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KR102780012B1 - Buffer chamber apparatus of equipment front end module and semiconductor process device comprising the same - Google Patents

Buffer chamber apparatus of equipment front end module and semiconductor process device comprising the same Download PDF

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KR102780012B1
KR102780012B1 KR1020220016733A KR20220016733A KR102780012B1 KR 102780012 B1 KR102780012 B1 KR 102780012B1 KR 1020220016733 A KR1020220016733 A KR 1020220016733A KR 20220016733 A KR20220016733 A KR 20220016733A KR 102780012 B1 KR102780012 B1 KR 102780012B1
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Abstract

본 발명은 EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부와, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부와, 챔버부의 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.The present invention relates to a buffer chamber device of an EFEM installed in a return room of an EFEM to buffer wafers being transported, and to a semiconductor processing device having the same, characterized in that it includes a chamber section having an entrance through which wafers enter and exit at the front and a loading space in which a plurality of wafers are loaded inside, a loading section having a plurality of slots formed so that a plurality of wafers can be respectively loaded and stored vertically, and a curtain nozzle section forming a gas curtain by spraying a purge gas at the entrance of the chamber section. Therefore, the present invention provides an effect of removing fumes or foreign substances and preventing contamination after semiconductor processing by installing a curtain nozzle section at the entrance of the chamber section to form a gas curtain at the entrance and exit, thereby improving the yield of semiconductors.

Description

EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치{BUFFER CHAMBER APPARATUS OF EQUIPMENT FRONT END MODULE AND SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE COMPRISING THE SAME}EFEM's buffer chamber apparatus and semiconductor process equipment equipped therewith {BUFFER CHAMBER APPARATUS OF EQUIPMENT FRONT END MODULE AND SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 발명은 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a buffer chamber device of an EFEM and a semiconductor processing device having the same, and more specifically, to a buffer chamber device of an EFEM installed in a return room of an EFEM to buffer a wafer being transported, and a semiconductor processing device having the same.

반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼 및 이에 형성되는 반도체 소자는 고정밀도의 물품으로, 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 손상되지 않도록 주의해야 한다. 특히, 웨이퍼의 보관 및 운반의 과정에서 그 표면이 먼지, 수분, 각종 유기물 등과 같은 불순물에 의해 오염되지 않도록 관리가 필요하다.In the semiconductor manufacturing process, wafers and semiconductor elements formed on them are high-precision items, and care must be taken to prevent damage from external contaminants and impacts during storage and transportation. In particular, during the storage and transportation of wafers, care must be taken to prevent their surfaces from being contaminated by impurities such as dust, moisture, and various organic substances.

종래에는 반도체의 제조 수율 및 품질의 향상을 위하여, 클린룸(clean room) 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지곤 하였다. 그러나 소자의 고집적화, 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라, 비교적 큰 공간인 클린룸을 관리하는 것이 비용적으로도 기술적으로도 곤란해져 왔다. In the past, wafer processing was done in a clean room to improve the manufacturing yield and quality of semiconductors. However, as the integration and miniaturization of devices progressed and the wafers became larger, it became difficult to manage a clean room, which is a relatively large space, both in terms of cost and technology.

이에 최근에는 클린룸 내 전체의 청정도를 향상시키는 대신, 웨이퍼 주위의 국소적인 공간에 대하여 집중적으로 청정도를 향상시키는 국소환경(mini-environment)의 청정 방식이 적용된다.Recently, instead of improving the cleanliness of the entire cleanroom, a local environment (mini-environment) cleaning method is applied that focuses on improving the cleanliness of a local space around the wafer.

한편, 반도체 제조 공정은 식각, 증착, 에칭과 같은 다양한 단위 공정들이 순차적으로 반복된다. 각 공정 처리 과정에서 웨이퍼 상에 이물질 또는 오염 물질이 잔존하게 되어 불량이 발생하거나 반도체 공정 수율이 낮아지는 문제가 있었다.Meanwhile, the semiconductor manufacturing process is a sequential repetition of various unit processes such as etching, deposition, and etching. During each process, there was a problem that foreign substances or contaminants remained on the wafer, causing defects or lowering the semiconductor process yield.

따라서 반도체 공정에 있어서, 웨이퍼는 여러 프로세스 챔버 또는 반도체처리 공간으로 이송되는데 이때, 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 이송시키는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위한 다양한 수단이 구비되어 있다.Therefore, in semiconductor processes, wafers are transferred to multiple process chambers or semiconductor processing spaces, and at this time, various means are provided to minimize foreign substances or contaminants from attaching to the wafer while the wafer is transferred from one processing space to another.

EFEM(Equipment Front End Module)을 포함하는 반도체 공정장치는, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져 있다.A semiconductor process device including an Equipment Front End Module (EFEM) is configured to include a load port module (110; LPM (Load Port Module)), a wafer container (120; FOUP (Front Opening Unified Pod)), a fan filter unit (130; FFU (Fan Filter Unit)), and a wafer return room (140), as shown in FIGS. 1 and 2.

웨이퍼를 고청정한 환경에서 보관하기 위하여 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)라는 웨이퍼 용기(120)가 사용되며, 웨이퍼 용기(120) 에서 반도체 처리공간으로 웨이퍼가 이동하는 경로에 웨이퍼 반송실(140)이 형성되고, 웨이퍼 반송실(140)은 팬필터유닛(130)에 의하여 청정한 공간으로 유지된다.In order to store wafers in a clean environment, a wafer container (120) called a Front-Opening Unified Pod (FOUP) is used, and a wafer transfer room (140) is formed in the path along which the wafer moves from the wafer container (120) to the semiconductor processing space, and the wafer transfer room (140) is maintained as a clean space by a fan filter unit (130).

웨이퍼 반송실(140) 내에 설치된 아암 로봇 등의 웨이퍼 이송수단(150)에 의해, 웨이퍼 용기(120) 내의 웨이퍼가 로드포트모듈(110) 를 통하여 웨이퍼 반송실(140) 내로 반출되거나 또는 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120) 내에 수납할 수 있도록 구성된다. The wafer in the wafer container (120) is configured to be transported into the wafer transfer room (140) through the load port module (110) by a wafer transport means (150) such as an arm robot installed in the wafer transfer room (140) or stored in the wafer container (120) from the wafer transfer room (140).

로드포트모듈(110)의 도어와 웨이퍼 용기(120)의 전방면에 설치된 도어가 밀착된 상태에서 동시에 개방되고, 개방된 영역을 통하여 웨이퍼가 반출되거나 또는 수납된다.The door of the load port module (110) and the door installed on the front surface of the wafer container (120) are opened simultaneously while in close contact, and the wafer is taken out or stored through the opened area.

일반적으로, 반도체 처리 공정을 거친 웨이퍼 표면에는 공정 후 발생하는 퓸 (Fume)이 잔류하고 이에 의해 화학반응 발생되어 반도체 웨이퍼의 생산성을 저하시키는 원인으로 작용한다.In general, fumes generated after the process remain on the surface of wafers that have gone through a semiconductor processing process, and this causes chemical reactions, which lowers the productivity of semiconductor wafers.

나아가 웨이퍼의 반출 또는 수납을 위하여 웨이퍼 용기(120)의 도어가 오픈된 경우, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 퍼지 가스 농도는 일정 수준 유지되도록 제어되고 웨이퍼 용기 내로 유입된 외기는 필터링되도록 동작한다.Furthermore, when the door of the wafer container (120) is opened for taking out or storing the wafer, the purge gas concentration inside the wafer container (120) is controlled to be maintained at a certain level, and the outside air flowing into the wafer container is filtered.

하지만, 웨이퍼 용기(120) 내부로 유입된 외기에 의해 웨이퍼 용기(120)의 내부에 일부 필터링되지 않은 공기가 존재하게 되고, 웨이퍼 반송실(140)의 대기 환경은 미립자가 제어된 청정 공기이기는 하지만 산소, 수분 등이 포함되어 있고, 이러한 공기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 산화될 가능성이 있다. However, due to the outside air flowing into the wafer container (120), some unfiltered air exists inside the wafer container (120), and although the atmospheric environment of the wafer return room (140) is clean air with controlled particulates, it contains oxygen, moisture, etc., and if such air flows into the inside of the wafer container (120) and the internal humidity increases, there is a possibility that the surface of the wafer will be oxidized by the moisture or oxygen contained in the outside air.

따라서, 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120)로 외기가 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 수단으로서, 종래에는 로드포트모듈(110)과 웨이퍼 용기(120)의 덮개의 개폐에 의해 이중의 도어 개폐 수단을 구비함으로써 외기를 차단할 수는 있으나, 상하 방향으로 슬라이딩 이동하는 도어 부재를 구비함으로써 로드 포트의 구성이 상당히 복잡해지는 문제가 있었다. Therefore, as a means to effectively block outside air from flowing into the wafer container (120) from the wafer return room (140), conventionally, outside air can be blocked by providing a double door opening/closing means by opening/closing the cover of the load port module (110) and the wafer container (120), but there was a problem in that the configuration of the load port became considerably complicated by providing a door member that slides in the up/down direction.

그 뿐만 아니라, 도어 부재를 상하로 이동시켜 외기를 차단함에 따라, 웨이퍼의 반출 및 수납에 소요되는 시간이 상당히 증가하게 되고, 이로 인해 웨이퍼 용기의 내부 습도가 변화되어 반도체의 제조 수율의 감소로 이어지게 되는 문제점이 있었다.In addition, as the door member moves up and down to block outside air, the time required to remove and store wafers increases significantly, which causes changes in the internal humidity of the wafer container, resulting in a problem of decreased semiconductor manufacturing yield.

특히, 웨이퍼 용기(120)에서 웨이퍼가 출입하는 출입구에서 외기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 출입구에서 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 손상되어 수율이 저하되는 문제도 있었다.In particular, there was also a problem that when outside air was introduced into the inside of the wafer container (120) through the entrance through which the wafer was taken in and out of the wafer container (120), and the internal humidity increased at the entrance, the surface of the wafer was damaged by moisture or oxygen contained in the outside air, resulting in a decrease in yield.

이러한 문제를 해소하기 위해 웨이퍼 반송실(140)의 양쪽 측면에 버퍼 챔버(180)를 설치하여 웨이퍼를 임시로 수납하여 퓸이나 오염물을 퍼지가스로 제거하는 방안이 제안되고 있다.To solve this problem, a method has been proposed to temporarily store wafers by installing buffer chambers (180) on both sides of the wafer return room (140) to remove fumes or contaminants using purge gas.

그러나, 이러한 종래의 버퍼 챔버는 외기 차단 노즐은 유체 특성을 반영하지 못하여 유체의 형태를 유지하지 못하고 기류가 난류화 되는 단점을 해결하지 못하였다. However, these conventional buffer chambers have not been able to resolve the problem that the external air blocking nozzle does not reflect the fluid characteristics, so the fluid shape cannot be maintained and the airflow becomes turbulent.

또한, 난류화된 기체는 사방으로 분사되어 버퍼 챔버 내부의 기류를 불규칙하게 함으로써 외기 차단 효과가 없었을 뿐만 아니라 이 난류화된 기체는 오히려 외부의 기류를 내부로 유입 시키기도 하여 본래의 차단 효과에 역효과를 발생하게 되는 문제도 있었다.In addition, the turbulent gas was sprayed in all directions, making the airflow inside the buffer chamber irregular, so not only was there no effect of blocking outside air, but this turbulent gas also caused the outside airflow to flow inside, which had the opposite effect of the original blocking effect.

따라서, 종래의 버퍼 챔버는 유체의 형태를 일정하여 유지하지 못하여 난류가 형성되는 특성이 있으며, 실제 적용 시 외부 기류에 영향을 받으며, 노즐이 유체의 충돌로 인한 난기류 형성과 이에 따른 외부 유체 유입 가능성을 완전히 해결하지 못한다는 문제가 있었다.Therefore, conventional buffer chambers have the characteristic of forming turbulence because they cannot maintain a constant shape of the fluid, and in actual application, they are affected by external air currents, and there is a problem that the nozzle cannot completely resolve the possibility of forming turbulence due to collision of fluids and the resulting inflow of external fluid.

또한, 버퍼 챔버는 노즐이 버퍼 챔버의 높이에 따른 특성을 반영하지 못하여 상부는 습도 특성이 좋으나, 하부는 습도 특성이 높은 경향을 보고, 단층 노즐 형태로 불활성 기체가 전체 노즐에 고르게 분사되지 못하는 단점이 있어, 동일한 버퍼 챔버의 공간안에 존재하는 웨이퍼의 수율이 다르게 나타나는 등의 문제점이 발생되었다.In addition, the buffer chamber has a disadvantage in that the nozzle does not reflect the characteristics according to the height of the buffer chamber, so that the upper part has good humidity characteristics but the lower part has high humidity characteristics, and the inert gas is not sprayed evenly to the entire nozzle in the form of a single-layer nozzle, so problems such as different yields of wafers existing within the space of the same buffer chamber occur.

대한민국 등록특허 제10-1254721호 (2013년04월15일)Republic of Korea Patent No. 10-1254721 (April 15, 2013) 대한민국 등록특허 제10-1909483호 (2018년12월19일)Republic of Korea Patent No. 10-1909483 (December 19, 2018) 대한민국 등록특허 제10-1756743호 (2017년07월12일)Republic of Korea Patent No. 10-1756743 (July 12, 2017)

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and the purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device and a semiconductor processing device equipped therewith, which can improve the yield of semiconductors by removing fumes or foreign substances and preventing contamination after semiconductor processing by installing a curtain nozzle portion at the entrance and exit of the chamber portion to form a gas curtain at the entrance and exit.

또한, 본 발명은 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device capable of managing humidity at 5% or less through uniform injection of nitrogen gas by installing nozzles together on the side and rear sides and outlet of the chamber portion, and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device and a semiconductor process device having the same, which can improve semiconductor production yield by installing a nozzle part in a chamber part to block outside air, prevent particles from entering the interior of the chamber part, and reduce the internal humidity of a wafer.

또한, 본 발명은 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention has another purpose of providing an EFEM buffer chamber device capable of determining a linear maintenance section of a fluid having optimal external air blocking by uniformly dispersing and spraying a purge gas by combining a nozzle section with a multi-stage of a dispersion block and a connection block, and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device capable of evenly distributing a fluid temporarily flowing in from a fluid inlet in a fluid flow distribution section and spraying a constant flow rate to a laminar flow nozzle, and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 챔버부의 좌,우측과 상부에 선형유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention purges an inert fluid through a curtain nozzle section that forms a linear flow on the left, right, and upper sides of a chamber section, so that the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed while maintaining its shape according to pressure and flow rate control, thereby not only improving the effect of blocking external air, but also minimizing external leakage of the inert gas sprayed inside the chamber section, thereby effectively controlling humidity, and provides a buffer chamber device of an EFEM and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device capable of preventing the phenomenon in which inert fluids sprayed from both sides collide with each other and are drawn into the interior of the chamber by controlling the spray angle of the curtain nozzle portion, and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention has another purpose of providing an EFEM buffer chamber device and a semiconductor process device equipped with the same, which can improve the production yield of semiconductors by uniformly spraying purge gas into each slot groove of a loading portion by installing a nozzle portion around the periphery of the chamber portion, thereby maintaining a constant decrease in humidity in the chamber portion.

또한, 본 발명은 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device and a semiconductor process device equipped with the same, which can improve the low-point humidity management function by additionally installing a heater section at the inlet of a nozzle section, thereby increasing the temperature of an inert gas through a heater installed at the inlet.

또한, 본 발명은 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention provides a buffer chamber device of an EFEM capable of evenly spraying the inert gas over the entire area by configuring a nozzle section in multiple stages, disposing concentrated injection nozzles on three sides under the loading section, and spraying an inert gas, thereby dispersing the inert gas introduced into the multi-stage nozzle over the entire area, and uniformly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading section through a concentrated dispersion section under the loading section which is vulnerable to humidity, and a semiconductor process device equipped with the same.

또한, 본 발명은 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another purpose of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device capable of preventing the inflow of external air current into each section and the leakage of inert gas at the same time by installing a sealing material or an airtight material in the section between blocks of a nozzle section, and a semiconductor process device equipped with the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치로서, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고, 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부(10); 상기 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부(20); 및 상기 챔버부(10)의 출입구에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is characterized by including a buffer chamber device of an EFEM installed in a return room of an EFEM to buffer wafers being transported, the device comprising: a chamber section (10) having an entrance/exit formed at the front through which wafers enter/exit, and a loading space formed inside in which a plurality of wafers are loaded; a loading section (20) installed in the loading space of the chamber section (10) and having a plurality of slots formed so that a plurality of wafers can be loaded and stored vertically; and a curtain nozzle section installed in the entrance/exit of the chamber section (10) and forming a gas curtain by spraying a purge gas into the entrance/exit.

본 발명의 상기 커튼노즐부는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제2 노즐부(50);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The curtain nozzle section of the present invention is characterized by including a second nozzle section (50) that is installed on both sides of the entrance/exit of the chamber section (10) and forms a gas curtain by injecting purge gas into the entrance/exit.

본 발명의 상기 제2 노즐부(50)는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 설치되는 제2 노즐블럭; 상기 제2 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 제2 연결블럭; 상기 제2 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 제2 고정블럭; 및 상기 제2 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제2 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The second nozzle unit (50) of the present invention is characterized by including: a second nozzle block installed on the side of the entrance/exit of the chamber unit (10); a second connection block coupled to the outside of the second nozzle block and connected to the side of the entrance/exit of the chamber unit (10); a second fixing block coupled to the outside of the second connection block and fixed to the side of the entrance/exit of the chamber unit (10); and a plurality of second nozzles arranged linearly on the front and rear surfaces of the second nozzle block.

본 발명의 상기 제2 노즐부(50)는, 상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제2 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The second nozzle unit (50) of the present invention is characterized in that it further includes a second injection angle adjustment member that is installed to rotate between the second nozzle block and the second connection block and adjusts the injection angle of the purge gas.

본 발명의 상기 커튼노즐부는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제3 노즐부(60);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The curtain nozzle part of the present invention is characterized by including a third nozzle part (60) that is installed above the entrance/exit of the chamber part (10) and forms a gas curtain by injecting purge gas into the entrance/exit.

본 발명의 상기 제3 노즐부(60)는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 제3 노즐블럭; 상기 제3 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 제3 연결블럭; 상기 제3 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 제3 고정블럭; 및 상기 제3 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제3 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The third nozzle unit (60) of the present invention is characterized by including: a third nozzle block installed on the upper surface of the entrance/exit of the chamber unit (10); a third connection block coupled to the outside of the third nozzle block and connected to the upper surface of the entrance/exit of the chamber unit (10); a third fixing block coupled to the outside of the third connection block and fixed to the upper surface of the entrance/exit of the chamber unit (10); and a plurality of third nozzles arranged linearly on the front and rear surfaces of the third nozzle block.

본 발명의 상기 제3 노즐부(60)는, 상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제3 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The third nozzle unit (60) of the present invention is characterized in that it further includes a third injection angle adjustment member that is installed to rotate between the third nozzle block and the third connection block and adjusts the injection angle of the purge gas.

또한, 본 발명은 상기 챔버부(10)의 외부에 설치되며, 상기 챔버부(10)의 외부에서 상기 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 제1 노즐부(30);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized by further including a first nozzle part (30) installed outside the chamber part (10) and formed in communication to inject purge gas into the slots of multiple layers of the loading part (20) from the outside of the chamber part (10).

또한, 본 발명은 상기 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어, 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further includes a heater section (40) installed at each end of the first nozzle section (30) to heat the purge gas introduced from the outside.

본 발명의 상기 제1 노즐부(30)는, 상기 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제11 노즐플레이트; 상기 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제12 노즐플레이트; 및 상기 챔버부(10)의 후면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제13 노즐플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first nozzle portion (30) of the present invention is characterized by including: an 11th nozzle plate installed on one side of the chamber portion (10) and injecting purge gas; a 12th nozzle plate installed on the other side of the chamber portion (10) and injecting purge gas; and a 13th nozzle plate installed on the rear of the chamber portion (10) and injecting purge gas.

본 발명의 상기 제1 노즐부(30)는, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 제1 노즐블럭; 상기 제1 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 제1 고정블럭; 상기 제1 노즐블럭의 전후면 상부에 복수개가 관통 형성된 제1 상부노즐; 및 상기 제1 노즐블럭의 전후면 하부에 복수개가 관통 형성된 제1 하부노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first nozzle unit (30) of the present invention is characterized by including: a first nozzle block installed on the side or rear of the chamber unit (10); a first fixed block coupled to the outside of the first nozzle block and fixed to the side or rear of the chamber unit (10); a first upper nozzle having a plurality of holes formed through the upper portion of the front and rear surfaces of the first nozzle block; and a first lower nozzle having a plurality of holes formed through the lower portion of the front and rear surfaces of the first nozzle block.

또한, 본 발명의 상기 제1 하부노즐은, 상기 제1 상부노즐 보다 분사홀의 사이즈가 확장되거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the first lower nozzle of the present invention is characterized in that it is formed so that the size of the injection hole is larger or the number of the injection holes is increased compared to the first upper nozzle.

또한, 본 발명은 상기 기재된 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치이다.In addition, the present invention is a semiconductor process device characterized by having a buffer chamber device of the EFEM described above.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention provides an effect of improving the yield of semiconductors by removing fumes or foreign substances and preventing contamination after semiconductor processing by installing a curtain nozzle section at the entrance and exit of the chamber section to form a gas curtain at the entrance and exit.

또한, 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing nozzles on the side, back, and outlet of the chamber, it provides the effect of managing humidity at 5% or less through uniform spraying of nitrogen gas.

또한, 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a nozzle section in the chamber section, the outside air is blocked, particles are prevented from entering the inside of the chamber section, and the internal humidity of the wafer is lowered, thereby providing an effect of improving the semiconductor production yield.

또한, 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by combining the nozzle section with a multi-stage distribution block and a connection block to uniformly disperse and spray the purge gas, the linear maintenance section of the fluid with the optimal outside air blocking can be determined by adjusting the straightening section according to the outside air condition factors.

또한, 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, it provides the effect of evenly distributing the fluid temporarily flowing in from the fluid inlet in the fluid flow distribution section and spraying a constant flow rate to the laminar flow nozzle.

또한, 챔버부의 좌,우측과 상부에 선형유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by purging the inert fluid through the curtain nozzle section forming a linear flow on the left, right, and upper sides of the chamber section, the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed while maintaining its shape according to the pressure and flow rate control, thereby not only improving the effect of blocking the outside air, but also minimizing the external leakage of the inert gas sprayed inside the chamber section, thereby providing the effect of effectively controlling humidity.

또한, 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by controlling the spray angle of the curtain nozzle, it provides the effect of preventing the phenomenon in which the inert fluids sprayed from both sides collide with each other and are drawn into the interior of the chamber.

또한, 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a nozzle section around the periphery of the chamber section and evenly spraying purge gas into each slot groove of the loading section, the humidity of the chamber section is lowered and maintained at a constant level, thereby providing the effect of improving the production yield of semiconductors.

또한, 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing a heater section at the inlet of the nozzle section, the temperature of the inert gas is increased through the heater installed at the inlet, thereby providing an effect of improving the low-point humidity management function.

또한, 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by configuring the nozzle section in multiple stages and arranging the concentrated injection nozzles on three sides under the loading section and spraying the inert gas, a dispersing nozzle is provided that disperses the inert gas introduced into the multi-stage nozzle over the entire area, enabling the inert gas to be sprayed evenly over the entire area, and providing the effect of evenly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading section through the concentrated dispersion section under the loading section, which is vulnerable to humidity.

또한, 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a sealing material or airtight material in the section between the blocks of the nozzle section, it provides the effect of preventing the inflow of external air current into each section while preventing the leakage of inert gas.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 분해도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 분해도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 구성도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 분해도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 평면상태도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 평면상태도.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 상태도.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 변형예를 나타내는 분해도.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 구성도.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 정면도.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 분해도.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 다른예를 나타내는 분해도.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 구성도.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 분해도.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제3 노즐부를 나타내는 분해도.FIG. 1 and FIG. 2 are schematic diagrams showing a semiconductor process device equipped with a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor process device equipped with a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
Figure 4 is a configuration diagram showing a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an exploded view showing a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a configuration diagram showing a first nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an exploded view showing a first nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
Figure 8 is a configuration diagram showing a second nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an exploded view showing a second nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
Figure 10 is a plan view showing the filling state of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
Figure 11 is a plan view showing the exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
Figure 12 is a state diagram showing the filling state of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
Fig. 13 is a state diagram showing the exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 14 is an exploded view showing a modified example of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a configuration diagram showing a modified example of the first nozzle section of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
Fig. 16 is a front view showing a modified example of the first nozzle section of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 17 is an exploded view showing a modified example of the first nozzle section of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 18 is an exploded view showing another example of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a configuration diagram showing another example of a second nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 20 is an exploded view showing another example of a second nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.
FIG. 21 is an exploded view showing a third nozzle section of a buffer chamber device of an EFEM according to one embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 분해도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 구성도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 분해도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 구성도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 분해도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 평면상태도이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 평면상태도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 상태도이고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 상태도이다.FIG. 1 and FIG. 2 are schematic diagrams showing a semiconductor process device having a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor process device having a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a schematic diagram showing a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is an exploded view showing a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic diagram showing a first nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is an exploded view showing a first nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 is a schematic diagram showing a second nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is an exploded view showing a second nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 10 is a schematic diagram showing a filling state of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a schematic diagram showing a buffer chamber of an EFEM according to an embodiment of the present invention. This is a planar diagram showing the exhaust state of the device, FIG. 12 is a diagram showing the filling state of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a diagram showing the exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to one embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 변형예를 나타내는 분해도이고, 도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 구성도이고, 도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 정면도이고, 도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 분해도이고, 도 18은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 다른예를 나타내는 분해도이고, 도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 구성도이고, 도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 분해도이고, 도 21은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제3 노즐부를 나타내는 분해도이다.FIG. 14 is an exploded view showing a modified example of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 15 is a configuration diagram showing a modified example of a first nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 16 is a front view showing a modified example of a first nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 17 is an exploded view showing a modified example of a first nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 18 is an exploded view showing another example of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 19 is a configuration diagram showing another example of a second nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 20 is an exploded view showing another example of a second nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 21 is an exploded view showing a third nozzle portion of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 공정장치는, 본 실시예의 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치로서, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져, EFEM의 버퍼 챔버 장치가 장착된 EFEM(Equipment Front End Module)으로 이루어질 수 있다.The semiconductor process apparatus of the present invention is a semiconductor process apparatus equipped with a buffer chamber device of the EFEM of the present embodiment, and as shown in FIGS. 1 to 3, comprises a load port module (110; LPM (Load Port Module)), a wafer container (120; FOUP (Front Opening Unified Pod)), a fan filter unit (130; FFU (Fan Filter Unit)), and a wafer transfer room (140), and may be formed as an EFEM (Equipment Front End Module) equipped with a buffer chamber device of the EFEM.

로드포트모듈(110; LPM)은, 반도체 제조용 웨이퍼를 담아두는 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Universal Pod))의 도어를 열거나 닫으면서 웨이퍼가 반송될 수 있도록 해주는 장치이다.A load port module (110; LPM) is a device that opens or closes the door of a wafer container (120; FOUP (Front Opening Universal Pod)) that holds wafers for semiconductor manufacturing, allowing the wafers to be returned.

이러한 로드포트모듈(110; LPM)은, 스테이지 유닛에 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod))가 장착되면 웨이퍼 용기(120)의 내부로 질소가스를 주입하고, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 오염물질을 웨이퍼 용기(120)의 외부로 배출하여 웨이퍼 용기(120)에 저장되어 이송되는 웨이퍼가 오염물질로 인하여 훼손되는 것을 방지하는 구성이다.This load port module (110; LPM) is configured to inject nitrogen gas into the interior of a wafer container (120; FOUP (Front Opening Unified Pod)) when a wafer container (120) is mounted on a stage unit, and to discharge contaminants inside the wafer container (120) to the exterior of the wafer container (120), thereby preventing wafers stored and transported in the wafer container (120) from being damaged by contaminants.

웨이퍼 용기(120)는 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성되고, 도어가 개방되며 웨이퍼가 반출되도록 하거나 또는 수납되도록 한다. 이러한 웨이퍼 용기(120)는 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)로 이루어질 수 있다.The wafer container (120) has a loading space formed inside where multiple wafers are loaded, and a door is opened to allow wafers to be taken out or stored. This wafer container (120) may be formed as a front-opening unified pod (FOUP).

팬필터유닛(130)은, 웨이퍼 반송실(140)의 상부에 설치되며, 퓸과 같은 분자성 오염 물질, 먼지와 같은 미립자가 제거함으로써 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기를 청정하게 유지한다. 통상 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기의 흐름은 팬필터유닛(130)이 설치된 상부에서 하부로 형성된다.The fan filter unit (130) is installed at the top of the wafer transfer room (140) and keeps the air inside the wafer transfer room (140) clean by removing molecular contaminants such as fumes and fine particles such as dust. Normally, the air flow inside the wafer transfer room (140) is formed from the top where the fan filter unit (130) is installed to the bottom.

웨이퍼 반송실(140)은, 복수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 용기(120)와, 반도체 공정에 의해 웨이퍼가 처리되도록 반송하는 반송유닛(160) 및 반도체가 처리되는 처리공간(170)의 사이에 형성되는 공간부재이다.The wafer return room (140) is a space formed between a wafer container (120) in which a plurality of wafers are loaded, a return unit (160) that returns the wafers to be processed by a semiconductor process, and a processing space (170) in which the semiconductors are processed.

이러한 웨이퍼 반송실(140)은 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 반송로봇 등의 이송수단(150)에 의해 이송되는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위하여 청정한 공간으로 유지하도록 측부에 버퍼 챔버(180)를 구비하게 된다.This wafer return room (140) is provided with a buffer chamber (180) on the side to keep the space clean in order to minimize foreign substances or contaminants from attaching to the wafer while the wafer is being transferred from one processing space to another by a transfer means (150) such as a transfer robot.

도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 EFEM의 버퍼 챔버 장치는, 챔버부(10), 적재부(20), 제1 노즐부(30), 히터부(40) 및 커튼노즐부를 포함하여 이루어져, EFEM의 반송실(140)에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치이다.As shown in FIGS. 4 and 5, the buffer chamber device of the EFEM of the present embodiment comprises a chamber section (10), a loading section (20), a first nozzle section (30), a heater section (40), and a curtain nozzle section, and is a buffer chamber device of the EFEM that buffers wafers that are installed and transferred in a return room (140) of the EFEM.

챔버부(10)는, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부재로서, 이러한 적재공간의 양쪽 측면과 후면에서 제1 노즐부(30)에 의해 퍼지가스가 분사되어 충진되며 양쪽 측면과 후면 사이의 모서리부위에 각각 설치된 배출부에 의해 퍼지가스가 배기된다.The chamber part (10) is a chamber part having an entrance and exit formed at the front for wafer entry and exit and a loading space formed inside for loading multiple wafers. The chamber part is filled by spraying purge gas from both sides and the rear of the loading space by the first nozzle part (30), and the purge gas is exhausted by exhaust units installed at each corner between the both sides and the rear.

이러한 챔버부(10)는, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM의 웨이퍼 반송실(140)의 양쪽 측방에 각각 설치되어 이송수단(150)에 의해 이송되는 웨이퍼를 임시로 일정시간 동안 적재하여 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스에 의해 웨이퍼에 부착된 퓸이나 오염물질 등을 제거하게 된다.These chamber sections (10) are installed on both sides of the wafer transfer room (140) of the EFEM as shown in FIGS. 1 to 3, and temporarily load wafers transferred by the transfer means (150) for a certain period of time to remove fumes or contaminants attached to the wafers by means of a purge gas such as nitrogen gas or an inert gas.

적재부(20)는, 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부재로서, 복수층의 슬롯이 상하로 배치되어 복수의 웨이퍼가 각각 개별적으로 삽입되어 적재되어 임시로 일정시간 동안 저장하게 된다.The loading unit (20) is installed in the loading space of the chamber unit (10) and is a loading member having multiple layers of slots formed so that multiple wafers can be individually loaded and stored vertically. The slots of multiple layers are arranged vertically so that multiple wafers can be individually inserted and loaded and temporarily stored for a certain period of time.

제1 노즐부(30)는, 챔버부(10)의 외부에 설치되며 챔버부(10)의 외부에서 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 노즐부재로서, 제11 노즐플레이트(30a), 제12 노즐플레이트(30b) 및 제13 노즐플레이트(30c)로 이루어져 있다.The first nozzle part (30) is a nozzle part that is installed outside the chamber part (10) and is formed to inject purge gas from the outside of the chamber part (10) into the slots of the multiple layers of the loading part (20), and is composed of an 11th nozzle plate (30a), a 12th nozzle plate (30b), and a 13th nozzle plate (30c).

제11 노즐플레이트(30a)는, 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 일방 측면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The 11th nozzle plate (30a) is a nozzle plate installed on one side of the chamber section (10) to spray purge gas. By evenly spraying purge gas, such as nitrogen gas or an inert gas, into the internal loading space from one side of the chamber section (10), the humidity of the chamber section (10) can be controlled at a constant low point.

제12 노즐플레이트(30b)는, 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 타방 측면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The 12th nozzle plate (30b) is a nozzle plate installed on the other side of the chamber section (10) to spray purge gas. By evenly spraying purge gas, such as nitrogen gas or an inert gas, into the internal loading space from the other side of the chamber section (10), the humidity of the chamber section (10) can be controlled at a constant low point.

제13 노즐플레이트(30c)는, 챔버부(10)의 후면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 후면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The 13th nozzle plate (30c) is a nozzle plate installed at the rear of the chamber section (10) to spray purge gas. By evenly spraying purge gas such as nitrogen gas or an inert gas into the internal loading space from the rear of the chamber section (10), the humidity of the chamber section (10) can be controlled at a constant low point.

또한, 이러한 제1 노즐부(30)는, 도 6 내지 도 7에 나타낸 바와 같이 제1 노즐블럭(31), 제1 고정블럭(32), 제1 상부노즐(33), 제1 하부노즐(34), 제1 결합블럭(35), 제1 소켓(36), 제1 연결편(37) 및 제1 실링편(38)으로 이루어져 있다.In addition, this first nozzle part (30) is composed of a first nozzle block (31), a first fixed block (32), a first upper nozzle (33), a first lower nozzle (34), a first coupling block (35), a first socket (36), a first connecting piece (37), and a first sealing piece (38), as shown in FIGS. 6 and 7.

제1 노즐블럭(31)은, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되도록 분사노즐이 관통 형성되어 있다.The first nozzle block (31) is a nozzle block installed on the side or rear of the chamber part (10), and is made of a roughly rectangular block or plate for easy attachment to the side or rear of the chamber part (10), and has a spray nozzle formed through the front and rear to spray purge gas.

제1 고정블럭(32)은, 제1 노즐블럭(31)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The first fixed block (32) is a fixed block that is attached to the outside of the first nozzle block (31) and is fixed to the side or rear of the chamber part (10). It is made of a roughly rectangular block or plate so that it can be easily attached to the side or rear of the chamber part (10).

제1 상부노즐(33)은, 제1 노즐블럭(31)의 전후면 상방부위에 복수개가 관통형성된 노즐부재로서, 적재부(20)의 상층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 집중적으로 분사시키는 분사노즐로 이루어져 있다.The first upper nozzle (33) is a nozzle member formed with multiple penetrations in the upper front and rear portions of the first nozzle block (31), and is configured as an injection nozzle that intensively injects purge gas into a slot arranged in the upper portion of the loading portion (20).

제1 하부노즐(34)은, 제1 노즐블럭(31)의 전후면 하방부위에 복수개가 관통 형성된 노즐부재로서, 적재부(20)의 하층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 집중적으로 분사시키는 분사노즐로 이루어져 있다.The first lower nozzle (34) is a nozzle member formed with multiple penetrations in the front and rear lower portions of the first nozzle block (31), and is configured as an injection nozzle that intensively injects purge gas into a slot arranged in the lower portion of the loading portion (20).

이러한 제1 하부노즐(34)은, 적재부(20)의 하층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 더 집중적으로 분사시키도록 제1 상부노즐(33) 보다 분사홀의 사이즈가 크게 확장되어 있거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 제1 하부노즐(34)은, 제1 상부노즐(33) 보다 증가된 분사량으로 퍼지가스를 분사시키는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the first lower nozzle (34) be formed so that the size of the injection hole is greatly expanded or the number of the injection holes is increased compared to the first upper nozzle (33) so as to more intensively inject the purge gas into the slots arranged in the lower part of the loading section (20). In addition, it is more preferable that the first lower nozzle (34) injects the purge gas in a larger injection amount than the first upper nozzle (33).

제1 결합블럭(35)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32)의 하부에 결합되는 결합블럭으로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제1 유입홀이 상하방향으로 관통 형성되어 있다.The first coupling block (35) is a coupling block coupled to the lower portion of the first nozzle block (31) and the first fixed block (32), and has a plurality of first inflow holes formed vertically to introduce purge gas into the internal space between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32).

제1 소켓(36)은, 제1 결합블럭(35)의 하부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제1 노즐부(30)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 적재공간에 균일하게 분사시키게 된다.The first socket (36) is a connecting member connected to the lower part of the first coupling block (35), and is connected to a purge gas supply pipe to introduce purge gas into the interior of the first nozzle section (30) and spray it evenly into the loading space of the chamber section (10).

제1 연결편(37)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The first connecting member (37) is a sealing member that is installed between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32) and seals the internal space between them, and is sealed around the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32).

제1 실링편(38)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 이들 사이의 내부공간을 실링하는 실링부재로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 부착되어 있다.The first sealing member (38) is a sealing member installed between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32) to seal the internal space therebetween, and is attached to the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32).

또한, 이러한 제1 노즐부(30)는, 도 14 내지 도 17에 나타낸 바와 같이 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되는 제1 중간블럭(31a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, it is also possible for the first nozzle unit (30) to further include a first intermediate block (31a) installed between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32), as shown in FIGS. 14 to 17.

제1 중간블럭(31a)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 제1 노즐블럭(31)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제1 중간블럭(31a)의 전후면에는 복수개의 제1 분산홀이 관통 형성되어 있다.The first intermediate block (31a) is installed between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32) and serves as a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the first nozzle block (31) is dispersed. A plurality of first dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the first intermediate block (31a).

히터부(40)는, 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부재로서, 제1 노즐부(30)의 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 삽입 설치되어 이들을 통과하는 퍼지가스를 히팅하여 고온의 퍼지가스를 분사시켜 퍼지가스의 성능을 향상시키게 된다.The heater unit (40) is a heater unit installed at each end of the first nozzle unit (30) to heat the purge gas supplied from the outside. It is inserted between the first nozzle block (31) and the first fixed block (32) of the first nozzle unit (30) to heat the purge gas passing through them and inject the high-temperature purge gas, thereby improving the performance of the purge gas.

커튼노즐부는, 챔버부(10)의 출입구에 설치되어 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐수단으로서, 출입구의 양쪽 측부에 설치되는 제2 노즐부(50)와, 출입구의 상부에 설치되는 제3 노즐부(60) 중 적어도 하나로 이루어져 있다.The curtain nozzle section is a nozzle means installed at the entrance of the chamber section (10) to form a gas curtain by spraying purge gas into the entrance, and is composed of at least one of a second nozzle section (50) installed on both sides of the entrance, and a third nozzle section (60) installed at the top of the entrance.

제2 노즐부(50)는, 도 10 내지 도 13에 나타낸 바와 같이 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐부재로서, 출입구의 일방 측부에 설치되는 제21 노즐플레이트(50a)와 출입구의 타방 측부에 설치되는 제22 노즐플레이트(50b)로 이루어져 있다.The second nozzle part (50) is a nozzle member that is installed on both sides of the entrance/exit of the chamber part (10) as shown in FIGS. 10 to 13 and forms a gas curtain by spraying purge gas into the entrance/exit, and is composed of a 21st nozzle plate (50a) installed on one side of the entrance/exit and a 22nd nozzle plate (50b) installed on the other side of the entrance/exit.

제21 노즐플레이트(50a)는, 챔버부(10)의 출입구의 일방 측부에 설치되는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 출입구의 일방 측면에서 출입구의 타방의 측면으로 질소가스 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 가스커튼을 형성하므로, 챔버부(10)의 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하여 습도제어를 용이하게 할 수 있게 된다.The 21st nozzle plate (50a) is a nozzle plate installed on one side of the entrance/exit of the chamber portion (10), and forms a gas curtain by evenly spraying a purge gas, such as nitrogen gas, from one side of the entrance/exit of the chamber portion (10) to the other side of the entrance/exit, thereby blocking the inflow of outside air from the entrance/exit of the chamber portion (10) and blocking the outflow of an inert gas inside, thereby facilitating humidity control.

제22 노즐플레이트(50b)는, 챔버부(10)의 출입구의 타방 측부에 설치되는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 출입구의 타방 측면에서 출입구의 일방 측면으로 질소가스 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 가스커튼을 형성하므로, 챔버부(10)의 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하여 습도제어를 용이하게 할 수 있게 된다.The 22nd nozzle plate (50b) is a nozzle plate installed on the other side of the entrance of the chamber section (10), and forms a gas curtain by evenly spraying a purge gas, such as nitrogen gas, from the other side of the entrance of the chamber section (10) to one side of the entrance, thereby blocking the inflow of outside air from the entrance of the chamber section (10) and blocking the outflow of an inert gas inside, thereby facilitating humidity control.

또한, 이러한 제2 노즐부(50)는, 도 8 내지 도 9에 나타낸 바와 같이 제2 노즐블럭(51), 제2 연결블럭(52), 제2 고정블럭(53), 제2 노즐(54), 제2 결합편(55), 제2 연결편(56), 제2 고정편(57), 제2 결합블럭(58) 및 제2 소켓(59)으로 이루어져 있다.In addition, this second nozzle part (50) is composed of a second nozzle block (51), a second connecting block (52), a second fixed block (53), a second nozzle (54), a second connecting piece (55), a second connecting piece (56), a second fixed piece (57), a second connecting block (58), and a second socket (59), as shown in FIGS. 8 and 9.

제2 노즐블럭(51)은, 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측면에 각각 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 양단 측면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되어 가스커튼을 형성하도록 분사노즐이 관통 형성되며 상하 길이방향으로 배치되어 있다.The second nozzle block (51) is a nozzle block installed on each side of the entrance/exit of the chamber (10), and is made of a roughly rectangular block or plate for easy attachment to both sides of the entrance/exit of the chamber (10). Spray nozzles are formed through the front and rear sides to form a gas curtain by spraying purge gas, and are arranged in the vertical longitudinal direction.

제2 연결블럭(52)은, 제2 노즐블럭(51)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 연결블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되어 제2 노즐블럭(51)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제2 연결블럭(52)의 전후면에는 복수개의 제2 분산홀이 관통 형성되어 있다.The second connecting block (52) is a connecting block that is connected to the outside of the second nozzle block (51) and to the side of the entrance of the chamber part (10). It is installed between the second nozzle block (51) and the second fixed block (53) and acts as a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the second nozzle block (51) is dispersed. A plurality of second dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the second connecting block (52).

제2 고정블럭(53)은, 제2 연결블럭(52)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 측면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The second fixed block (53) is a fixed block that is connected to the outside of the second connecting block (52) and is connected to the side of the entrance of the chamber part (10). It is made of a roughly rectangular block or plate so that it can be easily connected to the side of the entrance of the chamber part (10).

제2 노즐(54)은, 제2 노즐블럭(51)의 전후면에 복수개가 관통 형성되되 상하방향의 선형으로 배치된 노즐부재로서, 출입구의 측면부위에 퍼지가스를 집중적으로 분사시켜 가스커튼을 형성하는 분사노즐로 이루어져 있다.The second nozzle (54) is a nozzle member formed in multiple numbers through the front and rear surfaces of the second nozzle block (51) and arranged in a vertical linear manner, and is composed of a spray nozzle that forms a gas curtain by intensively spraying purge gas on the side of the inlet.

제2 결합편(55)은, 제2 노즐블럭(51)의 양쪽 측면에 돌출 형성된 결합부재로서, 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측면에 볼트 등과 같은 체결고정부재에 의해 결합되어 고정된다.The second connecting piece (55) is a connecting member formed by protruding on both sides of the second nozzle block (51), and is fixed by connecting it to both sides of the entrance/exit of the chamber part (10) by a fastening member such as a bolt.

제2 연결편(56)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되는 연결부재로서, 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로 이루어져 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The second connecting piece (56) is a connecting member installed between the second nozzle block (51) and the second connecting block (52), and is made of a sealing member that seals the internal space between them, and is sealed around the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the second nozzle block (51) and the second connecting block (52).

제2 고정편(57)은, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되는 결합부재로서, 이들 사이의 내부공간을 실링하도록 결합되는 실링부재로 이루어져 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되어 있다.The second fixed member (57) is a connecting member installed between the second connecting block (52) and the second fixed block (53), and is made of a sealing member that is connected to seal the internal space between them, and is installed around the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the second connecting block (52) and the second fixed block (53).

제2 결합블럭(58)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53)의 하부에 결합되는 결합블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이의 내부공간 및 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제2 유입홀이 상하방향으로 관통 형성되어 있다.The second coupling block (58) is a coupling block coupled to the lower portion of the second nozzle block (51), the second connection block (52), and the second fixed block (53), and has a plurality of second inflow holes formed vertically to introduce purge gas into the internal space between the second nozzle block (51) and the second connection block (52) and the internal space between the second connection block (52) and the second fixed block (53).

제2 소켓(59)은, 제2 결합블럭(58)의 하부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제2 노즐부(50)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 출입구에 균일하게 분사시켜 가스커튼을 형성하게 된다.The second socket (59) is a connecting member connected to the lower part of the second coupling block (58), and is connected to a purge gas supply pipe to introduce purge gas into the interior of the second nozzle section (50) and spray it evenly into the entrance/exit of the chamber section (10) to form a gas curtain.

또한, 이러한 제2 노즐부(50)는, 도 18 내지 도 19에 나타낸 바와 같이 제21 연결블럭(52a), 제22 연결블럭(52b), 제2 분사각 조절편(58a) 및 제2 분사각 회전축(59a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, it is of course possible for this second nozzle part (50) to further include a 21st connecting block (52a), a 22nd connecting block (52b), a second injection angle adjustment piece (58a), and a second injection angle rotation shaft (59a) as shown in FIGS. 18 and 19.

제21 연결블럭(52a)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되어 제2 노즐블럭(51)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제21 연결블럭(52a)의 전후면에는 복수개의 제21 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 21st connecting block (52a) is a connecting block installed between the second nozzle block (51) and the second connecting block (52), and is a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the second nozzle block (51) is dispersed between the second nozzle block (51) and the second connecting block (52). A plurality of 21st dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the 21st connecting block (52a).

제22 연결블럭(52b)은, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되어 제2 연결블럭(52)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로 이루어져, 이러한 제22 연결블럭(52b)의 전후면에는 복수개의 제22 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 22nd connecting block (52b) is a connecting block installed between the 2nd connecting block (52) and the 2nd fixed block (53), and is configured as a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the 2nd connecting block (52) is dispersed between the 2nd connecting block (52) and the 2nd fixed block (53). A plurality of 22nd dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the 22nd connecting block (52b).

제2 분사각 조절편(58a)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 회전하도록 설치된 제2 분사각 회전축(59a)을 개재해서 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 분사각 조절부재로서, 퍼지가스의 분사각도를 조절하여 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하게 된다.The second injection angle adjustment member (58a) is an injection angle adjustment member that adjusts the injection angle of the purge gas by interposing the second injection angle rotation shaft (59a) that is installed to rotate between the second nozzle block (51) and the second connection block (52), thereby blocking the inflow of outside air from the inlet and blocking the outflow of the inert gas inside.

제3 노즐부(60)는, 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐부재로서, 도 21에 나타낸 바와 같이 제3 노즐블럭(61), 제3 연결블럭(62), 제3 고정블럭(63), 제3 노즐(64), 제3 연결편(66), 제3 고정편(67), 제3 결합블럭 및 제3 소켓으로 이루어져 있다.The third nozzle part (60) is a nozzle part that is installed above the entrance of the chamber part (10) and forms a gas curtain by spraying purge gas into the entrance, and as shown in Fig. 21, is composed of a third nozzle block (61), a third connecting block (62), a third fixed block (63), a third nozzle (64), a third connecting piece (66), a third fixed piece (67), a third coupling block, and a third socket.

제3 노즐블럭(61)은, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되어 가스커튼을 형성하도록 분사노즐이 관통 형성되며 상하 길이방향으로 배치되어 있다.The third nozzle block (61) is a nozzle block installed on the upper surface of the entrance of the chamber (10), and is made of a roughly rectangular block or plate for easy attachment to the upper surface of the entrance of the chamber (10). Spray nozzles are formed through the front and rear surfaces to form a gas curtain by spraying purge gas, and are arranged in the vertical longitudinal direction.

제3 연결블럭(62)은, 제3 노즐블럭(61)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 연결블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되어 제3 노즐블럭(61)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제3 연결블럭(62)의 전후면에는 복수개의 제3 분산홀이 관통 형성되어 있다.The third connecting block (62) is a connecting block that is connected to the outside of the third nozzle block (61) and the upper surface of the entrance of the chamber part (10). It is installed between the third nozzle block (61) and the third fixed block (63) and acts as a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the third nozzle block (61) is dispersed. A plurality of third dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the third connecting block (62).

제3 고정블럭(63)은, 제3 연결블럭(62)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The third fixed block (63) is a fixed block that is connected to the outside of the third connecting block (62) and is fixed to the upper surface of the entrance of the chamber part (10). It is made of a roughly rectangular block or plate so that it can be easily connected to the upper surface of the entrance of the chamber part (10).

제3 노즐(64)은, 제3 노즐블럭(61)의 전후면에 복수개가 관통 형성되되 좌우방향의 선형으로 배치된 노즐부재로서, 출입구의 상면부위에 퍼지가스를 집중적으로 분사시켜 가스커튼을 형성하는 분사노즐로 이루어져 있다.The third nozzle (64) is a nozzle member formed in multiple numbers through the front and rear surfaces of the third nozzle block (61) and arranged linearly in the left and right directions, and is composed of a spray nozzle that forms a gas curtain by intensively spraying purge gas onto the upper surface of the inlet.

제3 연결편(66)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되는 연결부재로서, 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로 이루어져 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The third connecting piece (66) is a connecting member installed between the third nozzle block (61) and the third connecting block (62), and is made of a sealing member that seals the internal space between them, and is sealed around the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the third nozzle block (61) and the third connecting block (62).

제3 고정편(67)은, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되는 결합부재로서, 이들 사이의 내부공간을 실링하도록 결합되는 실링부재로 이루어져 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되어 있다.The third fixed member (67) is a connecting member installed between the third connecting block (62) and the third fixed block (63), and is made of a sealing member that is connected to seal the internal space between them. It is installed around the perimeter of the internal space to maintain the sealing of the purge gas flowing in between the third connecting block (62) and the third fixed block (63).

제3 결합블럭은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63)의 측부에 결합되는 결합블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이의 내부공간 및 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제3 유입홀이 좌우방향으로 관통 형성되어 있다.The third coupling block is a coupling block coupled to the side of the third nozzle block (61), the third connecting block (62), and the third fixed block (63), and has a plurality of third inflow holes formed in the left and right directions to introduce purge gas into the internal space between the third nozzle block (61) and the third connecting block (62) and the internal space between the third connecting block (62) and the third fixed block (63).

제3 소켓은, 제3 결합블럭(68)의 측부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제3 노즐부(60)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 출입구의 상면에 균일하게 분사시켜 가스커튼을 형성하게 된다.The third socket is a connecting member connected to the side of the third coupling block (68), is connected to a purge gas supply pipe, and causes the purge gas to flow into the interior of the third nozzle section (60) and spray evenly on the upper surface of the entrance of the chamber section (10) to form a gas curtain.

또한, 이러한 제3 노즐부(60)는, 제31 연결블럭(62a), 제32 연결블럭(62b), 제3 분사각 조절편(68a) 및 제3 분사각 회전축(69a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, it is of course possible for this third nozzle section (60) to further include a 31st connecting block (62a), a 32nd connecting block (62b), a third injection angle adjustment piece (68a), and a third injection angle rotation shaft (69a).

제31 연결블럭(62a)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되어 제3 노즐블럭(61)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제31 연결블럭(62a)의 전후면에는 복수개의 제31 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 31st connecting block (62a) is a connecting block installed between the third nozzle block (61) and the third connecting block (62), and is a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the third nozzle block (61) is dispersed between the third nozzle block (61) and the third connecting block (62). A plurality of 31st dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the 31st connecting block (62a).

제32 연결블럭(62b)은, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되어 제3 연결블럭(62)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로 이루어져, 이러한 제32 연결블럭(62b)의 전후면에는 복수개의 제32 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 32nd connecting block (62b) is a connecting block installed between the third connecting block (62) and the third fixed block (63), and is configured as a dispersing means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing to the third connecting block (62) is dispersed between the third connecting block (62) and the third fixed block (63). A plurality of 32nd dispersing holes are formed through the front and rear surfaces of the 32nd connecting block (62b).

제3 분사각 조절편(68a)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 회전하도록 설치된 제3 분사각 회전축(69a)을 개재해서 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 분사각 조절부재로서, 퍼지가스의 분사각도를 조절하여 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하게 된다.The third injection angle adjustment member (68a) is an injection angle adjustment member that adjusts the injection angle of the purge gas by interposing the third injection angle rotation shaft (69a) that is installed to rotate between the third nozzle block (61) and the third connection block (62), thereby blocking the inflow of outside air from the inlet and blocking the outflow of the inert gas inside.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, by installing a nozzle part around the periphery of the chamber part and evenly spraying a purge gas into each slot groove of the loading part, the humidity of the chamber part is lowered and maintained at a constant level, thereby providing an effect of improving the production yield of semiconductors.

또한, 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing a heater section at the inlet of the nozzle section, the temperature of the inert gas is increased through the heater installed at the inlet, thereby providing an effect of improving the low-point humidity management function.

또한, 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by configuring the nozzle section in multiple stages and arranging the concentrated injection nozzles on three sides under the loading section and spraying the inert gas, a dispersing nozzle is provided that disperses the inert gas introduced into the multi-stage nozzle over the entire area, enabling the inert gas to be sprayed evenly over the entire area, and providing the effect of evenly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading section through the concentrated dispersion section under the loading section, which is vulnerable to humidity.

또한, 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a sealing material or airtight material in the section between the blocks of the nozzle section, it provides the effect of preventing the inflow of external air current into each section while preventing the leakage of inert gas.

또한, 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a curtain nozzle section at the entrance of the chamber section to form a gas curtain at the entrance and exit, fumes or foreign substances can be removed after the semiconductor processing, contamination can be prevented, and the yield of the semiconductor can be improved.

또한, 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing nozzles on the side, back, and outlet of the chamber, it provides the effect of managing humidity at 5% or less through uniform spraying of nitrogen gas.

또한, 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a nozzle section in the chamber section, the outside air is blocked, particles are prevented from entering the inside of the chamber section, and the internal humidity of the wafer is lowered, thereby providing an effect of improving the semiconductor production yield.

또한, 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by combining the nozzle section with a multi-stage distribution block and a connection block to uniformly disperse and spray the purge gas, the linear maintenance section of the fluid with the optimal outside air blocking can be determined by adjusting the straightening section according to the outside air condition factors.

또한, 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, it provides the effect of evenly distributing the fluid temporarily flowing in from the fluid inlet in the fluid flow distribution section and spraying a constant flow rate to the laminar flow nozzle.

또한, 챔버부의 좌,우측과 상부에 선형유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by purging the inert fluid through the curtain nozzle section forming a linear flow on the left, right, and upper sides of the chamber section, the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed while maintaining its shape according to the pressure and flow rate control, thereby not only improving the effect of blocking the outside air, but also minimizing the external leakage of the inert gas sprayed inside the chamber section, thereby providing the effect of effectively controlling humidity.

또한, 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by controlling the spray angle of the curtain nozzle, it provides the effect of preventing the phenomenon in which the inert fluids sprayed from both sides collide with each other and are drawn into the interior of the chamber.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention described above can be implemented in various other forms without departing from the technical idea or main characteristics thereof. Therefore, the above embodiments are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting.

10: 챔버부
20: 수납부
30: 제1 노즐부
40: 히터부
50: 제2 노즐부
60: 제3 노즐부10: Chamber
20: Storage compartment
30: Nozzle 1
40: Heater section
50: 2nd nozzle section
60: 3rd nozzle section

Claims (13)

EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치로서,
전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고, 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부(10);
상기 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부(20);
상기 챔버부(10)의 출입구에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부; 및
상기 챔버부(10)의 외부에 설치되며, 상기 챔버부(10)의 외부에서 상기 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 제1 노즐부(30);를 포함하고,
상기 제1 노즐부(30)는,
상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 제1 노즐블럭;
상기 제1 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 제1 고정블럭;
상기 제1 노즐블럭의 전후면 상부에 복수개가 관통 형성된 제1 상부노즐;
상기 제1 노즐블럭의 전후면 하부에 복수개가 관통 형성되되 상기 제1 상부노즐 보다 증가된 분사량으로 분사시키는 제1 하부노즐; 및
상기 제1 노즐블럭과 상기 제1 고정블럭 사이에 설치되어, 상기 제1 노즐블럭으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 복수개의 제1 분산홀이 관통 형성되어 있는 제1 중간블럭;을 포함하고,
상기 커튼노즐부는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제2 노즐부(50); 및
상기 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제3 노즐부(60);를 포함하고,
상기 제2 노즐부(50)는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 설치되는 제2 노즐블럭;
상기 제2 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 제2 연결블럭;
상기 제2 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 제2 고정블럭;
상기 제2 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제2 노즐; 및
상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제2 분사각 조절편;
상기 제2 노즐블럭의 양쪽 측면에 돌출 형성되어, 상기 챔버부의 출입구의 양쪽 측면에 체결고정부재에 의해 결합되어 고정되는 제2 결합편;
상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 설치되며, 상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되는 제2 연결편;
상기 제2 연결블럭과 상기 제2 고정블럭 사이에 설치되며, 상기 제2 연결블럭과 상기 제2 고정블럭 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되는 제2 고정편;
상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭과 상기 제2 고정블럭의 하부에 결합되며, 상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이의 내부공간 및 상기 제2 연결블럭과 상기 제2 고정블럭 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제2 유입홀이 상하방향으로 관통 형성되어 있는 제2 결합블럭; 및
상기 제2 결합블럭의 하부에 연결되되, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 상기 제2 노즐부의 내부로 유입시켜 상기 챔버부의 출입구에 균일하게 분사시켜 가스커튼을 형성하게 되는 제2 소켓;을 포함하고,
상기 제3 노즐부(60)는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 제3 노즐블럭;
상기 제3 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 제3 연결블럭;
상기 제3 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 제3 고정블럭;
상기 제3 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제3 노즐;
상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제3 분사각 조절편;
상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 설치되며, 상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되는 제3 연결편; 및
상기 제3 연결블럭과 상기 제3 고정블럭 사이에 설치되며, 상기 제3 연결블럭과 상기 제3 고정블럭 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되는 제3 고정편;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.As an EFEM buffer chamber device that buffers wafers being transported and installed in the EFEM return room,
A chamber section (10) having an entrance formed at the front for wafer entry and exit and a loading space formed inside for loading multiple wafers;
A loading section (20) installed in the loading space of the chamber section (10) above and having multiple layers of slots formed so that multiple wafers can be loaded and stored vertically;
A curtain nozzle section installed at the entrance of the chamber section (10) and forming a gas curtain by spraying purge gas at the entrance; and
It includes a first nozzle part (30) installed outside the chamber part (10) and formed in communication to inject purge gas from the outside of the chamber part (10) into the slots of the multiple layers of the loading part (20);
The above first nozzle part (30) is
A first nozzle block installed on the side or rear of the above chamber portion (10);
A first fixed block coupled to the outside of the first nozzle block and fixed to the side or rear of the chamber portion (10);
A first upper nozzle having multiple penetrations formed on the front and rear upper portions of the first nozzle block;
A first lower nozzle formed by penetrating the front and rear lower portions of the first nozzle block and spraying at a higher spray amount than the first upper nozzle; and
It includes a first intermediate block, which is installed between the first nozzle block and the first fixed block and has a plurality of first dispersion holes formed through it to disperse the purge gas so that the purge gas flowing to the first nozzle block is dispersed;
The above curtain nozzle part,
A second nozzle part (50) installed on both sides of the entrance of the chamber part (10) and forming a gas curtain by spraying purge gas into the entrance; and
It includes a third nozzle part (60) installed at the upper part of the entrance of the chamber part (10) and forming a gas curtain by spraying purge gas into the entrance;
The above second nozzle part (50) is
A second nozzle block installed on the side of the entrance of the chamber (10);
A second connecting block coupled to the outside of the second nozzle block and connected to the side of the entrance of the chamber part (10);
A second fixed block coupled to the outside of the second connecting block and fixed to the side of the entrance of the chamber part (10);
A plurality of second nozzles arranged linearly on the front and rear surfaces of the second nozzle block; and
A second injection angle adjustment member that is installed to rotate between the second nozzle block and the second connection block and adjusts the injection angle of the purge gas;
A second connecting piece that is formed by protruding on both sides of the second nozzle block and is fixed by being connected to both sides of the entrance/exit of the chamber portion by a fastening member;
A second connecting piece installed between the second nozzle block and the second connecting block and closely fitting around the perimeter of the internal space to maintain the airtightness of the purge gas flowing in between the second nozzle block and the second connecting block;
A second fixed piece installed between the second connecting block and the second fixed block, and installed around the perimeter of the internal space to maintain sealing of the purge gas flowing in between the second connecting block and the second fixed block;
A second connecting block is connected to the lower portion of the second nozzle block, the second connecting block, and the second fixed block, and has a plurality of second inflow holes formed vertically to introduce purge gas into the internal space between the second nozzle block and the second connecting block and the internal space between the second connecting block and the second fixed block; and
A second socket is connected to the lower part of the second combination block and is connected to a purge gas supply pipe to introduce purge gas into the interior of the second nozzle section and spray it evenly into the entrance/exit of the chamber section to form a gas curtain;
The above third nozzle part (60) is
A third nozzle block installed on the upper surface of the entrance of the chamber portion (10);
A third connecting block coupled to the outside of the third nozzle block and connected to the upper surface of the entrance of the chamber portion (10);
A third fixed block coupled to the outside of the third connecting block and fixed to the upper surface of the entrance of the chamber part (10);
A third nozzle having multiple nozzles arranged linearly on the front and rear sides of the third nozzle block;
A third injection angle adjustment member that is installed to rotate between the third nozzle block and the third connection block and adjusts the injection angle of the purge gas;
A third connecting piece installed between the third nozzle block and the third connecting block and closely fitting around the perimeter of the internal space to maintain the airtightness of the purge gas flowing in between the third nozzle block and the third connecting block; and
A buffer chamber device of an EFEM, characterized in that it includes a third fixing piece installed between the third connecting block and the third fixed block, and installed around the perimeter of the internal space to maintain sealing of the purge gas flowing in between the third connecting block and the third fixed block. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어, 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.In paragraph 1,
A buffer chamber device of an EFEM, characterized in that it further includes a heater section (40) installed at each end of the first nozzle section (30) to heat purge gas introduced from the outside. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부(30)는,
상기 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제11 노즐플레이트;
상기 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제12 노즐플레이트; 및
상기 챔버부(10)의 후면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제13 노즐플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.In paragraph 1,
The above first nozzle part (30) is
An 11th nozzle plate installed on one side of the chamber portion (10) and spraying purge gas;
A 12th nozzle plate installed on the other side of the chamber section (10) and spraying purge gas; and
A buffer chamber device of an EFEM, characterized by including a 13th nozzle plate installed at the rear of the chamber section (10) and injecting purge gas. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 하부노즐은, 상기 제1 상부노즐 보다 분사홀의 사이즈가 확장되거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.In paragraph 1,
A buffer chamber device of an EFEM, characterized in that the first lower nozzle is formed so that the size of the injection hole is larger or the number of the injection holes is increased compared to the first upper nozzle. 제 1 항에 기재된 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치.A semiconductor process device characterized by having an EFEM buffer chamber device as described in claim 1.
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