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KR102704438B1 - 광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 Download PDF

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KR102704438B1
KR102704438B1 KR1020180129334A KR20180129334A KR102704438B1 KR 102704438 B1 KR102704438 B1 KR 102704438B1 KR 1020180129334 A KR1020180129334 A KR 1020180129334A KR 20180129334 A KR20180129334 A KR 20180129334A KR 102704438 B1 KR102704438 B1 KR 102704438B1
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KR
South Korea
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conversion element
color
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light
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정의석
김지현
박준홍
전준
강훈
박정민
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예들은, 기판과, 기판 위에 배치된 제1컬러필터와, 기판 위에 배치되되 제1컬러필터와 소정의 간격 이격된 제2컬러필터와, 제1컬러필터 위에 위치하며 입사광을 제1컬러의 광으로 변환하는 제1색변환 요소와, 제2컬러필터 위에 위치하며 입사광을 제2컬러의 광으로 변환하는 제2색변환 요소, 및 제1색변환 요소와 상기 제2색변환 요소 사이에 위치하되 일부가 제1컬러필터와 제2컬러필터 사이에 위치하도록 연장된 블랙 매트릭스를 포함하는, 광학필터 기판, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{Optical filter substrate and display device including the same}
본 발명의 실시예들은 광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
핸드폰, PDA, 컴퓨터, 대형 TV와 같은 각종 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 다양한 종류의 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 예컨대, 시장에서 널리 사용되는 디스플레이 장치는 백라이트 유닛을 구비하는 액정 디스플레이 장치, 또는 각 화소영역마다 서로 다른 컬러의 빛을 방출하는 유기 발광 디스플레이 장치가 있다.
전술한 종류의 디스플레이 장치 외에 양자점을 이용한 양자점 디스플레이 장치에 대한 개발이 진행되고 있다. 본 발명의 실시예들은 소정의 컬러의 빛을 다른 컬러의 빛으로 변환하는 요소를 포함하는 광학필터 기판 및 이를 구비한 디스플레이 장치, 예컨대 양자점 디스플레이 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 제1컬러필터; 상기 기판 위에 배치되되 상기 제1컬러필터와 소정의 간격 이격된 제2컬러필터; 상기 제1컬러필터 위에 위치하며, 입사광을 제1컬러의 광으로 변환하는 제1색변환 요소; 상기 제2컬러필터 위에 위치하며, 입사광을 제2컬러의 광으로 변환하는 제2색변환 요소; 및 상기 제1색변환 요소와 상기 제2색변환 요소 사이에 위치하되, 일부가 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 사이에 위치하도록 연장된 블랙 매트릭스;를 포함하는, 광학필터 기판를 개시한다.
일 실시예로, 상기 제1색변환 요소와 상기 제1컬러필터 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2컬러필터 사이에 개재되는 제1배리어층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 위에 위치하며 소수성을 갖는 제1코팅요소; 및 상기 제2색변환 요소 위에 위치하며 소수성을 갖는 제2코팅요소;를 더 포함할 수 있다.
이 때, 상기 제1코팅요소와 상기 제2코팅요소는 상호 이격될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소와 상기 제1코팅요소 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2코팅요소 사이에 개재되는 제2배리어층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소 각각은, 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소를 커버하는 오버코트층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 소정의 색상의 빛을 방출하는 광원 기판; 및 상기 광원 기판과 마주보는 광학필터 기판;을 포함하며,
상기 광학필터 기판은, 상기 광원 기판에서 방출된 빛을 제1컬러의 빛으로 변환하는 제1색변환 요소; 상기 광원 기판에서 방출된 빛을 제2컬러의 빛으로 변환하며 상기 제1색변환 요소와 이웃하는 제2색변환 요소; 상기 제1색변환 요소를 지난 빛의 진행 경로 상에 위치하는 제1컬러필터; 상기 제2색변환 요소를 지난 빛의 진행 경로 상에 위치하는 제2컬러필터; 및 상기 제1색변환 요소와 상기 제2색변환 요소 사이에 위치하되, 일부가 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 사이에 위치하도록 연장된 블랙 매트릭스;를 포함하는, 디스플레이 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소 상에 각각 배치되는 제1코팅요소 및 제2코팅요소를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광원 기판은, 기판; 및 상기 기판 상에 위치하되, 청색의 빛을 방출하는 복수의 다이오드;를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 광원 기판은 상기 다이오드에 전기적으로 연결되며, 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다이오드는 유기발광 다이오드 또는 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다이오드는, 제1전극, 상기 제1전극과 마주보는 제2전극, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 발광층을 포함하고, 상기 광원 기판은 상기 제1전극과 대응하는 개구를 포함하는 화소정의막을 포함하되, 상기 화소정의막의 개구의 폭은, 상기 제1코팅요소 및 상기 제2코팅요소 중 상기 개구와 대응하는 코팅요소의 폭와 동일하거나 그 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소와 상기 제1컬러필터 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2컬러필터 사이에 개재되는 제1배리어층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판과 마주보는 상기 블랙 매트릭스의 제1면은, 상기 제1배리어층을 사이에 개재한 채 상기 기판으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소는 각각, 상기 기판에서 멀어지는 방향을 따라 테이퍼진 측면을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소는 각각, 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1색변환 요소 또는 상기 제2색변환 요소와 인접하게 배치되며, 상기 광원 기판에서 방출된 빛을 투과사키는 투과 요소를 더 포함하며, 상기 제1색변환 요소, 상기 제2색변환 요소 및 상기 투과 요소 중 적어도 어느 하나는, 산란 입자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판으로부터 상기 블랙 매트릭스까지의 높이는, 상기 기판으로부터 상기 제1색변환 요소의 높이 또는 상기 기판으로부터 상기 제2색변환 요소의 높이 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광학필터 기판은, 상기 제1색변환 요소, 상기 제2색변환 요소 및 블랙 매트릭스를 커버하는 오버코트층을 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 광학필터 기판은 블랙 매트릭스를 이용하여 컬러의 순도를 향상시킬 수 있고 색섞임을 방지할 수 있다. 또한, 소수성 코팅요소를 이용함으로써 이웃한 영역들 사이에 위치하는 블랙 매트릭스의 위치를 정밀하게 제어할 수 있다. 그리고, 전술한 광학필터 기판을 이용하여 각 화소영역마다 서로 다른 컬러의 빛을 방출할 수 있는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학필터 기판의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학필터 기판의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학필터 기판의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학필터 기판의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 화소회로의 등가 회로도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학필터 기판의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(110, 이하 제1기판이라 함) 상에 컬러필터층(120)을 형성한다. 컬러필터층(120)은 제1기판(110)의 제1면(110A) 상에 형성된다. 컬러필터층(120)은 제1영역(A1), 제2영역(A2) 및 제3영역(A3)에 각각 위치하는 제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)를 포함할 수 있다. 전술한 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)은 제1기판(110)의 일부 영역을 나타낼 수 있다. 즉, 제1기판(110)이 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)을 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)은 상호 이격되며, 제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)은 상호 이격되도록 배치될 수 있다.
제1기판(110)은 투명한 글래스재 또는 투명한 수지재를 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 제1기판(110)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 글래스 기판일 수 있다. 다른 실시예로서, 제1기판(110)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등을 포함할 수 있으며, 전술한 고분자 수지는 투명할 수 있다. 제1기판(110)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 단일 층이거나, 다층일 수 있다. 일 실시예로서, 다층인 제1기판(110)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 외에 다른 층, 예컨대 무기 절연층이나 점착층 등을 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)은 각각 제1기판(110)의 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에 패터닝될 수 있다.
예컨대, 제1기판(110) 상에 제1컬러(예, 적색)의 안료 또는 염료를 포함하는 제1감광성 컬러층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제1영역(A1)에 위치하는 제1컬러필터(121)를 형성할 수 있다. 이 후, 제2컬러(예, 녹색)의 안료 또는 염료를 포함하는 제2감광성 컬러층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2영역(A2)에 위치하는 제2컬러필터(122)를 형성할 수 있다. 그리고, 제3컬러(예, 청색)의 안료 또는 염료를 포함하는 제3감광성 컬러층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝하여 제3영역(A3)에 위치하는 제3컬러필터(123)를 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)가 형성된 제1기판(110) 상에 제1배리어층(130)을 형성한다. 제1배리어층(130)은 제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)의 아웃 개싱을 방지할 수 있다. 제1배리어층(130)은 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1배리어층(130)은 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 제1배리어층(130)은 유기절연물을 포함하거나, 무기절연물 및 유기절연물을 포함할 수 있다.
이후, 제1배리어층(130) 상에 제1굴절률층(140)을 형성할 수 있다. 제1굴절률층(140)은 제1굴절률을 갖는 층으로서, 후술할 공정에서 형성될 색변환·투과층(150, 도 3 참조)을 통과한 빛의 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1굴절률은 후술할 공정에서 형성될 색변환·투과층(150)의 제1 및 제2색변환 요소(151, 152)과 투과 요소(153) 각각의 굴절률 보다 작을 수 있으며, 따라서 후술하는 디스플레이 장치에서 전반사를 유도함으로써 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1굴절률층(140)은 무기물로 형성되거나, 유기물로 형성될 수 있다. 제1굴절률층(140)의 제1굴절률은 약 1.4보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 제1굴절률층(140)은 예컨대 1.2이거나 그 보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 색변환·투과층(150)의 제1 및 제2색변환 요소(151, 152)과 투과 요소(153) 각각의 굴절률은 1.4이상의 굴절률, 예컨대 1.4~1.7의 굴절률을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제1굴절률층(140)은 생략될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1배리어층(130) 및/또는 제1굴절률층(140) 상에 색변환·투과층(150)을 형성한다. 색변환·투과층(150)은 제1영역(A1)에 위치하는 제1색변환 요소(151), 제2영역(A2)에 위치하는 제2색변환 요소(152), 및 제3영역(A3)에 위치하는 투과 요소(153)를 포함할 수 있다. 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및 투과 요소(153)는 상호 이격될 수 있다.
제1색변환 요소(151)는 제1컬러필터(121)와 중첩하고, 제2색변환 요소(152)는 제2컬러필터(122)와 중첩하며, 투과 요소(153)는 제3컬러필터(123)와 중첩할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2컬러필터(121, 122) 사이의 갭은 제1 및 제2색변환 요소(151,152) 사이의 갭과 공간적으로 연결될 수 있다. 마찬가지로, 제2 및 제3컬러필터(122, 123) 사이의 갭은 제2색변환 요소(152)와 투과 요소(153) 사이의 갭과 공간적으로 연결될 수 있다. 도 3에 도시되지는 않았으나, 제3 및 제1컬러필터(123, 121) 사이의 갭은 투과 요소(153)와 제1색변환 요소(151) 사이의 갭과 공간적으로 연결될 수 있다.
제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및 투과 요소(153)는 각각 개별적으로 형성될 수 있다.
제1색변환 요소(151)는 감광성 물질(M1), 및 제1색변환 요소(151)로 입사된 입사광을 제1컬러(예, 적색)의 광으로 변환하는 양자점(154)을 포함할 수 있다. 감광성 물질은 아크릴 수지계열의 물질을 포함할 수 있다. 제1색변환 요소(151)는 전술한 감광성 물질(M1) 및 양자점(154)을 포함하는 층을 형성한 후 이를 노광하고 현상하여 형성할 수 있다.
제1색변환 요소(151)에 포함된 각각의 양자점(154)은, 제1색변환 요소(151)로 입사된 입사광(예, 청색광)을 적색광으로 변환할 수 있다. 일 실시예로서, 적색광은 약 620 nm 내지 약 750nm에서 피크파장을 가질 수 있다.
제2색변환 요소(152)는 감광성 물질(M2), 및 제2색변환 요소(152)로 입사된 입사광을 제2컬러(예, 녹색)의 광으로 변환하는 양자점(155)을 포함할 수 있다. 감광성 물질은 아크릴 수지계열의 물질을 포함할 수 있다. 제2색변환 요소(152)는 전술한 감광성 물질(M2) 및 양자점(155)을 포함하는 층을 형성한 후 이를 노광하고 현상하여 형성할 수 있다.
제2색변환 요소(152)에 포함된 각각의 양자점(155)은, 제2색변환 요소(152)로 입사된 입사광(예, 청색광)을 녹색광으로 변환할 수 있다. 일 실시예로서 녹색광은 약 490 nm 내지 약 570nm에서 피크파장을 가질 수 있다.
제1 및 제2색변환 요소(151, 152)의 양자점(154, 155)은 코어구조 또는 코어-쉘 구조로 이루어질 수 있다. 일 실시예로서, 양자점(154, 155)은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, InAs, ZnSe, ZnO, ZnTe, InP, GaP, InGaN, 및 InN 중에서 선택된 어느 하나를 구비하는 코어를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서, 양자점(154, 155)은 전술한 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 더 포함할 수 있다. 쉘은 ZnS, ZnSe, GaP, 및 GaN 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1색변환 요소(151)의 양자점(154)의 크기는, 제2색변환 요소(152)의 양자점(155)의 크기와 서로 다를 수 있다. 양자점은 크기가 작을수록 상대적으로 짧은 파장의 빛을 방출하므로, 제2색변환 요소(152)에 포함된 양자점(155)의 크기는 제2색변환 요소(152)에 포함된 양자점(154)의 크기보다 작게 형성될 수 있다.
투과 요소(153)는 입사광을 투과시키는 감광성 물질(M3)을 포함할 수 있다. 예컨대, 투과 요소(153)를 통과한 빛은 투과 요소(153)로 입사된 입사광(예, 청색광)과 같은 컬러를 가질 수 있다.
투과 요소(153)는 전술한 감광성 물질(M3)을 포함하는 층을 형성한 후 이를 노광하고 현상하여 형성할 수 있다. 감광성 물질(M3)은 아크릴수지 계열의 물질을 포함할 수 있다.
투과 요소(153)는 전술한 감광성 물질(M3)에 분산된 산란 입자(156)들을 포함할 수 있다. 예컨대, 투과 요소(153)는 티타늄옥사이드(TiO2)와 같은 산란 입자(156)를 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및/또는 투과 요소(153)의 두께는, 제1 내지 제3컬러필터(121, 122, 123)의 두께 보다 클 수 있다. 일 실시예로, 약 4㎛ 내지 10㎛의 두께, 보다 구체적으로 6㎛~8㎛의 두께를 가질 수 있다.
제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및/또는 투과 요소(153)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1기판(110)에서 멀어지는 방향을 따라 폭이 줄어드는 대략 사다리꼴의 형상일 수 있다. 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및/또는 투과 요소(153)의 측면들은 제1기판(110)에서 멀어지는 방향을 따라 테이퍼질 수 있다.
도 3에 도시되지는 않았으나, 제1 및 제2색변환 요소(151, 152) 중 적어도 어느 하나는 양자점(154, 155) 및 티타늄옥사이드와 같은 산란입자를 더 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 색변환·투과층(150) 상에 제2배리어층(160)을 형성한다. 제2배리어층(160)은 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및 투과 요소(153)의 아웃 개싱을 방지할 수 있다. 제2배리어층(160)은 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2배리어층(160)은 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 제2배리어층(160)은 유기절연물을 포함할 수 있다.
제2배리어층(160)은 색변환·투과층(150)을 커버하도록 제1기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 제2배리어층(160)은 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3) 중 인접한 2개의 영역 사이에서 제1굴절률층(140)과 접촉할 수 있다. 이와 관련하여, 도 4는 제2배리어층(160)이 제1 및 제2영역(A1, A2) 사이, 그리고 제2및 제3영역(A2, A3) 사이에서 제1굴절률층(140)과 접촉한 것을 도시한다. 다른 실시예로, 제1굴절률층(140)이 생략되는 경우, 제2배리어층(160)은 제1 및 제2영역(A1, A2) 사이에서 제1배리어층(130)과 직접 접촉할 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2배리어층(160) 상에 소수성 코팅층(170)을 형성한다. 소수성 코팅층(170)은 제1영역(A1)에 위치하는 제1코팅요소(171), 제2영역(A2)에 위치하는 제2코팅요소(172), 및 제3영역(A3)에 위치하는 제3코팅요소(173)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)은 각각 소수성을 갖는 물질로서, 예컨대 플루오린계 물질을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)은 각각 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에 대응하도록 패터닝될 수 있다. 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)은 상호 이격될 수 있다.
제1코팅요소(171)의 폭(W3a)은 제1색변환 요소(151)의 제1면(151A)의 폭(W2a)과 같거나 그 보다 클 수 있다. 제2코팅요소(172)의 폭(W3b)은 제2색변환 요소(152)의 제1면(152A)의 폭(W2b)과 같거나 그 보다 클 수 있다. 유사하게, 제3코팅요소(173)의 폭(W3c)은 투과 요소(153)의 제1면(153A)의 폭(W2c)과 같거나 그 보다 클 수 있다. 여기서, 제1색변환 요소(151)의 제1면(151A)은 제1색변환 요소(151) 중 제1기판(110)을 향하는 제2면(151B)의 반대편 면에 해당한다. 제2색변환 요소(152)의 제1면(152A)은 제2색변환 요소(152) 중 제1기판(110)을 향하는 제2면(152B)의 반대편 면을 나타내고, 투과 요소(153)의 제1면(153A)은 투과 요소(153) 중 제1기판(110)을 향하는 제2면(153B)의 반대편 면을 나타낸다.
제1색변환 요소(151)의 제2면(151B)의 폭(W2d)은 제1컬러필터(121)의 폭(W1a)과 같거나 그 보다 작을 수 있다. 이와 관련하여, 도 5에는 제1색변환 요소(151)의 제2면(151B)의 폭(W2d)이 제1컬러필터(121)의 폭(W1a)과 같은 것을 도시한다. 도 8을 참조하여 후술하는 바와 같이 제1색변환 요소(151)를 지난 빛은 제1컬러필터(121)를 통과하면서 색 순도가 향상될 수 있는데, 제1색변환 요소(151)의 제2면(151B)의 폭(W2d)이 제1컬러필터(121)의 폭(W1a)보다 크게 형성되며 제1색변환 요소(151) 중 일부가 제1컬러필터(121)와 중첩하지 않는다면, 제1색변환 요소(151)를 지난 빛 중 제1컬러필터(121)를 지나지 않고 제1기판(110)을 지나 외부로 방출되는 빛이 야기되며 따라서 제1영역(A1)에서 방출되는 제1컬러의 빛(예, 적색광)의 색 순도가 저하될 수 있다.
유사하게, 제2색변환 요소(152)의 제2면(152B)의 폭(W2e)은 제2컬러필터(122)의 폭(W1b)과 같거나 그 보다 작을 수 있다. 투과 요소(153)의 제2면(153B)의 폭(W2f)은 제3컬러필터(123)의 폭(W1c)과 같거나 그 보다 작을 수 있다. 이와 관련하여 도 5에서는, 제2색변환 요소(152)의 제2면(152B)의 폭(W2e)이 제2컬러필터(122)의 폭(W1b)과 같고, 투과 요소(153)의 제2면(153B)의 폭(W2f)이 제3컬러필터(123)의 폭(W1c)과 같은 것을 도시한다.
도 6을 참조하면, 블랙 매트릭스(180)를 형성한다. 블랙 매트릭스(180)는 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3) 중 이웃한 영역들 사이에 배치된다. 블랙 매트릭스(180)는 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. 잉크젯 방식으로 형성되는 블랙 매트릭스(180)는 별도의 마스크 공정 및/또는 포토리소그래피 공정을 수행하지 않아도 되므로 공정을 단순화할 수 있으며 비용을 줄일 수 있다.
컬러필터층(120) 중 이웃한 컬러필터들 사이의 갭(이하, 제1갭이라 함)과 색변환·투과층(150) 중 이웃한 요소들 사이의 갭(이하, 제2갭이라 함)은 서로 공간적으로 연결되어 있으므로, 블랙 매트릭스(180)를 형성하는 물질은 제1 및 제2갭을 동시에 채울 수 있다. 블랙 매트릭스(180)는 색변환·투과층(150) 중 이웃한 요소들의 측면들과 전체적으로 중첩할 수 있다. 예컨대, 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152), 및 투과 요소(153) 각각의 측면들은 블랙 매트릭스(180)의 측면에 의해 전체적으로 커버될 수 있다. 블랙 매트릭스(180)의 측면은 색변환·투과층(150)에 구비된 요소들의 측면들과 컬러필터층(120)의 컬러필터들의 측면들을 동시에 커버할 수 있다. 블랙 매트릭스(180)의 제2면(180B)은 제2배리어층(160)과 직접 접촉할 수 있다. 즉, 블랙 매트릭스(180)의 제2면(180B)은 제1기판(110)의 제1면(110A)과 소정의 간격 이격될 수 있으며, 블랙 매트릭스(180)의 제2면(180B)과 제1기판(110)의 제1면(110A) 사이에는 제1 및 제2배리어층(130, 160)과 제1굴절률층(140)이 개재될 수 있다.
제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152) 및 투과 요소(153) 각각을 지난 빛은 사방으로 진행할 수 있다. 예컨대, 제1색변환 요소(151)에서 방출된 제1컬러의 빛(예, 적색광)이 제2색변환 요소(152) 또는 투과 요소(153)를 향해 진행할 수 있는데, 이 때 블랙 매트릭스(180)는 제1색변환 요소(151)에서 방출되는 제1컬러의 빛 중 제2색변환 요소(152) 또는 투과 요소(153)로 진행하는 빛을 차단할 수 있다. 마찬가지로, 블랙 매트릭스(180)는 제2색변환 요소(152)에서 방출된 제2컬러의 빛(예, 녹색광)이 이웃한 제1색변환 요소(151) 또는 투과 요소(153)로 진행하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 투과 요소(153)에서 방출된 제3컬러의 빛이 이웃한 제2색변환 요소(152) 또는 제1색변환 요소(151)로 진행하는 것을 차단할 수 있다.
소수성을 갖는 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)는 블랙 매트릭스(180)를 형성하는 물질의 흐름을 제어할 수 있다. 예컨대, 블랙 매트릭스(180)를 형성하는 물질은 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173) 상으로 넘치지 않을 수 있다. 블랙 매트릭스(180)의 제1면(180A)의 위치 또는/및 폭은 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)에 의해 제어될 수 있다. 블랙 매트릭스(180)의 높이, 예컨대 제1기판(110)으로부터 블랙 매트릭스(180)의 제1면(180A)까지의 높이(H0)는, 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173) 각각의 끝단의 위치에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 블랙 매트릭스(180)의 제1면(180A)의 끝단은 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173) 각각의 끝단과 직접 접촉할 수 있다.
제1기판(110)으로부터 블랙 매트릭스(180)까지의 높이(H0)는, 제1기판(110)으로부터 색변환·투과층(150)의 요소들 각각의 높이(H1, H2, H3) 보다 클 수 있다. 제1기판(110)으로부터 블랙 매트릭스(180)의 높이(H0). 즉 제1기판(110)으로부터 블랙 매트릭스(180)의 제1면(180A)의 높이(H0)는, 제1기판(110)으로부터 소수성 코팅층(170)의 코팅요소들 각각의 높이(H4, H5, H6)와 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 제1기판(110)으로부터 블랙 매트릭스(180)의 높이(H0)가 제1기판(110)으로부터 소수성 코팅층(170)의 코팅요소들 각각의 높이와 실질적으로 동일하다고 함은, 블랙 매트릭스(180)의 높이(H0)는, 제1기판(110)으로부터 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173) 중 어느 하나의 높이(H4, H5, H6)와의 차이가 ±15% 이하이거나, ±10% 이하인 것을 의미할 수 있다.
블랙 매트릭스(180)의 폭은 색변환·투과층(150)의 요소들에 의존할 수 있다. 예컨대, 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1색변환 요소(151), 제2색변환 요소(152) 및 투과 요소(153)가 제1기판(110)에서 멀어지는 방향을 따라 폭이 증가하는 사다리꼴의 단면을 갖는 경우, 블랙 매트릭스(180)의 일부는 제1기판(110)에서 멀어지는 방향을 따라 폭이 감소하는 역사다리꼴의 단면을 가질 수 있다.
도 7을 참조하면, 오버코트층(190)을 제1기판(110) 상에 전체적으로 형성한다. 오버코트층(190)은 수지와 같은 유기물을 포함할 수 있으며, 전술한 유기물은 투명할 수 있다. 오버코트층(190)은 블랙 매트릭스(180)의 제1면(180A) 및 이웃하는 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)와의 사이에서 발생할 수 있는 단차(또는 요철)을 커버할 수 있다. 오버코트층(190)의 제1면(190A)은 편평할 수 있다. 일 실시예로, 오버코트층(190)은 약 1㎛ 내지 4㎛의 두께를 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광학필터 기판의 개념을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 오버코트층(190)의 제1면(190A)은 광학필터 기판(100)로 입사되는 빛의 입사면에 해당하고, 제1기판(110)의 제2면(110B)은 광학필터 기판(100)로부터 나가는 빛의 출광면에 해당할 수 있다.
광학필터 기판(100)을 향해 입사한 청색광은, 제1영역(A1)에 배치된 제1색변환 요소(151)를 지나면서 적색광으로 변환될 수 있다. 예컨대, 제1색변환 요소(151)의 양자점은 입사광인 청색광을 흡수하고, 입사광의 파장보다 긴 제1파장대역의 적색광을 방출할 수 있다. 제1색변환 요소(151)에 입사되었으나 양자점에 의해 변환되지 못한 청색광이 외부로 방출되는 경우 제1영역(A1)에서의 빛의 색 순도가 저하될 수 있다. 그러나, 본 실시예에 따르면 제1파장대역(예, 적색의 파장대역)의 빛을 통과시키는 제1컬러필터(121)가 제1색변환 요소(151)와 중첩하게 배치되고, 전술한 바와 같이 블랙 매트릭스(180)가 제1컬러필터(121)와 이웃한 컬러필터(예, 제2컬러필터) 사이 그리고 제1색변환 요소(151)와 이웃한 요소(예, 제2색변환 요소) 사이에 개재되므로, 제1파장대역을 벗어난 빛이 광학필터 기판(100)을 지나 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다.
유사하게, 광학필터 기판(100)을 향해 입사한 청색광은, 제2영역(A2)에 배치된 제2색변환 요소(152)를 지나면서 녹색광으로 변환될 수 있다. 제2색변환 요소(152)의 양자점은 입사광인 청색광을 흡수하고, 입사광의 파장보다 긴 제2파장대역의 녹색광을 방출할 수 있다. 제2파장대역(예, 녹색의 파장대역)의 빛을 통과시키는 제2컬러필터(122)가 제2색변환 요소(152)외 중첩하게 배치되며, 제2색변환 요소(152) 주변에 블랙 매트릭스(180)가 배치되므로, 제2파장대역을 벗어난 빛이 광학필터 기판(100)을 지나 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다.
투과 요소(153)로 입사한 청색광은 투과 요소(153)를 지나 외부로 방출될 수 있다. 투과 요소(153)에 포함된 산란 입자들에 의해 투과 요소를 지나는 청색광의 광 효율이 향상될 수 있다.
제3컬러필터(123)는 투과 요소(153)와 중첩하게 배치되며, 투과 요소(153)를 지난 청색광은 제3컬러필터(123)를 지나 외부로 방출될 수 있다. 투과 요소(153)를 지난 청색광은 제3파장대역(예, 청색의 파장대역)의 빛을 통과시키는 제3컬러필터(123)를 통과하고, 블랙 매트릭스(180)가 제3컬러필터(123) 및 투과 요소(153)를 둘러싸므로, 광학필터 기판(100)의 제3영역(A3)에서 방출되는 청색광의 색 순도가 향상될 수 있다.
제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에서 광학필터 기판(100)을 향해 청색광이 입사될 수 있으나, 광학필터 기판(100)을 지난 빛은 다양한 색상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1영역(A1)에서는 적색광이 방출되고, 제2영역(A2)에서는 녹색광이 방출되며, 제3영역(A3)에서는 청색광이 방출되며, 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)은 각각 적색, 녹색, 청색 화소영역으로 이해될 수 있다.
도 8에 도시된 광학필터 기판(100)은 앞서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 공정에 따라 형성될 수 있다. 광학필터 기판(100) 중 블랙 매트릭스(180)로 커버되지 않는 영역은 빛이 나올 수 있는 영역, 즉 개구에 해당할 수 있다. 광학필터 기판(100) 중 빛이 나오는 개구의 면적은 블랙 매트릭스(180)에 의존할 수 있으며, 블랙 매트릭스(180)는 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)에 의해 제어되므로, 광학필터 기판(100)의 개구율은 제1 내지 제3코팅요소(171, 172, 173)에 의존할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 다른 광학필터 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 9에 도시된 광학필터 기판(100')은 소수성 코팅층(170')의 코팅요소들이 앞서 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 광학필터 기판과 차이가 있으며, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다. 도 9의 광학필터 기판(100')은 도 8의 광학필터 기판(100)과 달리 제1굴절률층이 생략된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1배리어층(130) 상에 제1굴절률층(140)이 배치될 수 있음은 물론이다.
도 9를 참조하면, 제1 내지 제3코팅요소(171', 172', 173')의 폭은 색변환·투과층(150)의 요소들의 폭 보다 작게 형성될 수 있다. 제1코팅요소(171')의 폭(W3a')은 제1색변환 요소(151)의 제1면(151A)의 폭(W2a)보다 작게 형성될 수 있다. 제2코팅요소(172')의 폭(W3b')은 제2색변환 요소(152)의 제1면(152A)의 폭(W2b)보다 작게 형성될 수 있다. 제3코팅요소(173')의 폭(W3c')은 투과 요소(153)의 제1면(153A)의 폭(W2c)보다 작게 형성될 수 있다.
제1 내지 제3코팅요소(171', 172', 173') 중 이웃하는 코팅요소들 사이에는 블랙 매트릭스(180)가 위치한다. 블랙 매트릭스(180)의 폭은 제1 내지 제3코팅요소(171', 172', 173')에 의해 제어될 수 있는 바, 블랙 매트릭스(180)의 끝단은 제1 및 제2색변환 요소(151, 152), 그리고 투과 요소(153) 각각의 가장자리와 중첩할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 다른 광학필터 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 10에 도시된 광학필터 기판(100")은 색변환·투과층(150')에 구비된 각 요소가 앞서 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 광학필터 기판(100)과 차이가 있으며, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다. 도 10의 광학필터 기판(100")은 도 8의 광학필터 기판(100)과 달리 제1굴절률층이 생략된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1배리어층(130) 상에 제1굴절률층(140)이 배치될 수 있음은 물론이다.
도 10을 참조하면, 색변환·투과층(150')의 요소들은 각 요소에 포함된 감광성 물질의 종류에 따라, 제1기판(110)에서 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 단면을 가질 수 있다.
제1색변환 요소(151')는 제1기판(110)에서 멀어지는 방향으로 테이퍼진 측면을 가질 수 있으나, 도 8에 도시된 제1색변환 요소(151)의 측면의 테이퍼 방향과 반대 방향일 수 있다. 제2색변환 요소(152')도 기판에서 멀어지는 방향으로 테이퍼진 측면을 가질 수 있고, 투과 요소(153')도 기판에서 멀어지는 방향으로 테이퍼진 측면을 가질 수 있다. 블랙 매트릭스(180) 중 색변환·투과층(150')의 요소들의 측면과 대응하는 부분의 폭은 제1기판(110)에서 멀어지는 방향으로 폭이 점차 감소하는 단면을 가질 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 화소회로를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 11을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 광학필터 기판(100) 및 이와 마주보는 광원 기판(200)을 포함할 수 있다. 도 11은 광학필터 기판(100)으로서 도 8을 참조하여 설명한 광학필터 기판을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 디스플레이 장치(1)는 도 8 내지 도 10 중 어느 하나의 실시예에 따른 광학필터 기판, 또는 이들로부터 파생되는 광학필터 기판을 포함할 수 있다. 광학필터 기판(100)의 특징은 앞서 설명하였으므로 이하에서는 광원 기판(200)을 중심으로 설명한다.
광원 기판(200)은 자발광 기판으로서, 다이오드(230)를 포함할 수 있다. 광원 기판(200)은 기판(210, 이하 제2기판이라 함) 상에 형성된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 다이오드(230)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC) 및 다이오드(230)는 각각의 화소영역, 예컨대 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에 각각 배치될 수 있다.
제2기판(210)은 글래스재 또는 수지재를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 도 12에 도시된 바와 같이 제1 및 제2박막트랜지스터(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 이들과 전기적으로 연결된 배선을 포함할 수 있다. 도 12를 참조하면, 제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 다이오드(230)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 다이오드(230)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 다이오드(230)의 제2전극(예, 캐소드)은 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다. 도 12는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
다시 도 11을 참조하면, 화소회로(PC)는 절연층(IL)으로 커버될 수 있다. 다이오드(230)의 제1전극(231)은 절연층(IL)에 형성된 컨택홀을 통해 화소회로(PC)에 접속할 수 있다.
다이오드(230)는 유기발광 다이오드일 수 있다. 다이오드(230)는 제1전극(231), 발광층(232), 및 제2전극(233)을 포함할 수 있다.
제1전극(231)은 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)마다 아일랜드 타입으로 배치될 수 있다. 제1전극(231)은 반사 전극으로서, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1전극(231)은 전술한 반사막의 위/아래에 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 등과 같은 도전성 산화물막을 더 포함 수 있다.
제1전극(231) 상에는 제1전극(231)의 가장자리를 커버하는 화소정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소정의막(PDL)은 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에 대응하는 제1 내지 제3개구(OP1, OP2, OP3)를 구비한다. 제1 내지 제3개구(OP1, OP2, OP3)는 그 아래에 배치된 복수의 제1전극(231)들과 대응하며, 각 제1전극(231)의 중심영역은 대응하는 개구를 통해 노출될 수 있다.
화소정의막(PDL)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기 절연물로 형성될 수 있다. 또는, 화소정의막(PDL)은 무기 절연물로 형성될 수 있다. 또는 화소정의막(PLD)은 무기 및 유기절연물을 포함할 수 있다.
발광층(232)은 유기 발광층이거나, 무기 발광층일 수 있다. 발광층(232)은 청색광을 방출할 수 있다. 발광층(232)은 각 화소영역마다 배치되며, 각 화소영역에서는 청색광이 방출될 수 있다. 다른 실시예로서, 발광층(232)은 복수의 화소영역들과 대응하도록 일체로 형성될 수 있다. 이 경우 발광층(232)은 이웃한 화소영역들 사이에 위치하는 화소정의막(PDL)의 상면을 커버할 수 있다.
발광층(232)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 발광층(232)의 위 또는/및 아래에는 기능층(들)이 더 배치될 수 있다. 예컨대, 발광층(232)의 아래에는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 또는/및 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)이 더 배치될 수 있다. 발광층(232)의 위에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 또는/및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)이 배치될 수 있다.
제2전극(233)은 복수의 발광층(232)들을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다. 제2전극(233)은 투과성 전극이며, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2전극(233)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(233)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
다이오드(230)는 봉지층(240)으로 커버될 수 있다. 봉지층(240)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 도 11에는 봉지층(240)이 제1 및 제2무기봉지층(241, 243)과 이들 사이에 개재된 유기봉지층(242)을 포함하는 것을 도시한다.
제1 및 제2무기봉지층(241, 243)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 유기봉지층(242)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
봉지층(240)의 상면은 대략 편평한 면을 가질 수 있으며, 도 11에 도시된 바와 같이 광학필터 기판(100)의 오버코트층(190)의 상면과 나란할 수 있다. 일 실시예로, 봉지층(240)의 상면과 오버코트층(190)의 상면은 도시된 바와 같이 직접 접촉할 수 있다. 또는, 봉지층(240)의 상면과 오버코트층(190) 사이에는 이들을 연결하는 점착층이 개재될 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3) 각각에 해당하는 다이오드(230)에서는 청색광이 방출될 수 있다. 광원 기판(200)에서 방출된 청색광은 광학필터 기판(100)을 지나면서 각각 적색광(LR), 녹색광(LG), 청색광(LB)으로 제공될 수 있다. 적색 화소영역에 해당하는 제1영역(A1)에서, 광학필터 기판(100)의 개구율은 앞서 설명한 바와 같이 제1코팅요소(171)의 폭에 의존할 수 있다.
광원 기판(200)에서 방출되는 빛(예, 청색광)이 충분히 광학필터 기판(100)에 제공될 수 있도록, 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3)에 해당하는 제1 내지 제3개구(OP1, OP2, OP3) 각각의 폭은 광학필터 기판(100)의 개구의 크기 보다 크게 형성될 수 있다. 예컨대, 제1개구(OP1)의 폭은 제1코팅요소(171)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 제2개구(OP2) 및 제3개구(OP3)의 폭은 각각 제2코팅요소(172)의 폭 및 제3코팅요소(173)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다.
도 11을 참조하여 설명한 디스플레이 장치의 광원 기판(200)은 유기발광 다이오드를 포함하는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 디스플레이 장치의 광원 기판(200)은 도 13 및 도 14를 참조하여 후술하는 바와 같이 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 13을 참조하면, 디스플레이 장치(1')는 광학필터 기판(100) 및 이와 마주보는 광원 기판(200')을 포함할 수 있다. 도 13은 광학필터 기판(100)으로서 도 8을 참조하여 설명한 광학필터 기판을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 디스플레이 장치(1')는 도 8 내지 도 10 중 어느 하나의 실시예에 따른 광학필터 기판, 또는 이들로부터 파생되는 광학필터 기판을 포함할 수 있다. 광학필터 기판(100)의 특징은 앞서 설명하였으므로 이하에서는 광원 기판(200')을 중심으로 설명한다.
도 13의 광원 기판(200') 중 제2기판(210)으로부터 화소정의막(PDL)까지의 적층 구조는 앞서 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한 바와 동일하다. 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
다이오드(230')는 제1전극(231), 제2전극(233)과 이들 사이에 배치된 발광층(250)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3영역(A1, A2, A3) 각각에 배치된 다이오드(230’)는 청색광을 방출할 수 있다. 발광층(250)은 제1반도체층(251), 제2반도체층(253) 및, 제1반도체층(251) 제2반도체층(253) 사이의 중간층(252)을 포함할 수 있다.
제1반도체층(251)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2반도체층(253)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 본 발명은 이에 한하지 않으며, 다른 실시예로서, 제1반도체층(251)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2반도체층(253)이 p형 반도체층을 포함할 수 있다.
중간층(252)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛(예, 청색광)을 방출할 수 있다. 중간층(252)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
발광층(250)은 제1전극패드(254)에 의해 제1전극(231)에 연결되고, 제2전극패드(256)에 의해 제2전극(233)에 연결될 수 있다. 광원 기판(200)의 제조 공정에서 발광층(250)은 별도의 공정에서 형성된 서브-다이오드로서, 제1전극(231)들 상에 각각 배치될 수 있다.
제2전극(233) 상에는 보호층(260)이 형성될 수 있다. 보호층(260)은 제2전극(233)을 커버할 수 있으며, 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 보호층(260)은 점착층일 있다. 예컨대, 보호층(260)은 점착력을 갖는 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있으며, 이 경우 광학필터 기판(100)과 광원 기판(200')을 연결할 수 있다.
도 13에 도시된 발광층(250)은 제1전극패드(254)와 제2전극패드(256)가 서로 반대편에 배치된 수직형 서브-다이오드이지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 14를 참조하여 후술하는 바와 같이 발광층(250)은 수평형 또는 플립형의 서브-다이오드일 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 다른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 14를 참조하면, 디스플레이 장치(1")는 광학필터 기판(100) 및 이와 마주보는 광원 기판(200")을 포함할 수 있다. 도 14는 광학필터 기판(100)으로서 도 8을 참조하여 설명한 광학필터 기판을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 디스플레이 장치(1")는 도 8 내지 도 10 중 어느 하나의 실시예에 따른 광학필터 기판, 또는 이들로부터 파생되는 광학필터 기판을 포함할 수 있다. 광학필터 기판(100)의 특징은 앞서 설명하였으므로 이하에서는 광원 기판(200")을 중심으로 설명한다.
광원 기판(200")의 발광층(250")은 수평형 또는 플립형의 서브-다이오드 구조일 수 있다. 예컨대, 발광층(250")은 제1반도체층(251), 제2반도체층(253) 및 이들 사이의 중간층(252)을 포함할 수 있다. 제1반도체층(251) 상에는 제1전극패드(254')가 형성되고, 제2반도체층(253)에는 제2전극패드(256')가 형성되는데, 제1전극패드(254')와 제2전극패드(256')는 모두 동일한 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
제1전극패드(254')는 절연층(IL) 상에 배치된 제1전극(231)과 접속되고, 제2전극패드(256')는 절연층(IL) 상에 배치된 제2전극(233')과 접속될 수 있다. 도 11 및 도 13을 참조하여 설명한 제2전극(233)과 달리 도 14에 도시된 제2전극(233')은 제1전극(231)과 이격된 채 절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 제2전극(233')의 일측 가장자리는 화소정의막(PDL)로 커버될 수 있다.
다이오드(230")들은 보호층(260)으로 커버될 수 있다. 보호층(260)은 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 보호층(260)은 점착층일 있다. 예컨대, 보호층(260)은 점착력을 갖는 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있으며, 이 경우 광학필터 기판(100)과 광원 기판(200")을 연결할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1, 1', 1": 디스플레이 장치
100, 100', 100": 광학필터 기판
110: 제1기판
120: 컬러필터층
121: 제1컬러필터
122: 제2컬러필터
123: 제3컬러필터
130: 제1배리어층
140: 제1굴절률층
150, 150': 색변환·투과층
151: 제1색변환 요소
152: 제2색변환 요소
153: 투과 요소
170, 170': 소수성 코팅층
180: 블랙 매트릭스
190: 오버코트층
200, 200', 200": 광원 기판
210: 제2기판
230, 230': 다이오드

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 제1컬러필터;
    상기 기판 위에 배치되되 상기 제1컬러필터와 소정의 간격 이격된 제2컬러필터;
    상기 제1컬러필터 위에 위치하며, 입사광을 제1컬러의 광으로 변환하는 제1색변환 요소;
    상기 제2컬러필터 위에 위치하며, 입사광을 제2컬러의 광으로 변환하는 제2색변환 요소;
    상기 제1색변환 요소와 상기 제2색변환 요소 사이에 위치하되, 일부가 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 사이에 위치하도록 연장된 블랙 매트릭스;
    상기 제1색변환 요소와 중첩하며 소수성을 갖는 제1코팅요소; 및
    상기 제2색변환 요소와 중첩하며 소수성을 갖는 제2코팅요소;를 포함하되,
    상호 이격된 상기 제1코팅요소 및 상기 제2코팅요소 사이에서 상기 블랙 매트릭스는 상기 제1코팅요소와 같은 물질 및 상기 제2코팅요소와 같은 물질에 비중첩하는, 광학필터 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소와 상기 제1컬러필터 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2컬러필터 사이에 개재되는 제1배리어층을 더 포함하는, 광학필터 기판.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소와 상기 제1코팅요소 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2코팅요소 사이에 개재되는 제2배리어층을 더 포함하는, 광학필터 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소 각각은, 양자점을 포함하는, 광학필터 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소를 커버하는 오버코트층을 더 포함하는, 광학필터 기판.
  8. 소정의 색상의 빛을 방출하는 광원 기판; 및
    상기 광원 기판과 마주보는 광학필터 기판;
    을 포함하며,
    상기 광학필터 기판은,
    상기 광원 기판에서 방출된 빛을 제1컬러의 빛으로 변환하는 제1색변환 요소;
    상기 광원 기판에서 방출된 빛을 제2컬러의 빛으로 변환하며 상기 제1색변환 요소와 이웃하는 제2색변환 요소;
    상기 제1색변환 요소를 지난 빛의 진행 경로 상에 위치하는 제1컬러필터;
    상기 제2색변환 요소를 지난 빛의 진행 경로 상에 위치하는 제2컬러필터;
    상기 제1색변환 요소와 상기 제2색변환 요소 사이에 위치하되, 일부가 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 사이에 위치하도록 연장된 블랙 매트릭스;
    상기 제1색변환 요소와 중첩하며 소수성을 갖는 제1코팅요소; 및
    상기 제2색변환 요소와 중첩하며 소수성을 갖는 제2코팅요소;를 포함하되,
    상호 이격된 상기 제1코팅요소 및 상기 제2코팅요소 사이에서 상기 블랙 매트릭스는 상기 제1코팅요소와 같은 물질 및 상기 제2코팅요소와 같은 물질에 비중첩하는, 디스플레이 장치.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 광원 기판은,
    기판; 및
    상기 기판 상에 위치하되, 청색의 빛을 방출하는 복수의 다이오드;를 포함하는, 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다이오드에 전기적으로 연결되며, 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 다이오드는 유기발광 다이오드 또는 무기발광 다이오드를 포함하는, 디스플레이 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 다이오드는, 제1전극, 상기 제1전극과 마주보는 제2전극, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 발광층을 포함하고,
    상기 광원 기판은
    상기 제1전극과 대응하는 개구를 포함하는 화소정의막을 포함하되, 상기 화소정의막의 개구의 폭은, 상기 제1코팅요소 및 상기 제2코팅요소 중 상기 개구와 대응하는 코팅요소의 폭와 동일하거나 그 보다 큰, 디스플레이 장치
  14. 제8항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소와 상기 제1컬러필터 사이, 그리고 상기 제2색변환 요소와 상기 제2컬러필터 사이에 개재되는 제1배리어층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판과 마주보는 상기 블랙 매트릭스의 제1면은,
    상기 제1배리어층을 사이에 개재한 채 상기 기판으로부터 이격된, 디스플레이 장치.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소는 각각,
    상기 기판에서 멀어지는 방향을 따라 테이퍼진 측면을 갖는, 디스플레이 장치.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소 및 상기 제2색변환 요소는 각각, 양자점을 포함하는, 디스플레이 장치.
  18. 제8항에 있어서,
    상기 제1색변환 요소 또는 상기 제2색변환 요소와 인접하게 배치되며, 상기 광원 기판에서 방출된 빛을 투과사키는 투과 요소를 더 포함하며,
    상기 제1색변환 요소, 상기 제2색변환 요소 및 상기 투과 요소 중 적어도 어느 하나는, 산란 입자를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  19. 제8항에 있어서,
    상기 기판으로부터 상기 블랙 매트릭스까지의 높이는, 상기 기판으로부터 상기 제1색변환 요소의 높이 또는 상기 기판으로부터 상기 제2색변환 요소의 높이 보다 큰, 디스플레이 장치.
  20. 제8항에 있어서,
    상기 광학필터 기판은,
    상기 제1색변환 요소, 상기 제2색변환 요소 및 블랙 매트릭스를 커버하는 오버코트층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102523976B1 (ko) * 2017-11-21 2023-04-20 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
KR20210016129A (ko) * 2019-07-31 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN116230834A (zh) * 2019-12-17 2023-06-06 群创光电股份有限公司 显示装置
KR20210116730A (ko) * 2020-03-12 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN111552111B (zh) * 2020-05-13 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210155037A (ko) 2020-06-12 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111864105A (zh) * 2020-07-09 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111785170B (zh) * 2020-07-16 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
KR20220019198A (ko) * 2020-08-07 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112993093A (zh) * 2020-08-11 2021-06-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及电子设备
KR20220051900A (ko) 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114388560B (zh) * 2020-10-22 2024-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112382733A (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法
CN116490915A (zh) * 2021-10-29 2023-07-25 京东方科技集团股份有限公司 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法
CN117099505A (zh) * 2022-03-16 2023-11-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示设备
CN117012873A (zh) * 2022-04-29 2023-11-07 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制造方法
JP7452592B1 (ja) * 2022-08-31 2024-03-19 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 表示装置
US20240170619A1 (en) * 2022-11-22 2024-05-23 Apple Inc. Display with Light Sources and Quantum Dots
KR20240125141A (ko) * 2023-02-10 2024-08-19 삼성전자주식회사 자발광 소자를 포함하는 디스플레이 모듈
WO2025004225A1 (ja) * 2023-06-28 2025-01-02 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010204352A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ基板の製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101039450B1 (ko) 2003-06-19 2011-06-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널과 그의 제조방법 및 장치
KR20050043221A (ko) * 2003-11-05 2005-05-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 기판 및 그 제조방법
WO2006100957A1 (ja) * 2005-03-22 2006-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換基板並びにその製造方法、及び発光装置
KR101281877B1 (ko) 2006-09-18 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 칼라 필터 어레이 패널 및 그 제조 방법
JPWO2014006987A1 (ja) * 2012-07-04 2016-06-02 シャープ株式会社 蛍光材料、蛍光塗料、蛍光体基板、電子機器およびｌｅｄパッケージ
TWI574055B (zh) * 2013-08-14 2017-03-11 鴻海精密工業股份有限公司 顯示面板
TWI580031B (zh) * 2013-12-26 2017-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 顏色轉換層、有機電致發光顯示面板及液晶顯示面板
KR102223421B1 (ko) * 2014-08-05 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI544620B (zh) * 2014-12-30 2016-08-01 業鑫科技顧問股份有限公司 顯示面板
CN104536198A (zh) 2015-02-03 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板和显示装置
KR102390450B1 (ko) * 2015-09-02 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판의 제조 방법
US9989806B2 (en) * 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR102461106B1 (ko) * 2015-11-27 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170072418A (ko) * 2015-12-16 2017-06-27 삼성전자주식회사 컬러 필터, 그 제조 방법, 및 컬러 필터를 포함하는 표시 장치
US10361179B2 (en) 2016-05-20 2019-07-23 Innolux Corporation Display device
CN107403817B (zh) * 2016-05-20 2020-06-23 群创光电股份有限公司 显示装置
US10217678B2 (en) * 2016-06-14 2019-02-26 Innolux Corporation Display device and method of manufacturing the display device
US10079252B2 (en) 2016-06-14 2018-09-18 Innolux Corporation Display apparatus
CN111653583A (zh) * 2016-06-14 2020-09-11 群创光电股份有限公司 显示装置
CN107544177B (zh) * 2016-06-28 2021-01-26 群创光电股份有限公司 显示装置
US10084147B2 (en) 2016-06-28 2018-09-25 Innolux Corporation Display device
KR102661846B1 (ko) * 2016-06-29 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180008950A (ko) 2016-07-14 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102291493B1 (ko) * 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102671039B1 (ko) * 2016-09-28 2024-06-03 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102761633B1 (ko) 2016-10-06 2025-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102770511B1 (ko) * 2016-11-01 2025-02-19 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180064616A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
KR20180076422A (ko) * 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102522593B1 (ko) * 2017-01-19 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102618811B1 (ko) * 2017-01-23 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102282060B1 (ko) * 2017-05-23 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102440471B1 (ko) * 2017-07-20 2022-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
US10678091B2 (en) * 2017-10-25 2020-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
KR102617876B1 (ko) * 2018-02-01 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102515812B1 (ko) * 2018-03-20 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102450398B1 (ko) * 2018-05-14 2022-10-04 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판을 포함하는 유기 발광 표시장치
KR102551221B1 (ko) * 2018-09-03 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102761175B1 (ko) * 2019-02-07 2025-02-03 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판 및 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010204352A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ基板の製造方法

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