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KR102667950B1 - 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 - Google Patents

유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 Download PDF

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KR102667950B1
KR102667950B1 KR1020190173610A KR20190173610A KR102667950B1 KR 102667950 B1 KR102667950 B1 KR 102667950B1 KR 1020190173610 A KR1020190173610 A KR 1020190173610A KR 20190173610 A KR20190173610 A KR 20190173610A KR 102667950 B1 KR102667950 B1 KR 102667950B1
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예들은, 복수의 데이터라인과 복수의 게이트라인과 복수의 에미션라인과, 복수의 화소를 포함하는 디스플레이 패널, 복수의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 데이터 드라이버, 복수의 게이트라인과 상기 복수의 에미션라인에 각각 게이트신호와 에미션신호를 인가하는 게이트 드라이버 및 데이터드라이버와 게이트 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 화소는, 데이터전압이 기입되는 제1기간과, 데이터전압이 유지되고 데이터전압 대응하여 구동전류를 공급하는 제2기간과, 데이터전압이 유지되고 발광하지 않는 제3기간으로 동작하며, 제2기간과 제3기간의 길이의 비는 조절되고, 제2기간과 제3기간에서 기설정된 전압을 전달받을 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법을 제공할 수 있다.

Description

유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD FOR THE SAME}
본 명세서는 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불량 판단을 용이하게 하고 제조비용을 절감할 수 있는 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display Device), 퀀텀닷 발광표시장치(QLED: Quantum dot Light Emitting Display), 유기 전계발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 타입의 표시장치가 활용되고 있다.
유기 전계발광 표시장치에서 트랜지스터의 문턱전압의 편차로 인해 화질이 저하되는 문제점이 있어다. 또한, 데이터전압이 가변됨으로써, 화소에 저장된 데이터전압이 가변되어 화질이 저하되는 문제점이 있었다. 이에, 본 명세서의 발명자들은 화질을 개선할 수 있는 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법을 발명하였다.
이하에서 설명하게 될 본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 일실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치는 복수의 데이터라인과 복수의 게이트라인과 복수의 에미션라인과, 복수의 화소를 포함하는 디스플레이 패널, 복수의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 데이터 드라이버, 복수의 게이트라인과 상기 복수의 에미션라인에 각각 게이트신호와 에미션신호를 인가하는 게이트 드라이버 및 데이터드라이버와 게이트 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 화소는, 데이터전압이 기입되는 제1기간과, 데이터전압이 유지되고 데이터전압 대응하여 구동전류를 공급하는 제2기간과, 데이터전압이 유지되고 발광하지 않는 제3기간으로 동작하며, 제2기간과 제3기간의 길이의 비는 조절되고, 제2기간과 제3기간에서 기설정된 전압을 전달받을 수 있다.
본 명세서의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 기입된 데이터전압에 대응하여 유기발광다이오드로 구동전류를 공급하는 화소를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법에 있어서, 데이터전압이 제1노드에 기입되는 단계, 기입된 데이터전압에 대응하여 구동전류가 유기발광다이오드로 공급되고, 기설정된 전압이 상기 제1노드에 공급되는 단계 및 기입된 데이터전압이 유지되고, 구동전류가 유기발광다이오드에 공급되지 않고, 기설정된 전압이 제1노드에 공급되는 단계를 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따르면, 문턱전압을 보상함으로써, 화질이 개선되는 효과가 있다.
또한, 상기의 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법을 이용함으로써, 데이터전압의 변화로 인해 화질이 저하되는 것을 방지하는 효과가 있다.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않는다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예들은 위에서 언급되지 않은 또 다른 효과를 발생시킬 수 있으며, 이는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기 전계발광 표시장치에서 일부의 화소들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소들이 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 7에 도시된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 9는 본 발명에 따른 유기 전계발광 표시장치의 구동방법을 나타내는 순서도이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 1을 참조하면, 유기 전계발광 표시장치(100)는 디스플레이 패널(110), 데이터드라이버(120), 게이트 드라이버(130), 타이밍 컨트롤러(140)를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(110)은 제1방향으로 연장되는 복수의 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 제2방향으로 연장되는 복수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1방향과 제2방향은 직교할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 디스플레이 패널(110)은 복수의 화소(101)를 포함할 수 있다. 화소(101)는 데이터라인과 게이트라인에 연결되고, 연결된 게이트 라인을 통해 전달되는 게이트신호에 대응하여 연결된 데이터라인을 통해 전달되는 데이터신호를 전달받아 동작할 수 있다.
데이터드라이버(120)는 복수의 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 연결되고 데이터신호를 복수의 데이터라인(DL1 내지 DLm)을 통해 복수의 화소에 공급할 수 있다. 데이터드라이버(120)는 복수의 소스 드라이버를 포함할 수 있다. 복수의 소스 드라이버는 각각 집적회로로 구현될 수 있다. 데이터 드라이버(120)에 의해 전달되는 데이터신호는 화소에 인가될 수 있다.
게이트 드라이버(130)는 복수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 연결되고 게이트 신호를 복수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)에 공급할 수 있다. 게이트 라인을 통해 게이트 신호를 전달받은 화소는 데이터신호를 전달받을 수 있다.
게이트 드라이버(130)는 디스플레이 패널(110)의 외부에 배치되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트 드라이버(130)는 디스플레이 패널(110)에 배치되는 게이트신호발생부를 포함할 수 있다. 또한, 게이트 드라이버(130)는 복수의 집적회로로 구현될 수 있다.
또한, 게이트 드라이버(130)는 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치되어 있는 것으로 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치되고, 좌측에 배치된 게이트 드라이버는 홀수번째 게이트라인에 연결되고 디스플레이 패널(110)의 우측에 배치되는 게이트 드라이버는 짝수번째 게이트라인에 연결될 수 있다.
타이밍 컨트롤러(140)는 데이터드라이버(120)와 게이트 드라이버(130)를 제어할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 데이터드라이버(120)에 데이터제어신호를 공급하고 게이트 드라이버(130)에 게이트제어신호를 공급할 수 있다. 데이터제어신호 또는 게이트제어신호는 클럭, 수직동기신호, 수평동기신호, 스타트 펄스를 포함할 수 있다. 하지만, 타이밍 컨트롤러(140)에서 출력되는 신호는 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 타이밍 컨트롤러(140)는 데이터드라이버(120)에 영상신호를 공급할 수 있다. 데이터드라이버(120)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 전달받은 영상신호와 데이터제어신호를 통해 데이터신호를 생성하고 복수의 데이터라인에 데이터신호를 공급할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 유기 전계발광 표시장치에서 일부의 화소들의 배치를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 화소들이 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 유기 전계발광 표시장치(100)의 제1화소 내지 제4화소(101a,101b,101c,101d)가 배치되어 있고, 제1방향(A)으로 연장되는 제1게이트라인(GL1)과 제2게이트라인(GL2)과 제1에미션라인(EML1)과 제2에미션라인(EML2)이 배치되고, 제2방향(B)으로 연장되는 제1데이터라인(DL_1)과 제2데이터라인(DL_2)이 배치될 수 있다.
그리고, 제1게이트라인(GL1)에 제1화소(101a)와 제2화소(101b)가 연결되고 제2게이트라인(GL2)에 제3화소(101c)와 제4화소(101d)가 연결될 수 있다. 또한, 제1데이터라인(DL_1)에 제1화소(101a)와 제3화소(101c)가 연결되고 제2데이터라인(DL_2)에 제2화소(101b) 및 제4화소(101d)가 연결될 수 있다. 또한, 제1화소(101a)와 제2화소(101b)는 제1에미션라인(EML1)에 연결되고 제3화소(101c)와 제4화소(101c)는 제2에미션라인(EML2)에 연결될 수 있다.
그리고, 제1기간(T1a)에서 제1데이터라인(DL_1)에 순차적으로 제1데이터전압(Vdata1)과 제2데이터전압(Vdata2)이 전달되고 제2데이터라인(DL_2)에 순차적으로 제3데이터전압(Vdata3)과 제4데이터전압(Vdata4)이 전달될 수 있다. 이때, 제1게이트라인(GL1)과 제2게이트라인(GL2)에 순차적으로 제1게이트신호(GATE1)와 제2게이트신호(GATE2)가 전달될 수 있다.
제1게이트신호(GATE1)에 의해 제1화소(101a)와 제2화소(101b)에 각각 제1데이터전압(Vdata1)과 제3데이터전압(Vdata1)이 전달되고, 제2게이트신호(GATE2)에 의해 제3화소(101c)와 제4화소(101d)에 각각 제2데이터전압(Vdata2)과 제4데이터전압(Vdata4)이 전달될 수 있다.
그리고, 제2기간(T2a)이 되면, 제1에미션라인(EML1)과 제2에미션라인(EML2)을 통해 전달되는 제1에미션신호(EMS1)와 제2에미션신호(EMS2)에 의해 제1화소 내지 제4화소(101a 내지 101d)는 발광할 수 있다. 이때, 제1화소 내지 제4화소(101a 내지 101d)가 발광하는 시간은 제2기간(T2a)에서 제1에미션신호(EMS1)와 제2에미션신호(EMS1)의 펄스폭(Wd)에 의해 조절될 수 있어, 제1화소 내지 제4화소(101a 내지 101d)의 휘도는 제2기간(T2a)에서 제1에미션신호(EMS1)와 제2에미션신호(EMS2)의 펄스폭(wd)에 의해 조절될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 화소(101)는 제1트랜지스터(M1a), 제2트랜지스터(M2a), 제3트랜지스터(M3a), 스토리지 캐패시터(Csta) 및 유기발광다이오드(OLEDa)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1a)의 제1전극은 제1전원(EVDD)가 전달되는 전원라인(VL)에 연결되고, 제2전극은 제1노드(N1a)에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(M1c)의 게이트전극은 제2노드(N2a)에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(M1a)는 게이트전극에 전달되는 전압에 대응하여 에미션신호(EMS)에 공급되는 제1전원(EVDD)에 의해 구동전류를 제1노드(N1a)에 흐르게 할 수 있다.
제2트랜지스터(M2a)의 제1전극은 데이터전압(Vdata)을 전달하는 데이터라인(DL)에 연결되고, 제2전극은 제2노드(N2a)에 연결될 수 있다. 또한, 제2트랜지스터(M2a)의 게이트전극은 게이트신호(GATE)를 공급하는 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2a)는 게이트신호를 전달받아 데이터라인라인(DL)에 전달되는 데이터전압을 제1트랜지스터(M1c)의 게이트 전극에 공급할 수 있다. 게이트라인(GL)은 도 1에 도시된 게이트드라이버(130)에 연결되어 게이트드라이버(130)으로부터 게이트신호(GATE)를 전달받을 수 있다.
제3트랜지스터(M3a)의 제1전극은 제1노드(N1a)에 연결되고 제2전극은 유기발광다이오드(OLEDa)에 연결될 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3a)의 게이트전극은 에미션신호(EMS)를 전달하는 에미션라인(EML)에 연결될 수 있다. 에미션라인(EML)은 도 1에 도시된 게이트드라이버(130)에 연결되고, 게이트드라이버(130)로부터 에미션신호(EMS)를 공급받을 수 있다.
스토리지 캐패시터(Csta)의 제1전극이 제1노드(N1a)에 연결되고, 제2전극은 제2노드(N2a)에 연결될 수 있다. 즉, 스토리지 캐패시터(Csta)는 제1트랜지스터(M1a)의 게이트전극과 제1트랜지스터(M1a)의 제2전극 사이에 배치되어 제1트랜지스터(M1a)의 게이트전극과 제1트랜지스터(M1a)의 제2전극 간의 전압차이가 유지되게 할 수 있다.
유기발광다이오드(OLEDa)의 애노드전극은 제3트랜지스터(M3a)의 제2전극에 연결되고, 캐소드전극은 제2전원(EVSS)에 연결될 수 있다. 제2전원(EVSS)의 전압레벨은 제1전원(EVDD)의 전압레벨보다 낮을 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDa)는 애노드전극에서 캐소드전극 방향으로 흐르는 전류에 대응하여 발광할 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDa)는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 유기막 또는 무기막일 수 있다.
상기와 같이 구성된 화소(101)에서 제1트랜지스터(M1a) 및 제2트랜지스터(M2a)는 N 모스 타입의 트랜지스터이고, 제3트랜지스터(M3a)는 P 모스 타입의 트랜지스터인 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 내지 제3트랜스터(M1a 내지 M3a)의 제1전극과 제2전극은 각각 드레인전극과 소스전극일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 구현된 화소(101)에서 제2트랜지스터(M2a)와 제3트랜지스터(M3a)가 턴오프되는 경우, 제2노드(N1a)는 플로팅될 수 있다. 특히, 도 3에 도시된 제1기간(T1a)에서 게이트신호(GATE)가 전달되지 않아 제2트랜지스터(M2a)가 턴오프되고 에미션신호가 전달되어 제3트랜지스터(M3a)가 턴오프된 경우에는 데이터라인(DL)에 다른 화소에 전달되는 데이터전압이 인가될 수 있다. 데이터라인(DL)에 전달되는 데이터전압에 의해 제3노드(N3a)의 전압이 흔들리게 되어 화질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이고, 도 6은 도 5에 도시된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 5와 도 6을 참조하면, 화소(101)는 데이터전압(Vdata)이 기입되는 제1기간(T1b)과, 데이터전압(Vdata)이 유지되고 데이터전압(Vdata) 대응하여 구동전류를 유기발광다이오드(OLEDb)에 공급하여 발광하는 제2기간(T2b)과, 데이터전압(Vdata)이 유지되고 유기발광다이오드(OLEDb)가 발광하지 않는 제3기간(T3b)으로 동작할 수 있다. 또한, 제2기간(T2b)과 제3기간(T3b)의 길이의 비는 조절되고, 제2기간(T2b)과 제3기간(T3b)에서 기설정된 전압을 전달받을 수 있다. 제2기간(T2b)과 제3기간(T3b)의 길이의 비는 에미션신호(EMS)의 펄스폭(wd)에 의해 조절될 수 있다.
화소(101)는 제2기간(T2b) 및 제3기간(T3b)에 제1노드(N1b)에 기설정된 전압을 공급받을 수 있다. 화소(101b)는 제2노드(N2b)의 전압에 대응하여 구동전류를 공급하는 제1트랜지스터(M1b), 제1전극은 제1노드(N1b)에 연결되고 제2전극은 제2노드(N2b)에 연결되며, 제1기간(T1b)에서 제1노드(N1b)를 통해 데이터전압(Vdata)이 기입되고 제2노드(N2b)를 통해 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압이 기입되는 스토리지 캐패시터(Cstb) 및 제2기간(T2b)에서 구동전류를 공급받고, 제3기간(T3b)에서 구동전류를 공급받지 않는 유기발광다이오드(OLEDb)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1b)는 제1전극이 제1전원라인(VL1)에 연결되고, 제2전극이 제3노드(N3b)에 연결될 수 있다. 또한, 제1트랜지스터(M1b)는 게이트전극이 제2노드(N2b)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1트랜지스터(M1b)는 제2노드(N2b)에 인가된 전압에 대응하여 제3노드(N3b)로 구동전류가 흐르게 할 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cstb)는 제1전극은 제1노드(N1b)에 연결되고 제2전극은 제2노드(N2b)에 연결될 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cstb)는 제1전극에 전달되는 데이터전압(Vdata)과 제2전극에 전달되는 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압에 대응하여 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압에 대응되는 전압을 저장할 수 있다. 또한, 스토리지 캐패시터(Cstb)와 연결된 제1노드(N1b)가 플로팅되는 것을 방지하기 위해 제1노드(N1b)에 기설정된 전압이 공급될 수 있다. 기설정된 전압은 기준전압(Vref)일 수 있다.
유기발광다이오드(OLEDb)는 애노드전극을 통해 구동전류가 공급되고 캐소드전극은 제2전원(EVSS)에 연결될 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDb)는 구동전류의 크기에 대응하여 발광할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제2트랜지스터(M2b), 제3트랜지스터(M3b), 제4트랜지스터(M4b) 및 제5트랜지스터(M5b)를 더 포함할 수 있다.
제2트랜지스터(M2b)는 제1전극이 데이터라인(DL)에 연결되고 제2전극이 제1노드(N1b)에 연결될 수 있다. 또한, 제2트랜지스터(M2b)는 게이트전극이 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2b)는 제1기간(T1b)에서 데이터전압(Vdatab)을 제1노드(N1b)에 전달할 수 있다.
제3트랜지스터(M3b)는 제1전극이 제3노드(N3b)에 연결되고 제2전극이 제2노드(N2b)에 연결될 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3b)는 게이트전극이 에미션라인(EML)에 연결될 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3b)는 더블 게이트 전극을 가질 수 있다. 제3트랜지스터(M3b)는 제1기간(T1b)에서 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압을 제2노드(N2b)에 전달할 수 있다. 제3트랜지스터(M3b)는 N 모스 타입의 트랜지스터일 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3b)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제4트랜지스터(M4b)는 제1전극이 기준전압(Vref)이 전달되는 제2전원라인(VL2)과 연결되고 제2전극이 제1노드(N1b)에 연결될 수 있다. 또한, 제4트랜지스터(M4b)는 게이트전극이 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제4트랜지스터(M4b)는 N 모스 타입의 트랜지스터일 수 있다. 또한, 제4트랜지스터(M4b)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제5트랜지스터(M5b)는 제1전극이 제3노드(N3b)에 연결되고 제2전극이 유기발광다이오드(OLEDb)의 애노드 전극에 연결될 수 있다. 또한, 제5트랜지스터(M5b)는 게이트전극이 에미션라인(EML)에 연결될 수 있다.
또한, 화소(101)는 제6트랜지스터(M6b)를 더 포함할 수 있다. 제6트랜지스터(M6b)는 제1전극이 제2전원라인(VL2)에 연결되고 제2전극이 유기발광다이오드(OLEDb)의 애노드 전극에 연결될 수 있다. 또한, 제6트랜지스터(M6b)는 게이트전극이 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제6트랜지스터(M6b)는 유기발광다이오드(OLEDb)의 애노드 전극에 인가된 전압을 기준전압(Vref)에 의해 초기화할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제7트랜지스터(M7b)를 더 포함할 수 있다. 제7트랜지스터(M7b)는 제1전극이 제2전원라인(VL2)에 연결되고 제2전극이 제3노드(N3b)에 연결될 수 있다. 또한, 제7트랜지스터(M7b)는 게이트전극이 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제7트랜지스터(M7b)는 제3노드(N3b)의 전압을 기준전압(Vref)에 의해 초기화할 수 있다.
또한, 제1기간(T1b)에서 게이트신호(GATE)가 로우 상태로 전달될 수 있고 에미션신호(EMS)는 하이상태로 전달될 수 있다. 게이트신호(GATE)가 로우 상태이면, 게이트라인(GL)과 연결된 제2트랜지스터(M2b)는 턴온되고 제4트랜지스터(M4b)는 오프상태일 수 있다. 또한, 에미션신호(EMS)가 하이상태이면, 에미션라인(EML)과 연결된 제3트랜지스터(M3b)는 턴온되고 제5트랜지스터(M5b)는 오프상태일 수 있다.
제2트랜지스터(M2b)가 턴온되면, 데이터라인(DL)을 통해 전달되는 데이터전압(Vdata)은 제1노드(N1b)에 전달되어 스토리지 캐패시터(Cstb)에 데이터전압(Vdata)이 저장될 수 있다. 제3트랜지스터(M3b)가 턴온되어 있어, 제1트랜지스터(M1b)는 다이오드 연결되어 제1트랜지스터(M1b)의 제1전극에서 제2전극 방향으로 전류가 흐르게 될 수 있다. 이로 인해, 제2노드(N2b)에는 제1트랜지스터(M1b)의 제1전극에서 제2전극 방향으로 흐르는 전류에 대응하는 전압이 저장될 수 있다. 제2노드(N2b)에 저장되는 전압은 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압에 대응할 수 있다. 따라서, 스토리지 캐패시터(Cstb)에는 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압에 대응하는 전압이 저장될 수 있다. 또한, 제5트랜지스터(M5b)는 오프상태를 유지하고 있어서, 유기발광다이오드(OLEDb)에는 전류가 흐르지 않게 될 수 있다.
그리고, 제2기간(T2b)에는 게이트신호(GATE)가 하이상태를 유지하고 에미션신호(EMS)가 로우 상태를 유지하게 된다. 제2기간(T2b)에 제1노드(N1b)와 제2노드(N2b)에는 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압에 대응하는 전압이 저장되어 있어 제3노드(N3b)에는 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압에 대응하는 구동전류가 흐르게 될 수 있다. 또한, 로우 상태로 전달되는 에미션신호(EMS)에 의해 제5트랜지스터(M5b)는 턴온되게 되어 구동전류는 유기발광다이오드(OLEDb)로 공급될 수 있다. 이로 인해, 유기발광다이오드(OLEDb)에는 제1트랜지스터(M1b)의 문턱전압이 보상된 구동전류가 흐르게 될 수 있다.
제3기간(T3b)에는 게이트신호(GATE)와 에미션신호(EMS)가 하이 상태를 유지할 수 있다. 게이트신호(GATE)와 에미션신호(EMS)가 하이상태를 유지하게 되면, 제2트랜지스터(M2b)는 오프상태가 되고 제3트랜지스터(M3b)는 온상태가 될 수 있다. 이때, 제5트랜지스터(M5b)는 오프상태를 유지하고 있어 유기발광다이오드(OLEDb)에는 전류가 흐르지 않게 되어 발광하지 않게 될 수 있다. 제2트랜지스터(M2b)가 오프상태이면, 제1노드(N1b)가 플로팅상태가 될 수 있는데, 제1노드(N1b)가 플로팅되는 것을 방지하기 위해 제1노드(N1b)에 기설정된 전압을 전달할 수 있다. 또한, 에미션신호(EMS)의 펄스폭(wd)를 조절하여 제3기간(T3b)의 길이를 조절함으로써, 유기발광다이오드(OLEDb)의 휘도를 조절할 수 있다.
또한, 제2기간(T2b)와 제3기간(T3b)에서 제4트랜지스터(M4b)는 게이트신호(GATE)가 하이상태로 전달되면 턴온되어 제2전원라인(VL2)에 전달되는 기준전압(Vref)을 제1노드(N1b)에 전달하여 제1노드(N1b)에는 기설정된 전압이 전달될 수 있다.
따라서, 제1노드(N1b)에 기준전압(Vref)이 전달되고 있어 제1노드(N1b)가 플로팅되는 것을 방지하여 유기전계발광표시장치(100)의 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제6트랜지스터(M6b)를 더 포함하고, 제6트랜지스터(M6b)는 게이트라인(GL)에 연결되어 게이트신호(GATE)에 의해 턴온될 수 있다. 따라서, 제6트랜지스터(M6b)는 제1기간(T1b)에서 게이트신호(GATE)에 턴온되어 유기발광다이오드(OLEDb)의 애노드전극에 인가된 전압을 초기화할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제7트랜지스터(M7b)를 더 포함하고, 제7트랜지스터(M7b)가 게이트라인(GL)에 연결되어 게이트신호(GATE)에 의해 턴온될 수 있다. 따라서, 제7트랜지스터(M7b)는 제1기간(T1b)에서 게이트신호(GATE)에 턴온되어 유기발광다이오드(OLEDb)의 애노드전극에 인가된 전압을 초기화할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 7을 참조하면, 화소(101)는 데이터전압(Vdata)이 기입되는 제1기간(T1c)과, 데이터전압(Vdata)이 유지되고 데이터전압(Vdata) 대응하여 구동전류를 유기발광다이오드(OLEDb)에 공급하여 발광하는 제2기간(T2c)과, 데이터전압(Vdata)이 유지되고 유기발광다이오드(OLEDc)가 발광하지 않는 제3기간(T3c)으로 동작할 수 있다. 또한, 제2기간(T2c)과 제3기간(T3c)의 길이의 비는 조절되고, 제2기간(T2c)과 제3기간(T3c)에서 기설정된 전압을 전달받을 수 있다. 제2기간(T2c)과 제3기간(T3c)의 길이의 비는 에미션신호(EMS)의 펄스폭(wd)에 의해 조절될 수 있다.
화소(101)는 제2기간(T2c) 및 제3기간(T3c)에 제1노드(N1c)에 기설정된 전압을 공급받을 수 있다. 화소(101c)는 제2노드(N2c)의 전압에 대응하여 제1노드(N1c)에서 제3노드(N3c)로 구동전류를 공급하는 제1트랜지스터(M1c), 제1전극은 제4노드(N4c)에 연결되고 제2전극은 제2노드(N2c)에 연결되며, 제1기간(T1c)에서 제4노드(N4c)를 통해 데이터전압(Vdata)이 기입되고 제2노드(N2c)를 통해 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압이 기입되는 스토리지 캐패시터(Cstc) 및 제2기간(T2c)에서 구동전류를 공급받고, 제3기간(T3c)에서 구동전류를 공급받지 않는 유기발광다이오드(OLEDc)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1c)는 제1전극이 제1노드(N1c)에 연결되고, 제2전극이 제3노드(N3c)에 연결될 수 있다. 또한, 제1트랜지스터(M1c)는 게이트전극이 제2노드(N2c)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1트랜지스터(M1c)는 제2노드(N2c)에 인가된 전압에 대응하여 제3노드(N3c)로 구동전류가 흐르게 할 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cstc)는 제1전극은 제4노드(N4c)에 연결되고 제2전극은 제2노드(N2c)에 연결될 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cstc)는 제1전극에 전달되는 데이터전압(Vdata)과 제2전극에 전달되는 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압에 대응하여 데이터전압과 문턱전압에 대응되는 전압을 저장할 수 있다.
유기발광다이오드(OLEDc)는 애노드전극을 통해 구동전류가 공급되고 캐소드전극은 제2전원(EVSS)에 연결될 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDc)는 구동전류의 크기에 대응하여 발광할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제2트랜지스터(M2c), 제3트랜지스터(M3c), 제4트랜지스터(M4c) 및 제5트랜지스터(M5c)를 더 포함할 수 있다.
제2트랜지스터(M2c)는 제1전극이 데이터라인(DL)에 연결되고 제2전극이 제1노드(N1c)에 연결될 수 있다. 또한, 제2트랜지스터(M2c)는 게이트전극이 제1게이트라인(GL1)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2c)는 제1기간(T1c)에서 데이터전압(Vdata)을 제1노드(N1c)에 전달할 수 있다.
제3트랜지스터(M3c)는 제1전극이 제3노드(N3c)에 연결되고 제2전극이 제2노드(N2c)에 연결될 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3c)는 게이트전극이 제2게이트라인(GL2)에 연결될 수 있다. 제3트랜지스터(M3c)는 제1기간(T1c)에서 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압을 제2노드(N2c)에 전달할 수 있다. 제3트랜지스터(M3c)는 N 모스 타입의 트랜지스터일 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3b)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제4트랜지스터(M4c)는 제1전극이 제4노드(N4c)에 연결되고 제2전극이 제1노드(N1c)에 연결될 수 있다. 또한, 제4트랜지스터(M4c)는 게이트전극이 제2게이트라인(GL2)에 연결될 수 있다.
제5트랜지스터(M5c)는 제1전극이 제3노드(N3c)에 연결되고 제2전극이 유기발광다이오드(OLEDc)의 애노드 전극에 연결될 수 있다. 또한, 제5트랜지스터(M5c)는 게이트전극이 에미션라인(EML)에 연결될 수 있다.
또한, 화소(101)는 제6트랜지스터(M6c)를 더 포함할 수 있다. 제6트랜지스터(M6c)는 제1전극이 초기화전압(Vini)를 전달하는 제2전원라인(VL2)에 연결되고 제2전극이 제3노드(N3c)에 연결될 수 있다. 또한, 제6트랜지스터(M6c)는 게이트전극이 제3게이트라인(GL3)에 연결될 수 있다. 제6트랜지스터(M6c)는 제1기간(T1c)에서 유기발광다이오드(OLEDc)의 애노드 전극에 인가된 전압을 초기화전압(Vini)에 의해 초기화할 수 있다.
또한, 화소(101)는 제7트랜지스터(M7c)를 더 포함할 수 있다. 제7트랜지스터(M7c)는 제1전극이 제2전원라인(VL2)에 연결되고 제2전극이 유기발광다이오드(OLEDc)의 애노드 전극에 연결될 수 있다. 또한, 제7트랜지스터(M7c)는 게이트전극이 제3게이트라인(GL3)에 연결될 수 있다. 제7트랜지스터(M7c)는 제3노드(N3c)의 전압을 초기화전압(Vini)에 의해 초기화할 수 있다.
도 8은 도 7에 도시된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 8을 참조하면, 제1기간(T1c)에서 제2게이트신호(GATE2)와 에미션신호(EMS)는 하이상태로 전달될 수 있다. 또한, 제1기간(T1c)에서 제1게이트신호(GATE1)는 하이상태에서 로우 상태가 되고 제3게이트신호(GATE3)는 로우 상태에서 하이상태가 될 수 있다. 또한, 제1기간(T1c)에서 제1게이트신호(GATE1)는 다시 하이상태가 되고 제2게이트신호(GATE2)는 다시 로우 상태가 될 수 있다.
제2게이트신호(GATE2)가 하이상태가 되면 제3트랜지스터(M3c)는 온상태가 될 수 있고, 제4트랜지스터(M4c)는 오프상태가 될 수 있다. 그리고, 제3게이트신호(GATE3)에 의해 제6트랜지스터(M6c)와 제7트랜지스터(M7c)는 턴온되어 제3노드(N3c)와 유기발광다이오드(OLEDc)의 애노드 전극이 초기화전압(Vini)에 의해 초기화될 수 있다.
그리고, 제3노드(N3c)와 유기발광다이오드(OLEDc)의 애노드 전극이 초기화전압(Vini)에 의해 초기화된 후 제1게이트신호(GATE1)가 로우상태로 전달될 수 있다. 제1게이트신호(GATE1)가 로우상태로 전달되면, 제2트랜지스터(M2c)가 턴온될 수 있다. 제2트랜지스터(M2c)가 턴온되면, 데이터라인(DL)으로 전달되는 데이터전압(Vdata)이 제1노드(N1c)로 전달될 수 있다. 이때, 제3트랜지스터(M3c)가 턴온상태를 유지하고 있어서, 제1트랜지스터(M1c)는 다이오드 연결을 하게 된다. 이로 인해, 제1트랜지스터(M1c)는 제3노드(N3c)로 전류가 흐르게 될 수 있다. 이때, 제1트랜지스터(M1c)의 게이트 전극에 연결된 제2노드(N2c)에는 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압에 대응하는 전압이 저장될 수 있다. 이때, 에미션신호(EMS)가 하이상태를 유지하고 있어서, 제5트랜지스터(M5c)는 오프상태가 되고 이로 인해, 유기발광다이오드(OLEDc)에는 전류가 흐르지 않게 될 수 있다.
그리고, 제1기간(T1c)에서 에미션신호(EMS)가 하이상태를 유지하는 할 때, 제1트랜지스터 내지 제7트랜지스터(M1c 내지 M7c)가 모두 턴오프가 되게 되면, 제1노드(N1c)가 플로팅이 되는 문제점이 발생할 수 있다. 하지만, 제1기간(T1c)에서 제1게이트신호(GATE1)가 하이상태로 변화될 될 때, 제2게이트신호(GATE2)가 하이상태에서 로우 상태로 변화되기 때문에 때문에 제4트랜지스터(M4c)는 제2게이트신호(GATE2)에 의해 턴온될 수 있다. 따라서, 제1노드(N1c)에는 기설정된 전압인 제1전원(EVDD)의 전압이 전달될 수 있다.
그리고, 제2기간(T2)에는 에미션신호(EMS)가 로우 상태가 될 수 있다. 에미션신호가 로우상태가 되면, 제4트랜지스터(M4c) 턴온되고 제4트랜지스터(M4c)는 온상태를 유지하고 있어서, 제1노드(N1c)에서 제3노드(N3c)방향으로 흐르는 구동전류는 유기발광다이오드(OLEDc)로 공급될 수 있다. 이때, 스토리지 캐패시터(Cstc)에는 데이터전압(Vdata)과 제1트랜지스터(M1c)의 문턱전압에 대응하는 전압이 저장되어 있어 구동전류는 문턱전압이 보상되어 흐르게 될 수 있다.
그리고, 제3기간(T3c)에는 에미션신호(EMS)가 다시 하이 상태가 될 수 있다. 에미션신호(EMS) 하이 상태가 되면, 구동전류가 유기발광다이오드(OLEDc)에 전달되지 않아 발광하지 않게 될 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDc)의 휘도는 유기발광다이오드(OLEDc)가 발광한 시간에 대응되기 때문에 에미션신호(EMS)의 펄스폭(wd)를 조절하여 유기발광다이오드(OLEDc)의 휘도를 조절할 수 있다. 유기발광다이오드(OLEDc)의 휘도를 조절하는 것은 이에 한정되는 것은 아니다.
도 9는 본 발명에 따른 유기 전계발광 표시장치의 구동방법을 나타내는 순서도이다.
도 9를 참조하면, 유기 전계발광 표시장치의 구동방법에서 유기 전계발광표시장치는 기입된 데이터전압에 대응하여 유기발광다이오드로 구동전류를 공급하는 화소를 포함할 수 있다.
그리고, 유기전계발광표시장치는 데이터전압이 제1노드에 기입되는 될 수 있다.(S900) 유기전계발광표시장치는 하나의 데이터라인에 복수의 화소가 연결되어 있어 한 프레임 기간 동안 하나의 데이터라인을 통해 복수의 데이터전압이 순차적으로 전달될 수 있다. 그리고, 게이트신호에 대응하여 순차적으로 데이터라인으로 전달되는 데이터전압이 데이터라인에 연결된 화소들에 순차적으로 전달될 수 있다.
그리고, 각각의 화소들은 데이터전압이 전달되는 제1노드를 포함하고 있고, 각각의 화소에 전달된 데이터전압은 제1노드에 전달될 수 있다. 각각의 화소들은 게이트신호에 대응하여 데이터전압이 전달되게 하는 트랜지스터를 포함할 수 있다.
기입된 데이터전압에 대응하여 구동전류가 유기발광다이오드로 공급되고, 기설정된 전압이 제1노드에 공급될 수 있다.(S910) 유기발광다이오드는 구동전류가 흐르게 되면 발광할 수 있다. 제1노드는 데이터라인과 트랜지스터를 통해 연결되기 때문에, 트랜지스터가 턴오프되면, 제1노드는 플로팅상태가 될 수 있다. 제1노드가 플로팅상태가 되면, 데이터라인과 연결이 끊어져 있더라도 제1노드는 데이터라인과 커플링되어 있어 데이터라인을 통해 전달되는 다른 데이터전압이 제1노드의 전압레벨을 변경시킬 수 있게 된다. 따라서, 제1노드에 기설정된 전압을 인가하여 제1노드의 전압이 가변되는 것을 방지할 수 있다. 기설정된 전압은 제1전원의 전압 또는 기준전압일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
기입된 데이터전압이 유지되고, 구동전류가 유기발광다이오드에 공급되지 않고, 기설정된 전압이 제1노드에 공급될 수 있다.(S920) 유기발광다이오드에 구동전류가 공급되지 않는 시간을 조절하여 유기발광다이오드의 휘도를 조절할 수 있다. 또한, 유기발광다이오드에 구동전류가 공급되지 않는 시간은 에미션라인을 통해 전달되는 에미션신호의 펄스폭에 의해 조절될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치
101: 화소
110: 디스플레이 패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러

Claims (16)

  1. 복수의 데이터라인과 복수의 게이트라인과 복수의 에미션라인과, 복수의 화소를 포함하는 디스플레이 패널;
    상기 복수의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 데이터 드라이버;
    상기 복수의 게이트라인과 상기 복수의 에미션라인에 각각 게이트신호와 에미션신호를 인가하는 게이트 드라이버; 및
    상기 데이터드라이버와 상기 게이트 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되,
    상기 화소는,
    데이터전압이 기입되는 제1기간과, 상기 데이터전압이 유지되고 상기 데이터전압 대응하여 구동전류를 공급하는 제2기간과, 상기 데이터전압이 유지되고 발광하지 않는 제3기간으로 동작하며,
    상기 제2기간과 상기 제3기간의 길이의 비는 조절되고,
    상기 화소는,
    제1전극이 전원라인에 연결되고, 제2전극이 제3노드에 연결되며, 게이트전극이 제2노드에 연결되며, 상기 제2노드의 전압에 대응하여 상기 구동전류를 공급하는 제1트랜지스터;
    제1전극이 상기 복수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인에 연결되고, 제2전극이 제1노드에 연결되며, 게이트전극이 상기 복수의 게이트라인 중 하나의 게이트라인에 연결되는 제2트랜지스터;
    제1전극은 상기 제1노드에 연결되고 제2전극은 상기 제2노드에 연결되며, 상기 제1기간에서 상기 제1노드를 통해 상기 데이터전압이 기입되고 상기 제2노드를 통해 상기 제1트랜지스터의 문턱전압이 기입되는 스토리지 캐패시터; 및
    상기 제2기간에서 상기 구동전류를 공급받고, 상기 제3기간에서 상기 구동전류를 공급받지 않는 유기발광다이오드를 포함하고,
    상기 화소는 상기 제2기간과 상기 제3기간 각각에서 상기 제1노드에 기준전압을 전달받고,
    상기 화소는,
    상기 제1기간에서 상기 데이터전압을 상기 제1노드에 전달하는 제2트랜지스터;
    상기 제1기간에서 상기 제1트랜지스터의 문턱전압을 상기 제2노드에 공급하는 제3트랜지스터;
    상기 제3기간에서 상기 기준전압을 상기 제1노드에 공급하는 제4트랜지스터;
    상기 제2기간에서 상기 구동전류를 상기 유기발광다이오드에 공급하는 제5트랜지스터;
    상기 제1기간에서 상기 기준전압을 상기 유기발광다이오드의 애노드전극에 공급하는 제6트랜지스터; 및
    상기 구동전류는 상기 제1트랜지스터는 제1전극에서 제2전극으로 흐르고, 상기 제1기간에 상기 기준전압을 상기 제1트랜지스터의 제2전극과 연결된 제3노드에 공급하는 제7트랜지스터를 포함하는 유기 전계발광 표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2트랜지스터는 게이트신호를 공급받아 상기 제1기간에서 턴온되고 상기 제2기간 및 상기 제3기간에서 턴오프되고,
    상기 제3트랜지스터는 에미션신호를 공급받아 상기 제1기간에서 턴온되고 상기 제2기간 및 상기 제3기간에서 턴오프되고,
    상기 제4트랜지스터는 상기 게이트신호를 공급받아 상기 제1기간에서 턴오프되고 상기 제2기간 및 상기 제3기간에서 턴온되고,
    상기 제5트랜지스터는 상기 에미션신호를 공급받아 상기 제1기간 및 상기 제3기간에서 턴오프되고 상기 제2기간에서 턴온되는 유기 전계발광 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3트랜지스터 또는 상기 제4트랜지스터는 산화물반도체를 포함하는 유기 전계 발광표시장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 따른 유기전계발광표시장치의 구동방법에 있어서,
    상기 데이터전압이 상기 제1노드에 기입되는 단계;
    상기 기입된 데이터전압에 대응하여 상기 구동전류가 상기 유기발광다이오드로 공급되고, 상기 기준전압이 상기 제1노드에 공급되는 단계; 및
    상기 기입된 데이터전압이 유지되고, 상기 구동전류가 상기 유기발광다이오드에 공급되지 않고, 상기 기준전압이 상기 제1노드에 공급되는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1노드는 게이트신호에 대응하여 상기 데이터전압 또는 상기 기준전압이 공급되는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 구동전류가 상기 유기발광다이오드에 공급되는 시간의 길이를 조절하여 상기 화소의 휘도를 조절하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
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