KR102739133B1 - Polymer film, method for manufacturing polymer film and resin laminate using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하이고, 고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인 고분자 필름, 고분자 필름의 제조 방법 및 수지 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a polymer film, a method for producing a polymer film, and a resin laminate, wherein the average particle size of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and the number of surface grooves formed in the polymer film is 4/0.3 ㎟ or less, each having a maximum depth of 100 nm or more.
Description
본 발명은 표면 요철이 현저히 감소되어 투명성 등의 광학적 특성이 향상되면서도, 적정 수준 이상의 기계적 물성이 확보되는 고분자 필름, 고분자 필름의 제조 방법 및 수지 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a polymer film, a method for producing a polymer film, and a resin laminate in which optical properties such as transparency are improved by significantly reducing surface roughness, while mechanical properties above an appropriate level are secured.
방향족 폴리이미드 수지는 대부분 비결정성 구조를 갖는 고분자로서, 강직한 사슬 구조로 인해 뛰어난 내열성, 내화학성, 전기적 특성, 및 치수 안정성을 나타낸다. 이러한 폴리이미드 수지는 전기/전자 재료로 널리 사용되고 있다.Aromatic polyimide resins are polymers that mostly have an amorphous structure, and exhibit excellent heat resistance, chemical resistance, electrical properties, and dimensional stability due to their rigid chain structure. These polyimide resins are widely used as electrical/electronic materials.
그러나, 폴리이미드 수지는 이미드 사슬 내에 존재하는 Pi-전자들의 CTC (charge transfer complex) 형성으로 인해 짙은 갈색을 띠어 투명성을 확보하기 어려운 한계가 있고, 이를 포함하는 폴리이미드 필름의 경우 표면이 쉽게 긁혀 내스크래치성이 매우 약한 단점을 갖고 있다. However, polyimide resin has a limitation in securing transparency due to its dark brown color caused by the formation of CTC (charge transfer complex) of Pi electrons existing in the imide chain, and polyimide film containing it has a disadvantage in that the surface is easily scratched and scratch resistance is very weak.
이러한 폴리이미드 수지의 한계점을 개선하고자 아미드 그룹이 도입된 폴리 아미드 수지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 아미드 구조는 분자간 또는 분자내 수소결합을 유발하여 수소결합 등의 상호작용으로 내스크래치성이 개선되어졌다.In order to improve the limitations of such polyimide resins, research on polyamide resins with amide groups is being actively conducted. The amide structure induces intermolecular or intramolecular hydrogen bonds, and scratch resistance is improved through interactions such as hydrogen bonds.
하지만, 폴리아미드 수지 합성에 사용되는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 이소프탈로일 클로라이드의 용해도 차이 및 반응성(입체장애), 반응속도 차이로 인해 폴리아미드 중합시 테레프탈로일 클로라이드로부터 유래한 아미드 반복단위와 이소프탈로일 클로라이드로부터 유래한 아미드 반복단위가 블록을 형성하지 않으면서, 이상적으로(ideal), 교차적으로(alternatively) 중합되기 어렵다.However, due to the difference in solubility and reactivity (steric hindrance) and reaction rate of terephthaloyl chloride and isophthaloyl chloride used in the synthesis of polyamide resin, it is difficult for the amide repeating unit derived from terephthaloyl chloride and the amide repeating unit derived from isophthaloyl chloride to ideally and alternatively polymerize without forming blocks during polyamide polymerization.
이에, para 아실 클로라이드 단량체로부터 유래한 아미드 반복단위에 의한 블록이 형성되어, 폴리아미드 수지의 결정성이 증가함에 따라 헤이즈에 의해 투명성이 불량해지는 한계가 있다.Accordingly, there is a limitation that transparency deteriorates due to haze as the crystallinity of the polyamide resin increases due to the formation of blocks by amide repeating units derived from para acyl chloride monomers.
뿐만 아니라, 폴리아미드 수지 합성에 사용되는 단량체가 용매에 용해된 상태로 중합반응이 진행됨에 따라, 수분에 의한 변질 또는 용매와의 혼성으로 인해 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 충분한 수준으로 확보되기 어렵다.In addition, since the polymerization reaction proceeds while the monomer used in the synthesis of polyamide resin is dissolved in a solvent, it is difficult to secure a sufficient level of molecular weight of the final polyamide resin synthesized due to deterioration by moisture or mixing with the solvent.
이에, 투명성과 기계적 물성을 동시에 구현할 수 있는 폴리아미드 수지의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, the development of polyamide resin that can simultaneously implement transparency and mechanical properties is required.
한편, 종래의 폴리아미드 필름은 스틸 벨트 표면에 폴리아미드 수지를 도포하여 코팅한 이후, 반건조시켜 박리하고, 추가 열처리를 통하여 잔류 용매를 제거하는 방법을 통하여 제조되었다. 다만, 유색 폴리 아미드 필름과 달리 투명 폴리아미드 필름은 상기 박리단계에서 박리가 잘 되지 않는 문제점이 발생하였다. Meanwhile, conventional polyamide films were manufactured by coating the surface of a steel belt with polyamide resin, semi-drying it, peeling it off, and removing the residual solvent through additional heat treatment. However, unlike colored polyamide films, transparent polyamide films had a problem in that they were not peeled off well in the peeling step.
유색 폴리아미드 필름을 기재로 사용하는 방법을 시도되었으나, 유색 폴리아미드 필름의 제조 단가로 인한 제조 원가가 상승하여 경제성이 불량해지는 한계가 있었다. A method using colored polyamide film as a substrate was attempted, but there was a limitation in that the manufacturing cost increased due to the manufacturing cost of the colored polyamide film, making it poorly economical.
이에, 박리가 쉬우면서도 제조 원가 상승의 부담이 없는 폴리아미드 필름 제조방법의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for the development of a method for manufacturing polyamide film that is easy to peel and does not increase manufacturing costs.
본 발명은 표면 요철이 현저히 감소되어 투명성 등의 광학적 특성이 향상되면서도, 적정 수준 이상의 기계적 물성이 확보되는 고분자 필름, 고분자 필름의 제조 방법 및 수지 적층체에 관한 것이다. The present invention relates to a polymer film, a method for producing a polymer film, and a resin laminate in which optical properties such as transparency are improved by significantly reducing surface roughness, while mechanical properties above an appropriate level are secured.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 명세서에서는, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지를 포함하고, 고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인, 고분자 필름을 제공한다.In order to solve the above problem, the present specification provides a polymer film including a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device, and having a number of surface grooves formed in the polymer film having a maximum depth of 100 nm or more of 4/0.3 ㎟ or less.
본 명세서에서는 또한, 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인 기재필름에, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계;를 포함하는, 상기 고분자 필름의 제조방법이 제공된다. The present specification also provides a method for producing a polymer film, comprising the steps of forming a coating film by applying a composition including a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device to a substrate film having a number of surface protrusions of 4/0.3㎟ or less and a maximum height of 100 nm or more.
본 명세서에서는 또한, 상기 고분자 필름을 포함한 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는, 수지 적층체가 제공된다.The present specification also provides a resin laminate comprising: a substrate including the polymer film; and a hard coating layer formed on at least one surface of the substrate.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 고분자 필름, 고분자 필름의 제조 방법 및 수지 적층체에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a polymer film, a method for manufacturing a polymer film, and a resin laminate according to specific embodiments of the invention will be described in more detail.
본 명세서에서 특별한 제한이 없는 한 다음 용어는 하기와 같이 정의될 수 있다.Unless otherwise specified in this specification, the following terms may be defined as follows:
본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In this specification, when a part is said to "include" a certain component, this does not mean that it excludes other components, but rather that it may include other components, unless otherwise specifically stated.
본 명세서에서, 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In this specification, examples of substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에서, "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In this specification, the term "substitution" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in a compound, and the position of the substitution is not limited as long as it is a position where a hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, and when two or more are substituted, the two or more substituents may be the same or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 1차 아미노기; 카르복시기; 술폰산기; 술폰아미드기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 할로알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알콕시실릴알킬기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다. 바람직하게는 상기 치환기로는 할로알킬기를 사용할 수 있으며, 상기 할로알킬기의 예로는 트리플루오로메틸기를 들 수 있다.The term "substituted or unsubstituted" as used herein means a group which is unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a carbonyl group; an ester group; an imide group; an amide group; a primary amino group; a carboxyl group; a sulfonic acid group; a sulfonamide group; a phosphine oxide group; an alkoxy group; an aryloxy group; an alkylthioxy group; an arylthioxy group; an alkylsulfoxy group; an arylsulfoxy group; a silyl group; a boron group; an alkyl group; a haloalkyl group; a cycloalkyl group; an alkenyl group; an aryl group; an aralkyl group; an aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkoxysilylalkyl group; an arylphosphine group; or a heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or a substituted or unsubstituted group in which two or more of the above-mentioned substituents are linked. For example, "a substituent having two or more substituents connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, or may be interpreted as a substituent having two phenyl groups connected. Preferably, a haloalkyl group may be used as the substituent, and an example of the haloalkyl group may be a trifluoromethyl group.
본 명세서에서, , 또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, 직접결합은 L 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다. In this specification, , or means a bond that is connected to another substituent, and a direct bond means that there is no separate atom in the part indicated by L.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 알케인(alkane)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 상기 직쇄 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 또한, 상기 분지쇄 알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실, 2,6-디메틸헵탄-4-일 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 상기 알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, an alkyl group is a monovalent functional group derived from an alkane, which may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms in the straight-chain alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. In addition, the number of carbon atoms in the branched-chain alkyl group is 3 to 20. Specific examples of alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, Examples thereof include, but are not limited to, 5-methylhexyl, 2,6-dimethylheptan-4-yl, etc. The alkyl group may be substituted or unsubstituted.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 아렌(arene)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the aryl group is a monovalent functional group derived from arene, and is preferably a group having 6 to 20 carbon atoms, but is not particularly limited thereto, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The monocyclic aryl group may be, but is not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc. The polycyclic aryl group may be, but is not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, etc. The aryl group may be substituted or unsubstituted.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 이들은 2가의 작용기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 예를 들어, 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기, 나프탈렌기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 페릴렌기, 테트라세닐기, 안트라센닐기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, an arylene group is a divalent functional group derived from arene, and the description of the above-mentioned aryl group can be applied to them except that they are divalent functional groups. For example, they can be a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthalene group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a perylene group, a tetracenyl group, an anthracenyl group, etc. The arylene group can be substituted or unsubstituted.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 4 내지 20인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기, 아지리딜기, 아자인돌릴기, 이소인돌릴기, 인다졸릴기, 퓨린기(purine), 프테리딜기(pteridine), 베타-카볼릴기, 나프티리딜기(naphthyridine), 터-피리딜기, 페나지닐기, 이미다조피리딜기, 파이로피리딜기, 아제핀기, 피라졸릴기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, a heteroaryl group includes one or more non-carbon atoms or heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 4 to 20 carbon atoms, and the heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic. Examples of heterocyclic groups include thiophene group, furanyl group, pyrrole group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazinyl group, triazolyl group, acridyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group, Examples thereof include, but are not limited to, a thiazolyl group, an isoxazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a benzothiazolyl group, a phenothiazinyl group, an aziridyl group, an azaindoleyl group, an isoindolyl group, an indazolyl group, a purine group, a pteridine group, a beta-carbolyl group, a naphthyridine, a tert-pyridyl group, a phenazinyl group, an imidazopyridyl group, a pyropyridyl group, an azepine group, a pyrazolyl group, and a dibenzofuranyl group. The heteroaryl group may be substituted or unsubstituted.
본 명세서에서, 헤테로 아릴렌기는, 탄소수는 2 내지 20, 또는 2 내지 10, 또는 6 내지 20 이다. 이종원자로 O, N 또는 S를 함유한 아릴렌기로, 2가의 작용기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 상기 헤테로 아릴렌기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group has 2 to 20 carbon atoms, or 2 to 10, or 6 to 20 carbon atoms. The description of the heteroaryl group described above may be applied to the arylene group containing O, N or S as a heteroatom, except that it is a divalent functional group. The heteroarylene group may be substituted or unsubstituted.
본 명세서에 있어서, 할로겐의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In this specification, examples of halogen include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
Ⅰ. 고분자 필름Ⅰ. Polymer film
발명의 일 구현예에 따르면, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지를 포함하고, 고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인, 고분자 필름이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the invention, a polymer film can be provided, which includes a polyamide resin having an average particle diameter of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device, and in which the number of surface grooves formed in the polymer film having a maximum depth of 100 nm or more is 4/0.3 ㎟ or less.
고분자 필름에는 표면 홈 또는 표면 돌기를 포함하는 표면 요철이 포함될 수 있다. The polymer film may include surface roughness, including surface grooves or surface protrusions.
구체적으로, 상기 표면 요철이란 고분자 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 오목부 또는 돌출부를 의미할 수 있다.Specifically, the surface roughness may mean a concave portion or a protrusion from an average plane having an average height of the polymer film.
보다 구체적으로, 상기 표면 홈이란 상기 고분자 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 오목부이고, 상기 표면 돌기란 상기 고분자 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 돌출부를 의미할 수 있다. More specifically, the surface groove may mean a concave portion from an average plane having an average height of the polymer film, and the surface protrusion may mean a protrusion from an average plane having an average height of the polymer film.
또한, 최대 깊이란 상기 고분자 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터 표면 홈의 가장 깊은 지점까지의 거리를 의미할 수 있다. Additionally, the maximum depth may mean the distance from an average surface having an average height of the polymer film to the deepest point of the surface groove.
즉, 상기 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈이란, 고분자 필름의 측정 영역(0.3 ㎟, 예를 들어 가로 0.6mm * 세로 0.5 mm인 고분자 필름 시편)에 있어서, 평균 면(평균 높이)을 산출하고, 상기 평균 면으로부터 오목부의 가장 깊은 지점까지의 최대 거리가 100 nm 이상인 표면 홈인 표면 요철을 의미할 수 있다. That is, the surface groove having the maximum depth of 100 nm or more may mean a surface unevenness, which is a surface groove having a maximum distance of 100 nm or more from the average surface (average height) calculated in a measurement area of a polymer film (0.3 ㎟, for example, a polymer film specimen measuring 0.6 mm in width and 0.5 mm in length).
한편, 상기 표면 홈의 측정 영역은 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 고분자 필름의 일 표면일 수 있다. 즉, 상기 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈은, 고분자 필름의 일 표면을 측정 영역으로 하여, 상기 일 표면의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터 표면 홈의 가장 깊은 지점까지의 거리가 100 nm 이상인 표면 홈을 의미할 수 있다.Meanwhile, the measurement area of the surface grooves is not particularly limited, and may be, for example, one surface of a polymer film. That is, the surface grooves having the maximum depth of 100 nm or more may mean surface grooves having a distance of 100 nm or more from an average plane having an average height of one surface to the deepest point of the surface grooves, with one surface of the polymer film as the measurement area.
구체적으로, 상기 고분자 필름의 일 표면은 상기 고분자 필름의 두께방향과 수직인 표면 중 하나일 수 있다. 상기 두께방향은 상기 고분자 필름의 두께가 증가하는 방향을 의미하며, 상기 두께방향과 수직을 이루는 고분자 필름의 최외각표면을 대상으로 표면 홈이 측정될 수 있다.Specifically, one surface of the polymer film may be one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the polymer film. The thickness direction means a direction in which the thickness of the polymer film increases, and surface grooves may be measured targeting the outermost surface of the polymer film perpendicular to the thickness direction.
예를 들어, 상기 고분자 필름이 가로, 세로, 두께를 갖는 육면체 형상이라고 가정할 때, 상기 고분자 필름의 두께방향과 수직인 표면은 두께를 사이에 두고 마주하는 상면 및 하면이 될 수 있다.For example, assuming that the polymer film has a hexahedral shape having a length, width, and thickness, the surfaces perpendicular to the thickness direction of the polymer film can be the upper and lower surfaces facing each other across the thickness.
보다 구체적으로, 상기 고분자 필름의 일 표면은 후술하는 고분자 필름의 제조방법에서, 기재 필름과 맞닿는 고분자 필름의 표면을 의미할 수 있다. More specifically, one surface of the polymer film may refer to a surface of the polymer film that comes into contact with the substrate film in the method for manufacturing a polymer film described below.
후술하는, 기재 필름에 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 필름의 제조방법에 의하여 제조되는 고분자 필름에 있어, 상기 도막이 기재필름과 맞닿는 면을 측정 영역으로 할 때, 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하일 수 있다. In a polymer film manufactured by a method for manufacturing a polymer film, which comprises the step of forming a coating film by applying a composition containing a polyamide resin to a substrate film, described below, when the surface where the coating film comes into contact with the substrate film is used as a measurement area, the number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more may be 4/0.3 ㎟ or less.
상기 표면 홈을 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 고분자 필름을 가로 5cm, 세로 5cm 로 잘라 시편을 제조하고, Optical Profiler 를 이용하여 측정하는 방법을 사용할 수 있다.Examples of methods for measuring the above surface grooves are not particularly limited, but for example, a method may be used in which a polymer film is cut into 5 cm width and 5 cm length pieces to produce a specimen and then measured using an Optical Profiler.
보다 구체적으로, 상기 고분자 필름을 가로 5cm, 세로 5cm 로 잘라 시편을 제조하고, 상온 조건에서 배율을 조절하여, NV-2700 (제조사: Nano System) 장치를 이용하여 10배 확대 조건에서, 0.3 ㎟ 의 측정영역, 예를 들어 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm 의 측정영역에 대하여 측정할 수 있다. More specifically, the polymer film is cut into 5 cm wide and 5 cm long pieces to prepare a specimen, and by adjusting the magnification under room temperature conditions, a NV-2700 (manufacturer: Nano System) device can be used to measure a measurement area of 0.3 ㎟, for example, a measurement area of 0.6 mm wide and 0.5 mm long, under 10x magnification conditions.
상기 폴리아미드 수지는 폴리아미드 반복단위를 포함하는 아미드 (공)중합체를 포함할 수 있다. 상기(공)중합체는 중합체 또는 공중합체를 모두 포함하는 의미이며, 상기 중합체는 단일 반복단위로 이루어진 단독중합체를 의미하고, 공중합체는 2종 이상의 반복단위를 함유한 복합중합체를 의미한다.The above polyamide resin may include an amide (co)polymer containing a polyamide repeating unit. The (co)polymer includes both a polymer and a copolymer, and the polymer means a homopolymer composed of a single repeating unit, and the copolymer means a composite polymer containing two or more types of repeating units.
본 발명자들은 상술한 바와 같이, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지는 결정성 폴리머가 갖는 우수한 기계적 물성을 가지면서도, 결정 구조를 이루는 개별 결정의 성장이 둔화되어 상대적으로 작은 크기를 가짐에 따라, 현저히 낮은 수준의 헤이즈값 및 황색도 등을 가지며, 이와 함께 높은 유연성 및 굽힘 내구성을 가질 수 있다는 점을 실험을 통해서 확인하고 발명을 완성하였다. As described above, the inventors of the present invention have experimentally confirmed that a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device has excellent mechanical properties of a crystalline polymer, but has a significantly low haze value and yellowness, etc., since the growth of individual crystals forming the crystal structure is slowed down to have a relatively small size, and can have high flexibility and bending durability, and have thus completed the invention.
이와 달리, 상기 폴리아미드 수지에 대해 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균입경이 8.0 nm 초과로 지나치게 증가하는 경우, 상기 고분자 필름 내부에서 결정성을 갖는 부분이 차지하는 비율이나 그 크기가 과도하게 성장하게 되어 결정특성이 강하게 구현되어, 고분자 자체의 유연성이나 굽힘 내구성이 저하되고 또한 헤이즈값이 급격히 증가하게 되어 투명성이 감소하게 될 수 있다.In contrast, if the average particle size of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device for the polyamide resin increases excessively to exceed 8.0 nm, the proportion or size of the portion having crystallinity within the polymer film may grow excessively, so that the crystal characteristics are strongly implemented, thereby reducing the flexibility or bending durability of the polymer itself and rapidly increasing the haze value, which may reduce transparency.
또한, 본 발명자들은 상기 일 구현예의 고분자 필름이 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지를 포함함과 동시에, 고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하를 만족함에 따라, 헤이즈 값이 현저히 낮아져 투명성 등의 광학적 특성이 향상되면서도, 적정 수준 이상의 기계적 물성이 확보할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.In addition, the inventors of the present invention experimentally confirmed that the polymer film of the above embodiment includes a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device, and that the number of surface grooves formed in the polymer film having a maximum depth of 100 nm or more satisfies 4/0.3㎟ or less, thereby significantly reducing the haze value and improving optical properties such as transparency, while securing mechanical properties above an appropriate level, thereby completing the invention.
구체적으로, 상기 고분자 필름은 고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 4개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 3개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 2개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 1개/ 0.3 ㎟ 이하, 또는 0개/ 0.3 ㎟ 일 수 있다. Specifically, the polymer film may have a number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more formed in the polymer film of 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 3/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 2/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 1/0.3 ㎟ or less, or 0/0.3 ㎟.
이처럼 상기 고분자 필름이 최대 깊이 100 nm 이상의 표면 홈, 즉 표면 요철을 거의 포함하지 않고, 표면 홈이 현저히 감소됨에 따라, 적정 수준 이상의 기계적 물성을 구현함과 동시에 헤이즈 값이 현저히 낮아져 무색의 투명한 광학 특성을 가질 수 있다.In this way, the polymer film has almost no surface grooves, i.e., surface unevenness, with a maximum depth of 100 nm or more, and since the surface grooves are significantly reduced, it can have mechanical properties above an appropriate level and at the same time, have a significantly lower haze value, thereby achieving colorless and transparent optical properties.
이에 반해서, 상기 고분자 필름이 최대 깊이 100 nm 이상의 표면 홈, 즉 요철을 5개/ 0.3 ㎟ 이상으로 포함하는 경우, 표면의 요철을 과도하게 많이 포함하여, 헤이즈 값이 상승되어 광학적 특성이 현저히 열등해질 수 있다. In contrast, when the polymer film includes surface grooves of a maximum depth of 100 nm or more, i.e., 5/0.3㎟ or more, the surface includes excessively many unevennesses, which may increase the haze value and significantly deteriorate the optical properties.
상기 고분자 필름의 표면 홈의 개수는 통상적으로 알려진 측정 방법 및 측정 장치를 통하여 확인할 수 있다. 예를 들어, 고분자 필름을 가로 5cm, 세로 5cm 로 잘라 시편을 제조하고, Optical Profiler 를 이용하여 측정하는 방법을 사용할 수 있다.The number of surface grooves of the above polymer film can be confirmed using a commonly known measuring method and measuring device. For example, a method can be used in which a polymer film is cut into 5 cm width and 5 cm length to prepare a specimen and then measured using an Optical Profiler.
보다 구체적으로, 상기 고분자 필름을 가로 5cm, 세로 5cm 로 잘라 시편을 제조하고, 상온 조건에서 배율을 조절하여, NV-2700 (제조사: Nano System) 장치를 이용하여 10배 확대 조건에서, 0.3 ㎟ 의 측정영역, 예를 들어 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm 의 측정영역에 대하여 측정한 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4개 / 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 4개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 3개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 2개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 1개/ 0.3 ㎟ 이하, 또는 0개/ 0.3 ㎟ 일 수 있다. More specifically, the polymer film is cut into 5 cm in width and 5 cm in length to manufacture a specimen, and the magnification is adjusted under room temperature conditions, and the number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more, measured for a measurement area of 0.3 ㎟, for example, a measurement area of 0.6 mm in width and 0.5 mm in length, is 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 3/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 2/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 1/0.3 ㎟ or less, or 0/0.3 ㎟. there is.
한편, 상기 일 구현예의 고분자 필름은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 10 nm 이하, 1nm 이상 7nm 이하, 3nm 이상 5nm 이하일 수 있다. Meanwhile, the polymer film of the above embodiment may have an arithmetic mean roughness (Ra) of 10 nm or less, 1 nm or more and 7 nm or less, or 3 nm or more and 5 nm or less.
상기 산술 평균 거칠기(Ra)는 JIS B0601-1994에 규정된 바에 따를 수 있으며, 통계학적으로는 평균선에 대한 거칠기 곡선의 편차의 산술 평균을 의미한다. 즉, 산술 평균 거칠기는 기준 길이 L, 평균선에 대한 거칠기 곡선의 편차 f(x)일 때 하기 수학식 1에 의하여 계산될 수 있다. The above arithmetic mean roughness (Ra) can be as specified in JIS B0601-1994, and statistically means the arithmetic mean of the deviation of the roughness curve from the mean line. That is, the arithmetic mean roughness can be calculated by the following
[수학식1][Mathematical Formula 1]
상기 기준 길이란, 표면 거칠기의 특성을 구하기 위하여 사용하는 기준선의 측정 방향의 길이이고, 상기 평균선이란 거칠기 곡선까지의 편차의 제곱의 합이 최소가 되는 직선을 의미한다. 본 명세서에서, 산술평균거칠기는 Optical Profiler로 측정된 값을 기준으로 작성되었다.The above reference length refers to the length in the measurement direction of the reference line used to obtain the characteristics of surface roughness, and the above average line refers to a straight line that minimizes the sum of the squares of the deviations to the roughness curve. In this specification, the arithmetic average roughness is created based on the values measured by the Optical Profiler.
상기 고분자 필름의 산술 평균 거칠기가 10 nm 이하임에 따라, 표면 홈 또는 요철이 현저히 감소됨에 따라, 적정 수준 이상의 기계적 물성을 구현함과 동시에 헤이즈 값이 현저히 낮아져 무색의 투명한 광학 특성을 가질 수 있다.Since the arithmetic mean roughness of the above polymer film is 10 nm or less, surface grooves or unevenness are significantly reduced, and thus mechanical properties above an appropriate level can be implemented while the haze value is significantly reduced, thereby allowing colorless, transparent optical properties to be achieved.
이에 반해서, 상기 고분자 필름의 산술 평균 거칠기가 10 nm 을 초과하는 경우, 표면 홈 또는 표면의 요철을 과도하게 많이 포함하여, 헤이즈 값이 상승되어 광학적 특성이 현저히 열등해질 수 있다. In contrast, if the arithmetic mean roughness of the polymer film exceeds 10 nm, the film may contain excessive surface grooves or surface unevenness, which may increase the haze value and significantly deteriorate the optical properties.
한편, 상기 고분자 필름은 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 폴리아미드 수지를 포함할 수 있다. 상기 폴리아미드 수지는 다수의 개별 결정을 포함할 수 있다. 상기 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균 입경은 상기 고분자 필름에 포함되는 전체 결정의 입경을 확인하고, 이들 입경의 합계를 개별 결정의 개수로 나눈 수 평균 입경 계산 방법을 통해 구할 수 있다.Meanwhile, the polymer film may include a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device. The polyamide resin may include a plurality of individual crystals. The average particle size of the individual crystals contained in the polyamide resin may be obtained by checking the particle sizes of all crystals contained in the polymer film and dividing the sum of these particle sizes by the number of individual crystals through a number-average particle size calculation method.
상기 개별 결정의 평균 입경은 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. The average particle diameter of the above individual decisions can be measured using an analysis device by fitting the scattering pattern obtained by irradiating X-rays having energies of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV in a small-angle X-ray scattering device to a solid sphere model.
상기 조사되는 X선은 예를 들어, 10 KeV 내지 14 KeV 의 에너지를 갖는 X선과 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 함께 조사하는 방법을 사용할 수 있다.The X-rays to be investigated above can be irradiated using, for example, a method of irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 14 KeV and X-rays having an energy of 16 KeV to 20 KeV together.
상기 소각 X선 산란 장치로부터 얻어진 데이터인 산란 패턴은 20 ℃ 내지 30 ℃ 온도에서, 소각 X선 산란 장치를 이용하여 10 KeV 내지 20 KeV 에너지의 X선을 조사하여 측정되는 결과일 수 있다. 상기 소각 X선 산란 장치 내에서 검출기로서, 이미지 판(imaging Plate), 위치-민감성 검출기(PSPC; Position-sensitive detector) 등이 사용 가능하다.The scattering pattern, which is data obtained from the above-described small-angle X-ray scattering device, can be a result measured by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV using the small-angle X-ray scattering device at a temperature of 20° C to 30° C. As a detector within the above-described small-angle X-ray scattering device, an imaging plate, a position-sensitive detector (PSPC), or the like can be used.
이후, 상기 소각 X선 산란 장치 내부 또는 외부에 별도로 장착된 분석장비를 통해 상기 개별 결정의 평균 입경 분석이 진행될 수 있다. 상기 소각 X선 산란 장치의 예로는 PLS 9A beamline를 들 수 있고, 상기 분석장비의 예로는 컴퓨터 프로그램인 NIST SANS package을 들 수 있다.Thereafter, the average particle size of the individual crystals can be analyzed using analysis equipment separately installed inside or outside the small-angle X-ray scattering device. An example of the small-angle X-ray scattering device is the PLS 9A beamline, and an example of the analysis equipment is the computer program NIST SANS package.
구체적으로, 상기 개별 결정의 평균 입경은 시료에 함유된 개별 결정의 형태를 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 얻어지는 파수 q(단위:Å-1)와 산란 강도 I(단위:a.u.)의 플롯을 Schulz-Zimm distribution로 중첩적분(convolution)하여 얻어지는 결정의 직경분포곡선에 대하여, 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)의 계산을 통해 구할 수 있다.Specifically, the average particle diameter of the individual crystals can be obtained by fitting the shape of the individual crystals contained in the sample to a solid sphere model, and convolving the plot of the wavenumber q (unit: Å -1 ) and the scattering intensity I (unit: au) with the Schulz-Zimm distribution, through calculation using a computer program (NIST SANS package).
상기 결정은 0.1 nm 내지 15 nm의 입경을 갖는 개별 결정의 군(group)일 수 있으며, 이러한 군(group)에 포함되는 개별 결정은 0.8 nm 이하의 평균 입경을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 군(group)에 포함되는 개별 결정의 95%, 또는 99%가 0.8 nm 이하의 입경을 가질 수 있다. 즉, 상기 개별 결정의 대다수가 0.8 nm 이하, 또는 7 nm 이하, 또는 0.1 nm 내지 8.0 nm, 또는 0.1 nm 내지 7 nm, 또는 1 nm 내지 8 nm, 또는 1 nm 내지 7 nm, 또는 3 nm 내지 8 nm, 또는 3 nm 내지 7 nm, 또는 5 nm 내지 6.8 nm의 입경을 가짐에 따라, 개별 결정의 평균 입경 또한 상술한 범위를 만족할 수 있다.The above decision may be a group of individual crystals having a particle size of 0.1 nm to 15 nm, and the individual crystals included in the group may have an average particle size of 0.8 nm or less. More specifically, 95%, or 99% of the individual crystals included in the group may have a particle size of 0.8 nm or less. That is, since a majority of the individual crystals have a particle size of 0.8 nm or less, or 7 nm or less, or 0.1 nm to 8.0 nm, or 0.1 nm to 7 nm, or 1 nm to 8 nm, or 1 nm to 7 nm, or 3 nm to 8 nm, or 3 nm to 7 nm, or 5 nm to 6.8 nm, the average particle size of the individual crystals may also satisfy the above-described range.
보다 구체적으로, 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경은 8.0 nm 이하, 또는 7 nm 이하, 또는 0.1 nm 내지 8.0 nm, 또는 0.1 nm 내지 7 nm, 또는 1 nm 내지 8 nm, 또는 1 nm 내지 7 nm, 또는 3 nm 내지 8 nm, 또는 3 nm 내지 7 nm, 또는 5 nm 내지 6.8 nm 일 수 있다.More specifically, the average particle size of individual crystals measured by the small-angle X-ray scattering device can be 8.0 nm or less, or 7 nm or less, or from 0.1 nm to 8.0 nm, or from 0.1 nm to 7 nm, or from 1 nm to 8 nm, or from 1 nm to 7 nm, or from 3 nm to 8 nm, or from 3 nm to 7 nm, or from 5 nm to 6.8 nm.
구체적으로, 상기 소각 X선 산란 장치를 이용해 폴리아미드 수지 시료에 X선을 조사하게 되면, 검출기를 통해 소각 X선 산란 패턴이 확보되며, 이를 분석장비를 통해 분석하게 되면, 폴리아미드 수지 시료 내에 함유된 개별 결정의 평균 반입경(Rc) 값을 구할 수 있다. 이를 통해 최종적으로 상기 개별 결정의 평균 입경은 상술한 개별 결정의 평균 반입경(Rc)의 2배값을 계산하여 구할 수 있다.Specifically, when X-rays are irradiated to a polyamide resin sample using the above-described small-angle X-ray scattering device, a small-angle X-ray scattering pattern is acquired through a detector, and when this is analyzed using analysis equipment, the average semi-grain diameter (R c ) value of individual crystals contained in the polyamide resin sample can be obtained. Through this, the average grain diameter of the individual crystals can be finally obtained by calculating twice the average semi-grain diameter (R c ) of the individual crystals described above.
보다 구체적으로, 하기 도1에 기재된 상기 일 구현예의 고분자 필름의 결정 구조를 참조하여 설명하면, 상기 고분자 필름은 다수의 개별 결정(1)과 함께, 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬(3)으로 구성되며, 상기 개별 결정에 대해 입경(2)이 정의될 수 있다. More specifically, referring to the crystal structure of the polymer film of the above-described embodiment as described in the following
한편, 상기 개별 결정(1)은 하기 모식도에 나타난 바와 같이, 폴리아미드 수지 사슬들이 다발로 모여 형성될 수 있다. 특히, 폴리아미드 수지에 함유된 결정성의 고분자 블록간의 중첩을 통해 상기 개별 결정의 길이가 성장할 수 있으며, 중첩된 개별 결정의 형상을 구체적으로 특정하기 어려우나, 대략적으로 3차원 성장에 의한 구형(spherulite) 구조, 2차원 성장에 의한 라멜라(lamella) 구조, 또는 3차원과 2차원의 중간 형태의 구조를 가진다고 볼 수 있다.Meanwhile, the individual crystals (1) can be formed by polyamide resin chains gathering into a bundle, as shown in the schematic diagram below. In particular, the length of the individual crystals can grow through overlapping between crystalline polymer blocks contained in the polyamide resin, and although it is difficult to specifically specify the shape of the overlapping individual crystals, it can be roughly considered to have a spherical structure due to three-dimensional growth, a lamellar structure due to two-dimensional growth, or a structure having an intermediate form between three dimensions and two dimensions.
바람직하게는 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 차원수가 3.0 이상, 또는 3.0 내지 4.0일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 개별 결정의 차원수는 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. 상기 소각 X선 산란 장치와 이에 대한 분석 내용은 상기 개별 결정의 평균 입경에서 상술한 내용을 포함한다.Preferably, the polyamide resin may have a dimension of individual crystals of 3.0 or more, or 3.0 to 4.0, as measured by a small-angle X-ray scattering device. The dimension of individual crystals of the polyamide resin can be measured by an analysis device by fitting a scattering pattern obtained by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV, with a solid sphere model. The small-angle X-ray scattering device and the analysis contents thereof include the contents described above in the average particle diameter of the individual crystals.
한편, 상기 폴리아미드 수지는, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 하기 도1에 기재된 상기 일 구현예의 고분자 필름의 결정 구조를 참조하여 설명하면, 상기 고분자 필름은 다수의 개별 결정(1)과 함께, 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬(3)으로 구성될 수 있다.Meanwhile, the polyamide resin may further include amorphous polymer chains existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. More specifically, referring to the crystal structure of the polymer film of the above-described embodiment described in
상기 무정형의 고분자 사슬에 의해, 상술한 개별 결정의 평균 입경 성장이 억제되어, 상기 고분자 필름은 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하를 만족할 수 있다.By the amorphous polymer chains described above, the average particle size growth of the individual crystals described above is suppressed, so that the polymer film can satisfy an average particle size of the individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device of 8.0 nm or less.
이때, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리는 0.1 nm 내지 100 nm, 또는 1 nm 내지 100 nm, 또는 30 nm 내지 100 nm일 수 있다. 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리 또한, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정될 수 있다.At this time, the distance between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less may be 0.1 nm to 100 nm, or 1 nm to 100 nm, or 30 nm to 100 nm. The distance between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less can also be measured by a small-angle X-ray scattering device.
상기 폴리아미드 수지에서, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정의 구체적인 성분의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 결정성 폴리아미드 수지 제조에 사용되는 다양한 방향족 아미드 반복단위가 제한없이 적용될 수 있다.In the above polyamide resin, specific examples of individual crystal components having an average particle size of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device are not particularly limited, and various aromatic amide repeating units used in the production of crystalline polyamide resin can be applied without limitation.
상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정의 성분의 일례를 들면, 1,4-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제1 방향족 아미드 반복 단위를 포함할 수 있다. 상기 제1 방향족 아미드 반복단위로 이루어진 고분자 사슬들이 다발로 모여 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정을 형성할 수 있다.An example of a component of individual crystals having an average particle size of 8.0 nm or less as measured by the above-described small-angle X-ray scattering device may include a first aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,4-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound. Polymer chains formed of the first aromatic amide repeating unit may be bundled to form individual crystals having an average particle size of 8.0 nm or less.
상기 1,4-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산를 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the above 1,4-aromatic diacyl compounds include terephthaloyl chloride, or terephthalic acid. In addition, examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine, 2,7-diaminofluorene, 4,4-diaminooctafluorobiphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-oxydianiline, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and One or more selected from the group consisting of 4,4'-diaminobenzanilide may be mentioned.
바람직하게는 상기 1,4-방향족 디아실 화합물은 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 포함하며, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,4-aromatic diacyl compound comprises terephthaloyl chloride or terephthalic acid, and the aromatic diamine compound may comprise 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine.
보다 구체적으로, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함할 수 있다.More specifically, the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less may include a first polyamide segment including a repeating unit represented by the following
[화학식1][Chemical formula 1]
상기 화학식1 에서, Ar1 는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. In the
상기 화학식1에서, Ar1 는 알킬기, 할로알킬기, 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, 보다 바람직하게는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐렌기 일 수 있다.In the
보다 구체적으로, 상기 화학식1 에서, Ar1 는 방향족 디아민 단량체로부터 유도된 2가의 유기 작용기일 수 있으며, 상기 방향족 디아민 단량체의 구체적인 예로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) 또는 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine)일 수 있다.More specifically, in the
상기 제1폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록을 포함할 수 있다. The above first polyamide segment may include a repeating unit represented by the
상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식1-1로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.A specific example of the repeating unit represented by the
[화학식1-1][Chemical Formula 1-1]
상기 화학식1로 표시되는 반복단위는 1,4-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 아미드 반복 단위, 구체적으로 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 아미드 반복단위이며, 선형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)이 일정하게 유지될 수 있고, 폴리아미드 필름의 표면 경도 및 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.The repeating unit represented by the
상기 1,4-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산를 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the above 1,4-aromatic diacyl compounds include terephthaloyl chloride, or terephthalic acid. In addition, examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine, 2,7-diaminofluorene, 4,4-diaminooctafluorobiphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-oxydianiline, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and One or more selected from the group consisting of 4,4'-diaminobenzanilide may be mentioned.
바람직하게는 상기 1,4-방향족 디아실 화합물은 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 포함하며, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,4-aromatic diacyl compound comprises terephthaloyl chloride or terephthalic acid, and the aromatic diamine compound may comprise 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine.
상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량이 100 g/mol 내지 5000 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 3000 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 2500 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 2450 g/mol일 수 있다. 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량이 5000 g/mol 초과로 증가하게 되면, 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 사슬이 지나치게 길어짐에 따라, 폴리아미드 수지의 결정성이 증가할 수 있고, 이에 따라 고분자 필름이 높은 헤이즈값을 가져 투명성을 확보하기 어려울 수 있다. 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량은 측정하는 방법의 예가 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, SAXS(Small-angle X-ray scattering) 분석을 통해 확인할 수 있다.The number average molecular weight of the first polyamide segment may be 100 g/mol to 5000 g/mol, or 100 g/mol to 3000 g/mol, or 100 g/mol to 2500 g/mol, or 100 g/mol to 2450 g/mol. If the number average molecular weight of the first polyamide segment increases to exceed 5000 g/mol, the crystallinity of the polyamide resin may increase as the chain of the first polyamide segment becomes excessively long, and thus the polymer film may have a high haze value, making it difficult to secure transparency. The number average molecular weight of the first polyamide segment is not limited to examples of a method for measuring it, but can be confirmed, for example, through SAXS (Small-angle X-ray scattering) analysis.
상기 제1폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식5로 표시될 수 있다. The above first polyamide segment can be represented by the following chemical formula 5.
[화학식5][Chemical Formula 5]
상기 화학식5 에서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, a는 1 내지 5의 정수이다. 상기 화학식 5에서, a가 1인 경우, 상기 화학식5는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위일 수 있다. 상기 화학식 5에서, a가 2 내지 5인 경우, 상기 화학식5는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록일 수 있다. 상기 화학식5 에서, Ar1에 대한 설명은 상기 화학식1에서 상술한 내용을 포함한다.In the chemical formula 5, Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, and a is an integer of 1 to 5. In the chemical formula 5, when a is 1, the chemical formula 5 may be a repeating unit represented by the
상기 고분자 필름에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 비율이 40 몰% 내지 95 몰%, 50 몰% 내지 95 몰%, 또는 60 몰% 내지 95 몰%, 또는 70 몰% 내지 95 몰%, 또는 50 몰% 내지 90 몰%, 또는 50 몰% 내지 85 몰%, 또는 60 몰% 내지 85 몰%, 또는 70 몰% 내지 85 몰%, 또는 80 몰% 내지 85 몰%, 또는 82 몰% 내지 85 몰%일 수 있다. Based on all repeating units contained in the polymer film, the proportion of the repeating unit represented by the
이처럼, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위가 상술한 함량으로 함유된 고분자 필름은 충분한 수준의 분자량을 확보하여 우수한 기계적 물성을 확보할 수 있다.In this way, a polymer film containing the repeating unit represented by the
또한, 상기 고분자 필름에서, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬의 구체적인 성분의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 무정형 폴리아미드 수지 제조에 사용되는 다양한 방향족 아미드 반복단위가 제한없이 적용될 수 있다. In addition, in the polymer film, specific examples of amorphous polymer chains existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less are not particularly limited, and various aromatic amide repeating units used in the production of amorphous polyamide resins can be applied without limitation.
상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬 성분의 일례를 들면, 1,2-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제2 방향족 아미드 반복 단위, 또는 1,3-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제3 방향족 아미드 반복 단위, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상술한 제2 방향족 아미드 반복단위 또는 제3 방향족 아미드 반복단위로 이루어진 고분자 사슬들은 무정형의 특성을 구현할 수 있다.An example of an amorphous polymer chain component existing between individual crystals having an average particle size of 8.0 nm or less as measured by the above small-angle X-ray scattering device may include a second aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,2-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound, or a third aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,3-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound, or a mixture thereof. The polymer chains composed of the above-described second aromatic amide repeating unit or the third aromatic amide repeating unit can implement amorphous characteristics.
상기 1,2-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 프탈로일 클로라이드, 또는 프탈산을 들 수 있다. 또한, 상기 1,3-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산을 들 수 있다. 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the above 1,2-aromatic diacyl compound include phthaloyl chloride or phthalic acid. In addition, specific examples of the above 1,3-aromatic diacyl compound include isophthaloyl chloride or isophthalic acid. Examples of the above aromatic diamine monomers include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine, 2,7-diaminofluorene, 4,4-diaminooctafluorobiphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-oxydianiline, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and One or more selected from the group consisting of 4,4'-diaminobenzanilide may be mentioned.
바람직하게는 상기 1,2-방향족 디아실 화합물은 프탈로일 클로라이드, 또는 프탈산을 포함하며, 상기 1,3-방향족 디아실 화합물은 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산을 포함하고, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,2-aromatic diacyl compound may include phthaloyl chloride or phthalic acid, the 1,3-aromatic diacyl compound may include isophthaloyl chloride or isophthalic acid, and the aromatic diamine compound may include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine.
보다 구체적으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함한 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬은, 하기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트를 포함할 수 있다.More specifically, an amorphous polymer chain present between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, including a first polyamide segment comprising a repeating unit represented by the
[화학식2][Chemical formula 2]
상기 화학식 2 에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.In the
상기 화학식2에서, Ar2 는 알킬기, 할로알킬기, 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, 보다 바람직하게는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐렌기 일 수 있다.In the
보다 구체적으로, 상기 화학식2 에서, Ar2 는 방향족 디아민 단량체로부터 유도된 2가의 유기 작용기일 수 있으며, 상기 방향족 디아민 단량체의 구체적인 예로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) 또는 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine)일 수 있다.More specifically, in the
상기 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록을 포함할 수 있다. The second polyamide segment may include a repeating unit represented by the
보다 구체적으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위는, 하기 화학식2-1로 표시되는 반복단위; 또는 하기 화학식2-2로 표시되는 반복단위; 중 1종의 반복단위를 포함할 수 있다.More specifically, the repeating unit represented by the
[화학식2-1][Chemical Formula 2-1]
[화학식2-2][Chemical Formula 2-2]
상기 화학식2-1 내지 2-2에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. Ar2에 관한 자세한 설명은 상기 화학식2에서 상술한 내용을 포함한다.In the above chemical formulas 2-1 to 2-2, Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms. A detailed description of Ar 2 includes the contents described above in the
상기 화학식2-1로 표시되는 반복단위는 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이며, 상기 화학식2-2로 표시되는 반복단위는 프탈로일 클로라이드 또는 프탈산와 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이다.The repeating unit represented by the above chemical formula 2-1 is a repeating unit formed by the amidation reaction of isophthaloyl chloride or isophthalic acid and an aromatic diamine monomer, and the repeating unit represented by the above chemical formula 2-2 is a repeating unit formed by the amidation reaction of phthaloyl chloride or phthalic acid and an aromatic diamine monomer.
상기 화학식2-1로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식2-4로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.A specific example of the repeating unit represented by the above chemical formula 2-1 may include the repeating unit represented by the following chemical formula 2-4.
[화학식2-4][Chemical Formula 2-4]
상기 화학식2-2로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식2-5로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.A specific example of the repeating unit represented by the above chemical formula 2-2 may include the repeating unit represented by the following chemical formula 2-5.
[화학식2-5][Chemical Formula 2-5]
한편, 상기 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식6으로 표시될 수 있다.Meanwhile, the second polyamide segment can be represented by the following chemical formula 6.
[화학식6][Chemical formula 6]
상기 화학식6 에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, b는 1 내지 3, 또는 1 내지 2의 정수이다. 상기 화학식 6에서, b가 1인 경우, 상기 화학식6는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위일 수 있다. 상기 화학식6에서, b가 2 내지 3인 경우, 상기 화학식6는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록일 수 있다. In the chemical formula 6, Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, and b is an integer of 1 to 3, or 1 to 2. In the chemical formula 6, when b is 1, the chemical formula 6 may be a repeating unit represented by the
상기 화학식2로 표시되는 반복단위는 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이며, 굽은형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)을 방해하는 성격을 가지고 있으며, 폴리아미드 수지에 무정형 영역을 증가시켜, 폴리아미드 필름의 광학적 물성 및 내절 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위와 함께 폴리아미드 수지에 포함됨에 따라, 폴리아미드 수지의 분자량을 증가시킬 수 있다.The repeating unit represented by the
상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 비율이 5 몰% 내지 60 몰%, 5 몰% 내지 50 몰%, 또는 5 몰% 내지 40 몰%, 또는 5 몰% 내지 30 몰%, 또는 10 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 40 몰%, 또는 15 몰% 내지 30 몰%, 또는 15 몰% 내지 20 몰%, 또는 15 몰% 내지 18 몰%일 수 있다. Based on all repeating units contained in the polyamide resin, the proportion of the repeating unit represented by the
이처럼, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위가 상술한 함량으로 함유된 폴리아미드 수지는 상기 화학식1로 표시되는 특정 반복단위만으로 이루어진 사슬의 길이성장을 저해하여, 수지의 결정성을 낮출 수 있고, 이에 따라 낮은 헤이즈값을 가져 우수한 투명성을 확보할 수 있다.In this way, the polyamide resin containing the repeating unit represented by the
한편, 상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있다. 즉, 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정에 포함된 제1 폴리아미드 세그먼트는 상기 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬에 포함된 제2 폴리아미드 세그먼트와 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 형성할 수 있다.Meanwhile, the first polyamide segment and the second polyamide segment can form a main chain including a cross-repeating unit represented by the following
이에 따라, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지는 하기 도1에 나타난 결정 구조와 같이, 다수의 개별결정과 무정형의 고분자 사슬이 반복되는 구조를 가지게 되며, 개별결정만의 지속적인 크기 성장을 억제할 수 있다. 이를 통해, 상기 개별 결정은 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하로 축소될 수 있다.Accordingly, the polyamide resin of the above embodiment has a structure in which a number of individual crystals and amorphous polymer chains are repeated, as shown in the crystal structure shown in Fig. 1 below, and can suppress the continuous size growth of only the individual crystals. Through this, the average particle diameter of the individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device can be reduced to 8.0 nm or less.
[화학식3][Chemical formula 3]
상기 화학식3에서, A는 상기 제1폴리아미드 세그먼트이고, B는 상기 제2폴리아미드 세그먼트이다.In the
구체적으로, 상기 고분자 필름에 포함되는 폴리아미드 수지의 주쇄는 상기 화학식3과 같이, 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 제1 폴리아미드 세그먼트와 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 제2 폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이룰 수 있다. 즉, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트가 제1폴리아미드 세그먼트 사이에 위치하며, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다.Specifically, the main chain of the polyamide resin included in the polymer film may be, as in the
상기 제2 폴리아미드 세그먼트는 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬에 포함되며, 상기 제1폴리아미드 세그먼트는 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정에 포함되기 때문에, 상기 고분자 필름에서 상기 무정형의 고분자 사슬이 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정 사이에 위치하면서, 개별 결정의 크기 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다. 이는 하기 도1에 나타난 결정 구조를 통해서도 확인할 수 있다.Since the second polyamide segment is included in an amorphous polymer chain existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, and the first polyamide segment is included in the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, the amorphous polymer chain in the polymer film can play a role in suppressing the size growth of the individual crystals while being positioned between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. This can also be confirmed through the crystal structure shown in Fig. 1 below.
이처럼, 상기 개별 결정의 크기 성장이 억제되면, 개별 결정에 의한 결정특성이 감소하면서, 고분자 필름의 헤이즈값을 현저히 낮출 수 있기 때문에, 우수한 투명성 구현이 가능하다. In this way, when the size growth of the individual crystals is suppressed, the crystal characteristics by the individual crystals are reduced, and the haze value of the polymer film can be significantly reduced, so that excellent transparency can be implemented.
한편, 상기 고분자 필름에 포함되는 폴리아미드 수지의 주쇄가 상기 화학식3과 같이, 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산으로부터 유도된 제1 폴리아미드 세그먼트와 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 제2 폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이루는 것은, 후술하는 본 발명의 폴리아미드 수지 제조방법상 용융혼련복합체 형성에 따른 것으로 보인다.Meanwhile, the fact that the main chain of the polyamide resin included in the polymer film alternately forms a polymer chain of a first polyamide segment derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid and a second polyamide segment derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid, or phthaloyl chloride, phthalic acid, as in the
보다 구체적인 예를 들어 설명하면, 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위는 하기 화학식4로 표시되는 반복단위일 수 있다.To explain with a more specific example, the alternating repeat unit represented by the
[화학식4][Chemical formula 4]
상기 화학식4 에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, a1 및 a2는 각각 독립적으로 1 내지 10, 또는 1 내지 5의 정수이고, b1 및 b2는 각각 독립적으로 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 정수이다.In the above chemical formula 4, Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, a1 and a2 are each independently an integer of 1 to 10, or 1 to 5, and b1 and b2 are each independently an integer of 1 to 5, or 1 to 3.
상기 화학식4에서, a1, 또는 a2의 반복단위수를 갖는 결정성의 고분자 블록(테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산로부터 유도됨)은 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정을 이룰 수 있다. 또한, 상기 화학식4에서, b1, 또는 b2의 반복단위수를 갖는 비결정성의 고분자 블록(이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도됨)은 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬을 이룰 수 있다.In the above chemical formula 4, the crystalline polymer block (derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid) having a repeating unit number of a1 or a2 can form individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by the small-angle X-ray scattering apparatus. Furthermore, in the above chemical formula 4, the non-crystalline polymer block (derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid, or phthaloyl chloride, phthalic acid) having a repeating unit number of b1 or b2 can form an amorphous polymer chain existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by the small-angle X-ray scattering apparatus.
즉, 상기 고분자 필름에 포함되는 폴리아미드 수지는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트; 및 상기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트;를 포함하고, 상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있다.That is, the polyamide resin included in the polymer film includes a first polyamide segment including a repeating unit represented by the
본 발명자들은 상기 일 구현예의 고분자 필름에 포함되는 폴리아미드 수지와 같이, 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하로 감소함에 따라, 폴리아미드 수지 내부에 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 반복단위로 이루어진 고분자 블록(이하, 제1 폴리아미드 세그먼트)의 길이 성장을 최소화하여, 폴리아미드 수지의 결정성을 낮춰 투명한 고분자 필름을 구현할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors experimentally confirmed that, as the average particle diameter of individual crystals is reduced to 8.0 nm or less, as in the polyamide resin included in the polymer film of the above-described embodiment, the length growth of a polymer block (hereinafter, “first polyamide segment”) composed of a repeating unit derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid inside the polyamide resin is minimized, thereby lowering the crystallinity of the polyamide resin and implementing a transparent polymer film, thereby completing the invention.
구체적으로, 상기 고분자 필름에 포함되는 폴리아미드 수지의 주쇄는 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 결정성의 고분자 블록(이하, 제1 폴리아미드 세그먼트)과 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 비결정성의 고분자 블록(제2 폴리아미드 세그먼트)이 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이룰 수 있다. 즉, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트가 제1폴리아미드 세그먼트 사이에 위치하며, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다.Specifically, the main chain of the polyamide resin included in the polymer film may alternatively form a polymer chain of crystalline polymer blocks derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid (hereinafter, referred to as a first polyamide segment) and amorphous polymer blocks derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid, or phthaloyl chloride, phthalic acid (second polyamide segment). That is, the second polyamide segment is positioned between the first polyamide segments and may play a role in suppressing the length growth of the first polyamide segment.
이때, 상기 제1폴리아미드 세그먼트는 폴리아미드 수지의 개별 결정에 포함되어 결정 특성을 발현하며, 상기 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬에 포함되어 비정질의 특성을 발현하게 된다.At this time, the first polyamide segment is included in individual crystals of the polyamide resin and exhibits crystalline characteristics, and the second polyamide segment is included in an amorphous polymer chain between the individual crystals and exhibits amorphous characteristics.
따라서, 상기 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장이 억제되면, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 상대적으로 작게 측정되며, 상기 폴리아미드 수지는 제1폴리아미드 세그먼트의 결정특성이 감소하면서, 고분자 필름의 헤이즈값을 현저히 낮출 수 있기 때문에, 우수한 투명성 구현이 가능하다. Accordingly, when the length growth of the first polyamide segment is suppressed, the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is measured to be relatively small, and since the polyamide resin can significantly lower the haze value of the polymer film while the crystal characteristics of the first polyamide segment are reduced, excellent transparency can be implemented.
반대로, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트에 의한 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장 억제효과가 감소하여, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장이 과도하게 진행될 경우, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 상대적으로 크게 측정되며, 상기 폴리아미드 수지는 제1폴리아미드 세그먼트의 결정특성이 증가하면서, 고분자 필름의 헤이즈값을 급격히 증가하면서 투명성이 불량해질 수 있다. Conversely, if the length growth inhibition effect of the first polyamide segment by the second polyamide segment decreases and the length growth of the first polyamide segment proceeds excessively, the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is measured to be relatively large, and the polyamide resin may have poor transparency while the crystal characteristics of the first polyamide segment increase and the haze value of the polymer film rapidly increases.
그러면서도 상기 폴리아미드 수지는 충분한 수준의 중량평균 분자량을 가질 수 있어, 이를 통해 충분한 수준의 기계적 물성도 달성할 수 있다.However, the polyamide resin can have a sufficient level of weight average molecular weight, thereby achieving a sufficient level of mechanical properties.
한편, 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 결정화도가 20% 이하, 또는 1% 내지 20%일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 결정화도는 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. 상기 소각 X선 산란 장치와 이에 대한 분석 내용은 상기 개별 결정의 평균 입경에서 상술한 내용을 포함한다.Meanwhile, the polyamide resin may have a crystallinity of 20% or less, or 1% to 20%, as measured by a small-angle X-ray scattering device. The crystallinity of the polyamide resin can be measured by an analysis device by fitting a scattering pattern obtained by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV, with a solid sphere model. The small-angle X-ray scattering device and the analysis contents thereof include the contents described above in the average particle diameter of the individual crystals.
상기 폴리아미드 수지의 중량평균 분자량이 330000 g/mol 이상, 420000 g/mol 이상, 또는 500000 g/mol 이상, 또는 330000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 500000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 800000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 600000 g/mol, 또는 450000 g/mol 내지 550000 g/mol 일 수 있다.The weight average molecular weight of the above polyamide resin may be 330,000 g/mol or more, 420,000 g/mol or more, or 500,000 g/mol or more, or 330,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 500,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 800,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 600,000 g/mol, or 450,000 g/mol to 550,000 g/mol.
상기 고분자의 중량평균 분자량이 높게 측정되는 것은, 후술하는 본 발명의 폴리아미드 수지 제조방법상 용융혼련복합체 형성에 따른 것으로 보인다. 상기 고분자는 중량평균 분자량이 330000 g/mol 미만으로 감소하게 되면, 굴곡성, 연필경도 등의 기계적 물성이 감소하는 문제가 있다. The high measured weight average molecular weight of the above polymer appears to be due to the formation of a melt-blended composite in the polyamide resin manufacturing method of the present invention described below. If the weight average molecular weight of the above polymer decreases below 330,000 g/mol, there is a problem in that mechanical properties such as flexibility and pencil hardness decrease.
상기 폴리아미드 수지의 분자량 분포가 3.0 이하, 또는 2.5 이하, 또는 1.9 이하, 또는 1.5 내지 1.95, 또는 1.5 내지 1.9, 또는 1.6 내지 1.9, 또는 1.8 내지 1.9일 수 있다. 이러한 좁은 범위의 분자량분포를 통해 상기 고분자 필름은 굴곡특성 내지 경도특성과 같은 기계적 물성이 향상될 수 있다. 상기 고분자의 분자량 분포가 3.0 초과로 지나치게 넓어지게 되면, 상술한 기계적 물성을 충분한 수준까지 향상시키기 어려운 한계가 있다.The molecular weight distribution of the polyamide resin may be 3.0 or less, or 2.5 or less, or 1.9 or less, or 1.5 to 1.95, or 1.5 to 1.9, or 1.6 to 1.9, or 1.8 to 1.9. Through such a narrow range of molecular weight distribution, the mechanical properties of the polymer film, such as bending characteristics and hardness characteristics, can be improved. If the molecular weight distribution of the polymer becomes excessively wide, exceeding 3.0, there is a limitation that it is difficult to improve the mechanical properties described above to a sufficient level.
상기 폴리아미드 수지의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.10% 내지 3.0%, 또는 0.10% 내지 1.5%, 또는 0.10% 내지 1.00%, 또는 0.50% 내지 1.00%, 또는 0.80% 내지 1.00%, 또는 0.81% 내지 0.97%일 수 있다. 상기 고분자 필름의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.The haze of the polyamide resin as measured by ASTM D1003 may be 3.0% or less, or 1.5% or less, or 1.00% or less, or 0.85% or less, or 0.10% to 3.0%, or 0.10% to 1.5%, or 0.10% to 1.00%, or 0.50% to 1.00%, or 0.80% to 1.00%, or 0.81% to 0.97%. When the haze of the polymer film as measured by ASTM D1003 exceeds 3.0%, the opacity increases and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.
바람직하게는, 상기 폴리아미드 수지는 중량평균 분자량이 330000 g/mol 이상, 420000 g/mol 이상, 또는 500000 g/mol 이상, 또는 330000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 500000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 800000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 600000 g/mol, 또는 450000 g/mol 내지 550000 g/mol을 만족하면서, 동시에 고분자 필름에 대하여 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.50% 내지 3.0%, 또는 0.50% 내지 1.5%, 또는 0.50% 내지 1.00%, 또는 0.50% 내지 0.85%, 또는 0.70% 내지 0.85%, 또는 0.77% 내지 0.85%, 또는 0.80% 내지 0.85%일 수 있다.Preferably, the polyamide resin satisfies a weight average molecular weight of 330,000 g/mol or more, 420,000 g/mol or more, or 500,000 g/mol or more, or 330,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 500,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 800,000 g/mol, or 420,000 g/mol to 600,000 g/mol, or 450,000 g/mol to 550,000 g/mol, and at the same time, a haze measured by ASTM D1003 for the polymer film is 3.0% or less, or 1.5% or less, or 1.00% or less, or 0.85% or less, or 0.50% to 3.0%, or 0.50% to 1.5%, or 0.50% to 1.00%, or 0.50% to 0.85%, or 0.70% to 0.85%, or 0.77% to 0.85%, or 0.80% to 0.85%.
상기 폴리아미드 수지의 상대점도(ASTM D 2196 기준에 따라 측정)가 45000 cps 이상, 60000 cps 이상, 또는45000 cps 내지 500000 cps, 또는 60000 cps 내지 500000 cps, 또는 70000 cps 내지 400000 cps, 또는 80000 cps 내지 300000 cps, 또는 100000 cps 내지 200000 cps, 또는 110000 cps 내지 174000 cps일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 상대점도(ASTM D 2196 기준에 따라 측정)가 60000 cps 미만으로 감소하게 되면, 상기 폴리아미드 수지를 이용한 필름 성형공정에서, 성형가공성이 감소하여 성형 공정의 효율성이 감소하는 한계가 있다.The relative viscosity (measured according to ASTM D 2196) of the polyamide resin may be 45,000 cps or more, 60,000 cps or more, or 45,000 cps to 500,000 cps, or 60,000 cps to 500,000 cps, or 70,000 cps to 400,000 cps, or 80,000 cps to 300,000 cps, or 100,000 cps to 200,000 cps, or 110,000 cps to 174,000 cps. When the relative viscosity (measured according to ASTM D 2196) of the polyamide resin decreases below 60,000 cps, there is a limitation in that the molding processability decreases in a film molding process using the polyamide resin, thereby decreasing the efficiency of the molding process.
상기 폴리아미드 수지를 제조하는 방법의 예로는, 하기 화학식7로 표시되는 화합물 및 하기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계;를 포함하는, 폴리아미드 수지의 제조방법을 사용할 수 있다.As an example of a method for producing the above polyamide resin, a method for producing a polyamide resin may be used, including the steps of melting and mixing a compound represented by the following chemical formula 7 and a compound represented by the following chemical formula 8, solidifying the melted mixture to form a complex; and reacting the complex with an aromatic diamine monomer.
[화학식7][Chemical formula 7]
[화학식8][Chemical formula 8]
상기 화학식7 내지 8 에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다.In the above chemical formulas 7 to 8, X is a halogen or a hydroxyl group.
본 발명자들은 상기 폴리아미드 수지의 제조방법에서와 같이, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 녹는점 이상의 온도에서 혼합하게 되면, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융을 통해 균일하게 혼합된 단량체의 복합체를 제조할 수 있고, 이를 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록과, 상기 화학식8로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록이 번갈아가며(alternatively) 중합할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors experimentally confirmed that when the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 are mixed at a temperature higher than the melting point as in the method for producing the polyamide resin, a complex of monomers uniformly mixed through melting of the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 can be produced, and when this is reacted with an aromatic diamine monomer, the amide repeating unit derived from the compound represented by the chemical formula 7, or a block composed thereof, and the amide repeating unit derived from the compound represented by the chemical formula 8, or a block composed thereof can alternately polymerize, thereby completing the invention.
즉, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에 의해, 상기 일 구현예의 고분자 필름의 고분자가 얻어질 수 있다.That is, by the above polyamide resin manufacturing method, the polymer of the polymer film of the above embodiment can be obtained.
구체적으로, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 각각은 화학구조적인 차이로 인해, 용해도 및 반응성에 있어 상이한 양상을 나타내기 때문에, 이들을 동시에 투입하더라도 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 압도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계가 있었다.Specifically, since the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 each exhibit different aspects in terms of solubility and reactivity due to differences in their chemical structures, even when they are introduced simultaneously, there is a limitation in that the amide repeating unit derived from the compound represented by the chemical formula 7 is formed overwhelmingly dominantly, forming a long block, thereby increasing the crystallinity of the polyamide resin and making it difficult to secure transparency.
이에, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에서는 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 단순히 물리적으로 혼합하지 않고, 각각의 녹는점 보다 높은 온도에서의 용융혼련에 의한 복합체 형성을 통해, 각각의 단량체가 방향족 디아민 단량체와 상대적으로 균등하게 반응하도록 유도하였다.Accordingly, in the polyamide resin manufacturing method, the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 are not simply physically mixed, but rather a complex is formed through melt mixing at a temperature higher than the melting point of each, thereby inducing each monomer to react relatively evenly with the aromatic diamine monomer.
한편, 기존 폴리아미드 수지 합성시에는, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용매에 용해시킨 후 용액상태로 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성으로 인해 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 감소하는 한계가 있었고, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용해도 차이로 인해 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 압도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계가 있었다.Meanwhile, in the synthesis of conventional polyamide resins, since the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 are dissolved in a solvent and then reacted with an aromatic diamine monomer in a solution state, there was a limitation that the molecular weight of the final polyamide resin synthesized decreased due to deterioration by moisture or mixing with the solvent, and due to the difference in solubility between the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8, the amide repeating unit derived from the compound represented by the chemical formula 7 was formed overwhelmingly dominantly, forming a long block, thereby increasing the crystallinity of the polyamide resin and making it difficult to secure transparency.
이에, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에서는 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융 혼련으로 얻어지는 복합체를 각각의 녹는점보다 낮은 온도(영하 10 ℃ 내지 30 ℃, 또는 0 ℃ 내지 30 ℃, 또는 10 ℃ 내지 30 ℃)에서의 냉각을 통한 고형 분말 형태로 유기용매에 용해된 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 향상됨을 확인하였고, 이를 통해 우수한 기계적 물성이 확보됨을 실험을 통해 확인하였다. Accordingly, in the polyamide resin manufacturing method, the composite obtained by melt mixing of the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 is cooled at a temperature lower than each melting point (-10° C. to 30° C., or 0° C. to 30° C., or 10° C. to 30° C.) to a solid powder form, thereby reacting with an aromatic diamine monomer dissolved in an organic solvent, thereby confirming that the molecular weight of the final synthesized polyamide resin is improved, and it was experimentally confirmed that excellent mechanical properties are secured through this.
구체적으로, 상기 폴리아미드 수지의 제조방법은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Specifically, the method for producing the polyamide resin may include a step of melting and mixing a compound represented by the chemical formula 7 and a compound represented by the chemical formula 8, and solidifying the melted mixture to form a composite.
상기 화학식7로 표시되는 화합물에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다. 바람직하게는 상기 화학식7에서, X는 염소이다. 상기 화학식7로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 들 수 있다. In the compound represented by the above chemical formula 7, X is halogen or a hydroxyl group. Preferably, in the above chemical formula 7, X is chlorine. Specific examples of the compound represented by the above chemical formula 7 include terephthaloyl chloride or terephthalic acid.
상기 화학식7로 표시되는 화합물은 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 상기 화학식1로 표시되는 반복단위를 형성할 수 있으며, 선형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)이 일정하게 유지될 수 있고, 폴리아미드 필름의 표면 경도 및 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.The compound represented by the above chemical formula 7 can form a repeating unit represented by the
상기 화학식8로 표시되는 화합물에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다. 바람직하게는 상기 화학식8에서, X는 염소이다. 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 프탈로일 클로라이드, 프탈산, 이소프탈로일 클로라이드, 또는 이소프탈산을 들 수 있다. In the compound represented by the above chemical formula 8, X is halogen or a hydroxyl group. Preferably, in the above chemical formula 8, X is chlorine. Specific examples of the compound represented by the above chemical formula 8 include phthaloyl chloride, phthalic acid, isophthaloyl chloride, or isophthalic acid.
상기 화학식8로 표시되는 화합물은 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 상기 화학식2로 표시되는 반복단위를 형성할 수 있으며, 굽은형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)을 방해하는 성격을 가지고 있으며, 폴리아미드 수지에 무정형 영역을 증가시켜, 폴리아미드 필름의 광학적 물성 및 내절 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 화학식8로 표시되는 화합물로부터 유래된 상기 화학식2로 표시되는 반복단위가 화학식1로 표시되는 반복단위와 함께 폴리아미드 수지에 포함됨에 따라, 폴리아미드 수지의 분자량을 증가시킬 수 있다.The compound represented by the above chemical formula 8 can form a repeating unit represented by the
한편, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계에서, 상기 용융혼련은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 녹는점 이상의 온도에서 혼합하는 것을 의미한다.Meanwhile, in the step of melting and mixing the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 and solidifying the melted and mixed material to form a complex, the melting and mixing means mixing the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 at a temperature higher than the melting point.
이처럼, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 단순히 물리적으로 혼합하지 않고, 각각의 녹는점 보다 높은 온도에서의 용융혼련에 의한 복합체 형성을 통해, 각각의 단량체가 방향족 디아민 단량체와 상대적으로 균등하게 반응하도록 유도할 수 있다.In this way, the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 are not simply physically mixed, but rather, through complex formation by melt mixing at a temperature higher than the melting point of each, each monomer can be induced to react relatively evenly with the aromatic diamine monomer.
이에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용해도 차이로 인해 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 압도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계를 극복하고, 상기 일 구현예와 같이, 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있게 된다.Accordingly, due to the difference in solubility between the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8, the amide repeating unit derived from the compound represented by the chemical formula 7 is formed overwhelmingly predominantly to form a long block, thereby increasing the crystallinity of the polyamide resin and overcoming the limitation of making it difficult to secure transparency, and, as in the above-described exemplary embodiment, the first polyamide segment and the second polyamide segment can form a main chain including the crossed repeating unit represented by the
이때, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 5 중량부 내지 60 중량부, 또는 5 중량부 내지 50 중량부, 또는 5 중량부 내지 25 중량부, 또는 10 중량부 내지 30 중량부, 또는 15 중량부 내지 25 중량부로 혼합될 수 있다. 이를 통해, 투과도 및 clarity가 증가하는 기술적 효과가 구현될 수 있다. 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 5 중량부 미만으로 지나치게 적게 혼합될 경우, 불투명해지며, Hazeness가 증가하는 기술적 문제가 발생하며, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 60 중량부 초과로 지나치게 과량 혼합될 경우 물리적인 특성(경도, 인장강도 등)이 감소하는 기술적 문제가 발생할 수 있다.At this time, with respect to 100 parts by weight of the compound represented by the chemical formula 7, the compound represented by the chemical formula 8 may be mixed in an amount of 5 parts by weight to 60 parts by weight, or 5 parts by weight to 50 parts by weight, or 5 parts by weight to 25 parts by weight, or 10 parts by weight to 30 parts by weight, or 15 parts by weight to 25 parts by weight. Through this, the technical effect of increasing transmittance and clarity can be realized. With respect to 100 parts by weight of the compound represented by the chemical formula 7, if the compound represented by the chemical formula 8 is mixed in an excessively small amount of less than 5 parts by weight, the material becomes opaque and there may occur a technical problem of increased Hazeness, and with respect to 100 parts by weight of the compound represented by the chemical formula 7, if the compound represented by the chemical formula 8 is mixed in an excessive amount of more than 60 parts by weight, there may occur a technical problem of decreased physical properties (hardness, tensile strength, etc.).
또한, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성함에 있어, 상기 응고란 용융상태의 용융혼련물을 녹는점 이하의 온도로 냉각시켜 고체화 시키는 물리적 변화를 의미하며, 이로 인해 형성되는 복합체는 고체상태일 수 있다. 보다 바람직하게는 상기 복합체는 추가적인 분쇄 공정 등을 통해 얻어지는 고체분말일 수 있다.In addition, when forming a composite by solidifying the molten mixture, the solidification means a physical change in which the molten mixture in a molten state is cooled to a temperature below the melting point to solidify, and the composite formed thereby may be in a solid state. More preferably, the composite may be a solid powder obtained through an additional grinding process, etc.
한편, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계는, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 50 ℃ 이상의 온도에서 혼합시키는 단계; 및 상기 혼합단계의 결과물을 냉각시키는 단계;를 포함할 수 있다.Meanwhile, the step of melting and mixing the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 and solidifying the melted mixture to form a complex may include a step of mixing the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 at a temperature of 50° C. or higher; and a step of cooling the resultant of the mixing step.
상기 테레프탈로일 클로라이드(Terephthaloyl chloride)는 81.3 ℃ 내지 83 ℃의 녹는점을 가지며, 상기 이소프탈로일 클로라이드(Isophthaloyl chloride)는 43 ℃ 내지 44 ℃의 녹는점을 가지며, 상기 프탈로일 클로라이드(Phthaloyl chloride)는 6 ℃ 내지 12 ℃의 녹는점을 가질 수 있다. 이에 따라, 이들을 50 ℃ 이상, 또는 90 ℃ 이상, 또는 50 ℃ 내지 120 ℃, 또는 90 ℃ 내지 120 ℃, 또는 95 ℃ 내지 110 ℃, 또는 100 ℃ 내지 110 ℃의 온도에서 혼합할 경우, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 모두의 녹는점 보다 높은 온도조건이므로 용융혼련이 진행될 수 있다.The above terephthaloyl chloride has a melting point of 81.3° C. to 83° C., the above isophthaloyl chloride has a melting point of 43° C. to 44° C., and the above phthaloyl chloride may have a melting point of 6° C. to 12° C. Accordingly, when these are mixed at a temperature of 50° C. or higher, or 90° C. or higher, or 50° C. to 120° C., or 90° C. to 120° C., or 95° C. to 110° C., or 100° C. to 110° C., melt mixing may proceed because it is a temperature condition higher than the melting points of both the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8.
상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계에서는, 상기 용융혼련 단계의 결과물을 5 ℃ 이하, 또는 영하10 ℃ 내지 5 ℃, 또는 영하 5 ℃ 내지 5 ℃ 에 방치함으로써, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 모두의 녹는점 보다 낮은 온도조건이므로 냉각을 통해 보다 균일한 고형분말을 수득할 수 있다.In the step of cooling the result of the above mixing step, by leaving the result of the above melting and mixing step at 5° C. or lower, or -10° C. to 5° C., or -5° C. to 5° C., since this is a temperature condition lower than the melting points of both the compound represented by the above chemical formula 7 and the compound represented by the above chemical formula 8, a more uniform solid powder can be obtained through cooling.
한편, 상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계 이후에, 상기 냉각단계의 결과물을 분쇄시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 분쇄단계를 통해, 고형분의 복합체를 분말 형태로 제조할 수 있으며, 분쇄 단계 후 얻어지는 분말은 평균입경이 1 mm 내지 10 mm일 수 있다. Meanwhile, after the step of cooling the result of the mixing step, a step of pulverizing the result of the cooling step may be further included. Through the pulverizing step, the solid composite can be manufactured in a powder form, and the powder obtained after the pulverizing step can have an average particle size of 1 mm to 10 mm.
이와 같은 입경으로 분쇄하기 위해 사용되는 분쇄기는 구체적으로, 핀 밀(pin mill), 해머 밀(hammer mill), 스크류 밀(screw mill), 롤 밀(roll mill), 디스크 밀(disc mill), 조그 밀(jog mill) 또는 시브(sieve), jaw crusher 등을 사용할 수 있으나, 상술한 예에 한정되는 것은 아니다.The crusher used to crush into such particle sizes may specifically include a pin mill, a hammer mill, a screw mill, a roll mill, a disc mill, a jog mill, or a sieve or jaw crusher, but is not limited to the examples described above.
이처럼, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융혼합물을 녹는점보다 낮은 온도에서의 냉각을 통한 고형분, 구체적으로 고형분말 형태로 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성을 최소화하여 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량을 향상시킴에 따라, 고분자 필름의 우수한 기계적 물성이 확보될 수 있다.In this way, by reacting the molten mixture of the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 with an aromatic diamine monomer in the form of a solid, specifically, a solid powder, through cooling at a temperature lower than the melting point, the deterioration of the compound represented by the chemical formula 7 and the compound represented by the chemical formula 8 due to moisture or mixing with a solvent is minimized, thereby improving the molecular weight of the polyamide resin finally synthesized, and thus excellent mechanical properties of the polymer film can be secured.
또한, 상기 폴리아미드 수지의 제조방법은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계 이후, 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method for producing the polyamide resin may include a step of melting and mixing a compound represented by the chemical formula 7 and a compound represented by the chemical formula 8, solidifying the melted mixture to form a complex, and then a step of reacting the complex with an aromatic diamine monomer.
상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계에서의 반응은, 영하 25 ℃ 내지 영상 25 ℃의 온도 조건, 또는 영하 25 ℃ 내지 0 ℃의 온도 조건에서, 불활성 기체 분위기 하에 수행될 수 있다. The reaction in the step of reacting the above complex with an aromatic diamine monomer can be performed under a temperature condition of -25° C. to +25° C., or a temperature condition of -25° C. to 0° C., under an inert gas atmosphere.
상기 방향족 디아민 단량체는, 구체적으로 예를 들어2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. The above aromatic diamine monomers include, specifically, for example, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine, 2,7-diaminofluorene, 4,4-diaminooctafluorobiphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-oxydianiline, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and It may include at least one selected from the group consisting of 4,4'-diaminobenzanilide.
보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), m-자일렌디아민(m-xylylenediamine), 또는 p-자일렌디아민(p-xylylenediamine)을 사용할 수 있다.More preferably, the aromatic diamine monomer may be 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine, m-xylylenediamine, or p-xylylenediamine.
보다 구체적으로, 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계는, 상기 방향족 디아민 단량체를 유기 용매에 용해시켜 디아민 용액을 제조하는 단계; 및 상기 디아민 용액에 복합체 분말을 첨가하는 단계;를 포함할 수 있다.More specifically, the step of reacting the complex with an aromatic diamine monomer may include a step of dissolving the aromatic diamine monomer in an organic solvent to prepare a diamine solution; and a step of adding a complex powder to the diamine solution.
상기 방향족 디아민 단량체를 유기 용매에 용해시켜 디아민 용액을 제조하는 단계에서, 상기 디아민 용액에 포함된 방향족 디아민 단량체는 유기 용매에 용해된 상태로 존재할 수 있다. 상기 용매의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 디메틸설폭사이드, 아세톤, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 감마-부티로락톤, 에틸락테이트, 메틸3-메톡시프로피오네이트, 메틸 이소부틸 케톤, 톨루엔, 자일렌, 메탄올, 에탄올 등 일반적인 범용 유기용매가 제한없이 사용될 수 있다.In the step of preparing a diamine solution by dissolving the above aromatic diamine monomer in an organic solvent, the aromatic diamine monomer included in the diamine solution may exist in a state dissolved in the organic solvent. Examples of the solvent are not particularly limited, but for example, N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropionamide, dimethyl sulfoxide, acetone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, tetrahydrofuran, chloroform, gamma-butyrolactone, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, methanol, ethanol, and other general-purpose organic solvents may be used without limitation.
상기 디아민 용액에 복합체 분말을 첨가하는 단계에서, 상기 복합체 분말은 디아민 용액 내에 용해된 방향족 디아민 단량체와 반응하게 된다. 이에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성을 최소화하여 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량을 향상시킴에 따라, 고분자 필름의 우수한 기계적 물성이 확보될 수 있다.In the step of adding the complex powder to the above diamine solution, the complex powder reacts with the aromatic diamine monomer dissolved in the diamine solution. Accordingly, the molecular weight of the polyamide resin finally synthesized is improved by minimizing the deterioration due to moisture of the compound represented by the above chemical formula 7 and the compound represented by the above chemical formula 8, thereby ensuring excellent mechanical properties of the polymer film.
상기 복합체 분말은 상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계 이후, 상기 냉각단계의 결과물을 분쇄시키는 단계를 통해, 고형분의 복합체를 분말 형태로 제조할 수 있으며, 분쇄 단계 후 얻어지는 분말은 평균입경이 1 mm 내지 10 mm일 수 있다.The above complex powder can be manufactured in the form of a solid complex powder through a step of pulverizing the result of the cooling step after the step of cooling the result of the mixing step, and the powder obtained after the pulverizing step can have an average particle size of 1 mm to 10 mm.
보다 구체적으로 상기 고분자 필름은 폴리아미드 수지 또는 이의 경화물을 포함할 수 있으며, 상기 경화물이란, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지의 경화공정을 거쳐 얻어지는 물질을 의미한다.More specifically, the polymer film may include a polyamide resin or a cured product thereof, and the cured product means a material obtained through a curing process of the polyamide resin of the above embodiment.
상술한 폴리아미드 수지를 이용하여 고분자 필름을 제조하는 경우, 우수한 광학적 물성 및 기계적 물성을 구현할 수 있는 동시에, 유연성까지 구비하게 되어, 다양한 성형품의 재료로 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 필름은 디스플레이용 기판, 디스플레이용 보호 필름, 터치 패널, 폴더블 기기의 윈도우 커버 등에 적용될 수 있다.When a polymer film is manufactured using the polyamide resin described above, it can have excellent optical and mechanical properties while also being flexible, so that it can be used as a material for various molded products. For example, the polymer film can be applied to a substrate for a display, a protective film for a display, a touch panel, a window cover for a foldable device, etc.
상기 고분자 필름의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 0.01 ㎛ 내지 1000 ㎛ 범위내에서 자유롭게 조절 가능하다. 상기 고분자 필름의 두께가 특정 수치만큼 증가하거나 감소하는 경우 고분자 필름에서 측정되는 물성 또한 일정 수치만큼 변화할 수 있다.The thickness of the polymer film is not particularly limited, but can be freely adjusted within a range of, for example, 0.01 ㎛ to 1000 ㎛. When the thickness of the polymer film increases or decreases by a specific value, the physical properties measured in the polymer film can also change by a specific value.
상기 고분자 필름은 상술한 폴리아미드 수지를 사용하여 건식법, 습식법과 같은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있다. 예컨대, 상기 고분자 필름은, 상술한 고분자 또는 폴리아미드 수지를 포함하는 용액을 임의의 지지체 상에 코팅하여 막을 형성하고, 상기 막으로부터 용매를 증발시켜 건조하는 방법으로 얻어질 수 있으며, 필요에 따라, 상기 고분자 필름에 대한 연신 및 열 처리가 더 수행될 수도 있다.The above polymer film can be manufactured by a conventional method such as a dry method or a wet method using the above-described polyamide resin. For example, the above polymer film can be obtained by a method of forming a film by coating a solution containing the above-described polymer or polyamide resin on any support, and evaporating the solvent from the film to dry it. If necessary, the polymer film can be further subjected to stretching and heat treatment.
상기 고분자 필름은 상술한 폴리아미드 수지를 사용하여 제조됨에 따라 무색 투명하면서도 우수한 기계적 물성을 나타낼 수 있다. The above polymer film can exhibit excellent mechanical properties while being colorless and transparent as it is manufactured using the above-described polyamide resin.
구체적으로, 상기 고분자 필름은, 50 ± 2 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM D1003에 의거하여 측정된 헤이즈(haze) 값이 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.10% 내지 3.0%, 또는 0.10% 내지 1.5%, 또는 0.10% 내지 1.00%, 또는 0.50% 내지 1.00%, 또는 0.80% 내지 1.00%, 또는 0.81% 내지 0.97%일 수 있다. 상기 고분자 필름의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.Specifically, the polymer film may have a haze value of 3.0% or less, or 1.5% or less, or 1.00% or less, or 0.85% or less, or 0.10% to 3.0%, or 0.10% to 1.5%, or 0.10% to 1.00%, or 0.50% to 1.00%, or 0.80% to 1.00%, or 0.81% to 0.97%, as measured according to ASTM D1003 for a specimen having a thickness of 50 ± 2 ㎛. If the haze of the polymer film measured according to ASTM D1003 increases to more than 3.0%, opacity increases and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.
그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 2 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM E313에 의거하여 측정된 황색 지수 값(yellow index, YI)이, 4.0 이하, 또는 3.0 이하, 또는 0.5 내지 4.0, 또는 0.5 내지 3.0일 수 있다. 상기 고분자 필름의 ASTM E313에 의거하여 측정된 황색 지수 값(yellow index, YI)이 4.0 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.And, the polymer film may have a yellow index (YI) value of 4.0 or less, or 3.0 or less, or 0.5 to 4.0, or 0.5 to 3.0, as measured according to ASTM E313 for a specimen having a thickness of 50 ± 2 ㎛. If the yellow index (YI) value of the polymer film measured according to ASTM E313 increases to more than 4.0, the opacity increases and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.
그리고, 상기 고분자 필름은 50 ± 2 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해, 550 nm 파장의 가시광선에 대한 투과율(T, @550nm)이 86% 이상, 또는 86% 내지 90%일 수 있고, 388 nm 파장의 자외선에 대한 투과율(T, @388nm)이 50.00% 이상, 또는 60.00% 이상일 수 있다. And, the polymer film may have a transmittance (T, @550nm) for visible light having a wavelength of 550 nm of 86% or more, or from 86% to 90%, for a specimen having a thickness of 50 ± 2 ㎛, and a transmittance (T, @388nm) for ultraviolet light having a wavelength of 388 nm of 50.00% or more, or from 60.00% or more.
그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 2 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 측정된 내절 강도(175 rpm의 속도로 135°의 각도, 0.8 mm의 곡률 반경 및 250 g의 하중에서의 파단 왕복굽힙횟수) 값이 4000 Cycle 이상, 7000 Cycle 이상, 또는 9000 Cycle 이상, 또는 4000 Cycle 내지 20000 Cycle, 또는 7000 Cycle 내지 20000 Cycle, 또는 9000 Cycle 내지 20000 Cycle일 수 있다. And, the polymer film may have a tensile strength (number of reciprocating bends to break at an angle of 135°, a radius of curvature of 0.8 mm, and a load of 250 g at a speed of 175 rpm) measured for a specimen having a thickness of 50 ± 2 ㎛ of 4000 Cycles or more, 7000 Cycles or more, or 9000 Cycles or more, or 4000 to 20000 Cycles, or 7000 to 20000 Cycles, or 9000 to 20000 Cycles.
그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 2 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM D3363에 의거하여 측정된 연필 경도 (Pencil Hardness) 값이 1H 이상, 3H 이상, 또는 1 H 내지 4H, 또는 3 H 내지 4H일 수 있다.And, the polymer film may have a pencil hardness value of 1H or more, 3H or more, or from 1 H to 4H, or from 3 H to 4H, as measured according to ASTM D3363 for a specimen having a thickness of 50 ± 2 ㎛.
Ⅱ. 고분자 필름의 제조방법Ⅱ. Method for manufacturing polymer film
발명의 또 다른 구현예에 따르면, 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인 기재필름에, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 이하인 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계;를 포함하는, 고분자 필름의 제조방법이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the invention, a method for manufacturing a polymer film can be provided, comprising the steps of forming a coating film by applying a composition including a polyamide resin having an average particle diameter of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device, to a substrate film having 4/0.3 ㎟ or less surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more.
상술한 바와 같이, 기재 필름에는 표면 홈 또는 표면 돌기를 포함하는 표면 요철이 포함될 수 있다. As described above, the substrate film may include surface roughness including surface grooves or surface protrusions.
구체적으로, 상기 표면 요철이란 기재 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 오목부 또는 돌출부를 의미할 수 있다.Specifically, the surface roughness may mean a concave portion or a protrusion from an average plane having an average height of the substrate film.
보다 구체적으로, 상기 표면 홈이란 상기 기재 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 오목부이고, 상기 표면 돌기란 상기 기재 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터의 돌출부를 의미할 수 있다. More specifically, the surface groove may mean a concave portion from an average plane having an average height of the substrate film, and the surface protrusion may mean a protrusion from an average plane having an average height of the substrate film.
또한, 최대 높이란 상기 기재 필름의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터 표면 돌기의 가장 높은 지점까지의 거리를 의미할 수 있다. Additionally, the maximum height may mean the distance from an average plane having an average height of the above-mentioned substrate film to the highest point of the surface protrusion.
즉, 상기 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기이란, 기재 필름의 측정 영역(0.3 ㎟, 예를 들어 가로 0.6mm * 세로 0.5 mm인 기재 필름 시편)에 있어서, 평균 면(평균 높이)을 산출하고, 상기 평균 면으로부터 돌출부의 가장 높은 지점까지의 최대 거리가 100 nm 이상인 표면 돌기인 표면 요철을 의미할 수 있다. That is, the surface protrusion having the maximum height of 100 nm or more may mean a surface roughness, which is a surface protrusion having an average surface (average height) calculated in a measurement area of the substrate film (0.3 ㎟, for example, a substrate film specimen measuring 0.6 mm in width x 0.5 mm in height), and a maximum distance from the average surface to the highest point of the protrusion is 100 nm or more.
한편, 상기 표면 돌기의 측정 영역은 크게 제한되지 않으며, 예를 들어 기재 필름의 일 표면일 수 있다. 즉, 상기 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기는, 기재 필름의 일 표면을 측정 영역으로 하여, 상기 일 표면의 평균 높이를 가지는 평균 면으로부터 표면 돌기의 가장 높은 지점까지의 거리가 100 nm 이상인 표면 돌기를 의미할 수 있다.Meanwhile, the measurement area of the surface protrusion is not particularly limited, and may be, for example, one surface of the substrate film. That is, the surface protrusion having the maximum height of 100 nm or more may mean a surface protrusion having a distance of 100 nm or more from an average plane having an average height of one surface of the substrate film as the measurement area to the highest point of the surface protrusion.
구체적으로, 상기 기재 필름의 일 표면은 상기 기재 필름의 두께방향과 수직인 표면 중 하나일 수 있다. 상기 두께방향은 상기 기재 필름의 두께가 증가하는 방향을 의미하며, 상기 두께방향과 수직을 이루는 기재 필름의 최외각표면을 대상으로 표면 돌기가 측정될 수 있다.Specifically, one surface of the substrate film may be one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the substrate film. The thickness direction refers to the direction in which the thickness of the substrate film increases, and the surface protrusion may be measured for the outermost surface of the substrate film perpendicular to the thickness direction.
예를 들어, 상기 기재 필름이 가로, 세로, 두께를 갖는 육면체 형상이라고 가정할 때, 상기 기재 필름의 두께방향과 수직인 표면은 두께를 사이에 두고 마주하는 상면 및 하면이 될 수 있다.For example, when the substrate film is assumed to have a hexahedral shape having a width, length, and thickness, the surfaces perpendicular to the thickness direction of the substrate film can be the upper and lower surfaces facing each other across the thickness.
보다 구체적으로, 상기 기재 필름의 일 표면은 후술하는 고분자 필름의 제조방법에서, 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물이 도포되는 기재 필름의 표면을 의미할 수 있다. More specifically, one surface of the substrate film may refer to the surface of the substrate film on which a composition including a polyamide resin is applied in the method for manufacturing a polymer film described below.
후술하는, 기재 필름에 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 필름의 제조방법에서 사용되는 기재 필름에 있어, 상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물이 도포되는 면을 측정 영역으로 할 때, 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 요철의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하일 수 있다. In a method for manufacturing a polymer film, which includes the step of forming a coating film by applying a composition containing a polyamide resin to a substrate film, described below, when the surface on which the composition containing the polyamide resin is applied is used as a measurement area, the number of surface irregularities having a maximum height of 100 nm or more may be 4/0.3 ㎟ or less.
상기 고분자 필름 및 폴리아미드 수지에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.The content regarding the above polymer film and polyamide resin may include all of the content described above in the above embodiment.
상기 기재 필름은, 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 4개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 3개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 2개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 1개/ 0.3 ㎟ 이하, 또는 0개/ 0.3 ㎟ 일 수 있다. The above-described substrate film may have a number of surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more of 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 4/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 3/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 2/0.3 ㎟ or less, 0/0.3 ㎟ or more and 1/0.3 ㎟ or less, or 0/0.3 ㎟.
상기 고분자 필름의 제조방법이, 기재 필름에 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 일 구현예와 같이 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인 기재 필름을 사용함에 따라, 최종적으로 제조되는 고분자 필름의 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하를 만족할 수 있다. The method for manufacturing the above polymer film includes a step of forming a coating film by applying a composition containing a polyamide resin to a base film, and as in the above embodiment, by using a base film having 4/0.3㎟ or less surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more, the number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more of the polymer film finally manufactured can satisfy 4/0.3㎟ or less.
상기 기재 필름의 표면 돌기의 개수는 상술한 고분자 필름의 표면 홈의 개수 측정 방법과 동일한 방법에 의하여 측정될 수 있다. The number of surface protrusions of the above-described film can be measured by the same method as the method for measuring the number of surface grooves of the polymer film described above.
상기 기재 필름의 종류는 크게 제한되지 않으나, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름일 수 있다. The type of the above-mentioned substrate film is not particularly limited, but may be, for example, a polyethylene terephthalate substrate film.
보다 구체적으로, 상기 기재 필름은 필러를 0.0001 중량% 미만으로 포함할 수 있다. 상기 필러를 0.0001 중량% 미만으로 포함한다는 것은, 필러를 전혀 포함하지 않음을 의미 할 수 있다. 상기 기재 필름이 필러를 0.0001 중량% 미만으로 포함함에 따라, 상기 기재 필름의 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 4개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 3개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 2개/ 0.3 ㎟ 이하, 0개/ 0.3 ㎟ 이상 1개/ 0.3 ㎟ 이하, 또는 0개/ 0.3 ㎟ 일 수 있다. More specifically, the substrate film may contain less than 0.0001 wt % of the filler. Containing less than 0.0001 wt % of the filler may mean that the substrate film does not contain any filler at all. When the substrate film contains less than 0.0001 wt % of the filler, the number of surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more of the substrate film may be 4/0.3 mm2 or less, 0/0.3 mm2 or more and 4/0.3 mm2 or less, 0/0.3 mm2 or more and 3/0.3 mm2 or less, 0/0.3 mm2 or more and 2/0.3 mm2 or less, 0/0.3 mm2 or more and 1/0.3 mm2 or less, or 0/0.3 mm2.
상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물은 상술한 폴리아미드 수지를 유기 용매에 용해 또는 분산시킨 것일 수 있다. 상기 유기 용매의 구체적인 예로는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 2-피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭사이드, γ-부티로락톤, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 1,3-디메틸-이미다졸리디논, 에틸아밀케톤, 메틸노닐케톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 메틸이소프로필케톤, 사이클로헥사논, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디글라임, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용될 수도 있고, 혼합하여 사용될 수도 있다.The composition containing the above polyamide resin may be obtained by dissolving or dispersing the above-described polyamide resin in an organic solvent. Specific examples of the organic solvent include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-pyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylsulfoxide, γ-butyrolactone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-ethoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 1,3-dimethyl-imidazolidinone, ethylamyl ketone, methylnonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoamyl ketone, methyl isopropyl ketone, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, diglyme, Examples thereof include 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether acetate. These may be used alone or in combination.
상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 등의 방법이 이용될 수 있다.The method for applying the composition containing the above polyamide resin is not particularly limited, and for example, methods such as screen printing, offset printing, flexographic printing, and inkjet printing can be used.
한편, 상기 일 구현예의 고분자 필름의 제조 방법은, 상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 기재에 도포하여 형성된 도막을 건조하는 단계;를 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the method for manufacturing a polymer film of the above embodiment may further include a step of drying a film formed by applying a composition including the polyamide resin to a substrate.
상기 도막의 건조 단계는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 50 ℃ 내지 130 ℃, 또는 70 ℃ 내지 130 ℃의 온도로 수행할 수 있다.The drying step of the above film can be performed by a heating means such as a hot plate, a hot air circulator, an infrared furnace, etc., and can be performed at a temperature of 50°C to 130°C, or 70°C to 130°C.
또한, 상기 일 구현예의 고분자 필름의 제조 방법은, 상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 기재에 도포하여 형성된 도막을 건조하는 단계; 이후, 상기 건조 처리된 도막을 열처리하여 경화하여 고분자 필름을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, the method for manufacturing a polymer film of the above embodiment may further include a step of applying a composition including the polyamide resin to a substrate and drying a coating film formed therefrom; and then a step of heat-treating and curing the dried coating film to form a polymer film.
상기 열처리는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 100 ℃ 내지 300 ℃, 또는 200 ℃ 이상 300℃ 이하의 온도로 수행할 수 있다. The above heat treatment can be performed by a heating means such as a hot plate, a hot air circulator, or an infrared furnace, and can be performed at a temperature of 100°C to 300°C, or 200°C or higher and 300°C or lower.
또한, 상기 일 구현예의 고분자 필름의 제조 방법은, 상기 건조 처리된 도막을 열처리하여 경화하여 고분자 필름을 형성하는 단계; 이후, 상기 고분자 필름을 박리하는 단계;를 더 포함할 수 있다. In addition, the method for manufacturing a polymer film of the above embodiment may further include a step of heat-treating the dried coating film to harden it and form a polymer film; and then, a step of peeling off the polymer film.
본 발명의 고분자 필름의 제조 방법은, 상술한 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm인 기재 시편 표면을 기준으로 최대 높이가 100 nm 이상인 돌기를 갖는 요철의 개수가 4개 이하인 기재를 사용함에 따라, 상기 고분자 필름을 박리하는 단계에서, 기재와 고분자 필름 사이의 박리가 용이할 수 있다. The method for manufacturing a polymer film of the present invention uses a substrate having 4 or fewer unevennesses having protrusions having a maximum height of 100 nm or more based on the surface of a substrate specimen measuring 0.6 mm in width and 0.5 mm in length, so that in the step of peeling off the polymer film, peeling between the substrate and the polymer film can be facilitated.
Ⅲ. 수지 적층체Ⅲ. Resin laminate
발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상술한 고분자 필름을 포함한 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는 수지 적층체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the invention, a resin laminate including a substrate including the above-described polymer film; and a hard coating layer formed on at least one surface of the substrate can be provided.
상기 고분자 필름에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.The content regarding the above polymer film may include all of the content described above in the above embodiment.
상기 기재의 적어도 일면에는 하드 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 기재의 일면, 또는 양면 모두에 하드 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 기재의 일면에만 하드 코팅층이 형성될 경우, 상기 기재의 반대면에는 폴리이미드계, 폴리카보네이트계, 폴리에스터계, 폴리알킬(메트)아크릴레이트계, 폴리올레핀계 및 폴리사이클릭올레핀계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함한 고분자 필름이 형성될 수 있다.A hard coating layer may be formed on at least one side of the substrate. The hard coating layer may be formed on one side or both sides of the substrate. When the hard coating layer is formed on only one side of the substrate, a polymer film including at least one polymer selected from the group consisting of polyimide-based, polycarbonate-based, polyester-based, polyalkyl (meth)acrylate-based, polyolefin-based, and polycyclic olefin-based polymers may be formed on the opposite side of the substrate.
상기 하드 코팅층은 0.1㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다. The above hard coating layer may have a thickness of 0.1 μm to 100 μm.
상기 하드 코팅층은 하드코팅분야에서 알려진 재질이면 큰 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 상기 하드 코팅층은 광경화성 수지의 바인더 수지; 및 상기 바인더 수지에 분산된 무기 입자 또는 유기 입자를 포함할 수 있다. The hard coating layer may be made of any material known in the hard coating field without any particular limitations. For example, the hard coating layer may include a binder resin of a photocurable resin; and inorganic particles or organic particles dispersed in the binder resin.
상기 하드코팅층에 포함되는 광경화형 수지는 자외선 등의 광이 조사되면 중합 반응을 일으킬 수 있는 광경화형 화합물의 중합체로서, 당업계에서 통상적인 것일 수 있다. 다만, 바람직하게는, 상기 광경화형 화합물은 다관능성 (메트)아크릴레이트계 단량체 또는 올리고머일 수 있고, 이때 (메트)아크릴레이트계 관능기의 수는 2 내지 10, 또는 2 내지 8, 또는 2 내지 7인 것이, 하드코팅층의 물성 확보 측면에서 유리하다. 또는, 상기 광경화형 화합물은 펜타에리스리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 트릴렌 디이소시아네이트, 자일렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 및 트리메틸올프로판 폴리에톡시 트리(메트)아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The photocurable resin included in the hard coating layer may be a polymer of a photocurable compound that can cause a polymerization reaction when irradiated with light such as ultraviolet rays, and may be a polymer commonly used in the art. However, preferably, the photocurable compound may be a multifunctional (meth)acrylate-based monomer or oligomer, and in this case, the number of (meth)acrylate-based functional groups is 2 to 10, or 2 to 8, or 2 to 7, which is advantageous in terms of securing the physical properties of the hard coating layer. Alternatively, the photocurable compound may be at least one selected from the group consisting of pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol hepta(meth)acrylate, tripentaerythritol hepta(meth)acrylate, torylene diisocyanate, xylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, and trimethylolpropane polyethoxy tri(meth)acrylate.
상기 무기 입자는 예를 들어 실리카, 알루미늄, 티타늄, 징크 등의 금속 원자, 또는 이의 산화물, 질화물 등일 수 있으며, 각각 독립적으로 실리카 미립자, 알루미늄 옥사이드 입자, 티타늄 옥사이드 입자, 또는 징크 옥사이드 입자 등을 사용할 수 있다.The above inorganic particles may be, for example, metal atoms such as silica, aluminum, titanium, zinc, or oxides, nitrides, etc. thereof, and silica fine particles, aluminum oxide particles, titanium oxide particles, zinc oxide particles, etc. may be used independently.
상기 무기 입자는 100 nm 이하, 또는 5 내지 100 nm 의 평균반경을 가질 수 있다. 상기 유기 입자의 종류 또한 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 10 nm 내지 100 ㎛의 평균 입경을 갖는 고분자 입자를 사용할 수 있다. The above-mentioned inorganic particles may have an average radius of 100 nm or less, or 5 to 100 nm. The type of the above-mentioned organic particles is also not limited, and for example, polymer particles having an average particle diameter of 10 nm to 100 ㎛ may be used.
상기 수지 적층체는 디스플레이 장치의 기판 또는 커버 윈도우 등으로 사용 가능하고, 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈 특성과 함께 높은 유연성 및 굽힘 내구성을 가져서 플렉서블 디스플레이 장치의 기판 또는 커버 윈도우로 사용 가능하다. 즉, 상기 수지 적층체가 포함된 디스플레이 장치, 또는 상기 수지 적층체가 포함된 플렉서블 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.The above resin laminate can be used as a substrate or cover window of a display device, and has high flexibility and bending durability along with high light transmittance and low haze characteristics, so it can be used as a substrate or cover window of a flexible display device. That is, a display device including the resin laminate, or a flexible display device including the resin laminate can be implemented.
본 발명에 따르면, 표면 요철이 현저히 감소되어 투명성 등의 광학적 특성이 향상되면서도, 적정 수준 이상의 기계적 물성이 확보되는 고분자 필름, 고분자 필름의 제조 방법 및 수지 적층체가 제공될 수 있다.According to the present invention, a polymer film, a method for producing a polymer film, and a resin laminate can be provided in which optical properties such as transparency are improved by significantly reducing surface roughness, while mechanical properties above an appropriate level are secured.
도 1은 실시예1의 폴리아미드 수지의 결정 구조의 모식도를 나타낸 것이다.
도 2은 실시예1의 폴리아미드 수지의 13C-NMR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 3는 실시예2의 폴리아미드 수지의 13C-NMR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 실시예1의 고분자 필름을 Optical Profiler로 촬영한 사진이다.
도 5는 비교예4의 고분자 필름을 Optical Profiler로 촬영한 사진이다.Figure 1 is a schematic diagram of the crystal structure of the polyamide resin of Example 1.
Figure 2 shows the 13 C-NMR spectrum of the polyamide resin of Example 1.
Figure 3 shows the 13 C-NMR spectrum of the polyamide resin of Example 2.
Figure 4 is a photograph of the polymer film of Example 1 taken using an Optical Profiler.
Figure 5 is a photograph of the polymer film of Comparative Example 4 taken using an Optical Profiler.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is described in more detail in the following examples. However, the following examples are only intended to illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.
<제조예 : 아실클로라이드 복합체의 제조><Manufacturing Example: Manufacturing of Acyl Chloride Complex>
제조예1Manufacturing example 1
교반기, 질소 주입기, 적하 깔대기, 및 온도 조절기가 구비된 1000 mL의 4-neck 둥근 플라스크(반응기)에, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC; 녹는점: 83 ℃) 549.4 g(2.704 몰)과 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC; 녹는점 44 ℃) 120.6 g(0.594 몰)를 첨가하여, 100 ℃에서 3 시간 동안 용융혼련시킨다음, 0 ℃에서 12 시간 동안 냉각시켜 아실클로라이드(구체적으로, 테레프탈로일 클로라이드 및 이소프탈로일 클로라이드)의 복합체를 제조하였다. In a 1000 mL 4-neck round bottom flask (reactor) equipped with a stirrer, a nitrogen injector, a dropping funnel, and a temperature controller, 549.4 g (2.704 mol) of terephthaloyl chloride (TPC; melting point: 83°C) and 120.6 g (0.594 mol) of isophthaloyl chloride (IPC; melting point 44°C) were added, melted and mixed at 100°C for 3 hours, and then cooled at 0°C for 12 hours to prepare a complex of acyl chlorides (specifically, terephthaloyl chloride and isophthaloyl chloride).
이후, 상기 아실클로라이드 복합체를 jaw crusher로 분쇄하여 평균입경이 5mm인 분말로 제조하였다.Thereafter, the acyl chloride complex was crushed using a jaw crusher to produce a powder with an average particle size of 5 mm.
제조예2Manufacturing example 2
테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC; 녹는점 : 83 ℃) 569.5 g(2.803 몰)과 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC; 녹는점 44 ℃) 100.5 g(0.495 몰)를 첨가한 것을 제외하고는, 상기 제조예1과 동일한 방법으로 아실클로라이드 복합체 분말을 제조하였다. An acyl chloride complex powder was prepared in the same manner as in Manufacturing Example 1, except that 569.5 g (2.803 mol) of terephthaloyl chloride (TPC; melting point: 83°C) and 100.5 g (0.495 mol) of isophthaloyl chloride (IPC; melting point: 44°C) were added.
<실시예: 고분자 필름의 제조><Example: Manufacturing of polymer film>
실시예 1Example 1
교반기, 질소 주입기, 적하 깔대기, 및 온도 조절기가 구비된 500 mL의 4-neck 둥근 플라스크(반응기)에 질소를 천천히 불어주면서, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc) 262 g을 채우고, 반응기의 온도를 0 ℃로 맞춘 후 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyl diamine, TFDB) 14.153 g(0.0442 몰)을 용해시켰다. A 500 mL 4-neck round bottom flask (reactor) equipped with a stirrer, a nitrogen injector, a dropping funnel, and a temperature controller was slowly filled with nitrogen while charging 262 g of N,N-dimethylacetamide (DMAc), and after adjusting the temperature of the reactor to 0°C, 14.153 g (0.0442 mol) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyl diamine (TFDB) was dissolved.
여기에, 상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 8.972 g(0.0442 몰)을 첨가하면서 교반하고, 0 ℃ 조건에서 12 시간 동안 아미드 형성 반응을 진행하였다. Here, 8.972 g (0.0442 mol) of the acyl chloride complex powder obtained in the abovementioned Manufacturing Example 1 was added and stirred, and the amide formation reaction was performed for 12 hours at 0°C.
반응을 완료한 후, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc)를 투입하여 고형분 함량을 5% 이하가 되도록 희석하고, 이를 1L의 메탄올로 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후, 100 ℃의 진공 상태에서 6시간 이상 건조하여 고형분 형태의 폴리아미드 수지를 제조하였다. After the reaction was completed, N,N-dimethylacetamide (DMAc) was added to dilute the solid content to 5% or less, precipitated with 1 L of methanol, and the precipitated solid was filtered and dried in a vacuum at 100°C for more than 6 hours to produce a polyamide resin in solid form.
하기 도2에 기재된 13C-NMR을 통해, 상기에서 얻은 폴리아미드 수지에는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제1반복단위 82몰%, 그리고 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제2반복단위 18몰%이 함유되어 있음을 확인하였다.Through the 13 C-NMR described in FIG. 2 below, it was confirmed that the polyamide resin obtained above contains 82 mol% of the first repeating unit obtained by the amide reaction of terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB), and 18 mol% of the second repeating unit obtained by the amide reaction of isophthaloyl chloride (IPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB).
상기에서 얻은 폴리아미드 수지를 N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide)에 녹여 약 10%(w/V)의 고분자 용액을 제조하였다.The polyamide resin obtained above was dissolved in N,N-dimethylacetamide to prepare a polymer solution of about 10% (w/V).
상기 고분자 용액을 필러(Silica)를 0 중량% 함유한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재필름(A4160, 도요보) 상에 도포하고, 필름 어플리케이터를 이용하여 고분자 용액의 두께를 균일하게 조절하였다. The above polymer solution was applied onto a polyethylene terephthalate base film (A4160, Toyobo) containing 0 wt% filler (Silica), and the thickness of the polymer solution was uniformly controlled using a film applicator.
이후, 80 ℃ 마티즈 오븐에서 15분 동안 건조한 후, 질소를 흘려주면서 250 ℃에서 30분 동안 경화시킨 후, 상기 기재필름으로부터 박리하여, 고분자 필름을 얻었다.Afterwards, the film was dried in an 80°C Matiz oven for 15 minutes, cured at 250°C for 30 minutes while flowing nitrogen, and then peeled off from the substrate film to obtain a polymer film.
실시예2Example 2
상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신 상기 제조예2에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지를 제조하였다.A polyamide resin was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the acyl chloride complex powder obtained in Manufacturing Example 2 was used instead of the acyl chloride complex powder obtained in Manufacturing Example 1.
하기 도3에 기재된 13C-NMR을 통해, 상기에서 얻은 폴리아미드 수지에는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제1반복단위 85몰%, 그리고 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제2반복단위 15몰%이 함유되어 있음을 확인하였다.Through the 13 C-NMR described in FIG. 3 below, it was confirmed that the polyamide resin obtained above contains 85 mol% of the first repeating unit obtained by the amide reaction of terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB), and 15 mol% of the second repeating unit obtained by the amide reaction of isophthaloyl chloride (IPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB).
상기에서 얻은 폴리아미드 수지를 이용하여, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 필름을 얻었다.Using the polyamide resin obtained above, a polymer film was obtained in the same manner as in Example 1.
<비교예: 고분자 필름의 제조><Comparative Example: Manufacturing of Polymer Film>
비교예1Comparative Example 1
상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰) 및 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 동시에 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지 및 고분자 필름을 제조하였다.A polyamide resin and a polymer film were manufactured in the same manner as in Example 1, except that instead of the acyl chloride complex powder obtained in Manufacturing Example 1, 7.358 g (0.0362 mol) of terephthaloyl chloride (TPC) and 1.615 g (0.0080 mol) of isophthaloyl chloride (IPC) were added simultaneously to perform the amide formation reaction.
비교예2Comparative Example 2
상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰)을 먼저 첨가한 후, 약 5분 간격을 두고, 순차적으로 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지 및 고분자 필름을 제조하였다.A polyamide resin and a polymer film were manufactured in the same manner as in Example 1, except that instead of the acyl chloride complex powder obtained in Manufacturing Example 1, 7.358 g (0.0362 mol) of terephthaloyl chloride (TPC) was first added, and then 1.615 g (0.0080 mol) of isophthaloyl chloride (IPC) was sequentially added at intervals of about 5 minutes to perform the amide formation reaction.
비교예3Comparative Example 3
상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 먼저 첨가한 후, 약 5분 간격을 두고, 순차적으로 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰)을 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지 및 고분자 필름을 제조하였다.A polyamide resin and a polymer film were manufactured in the same manner as in Example 1, except that instead of the acyl chloride complex powder obtained in Manufacturing Example 1, 1.615 g (0.0080 mol) of isophthaloyl chloride (IPC) was first added, and then 7.358 g (0.0362 mol) of terephthaloyl chloride (TPC) was sequentially added at intervals of about 5 minutes to perform the amide formation reaction.
비교예4Comparative Example 4
교반기, 질소 주입기, 적하 깔대기, 및 온도 조절기가 구비된 500 mL의 4-neck 둥근 플라스크(반응기)에 질소를 천천히 불어주면서, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc) 262 g을 채우고, 반응기의 온도를 0 ℃로 맞춘 후 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyl diamine, TFDB) 14.153 g(0.0442 몰)을 용해시켰다. A 500 mL 4-neck round bottom flask (reactor) equipped with a stirrer, a nitrogen injector, a dropping funnel, and a temperature controller was slowly filled with nitrogen while charging 262 g of N,N-dimethylacetamide (DMAc), and after adjusting the temperature of the reactor to 0°C, 14.153 g (0.0442 mol) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyl diamine (TFDB) was dissolved.
여기에, 상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 8.972 g(0.0442 몰)을 첨가하면서 교반하고, 0 ℃ 조건에서 12 시간 동안 아미드 형성 반응을 진행하였다. Here, 8.972 g (0.0442 mol) of the acyl chloride complex powder obtained in the abovementioned Manufacturing Example 1 was added and stirred, and the amide formation reaction was performed for 12 hours at 0°C.
반응을 완료한 후, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc)를 투입하여 고형분 함량을 5% 이하가 되도록 희석하고, 이를 1L의 메탄올로 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후, 100 ℃의 진공 상태에서 6시간 이상 건조하여 고형분 형태의 폴리아미드 수지를 제조하였다. After the reaction was completed, N,N-dimethylacetamide (DMAc) was added to dilute the solid content to 5% or less, precipitated with 1 L of methanol, and the precipitated solid was filtered and dried in a vacuum at 100°C for more than 6 hours to produce a polyamide resin in solid form.
하기 도2에 기재된 13C-NMR을 통해, 상기에서 얻은 폴리아미드 수지에는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제1반복단위 82몰%, 그리고 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제2반복단위 18몰%이 함유되어 있음을 확인하였다.Through the 13 C-NMR described in FIG. 2 below, it was confirmed that the polyamide resin obtained above contains 82 mol% of the first repeating unit obtained by the amide reaction of terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB), and 18 mol% of the second repeating unit obtained by the amide reaction of isophthaloyl chloride (IPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB).
상기에서 얻은 폴리아미드 수지를 N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide)에 녹여 약 10%(w/V)의 고분자 용액을 제조하였다.The polyamide resin obtained above was dissolved in N,N-dimethylacetamide to prepare a polymer solution of about 10% (w/V).
상기 고분자 용액을 필러(Silica)를 0.1 중량% 함유한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재필름(MRF125, 미쓰비시 케미컬 컴퍼니) 상에 도포하고, 필름 어플리케이터를 이용하여 고분자 용액의 두께를 균일하게 조절하였다. The above polymer solution was applied onto a polyethylene terephthalate base film (MRF125, Mitsubishi Chemical Company) containing 0.1 wt% filler (Silica), and the thickness of the polymer solution was uniformly controlled using a film applicator.
이후, 80 ℃ 마티즈 오븐에서 15분 동안 건조한 후, 질소를 흘려주면서 250 ℃에서 30분 동안 경화시킨 후, 상기 기재필름으로부터 박리하여, 고분자 필름을 얻었다.Afterwards, the film was dried in an 80°C Matiz oven for 15 minutes, cured at 250°C for 30 minutes while flowing nitrogen, and then peeled off from the substrate film to obtain a polymer film.
<실험예1><Experimental Example 1>
소각 X선 산란법(Small-angle X-ray scattering, SAXS)을 이용하여, 상기 실시예, 비교예에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 특성을 하기 방법으로 측정하였고, 그 결과를 아래 표 1 에 나타내었다.The characteristics of individual crystals contained in the polyamide resins obtained in the above examples and comparative examples were measured using small-angle X-ray scattering (SAXS), and the results are shown in Table 1 below.
상기 실시예, 및 비교예에서 얻어진 폴리아미드 수지를 이용하여 가로 1cm * 세로 1cm의 크기로 시료를 제조하고, 실온(23 ℃)에서, 2.5 m, 6.5m의 카메라 길이를 갖는 소각 X선 산란 장치(PLS-9A USAXS beam line)에 상기 시료를 세팅하고, 11.1KeV, 19.9 KeV의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 산란패턴을 얻은 뒤, 상기 소각 X선 산란 장치에 장착된 분석장비(NIST SANS package)를 통해 산란패턴을 분석하여, 개별 결정의 평균입경(2Rc), 차원수(dimensionality), 및 결정화도를 구하였다.Using the polyamide resin obtained in the above examples and comparative examples, samples measuring 1 cm in width and 1 cm in length were prepared, and the samples were set in a small-angle X-ray scattering device (PLS-9A USAXS beam line) with a camera length of 2.5 m and 6.5 m at room temperature (23°C), and X-rays having energies of 11.1 KeV and 19.9 KeV were irradiated to obtain a scattering pattern. The scattering pattern was then analyzed using analysis equipment (NIST SANS package) equipped on the small-angle X-ray scattering device to obtain the average particle diameter (2Rc), dimensionality, and crystallinity of individual crystals.
구체적으로, 상기 개별 결정의 평균입경, 차원수(dimensionality), 및 결정화도의 분석은 소각 X선 산란 장치(PLS 9A beamline)에서 획득된 data를 이용하여 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)을 통해 수행되며, 보다 구체적으로 상기 개별 결정의 평균 입경은 시료에 함유된 개별 결정의 형태를 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 얻어지는 파수 q(단위:Å-1)와 산란 강도 I(단위:a.u.)의 플롯을 Schulz-Zimm distribution로 중첩적분(convolution)하여 얻어지는 결정의 직경분포곡선에 대하여, 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)의 계산을 통해 구할 수 있다.Specifically, the average particle diameter, dimensionality, and crystallinity of the individual crystals are analyzed using data acquired from a small-angle X-ray scattering device (PLS 9A beamline) via a computer program (NIST SANS package), and more specifically, the average particle diameter of the individual crystals is obtained by fitting the shape of the individual crystals contained in the sample to a solid sphere model, and the plot of the wavenumber q (unit: Å -1 ) and the scattering intensity I (unit: au) is convolved with the Schulz-Zimm distribution, and can be obtained through calculations using a computer program (NIST SANS package).
상기 표1에 나타난 바와 같이, 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경이 5 nm 내지 6.8 nm로 작게 측정된 반면, 비교예1에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 8.4 nm, 비교예2에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 13.4 nm, 비교예3에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 7.8 nm로 실시예에 비해 증가한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지의 결정화도는 20% 미만으로 낮은 결정특성을 보인 반면, 비교예2에서 얻어진 폴리아미드 수지의 결정화도는 24%로 실시예에 비해 증가한 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1 above, the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in the examples was measured to be small, ranging from 5 nm to 6.8 nm, whereas the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 1 was 8.4 nm, the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 2 was 13.4 nm, and the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 3 was 7.8 nm, which were confirmed to have increased compared to the examples. In addition, the crystallinity of the polyamide resin obtained in the examples showed low crystal characteristics, less than 20%, whereas the crystallinity of the polyamide resin obtained in Comparative Example 2 was 24%, which was confirmed to have increased compared to the examples.
이를 통해, 상기 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 반복단위로 이루어진 결정성 블록의 길이 성장이 비교예에 비해 억제된 것을 확인할 수 있었다.Through this, it was confirmed that the polyamide resin obtained in the above example had a crystalline block length growth suppressed compared to the comparative example, which was composed of repeating units obtained by the amide reaction of terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (TFDB).
<실험예2><Experimental Example 2>
상기 실시예, 비교예에서 얻어진 폴리아미드 수지 또는 고분자 필름에 대하여 아래의 특성을 측정 또는 평가하였고, 그 결과를 아래 표 2 에 나타내었다.The properties below were measured or evaluated for the polyamide resin or polymer film obtained in the above examples and comparative examples, and the results are shown in Table 2 below.
(1) 두께(1) Thickness
두께측정장비를 이용하여 고분자 필름의 두께를 측정하였다.The thickness of the polymer film was measured using a thickness measuring device.
(2) 황색 지수(Y.I.)(2) Yellow Index (Y.I.)
COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES)를 이용하여 ASTM E313의 측정법에 따라 고분자 필름의 황색 지수를 측정하였다.The yellowness index of polymer films was measured using a COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES) according to the measurement method of ASTM E313.
(3) 광 투과율(transmittance)(3) Light transmittance
Shimadzu UV-2600 UV-vis spectrometer를 이용하여 고분자 필름에 대한 전 광선 투과율을 측정하였다. 측정 결과 중 388 nm 파장의 자외선에 대한 투과율(T, @388nm)과 550 nm 파장의 가시광선에 대한 투과율(T, @550nm)을 나타내었다.Total light transmittance of the polymer film was measured using a Shimadzu UV-2600 UV-vis spectrometer. The measurement results show the transmittance for ultraviolet light with a wavelength of 388 nm (T, @388nm) and the transmittance for visible light with a wavelength of 550 nm (T, @550nm).
(4) Haze(4) Haze
COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES)를 이용하여 ASTM D1003의 측정법에 따라 고분자 필름의 헤이즈 값을 측정하였다.The haze value of the polymer film was measured using a COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES) according to the measurement method of ASTM D1003.
(5) 분자량 및 분자량 분포(PDI, polydispersity index)(5) Molecular weight and molecular weight distribution (PDI, polydispersity index)
겔 투과 크로마토그래피(GPC: gel permeation chromatography, Waters사 제조)를 이용하여 폴리아미드 수지의 중량평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)을 측정하였고, 중량평균 분자량을 수평균 분자량으로 나누어 분자량 분포(PDI)를 계산하였다. 구체적으로, Polymer Laboratories PLgel MIX-B 300mm 길이 칼럼 2개가 이어진 600mm 길이 칼럼을 이용하여 Waters 2605 기기(검출기: RI)를 통해, 평가 온도는 50~75 ℃(약 65 ℃)에서, DMF 100wt% 용매를 사용하여, 1mL/min의 유속, 샘플은 1mg/mL의 농도로 조제한 다음, 100 μL의 양으로 25분간 공급하며, 폴리스티렌 표준을 이용하여 형성된 검정 곡선을 이용하여 분자량을 구할 수 있다. 폴리스티렌 표준품의 분자량은 3940 / 9600 / 31420 / 113300 / 327300 / 1270000 / 4230000 의 7종을 사용하였다.The weight-average molecular weight (Mw) and number-average molecular weight (Mn) of the polyamide resin were measured using gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Waters), and the molecular weight distribution (PDI) was calculated by dividing the weight-average molecular weight by the number-average molecular weight. Specifically, a 600-mm column composed of two 300-mm columns of Polymer Laboratories PLgel MIX-B was used, and the evaluation temperature was 50 to 75 °C (approximately 65 °C), a 100 wt% DMF solvent was used, the sample was prepared at a concentration of 1 mg/mL, and then 100 μL was supplied for 25 minutes. The molecular weight was obtained using a calibration curve formed using a polystyrene standard. The molecular weights of polystyrene standards were 7 types: 3940 / 9600 / 31420 / 113300 / 327300 / 1270000 / 4230000.
(6) 굴곡성(6) Flexibility
MIT 타입의 내절 강도 시험기 (folding endurance tester)를 이용하여 고분자 필름의 내절 강도를 평가하였다. 구체적으로, 고분자 필름의 시편(1cm*7cm)을 내절 강도 시험기에 로딩하고 시편의 왼쪽과 오른쪽에서 175 rpm의 속도로 135°의 각도, 0.8 mm의 곡률 반경 및 250 g의 하중으로 굽혀서 파단할 때까지 왕복 굽힘 횟수(cycle)를 측정하였다.The folding endurance of the polymer film was evaluated using a MIT type folding endurance tester. Specifically, a specimen (1 cm*7 cm) of the polymer film was loaded into the folding endurance tester, and the specimen was bent at a speed of 175 rpm at an angle of 135°, a radius of curvature of 0.8 mm, and a load of 250 g on the left and right sides, and the number of reciprocating bending cycles until fracture was measured.
(7) 상대점도(Viscosity)(7) Relative viscosity
25±0.2℃ 항온환류 시스템을 이용하여 폴리아미드 수지가 함유된 용액(용매: 디메틸아세트아미드(DMAc), 고형분 10wt%)를 ASTM D 2196의 비뉴톤 물질의 회전점도계 시험방법으로 Brookfield viscometer DV-2T를 사용하고, brookfield사의 실리콘 오일(silicon oil)을 표준물질로 5000 cps 내지 200000 cps의 점도범위를 갖는 다수의 표준용액을 이용하여, spindle LV-4 (64), 0.3~100RPM으로 측정하였으며, 단위는 cps(mPa.s)단위를 사용하였다. Using a 25±0.2℃ constant temperature reflux system, a solution containing polyamide resin (solvent: dimethylacetamide (DMAc), solid content 10 wt%) was measured using a Brookfield viscometer DV-2T according to the rotational viscometer test method for non-Newtonian substances of ASTM D 2196, and a number of standard solutions with a viscosity range of 5000 cps to 200000 cps using Brookfield's silicone oil as a standard material, at spindle LV-4 (64), 0.3 to 100 RPM, and the unit was cps (mPa.s).
(8) 연필 경도(8) Pencil hardness
Pencil Hardness Tester를 이용하여 ASTM D3363의 측정법에 따라 고분자 필름의 연필 경도를 측정하였다. 구체적으로, 상기 테스터에 다양한 경도의 연필을 고정하여 상기 고분자 필름에 긁은 후, 상기 고분자 필름에 흠집이 발생한 정도를 육안이나 현미경으로 관찰하여, 총 긁은 횟수의 70 % 이상 긁히지 않았을 때, 그 연필의 경도에 해당하는 값을 상기 고분자 필름의 연필 경도로 평가하였다.The pencil hardness of the polymer film was measured using a Pencil Hardness Tester according to the measurement method of ASTM D3363. Specifically, pencils of various hardness were fixed to the tester and scratched on the polymer film. The degree of scratching on the polymer film was observed with the naked eye or under a microscope. When no scratches occurred for more than 70% of the total number of scratches, the value corresponding to the hardness of the pencil was evaluated as the pencil hardness of the polymer film.
상기 연필경도는 B등급, F등급, H등급 순으로 경도가 증가하게 되며, 같은 등급 내에서는 숫자가 커질수록 경도가 증가하게 된다.The above pencil hardness increases in the order of B grade, F grade, and H grade, and within the same grade, the harder the number, the higher the hardness.
상기 표 2를 살펴보면, 상기 제조예 1 내지 2에 따른 아실클로라이드 복합체 분말을 이용하여 제조된 실시예의 폴리아미드 수지는, 463000 g/mol 내지 512000 g/mol의 높은 중량평균 분자량을 가지며, 상대점도가 110000 cps 내지 174000 cps로 높게 측정되었다. 또한, 실시예의 폴리아미드 수지로부터 얻어진 고분자 필름의 경우, 대략 50 ㎛의 두께에서 2.68 내지 2.89의 낮은 황색 지수, 0.81% 내지 0.97%의 낮은 헤이즈값을 통해 우수한 투명성을 확보할 수 있음을 확인하였고, 3H 내지 4H 등급의 높은 연필 경도 및 9785 내지 12022의 왕복 굽힘 횟수(cycle)에서 파단되는 내절강도를 통해 우수한 기계적 물성(내스크래치성 및 내절강도)이 확보됨을 확인하였다.Looking at Table 2 above, the polyamide resin of the example manufactured using the acyl chloride complex powder according to Manufacturing Examples 1 and 2 has a high weight average molecular weight of 463,000 to 512,000 g/mol, and a high relative viscosity of 110,000 to 174,000 cps. In addition, in the case of the polymer film obtained from the polyamide resin of the example, it was confirmed that excellent transparency was secured through a low yellow index of 2.68 to 2.89 and a low haze value of 0.81% to 0.97% at a thickness of approximately 50 ㎛, and excellent mechanical properties (scratch resistance and bending strength) were secured through a high pencil hardness of 3H to 4H grade and a break strength at a reciprocating bending number (cycle) of 9785 to 12022.
반면, 폴리아미드 수지 합성과정에서 상기 제조예 1 내지 2에 따른 아실클로라이드 복합체 분말이 전혀 사용되지 않은 비교예 1 내지 3 의 폴리아미드 수지는, 321,000 g/mol 내지 412,000 g/mol으로 실시예에 비해 분자량이 감소하였고, 점도가 18,000 cps 내지 54,000 cps로 실시예 대비 감소하였다.On the other hand, the polyamide resins of Comparative Examples 1 to 3, in which the acyl chloride complex powder according to Manufacturing Examples 1 to 2 was not used at all in the polyamide resin synthesis process, had a molecular weight decreased from 321,000 g/mol to 412,000 g/mol compared to the examples, and a viscosity decreased from 18,000 cps to 54,000 cps compared to the examples.
반면, TPC 분말 및 IPC 분말을 각각 동시 또는 순차적으로 투입한 비교예1, 2, 3의 폴리아미드 수지로부터 얻어진 고분자 필름의 경우, 대략 50 ㎛의 두께에서 황색 지수가 3.14 내지 23.59, 헤이즈값이 1.61% 내지 24.21%로 실시예보다 증가하여 투명성이 불량함을 확인하였다. 이는 비교예 1, 2, 3의 경우, TPC 분말과 IPC 분말간의 용해도 및 반응성 차이로 인해, TPC에 의한 블록이 과도하게 형성되어 폴리아미드 수지의 결정성이 증가됨에 따른 것으로 보인다.On the other hand, in the case of polymer films obtained from the polyamide resins of Comparative Examples 1, 2, and 3, in which TPC powder and IPC powder were simultaneously or sequentially introduced, respectively, the yellowness index was 3.14 to 23.59 and the haze value was 1.61% to 24.21% at a thickness of approximately 50 ㎛, which was higher than in the example, confirming poor transparency. This is thought to be because, in the case of Comparative Examples 1, 2, and 3, blocks were excessively formed by TPC due to differences in solubility and reactivity between the TPC powder and the IPC powder, which increased the crystallinity of the polyamide resin.
<실험예3><Experimental Example 3>
(1) 고분자 필름의 표면 특징(1) Surface characteristics of polymer films
상기 실시예, 비교예에서 얻어진 고분자 필름에 대하여, 임의로 가로 5cm, 세로 5cm 가 되도록 잘라서 시편을 만든 후, Optical Profiler 에 PET Film 쪽을 측정하도록 시편을 위치시킨 후, 배율을 10배 확대로 조절하여 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm 의 측정영역이 측정되도록 한 후, NV-2700 (제조사: Nano System)를 이용하여 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수를 측정하여, 하기 표 3에 나타내었다. For the polymer films obtained in the above examples and comparative examples, specimens were made by arbitrarily cutting them to 5 cm in width and 5 cm in length, and the specimens were positioned on the Optical Profiler so that the PET film side was measured. Then, the magnification was adjusted to 10 times so that a measurement area of 0.6 mm in width and 0.5 mm in length was measured, and the number of surface grooves with a maximum depth of 100 nm or more was measured using NV-2700 (manufacturer: Nano System), and the results are shown in Table 3 below.
(2) 기재 필름의 표면 특징(2) Surface characteristics of the substrate film
상기 실시예, 비교예에서 사용한 기재 필름에 대하여, 임의로 가로 5cm, 세로 5cm 가 되도록 잘라서 시편을 만든 후, Optical Profiler 에 고분자 필름이 코팅되는 쪽을 측정하도록 시편을 위치시킨 후, 배율을 10배 확대로 조절하여 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm 의 측정영역이 측정되도록 한 후, NV-2700 (제조사: Nano System) 를 이용하여 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수를 측정하여, 하기 표 3에 나타내었다. For the base film used in the above examples and comparative examples, a specimen was made by arbitrarily cutting it to 5 cm in width and 5 cm in length, and the specimen was positioned on an Optical Profiler so that the side coated with the polymer film was measured. Then, the magnification was adjusted to 10 times so that a measurement area of 0.6 mm in width and 0.5 mm in length was measured, and the number of surface protrusions with a maximum height of 100 nm or more was measured using NV-2700 (manufacturer: Nano System), and the results are shown in Table 3 below.
(3) 산술 평균 거칠기(Ra)(3) Arithmetic mean roughness (Ra)
상기 실시예, 비교예에서 사용한 고분자 필름에 대하여 가로 0.6mm, 세로 0.5 mm인 시편을 제조하고, JIS B0601-1994 에 따라, Optical Profiler를 이용하여 하기 수학식 1로 계산되는 고분자 필름의 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 측정하였다For the polymer film used in the above examples and comparative examples, a specimen measuring 0.6 mm in width and 0.5 mm in length was manufactured, and the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the polymer film calculated by the following
[수학식 1][Mathematical formula 1]
상기 수학식 1에서, L은 기준 길이이고, f(x)는 평균선에 대한 거칠기 곡선의 편차를 의미한다. In the above
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 실시예의 기재 필름은 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 0 개/ 0.3 ㎟임에 따라, 상기 기재 필름상에 상기 제조예 1 내지 2에 따른 아실클로라이드 복합체 분말을 이용하여 제조된 실시예의 폴리아미드 수지를 도포하여 제조한 실시예 1 및 2의 고분자 필름 또한, 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 0 개/ 0.3 ㎟로 측정됨을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3 above, the number of surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more in the base film of the example was 0/0.3㎟, and thus it was confirmed that the polymer films of Examples 1 and 2, which were manufactured by applying the polyamide resin of the example manufactured using the acyl chloride complex powder according to Manufacturing Examples 1 and 2 on the base film, also measured the number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more as 0/0.3㎟.
또한, 상기 실시예 1 및 2의 고분자 필름은 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 0 개/ 0.3 ㎟ 임에 따라, 산술 평균 거칠기(Ra) 가 10 nm 이하로 측정되어, 표면의 요철이 현저히 감소함을 확인할 수 있었다. In addition, since the polymer films of Examples 1 and 2 had 0/0.3㎟ of surface grooves with a maximum depth of 100 nm or more, the arithmetic mean roughness (Ra) was measured to be 10 nm or less, confirming that the surface unevenness was significantly reduced.
반면, 상기 비교예 4의 경우, 필러를 함유한 기재필름을 사용함에 따라, 기재 필름의 최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 5 개/ 0.3 ㎟ 이상으로 나타났으며, 이에 따라 비교예 4의 고분자 필름 또한, 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 5 개/ 0.3 ㎟ 이상으로 측정됨을 확인할 수 있었다.On the other hand, in the case of Comparative Example 4, since a base film containing filler was used, the number of surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more of the base film was 5/0.3㎟ or more, and accordingly, it was confirmed that the polymer film of Comparative Example 4 also had a number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more of 5/0.3㎟ or more.
또한, 상기 비교예 4의 고분자 필름은 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 5 개/ 0.3 ㎟ 이상임에 따라, 산술 평균 거칠기(Ra) 가 30 nm 로 측정되어, 표면의 요철을 과도하게 포함함을 확인할 수 있었다. In addition, since the polymer film of Comparative Example 4 had 5 or more surface grooves/0.3㎟ with a maximum depth of 100 nm or more, the arithmetic mean roughness (Ra) was measured to be 30 nm, confirming that the film excessively included surface irregularities.
1: 개별 결정
2: 개별 결정의 평균 입경
3: 무정형의 고분자 사슬1: Individual decision
2: Average particle size of individual decisions
3: Amorphous polymer chain
Claims (20)
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬이 존재하고,
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함하고,
상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함한 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬은, 하기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트를 포함하고,
상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성하고,
고분자 필름에 형성된 최대 깊이가 100 nm 이상인 표면 홈의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인, 고분자 필름:
[화학식1]
상기 화학식1 에서, Ar1 는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고,
[화학식2]
상기 화학식 2 에서,
Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고,
[화학식3]
상기 화학식3에서,
A는 상기 제1폴리아미드 세그먼트이고,
B는 상기 제2폴리아미드 세그먼트이다.
Comprising a polyamide resin having an average particle size of individual crystals of 8.0 nm or less as measured by an incineration X-ray scattering device,
Between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, amorphous polymer chains exist,
The individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less include a first polyamide segment including a repeating unit represented by the following chemical formula 1, or a block composed of the same,
An amorphous polymer chain present between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, including a first polyamide segment comprising a repeating unit represented by the above chemical formula 1, or a block comprised thereof, and a second polyamide segment comprising a repeating unit represented by the following chemical formula 2, or a block comprised thereof,
The first polyamide segment and the second polyamide segment form a main chain including a cross-repeating unit represented by the following chemical formula 3,
A polymer film having a number of surface grooves having a maximum depth of 100 nm or more formed on the polymer film of 4/0.3 ㎟ or less:
[Chemical formula 1]
In the above chemical formula 1, Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms,
[Chemical formula 2]
In the above chemical formula 2,
Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms,
[Chemical formula 3]
In the above chemical formula 3,
A is the first polyamide segment,
B is the second polyamide segment.
상기 고분자 필름의 산술 평균 거칠기가 10 nm 이하인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film having an arithmetic mean roughness of 10 nm or less.
상기 표면 홈의 개수는,
상기 고분자 필름의 두께방향과 수직인 일 표면에 대하여 측정한 것인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
The number of surface grooves above is,
A polymer film, the measurement being made on one surface perpendicular to the thickness direction of the polymer film.
상기 개별 결정의 평균 입경은,
상기 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정하는, 고분자 필름.
In the first paragraph,
The average particle size of the above individual decisions is
A polymer film, which is obtained by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV in the above-mentioned small-angle X-ray scattering device with a scattering pattern, fitting the obtained scattering pattern to a solid sphere model, and measuring the obtained scattering pattern using an analysis device.
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리는 0.1 nm 내지 100 nm 인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film wherein the distance between individual crystals having an average particle size of 8.0 nm or less is 0.1 nm to 100 nm.
상기 제1폴리아미드 세그먼트는 100 g/mol 내지 5000 g/mol의 수평균분자량을 갖는, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film, wherein the first polyamide segment has a number average molecular weight of 100 g/mol to 5000 g/mol.
상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 제1폴리아미드 세그먼트를 40 몰% 내지 95 몰% 포함하는, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film comprising 40 mol% to 95 mol% of the first polyamide segment based on all repeating units contained in the polyamide resin.
소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 결정화도가 20% 이하인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film having a crystallinity of 20% or less as measured by a small-angle X-ray scattering device.
45 ㎛ 이상 55 ㎛ 이하의 두께를 갖는 시편에 대해, ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 0.45 % 이하인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film having a haze of 0.45% or less as measured by ASTM D1003 for specimens having a thickness of 45 ㎛ or more and 55 ㎛ or less.
상기 고분자의 중량평균 분자량이 330000 g/mol 내지 1000000 g/mol인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film, wherein the weight average molecular weight of the polymer is 330,000 g/mol to 1,000,000 g/mol.
상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 함량이 5 몰% 내지 60 몰%인, 고분자 필름.
In the first paragraph,
A polymer film having a content of repeating units represented by the chemical formula 2 of 5 mol% to 60 mol% based on all repeating units contained in the polyamide resin.
상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위는 하기 화학식4로 표시되는 반복단위인, 고분자 필름:
[화학식4]
상기 화학식4 에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고,
a1 및 a2는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
b1 및 b2는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.
In the first paragraph,
The cross-repeating unit represented by the above chemical formula 3 is a repeating unit represented by the following chemical formula 4, a polymer film:
[Chemical formula 4]
In the above chemical formula 4,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms,
a1 and a2 are each independently an integer from 1 to 10,
b1 and b2 are each independently an integer from 1 to 5.
최대 높이가 100 nm 이상인 표면 돌기의 개수가 4 개/ 0.3 ㎟ 이하인 기재 필름에, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하인 상기 폴리아미드 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 단계;를 포함하는, 제1항의 고분자 필름의 제조방법:
[화학식7]
[화학식8]
상기 화학식7 내지 8 에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다.
A step for producing a polyamide resin, comprising the steps of melting and mixing a compound represented by the following chemical formula 7 and a compound represented by the following chemical formula 8, solidifying the melted mixture to form a complex, and reacting the complex with an aromatic diamine monomer; and
A method for manufacturing a polymer film according to claim 1, comprising: forming a coating film by applying a composition including the polyamide resin, wherein the average particle size of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, to a base film having a number of surface protrusions having a maximum height of 100 nm or more and 4/0.3㎟ or less;
[Chemical formula 7]
[Chemical formula 8]
In the above chemical formulas 7 to 8, X is a halogen or a hydroxyl group.
상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는, 수지 적층체.A substrate including a polymer film of claim 1; and
A resin laminate comprising a hard coating layer formed on at least one surface of the above-described substrate.
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