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KR102777030B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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KR102777030B1
KR102777030B1 KR1020200119786A KR20200119786A KR102777030B1 KR 102777030 B1 KR102777030 B1 KR 102777030B1 KR 1020200119786 A KR1020200119786 A KR 1020200119786A KR 20200119786 A KR20200119786 A KR 20200119786A KR 102777030 B1 KR102777030 B1 KR 102777030B1
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부면의 원주 방향을 따라 상기 기판이 안착되도록 복수의 포켓홈부가 형성되고, 상기 포켓홈부의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀이 형성되는 기판 지지대; 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부; 상기 포켓홈부에 삽입되어 상기 기판 지지대를 통해 공급되는 구동 가스에 의하여 상기 포켓홈부 내에서 부유 회전하고, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 일정 간격으로 이격 설치된 회전 패턴이 형성된 새틀라이트; 상기 회전 패턴이 이동하는 최외곽 경로 또는 최내곽 경로 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응되는 상기 공정 챔버의 외부에 형성되어, 상기 기판 지지대 및 상기 새틀라이트 중 적어도 어느 하나 이상이 회전할 경우 상기 투과홀을 통하여 상기 회전 패턴을 감지하는 회전 감지부; 및 상기 기판 지지대의 회전 시 상기 회전 감지부로부터 입력되는 상기 기판 지지대의 회전에 따른 공전 패턴 수와 상기 새틀라이트의 자전에 따른 자공전 패턴 수 및 상기 기판 지지대의 회전 속도를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;를 포함할 수 있다.The present invention comprises: a process chamber in which a processing space for processing a substrate is formed; a substrate supporter which is rotatably installed in a lower portion of the processing space to rotate the substrate, has a plurality of pocket grooves formed along a circumferential direction of an upper surface so that the substrate is seated, and has a penetration hole formed through at least a portion of the pocket grooves to penetrate to the other side; a gas injection unit which is provided on an upper portion of the process chamber so as to face the substrate supporter and injects a processing gas toward the substrate supporter; a satellite which is inserted into the pocket grooves and floats and rotates within the pocket grooves by a driving gas supplied through the substrate supporter, and has a rotation pattern formed at a predetermined interval along a circumferential direction of a side or lower surface; a rotation detection unit which is formed on the outside of the process chamber corresponding to at least one position of an outermost path or an innermost path along which the rotation pattern moves, and detects the rotation pattern through the penetration hole when at least one of the substrate supporter and the satellite rotates; And it may include a control unit that calculates the rotation speed of the satellite by using the number of rotation patterns according to the rotation of the substrate support, the number of magnetic rotation patterns according to the rotation of the satellite, and the rotation speed of the substrate support, which are input from the rotation detection unit when the substrate support is rotated.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}{Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device, and more specifically, to a substrate processing device for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture semiconductor devices, display devices, or solar cells, various processes are performed in a substrate processing device including a vacuum atmosphere process chamber. For example, a process such as loading a substrate into a process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. At this time, the substrate is supported on a substrate supporter installed in the process chamber, and a process gas can be sprayed onto the substrate through a shower head installed on the upper part of the substrate supporter so as to face the substrate supporter.

이때, 기판에 균일한 박막의 성장을 위해서는 기판이 안착되는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라, 기판도 회전하도록 하는 것이 필요할 수 있다. 즉, 기판이 반응 가스에 노출되는 동안 자전을 함으로써 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 유도할 수 있는 것이다. 이를 위한, 기판 처리 장치는, 상면에 기판을 지지할 수 있는 새틀라이트(Satellite)가 포켓홈부에 안착되며, 새틀라이트에 중심축을 기준으로 기판을 회전시킬 수 있다.At this time, in order to grow a uniform thin film on the substrate, it may be necessary to rotate not only the susceptor on which the substrate is mounted, but also the substrate. That is, by rotating the substrate while it is exposed to the reaction gas, the thin film can be induced to grow substantially uniformly. For this purpose, the substrate processing device has a satellite that can support the substrate on the upper surface mounted in a pocket groove, and can rotate the substrate around the central axis of the satellite.

그러나, 이러한 종래의 기판 지지대, 기판 처리 장치는, 기판 상에 박막이 균일하게 증착될 수 있도록 기판 지지대가 회전하는 공전 운동과 기판이 안착된 새틀라이트가 회전하는 자전 운동이 동시에 진행된다. 이때, 기판 지지대의 공전 RPM은 기판 지지대를 회전시키는 모터를 통하여 측정이 가능하지만, 기판이 안착된 새틀라이트의 자전 RPM은 측정하는데 어려움이 있다. 이에 따라, 각 새틀라이트 간의 재현성 및 공정 재현성을 확인하기 어려우며, 기판 지지대 상에 회전하는 각각의 새틀라이트의 RPM이 변화하는 것을 감지하지 못하여 기판의 회전을 안정적으로 제어하기 어려운 문제점이 있다. However, in these conventional substrate supports and substrate processing devices, the substrate support rotates in an orbital motion and the satellite on which the substrate is mounted rotates in an orbital motion so that a thin film can be uniformly deposited on the substrate. At this time, the orbital RPM of the substrate support can be measured through a motor that rotates the substrate support, but it is difficult to measure the rotational RPM of the satellite on which the substrate is mounted. Accordingly, it is difficult to confirm the reproducibility between each satellite and the process reproducibility, and there is a problem that it is difficult to stably control the rotation of the substrate because it is not possible to detect a change in the RPM of each satellite rotating on the substrate support.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 처리 공정 중 기판 지지대의 포켓홈부에 안착된 새틀라이트가 회전하는 자전 속도를 확인할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the above-mentioned problems, and aims to provide a substrate processing device capable of checking the rotational speed of a satellite installed in a pocket groove of a substrate support during a substrate processing process. However, this task is exemplary and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지대가 제공된다. 상기 기판 지지대는, 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부면의 원주 방향을 따라 상기 기판이 안착되도록 복수의 포켓홈부가 형성되고, 상기 포켓홈부의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀이 형성되는 기판 지지대; 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부; 상기 포켓홈부에 삽입되어 상기 기판 지지대를 통해 공급되는 구동 가스에 의하여 상기 포켓홈부 내에서 부유 회전하고, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 일정 간격으로 이격 설치된 회전 패턴이 형성된 새틀라이트; 상기 회전 패턴이 이동하는 최외곽 경로 또는 최내곽 경로 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응되는 상기 공정 챔버의 외부에 형성되어, 상기 기판 지지대 및 상기 새틀라이트 중 적어도 어느 하나 이상이 회전할 경우 상기 투과홀을 통하여 상기 회전 패턴을 감지하는 회전 감지부; 및 상기 기판 지지대의 회전 시 상기 회전 감지부로부터 입력되는 상기 기판 지지대의 회전에 따른 공전 패턴 수와 상기 새틀라이트의 자전에 따른 자공전 패턴 수 및 상기 기판 지지대의 회전 속도를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate support is provided. The substrate support comprises: a process chamber in which a processing space for processing a substrate is formed; a substrate support which is rotatably installed in a lower portion of the processing space to rotate the substrate, has a plurality of pocket grooves formed along a circumferential direction of an upper surface to allow the substrate to be seated therein, and has a penetration hole formed through at least a portion of the pocket grooves to penetrate to the other side; a gas injection unit which is provided on an upper portion of the process chamber so as to face the substrate support and injects a processing gas toward the substrate support; a satellite which is inserted into the pocket grooves and floats and rotates within the pocket grooves by a driving gas supplied through the substrate support, and has a rotation pattern formed at a predetermined interval along a circumferential direction of a side or bottom surface; a rotation detection unit which is formed on the outside of the process chamber corresponding to at least one position among an outermost path or an innermost path along which the rotation pattern moves, and detects the rotation pattern through the penetration hole when at least one of the substrate support and the satellite rotates; And it may include a control unit that calculates the rotation speed of the satellite by using the number of rotation patterns according to the rotation of the substrate support, the number of magnetic rotation patterns according to the rotation of the satellite, and the rotation speed of the substrate support, which are input from the rotation detection unit when the substrate support is rotated.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 투과홀은, 상기 최외곽 경로 또는 상기 최내곽 경로 중 적어도 어느 하나에 대응되는 위치에 상기 포켓홈부의 일부분에서 상기 기판 지지대의 하면으로 관통되어 형성되고, 상기 회전 감지부는, 상기 공정 챔버의 하부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 하면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the penetration hole is formed by penetrating through a portion of the pocket home portion into the lower surface of the substrate support at a position corresponding to at least one of the outermost path or the innermost path, and the rotation detection unit is formed at the lower portion of the process chamber and can detect the rotation pattern formed on the lower surface of the satellite through the penetration hole.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 투과홀은, 상기 포켓홈부의 일부분에서 상기 기판 지지대의 측면으로 관통되어 형성되고, 상기 회전 감지부는, 상기 공정 챔버의 측부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 측면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the penetration hole is formed by penetrating a portion of the pocket home portion into a side surface of the substrate support, and the rotation detection portion is formed on a side surface of the process chamber and can detect the rotation pattern formed on the side surface of the satellite through the penetration hole.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지대는, 상기 포켓홈부의 바닥면을 형성하는 본체부 및 상기 본체부의 상부에서 결합되는 커버부를 포함하고, 상기 투과홀은, 상기 본체부 및 상기 커버부 사이에 형성되고, 상기 회전 감지부는, 상기 공정 챔버의 측부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 측면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate support includes a main body part forming a bottom surface of the pocket home part and a cover part coupled to an upper portion of the main body part, the penetration hole is formed between the main body part and the cover part, and the rotation detection part is formed on a side of the process chamber and can detect the rotation pattern formed on the side of the satellite through the penetration hole.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 회전 감지부는, 거리 센서를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 거리 센서를 통하여 측정된 회전 패턴의 거리 정보를 통하여 상기 새틀라이트의 부유상태를 판별하는 부유상태 판별부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the rotation detection unit may include a distance sensor, and the control unit may include a floating state determination unit that determines the floating state of the satellite through distance information of a rotation pattern measured through the distance sensor.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제어부는, 상기 회전 감지부에서 측정된 상기 투과홀의 수를 통하여 상기 기판 지지대의 회전 상태를 판별하는 공전 판별부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the control unit may include a rotation determination unit that determines the rotation state of the substrate support through the number of the penetration holes measured by the rotation detection unit.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 회전 패턴은, 상기 새틀라이트의 외면을 기준으로 음각 또는 양각 중 어느 하나의 구조로 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the rotation pattern may be formed as either a negative or positive structure based on the outer surface of the satellite.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 회전 감지부는, 비전 센서, 거리 센서 및 적외선 센서 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the rotation detection unit may include at least one of a vision sensor, a distance sensor, and an infrared sensor.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제어부는, 상기 공전 패턴 수와 자공전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 패턴 수를 산출하고, 상기 공전 패턴 수 및 상기 기판 지지대의 회전 속도를 이용하여 상기 자전 패턴 수에 대한 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the control unit can calculate the number of rotation patterns of the satellite using the number of orbital patterns and the number of self-orbital patterns, and can calculate the rotation speed of the satellite with respect to the number of rotation patterns using the number of orbital patterns and the rotation speed of the substrate support.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지대가 회전하는 경우 상기 회전 패턴 간의 간격 정보 및 상기 회전 감지부를 통하여 감지되는 상기 공전 패턴 수를 이용하여 공전에 따른 상기 회전 패턴이 감지되는 패턴 감지 시간 및 상기 회전 감지부로부터 입력되는 상기 공전 패턴 수와 상기 자공전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 패턴 수를 산출하고, 상기 패턴 감지 시간 및 상기 자전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전에 따른 초당 회전량을 산출하고 이를 RPM으로 변환하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when the substrate support rotates, the interval information between the rotation patterns and the number of revolution patterns detected through the rotation detection unit are used to detect the pattern detection time at which the rotation pattern according to revolution is detected, and the number of revolution patterns and the number of magnetic revolution patterns input from the rotation detection unit are used to calculate the number of rotation patterns of the satellite, and the rotation amount per second according to the rotation of the satellite is calculated using the pattern detection time and the number of rotation patterns, and this is converted into RPM to calculate the rotation speed of the satellite.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 새틀라이트는, 상기 구동 가스로부터 회전력을 전달받는 요철부;를 포함하고, 상기 회전 패턴은 상기 요철부일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the satellite includes a recessed portion that receives rotational force from the driving gas, and the rotation pattern may be the recessed portion.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 따르면, 기판의 처리 공정 시 기판 지지대의 포켓홈부에 안착된 새틀라이트에 형성된 패턴을 감지하여, 새틀라이트가 회전하는 자전 속도를 확인할 수 있어, 각 새틀라이트 간의 재현성 및 공정 재현성을 확인할 수 있으며, 기판 지지대 상에 회전하는 각각의 새틀라이트가 자전하는 RPM이 변화하는 것을 감지할 수 있다.According to the substrate support and substrate processing device according to one embodiment of the present invention as described above, by detecting a pattern formed on a satellite seated in a pocket groove of the substrate support during a substrate processing process, the rotation speed of the satellite can be confirmed, so that reproducibility between each satellite and process reproducibility can be confirmed, and a change in the RPM of each satellite rotating on the substrate support can be detected.

이에 따라, 기판의 처리 공정 중 기판 지지대의 포켓홈부에 안착된 기판의 자전 운동을 확인하고, 이를 안정적으로 제어할 수 있어, 기판에 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 유도함으로써, 기판의 처리 품질을 높이고 공정 수율을 증가시키는 효과를 가지는 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Accordingly, a substrate processing device having the effect of improving substrate processing quality and increasing process yield can be implemented by confirming the rotational motion of a substrate seated in a pocket groove of a substrate support during a substrate processing process and stably controlling it, thereby inducing more uniform growth of a thin film on the substrate. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A`의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대를 나타내는 부분 단면도이다.
도 5(a) 및 도 5(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 공전시 감지된 패턴과 자공전시 감지된 패턴을 비교하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7는 도 6의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치의 회전 감지부 및 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a perspective view schematically showing a substrate support of the substrate processing device of Fig. 1.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the cross-section of AA` of Figure 2.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a substrate support of a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5(a) and FIG. 5(b) are drawings comparing a pattern detected during rotation and a pattern detected during self-rotation using a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing device according to another embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a perspective view schematically showing a substrate support of the substrate processing device of Fig. 6.
Fig. 8 is a cross-sectional view schematically showing the rotation detection unit and substrate support of the substrate processing device of Fig. 7.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the following embodiments. Rather, these embodiments are provided to more faithfully and completely convey the idea of the present invention to those skilled in the art. In addition, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to drawings that schematically illustrate ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, variations in the shapes depicted may be expected depending on manufacturing techniques and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions depicted in this specification, but should include, for example, variations in shapes resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 지지대(200)를 개략적으로 나타내는 사시도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing device (1000) according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically showing a substrate support (200) of FIG. 1.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 크게 공정 챔버(100), 기판 지지대(200), 가스 분사부(300), 새틀라이트(400), 회전 감지부(500) 및 제어부(600)를 포함할 수 있다.First, as illustrated in FIG. 1, a substrate processing device (1000) according to one embodiment of the present invention may largely include a process chamber (100), a substrate support (200), a gas injection unit (300), a satellite (400), a rotation detection unit (500), and a control unit (600).

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100)는, 복수의 기판들(S)을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 상기 챔버 몸체는 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간이 형성될 수 있다. 상기 처리 공간에서는 상기 처리 공간에 설치된 기판 지지대(200)에 지지되는 복수의 기판들(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the process chamber (100) may include a chamber body in which a processing space capable of processing a plurality of substrates (S) is formed. The chamber body may have a processing space formed in a circular or square shape formed therein. In the processing space, a process such as depositing a thin film or etching a thin film on a plurality of substrates (S) supported by a substrate support (200) installed in the processing space may be performed.

공정 챔버(100)는 상기 챔버 몸체의 적어도 일부에 투과창(110)이 형성될 수 있다.The process chamber (100) may have a transparent window (110) formed in at least a portion of the chamber body.

투과창(110)은 외부에서 내측의 물리적 또는 화학적 변화를 감지할 수 있도록, 공정 챔버(100)의 하면의 일부분이 관통되어 뷰포트와 같은 글래스 형태로 형성될 수 있다.The viewing window (110) may be formed in a glass shape, such as a viewport, by penetrating a portion of the lower surface of the process chamber (100) so that physical or chemical changes inside can be detected from the outside.

또한, 상기 챔버 몸체의 하측에는 기판 지지대(200)를 둘러싸는 형상으로 복수의 배기 포트(E)가 설치될 수 있다. 배기 포트(E)는, 배관을 통하여 공정 챔버(100) 외부에 설치된 메인 진공 펌프와 연결될 수 있다. 또한, 배기 포트(E)는 공정 챔버(1000)의 상기 처리 공간 내부의 공기를 흡입함으로써, 상기 처리 공간 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간 내부에 진공 분위기가 형성될 수 있다.In addition, a plurality of exhaust ports (E) may be installed on the lower side of the chamber body in a shape that surrounds the substrate support (200). The exhaust ports (E) may be connected to a main vacuum pump installed outside the process chamber (100) through a pipe. In addition, the exhaust ports (E) may exhaust various processing gases inside the processing space or form a vacuum atmosphere inside the processing space by sucking in air inside the processing space of the process chamber (1000).

도시되지 않았지만, 상기 챔버 몸체의 측면에는 복수의 기판들(S)을 상기 처리 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 상기 챔버 몸체의 상기 처리 공간은 탑 리드에 의해 폐쇄될 수 있다.Although not shown, a gate, which is a passage through which a plurality of substrates (S) can be loaded or unloaded into the processing space, may be formed on the side of the chamber body. In addition, the processing space of the chamber body, which is open at the top, may be closed by a top lid.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(200)는, 상기 처리 공간 하부에 기판(S)을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(200)는, 복수의 기판들(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등을 포함하는 기판 지지 구조체일 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate support (200) may be rotatably installed to rotate the substrate (S) below the processing space. For example, the substrate support (200) may be a substrate support structure including a susceptor or table capable of supporting a plurality of substrates (S).

기판 지지대(200)는 상부면의 원주 방향으로 기판(S)이 안착될 수 있도록 상면이 오목하게 형성되는 포켓홈부(210)가 복수개 형성될 수 있다.The substrate support (200) may have a plurality of pocket grooves (210) formed in a concave shape on the upper surface so that the substrate (S) can be secured in the circumferential direction of the upper surface.

포켓홈부(210)는 기판 지지대(200)의 상면으로부터 오목하게 형성되어 새틀라이트(400)와 대응되는 형상으로 기판이 안착된 새틀라이트(400)가 안착될 수 있다. 포켓홈부(210)는 기판 지지대(200)의 회전축을 중심으로 기판 지지대(200)의 외주면 방향을 따라서 등각으로 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 이때, 포켓홈부(210)는 새틀라이트(400)의 적어도 일부분이 수용되어 안착될 수 있다.The pocket home portion (210) is formed concavely from the upper surface of the substrate support (200) and has a shape corresponding to that of the satellite (400), so that a satellite (400) on which a substrate is mounted can be mounted. At least one pocket home portion (210) can be arranged equiangularly along the outer peripheral direction of the substrate support (200) with the rotation axis of the substrate support (200) as the center. At this time, at least a part of the satellite (400) can be accommodated and mounted in the pocket home portion (210).

복수의 포켓홈부(210)는 기판 지지대(200) 상면의 중심점에서 일정한 거리에 이격되어, 상기 회전축을 기준으로 동일한 각도를 가지고 원형으로 배치될 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(200)의 중심에서 동일한 거리로 이격되어, 60도, 120도, 180도, 240도, 300도, 360도에 6개의 포켓홈부가 형성될 수 있다. 이외에도, 기판 지지대(200)에는 다수의 포켓홈부를 포함하는 복수의 포켓홈부(210)가 형성될 수 있다.A plurality of pocket grooves (210) may be arranged in a circle at equal angles relative to the rotation axis, spaced apart at equal distances from the center point of the upper surface of the substrate support (200). For example, as shown in FIG. 2, six pocket grooves may be formed at equal distances from the center of the substrate support (200), at angles of 60 degrees, 120 degrees, 180 degrees, 240 degrees, 300 degrees, and 360 degrees. In addition, a plurality of pocket grooves (210) including a plurality of pocket grooves may be formed on the substrate support (200).

포켓홈부(210)의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀(220)이 형성될 수 있다.At least a portion of the pocket home portion (210) may have a penetration hole (220) formed through the other side.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 투과홀(220)은 포켓홈부(210)의 바닥면에서 소정 영역이 기판 지지대(200)의 하부면까지 관통되어 형성될 수 있다. 이때, 투과홀(220)을 통하여 포켓홈부(210)에 안착되는 새틀라이트(400)의 하면을 감지할 수 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, a penetration hole (220) can be formed by penetrating a predetermined area from the bottom surface of the pocket home portion (210) to the lower surface of the substrate support (200). At this time, the lower surface of the satellite (400) that is seated on the pocket home portion (210) can be detected through the penetration hole (220).

구체적으로, 투과홀(220)은 새틀라이트(400)에 형성된 회전 패턴이 이동하는 최외곽 경로 또는 최내곽 경로에 대응되는 위치에 형성될 수 있으며, 최외곽 경로 및 최내곽 경로는 후술하도록 한다.Specifically, the penetration hole (220) can be formed at a position corresponding to the outermost path or the innermost path along which the rotation pattern formed in the satellite (400) moves, and the outermost path and the innermost path will be described later.

투과홀(220)은 복수의 포켓홈부(210) 각각에 형성되어 기판 지지대(200)가 회전하면서 각각의 포켓홈부(210)에 안착된 새틀라이트(400)를 모두 감지할 수 있다.A penetration hole (220) is formed in each of the plurality of pocket grooves (210), so that all satellites (400) seated in each pocket groove (210) can be detected as the substrate support (200) rotates.

또한, 투과홀(220)은 포켓홈부(210) 내에서 새틀라이트(400)가 회전할 경우에, 마찰에 의하여 발생되는 파티클을 기판 지지대(100)의 하부로 배출할 수 있다.In addition, the penetration hole (220) can discharge particles generated by friction when the satellite (400) rotates within the pocket home portion (210) to the lower part of the substrate support (100).

기판 처리 장치(1000)는, 기판 지지대(200)를 회전시킬 수 있도록 구동부(M)로부터 회전 동력을 공급받는 샤프트(700)를 포함할 수 있다. 샤프트(700)는 기판 지지대(200)의 하부에 상기 회전축과 일치하는 중심축을 가지도록 형성되어 기판 지지대(200)를 지지할 수 있고, 구동부(M)로부터 기판 지지대(200)를 회전시키는 동력을 전달하여 기판 지지대(200)와 함께 회전할 수 있다.The substrate processing device (1000) may include a shaft (700) that receives rotational power from a driving unit (M) to rotate a substrate support (200). The shaft (700) is formed to have a central axis that coincides with the rotational axis at the bottom of the substrate support (200) so as to support the substrate support (200), and may transmit power to rotate the substrate support (200) from the driving unit (M) so as to rotate together with the substrate support (200).

기판 지지대(200)는, 공정 온도로 가열되어 복수의 포켓홈부(210)에 안착되는 복수의 기판들(S)을 가열시키는 히터를 통하여, 복수의 기판들(S)에 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 공정온도로 가열 시킬 수 있다.The substrate support (200) can be heated to a process temperature that allows a process of depositing a thin film on a plurality of substrates (S) or a process of etching a thin film to be performed by means of a heater that heats a plurality of substrates (S) that are placed in a plurality of pocket home portions (210) by being heated to a process temperature.

이때, 상기 히터는 기판 지지대(200)에 형성될 수 있으며, 또한, 기판 지지대(200)의 외부에 형성되어 복수의 기판들(S)을 가열시킬 수 있다.At this time, the heater may be formed on the substrate support (200), and may also be formed on the outside of the substrate support (200) to heat a plurality of substrates (S).

이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 공정 챔버(1000) 상부의 구비되어 기판 지지대(200)에 안착된 복수의 기판들(S)을 향해 공정 가스 및 세정 가스 등 각종 처리 가스를 분사하는 가스 분사부(300)를 포함할 수 있다.At this time, the substrate processing device (1000) according to one embodiment of the present invention may include a gas injection unit (300) that injects various processing gases, such as a process gas and a cleaning gas, toward a plurality of substrates (S) mounted on a substrate support (200) provided at the upper portion of the process chamber (1000).

가스 분사부(300)는 공정 챔버(1000) 상부 중심부에 형성되어, 하부의 기판들을 향하여 상기 공정 가스를 분사할 수 있으며, 또한, 기판 지지대(200)와 대향되도록 공정 챔버(1000)의 상부에 형성되어, 상기 공정 가스가 하부의 복수의 기판들(S)을 향하여 상기 공정 가스가 낙하하도록 분사할 수 있다.The gas injection unit (300) is formed in the upper central portion of the process chamber (1000) and can inject the process gas toward the substrates below, and is also formed in the upper portion of the process chamber (1000) so as to face the substrate support (200) and can inject the process gas so that it falls toward the plurality of substrates (S) below.

도 3은 도 2의 A-A`의 단면을 나타내는 단면도이고, 도 4는 기판 지지대의 배면을 구체적으로 나타내는 부분 단면도이다.Fig. 3 is a cross-sectional view showing the section A-A` of Fig. 2, and Fig. 4 is a partial cross-sectional view specifically showing the back surface of the substrate support.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 새틀라이트(400)는, 포켓홈부(210)에 삽입되어 기판 지지대(200)를 통해 공급되는 구동 가스에 의하여 포켓홈부(210) 내에서 부유 회전할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the satellite (400) of the present invention is inserted into the pocket home portion (210) and can float and rotate within the pocket home portion (210) by a driving gas supplied through the substrate support (200).

새틀라이트(400)는 기판 안착부(410), 엣지부 및 회전 패턴(430)을 포함할 수 있다.The satellite (400) may include a substrate mounting portion (410), an edge portion, and a rotation pattern (430).

기판 안착부(410)는 기판(S)이 안착될 수 있도록 상면에 오목하게 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판 안착부(410)는 새틀라이트(400)의 상면에 오목하게 형성될 수 있으며, 또한, 기판(S)과 대응되는 형상으로 기판(S)의 적어도 일부분이 안착될 수 있다. The substrate mounting portion (410) may be formed concavely on the upper surface so that the substrate (S) may be mounted thereon. Specifically, the substrate mounting portion (410) may be formed concavely on the upper surface of the satellite (400), and at least a portion of the substrate (S) may be mounted thereon in a shape corresponding to the substrate (S).

상기 엣지부는 기판 안착부(410)의 외측을 따라 소정의 폭을 가지고 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 엣지부는 기판(S)이 안착되는 기판 안착부(410)의 둘레를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 상기 엣지부는 기판 안착부(410)의 둘레의 측면부 또는 새틀라이트(400)의 후면부의 둘레를 포함할 수 있다.The edge portion may be formed with a predetermined width along the outer side of the substrate mounting portion (410). Specifically, the edge portion may include the perimeter of the substrate mounting portion (410) on which the substrate (S) is mounted. In addition, although not shown, the edge portion may include the perimeter of the side surface of the perimeter of the substrate mounting portion (410) or the rear surface of the satellite (400).

회전 패턴(430)은 새틀라이트(400)의 측면 또는 하부에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 회전 패턴(430)은 상기 엣지부의 측면 또는 후방 하부에 형성되는 것으로, 새틀라이트(400) 측면 또는 하부의 원주를 따라서 일정 간격으로 배치된 복수의 홈을 포함할 수 있다.The rotation pattern (430) may be formed at regular intervals on the side or bottom of the satellite (400). Specifically, the rotation pattern (430) is formed on the side or lower rear portion of the edge portion, and may include a plurality of grooves arranged at regular intervals along the circumference of the side or bottom of the satellite (400).

예컨대, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 패턴(430)은 새틀라이트(400) 측부 또는 하부의 원주를 따라 음각 또는 양각으로 형성되어, 회전 감지부(500)에 의하여 감지될 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 회전 패턴(430)은 새틀라이트(400) 측부 또는 하부의 원주를 따라 일정한 간격으로 형성되는 반사판을 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 3 and 4, the rotation pattern (430) may be formed as a negative or positive shape along the circumference of the side or bottom of the satellite (400) and may be detected by the rotation detection unit (500). In addition, although not shown, the rotation pattern (430) may include reflectors formed at regular intervals along the circumference of the side or bottom of the satellite (400).

새틀라이트(400)에 양각 또는 음각 패턴을 형성하더라도 회전 패턴(430)이 하부 또는 측면에 형성되기 때문에 공정 가스 와류에 영향을 주지 않고, 회전 패턴(430)의 영향으로 인한 공정 가스의 흐름이 달라지는 것을 방지하여, 증착에 영향을 주지 않을 수 있다.Even if a positive or negative pattern is formed on the satellite (400), the rotation pattern (430) is formed on the bottom or side, so that it does not affect the process gas vortex and prevents the flow of the process gas from changing due to the influence of the rotation pattern (430), so that it does not affect the deposition.

또한, 새틀라이트(400)의 하면에는 상기 구동 가스로부터 회전력을 전달받는 요철부를 포함할 수 있다. 이때, 새틀라이트(400)를 회전시킬 수 있도록 형성된 상기 요철부가 포켓홈부(210)에서 공급되는 가스를 통하여 새틀라이트(400)를 회전시킬 수 있고, 동시에, 회전 감지부(500)에서 감지되는 패턴일 수 있다.In addition, the lower surface of the satellite (400) may include a protruding portion that receives rotational power from the driving gas. At this time, the protruding portion formed to rotate the satellite (400) may rotate the satellite (400) through the gas supplied from the pocket home portion (210), and at the same time, may be a pattern detected by the rotation detection portion (500).

즉, 새틀라이트(400)를 부유시키기 위한 리프팅 가스를 공급하는 리프팅 가스홀부와 새틀라이트(400)를 회전시키기 위한 로테이션 가스를 공급하는 회전 가스 공급부를 포함하는 설비에서는 새틀라이트(400) 회전을 위한 요철부가 가장자리 하부에 있기 때문에 상기 요철부가 회전 패턴(430)이 될 수 있어, 별도의 회전 패턴(430)을 형성하지 않아도 되어 제조 공정 및 장치가 단순화될 수 있다.That is, in a facility including a lifting gas hole for supplying lifting gas for floating a satellite (400) and a rotation gas supply unit for supplying rotation gas for rotating the satellite (400), since the uneven portion for rotating the satellite (400) is located at the lower edge, the uneven portion can become a rotation pattern (430), so that a separate rotation pattern (430) does not need to be formed, and thus the manufacturing process and device can be simplified.

도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 감지부(500)는 공정 챔버(100)의 하부에 구비될 수 있다. 이에 따라, 기판 지지대(200) 상에서 복수의 새틀라이트(400) 중 적어도 하나의 새틀라이트 상의 회전 패턴(430)을 감지할 수 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 4, a rotation detection unit (500) may be provided at the bottom of the process chamber (100). Accordingly, a rotation pattern (430) on at least one satellite among a plurality of satellites (400) on the substrate support (200) may be detected.

회전 감지부(500)는 새틀라이트(400)가 자전할 경우에 회전 패턴(430)을 감지할 수 있으며, 또한, 기판 지지대(200)가 공전할 경우에 새틀라이트(400)에 형성된 회전 패턴(430)을 감지할 수 있도록, 새틀라이트(400)의 자전 경로 및 기판 지지대(200)의 공전경로가 겹치는 영역에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.The rotation detection unit (500) can detect a rotation pattern (430) when the satellite (400) rotates, and can also detect a rotation pattern (430) formed on the satellite (400) when the substrate support (200) rotates, and can be formed at a position corresponding to an area where the rotation path of the satellite (400) and the rotation path of the substrate support (200) overlap.

구체적으로, 회전 감지부(500)는, 기판 지지대(200)의 회전에 따라 새틀라이트(400)가 기판 지지대(200) 중심을 기준으로 공전하는 경우 회전 패턴(430)을 감지하기 위하여, 회전 패턴(430)이 이동하는 최외곽 경로 또는 최내곽 경로 중 어느 하나의 위치에 대응되는 위치에서 공정 챔버(100)의 외부 하방에 브라켓으로 고정되어 형성될 수 있다.Specifically, the rotation detection unit (500) may be formed by being fixed as a bracket to the lower exterior of the process chamber (100) at a position corresponding to one of the outermost path or the innermost path along which the rotation pattern (430) moves in order to detect the rotation pattern (430) when the satellite (400) revolves around the center of the substrate support (200) according to the rotation of the substrate support (200).

최내곽 경로는 기판 지지대(200)의 회전축을 중심으로 새틀라이트(400)까지 가장 가까운 위치에 대응되는 경로이고, 최외곽 경로는 기판 지지대(200)의 회전축을 중심으로 새틀라이트(400)까지 가장 먼 위치에 대응되는 경로일 수 있다.The innermost path may be a path corresponding to the closest position to the satellite (400) with the rotation axis of the substrate support (200) as the center, and the outermost path may be a path corresponding to the farthest position to the satellite (400) with the rotation axis of the substrate support (200) as the center.

이때, 회전 패턴(430)이 최내곽에 위치하는 경우 보다 최외곽에 위치하는 경우에 더 넓은 감지 영역을 가질 수 있어, 회전 감지부(500)는 최외곽에 대응되는 위치에 형성되는 것이 정밀한 측정이 가능할 수 있다.At this time, since the rotation pattern (430) can have a wider detection area when it is located at the outermost side than when it is located at the innermost side, the rotation detection unit (500) can be formed at a position corresponding to the outermost side to enable precise measurement.

회전 감지부(500)는 기판 지지대(200) 및 새틀라이트(400) 중 적어도 어느 하나 이상이 회전할 경우 기판 지지대(200)의 투과홀(220)을 통하여 새틀라이트(400)의 하부에 형성된 회전 패턴(430)을 감지할 수 있다.The rotation detection unit (500) can detect a rotation pattern (430) formed at the bottom of the satellite (400) through the penetration hole (220) of the substrate support (200) when at least one of the substrate support (200) and the satellite (400) rotates.

회전 감지부(500)는 새틀라이트(400)에 형성된 회전 패턴(430)을 감지할 수 있으며, 회전 패턴(430)이 홈으로 형성될 경우 홈의 개수를 감지할 수 있다.The rotation detection unit (500) can detect a rotation pattern (430) formed in the satellite (400), and if the rotation pattern (430) is formed as a groove, the number of grooves can be detected.

또한, 회전 감지부(500)는 새틀라이트(400)가 부유될 경우에 새틀라이트(400)가 부유된 갭을 모니터링하여 새틀라이트(400)의 상태를 실시간으로 확인할 수 있으며, 기판 지지대(100)의 변형, 기울어짐, 볼트 풀림, 회전 속도 등을 모니터링 할 수 있다.In addition, the rotation detection unit (500) can monitor the gap in which the satellite (400) floats when the satellite (400) floats to check the status of the satellite (400) in real time, and can monitor deformation, tilting, bolt loosening, rotation speed, etc. of the substrate support (100).

이때, 회전 감지부(500)는, 비전 센서, 거리 센서, 변위 센서, 적외선 센서 및 고온계 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 그리하여, 회전 감지부(500)는 음각, 양각 및 반사판 등의 다양한 형태로 형성된 회전 패턴(430)을 감지할 수 있는 것이다.At this time, the rotation detection unit (500) may include at least one of a vision sensor, a distance sensor, a displacement sensor, an infrared sensor, and a pyrometer. Thus, the rotation detection unit (500) can detect a rotation pattern (430) formed in various shapes such as a negative, positive, and reflective plate.

예컨대, 회전 감지부(500)는 거리 센서이며, 제어부(600)는 상기 거리 센서를 통하여 측정된 회전 패턴(430)과의 거리 정보를 통하여 새틀라이트(400)의 부유상태를 판별하는 판별부를 포함하고, 상기 판별부로부터 부유 상태를 감지할 수 있으며, 새틀라이트(400)의 부유 정도를 측정할 수 있다.For example, the rotation detection unit (500) is a distance sensor, and the control unit (600) includes a determination unit that determines the floating state of the satellite (400) through distance information from the rotation pattern (430) measured by the distance sensor, and the floating state can be detected from the determination unit and the floating degree of the satellite (400) can be measured.

제어부(600)는 기판 지지대(200)의 회전 시 회전 감지부(500)로부터 입력되는 기판 지지대(200)의 회전에 따른 공전 패턴 수와 새틀라이트(400)의 자전에 따른 자공전 패턴 수 및 기판 지지대(200)의 회전 속도를 이용하여 새틀라이트(400)의 자전 속도를 산출할 수 있다.The control unit (600) can calculate the rotation speed of the satellite (400) by using the number of rotation patterns according to the rotation of the substrate support (200) input from the rotation detection unit (500) when the substrate support (200) rotates, the number of rotation patterns according to the rotation of the satellite (400), and the rotation speed of the substrate support (200).

구체적으로, 제어부(600)는 공전 패턴 수와 자공전 패턴 수를 이용하여 새틀라이트(400)의 자전 패턴 수를 산출하고, 상기 공전 패턴 수 및 기판 지지대(200)의 회전 속도를 이용하여 상기 자전 패턴 수에 대한 새틀라이트(400)의 자전 속도를 산출할 수 있다.Specifically, the control unit (600) can calculate the number of rotation patterns of the satellite (400) using the number of orbital patterns and the number of self-orbital patterns, and can calculate the rotation speed of the satellite (400) for the number of rotation patterns using the number of orbital patterns and the rotation speed of the substrate support (200).

예컨대, 제어부(600)는, 기판 지지대(200)가 공전할 경우 측정시간 동안 감지된 공전 패턴수를 회전 감지부(500)로부터 입력받는 공전 패턴수 입력부, 기판 지지대(200)가 공전하고 새틀라이트(400)가 자전할 경우 상기 측정시간 동안 감지된 자공전 패턴수를 회전 감지부(500)로부터 입력받는 자공전 패턴수 입력부, 상기 자공전 패턴수와 상기 공전 패턴수의 차이, 상기 측정시간 및 회전 패턴(430) 간의 간격을 통하여 새틀라이트(400)의 자전 속도를 산출하는 자전 속도 산출부를 포함할 수 있다.For example, the control unit (600) may include an orbital pattern number input unit that receives an orbital pattern number detected during a measurement time from a rotation detection unit (500) when the substrate support (200) rotates, an orbital pattern number input unit that receives an orbital pattern number detected during the measurement time from a rotation detection unit (500) when the substrate support (200) rotates and the satellite (400) rotates, and a rotation speed calculation unit that calculates a rotation speed of the satellite (400) through a difference between the orbital pattern number and the orbital pattern number, the measurement time, and an interval between rotation patterns (430).

구체적으로, 상기 공전 패턴수는 기판 지지대(200)가 회전하는 공전이 이루어지고, 새틀라이트(400)가 회전하는 자전은 이루어지지 않는 경우에 측정할 수 있다. 이때, 회전 감지부(500)에서 기판 지지대(200)가 공전할 경우 상기 측정시간 동안 회전 패턴(430)의 개수를 감지하여 공전 패턴수를 감지할 수 있는 것이다.Specifically, the above-mentioned number of rotation patterns can be measured when the substrate support (200) rotates and the rotation occurs, but the satellite (400) does not rotate. At this time, the rotation detection unit (500) detects the number of rotation patterns (430) during the measurement time when the substrate support (200) rotates, thereby detecting the number of rotation patterns.

여기서, 회전 패턴(430)은 새틀라이트(400)의 둘레에 일정간격으로 이격되어 형성될 수 있으며, 회전 패턴(430)의 각각의 요철이 형성된 간격을 제어부(600)에 미리 입력할 수 있다.Here, the rotation pattern (430) can be formed at regular intervals around the satellite (400), and the interval at which each protrusion of the rotation pattern (430) is formed can be input in advance into the control unit (600).

예컨대, 도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 회전 패턴(430)은 1도에 1개씩 형성되어 새틀라이트(400)의 둘레에 총 360개의 패턴이 형성될 경우, 기판 지지대(200)를 1RPM으로 회전시키면서 회전 감지부(500) 새틀라이트(400)의 회전 패턴(430)을 측정한다.For example, as shown in FIGS. 4 and 5, when a rotation pattern (430) is formed at one per degree and a total of 360 patterns are formed around the satellite (400), the rotation detection unit (500) measures the rotation pattern (430) of the satellite (400) while rotating the substrate support (200) at 1 RPM.

이때, 17.5개의 회전 패턴(430)이 감지 된다면, 감지된 새틀라이트(400)의 각도는 17.5도이며, 기판 지지대(400)가 1RPM으로 회전시에 패턴이 측정되는 시간은 약 2.9167초((17.5 degree/60 sec)* 360 degree)이다.At this time, if 17.5 rotation patterns (430) are detected, the angle of the detected satellite (400) is 17.5 degrees, and the time for the pattern to be measured when the substrate support (400) rotates at 1 RPM is approximately 2.9167 seconds ((17.5 degrees/60 sec) * 360 degrees).

즉, 공전 속도는 1RPM, 감지된 공전 패턴은 17.5개 및 상기 측정시간은 2.9167초로 산출될 수 있다. 이때, 기판 지지대(200)의 상기 공전 속도는 구동부(M)로부터 제어할 수 있다.That is, the rotation speed can be calculated as 1 RPM, the detected rotation pattern as 17.5, and the measurement time as 2.9167 seconds. At this time, the rotation speed of the substrate support (200) can be controlled from the driving unit (M).

이어서, 상기 자공전 패턴수는 기판 지지대(200)가 회전하는 공전이 이루어지고, 새틀라이트(400)가 회전하는 자전이 이루어지는 경우에 측정할 수 있다. 이때, 회전 감지부(500)에서 기판 지지대(200)가 자공전하는 상기 측정시간 동안 회전 패턴(430)의 개수를 감지하여 자공전 패턴수를 감지할 수 있는 것이다.Next, the number of the above-mentioned self-rotation patterns can be measured when the substrate support (200) rotates and makes a revolution and the satellite (400) rotates and makes an axis rotation. At this time, the number of rotation patterns (430) can be detected by detecting the number of rotation patterns (430) during the measurement time in which the substrate support (200) rotates and the number of self-rotation patterns can be detected.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(200)의 공전과 복수의 새틀라이트(400)의 자전이 동시에 이루어질 경우에는, 상기 측정시간인 2.9167초 동안, 회전 감지부(500)에서 50개의 자공전 패턴을 감지할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, when the rotation of the substrate support (200) and the rotation of multiple satellites (400) occur simultaneously, the rotation detection unit (500) can detect 50 rotation patterns during the measurement time of 2.9167 seconds.

이에 따라, 제어부(600)에서는, 상기 측정시간인 2.9167초 동안의 자전 패턴수가 상기 자공전 패턴수에서 상기 공전 패턴수의 차이인 32.5개로 산출될 수 있다. 이를, 자전 속도로 산출하면 1.857RPM ([(32.5 degree/2.9167 sec)* 60] / 360 degree)으로서, 즉, 새틀라이트(400)의 자전 속도는 약 1.857RPM 으로 산출될 수 있다.Accordingly, the control unit (600) can calculate the number of rotation patterns during the measurement time of 2.9167 seconds as 32.5, which is the difference between the number of rotation patterns and the number of orbital patterns. When this is calculated as the rotation speed, it is 1.857 RPM ([(32.5 degree/2.9167 sec)* 60] / 360 degree), that is, the rotation speed of the satellite (400) can be calculated as approximately 1.857 RPM.

또한, 제어부(600)는, 기판 지지대(200)가 회전하는 경우 회전 패턴(430)의 간격 정보 및 회전 감지부(500)를 통하여 감지되는 상기 공전 패턴 수를 이용하여 공전에 따른 회전 패턴(430)이 감지되는 측정시간 및 회전 감지부(500)로부터 입력되는 상기 공전 패턴 수와 상기 자공전 패턴 수를 이용하여 새틀라이트(400)의 자전 패턴 수를 산출할 수 있다.In addition, the control unit (600) can use the interval information of the rotation pattern (430) and the number of rotation patterns detected through the rotation detection unit (500) when the substrate support (200) rotates to calculate the number of rotation patterns of the satellite (400) by using the measurement time at which the rotation pattern (430) is detected according to the rotation and the number of rotation patterns and the number of self-rotation patterns input from the rotation detection unit (500).

이어서, 상기 패턴 감지 시간 및 상기 자전 패턴 수를 이용하여 새틀라이트(400)의 자전에 따른 초당 회전량을 산출하고 이를 RPM으로 변환하여 새틀라이트(400)의 자전 속도를 산출할 수 있다.Next, using the pattern detection time and the number of rotation patterns, the rotation per second of the satellite (400) according to its rotation can be calculated and converted into RPM to calculate the rotation speed of the satellite (400).

예컨대, 기판 지지대(400)가 1RPM으로 회전시에 17.5개의 패턴이 감지 된다면, 상기 자공전 패턴수에서 상기 공전 패턴수의 차이인 32.5개의 패턴이 감지되는 기판 지지대(400)의 RPM은 1.857RPM(1RPM : 17.5 = xRPM : 32.5)로 산출될 수 있다.For example, if 17.5 patterns are detected when the substrate support (400) rotates at 1 RPM, the RPM of the substrate support (400) in which 32.5 patterns are detected, which is the difference between the number of rotation patterns and the number of rotation patterns, can be calculated as 1.857 RPM (1 RPM: 17.5 = x RPM: 32.5).

상술한 바와 같이, 회전 감지부(500)에서 공전 패턴수 및 자공전 패턴수를 감지하여, 제어부(600)에서 측정시간 및 공전 패턴수와 자공전 패턴수의 차이로 자전 속도를 산출할 수 있으며, 또한, 새틀라이트(200)의 회전 속도와 공전 패턴수 및 자공전 패턴수의 비로 자전 속도를 산출할 수 있다.As described above, the rotation detection unit (500) detects the number of revolution patterns and the number of self-revolution patterns, and the control unit (600) can calculate the rotation speed using the measurement time and the difference between the number of revolution patterns and the number of self-revolution patterns. In addition, the rotation speed can be calculated using the ratio of the rotation speed of the satellite (200) and the number of revolution patterns and the number of self-revolution patterns.

또한, 새틀라이트(200)의 회전 패턴(430)을 회전 감지부(500)에서 실시간으로 감지하여 감지된 회전 패턴(430)이 미리 설정해놓은 설정값 이상 또는 이하로 변화하는 것을 검출할 수 있다.In addition, the rotation pattern (430) of the satellite (200) can be detected in real time by the rotation detection unit (500) and it can be detected that the detected rotation pattern (430) changes above or below a preset value.

이때, 기판 지지대(200)의 회전을 정지하고 정지 시간 동안 회전된 거리를 구동부(M)에 설정된 상기 공전 속도를 통하여 산출하고, 이에 따라, 복수의 새틀라이트(400) 중 문제가 발생한 새틀라이트를 검출할 수 있다. 따라서, 각각의 기판이 안착된 복수의 새틀라이트(400) 간의 재현성 및 각각의 공정에 따른 재현성을 확보할 수 있으며, 기판 지지대 상에 회전하는 각각의 새틀라이트(400)가 자전하는 RPM이 변화하는 것을 감지할 수 있다.At this time, the rotation of the substrate support (200) is stopped and the distance rotated during the stop time is calculated through the rotation speed set in the driving unit (M), and accordingly, a satellite having a problem among the plurality of satellites (400) can be detected. Accordingly, the reproducibility between the plurality of satellites (400) on which each substrate is installed and the reproducibility according to each process can be secured, and the change in the RPM of each satellite (400) rotating on the substrate support can be detected.

제어부(600)는 회전 감지부(500)에서 측정된 투과홀(220)의 수를 통하여 기판 지지대(200)의 회전 상태를 판별하는 공전 판별부를 포함할 수 있다.The control unit (600) may include a rotation determination unit that determines the rotation state of the substrate support (200) through the number of penetration holes (220) measured by the rotation detection unit (500).

구체적으로, 투과홀(220)은 각각의 포켓홈부(210)에 대응되어 원주방향을 따라 등간격으로 형성되며, 제어부(600)는 상기 공전 판별부를 통하여 회전 감지부(500)를 통하여 측정된 투과홀(220)의 개수를 감지할 수 있다. 감지된 투과홀(220)의 개수에 따라서 투과홀(220)이 지속적으로 감지되어 개수가 증가하면 기판 지지대(200)가 회전되는 상태이고, 투과홀(220)이 감지되지 않거나 하나만 감지된 상태에서 개수가 증가하지 않으면 기판 지지대(200)가 멈춰 있는 상태로 판별할 수 있다.Specifically, the penetration holes (220) are formed at equal intervals along the circumferential direction corresponding to each pocket home portion (210), and the control unit (600) can detect the number of penetration holes (220) measured by the rotation detection unit (500) through the revolution determination unit. Depending on the number of penetration holes (220) detected, if the penetration holes (220) are continuously detected and the number increases, the substrate support (200) is in a rotating state, and if no penetration holes (220) are detected or only one is detected and the number does not increase, the substrate support (200) can be determined to be stopped.

이때, 상기 공전 판별부는 시간에 따른 투과홀(220)의 개수를 감지하여 기판 지지대(200)의 공전 RPM을 측정할 수 있다.At this time, the above-mentioned revolution determination unit can measure the revolution RPM of the substrate support (200) by detecting the number of penetration holes (220) over time.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1100)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 7는 도 6의 기판 지지대(200)를 개략적으로 나타내는 사시도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing device (1100) according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view schematically showing a substrate support (200) of FIG. 6.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1100)는, 공정 챔버(100), 기판 지지대(200), 가스 분사부(300), 새틀라이트(400), 회전 감지부(500) 및 제어부(600)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7, a substrate processing device (1100) according to another embodiment of the present invention may include a process chamber (100), a substrate support (200), a gas injection unit (300), a satellite (400), a rotation detection unit (500), and a control unit (600).

공정 챔버(100)는 공정 챔버(100)의 측면의 일부분이 관통되어, 외부에서 내측의 물리적 또는 화학적 변화를 감지할 수 있도록 투과창(120)이 형성될 수 있다.The process chamber (100) may have a portion of the side of the process chamber (100) penetrated to form a transparent window (120) so that physical or chemical changes inside can be detected from the outside.

공정 챔버(100)의 이외의 구성 및 효과는 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치(1000)와 동일하다.The other configurations and effects of the process chamber (100) are the same as those of the substrate processing device (1000) of one embodiment of the present invention.

기판 지지대(200)는 포켓홈부(210)가 복수개 형성되고, 포켓홈부(210)의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀(220)이 형성될 수 있다.The substrate support (200) is formed with a plurality of pocket grooves (210), and a penetration hole (220) penetrating to the other side may be formed in at least a portion of the pocket grooves (210).

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 투과홀(230)은 포켓홈부(210)의 내측면에서 소정 영역이 기판 지지대(200)의 외측면으로 관통되어 형성될 수 있다. 이때, 투과홀(220)을 통하여 포켓홈부(210)에 안착되는 새틀라이트(400)의 측면을 감지할 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7, the penetration hole (230) can be formed by penetrating a predetermined area from the inner surface of the pocket home portion (210) to the outer surface of the substrate support (200). At this time, the side of the satellite (400) that is seated in the pocket home portion (210) can be detected through the penetration hole (220).

투과홀(220)은 복수의 포켓홈부(210) 각각에 형성되어 기판 지지대(200)가 회전하면서 각각의 포켓홈부(210)에 안착된 새틀라이트(400)를 모두 감지할 수 있다.A penetration hole (220) is formed in each of the plurality of pocket grooves (210), so that all satellites (400) seated in each pocket groove (210) can be detected as the substrate support (200) rotates.

또한, 투과홀(220)은 포켓홈부(210) 내에서 새틀라이트(400)가 회전할 경우에, 마찰에 의하여 발생되는 파티클을 기판 지지대(100)의 측부로 배출할 수 있다.In addition, the penetration hole (220) can discharge particles generated by friction when the satellite (400) rotates within the pocket home portion (210) to the side of the substrate support (100).

도 8은 도 6의 기판 처리 장치(1100)의 회전 감지부(500) 및 기판 지지대(100)를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the rotation detection unit (500) and substrate support (100) of the substrate processing device (1100) of FIG. 6.

도 6에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(400)는, 포켓홈부(210)에 삽입되어 기판 지지대(200)를 통해 공급되는 구동 가스에 의하여 포켓홈부(210) 내에서 부유 회전할 수 있다.As shown in FIG. 6, the satellite (400) is inserted into the pocket home portion (210) and can float and rotate within the pocket home portion (210) by the driving gas supplied through the substrate support (200).

새틀라이트(400)는 기판 안착부(410), 엣지부 및 회전 패턴(440)을 포함할 수 있다.The satellite (400) may include a substrate mounting portion (410), an edge portion, and a rotation pattern (440).

기판 안착부(410) 및 상기 엣지부는 본 발명의 일실시예와 동일하다.The substrate mounting portion (410) and the edge portion are the same as in one embodiment of the present invention.

또한, 도시되지 않았지만, 기판 지지대(20)는 포켓홈부(210)의 바닥면을 형성하는 본체부 및 상기 본체부의 상부에서 결합되는 커버부가 결합되어 형성될 수 있으며, 상기 본체부 및 상기 커버부 사이에 투과홀(220)이 형성될 수 있다.In addition, although not shown, the substrate support (20) may be formed by combining a main body part forming the bottom surface of the pocket home part (210) and a cover part joined to the upper portion of the main body part, and a penetration hole (220) may be formed between the main body part and the cover part.

구체적으로, 기판 지지대(200)는 원판 형상으로 형성되는 상기 본체부와 상기 커버부로 형성되어, 두 개의 원형 형상의 플레이트가 적층되어 쌓여 있는 형태일 수 있다.Specifically, the substrate support (200) may be formed by the main body part and the cover part formed in a circular shape, and may be formed in a form in which two circular plates are stacked and stacked.

이때, 상기 본체부 및 상기 커버부 중 적어도 하나의 일부분에 홈이 형성되어 상기 본체부와 상기 커버부가 결합되어 상기 홈이 투과홀(220)을 형성할 수 있으며, 상기 본체부와 상기 커버부 사이에는 상기 본체부와 상기 커버부를 연결하는 지지부가 형성되어 상기 본체부와 상기 커버부는 소정 간격 이격되어 투과홀(220)이 형성될 수 있다.At this time, a groove is formed in at least a part of the main body and the cover, and the main body and the cover are combined so that the groove forms a penetration hole (220), and a support part connecting the main body and the cover is formed between the main body and the cover, so that the main body and the cover are spaced apart by a predetermined distance so that a penetration hole (220) is formed.

회전 패턴(440)은 새틀라이트(400)의 외측부에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 회전 패턴(430)은 새틀라이트(400) 측면부의 원주를 따라서 일정 간격으로 배치된 복수의 홈을 포함할 수 있다.The rotation pattern (440) may be formed at regular intervals on the outer side of the satellite (400). Specifically, the rotation pattern (430) may include a plurality of grooves arranged at regular intervals along the circumference of the side of the satellite (400).

또한, 회전 패턴(440)은 음각 또는 양각으로 형성될 수 있으며, 반사판을 포함할 수 있고, 측면에서 공급되는 가스를 통하여 새틀라이트(400)를 회전시킬 수 있으며, 이외에도 본 발명의 일 실시예의 회전 패턴(430)에서 상술된 바와 같은 역할을 할 수 있다.In addition, the rotation pattern (440) may be formed as a negative or positive shape, may include a reflector, may rotate the satellite (400) through gas supplied from the side, and may also play a role as described above in the rotation pattern (430) of one embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 회전 감지부(500)는 공정 챔버(100)의 측부에 구비될 수 있다. 이에 따라, 기판 지지대(200) 상에서 복수의 새틀라이트(400) 중 적어도 하나의 새틀라이트 상의 회전 패턴(430)을 감지할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, a rotation detection unit (500) may be provided on the side of the process chamber (100). Accordingly, a rotation pattern (430) on at least one satellite among a plurality of satellites (400) on the substrate support (200) may be detected.

구체적으로, 회전 감지부(500)는, 기판 지지대(200)의 회전에 따라 새틀라이트(400)가 기판 지지대(200) 중심을 기준으로 공전하는 경우 회전 패턴(430)을 감지하기 위하여, 회전 패턴(430)이 이동하는 높이에 대응되는 위치에서 공정 챔버(100)의 외부 측면에 브라켓으로 고정되어 형성될 수 있다.Specifically, the rotation detection unit (500) may be formed by being fixed as a bracket to the outer side of the process chamber (100) at a position corresponding to the height at which the rotation pattern (430) moves in order to detect the rotation pattern (430) when the satellite (400) revolves around the center of the substrate support (200) according to the rotation of the substrate support (200).

이때, 회전 감지부(500)는 광경로(L)를 통하여 회전 패턴(430)을 감지할 수 있다.At this time, the rotation detection unit (500) can detect the rotation pattern (430) through the optical path (L).

가스 분사부(300), 새틀라이트(400) 및 제어부(600)는 상술한 바와 같다.The gas injection unit (300), satellite (400) and control unit (600) are as described above.

이와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치에 따라 각각의 기판이 안착된 복수의 새틀라이트(400) 간의 재현성 및 각각의 공정에 따른 재현성을 확보할 수 있으며, 기판 지지대 상에 회전하는 각각의 새틀라이트가 자전하는 RPM이 변화하는 것을 감지할 수 있다.In this way, according to the substrate processing device of the present invention, reproducibility between multiple satellites (400) on which each substrate is mounted and reproducibility according to each process can be secured, and changes in the RPM of each satellite rotating on the substrate support can be detected.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

E : 배기 포트
M : 구동부
L: 광경로
S : 기판
100 : 공정 챔버
110, 120: 투과창
200 : 기판 지지대
210 : 포켓홈부
220, 230 : 투과홀
300 : 가스 분사부
400 : 새틀라이트
410 : 기판 안착부
420 : 엣지부
430, 440 : 회전 패턴
500, 510 : 회전 감지부
600 : 제어부
700 : 샤프트E: exhaust port
M: Drive unit
L: Light path
S: substrate
100 : Process Chamber
110, 120: Transparency
200 : Substrate Support
210 : Pocket Home
220, 230: Transmission hole
300 : Gas injection unit
400 : Satellite
410: Substrate mounting area
420 : Edge
430, 440 : Rotation pattern
500, 510: Rotation detection unit
600 : Control Unit
700 : Shaft

Claims (11)

기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부면의 원주 방향을 따라 상기 기판이 안착되도록 복수의 포켓홈부가 형성되고, 상기 포켓홈부의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀이 형성되는 기판 지지대;
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부;
상기 포켓홈부에 삽입되어 상기 기판 지지대를 통해 공급되는 구동 가스에 의하여 상기 포켓홈부 내에서 부유 회전하고, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 일정 간격으로 이격 설치된 회전 패턴이 형성된 새틀라이트;
상기 회전 패턴이 이동하는 최외곽 경로 또는 최내곽 경로 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응되는 상기 공정 챔버의 외부에 형성되어, 상기 기판 지지대 및 상기 새틀라이트 중 적어도 어느 하나 이상이 회전할 경우 상기 투과홀을 통하여 상기 회전 패턴을 감지하는 회전 감지부; 및
상기 기판 지지대의 회전 시 상기 회전 감지부로부터 입력되는 상기 기판 지지대의 회전에 따른 공전 패턴 수와 상기 새틀라이트의 자전에 따른 자공전 패턴 수 및 상기 기판 지지대의 회전 속도를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;
를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 기판 지지대가 공전할 경우 측정시간 동안 감지된 상기 공전 패턴수를 상기 회전 감지부로부터 입력받고,
상기 기판 지지대가 공전하고 상기 새틀라이트가 자전할 경우 상기 측정시간 동안 감지된 상기 자공전 패턴수를 상기 회전 감지부로부터 입력받고,
상기 자공전 패턴수와 상기 공전 패턴수의 차이를 통하여 상기 새틀라이트의 상기 자전 속도를 산출하는, 기판 처리 장치.A process chamber in which a processing space for processing a substrate is formed;
A substrate support member rotatably installed to rotate the substrate below the processing space, having a plurality of pocket grooves formed along the circumferential direction of the upper surface so that the substrate is seated, and having a penetration hole formed through at least a portion of the pocket grooves to penetrate to the other side;
A gas injection unit provided at the upper portion of the process chamber so as to face the substrate support and injecting a processing gas toward the substrate support;
A satellite that is inserted into the pocket home portion and floats and rotates within the pocket home portion by a driving gas supplied through the substrate support, and has a rotation pattern formed at regular intervals along the circumferential direction of the side or lower surface;
A rotation detection unit formed outside the process chamber corresponding to at least one position of the outermost path or the innermost path along which the rotation pattern moves, and detecting the rotation pattern through the penetration hole when at least one of the substrate support and the satellite rotates; and
A control unit that calculates the rotation speed of the satellite by using the number of rotation patterns according to the rotation of the substrate support, the number of magnetic rotation patterns according to the rotation of the satellite, and the rotation speed of the substrate support, which are input from the rotation detection unit when the substrate support is rotated;
Including,
The above control unit,
When the above substrate support rotates, the number of rotation patterns detected during the measurement time is input from the rotation detection unit,
When the above substrate support rotates and the above satellite rotates, the number of rotation patterns detected during the above measurement time is input from the rotation detection unit,
A substrate processing device that calculates the rotation speed of the satellite through the difference between the number of the above-mentioned self-rotation patterns and the number of the above-mentioned orbital patterns. 제 1 항에 있어서,
상기 투과홀은,
상기 최외곽 경로 또는 상기 최내곽 경로 중 적어도 어느 하나에 대응되는 위치에 상기 포켓홈부의 일부분에서 상기 기판 지지대의 하면으로 관통되어 형성되고,
상기 회전 감지부는,
상기 공정 챔버의 하부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 하면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지하는, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
The above penetration hole is,
A portion of the pocket home portion is formed by penetrating through the lower surface of the substrate support at a position corresponding to at least one of the outermost path or the innermost path,
The above rotation detection unit,
A substrate processing device formed at the lower portion of the process chamber and detecting the rotation pattern formed on the lower surface of the satellite through the penetration hole. 제 1 항에 있어서,
상기 투과홀은,
상기 포켓홈부의 일부분에서 상기 기판 지지대의 측면으로 관통되어 형성되고,
상기 회전 감지부는,
상기 공정 챔버의 측부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 측면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지하는, 기판 처리 장치.In paragraph 1,
The above penetration hole is,
A portion of the above pocket home portion is formed by penetrating through the side of the substrate support,
The above rotation detection unit,
A substrate processing device formed on the side of the process chamber and detecting the rotation pattern formed on the side of the satellite through the penetration hole. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 지지대는,
상기 포켓홈부의 바닥면을 형성하는 본체부 및 상기 본체부의 상부에서 결합되는 커버부를 포함하고,
상기 투과홀은,
상기 본체부 및 상기 커버부 사이에 형성되고,
상기 회전 감지부는,
상기 공정 챔버의 측부에 형성되고, 상기 투과홀을 통하여 상기 새틀라이트의 측면에 형성된 상기 회전 패턴을 감지하는, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
The above substrate support is,
It includes a main body part forming the bottom surface of the above pocket home part and a cover part joined to the upper part of the main body part,
The above penetration hole is,
Formed between the main body and the cover,
The above rotation detection unit,
A substrate processing device formed on the side of the process chamber and detecting the rotation pattern formed on the side of the satellite through the penetration hole. 제 2 항에 있어서,
상기 회전 감지부는,
거리 센서를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 거리 센서를 통하여 측정된 회전 패턴의 거리 정보를 통하여 상기 새틀라이트의 부유상태를 판별하는 부유상태 판별부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.In the second paragraph,
The above rotation detection unit,
Includes a distance sensor,
The above control unit,
A floating state determination unit that determines the floating state of the satellite through distance information of the rotation pattern measured through the above distance sensor;
A substrate processing device comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 회전 감지부에서 측정된 상기 투과홀의 수를 통하여 상기 기판 지지대의 회전 상태를 판별하는 공전 판별부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.In paragraph 1,
The above control unit,
A rotation determination unit that determines the rotation state of the substrate support through the number of the penetration holes measured by the rotation detection unit;
A substrate processing device comprising: 제 1 항에 있어서,
상기 회전 패턴은, 상기 새틀라이트의 외면을 기준으로 음각 또는 양각 중 어느 하나의 구조로 형성된, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
The above rotation pattern is a substrate processing device formed as either a negative or positive structure based on the outer surface of the satellite. 제 1 항에 있어서,
상기 회전 감지부는,
비전 센서, 거리 센서 및 적외선 센서 중 어느 하나 이상을 포함하는, 기판 처리 장치.In paragraph 1,
The above rotation detection unit,
A substrate processing device comprising at least one of a vision sensor, a distance sensor, and an infrared sensor. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 공전 패턴 수와 자공전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 패턴 수를 산출하고, 상기 공전 패턴 수 및 상기 기판 지지대의 회전 속도를 이용하여 상기 자전 패턴 수에 대한 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는, 기판 처리 장치.In paragraph 1,
The above control unit,
A substrate processing device that calculates the number of rotation patterns of the satellite using the number of orbital patterns and the number of self-orbital patterns, and calculates the rotation speed of the satellite with respect to the number of rotation patterns using the number of orbital patterns and the rotation speed of the substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는
상기 기판 지지대가 회전하는 경우 상기 회전 패턴 간의 간격 정보 및 상기 회전 감지부를 통하여 감지되는 상기 공전 패턴 수를 이용하여 공전에 따른 상기 회전 패턴이 감지되는 패턴 감지 시간 및 상기 회전 감지부로부터 입력되는 상기 공전 패턴 수와 상기 자공전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전 패턴 수를 산출하고,
상기 패턴 감지 시간 및 상기 자전 패턴 수를 이용하여 상기 새틀라이트의 자전에 따른 초당 회전량을 산출하고 이를 RPM으로 변환하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
The above control unit
When the substrate support rotates, the number of rotation patterns detected through the rotation detection unit and the interval information between the rotation patterns are used to detect the pattern detection time for the rotation pattern according to the rotation, and the number of rotation patterns and the number of self-rotation patterns input from the rotation detection unit are used to calculate the number of rotation patterns of the satellite.
A substrate processing device that calculates the rotational speed of the satellite by calculating the rotational speed per second of the satellite using the pattern detection time and the number of rotation patterns, and converting this into RPM. 제 1 항에 있어서,
상기 새틀라이트는,
상기 구동 가스로부터 회전력을 전달받는 요철부;
를 포함하고,
상기 회전 패턴은 상기 요철부인, 기판 처리 장치.In paragraph 1,
The above satellite,
A protruding portion that receives rotational force from the above driving gas;
Including,
The above rotation pattern is the substrate processing device, which is the above uneven portion.
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