KR102742364B1 - Ultra-pure water manufacturing apparatus for ultra-fine semiconductor processing with real-time monitoring - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공급된 원수를 여과하여 상기 원수에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 제1필터부, 상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 역삼투압 멤브레인부, 상기 역삼투 멤브레인부에서 여과된 물을 저장하는 저장탱크, 상기 저장탱크로부터 공급 받은 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 제2필터부, 상기 제2필터부에서 이물질이 제거된 물에 존재하는 기체를 제거하는 디개서(Degasser), 상기 디개서에서 기체가 제거된 물에서 이온물질을 제거하는 EDI(Electrodeionization) 장치, 상기 EDI 장치에서 이온물질이 게거된 물의 살균 및 유기물 분해를 위해서 자외선을 조사하는 UV 램프부 및 상기 UV 램프부에서 자외선을 조사받은 물의 이물질을 제거하는 제3필터부를 포함하고, 상기 역삼투압 멤브레인부는, 상기 제1필터부와 각각 연통되고, 상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 1차적으로 각각 제거하는 제1역삼투압 멤브레인 및 제2역삼투압 멤브레인을 구비하는 1차 역삼투압 멤브레인부 및 상기 1차 역삼투압 멤브레인부와 연통되고, 상기 1차 역삼투압 멤브레인부에서 1차적으로 이물질이 제거된 물에 포함되어 있는 이물질을 2차적으로 제거하는 제3역삼투압 멤브레인을 구비하는 2차 역삼투압 멤브레인부를 포함하는 초순수 제조장치를 제공한다.
따라서 더블 역삼투압 멤브레인, 듀얼 UV 램프 및 더블 UF 필터를 포함하여 고순도의 초순수를 빠르게 생성할 수 있는 장점이 있다.The present invention comprises a first filter unit for filtering supplied raw water to remove foreign substances contained in the raw water, a reverse osmosis membrane unit for removing foreign substances contained in water filtered by the first filter unit, a storage tank for storing water filtered by the reverse osmosis membrane unit, a second filter unit for removing foreign substances contained in water supplied from the storage tank, a degasser for removing gas present in water from which foreign substances have been removed by the second filter unit, an EDI (Electrodeionization) device for removing ionic substances from water from which gases have been removed by the degasser, a UV lamp unit for irradiating ultraviolet rays to sterilize water from which ionic substances have been removed by the EDI device and decompose organic substances, and a third filter unit for removing foreign substances in water irradiated with ultraviolet rays by the UV lamp unit, wherein the reverse osmosis membrane unit is respectively connected to the first filter unit and comprises a first reverse osmosis membrane for primarily removing foreign substances contained in water filtered by the first filter unit. The present invention provides an ultrapure water manufacturing device including a first reverse osmosis membrane unit having a second reverse osmosis membrane, and a second reverse osmosis membrane unit having a third reverse osmosis membrane that is connected to the first reverse osmosis membrane unit and secondarily removes foreign substances contained in water from which foreign substances have been firstly removed in the first reverse osmosis membrane unit.
Therefore, it has the advantage of being able to quickly produce high-purity ultra-pure water, including double reverse osmosis membranes, dual UV lamps and double UF filters.
Description
본 발명은 초순수 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고순도의 초순수의 단위 시간당 생성량이 향상된 초순수 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ultrapure water manufacturing device, and more specifically, to an ultrapure water manufacturing device having improved production of high-purity ultrapure water per unit time.
반도체(메모리) 산업은 가전, 자동차, 데이터센터, 휴대폰 등 거의 모든 분야에 필수적인 분야이다. 최근 반도체 수급의 어려움(Shortage)으로 인해 자동차, 전자제품 공장이 멈추는 사태가 벌어지고 있는 등 반도체 시장의 수요가 확대되고 있다.The semiconductor (memory) industry is an essential field for almost all fields, including home appliances, automobiles, data centers, and mobile phones. Recently, due to shortages in semiconductor supply, automobile and electronic product factories are shutting down, and the demand for semiconductors is expanding.
반도체 공정은 고집적화 및 고속 동작을 위하여 미세 패턴화 되어가고 있으며, 이와 함께 수율향상을 위한 장치의 대구경화로 발전중이다. 반도체 전체 제조과정 중 77%를 차지하는 "전공정"단계에서 "세정 공정"은 31%를 차지하는 핵심 공정이다.Semiconductor processes are becoming finely patterned for high integration and high-speed operation, and are also developing into larger diameter devices for yield improvement. In the "pre-process" stage, which accounts for 77% of the entire semiconductor manufacturing process, the "cleaning process" is a key process, accounting for 31%.
시스템반도체와 DRAM 메모리 반도체의 기술적 트랜드는 회로가 점점 미세화 되고 있으며, NAND 메모리 반도체의 기술적 트랜드는 적층화로 수직구조로 적층하는 기술이 중요한 상황이다. 이러한 미세화와 적층화를 위해서 가장 중요한 공정이 바로 "세정" 공정으로, 각 주요공정에 영향을 미치며, 확산공정 → 식각공정 → 세정공정 → 증착공정이 반복적으로 진행되면서 이와 관련된 장비, 부품 등의 수요가 지속적으로 증가하고 있다.The technological trend of system semiconductors and DRAM memory semiconductors is that circuits are becoming increasingly miniaturized, and the technological trend of NAND memory semiconductors is that vertical stacking technology is important. The most important process for this miniaturization and stacking is the "cleaning" process, which affects each major process, and as the diffusion process → etching process → cleaning process → deposition process is repeated, the demand for related equipment and parts is continuously increasing.
반도체 공정에서 세정공정은 화학물질처리, 가스, 물리적 방법을 통해 웨이퍼 표면에 있는 분술물을 제거하는 공정이다. 매우 미세한 공정을 다루는 반도체 공정의 경우 웨이퍼 표면에 입자, 금속, 유기물, 자연산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 수율 및 신뢰성에 부정적 영향을 주기 때문에 "세정공정"은 매우 중요한 공정이며, 확산공정 전, 식각공정 후 등 공정 중간중간에 반복적으로 진행되기 때문에 다른 공정 대비 2배 정도 소요된다.In the semiconductor process, the cleaning process is a process of removing impurities on the wafer surface through chemical treatment, gas, and physical methods. In the case of semiconductor processes that handle very fine processes, even trace impurities such as particles, metals, organic substances, and natural oxide films on the wafer surface can have negative effects on semiconductor yield and reliability, such as pattern defects and electrical characteristic deterioration. Therefore, the "cleaning process" is a very important process, and it takes about twice as long as other processes because it is repeatedly performed in the middle of the process, such as before the diffusion process and after the etching process.
반도체 세정공정은 반도체 전공정에 걸쳐 활용되는데, 주요 공정별로 활용되는 핵심 약품은 H2SO4, NH4OH, HCL, HF이며, 이러한 핵심 약품과 함께 사용되고 있는 것이 반도체 공정용 초순수이다. 첨단산업에서 응용용수로 사용되고 있는 초순수는 의료, 제약 및 바이오 그리고 반도체 공정분야에 이르기까지 필수 용수로 사용되고 있으며, 이 용수를 생산하는 초순수 제조장치는 상수, 지하수 등을 원수로 여러 단계의 정제과정을 거치게 되는데 용수의 응용분야에 따라 정제 방법이 다양하며 요구되는 용수 수질도 다르다. 초순수란 Resistivity 10 ~ 18MΩ·cm 범위에 있으며, 오염물질이 거의 없는 극한의 순수를 말한다.The semiconductor cleaning process is utilized throughout the entire semiconductor process, and the key chemicals utilized in each major process are H2SO4, NH4OH, HCL, and HF, and ultrapure water for semiconductor processes is used together with these key chemicals. Ultrapure water, which is used as applied water in advanced industries, is used as essential water in medical, pharmaceutical, bio, and semiconductor process fields, and the ultrapure water manufacturing equipment that produces this water goes through several stages of purification processes using tap water and groundwater as raw water. The purification method varies depending on the application field of the water, and the required water quality also differs. Ultrapure water refers to extremely pure water with almost no contaminants, with a resistivity in the range of 10 to 18 MΩ cm.
반도체 생산은 웨이퍼 등을 물로 세정해야 하는 공정이 많은데 이때 물에 불순물이 많이 섞여 있거나 전기전도도가 높으면 불량률이 높아진다. 특히 nm급 초미세 공정이 필요한 반도체 생산에서 초순수는 필수 요소이다. 따라서 고순도의 초순수를 짧은 시간에 다량 생성할 수 있는 기술의 개발이 필요하다.Semiconductor production involves many processes that require washing wafers and the like with water. If the water contains a lot of impurities or has high electrical conductivity, the defect rate increases. In particular, ultrapure water is an essential element in semiconductor production that requires nanometer-level ultrafine processes. Therefore, it is necessary to develop technology that can produce a large amount of high-purity ultrapure water in a short period of time.
본 발명은 고순도의 초순수의 단위 시간당 생성량이 향상된 초순수 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide an ultrapure water manufacturing device with improved production volume of high-purity ultrapure water per unit time.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 공급된 원수를 여과하여 상기 원수에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 제1필터부, 상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 역삼투압 멤브레인부, 상기 역삼투 멤브레인부에서 여과된 물을 저장하는 저장탱크, 상기 저장탱크로부터 공급 받은 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 제2필터부, 상기 제2필터부에서 이물질이 제거된 물에 존재하는 기체를 제거하는 디개서(Degasser), 상기 디개서에서 기체가 제거된 물에서 이온물질을 제거하는 EDI(Electrodeionization) 장치, 상기 EDI 장치에서 이온물질이 게거된 물의 살균 및 유기물 분해를 위해서 자외선을 조사하는 UV 램프부 및 상기 UV 램프부에서 자외선을 조사받은 물의 이물질을 제거하는 제3필터부를 포함하고, 상기 역삼투압 멤브레인부는, 상기 제1필터부와 각각 연통되고, 상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 1차적으로 각각 제거하는 제1역삼투압 멤브레인 및 제2역삼투압 멤브레인을 구비하는 1차 역삼투압 멤브레인부 및 상기 1차 역삼투압 멤브레인부와 연통되고, 상기 1차 역삼투압 멤브레인부에서 1차적으로 이물질이 제거된 물에 포함되어 있는 이물질을 2차적으로 제거하는 제3역삼투압 멤브레인을 구비하는 2차 역삼투압 멤브레인부를 포함하는 초순수 제조장치를 제공한다.According to one aspect of the present invention, the present invention comprises a first filter unit for filtering supplied raw water to remove foreign substances contained in the raw water, a reverse osmosis membrane unit for removing foreign substances contained in water filtered by the first filter unit, a storage tank for storing water filtered by the reverse osmosis membrane unit, a second filter unit for removing foreign substances contained in water supplied from the storage tank, a degasser for removing gas present in water from which foreign substances have been removed by the second filter unit, an EDI (Electrodeionization) device for removing ionic substances from water from which gases have been removed by the degasser, a UV lamp unit for irradiating ultraviolet rays to sterilize water from which ionic substances have been removed by the EDI device and decompose organic substances, and a third filter unit for removing foreign substances in water irradiated with ultraviolet rays by the UV lamp unit, wherein the reverse osmosis membrane unit is respectively connected to the first filter unit and primarily removes foreign substances contained in water filtered by the first filter unit. An ultrapure water manufacturing device is provided, comprising a first reverse osmosis membrane section having a first reverse osmosis membrane and a second reverse osmosis membrane, and a second reverse osmosis membrane section communicating with the first reverse osmosis membrane section and having a third reverse osmosis membrane for secondarily removing foreign substances contained in water from which foreign substances have been firstly removed in the first reverse osmosis membrane section.
본 발명에 따른 초순수 제조장치는 다음과 같은 효과가 있다.The ultrapure water manufacturing device according to the present invention has the following effects.
첫째, 더블 역삼투압 멤브레인, 듀얼 UV 램프 및 더블 UF 필터를 포함하여 고순도의 초순수를 빠르게 생성할 수 있는 장점이 있다.First, it has the advantage of being able to quickly produce high-purity ultra-pure water by including double reverse osmosis membranes, dual UV lamps and double UF filters.
둘째, EDI 장치를 이용하여 무기이온 및 유기물을 효율적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.Second, there is an advantage in that inorganic ions and organic substances can be efficiently removed using an EDI device.
셋째, Hollow Fiber Membrane을 적용한 디개서를 포함하여 유체 속에 용해된 기체를 효율적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.Third, it has the advantage of being able to efficiently remove gases dissolved in a fluid, including a degasser using a Hollow Fiber Membrane.
넷째, 메탈 필터를 이용하여 잔여 미세 금속 성분을 제거할 수 있는 장점이 있다.Fourth, there is an advantage in that residual fine metal components can be removed using a metal filter.
다섯째, 초순수 제조 과정 중 초순수의 농도가 설정치 이하가 되는 경우, 초순수를 재순환시켜 초순수의 농도를 적정치로 유지시킬 수 있다.Fifth, if the concentration of ultrapure water falls below the set value during the ultrapure water manufacturing process, the ultrapure water can be recycled to maintain the concentration of ultrapure water at an appropriate level.
여섯째, 제어부에서 장치에 포함되어 있는 각 구성을 통합 제어하고 실시간 모니터링 함으로써 초미세 반도체 공정용으로 사용하기 적정한 초순수를 안정적으로 생성할 수 있는 장점이 있다.Sixth, there is an advantage in that it can stably produce ultra-pure water suitable for use in ultra-fine semiconductor processes by controlling each component included in the device in an integrated manner and monitoring it in real time from the control unit.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초순수 제조장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 따른 초순수 제조장치의 제어부가 제어하는 각 구성들을 나타내는 블록도이다.Figure 1 is a configuration diagram of an ultrapure water manufacturing device according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 is a block diagram showing each component controlled by the control unit of the ultrapure water manufacturing device according to Figure 1.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing a preferred embodiment of the present invention with reference to the attached drawings.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 초순수 제조장치(100)는 제1필터부(110), 역삼투압 멤브레인부(120), 저장탱크(130), 제2필터부(140), 디개서(Degasser)(150), EDI(Electrodeionization) 장치(160), UV 램프부(170), 제3필터부(180), 재순환 라인(190) 및 제어부(C)를 포함한다. 상기 초순수 제조장치(100)는 초미세 반도체 공정용 초순수를 생성하기 위해 이용되는 것을 예로 들지만, 다른 분야에 이용되는 초순수를 생성하기 위해서도 이용될 수 있다. 상기 초순수 제조장치(100)는 1,000L/h 이상의 초순수 생성 능력을 갖는다. 상기 제1필터부(110), 상기 역삼투압 멤브레인부(120), 상기 저장탱크(130), 상기 제2필터부(140), 상기 디개서(Degasser)(150), 상기 EDI(Electrodeionization) 장치(160), 상기 UV 램프부(170), 상기 제3필터부(180)는 원수가 공급되어 진행되는 경로(방향)를 따라 순차적으로 배치되는 것을 예로 들지만, 배치 구조는 변경이 가능하다. 상기 제1필터부(110)는 인입 밸브인 제1밸브(V1)를 거쳐서 원수 공급원으로부터 공급되는 원수에 포함되어 있는 이물질(고입자)을 제거(여과)시키는 역할을 한다. 상기 제1밸브(V1)와 상기 제1필터부(110) 사이에는 압력 스위치(PS)와 제1압력계(PG1)가 순차적으로 설치된다. 상기 제1필터부(110)는 마이크로 필터(111) 및 카본 필터(112)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, an ultrapure water manufacturing device (100) according to one embodiment of the present invention includes a first filter unit (110), a reverse osmosis membrane unit (120), a storage tank (130), a second filter unit (140), a degasser (150), an EDI (electrodeionization) device (160), a UV lamp unit (170), a third filter unit (180), a recirculation line (190), and a control unit (C). The ultrapure water manufacturing device (100) is used for producing ultrapure water for an ultrafine semiconductor process as an example, but can also be used for producing ultrapure water used in other fields. The ultrapure water manufacturing device (100) has an ultrapure water production capacity of 1,000 L/h or more. The first filter unit (110), the reverse osmosis membrane unit (120), the storage tank (130), the second filter unit (140), the degasser (150), the EDI (Electrodeionization) device (160), the UV lamp unit (170), and the third filter unit (180) are sequentially arranged along the path (direction) along which the raw water is supplied, but the arrangement structure can be changed. The first filter unit (110) serves to remove (filter) foreign substances (large particles) contained in the raw water supplied from the raw water source through the first valve (V1), which is an inlet valve. A pressure switch (PS) and a first pressure gauge (PG1) are sequentially installed between the first valve (V1) and the first filter unit (110). The above first filter unit (110) includes a micro filter (111) and a carbon filter (112).
상기 마이크로 필터(111) 및 카본 필터(112)는 상기 원수가 진행하는 방향을 따라 순차적으로 배치된다. 즉, 상기 원수 공급원으로부터 공급되는 원수는 상기 마이크로 필터(111)를 통해서 상기 카본 필터(112)로 진행한다. 이물질이 제거된 물(이하 `제1여과 원수`라 한다.)은 제1가압 펌프(P1)에 의하여 상기 역삼투압 멤브레인부(120)로 공급된다. 상기 제1가압 펌프(P1)는 상기 제1필터부(110)와 상기 역삼투 멤브레인부(120) 사이에 배치된다. 상기 제1가압 펌프(P1)는 상기 역삼투압 멤브레인부(120)에서 여과가 원활하게 이루어지는데 필요한 압력을 제공한다. 그리고 상기 제1필터부(110)와 상기 제1가압 펌프(P1) 사이에는 제1솔레노이드 밸브(solenoid valve)인 제2밸브(V2)가 설치된다.The above micro filter (111) and carbon filter (112) are sequentially arranged along the direction in which the raw water proceeds. That is, the raw water supplied from the raw water supply source proceeds to the carbon filter (112) through the micro filter (111). Water from which foreign substances have been removed (hereinafter referred to as “first filtered raw water”) is supplied to the reverse osmosis membrane unit (120) by the first pressure pump (P1). The first pressure pump (P1) is arranged between the first filter unit (110) and the reverse osmosis membrane unit (120). The first pressure pump (P1) provides the pressure necessary for smooth filtration in the reverse osmosis membrane unit (120). In addition, a second valve (V2), which is a first solenoid valve, is installed between the first filter unit (110) and the first pressure pump (P1).
상기 역삼투압 멤브레인부(120)는 상기 제1필터부(110)와 연통되고, 상기 제1필터부(110)에서 여과된 제1여과 원수에 포함되어 있는 이물질을 제거한다. 상기 역삼투압 멤브레인부(120)와 상기 제1필터부(110)는 지름 15mm의 CPVC 유체 유동관을 통해 연통되어 있는 것을 예로 들지만 상기 유체 유동관의 재질 및 크기는 변경이 가능하다. 상기 역삼투압 멤브레인부(120)는 1차 역삼투압 멤브레인부 및 2차 역삼투압 멤브레인부를 포함한다. 그리고 상기 1차 역삼투압 멤브레인부는 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 제2역삼투압 멤브레인(122)을 포함한다. 그리고 상기 2차 역삼투압 멤브레인부는 제3역삼투압 멤브레인(123)을 포함한다.The above reverse osmosis membrane unit (120) is communicated with the first filter unit (110) and removes foreign substances contained in the first filtered raw water filtered by the first filter unit (110). As an example, the reverse osmosis membrane unit (120) and the first filter unit (110) are communicated through a CPVC fluid flow pipe having a diameter of 15 mm, but the material and size of the fluid flow pipe can be changed. The reverse osmosis membrane unit (120) includes a first reverse osmosis membrane unit and a second reverse osmosis membrane unit. In addition, the first reverse osmosis membrane unit includes a first reverse osmosis membrane (121) and a second reverse osmosis membrane (122). And the above-mentioned second reverse osmosis membrane section includes a third reverse osmosis membrane (123).
상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)은 상기 제1필터부(110)와 각각 연통되어 있어서 상기 제1여과 원수를 각각 공급 받는다. 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)은 상기 제1필터부(110)와는 직렬로 연결되지만, 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122) 서로는 병렬로 배치(연결)된다. 따라서 상기 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122) 서로 간에는 서로 연통되어 있지 않은 구조인 것을 예로 든다. 하지만 본 발명은 이에 한정되지 않고 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)의 배치(연결) 구조를 서로 연통되는 구조로 변경 가능하다. 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)은 상기 제1여과 원수에 포함되어 있는 이물질을 1차적으로 각각 제거하는 역할을 한다.The first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) are each connected to the first filter unit (110) and receive the first filtered raw water, respectively. The first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) are connected in series to the first filter unit (110), but the first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) are arranged (connected) in parallel to each other. Therefore, the first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) are not connected to each other, as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement (connection) structure of the first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) may be changed to a structure in which they are connected to each other. The first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122) each primarily remove foreign substances contained in the first filtered raw water.
그리고 상기 제3역삼투압 멤브레인(123)은 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)과 각각 연통되어 있어서, 상기 제1역삼투압 멤브레인(121) 및 상기 제2역삼투압 멤브레인(122)에서 1차적으로 이물질이 제거된 물(이하 `제2여과 원수`라 한다.)을 공급 받는다. 상기 제3역삼투압 멤브레인(123)은 상기 제2여과 원수에 포함되어 있는 이물질을 2차적으로 제거하는 역할을 한다. 즉, 상기 역삼투압 멤브레인부(120)는 상기 1차 역삼투압 멤브레인부와 상기 2차 역삼투압 멤브레인부를 포함하는 더블(Double) 멤브레인 구조로 배치되어 오염물질을 더욱 정밀하게 제거할 수 있다.And the third reverse osmosis membrane (123) is connected to the first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122), respectively, so as to receive water (hereinafter referred to as “second filtered raw water”) from which foreign substances have been primarily removed by the first reverse osmosis membrane (121) and the second reverse osmosis membrane (122). The third reverse osmosis membrane (123) plays a role of secondarily removing foreign substances contained in the second filtered raw water. That is, the reverse osmosis membrane part (120) is arranged in a double membrane structure including the first reverse osmosis membrane part and the second reverse osmosis membrane part, so as to remove contaminants more precisely.
그리고 상기 역삼투 멤브레인부(120)에는 상기 제3역삼투 멤브레인(123)에 의해 이물질이 제거된 물(이하 `제3여과 원수`라 한다.)의 순도를 측정하기 위한 제1센서(S1)가 배치된다. 상기 제1센서(S1)는 전기 전도도 측정 방식을 이용하는 센서인 것을 예로 들지만, 상기 제1센서(S1)의 종류는 변경이 가능하다.And in the reverse osmosis membrane section (120), a first sensor (S1) is arranged to measure the purity of water (hereinafter referred to as “third filtered raw water”) from which foreign substances have been removed by the third reverse osmosis membrane (123). The first sensor (S1) is an example of a sensor that uses an electrical conductivity measurement method, but the type of the first sensor (S1) can be changed.
그리고 상기 제3역삼투압 멤브레인(123)에는 필요한 경우 언제든지 상기 제3여과 원수 중에서 기준치 이하인 것을 배출시키기 위하여 제1배출구(D1)가 형성되어 있다. 이때 상기 제3역삼투압 멤브레인(123)과 상기 제1배출구(D1) 사이에는 상기 제1배출구(D1)로 배출되는 드레인을 조절하기 위하여 니들 밸브(needle valve)인 제3밸브(V3)와 제2솔레노이드 밸브인 제4밸브(V4)가 구비되어 있다. 상기 제1배출구(D1)는 지름 20mm의 CPVC 유체 유동관인 것을 예로 들지만 상기 제1배출구(D1)를 형성하는 유체 유동관의 재질 및 크기는 변경이 가능하다.And, in the third reverse osmosis membrane (123), a first outlet (D1) is formed to discharge the third filtered raw water having a value below the standard whenever necessary. At this time, a third valve (V3), which is a needle valve, and a fourth valve (V4), which is a second solenoid valve, are provided between the third reverse osmosis membrane (123) and the first outlet (D1) to control the drain discharged to the first outlet (D1). The first outlet (D1) is exemplified as a CPVC fluid flow pipe having a diameter of 20 mm, but the material and size of the fluid flow pipe forming the first outlet (D1) can be changed.
상기 저장탱크(130)는 상기 역삼투 멤브레인부(120)와 연통된다. 상기 저장탱크(130)는 상기 역삼투 멤브레인부(120)를 통과한 상기 제3여과 원수를 공급받아 내부에 저장한다. 상기 저장탱크(130)는 내부에 저장된 상기 제3여과 원수의 수위를 감지하기 위하여 레벨 센서인 제2센서(S2)가 구비되어 있다.The above storage tank (130) is connected to the reverse osmosis membrane unit (120). The storage tank (130) receives the third filtered raw water that has passed through the reverse osmosis membrane unit (120) and stores it inside. The storage tank (130) is equipped with a second sensor (S2), which is a level sensor, to detect the water level of the third filtered raw water stored inside.
그리고 상기 저장탱크(130)에는 상기 제3여과 원수를 외부로 토출하여 사용하기 위한 저장탱크 토출구(131)가 형성되어 있다. 또한 상기 저장탱크(130)에는 상기 제2필터부(140)로 공급되는 상기 제3여과 원수의 유량을 조절하기 위한 제5밸브(V5)가 구비되어 있다. 그리고 상기 저장탱크(130)에는 상기 제3여과 원수의 드레인을 위한 제6밸브(V6)가 구비되어 있다.And the storage tank (130) is provided with a storage tank discharge port (131) for discharging the third filtered raw water to the outside for use. In addition, the storage tank (130) is provided with a fifth valve (V5) for controlling the flow rate of the third filtered raw water supplied to the second filter unit (140). And the storage tank (130) is provided with a sixth valve (V6) for draining the third filtered raw water.
상기 제2필터부(140)는 상기 저장탱크(130)와 연통된다. 상기 제2필터부(140)는 상기 저장탱크로(130)로부터 공급 받은 상기 제3여과 원수에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 역할을 한다. 상기 제2필터부(140)로 이용되는 필터의 종류는 제한되지 않는다. 그리고 상기 제2필터부(140)와 상기 디개서(150) 사이에는 상기 제2필터부(140)에서 이물질이 제거된 물(이하 `제4여과 원수`라 한다.)이 기 디개서(150)로 진행하는 경로에 상기 제4여과 원수량을 제어하는 제7밸브(V7)가 구비되어 있다.The second filter unit (140) is connected to the storage tank (130). The second filter unit (140) serves to remove foreign substances contained in the third filtered raw water supplied from the storage tank (130). The type of filter used as the second filter unit (140) is not limited. In addition, between the second filter unit (140) and the degasser (150), a seventh valve (V7) is provided to control the amount of the fourth filtered raw water in the path through which the water from which foreign substances are removed in the second filter unit (140) (hereinafter referred to as “fourth filtered raw water”) proceeds to the degasser (150).
상기 디개서(150)는 상기 제2필터부(140)와 연통된다. 상기 디개서(150)는 상기 제4여과 원수에 존재하는 기체를 제거하는 역할을 한다. 구체적으로 상기 디개서(150)는 상기 제4여과 원수에 존재하는 용존산소 및 탄산가스를 제거하는 것을 예로 들지만, 그 외 다른 기체도 제거가 가능하다. 상기 디개서(150)는 상기 제4여과 원수에 존재하는 용존산소 및 탄산가스의 효율적 제거를 위한 소수성 중공사막(Hydrophobic Hollow Fiber Membrane Membrane)인 것을 예로 들지만, 상기 디개서(150)의 종류는 변경이 가능하다. 그리고 상기 디개서(150)에는 상기 디개서(150)에 의해 기체가 제거된 물(이하 `제5여과 원수`라 한다.)의 드레인을 위한 제8밸브(V8)이 구비되어 있다.The above-described degasser (150) is connected to the second filter unit (140). The degasser (150) removes gas present in the fourth filtered raw water. Specifically, the degasser (150) removes dissolved oxygen and carbon dioxide present in the fourth filtered raw water, but can also remove other gases. The degasser (150) is, for example, a hydrophobic hollow fiber membrane for efficient removal of dissolved oxygen and carbon dioxide present in the fourth filtered raw water, but the type of the degasser (150) can be changed. In addition, the degasser (150) is equipped with an eighth valve (V8) for draining water from which gas has been removed by the degasser (150) (hereinafter referred to as “fifth filtered raw water”).
상기 EDI 장치(160)는 상기 디개서(150)와 연통된다. 상기 EDI 장치(160)와 상기 디개서(150) 사이에는 상기 디개서(150)로부터 상기 EDI 장치(160) 방향으로 진행하는 상기 제5여과 원수량을 조절하는 제9밸브(V9)가 구비되어 있다. 상기 EDI 장치(160)는 상기 디개서(150)에서 공급되는 제5여과 원수에서 이온물질을 제거하는 역할을 한다. 상기 EDI 장치(160)에는 상기 EDI 장치(160)에 의해 이온물질이 제거된 물(이하 `제6여과 원수`라 한다.)의 드레인을 위한 제10밸브(V10)가 구비되어 있다.The EDI device (160) is connected to the degasser (150). A ninth valve (V9) for controlling the amount of the fifth filtered raw water flowing from the degasser (150) toward the EDI device (160) is provided between the EDI device (160) and the degasser (150). The EDI device (160) serves to remove ionic substances from the fifth filtered raw water supplied from the degasser (150). The EDI device (160) is provided with a tenth valve (V10) for draining the water from which ionic substances have been removed by the EDI device (160) (hereinafter referred to as “sixth filtered raw water”).
상기 UV 램프부(170)는 상기 EDI 장치(160)에서 이온물질이 제거된 제6여과 원수의 살균 및 유기물 분해를 위해서 상기 제6여과 원수에 자외선을 조사한다. 상기 UV 램프부(170)는 UV 램프(171), 제1이온물질 제거장치(172) 및 제2이온물질 제거장치(173)을 포함한다. 상기 UV 램프(171)는 살균 및 유기물 분해 성능을 향상시키기 위해서 복수 개의 UV 램프들을 포함한다. 상기 UV 램프(171)는 상기 EDI 장치(160)와 상기 제3필터부(180) 사이에 배치되는 것을 예로 들지만, 상기 UV 램프(171)의 배치 위치는 변경이 가능하다.The above UV lamp unit (170) irradiates ultraviolet rays to the sixth filtered raw water from which ionic substances have been removed in the EDI device (160) in order to sterilize and decompose organic substances. The UV lamp unit (170) includes a UV lamp (171), a first ionic substance removal device (172), and a second ionic substance removal device (173). The UV lamp (171) includes a plurality of UV lamps in order to improve sterilization and organic substance decomposition performance. The UV lamp (171) is arranged between the EDI device (160) and the third filter unit (180) as an example, but the arrangement location of the UV lamp (171) may be changed.
구체적으로 상기 UV 램프(171)는 제1UV 램프(미도시) 및 제2UV 램프를 포함한다. 상기 제1UV 램프는 185nm 파장의 빛을 조사하는 것을 예로 들만, 상기 제1UV 램프는 180nm 내지 190nm 파장의 빛을 조사할 수 있다. 그리고 상기 제2UV 램프는 254nm 파장의 빛을 조사하는 것을 예로 들지만, 상기 제2UV 램프는 250nm 내지 260nm 파장의 빛을 조사한다. 즉 상기 UV 램프부(170)는 서로 다른 파장의 자외선을 조사하는 복수 개의 UV 램프들을 이용함으로써 살균 및 전 유기물(TOC, Total Organic Carbon) 분해를 최적화한다. 또한 상기 초순수 제조장치(100)에서는 상기 제6여과 원수의 유량 속도 및 상기 제1UV 램프 및 제2UV 램프의 반사량 설계에 따라 유기물 분해 성능이 최적화 될 수 있도록 한다. 하지만 본 발명은 이에 한정되지 않고 상기 UV 램프부(170)를 살균처리가 가능한 자른 수단으로 변경 가능하다.Specifically, the UV lamp (171) includes a first UV lamp (not shown) and a second UV lamp. As an example, the first UV lamp irradiates light with a wavelength of 185 nm, but the first UV lamp can irradiate light with a wavelength of 180 nm to 190 nm. In addition, as an example, the second UV lamp irradiates light with a wavelength of 254 nm, but the second UV lamp irradiates light with a wavelength of 250 nm to 260 nm. That is, the UV lamp unit (170) optimizes sterilization and total organic carbon (TOC) decomposition by using a plurality of UV lamps that irradiate ultraviolet rays with different wavelengths. In addition, in the ultrapure water manufacturing device (100), the organic matter decomposition performance can be optimized according to the flow rate of the sixth filtered raw water and the reflection amount design of the first UV lamp and the second UV lamp. However, the present invention is not limited thereto, and the UV lamp unit (170) can be changed to any means capable of sterilization.
상기 제1이온물질 제거장치(172)는 상기 EDI 장치(160)와 상기 UV 램프(171) 사이에 배치된다. 상기 제1이온물질 제거장치(172)는 상기 UV 램프(171)가 상기 제6여과 원수에 자외선을 조사하기 전에 먼저 1차적으로 상기 제6여과 원수에 존재하는 무기이온을 포함하는 이온물질을 제거하는 역할을 한다.The first ion substance removal device (172) is placed between the EDI device (160) and the UV lamp (171). The first ion substance removal device (172) primarily removes ion substances including inorganic ions present in the sixth filtered raw water before the UV lamp (171) irradiates the sixth filtered raw water with ultraviolet rays.
상기 제2이온물질 제거장치(173)는 상기 UV 램프(171)와 상기 제3필터부(180) 사이에 배치된다. 상기 제2이온물질 제거장치(173)는 상기 UV 램프(171)에 의해 상기 제6여과 원수에 자외선이 조사된 후에 2차적으로 상기 자외선을 조사 받은 제6여과 원수에 존재하는 무기이온을 포함하는 이온물질을 제거하는 역할을 한다. 즉, 상기 초순수 제조장치(100)는 상기 EDI 장치(160), 상기 제1이온물질 제거장치(172) 및 상기 제2이온물질 제거장치(173)에 의해 3단계에 걸쳐 이온물질을 제거하므로 이온물질 제거율이 높다.The second ion substance removal device (173) is arranged between the UV lamp (171) and the third filter unit (180). The second ion substance removal device (173) removes ion substances including inorganic ions present in the sixth filtered raw water secondarily irradiated with ultraviolet rays after the sixth filtered raw water is irradiated with ultraviolet rays by the UV lamp (171). That is, the ultrapure water production device (100) removes ion substances in three stages by the EDI device (160), the first ion substance removal device (172), and the second ion substance removal device (173), so the ion substance removal rate is high.
그리고 상기 EDI 장치(160)와 상기 제1이온물질 제거장치(172) 사이에는 제2가압 펌프(P2)가 설치된다. 상기 제2가압 펌프(P2)에 의하여 상기 제6여과 원수는 상기 제1이온물질 제거장치(173)로 공급된다. 그리고 상기 EDI 장치(160)와 상기 제2가압 펌프(P2) 사이에는 상기 제6여과 원수의 유량을 조절하는 제11밸브(V11)가 구비된다. 그리고 상기 제2가압 펌프(P2)와 상기 제1이온물질 제거장치(173) 사이에는 상기 제6여과 원수의 유량을 조절하는 제12밸브(V12)가 구비된다. 또한 상기 제1이온물질 제거장치(172)와 상기 UV 램프(171) 사이 및 상기 UV 램프(171)와 상기 제2이온물질 제거장치(173) 사이에는 유량 조절을 위한 제13밸브(V13) 및 제14밸브(V14)가 구비된다.And a second pressurized pump (P2) is installed between the EDI device (160) and the first ion substance removal device (172). The sixth filtered raw water is supplied to the first ion substance removal device (173) by the second pressurized pump (P2). And an 11th valve (V11) for controlling the flow rate of the sixth filtered raw water is provided between the EDI device (160) and the second pressurized pump (P2). And a 12th valve (V12) for controlling the flow rate of the sixth filtered raw water is provided between the second pressurized pump (P2) and the first ion substance removal device (173). In addition, a 13th valve (V13) and a 14th valve (V14) for controlling the flow rate are provided between the first ion material removal device (172) and the UV lamp (171) and between the UV lamp (171) and the second ion material removal device (173).
상기 제3필터부(180)는 상기 UV 램프부(170)와 연통된다. 상기 제3필터부(180)는 상기 UV 램프부(170)에서 자외선을 조사 받은 물(이하 `제7여과 원수`라 한다.)에 존재하는 이물질을 제거하는 역할을 한다. 상기 제3필터부(180)는 UF(Ultra Filtration) 필터(181) 및 메탈(metal) 필터(182)를 포함한다. 상기 UF 필터(181)는 서로 다른 공극 크기를 갖는 복수 개의 중공사막 두 개를 직렬 연결한 구조로 형성된다. 상기 UF 필터(181)는 상기 공극 크기가 0.005㎛ 내지 0.2㎛이다. 하지만 본 발명은 이에 한정되지 않고 서로 다른 공극 크기를 갖는 세 개 이상의 중공사막을 직렬 연결한 구조로 형성될 수 있고, 상기 공극 크기도 변경 가능하다. 이를 통해서 상기 제7여과 원수에 존재하는 입자(particle) 및 박테리아(bacteria) 제거 효율이 향상될 수 있다.The third filter unit (180) is connected to the UV lamp unit (170). The third filter unit (180) removes foreign substances existing in water (hereinafter referred to as “seventh filtered raw water”) irradiated with ultraviolet rays from the UV lamp unit (170). The third filter unit (180) includes a UF (Ultra Filtration) filter (181) and a metal filter (182). The UF filter (181) is formed by a structure in which two hollow fiber membranes having different pore sizes are connected in series. The UF filter (181) has a pore size of 0.005 ㎛ to 0.2 ㎛. However, the present invention is not limited thereto, and may be formed by a structure in which three or more hollow fiber membranes having different pore sizes are connected in series, and the pore size may also be changed. Through this, the particle and bacteria removal efficiency present in the seventh filtered raw water can be improved.
상기 메탈 필터(182)는 상기 제7여과 원수가 상기 UF 필터(181)를 통과한 상태에서 잔여 미세 금속 성분을 제거하는 역할을 한다. 이때 상기 메탈 필터(182)는 극미량의 특정 금속 성분만을 제거하는 필터일 수 있다.The above metal filter (182) serves to remove residual fine metal components from the seventh filtered raw water that has passed through the UF filter (181). At this time, the metal filter (182) may be a filter that removes only extremely small amounts of specific metal components.
그리고 상기 제2이온물질 제거장치(173)와 상기 UF 필터(181) 사이에는 상기 제7여과 원수의 순도를 측정하기 위한 제3센서(S3)가 배치된다. 상기 제3센서(S3)는 전기 저항 측정 방식을 이용하는 센서인 것을 예로 들지만, 상기 제3센서(S3)의 종류는 변경이 가능하다. 그리고 상기 제2이온물질 제거장치(173)와 상기 제3센서(S3) 사이에는 상기 제7여과 원수의 유량을 조절하는 제15밸브(V15)가 구비된다.And between the second ion material removal device (173) and the UF filter (181), a third sensor (S3) is arranged to measure the purity of the seventh filtered raw water. The third sensor (S3) is an example of a sensor that uses an electric resistance measurement method, but the type of the third sensor (S3) can be changed. And between the second ion material removal device (173) and the third sensor (S3), a 15th valve (V15) for controlling the flow rate of the seventh filtered raw water is arranged.
상기 제7여과 원수에 대하여 상기 제3센서(S3)에 의해 측정된 순도가 기준치 이상인 경우에는 상기 제3필터부(180)에서 이물질이 제거된 물(이하 `제8여과 원수`라 한다.)은 배출된다. 이때 상기 배출되는 제8여과 원수의 유량을 조절하기 위해 제16밸브(V16)가 구비된다. 하지만 상기 제7여과 원수에 대하여 상기 제3센서(S3)에 의해 측정된 순도가 기준치이 미치지 못할 경우, 상기 제8여과 원수는 상기 재순환 라인(190)을 통해서 상기 저장탱크(130)로 재순환된다. 이때 재순환 되는 상기 제8여과 원수의 유량을 조절하기 위하여 제17밸브(V17)가 구비된다. 상기 제8여과 원수가 배출되거나 재순환 되는 경로는 지름 20mm의 CPVC 유체 유동관을 이용하는 것을 예로 들지만 상기 제8여과 원수가 배출되거나 재순환 되는 경로를 구성하는 유체 유동관의 재질 및 크기는 변경이 가능하다. 그리고 상기 원수가 진행하는 경로 상에 배치되는 제1필터부(110), 역삼투압 멤브레인부(120), 저장탱크(130), 제2필터부(140), 디개서(Degasser)(150), EDI(Electrodeionization) 장치(160), 제3필터부(180), 재순환 라인(190) 상호 간은 구체적인 설명이 없으면 CPVC 유체 유동관으로 연통된 구조를 가질 수 있다.If the purity measured by the third sensor (S3) for the seventh filtered raw water is higher than the reference value, water from which foreign substances have been removed in the third filter unit (180) (hereinafter referred to as “eighth filtered raw water”) is discharged. At this time, a 16th valve (V16) is provided to control the flow rate of the eighth filtered raw water discharged. However, if the purity measured by the third sensor (S3) for the seventh filtered raw water is lower than the reference value, the eighth filtered raw water is recirculated to the storage tank (130) through the recirculation line (190). At this time, a 17th valve (V17) is provided to control the flow rate of the eighth filtered raw water being recirculated. The path through which the eighth filtered raw water is discharged or recirculated uses, for example, a CPVC fluid flow pipe having a diameter of 20 mm, but the material and size of the fluid flow pipe constituting the path through which the eighth filtered raw water is discharged or recirculated can be changed. And, unless specifically described, the first filter unit (110), reverse osmosis membrane unit (120), storage tank (130), second filter unit (140), degasser (150), EDI (Electrodeionization) device (160), third filter unit (180), and recirculation line (190) arranged on the path along which the above-mentioned raw water proceeds may have a structure in which they are connected to each other by a CPVC fluid flow pipe.
상기 제어부(C)는 상기 제1밸브(V1) 내지 제17밸브(V17), 제1펌프(P1) 내지 제2펌프(P2), 상기 제1센서(S1) 내지 제3센서(S3), 상기 디개서(150), 상기 EDI 장치(160) 및 상기 UV 램프부(170)를 자동으로 제어한다. 하지만 본 발명은 이에 한정되지 않고 사용자가 수동으로 상기 제어부(C)를 작동시킬 수도있다. 상기 제어부(C)는 공급된 원수가 진행하는 경로에 설치되어 있는 상기 제1밸브(V1) 내지 제17밸브(V17)를 제어해서 유량을 제어할 수 있다. 그리고 제어부(C)는 물의 흐름에 따라 상기 제1펌프(P1) 내지 상기 제2펌프(P2)를 제어하여 효율적인 물의 흐름을 유지토록 할 수 있다. 그리고 상기 제어부(C)는 상기 디개서(150)의 작동을 제어하여 기체 제거 작동을 선택적으로 할 수 있고, 상기 EDI 장치(160)의 작동을 제어하여 이온물질 제거 작동을 선택적으로 할 수 있으며, 상기 UV 램프부(170)의 작동을 제어하여 살균 기작을 선택적으로 할 수 있다. 이렇듯 상기 초순수 제조장치(100)는 상기 제어부(C)에 의한 선택적 기작이 자동으로 이루어져서 효율성이 향상되는 장점이 있다. 이를 위해 상기 제어부(C)에는 미리 다양한 상황에 따른 기작 프로세서에 관한 데이터베이스(DB)가 구축되어 있을 수 있다. 상기 초순수 제조장치(100)는 상기 제어부(C)가 상기 초순수 제조장치(100)에 포함되어 있는 각 구성들을 제어하면서 실시간으로 초순수 생성 과정을 모니터링 함으로써, 안정적으로 기준에 부합하는 필요한 양의 초순수를 생성할 수 있는 장점이 있다.The above control unit (C) automatically controls the first valve (V1) to the seventeenth valve (V17), the first pump (P1) to the second pump (P2), the first sensor (S1) to the third sensor (S3), the degasser (150), the EDI device (160), and the UV lamp unit (170). However, the present invention is not limited thereto, and a user may manually operate the control unit (C). The control unit (C) can control the flow rate by controlling the first valve (V1) to the seventeenth valve (V17) installed in the path along which the supplied raw water proceeds. In addition, the control unit (C) can control the first pump (P1) to the second pump (P2) according to the flow of water to maintain an efficient flow of water. And the control unit (C) can selectively perform a gas removal operation by controlling the operation of the degasser (150), selectively perform an ion material removal operation by controlling the operation of the EDI device (160), and selectively perform a sterilization mechanism by controlling the operation of the UV lamp unit (170). In this way, the ultrapure water manufacturing device (100) has the advantage of improved efficiency because the selective mechanism by the control unit (C) is automatically performed. To this end, the control unit (C) may have a database (DB) built in advance regarding mechanism processors according to various situations. The ultrapure water manufacturing device (100) has the advantage of stably producing a required amount of ultrapure water that meets the standard by monitoring the ultrapure water production process in real time while the control unit (C) controls each component included in the ultrapure water manufacturing device (100).
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended patent claims.
100: 초순수 제조장치
110: 제1필터부
120: 역삼투 멤브레인부
121: 제1역삼투 멤브레인
122: 제2역삼투 멤브레인
123: 제3역삼투 멤브레인
130: 저장 탱크
140: 제2필터부
150: 디개서
160: EDI 장치
170: UV 램프
180: 제3필터부
190: 재순환 라인
C: 제어부 100: Ultrapure water manufacturing equipment
110: 1st filter section
120: Reverse osmosis membrane section
121: First reverse osmosis membrane
122: Second reverse osmosis membrane
123: Third reverse osmosis membrane
130: Storage Tank
140: Second filter section
150: Digasser
160: EDI Device
170: UV lamp
180: 3rd filter section
190: Recirculation line
C: Control unit
Claims (5)
상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 역삼투압 멤브레인부;
상기 역삼투압 멤브레인부에서 여과된 물을 저장하는 저장탱크;
상기 저장탱크로부터 공급 받은 물에 포함되어 있는 이물질을 제거하는 제2필터부;
상기 제2필터부에서 이물질이 제거된 물에 존재하는 기체를 제거하는 디개서(Degasser);
상기 디개서에서 기체가 제거된 물에서 이온물질을 제거하는 EDI(Electrodeionization) 장치;
상기 EDI 장치에서 이온물질이 게거된 물의 살균 및 유기물 분해를 위해서 자외선을 조사하는 UV 램프부; 및
상기 UV 램프부에서 자외선을 조사받은 물의 이물질을 제거하는 제3필터부를 포함하고,
상기 역삼투압 멤브레인부는,
상기 제1필터부와 각각 연통되고, 상기 제1필터부에서 여과된 물에 포함되어 있는 이물질을 1차적으로 각각 제거하는 제1역삼투압 멤브레인 및 제2역삼투압 멤브레인을 구비하는 1차 역삼투압 멤브레인부; 및
상기 1차 역삼투압 멤브레인부와 연통되고, 상기 1차 역삼투압 멤브레인부에서 1차적으로 이물질이 제거된 물에 포함되어 있는 이물질을 2차적으로 제거하는 제3역삼투압 멤브레인을 구비하는 2차 역삼투압 멤브레인부를 포함하고,
상기 제1필터부는 인입 밸브인 제1밸브를 통해서 원수를 공급받고, 상기 제1밸브와 상기 제1필터부 사이에는 압력 스위치와 제1압력계가 순차적으로 설치되며,
상기 제1필터부에서 이물질이 제거된 물은 제1가압 펌프에 의하여 상기 역삼투압 멤브레인부로 공급되고, 상기 제1필터부와 상기 제1가압 펌프 사이에는 제1솔레노이드 밸브인 제2밸브가 설치되며,
상기 제1역삼투압 멤브레인과 상기 제2역삼투압 멤브레인 각각은, 상기 제1필터부와 직렬로 연결되고,
상기 제1역삼투압 멤브레인과 상기 제2역삼투압 멤브레인 서로 간은 병렬로 배치되어 연통되지 않으며,
상기 역삼투압 멤브레인부는,
상기 제3역삼투압 멤브레인에 의해 이물질이 제거된 물의 순도를 측정하기 위한 제1센서가 배치되고,
상기 제3역삼투압 멤브레인에는,
상기 제3역삼투압 멤브레인에 의해 이물질이 제거된 물 중에서 기준치 이하인 것을 배출시키기 위하여 제1배출구가 형성되어 있고, 상기 제1배출구로 배출되는 드레인을 조절하기 위한 솔레노이드 밸브인 제3밸브 및 니들 밸브인 제4밸브가 구비되어 있으며,
상기 저장탱크는,
내부에 저장된 물의 수위를 감지하기 위한 제2센서;
상기 제2필터로 공급되는 물의 양을 조절하기 위한 제5밸브; 및
상기 저장탱크에 저장되어 있는 물의 드레인을 위한 제6밸브를 포함하며,
상기 제2필터부와 상기 디개서 사이에는, 상기 제2필터부에서 이물질이 제거된 물이 상기 디개서로 진행하는 경로에 물의 양을 제어하는 제7밸브가 구비되어 있으며,
상기 디개서는,
상기 디개서에 의해 기체가 제거된 물의 드레인을 위한 제8밸브가 구비되어 있으며,
상기 디개서와 상기 EDI장치 사이에는 상기 디개서로부터 상기 EDI장치 방향으로 진행하는 물의 양을 조절하는 제9밸브가 구비되어 있으며,
상기 EDI장치는,
상기 EDI장치에 의해 이온물질이 제거된 물의 드레인을 위한 제10밸브가 구비되어 있으며,
상기 UV 램프부는,
상기 EDI장치에서 이온물질이 제거된 물에 존재하는 이온물질을 제거하는 제1이온물질 제거장치;
상기 제1이온물질 제거장치에서 이온물질이 제거된 물의 살균 및 유기물 분해를 위해서 자외선을 조사하는 복수 개의 UV 램프들; 및
상기 UV 램프들에 의해 자외선이 조사된 물에 존재하는 이온물질을 제거하는 제2이온물질 제거장치를 포함하며,
상기 EDI장치와 상기 제1이온물질 제거장치 사이에는, 상기 EDI장치에서 상기 제1이온물질 제거장치로 공급되는 물의 유량을 조절하는 제11밸브가 포함되며,
상기 제11밸브와 상기 제1이온물질 제거장치 사이에는 물의 유량을 조절하는 제12밸브가 구비되며,
상기 제1이온물질 제거장치와 상기 복수 개의 UV 램프들 사이에는 물의 유량을 조절하는 제13밸브가 포함되며,
상기 복수 개의 램프들과 상기 제2이온물질 제거장치 사이에는 물의 유량을 조절하는 제14밸브가 더 포함되며,
상기 제2이온물질 제거장치와 상기 제3필터부 사이에는 유량 조절을 위한 제15밸브 및 상기 UV 램프부를 통과한 물의 순도를 측정하기 위한 제3센서가 더 배치되고,
상기 제3센서에 의해 측정된 순도가 기준치 이상인 경우에는 상기 제3필터부에서 이물질이 제거된 물을 배출하고, 상기 제3센서에 의해 측정된 순도가 기준치에 미치지 못할 경우에는 제3필터부를 통과한 물은 상기 저장 탱크와 연통되어 있는 재순환 라인을 통해서 상기 저장탱크로 재순환 시키되, 상기 제3필터부에서 이물질이 제거된 물의 배출을 위하여 물의 유량을 조절하는 제16밸브 및 상기 저장탱크로 재순환 되는 물의 유량을 조절하기 위한 제17밸브가 각각 더 포함되어 있는,
초순수 제조장치.A first filter unit that filters the supplied raw water to remove foreign substances contained in the raw water;
A reverse osmosis membrane section that removes foreign substances contained in the water filtered in the first filter section;
A storage tank for storing water filtered in the above reverse osmosis membrane section;
A second filter unit that removes foreign substances contained in water supplied from the above storage tank;
A degasser that removes gases present in water from which foreign substances have been removed in the second filter section;
An EDI (Electrodeionization) device that removes ionic substances from water from which gas has been removed in the above degasser;
A UV lamp section for sterilizing water containing ionic substances and decomposing organic substances in the EDI device; and
Includes a third filter section that removes foreign substances from water irradiated with ultraviolet rays from the above UV lamp section,
The above reverse osmosis membrane part,
A first reverse osmosis membrane section having a first reverse osmosis membrane and a second reverse osmosis membrane, each of which is connected to the first filter section and primarily removes foreign substances contained in water filtered by the first filter section; and
A second reverse osmosis membrane unit is provided, which is connected to the first reverse osmosis membrane unit and has a third reverse osmosis membrane for secondarily removing foreign substances contained in water from which foreign substances have been firstly removed in the first reverse osmosis membrane unit.
The above first filter section receives raw water through the first valve, which is an inlet valve, and a pressure switch and a first pressure gauge are sequentially installed between the first valve and the first filter section.
Water from which foreign substances have been removed in the first filter section is supplied to the reverse osmosis membrane section by the first pressure pump, and a second valve, which is a first solenoid valve, is installed between the first filter section and the first pressure pump.
Each of the first reverse osmosis membrane and the second reverse osmosis membrane is connected in series with the first filter section,
The first reverse osmosis membrane and the second reverse osmosis membrane are arranged in parallel and are not connected to each other.
The above reverse osmosis membrane part,
A first sensor is placed to measure the purity of water from which foreign substances have been removed by the third reverse osmosis membrane.
In the above third reverse osmosis membrane,
In order to discharge water having foreign substances removed by the third reverse osmosis membrane and having a value below the standard, a first outlet is formed, and a third valve, which is a solenoid valve, and a fourth valve, which is a needle valve, are provided to control the drain discharged through the first outlet.
The above storage tank,
A second sensor for detecting the water level stored inside;
A fifth valve for controlling the amount of water supplied to the second filter; and
Includes a sixth valve for draining water stored in the above storage tank,
Between the second filter unit and the degasser, a seventh valve is provided to control the amount of water in the path through which water from which foreign substances have been removed in the second filter unit proceeds to the degasser.
The above degasser,
An eighth valve is provided for draining the water from which gas has been removed by the above degasser.
Between the above degasser and the EDI device, a ninth valve is provided to control the amount of water flowing from the degasser toward the EDI device.
The above EDI device,
A 10th valve is provided for draining water from which ionic substances have been removed by the above EDI device.
The above UV lamp part,
A first ion substance removal device for removing ion substances present in water from which ion substances have been removed in the above EDI device;
A plurality of UV lamps that irradiate ultraviolet rays to sterilize water from which ion substances have been removed and decompose organic substances in the first ion substance removal device; and
It includes a second ion substance removal device that removes ion substances existing in water irradiated with ultraviolet rays by the above UV lamps,
Between the EDI device and the first ion material removal device, an 11th valve is included to control the flow rate of water supplied from the EDI device to the first ion material removal device.
A 12th valve for controlling the flow rate of water is provided between the 11th valve and the first ion material removal device.
A 13th valve for controlling the flow rate of water is included between the first ion material removal device and the plurality of UV lamps.
A 14th valve for controlling the flow rate of water is further included between the plurality of lamps and the second ion material removal device.
Between the second ion material removal device and the third filter unit, a 15th valve for controlling the flow rate and a third sensor for measuring the purity of water passing through the UV lamp unit are further arranged.
If the purity measured by the third sensor is higher than the reference value, water from which foreign substances have been removed is discharged in the third filter unit, and if the purity measured by the third sensor is lower than the reference value, water passing through the third filter unit is recirculated to the storage tank through a recirculation line connected to the storage tank, and a 16th valve for controlling the flow rate of water to discharge water from which foreign substances have been removed in the third filter unit and a 17th valve for controlling the flow rate of water recirculated to the storage tank are further included.
Ultrapure water manufacturing equipment.
상기 제1필터부는,
마이크로 필터 및 카본 필터를 포함하고,
상기 마이크로 필터 및 카본 필터는 상기 원수가 진행하는 방향을 따라 순차적으로 배치되는,
초순수 제조장치.In claim 1,
The above first filter part,
Contains micro filters and carbon filters,
The above micro filter and carbon filter are arranged sequentially along the direction in which the raw water flows.
Ultrapure water manufacturing equipment.
상기 디개서는,
용존산소 및 탄산가스 제거를 위한 소수성 중공사막(Hydrophobic Hollow Fiber Membrane)인,
초순수 제조장치.In claim 1,
The above degasser,
Hydrophobic hollow fiber membrane for removing dissolved oxygen and carbon dioxide.
Ultrapure water manufacturing equipment.
상기 복수 개의 UV 램프 중에서,
제1UV 램프는 180nm 내지 190nm 파장의 빛을 조사하고, 제2UV 램프는 250nm 내지 260nm 파장의 빛을 조사하는,
초순수 제조장치.In claim 1,
Among the above multiple UV lamps,
The first UV lamp irradiates light with a wavelength of 180 nm to 190 nm, and the second UV lamp irradiates light with a wavelength of 250 nm to 260 nm.
Ultrapure water manufacturing equipment.
상기 제3필터부는,
서로 다른 공극 크기를 갖는 복수 개의 중공사막을 이중으로 직렬 연결한 UF(Ultra Filtration) 필터; 및
상기 UF 필터를 통과한 물에 포함되어 있는 잔여 미세 금속 성분을 제거하는 메탈 필터를 포함하는,
초순수 제조장치.In claim 1,
The above third filter part,
A UF (Ultra Filtration) filter having multiple hollow fiber membranes with different pore sizes connected in series; and
Including a metal filter that removes residual fine metal components contained in water passing through the UF filter.
Ultrapure water manufacturing equipment.
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