KR102720200B1 - Cluster Type Apparatus for Processing Substrate - Google Patents
Cluster Type Apparatus for Processing Substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR102720200B1 KR102720200B1 KR1020190125081A KR20190125081A KR102720200B1 KR 102720200 B1 KR102720200 B1 KR 102720200B1 KR 1020190125081 A KR1020190125081 A KR 1020190125081A KR 20190125081 A KR20190125081 A KR 20190125081A KR 102720200 B1 KR102720200 B1 KR 102720200B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- side wall
- chamber side
- chamber
- entrance
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 112
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 기판의 반입과 기판의 반출을 수행하는 기판이송장치가 설치된 트랜스퍼모듈(Transfer Module); 및 상기 트랜스퍼모듈에 연결되도록 상기 트랜스퍼모듈에 결합된 복수개의 챔버(Chamber)를 포함하되, 상기 트랜스퍼모듈은 상기 기판이송장치의 출입(出入)을 위한 출입측벽, 및 상기 챔버들이 결합되기 위한 복수개의 챔버측벽을 포함하고, 상기 출입측벽은 상기 챔버측벽들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성된 클러스터형 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cluster-type substrate processing device, comprising: a transfer module having a substrate transfer device for performing substrate loading and unloading; and a plurality of chambers coupled to the transfer module so as to be connected to the transfer module, wherein the transfer module includes an entry/exit side wall for entry/exit of the substrate transfer device, and a plurality of chamber side walls for coupling the chambers, and the entry/exit side walls are formed to have a shorter length than each of the chamber side walls.
Description
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device that performs a processing process, such as a deposition process or an etching process, on a substrate.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.In general, in order to manufacture solar cells, semiconductor devices, flat panel displays, etc., a predetermined thin film layer, thin film circuit pattern, or optical pattern must be formed on a substrate. To this end, a substrate treatment process is performed, such as a deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process for removing the thin film of a selectively exposed portion to form a pattern. Such substrate treatment processes are performed by a substrate treatment device.
도 1은 종래 기술에 따른 클러스터형 기판처리장치의 개념적인 평면도이다.Figure 1 is a conceptual plan view of a cluster-type substrate processing device according to the prior art.
도 1을 참고하면, 다양한 타입의 기판처리장치 중에서 클러스터형 기판처리장치(100)는 복수개의 챔버(Chamber)(110), 및 상기 챔버(110)들 각각에 연결되도록 배치된 트랜스퍼모듈(Transfer Module)(120)를 포함한다. Referring to FIG. 1, among various types of substrate processing devices, a cluster-type substrate processing device (100) includes a plurality of chambers (110) and a transfer module (120) arranged to be connected to each of the chambers (110).
상기 챔버(110)들은 상기 트랜스퍼모듈(120)의 외측을 따라 상기 트랜스퍼모듈(120)에 연결되도록 배치된다. 상기 챔버(110)들은 상기 트랜스퍼모듈(120)를 기준으로 하여 서로 다른 방향으로 돌출되도록 상기 트랜스퍼모듈(120)에 결합된다. 상기 챔버(110)들 중에서 일부는 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 공정챔버(Processing Chamber)이다. 상기 챔버(110)들 중에서 일부는 로드락챔버(Load Lock Chamber)이다.The chambers (110) are arranged along the outer side of the transfer module (120) so as to be connected to the transfer module (120). The chambers (110) are coupled to the transfer module (120) so as to protrude in different directions based on the transfer module (120). Some of the chambers (110) are processing chambers where a processing process for a substrate is performed. Some of the chambers (110) are load lock chambers.
상기 트랜스퍼모듈(120)은 상기 챔버(110)들 각각에 대해 기판을 반입시키는 반입공정과 상기 챔버(110)들 각각으로부터 기판을 반출시키는 반출공정을 수행하는 것이다. 이를 위해, 상기 트랜스퍼모듈(120)에는 기판을 이송하는 기판이송장치(미도시)가 설치된다.The above transfer module (120) performs a process of loading a substrate into each of the chambers (110) and a process of loading a substrate out of each of the chambers (110). To this end, a substrate transfer device (not shown) for transporting the substrate is installed in the transfer module (120).
상기 트랜스퍼모듈(120)은 6개의 내각(內角)을 갖는 육각형 형태로 구현된다. 이 경우, 상기 트랜스퍼모듈(120)은 6개의 측벽(121)들을 포함한다. 상기 측벽(121)들 중에서 제1측벽(121a)에는 상기 챔버(110)가 결합되지 않고, 나머지 측벽(121)들 각각에는 상기 챔버(110)들이 결합된다. 상기 제1측벽(121a)은 상기 트랜스퍼모듈(120)에 상기 기판이송장치를 반입시키거나 상기 트랜스퍼모듈(120)로부터 상기 기판이송장치를 반출시키기 위한 출입구로 사용된다.The above transfer module (120) is implemented in a hexagonal shape with six inner angles. In this case, the transfer module (120) includes six side walls (121). Among the side walls (121), the chamber (110) is not coupled to the first side wall (121a), and the chambers (110) are coupled to each of the remaining side walls (121). The first side wall (121a) is used as an entrance for introducing the substrate transfer device into the transfer module (120) or removing the substrate transfer device from the transfer module (120).
이러한 종래 기술에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 트랜스퍼모듈(120)은 6개의 내각이 모두 동일한 등각형 형태로 구현된다. 이에 따라, 상기 제1측벽(121a)을 포함하여 상기 트랜스퍼모듈(120)이 갖는 6개의 측벽(121)들 모두가 서로 동일한 길이로 구현된다. 따라서, 종래 기술에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 전체적으로 상당한 크기를 갖도록 구현되므로, 상당한 크기의 풋프린트(Foot Print)로 인해 설치공간에 대한 공간활용도를 저하시키는 문제가 있다.In the cluster-type substrate processing device (1) according to the prior art, the transfer module (120) is implemented in an equiangular shape in which all six inner angles are the same. Accordingly, all six side walls (121) of the transfer module (120), including the first side wall (121a), are implemented with the same length. Accordingly, the cluster-type substrate processing device (1) according to the prior art is implemented to have a considerable size overall, and thus, there is a problem of reducing the space utilization for the installation space due to the considerable size of the footprint.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 전체적인 크기를 줄여서 풋프린트를 축소시킬 수 있는 클러스터형 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the problems described above, and to provide a cluster-type substrate processing device capable of reducing the overall size and thus reducing the footprint.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problem, the present invention may include the following configuration.
본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치는 기판의 반입과 기판의 반출을 수행하는 기판이송장치가 설치된 트랜스퍼모듈(Transfer Module); 및 상기 트랜스퍼모듈에 연결되도록 상기 트랜스퍼모듈에 결합된 복수개의 챔버(Chamber)를 포함할 수 있다. 상기 트랜스퍼모듈은 상기 기판이송장치의 출입(出入)을 위한 출입측벽, 및 상기 챔버들이 결합되기 위한 복수개의 챔버측벽을 포함할 수 있다. 상기 출입측벽은 상기 챔버측벽들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성될 수 있다.A cluster-type substrate processing device according to the present invention may include a transfer module having a substrate transfer device installed therein for performing substrate introduction and substrate removal; and a plurality of chambers coupled to the transfer module so as to be connected to the transfer module. The transfer module may include an entrance/exit side wall for entry/exit of the substrate transfer device, and a plurality of chamber side walls for coupling the chambers. The entrance/exit side wall may be formed to have a shorter length than each of the chamber side walls.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.
본 발명은 출입측벽이 챔버측벽들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성되도록 구현됨으로써, 트랜스퍼모듈의 크기를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명은 트랜스퍼모듈의 크기 감소를 통해 전체적인 크기를 줄일 수 있으므로, 풋프린트를 축소시킬 수 있다.The present invention can reduce the size of the transfer module by implementing the entrance/exit side wall to be formed with a shorter length than each of the chamber side walls. Accordingly, the present invention can reduce the overall size by reducing the size of the transfer module, thereby reducing the footprint.
도 1은 종래 기술에 따른 클러스터형 기판처리장치의 개념적인 평면도
도 2는 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치의 개략적인 평면도
도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치의 개략적인 평단면도Figure 1 is a conceptual plan view of a cluster-type substrate processing device according to the prior art.
Figure 2 is a schematic plan view of a cluster-type substrate processing device according to the present invention.
Figures 3 to 7 are schematic cross-sectional views of a cluster-type substrate processing device according to the present invention.
이하에서는 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a cluster-type substrate processing device according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 기판에 박막을 증착하는 증착공정, 기판에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행할 수 있다. 상기 기판은 유리기판, 실리콘기판, 메탈기판 등일 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention performs a processing process for a substrate. For example, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can perform a processing process such as a deposition process for depositing a thin film on a substrate, an etching process for removing a portion of the thin film deposited on the substrate, etc. The substrate may be a glass substrate, a silicon substrate, a metal substrate, etc.
본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 복수개의 챔버(2), 및 트랜스퍼모듈(3)을 포함할 수 있다.A cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention may include a plurality of chambers (2) and a transfer module (3).
상기 챔버(2)들은 상기 트랜스퍼모듈(3)에 결합된 것이다. 상기 챔버(2)들은 상기 트랜스퍼모듈(3)의 외측을 따라 상기 트랜스퍼모듈(3)에 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 챔버(2)들의 내부와 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부는 서로 연통되게 연결될 수 있다. 상기 챔버(2)들의 내부와 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부는 개폐장치(미도시)에 의해 선택적으로 연통될 수도 있다.The chambers (2) above are coupled to the transfer module (3). The chambers (2) can be arranged to be connected to the transfer module (3) along the outer side of the transfer module (3). The interior of the chambers (2) and the interior of the transfer module (3) can be connected to each other in a communicative manner. The interior of the chambers (2) and the interior of the transfer module (3) can be selectively communicated by an opening/closing device (not shown).
상기 챔버(2)들 중에서 적어도 하나는 상기 증착공정, 상기 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 공정챔버(Processing Chamber)에 해당할 수 있다. 상기 증착공정을 수행하는 공정챔버에 해당하는 경우, 상기 공정챔버는 화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학기상증착법(PCVD, Plasma Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Depostion), 물리기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 상기 공정챔버는 복수개의 기판에 대해 처리공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 공정챔버는 2개의 기판에 대해 동시에 처리공정을 수행할 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 공정챔버는 기판을 지지하는 서셉터, 및 상기 서셉터를 향해 공정가스 등과 같은 가스를 분사하는 가스분사부 등을 포함할 수 있다.At least one of the chambers (2) above may correspond to a processing chamber that performs a processing process such as the deposition process, the etching process, etc. In the case of a processing chamber that performs the deposition process, the processing chamber may perform a deposition process such as chemical vapor deposition (CVD), plasma chemical vapor deposition (PCVD), atomic layer deposition (ALD), physical vapor deposition (PVD), etc. The processing chamber may perform a processing process on a plurality of substrates. For example, the processing chamber may perform a processing process on two substrates simultaneously. Although not shown, the processing chamber may include a susceptor that supports a substrate, and a gas injection unit that injects a gas such as a processing gas toward the susceptor.
상기 챔버(2)들 중에서 적어도 하나는 상기 트랜스퍼모듈(3)에 대한 기판의 반입과 반출을 위한 로드락챔버(Load Lock Chamber)에 해당할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 로드락챔버를 이용하여 상기 트랜스퍼모듈(3)과 상기 공정챔버들을 진공상태로 유지시키면서 기판에 대한 처리공정을 안정적으로 수행할 수 있다.At least one of the chambers (2) above may correspond to a load lock chamber for loading and unloading a substrate to and from the transfer module (3). Accordingly, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can stably perform a processing process for a substrate while maintaining the transfer module (3) and the process chambers in a vacuum state by using the load lock chamber.
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 트랜스퍼모듈(3)은 상기 챔버(2)들에 대한 기판의 반입과 기판의 반출을 수행하는 것이다. 상기 트랜스퍼모듈(3)에는 기판을 이송하기 위한 기판이송장치(4)가 설치될 수 있다. 상기 기판이송장치(4)는 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부에 설치될 수 있다. 상기 기판이송장치(4)는 기판을 이송하기 위한 이송부(41), 및 상기 이송부(41)를 회전시키는 회전부(42)를 포함할 수 있다. 상기 이송부(41)가 상기 챔버(2)들 중에서 어느 하나를 향하도록 상기 회전부(42)가 상기 이송부(42)를 회전시킨 후에, 상기 이송부(42)는 적어도 하나의 이송암(미도시)을 이동시킴으로써 해당 챔버(2)에 대한 기판의 반입과 기판의 반출을 수행할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, the transfer module (3) performs substrate loading and substrate removal for the chambers (2). A substrate transfer device (4) for transferring the substrate may be installed in the transfer module (3). The substrate transfer device (4) may be installed inside the transfer module (3). The substrate transfer device (4) may include a transfer unit (41) for transferring the substrate, and a rotating unit (42) for rotating the transfer unit (41). After the rotating unit (42) rotates the transfer unit (42) so that the transfer unit (41) faces one of the chambers (2), the transfer unit (42) moves at least one transfer arm (not shown) to perform substrate loading and substrate removal for the corresponding chamber (2).
상기 트랜스퍼모듈(3)은 출입측벽(31) 및 복수개의 챔버측벽(32)을 포함할 수 있다. 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부는 상기 출입측벽(31)과 상기 챔버측벽(32)들에 의해 둘러싸일 수 있다.The above transfer module (3) may include an entrance side wall (31) and a plurality of chamber side walls (32). The interior of the transfer module (3) may be surrounded by the entrance side wall (31) and the chamber side walls (32).
상기 출입측벽(31)은 상기 기판이송장치(4)의 출입(出入)을 위한 것이다. 상기 기판이송장치(4)에 대한 유지보수가 필요한 경우, 상기 기판이송장치(4)는 상기 출입측벽(31)을 통해 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부로부터 반출될 수 있다. 상기 기판이송장치(4)는 상기 출입측벽(31)을 통해 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부로 반입될 수 있다. 상기 출입측벽(31)은 상기 기판이송장치의 출입을 위한 출입구(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 출입측벽(31)이 상기 복수개의 챔버측벽(32)들로부터 분리됨으로써, 상기 출입구가 형성될 수도 있다.The above-mentioned entrance/exit side wall (31) is for the entrance/exit of the substrate transfer device (4). When maintenance of the substrate transfer device (4) is required, the substrate transfer device (4) can be taken out from the inside of the transfer module (3) through the entrance/exit side wall (31). The substrate transfer device (4) can be brought into the inside of the transfer module (3) through the entrance/exit side wall (31). The entrance/exit side wall (31) may include an entrance (not shown) for the entrance/exit of the substrate transfer device. The entrance/exit may be formed by separating the entrance/exit side wall (31) from the plurality of chamber side walls (32).
상기 챔버측벽(32)들은 상기 챔버(2)들이 결합되기 위한 것이다. 상기 챔버(2)들이 상기 챔버측벽(32)들에 결합된 상태에서, 상기 챔버(2)들의 내부와 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부는 서로 연통되도록 연결될 수 있다. 상기 챔버측벽(32)들 각각에는 상기 개폐장치가 설치될 수도 있다.The chamber side walls (32) above are for the chambers (2) to be connected. In a state where the chambers (2) are connected to the chamber side walls (32), the interior of the chambers (2) and the interior of the transfer module (3) can be connected to each other so as to be in communication with each other. The opening/closing device may be installed on each of the chamber side walls (32).
상기 챔버측벽(32)들과 상기 출입측벽(31)은 복수개의 내각(內角)을 갖는 다각형 형태를 이루도록 배치될 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 챔버측벽(32)들과 상기 출입측벽(32)은 6개의 내각을 갖는 육각형 형태를 이루도록 배치될 수 있다.The chamber side walls (32) and the entrance side walls (31) may be arranged to form a polygonal shape with a plurality of internal angles. For example, as shown in FIG. 3, the chamber side walls (32) and the entrance side walls (32) may be arranged to form a hexagonal shape with six internal angles.
상기 챔버측벽(32)들은 각각 상기 출입측벽(31)에 비해 더 긴 길이로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 챔버측벽(32)들 각각의 길이 및 상기 출입측벽(31)의 길이는 상기 트랜스퍼모듈(3)의 내부를 둘러싸는 방향을 기준으로 하는 것이다. 상기 챔버측벽(32)들 각각의 길이 및 상기 출입측벽(31)의 길이는 다각형 형태를 이루는 트랜스퍼모듈(3)이 갖는 변(邊)의 길이에 해당할 수 있다. 상기 출입측벽(31)이 상기 챔버측벽(32)들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성됨으로써, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이를 줄일 수 있도록 구현된다. 상기 제1축방향(X축 방향)은 상기 출입측벽(31)의 길이방향에 대해 수직한 축방향을 의미한다. 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이를 줄임으로써, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 전체적인 크기를 줄여서 풋프린트를 축소시킬 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다. The chamber side walls (32) may be formed to have a longer length than the entrance/exit side walls (31). In this case, the length of each of the chamber side walls (32) and the length of the entrance/exit side walls (31) are based on the direction surrounding the interior of the transfer module (3). The length of each of the chamber side walls (32) and the length of the entrance/exit side walls (31) may correspond to the length of a side of the transfer module (3) having a polygonal shape. Since the entrance/exit side walls (31) are formed to have a shorter length than the chamber side walls (32), the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention is implemented so that the length of the transfer module (3) can be reduced based on the first axial direction (X-axis direction). The first axial direction (X-axis direction) means an axial direction perpendicular to the longitudinal direction of the entrance/exit side walls (31). By reducing the length of the transfer module (3) based on the first axis direction (X-axis direction), the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can reduce the overall size and reduce the footprint. This is specifically as follows.
우선, 상기 출입측벽(31)이 상기 챔버측벽(32)들 각각과 동일한 길이로 형성된 비교예의 경우, 도 3에 점선으로 도시된 바와 같이 상기 출입측벽(31)의 길이로 인해 상기 출입측벽(31)의 양측에 배치된 챔버측벽(32)들이 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 평행해지는 방향으로 세워지게 된다. 이에 따라, 비교예는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이가 길어지게 된다.First, in the case of a comparative example in which the entrance/exit side wall (31) is formed to have the same length as each of the chamber side walls (32), as shown in the dotted line in Fig. 3, the chamber side walls (32) arranged on both sides of the entrance/exit side wall (31) are erected in a direction parallel to the first axial direction (X-axis direction) due to the length of the entrance/exit side wall (31). Accordingly, in the comparative example, the length of the transfer module (3) becomes longer based on the first axial direction (X-axis direction).
다음, 상기 출입측벽(31)이 상기 챔버측벽(32)들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성된 실시예의 경우, 도 3에 실선으로 도시된 바와 같이 상기 출입측벽(31)의 길이가 짧아진 만큼 상기 출입측벽(31)의 양측에 배치된 챔버측벽(32)들이 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 경사지는 방향으로 눕혀지게 된다. 이에 따라, 실시예는 비교예에 비해 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이가 짧아지게 된다.Next, in the case of an embodiment in which the entrance/exit side wall (31) is formed to have a shorter length than each of the chamber side walls (32), as shown in a solid line in FIG. 3, the chamber side walls (32) arranged on both sides of the entrance/exit side wall (31) are laid down in a direction inclined with respect to the first axial direction (X-axis direction) as much as the length of the entrance/exit side wall (31) is shortened. Accordingly, in the embodiment, the length of the transfer module (3) is shortened with respect to the first axial direction (X-axis direction) compared to the comparative example.
이와 같이 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 출입측벽(31)이 상기 챔버측벽(32)들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성됨으로써, 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 트랜스퍼모듈(3)의 길이 감소를 통해 전체적인 크기를 줄일 수 있으므로, 풋프린트를 축소시킬 수 있다.In this way, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can reduce the length of the transfer module (3) with respect to the first axial direction (X-axis direction) by forming the entrance/exit side wall (31) to have a shorter length than each of the chamber side walls (32). Accordingly, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can reduce the overall size by reducing the length of the transfer module (3), thereby reducing the footprint.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)는 상기 챔버측벽(32)들 중에서 가장 긴 길이를 갖는 챔버측벽(32)의 길이(32L)에 대해 0.3배 이상 0.5배 이하로 형성될 수 있다. 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 챔버측벽(32)의 길이(32L)에 대해 0.3배 미만이면, 상기 기판이송장치(4)가 출입하기에 상기 출입측벽(31)의 길이가 너무 짧게 형성된다. 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 챔버측벽(32)의 길이(32L)에 대해 0.5배 초과이면, 상기 트랜스퍼모듈(3)의 크기에 대한 감소율이 저하된다. 이를 고려하여, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 챔버측벽(32)의 길이(32L)에 대해 0.3배 이상 0.5배 이하로 형성됨으로써, 상기 기판이송장치(4)의 원활한 출입을 실현할 수 있을 뿐만 아니라 상기 트랜스퍼모듈(3)의 크기에 대한 충분한 감소율을 확보할 수 있다. 도 4에는 상기 출입측벽(31)에 결합된 챔버측벽(32)이 가장 긴 길이를 갖는 것으로 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며 상기 출입측벽(31)으로부터 이격되어 배치된 다른 챔버측벽(32)이 가장 긴 길이를 갖도록 형성될 수도 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) may be formed to be 0.3 times or more and 0.5 times or less than the length (32L) of the chamber side wall (32) having the longest length among the chamber side walls (32). If the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) is less than 0.3 times the length (32L) of the chamber side wall (32), the length of the entrance/exit side wall (31) is formed too short for the substrate transfer device (4) to enter/exit. If the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) is more than 0.5 times the length (32L) of the chamber side wall (32), the reduction rate for the size of the transfer module (3) is reduced. In consideration of this, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can realize smooth entry and exit of the substrate transport device (4) and secure a sufficient reduction rate in the size of the transfer module (3) by forming the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) to be 0.3 to 0.5 times the length (32L) of the chamber side wall (32). In Fig. 4, the chamber side wall (32) coupled to the entrance/exit side wall (31) is exemplified as having the longest length, but this is not limited thereto, and another chamber side wall (32) positioned apart from the entrance/exit side wall (31) may be formed to have the longest length.
상기 출입측벽(31)의 길이(31L)는 상기 기판이송장치(4)가 출입 가능하도록 구현될 수 있다. 상기 출입측벽(31)이 제2축방향(Y축 방향)에 대해 평행하게 배치된 경우, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)는 상기 기판이송장치(4)의 길이와 동일하거나 상기 기판이송장치(4)의 길이에 비해 더 길게 형성될 수 있다. 상기 제2축방향(Y축 방향)은 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 축방향이다. 상기 기판이송장치(4)가 상기 이송부(41)와 상기 회전부(42)로 분리 가능하게 구현된 경우, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)는 상기 회전부(42)의 길이와 동일하거나 상기 회전부(42)의 길이에 비해 더 길게 형성될 수 있다. 상기 이송부(41)는 수직으로 세워질 수 있으므로, 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 회전부(42)의 출입이 가능하도록 구현되면 상기 출입측벽(31)을 통해 출입 가능하기 때문이다. 상기 회전부(42)가 장방향과 단방향을 갖는 형태로 형성된 경우, 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)는 상기 회전부(42)의 단방향에서 최대 길이로 형성된 부분의 길이와 동일하거나 해당 부분의 길이에 비해 더 길게 형성될 수 있다.The length (31L) of the above-described entrance/exit side wall (31) can be implemented so that the substrate transport device (4) can be entered/exited. When the entrance/exit side wall (31) is arranged parallel to the second axial direction (Y-axis direction), the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) based on the second axial direction (Y-axis direction) can be formed to be equal to the length of the substrate transport device (4) or longer than the length of the substrate transport device (4). The second axial direction (Y-axis direction) is an axial direction perpendicular to the first axial direction (X-axis direction). When the substrate transport device (4) is implemented to be separable into the transfer unit (41) and the rotation unit (42), the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) based on the second axial direction (Y-axis direction) can be formed to be equal to the length of the rotation unit (42) or longer than the length of the rotation unit (42). Since the above-mentioned transfer unit (41) can be erected vertically, if the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) is implemented so that the rotation unit (42) can be entered/exited, then the entrance/exit side wall (31) can be entered/exited. If the rotation unit (42) is formed in a shape having a longitudinal direction and a unidirectional direction, the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) can be formed to be equal to or longer than the length of a portion formed as the maximum length in a unidirectional direction of the rotation unit (42).
상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 챔버측벽(32)들 각각의 길이(32L)에 비해 더 짧게 형성되므로, 상기 출입측벽(31)과 상기 챔버측벽(32)들은 비등각 다각형 형태를 이루도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 트랜스퍼모듈(3)은 비등각 다각형 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 내각들 중에서 적어도 하나의 내각이 상이한 각도로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 출입측벽(31)과 상기 챔버측벽(32)들은 6개의 내각을 갖는 육각형 형태를 이루도록 배치될 수 있다. 이 경우, 6개의 내각들은 2개씩 동일한 각도를 갖는 3종류로 구현될 수 있다. 상기 챔버측벽(32)들은 서로 동일한 길이로 형성될 수 있다. 상기 챔버측벽(32)들은 서로 다른 길이로 형성될 수도 있다. 상기 챔버측벽(32)들은 2개씩 동일한 길이를 갖는 3종류로 구현될 수도 있다.Since the length (31L) of the above-described entrance side wall (31) is formed shorter than the length (32L) of each of the above-described chamber side walls (32), the entrance side wall (31) and the chamber side wall (32) may be arranged to form an equiangular polygonal shape. That is, the transfer module (3) may be formed in an equiangular polygonal shape. In this case, at least one of the internal angles may be formed at a different angle. For example, the entrance side wall (31) and the chamber side wall (32) may be arranged to form a hexagonal shape having six internal angles. In this case, the six internal angles may be implemented in three types, two of which have the same angle. The chamber side walls (32) may be formed in the same length. The chamber side walls (32) may be formed in different lengths. The chamber side walls (32) may be implemented in three types, two of which have the same length.
이하에서는 상기 트랜스퍼모듈(3)이 비등각 육각형 형태로 형성된 실시예를 기준으로 하여, 상기 트랜스퍼모듈(3)을 더 구체적으로 설명한다. 이로부터 상기 트랜스퍼모듈(3)이 비등각 육각형 형태 외에 다른 비등각 다각형 형태로 형성된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자라면 자명하게 도출할 수 있을 것이다.Hereinafter, the transfer module (3) will be described in more detail based on an example in which the transfer module (3) is formed in an asymmetric hexagonal shape. From this, those skilled in the art will be able to clearly derive an example in which the transfer module (3) is formed in an asymmetric polygonal shape other than an asymmetric hexagonal shape.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 트랜스퍼모듈(3)은 제1챔버측벽(33), 제2챔버측벽(34), 제3챔버측벽(35), 제4챔버측벽(36), 및 제5챔버측벽(37)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5, the transfer module (3) may include a first chamber side wall (33), a second chamber side wall (34), a third chamber side wall (35), a fourth chamber side wall (36), and a fifth chamber side wall (37).
상기 제1챔버측벽(33)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 출입측벽(31)으로부터 이격되어 배치된 것이다. 상기 제1챔버측벽(33)과 상기 출입측벽(31)은 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제1챔버측벽(33)과 상기 출입측벽(31)은 각각 상기 제2축방향(Y축 방향)에 대해 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1챔버측벽(33)에는 상기 챔버(2)들 중에서 제1챔버(21)가 결합될 수 있다. 상기 제1챔버(21)는 로드락챔버일 수 있다.The first chamber side wall (33) is arranged to be spaced apart from the entrance/exit side wall (31) based on the first axial direction (X-axis direction). The first chamber side wall (33) and the entrance/exit side wall (31) may be arranged to face each other. The first chamber side wall (33) and the entrance/exit side wall (31) may be arranged to be parallel to the second axial direction (Y-axis direction). The first chamber (21) among the chambers (2) may be coupled to the first chamber side wall (33). The first chamber (21) may be a load lock chamber.
상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35)은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 서로 이격되어 배치된 것이다. 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35)은 상기 출입측벽(31)의 양측에 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 출입측벽(31)의 일측에는 상기 제2챔버측벽(34)이 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 출입측벽(31)의 타측에는 상기 제3챔버측벽(35)이 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제2챔버측벽(34)에는 제2챔버(22)가 결합될 수 있다. 상기 제3챔버측벽(35)에는 제3챔버(23)가 결합될 수 있다. 상기 제2챔버(22)와 상기 제3챔버(23)는 각각 공정챔버일 수 있다.The second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35) are arranged to be spaced apart from each other based on the second axis direction (Y-axis direction). The second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35) may be arranged to be connected to both sides of the entrance/exit side wall (31). The second chamber side wall (34) may be arranged to be connected to one side of the entrance/exit side wall (31). The third chamber side wall (35) may be arranged to be connected to the other side of the entrance/exit side wall (31). The second chamber (22) may be coupled to the second chamber side wall (34). The third chamber (23) may be coupled to the third chamber side wall (35). The second chamber (22) and the third chamber (23) may each be a process chamber.
상기 제4챔버측벽(36)과 상기 제5챔버측벽(37)은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 서로 이격되어 배치된 것이다. 상기 제4챔버측벽(36)과 상기 제5챔버측벽(37)은 상기 제1챔버측벽(33)의 양측에 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제1챔버측벽(33)의 일측에는 상기 제4챔버측벽(36)이 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제4챔버측벽(36)은 상기 제1챔버측벽(33)과 상기 제2챔버측벽(34) 각각에 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제1챔버측벽(33)의 타측에는 상기 제5챔버측벽(37)이 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제5챔버측벽(37)은 상기 제1챔버측벽(33)과 상기 제3챔버측벽(35) 각각에 연결되도록 배치될 수 있다. 상기 제4챔버측벽(36)에는 제4챔버(24)가 결합될 수 있다. 상기 제5챔버측벽(37)에는 제5챔버(25)가 결합될 수 있다. 상기 제4챔버(24)와 상기 제5챔버(25)는 각각 공정챔버일 수 있다.The fourth chamber side wall (36) and the fifth chamber side wall (37) are arranged to be spaced apart from each other based on the second axial direction (Y-axis direction). The fourth chamber side wall (36) and the fifth chamber side wall (37) may be arranged to be connected to both sides of the first chamber side wall (33). The fourth chamber side wall (36) may be arranged to be connected to one side of the first chamber side wall (33). The fourth chamber side wall (36) may be arranged to be connected to each of the first chamber side wall (33) and the second chamber side wall (34). The fifth chamber side wall (37) may be arranged to be connected to the other side of the first chamber side wall (33). The fifth chamber side wall (37) may be arranged to be connected to each of the first chamber side wall (33) and the third chamber side wall (35). The fourth chamber (24) may be coupled to the fourth chamber side wall (36). The fifth chamber (25) may be coupled to the fifth chamber side wall (37). The fourth chamber (24) and the fifth chamber (25) may each be a process chamber.
상기 출입측벽(31)은 상기 제1챔버측벽(33), 상기 제2챔버측벽(34), 상기 제3챔버측벽(35), 상기 제4챔버측벽(36), 및 상기 제5챔버측벽(37) 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2챔버측벽(34)에 결합된 제2챔버(22)의 끝단과 상기 제3챔버측벽(35)에 결합된 제3챔버(23)의 끝단 간의 거리(CD1)는, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제4챔버측벽(36)에 결합된 제4챔버(24)의 끝단과 상기 제5챔버측벽(37)에 결합된 제5챔버(25)의 끝단 간의 거리(CD2)에 비해 더 짧게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 출입측벽(31) 쪽에 배치된 제2챔버(22)와 제3챔버(23)로 인한 풋프린트가 더 축소되도록 구현될 수 있다. The above-described entrance side wall (31) may be formed to have a shorter length than each of the first chamber side wall (33), the second chamber side wall (34), the third chamber side wall (35), the fourth chamber side wall (36), and the fifth chamber side wall (37). In this case, the distance (CD1) between the end of the second chamber (22) coupled to the second chamber side wall (34) and the end of the third chamber (23) coupled to the third chamber side wall (35) with respect to the second axial direction (Y-axis direction) may be implemented to be shorter than the distance (CD2) between the end of the fourth chamber (24) coupled to the fourth chamber side wall (36) and the end of the fifth chamber (25) coupled to the fifth chamber side wall (37) with respect to the second axial direction (Y-axis direction). Accordingly, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can be implemented so that the footprint is further reduced due to the second chamber (22) and the third chamber (23) arranged on the entrance side wall (31).
상기 출입측벽(31)과 상기 제2챔버측벽(34) 사이의 끼인각(IA1)은 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제4챔버측벽(36) 사이의 끼인각(IA2)에 비해 더 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(22)가 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 경사지는 방향으로 눕혀지게 배치될 수 있으므로, 상기 출입측벽(31) 쪽에 배치된 제2챔버(22)와 제3챔버(23)로 인한 풋프린트가 축소되도록 구현될 수 있다.The angle (IA1) between the entrance side wall (31) and the second chamber side wall (34) may be formed to be larger than the angle (IA2) between the second chamber side wall (34) and the fourth chamber side wall (36). Accordingly, the second chamber (22) may be arranged to lie down in a direction inclined with respect to the first axis direction (X-axis direction), so that the footprint due to the second chamber (22) and the third chamber (23) arranged on the entrance side wall (31) may be implemented to be reduced.
도 6을 참고하면, 상기 제2챔버측벽(34)의 길이(34L)는 상기 제4챔버측벽(36)의 길이(36L)에 비해 더 짧게 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 출입측벽(31) 쪽에 배치된 제2챔버(22)와 제3챔버(23)로 인한 풋프린트가 축소되도록 구현될 수 있으면서도, 상기 출입측벽(31)이 상기 기판이송장치(4)의 원활한 출입이 가능한 길이로 구현될 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.Referring to FIG. 6, the length (34L) of the second chamber side wall (34) can be formed shorter than the length (36L) of the fourth chamber side wall (36). Accordingly, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can be implemented so that the footprint due to the second chamber (22) and the third chamber (23) arranged on the entrance/exit side wall (31) is reduced, while the entrance/exit side wall (31) can be implemented with a length that allows smooth entrance/exit of the substrate transport device (4). Looking at this in detail, it is as follows.
우선, 도 6에 점선으로 도시된 바와 같이 상기 제3챔버측벽(34)의 길이(34L')와 상기 제4챔버측벽(36)의 길이(36L)가 서로 동일하게 형성된 비교예의 경우, 상기 출입측벽(31)의 길이(31L')가 너무 짧아지게 된다. 이에 따라, 비교예는 상기 기판이송장치(4)가 상기 출입측벽(31)을 통해 출입하는데 어려움이 있다.First, in the case of the comparative example in which the length (34L') of the third chamber side wall (34) and the length (36L) of the fourth chamber side wall (36) are formed to be the same as each other as shown by the dotted line in Fig. 6, the length (31L') of the entrance/exit side wall (31) becomes too short. Accordingly, in the comparative example, it is difficult for the substrate transport device (4) to enter/exit through the entrance/exit side wall (31).
다음, 도 6에 실신으로 도시된 바와 같이 상기 제3챔버측벽(34)의 길이(34L)가 상기 제4챔버측벽(36)의 길이(36L)에 비해 더 짧게 형성된 실시예의 경우, 상기 출입측벽(31)의 길이(31L)가 상기 기판이송장치(4)의 원활한 출입이 가능하도록 형성될 수 있다.Next, in the case of an embodiment in which the length (34L) of the third chamber side wall (34) is formed shorter than the length (36L) of the fourth chamber side wall (36) as shown in FIG. 6, the length (31L) of the entrance/exit side wall (31) can be formed to enable smooth entrance/exit of the substrate transfer device (4).
이와 같이 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 제2챔버측벽(34)의 길이(34L)가 상기 제4챔버측벽(36)의 길이(36L)에 비해 더 짧게 형성됨으로써, 상기 출입측벽(31) 쪽에 배치된 제2챔버(22)와 제3챔버(23)로 인한 풋프린트가 축소되도록 구현될 수 있으면서도 상기 출입측벽(31)을 통한 상기 기판이송장치(4)의 원활한 출입을 실현할 수 있다.In this way, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can be implemented so that the footprint due to the second chamber (22) and the third chamber (23) arranged on the entrance/exit side wall (31) is reduced by forming the length (34L) of the second chamber side wall (34) shorter than the length (36L) of the fourth chamber side wall (36), while realizing smooth entrance/exit of the substrate transport device (4) through the entrance/exit side wall (31).
여기서, 상기 제1챔버측벽(33), 상기 제4챔버측벽(36), 및 상기 제5챔버측벽(37) 각각은 서로 동일한 길이로 형성될 수 있다. 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35) 각각은 서로 동일한 길이로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35) 각각은 상기 출입측벽(31)에 비해 더 긴 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1챔버측벽(33), 상기 제4챔버측벽(36), 및 상기 제5챔버측벽(37) 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1챔버측벽(33), 상기 제4챔버측벽(36), 및 상기 제5챔버측벽(37) 각각이 가장 긴 길이로 형성되고, 상기 출입측벽(31)이 가장 짧은 길이로 형성될 수 있다.Here, the first chamber side wall (33), the fourth chamber side wall (36), and the fifth chamber side wall (37) may be formed with the same length as each other. The second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35) may be formed with the same length as each other. In this case, the second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35) may be formed with a longer length than the entrance/exit side wall (31), and may be formed with a shorter length than the first chamber side wall (33), the fourth chamber side wall (36), and the fifth chamber side wall (37). That is, the first chamber side wall (33), the fourth chamber side wall (36), and the fifth chamber side wall (37) may be formed with the longest length, and the entrance/exit side wall (31) may be formed with the shortest length.
이 경우, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 출입측벽(31)의 이등분점 및 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 제1챔버측벽(33)의 이등분점을 잇는 가상의 연결선을 기준으로, 상기 트랜스퍼모듈(3)의 양측은 서로 대칭되는 형태로 구현될 수 있다. 즉, 도 6을 기준으로 상기 트랜스퍼모듈(3)은 좌우로 대칭되는 형태로 구현될 수 있다. 한편, 도 6을 기준으로 상기 트랜스퍼모듈(3)은 상하로 비대칭되는 형태로 구현될 수 있다.In this case, based on a virtual connecting line connecting the bisector point of the entrance/exit side wall (31) based on the second axis direction (Y-axis direction) and the bisector point of the first chamber side wall (33) based on the second axis direction (Y-axis direction), the two sides of the transfer module (3) can be implemented in a form that is symmetrical to each other. That is, based on Fig. 6, the transfer module (3) can be implemented in a form that is symmetrical left and right. Meanwhile, based on Fig. 6, the transfer module (3) can be implemented in a form that is asymmetrical up and down.
도 2, 도 5, 및 도 7을 참고하면, 상기 기판이송장치(4)는 회전축(P1)을 기준으로 회전하면서 기판의 반입과 기판의 반출을 수행할 수 있다. 상기 회전부(42)는 상기 회전축(P1)을 중심으로 상기 이송부(41)를 회전시킴으로써, 상기 이송부(41)가 향하는 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 출입측벽(31)이 상기 회전축(P1)으로부터 이격된 제1거리(PD1) 및 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1챔버측벽(33)이 상기 회전축(P1)으로부터 이격된 제2거리(PD2)는 서로 상이하게 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1거리(PD1)는 상기 제2거리(PD2)에 비해 더 길게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판이송장치(4)의 회전축(P1)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1챔버측벽(33) 쪽으로 편심되게 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 클러스터형 기판처리장치(1)는 상기 기판처리장치(1)가 상기 챔버(2)들 각각에 대한 기판의 반입과 반출을 수행하는 과정에서, 상기 이송부(41)가 상기 챔버(2)들 각각에 대해 상기 이송암을 이동시켜야 하는 스트로크의 편차를 줄일 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIGS. 2, 5, and 7, the substrate transfer device (4) can perform substrate loading and substrate removal while rotating about the rotation axis (P1). The rotation unit (42) can change the direction in which the transfer unit (41) faces by rotating the transfer unit (41) about the rotation axis (P1). Based on the first axial direction (X-axis direction), a first distance (PD1) by which the entrance/exit side wall (31) is spaced from the rotation axis (P1) and a second distance (PD2) by which the first chamber side wall (33) is spaced from the rotation axis (P1) based on the first axial direction (X-axis direction) can be formed differently from each other. In this case, the first distance (PD1) can be formed longer than the second distance (PD2). Accordingly, the rotation axis (P1) of the substrate transfer device (4) can be arranged eccentrically toward the first chamber side wall (33) with respect to the first axis direction (X-axis direction). Therefore, the cluster-type substrate processing device (1) according to the present invention can reduce the deviation of the stroke that the transfer unit (41) must move the transfer arm for each of the chambers (2) during the process in which the substrate processing device (1) performs the loading and unloading of the substrate for each of the chambers (2). This will be examined in detail as follows.
우선, 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 회전축(P2)이 상기 출입측벽(31)과 상기 제1챔버측벽(33) 각각으로부터 동일한 거리로 이격되어 배치된 비교예의 경우, 상기 회전축(P2)은 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35) 각각으로부터 이격된 직선거리에 비해 상기 제4챔버측벽(36)과 상기 제5챔버측벽(37) 각각으로부터 이격된 직선거리가 더 긴 위치에 배치된다. 상기 트랜스퍼모듈(3)이 비등각 육각형 형태로 구현되기 때문이다. 이에 따라, 비교예의 경우, 상기 이송부(41)가 상기 제2챔버(24)와 상기 제3챔버(23) 각각에 대한 기판의 반입과 반출을 위해 상기 이송암을 이동시켜야 하는 스트로크 및 상기 이송부(41)가 상기 제4챔버(24)와 상기 제5챔버(25) 각각에 대한 기판의 반입과 반출을 위해 상기 이송암을 이동시켜야 하는 스트로크 간에 상당한 편차가 발생한다. 따라서, 비교예는 스트로크가 조절되도록 상기 이송부(41)를 제어하는데 어려움이 있다.First, in the case of a comparative example in which the rotation axis (P2) is positioned at an equal distance from each of the entrance/exit side wall (31) and the first chamber side wall (33) based on the first axis direction (X-axis direction), the rotation axis (P2) is positioned at a longer straight-line distance from each of the fourth chamber side wall (36) and the fifth chamber side wall (37) than the straight-line distance from each of the second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35). This is because the transfer module (3) is implemented in an equiangular hexagonal shape. Accordingly, in the case of the comparative example, there is a significant difference between the stroke by which the transfer unit (41) must move the transfer arm to load and unload the substrate for each of the second chamber (24) and the third chamber (23) and the stroke by which the transfer unit (41) must move the transfer arm to load and unload the substrate for each of the fourth chamber (24) and the fifth chamber (25). Therefore, the comparative example has difficulty in controlling the transfer unit (41) so that the stroke is adjusted.
다음, 상기 제1거리(PD1)가 상기 제2거리(PD2)에 비해 더 길게 구현된 실시예는, 비교예와 대비할 때 상기 회전축(P1)이 상기 제2챔버측벽(34)과 상기 제3챔버측벽(35) 각각으로부터 이격된 직선거리를 늘림과 동시에 상기 제4챔버측벽(36)과 상기 제5챔버측벽(37) 각각으로부터 이격된 직선거리를 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시예의 경우, 상기 이송부(41)가 상기 제2챔버(24)와 상기 제3챔버(23) 각각에 대한 기판의 반입과 반출을 위해 상기 이송암을 이동시켜야 하는 스트로크 및 상기 이송부(41)가 상기 제4챔버(24)와 상기 제5챔버(25) 각각에 대한 기판의 반입과 반출을 위해 상기 이송암을 이동시켜야 하는 스트로크 간에 편차를 줄일 수 있다. 따라서, 실시예는 스트로크가 조절되도록 상기 이송부(41)를 제어하는 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.Next, an embodiment in which the first distance (PD1) is implemented longer than the second distance (PD2) can increase the straight-line distance that the rotation axis (P1) is spaced apart from each of the second chamber side wall (34) and the third chamber side wall (35), while reducing the straight-line distance that the rotation axis (P1) is spaced apart from each of the fourth chamber side wall (36) and the fifth chamber side wall (37), when compared to the comparative example. Accordingly, in the case of the embodiment, it is possible to reduce the deviation between the stroke that the transfer unit (41) must move the transfer arm to load and unload substrates into and out of the second chamber (24) and the third chamber (23), and the stroke that the transfer unit (41) must move the transfer arm to load and unload substrates into and out of the fourth chamber (24) and the fifth chamber (25). Therefore, the embodiment can improve the ease of operation of controlling the transfer unit (41) so that the stroke is adjusted.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the attached drawings, and it will be apparent to those skilled in the art that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope that does not depart from the technical spirit of the present invention.
1 : 클러스터형 기판처리장치 2 : 챔버
3 : 트랜스퍼모듈 4 : 기판이송장치
21 : 제1챔버 22 : 제2챔버
23 : 제3챔버 24 : 제4챔버
25 : 제5챔버 31 : 출입측벽
32 : 챔버측벽 33 : 제1챔버측벽
34 : 제2챔버측벽 35 : 제3챔버측벽
36 : 제4챔버측벽 37 : 제5챔버측벽1: Cluster type substrate processing device 2: Chamber
3: Transfer module 4: Substrate transfer device
21:
23: 3rd chamber 24: 4th chamber
25: Chamber 5 31: Entrance side wall
32: Chamber side wall 33: First chamber side wall
34: Second chamber side wall 35: Third chamber side wall
36: 4th chamber side wall 37: 5th chamber side wall
Claims (11)
상기 트랜스퍼모듈에 연결되도록 상기 트랜스퍼모듈에 결합된 복수개의 챔버(Chamber)를 포함하고,
상기 트랜스퍼모듈은 상기 기판이송장치의 출입(出入)을 위한 출입측벽, 및 상기 챔버들이 결합되기 위한 복수개의 챔버측벽을 포함하며,
상기 출입측벽은 상기 챔버측벽들 각각에 비해 더 짧은 길이로 형성되고,
상기 챔버측벽들 각각의 길이 및 상기 출입측벽의 길이는 다각형 형태를 이루는 트랜스퍼모듈이 갖는 변의 길이이고, 상기 트랜스퍼모듈의 내부를 둘러싸는 방향을 기준으로 하는 길이이며,
상기 챔버측벽들 중에서 제1챔버측벽은 제1축방향을 따라 상기 출입측벽으로부터 이격되어서 상기 출입측벽과 마주보도록 배치되고,
상기 챔버측벽들 중에서 제2챔버측벽과 제3챔버측벽은 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 따라 서로 이격되어서 상기 출입측벽의 양측에 연결되도록 배치되며,
상기 챔버측벽들 중에서 제4챔버측벽과 제5챔버측벽은 상기 제2축방향을 따라 서로 이격되어서 상기 제1챔버측벽의 양측에 연결되도록 배치되고,
상기 제4챔버측벽은 상기 제2챔버측벽과 상기 제1챔버측벽 각각에 연결되도록 배치되며,
상기 제5챔버측벽은 상기 제3챔버측벽과 제1챔버측벽 각각에 연결되도록 배치되고,
상기 제1챔버측벽, 상기 제4챔버측벽, 및 상기 제5챔버측벽 각각은 서로 동일한 길이로 형성되며,
상기 출입측벽은 상기 제1챔버측벽, 상기 제4챔버측벽, 및 상기 제5챔버측벽 각각의 길이에 비해 더 짧은 길이로 형성되고,
상기 제2챔버측벽과 상기 제3챔버측벽 각각은 서로 동일한 길이로 형성되되, 상기 출입측벽에 비해 더 긴 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1챔버측벽, 상기 제4챔버측벽, 및 상기 제5챔버측벽 각각의 길이에 비해 더 짧은 길이로 형성되며,
상기 트랜스퍼모듈에는 상기 기판이송장치가 회전축을 기준으로 회전하면서 기판의 반입과 기판의 반출을 수행하도록 상기 기판이송장치가 설치되고,
상기 제1축방향을 따라 상기 출입측벽이 상기 기판이송장치의 회전축으로부터 이격된 제1거리는 상기 제1축방향을 따라 상기 제1챔버측벽이 상기 기판이송장치의 회전축으로부터 이격된 제2거리에 비해 더 긴 것을 특징으로 하는 클러스터형 기판처리장치.A transfer module having a substrate transfer device installed to perform substrate loading and removal; and
Comprising a plurality of chambers coupled to the transfer module so as to be connected to the transfer module,
The above transfer module includes an entrance side wall for entering and exiting the substrate transfer device, and a plurality of chamber side walls for combining the chambers.
The above entrance side wall is formed with a shorter length than each of the chamber side walls,
The length of each of the chamber side walls and the length of the entrance side wall are the lengths of the sides of the polygonal transfer module, and are lengths based on the direction surrounding the interior of the transfer module.
Among the chamber side walls, the first chamber side wall is spaced apart from the entrance side wall along the first axial direction and is arranged to face the entrance side wall.
Among the chamber side walls, the second chamber side wall and the third chamber side wall are arranged to be spaced apart from each other along the second axis direction perpendicular to the first axis direction and connected to both sides of the entrance side wall.
Among the above chamber side walls, the fourth chamber side wall and the fifth chamber side wall are arranged to be spaced apart from each other along the second axial direction and connected to both sides of the first chamber side wall.
The above fourth chamber side wall is arranged to be connected to each of the second chamber side wall and the first chamber side wall,
The above fifth chamber side wall is arranged to be connected to each of the third chamber side wall and the first chamber side wall,
The first chamber side wall, the fourth chamber side wall, and the fifth chamber side wall are each formed to have the same length,
The above entrance side wall is formed to have a shorter length than the lengths of each of the first chamber side wall, the fourth chamber side wall, and the fifth chamber side wall.
The second chamber side wall and the third chamber side wall are each formed to have the same length, but are formed to have a longer length than the entrance side wall, and are formed to have a shorter length than the lengths of the first chamber side wall, the fourth chamber side wall, and the fifth chamber side wall, respectively.
The substrate transfer device is installed in the above transfer module so that the substrate transfer device rotates around the rotation axis to perform substrate loading and removal.
A cluster-type substrate processing device, characterized in that the first distance along the first axial direction by which the entrance/exit side wall is spaced apart from the rotational axis of the substrate transport device is longer than the second distance along the first axial direction by which the first chamber side wall is spaced apart from the rotational axis of the substrate transport device.
상기 출입측벽의 길이는 상기 챔버측벽들 중에서 가장 긴 길이를 갖는 챔버측벽의 길이에 대해 0.3배 이상 0.5배 이하인 것을 특징으로 하는 클러스터형 기판처리장치.In the first paragraph,
A cluster-type substrate processing device, characterized in that the length of the above entrance side wall is 0.3 to 0.5 times greater than the length of the chamber side wall having the longest length among the chamber side walls.
상기 출입측벽과 상기 챔버측벽들은 6개의 내각(內角)을 갖는 육각형 형태를 이루도록 배치되되, 상기 내각들 중에서 적어도 하나의 내각이 상이한 각도로 형성된 비등각 육각형 형태를 이루도록 배치된 것을 특징으로 하는 클러스터형 기판처리장치.In the first paragraph,
A cluster-type substrate processing device characterized in that the entrance side wall and the chamber side wall are arranged to form a hexagonal shape having six internal angles, and at least one of the internal angles is arranged to form an equiangular hexagonal shape formed at a different angle.
상기 출입측벽과 상기 제2챔버측벽 사이의 끼인각(Included Angle)은 상기 제2챔버측벽과 상기 제4챔버측벽 사이의 끼인각에 비해 더 큰 것을 특징으로 하는 클러스터형 기판처리장치.In the first paragraph,
A cluster-type substrate processing device, characterized in that the included angle between the entrance side wall and the second chamber side wall is larger than the included angle between the second chamber side wall and the fourth chamber side wall.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190125081A KR102720200B1 (en) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | Cluster Type Apparatus for Processing Substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190125081A KR102720200B1 (en) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | Cluster Type Apparatus for Processing Substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210042478A KR20210042478A (en) | 2021-04-20 |
| KR102720200B1 true KR102720200B1 (en) | 2024-10-21 |
Family
ID=75743342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190125081A Active KR102720200B1 (en) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | Cluster Type Apparatus for Processing Substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102720200B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073542A (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum chamber and vacuum processing device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101123624B1 (en) * | 2004-07-15 | 2012-03-20 | 주성엔지니어링(주) | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US8758514B2 (en) * | 2007-03-02 | 2014-06-24 | Asm Japan K.K. | Cluster type semiconductor processing apparatus |
| KR20130078722A (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Transfer chamber having the side door |
| WO2015100375A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Kateeva, Inc. | Thermal treatment of electronic devices |
| KR101845797B1 (en) * | 2016-04-21 | 2018-04-10 | 주식회사 라온테크 | Substrate transfer robot and substrate processing equipment using the same |
| JP7234549B2 (en) * | 2018-09-12 | 2023-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum transfer module and vacuum transfer method |
-
2019
- 2019-10-10 KR KR1020190125081A patent/KR102720200B1/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073542A (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum chamber and vacuum processing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210042478A (en) | 2021-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100490702B1 (en) | Multi cluster module | |
| KR100847888B1 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus | |
| US10707106B2 (en) | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules | |
| US8328940B2 (en) | Apparatus for transferring a substrate | |
| JP2012195513A (en) | Plasma processing apparatus | |
| WO2013147481A1 (en) | Apparatus and cluster equipment for selective epitaxial growth | |
| TW201304039A (en) | Apparatus and mothod for treating substrate | |
| TW201310572A (en) | Apparatuses, systems and methods for treating substrate | |
| WO2015072691A1 (en) | Atomic layer deposition apparatus and method | |
| US8052887B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR101069839B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR102720200B1 (en) | Cluster Type Apparatus for Processing Substrate | |
| KR20130074416A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR101039231B1 (en) | PCB manufacturing apparatus | |
| KR101022314B1 (en) | Chemical Vapor Deposition Equipment for Thin Film Solar Cell Manufacturing | |
| KR101069537B1 (en) | Apparutus for manufacturing substrate | |
| KR100914399B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
| KR101028409B1 (en) | Semi-batch type process module and atomic layer deposition apparatus having the same | |
| US20230311153A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20080071682A (en) | Load lock chamber and semiconductor manufacturing apparatus using the same | |
| US20230230865A1 (en) | Semiconductor substrate processing apparatus | |
| US20230212749A1 (en) | Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same | |
| KR20140006404U (en) | Semiconductor Apparatus of Furnace Type | |
| KR20110016642A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20080090799A (en) | Evaporation apparatus and method for forming semiconductor device using same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20191010 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20220328 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20191010 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20231214 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20240716 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20241016 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20241016 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |