KR102638509B1

KR102638509B1 - Method for treating a substrate

Info

Publication number: KR102638509B1
Application number: KR1020200186832A
Authority: KR
Inventors: 김태근; 이경민; 조민희; 강원영
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2020-12-29
Filing date: 2020-12-29
Publication date: 2024-02-19
Anticipated expiration: 2040-12-29
Also published as: KR20240027643A; KR20220095023A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와; 처리액 토출 단계 이후에 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계를 포함하고, 액막 형성 단계에서 기판이 제1시간동안 제1속도로 회전되는 저속 회전 구간을 포함할 수 있다.The present invention provides a method for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing method includes: discharging a processing liquid containing a polymer and a solvent onto a substrate; After the treatment liquid discharge step, it includes a liquid film forming step of volatilizing the solvent from the treatment liquid to form a solidified liquid film on the substrate, and includes a low-speed rotation section in which the substrate is rotated at a first speed for a first time in the liquid film formation step. can do.

Description

{METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 폴리머를 포함하는 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing method in which a substrate is liquid-treated by supplying a liquid containing a polymer to the substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.To manufacture semiconductor devices, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. Additionally, before and after these processes are performed, a cleaning process is performed to clean particles remaining on the substrate.

세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.The cleaning process is a process of supplying chemicals to a rotating substrate supported by a spin head, a process of supplying a cleaning liquid such as deionized water (DIW) to the substrate to remove chemicals from the substrate, and thereafter, the surface tension is lower than that of the cleaning liquid. It includes a process of supplying an organic solvent such as low isopropyl alcohol (IPA) solution to the substrate, replacing the cleaning liquid on the substrate with the organic solvent, and removing the substituted organic solvent from the substrate.

또한, 세정 공정은, 기판 상에 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 과정을 포함할 수 있다. 처리액이 기판 상에 도포되고, 휘발 성분을 포함하는 솔벤트가 휘발되면, 처리액의 체적 변화로 인해 폴리머가 경화되면서 파티클을 흡착한다. 이후, 파티클을 흡착한 폴리머를 탈이온수를 통해 기판으로부터 박리시킨 후 IPA와 같은 유기용제로 기판을 재차 세정한다.Additionally, the cleaning process may include supplying a treatment liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate. When the treatment liquid is applied to the substrate and the solvent containing volatile components volatilizes, the polymer hardens due to a change in the volume of the treatment liquid and adsorbs particles. Afterwards, the polymer adsorbing the particles is peeled off from the substrate using deionized water, and then the substrate is washed again with an organic solvent such as IPA.

이때, 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판 상에 공급한 이후에, 기판 상에 액 공급을 중지하고 기판 상에 처리액 액막을 형성하는 액막 형성 단계를 수행한다. 다만, 액막 형성 단계를 수행하는 동안 솔벤트를 휘발시키기 위해 기판을 회전시키는데, 기판의 회전력에 의해 처리액이 기판의 특정 영역으로 쏠리거나 기판에 형성된 패턴 밖으로 처리액이 빠져나가는 문제가 있다.At this time, after the processing liquid containing the solvent is supplied to the substrate, the supply of the liquid to the substrate is stopped and a liquid film forming step of forming a processing liquid film on the substrate is performed. However, while performing the liquid film forming step, the substrate is rotated to volatilize the solvent, but there is a problem in that the processing liquid is directed to a specific area of the substrate due to the rotational force of the substrate or the processing liquid flows out of the pattern formed on the substrate.

본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing method that can improve cleaning efficiency.

또한, 본 발명은 처리액이 기판에 형성된 패턴 사이사이로 침투할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method that allows a processing liquid to penetrate into spaces between patterns formed on a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

일 실시예에 의하면, 제1속도는 0으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the first speed may be provided as 0.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계에서, 저속 회전 구간 이후에 기판이 제1속도보다 빠른 제2속도로 제2시간동안 회전하는 고속 회전 구간을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, in the liquid film forming step, a high-speed rotation section in which the substrate rotates for a second time at a second speed faster than the first speed may be further included after the low-speed rotation section.

일 실시예에 의하면, 제2시간은 제1시간보다 긴 시간으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the second time may be provided as a longer time than the first time.

일 실시예에 의하면, 액막의 형성은, 처리액을 공급한 이후에, 처리액의 공급을 중단하고 기판을 회전시키는 것일 수 있다.According to one embodiment, the formation of the liquid film may include supplying the processing liquid, then stopping the supply of the processing liquid and rotating the substrate.

일 실시예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the polymer may include a resin.

또한, 기판 처리 방법은, 일 실시예에 의하면, 회전하는 기판 상에 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 토출 단계 이후에 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계를 포함하고, 액막 형성 단계에서 기판이 제1시간동안 제1속도로 회전되는 저속 회전 구간을 포함할 수 있다.In addition, according to one embodiment, the substrate processing method includes a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto a rotating substrate; After the treatment liquid discharge step, it includes a liquid film forming step of volatilizing the solvent from the treatment liquid to form a solidified liquid film on the substrate, and includes a low-speed rotation section in which the substrate is rotated at a first speed for a first time in the liquid film formation step. can do.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계는, 저속 회전 구간 이전에 기판이 제3시간동안 제3속도로 회전되는 초기 회전 구간을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the liquid film forming step may further include an initial rotation section in which the substrate is rotated at a third speed for a third time before the low-speed rotation section.

일 실시예에 의하면, 제3시간은 제1시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the third time may be provided as a shorter time than the first time.

일 실시예에 의하면, 제3속도는 제2속도보다 느린 속도로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the third speed may be provided at a slower speed than the second speed.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계에서, 기판 상으로 액 공급이 중지될 수 있다.According to one embodiment, in the liquid film forming step, the supply of liquid onto the substrate may be stopped.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계 이후에, 회전하는 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판으로부터 처리액의 액막을 박리하는 액막 박리 단계와; 액막 박리 단계 이후에 회전하는 기판 상으로 린스액을 공급하여 기판 상의 잔여물을 세정하는 린스액 공급 단계와; 린스액 공급 단계 이후에 기판 상에 액 공급을 중지하고 기판을 회전시키는 건조 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, after the liquid film forming step, a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto a rotating substrate to peel the liquid film of the processing liquid from the substrate; A rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid onto a rotating substrate after the liquid film peeling step to clean residues on the substrate; After the rinse liquid supply step, a drying step of stopping supply of the liquid to the substrate and rotating the substrate may be further included.

일 실시예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함하고, 박리액은 탈이온수(Deionized water)이고, 린스액은 유기용제일 수 있다.According to one embodiment, the polymer may include a resin, the stripping liquid may be deionized water, and the rinsing liquid may be an organic solvent.

또한, 기판 처리 방법은, 일 실시예에 의하면, 회전하는 기판 상에 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 토출 단계 이후에, 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계를 포함하고, 액막 형성 단계에서 기판의 회전이 정지되는 구간을 포함할 수 있다.In addition, according to one embodiment, the substrate processing method includes a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto a rotating substrate; After the treatment liquid discharging step, the process may include a liquid film forming step of volatilizing solvent from the treatment liquid to form a solidified liquid film on the substrate, and may include a section in which rotation of the substrate is stopped in the liquid film formation step.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계는, 기판의 회전을 제1시간 동안 정지한 이후에 기판을 제2시간 동안 회전시키되, 제2시간은 제1시간 보다 긴 시간으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, in the liquid film forming step, rotation of the substrate is stopped for a first time and then the substrate is rotated for a second time, and the second time may be longer than the first time.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cleaning efficiency of the substrate can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리액의 사용량을 저감할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the amount of treatment liquid used can be reduced.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리액이 기판에 형성된 패턴 사이사이로 침투할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the processing liquid can penetrate into spaces between patterns formed on the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 보여주는 도면이다.
도 4는 처리액 공급 단계에서 회전하는 기판 상으로 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 5는 기판에 처리액이 공급된 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 액막 형성 단계에서 기판이 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액막 형성 단계의 순서도를 보여주는 도면이다.
도 8은 액막 형성 단계에서 기판의 회전 속도를 나타내는 그래프를 보여주는 도면이다.
도 9 내지 도 13은 액막 형성 단계에서 기판의 상태를 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 14은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액막 형성 단계의 순서도를 보여주는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액막 형성 단계에서 기판의 회전 속도를 보여주는 도면이다.
도 16은 초기 회전 구간에서 기판이 회전되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 17은 액막 박리 단계에서 기판 상으로 박리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 18은 액막 박리 단계에서 기판 상의 고화된 처리액 액막이 박리되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 19는 린스액 공급 단계에서 기판 상으로 린스액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 20은 기판 상에 린스액이 공급된 모습을 보여주는 도면이다.
도 21은 린스액 공급 단계가 끝난 이후의 기판의 상태를 보여주는 도면이다.
도 22는 건조 단계에서 기판을 회전시키는 모습을 보여주는 도면이다.
도 23는 건조 단계가 끝난 이후의 기판의 상태를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
Figure 3 is a diagram showing a flow chart of the substrate processing method of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing the supply of processing liquid onto a rotating substrate in the processing liquid supply step.
Figure 5 is a diagram showing a state in which a processing liquid is supplied to a substrate.
Figure 6 is a diagram showing the rotation of the substrate in the liquid film formation step.
Figure 7 is a diagram showing a flowchart of the liquid film forming step according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a diagram showing a graph showing the rotation speed of the substrate in the liquid film formation step.
9 to 13 are diagrams sequentially showing the state of the substrate in the liquid film formation step.
Figure 14 is a diagram showing a flow chart of the liquid film forming step according to another embodiment of the present invention.
Figure 15 is a diagram showing the rotation speed of the substrate in the liquid film forming step according to another embodiment of the present invention.
Figure 16 is a diagram showing the substrate rotating in the initial rotation section.
Figure 17 is a diagram showing supply of a stripping liquid onto a substrate in the liquid film peeling step.
Figure 18 is a diagram showing the separation of the solidified treatment liquid film on the substrate in the liquid film peeling step.
Figure 19 is a diagram showing the supply of rinse solution onto the substrate in the rinse solution supply step.
Figure 20 is a diagram showing a rinse solution being supplied on a substrate.
Figure 21 is a diagram showing the state of the substrate after the rinse solution supply step is completed.
Figure 22 is a diagram showing rotating the substrate in the drying step.
Figure 23 is a diagram showing the state of the substrate after the drying step is completed.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. And the direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is called the third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the stored container 80 to the processing module 20 and stores the substrate W that has been processed in the processing module 20 into the container 80 . The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). The container 80 is placed in the load port 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 is provided in the second direction 94 along the length of the index frame 14, and the index robot 120 can be moved on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a liquid processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 supplies liquid to the substrate W to perform a liquid treatment process on the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 .

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다.The transfer chamber 300 may have its longitudinal direction oriented in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 may be disposed on a side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be arranged along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다.According to one example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, and the liquid processing chambers 400 on one side of the transfer chamber 300 are disposed in the first direction 92 and the third direction 96. ) can be provided as an array of A

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 whose longitudinal direction is provided in the first direction 92 is provided within the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be able to move on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has open front and rear faces. The front side faces the index module 10, and the back side faces the transfer chamber 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다.FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1. Referring to FIG. 2 , the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a liquid supply unit 460, and a lifting unit 480.

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420, the support unit 440, and the liquid supply unit 460 are disposed within the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed within the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported on the support unit 440. Liquids are provided in multiple types and can be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, and 426. The recovery containers 422, 424, and 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process progresses, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each recovery container 422, 424, and 426.

일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a first recovery container 422, a second recovery container 424, and a third recovery container 426. The first recovery container 422 is arranged to surround the support unit 440, the second recovery container 424 is arranged to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a, which flows liquid into the second recovery tank 424, is located above the first inlet 422a, which flows liquid into the first recovery tank 422, and the third recovery tank 426 The third inlet 426a, which introduces liquid, may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is provided in a generally circular shape and may have a larger diameter than the substrate (W). A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear side of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end of the support plate ( 442).

지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not separate from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate (W) changes as the cup 420 moves up and down. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for recovering the processing liquid are changed depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so the liquids can be recovered separately. Unlike the above-mentioned, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 can move the support unit 440 in the vertical direction.

도 2를 참조하면, 본 발명은 액 공급 유닛(460)과 액 공급 유닛(460)을 제어하는 제어기(40)를 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(460)은, 용해액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 린스액 공급 노즐(464) 그리고 처리액 공급 노즐(470)을 포함한다. 일 예에서, 용해액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 린스액 공급 노즐(464) 그리고 처리액 공급 노즐(470)은 상이한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다. 선택적으로, 용해액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 린스액 공급 노즐(464) 그리고 처리액 공급 노즐(470)은 동일한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다.Referring to FIG. 2, the present invention may include a liquid supply unit 460 and a controller 40 that controls the liquid supply unit 460. The liquid supply unit 460 includes a solution supply nozzle 463, a stripping liquid supply nozzle 462, a rinse liquid supply nozzle 464, and a treatment liquid supply nozzle 470. In one example, the solution supply nozzle 463, the stripper supply nozzle 462, the rinse solution supply nozzle 464, and the treatment solution supply nozzle 470 may be supported by different arms 461. Optionally, the solution supply nozzle 463, the stripper supply nozzle 462, the rinse solution supply nozzle 464, and the treatment solution supply nozzle 470 may be supported by the same arm 461.

용해액 공급 노즐(463)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 용해액을 공급한다. 일 예에 의하면 용해액은, 후술하는 폴리머를 용해시키는 액체이다. 일 예에 의하면, 용해액은 유기용제이다. 일 예에 의하면, 용해액은 이소프로필알코올(IPA;isopropyl alcohol), 신너(Thinner), 부탄올(Butanol), PGME(Propylene glycol methyl ether), MIBC(Methyl Isobutyl Carbinol) 중 어느 하나로 제공될 수 있다.The solution supply nozzle 463 supplies the solution onto the substrate W supported on the support unit 440. According to one example, the dissolving solution is a liquid that dissolves the polymer described later. According to one example, the dissolving solution is an organic solvent. According to one example, the solution may be provided as one of isopropyl alcohol (IPA), thinner, butanol, propylene glycol methyl ether (PGME), and methyl isobutyl carbinol (MIBC).

박리액 공급 노즐(462)은 기판(W) 상으로 박리액을 토출한다. 일 예에 의하면, 박리액은 탈이온수를 포함한다. 박리액은, 기판(W)에 형성된 처리액 액막에 물리적인 충격을 가하여 액막을 기판(W)으로부터 박리시킨다.The stripper supply nozzle 462 discharges the stripper onto the substrate (W). According to one example, the stripper includes deionized water. The stripping liquid applies a physical impact to the processing liquid film formed on the substrate W, thereby peeling the liquid film from the substrate W.

린스액 공급 노즐(464)은 기판(W) 상으로 린스액을 토출한다. 일 예에서, 린스액은 폴리머를 용해시키는 액체로 제공된다. 일 예에 의하면, 린스액은 유기용제를 포함한다. 일 예에 의하면, 린스액은 이소프로필알코올(IPA;isopropyl alcohol), 신너(Thinner), 부탄올(Butanol), PGME(Propylene glycol methyl ether), MIBC(Methyl Isobutyl Carbinol) 중 어느 하나로 제공될 수 있다.The rinse liquid supply nozzle 464 discharges the rinse liquid onto the substrate (W). In one example, the rinse liquid is provided as a liquid that dissolves the polymer. According to one example, the rinse liquid includes an organic solvent. According to one example, the rinse solution may be provided as one of isopropyl alcohol (IPA), thinner, butanol, propylene glycol methyl ether (PGME), and methyl isobutyl carbinol (MIBC).

상술한 예에서는, 용해액 공급 노즐(463)과 린스액 공급 노즐(464)이 별개로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 용해액 공급 노즐(463)과 린스액 공급 노즐(464)은 별도로 제공되지 않고, 하나의 노즐에서 용해액과 린스액을 모두 공급하도록 제공될 수 있다.In the above-mentioned example, it was explained that the solution supply nozzle 463 and the rinse solution supply nozzle 464 are provided separately. However, unlike this, the solution supply nozzle 463 and the rinse solution supply nozzle 464 are not provided separately, and a single nozzle may be provided to supply both the solution and the rinse solution.

처리액 공급 노즐(470)은 기판(W) 상으로 폴리머를 포함한 처리액을 공급한다. 처리액은 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 폴리머는 수지를 포함한다. 수지는 아크릴 수지, 페놀 수지일 수 있다. 처리액은, 폴리머가 솔벤트에 용해된 상태의 액이다. 기판(W) 상의 처리액을 건조시키면 솔벤트는 증발되고 고화된 폴리머가 기판(W) 상에 남는다.The processing liquid supply nozzle 470 supplies a processing liquid containing a polymer onto the substrate W. The treatment liquid contains polymer and solvent. Polymers include resins. The resin may be an acrylic resin or a phenolic resin. The treatment liquid is a liquid in which the polymer is dissolved in a solvent. When the treatment liquid on the substrate (W) is dried, the solvent evaporates and the solidified polymer remains on the substrate (W).

이하, 도 3 내지 도 23을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 23.

도 3은 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 나타내고, 도 4는 처리액 공급 단계(S10)에서 회전하는 기판(W) 상으로 처리액(A)을 공급하는 모습을 나타내고, 도 5는 기판(W)에 처리액(A)이 공급된 모습을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은, 용해액 공급 단계(S10), 처리액 공급 단계(S10), 액막 형성 단계(S20), 액막 박리 단계(S30), 린스액 공급 단계(S40) 그리고 건조 단계(S50)를 포함한다.Figure 3 shows a flowchart of the substrate processing method of the present invention, Figure 4 shows supplying the processing liquid (A) onto the rotating substrate (W) in the processing liquid supply step (S10), and Figure 5 shows the substrate ( It shows the treatment liquid (A) supplied to W). Referring to FIG. 3, the substrate processing method of the present invention includes a solution supply step (S10), a treatment solution supply step (S10), a liquid film forming step (S20), a liquid film peeling step (S30), and a rinse solution supply step (S40). ) and includes a drying step (S50).

처리액 공급 단계(S10)에서 도 4에 도시된 바와 같이 회전하는 기판(W) 상으로 처리액(A)을 공급한다. 일 예에서, 처리액 공급 노즐(470)은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 영역에서 처리액(A)을 공급한다. 기판(W)의 회전에 의해 처리액(A)은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리 영역으로 퍼져 나간다. 처리액(A)에 기판(W) 상에 공급되면, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(W) 상에 처리액(A) 액막이 형성된다. 액막에 처리액(A)이 공급되면, 패턴(P) 사이사이에 위치된 파티클(D)이 처리액(A)에 의해 포획된다.In the processing liquid supply step (S10), the processing liquid (A) is supplied onto the rotating substrate (W) as shown in FIG. 4. In one example, the processing liquid supply nozzle 470 supplies the processing liquid (A) in an area opposite to the central area of the substrate (W). As the substrate W rotates, the processing liquid A spreads from the center of the substrate W to the edge area. When the processing liquid A is supplied onto the substrate W, a liquid film of the processing liquid A is formed on the substrate W as shown in FIG. 5 . When the treatment liquid (A) is supplied to the liquid film, the particles (D) located between the patterns (P) are captured by the treatment liquid (A).

처리액 공급 단계(S10) 이후에, 액막 형성 단계(S20)가 시작된다. 도 6은 액막 형성 단계(S20)에서 기판(W)이 회전하는 모습을 나타내고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액막 형성 단계(S20)의 순서도를 나타내고, 도 8은 액막 형성 단계(S20)에서 기판(W)의 회전 속도를 나타내고, 도 9 내지 도 13은 액막 형성 단계(S20)에서 기판(W)의 상태를 순차적으로 나타낸다.After the treatment liquid supply step (S10), the liquid film formation step (S20) begins. Figure 6 shows the rotation of the substrate W in the liquid film forming step (S20), Figure 7 shows a flowchart of the liquid film forming step (S20) according to an embodiment of the present invention, and Figure 8 shows the liquid film forming step (S20). The rotation speed of the substrate W is shown in S20), and FIGS. 9 to 13 sequentially show the state of the substrate W in the liquid film forming step S20.

도 6을 참조하면, 액막 형성 단계(S20)에서, 기판(W) 상에 액 공급이 중지된 상태에서 기판(W)이 회전된다. 다만, 일 실시예에서, 본 발명의 액막 형성 단계(S20)는 기판(W)의 회전이 중지되는 구간을 포함한다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 액막 형성 단계(S20)는, 저속 회전 구간(S22)와 고속 회전 구간(S24)을 포함한다. 일 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 저속 회전 구간(S22)에서 기판은 제1시간(t1) 동안 제1속도(V1)로 회전하고, 고속 회전 구간(S24)에서 기판은 제2시간(t2-t1) 동안 제2속도(V2)로 회전한다.Referring to FIG. 6, in the liquid film forming step (S20), the substrate W is rotated while the supply of liquid to the substrate W is stopped. However, in one embodiment, the liquid film forming step (S20) of the present invention includes a section in which the rotation of the substrate W is stopped. Referring to FIG. 7, the liquid film forming step (S20) of the present invention includes a low-speed rotation section (S22) and a high-speed rotation section (S24). In one example, as shown in FIG. 8, in the low-speed rotation section S22, the substrate rotates at a first speed V1 for a first time t1, and in the high-speed rotation section S24, the substrate rotates for a second time It rotates at the second speed (V2) during (t2-t1).

일 예에서, 제1속도(V1)은 0으로 제공된다. 예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이 제1시간(t1)동안 기판의 회전이 정지된다. 기판 상에 처리액(A)을 공급하는 동안, 패턴(P) 부근에서 처리액(A)이 경화된다. 경화된 처리액(A’)은, 패턴(P) 사이로 처리액(A)이 채워지는 것을 방해한다. 이에, 도 10에 도시된 바와 같이 경화된 처리액(A’) 부근에서, 처리액(A)이 패턴(P) 사이로 침투하지 못해 빈 공간(S)이 발생한다. 빈 공간(S)에 존재하는 파티클(D)은 처리액(A)에 의해 포획되지 못하는 바 이후에 기판(W)에서 제거되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명은 액막 형성 단계(S20)에서 기판(W)의 회전을 중지하는 과정을 포함하여, 경화된 처리액(A’) 부근에서 빈 공간이 발생하지 않도록 한다. 만약, 기판(W)이 계속해서 회전할 경우, 경화된 처리액(A’) 부근에서 오히려 경화되지 않은 처리액(A)이 패턴(P) 사이를 빠져나오거나, 기판(W)의 회전 속도에 의해 처리액(A)이 기판(W)의 중앙 영역에서 가장 자리 영역을 향하는 방향으로 비산되어 패턴(P) 사이로는 침투되지 않는다. 이에 본 발명은, 기판(W)의 회전을 중지시킨 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 경화된 처리액(A’) 사이로 처리액(A)이 패턴(P) 사이사이로 침투하도록 한다.In one example, the first velocity V1 is provided as 0. For example, as shown in FIG. 9, the rotation of the substrate is stopped for a first time t1. While supplying the processing liquid (A) on the substrate, the processing liquid (A) is hardened in the vicinity of the pattern (P). The hardened treatment liquid (A’) prevents the treatment liquid (A) from filling the spaces between the patterns (P). Accordingly, as shown in FIG. 10, near the cured treatment liquid (A'), the treatment liquid (A) cannot penetrate between the patterns (P), thereby creating an empty space (S). The particles (D) existing in the empty space (S) may not be captured by the treatment liquid (A) and may not be subsequently removed from the substrate (W). Therefore, the present invention includes a process of stopping the rotation of the substrate (W) in the liquid film forming step (S20) to prevent empty space from occurring near the cured treatment liquid (A'). If the substrate (W) continues to rotate, the uncured processing liquid (A) may escape between the patterns (P) near the cured processing liquid (A') or the rotation speed of the substrate (W) may increase. As a result, the processing liquid (A) scatters from the central area of the substrate (W) toward the edge area and does not penetrate between the patterns (P). Accordingly, in the present invention, when the rotation of the substrate (W) is stopped, the treatment liquid (A) penetrates into the space between the patterns (P) through the cured treatment liquid (A'), as shown in FIG. 11.

경화된 처리액(A’) 사이로 처리액(A)이 패턴(P) 사이사이로 침투하고 나면, 도 12에 도시된 바와 같이, 고속 회전 구간(S24)에서 기판(W)을 제2속도(V2)로 제2시간(t2-t1)동안 회전시킨다. 일 예에서, 제2시간(t2-t1)은 제1시간(t1) 보다 긴 시간으로 제공된다. 일 예에서, 제2시간(t2-t1)은 제1시간(t1) 보다 50퍼센트 내지 150퍼센트 긴 시간으로 제공될 수 있다. 예컨대, 제2시간(t2-t1)은 제1시간(t1)의 두 배로 제공될 수 있다. 이에, 기판(W) 상에서 처리액(A)이 충분히 고화되도록 한다.After the treatment liquid (A) penetrates between the cured treatment liquid (A') and the space between the patterns (P), as shown in FIG. 12, the substrate (W) is rotated at a second speed (V2) in the high-speed rotation section (S24). ) for the second time (t2-t1). In one example, the second time (t2-t1) is provided as a longer time than the first time (t1). In one example, the second time (t2-t1) may be provided as a time that is 50 percent to 150 percent longer than the first time (t1). For example, the second time (t2-t1) may be provided as twice the first time (t1). Accordingly, the processing liquid (A) is sufficiently solidified on the substrate (W).

일 예에서, 고속 회전 과정(S24)에서 기판(W)의 회전 속도(V2)는 처리액 공급 단계(S10)에서 기판(W)의 회전 속도와 같게 제공된다. 선택적으로, 액막 형성 단계(S20)에서 기판(W)의 회전 속도는 처리액 공급 단계(S10)에서 기판(W)의 회전 속도보다 느리거나 빠르게 제공된다. 고속 회전 구간(S24)에서, 처리액(A) 내의 솔벤트를 증발시키고 처리액(A)을 기판(W) 상에서 고화시킨다. 이에, 도 13에 도시된 바와 같이 기판(W) 상에는 경화된 처리액(A’) 막이 형성된다. 고화된 처리액(A’) 내에는 도 13에 도시된 바와 같이 파티클(D)이 포획된 상태이다.In one example, the rotation speed V2 of the substrate W in the high-speed rotation process S24 is provided to be the same as the rotation speed of the substrate W in the processing liquid supply step S10. Optionally, the rotation speed of the substrate W in the liquid film forming step S20 is provided to be slower or faster than the rotation speed of the substrate W in the processing liquid supply step S10. In the high-speed rotation section (S24), the solvent in the processing liquid (A) is evaporated and the processing liquid (A) is solidified on the substrate (W). Accordingly, as shown in FIG. 13, a film of the cured treatment liquid (A') is formed on the substrate (W). As shown in FIG. 13, particles (D) are captured in the solidified treatment liquid (A').

도 14은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액막 형성 단계의 순서도를 나타내고, 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액막 형성 단계에서 기판(W)의 회전 속도를 나타내고, 도 16은 초기 회전 구간(S21)에서 기판(W)이 회전되는 모습을 나타내는 도면이다.Figure 14 shows a flow chart of the liquid film forming step according to another embodiment of the present invention, Figure 15 shows the rotation speed of the substrate W in the liquid film forming step according to another embodiment of the present invention, and Figure 16 shows the initial rotation section. (S21) is a drawing showing how the substrate W is rotated.

도 14를 참조하면, 일 예에서, 액막 형성 단계(S20)는, 초기 회전 구간(S21), 저속 회전 구간(S22) 그리고 고속 회전 구간(S24)을 포함한다. 일 예에서, 저속 회전 구간(S22)과 고속 회전 구간(S24)은 상술한 바와 동일하게 진행된다. 초기 회전 구간(S21)에서 기판(W)은 도 16에 도시된 바와 같이 제3속도(V3)로 제3시간(t0) 동안 회전된다. 일 예에서, 제3속도(V3)는 0이 아닌 속도이다. 일 예에서, 제3속도(V3)는 제2속도(V2)보다 느린 속도로 제공된다.Referring to FIG. 14, in one example, the liquid film forming step (S20) includes an initial rotation section (S21), a low-speed rotation section (S22), and a high-speed rotation section (S24). In one example, the low-speed rotation section S22 and the high-speed rotation section S24 proceed in the same manner as described above. In the initial rotation section S21, the substrate W is rotated at a third speed V3 for a third time t0 as shown in FIG. 16. In one example, the third velocity V3 is a non-zero velocity. In one example, the third speed (V3) is provided at a slower speed than the second speed (V2).

액막 형성 단계(S20) 이후에, 액막 박리 단계(S30)가 수행된다. 도 17은 액막 박리 단계(S30)에서 기판(W) 상으로 박리액(F)을 공급하는 모습을 나타내고, 도 18는 액막 박리 단계(S30)에서 기판(W) 상의 고화된 처리액(A’) 액막이 박리되는 모습을 나타낸다. 도 17에 도시된 바와 같이 액막 박리 단계(S30)에서, 회전하는 기판(W) 상으로 박리액(F)을 공급하여 기판(W) 상에서 고화된 처리액(A’)을 기판(W) 상의 파티클(D)과 함께 박리시킨다. 일 예에서, 박리액(F) 공급 노즐(462)은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 영역에서 박리액(F)을 공급한다. 기판(W)의 회전에 의해 박리액(F)은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리 영역으로 퍼져나간다. 기판(W)의 패턴(P) 형성면에 부착한 파티클(D)이 고화된 처리액(A’)과 함께 기판(W)으로부터 박리된다. 박리액(F)은, 고화된 처리액(A’)에 물리적인 힘을 가하여 고화된 처리액(A’)이 도 18에 도시된 바와 같이 기판(W)으로부터 탈락되도록한다.After the liquid film forming step (S20), the liquid film peeling step (S30) is performed. Figure 17 shows the supply of the stripping liquid (F) onto the substrate (W) in the liquid film peeling step (S30), and Figure 18 shows the solidified treatment liquid (A') on the substrate (W) in the liquid film peeling step (S30). ) It shows the liquid film being peeled off. As shown in FIG. 17, in the liquid film peeling step (S30), the peeling liquid (F) is supplied onto the rotating substrate (W) and the treatment liquid (A') solidified on the substrate (W) is applied to the substrate (W). It is peeled off along with the particles (D). In one example, the stripper (F) supply nozzle 462 supplies the stripper (F) in an area opposite to the central area of the substrate (W). As the substrate W rotates, the peeler F spreads from the center of the substrate W to the edge area. The particles (D) attached to the pattern (P) forming surface of the substrate (W) are peeled off from the substrate (W) together with the solidified treatment liquid (A'). The stripping liquid (F) applies a physical force to the solidified processing liquid (A') so that the solidified processing liquid (A') falls off from the substrate (W) as shown in FIG. 18.

액막 박리 단계(S30) 이후에 린스액 공급 단계(S40)가 수행된다. 도 19는 린스액 공급 단계(S40)에서 기판(W) 상으로 린스액(C)을 공급하는 모습을 나타내고, 도 20은 기판(W) 상에 린스액(C)이 공급된 모습을 나타낸다.After the liquid film peeling step (S30), the rinse liquid supply step (S40) is performed. Figure 19 shows the supply of the rinse solution (C) onto the substrate (W) in the rinse solution supply step (S40), and Figure 20 shows the supply of the rinse solution (C) onto the substrate (W).

도 19에 도시된 바와 같이 린스액 공급 단계(S40)에서, 린스액(C) 공급 노즐(464)이 회전하는 기판(W) 상으로 린스액(C)을 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 잔여물을 제거한다. 액막 박리 단계(S30)에서 박리액(F)을 공급하여 기판(W)을 세정하더라도, 기판(W) 상에는 도 20과 같이 이물질이 잔존할 수 있다. 이에, 기판(W) 상으로 린스액(C)을 공급하여 잔여물을 제거한다. 일 예에서, 린스액(C) 공급 노즐(464)은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 영역에서 린스액(C)을 공급한다. 기판(W)의 회전에 의해 린스액(C)은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리 영역으로 퍼져나가면서 잔여물을 제거한다.As shown in FIG. 19, in the rinse liquid supply step (S40), the rinse liquid (C) supply nozzle 464 supplies the rinse liquid (C) onto the rotating substrate (W) so that the rinse liquid (C) remains on the substrate (W). Remove any remaining residue. Even if the substrate W is cleaned by supplying the stripper F in the liquid film peeling step S30, foreign substances may remain on the substrate W as shown in FIG. 20. Accordingly, the rinse liquid (C) is supplied onto the substrate (W) to remove residue. In one example, the rinse liquid (C) supply nozzle 464 supplies the rinse liquid (C) in an area opposite to the central area of the substrate (W). As the substrate W rotates, the rinse liquid C spreads from the center of the substrate W to the edge area and removes residues.

린스액 공급 단계(S40) 이후에 건조 단계(S50)가 수행된다. 도 21은 린스액 공급 단계(S40)가 끝난 이후의 기판(W)의 상태를 나타내고, 도 22은 건조 단계(S50)에서 기판(W)을 회전시키는 모습을 나타내며, 도 23는 건조 단계(S50)가 끝난 이후의 기판(W)의 상태를 나타낸다. 도 21에 도시된 바와 같이, 린스액 공급 단계(S40)에서 기판(W) 상으로 공급된 린스액(C)은 잔여물을 제거하나 린스액(C) 자체가 기판(W) 상에 잔류할 수 있다. 이에, 건조 단계(S50)에서 기판(W) 상에 남아있는 린스액(C)을 건조시킨다. 일 예에서, 건조 단계(S50)에서, 도 22에 도시된 바와 같이 기판(W) 상에 액 공급을 중지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. 건조 단계(S50)가 완료되면, 도 23에 도시된 바와 같이 패턴(P) 사이 사이에 잔여하는 물질이 없이 기판(W)이 세정된다.A drying step (S50) is performed after the rinse liquid supply step (S40). FIG. 21 shows the state of the substrate W after the rinse solution supply step (S40), FIG. 22 shows rotating the substrate W in the drying step (S50), and FIG. 23 shows the drying step (S50). ) indicates the state of the substrate (W) after completion. As shown in FIG. 21, the rinse liquid (C) supplied to the substrate (W) in the rinse liquid supply step (S40) removes residues, but the rinse liquid (C) itself may remain on the substrate (W). You can. Accordingly, in the drying step (S50), the rinse liquid (C) remaining on the substrate (W) is dried. In one example, in the drying step (S50), the substrate (W) is rotated while the supply of liquid to the substrate (W) is stopped, as shown in FIG. 22. When the drying step (S50) is completed, the substrate (W) is cleaned without any remaining material between the patterns (P), as shown in FIG. 23.

이상, 각 단계에서, 액이 토출되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 선택적으로 액이 토출되는 동안 기판(W)은 정지된 상태로 제공될 수 있다.Above, it has been described that in each step, the substrate W is provided in a rotating state while the liquid is discharged. However, the substrate W may optionally be provided in a stationary state while the liquid is discharged.

이상, 각 노즐은 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W) 상으로 액을 공급하는 것으로 명하였다. 그러나, 선택적으로, 각 노즐의 탄착 지점은 기판(W)의 중앙영역에서 기판(W)의 가장자리 영역 간에 변경될 수 있다.As mentioned above, each nozzle was specified to supply liquid onto the substrate W from the central area of the substrate W. However, optionally, the impact point of each nozzle can be changed between the central area of the substrate W and the edge area of the substrate W.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상으로 폴리머를 포함하는 처리액을 공급한 이후에, 기판 상에 액 공급을 중지하여 액막을 형성하는 단계에서 기판의 회전을 정지하는 구간을 포함한다. 이에, 처리액은 기판의 패턴 사이 사이로 침투하여 기판의 세정 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.According to one embodiment of the present invention, after supplying the processing liquid containing a polymer onto the substrate, the step of forming a liquid film by stopping supply of the liquid on the substrate includes a section in which rotation of the substrate is stopped. Accordingly, the treatment liquid has the advantage of being able to increase the cleaning efficiency of the substrate by penetrating between patterns of the substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above-described content shows and explains preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

460: 액 공급 유닛
462: 박리액 공급 노즐
463: 용해액 공급 노즐
464: 린스액 공급 노즐
470: 처리액 공급 노즐460: Liquid supply unit
462: Stripper supply nozzle
463: Solution supply nozzle
464: Rinse fluid supply nozzle
470: Treatment liquid supply nozzle

Claims

In the method of processing the substrate,
a treatment liquid discharge step of discharging a treatment liquid containing a polymer and a solvent onto a rotating substrate;
A liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent from the processing liquid after the treatment liquid discharging step,
The liquid film formation step is,
a low-speed rotation section in which the substrate is rotated at a first speed for a first time;
After the low-speed rotation section, it further includes a high-speed rotation section in which the substrate rotates for a second time at a second speed faster than the first speed,
In the liquid film forming step, the supply of the treatment liquid is stopped,
The first speed is provided as 0,
A substrate processing method wherein the polymer includes a resin.

delete

According to paragraph 1,
A substrate processing method in which the second time is longer than the first time.

delete

In the method of processing the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the rotating substrate;
After the step of supplying the processing liquid, a liquid film forming step of volatilizing the solvent from the processing liquid to form a solidified liquid film on the substrate,
The liquid film formation step is,
a low-speed rotation section in which the substrate is rotated at a first speed for a first time;
After the low-speed rotation section, it further includes a high-speed rotation section in which the substrate rotates for a second time at a second speed faster than the first speed,
In the liquid film forming step, the supply of the treatment liquid is stopped,
A substrate processing method wherein the first speed is provided as 0.

delete

In clause 7,
A substrate processing method in which the second time is longer than the first time.

In clause 7,
The liquid film formation step is,
A substrate processing method further comprising an initial rotation section in which the substrate is rotated at a third speed for a third time before the low-speed rotation section.

According to clause 11,
A substrate processing method wherein the third time is shorter than the first time.

According to clause 11,
A substrate processing method wherein the third speed is provided at a slower speed than the second speed.

delete

In clause 7,
After the liquid film formation step,
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the rotating substrate to peel the liquid film of the processing liquid from the rotating substrate;
a rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid onto the rotating substrate after the liquid film peeling step to clean residues on the substrate;
A substrate processing method further comprising a drying step of stopping supply of liquid to the substrate and rotating the substrate after the step of supplying the rinse liquid.

According to clause 15,
The polymer includes a resin,
The stripping solution is deionized water,
A method of treating a substrate wherein the rinse liquid is an organic solvent.

In the method of processing the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the rotating substrate;
After the processing liquid supply step, a liquid film forming step of volatilizing the solvent from the processing liquid to form a solidified liquid film on the substrate,
The liquid film formation step is,
Includes a section where rotation of the substrate is stopped,
After stopping the rotation of the substrate for a first time, rotating the substrate for a second time,
A substrate processing method in which the supply of the processing liquid is stopped in the liquid film forming step.

According to clause 17,
A substrate processing method wherein the second time is longer than the first time.

delete

According to claim 17 or 18,
A substrate processing method wherein the polymer includes a resin.