[go: up one dir, main page]

KR102760147B1 - 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 - Google Patents

기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102760147B1
KR102760147B1 KR1020220149011A KR20220149011A KR102760147B1 KR 102760147 B1 KR102760147 B1 KR 102760147B1 KR 1020220149011 A KR1020220149011 A KR 1020220149011A KR 20220149011 A KR20220149011 A KR 20220149011A KR 102760147 B1 KR102760147 B1 KR 102760147B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
pin
substrate
return
support plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020220149011A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20240067698A (ko
Inventor
신재원
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220149011A priority Critical patent/KR102760147B1/ko
Priority to CN202211574105.9A priority patent/CN118016583A/zh
Priority to US18/066,003 priority patent/US12243726B2/en
Publication of KR20240067698A publication Critical patent/KR20240067698A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102760147B1 publication Critical patent/KR102760147B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판 아래에 위치하는 베이스와; 상기 지지판에 놓인 상기 기판을 감싸도록 제공되는 제1링과; 상기 제1링의 아래에 제공되며 관통공이 형성된 제2링; 및 상기 제1링 및 상기 제2링을 승강 시키는 링 리프트 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 링 리프트 핀 어셈블리는, 상기 관통공에 삽입 가능하도록 제공되며 상기 제1링을 승강시키는 제1핀과; 상기 제2링을 승강 시키며 내부에 상기 제1핀이 통과하는 통공이 형성된 중공축 형상의 제2핀과; 상기 제1핀과 상기 제2핀을 구동시키는 구동부를 포함하고, 상기 관통공은 위에서 바라볼 때 상기 제1링과 중첩될 수 있다.

Description

기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME, AND RING TRANSFER METHOD}
본 발명은 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화 된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도, 강한 전계, 또는 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상에 형성된 박막을 제거하는 에칭 공정(Etching Process)을 포함할 수 있다. 에칭 공정은 플라즈마의 이온 및/또는 라디칼들이 기판 상의 박막과 충돌하거나, 박막과 반응하여 수행된다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 어셈블리, 그리고 기판을 처리하는 가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 가진다. 지지 어셈블리는 정전기력으로 기판을 고정하는 정전 척과 정전 척에 안착된 기판의 외주를 둘러싸는 포커스 링을 포함한다. 포커스 링은 기판 표면 상에서 플라즈마를 균일성 높게 분포시킨다. 기판에 대한 에칭이 반복적으로 행해지면, 포커스 링도 함께 에칭되며, 이로 인해 포커스 링의 형상은 점차 변화된다. 이러한 포커스 링의 형상 변화에 따라 이온 및/또는 라디칼이 기판에 입사하는 방향이 변화되어 기판에 대한 에칭 특성이 변화된다.
따라서, 기판에 대한 에칭 처리가 반복 수행되는 경우, 또는 포커스 링의 형상이 변화되어 허용 범위 밖에 있는 경우에는 포커스 링에 대한 교체가 필요하다. 일반적으로, 포커스 링의 교체는 작업자가 공정 챔버를 오픈하고, 오픈된 공정 챔버에서 사용된 포커스 링을 꺼내고, 미사용 포커스 링을 공정 챔버에 장착함으로써 이루어진다.
그러나, 이러한 교체 방식은 작업 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 공정 챔버 내로 파티클(Particle)이 유입될 가능성이 높다. 이에, 최근에는 기판 처리 장치의 반송 로봇이 사용된 포커스 링을 공정 챔버에서 반출하여 링 포드(Ring Pod)로 반입하고, 이후 반송 로봇이 링 포드에서 신규 포커스 링을 반출하여 공정 챔버로 반입하는 교체 방식을 사용한다.
포커스 링의 반송은 기판을 반송하는 반송 로봇이 수행한다. 지지 어셈블리에는 포커스 링의 반송을 위해 포커스 링을 지지 어셈블리로부터 승강시키거나 지지 어셈블리에 안착시키기 위한 리프트 핀이 제공된다. 포커스 링은 필요에 따라 다수 개가 제공된다. 포커스 링이 다수 개 제공될 경우, 포커스 링을 승강 또는 하강시키기 위한 리프트 핀의 구조가 반송의 용이성과 반송 시간 및 공정 챔버의 높이 등을 좌우하게 된다.
본 발명은 복수 개의 포커스 링을 용이하게 반송하는 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 챔버의 높이를 최소화할 수 있는 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판 아래에 위치하는 베이스와; 상기 지지판에 놓인 상기 기판을 감싸도록 제공되는 제1링과; 상기 제1링의 아래에 제공되며 관통공이 형성된 제2링; 및 상기 제1링 및 상기 제2링을 승강 시키는 링 리프트 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 링 리프트 핀 어셈블리는, 상기 관통공에 삽입 가능하도록 제공되며 상기 제1링을 승강시키는 제1핀과; 상기 제2링을 승강 시키며 내부에 상기 제1핀이 통과하는 통공이 형성된 중공축 형상의 제2핀과; 상기 제1핀과 상기 제2핀을 구동시키는 구동부를 포함하고, 상기 관통공은 위에서 바라볼 때 상기 제1링과 중첩될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지 유닛 상에서, 상기 제1링의 저면과 상기 제2링의 상면이 서로 접촉되도록 놓일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1핀은 상기 제2핀의 상부로부터 돌출 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 구동부는, 상기 제1핀을 승강시키는 제1구동기구; 및 상기 제2핀을 승강시키는 제2구동기구를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제1링보다 하측에 위치하고, 상기 제2핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제2링보다 하측에 위치하고, 상기 제1핀은, 상기 제1링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제1링의 하면과 접촉하고, 상기 제2핀은, 상기 제2링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제2링의 하면과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 공정 챔버의 내부로 상기 제1링 또는 상기 제2링을 반출입하는 반송 유닛; 및 상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제1링을 반송할 시에, 상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 반송 유닛이 상기 제1핀으로부터 상기 제1링을 인수하도록 상기 반송 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제2링을 반송할 시에, 상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 반송 유닛이 상기 제2핀으로부터 상기 제2링을 인수하도록 상기 반송 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제1링이 상기 반송 유닛에 인계된 이후, 상기 제2링을 상승시키도록, 상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 공정 챔버의 내부로 상기 제1링 또는 상기 제2링을 반출입하는 반송 유닛; 및 상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 위에서 바라볼 때 상기 제2링의 상기 관통공과 상기 제1핀이 중첩되도록 상기 제2링을 위치시킨 이후, 상기 제2링을 상기 제2핀에 인계하도록 상기 반송 유닛을 제어하고, 상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링이 상기 지지판에 안착되도록 상기 구동부를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제2링이 상기 지지판에 안착된 이후, 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 상기 제1링을 상기 제1핀에 인계하도록 상기 반송 유닛을 제어하고, 상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링이 상기 지지판에 안착되도록 상기 구동부를 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 공정 챔버 내부에 제공되며 기판이 놓이는 기판 지지 유닛을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판에 놓인 상기 기판을 감싸도록 제공되는 제1링과; 상기 제1링의 아래에 제공되며 관통공이 형성된 제2링을 포함하고, 상기 제1링 및 상기 제2링을 승하강 시키는 링 리프트 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 링 리프트 핀 어셈블리는, 상기 관통공에 삽입 가능하도록 제공되며 상기 제1링을 승하강시키는 제1핀과; 상기 제2링을 승하강 시키며 내부에 상기 제1핀이 통과하는 통공이 형성된 중공축 형상의 제2핀과; 상기 제1핀 그리고 상기 제2핀을 구동시키는 구동부를 포함하고, 위에서 바라볼 때 상기 관통공은 상기 제1링과 중첩될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지 유닛 상에서, 상기 제1링의 저면과 상기 제2링의 상면이 서로 접촉되도록 놓일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1핀은 상기 제2핀의 상부로부터 돌출 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제1링보다 하측에 위치하고, 상기 제2핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제2링보다 하측에 위치하되, 상기 제1핀은, 상기 제1링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제1링의 하면과 접촉하고, 상기 제2핀은, 상기 제2링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제2링의 하면과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 구동부를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에, 상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제1링을 상기 제1핀으로부터 제거하고, 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에, 상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제2링을 상기 제2핀으로부터 제거하도록 상기 구동부를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송한 이후에 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제2링이 안착된 상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시키고, 상기 제2링이 상기 지지판에 안착된 이후, 상기 제1링이 안착된 상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시키도록 상기 구동부를 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 이용하여 제1링과 제2링을 반송하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 링 반송 방법은, 상기 제1링 및 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에, 상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제1링을 상기 제1핀으로부터 제거하고, 상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제2링을 상기 제2핀으로부터 제거할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송한 이후에 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1링 및 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 내부로 반송할 시에, 상기 제2링과 상기 제1링을 순차적으로 반송하되, 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 위에서 바라볼 때 상기 제2링의 상기 관통공과 상기 제1핀이 중첩되도록 상기 제2링을 위치시킨 이후, 상기 제2링을 상기 제2핀에 인계하고, 상기 제2링이 안착된 상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시키고, 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 상기 제1링을 상기 제1핀에 인계하고, 상기 제1링이 안착된 상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 복수 개의 포커스 링을 용이하게 반송할 수 있다.
또한, 본 발명은 공정 챔버의 높이를 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 제1반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 제1링 반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 제2링 반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 로드락 챔버의 모습을 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 지지 선반에 기판이 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 지지 선반에 제1링이 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 지지 선반에 제2링이 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 9은 도 5의 지지 선반에서 링 캐리어가 로드락 챔버로부터 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11 내지 도 35는 각각 본 발명의 링 부재가 교체되는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 35를 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(10), 상압 이송 모듈(20), 진공 이송 모듈(30), 로드락 챔버(40), 공정 챔버(50)를 포함할 수 있다.
로드 포트(10)는 후술하는 상압 이송 모듈(20)의 일 측에 배치될 수 있다. 로드 포트(10)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 로드 포트(10)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 용기(F)는 로드 포트(10)에 놓일 수 있다. 용기(F)는 천장 이송 장치(Overhead Transfer Apparatus, OHT), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(10)에 로딩되거나 로드 포트(10)에서 언로딩 될 수 있다. 용기(F)는 수납되는 물품의 종류에 따라 다양한 종류의 용기를 포함할 수 있다. 용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다.
용기(F) 내에는 다양한 물품이 수납될 수 있다. 용기(F)는 수납되는 물품의 종류에 따라 다양한 종류의 용기를 포함할 수 있다. 예컨대, 용기(F)들 중 어느 하나인 제1용기(F1) 내에는, 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 피처리물이 수납될 수 있다. 피처리물은 웨이퍼와 같은 기판(W)일 수 있다. 제1용기(F1)에는 기판(W)이 안착되는 지지 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다.
또한, 용기(F)들 중 다른 하나인 제2용기(F2) 내에는, 기판 처리 장치(1)에 장착되며 교체가 필요한 링 부재(R1, R2)(도 7 및 도 8 참조)가 수납될 수 있다. 링 부재(R1, R2)는 후술하는 공정 챔버(50)에서 설치되는 포커스 링이나 유전체 링일 수 있다. 일 예에서, 링 부재(R1, R2)는 제1링(R1)과, 제1링(R1)보다 내경 및 외경이 크게 제공되는 제2링(R2)을 포함한다.
제2용기(F2)에는 링 부재(R1, R2)가 안착되는 지지 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 선택적으로, 제2용기(F2) 내에는 링 부재(R1, R2)와 링 부재(R1, R2)를 지지하는 링 캐리어(60)가 수납될 수 있다(도 9 참조). 제2용기(F2)에는 링 캐리어(60)가 안착되는 지지 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 링 부재(R1, R2)의 외주 직경은, 기판(W)의 외주 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 이에, 제2용기(F2) 내 공간은 제1용기(F1) 내 공간보다 다소 큰 체적을 가질 수 있다.
상압 이송 모듈(20)과 진공 이송 모듈(30)은 제1방향(2)을 따라 배열될 수 있다. 이하에서는, 위에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)으로 정의한다. 또한, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)으로 정의한다. 여기서 제3방향(6)은 지면에 대해 수직한 방향이다.
상압 이송 모듈(20)은 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 선택적으로 반송할 수 있다. 예를 들어, 상압 이송 모듈(20)은 제1용기(F1)로부터 기판(W)을 인출하여 로드락 챔버(40)로 반송하거나, 로드락 챔버(40)로부터 기판(W)을 인출하여 제1용기(F1)로 반송할 수 있다. 상압 이송 모듈(20)은 반송 프레임(220)과 제1반송 로봇(240)을 포함할 수 있다. 반송 프레임(220)은 로드 포트(10)와 로드락 챔버(40) 사이에 제공될 수 있다. 즉, 반송 프레임(220)에는 로드 포트(10)가 접속될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 상압으로 제공될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 대기압 분위기로 유지될 수 있다.
반송 프레임(220)에는 제1반송 로봇(240)이 제공될 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 로드 포트(10)에 안착된 용기(F)와 후술하는 로드락 챔버(40) 사이에서 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 선택적으로 반송할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전하는 제1반송 핸드(242)를 가질 수 있다. 제1반송 로봇(240)의 제1반송 핸드(242)는 하나 또는 복수 개로 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1반송 핸드(242)는 복수 개로 제공된다. 제1반송 핸드(242) 상에 기판(W)이 놓일 수 있다. 선택적으로, 제1반송 핸드(242) 상에 링 부재(R1, R2)를 지지하는 후술하는 링 캐리어(60)가 놓일 수 있다. 제1반송 로봇(240), 그리고 링 부재(R1, R2)를 지지하는 링 캐리어(60)는 제2용기(F2), 상압 이송 모듈(20), 그리고 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 링 부재(R1, R2)를 반송하는 반송 어셈블리로 정의할 수 있다.도 2는 도 1의 제1반송 핸드의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 제1반송 핸드(242)의 상면에는 적어도 하나 이상의 기판 지지 패드(244)가 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 지지 패드(244)는 3 개가 제공되어, 제1반송 핸드(242)에 놓이는 기판을 3 점에서 지지할 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 제1반송 핸드(242)에 놓이는 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)의 미끄러짐을 방지할 수 있다. 기판 지지 패드(244)들은 위에서 바라볼 때, 일 반경을 가지는 가상의 원의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 대체로 원판 형상으로 제공될 수 있다. 기판 지지 패드(244) 내부에는 도시되지 않은 진공 흡착홀이 형성될 수 있다. 기판 지지 패드(244)는 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 진공 흡착할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 진공 이송 모듈(30)은 후술하는 로드락 챔버(40), 그리고 후술하는 공정 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 진공 이송 모듈(30)은 트랜스퍼 챔버(320), 그리고 제2반송 로봇(340)을 포함할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)에는 제2반송 로봇(340)이 제공될 수 있다. 일 예로, 제2반송 로봇(340)은 트랜스퍼 챔버(320)의 중앙부에 위치될 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 선택적으로 반송할 수 있다. 또한, 진공 이송 모듈(30)은 공정 챔버(50)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평 또는 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전을 하는 제2반송 핸드(342)를 가질 수 있다. 제2반송 로봇(340)의 제2반송 핸드(342)는 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다.
도 3 내지 도 4는 각각 도 1의 제2반송 핸드의 모습을 보여주는 도면이다. 도 3 내지 도 4를 참조하면, 제2반송 핸드(342)는 제1반송 핸드(242, 도 2 참조)보다 상대적으로 큰 크기를 가질 수 있다. 제2반송 핸드(342)는 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2) 중 적어도 어느 하나를 반송할 수 있도록 제공된다.
일 예에서, 제2반송 핸드(342)는, 도 3에 도시된 제1링 반송 핸드(3421)와 도 4에 도시된 제2링 반송 핸드(3423)을 갖는다. 제1링 반송 핸드(3421)는 후술하는 제1링(R1, 도 7 참조)을 반송하도록 제공되고, 제2링 반송 핸드(3423)은 후술하는 제2링(R2, 도 8 참조)을 반송하도록 제공된다. 일 예에서, 제1링 반송 핸드(3421)과 제2 반송 핸드(3423)은 회전축을 매개로 연결될 수 있다. 회전축을 중심으로 제1링 반송 핸드(3421)와 제2 반송 핸드(3423)는 회전될 수 있다. 일 예에서, 제2링(R2)은 제1링(R1) 보다 외경 및 내경이 크게 제공된다.
제1링 반송 핸드(3421)의 상면에는 한 쌍의 제1반송 패드(3421a), 한 쌍의 제2반송 패드(3421b), 한 쌍의 제3반송 패드(3421c), 그리고 한 쌍의 제4반송 패드(3421d)가 제공될 수 있다. 제2반송 패드(3421b) 및 제3반송 패드(3421c)는 제1반송 패드(3421a) 및 제4반송 패드(3421d) 사이에 배치될 수 있다. 제2반송 패드(3421b) 및 제3반송 패드(3421c)는 위에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2반송 패드(3421b) 및 제3반송 패드(3421c)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 제1반송 패드(3421a) 및 제4반송 패드(3421d)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주 및 제1링(R1)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 제1링(R1)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1반송 패드(3421a) 및 제4반송 패드(3421d)는 제1링(R1)을 지지할 수 있다.
제2링 반송 핸드(3423)의 상면에는 한 쌍의 제1반송 패드(3423a), 한 쌍의 제2반송 패드(3423b), 한 쌍의 제3반송 패드(3423c), 그리고 한 쌍의 제4반송 패드(3423d)가 제공될 수 있다. 제2반송 패드(3423b) 및 제3반송 패드(3423c)는 제1반송 패드(3423a) 및 제4반송 패드(3423d) 사이에 배치될 수 있다. 제2반송 패드(3423b) 및 제3반송 패드(3423c)는 위에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2반송 패드(3423b) 및 제3반송 패드(3423c)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 제1반송 패드(3423a) 및 제4반송 패드(3423d)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주 및 제2링(R2)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 제2링(R2)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1반송 패드(3423a) 및 제4반송 패드(3423d)는 제2링(R2)을 지지할 수 있다.
상술한 예에서는, 제2반송 핸드(342)는, 도 3에 도시된 제1링 반송 핸드(3421)와 도 4에 도시된 제2링 반송 핸드(3423)를 갖는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 도 3에 도시된 제1링 반송 핸드(3421)에 도 4에 도시된 한 쌍의 제1반송 패드(3423a), 한 쌍의 제2반송 패드(3423b), 한 쌍의 제3반송 패드(3423c), 그리고 한 쌍의 제4반송 패드(3423d)가 추가적으로 제공될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(320)에는 적어도 하나 이상의 공정 챔버(50)가 접속될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)는 다각의 형상으로 제공될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)의 둘레에는 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 일 예로, 진공 이송 모듈(30)의 중앙부에 육각 형상의 트랜스퍼 챔버(320)가 배치되고, 그 둘레에 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 다만, 트랜스퍼 챔버(320)의 형상 및 공정 챔버의 수는 사용자의 필요에 따라, 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220), 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)가 교환되는 버퍼 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(50)에 배치된 링 부재(R1, R2)의 교체를 위해, 로드락 챔버(40)에는 공정 챔버(50)에서 사용된 링 부재(R1, R2)가 일시적으로 머무를 수 있다. 일 예로, 공정 챔버(50)로 교체가 예정된 새로운 링 부재(R1, R2)의 반송을 위해, 로드락 챔버(40)에는 새로운 링 부재(R1, R2)가 일시적으로 머무를 수 있다.
상술한 바와 같이, 반송 프레임(220)은 내부 분위기가 대기압 분위기로 유지될 수 있으며, 트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치되어, 그 내부 분위기가 대기압 분위기와 진공압 분위기 사이에서 전환될 수 있다.
도 5는 도 1의 로드락 챔버의 모습을 보여주는 평단면도이다. 도 6은 도 5의 지지 선반에 기판이 놓인 모습을 보여주는 도면이다. 도 7은 도 5의 지지 선반에 제1링이 놓인 모습을 보여주는 도면이다. 도 8은 도 5의 지지 선반에 제2링이 놓인 모습을 보여주는 도면이다. 도 9는 도 5의 지지 선반에서 링 캐리어가 로드락 챔버로부터 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도1, 그리고 도 5 내지 도 9를 참조하면, 로드락 챔버(40)는 하우징(420)과 지지 선반(440)을 포함할 수 있다. 하우징(420)은 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)가 놓이는 버퍼 공간(421)을 가질 수 있다. 또한, 하우징(420)에는 제1개구(422) 및 제2개구(423)가 형성될 수 있다. 제1개구(422)는 반송 프레임(220)과 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 제2개구(423)는 트랜스퍼 챔버(320)와 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다.
하우징(420)에는 버퍼 공간(421)으로 가스를 공급하는 가스 공급 홀(424)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 의한 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 가스는 질소, 아르곤 등을 포함하는 가스일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 가스는 공지된 버퍼 공간(421)을 퍼지할 수 있는 불활성 가스로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
하우징(420)에는 버퍼 공간(421)에 음압을 가하는 감압 홀(425)이 형성될 수 있다. 감압 홀(425)은 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다. 감압 부재는 펌프일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 감압 부재는 버퍼 공간(421)에 음압을 가하는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
가스 공급 홀(424)과 감압 홀(425)에 의해, 버퍼 공간(421)의 압력은 대기압, 그리고 진공압 사이에서 전환될 수 있다.
버퍼 공간(421)에는 지지 선반(440)이 제공될 수 있다. 지지 선반(440)은 버퍼 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 지지할 수 있다. 지지 선반(440)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 선택적으로, 지지 선반(440)은 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 선반(440)은 3개가 제공될 수 있다. 복수의 지지 선반(440)은 위에서 바라볼 때, 서로 이격되어 제공될 수 있다. 복수의 지지 선반(440)은 서로 상하로 이격될 수 있다. 이로 인해, 버퍼 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)를 다층으로 지지할 수 있다.
각각의 지지 선반(440)은 지지 돌기(442)를 구비할 수 있다. 지지 돌기(442)는 위에서 바라볼 때, 후술하는 링 캐리어(60)에 형성된 노치(621)와 정렬되는 위치에 배치될 수 있다. 지지 돌기(442)는 그 단면에서 바라볼 때, 대체로 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다. 지지 돌기(442)는 제1선반 패드(444), 제2선반 패드(446) 그리고 제3선반 패드(448)을 포함할 수 있다.
제1선반 패드(444), 제2선반 패드(446) 그리고 제3선반 패드(448)는 기판(W) 또는 링 부재(R1, R2)에 대하여 마찰성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1선반 패드(444), 제2선반 패드(446) 그리고 제3선반 패드(448)는 탄소 충진된 폴리 에테르 에테르 케톤(Poly-Ether-Ether-Ketone, PEEK)과 같은 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 이는 일 예시에 불과하고, 이와 유사한 성질을 가지는 공지된 다른 재질로 다양하게 변형될 수 있다.
제1선반 패드(444)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제1선반 패드(444)는 위에서 바라볼 때, 제2선반 패드(446)보다 감압 홀(425)에 인접하게 배치될 수 있다. 제1선반 패드(444)는 위에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1선반 패드(444)는 기판(W)과 링 부재(R1, R2) 중 기판(W)을 지지할 수 있다.
제2선반 패드(446)는 위에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제2선반 패드(446)는 위에서 바라볼 때, 제1선반 패드(444)보다 감압 홀(425)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 제2선반 패드(446)는 위에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주, 그리고 제1링(R1)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 제1링(R1)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 도 7에 도시된 바와 같이 제2선반 패드(446)는 제1링(R1)을 지지할 수 있다.
제3선반 패드(448)는 위에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제3선반 패드(448)는 제2선반 패드(446)보다 감압 홀(425)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 제3선반 패드(448)는 위에서 바라볼 때, 제2링(R2)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 제2링(R2)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 도 8에 도시된 바와 같이 제3선반 패드(448)는 제2링(R2)을 지지할 수 있다.
링 캐리어(60)는, 플레이트(620)와 노치(621)를 갖는다. 링 캐리어(60)는 링 부재(R1, R2)를 반송하는데 사용될 수 있다. 링 캐리어(60)는 제1반송 로봇(240) 또는 제2반송 로봇(340)가 링 부재(R1, R2)를 반송할 때 사용될 수 있다. 예컨대, 링 캐리어(60)는 제1반송 로봇(240)에 의해 상압 이송 모듈(20), 그리고 로드락 챔버(40) 사이에서 링 부재(R1, R2)를 반송하는데 사용될 수 있다. 이하에서는 제1반송 로봇(240)에 의해 링 부재(R1, R2)를 반송하는 경우를 예로 들어 설명한다. 링 캐리어(60)는 용기(F) 내에 수납될 수 있다. 예를 들어, 링 캐리어(60)는 제2용기(F2) 내에 수납될 수 있다.
플레이트(620)의 상면에는 링 부재(R1, R2)가 놓일 수 있다. 플레이트(620)는 판 형상을 가질 수 있다. 플레이트(620)는 원판 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 의하면, 플레이트(620)는 링 부재(R1, R2)의 직경보다 더 큰 직경을 가진다. 플레이트(620)가 원판 형상으로 제공됨으로써, 링 부재(R1, R2)가 플레이트(620) 상에 안정적으로 지지되어 반송될 수 있다. 플레이트(620)의 중앙 영역은 홀이 형성되지 않은 블로킹 플레이트(Blocking Plate)로 제공될 수 있다. 선택적으로, 플레이트(620)의 중앙 영역에는 플레이트(620)의 무게 감소를 위한 관통공이 형성될 수 있다.
플레이트(620)의 가장자리 영역에는 복수의 노치(621)들이 형성될 수 있다. 노치(621)는 플레이트(620)의 가장자리 영역에 복수 개가 제공될 수 있다. 노치(621)는 플레이트(620)의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성된다. 노치(621)는 플레이트(620)의 가장자리 영역에 형성되되, 플레이트(620)의 외주를 포함하는 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 즉, 플레이트(620)의 가장자리 영역으로부터 노치(621)는 플레이트(620)의 외주까지 연장되어 형성될 수 있다. 노치(621)들은 위에서 바라볼 때, 로드락 챔버(40)에 제공되는 지지 선반(440)들과 서로 정렬되는 위치에 형성될 수 있다. 또한, 노치(621)들은 위에서 바라볼 때, 제2용기(F2)에 제공되는 지지 슬롯(미도시)들과 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 이는 링 캐리어(60)를 이용하여 링 부재(R1, R2)를 반송할 때, 링 캐리어(60)가 지지 선반(440) 또는/및 지지 슬롯(미도시)들과 간섭되는 것을 방지한다.
위에서 바라볼 때, 복수의 지지 돌기(442)는 링 캐리어(60)에 형성된 복수의 노치(621)들과 서로 정렬되는 위치에 배치된다. 이에, 링 부재(R1, R2)가 놓인 링 캐리어(60)는 제1반송 핸드(242)에 의해 로드락 챔버(40) 내 지지 돌기(442)보다 높은 위치로 반입하고, 제1반송 핸드(242)가 아래 방향으로 이동하면 링 부재(R1, R2)는 지지 돌기(442)에 놓이고, 링 캐리어(60)는 제1반송 핸드(242)에 놓인 상태로 아래 방향으로 이동될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 공정 챔버(50)는 복수 개로 제공될 수 있다. 공정 챔버(50)는 기판(W)에 대해 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭(Etching) 공정, 포토 레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정, 기판(W) 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 또는 드라이 클리닝 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 공정 챔버(50)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공지된 다양한 공정을 포함할 수 있다.
도 10은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 공정 챔버(50)는 기판(W)에 플라즈마를 전달하여 기판(W)을 처리할 수 있다.
공정 챔버(50)는 하우징(510), 기판 지지 유닛(520), 가스 공급 유닛(530), 그리고 플라즈마 소스를 포함할 수 있다.
하우징(510)은 내부에 기판 처리 공간이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 하우징(510)은 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 기판(W)을 처리할 때, 하우징(510)의 처리 공간은 대체로 진공 분위기로 유지될 수 있다. 하우징(510)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 하우징(510)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 접지될 수 있다. 하우징(510)의 일 측에는 기판(W), 그리고 링 부재(R1, R2)가 반입 또는 반출되는 반입구(512)가 형성될 수 있다. 반입구(512)는 게이트 밸브(514)에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다.
하우징(510)의 바닥면에는 배기 홀(516)이 형성될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)에 연결될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)을 통해 하우징(510)의 처리 공간에 공급된 공정 가스, 공정 부산물 등을 하우징(510)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 홀(516)의 상측에는 처리 공간에 대한 배기가 보다 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 배기 배플(552)이 제공될 수 있다. 배기 배플(552)은 위에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 배기 배플(552)에는 적어도 하나 이상의 관통 홀이 형성될 수 있다.
기판 지지 유닛(520)은 하우징(510)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 위치한다. 기판 지지 유닛(520)은 하우징(510)의 바닥면으로부터 상측으로 이격되게 위치할 수 있다. 기판 지지 유닛(520)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
가스 공급 유닛(530)은 하우징(510)의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(530)은 가스 공급 노즐(532), 가스 공급 라인(534), 가스 공급원(536)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 가스 공급 노즐(532)은 하우징(510)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(532)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 하우징(510) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 공급 노즐(532)과 가스 공급원(536)를 연결한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 공급원(536)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(532)에 공급한다. 가스 공급 라인(534)에는 밸브(538)가 설치된다. 밸브(538)는 가스 공급 라인(534)을 개폐하거나, 가스 공급 라인(534) 내부에 유동하는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 밸브(538)는 개폐 밸브 및/또는 유량 조절 밸브일 수 있다.
공정 챔버(50)는 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP)장치로 제공되거나 또는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)장치로 제공될 수 있다. 이하, 공정 챔버(50)가 용량 결합형 플라즈마 장치로 제공되는 경우로 설명한다. 그러나, 이와 달리 공정 챔버(50)는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)장치로 제공될 수 있다.공정 챔버(50)는 플라즈마 소스로 상부 전극과 하부 전극을 갖는다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 후술할 샤워 헤드 유닛(580)일 수 있고, 하부 전극은 냉각판(522)일 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 하우징(510) 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 각각 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인해, 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 하우징(510) 내부에 공급된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
샤워 헤드 유닛(580)은 가스 분사판(592), 그리고 지지부(596)를 포함할 수 있다. 가스 분사판(592)과 하우징(510)의 상면 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분사판(592)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분사판(592)의 저면은 플라즈마에 의한 아크(arc) 발생을 방지하기 위해 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분사판(592)의 단면은 기판 지지 유닛(520)과 동일한 형상을 갖도록 제공될 수 있다. 가스 분사판(592)은 복수 개의 관통 홀(593)을 포함한다. 관통 홀(593)은 샤워 헤드(592)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 가스 분사판(592)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 가스 분사판(592)은 전원(592a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 전원(592a)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분사판(592)은 전기적으로 접지될 수 있다.
지지부(596)는 가스 분사판(592)의 측부를 지지한다. 지지부(596)의 상단은 하우징(510)의 상면과 연결되고, 하단은 샤워 헤드(592)와 가스 분사판(592)의 측부와 연결된다. 지지부(596)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
일 예에서, 기판 지지 유닛(520)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(520)은 진공 흡착 방식 또는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하에서는, 기판 지지 유닛(520)이 정전 척으로 제공되는 것으로 설명한다.
일 예에서, 기판 지지 유닛(520)은 지지판(521), 냉각판(522), 절연판(523), 베이스(524), 링 리프트 핀 어셈블리(560), 그리고 기판 리프트 핀 어셈블리(570)를 포함할 수 있다.
이하, 지지판(521)은 유전판(521)으로 제공되는 것으로 설명한다. 유전판(521)은 기판 지지 유닛(520)의 상부(upper portion)에 위치한다. 유전판(521)은 외부의 전원을 공급받아 기판(W)에 대해 정전기력을 작용시킨다. 유전판(521)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(521)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 일 예에서, 유전판(521)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 기판(W)이 유전판(521) 상면에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(521)의 외측에 위치한다. 유전판(521) 내에는 전극(525)과 히터(526)가 매설된다. 일 실시예에 의하면, 전극(525)은 히터(526)의 상부에 위치할 수 있다. 전극(525)은 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 전원(미도시)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 전극(525)에 인가된 전류에 의해 전극(525)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용한다. 이에 따라, 기판(W)은 유전판(521)에 흡착된다.
히터(526)에 의해 발생된 열은 유전판(521)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(526)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정의 온도로 유지될 수 있다. 히터(526)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 히터(526)는 복수 개가 제공된다. 히터(526)는 유전판(521)의 서로 다른 영역에 각각 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(521)의 중앙 영역을 가열하는 히터(526)와, 유전판(521)의 가장자리 영역을 가열하는 히터(526)가 각각 제공될 수 있고, 이들 히터(526)들은 서로 간에 독립적으로 제어될 수 있다.
상술한 예에서는 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되지 않을 수 있다.
냉각판(522)은 유전판(521)의 아래에 위치한다. 냉각판(522)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 냉각판(522)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 냉각판(522)의 상부 중심 영역은 유전판(521)의 저면과 상응하는 면적을 가질 수 있다. 냉각판(522)의 내부에는 유로(522a)가 제공될 수 있다. 유로(522a)는 냉각판(522) 내부에 나선 형성으로 형성될 수 있다. 유로(522a)는 냉각판(522)을 냉각할 수 있다. 유로(522a)에는 냉각 유체가 공급될 수 있다. 일 예로, 냉각 유체는 냉각수로 제공될 수 있다.
냉각판(522)은 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각판(522)의 전 영역이 금속판으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 접지될 수 있다. 이에, 냉각판(522)은 전술한 샤워 헤드 유닛(580)의 대향 전극으로 기능할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 냉각판(522)은 도시되지 않은 전극과 전기적으로 연결되어 고주파 전력을 인가받을 수 있다.
냉각판(522)의 하부에는 절연판(523)이 제공된다. 절연판(523)은 절연 재질로 제공되며, 냉각판(522)과 후술할 베이스(524)를 전기적으로 절연시킨다. 절연판(523)은 위에서 바라볼 때, 원판 형상으로 제공될 수 있다. 절연판(523)은 냉각판(522)과 상응하는 면적으로 제공될 수 있다.
베이스(524)는 냉각판(522)의 하측에 제공된다. 베이스(524)는 절연판(523)의 하측에 제공될 수 있다. 베이스(524)는 내부에 공간을 가지고, 상부(upper portion)가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 베이스(524)의 내부 공간에는 후술하는 링 리프트 핀 어셈블리(560)와 후술하는 기판 리프트 핀 어셈블리(570)가 위치할 수 있다.베이스(524)는 연결 부재(524b)를 갖는다. 연결 부재(524b)는 베이스(524)의 외측면과 하우징(510)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(524b)는 베이스(524)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(524b)는 기판 지지 유닛(520)을 하우징(510)의 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(524b)는 하우징(510)의 내측벽과 연결됨으로써, 베이스(524)가 전기적으로 접지(Grounding)되도록 한다.
링 부재(R1, R2)는 기판 지지 유닛(520)의 가장자리 영역에 배치된다. 링 부재(R1, R2)는 위에서 바라볼 때, 환형을 가진다. 링 부재(R1, R2)는 기판(W)을 처리하는 동안, 플라즈마를 기판(W)으로 집중시키는 역할을 한다. 일 예에서, 링 부재(R1, R2)는 도전성 소재로 제공될 수 있다. 일 예에서, 링 부재(R1, R2)의 재질은 규소(Si), 탄화규소(SiC)등을 포함할 수 있다.
일 예에서, 링 부재(R1, R2)는 제1링(R1)과 제2링(R2)을 포함한다. 제1링(R1)은 제2링(R2)보다 내경 및 외경이 작다. 제2링(R2)은 제1링(R1) 보다 아래에 제공된다. 기판 지지 유닛(520) 상에서, 제1링(R1)의 하면과 제2링(R2)의 상면이 접촉되도록 놓인다. 일 예에서, 위에서 바라봤을 때, 제2링(R2)의 일부가 제1링(R1)과 중첩되도록 제공된다.
일 예에서, 제1링(R1)은 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 더 낮은 형상을 가질 수 있다. 제1링(R1)의 내측 상면에 기판(W)의 가장자리 영역의 하면이 놓일 수 있다. 또한, 제1링(R1)은 내측 상면과 외측 상면 사이에 기판(W)의 중심에서 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 상향 경사진 경사면을 가질 수 있다. 이로 인해, 기판(W)이 제1링(R1)의 내측 상면에 놓일 때, 놓이는 위치가 다소 부정확하더라도, 기판(W)이 제1링(R1)의 경사면을 따라 슬라이딩 되어 제1링(R1)의 내측 상면에 적절히 놓일 수 있다.
링 리프트 핀 어셈블리(560)은 유전판(521)의 상면에 놓이는 링 부재(R1, R2)를 승하강시킬 수 있다.
링 리프트 핀 어셈블리(560)은 제1핀(561), 제2핀(562) 그리고 구동부(563, 564)를 포함한다. 제1핀(561)은 제1링(R1)을 승하강 시키며, 제2핀(562)은 제2링(R2)를 승하강시킨다. 구동부(563, 564)는 제1핀(561)과 제2핀(562)을 구동시킨다. 일 예에서, 구동부(563. 564)는, 제1구동기구(563) 및 제2구동기구(564)를 포함할 수 있다. 제1구동기구(563)는 제1핀(561)을 상하 방향으로 이동시키며, 제2구동기구(564)는 제2핀(562)를 상하 방향으로 이동시킨다. 선택적으로, 구동부(563, 564)는 제1핀(561)과 제2핀(562)을 별개로 상하 방향으로 이동시킬 수 있는 단일의 구동 장치로 제공될 수 있다. 구동부(563, 564)는 공압 또는 유압을 이용한 실린더 또는 모터일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 구동부(563, 564)는 구동력을 제공할 수 있는 다양한 공지된 장치로 제공될 수 있다.
제1핀(561)과 제2핀(562)은 기판 지지 유닛(520)의 내부에 제공된다. 일 예에서, 제1핀(561)과 제2핀(562)은 유전판(521), 냉각판(522), 및/또는 절연판(523)에 형성된 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동가능하게 제공된다. 일 예에서, 제1핀(561)과 제2핀(562)은 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1핀(561)과 제2핀(562)은 링 부재(R1, R2)를 삼점 지지하도록 제공될 수 있다. 선택적으로, 제1핀(561)과 제2핀(562)은 이보다 많은 개수로 제공될 수 있다. 제1핀(561)과 제2핀(562)는 위에서 바라볼 때, 히터(526) 및 유로(522a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.
제1링(R1)은 핀 형상으로 제공되며, 제2링(R2)은 내부에 통공을 가지는 중공축 형상으로 제공된다. 제1링(R1)은 제2링(R2)의 내부에 제공되어 상하 방향으로 이동 가능하게 제공된다. 제2링(R2)에는 관통공이 형성된다. 제1링(R1)은 제2링(R2)의 내부에서 이동되되, 제2링(R2)에 형성된 관통공에 삽입 가능하도록 제공된다. 위에서 바라봤을 때, 관통공과 제1링(R1)은 중첩되도록 제공된다. 이에 따라, 제1핀(561)은 제2링(R2)의 상부에 놓인 제1링(R1)을 승하강할 수 있다.
기판 리프트 핀 어셈블리(570)는 기판(W)을 승하강시킬 수 있다. 기판 리프트 핀 어셈블리(570)는 리프트 핀(572), 승강 플레이트(574), 그리고 핀 구동부(576)를 포함할 수 있다. 리프트 핀(572)은 승강 플레이트(574)에 결합될 수 있다. 승강 플레이트(574)는 핀 구동부(576)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이하, 도 11 내지 도 35를 참조하여, 링 부재를 반송하는 방법에 대해 설명한다.
도 11은 기판(W)이 공정 챔버(50) 내에서 처리되는 동안 제1핀(561)과 제2핀(562)의 모습을 나타낸다. 일 예에서, 기판(W)이 처리되는 동안 제1핀(561)의 상단은 도 11에 도시된 바와 같이 제1링(R1)의 저면보다 아래에 위치할 수 있다.
기판(W)이 처리된 이후이거나 또는 후속 기판(W)을 처리하기 이전에 링 부재(R1, R2)가 교체될 수 있다. 일 예에서, 기판(W)이 처리된 이후, 후속 기판(W)이 공정 챔버(50)로 반입되기 이전에 링 부재(R1, R2)가 교체된다.
도 12 내지 도 13은 기판(W)이 공정 챔버(50)의 외부로 반송되는 과정을 나타낸다. 기판(W)이 처리된 이후에, 도 12에 도시된 바와 같이 리프트 핀(572)이 상승하여 기판(W)을 유전판(521)으로부터 승강시키며, 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50) 내부로 진입한다. 제2 반송 핸드(342)는 기판(W)을 제2 반송 핸드(342) 상에 안착시킬 수 있는 위치로 정렬된다. 제2 반송 핸드(342)는 기판(W)보다 아래에 정렬되어 아래에서 위 방향으로 기판(W)을 들어올린다.
제2 반송 핸드(342)에 안착된 기판(W)은, 도 13에 도시된 바와 같이 공정 챔버(50)의 외부로 반송되며, 리프트 핀(572)은 기판 지지 유닛(520)의 내부에 위치되도록 하강한다. 제2 반송 핸드(342)에 의해 반송된 기판(W)은 도 6에 도시된 바와 같이 지지 선반(440)에 놓일 수 있다. 이후, 기판(W)은 도 2의 제1 반송 로봇(242)에 의해 용기(F)로 반송되어 보관될 수 있다.
기판(W)이 기판 지지 유닛(520)으로부터 제거되고 나면, 링 부재(R1, R2)의 교체가 이루어진다. 일 예에서, 링 부재(R1, R2)는 제1링(R1)과 제2링(R2)이 순차적으로 공정 챔버(50)의 외부로 반송된다. 이하, 제1링(R1)과 제2링(R2)이 모두 교체되는 경우를 예를 들어 설명한다.
도 14 내지 도 15는 제1링(R1)을 공정 챔버(50)의 외부로 반송하기 위한 과정을 나타낸다. 먼저, 제1핀(561)은 제1링(R1)의 하측에 위치한다. 일 실시예에 의하면, 기판(W)에 대한 처리를 수행할 때, 제1핀(561)의 상단은 제1링(R1)의 하단보다 하측에 위치할 수 있다. 또한, 제1핀(561)의 상단은 제2링(R2)의 상단으로부터 위로 돌출될 수 있다. 이에, 기판(W)을 처리할 때, 제1핀(561)의 일부는 제2링(R2)에 형성된 관통 공에 삽입될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(W)을 처리할 때, 제1핀(561)의 상단은 제2링(R2)보다 하측에 위치할 수 있다.
기판(W)에 대한 소정의 처리가 완료된 이후, 그리고 기판(W)을 공정 챔버(50)로부터 반출한 이후에 제1구동기구(563, 도 10 참조)는 제1핀(561)을 승강시킨다. 보다 구체적으로, 제1구동기구(563)는 제1핀(561)을 제1링(R1)의 하측으로부터 승강시킨다. 이어서, 제1핀(561)의 상단은 제1링(R1)의 하면과 접촉한다. 도 14에 도시된 바와 같이, 제1핀(561)은 유전판(521)의 상면으로부터 위 방향으로 일정 거리 이격된 위치까지 제1링(R1)을 상승시킨다. 제1핀(561)이 유전판(521)의 상면으로부터 위 방향으로 일정 거리 이격된 위치까지 제1링(R1)을 상승시키면, 도 15에 도시된 바와 같이 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50) 내부로 진입한다. 선택적으로, 제1핀(561)이 제1링(R1)을 상승시키는 동안 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50) 내부로 진입할 수 있다. 제2 반송 핸드(342)는 제1링(R1)을 제2 반송 핸드(342) 상에 안착시킬 수 있는 위치로 정렬된다. 제2 반송 핸드(342)는 제1링(R1)보다 아래에 정렬되어 도 16에 도시된 바와 같이 아래에서 위 방향으로 제1링(R1)을 들어올린다. 즉, 제2 반송 핸드(342)는 제1핀(561)으로부터 제1링(R1)을 인수한다.
도 17에 도시된 바와 같이 제1링(R1)이 제1핀(561)으로부터 제2 반송 핸드(342)로 인수되면, 제2 반송 핸드(342)는 제1링(R1)을 공정 챔버(50)의 외부로 반송하고, 이어서 제2링(R2)의 반송이 이루어진다.
도 18 내지 도 21은 제2링(R2)을 공정 챔버(50)의 외부로 반송하기 위한 과정을 나타낸다.
먼저, 제2핀(562)은 제2링(R1)의 하측에 위치한다. 일 실시예에 의하면, 기판(W)에 대한 처리를 수행할 때, 제2핀(562)의 상단은 제2링(R2)의 하단보다 하측에 위치할 수 있다. 또한, 제1핀(561)이 제1링(R1)을 공정 챔버(50)의 외부로 반송하는 동안에, 제2핀(562)의 상단은 제2링(R2)의 하단보다 하측에 위치할 수 있다. 제2구동기구(564, 도 10 참조)는 제2핀(562)을 승강시킨다. 보다 구체적으로, 제2구동기구(564)는 제2핀(562)을 제2링(R2)의 하측으로부터 승강시킨다. 이어서, 제2핀(562)의 상단은 제2링(R2)의 하단과 접촉한다. 도 18에 도시된 바와 같이, 제2핀(562)은 유전판(521)의 상면으로부터 위 방향으로 일정 거리 이격된 위치까지 제2링(R2)을 상승시킨다. 제2핀(562)이 유전판(521)의 상면으로부터 위 방향으로 일정 거리 이격된 위치까지 제2링(R2)을 상승시키면, 도 19에 도시된 바와 같이 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50) 내부로 진입한다. 선택적으로, 제2핀(562)이 제2링(R2)을 상승시키는 동안 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50) 내부로 진입할 수 있다. 제2 반송 핸드(342)는 제2링(R2)을 제2 반송 핸드(342) 상에 안착시킬 수 있는 위치로 정렬된다. 제2 반송 핸드(342)는 제2링(R2)보다 아래에 정렬되어 도 20에 도시된 바와 같이 아래에서 위 방향으로 제2링(R2)을 들어올린다. 이후, 도 21에 도시된 바와 같이 제2링(R2)이 제2핀(562)으로부터 제2 반송 핸드(342)로 인수되면, 제2 반송 핸드(342)는 제2링(R2)을 공정 챔버(50)의 외부로 반송한다.
일 예에서, 제2링 반송 핸드(3423)가 제2링(R2)을 공정 챔버(50) 외부로 반송하는 동안, 제1링 반송 핸드(3421)은 제1링(R1)을 제1링 반송 핸드(3421) 상에 거치해둔다. 제1링(R1)과 제2링(R2)은 공정 챔버(50)의 외부로 반송되어 도 22에 도시된 바와 같이 제1링 반송 핸드(3421)와 제2링 반송 핸드(3423)에 각각 놓인다.
또는, 이와 달리 제2링 반송 핸드(3423)가 제2링(R2)을 공정 챔버(50) 외부로 반송하기 이전에, 제2 반송 로봇(340)은 제1링(R1)을 로드락 챔버(40, 도 7 참조)에 반송할 수 있다.
제1링(R1)과 제2링(R2)은 각각 제2 반송 로봇(340)에 의해 로드락 챔버(40, 도 7 및 도 8 참조)로 반송된다. 이후, 제1 반송 로봇(240, 도 1 참조)은 용기(F)에서 링 캐리어를 반출하여 제1 반송 핸드(242)에 안착시킨다. 제1 반송 로봇(240)은 로드락 챔버(40)로 이동한다. 제1 반송 로봇(240)은, 링 캐리어(60)에 형성된 노치(621)와 정렬되는 위치에서 아래에서 위방향으로 움직여 도 23에 도시된 바와 같이 제1 반송 핸드(242)에 안착된 링 캐리어(60) 상으로 제1링(R1) 또는 제2링(R2)을 안착시킨다. 일 예에서, 어느 하나의 제1 반송 핸드(242)에는 제1링(R1)이 안착되고 다른 하나의 제1 반송 핸드(242)에는 제2링(R2)이 안착된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 반송 로봇(240)은 제1링과 제2링을 로드 포트(10)로 이송하여 용기(F) 내에 보관한다. 이후, 제1 반송 로봇(240)은 새로운 제1링과 제2링을 용기(F)에서 반출한다.
교체된 제1링(R1)과 제2링(R2)은 도 24에 도시된 바와 같이 제1 반송 핸드 상(242)의 링 캐리어(60)에 안착된다. 제1 반송 로봇(242)은 교체된 제1링(R1)과 제2링(R2)을 로드락 챔버(40)로 반송하여 도 25 및 도 26에 도시된 바와 같이 지지 돌기(440) 상에 안착시킨다. 이후, 제2 반송 로봇(340)이 로드락 챔버(40) 내에서 제1링(R1)과 제2링(R2)을 반출한다. 제1링(R1)과 제2링(R2)은 도 27에 도시된 바와 같이 제2 반송 핸드(342) 상에 놓인다. 일 예에서, 제1링 반송 핸드(3421)에 제1링(R1)이 놓이고, 제2링 반송 핸드(3423)에 제2링(R2)이 놓일 수 있다. 제2 반송 핸드(342)는 제2링(R2) 그리고 제1링(R1)을 순차적으로 공정 챔버(50) 내부로 반입한다.
먼저, 도 28에 도시된 바와 같이, 제2링(R2)을 지지판에 안착시킬 시에, 반송 유닛이 제1핀(561)에 제2링(R2)의 관통공이 대응되도록 제2링(R2)을 제2핀(562) 상에 위치시킨다. 이후, 제2 반송 핸드(342)는 아래 방향으로 이동하면서 도 29에 도시된 바와 같이 제2링(R2)을 제2핀(562) 상에 안착시킨다. 제2링(R2)이 제2핀(562)에 안착되면 제2 반송 핸드(342)는 제2핀(562)보다 아래로 이동한다. 즉, 제2반송 핸드(342)는 제2링(R2)을 제2핀(562)에 인계한다. 제2링(R2)이 제2핀(562) 상에 안착되고 난 이후에, 도 30에 도시된 바와 같이 제2 반송 핸드(342)가 공정 챔버(50)를 빠져나간다. 일 예에서, 제2링(R2)을 안착시킬 시에, 제2핀(562)의 상단은 제1핀(561)의 상단보다 아래에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제2링(R2)을 하강시켰을 때, 제1핀(561)이 관통공에 삽입될 수 있다. 이어서, 제2핀(562)은 하강하여 유전판(521)에 제2링(R2)을 안착시킨다. 도 31에 도시된 바와 같이 제2링(R2)이 지지판에 안착되면 제1링 반송 핸드(3421)는 제1링(R1)을 공정 챔버(50) 내로 반입한다.
이후에 제1링 반송 핸드(3421)가 공정 챔버(50)로 진입하여 제1링(R1)을 지지판에 안착시킨다. 제1링 반송 핸드(3421)가 도 32에 도시된 바와 같이 제1핀(561) 상에 제1링(R1)을 위치시킨다. 제1링 반송 핸드(3421)는 하강하여 제1링(R1)을 제1핀(561) 상에 안착시킨다. 제1링(R1)이 제1핀(561)에 안착되면 제1링 반송 핸드(3421)는 제1핀(561)보다 아래로 이동한다. 제1링(R1)이 제1핀(561) 상에 안착되고 난 이후에, 도 33에 도시된 바와 같이 제1링 반송 핸드(3421)는 제1링(R1) 보다 더 아래로 이동한다. 이후, 도 34에 도시된 바와 같이 제1링 반송 핸드(3421)는 공정 챔버(50) 내에서 빠져나가고, 도 35에 도시된 바와 같이 제1핀(561) 하강하여 제1링(R1)을 지지판에 안착시킨다.
상술한 예에서는, 제1링(R1)과 제2링(R2)을 모두 교체하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 제1링(R1)과 제2링(R2) 중 어느 하나만을 교체할 수 있다. 일 예에서, 제1링(R1)만을 교체하는 경우, 제2링(R2)을 승강 또는 하강시키는 과정 및 제2링(R2)을 공정 챔버(50) 내에서 반출입하는 과정이 생략될 수 있다.
일 예에서, 제2링(R2)만을 교체하는 경우 제1링(R1)은 공정 챔버(50) 외부로 반송되되 로드락 챔버로 반송되지 않고 제1링 반송 핸드(3421)에 남게 될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상기 기판이 놓이는 지지판과;
    상기 지지판 아래에 위치하는 베이스와;
    상기 지지판에 놓인 상기 기판을 감싸도록 제공되는 제1링과;
    상기 제1링의 아래에 제공되며 관통공이 형성된 제2링; 및
    상기 제1링 및 상기 제2링을 승강 시키는 링 리프트 핀 어셈블리를 포함하되,
    상기 링 리프트 핀 어셈블리는,
    상기 관통공에 삽입 가능하도록 제공되며 상기 제1링을 승강시키는 제1핀과;
    상기 제2링을 승강 시키며 내부에 상기 제1핀이 통과하는 통공이 형성된 중공축 형상의 제2핀과;
    상기 제1핀과 상기 제2핀을 구동시키는 구동부를 포함하고,
    상기 관통공은 위에서 바라볼 때 상기 제1링과 중첩되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛 상에서, 상기 제1링의 저면과 상기 제2링의 상면이 서로 접촉되도록 놓이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1핀은 상기 제2핀의 상부로부터 돌출 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1핀을 승강시키는 제1구동기구; 및
    상기 제2핀을 승강시키는 제2구동기구를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제1링보다 하측에 위치하고,
    상기 제2핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제2링보다 하측에 위치하고,
    상기 제1핀은, 상기 제1링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제1링의 하면과 접촉하고,
    상기 제2핀은, 상기 제2링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제2링의 하면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 공정 챔버의 내부로 상기 제1링 또는 상기 제2링을 반출입하는 반송 유닛; 및
    상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제1링을 반송할 시에, 상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 반송 유닛이 상기 제1핀으로부터 상기 제1링을 인수하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제2링을 반송할 시에, 상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 반송 유닛이 상기 제2핀으로부터 상기 제2링을 인수하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제1링이 상기 반송 유닛에 인계된 이후, 상기 제2링을 상승시키도록, 상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 공정 챔버의 내부로 상기 제1링 또는 상기 제2링을 반출입하는 반송 유닛; 및
    상기 구동부 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제2링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 위에서 바라볼 때 상기 제2링의 상기 관통공과 상기 제1핀이 중첩되도록 상기 제2링을 위치시킨 이후, 상기 제2링을 상기 제2핀에 인계하도록 상기 반송 유닛을 제어하고,
    상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링이 상기 지지판에 안착되도록 상기 구동부를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제2링이 상기 지지판에 안착된 이후, 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 상기 제1링을 상기 제1핀에 인계하도록 상기 반송 유닛을 제어하고,
    상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링이 상기 지지판에 안착되도록 상기 구동부를 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 공정 챔버 내부에 제공되며 기판이 놓이는 기판 지지 유닛에 있어서,
    상기 기판이 놓이는 지지판과;
    상기 지지판에 놓인 상기 기판을 감싸도록 제공되는 제1링과;
    상기 제1링의 아래에 제공되며 관통공이 형성된 제2링을 포함하고,
    상기 제1링 및 상기 제2링을 승하강 시키는 링 리프트 핀 어셈블리를 포함하되,
    상기 링 리프트 핀 어셈블리는,
    상기 관통공에 삽입 가능하도록 제공되며 상기 제1링을 승하강시키는 제1핀과;
    상기 제2링을 승하강 시키며 내부에 상기 제1핀이 통과하는 통공이 형성된 중공축 형상의 제2핀과;
    상기 제1핀 그리고 상기 제2핀을 구동시키는 구동부를 포함하고,
    위에서 바라볼 때 상기 관통공은 상기 제1링과 중첩되는 기판 지지 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛 상에서, 상기 제1링의 저면과 상기 제2링의 상면이 서로 접촉되도록 놓이는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1핀은 상기 제2핀의 상부로부터 돌출 가능하게 제공되는 기판 지지 유닛.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제1링보다 하측에 위치하고,
    상기 제2핀은, 기판을 처리하는 동안 상기 제2링보다 하측에 위치하되,
    상기 제1핀은, 상기 제1링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제1링의 하면과 접촉하고,
    상기 제2핀은, 상기 제2링을 반송할 시에 위 방향으로 이동하여 상기 제2링의 하면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 구동부를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에, 상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제1링을 상기 제1핀으로부터 제거하고,
    상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에, 상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제2링을 상기 제2핀으로부터 제거하도록 상기 구동부를 제어하는 기판 지지 유닛.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송한 이후에 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제2링이 안착된 상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시키고,
    상기 제2링이 상기 지지판에 안착된 이후, 상기 제1링이 안착된 상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시키도록 상기 구동부를 제어하는 기판 지지 유닛.
  18. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 제1링과 상기 제2링을 반송하는 방법에 있어서,
    상기 제1링 및 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송할 시에,
    상기 제1핀을 상기 제1링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제1링을 상기 제1핀으로부터 제거하고,
    상기 제2핀을 상기 제2링의 하측에서 상기 지지판의 상측으로 상승시킨 이후에 상기 제2링을 상기 제2핀으로부터 제거하는 링 반송 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송한 이후에 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 외부로 반송하는 링 반송 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1링 및 상기 제2링을 상기 공정 챔버의 내부로 반송할 시에,
    상기 제2링과 상기 제1링을 순차적으로 반송하되,
    상기 제2링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 위에서 바라볼 때 상기 제2링의 상기 관통공과 상기 제1핀이 중첩되도록 상기 제2링을 위치시킨 이후, 상기 제2링을 상기 제2핀에 인계하고, 상기 제2링이 안착된 상기 제2핀을 하강시켜 상기 제2링을 상기 지지판에 안착시키고,
    상기 제1링을 상기 지지판에 안착시킬 시에, 상기 제1링을 상기 제1핀에 인계하고, 상기 제1링이 안착된 상기 제1핀을 하강시켜 상기 제1링을 상기 지지판에 안착시키는 링 반송 방법.
KR1020220149011A 2022-11-09 2022-11-09 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법 Active KR102760147B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220149011A KR102760147B1 (ko) 2022-11-09 2022-11-09 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
CN202211574105.9A CN118016583A (zh) 2022-11-09 2022-12-08 基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法
US18/066,003 US12243726B2 (en) 2022-11-09 2022-12-14 Substrate supporting unit, apparatus for treating substrate including the same, and ring transfer method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220149011A KR102760147B1 (ko) 2022-11-09 2022-11-09 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20240067698A KR20240067698A (ko) 2024-05-17
KR102760147B1 true KR102760147B1 (ko) 2025-02-03

Family

ID=90928101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220149011A Active KR102760147B1 (ko) 2022-11-09 2022-11-09 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12243726B2 (ko)
KR (1) KR102760147B1 (ko)
CN (1) CN118016583A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102760147B1 (ko) * 2022-11-09 2025-02-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004026365A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 作業台
JP2022022815A (ja) 2020-07-07 2022-02-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2022135646A (ja) 2021-03-05 2022-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板支持台及びプラズマ処理装置
KR102615218B1 (ko) 2021-11-01 2023-12-15 세메스 주식회사 소모품 교체가 가능한 기판 처리 장치

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE639079A (ko) * 1962-10-26
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
KR100635975B1 (ko) * 2000-02-14 2006-10-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
US6652713B2 (en) * 2001-08-09 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Pedestal with integral shield
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
US7128806B2 (en) * 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
US20070029046A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Applied Materials, Inc. Methods and systems for increasing substrate temperature in plasma reactors
US8398778B2 (en) * 2007-01-26 2013-03-19 Lam Research Corporation Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter
US8900471B2 (en) * 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
TWI830183B (zh) * 2011-10-05 2024-01-21 美商應用材料股份有限公司 包括對稱電漿處理腔室的電漿處理設備與用於此設備的蓋組件
US20130160948A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Lam Research Corporation Plasma Processing Devices With Corrosion Resistant Components
US10937634B2 (en) * 2013-10-04 2021-03-02 Lam Research Corporation Tunable upper plasma-exclusion-zone ring for a bevel etcher
US9440886B2 (en) * 2013-11-12 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based monolithic chamber material
US11302520B2 (en) * 2014-06-28 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Chamber apparatus for chemical etching of dielectric materials
JP6362488B2 (ja) * 2014-09-09 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10497606B2 (en) * 2015-02-09 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Dual-zone heater for plasma processing
US9859088B2 (en) * 2015-04-30 2018-01-02 Lam Research Corporation Inter-electrode gap variation methods for compensating deposition non-uniformity
TWI677929B (zh) * 2015-05-01 2019-11-21 美商應用材料股份有限公司 用於形成膜堆疊的雙通道噴頭
KR102113453B1 (ko) * 2016-06-03 2020-05-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 거리 모니터링
US10435784B2 (en) * 2016-08-10 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Thermally optimized rings
US9947517B1 (en) * 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US20180230597A1 (en) * 2017-02-14 2018-08-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of remote plasmas flowable cvd chamber
US11404249B2 (en) * 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
KR102432857B1 (ko) * 2017-09-01 2022-08-16 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP7195307B2 (ja) * 2018-05-02 2022-12-23 東京エレクトロン株式会社 上部電極およびプラズマ処理装置
US10600623B2 (en) * 2018-05-28 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
JP7105666B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7134104B2 (ja) * 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
KR102214333B1 (ko) * 2019-06-27 2021-02-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7465733B2 (ja) * 2019-09-26 2024-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及びプラズマ処理装置
GB2590083A (en) * 2019-12-04 2021-06-23 Ananda Shakti Tech Ltd Plasma generator
GB202102409D0 (en) * 2021-02-19 2021-04-07 Altunin Sergi Energy cell
KR102818285B1 (ko) * 2021-08-27 2025-06-10 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
JP7417569B2 (ja) * 2021-10-29 2024-01-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
TWI831544B (zh) * 2021-12-31 2024-02-01 南韓商細美事有限公司 升降銷單元、包括其的基板支撐單元及基板處理設備
KR102760147B1 (ko) * 2022-11-09 2025-02-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004026365A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 作業台
JP2022022815A (ja) 2020-07-07 2022-02-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2022135646A (ja) 2021-03-05 2022-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板支持台及びプラズマ処理装置
KR102615218B1 (ko) 2021-11-01 2023-12-15 세메스 주식회사 소모품 교체가 가능한 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240067698A (ko) 2024-05-17
US12243726B2 (en) 2025-03-04
CN118016583A (zh) 2024-05-10
US20240153747A1 (en) 2024-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200102612A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102242812B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR20210030917A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200022681A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102760147B1 (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR102818285B1 (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20210008549A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102174063B1 (ko) 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7499836B2 (ja) 基板処理装置
KR102782613B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102593139B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102805826B1 (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230061959A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220415679A1 (en) Transfer assembly and apparatus for treating a substrate with the transfer assembly
KR20230101995A (ko) 기판 처리 장치
KR20230061962A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230064019A (ko) 반송 로봇, 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230034673A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR101841034B1 (ko) 프로세스 챔버가 구비된 플라즈마 장치
KR102491002B1 (ko) 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP7660549B2 (ja) 基板処理装置
KR20230034676A (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR20230064021A (ko) 기판 처리 장치
US20230411196A1 (en) Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20221109

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20240425

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20241224

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20250121

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20250122

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration