[go: up one dir, main page]

KR102666916B1 - CDG device for pressure sensing of duplication chamber type - Google Patents

CDG device for pressure sensing of duplication chamber type Download PDF

Info

Publication number
KR102666916B1
KR102666916B1 KR1020240002192A KR20240002192A KR102666916B1 KR 102666916 B1 KR102666916 B1 KR 102666916B1 KR 1020240002192 A KR1020240002192 A KR 1020240002192A KR 20240002192 A KR20240002192 A KR 20240002192A KR 102666916 B1 KR102666916 B1 KR 102666916B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
chamber
cdg
space
piping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020240002192A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이기연
김대현
이해창
김정귀
신동욱
Original Assignee
주식회사 파인솔루션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 파인솔루션 filed Critical 주식회사 파인솔루션
Priority to KR1020240002192A priority Critical patent/KR102666916B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102666916B1 publication Critical patent/KR102666916B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L27/00—Testing or calibrating of apparatus for measuring fluid pressure
    • G01L27/002—Calibrating, i.e. establishing true relation between transducer output value and value to be measured, zeroing, linearising or span error determination
    • G01L27/005—Apparatus for calibrating pressure sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 압력 센싱을 위한 CDG 장치에 관한 기술로서, 다이어프램을 기준으로 이중화 챔버를 구현하고 양쪽 챔버의 압력을 모두 측정한 후 기준이 되는 챔버의 압력을 고려하여 공정배관과 직접 연결된 챔버의 압력을 보정하는 기술이다. 특히, 다이어프램의 노후에 따른 변형이 생기더라도 그 변형을 상쇄하는 방향으로 압력 보정을 거치는 CDG 장치 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 다이어프램 부재의 변형이 이루어져도 공정배관의 정상상태에서는 측정되는 압력의 디폴트값이 그대로 유지되는 장점이 있다.The present invention is a technology related to a CDG device for pressure sensing that is mounted on a semiconductor process piping and detects the pressure within the process piping. The present invention implements a dual chamber based on a diaphragm, measures the pressures of both chambers, and then detects the pressure in the process piping. This is a technology that corrects the pressure of the chamber directly connected to the process piping by considering the pressure. In particular, it concerns CDG device technology that undergoes pressure compensation in a way to offset the deformation even if deformation occurs due to aging of the diaphragm. According to the present invention, there is an advantage that the default value of the measured pressure is maintained in the normal state of the process piping even if the diaphragm member is deformed.

Description

이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치 {CDG device for pressure sensing of duplication chamber type}CDG device for pressure sensing of duplication chamber type}

본 발명은 반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 압력 센싱을 위한 CDG 장치에 관한 기술이다.The present invention relates to a CDG device for pressure sensing that is mounted on a semiconductor process piping and detects the pressure within the process piping.

더욱 상세하게는, 본 발명은 다이어프램을 기준으로 이중화 챔버를 구현하고 양쪽 챔버의 압력을 모두 측정한 후 기준이 되는 챔버의 압력을 고려하여 공정배관과 직접 연결된 챔버의 압력을 보정하는 기술이다.More specifically, the present invention is a technology that implements a dual chamber based on a diaphragm, measures the pressure of both chambers, and then corrects the pressure of the chamber directly connected to the process pipe by considering the pressure of the reference chamber.

특히, 다이어프램의 노후에 따른 변형이 생기더라도 그 변형을 상쇄하는 방향으로 압력 보정을 거치는 CDG 장치 기술에 관한 것이다.In particular, it concerns CDG device technology that undergoes pressure compensation in a way to offset the deformation even if deformation occurs due to aging of the diaphragm.

일반적으로 반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 기술로서 CDG(capacitance diaphragm gauge)가 알려져 있다.CDG (capacitance diaphragm gauge) is generally known as a technology installed in semiconductor process piping to detect pressure within the process piping.

CDG 기술은 얇은 막으로 이루어진 다이어프램을 챔버 내에 예컨대 수평으로로 팽팽한 상태를 유지하도록 장착하고 그 챔버 내의 중앙에 전극단자를 설치한 후 통전시킬 때 공정배관 내의 압력 변화에 따라 그 챔버 내에서 다이어프램이 상하방향으로 미세하게 움직이게 된다.CDG technology mounts a diaphragm made of a thin film in a chamber to maintain a tight state, for example horizontally, and installs an electrode terminal in the center of the chamber. When energized, the diaphragm moves up and down within the chamber according to pressure changes in the process piping. It moves slightly in one direction.

이때, 챔버 내의 전극단자는 다이어프램의 움직임에 따른 변화량을 감지하여 결과적으로 다이어프램을 움직이게 하는 공정배관의 압력 변화를 감지하게 되는 것이다.At this time, the electrode terminal in the chamber detects the amount of change due to the movement of the diaphragm and consequently detects the change in pressure in the process pipe that moves the diaphragm.

그런데, 다이어프램을 장시간 사용하게 되면 공정배관에 어떤 압력변화가 발생하지 않는 경우에도 다이어프램은 예컨대 상방향으로 미세하게 늘어진 상태에서 복원되지 않는 변형이 발생할 수 있는데, 이 경우 그러한 다이어프램을 기초로 압력 센싱을 하는 경우 공정배관이 나타내는 실제 압력보다도 높은 수치의 압력을 획득하는 오류가 발생할 수 있다.However, if the diaphragm is used for a long time, even if no pressure change occurs in the process piping, the diaphragm may be deformed, for example, in a state where it is slightly stretched upward and cannot be restored. In this case, pressure sensing based on such a diaphragm may occur. In this case, an error may occur in obtaining a pressure higher than the actual pressure indicated by the process piping.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 다이어프램의 변형이 발생하는 경우에도 실제로 측정되는 압력 센싱값의 신뢰도를 유지시키는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치를 공함에 있다.The present invention was proposed in consideration of the above points, and the purpose of the present invention is to provide a dual chamber type pressure sensing CDG device that maintains the reliability of the actually measured pressure sensing value even when the diaphragm is deformed.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치로서, 소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 상면에 제 1 전극부재(110)를 구비하며 자신 몸체를 상하방향으로 관통 형성되는 복수 개의 통공이 형성되어 공정배관으로부터의 공기 흐름을 가이드하고 자신 몸체의 상면 테두리 부분이 상방향으로 돌출 형성되는 하부 테두리 플랜지부재(120)를 구비하는 하부챔버 부재(100); 소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 하면에 제 2 전극부재(210)를 구비하며 하부 테두리 플랜지부재와 대응하는 자신 몸체의 하면 테두리 부분이 하방향으로 돌출 형성되는 상부 테두리 플랜지부재(220)를 구비하는 상부챔버 부재(200); 원반형의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 테두리 부분이 하부 테두리 플랜지부재와 상부 테두리 플랜지부재에 맞물려 고정되며 자신 몸체와 상부챔버 부재와의 사잇 공간에 상부챔버 공간을 형성하고 자신 몸체와 하부챔버 부재와의 사잇 공간에 하부챔버 공간을 형성하는 다이어프램 부재(300); 상부챔버 공간에 형성되는 압력의 레퍼런스값을 산출하는 기준압력 측정부재(400); 하부챔버 공간에 형성되는 배관압력을 측정하는 배관압력 측정부재(500); 및 레퍼런스값을 기초하여 배관압력의 수치를 보정하는 센싱압력 보정부재(600);를 포함하여 구성될 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention is a pressure sensing CDG device of a dual chamber type that is mounted on a semiconductor process pipe and senses the pressure within the process pipe. It is made in the form of a plate of a predetermined thickness and has a first A lower edge flange member ( A lower chamber member 100 having 120); An upper edge flange member (220) is formed in the form of a plate of a predetermined thickness and has a second electrode member (210) on the lower surface of the central portion of its body, and the lower edge of its body corresponding to the lower edge flange member is formed to protrude downward. ) an upper chamber member 200 having a; It is made in the form of a disk-shaped plate, and the edge portion of the body is engaged and fixed with the lower edge flange member and the upper edge flange member, forming an upper chamber space in the space between the own body and the upper chamber member, and forming the upper chamber space between the own body and the lower chamber member. A diaphragm member 300 forming a lower chamber space in the space between; A reference pressure measuring member 400 that calculates a reference value of the pressure formed in the upper chamber space; A pipe pressure measuring member 500 that measures the pipe pressure formed in the lower chamber space; and a sensing pressure correction member 600 that corrects the value of the pipe pressure based on the reference value.

여기서, 센싱압력 보정부재(600)는 공정배관의 노멀 상태에서 레퍼런스값이 증가함을 식별하면 배관압력 측정부재로부터 획득하는 배관압력의 수치를 미리 설정한 알고리즘에 따른 비율로 상향 보정하도록 구성될 수 있다.Here, when the sensing pressure correction member 600 identifies that the reference value increases in the normal state of the process piping, it can be configured to upwardly correct the value of the piping pressure obtained from the piping pressure measuring member at a rate according to a preset algorithm. there is.

그리고, 하부 테두리 플랜지부재(120)와 상부 테두리 플랜지부재(220)는 바람직하게는 동일한 높이로 형성될 수 있다.Also, the lower edge flange member 120 and the upper edge flange member 220 may preferably be formed at the same height.

본 발명은 하부챔버 부재, 상부챔버 부재, 다이어프램 부재, 기준압력 측정부재, 배관압력 측정부재, 센싱압력 보정부재를 구비함에 따라 다이어프램의 변형이 발생하는 경우에도 실제로 측정되는 압력 센싱값의 신뢰도를 유지시키는 장점을 나타낸다.The present invention maintains the reliability of the actually measured pressure sensing value even when deformation of the diaphragm occurs by providing a lower chamber member, an upper chamber member, a diaphragm member, a reference pressure measurement member, a pipe pressure measurement member, and a sensing pressure correction member. It shows the advantage of doing it.

또한, 본 발명은 다이어프램 부재의 변형이 이루어져도 공정배관의 정상상태에서는 측정되는 압력의 디폴트값이 그대로 유지되는 장점도 나타낸다.In addition, the present invention has the advantage that the default value of the measured pressure is maintained in the normal state of the process piping even if the diaphragm member is deformed.

[도 1]은 본 발명에 따른 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치의 외관을 나타낸 결합사시도,
[도 2]는 [도 1]을 다른 각도에서 바라 본 도면,
[도 3]은 [도 1]의 일부 구성을 분리 도시한 도면,
[도 4]는 [도 2]의 일부 구성을 분리 도시한 도면,
[도 5]는 [도 1]을 상하방향으로 절개하여 나타낸 단면도,
[도 6]은 [도 5]의 일부 구성을 발췌하여 확대 도시한 도면,
[도 7]은 [도 6]을 개념적으로 단순화한 도면,
[도 8]은 [도 7] 상의 다이어프램 부재가 상방향으로 변형된 상태를 나타낸 도면이다.[Figure 1] is a combined perspective view showing the appearance of the dual chamber type pressure sensing CDG device according to the present invention.
[Figure 2] is a view of [Figure 1] from a different angle,
[FIG. 3] is a diagram illustrating some of the components of [FIG. 1] separately,
[FIG. 4] is a diagram illustrating some of the components of [FIG. 2] separately,
[Figure 5] is a cross-sectional view showing [Figure 1] cut vertically,
[Figure 6] is an enlarged view of a partial configuration of [Figure 5].
[Figure 7] is a conceptually simplified diagram of [Figure 6],
[FIG. 8] is a diagram showing a state in which the diaphragm member in [FIG. 7] is deformed upward.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[도 1]은 본 발명에 따른 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치의 외관을 나타낸 결합사시도이고, [도 2]는 [도 1]을 다른 각도에서 바라 본 도면이고, [도 3]은 [도 1]의 일부 구성을 분리 도시한 도면이고, [도 4]는 [도 2]의 일부 구성을 분리 도시한 도면이고, [도 5]는 [도 1]을 상하방향으로 절개하여 나타낸 단면도이다.[Figure 1] is a combined perspective view showing the appearance of the pressure sensing CDG device of the dual chamber type according to the present invention, [Figure 2] is a view looking at [Figure 1] from a different angle, and [Figure 3] is a view of [Figure 1]. [Figure 4] is a diagram showing some of the configurations of [Figure 1] separately, [Figure 4] is a diagram showing some of the configurations of [Figure 2] separately, and [Figure 5] is a cross-sectional view of [Figure 1] cut in the vertical direction.

[도 1] 내지 [도 5]를 참조하면 본 발명에 따른 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치는 예컨대 진공 커넥션 모듈(10)의 하단부가 반도체 공정배관에 연결됨에 따라 그 공정배관 내의 압력을 센싱하도록 구성될 수 있다.Referring to [FIGS. 1] to [FIG. 5], the pressure sensing CDG device of the dual chamber type according to the present invention is configured to, for example, sense the pressure within the process piping as the lower part of the vacuum connection module 10 is connected to the semiconductor process piping. It can be configured.

상세하게, 하부챔버 부재(100)의 중앙부 관통공에는 [도 5]에서와 같이 진공 커넥션 모듈(10)이 장착될 수 있는데 이와 같은 진공 커넥션 모듈(10)은 하부챔버 부재(100)와 공정배관이 연결되는 위치에 배치되는 구성요소로서, CDG(capacitance diaphragm gauge) 분야에서는 공지된 기술이므로 그 구체적인 내용 설명은 생략하기로 한다.In detail, a vacuum connection module 10 may be installed in the central through hole of the lower chamber member 100 as shown in [FIG. 5]. This vacuum connection module 10 is connected to the lower chamber member 100 and the process piping. This is a component placed at this connected position, and since it is a known technology in the field of CDG (capacitance diaphragm gauge), detailed description thereof will be omitted.

그리고, 상부챔버 부재(200)에는 [도 1] 내지 [도 5]에서와 같이 게터 모듈(20)이 연통 연결될 수 있는데, 이러한 게터 모듈(20)은 CDG 분야에서는 공지의 기술로서 이에 대한 구체적인 내용은 생략하기로 한다.In addition, a getter module 20 may be connected to the upper chamber member 200 in communication as shown in [FIGS. 1] to [FIG. 5]. This getter module 20 is a known technology in the CDG field, and detailed information about it is provided. will be omitted.

이렇게 진공 커넥션 모듈(10)을 경유하여 공정배관과 연통 연결되는 하부챔버 공간(S1)에서는 공정배관의 실제 압력에 상승하는 경우 그에 대응하여 다이어프램 부재(300)를 상방향으로 밀어올릴 수 있다.In this way, in the lower chamber space (S1), which is connected in communication with the process pipe via the vacuum connection module 10, when the actual pressure of the process pipe increases, the diaphragm member 300 can be pushed upward in response.

본 발명은 이러한 다이어프램 부재(300)의 움직임이 발생하는 경우 제 1 전극부재(110)와 제 2 전극부재(210)를 통한 각각의 기준압력 측정부재(400)와 배관압력 측정부재(500)가 상부챔버 공간(S2)의 압력과 하부챔버 공간(S1)의 압력을 감지하도록 구성된다.In the present invention, when movement of the diaphragm member 300 occurs, each reference pressure measuring member 400 and the pipe pressure measuring member 500 through the first electrode member 110 and the second electrode member 210 It is configured to sense the pressure of the upper chamber space (S2) and the pressure of the lower chamber space (S1).

이를 위한 본 발명의 구체적인 구성에 대해서는 아래에서 [도 6] 내지 [도 8]을 통해 살펴 보기로 한다. The specific configuration of the present invention for this purpose will be examined through [FIGS. 6] to [FIG. 8] below.

[도 6]은 [도 5]의 일부 구성을 발췌하여 확대 도시한 도면이고, [도 7]은 [도 6]을 개념적으로 단순화한 도면이고, [도 8]은 [도 7] 상의 다이어프램 부재가 상방향으로 변형된 상태를 나타낸 도면이다.[FIG. 6] is an enlarged view extracting some of the configuration of [FIG. 5], [FIG. 7] is a conceptually simplified diagram of [FIG. 6], and [FIG. 8] is a diaphragm member on [FIG. 7]. This is a drawing showing a state in which is deformed upward.

본 발명은 반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치로서, 하부챔버 부재(100), 상부챔버 부재(200), 다이어프램 부재(300), 기준압력 측정부재(400), 배관압력 측정부재(500), 센싱압력 보정부재(600)를 포함하여 구성될 수 있다.The present invention is a dual chamber type pressure sensing CDG device that is mounted on a semiconductor process piping and senses the pressure within the process piping, and includes a lower chamber member 100, an upper chamber member 200, a diaphragm member 300, and a reference pressure measurement. It may be configured to include a member 400, a pipe pressure measuring member 500, and a sensing pressure correction member 600.

하부챔버 부재(100)는 [도 1] 내지 [도 8]에서와 같이 소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 상면에는 [도 6] 내지 [도 8]에서와 같이 제 1 전극부재(110)를 구비하며 자신 몸체를 상하방향으로 관통 형성되는 복수 개의 통공이 형성되어 진공 커넥션 모듈(10)을 경유하는 공정배관으로부터의 공기 흐름을 가이드할 수 있다.The lower chamber member 100 is made in the form of a plate with a predetermined thickness as shown in [FIGS. 1] to [FIG. 8], and has a first electrode member (as shown in [FIG. 6] to [8]) on the upper surface of the central part of its body. 110), and a plurality of through holes are formed to penetrate the body in the vertical direction to guide the air flow from the process piping via the vacuum connection module 10.

여기서, 하부챔버 부재(100)는 자신 몸체의 상면 테두리 부분이 [도 6] 내지 [도 8]에서와 같이 상방향으로 돌출 형성되는 하부 테두리 플랜지부재(120)를 구비할 수 있다.Here, the lower chamber member 100 may be provided with a lower edge flange member 120 in which the upper edge portion of its body protrudes upward as shown in [FIGS. 6] to [FIG. 8].

즉, 하부 테두리 플랜지부재(120)와 다이어프램 부재(300) 사이의 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 압력은 진공 커넥션 모듈(10)을 경유하는 공정배관 내의 압력을 나타내게 된다.That is, the pressure formed in the lower chamber space (S1) between the lower edge flange member 120 and the diaphragm member 300 represents the pressure within the process piping passing through the vacuum connection module 10.

그런데, 다이어프램 부재(300)가 장시간 사용되면 공정배관 내에는 어떤 압력변화가 발생하지 않는 정상상태에서도 다이어프램 부재(300)는 예컨대 [도 8][에서와 같이 상방향으로 미세하게 늘어진 상태에서 복원되지 않는 변형이 발생할 수 있는다.However, when the diaphragm member 300 is used for a long time, even in a normal state in which no pressure change occurs in the process piping, the diaphragm member 300 is not restored from the state of being slightly stretched upward, as shown in [Figure 8], for example. Undesirable deformation may occur.

이때, 그 변형된 다이어프램 부재(300)를 기초로 하부챔버 공간(S1)의 압력을 센싱하는 경우 공정배관이 실제로 나타내는 압력보다도 높은 수치의 압력을 획득하게 되는 오류를 일으키게 된다. 본 발명은 이러한 다이어프램 부재(300)의 변형으로 발생할 수 있는 하부챔버 공간(S1) 내의 압력 수치를 실제의 압력 수치로 보정하는 기술이다.At this time, when the pressure in the lower chamber space (S1) is sensed based on the modified diaphragm member 300, an error occurs in which a pressure higher than the pressure actually expressed by the process piping is obtained. The present invention is a technology for correcting the pressure value in the lower chamber space (S1) that may occur due to deformation of the diaphragm member 300 to the actual pressure value.

한편, 상부챔버 부재(200)는 [도 1] 내지 [도 5]에서와 같이 소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 하면에 제 2 전극부재(210)를 구비하며 하부 테두리 플랜지부재(120)와 대응하는 자신 몸체의 하면 테두리 부분이 [도 6] 내지 [도 8]에서와 같이 하방향으로 돌출 형성되는 상부 테두리 플랜지부재(220)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the upper chamber member 200 is formed in the form of a plate with a predetermined thickness as shown in [FIGS. 1] to [FIG. 5], is provided with a second electrode member 210 on the lower surface of the central portion of its body, and has a lower edge flange member ( The lower edge portion of the body corresponding to 120) may be provided with an upper edge flange member 220 that protrudes downward as shown in [FIGS. 6] to [FIG. 8].

여기서, 상부챔버 부재(200)는 자신 몸체의 하면 테두리 부분이 [도 6] 내지 [도 8]에서와 같이 하방향으로 돌출 형성되는 상부 테두리 플랜지부재(220)를 구비할 수 있다.Here, the upper chamber member 200 may be provided with an upper edge flange member 220 whose lower edge portion of the body protrudes downward as shown in [FIGS. 6] to [FIG. 8].

그리고, 상부 테두리 플랜지부재(220)와 다이어프램 부재(300) 사이의 상부챔버 공간(S2)에 형성되는 압력을 기초하여 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 압력을 보정하게 된다.Additionally, the pressure formed in the lower chamber space S1 is corrected based on the pressure formed in the upper chamber space S2 between the upper edge flange member 220 and the diaphragm member 300.

즉, 다이어프램 부재(300)는 [도 6] 내지 [도 8]에서와 같이 원반형의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 테두리 부분이 하부 테두리 플랜지부재(120)와 상부 테두리 플랜지부재(220)에 예컨대 세라믹 본딩(ceramic bonding) 처리로 맞물려 고정될 수 있다.That is, the diaphragm member 300 is formed in the form of a disk-shaped plate as shown in [FIGS. 6] to [FIG. 8], and the edge portion of its body is connected to the lower edge flange member 120 and the upper edge flange member 220, for example. They can be interlocked and fixed using ceramic bonding.

이를 통해, 다이어프램 부재(300)와 상부챔버 부재(S2)의 사잇 공간에 상부챔버 공간(S2)을 형성하고 다이어프램 부재(300)와 하부챔버 부재(S1)의 사잇 공간에 하부챔버 공간(S1)을 형성할 수 있다.Through this, the upper chamber space (S2) is formed in the space between the diaphragm member 300 and the upper chamber member (S2), and the lower chamber space (S1) is formed in the space between the diaphragm member 300 and the lower chamber member (S1). can be formed.

여기서, 기준압력 측정부재(400)는 제 1 전극부재(110)를 통해 예컨대 다이어프램 부재(300)의 [도 8]에서와 같은 상방향 움직임에 따라 상부챔버 공간(S2)에 형성되는 압력의 레퍼런스값을 산출하도록 구성될 수 있다.Here, the reference pressure measuring member 400 is a reference of the pressure formed in the upper chamber space S2 according to the upward movement of the diaphragm member 300, for example, as shown in [FIG. 8] through the first electrode member 110. It may be configured to calculate a value.

배관압력 측정부재(500)는 제 2 전극부재(210)를 통해 예컨대 다이어프램 부재(300)의 [도 7] 및 [도 8]에서와 같은 움직임에 따라 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 배관압력을 측정하도록 구성될 수 있다.The pipe pressure measuring member 500 measures the pipe pressure formed in the lower chamber space S1 through the second electrode member 210, for example, according to the movement of the diaphragm member 300 as shown in [FIGS. 7] and [FIG. 8]. It can be configured to measure.

이어서, 센싱압력 보정부재(600)는 기준압력 측정부재(400)가 상부챔버 공간(S2)에서 산출하는 레퍼런스값을 기초하여 하부챔버 공간(S1)에서 측정되는 공정배관 내의 실제 배관압력 수치를 보정하게 된다.Subsequently, the sensing pressure correction member 600 corrects the actual piping pressure value in the process piping measured in the lower chamber space (S1) based on the reference value calculated by the reference pressure measuring member 400 in the upper chamber space (S2). I do it.

상세하게, 센싱압력 보정부재(600)는 공정배관의 노멀 상태에서 레퍼런스값이 증가함을 식별하면 배관압력 측정부재(500)로부터 획득하는 배관압력의 수치를 미리 설정한 알고리즘에 따른 비율로 상향 보정하도록 구성될 수 있다.In detail, when the sensing pressure correction member 600 identifies that the reference value increases in the normal state of the process piping, it upwardly corrects the value of the piping pressure obtained from the piping pressure measuring member 500 at a rate according to a preset algorithm. It can be configured to do so.

예컨대, 센싱압력 보정부재(600)가 공정배관의 노멀 상태에서도 레퍼런스값이 증가함을 식별하였다면 공정배관 내에서는 전혀 압력 증가의 현상이 없었음에도 레퍼런스값이 증가하였다는 것이기 때문에 다이어프램 부재(300)는 평상시에도 [도 8]에서와 같이 상방향으로 볼록하게 올라온 변형 상태일 것이다.For example, if the sensing pressure correction member 600 identifies that the reference value increases even in the normal state of the process piping, it means that the reference value increased even though there was no pressure increase at all in the process piping, so the diaphragm member 300 Even in normal times, it will be in a deformed state that is convex upward as shown in [Figure 8].

이 경우, 배관압력 측정부재(500)가 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 압력을 측정할 경우 그 수치는 실제 공정배관의 압력보다 낮은 수치로 측정될 것이기 때문에 센싱압력 보정부재(600)가 이를 고려하여 상향 보정할 필요가 있다.In this case, when the piping pressure measuring member 500 measures the pressure formed in the lower chamber space (S1), the value will be measured as a lower value than the actual pressure of the process piping, so the sensing pressure correction member 600 measures this value. It is necessary to take this into account and make upward corrections.

이처럼, 다이어프램 부재(300)의 변형으로 인해 배관압력 측정부재(500)가 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 압력을 측정할 경우 실제보다 낮게 측정되는 비율과 기준압력 측정부재(400)가 상부챔버 공간(S2)에서 측정하는 압력 증가 비율과의 상관관계를 분석하고 그 분석한 결과를 지그에 반영함에 따라 센싱압력 보정부재(600)는 그 해당 보정 비율을 미리 설정할 수도 있을 것이다.In this way, when the piping pressure measuring member 500 measures the pressure formed in the lower chamber space (S1) due to deformation of the diaphragm member 300, the ratio measured is lower than the actual pressure and the reference pressure measuring member 400 is measured in the upper chamber. By analyzing the correlation with the pressure increase rate measured in space S2 and reflecting the analysis results in the jig, the sensing pressure correction member 600 may set the corresponding correction rate in advance.

다른 한편, 하부 테두리 플랜지부재(120)와 상부 테두리 플랜지부재(220)는 바람직하게는 동일한 높이로 형성될 수 있다. 이 경우, 다이어프램 부재(300)의 변형으로 인해 배관압력 측정부재(500)가 하부챔버 공간(S1)에 형성되는 압력을 측정할 경우 실제보다 낮게 측정되는 비율과 기준압력 측정부재(400)가 상부챔버 공간(S2)에서 측정하는 압력 증가 비율이 동일하게 형성될 수 있을 것이다.On the other hand, the lower edge flange member 120 and the upper edge flange member 220 may preferably be formed at the same height. In this case, when the piping pressure measuring member 500 measures the pressure formed in the lower chamber space (S1) due to deformation of the diaphragm member 300, the ratio measured is lower than the actual pressure and the reference pressure measuring member 400 is measured at the upper part. The pressure increase rate measured in the chamber space S2 may be formed to be the same.

10 : 진공 커넥션 모듈
20 : 게터 모듈
100 : 하부챔버 부재
110 : 제 1 전극부재
120 : 하부 테두리 플랜지부재
200 : 상부챔버 부재
210 : 제 2 전극부재
220 : 상부 테두리 플랜지부재
300 : 다이어프램 부재
400 : 기준압력 측정부재
500 : 배관압력 측정부재
600 : 센싱압력 보정부재
S1 : 하부챔버 공간
S2 : 상부챔버 공간10: Vacuum connection module
20: Getter module
100: Lower chamber member
110: first electrode member
120: Lower border flange member
200: Upper chamber member
210: second electrode member
220: Upper border flange member
300: Diaphragm member
400: Reference pressure measurement member
500: Piping pressure measuring member
600: Sensing pressure correction member
S1: Lower chamber space
S2: Upper chamber space

Claims (3)

반도체 공정배관에 장착되어 그 공정배관 내의 압력을 감지하는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치로서,
소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 상면에 제 1 전극부재(110)를 구비하며 자신 몸체를 상하방향으로 관통 형성되는 복수 개의 통공이 형성되어 상기 공정배관으로부터의 공기 흐름을 가이드하고 자신 몸체의 상면 테두리 부분이 상방향으로 돌출 형성되는 하부 테두리 플랜지부재(120)를 구비하는 하부챔버 부재(100);
소정 두께의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 중앙부 하면에 제 2 전극부재(210)를 구비하며 상기 하부 테두리 플랜지부재와 대응하는 자신 몸체의 하면 테두리 부분이 하방향으로 돌출 형성되는 상부 테두리 플랜지부재(220)를 구비하는 상부챔버 부재(200);
원반형의 플레이트 형태로 이루어지고 자신 몸체의 테두리 부분이 상기 하부 테두리 플랜지부재와 상기 상부 테두리 플랜지부재에 맞물려 고정되며 자신 몸체와 상기 상부챔버 부재와의 사잇 공간에 상부챔버 공간을 형성하고 자신 몸체와 상기 하부챔버 부재와의 사잇 공간에 하부챔버 공간을 형성하는 다이어프램 부재(300);
상기 상부챔버 공간에 형성되는 압력의 레퍼런스값을 산출하는 기준압력 측정부재(400);
상기 하부챔버 공간에 형성되는 배관압력을 측정하는 배관압력 측정부재(500); 및
상기 레퍼런스값을 기초하여 상기 배관압력의 수치를 보정하는 센싱압력 보정부재(600);
를 포함하여 구성되고,
상기 센싱압력 보정부재(600)는 상기 공정배관의 노멀 상태에서 상기 레퍼런스값이 증가함을 식별하면 상기 배관압력 측정부재로부터 획득하는 배관압력의 수치를 미리 설정한 알고리즘에 따른 비율로 상향 보정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치.
It is a pressure sensing CDG device of the dual chamber type that is mounted on the semiconductor process piping and senses the pressure within the process piping,
It is made in the form of a plate of a predetermined thickness and is provided with a first electrode member 110 on the central upper surface of the body, and a plurality of through holes are formed to penetrate the body in the vertical direction to guide the air flow from the process pipe and A lower chamber member 100 including a lower edge flange member 120 whose upper edge portion of the body protrudes upward;
An upper edge flange member ( An upper chamber member 200 having 220);
It is made in the form of a disk-shaped plate, and the edge portion of the body is engaged and fixed with the lower edge flange member and the upper edge flange member, forming an upper chamber space in the space between the body and the upper chamber member, and forming the upper chamber space between the body and the upper chamber member. A diaphragm member 300 forming a lower chamber space in the space between the lower chamber member and the lower chamber member;
A reference pressure measuring member 400 that calculates a reference value of the pressure formed in the upper chamber space;
A pipe pressure measuring member 500 that measures pipe pressure formed in the lower chamber space; and
A sensing pressure correction member 600 that corrects the value of the pipe pressure based on the reference value;
It is composed including,
The sensing pressure correction member 600 is configured to upwardly correct the value of the piping pressure obtained from the piping pressure measuring member at a rate according to a preset algorithm when it identifies that the reference value increases in the normal state of the process piping. A pressure sensing CDG device of a dual chamber type, characterized in that.
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 하부 테두리 플랜지부재(120)와 상기 상부 테두리 플랜지부재(220)는 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중화 챔버 타입의 압력 센싱 CDG 장치.In claim 1,
A dual chamber type pressure sensing CDG device, wherein the lower edge flange member 120 and the upper edge flange member 220 are formed at the same height.
KR1020240002192A 2024-01-05 2024-01-05 CDG device for pressure sensing of duplication chamber type Active KR102666916B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020240002192A KR102666916B1 (en) 2024-01-05 2024-01-05 CDG device for pressure sensing of duplication chamber type

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020240002192A KR102666916B1 (en) 2024-01-05 2024-01-05 CDG device for pressure sensing of duplication chamber type

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102666916B1 true KR102666916B1 (en) 2024-05-17

Family

ID=91331443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240002192A Active KR102666916B1 (en) 2024-01-05 2024-01-05 CDG device for pressure sensing of duplication chamber type

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102666916B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000019044A (en) * 1998-07-03 2000-01-21 Teijin Seiki Co Ltd Vacuum pressure sensor
KR20150097803A (en) * 2012-12-24 2015-08-26 인피콘 게엠베하 Method and Device for measuring a vacuum pressure using a measuring cell arrangement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000019044A (en) * 1998-07-03 2000-01-21 Teijin Seiki Co Ltd Vacuum pressure sensor
KR20150097803A (en) * 2012-12-24 2015-08-26 인피콘 게엠베하 Method and Device for measuring a vacuum pressure using a measuring cell arrangement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8276457B2 (en) Pressure sensor and pressure difference sensor
CN103748447A (en) Method for operating an absolute pressure or relative pressure sensor with a capacitive transducer
US9689766B2 (en) Pressure sensor with cover layer
US6655216B1 (en) Load transducer-type metal diaphragm pressure sensor
US5959213A (en) Semiconductor differential pressure measuring device
US7559246B2 (en) Sensor for measuring low dynamic pressures in the presence of high static pressures
US7124638B2 (en) Pressure sensor and method for detecting an effective pressure
CN101738287A (en) Method of detecting and compensating for a quick temperature change to a pressure measurement cell
US8219329B2 (en) Thermal type mass flow meter, and thermal type mass flow control device
US20140208859A1 (en) Diaphragm-type pressure gauge
KR102666916B1 (en) CDG device for pressure sensing of duplication chamber type
US20100139409A1 (en) Construction of a pressure sensor
US20230375424A1 (en) Sensor device and method for detecting the internal pressure and/or a change in the internal pressure in a gas-tight internal volume of a housing component
KR102641537B1 (en) Thermal conductive type gas detection sensor
JP2000337983A (en) Pressure detector and its manufacturing method
JPH07174652A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacture as well as pressure detection method
JP2020046177A (en) Pressure sensor element and pressure sensor module provided with it
US11402289B2 (en) Means for implementing a method for detecting and compensating for a rapid temperature change in a pressure measuring cell
US11467051B1 (en) Method for correcting a dual capacitance pressure sensor
CN111316081B (en) Pressure sensor
JPH01124739A (en) Valve leak detector
JP2004212388A (en) Capacitive pressure sensor
JPH0894472A (en) Pressure sensor, manufacture thereof and gas meter and hemomanometer employing it
JPH0783777A (en) Differential pressure measuring device
KR101181509B1 (en) Back touch type capacitive pressure sensor

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20240105

PA0201 Request for examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20240108

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20240105

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20240208

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20240513

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20240513

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20240513

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration