50a to 50c) and the inner wall portion (54d) are installed on the bottom portion (53) of the recovery cup (50). Specifically, the first cup (50a) has a first peripheral wall portion (54a) and a first liquid container (55a).

제1 둘레벽부(54a)는, 바닥부(53)로부터 세워져 설치되고, 통형상(예컨대, 원통형)으로 형성된다. 제1 둘레벽부(54a)와 내벽부(54d)의 사이에는 공간이 형성되고, 이러한 공간은, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제1 배액홈(501a)이 된다. 제1 액수용부(55a)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 상측에 설치된다. The first peripheral wall portion (54a) is installed erected from the bottom portion (53) and formed in a cylindrical shape (e.g., cylindrical shape). A space is formed between the first peripheral wall portion (54a) and the inner wall portion (54d), and this space becomes a first drainage groove (501a) for recovering and discharging the treatment liquid, etc. The first liquid receiving portion (55a) is installed on the upper side of the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a).

또한, 제1 컵(50a)은 제1 승강 기구(56)를 구비하고, 이러한 제1 승강 기구(56)에 의해 승강 가능하게 구성된다. 자세하게는, 제1 승강 기구(56)는, 제1 지지 부재(56a)와 제1 승강 구동부(56b)를 구비한다. In addition, the first cup (50a) is provided with a first lifting mechanism (56) and is configured to be liftable by the first lifting mechanism (56). In detail, the first lifting mechanism (56) is provided with a first support member (56a) and a first lifting drive unit (56b).

제1 지지 부재(56a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이다. 제1 지지 부재(56a)는, 제1 둘레벽부(54a) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또, 제1 지지 부재(56a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되지는 않는다. The first support member (56a) is a long member having multiple (e.g., three; only one is shown in FIG. 3). The first support member (56a) is movably inserted into an insertion hole formed in the first peripheral wall portion (54a). In addition, as the first support member (56a), a cylindrical rod can be used, for example, but is not limited thereto.

제1 지지 부재(56a)는, 상단이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)로부터 노출되도록 위치되고, 제1 액수용부(55a)의 하면에 접속되어 제1 액수용부(55a)를 하측으로부터 지지한다. 한편, 제1 지지 부재(56a)의 하단에는 제1 승강 구동부(56b)가 접속된다. The first support member (56a) is positioned so that its upper end is exposed from the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), and is connected to the lower surface of the first liquid container (55a) to support the first liquid container (55a) from below. Meanwhile, a first lifting drive member (56b) is connected to the lower end of the first support member (56a).

제1 승강 구동부(56b)는 제1 지지 부재(56a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시키고, 이에 따라 제1 지지 부재(56a)는 제1 액수용부(55a)를 제1 둘레벽부(54a)에 대하여 승강시킨다. 또, 제1 승강 구동부(56b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제1 승강 구동부(56b)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다. The first lifting drive unit (56b) raises and lowers the first support member (56a) in, for example, the Z-axis direction, and accordingly, the first support member (56a) raises and lowers the first liquid container (55a) relative to the first peripheral wall portion (54a). In addition, an air cylinder can be used as the first lifting drive unit (56b). In addition, the first lifting drive unit (56b) is controlled by the control device (4).

제1 승강 구동부(56b)에 의해 구동되는 제1 액수용부(55a)는, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받는 처리 위치와, 처리 위치로부터 하방측으로 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다. The first liquid receiving unit (55a) driven by the first lifting driving unit (56b) moves between a processing position where the processing liquid sprayed from the rotating wafer (W) is received, and a retreat position that is retreated downward from the processing position.

자세하게는, 제1 액수용부(55a)가 처리 위치에 있을 때, 제1 액수용부(55a)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 형성된다. In detail, when the first liquid container (55a) is in the processing position, an opening is formed on the inner side of the upper end of the first liquid container (55a), and a flow path leading from the opening to the first drainage groove (501a) is formed.

한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 내벽부(54d)는, 유지부(31)의 주연부를 향해 경사지도록 하여 연장되어 설치되는 연장 설치부(54d1)를 구비한다. 제1 액수용부(55a)는, 후퇴 위치에 있을 때, 내벽부(54d)의 연장 설치부(54d1)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 폐색된다. Meanwhile, as shown in Fig. 3, the inner wall portion (54d) is provided with an extension installation portion (54d1) that is installed so as to be extended so as to be inclined toward the periphery of the retaining portion (31). When the first liquid receiving portion (55a) is in the retracted position, it comes into contact with the extension installation portion (54d1) of the inner wall portion (54d), and the opening on the inner top is closed, thereby blocking the flow path leading to the first drainage groove (501a).

제2 컵(50b)은, 제1 컵(50a)과 동일한 구성이다. 구체적으로는, 제2 컵(50b)은, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b)와 제2 승강 기구(57)를 구비하고, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)측에 인접하여 배치된다. The second cup (50b) has the same configuration as the first cup (50a). Specifically, the second cup (50b) has a second peripheral wall portion (54b), a second liquid container portion (55b), and a second lifting mechanism (57), and is arranged adjacent to the first peripheral wall portion (54a) of the first cup (50a).

제2 둘레벽부(54b)는, 바닥부(53)에 있어서 제1 둘레벽부(54a)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제2 둘레벽부(54b)와 제1 둘레벽부(54a) 사이에 형성되는 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제2 배액홈(501b)이 된다. The second peripheral wall portion (54b) is installed on the outer periphery of the first peripheral wall portion (54a) in the bottom portion (53) and is formed in a cylindrical shape. Then, the space formed between the second peripheral wall portion (54b) and the first peripheral wall portion (54a) becomes a second drainage groove (501b) for recovering and discharging the treatment liquid, etc.

제2 액수용부(55b)는, 제1 액수용부(55a)의 외주측에 위치되고, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)의 상측에 설치된다. The second liquid container (55b) is located on the outer periphery of the first liquid container (55a) and is installed on the upper side of the upper surface (54b1) of the second peripheral wall portion (54b).

제2 승강 기구(57)는, 제2 지지 부재(57a)와 제2 승강 구동부(57b)를 구비한다. 제2 지지 부재(57a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이며, 제2 둘레벽부(54b) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또, 제2 지지 부재(57a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되지는 않는다. The second lifting mechanism (57) is provided with a second support member (57a) and a second lifting drive member (57b). The second support member (57a) is a plurality of long members (for example, three; only one is shown in FIG. 3) and is movably inserted into an insertion hole formed in the second peripheral wall portion (54b). In addition, as the second support member (57a), a cylindrical rod can be used, for example, but is not limited thereto.

제2 지지 부재(57a)는, 상단이 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)으로부터 노출되도록 위치되고, 제2 액수용부(55b)의 하면에 접속되어 제2 액수용부(55b)를 하측으로부터 지지한다. 또, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 연직 방향에 있어서 하측이 되도록 위치된다. The second support member (57a) is positioned so that its upper end is exposed from the upper surface (54b1) of the second circumferential wall portion (54b), and is connected to the lower surface of the second liquid container portion (55b) to support the second liquid container portion (55b) from below. In addition, the upper surface (54b1) of the second circumferential wall portion (54b) is positioned so as to be vertically lower with respect to the upper surface (54a1) of the first circumferential wall portion (54a).

제2 지지 부재(57a)의 하단에는 제2 승강 구동부(57b)가 접속된다. 제2 승강 구동부(57b)는, 제2 지지 부재(57a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시킨다. 이에 따라, 제2 지지 부재(57a)는, 제2 액수용부(55b)를 제2 둘레벽부(54b)에 대하여 승강시킨다. A second lifting drive unit (57b) is connected to the lower end of the second support member (57a). The second lifting drive unit (57b) raises and lowers the second support member (57a) in, for example, the Z-axis direction. Accordingly, the second support member (57a) raises and lowers the second liquid container (55b) relative to the second peripheral wall member (54b).

또, 제2 승강 구동부(57b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제2 승강 구동부(57b)도 제어 장치(4)에 의해 제어된다. In addition, an air cylinder can be used as the second lifting drive unit (57b). In addition, the second lifting drive unit (57b) is also controlled by the control device (4).

그리고, 제2 액수용부(55b)도 처리 위치와 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다. 자세하게는, 제2 액수용부(55b)가 처리 위치에 있고, 또한, 제1 액수용부(55a)가 후퇴 위치에 있을 때, 제2 액수용부(55b)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 형성된다. And, the second liquid container (55b) is also moved between the processing position and the retreat position. Specifically, when the second liquid container (55b) is in the processing position and the first liquid container (55a) is in the retreat position, an opening is formed on the inner side of the upper end of the second liquid container (55b), and a flow path leading from the opening to the second drainage groove (501b) is formed.

한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 액수용부(55b)는, 후퇴 위치에 있을 때 제1 액수용부(55a)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 폐색된다. 또, 상기에서는, 후퇴 위치의 제2 액수용부(55b)는 제1 액수용부(55a)에 접촉하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 내벽부(54d)에 접촉하여 상단 내측의 개구를 폐쇄하도록 해도 좋다. Meanwhile, as shown in Fig. 3, the second liquid container (55b) contacts the first liquid container (55a) when in the retracted position, and the opening on the inner side of the upper end is closed, thereby blocking the passage leading to the second drainage groove (501b). In addition, in the above, the second liquid container (55b) in the retracted position is made to contact the first liquid container (55a), but this is not limited to this, and for example, it may be made to contact the inner wall portion (54d) to close the opening on the inner side of the upper end.

제3 컵(50c)은, 제3 둘레벽부(54c)와 제3 액수용부(55c)를 구비하고, 제2 컵(50b)에 대하여 제1 컵(50a)과는 반대측에 인접하여 배치된다. 제3 둘레벽부(54c)는, 바닥부(53)에 있어서 제2 둘레벽부(54b)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제3 둘레벽부(54c)와 제2 둘레벽부(54b) 사이의 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제3 배액홈(501c)이 된다. The third cup (50c) is provided with a third circumferential wall portion (54c) and a third liquid-receiving portion (55c), and is arranged adjacent to the second cup (50b) on the opposite side from the first cup (50a). The third circumferential wall portion (54c) is installed standing up on the outer periphery of the second circumferential wall portion (54b) in the bottom portion (53), and is formed in a cylindrical shape. Then, the space between the third circumferential wall portion (54c) and the second circumferential wall portion (54b) becomes a third drainage groove (501c) for recovering and discharging the treatment liquid, etc.

제3 액수용부(55c)는, 제3 둘레벽부(54c)의 상단으로부터 연속하도록 형성된다. 제3 액수용부(55c)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸고, 제1 액수용부(55a)나 제2 액수용부(55b)의 상측까지 연장되도록 형성된다. The third liquid container (55c) is formed to be continuous from the upper end of the third peripheral wall portion (54c). The third liquid container (55c) surrounds the periphery of the wafer (W) held by the holding portion (31) and is formed to extend to the upper side of the first liquid container (55a) or the second liquid container (55b).

제3 액수용부(55c)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)가 함께 후퇴 위치에 있을 때, 제3 액수용부(55c)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 형성된다. As shown in Fig. 3, when the first and second liquid containers (55a, 55b) are in the retracted position together, an opening is formed on the inner side of the upper end of the third liquid container (55c), and a flow path leading from the opening to the third drainage groove (501c) is formed.

한편, 제3 액수용부(55c)는, 제2 액수용부(55b)가 상승된 위치에 있는 경우, 또는 제1 액수용부(55a) 및 제2 액수용부(55b)의 양방이 상승된 위치에 있는 경우, 제2 액수용부(55b)가 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 폐색된다. Meanwhile, when the second liquid container (55b) is in a raised position, or when both the first liquid container (55a) and the second liquid container (55b) are in a raised position, the second liquid container (55b) comes into contact with the third liquid container (55c), and the opening on the inner side of the upper end is closed, thereby blocking the flow path leading to the third drainage groove (501c).

상기 제1∼제3 컵(50a∼50c)에 대응하는 바닥부(53), 정확하게는 제1∼제3 배액홈(501a∼501c)에 대응하는 바닥부(53)에는 각각, 배액구(51a∼51c)가 회수컵(50)의 원주 방향을 따라서 간격을 두면서 형성된다. In the bottom portion (53) corresponding to the first to third cups (50a to 50c), more precisely, in the bottom portion (53) corresponding to the first to third drainage grooves (501a to 501c), drainage holes (51a to 51c) are formed at intervals along the circumferential direction of the recovery cup (50).

여기서, 배액구(51a)로부터 배출되는 처리액이 산계 처리액, 배액구(51b)로부터 배출되는 처리액이 알칼리계 처리액, 배액구(51c)로부터 배출되는 처리액이 유기계 처리액인 경우를 예를 들어 설명한다. 또, 상기 각 배액구(51a∼51c)로부터 배출되는 처리액의 종류는, 어디까지나 예시이며 한정되지는 않는다. Here, an example will be explained in which the treatment liquid discharged from the drainage port (51a) is an acid treatment liquid, the treatment liquid discharged from the drainage port (51b) is an alkaline treatment liquid, and the treatment liquid discharged from the drainage port (51c) is an organic treatment liquid. In addition, the types of the treatment liquids discharged from each of the above drainage ports (51a to 51c) are merely examples and are not limited.

배액구(51a)는 배액관(91a)에 접속된다. 배액관(91a)은, 도중에 밸브(62a)가 개삽(介揷)되고, 이러한 밸브(62a)의 위치에서 제1 배액관(91a1)과 제2 배액관(91a2)으로 분기된다. 또, 밸브(62a)로는, 예를 들면, 폐밸브 위치와, 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측으로 개방하는 위치와, 제2 배액관(91a2)측으로 개방하는 위치의 사이에서 전환 가능한 3방 밸브를 이용할 수 있다. The drainage port (51a) is connected to the drainage pipe (91a). The drainage pipe (91a) is branched into a first drainage pipe (91a1) and a second drainage pipe (91a2) at the position of the valve (62a) by opening and closing the valve (62a). In addition, as the valve (62a), for example, a three-way valve that can be switched between a closed valve position, a position where the discharge path is opened toward the first drainage pipe (91a1), and a position where the discharge path is opened toward the second drainage pipe (91a2) can be used.

상기 산계 처리액이 재이용 가능한 경우, 제1 배액관(91a1)은 산계 처리액 공급원(70b)(예를 들면, 산계 처리액을 저류하는 탱크)에 접속되고, 배액을 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀시킨다. 즉, 제1 배액관(91a1)은 순환 라인으로서 기능한다. 또, 제2 배액관(91a2)에 관해서는 후술한다. In the case where the above acid treatment solution is reusable, the first drainage pipe (91a1) is connected to an acid treatment solution supply source (70b) (e.g., a tank storing the acid treatment solution) and returns the drainage solution to the acid treatment solution supply source (70b). That is, the first drainage pipe (91a1) functions as a circulation line. In addition, the second drainage pipe (91a2) will be described later.

배액구(51b)는 배액관(91b)에 접속된다. 배액관(91b)의 도중에는 밸브(62b)가 개삽된다. 또한, 배액구(51c)는 배액관(91c)에 접속된다. 배액관(91c)의 도중에는 밸브(62c)가 개삽(介揷)된다. 또, 밸브(62b, 62c)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다. The drain port (51b) is connected to the drainage tube (91b). A valve (62b) is opened and inserted in the middle of the drainage tube (91b). In addition, the drainage port (51c) is connected to the drainage tube (91c). A valve (62c) is opened and inserted in the middle of the drainage tube (91c). In addition, the valves (62b, 62c) are controlled by the control device (4).

그리고, 처리 유닛(16)은, 기판 처리를 행할 때, 기판 처리중의 각 처리에서 사용하는 처리액의 종류 등에 따라서, 제1 컵(50a)의 제1 액수용부(55a)나 제2 컵(50b)의 제2 액수용부(55b)를 승강시켜 배액구(51a∼51c)의 전환을 실행한다. And, when performing substrate processing, the processing unit (16) elevates and lowers the first liquid container (55a) of the first cup (50a) or the second liquid container (55b) of the second cup (50b) to switch the drain ports (51a to 51c) depending on the type of processing liquid used in each process during substrate processing.

예를 들면, 산계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 기판 유지 기구(30)의 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60b)를 개방한다. For example, when processing a wafer (W) by discharging an acid treatment solution onto the wafer (W), the control device (4) controls the driving unit (33) of the substrate holding mechanism (30) to open the valve (60b) while rotating the holding unit (31) at a set rotation speed.

이 때, 제어 장치(4)는 제1 컵(50a)을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 상승시키고, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제1 액수용부(55a)의 상단 내측의 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 산계 처리액은, 하측으로 흘러 제1 배액홈(501a)에 유입되게 된다. At this time, the control device (4) raises the first cup (50a). That is, the control device (4) raises the first and second support members (56a, 57a) through the first and second lifting drive units (56b, 57b) and raises the first liquid container (55a) to the processing position, thereby forming a flow path from the opening on the inner side of the upper end of the first liquid container (55a) to the first drainage groove (501a). Accordingly, the acid treatment liquid supplied to the wafer (W) flows downward and flows into the first drainage groove (501a).

또한, 제어 장치(4)는, 밸브(62a)를 제어하여 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측으로 개방하도록 해 놓는다. 이에 따라, 제1 배액홈(501a)에 유입된 산계 처리액은, 배액관(91a) 및 제1 배액관(91a1)을 통해 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀된다. 그리고, 산계 처리액 공급원(70b)에 복귀된 산계 처리액은, 웨이퍼(W)에 다시 공급된다. 이와 같이, 제1 컵(50a)은, 회수한 산계 처리액을 순환시켜 웨이퍼(W)에 다시 공급하는 순환 라인에 접속된다. In addition, the control device (4) controls the valve (62a) to open the discharge path toward the first drainage pipe (91a1). Accordingly, the acid treatment liquid flowing into the first drainage groove (501a) returns to the acid treatment liquid supply source (70b) through the drainage pipe (91a) and the first drainage pipe (91a1). Then, the acid treatment liquid returned to the acid treatment liquid supply source (70b) is supplied to the wafer (W) again. In this way, the first cup (50a) is connected to a circulation line that circulates the recovered acid treatment liquid and supplies it to the wafer (W) again.

또한, 예를 들면 알칼리계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60a)를 개방한다. In addition, for example, when treating a wafer (W) by discharging an alkaline treatment solution onto the wafer (W), the control device (4) opens the valve (60a) while controlling the driving unit (33) in the same manner to rotate the holding unit (31) at a set rotation speed.

이 때, 제어 장치(4)는 제2 컵(50b)만을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제2 승강 구동부(57b)를 통해 제2 지지 부재(57a)를 상승시키고, 제2 액수용부(55b)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제2 액수용부(55b)의 상단 내측의 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 또, 여기서 제1 컵(50a)은 하강하고 있는 것으로 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 알칼리계 처리액은, 하측으로 흘러 제2 배액홈(501b)에 유입되게 된다. At this time, the control device (4) raises only the second cup (50b). That is, the control device (4) raises the second support member (57a) through the second lifting drive unit (57b) and raises the second liquid container (55b) to the processing position, thereby forming a flow path from the opening on the inner side of the upper end of the second liquid container (55b) to the second drainage groove (501b). In addition, it is assumed here that the first cup (50a) is lowered. Accordingly, the alkaline treatment liquid supplied to the wafer (W) flows downward and flows into the second drainage groove (501b).

또한, 제어 장치(4)는 밸브(62b)를 개방해 놓는다. 이에 따라, 제2 배액홈(501b)의 알칼리계 처리액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 배액관(91b)은, 회수한 제2 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인으로서 기능한다. 즉, 제2 컵(50b)은 배액 라인에 접속되어 있다. In addition, the control device (4) opens the valve (62b). Accordingly, the alkaline treatment liquid of the second drainage groove (501b) is discharged to the outside of the treatment unit (16) through the drainage pipe (91b). In this way, the drainage pipe (91b) functions as a drainage line that discharges the recovered second treatment liquid to the outside of the treatment unit (16). That is, the second cup (50b) is connected to the drainage line.

또한, 예를 들면 유기계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60c)를 개방한다. In addition, for example, when processing a wafer (W) by discharging an organic treatment liquid onto the wafer (W), the control device (4) opens the valve (60c) while controlling the driving unit (33) in the same manner to rotate the holding unit (31) at a set rotation speed.

이 때, 제어 장치(4)는 제1, 제2 컵(50a, 50b)을 하강시켜 놓는다(도 3 참조). 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 하강시키고, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 후퇴 위치까지 하강시킨다. 이와 같이 함으로써, 제3 액수용부(55c)의 상단 내측의 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 유기계 처리액은, 하측으로 흘러 제3 배액홈(501c)에 유입되게 된다. At this time, the control device (4) lowers the first and second cups (50a, 50b) (see FIG. 3). That is, the control device (4) lowers the first and second support members (56a, 57a) through the first and second lifting drive units (56b, 57b) and lowers the first and second liquid containers (55a, 55b) to the retracted position. By doing so, a flow path leading from the opening on the inner side of the upper end of the third liquid container (55c) to the third drainage groove (501c) is formed. Accordingly, the organic treatment liquid supplied to the wafer (W) flows downward and flows into the third drainage groove (501c).

또한, 제어 장치(4)는 밸브(62c)를 개방해 놓고, 따라서 제3 배액홈(501c)의 유기계 처리액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 제3 컵(50c)도, 회수한 제3 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인(예를 들면, 배액관(91c))에 접속되어 있다. In addition, the control device (4) opens the valve (62c), so that the organic treatment liquid in the third drainage groove (501c) is discharged to the outside of the treatment unit (16) through the drainage pipe (91c). In this way, the third cup (50c) is also connected to a drainage line (e.g., drainage pipe (91c)) that discharges the recovered third treatment liquid to the outside of the treatment unit (16).

또, 상기 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액 및 세정액의 배출 경로는 예시이며 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면, 각 배액구(51a∼51c)가 1개의 배액관에 접속되고, 1개의 배액관에, 산성이나 알칼리성과 같은 처리액의 성질에 따른 복수개의 밸브가 설치되고, 그 밸브의 위치로부터 배출 경로를 분기시켜도 좋다. In addition, the discharge paths of the acid treatment liquid, alkaline treatment liquid, organic treatment liquid, and cleaning liquid are examples and are not limited. That is, for example, each drainage port (51a to 51c) may be connected to one drainage pipe, and multiple valves may be installed in one drainage pipe according to the properties of the treatment liquid, such as acidity or alkalinity, and the discharge paths may be branched from the positions of the valves.

또한, 배액관(91b)에는, 제1 둘레벽부(54a)에 있어서 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92a)이 접속된다. 배액관(92a)은, 제1 둘레벽부(54a)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액(후술) 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. In addition, a drainage tube (91b) is connected to a drainage tube (92a) that communicates with an insertion hole through which a first support member (56a) is inserted in the first peripheral wall portion (54a). The drainage tube (92a) discharges cleaning liquid (described later) and the like that has penetrated into the insertion hole of the first peripheral wall portion (54a), and this cleaning liquid is discharged to the outside of the processing unit (16) through the drainage tube (91b).

또한, 배액관(91c)에도, 제2 둘레벽부(54b)에 있어서 제2 지지 부재(57a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92b)이 접속된다. 배액관(92b)은, 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. In addition, a drainage tube (91c) is connected to a drainage tube (92b) that communicates with the insertion hole through which the second support member (57a) is inserted in the second peripheral wall portion (54b). The drainage tube (92b) discharges cleaning liquid, etc. that has penetrated into the insertion hole of the second peripheral wall portion (54b), and this cleaning liquid is discharged to the outside of the processing unit (16) through the drainage tube (91c).

회수컵(50)의 바닥부(53), 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)에는 각각 배기구(52a, 52b, 52c)가 형성된다. 또한, 배기구(52a, 52b, 52c)는 1개의 배기관에 접속되고, 이러한 배기관은 배기의 하류측에 있어서 제1∼제3 배기관(93a∼93c)으로 분기된다. 또한, 제1 배기관(93a)에는 밸브(64a)가 개삽되고, 제2 배기관(93b)에는 밸브(64b)가, 제3 배기관(93c)에는 밸브(64c)가 개삽된다. Exhaust ports (52a, 52b, 52c) are formed in the bottom portion (53), the first circumferential wall portion (54a), and the second circumferential wall portion (54b) of the recovery cup (50), respectively. In addition, the exhaust ports (52a, 52b, 52c) are connected to one exhaust pipe, and this exhaust pipe branches into first to third exhaust pipes (93a to 93c) on the downstream side of the exhaust. In addition, a valve (64a) is inserted into the first exhaust pipe (93a), a valve (64b) is inserted into the second exhaust pipe (93b), and a valve (64c) is inserted into the third exhaust pipe (93c).

제1 배기관(93a)은 산성의 배기용 배기관이고, 제2 배기관(93b)은 알칼리성의 배기용, 제3 배기관(93c)은 유기계 배기용의 배기관이다. 이들은, 기판 처리의 각 처리에 따라서 제어 장치(4)에 의해 전환된다. The first exhaust pipe (93a) is an exhaust pipe for acidic exhaust, the second exhaust pipe (93b) is an exhaust pipe for alkaline exhaust, and the third exhaust pipe (93c) is an exhaust pipe for organic exhaust. These are switched by the control device (4) according to each process of substrate processing.

예를 들면, 산성의 배기를 생성하는 처리의 실행시에는, 제1 배기관(93a)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64a)를 통해 산성의 배기가 배출된다. 마찬가지로, 알칼리성의 배기를 생성하는 처리의 경우, 제2 배기관(93b)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64b)를 통해 알칼리성의 배기가 배출된다. 또한, 유기계 배기를 생성하는 처리의 경우, 제3 배기관(93c)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64c)를 통해 유기계 배기가 배출된다. For example, when executing a process that generates acidic exhaust, a switch to the first exhaust pipe (93a) is performed by the control device (4), and acidic exhaust is discharged through the valve (64a). Similarly, in the case of a process that generates alkaline exhaust, a switch to the second exhaust pipe (93b) is performed by the control device (4), and alkaline exhaust is discharged through the valve (64b). Furthermore, in the case of a process that generates organic exhaust, a switch to the third exhaust pipe (93c) is performed by the control device (4), and organic exhaust is discharged through the valve (64c).

이하, 본 실시형태에서는, 산계 처리액으로서 BHF(플루오르화수소산과 불화암모늄 용액의 혼합액(완충 플루오르화수소산))이 이용되는 것으로 한다. 또한, 알칼리계 처리액으로는 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 유기계 처리액으로는 IPA(이소프로필알콜)이 이용되는 것으로 한다. 또, 산계 처리액, 알칼리계 처리액 및 유기계 처리액의 종류는, 이들로 한정되지는 않는다. Hereinafter, in the present embodiment, BHF (a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution (buffered hydrofluoric acid)) is used as an acid treatment solution. In addition, SC1 (a mixture of ammonia, hydrogen peroxide, and water) is used as an alkaline treatment solution, and IPA (isopropyl alcohol) is used as an organic treatment solution. In addition, the types of acid treatment solutions, alkaline treatment solutions, and organic treatment solutions are not limited to these.

그런데, 처리 유닛(16)에 있어서 BHF가 사용되면, BHF의 처리액 분위기나 비산된 BHF가, 예를 들면 제1 액수용부(55a)와 제1 둘레벽부(54a)의 간극에 침입하고, 침입한 BHF의 분위기 등이 건조하여, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 BHF의 결정 등의 이물질이 부착되는 것을 알 수 있었다. 또, 상기와 같은 이물질은, BHF에 한정되지 않고, 그 밖의 종류의 처리액의 경우도 부착될 우려가 있다. However, when BHF is used in the processing unit (16), it was found that the BHF processing liquid atmosphere or the scattered BHF penetrates, for example, into the gap between the first liquid container (55a) and the first peripheral wall portion (54a), and the penetrated BHF atmosphere, etc., dries, so that foreign substances such as BHF crystals are attached to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a). In addition, the above-mentioned foreign substances are not limited to BHF, and there is a concern that they may also be attached to other types of processing liquids.

따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 있어서는, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하는 구성으로 했다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 부착된 결정 등의 이물질을 제거할 수 있다. Accordingly, in the processing unit (16) according to the present embodiment, a configuration is provided to supply a cleaning solution to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) of the first cup (50a). Accordingly, foreign substances such as crystals attached to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) can be removed.

<3. 세정액 공급부 및 제1 둘레벽부의 구체적 구성><3. Specific configuration of the detergent supply section and the first peripheral wall section>

이하, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하는 구성에 관해 도 4 이후를 참조하여 자세히 설명한다. 도 4는, 제1 둘레벽부(54a)를 Z축 상측으로부터 본 경우의 모식 평면도이다. 또한, 도 5는, 도 4의 V-V선 모식 단면도이다. 또, 도 5에 있어서는, 이해의 편의를 위해, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 설치되는 제1 액수용부(55a)를 상상선으로 나타냈다. Hereinafter, a configuration for supplying a cleaning liquid to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) will be described in detail with reference to FIG. 4 and thereafter. FIG. 4 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion (54a) when viewed from the upper side of the Z axis. In addition, FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along the line V-V of FIG. 4. In addition, in FIG. 5, for the convenience of understanding, the first liquid container (55a) installed on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) is depicted as an imaginary line.

도 5에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)는, 세정액 공급관(84c)과 밸브(85c)를 더 구비한다. 세정액 공급관(84c)은, 일단이 세정액 공급원(83)에 접속되는 한편, 타단에는 세정액 토출구(85)(이하 「토출구(85)」라고 기재하는 경우가 있음)가 형성된다. As shown in Fig. 5, the cleaning solution supply section (80) of the processing unit (16) further includes a cleaning solution supply pipe (84c) and a valve (85c). One end of the cleaning solution supply pipe (84c) is connected to a cleaning solution supply source (83), while the other end is provided with a cleaning solution discharge port (85) (hereinafter sometimes referred to as a “discharge port (85)”).

또한, 도 4, 5에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a)는 홈부(58)를 구비한다. 구체적으로는, 홈부(58)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 내주측에 형성되고, 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따라서 형성된다. 보다 구체적으로, 홈부(58)는, 평면시(平面視)에 있어서 고리형이 되도록 형성된다. 또, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 홈부(58)가 형성되는 위치는 적절히 변경 가능하고, 예를 들면 상면(54a1)의 외주측에 치우쳐 형성되도록 해도 좋다. In addition, as shown in FIGS. 4 and 5, the first peripheral wall portion (54a) has a groove portion (58). Specifically, the groove portion (58) is formed on the inner side of the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) and is formed along the circumferential direction of the upper surface (54a1). More specifically, the groove portion (58) is formed to have a ring shape in a plan view. In addition, the position at which the groove portion (58) is formed on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) can be appropriately changed, and for example, it may be formed offset to the outer side of the upper surface (54a1).

상기 세정액 공급관(84c)의 토출구(85)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중, 예를 들면 홈부(58)에 복수개(예컨대 3개) 형성된다. 또한, 토출구(85)는, 유지부(31)의 회전 중심(C)을 중심으로 하여 원주 방향으로 대략 등간격이 되는 위치에 배치된다. 또, 상기 토출구(85)의 개수나 배치 위치는, 예시이며 한정되지는 않는다. The discharge ports (85) of the above-described cleaning solution supply pipe (84c) are formed in a plurality (e.g., three) on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), for example, in the groove portion (58). In addition, the discharge ports (85) are arranged at positions that are approximately equally spaced in the circumferential direction with respect to the rotation center (C) of the holding portion (31). In addition, the number and arrangement positions of the above-described discharge ports (85) are examples and are not limited thereto.

밸브(85c)는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급관(84c)에 설치되고, 제어 장치(4)에 의해 제어된다. 따라서, 제어 장치(4)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 세정 처리를 행할 때 밸브(85c)를 개방한다. 이에 따라, 세정액 공급원(83)의 세정액은, 밸브(85c), 세정액 공급관(84c)을 통과하여 토출구(85)로부터 토출된다. The valve (85c) is installed in the cleaning solution supply pipe (84c), as shown in Fig. 5, and is controlled by the control device (4). Therefore, the control device (4) opens the valve (85c) when performing the cleaning treatment on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a). Accordingly, the cleaning solution from the cleaning solution supply source (83) passes through the valve (85c) and the cleaning solution supply pipe (84c) and is discharged from the discharge port (85).

세정액 공급부(80)로부터 공급된 세정액, 자세하게는 토출구(85)로부터 토출된 세정액은, 홈부(58)를 흐르고, 홈부(58)로부터 흘러 넘치게 된다. 그리고, 홈부(58)로부터 흘러 넘친 세정액은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 전체에 걸쳐 공급되어, 상면(54a1)을 세정하고 이물질을 제거한다. 또한, 상면(54a1)을 세정한 세정액은, 그 후 제1 둘레벽부(54a)의 측면(54a2)이나 배기구(52b) 등에도 유입되어 세정하고, 부착된 이물질을 제거한다. The cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit (80), specifically, the cleaning liquid discharged from the discharge port (85), flows through the groove portion (58) and overflows from the groove portion (58). Then, the cleaning liquid overflowing from the groove portion (58) is supplied over the entire upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), and cleans the upper surface (54a1) and removes foreign substances. In addition, the cleaning liquid that has cleaned the upper surface (54a1) is then introduced into the side surface (54a2) or the exhaust port (52b) of the first peripheral wall portion (54a), and cleans and removes attached foreign substances.

이와 같이, 제1 둘레벽부(54a)에 있어서는, 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부(58)를 구비하도록 했기 때문에, 세정액을 홈부(58)를 통하여 상면(54a1)의 광범위에 걸쳐 공급하는 것이 가능해지고, 따라서 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 홈부(58)에 토출구(85)가 형성되기 때문에, 세정액을 홈부(58)에 확실하게 공급하여 흘릴 수 있다. In this way, since the first peripheral wall portion (54a) is provided with a groove portion (58) formed along the peripheral direction, it becomes possible to supply the cleaning liquid over a wide area of the upper surface (54a1) through the groove portion (58), and thus the upper surface (54a1) can be cleaned efficiently. In addition, since the discharge port (85) is formed in the groove portion (58), the cleaning liquid can be reliably supplied to the groove portion (58) and flowed.

또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 이동시킨 상태로, 세정 처리가 행해져도 좋다. 즉, 세정액 공급부(80)는, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치보다 하측의 후퇴 위치로 이동시킨 상태로 세정액을 공급하도록 해도 좋다. In addition, as shown in Fig. 5, the cleaning treatment may be performed with the first liquid container (55a) moved to the retreated position. That is, the cleaning solution supply unit (80) may supply the cleaning solution with the first liquid container (55a) moved to the retreated position lower than the treatment position.

이에 따라, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 근접하기 때문에, 상면(54a1)을 흐르는 세정액이 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)에도 공급되고, 따라서 하면(55a1)에 대해서도 이물질을 제거하여 세정할 수 있다. Accordingly, since the lower surface (55a1) of the first liquid container (55a) is close to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), the cleaning liquid flowing through the upper surface (54a1) is also supplied to the lower surface (55a1) of the first liquid container (55a), and thus, foreign substances can be removed and cleaned from the lower surface (55a1).

또한, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 때와, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)을 세정할 때에 있어서 세정액의 유량을 변경하도록 해도 좋다. 예컨대, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 때의 세정액의 유량보다, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)을 세정할 때의 세정액의 유량을 증가시키도록 해도 좋다. 이에 따라, 세정액을 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)에 확실하게 도달시키는 것이 가능해지고, 따라서 하면(55a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. In addition, the cleaning liquid supply unit (80) may change the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) and when cleaning the lower surface (55a1) of the first liquid container portion (55a). For example, the cleaning liquid supply unit (80) may increase the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the lower surface (55a1) of the first liquid container portion (55a) more than the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a). Accordingly, it becomes possible to reliably cause the cleaning liquid to reach the lower surface (55a1) of the first liquid container portion (55a), and thus the lower surface (55a1) can be cleaned efficiently.

또한, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)이 회전된 상태로, 세정 처리가 행해져도 좋다. 즉, 세정액 공급부(80)는, 유지부(31) 등이 회전된 상태로, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 공급하도록 해도 좋다. In addition, the cleaning process may be performed while the holding member (31) and the first and second rotating cups (101, 102) are rotated. That is, the cleaning solution supply member (80) may supply the cleaning solution to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall member (54a) while the holding member (31) and the like are rotated.

이에 따라, 회수컵(50) 내에는, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)의 회전에 의해 선회류가 발생한다. 이러한 선회류는, 토출구(85)로부터 토출된 세정액에 작용하여, 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향(도 4에서는 우회전 방향(시계 방향))으로 흘리고, 세정액의 유속을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 세정액은 상면(54a1)에 있어서 보다 광범위하게 퍼지고, 따라서 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. Accordingly, a swirling flow is generated in the recovery cup (50) by the rotation of the retaining portion (31) and the first and second rotary cups (101, 102). This swirling flow acts on the cleaning liquid discharged from the discharge port (85) to cause the cleaning liquid to flow in one direction (clockwise in FIG. 4) along the circumferential direction on the upper surface (54a1) of the first circumferential wall portion (54a), thereby increasing the flow rate of the cleaning liquid. Accordingly, the cleaning liquid spreads more widely on the upper surface (54a1), and thus the upper surface (54a1) can be efficiently cleaned.

도 6a는, 도 4의 VI-VI선 모식 단면도이고, 또한 제1 액수용부(55a)가 하강한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다. 또한, 도 6b는, 제1 액수용부(55a)가 상승한 상태에서의 세정의 모습을 나타내는 도면이다. 또, 본 실시형태에서는, 제1 액수용부(55a)가 상승한 상태 및 하강한 상태의 양방으로 세정이 행해지지만, 이것에 관해서는 후술한다. Fig. 6a is a schematic cross-sectional view taken along line VI-VI of Fig. 4, and is also a drawing showing the state of cleaning when the first liquid container (55a) is lowered. In addition, Fig. 6b is a drawing showing the state of cleaning when the first liquid container (55a) is raised. In addition, in the present embodiment, cleaning is performed in both the state of the first liquid container (55a) being raised and the state of being lowered, but this will be described later.

도 6a, 6b에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a) 내에는, 상기와 같이 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍(59)이 형성된다. 이러한 삽입 관통 구멍(59)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성되는 개구부(59a)를 갖고 있다. As shown in Figures 6a and 6b, an insertion hole (59) is formed in the first peripheral wall portion (54a) through which the first support member (56a) is inserted as described above. This insertion hole (59) has an opening (59a) formed in the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a).

그리고, 본 실시형태에 따른 삽입 관통 구멍(59)의 개구부(59a)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 홈부(58)의 적어도 일부와 평면시(平面視)에 있어서 중복되도록 형성된다. 이에 따라, 세정액 공급부(80)에 있어서는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 홈부(58)로부터 개구부(59a)를 통해 삽입 관통 구멍(59)에 세정액을 공급하게 된다. And, the opening (59a) of the insertion through hole (59) according to the present embodiment is formed so as to overlap at least a part of the groove (58) in a plan view, as shown in Fig. 4. Accordingly, in the cleaning liquid supply unit (80), the cleaning liquid is supplied to the insertion through hole (59) from the groove (58) of the upper surface (54a1) of the first peripheral wall unit (54a) through the opening (59a).

이에 따라, 도 6a, 6b에 나타낸 바와 같이, 제1 지지 부재(56a)의 외주 및 삽입 관통 구멍(59)을 세정하는 것이 가능해져, 제1 지지 부재(56a)의 외주나 삽입 관통 구멍(59)에 부착된 이물질도 제거할 수 있다. 또, 삽입 관통 구멍(59)에 유입된 세정액은, 배액관(92a), 밸브(62b)를 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. Accordingly, as shown in Figs. 6a and 6b, it becomes possible to clean the outer periphery of the first support member (56a) and the insertion through hole (59), so that foreign substances attached to the outer periphery of the first support member (56a) or the insertion through hole (59) can also be removed. In addition, the cleaning liquid that has flowed into the insertion through hole (59) is discharged to the outside of the processing unit (16) through the drainage pipe (92a) and the valve (62b).

<4. 기판 처리 시스템의 구체적 동작><4. Specific operation of the substrate processing system>

다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 내용에 관해 도 7을 참조하여 설명한다. Next, the contents of the substrate processing performed by the substrate processing system (1) according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 7.

도 7은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 7에 나타내는 각 처리 순서는, 제어 장치(4)의 제어부(18)의 제어에 따라서 실행된다. Fig. 7 is a flow chart showing the processing sequence of processing executed by the substrate processing system (1) according to the present embodiment. In addition, each processing sequence shown in Fig. 7 is executed under the control of the control unit (18) of the control device (4).

도 7에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는 우선 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계 S1). 이러한 반입 처리에서는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 유지부(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된 후, 유지부(31)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다. As shown in Fig. 7, in the processing unit (16), first, a wafer (W) is loaded (step S1). In this loading process, the wafer (W) is placed on the holding unit (31) by the substrate transfer device (17) (see Fig. 1), and then the wafer (W) is held by the holding unit (31).

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 약액 처리가 행해진다(단계 S2). 제1 약액 처리에서, 제어부(18)는 우선 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 계속해서, 제어부(18)는 밸브(60a)를 정해진 시간 개방하여, SC1을 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 SC1에 의해 처리된다. Subsequently, the first liquid treatment is performed in the processing unit (16) (step S2). In the first liquid treatment, the control unit (18) first rotates the holding unit (31) by the driving unit (33) to rotate the wafer (W). Subsequently, the control unit (18) opens the valve (60a) for a set time to supply SC1 from the nozzle (41) to the surface of the wafer (W). Accordingly, the surface of the wafer (W) is treated by SC1.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 린스 처리가 행해진다(단계 S3). 이러한 제1 린스 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60d)를 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SC1이 DIW에 의해 씻겨나간다.Continuing, the first rinse treatment is performed in the processing unit (16) (step S3). In this first rinse treatment, the control unit (18) opens the valve (60d) for a set time to supply DIW from the nozzle (41) to the wafer (W). Accordingly, the SC1 remaining on the wafer (W) is washed away by the DIW.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제2 약액 처리가 행해진다(단계 S4). 이러한 제2 약액 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60b)를 정해진 시간 개방하여, BHF를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 BHF에 의해 처리된다. Next, the second liquid treatment is performed in the processing unit (16) (step S4). In this second liquid treatment, the control unit (18) opens the valve (60b) for a set time to supply BHF from the nozzle (41) to the surface of the wafer (W). Accordingly, the surface of the wafer (W) is treated by BHF.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제2 린스 처리가 행해진다(단계 S5). 제2 린스 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60d)를 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 BHF가 DIW에 의해 씻겨나간다. Continuing, a second rinse treatment is performed in the processing unit (16) (step S5). In the second rinse treatment, the control unit (18) opens the valve (60d) for a set time to supply DIW from the nozzle (41) to the surface of the wafer (W). Accordingly, BHF remaining on the wafer (W) is washed away by the DIW.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 건조 처리가 행해진다(단계 S6). 이러한 건조 처리에서, 제어부(18)는 밸브(60c)를 정해진 시간 개방하여, IPA를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DIW가, DIW보다 휘발성이 높은 IPA로 치환된다. 그 후, 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어내어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.Next, a drying process is performed in the processing unit (16) (step S6). In this drying process, the control unit (18) opens the valve (60c) for a set time to supply IPA from the nozzle (41) to the surface of the wafer (W). Accordingly, the DIW remaining on the surface of the wafer (W) is replaced with IPA having a higher volatility than DIW. Thereafter, the IPA on the wafer (W) is removed to dry the wafer (W).

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 S7). 이러한 반출 처리에서, 제어부(18)는 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 기판 처리가 완료된다.Subsequently, a removal process is performed in the processing unit (16) (step S7). In this removal process, the control unit (18) stops the rotation of the wafer (W) by the driving unit (33), and then the wafer (W) is removed from the processing unit (16) by the substrate return device (17) (see Fig. 1). When this removal process is completed, a series of substrate processes for one wafer (W) are completed.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정하는 세정 처리가 행해진다(단계 S8). 또, 이 세정 처리는, 1장의 웨이퍼(W)가 반출될 때마다 실행되는 것을 요하지 않는다. 즉, 세정 처리가 실행되는 타이밍은 임의로 설정하는 것이 가능하고, 예를 들면 복수매의 웨이퍼(W)에 관한 기판 처리를 행한 후에, 세정 처리를 1번 행하도록 해도 좋다. 또한, 단계 S8의 처리시에, 상기 기판 유지 기구(30)의 세정도 행하도록 해도 좋다.Next, in the processing unit (16), a cleaning process is performed to clean the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) (step S8). In addition, this cleaning process does not need to be performed every time a single wafer (W) is removed. That is, the timing at which the cleaning process is performed can be arbitrarily set, and for example, the cleaning process may be performed once after substrate processing on a plurality of wafers (W) is performed. In addition, the substrate holding mechanism (30) may also be cleaned during the processing in step S8.

제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리에 관해, 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.The cleaning process of the first peripheral wall portion (54a) will be described with reference to Fig. 8. Fig. 8 is a flow chart showing an example of the processing sequence of the cleaning process of the first peripheral wall portion (54a) performed in the substrate processing system (1).

제어 장치(4)의 제어부(18)는, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 지지 부재(56a)를 상승시키고, 제1 액수용부(55a)를 상승시킨다(단계 S10. 도 6b 참조). 계속해서, 제어부(18)는 세정액 공급부(80)의 밸브(85c)를 개방하여, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 공급한다(단계 S11). The control unit (18) of the control device (4) raises the first support member (56a) by the first lifting drive unit (56b) and raises the first liquid container (55a) (step S10. See Fig. 6b). Subsequently, the control unit (18) opens the valve (85c) of the cleaning liquid supply unit (80) to supply the cleaning liquid to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall unit (54a) (step S11).

계속해서, 제어부(18)는, 세정액을 공급하고 나서 정해진 시간이 경과하면, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 지지 부재(56a)를 하강시키고, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 이동시킨다(단계 S12. 도 6a 참조). Continuing, the control unit (18) lowers the first support member (56a) by the first lifting drive unit (56b) after a set time has elapsed after supplying the cleaning liquid, and moves the first liquid container (55a) to the retracted position (step S12. See Fig. 6a).

이와 같이, 제1 액수용부(55a)를 후퇴 위치로 함으로써, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)도 세정할 수 있다. 또한, 세정 처리시에, 제1 액수용부(55a)를 승강시킴으로써, 제1 지지 부재(56a)가 세정액으로 채워진 삽입 관통 구멍(59) 내를 이동하게 되고, 따라서 제1 지지 부재(56a)의 외주에 부착된 이물질을 효율적으로 제거할 수 있다. 또, 상기 제1 액수용부(55a)의 승강 동작을 복수회 반복하여 행하도록 해도 좋다. In this way, by setting the first liquid container (55a) to the retracted position, the lower surface (55a1) of the first liquid container (55a) can also be cleaned. In addition, by raising and lowering the first liquid container (55a) during the cleaning process, the first support member (56a) moves within the insertion through hole (59) filled with the cleaning liquid, and thus foreign substances attached to the outer periphery of the first support member (56a) can be efficiently removed. In addition, the raising and lowering operation of the first liquid container (55a) may be repeated multiple times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시키고 나서 정해진 시간이 경과하면, 세정액 공급부(80)의 밸브(85c)를 폐쇄하여, 세정액의 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)으로의 공급을 정지한다(단계 S13). 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 세정 처리가 완료한다. Next, the control unit (18) lowers the first liquid container (55a) and, after a predetermined time has elapsed, closes the valve (85c) of the cleaning liquid supply unit (80) to stop the supply of the cleaning liquid to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) (step S13). Accordingly, the cleaning process of the first peripheral wall portion (54a) is completed.

또, 제어부(18)는, 유지부(31) 및 제1, 제2 회전컵(101, 102)을 회전시킨 상태로 세정 처리를 행하도록 해도 좋다. 유지부(31) 등을 회전시킴으로써, 선회류가 생겨 세정액이 상면(54a1)에 있어서 광범위하게 퍼지는 것은 전술한 바와 같다. In addition, the control unit (18) may perform the cleaning process while rotating the holding unit (31) and the first and second rotating cups (101, 102). As described above, by rotating the holding unit (31) and the like, a circulating flow is generated and the cleaning liquid is widely spread on the upper surface (54a1).

전술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 유지부(31)와, 처리 유체 공급부(40)(「처리액 공급부」의 일례에 상당)와, 회수컵(50)과, 세정액 공급부(80)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 유지한다. 처리 유체 공급부(40)는 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다.As described above, the processing unit (16) according to the first embodiment (equivalent to an example of a “substrate processing device”) is provided with a holding unit (31), a processing fluid supply unit (40) (equivalent to an example of a “processing liquid supply unit”), a recovery cup (50), and a cleaning liquid supply unit (80). The holding unit (31) holds a wafer (W). The processing fluid supply unit (40) supplies a processing liquid to the wafer (W).

회수컵(50)의 제1 컵(50a)은, 바닥부(53)와, 바닥부(53)로부터 세워져 설치되는 통형상의 제1 둘레벽부(54a)와, 제1 둘레벽부(54a)의 상측에 설치되어 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받는 제1 액수용부(55a)와, 제1 둘레벽부(54a)의 상면에 둘레 방향을 따라서 형성된 홈부(58)를 가지며, 유지부(31)를 둘러싼다. 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 세정액을 공급한다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. The first cup (50a) of the recovery cup (50) has a bottom portion (53), a cylindrical first peripheral wall portion (54a) erected from the bottom portion (53), a first liquid receiving portion (55a) installed on the upper side of the first peripheral wall portion (54a) to receive a treatment liquid sprayed from a wafer (W), and a groove portion (58) formed along the circumferential direction on the upper surface of the first peripheral wall portion (54a), and surrounds the holding portion (31). The cleaning liquid supply portion (80) supplies the cleaning liquid to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a). Accordingly, foreign substances attached to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) can be removed.

<5. 변형예><5. Variant Example>

다음으로, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 제1∼제4 변형예에 관해 설명한다. 제1 변형예에서의 처리 유닛(16)에서는, 제1 실시형태에 있어서 고리형으로 형성되어 있던 홈부(58)의 형상을 변경하도록 했다. Next, the first to fourth modifications of the processing unit (16) according to the first embodiment will be described. In the processing unit (16) of the first modification, the shape of the groove portion (58) formed in a ring shape in the first embodiment is changed.

도 9는, 제1 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 Z축 상측으로부터 본 경우의 모식 평면도이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 제1 변형예에서는, 홈부(58)를 복수개(도 9의 예에서는 3개)로 분할하고, 분할된 홈부(58)가 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따라서 형성된다. Fig. 9 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion (54a) in the first modified example when viewed from the upper side of the Z axis. As shown in Fig. 9, in the first modified example, the groove portion (58) is divided into a plurality of portions (three in the example of Fig. 9), and the divided groove portions (58) are formed along the peripheral direction on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a).

또한, 분할된 홈부(58)에는 각각, 상기 세정액의 토출구(85)가 형성되어 있다. 또, 토출구(85)가 형성되는 위치는, 예를 들면 홈부(58)에 있어서 세정액의 흐름 방향의 상류측의 단부(端部) 부근인 것이 바람직하다. 이에 따라, 세정액을 홈부(58)의 단부로부터 흘릴 수 있고, 따라서 홈부(58)를 흐르면서 홈부(58)로부터 흘러넘친 세정액은 상면(54a1)에 있어서 광범위하게 퍼지게 되어, 상면(54a1)을 효율적으로 세정할 수 있다. 또, 홈부(58)에 있어서 토출구(85)가 형성되는 위치는, 상기에 한정되지는 않는다. In addition, each of the divided grooves (58) is formed with a discharge port (85) for the cleaning liquid. In addition, the position where the discharge port (85) is formed is preferably, for example, near the end portion on the upstream side in the flow direction of the cleaning liquid in the groove (58). Accordingly, the cleaning liquid can flow from the end portion of the groove (58), and therefore, the cleaning liquid that flows through the groove (58) and overflows from the groove (58) spreads widely on the upper surface (54a1), so that the upper surface (54a1) can be cleaned efficiently. In addition, the position where the discharge port (85) is formed in the groove (58) is not limited to the above.

다음으로, 제2 변형예에 관해 설명한다. 제2 변형예에 따른 처리 유닛(16)에서는, 세정액 공급부(80)의 토출구(85)의 방향을 바꾸도록 했다. 도 10은, 제2 변형예에서의 세정액 공급관(84c)의 토출구(85) 부근을 확대하여 나타내는 종단면도이다. Next, a second modified example will be described. In the processing unit (16) according to the second modified example, the direction of the discharge port (85) of the cleaning solution supply unit (80) is changed. Fig. 10 is a longitudinal cross-sectional view showing an enlarged view of the vicinity of the discharge port (85) of the cleaning solution supply pipe (84c) in the second modified example.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제2 변형예에 있어서, 토출구(85)에는, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급된 세정액이 흐르는 세정액 공급로(84c1)가 접속된다. 세정액 공급로(84c1)는, 제1 둘레벽부(54a)의 둘레 방향(도 10에서는 지면 좌우 방향)을 따라서 경사지고, 토출구(85)의 토출 방향을 Z축 방향에 대하여 기울이도록 구성된다. 다시 말해서, 세정액 공급로(84c1)는, 토출구(85)로부터의 세정액의 토출 방향이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 향하도록 형성된다. 또, 여기서의 「한방향」은, 제1, 제2 회전컵(101, 102)의 선회류에 의해 세정액에 작용하는 힘의 방향과 동일한 방향, 즉 도 4에서의 시계 방향이다. As shown in Fig. 10, in the second modified example, a cleaning liquid supply path (84c1) through which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe (84c) flows is connected to the discharge port (85). The cleaning liquid supply path (84c1) is configured to be inclined along the circumferential direction (left-right direction of the ground in Fig. 10) of the first circumferential wall portion (54a) and to tilt the discharge direction of the discharge port (85) with respect to the Z-axis direction. In other words, the cleaning liquid supply path (84c1) is formed so that the discharge direction of the cleaning liquid from the discharge port (85) faces one direction along the circumferential direction on the upper surface (54a1) of the first circumferential wall portion (54a). In addition, "one direction" here means the same direction as the direction of the force acting on the cleaning liquid by the circling flow of the first and second rotary cups (101, 102), that is, the clockwise direction in Fig. 4.

이에 따라, 선회류의 유무에 상관없이, 세정액을 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 흘릴 수 있고, 따라서 세정액을 상면(54a1)에 있어서 한층 더 광범위하게 퍼지게 하여 효율적으로 세정할 수 있다. Accordingly, regardless of the presence or absence of a swirling flow, the cleaning liquid can be flowed in one direction along the circumferential direction on the upper surface (54a1) of the first circumferential wall portion (54a), and thus the cleaning liquid can be spread more widely on the upper surface (54a1) to perform cleaning efficiently.

또한, 처리 유닛(16)에 있어서는, 세정액 공급부(80)의 토출구(85)로부터 토출되는 세정액의 유량을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중 세정하는 부위에 따라서 변경하도록 해도 좋다. In addition, in the processing unit (16), the flow rate of the cleaning liquid discharged from the discharge port (85) of the cleaning liquid supply unit (80) may be changed depending on the area to be cleaned among the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a).

도 11은, 세정하는 부위의 토출구(85)로부터의 거리와 세정액의 유량의 관계의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 비교적 짧은 경우, 즉, 예를 들면 토출구(85) 부근을 세정하는 경우, 세정액의 유량 A은 비교적 낮은 값이 된다. 이에 따라, 세정액은, 토출구(85) 부근에 비교적 많이 공급되게 되어, 토출구(85) 부근을 효율적으로 세정할 수 있다. Fig. 11 is a drawing showing an example of the relationship between the distance from the discharge port (85) of the area to be cleaned and the flow rate of the cleaning liquid. As shown in Fig. 11, when the distance from the discharge port (85) to the area to be cleaned is relatively short, that is, for example, when cleaning the vicinity of the discharge port (85), the flow rate A of the cleaning liquid becomes a relatively low value. Accordingly, the cleaning liquid is supplied in a relatively large amount to the vicinity of the discharge port (85), so that the vicinity of the discharge port (85) can be cleaned efficiently.

한편, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 비교적 긴 경우, 즉, 예를 들면 토출구(85)로부터 비교적 떨어져 있는 제1 지지 부재(56a) 부근을 세정하는 경우, 세정액의 유량 B는, 토출구(85) 부근을 세정하는 경우와 비교해서 높은 값이 된다. 이에 따라, 세정액은, 예를 들면 제1 지지 부재(56a) 부근에 비교적 많이 공급되게 되어, 제1 지지 부재(56a) 부근을 효율적으로 세정할 수 있다. Meanwhile, when the distance from the discharge port (85) to the cleaning area is relatively long, that is, for example, when cleaning the vicinity of the first support member (56a) that is relatively far from the discharge port (85), the flow rate B of the cleaning liquid becomes a higher value compared to the case of cleaning the vicinity of the discharge port (85). Accordingly, the cleaning liquid is supplied in a relatively large amount to, for example, the vicinity of the first support member (56a), so that the vicinity of the first support member (56a) can be cleaned efficiently.

이와 같이, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1) 중 세정하는 부위에 따라서 토출구(85)로부터 토출되는 세정액의 유량을 변경함으로써, 상면(54a1)에 있어서 국소적인 세정을 행하는 것도 가능해진다. In this way, by changing the flow rate of the cleaning liquid discharged from the discharge port (85) depending on the area to be cleaned on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), it becomes possible to perform local cleaning on the upper surface (54a1).

또, 도 11에 나타내는 예에서는, 토출구(85)로부터 세정 부위까지의 거리가 길어짐에 따라서, 세정액의 유량을 연속적으로 증가시키도록 했지만, 이것은 예시이며 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면 세정액의 유량을 단계적으로(계단형으로) 증가시키는 등, 세정액의 유량을 증가시키는 수법은 임의로 변경하는 것이 가능하다. In addition, in the example shown in Fig. 11, the flow rate of the cleaning liquid is continuously increased as the distance from the discharge port (85) to the cleaning area increases, but this is an example and is not limited. That is, for example, the method of increasing the flow rate of the cleaning liquid, such as increasing the flow rate of the cleaning liquid stepwise (stepwise), can be arbitrarily changed.

다음으로, 제3 변형예에 관해 설명한다. 도 12a는, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 나타내는 모식 단면도이다. Next, a third modified example will be described. Fig. 12a is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion (54a) in the third modified example.

도 12a에 나타낸 바와 같이, 제3 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)는 경사부(54a3)를 구비한다. 경사부(54a3)는, 상면(54a1)에 형성되고, 홈부(58)를 향해 내리막 구배가 되도록 형성된다. 이에 따라, 예를 들면 세정 처리후에 상면(54a1)에 세정액(A)이 잔류한 경우라 하더라도, 잔류한 세정액(A)은 경사부(54a3)를 타고 세정액 공급관(84c)에 유입된다. As shown in Fig. 12a, the first peripheral wall portion (54a) in the third modified example has an inclined portion (54a3). The inclined portion (54a3) is formed on the upper surface (54a1) and is formed to have a downward slope toward the groove portion (58). Accordingly, even if, for example, cleaning liquid (A) remains on the upper surface (54a1) after the cleaning process, the remaining cleaning liquid (A) flows into the cleaning liquid supply pipe (84c) along the inclined portion (54a3).

이와 같이, 제3 변형예에서는, 경사부(54a3)를 설치함으로써, 잔류한 세정액(A)이 상면(54a1)에 머무르기 어렵도록 했다. 이에 따라, 세정 처리후에 행해지는 기판 처리에 있어서, 처리액의 농도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. In this way, in the third modified example, by installing the inclined portion (54a3), it is difficult for the remaining cleaning liquid (A) to remain on the upper surface (54a1). Accordingly, in the substrate treatment performed after the cleaning treatment, it is possible to suppress a decrease in the concentration of the treatment liquid.

즉, 예를 들면, 세정액(A)이 상면(54a1)에 남아 있으면, 세정 처리후의 기판 처리에 있어서 처리액에 세정액(A)이 혼입되어 처리액의 농도가 저하되는 경우가 있다. 그러나, 제3 변형예에서는, 상기와 같은 경사부(54a3)를 설치하기 때문에, 처리액의 농도의 저하를 억제할 수 있다. That is, for example, if the cleaning liquid (A) remains on the upper surface (54a1), there are cases where the cleaning liquid (A) is mixed into the treatment liquid during substrate treatment after the cleaning process, thereby lowering the concentration of the treatment liquid. However, in the third modified example, since the inclined portion (54a3) as described above is provided, the lowering of the concentration of the treatment liquid can be suppressed.

다음으로, 제4 변형예에 관해 설명한다. 상기 제3 변형예에서는, 경사부(54a3)가 홈부(58)를 향해 내리막 구배가 되도록 형성되도록 했지만, 경사부의 형상은 이것으로 한정되지 않는다. 도 12b는, 제4 변형예에서의 제1 둘레벽부(54a)를 나타내는 모식 단면도이다. Next, a fourth modified example will be described. In the third modified example, the inclined portion (54a3) is formed to have a downward slope toward the groove portion (58), but the shape of the inclined portion is not limited to this. Fig. 12b is a schematic cross-sectional view showing the first peripheral wall portion (54a) in the fourth modified example.

도 12b에 나타낸 바와 같이, 제4 변형예에 따른 경사부(54a4)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성되고, 제1 둘레벽부(54a)의 측면(54a2)을 향해 내리막 구배가 되도록 형성된다. As shown in Fig. 12b, the inclined portion (54a4) according to the fourth modified example is formed on the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) and is formed to have a downward slope toward the side surface (54a2) of the first peripheral wall portion (54a).

이에 따라, 예를 들면 세정 처리후에 상면(54a1)에 잔류한 세정액(A)은, 경사부(54a4)를 타고 측면(54a2)으로 흘러 배출된다. 따라서, 제4 변형예에 있어서는, 제3 변형예와 마찬가지로 경사부(54a4)를 설치함으로써, 잔류한 세정액(A)이 상면(54a1)에 머무르기 어렵게 할 수 있고, 따라서 세정 처리후에 행해지는 기판 처리에 있어서 처리액의 농도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. Accordingly, for example, the cleaning liquid (A) remaining on the upper surface (54a1) after the cleaning treatment flows along the inclined portion (54a4) to the side surface (54a2) and is discharged. Therefore, in the fourth modified example, similarly to the third modified example, by providing the inclined portion (54a4), it is possible to make it difficult for the remaining cleaning liquid (A) to remain on the upper surface (54a1), and thus, it is possible to suppress a decrease in the concentration of the treatment liquid in the substrate treatment performed after the cleaning treatment.

(제2 실시형태)(Second embodiment)

이어서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 관해 설명한다. 또, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 관해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다. Next, a substrate processing system (1) according to the second embodiment will be described. In addition, in the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.

제2 실시형태에 있어서는, 유지부(31)의 이면측에 있어서, 처리액이 회전 중심(C)측으로 튀어오르는 것을 억제하는 구성으로 했다. 이하, 이러한 구성에 관해 도 13 이후를 참조하여 설명한다. In the second embodiment, a configuration is provided on the back side of the retainer (31) to suppress the treatment liquid from splashing toward the center of rotation (C). Hereinafter, this configuration will be described with reference to FIG. 13 and thereafter.

도 13은, 유지부(31)의 이면(31a)을 Z축 하측으로부터 본 경우의 모식 하면도이다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 유지부(31)의 이면(31a)에는, 유지 부재(311)를 유지부(31)에 고정하는 제1 고정부(110)와, 웨이퍼(W)의 지지핀(312)(도 17 참조)을 유지부(31)에 고정하는 제2 고정부(120)가 설치된다. Fig. 13 is a schematic bottom view of the back surface (31a) of the holding member (31) when viewed from the lower side of the Z axis. As shown in Fig. 13, a first fixing member (110) for fixing a holding member (311) to the holding member (31) and a second fixing member (120) for fixing a support pin (312) (see Fig. 17) of a wafer (W) to the holding member (31) are installed on the back surface (31a) of the holding member (31).

제1 고정부(110) 및 제2 고정부(120)는, 각각 복수개(도 13의 예에서는 3개) 설치된다. 또한, 제1, 제2 고정부(110, 120)는, 유지부(31)의 회전 중심(C)을 중심으로 하여 원주 방향으로 대략 등간격이 되는 위치에 배치된다. 또, 상기 제1, 제2 고정부(110, 120)의 개수나 배치 위치는, 예시이며 한정되지는 않는다. The first fixing part (110) and the second fixing part (120) are each installed in multiple numbers (three in the example of Fig. 13). In addition, the first and second fixing parts (110, 120) are arranged at positions that are approximately equally spaced in the circumferential direction with respect to the rotation center (C) of the holding part (31). In addition, the number and arrangement positions of the first and second fixing parts (110, 120) are examples and are not limited.

도 14a는, 제1 고정부(110)를 확대하여 나타내는 모식 하면도이고, 도 14b는, 비교예에 따른 제1 고정부(210)를 나타내는 모식 하면도이다. 또한, 도 15는, 도 13의 XV-XV선 단면도이다. Fig. 14a is a schematic diagram showing an enlarged view of the first fixing part (110), and Fig. 14b is a schematic diagram showing the first fixing part (210) according to a comparative example. In addition, Fig. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of Fig. 13.

도 15에 나타낸 바와 같이, 유지 부재(311)는, 유지부(31)의 관통 구멍(31b)에 삽입 관통되도록 위치되고, 일단(311a)측의 절결 부분에서 웨이퍼(W)를 끼워 넣어 유지한다. 또한, 유지 부재(311)는, 타단(311b)이 유지부(31)의 이면(31a)측에 노출되고, 이러한 타단(311b)이 제1 고정부(110)에 의해 고정된다. As shown in Fig. 15, the retaining member (311) is positioned to be inserted into the through hole (31b) of the retaining portion (31), and the wafer (W) is inserted and retained at the cut portion on one end (311a) side. In addition, the retaining member (311) has the other end (311b) exposed on the back surface (31a) side of the retaining portion (31), and this other end (311b) is fixed by the first fixing portion (110).

제1 고정부(110)의 설명을 계속하기 전에, 도 14b를 이용하여 비교예에 따른 제1 고정부(210)에 관해 설명한다. 도 14b에 나타낸 바와 같이, 비교예에서의 제1 고정부(210)는, 유지부(31)의 타단(311b)의 양 측면을 부분적으로 협지하는 본체부(211)와, 본체부(211)를 유지부(31)에 체결 고정하는 나사(212)를 구비한다. Before continuing with the description of the first fixing part (110), the first fixing part (210) according to the comparative example will be described using Fig. 14b. As shown in Fig. 14b, the first fixing part (210) in the comparative example has a main body part (211) that partially pinches both sides of the other end (311b) of the holding part (31), and a screw (212) that fastens and fixes the main body part (211) to the holding part (31).

본체부(211)에 있어서는, 유지부(31)의 타단(311b)을 협지하는 위치에 있어서, 타단(311b)이 유지부(31)의 회전 중심(C)(도 13 참조)측을 향해서 돌출되는 형상이 된다. 또한, 나사(212)로는 마이너스 나사가 이용된다. In the main body (211), the other end (311b) of the holding portion (31) is positioned to be held so that the other end (311b) protrudes toward the rotation center (C) (see Fig. 13) of the holding portion (31). In addition, a minus screw is used as the screw (212).

제1 고정부(210)가 상기와 같이 구성되면, 예를 들면, 처리액은 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어올라, 제1 고정부(210) 부근에 처리액의 결정 등의 이물질이 부착될 우려가 있었다. If the first fixed part (210) is configured as described above, for example, the treatment liquid may jump toward the rotation center (C) of the holding part (31), and there is a risk that foreign substances such as crystals of the treatment liquid may adhere to the vicinity of the first fixed part (210).

즉, 유지부(31)가 회전 방향(D)으로 회전되면, 비산된 처리액은, 도 14b에 파선의 폐곡선(B1)으로 나타낸 바와 같이, 본체부(211)로부터 돌출된 부위에 접촉하여, 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어오르는 경우가 있었다.That is, when the maintenance part (31) is rotated in the rotational direction (D), the scattered treatment liquid may come into contact with a portion protruding from the main body part (211), as indicated by the closed curve (B1) of the broken line in Fig. 14b, and may bounce toward the rotation center (C) of the maintenance part (31).

또한, 나사(212)가 마이너스 나사인 경우, 마이너스홈(212a)의 방향에 따라서는, 처리액이 마이너스홈(212a)을 통과하여 유지부(31)의 회전 중심(C)측을 향해 튀어오르는 경우가 있었다. 상기와 같이 튀어오른 처리액은, 유지부(31)의 이면(31a)에 있어서 건조되어, 결정 등의 이물질로서 부착되는 경우가 있었다. In addition, when the screw (212) is a minus screw, depending on the direction of the minus groove (212a), there were cases where the treatment liquid passed through the minus groove (212a) and splashed toward the center of rotation (C) of the holding portion (31). The treatment liquid that splashed as described above dried on the back surface (31a) of the holding portion (31) and sometimes attached as foreign substances such as crystals.

따라서, 제2 실시형태에 따른 제1 고정부(110)에 있어서는, 상기와 같이 액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있는 구성으로 했다. 구체적으로는, 도 14a에 나타낸 바와 같이, 제1 고정부(110)는, 본체부(111)와 나사(112)를 구비한다. Therefore, in the first fixed part (110) according to the second embodiment, a configuration capable of suppressing the liquid from splashing up as described above was adopted. Specifically, as shown in Fig. 14a, the first fixed part (110) has a main body part (111) and a screw (112).

본체부(111)는, 유지부(31)의 타단(311b)의 양 측면을 전체적으로 협지한다. 즉, 본체부(111)의 유지부(31)를 협지하는 위치에 있어서, 유지부(31)의 타단(311b)이 돌출되지 않는 형상으로 했다. 이에 따라, 처리액이 본체부(111)에 접촉하여 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. The main body (111) entirely clamps both sides of the other end (311b) of the holding portion (31). That is, the other end (311b) of the holding portion (31) is shaped so that it does not protrude at the position where the holding portion (31) of the main body (111) is clamped. Accordingly, the treatment liquid can be prevented from coming into contact with the main body (111) and splashing out.

또한, 본체부(111)에 있어서, 비산된 처리액이 접촉하기 쉬운 측면, 즉, 회전 방향(D)측의 측면에는, 처리액을 유지부(31)의 외측으로 안내하기 위한 경사 안내부(111a)가 형성된다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(111a)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. In addition, in the main body (111), on the side with which the scattered treatment liquid is likely to come into contact, that is, on the side on the rotational direction (D), an inclined guide part (111a) is formed to guide the treatment liquid to the outside of the holding part (31). Accordingly, the scattered treatment liquid flows to the outside of the holding part (31) by the inclined guide part (111a), and thus, the treatment liquid can be prevented from splashing up.

또한, 나사(112)로는 육각 나사를 이용하도록 했다. 이에 따라, 처리액이 나사(112)의 헤드부의 홈을 통과하여 유지부(31)측의 회전 중심(C)측으로 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. 또, 나사(112)는, 육각 나사에 한정되는 것이 아니라, 처리액이 흐르는 홈이 헤드부에 형성되어 있지 않은 나사라면, 어떠한 종류의 나사이어도 좋다. In addition, a hexagonal screw is used as the screw (112). Accordingly, it is possible to suppress the treatment liquid from passing through the groove of the head of the screw (112) and splashing toward the center of rotation (C) of the holding portion (31). In addition, the screw (112) is not limited to a hexagonal screw, and any type of screw may be used as long as the groove through which the treatment liquid flows is not formed in the head.

또, 도 14a에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 본체부(111)에 있어서, 경사 안내부(111a)가 형성되는 측면과는 반대측의 측면에도 경사 안내부(111c)를 형성하도록 해도 좋다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(111c)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 한층 더 억제할 수 있다. In addition, as shown in the imaginary line in Fig. 14a, in the main body (111), an inclined guide part (111c) may be formed on a side opposite to the side where the inclined guide part (111a) is formed. Accordingly, the scattered treatment liquid flows to the outside of the holding part (31) by the inclined guide part (111c), and thus, the treatment liquid can be further suppressed from splashing.

이어서, 제2 고정부(120)에 관해 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 16은, 제2 고정부(120)를 확대하여 나타내는 모식 하면도이고, 도 17은, 도 13의 XVII-XVII선 단면도이다. Next, the second fixed part (120) will be described with reference to FIGS. 16 and 17. FIG. 16 is a schematic diagram showing the second fixed part (120) in an enlarged manner, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII of FIG. 13.

도 17에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 지지핀(312)은, 웨이퍼(W)를 하면측으로부터 지지하는 부재이다. 구체적으로는, 지지핀(312)은, 유지부(31)의 관통 구멍(31c)에 삽입 관통되도록 위치되고, 일단(312a)측에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 지지핀(312)은, 타단(312b)이 유지부(31)의 이면(31a)측으로 돌출되고, 이러한 타단(312b)이 제2 고정부(120)에 의해 고정된다. As shown in Fig. 17, the support pin (312) of the wafer (W) is a member that supports the wafer (W) from the lower side. Specifically, the support pin (312) is positioned so as to be inserted into the through hole (31c) of the holding portion (31), and supports the wafer (W) from one end (312a) side. In addition, the other end (312b) of the support pin (312) protrudes toward the back surface (31a) of the holding portion (31), and this other end (312b) is fixed by the second fixing portion (120).

제2 실시형태에 따른 제2 고정부(120)에 있어서는, 상기와 같은 액이 튀어오르는 것의 발생을 억제할 수 있는 구성으로 했다. 구체적으로는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 제2 고정부(120)는, 본체부(121)와 나사(122)를 구비한다. In the second fixed part (120) according to the second embodiment, a configuration capable of suppressing the occurrence of the liquid splashing as described above was adopted. Specifically, as shown in Fig. 16, the second fixed part (120) has a main body part (121) and a screw (122).

본체부(121)는, 하면시에 있어서 사각형으로 했다. 이에 따라, 처리액이 본체부(121)에 접촉하여 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. The main body (121) is formed in a square shape when viewed from the bottom. Accordingly, the treatment liquid can be prevented from splashing out when it comes into contact with the main body (121).

또한, 본체부(121)에 있어서, 비산된 처리액이 접촉하기 쉬운 측면, 즉, 회전 방향(D)측의 측면에는, 처리액을 유지부(31)의 외측으로 안내하기 위한 경사 안내부(121a)가 형성된다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(121a)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. In addition, in the main body (121), on the side with which the scattered treatment liquid is likely to come into contact, that is, on the side on the rotational direction (D), an inclined guide part (121a) is formed to guide the treatment liquid to the outside of the holding part (31). Accordingly, the scattered treatment liquid flows to the outside of the holding part (31) by the inclined guide part (121a), and thus, the treatment liquid can be prevented from splashing up.

또한, 나사(122)로는 육각 나사를 이용하도록 했다. 이에 따라, 유지부(31)측의 회전 중심(C)측으로 액이 튀어오르는 것을 억제할 수 있다. 또, 나사(122)도, 나사(112)와 마찬가지로 육각 나사로 한정되지는 않는다. In addition, a hexagonal screw is used as the screw (122). Accordingly, it is possible to suppress the liquid from splashing toward the center of rotation (C) of the maintenance part (31). In addition, the screw (122), like the screw (112), is not limited to a hexagonal screw.

또, 도 16에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 본체부(121)에 있어서, 경사 안내부(121a)가 형성되는 측면과는 반대측의 측면에도 경사 안내부(121c)를 형성하도록 해도 좋다. 이에 따라, 비산된 처리액은, 경사 안내부(121c)에 의해 유지부(31)의 외측으로 흐르고, 따라서 처리액이 튀는 것을 한층 더 억제할 수 있다. In addition, as shown in the imaginary line in Fig. 16, in the main body (121), an inclined guide (121c) may be formed on a side opposite to the side where the inclined guide (121a) is formed. Accordingly, the scattered treatment liquid flows to the outside of the holding part (31) by the inclined guide (121c), and thus, the treatment liquid can be further suppressed from splashing.

(제3 실시형태)(Third embodiment)

이어서, 제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)에 관해 설명한다. 도 18은, 제3 실시형태에서의 제1 둘레벽부(54a)의 모식 평면도이다. 도 18에 나타낸 바와 같이, 제3 실시형태에서는, 토출구(85)는 홈부(58)의 저면에 미리 정해진 범위에 걸쳐 형성되는 개구이다. 토출구(85)와 홈부(58)와의 경계는, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위의 상단(上端) 가장자리(84d)(후술하는 도 19, 20 참조)를 포함하지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 또한, 토출구(85)는, 개구 면적이 세정액 공급관(84c)(도 20 참조)의 유로의 면적보다 커지도록 형성된다. Next, the cleaning solution supply section (80) of the processing unit (16) according to the third embodiment will be described. Fig. 18 is a schematic plan view of the first peripheral wall section (54a) in the third embodiment. As shown in Fig. 18, in the third embodiment, the discharge port (85) is an opening formed over a predetermined range on the bottom surface of the groove section (58). The boundary between the discharge port (85) and the groove section (58) includes, but is not limited to, the upper end edge (84d) of the inclined portion of the cleaning solution supply path (84c1) (see Figs. 19 and 20 described later). In addition, the discharge port (85) is formed so that the opening area is larger than the area of the flow path of the cleaning solution supply pipe (84c) (see Fig. 20).

그리고, 토출구(85)와 세정액 공급관(84c) 사이에 중간부(400)를 설치함으로써, 세정액 공급관(84c)으로부터의 세정액의 수세(水勢)를 약하게 하고, 토출구(85)의 토출 방향을 기울여, 세정액 공급관(84c)으로부터의 세정액의 유로를 홈부(58)로 향하도록 했다. 다시 말해서, 중간부(400)는, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급되는 세정액의 수세를 상면(54a1)이나 홈부(58)에 공급하기에 적합한 수세로 약하게 하는 버퍼로서의 기능과, 세정액의 유로의 방향을 바꾸는 기능을 갖추도록 했다. And, by installing an intermediate portion (400) between the discharge port (85) and the cleaning liquid supply pipe (84c), the water force of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe (84c) is weakened, and the discharge direction of the discharge port (85) is tilted so that the flow path of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe (84c) is directed toward the groove portion (58). In other words, the intermediate portion (400) is provided with a function of a buffer that weakens the water force of the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe (84c) to a water force suitable for supplying to the upper surface (54a1) or the groove portion (58), and a function of changing the direction of the flow path of the cleaning liquid.

이하, 중간부(400)의 상세한 구성에 관해, 도 19 및 도 20을 참조하면서 설명한다. 도 19는, 도 18에 일점쇄선으로 나타내는 폐곡선 E1 부근을 확대한 모식 확대 평면도이다. 또한, 도 20은 도 19의 XX-XX선 단면도이다. Hereinafter, the detailed configuration of the middle portion (400) will be described with reference to FIGS. 19 and 20. FIG. 19 is a schematic enlarged plan view that enlarges the vicinity of the closed curve E1 indicated by the dashed-dotted line in FIG. 18. In addition, FIG. 20 is a cross-sectional view taken along the line XX-XX of FIG. 19.

도 19 및 도 20에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급부(80)는 중간부(400)를 구비하고, 이러한 중간부(400)는, 오목부(402)와 유로(403)를 구비한 베이스부(401)에 의해 구성된다. As shown in FIG. 19 and FIG. 20, the cleaning solution supply unit (80) has a middle portion (400), and this middle portion (400) is composed of a base portion (401) having a concave portion (402) and a flow path (403).

베이스부(401)는, 원기둥형(기둥형의 일례)으로 형성되지만, 이것으로 한정되지는 않으며, 예를 들면 각기둥형 등의 그 밖의 형상이어도 좋다. 오목부(402)는, 베이스부(401)의 측면에 둘레 방향을 따라서 형성된다. 도 19, 20에 나타내는 예에서, 오목부(402)는, 베이스부(401)의 측면의 전체 둘레에 걸쳐 형성되지만, 이것으로 한정되지 않고, 베이스부(401)의 측면의 일부에 형성되도록 해도 좋다. The base portion (401) is formed in a cylindrical shape (an example of a columnar shape), but is not limited thereto, and may have other shapes, such as a prismatic shape, for example. The concave portion (402) is formed along the circumferential direction on the side surface of the base portion (401). In the examples shown in Figs. 19 and 20, the concave portion (402) is formed over the entire circumference of the side surface of the base portion (401), but is not limited thereto, and may be formed on a part of the side surface of the base portion (401).

또한, 오목부(402)와 제1 둘레벽부(54a) 사이에는 체류부(404)가 형성된다. 체류부(404)는, 중간부(400)가 제1 둘레벽부(54a)에 부착된 상태일 때에, 오목부(402)와 제1 둘레벽부(54a)에 의해 형성되는 공간이다. 체류부(404)에 있어서는, 후술하는 바와 같이 세정액 공급관(84c)으로부터 공급되는 세정액이 일단 체류되기 때문에, 세정액의 수세를 약하게 할 수 있고, 세정액이 비산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 체류부(404)에 있어서는, 세정액의 체류에 의해 세정액의 유량을 늘리는 것이 가능해져, 세정액을 단시간에 홈부(58) 전체에 퍼지게 할 수 있다. In addition, a retention portion (404) is formed between the concave portion (402) and the first peripheral wall portion (54a). The retention portion (404) is a space formed by the concave portion (402) and the first peripheral wall portion (54a) when the middle portion (400) is attached to the first peripheral wall portion (54a). In the retention portion (404), as described later, since the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe (84c) is temporarily retained, the washing of the cleaning liquid can be weakened and the cleaning liquid can be prevented from scattering. In addition, in the retention portion (404), the flow rate of the cleaning liquid can be increased by the retention of the cleaning liquid, and the cleaning liquid can be spread throughout the entire groove portion (58) in a short period of time.

유로(403)는 베이스부(401)의 내부에 형성되고, 세정액 공급관(84c)으로부터 공급된 세정액이 흐른다. 유로(403)에 있어서, 일단(一端)에는 유입구(403a)가 형성되는 한편, 타단(他端)에는 유출구(403b)가 형성된다. 또한, 유입구(403a)에 대향하는 면에 대향면(405)이 형성된다.A flow path (403) is formed inside the base portion (401), and a cleaning liquid supplied from a cleaning liquid supply pipe (84c) flows therethrough. In the flow path (403), an inlet (403a) is formed at one end, and an outlet (403b) is formed at the other end. In addition, an opposing surface (405) is formed on a surface facing the inlet (403a).

유입구(403a)는, 베이스부(401)의 하면의 중심 부근에 형성되고, 세정액 공급관(84c)에 접속되어 세정액이 유입된다. 유출구(403b)는, 오목부(402)에 형성되고, 유입구(403a)에 유입된 세정액을 유출시킨다. 다시 말해서, 유출구(403b)는 베이스부(401)의 측면에 형성된다. 이와 같이, 유입구(403a)는 베이스부(401)의 하면에, 유출구(403b)는 베이스부(401)의 측면에 형성되고, 유입구(403a)에 대향하는 유로(403)의 상면에 대향면(405)이 형성되기 때문에, 유로(403)는 베이스부(401)의 내부에서 굴곡된 형상이 되며, 예를 들면 단면시(斷面視) 역 L자형으로 형성되지만, 형상 등은 이것으로 한정되지는 않는다. The inlet (403a) is formed near the center of the lower surface of the base portion (401) and is connected to a cleaning liquid supply pipe (84c) so that the cleaning liquid flows in. The outlet (403b) is formed in the concave portion (402) and causes the cleaning liquid that has flowed in the inlet (403a) to flow out. In other words, the outlet (403b) is formed on the side surface of the base portion (401). In this way, the inlet (403a) is formed on the lower surface of the base portion (401), the outlet (403b) is formed on the side surface of the base portion (401), and an opposing surface (405) is formed on the upper surface of the flow path (403) facing the inlet (403a), so that the flow path (403) has a curved shape inside the base portion (401), and is formed, for example, in an inverted L-shape when viewed in cross section, but the shape, etc., is not limited thereto.

상기와 같이 구성된 중간부(400)는, 도 20에 나타낸 바와 같이, 제1 둘레벽부(54a)에 형성된 부착 구멍(86)에 부착된다. 이 때, 중간부(400)는, 원기둥형의 베이스부(401)의 축방향이 Z축 방향을 따르도록 하여 부착 구멍(86)에 부착된다. 또한, 중간부(400)는, 부착 구멍(86)에 부착된 상태로, 유입구(403a)가 세정액 공급관(84c)에 접속되고, 유출구(403b)가 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위로 향하도록 위치된다. The intermediate portion (400) configured as described above is attached to the attachment hole (86) formed in the first peripheral wall portion (54a), as shown in Fig. 20. At this time, the intermediate portion (400) is attached to the attachment hole (86) so that the axial direction of the cylindrical base portion (401) follows the Z-axis direction. In addition, the intermediate portion (400) is positioned so that the inlet (403a) is connected to the cleaning solution supply pipe (84c) and the outlet (403b) faces the inclined portion of the cleaning solution supply path (84c1) while attached to the attachment hole (86).

다음으로, 세정액의 흐름에 관해 설명하면, 도 20에 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 세정액은 세정액 공급관(84c)으로부터 유입구(403a)에 유입되고, 계속해서 유로(403)를 통과하여 유출구(403b)로부터 토출된다. 이 때, 세정액은, 유로(403)의 상단인 대향면(405)에 접촉하고 나서 유출구(403b)로 흐르기 때문에, 수세가 적절하게 약해진다. 또한, 유출구(403b)는 오목부(402)에 형성되기 때문에, 유출구(403b)로부터 토출된 세정액은, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위에 접촉하여 튀어오르거나 하여, 체류부(404)에서 일단 체류하여 유량이 증가한 상태가 된다. Next, regarding the flow of the cleaning liquid, as indicated by the broken arrow in Fig. 20, the cleaning liquid flows into the inlet (403a) from the cleaning liquid supply pipe (84c), continues through the flow path (403), and is discharged from the outlet (403b). At this time, since the cleaning liquid contacts the upper end of the flow path (403), the opposite surface (405), and then flows to the outlet (403b), the water pressure is appropriately weakened. In addition, since the outlet (403b) is formed in the concave portion (402), the cleaning liquid discharged from the outlet (403b) contacts the inclined portion of the cleaning liquid supply path (84c1), splashes up, etc., and temporarily stays in the retention portion (404) so that the flow rate increases.

그리고, 체류부(404)에서 유량이 증가한 세정액은, 세정액 공급로(84c1)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d)를 향해 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 20에서는 지면 좌측 방향)으로 토출하게 된다. 즉, 중간부(400)는, 토출구(85)의 토출 방향을 Z축 방향에 대하여 기울이고, 세정액을 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향을 향해서 토출시킨다. And, the cleaning liquid, the flow rate of which has increased in the retention section (404), flows from the inclined portion of the cleaning liquid supply path (84c1) toward the upper edge (84d) and is discharged from the discharge port (85) in the direction along the groove (58) (left side of the ground in FIG. 20). That is, the middle section (400) tilts the discharge direction of the discharge port (85) with respect to the Z-axis direction and discharges the cleaning liquid from the discharge port (85) in the direction along the groove (58).

이에 따라, 제3 실시형태에 있어서는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 있어서 둘레 방향을 따른 한방향으로 흘릴 수 있고, 따라서 세정액을 상면(54a1)에 있어서 한층 더 광범위하게 퍼지게 하여 효율적으로 세정할 수 있다. Accordingly, in the third embodiment, as shown in Fig. 18, the cleaning liquid can be flowed in one direction along the circumferential direction on the upper surface (54a1) of the first circumferential wall portion (54a), and thus the cleaning liquid can be spread more widely on the upper surface (54a1) to perform cleaning efficiently.

또한, 토출구(85)의 개구 면적이 세정액 공급관(84c)의 유로의 면적보다 커지도록 형성된다. 이에 따라, 홈부(58)에 대하여 비교적 많은 세정액을 공급하는 것이 가능해져, 세정액을 단시간에 홈부(58) 전체에 퍼지게 할 수 있다. 또한, 세정액이 과도한 수세가 되지 않도록 할 수도 있다. 또, 상기 중간부(400)는, 제1 둘레벽부(54a)와는 별개의 부재이지만, 일체로 구성되어도 좋다. In addition, the opening area of the discharge port (85) is formed to be larger than the area of the flow path of the cleaning liquid supply pipe (84c). Accordingly, it becomes possible to supply a relatively large amount of cleaning liquid to the groove portion (58), and the cleaning liquid can be spread over the entire groove portion (58) in a short period of time. In addition, it is also possible to prevent the cleaning liquid from being excessively washed. In addition, although the above-mentioned intermediate portion (400) is a separate member from the first peripheral wall portion (54a), it may be formed integrally.

(제4 실시형태)(4th embodiment)

이어서, 제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)에 관해 설명한다. 제4 실시형태에 따른 중간부(400)에 있어서는, 복수(예를 들면, 2개)의 유출구(403b)를 구비하도록 했다. Next, the cleaning solution supply unit (80) of the processing unit (16) according to the fourth embodiment will be described. In the intermediate unit (400) according to the fourth embodiment, a plurality of (for example, two) outlets (403b) are provided.

도 21은, 제4 실시형태에서의 제1 둘레벽부(54a)의 모식 평면도이다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 제4 실시형태에서는, 토출구(85)는, 제3 실시형태의 토출구(85)와 비교하여, 평면시에 있어서의 개구 면적이 커지도록 형성된 개구이다.Fig. 21 is a schematic plan view of the first peripheral wall portion (54a) in the fourth embodiment. As shown in Fig. 21, in the fourth embodiment, the discharge port (85) is an opening formed so that the opening area in the plan view is larger than that of the discharge port (85) in the third embodiment.

또한, 토출구(85)에 접속되는 세정액 공급로(84c1)는, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12)를 구비하고, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12) 사이에 중간부(400)가 설치된다. In addition, the cleaning liquid supply path (84c1) connected to the discharge port (85) is provided with a first cleaning liquid supply path (84c11) and a second cleaning liquid supply path (84c12), and an intermediate portion (400) is installed between the first cleaning liquid supply path (84c11) and the second cleaning liquid supply path (84c12).

도 22는, 도 21에 일점쇄선으로 나타내는 폐곡선 E2 부근을 확대한 모식 확대 평면도이며, 도 23은 도 22의 XXIII-XXIII선 단면도이다. Figure 22 is a schematic enlarged plan view of the vicinity of the closed curve E2 indicated by the dashed-dotted line in Figure 21, and Figure 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII of Figure 22.

도 23에 나타내는 예에서, 제1 세정액 공급로(84c11)는 Z축 방향에 대하여 Y축 부방향측으로 경사진 부위를 구비하고, 제2 세정액 공급로(84c12)는 Z축 방향에 대하여 Y축 정방향측으로 경사진 부위를 구비한다. 즉, 제1 세정액 공급로(84c11)와 제2 세정액 공급로(84c12)는, 대략 좌우대칭이 되도록 형성된다. 또, 상기 제1, 제2 세정액 공급로(84c11, 84c12)의 경사진 방향이나 대략 좌우대칭인 형상으로 되는 것은, 어디까지나 예시이며 한정되지는 않는다. 또한, 토출구(85)와 홈부(58)의 경계는, 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위의 상단 가장자리(84d1) 및 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위의 상단 가장자리(84d2)를 포함하지만, 이것으로 한정되지는 않는다. In the example shown in Fig. 23, the first cleaning liquid supply path (84c11) has a portion inclined toward the negative Y-axis direction with respect to the Z-axis direction, and the second cleaning liquid supply path (84c12) has a portion inclined toward the positive Y-axis direction with respect to the Z-axis direction. That is, the first cleaning liquid supply path (84c11) and the second cleaning liquid supply path (84c12) are formed to be approximately symmetrical. In addition, the inclined direction and the approximately symmetrical shape of the first and second cleaning liquid supply paths (84c11, 84c12) are merely examples and are not limited thereto. In addition, the boundary between the discharge port (85) and the groove (58) includes, but is not limited to, the upper edge (84d1) of the inclined portion of the first cleaning liquid supply path (84c11) and the upper edge (84d2) of the inclined portion of the second cleaning liquid supply path (84c12).

세정액 공급부(80)의 중간부(400)는, 개구 방향이 상이한 복수(예를 들면, 2개)의 세정액의 유출구(403b1, 403b2)를 구비한다. 여기서는, 한쪽의 유출구(403b1)를 「제1 유출구(403b1)」, 다른 한쪽의 유출구(403b2)를 「제2 유출구(403b2)」로 기재하는 경우가 있다. The middle part (400) of the cleaning solution supply unit (80) has a plurality of cleaning solution outlets (403b1, 403b2) with different opening directions (for example, two). Here, one outlet (403b1) is sometimes referred to as a “first outlet (403b1)” and the other outlet (403b2) is sometimes referred to as a “second outlet (403b2).”

자세하게는, 중간부(400)에 있어서 유로(403)는 도중에 분기되고, 분기된 유로(403)에 있어서 하류측의 일단에 제1 유출구(403b1)가, 타단에 제2 유출구(403b2)가 형성된다. 예를 들면, 제1 유출구(403b1)의 개구 방향은 도 23의 지면 좌측 방향, 제2 유출구(403b2)의 개구 방향은 도 23의 지면 우측 방향이다. 즉, 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)는, 서로 대향하는 위치에 형성되도록 해도 좋다. In detail, in the middle section (400), the flow path (403) branches off in the middle, and a first outlet (403b1) is formed at one end of the branched flow path (403) on the downstream side, and a second outlet (403b2) is formed at the other end. For example, the opening direction of the first outlet (403b1) is toward the left side of the paper surface in Fig. 23, and the opening direction of the second outlet (403b2) is toward the right side of the paper surface in Fig. 23. In other words, the first and second outlets (403b1, 403b2) may be formed at positions facing each other.

다시 말해서, 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)는, 제1 둘레벽부(54a)의 둘레 방향을 따른 단면시(斷面視)에 있어서, 좌우대칭 형상 또는 대략 좌우대칭 형상이 되도록 개구되도록 해도 좋고, 이러한 경우, 유로(403)는 베이스부(401)의 내부에 있어 예를 들면 단면시 T자형으로 형성된다. 또, 상기 유로(403)나 제1, 제2 유출구(403b1, 403b2)의 형상이나 수 등은 예시이며 한정되지는 않는다. In other words, the first and second outlets (403b1, 403b2) may be opened so as to have a left-right symmetrical shape or a nearly left-right symmetrical shape in a cross-sectional view along the circumferential direction of the first peripheral wall portion (54a), and in this case, the flow path (403) is formed in the interior of the base portion (401) in a T-shape, for example, in cross-sectional view. In addition, the shapes and numbers of the flow path (403) and the first and second outlets (403b1, 403b2) are examples and are not limited.

중간부(400)는, 부착 구멍(86)에 부착된 상태로, 제1 유출구(403b1)가 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위로 향하도록, 제2 유출구(403b2)가 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위로 향하도록 위치된다. The middle part (400) is positioned so that the first outlet (403b1) faces the inclined portion of the first cleaning liquid supply path (84c11) and the second outlet (403b2) faces the inclined portion of the second cleaning liquid supply path (84c12) while being attached to the attachment hole (86).

중간부(400) 및 제1, 제2 세정액 공급로(84c11, 84c12)가 상기와 같이 구성됨으로써, 세정액은 중간부(400)로부터 2방향으로 토출되게 된다. 즉, 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 유로(403)를 통과하여 제1 유출구(403b1)로부터 토출되는 세정액은, 제1 세정액 공급로(84c11)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d1)를 향해서 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 23에서는 지면 좌측 방향)으로 토출되게 된다. Since the intermediate portion (400) and the first and second cleaning liquid supply paths (84c11, 84c12) are configured as described above, the cleaning liquid is discharged in two directions from the intermediate portion (400). That is, as indicated by the broken line arrow, the cleaning liquid discharged from the first outlet (403b1) through the flow path (403) flows from the inclined portion of the first cleaning liquid supply path (84c11) toward the upper edge (84d1) and is discharged from the discharge port (85) in the direction along the groove (58) (left side of the ground in FIG. 23).

한편, 일점쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 유로(403)를 통과하여 제2 유출구(403b2)로부터 토출되는 세정액은, 제2 세정액 공급로(84c12)의 경사진 부위로부터 상단 가장자리(84d2)를 향해서 흘러, 토출구(85)로부터 홈부(58)를 따르는 방향(도 23에서는 지면 우측 방향)으로 토출되게 된다. Meanwhile, as indicated by the dashed-dotted arrow, the cleaning liquid discharged from the second outlet (403b2) through the flow path (403) flows from the inclined portion of the second cleaning liquid supply path (84c12) toward the upper edge (84d2) and is discharged from the discharge port (85) in the direction along the groove (58) (to the right of the ground in FIG. 23).

따라서, 제4 실시형태에 있어서는, 도 21에 나타낸 바와 같이, 토출구(85)는, 평면시에 있어서 양측에 인접하는 삽입 관통 구멍(59)을 향해서 세정액을 토출할 수 있기 때문에, 토출구(85)와 인접하는 삽입 관통 구멍(59) 사이의 상면(54a1)를 조기에 효율적으로 세정할 수 있다. Therefore, in the fourth embodiment, as shown in Fig. 21, since the discharge port (85) can discharge the cleaning liquid toward the insertion through holes (59) adjacent to both sides in a plan view, the upper surface (54a1) between the discharge port (85) and the adjacent insertion through holes (59) can be cleaned early and efficiently.

또, 도시는 생략하지만, 중간부(400)에 있어서, 예를 들면 베이스부(401)의 상면에 세정액의 유출구를 형성하고, 이러한 유출구로부터 세정액이 유출됨으로써 베이스부(401)의 상면을 세정하도록 해도 좋다. In addition, although the city is omitted, in the middle part (400), for example, an outlet for a cleaning liquid may be formed on the upper surface of the base part (401), and the cleaning liquid may flow out from this outlet to clean the upper surface of the base part (401).

<6. 세정 처리의 다른 예><6. Other examples of cleaning treatment>

다음으로, 세정 처리의 다른 예에 관해 설명한다. 세정 처리에 관해, 상기에서는 도 8을 참조하여 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 도 24는, 세정 처리의 처리 순서의 다른 예를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 24의 처리는, 예를 들면 제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서 행해지지만, 이것으로 한정되지는 않는다. Next, another example of the cleaning process will be described. Regarding the cleaning process, the above description was made with reference to Fig. 8, but is not limited thereto. Fig. 24 is a flow chart showing another example of the processing sequence of the cleaning process. In addition, the processing of Fig. 24 is performed, for example, in the processing unit (16) according to the fourth embodiment, but is not limited thereto.

도 24에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(4)의 제어부(18)는, 제1 승강 구동부(56b)에 의해 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 세정액을 공급한다(단계 S20). 이에 따라, 예를 들면 토출구(85)나 중간부(400) 부근의 세정을 행할 수 있다. As shown in Fig. 24, the control unit (18) of the control device (4) moves the first liquid container (55a) to the retreat position by lowering it by the first lifting drive unit (56b), and then supplies the cleaning liquid (step S20). Accordingly, for example, cleaning can be performed near the discharge port (85) or the middle section (400).

계속해서, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S21). 이와 같이, 유지부(31)를 회전시킴으로써 선회류가 생기기 때문에, 홈부(58)를 타고 세정액을 토출구(85)로부터 비교적 떨어진 부위까지 광범위하게 널리 퍼지게 하여 세정할 수 있다. Continuing, the control unit (18) moves the first liquid container (55a) upward to the processing position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the holding unit (31) counterclockwise by the driving unit (33) (step S21). In this way, since the rotating holding unit (31) creates a circling flow, the cleaning liquid can be widely distributed along the groove (58) to a relatively distant area from the discharge port (85) to clean.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S22). 이에 따라, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이나 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정할 수 있다. 또, 제어부(18)는, 상기 단계 S20∼S22의 처리를 미리 정해진 횟수로 반복해도 좋다. Next, the control unit (18) moves the first liquid container (55a) downward to the retreated position, and then rotates the holding unit (31) counterclockwise to supply the cleaning liquid (step S22). Accordingly, the lower surface (55a1) of the first liquid container (55a) or the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) can be cleaned. In addition, the control unit (18) may repeat the processing of the above steps S20 to S22 a predetermined number of times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 반시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S23). Next, the control unit (18) moves the first liquid container (55a) upward to the processing position, and then rotates the maintenance unit (31) counterclockwise to supply the cleaning liquid (step S23).

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시킨 채, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S24). 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 유지부(31)가 반시계 방향(미리 정해진 방향의 일례)으로 회전된 상태로 세정액을 공급한 후, 유지부(31)가 시계 방향(미리 정해진 방향과는 반대 방향의 일례)으로 회전된 상태로 세정액을 공급한다. Next, the control unit (18) supplies the cleaning liquid while raising the first liquid container (55a) and rotating the holding unit (31) clockwise (step S24). In this way, in the present embodiment, the cleaning liquid is supplied while the holding unit (31) is rotated counterclockwise (an example of a predetermined direction), and then the cleaning liquid is supplied while the holding unit (31) is rotated clockwise (an example of a direction opposite to a predetermined direction).

이에 따라, 예를 들면 도 21에 나타낸 바와 같이, 유지부(31)가 반시계 방향으로 회전할 때에는, 세정액은 일점쇄선의 화살표 방향으로 많이 공급되고, 많이 공급된 부위를 중점적으로 세정할 수 있다. 한편, 유지부(31)가 시계 방향으로 회전할 때에는, 세정액은 파선의 화살표 방향으로 많이 공급되고, 많이 공급된 부위를 중점적으로 세정할 수 있다. 즉, 유지부(31)의 회전 방향을 세정 처리의 도중에 전환함으로써, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 한층 더 효율적으로 세정할 수 있다.Accordingly, for example, as shown in Fig. 21, when the holding member (31) rotates counterclockwise, the cleaning liquid is supplied in large quantities in the direction of the arrow of the dashed line, and the area to which the liquid is supplied in large quantities can be cleaned primarily. On the other hand, when the holding member (31) rotates clockwise, the cleaning liquid is supplied in large quantities in the direction of the arrow of the dashed line, and the area to which the liquid is supplied in large quantities can be cleaned primarily. That is, by switching the rotational direction of the holding member (31) during the cleaning process, the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a) can be cleaned even more efficiently.

도 24의 설명을 계속하면, 다음으로 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S25). 또, 제어부(18)는, 상기 단계 S24, S25의 처리를 미리 정해진 횟수로 반복해도 좋다. Continuing with the description of Fig. 24, the control unit (18) then lowers the first liquid container (55a) to move it to a retreated position, and then rotates the holding unit (31) clockwise to supply the cleaning liquid (step S25). In addition, the control unit (18) may repeat the processing of steps S24 and S25 a predetermined number of times.

다음으로, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨 후, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시키면서 세정액을 공급한다(단계 S26). Next, the control unit (18) moves the first liquid container (55a) upward to the processing position, and then supplies the cleaning liquid while rotating the maintenance unit (31) clockwise (step S26).

다음으로, 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정이 행해진다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 액수용부(55a)를 하강시켜 후퇴 위치로 이동시키고, 제2 액수용부(55b)를 상승시켜 처리 위치로 이동시킨다(도 3 참조). 이에 따라, 제1 액수용부(55a)와 제2 액수용부(55b)가 이격된다. Next, the outer circumference of the first liquid container (55a) is cleaned. Specifically, the control unit (18) moves the first liquid container (55a) downward to the retreated position and moves the second liquid container (55b) upward to the processing position (see Fig. 3). Accordingly, the first liquid container (55a) and the second liquid container (55b) are separated.

그리고, 제어부(18)는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)을 제1 액수용부(55a) 부근까지 이동시킨 후, DIW를 세정액으로서 토출시킨다. 이에 따라, 세정액은, 제1 액수용부(55a)와 제2 액수용부(55b)의 간극으로부터, 제1 액수용부(55a)의 외주측에 공급되게 되고, 따라서 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정이 행해진다(단계 S27). Then, the control unit (18) moves the nozzle (41) of the treatment fluid supply unit (40) to the vicinity of the first liquid container (55a), and then discharges DIW as a cleaning liquid. Accordingly, the cleaning liquid is supplied to the outer peripheral side of the first liquid container (55a) from the gap between the first liquid container (55a) and the second liquid container (55b), and thus cleaning of the outer peripheral side of the first liquid container (55a) is performed (step S27).

또, 제1 액수용부(55a)의 내주측의 세정에 관해서는, 예를 들면 도 7에 단계 S4에서 나타내는 제2 약액 처리 중에서 행하고 있기 때문에, 본 세정 처리에서는 행하지 않지만, 제1 액수용부(55a)의 외주측의 세정의 전후로 행하도록 해도 좋다. 또, 제1 액수용부(55a)의 내주측의 세정시에, 예를 들면, 제1 액수용부(55a)의 내주측에 제2 약액을 수초간 공급하여 결정 등을 씻어내도 좋다. 이 때, 제1 액수용부(55a)를 씻어낸 제2 약액에는 결정이 포함되어 있는 경우가 있기 때문에, 회수 라인에는 넣지 않고 배액 라인으로 흘리고, 그 후 미리 정해진 시간이 경과하여 결정이 포함되지 않게 된 시점에서 배액 라인으로부터 회수 라인으로 전환하여, 회수를 개시하도록 해도 좋다. In addition, regarding the washing of the inner side of the first liquid container (55a), since it is performed during the second chemical liquid treatment shown in step S4 of Fig. 7, for example, it is not performed in this washing treatment, but it may be performed before or after the washing of the outer side of the first liquid container (55a). In addition, during the washing of the inner side of the first liquid container (55a), for example, the second chemical liquid may be supplied to the inner side of the first liquid container (55a) for several seconds to wash away crystals and the like. At this time, since the second chemical liquid that washes away the first liquid container (55a) may contain crystals, it may not be put into the recovery line but may be flowed into the drain line, and after a predetermined period of time has passed and no crystals are contained, the water may be switched from the drain line to the recovery line to start the recovery.

또, 상기 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)이나 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1), 제1 액수용부(55a)의 외주측을 세정하면, 예를 들면 BHF의 결정 등을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)(도 3 참조)에 유입되게 된다. 이러한 제2 배액홈(501b)은 알칼리계 처리액용의 배액홈이므로, 산계 처리액인 BHF의 결정을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)으로부터 배액관(91b)을 통과하여 배액 라인으로 유입되는 것은 바람직하지 않다. In addition, when the lower surface (55a1) of the first liquid container (55a), the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), or the outer circumference of the first liquid container (55a) is cleaned, for example, a cleaning liquid containing crystals of BHF flows into the second drainage groove (501b) (see FIG. 3). Since the second drainage groove (501b) is a drainage groove for an alkaline treatment liquid, it is not desirable for a cleaning liquid containing crystals of BHF, which is an acid treatment liquid, to flow from the second drainage groove (501b) through the drainage pipe (91b) and into the drainage line.

따라서, 본 실시형태에 있어서는, BHF의 결정을 포함한 세정액이 제2 배액홈(501b)에 유입되는 경우, 도시는 생략하지만, 밸브(62b)를 전환하여, 유입된 세정액을 세정액의 배액 라인인 제2 배액관(91a2)으로 흘리도록 한다. 이에 따라, BHF의 결정 등을 포함한 세정액이 밸브(62b)의 하류측으로 흘러, 알칼리계 처리액의 배액 라인으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, in the present embodiment, when the cleaning liquid including crystals of BHF flows into the second drainage groove (501b), although not shown, the valve (62b) is switched so that the flowing cleaning liquid flows into the second drainage pipe (91a2), which is the drainage line of the cleaning liquid. Accordingly, the cleaning liquid including crystals of BHF, etc. can be prevented from flowing downstream of the valve (62b) and into the drainage line of the alkaline treatment liquid.

도 24의 설명을 계속하면, 다음으로 제어부(18)는 건조 처리를 행한다(단계 S28). 구체적으로, 제어부(18)는 세정액의 공급을 정지하고, 유지부(31)를 시계 방향으로 회전시켜 선회류를 생기게 하여, 제1 둘레벽부(54a)나 제1 액수용부(55a)를 건조시킨다. 이러한 건조 처리가 종료되면, 일련의 세정 처리가 완료된다. Continuing with the description of Fig. 24, the control unit (18) then performs a drying process (step S28). Specifically, the control unit (18) stops the supply of the cleaning liquid and rotates the holding unit (31) clockwise to generate a circling flow, thereby drying the first peripheral wall unit (54a) or the first liquid container unit (55a). When this drying process is completed, a series of cleaning processes are completed.

또, 상기 실시형태에 있어서는, 세정액 공급관(84c)의 토출구(85)로부터 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 세정액을 공급하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 즉, 예를 들면 상면(54a1)을 향하는 위치에 세정액의 공급 노즐을 배치하고, 공급 노즐로부터 상면(54a1)에 세정액을 공급하도록 구성해도 좋다. In addition, in the above embodiment, the cleaning liquid is supplied from the discharge port (85) of the cleaning liquid supply pipe (84c) to the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), but this is not limited thereto. That is, for example, the cleaning liquid supply nozzle may be arranged at a position facing the upper surface (54a1), and the cleaning liquid may be supplied from the supply nozzle to the upper surface (54a1).

또한, 상기에서는, 세정액 공급부(80)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 세정하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 즉, 상면(54a1)의 세정을 대신하여 혹은 더하여, 세정액 공급부(80)가 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)을 세정하도록 구성해도 좋다. In addition, in the above, the cleaning solution supply unit (80) is configured to clean the upper surface (54a1) of the first peripheral wall portion (54a), but is not limited to this. That is, instead of or in addition to cleaning the upper surface (54a1), the cleaning solution supply unit (80) may be configured to clean the upper surface (54b1) of the second peripheral wall portion (54b).

또, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 하는 실시형태로는, 상기 제3 실시형태, 제4 실시형태에서의 중간부(400)로 한정되지 않는다. 세정액 공급관으로부터의 세정액의 유속을 약하게 하기 위해, 세정액 공급관(84c)의 토출구와, 세정액 토출구(85)와의 사이에 세정액을 일단 체류시키는 체류부를 부여함으로써, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 할 수 있다. 또한, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 유속을 약하게 하기 위해 세정액 공급관(84c)의 토출구에 대향하는 면을 설치하고, 세정액의 흐름을 바꾸는 것, 또한, 흐름을 변경한 세정액을 일단 체류시키는 체류부를 부여함으로써, 세정액 공급관으로부터의 세정액의 수세를 약하게 할 수 있다. In addition, the embodiment for weakening the flushing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe is not limited to the intermediate portion (400) in the third embodiment and the fourth embodiment. In order to weaken the flow rate of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe, by providing a retention portion for temporarily retaining the cleaning liquid between the discharge port of the cleaning liquid supply pipe (84c) and the cleaning liquid discharge port (85), the flushing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe can be weakened. In addition, in order to weaken the flow rate of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe, by providing a surface facing the discharge port of the cleaning liquid supply pipe (84c) to change the flow of the cleaning liquid, and further providing a retention portion for temporarily retaining the cleaning liquid whose flow has been changed, the flushing of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe can be weakened.

또한, 상기 처리 유닛(16)에서는, 산계 처리액을 제1 배액관(91a1)을 통해 회수하여 재이용하도록 했지만, 이것으로 한정되지는 않고, 산계 처리액을 재이용하지 않는 구성이어도 좋다. 또한, 상기에서는, 제1 승강 구동부(56b)와 제2 승강 구동부(57b)를 별개의 부재로 했지만, 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 공통화시키도록 해도 좋다. In addition, in the above processing unit (16), the acid treatment solution is recovered and reused through the first drainage pipe (91a1), but this is not limited to this, and a configuration in which the acid treatment solution is not reused may be used. In addition, in the above, the first lifting drive unit (56b) and the second lifting drive unit (57b) are made of separate members, but this is not limited to this, and for example, the first and second lifting drive units (56b, 57b) may be made common.

또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태로 한정되지는 않는다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다. Other effects or variations can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various changes are possible without departing from the spirit or scope of the overall inventive concept defined by the appended claims and their equivalents.

1 : 기판 처리 시스템 4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛 18 : 제어부
30 : 기판 유지 기구 31 : 유지부
40 : 처리 유체 공급부 50 : 회수컵
50a : 제1 컵 50b : 제2 컵
50c : 제3 컵 53 : 바닥부
54a : 제1 둘레벽부 55a : 제1 액수용부
56 : 제1 승강 기구 56a : 제1 지지 부재
59 : 삽입 관통 구멍 70 : 처리 유체 공급원
101 : 제1 회전컵 102 : 제2 회전컵1: Substrate processing system 4: Control device
16: Processing unit 18: Control unit
30: Substrate holding mechanism 31: Holding unit
40: Treatment fluid supply section 50: Recovery cup
50a: 1st cup 50b: 2nd cup
50c : 3rd cup 53 : Bottom
54a: First perimeter wall section 55a: First liquid storage section
56: First lifting mechanism 56a: First support member
59: Insertion through hole 70: Treatment fluid supply source
101: 1st rotating cup 102: 2nd rotating cup

Claims

A retainer that holds the substrate,
A treatment solution supply unit for supplying a treatment solution to the above substrate,
A cup having a liquid receiving portion for receiving the treatment liquid sprayed from the substrate, a groove provided on the lower side of the liquid receiving portion, and surrounding the holding portion;
A cleaning solution supply unit for supplying cleaning solution to the above home unit,
An elevating mechanism for elevating the liquid container relative to the home portion,
A control unit that controls the above-mentioned cleaning liquid supply unit and the above-mentioned lifting mechanism to store the cleaning liquid in the groove unit and bring the lower part of the liquid storage unit into contact with the cleaning liquid in the groove unit.
A substrate processing device characterized by comprising:

In the first paragraph, the cup,
The bottom part,
It has a cylindrical peripheral wall section that is erected and installed from the above floor section,
The above liquid container is,
Provided on the upper part of the above perimeter wall,
The above home part,
It is formed along the circumferential direction on the upper surface of the above circumferential wall portion,
The above detergent supply unit,
A substrate processing device characterized by supplying a cleaning solution to the upper surface of the above-mentioned home portion and the above-mentioned peripheral wall portion.

In the second paragraph, the cup,
A support member that supports the liquid container and raises the liquid container relative to the peripheral wall,
An insertion hole formed within the above-mentioned peripheral wall portion and through which the support member is inserted and penetrated, and having an opening on the upper surface of the above-mentioned peripheral wall portion
Equipped with,
The above opening is,
A substrate processing device characterized in that at least a portion of the above home portion is formed to overlap with the surface in a plan view.

In the second or third paragraph, the cleaning solution supply unit,
A cleaning solution discharge port formed in the above home portion,
A cleaning solution supply path connected to the above cleaning solution discharge port
Equipped with,
The above cleaning solution supply route is,
Sloped along the circumferential direction of the above-mentioned peripheral wall portion
A substrate processing device characterized by:

In the fourth paragraph, the cleaning solution supply unit,
A cleaning solution supply pipe connected to a cleaning solution supply source,
An intermediate part installed between the above cleaning solution supply pipe and the above cleaning solution discharge port
Equipped with,
The above middle part is,
A base formed in a columnar shape,
A concave portion formed along the circumferential direction on the side of the above base portion,
An inlet formed in the above base portion and connected to the cleaning solution supply pipe,
An outlet formed in the above concave portion and for discharging the cleaning liquid that has entered the inlet
Equipped with,
Weakening the water force of the cleaning solution from the cleaning solution supply pipe by the above intermediate portion
A substrate processing device characterized by:

In the second or third paragraph, the peripheral wall portion,
A slope formed on the upper surface and having a downward slope toward the side
A substrate processing device characterized by comprising:

In the second or third paragraph, the control unit,
By controlling the above cleaning solution supply unit and the lifting mechanism, the cleaning solution is supplied from the cleaning solution supply unit while the liquid container is moved to a lower, retracted position than the treatment position.
A substrate processing device characterized by:

In the second or third paragraph, the cleaning solution supply unit,
Changing the flow rate of the cleaning liquid when cleaning the upper surface of the above-mentioned peripheral wall portion and when cleaning the lower surface of the above-mentioned liquid storage portion
A substrate processing device characterized by:

In any one of claims 1 to 3, the control unit,
By controlling the above cleaning solution supply unit and the above maintenance unit, the cleaning solution is supplied from the cleaning solution supply unit while the maintenance unit is rotated.
A substrate processing device characterized by:

In the 9th paragraph, the cleaning solution supply unit,
Multiple outlets for cleaning liquids with different opening directions
Equipped with,
The above control unit,
After supplying the cleaning liquid from the plurality of outlets of the cleaning liquid supply unit while rotating the above-mentioned maintenance unit in a predetermined direction, the cleaning liquid is supplied from the plurality of outlets of the cleaning liquid supply unit while rotating the above-mentioned maintenance unit in a direction opposite to the predetermined direction.
A substrate processing device characterized by:

A substrate maintenance process for maintaining the substrate,
A treatment solution supply process for supplying a treatment solution to the above substrate,
A cleaning solution supply process in which a cup having a liquid receiving portion for receiving a treatment solution scattered from the substrate and a groove portion provided on the lower side of the liquid receiving portion and surrounding a holding portion for holding the substrate is provided, by controlling a cleaning solution supply portion for supplying a cleaning solution and an elevating mechanism for elevating the liquid receiving portion relative to the groove portion, the cleaning solution is supplied to the groove portion, the cleaning solution is stored in the groove portion, and the lower end of the liquid receiving portion is brought into contact with the cleaning solution in the groove portion.
A substrate processing method characterized by including a.

In the 11th paragraph, the cleaning solution supply process,
After supplying the cleaning solution while moving the liquid container to a lower position than the processing position, the cleaning solution is supplied while moving the liquid container to the processing position and rotating the holding unit in a predetermined direction.
A substrate processing method characterized by:

In the 12th paragraph, the cleaning solution supply process also comprises:
After supplying the cleaning solution while rotating the holding part in the opposite direction to the predetermined direction with the liquid container in the processing position, the cleaning solution is supplied while rotating the holding part in the opposite direction and moving the liquid container to the retreat position.
A substrate processing method characterized by: