[go: up one dir, main page]

KR102670383B1 - 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102670383B1
KR102670383B1 KR1020190036568A KR20190036568A KR102670383B1 KR 102670383 B1 KR102670383 B1 KR 102670383B1 KR 1020190036568 A KR1020190036568 A KR 1020190036568A KR 20190036568 A KR20190036568 A KR 20190036568A KR 102670383 B1 KR102670383 B1 KR 102670383B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonding tool
chip
bonding
tool assembly
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020190036568A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200114573A (ko
Inventor
김재철
강길만
하용대
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020190036568A priority Critical patent/KR102670383B1/ko
Priority to US16/582,405 priority patent/US11482505B2/en
Publication of KR20200114573A publication Critical patent/KR20200114573A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102670383B1 publication Critical patent/KR102670383B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/7531—Shape of other parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75313—Removable bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75317—Removable auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75702—Means for aligning in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75703—Mechanical holding means
    • H01L2224/75705—Mechanical holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75723—Electrostatic holding means
    • H01L2224/75725—Electrostatic holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75824—Translational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

칩 본딩 장비가 제공된다. 칩 본딩 장비는 기판이 로딩되는 스테이지, 스테이지 상의 히터로서, 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터, 바디부와 연결되는 제1 부분과, 발열부가 삽입되는 제2 부분을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부, 발열부와 연결되는 제1 본딩 툴, 및 제1 부분과 연결되는 제3 부분 및 제1 본딩 툴이 삽입되는 제4 부분을 포함하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하고, 외부로부터 제1 부분에 인가되는 전압에 의해, 제3 부분은 제1 부분에 부착된다.

Description

칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법{A chip bonding apparatus, a system for replacing bonding tool assembly, and a method for fabricating a semiconductor device using the chip bonding apparatus}
본 발명은 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 실리콘 웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fabrication, FAB) 공정과, 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting, EDS) 공정 과, 반도체 장치를 합성 수지로 봉지하고 개별화시키는 패키지(Package) 공정을 통해 제조된다.
반도체 칩의 패키지 공정은 미세 패턴의 회로가 형성된 실리콘 웨이퍼를 소정 크기의 칩 단위로 절단하는 소잉 (Sawing) 공정과, 칩을 기판에 접착시키는 칩 본딩(Chip Bonding) 공정과, 칩과 기판을 도전성 와이어를 사용하여 전기적으로 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정과, 도전성 와이어 및 칩을 외부 환경 으로부터 보호하기 위한 몰드(Mold) 공정을 포함한다.
이때, 칩 본딩 공정을 수행하는 칩 본딩 장비는 일반적으로, 히터와 상기 히터와 직접 연결된 본딩 툴을 포함한다. 본딩 툴은 기판 상의 칩을 가열 및 압착하여, 기판과 칩을 본딩한다. 그러나, 일반적으로 본딩 툴이 히터에 직접 연결되기 때문에, 본딩 툴과 히터의 연결에 의한 스트레스가 본딩 툴에 전달될 수 있다. 또한, 본딩 툴과 히터의 연결이 상대적으로 약한 경우, 칩 본딩 공정을 수행하는 도중 본딩 툴이 탈락하는 사고가 발생될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 본딩 툴의 변형 및 파손이 최소화된 칩 본딩 장비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 본딩 툴의 탈락을 방지하는 칩 본딩 장비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 자동화된 본딩 툴 교체 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 칩 본딩 장비를 이용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비는 기판이 로딩되는 스테이지, 스테이지 상의 히터로서, 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터, 바디부와 연결되는 제1 부분과, 발열부가 삽입되는 제2 부분을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부, 발열부와 연결되는 제1 본딩 툴, 및 제1 부분과 연결되는 제3 부분 및 제1 본딩 툴이 삽입되는 제4 부분을 포함하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하고, 외부로부터 제1 부분에 인가되는 전압에 의해, 제3 부분은 제1 부분에 부착된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비는 기판이 로딩되는 스테이지, 스테이지 상의 히터로서, 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터, 바디부와 연결되는 제1 부분과, 발열부가 삽입되는 제2 부분을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부로서, 제1 부분은 제1 노치 그리퍼를 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부, 발열부와 연결되는 제1 본딩 툴, 및 제1 부분과 연결되는 제3 부분 및 제1 본딩 툴이 삽입되는 제4 부분을 포함하는 제1 본딩 툴 고정부로서, 제3 부분은 제1 노치 그리퍼와 대응되는 제1 노치를 포함하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하고, 제1 노치 그리퍼와 제1 노치의 결합에 의해, 제3 부분은 제1 부분에 부착된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비는 기판이 로딩되는 스테이지, 스테이지 상의 히터로서, 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터, 발열부와 연결되는 제1 본딩 툴과, 제1 본딩 툴의 적어도 일부와 접촉하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하는 제1 본딩 툴 어셈블리, 및 바디부와 연결되고, 제1 본딩 툴 어셈블리와 연결되는 본딩 툴 어셈블리 고정부를 포함하고, 제1 본딩 툴 어셈블리는 본딩 툴 어셈블리 고정부로부터 탈부착 가능하고, 제1 본딩 툴의 적어도 일부는 제1 본딩 툴 고정부와 본딩 툴 어셈블리 고정부 사이에 배치된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장치 및 시스템을 설명하기 위한 예시적인 블록도이다.
도 2 및 도 3은 각각 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 공정을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4는 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 5는 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리의 결합을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 6은 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 7은 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부에 제1 본딩 툴 어셈블리가 부착되는 방식을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 8 및 도 9는 다른 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부에 제1 본딩 툴 어셈블리가 부착되는 방식을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 10 및 도 11은 몇몇 실시예에 따른 히터 및 제1 본딩 툴을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 12 및 도 13은 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 14는 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템을 설명하기 위한 예시적인 순서도이다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 16은 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 예시적인 순서도이다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장치 및 시스템을 설명하기 위한 예시적인 블록도이다.
도 1을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장치는 스테이지(100), 칩 본더 어셈블리(200), 제어부(300), 본딩 툴 어셈블리 저장부(400) 및 호일(500)을 포함할 수 있다. 예시적 설명을 위해, 도 2 및 도 3을 더 참조하여 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장치를 이용한 칩 본딩 공정에 대해 설명한다.
도 2 및 도 3은 각각 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 공정을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 칩 본더 어셈블리(200)는 히터(210), 본딩 툴 어셈블리 고정부(220) 및 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 포함할 수 있다. 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 및 제1 본딩 툴(234_1)을 포함할 수 있다.
히터(210)는 제1 본딩 툴(234_1)에 열을 제공할 수 있다. 제1 본딩 툴(234_1)은 히터(210)로부터 제공되는 열을 이용하여, 칩 본딩 공정을 수행할 수 있다.
본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 탈부착할 수 있다. 예를 들어, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 정전(electrostatic)을 이용하여, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 탈부착할 수 있다. 다른 예를 들어, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 노치 그리퍼(notch gripper)를 이용하여, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 탈부착할 수 있다. 구체적인 설명은 후술한다.
칩 본더 어셈블리(200)는 기판(SUB) 상에 배치된 복수의 칩(C) 각각을 가열(heating) 및 압착(pressing)할 수 있다. 예를 들어, 칩 본더 어셈블리(200)는 기판(SUB) 상에 배치된 복수의 칩(C) 각각의 하면에 배치된 접착 물질을 가열하여, 이를 녹일 수 있다. 이어서, 칩 본더 어셈블리(200)는 기판(SUB) 상에 배치된 복수의 칩(C) 각각을 압착하여, 복수의 칩(C) 각각을 기판(SUB)에 본딩할 수 있다. 이때, 칩 본더 어셈블리(200)와 복수의 칩(C) 사이에는 호일(500)이 개재될 수 있다.
호일(500)은 복수의 칩(C) 하면의 접착 물질이 복수의 칩(C) 각각의 상면으로 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 호일(500)은 복수의 칩(C) 하면의 접착 물질이 칩 본더 어셈블리(200)(예를 들어, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1))에 접착되지 않게 하여, 칩 본더 어셈블리(200)의 오염을 방지할 수 있다. 예를 들어, 호일(500)은 테프론 테이프(teflon tape)를 포함할 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
칩 본딩 공정이 수행될 기판(SUB)은 스테이지(100) 상에 배치될 수 있다. 또한, 호일(500)은 기판(SUB) 상에 배치되고, 칩 본더 어셈블리(200)는 호일(500) 상에 배치될 수 있다. 다시 말해서, 칩 본더 어셈블리(200)와 호일(500)은 스테이지(100) 상에 배치될 수 있다.
기판(SUB)은 예를 들어, 인쇄 회로 기판 등과 같은 패키지 기판일 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 기판(SUB) 상에 복수의 칩(C)이 배치될 수 있다. 기판(SUB) 상에 배치된 복수의 칩(C)은 칩 본딩 공정이 수행될 칩 및/또는 이미 칩 본딩 공정이 수행된 칩을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 기판(SUB) 상에 복수의 칩(C)이 소정의 간격으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 칩(C)은 기판(SUB)의 제1 위치(L1) 상에 배치된 제1 칩(C1)과, 기판(SUB)의 제2 위치(L2) 상에 배치된 제2 칩(C2)을 포함할 수 있다.
제어부(300)로부터의 제어에 따라, 칩 본더 어셈블리(200)는 제1 방향(X)을 따라 제1 위치(L1)로 이동될 수 있다. 칩 본더 어셈블리(200)가 제1 위치(L1)에 위치하는 것은, 제1 본딩 툴(234_1)이 제1 위치(L1)와 정렬되는 것을 의미한다. 제1 위치(L1)는 기판(SUB) 상의 제1 칩(C1)의 위치와 대응될 수 있다. 예를 들어, 제어부(300)는 칩 본더 어셈블리(200)를 직접 제1 방향(X)을 따라 이동시켜, 칩 본더 어셈블리(200)를 제1 위치(L1)에 위치하도록 제어할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어부(300)는 스테이지(100)를 제1 방향(X)을 따라 이동시켜, 칩 본더 어셈블리(200)가 제1 위치(L1)에 위치하도록 제어할 수도 있다. 그러나, 실시예들이 이에 제한되지는 않으며, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 다양한 방식으로 칩 본더 어셈블리(200)를 제1 위치(L1)에 위치하도록 제어할 수 있을 것이다.
몇몇 실시예에 따르면, 제어부(300)로부터의 제어에 따라, 칩 본더 어셈블리(200)는 제1 위치(L1)에서 제2 방향(Y)을 따라 이동할 수 있다. 예를 들어, 칩 본더 어셈블리(200)는 제1 위치(L1)에서 제2 방향(Y)을 따라 이동하여, 제1 칩(C1)을 가열 및 압착할 수 있다. 이때, 제1 본딩 툴(234_1)은 호일(500)을 통해 제1 칩(C1)과 접촉될 수 있다. 본 명세서에서, 두 구성요소가 "접촉"한다는 의미는 두 구성요소 사이에 다른 구성요소가 개재될 수 있음을 의미하고, 두 구성요소가 "직접 접촉"한다는 의미는 두 구성요소 사이에 다른 구성요소가 개재될 수 없음을 의미한다. 가열 및 압착을 완료한 후(즉, 제1 칩(C1)의 본딩을 완료한 후), 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)로부터의 제어에 따라, 제1 위치(L1)에서 제1 방향(X)을 따라 제2 위치(L2)로 이동할 수 있다. 이어서, 상술한 것과 동일 또는 유사한 방법으로 제2 칩(C2)의 본딩 공정을 수행할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 칩 본더 어셈블리(200)는 히터(210), 본딩 툴 어셈블리 고정부(220) 및 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 포함할 수 있다. 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 및 제1 본딩 툴(234_1)을 포함할 수 있다. 도 3의 칩 본더 어셈블리(200)는 도 2의 칩 본더 어셈블리(200)와 유사한 바, 중복되는 설명을 생략하고 차이점을 위주로 기술한다.
칩 본더 어셈블리(200)는 제3 칩(C3)을 픽업(pick up)할 수 있다. 예를 들어, 칩 본더 어셈블리(200)는 칩 보관소(미도시)로 이동하여, 제3 칩(C3)을 픽업할 수 있다. 몇몇 실시예에 따르면, 히터(210) 및 제1 본딩 툴(234_1) 내부에 펌핑 라인이 배치되어, 펌핑 라인과 연결된 외부 펌프에 의해 제3 칩(C3)을 픽업할 수 있다. 그러나, 실시예들이 이에 제한되지는 않으며, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 다양한 방식으로 칩 본더 어셈블리(200)를 이용하여 제3 칩(C3)을 픽업할 수 있을 것이다. 앞선 설명과 유사하게, 제1 본딩 툴(234_1)과 제3 칩(C3) 사이에는 호일(500)이 개재될 수 있다. 다시 말해서, 제1 본딩 툴(234_1)과 제3 칩(C3)은 호일(500)을 통해 접촉될 수 있다. 다만, 몇몇 실시예에 따르면, 도 3의 호일(500)은 제3 칩(C3)을 픽업하기 위한 진공 홀(vacuum hole)을 포함할 수 있다.
칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)로부터의 제어에 따라, 제1 방향(X)을 따라 제3 위치(L3)로 이동될 수 있다. 예를 들어, 제어부(300)는 칩 본더 어셈블리(200)를 직접 제1 방향(X)을 따라 이동시켜, 칩 본더 어셈블리(200)를 제3 위치(L3)에 위치하도록 제어할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어부(300)는 스테이지(100)를 제1 방향(X)을 따라 이동시켜, 칩 본더 어셈블리(200)가 제3 위치(L3)에 위치하도록 제어할 수도 있다. 그러나, 실시예들이 이에 제한되지는 않으며, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 다양한 방식으로 칩 본더 어셈블리(200)를 제3 위치(L3)에 위치하도록 제어할 수 있을 것이다. 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)로부터의 제어에 따라, 제3 위치(L3)에서 제2 방향(Y)을 따라 이동하여, 제3 칩(C3)을 기판(SUB) 상에 본딩할 수 있다. 이상 도 2 및 도 3을 이용하여, 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 공정을 설명하였으나, 이는 이해를 돕기 위한 설명이며 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 도 4를 참조하여, 칩 본더 어셈블리(200)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4는 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4를 참조하면, 칩 본더 어셈블리(200)는 히터(210), 본딩 툴 어셈블리 고정부(220), 및 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 포함할 수 있다. 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 및 제1 본딩 툴(234_1)을 포함할 수 있다. 비록 도 4는 히터(210), 본딩 툴 어셈블리 고정부(220), 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 사각형의 형상을 갖는 것으로 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 히터(210), 본딩 툴 어셈블리 고정부(220), 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 원, 타원 또는 다각형 등 다양한 형상으로 구현될 수 있다.
히터(210)는 발열부(210b)와 바디부(210a)를 포함할 수 있다. 발열부(210b)는 열을 발생시키는 부위일 수 있다. 예를 들어, 발열부(210b)는 제1 본딩 툴(234_1)의 적어도 일부와 접촉하여, 제1 본딩 툴(234_1)에 열을 제공할 수 있다. 바디부(210a)는 발열부(210b)를 감싸는 부위일 수 있다. 바디부(210a)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)가 결합되는 부분일 수 있다.
본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 제1 부분(220a)과 제2 부분(220b)을 포함할 수 있다. 제1 부분(220a)은 히터(210)의 바디부(210a)와 연결되는 부분일 수 있다. 또한, 제1 부분(220a)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)과 연결되는 부분일 수 있다. 제2 부분(220b)은 히터(210)의 발열부(210b)의 적어도 일부가 삽입되는 부분일 수 있다. 제1 부분(220a)은 제2 부분(220b)의 주변을 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 제2 부분(220b)은 오픈된 공간이며, 제1 부분(220a)은 제2 부분(220b)의 오픈된 공간을 둘러싸는 형태일 수 있다. 비록 몇몇 도면에서, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)이 하나의 기구 또는 블락으로 구현된 것으로 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 2 이상의 기구 또는 블락이 결합된 것일 수 있다.
제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 제3 부분(232a_1)과 제4 부분(232b_1)을 포함할 수 있다. 제3 부분(232a_1)은 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)과 연결될 수 있다. 제4 부분(232b_1)은 제1 본딩 툴(234_1)의 제6 부분(234b_1)이 삽입되는 부분일 수 있다. 제3 부분(232a_1)은 제4 부분(232b_1)의 주변을 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 제4 부분(232b_1)은 오픈된 공간이며, 제3 부분(232a_1)은 제4 부분(232b_1)의 오픈된 공간을 둘러싸는 형태일 수 있다. 비록 몇몇 도면에서, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)이 하나의 기구 또는 블락으로 구현된 것으로 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 2 이상의 기구 또는 블락이 결합된 것일 수 있다.
제1 본딩 툴(234_1)은 제5 부분(234a_1)과 제6 부분(234b_1)을 포함할 수 있다. 제5 부분(234a_1)은 히터(210)의 발열부(210b)와 접촉하는 부분일 수 있다. 제6 부분(234b_1)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제4 부분(232b_1)에 삽입되는 부분일 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제4 부분(232b_1)의 크기(또는 넓이)는, 제1 본딩 툴(234_1)의 크기(또는 넓이)보다 작을 수 있다. 따라서, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)이 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)과 연결되면, 제1 본딩 툴(234_1)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220) 사이에 끼워질 수 있다. 다시 말해서, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 결합으로 인해, 제1 본딩 툴(234_1)은 히터(210)에 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 결합으로 인해, 제1 본딩 툴(234_1)의 제5 부분(234a_1)은 히터(210)의 발열부(210b)에 접촉될 수 있다. 이때, 제1 본딩 툴(234_1)의 제5 부분(234a_1)은 히터(210)의 발열부(210b)에 직접 접촉될 수도 있고, 제5 부분(234a_1)과 발열부(210b) 사이에는 일부 공간이 존재할 수도 있다. 도 5를 더 참조하여 설명한다.
도 5는 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리의 결합을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 히터(210)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)가 결합될 수 있다. 예를 들어, 히터(210)의 바디부(210a)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)과 결합될 수 있다. 히터(210)의 발열부(210b)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제2 부분(220b)에 삽입될 수 있다.
본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)와 결합될 수 있다. 예를 들어, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)과 결합될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 본딩 툴(234_1)의 크기는 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제4 부분(232b_1)의 크기보다 크기 때문에, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)의 제1 부분(220a)과 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)이 결합될 때, 제1 본딩 툴(234_1)은 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에 끼워질 수 있다. 이때, 제1 본딩 툴(234_1)은 히터(210)의 발열부(210b)와 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 제1 본딩 툴(234_1)의 제6 부분(234b_1)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 제3 부분(232a_1)보다 돌출될 수 있다. 제1 본딩 툴(234_1)의 제6 부분(234b_1)은 호일(500)을 통해 칩(예컨대, 제1 칩(C1) 내지 제3 칩(C3))과 접촉되는 부분일 수 있다. 추가적 설명을 위해 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6은 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 6은 도 5의 라인 A-A'을 따라 절단한 단면도를 도시한다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 6을 참조하면, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)로부터 탈부착될 수 있다. 예를 들어, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)로부터 탈부착될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 본딩 툴(234_1)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220) 사이에 개재되므로, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 탈부착으로 인해, 제1 본딩 툴(234_1)도 탈부착될 수 있다.
제1 본딩 툴(234_1)은 칩(예컨대, 제1 칩(C1) 내지 제3 칩(C3))과 접촉할 수 있다. 따라서, 제1 본딩 툴(234_1)은 변형과 파손을 최소화할 필요가 있다. 그러나, 제1 본딩 툴(234_1)을 히터(210)에 직접 고정시키는 경우, 제1 본딩 툴(234_1)은 고정 수단에 의해 물리적 스트레스를 받을 수 있다. 제1 본딩 툴(234_1)에 물리적 스트레스가 지속되는 경우, 제1 본딩 툴(234_1)은 변형되거나 파손될 수 있다. 제1 본딩 툴(234_1)이 변형되거나 파손되면, 본딩을 수행할 칩이 파손되거나 칩 본딩 공정이 제대로 수행되지 못해, 반도체 제조 공정의 수율이 감소될 수 있다. 또한, 제1 본딩 툴(234_1)을 히터(210)에 직접 고정한다고 하여도, 제1 본딩 툴(234_1)의 부착력이 상대적으로 약한 경우, 본딩 공정을 수행하는 도중 제1 본딩 툴(234_1)이 탈락하는 등의 사고가 발생될 수 있다.
따라서, 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비는 제1 본딩 툴(234_1)이 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에 개재되도록 한다. 이를 통해, 제1 본딩 툴(234_1)은 히터(210)에 부착되기 위한 물리적 스트레스가 최소화될 수 있으며, 결국, 제1 본딩 툴(234_1)의 변형 또는 파손이 최소화될 수 있다. 또한, 제1 본딩 툴(234_1) 자체를 히터(210)에 부착하는 것이 아니라, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)를 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 부착하는 것이므로, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 부착력을 상대적으로 강하게 유지시킬 수 있다. 이때, 제1 본딩 툴(234_1)은 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에 개재되므로, 제1 본딩 툴(234_1)의 부착력이 상대적으로 강하게 유지될 수 있으며, 결국 칩 본딩 공정을 수행하는 도중 제1 본딩 툴(234_1)의 탈락이 방지될 수 있다.
도 7은 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부에 제1 본딩 툴 어셈블리가 부착되는 방식을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 7은 도 5의 라인 A-A'을 따라 절단한 단면도를 도시한다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 7을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 정전 척(electrostatic chuck)으로 구현될 수 있다. 몇몇 실시예에 따르면, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 제어부(300)로부터 전압을 인가받을 수 있다. 예를 들어, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 + 전하로 대전되는 경우, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 - 전하로 대전될 수 있다. 이때, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에는 전기적 인력이 발생될 수 있다. 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이의 전기적 인력으로 인해, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)가 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 부착될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)가 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 부착되는 경우, 제1 본딩 툴(234_1)은 히터(210)에 접촉될 수 있다.
도 8 및 도 9는 다른 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부에 제1 본딩 툴 어셈블리가 부착되는 방식을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 8 및 도 9는 각각 도 5의 라인 A-A'을 따라 절단한 단면도를 도시한다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 노치 그리퍼(NTG, notch gripper)를 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 노치 그리퍼(NTG)와 대응되는 노치(NTC, notch)를 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 제어부(300)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 포함된 노치 그리퍼(NTG)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(300)의 제어에 의해, 노치 그리퍼(NTG)가 오픈(open)되면, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)로부터 탈착될 수 있다. 제어부(300)의 제어에 의해, 노치 그리퍼(NTG)가 클로즈(close)되면, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)의 노치(NTC)와 결합될 수 잇다. 노치 그리퍼(NTG)와 노치(NTC)가 결합되는 경우, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 고정될 수 있다. 노치 그리퍼(NTG)의 오픈/클로즈는 예를 들어, 전기 모터를 이용하거나, 공압 등을 이용하여 제어할 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 전술한 바와 같이, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)가 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)에 부착되어 고정되는 경우, 제1 본딩 툴(234_1)이 히터(210)에 접촉될 수 있다.
도 10 및 도 11은 몇몇 실시예에 따른 히터 및 제1 본딩 툴을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 10 및 도 11은 각각 도 5의 라인 A-A'을 따라 절단한 단면도를 도시한다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 10을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 히터(210)는 히터(210) 내부를 관통하는 제1 펌핑 라인(PL_1, pumping line)을 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 본딩 툴(234_1)은 제1 본딩 툴(234_1)의 상면에 형성된 제1 펌핑 그루브(PG_1, pumping groove)를 더 포함할 수 있다. 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제1 펌핑 그루브(PG_1)는 서로 연결될 수 있다. 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제1 펌핑 그루브(PG_1) 내부의 공기는 외부 펌프에 의해 배기될 수 있다. 다시 말해서, 외부 펌프에 의해, 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제1 펌핑 그루브(PG_1)는 진공 상태가 될 수 있다. 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제1 펌핑 그루브(PG_1)가 진공 상태로 되는 경우, 기압 차이에 의해, 제1 본딩 툴(234_1)과 히터(210)와의 부착력이 보완될 수 있다.
도 11을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 제1 본딩 툴(234_1)은 제2 펌핑 라인(PL_2)을 더 포함할 수 있다. 제2 펌핑 라인(PL_2)은 제1 펌핑 라인(PL_1)과 연결될 수 있다. 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제2 펌핑 라인(PL_2)은 외부 펌프와 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에 따라, 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제2 펌핑 라인(PL_2)에 연결된 외부 펌프가 동작하는 경우, 칩 본더 어셈블리(200)는 칩(예를 들어, 제3 칩(C3))을 픽업할 수 있다. 다시 말해서, 칩 본더 어셈블리(200)가 칩과 접촉한 경우, 외부 펌프는 제1 펌핑 라인(PL_1)과 제2 펌핑 라인(PL_2) 내의 공기를 배기하여 기압차를 발생시키고, 기압차에 의해 칩은 칩 본더 어셈블리(200)에 픽업될 수 있다.
도 12 및 도 13은 몇몇 실시예에 따른 칩 본더 어셈블리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 12 및 도 13은 각각 도 5의 라인 A-A'을 따라 절단한 단면도를 도시한다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 칩 본더 어셈블리(200)는 히터(210)와 본딩 툴 어셈블리 고정부(220) 사이에 제1 정렬부(ALN_1)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 히터(210)는 음각의 제1 정렬 그루브를 포함하고, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 양각의 제1 정렬 핀을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 히터(210)는 양각의 제1 정렬 핀을 포함하고, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 음각의 제1 정렬 그루브를 포함할 수 있다.
칩 본더 어셈블리(200)는 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)와 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에 제2 정렬부(ALN_2)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 음각의 제2 정렬 그루브를 포함하고, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 양각의 제2 정렬 핀을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 본딩 툴 어셈블리 고정부(220)는 양각의 제2 정렬 핀을 포함하고, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 음각의 제2 정렬 그루브를 포함할 수 있다.
칩 본더 어셈블리(200)는 히터(210)와 제1 본딩 툴(234_1) 사이에 제3 정렬부(ALN_3)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 히터(210)는 음각의 제3 정렬 그루브를 포함하고, 제1 본딩 툴(234_1)은 양각의 제3 정렬 핀을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 히터(210)는 양각의 제3 정렬 핀을 포함하고, 제1 본딩 툴(234_1)은 음각의 제4 정렬 그루브를 포함할 수 있다.
칩 본더 어셈블리(200)는 제1 본딩 툴(234_1)과 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 사이에 제4 정렬부(ALN_4)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 본딩 툴(234_1)은 음각의 제4 정렬 그루브를 포함할 수 있고, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 양각의 제4 정렬 핀을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 본딩 툴(234_1)은 양각의 제4 정렬 핀을 포함할 수 잇고, 제1 본딩 툴 고정부(232_1)는 음각의 제4 정렬 그루브를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들이 도 12 및 도 13에 제한되는 것은 아니고, 제1 정렬부(ALN_1) 내지 제4 정렬부(ALN_4) 중 일부만 구현되거나, 제1 정렬부(ALN_1) 내지 제4 정렬부(ALN_4)는 도 12 및 도 13의 조합을 통해 필요에 따라 변경될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)는 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)를 보관할 수 있다. 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)는 제2 본딩 툴 고정부(232_2) 및 제2 본딩 툴(234_2)을 포함할 수 있다. 제2 본딩 툴 고정부(232_2) 및 제2 본딩 툴(234_2)은 제1 본딩 툴 고정부(232_1) 및 제1 본딩 툴(234_1)과 유사하므로, 구체적인 설명은 생략한다.
다만, 제2 본딩 툴(234_2)은 제1 본딩 툴(234_1)과 그 용도가 다를 수 있다. 예를 들어, 도 2의 시스템에서는 제1 본딩 툴(234_1)을 이용할 수 있고, 도 3의 시스템에서는 제2 본딩 툴(234_2)을 이용할 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비는 수행하는 칩 본딩 공정의 종류에 따라 혹은 필요에 따라 적절한 본딩 툴 어셈블리를 장착하여 이용할 수 있다. 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리의 교체 시스템을 설명하기 위해, 도 14 및 도 15를 더 참조한다.
도 14는 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템을 설명하기 위한 예시적인 순서도이다. 도 15는 몇몇 실시예에 따른 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 현재 칩 본딩 장비에는 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)가 장착된 상태인 것을 가정하여 설명한다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)는 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)를 보관할 수 있다. 예를 들어, 제2 본딩 툴 고정부(232_2)와 제2 본딩 툴(234_2)이 서로 결합된 상태로 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)에 보관될 수 있다.
제어부(300)의 제어에 따라, 칩 본더 어셈블리(200)는 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)로 이동할 수 있다(S1410). 예를 들어, 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)의 제어에 따라, 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)의 제4 위치(L4)로 이동할 수 있다.
이어서, 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)의 제어에 따라, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 탈착할 수 있다(S1420). 예를 들어, 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)의 제어에 따라 제4 위치(L4)에서 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)를 탈착할 수 있다.
이어서, 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)의 제어에 따라, 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)를 부착할 수 있다(S1430). 예를 들어, 제1 본딩 툴 어셈블리(230_1)가 탈착된 칩 본더 어셈블리(200)는 제어부(300)의 제어에 따라, 제5 위치(L5)로 이동하여, 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)를 부착할 수 있다.
비록 도 1 및 도 15에서, 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)는 제2 본딩 툴 어셈블리(230_2)만 보관되는 것으로 도시하였으나, 실시예들이 이에 제한되지는 않는다. 본딩 툴 어셈블리 저장부(400)는 2 이상의 본딩 툴 어셈블리를 보관할 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템은 제어부(300)에 의해 제어될 수 있다. 다시 말해서, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템은 사용자에 의한 수동 조작이 필요없는 자동화 시스템으로 구현될 수 있다. 그러나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니고, 사용자가 수동으로 본딩 툴 어셈블리를 교체할 수 있음은 물론이다.
도 16은 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 예시적인 순서도이다. 설명의 편의를 위해, 중복되거나 유사한 내용은 생략하거나 간단히 설명한다.
도 16을 참조하면, 제1 기판 상에 제1 반도체 막을 형성할 수 있다(S1610). 제1 반도체 막은 다양한 물질을 포함할 수 있다.
제1 기판을 분리하여, 복수의 칩(예를 들어, 제1 칩(C1) 및 제2 칩(C2))을 생성할 수 있다(S1612).
몇몇 실시예에 따른 칩 본딩 장비를 이용하여, 생성된 복수의 칩 중 적어도 일부를 제2 기판(예를 들어, 기판(SUB)) 상에 본딩할 수 있다(S1630).
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 스테이지 200: 칩 본더 어셈블리
210: 히터 220: 본딩 툴 어셈블리 고정부
230: 본딩 툴 어셈블리 232: 본딩 툴 고정부
234: 본딩 툴 300: 제어부
400: 본딩 툴 어셈블리 저장부 500: 호일

Claims (10)

  1. 기판이 로딩되는 스테이지;
    상기 스테이지 상의 히터로서, 상기 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터;
    상기 바디부와 연결되는 제1 부분과, 상기 발열부가 삽입되는 제2 부분을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부;
    상기 발열부와 연결되고, 제5 부분과 제6 부분을 포함하는 제1 본딩 툴; 및
    상기 제1 부분과 연결되는 제3 부분 및 상기 제6 부분이 삽입되는 제4 부분을 포함하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하고,
    외부로부터 상기 제1 부분에 인가되는 전압에 의해, 상기 제3 부분은 상기 제1 부분에 부착되고,
    상기 제5 부분의 상면은 상기 발열부와 접촉하고,
    상기 제5 부분의 상면은 상기 제3 부분의 상면과 동일 평면에 놓이고,
    상기 바디부의 폭은 상기 발열부의 폭보다 큰 칩 본딩 장비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 부분이 상기 제1 부분에 부착되어, 상기 제1 본딩 툴과 상기 발열부가 연결되는 칩 본딩 장비.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제6 부분은 상기 제1 본딩 툴 고정부보다 돌출되는 칩 본딩 장비.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 부분은 상기 제2 부분을 둘러싸도록 배치되고, 상기 제3 부분은 상기 제4 부분을 둘러싸도록 배치되는 칩 본딩 장비.
  5. 제 1항에 있어서,
    제2 본딩 툴 고정부와, 상기 제2 본딩 툴 고정부와 연결되는 제2 본딩 툴을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 저장부를 더 포함하는 칩 본딩 장비.
  6. 기판이 로딩되는 스테이지;
    상기 스테이지 상의 히터로서, 상기 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터;
    상기 바디부와 연결되는 제1 부분과, 상기 발열부가 삽입되는 제2 부분을 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부로서, 상기 제1 부분은 제1 노치 그리퍼를 포함하는 본딩 툴 어셈블리 고정부;
    상기 발열부와 연결되고, 제5 부분과 제6 부분을 포함하는 제1 본딩 툴; 및
    상기 제1 부분과 연결되는 제3 부분 및 상기 제6 부분이 삽입되는 제4 부분을 포함하는 제1 본딩 툴 고정부로서, 상기 제3 부분은 상기 제1 노치 그리퍼와 대응되는 제1 노치를 포함하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하고,
    상기 제1 노치 그리퍼와 상기 제1 노치의 결합에 의해, 상기 제3 부분은 상기 제1 부분에 부착되고,
    상기 제5 부분의 상면은 상기 발열부와 접촉하고,
    상기 제5 부분의 상면은 상기 제3 부분의 상면과 동일 평면에 놓이고,
    상기 바디부의 폭은 상기 발열부의 폭보다 큰 칩 본딩 장비.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제3 부분이 상기 제1 부분에 부착되어, 상기 제1 본딩 툴과 상기 발열부가 연결되는 칩 본딩 장비.
  8. 기판이 로딩되는 스테이지;
    상기 스테이지 상의 히터로서, 상기 히터는 발열부와 바디부를 포함하는 히터;
    상기 발열부와 연결되는 제1 본딩 툴과, 상기 제1 본딩 툴의 적어도 일부와 접촉하는 제1 본딩 툴 고정부를 포함하는 제1 본딩 툴 어셈블리; 및
    상기 바디부와 연결되고, 상기 제1 본딩 툴 어셈블리와 연결되는 본딩 툴 어셈블리 고정부를 포함하고,
    상기 제1 본딩 툴 어셈블리는 상기 본딩 툴 어셈블리 고정부로부터 탈부착 가능하고,
    상기 제1 본딩 툴의 적어도 일부는 상기 제1 본딩 툴 고정부와 상기 본딩 툴 어셈블리 고정부 사이에 배치되고,
    상기 제1 본딩 툴의 상면은 상기 발열부와 접촉하고,
    상기 제1 본딩 툴의 상면은 상기 제1 본딩 툴 고정부의 상면과 동일 평면에 놓이고,
    상기 바디부의 폭은 상기 발열부의 폭보다 큰 칩 본딩 장비.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 본딩 툴 어셈블리 고정부는 외부로부터 전압이 인가되고,
    상기 본딩 툴 어셈블리 고정부에 인가되는 전압에 의해, 상기 제1 본딩 툴 고정부는 상기 본딩 툴 어셈블리 고정부에 부착되는 칩 본딩 장비.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 본딩 툴 어셈블리 고정부는 제1 노치 그리퍼를 포함하고,
    상기 제1 본딩 툴 고정부는 상기 제1 노치 그리퍼와 대응되는 제1 노치를 포함하고,
    상기 제1 노치 그리퍼와 상기 제1 노치의 결합에 의해, 상기 제1 본딩 툴 고정부는 상기 본딩 툴 어셈블리 고정부에 부착되는 칩 본딩 장비.
KR1020190036568A 2019-03-29 2019-03-29 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법 Active KR102670383B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190036568A KR102670383B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법
US16/582,405 US11482505B2 (en) 2019-03-29 2019-09-25 Chip bonding apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190036568A KR102670383B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200114573A KR20200114573A (ko) 2020-10-07
KR102670383B1 true KR102670383B1 (ko) 2024-05-28

Family

ID=72604791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190036568A Active KR102670383B1 (ko) 2019-03-29 2019-03-29 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11482505B2 (ko)
KR (1) KR102670383B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102670383B1 (ko) * 2019-03-29 2024-05-28 삼성전자주식회사 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법
EP4080554A3 (de) * 2021-04-21 2023-04-19 PINK GmbH Thermosysteme Sintervorrichtung und verfahren zum steuern einer sintervorrichtung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682878U (ja) 1993-05-13 1994-11-25 日本アビオニクス株式会社 熱圧着装置のヒ−タ機構
US6414271B2 (en) * 2000-05-25 2002-07-02 Kyocera Corporation Contact heating device
JP3898630B2 (ja) 2002-11-28 2007-03-28 京セラ株式会社 押圧加熱装置
JP4539454B2 (ja) 2005-06-20 2010-09-08 パナソニック株式会社 電子部品の熱圧着ツールおよび電子部品の実装装置ならびに実装方法
WO2007066559A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Toray Engineering Co., Ltd. チップ実装装置およびチップ実装方法
JP4508124B2 (ja) 2006-02-15 2010-07-21 パナソニック株式会社 半導体部品の熱圧着装置
JP4808283B1 (ja) * 2010-06-30 2011-11-02 株式会社新川 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
US8381965B2 (en) 2010-07-22 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compress bonding
JP2013143542A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Tokyo Electron Ltd 半導体デバイス製造システム及び半導体デバイス製造方法
KR102039769B1 (ko) * 2012-10-23 2019-11-01 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 본딩 툴 냉각 장치 및 본딩 툴 냉각 방법
JP6234277B2 (ja) 2014-03-05 2017-11-22 東レエンジニアリング株式会社 圧着ヘッド、それを用いた実装装置および実装方法
TWI664681B (zh) 2014-08-25 2019-07-01 Toray Engineering Co., Ltd. Mounting head and mounting device using the same
KR20160035721A (ko) * 2014-09-24 2016-04-01 세메스 주식회사 다이 본딩용 헤드 툴의 교체 방법
KR102288922B1 (ko) * 2015-05-27 2021-08-12 세메스 주식회사 기판을 파지하기 위한 그리퍼 및 이를 포함하는 장치
KR102425309B1 (ko) * 2016-10-12 2022-07-26 삼성전자주식회사 본딩 헤드와 스테이지 사이의 평행도 보정 장치 및 이를 포함하는 칩 본더
KR102670383B1 (ko) * 2019-03-29 2024-05-28 삼성전자주식회사 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11482505B2 (en) 2022-10-25
US20200312811A1 (en) 2020-10-01
KR20200114573A (ko) 2020-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1111672B2 (en) Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
EP0521672B1 (en) Integrated circuit interconnection technique
KR100609806B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US7785926B2 (en) Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component
US20020155728A1 (en) Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
JPH1079362A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
KR20110016293A (ko) 반도체 칩 부착 장치 및 반도체 칩 부착 방법
KR20000010668A (ko) 성형된 유연 회로 볼 그리드 어레이 및 그 제조방법
JP3744927B2 (ja) カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法
KR0129119B1 (ko) 반도체칩의 제거방법 및 제거장치
KR102670383B1 (ko) 칩 본딩 장비, 본딩 툴 어셈블리 교체 시스템 및 칩 본딩 장비를 이용한 반도체 장치 제조 방법
JP2008103390A (ja) 半導体装置の製造方法
CN100440464C (zh) 层叠型半导体器件以及层叠型电子部件的制造方法
TWI475606B (zh) 非均勻真空分佈晶粒附著尖端
US20010030370A1 (en) Microelectronic assembly having encapsulated wire bonding leads
JP2002141444A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN107851632A (zh) 用于制造半导体器件的方法及相应的器件
KR100876965B1 (ko) 반도체패키지 제조용 칩 픽업툴
KR101395536B1 (ko) 반도체 다이 픽업용 콜렛 모듈
JP4485210B2 (ja) 半導体デバイス、電子機器、半導体デバイスの製造方法及び電子機器の製造方法
KR101758697B1 (ko) 반도체 칩 픽업장치
US6534392B1 (en) Methods of making microelectronic assemblies using bonding stage and bonding stage therefor
KR101631293B1 (ko) 집적회로 칩의 기판 본딩 방법
JP2001110847A (ja) 電子部品の保持治具、保持方法および電子部品の製造方法
JPH08161959A (ja) スイッチ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20190329

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20220218

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20190329

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230823

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20240403

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20240524

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20240524

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration