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KR102615664B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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KR102615664B1
KR102615664B1 KR1020160148447A KR20160148447A KR102615664B1 KR 102615664 B1 KR102615664 B1 KR 102615664B1 KR 1020160148447 A KR1020160148447 A KR 1020160148447A KR 20160148447 A KR20160148447 A KR 20160148447A KR 102615664 B1 KR102615664 B1 KR 102615664B1
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organic light
light emitting
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하재희
우철민
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화막, 평탄화막 상의 UV 차단층, 및 UV 차단층 상에 배치되고, 애노드, 애노드 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함하고, 평탄화막 상에 UV 차단층을 구성하여 평탄화막에 입사되는 UV를 줄여 평탄화막 재료의 광분해에 의한 아웃개싱(out-gassing)을 감소시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 UV 수명을 개선할 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting display device. The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, a planarization film covering the thin film transistor, a UV blocking layer on the planarization film, and a UV blocking layer on the planarization film. It is disposed in and includes an organic light-emitting element including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer, and a UV blocking layer is formed on the planarization film to reduce UV incident on the planarization film to prevent UV rays from being incident on the planarization film by photodecomposition of the planarization film material. By reducing out-gassing, the UV lifespan of an organic light emitting display device can be improved.

Figure R1020160148447
Figure R1020160148447

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 UV 수명이 개선된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, to an organic light emitting display device with improved UV lifespan.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.Organic light emitting display devices are self-emitting display devices, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, organic light emitting display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also have excellent color rendering, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are being studied as next-generation displays.

이러한 장점으로 인해 유기 발광 표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 모바일 폰, 태블릿 PC, 웨어러블 와치(wearable Watch) 등 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있다. 기존에 주로 내부에서 사용하던 IT제품과 달리 웨어러블 제품의 경우 야외 사용빈도가 높아 UV를 차단하여 내부 TFT를 덮는 유기막을 보호하는 것이 중요한 이슈로 부각되고 있다.Due to these advantages, the range of application of organic light emitting display devices is expanding, not only to computer monitors and TVs, but also to personal portable devices such as mobile phones, tablet PCs, and wearable watches. Unlike IT products that were previously mainly used internally, wearable products are frequently used outdoors, so protecting the organic film that covers the internal TFT by blocking UV rays is emerging as an important issue.

이는 유기 발광 표시 장치의 TFT를 덮는 유기막이 UV에 장시간 노출 시, 유기물이 광분해되어 아웃개싱(out-gassing)이 발생되고, 발생된 아웃개싱이 상층의 유기 발광 소자로 확산되면서 유기 발광 소자의 열화(Shrinkage)나 광분해를 초래하여 유기 발광 표시 장치의 UV 수명이 저하되기 때문이다.This is because when the organic film covering the TFT of an organic light emitting display device is exposed to UV for a long time, the organic material is photodecomposed and out-gassing occurs, and the generated out-gassing spreads to the organic light emitting device on the upper layer, leading to the deterioration of the organic light emitting device. This is because the UV lifespan of the organic light emitting display device is reduced due to shrinkage or photolysis.

이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 UV 수명이나 효율저하를 개선할 수 있는 TFT 보호용 신규 물질이나 신규 구조에 대한 연구가 요구되고 있다.Accordingly, research is required on new materials or new structures for TFT protection that can improve the UV lifespan or efficiency decline of organic light emitting display devices.

[관련기술문헌][Related technical literature]

1. 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 (특허출원번호 제 10-2011-0093718 호).1. Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method (Patent Application No. 10-2011-0093718).

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 UV 수명이 개선된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device with improved UV lifespan.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 효율저하를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting display device that can minimize efficiency degradation.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막, 평탄화막 상의 UV 차단층, 및 UV 차단층 상에 배치되고, 애노드, 애노드 상의 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다. 따라서, 평탄화막 상에 UV 차단층을 구성하여 평탄화막에 입사되는 UV를 줄여 평탄화막 재료의 광분해에 의한 아웃개싱(out-gassing)을 감소시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 UV 수명이 개선될 수 있다.In order to solve the above-described problem, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, a planarization film covering the thin film transistor, a UV blocking layer on the planarization film, and a UV blocking layer. It is disposed and includes an organic light-emitting device including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer. Therefore, the UV lifespan of the organic light emitting display device can be improved by forming a UV blocking layer on the planarization film to reduce UV incident on the planarization film and thereby reducing out-gassing due to photolysis of the planarization film material.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막, 평탄화막 상의 일부 영역에 배치된 UV 차단 금속층, UV 차단 금속층을 커버하는 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치되고, 애노드, 애노드 상의 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다. 따라서, 평탄화막 상에 UV 차단 금속층을 구성하여 평탄화막에 입사되는 UV를 줄여 평탄화막 재료의 광분해에 의한 아웃개싱(out-gassing)을 감소시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 UV 수명이 개선될 수 있다.In order to solve the problems described above, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, a planarization film covering the thin film transistor, a UV blocking metal layer disposed in a portion of the planarization film, and a UV blocking metal layer. It includes an insulating layer covering the blocking metal layer, and an organic light-emitting element disposed on the insulating layer and including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer. Therefore, the UV lifespan of the organic light emitting display device can be improved by forming a UV blocking metal layer on the planarization film to reduce UV incident on the planarization film and thereby reducing out-gassing due to photolysis of the planarization film material.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따르면, 평탄화막 상에 UV 차단층 또는 UV 차단 금속층을 구성하여 평탄화막 재료에 기인한 아웃개싱을 최소화함과 동시에 유기 발광 소자로의 아웃개싱의 확산을 지연시켜, 유기 발광 표시 장치의 UV 수명을 개선할 수 있다.According to the present invention, a UV blocking layer or a UV blocking metal layer is formed on the planarization film to minimize outgassing caused by the planarization film material and at the same time delay the diffusion of the outgassing to the organic light emitting device, thereby improving the quality of the organic light emitting display device. UV life can be improved.

본 발명에 따르면, 평탄화막에서의 아웃개싱을 최소화함과 동시에 아웃개싱의 확산을 지연시킴으로써 저항의 증가나 JV 쉬프트의 유발을 억제할 수 있다.According to the present invention, an increase in resistance or the occurrence of a JV shift can be suppressed by minimizing outgassing in the planarization film and at the same time delaying the diffusion of outgassing.

본 발명에 따르면, 구동 전압의 증가에 따른 휘도를 감소시켜 유기 발광 표시 장치의 효율저하를 억제할 수 있다.According to the present invention, a decrease in efficiency of an organic light emitting display device can be suppressed by reducing luminance as the driving voltage increases.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 UV 차단층과 애노드와의 배치 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3의 UV 차단 금속층, 절연층 및 애노드와의 배치 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are schematic plan views for explaining the arrangement of the UV blocking layer and anode of FIG. 1.
Figure 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 4A to 4C are schematic plan views for explaining the arrangement of the UV blocking metal layer, the insulating layer, and the anode of FIG. 3.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. In cases where a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting components, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 위 (on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as being on another element or layer, it includes all cases where another layer or other element is interposed directly on or in the middle of another element.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, and as can be fully understood by those skilled in the art, various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other. It may be possible to conduct them together due to a related relationship.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 UV 차단층과 애노드와의 배치 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are schematic plan views for explaining the arrangement of the UV blocking layer and the anode of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(TFT), 평탄화막(150), UV 차단층(160) 및 유기 발광 소자(170)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110, a thin film transistor (TFT), a planarization film 150, a UV blocking layer 160, and an organic light emitting element ( 170).

기판(110)은 유기 발광 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판이다. 기판(110)은 플렉서블(flexible)한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다.The substrate 110 is a substrate for supporting and protecting various components of the organic light emitting display device 100. The substrate 110 may have flexible characteristics. For example, the substrate 110 may be made of glass or plastic.

기판(110)은 표시 영역 및 비표시 영역을 포함한다. 표시 영역은 유기 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 및 유기 발광 소자(170)가 배치된다. 표시 영역은 기판(110)의 중앙 부분에 배치되고, 비표시 영역은 표시영역을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 비표시 영역은 표시 영역을 일부만 둘러쌀 수도 있다. 비표시 영역에는 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기 발광 소자(170)를 구동시키기 위한 다양한 배선, 회로 및 구동칩 등이 배치될 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기 발광 소자(170)가 배치된 표시 영역만을 도시하였다.The substrate 110 includes a display area and a non-display area. The display area is an area where an image is displayed in the organic light emitting display device 100. A thin film transistor (TFT) and an organic light emitting device 170 are disposed in the display area. The display area is disposed in the center of the substrate 110, and the non-display area is disposed to surround the display area. At this time, the non-display area may only partially surround the display area. Various wiring, circuits, and driving chips for driving the thin film transistor (TFT) and the organic light emitting device 170 may be placed in the non-display area. For convenience of explanation, Figure 1 shows only the display area where the thin film transistor (TFT) and the organic light emitting device 170 are arranged.

박막 트랜지스터(TFT)는 기판(110) 상에서 표시 영역에 배치되고, 액티브층(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함한다.A thin film transistor (TFT) is disposed in the display area on the substrate 110 and includes an active layer 120, a gate electrode 130, a source electrode 140, and a drain electrode 145.

구체적으로, 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성되는 액티브층(120)이 배치된다. 액티브층(120) 상에 액티브층(120)과 게이트 전극(130)을 절연시키기 위하여 게이트 절연층(125)이 배치된다. 게이트 절연층(125)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층으로 이루어지거나 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연층(125) 상에는 게이트 전극(130)이 배치된다. 게이트 전극(130) 상에 층간 절연층(135)이 배치된다. 층간 절연층(135)은 액티브층(120)의 일부 영역을 개구시키는 컨택홀을 갖도록 구성된다. 층간 절연층(135)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층으로 이루어지거나 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 층간 절연층(135) 상에 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 배치되고, 소스 전극(140)과 드레인 전극(145) 각각은 컨택홀을 통해 액티브층(120)과 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 박막 트랜지스터(TFT)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 박막 트랜지스터(TFT)는 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 형성될 수도 있다.Specifically, an active layer 120 in which a channel of a thin film transistor (TFT) is formed is disposed on the substrate 110. A gate insulating layer 125 is disposed on the active layer 120 to insulate the active layer 120 and the gate electrode 130. The gate insulating layer 125 is made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or a mixture thereof, and may be made of a single layer or multiple layers. A gate electrode 130 is disposed on the gate insulating layer 125. An interlayer insulating layer 135 is disposed on the gate electrode 130. The interlayer insulating layer 135 is configured to have a contact hole that opens a partial area of the active layer 120. The interlayer insulating layer 135 is made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or a mixture thereof, and may be made of a single layer or multiple layers. A source electrode 140 and a drain electrode 145 are disposed on the interlayer insulating layer 135, and each of the source electrode 140 and the drain electrode 145 is electrically connected to the active layer 120 through a contact hole. . In Figure 1, for convenience of explanation, the thin film transistor (TFT) is shown as having a coplanar structure, but the thin film transistor (TFT) is not limited to this and may be formed in an inverted staggered structure. .

한편, 기판(110) 상에는 버퍼층(미도시)이 더 배치될 수 있고, 이 경우 액티브층(120)은 버퍼층 상에 배치될 수 있다. 버퍼층은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층으로 이루어지거나 복수의 층으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be further disposed on the substrate 110, and in this case, the active layer 120 may be disposed on the buffer layer. The buffer layer is made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or a mixture thereof, and may be made of a single layer or multiple layers.

박막 트랜지스터(TFT) 상에 평탄화막(150)이 배치된다. 평탄화막(150)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하고, 박막 트랜지스터(TFT)의 상부를 평탄화하기 위한 절연층이다. 평탄화막(150)은 박막 트랜지스터(TFT)와 유기 발광 소자(170)의 애노드(172)를 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀(CH)을 포함한다. 구체적으로, 평탄화막(150)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(140) 또는 드레인 전극(145) 중 어느 하나를 노출시키는 콘택홀(CH)을 포함한다. 도 1에서는 드레인 전극(145)을 노출시키는 콘택홀(CH)을 도시하였다. 평탄화막(150)은 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.A planarization film 150 is disposed on a thin film transistor (TFT). The planarization film 150 is an insulating layer for protecting the thin film transistor (TFT) and planarizing the top of the thin film transistor (TFT). The planarization film 150 includes a contact hole (CH) for electrically connecting the thin film transistor (TFT) and the anode 172 of the organic light emitting device 170. Specifically, the planarization film 150 includes a contact hole (CH) exposing either the source electrode 140 or the drain electrode 145 of the thin film transistor (TFT). Figure 1 shows a contact hole (CH) exposing the drain electrode 145. The planarization film 150 may be made of an organic insulating material.

평탄화막(150) 상에 UV(ultra violet) 차단층(160)이 배치된다. 도 2a를 참조하면, UV 차단층(160)은 콘택홀(CH)을 제외한 평탄화막(150) 상에 배치된다.A UV (ultra violet) blocking layer 160 is disposed on the planarization film 150. Referring to FIG. 2A, the UV blocking layer 160 is disposed on the planarization film 150 excluding the contact hole (CH).

일반적으로 평탄화막(150)은 스텝 커버리지(Step coverage) 특성에 따라 유기물로 이루어질 수 있다. 평탄화막(150)이 유기물로 형성될 경우, 장시간 노출되는 UV에 의해 평탄화막(150)의 재료인 유기물이 광분해되어 아웃개싱(out-gassing)이 발생되고, 발생된 아웃개싱이 상층의 유기 발광 소자(170)로 확산되면서 유기 발광 소자(170)의 열화(Shrinkage)나 광분해를 초래하여 유기 발광 표시 장치(100)의 UV 수명이 저하되는 문제점을 안고 있다. 상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 평탄화막(150) 상에 UV 차단층(160)을 도입하였으며, 이에 대해서는 후술하였다.In general, the planarization film 150 may be made of an organic material depending on step coverage characteristics. When the planarization film 150 is formed of an organic material, the organic material that is the material of the planarization film 150 is photodecomposed by UV exposure for a long time, causing out-gassing, and the generated out-gassing causes the organic light emission of the upper layer. As it diffuses into the device 170, it causes shrinkage or photodecomposition of the organic light emitting device 170, causing a problem in that the UV lifespan of the organic light emitting display device 100 is reduced. In order to solve the above-mentioned problem, in the present invention, a UV blocking layer 160 was introduced on the planarization film 150, which will be described later.

도 1을 다시 참조하면, UV 차단층(160)은 외부로부터 입사된 광 중 적어도 일부의 UV를 반사시키는 특성을 가지는 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, UV 차단층(160)은 실리카(Silica)계, 지르코늄계, 타이타늄계, 알루미늄계 등에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적인 예를 들어, UV 차단층(160)은 실리카(Silica), 지르코니아(ZrO2), 타이타니아(TiO2) 및 알루미나(Al2O3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.Referring again to FIG. 1, the UV blocking layer 160 may include a material that reflects at least some UV of light incident from the outside. For example, the UV blocking layer 160 may include one or more types selected from silica-based, zirconium-based, titanium-based, aluminum-based, etc. For a specific example, the UV blocking layer 160 may include at least one of silica, zirconia (ZrO 2 ), titania (TiO 2 ), and alumina (Al 2 O 3 ).

이러한 UV 차단층(160)은 외부로부터 입사된 광 중 적어도 일부의 UV를 반사시킬 수 있는 두께로 형성된다. 예를 들어, UV 차단층(160)은 적어도 100ÅA 이상의 두께로 형성될 수 있다. 이때, UV 차단층(160)의 두께가 100ÅA 미만으로 너무 얇으면 UV 차단 효과가 불충분할 수 있다.This UV blocking layer 160 is formed to a thickness capable of reflecting at least some UV of light incident from the outside. For example, the UV blocking layer 160 may be formed to have a thickness of at least 100 ÅA or more. At this time, if the thickness of the UV blocking layer 160 is too thin, less than 100 ÅA, the UV blocking effect may be insufficient.

UV 차단층(160) 상에 유기 발광 소자(170)가 배치된다. 유기 발광 소자(170)는 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 구동되며, 서로 대향하는 애노드(Anode, 172)와 캐소드(Cathode, 176) 및 이들 사이에 개재되는 유기 발광층(Emitting Layer, 174)을 포함한다. 유기 발광층(174)의 발광 영역은 뱅크(180)에 의해 정의될 수 있다.The organic light emitting device 170 is disposed on the UV blocking layer 160. The organic light emitting device 170 is driven by a thin film transistor (TFT) and includes an anode 172 and a cathode 176 facing each other, and an organic light emitting layer 174 interposed between them. . The emission area of the organic emission layer 174 may be defined by the bank 180 .

유기 발광 소자(170)는 적색, 녹색, 청색(Red, Green, Blue; RGB)의 빛 중 어느 하나를 발광하도록 구성될 수도 있고, 백색(White)의 빛을 발광하도록 구성될 수도 있다. 유기 발광 소자(170)가 백색의 빛을 발광하는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)는 컬러 필터(Color Filter)를 더 포함할 수도 있다.The organic light emitting device 170 may be configured to emit any one of red, green, and blue (RGB) light, or may be configured to emit white light. When the organic light emitting device 170 emits white light, the organic light emitting display device 100 may further include a color filter.

애노드(172)는 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 애노드(172)는 평탄화막(150)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 박막 트랜지스터(TFT) 의 소스 전극(140) 또는 드레인 전극(145) 중 어느 하나와 접속될 수 있다. 도 1에서는 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(145)과 전기적으로 연결된 애노드(172)의 일례를 도시하였다. 이 경우, 애노드(172)에는 영상 신호를 표시하기 위한 영상 신호가 드레인 전극(145)을 통해서 인가된다.The anode 172 is electrically connected to a thin film transistor (TFT). Specifically, the anode 172 may be connected to either the source electrode 140 or the drain electrode 145 of the thin film transistor (TFT) through the contact hole (CH) formed in the planarization film 150. Figure 1 shows an example of an anode 172 electrically connected to the drain electrode 145 of a thin film transistor (TFT). In this case, an image signal for displaying an image signal is applied to the anode 172 through the drain electrode 145.

애노드(172)는 유기 발광층(174)에 정공을 공급하여야 하므로 일함수(Work function)가 높은 도전성 물질로 이루어진다. 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션(top emission) 구조인 경우, 애노드(172)는 유기 발광층(174)에서 발광된 광을 상측으로 반사시키기 위해 반사성이 우수한 금속 물질로 이루어지는 반사 전극 및 반사 전극 상에 배치되고 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어진 투명 도전층으로 구성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 반사 전극은 애노드(172)와 별도의 구성일 수도 있다.The anode 172 must supply holes to the organic light emitting layer 174, so it is made of a conductive material with a high work function. When the organic light emitting display device 100 has a top emission structure, the anode 172 includes a reflective electrode and a reflective electrode made of a highly reflective metal material to reflect the light emitted from the organic light emitting layer 174 upward. It may be composed of a transparent conductive layer disposed on the electrode and made of a conductive material with a high work function. However, the present invention is not limited to this, and the reflective electrode may be of a separate configuration from the anode 172.

예를 들어, 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등과 같은 투명 도전성 산화물(Tansparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 반사 전극은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어질 수 있으며, 은합금은 예를 들어 APC(Ag/Pd/Cu)일 수 있다.For example, the transparent conductive layer may be made of a transparent conductive oxide (TCO) such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. For example, the reflective electrode may be made of silver (Ag) or a silver alloy, and the silver alloy may be, for example, APC (Ag/Pd/Cu).

또한, 애노드(172)는 UV 차단층(160)과의 접착성 향상을 위해 추가적으로 반사 전극 아래에 투명 도전층을 더 포함할 수도 있다.Additionally, the anode 172 may further include a transparent conductive layer below the reflective electrode to improve adhesion to the UV blocking layer 160.

도 2b에 도시된 바와 같이, 애노드(172)는 콘택홀(CH) 및 일부 UV 차단층(160) 상에 화소별로 이격되어 배치된다. 도 2b는 UV 차단층(160)과 애노드(172)와의 배치 구성을 설명하기 위해 일 실시예로서 도시된 것을 뿐, 원하는 설계에 따라 애노드(172)의 배치 및 형상은 다양한 구조로 변형될 수 있다.As shown in FIG. 2B, the anode 172 is spaced apart for each pixel and disposed on the contact hole (CH) and some UV blocking layers 160. Figure 2b is only shown as an example to explain the arrangement of the UV blocking layer 160 and the anode 172, and the arrangement and shape of the anode 172 can be modified into various structures depending on the desired design. .

도 1을 다시 참조하면, 유기 발광층(174)은 애노드(172) 상에 배치된다. 유기 발광층(174)은 인광 또는 형광물질로 구성될 수 있으며, 필요에 따라 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 더 포함할 수 있다. 유기 발광층(174)은 특정 색의 빛을 발광할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(174)은 적색, 녹색, 청색(RGB)의 빛 중 어느 하나를 발광할 수 있는 발광 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 유기 발광층(174)은 다른 색의 광을 발광할 수 있는 발광 물질을 포함할 수도 있다.Referring again to FIG. 1, the organic light emitting layer 174 is disposed on the anode 172. The organic light-emitting layer 174 may be made of a phosphorescent or fluorescent material, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, if necessary. The organic light-emitting layer 174 may include a material that can emit light of a specific color. For example, the organic light-emitting layer 174 may include a light-emitting material that can emit any one of red, green, and blue (RGB) light. However, the organic light-emitting layer 174 is not limited thereto, and may include a light-emitting material capable of emitting light of different colors.

캐소드(176)는 유기 발광층(174)을 사이에 두고 애노드(172)와 대향하여 배치된다. 캐소드(176)는 유기 발광층(174)으로 전자를 공급한다. 예를 들어, 캐소드(176)는 100Å 내지 200Å의 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캐소드(176)는 MgAg와 같은 금속 합금, Yb(이테르븀, ytterbium)을 포함한 금속 합금 등과 같은 일함수가 낮은 금속성 물질로 이루어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션(top emission) 구조인 경우, 캐소드(176)는 유기 발광층(174)으로부터 발광된 광의 적어도 일부를 투과시키는 반투과 금속막으로 구성된다. 캐소드(176)에는 공통 전압(Vss)이 인가된다.The cathode 176 is disposed opposite to the anode 172 with the organic light emitting layer 174 interposed therebetween. The cathode 176 supplies electrons to the organic light emitting layer 174. For example, the cathode 176 may be made of a very thin metallic material with a low work function of 100 Å to 200 Å. For example, the cathode 176 may be made of a metallic material with a low work function, such as a metal alloy such as MgAg or a metal alloy containing ytterbium (Yb). When the organic light emitting display device 100 has a top emission structure, the cathode 176 is composed of a translucent metal film that transmits at least a portion of the light emitted from the organic light emitting layer 174. A common voltage (Vss) is applied to the cathode 176.

애노드(172) 및 UV 차단층(160) 상에 뱅크(180)가 배치된다. 뱅크(180)는 인접하는 서브 화소 영역을 구분한다. 또한, 뱅크(180)는 복수의 서브 화소 영역으로 구성된 화소 영역을 구분할 수도 있다. 뱅크(180)는 각 화소들 사이의 비발광 영역에 배치되고, 테이퍼(Taper) 형상을 가진다. 뱅크(180)는 애노드(172)의 에지부의 적어도 일부를 오버랩(Overlap)하도록 구성된다.A bank 180 is disposed on the anode 172 and the UV blocking layer 160. The bank 180 divides adjacent sub-pixel areas. Additionally, the bank 180 may divide a pixel area comprised of a plurality of sub-pixel areas. The bank 180 is disposed in a non-emission area between each pixel and has a tapered shape. The bank 180 is configured to overlap at least a portion of the edge portion of the anode 172.

스페이서(190)는 뱅크(180) 상에 배치된다. 구체적으로, 스페이서(190)는 뱅크(180) 상에서 캐소드(176) 아래에 개재된다. 스페이서(190)는 유기 발광층(174)을 패터닝할 때 사용되는 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)에 의해서 발생될 수 있는 유기 발광 소자(170)의 손상을 보호할 수 있다. 다만, 스페이서(190)는 반드시 필요한 구성은 아니며, 유기 발광 소자(170)의 유기 발광층(174)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.Spacer 190 is disposed on bank 180. Specifically, spacer 190 is interposed below cathode 176 on bank 180. The spacer 190 can protect the organic light emitting device 170 from damage that may be caused by a fine metal mask (FMM) used when patterning the organic light emitting layer 174. However, the spacer 190 is not an absolutely necessary component and may be omitted depending on the type of the organic light-emitting layer 174 of the organic light-emitting device 170.

전술한 바와 같이, 평탄화막(150)이 유기물인 경우, UV에 장시간 노출 시에 유기물이 광분해되어 아웃개싱이 발생되고, 발생된 아웃개싱이 유기 발광층(174)으로 확산되면서 유기 발광 소자(170)의 열화나 점진적인 광분해를 초래하여 유기 발광 표시 장치(100)의 수명이 감소된다. 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 따르면, 평탄화막(150) 상에 UV 차단층(160)이 배치되어 평탄화막(150)으로 입사되는 UV가 감소될 수 있고, 입사되는 UV가 감소되어 평탄화막(150)의 아웃개싱이 억제될 수 있다. 이를 통해 유기 발광 소자(170)의 열화나 광분해가 억제되어 유기 발광 표시 장치(100)의 UV에 대한 수명이 개선될 수 있다.As described above, when the planarization film 150 is made of an organic material, when exposed to UV for a long time, the organic material is photodecomposed and outgassing occurs, and the generated outgassing diffuses into the organic light-emitting layer 174, thereby forming the organic light-emitting device 170. This causes deterioration or gradual photodecomposition, thereby reducing the lifespan of the organic light emitting display device 100. According to the structure of the organic light emitting display device 100 of the present invention, the UV blocking layer 160 is disposed on the planarization film 150, so that UV incident on the planarization film 150 can be reduced, and the incident UV As a result, outgassing of the planarization film 150 can be suppressed. Through this, deterioration or photodecomposition of the organic light emitting device 170 can be suppressed and the lifespan of the organic light emitting display device 100 against UV can be improved.

일반적으로, 평탄화막에서 발생된 아웃개싱의 확산은 층의 계면(interface)를 따라 빠르게 진행되어 유기 발광 소자의 빠른 열화나 광분해를 초래한다. 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 따르면, 평탄화막(150)에서 아웃개싱이 발생하더라도 UV 차단층(160)에 의해 유기 발광 소자로의 아웃개싱의 경로가 길어져 유기 발광 소자(170)의 열화나 광분해 속도가 늦춰지므로 유기 발광 표시 장치(100)의 UV 수명이 보다 개선될 수 있다.Generally, diffusion of outgassing generated in the planarization film progresses rapidly along the interface of the layer, resulting in rapid deterioration or photodecomposition of the organic light emitting device. According to the structure of the organic light emitting display device 100 of the present invention, even if outgassing occurs in the planarization film 150, the path of outgassing to the organic light emitting device is lengthened by the UV blocking layer 160, so that the organic light emitting device 170 ), the rate of deterioration or photodecomposition is slowed, so the UV lifespan of the organic light emitting display device 100 can be further improved.

또한, 평탄화막에 기인한 아웃개싱의 확산은 유기 발광층의 열화나 광분해를 초래하고, 종국에는 캐소드의 산화를 발생시킨다. 그 결과, 유기 발광 표시 장치의 저항을 증가시키고 JV 쉬프트(Shift)를 유발시킴으로써, 구동 전압의 증가를 통해 휘도를 감소시킨다. 본 발명에 따르면, 평탄화막(150)에서의 아웃개싱을 최소화함과 동시에 아웃개싱의 확산을 늦춤으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 UV 수명을 개선하고, 이와 더불어 유기 발광 표시 장치(100)의 효율저하를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)는 야외 사용 빈도가 높은 전자제품에 채용하기 적합하다.In addition, diffusion of outgassing caused by the planarization film causes deterioration or photodecomposition of the organic light-emitting layer and ultimately causes oxidation of the cathode. As a result, the resistance of the organic light emitting display device increases and a JV shift occurs, thereby reducing luminance through an increase in driving voltage. According to the present invention, the UV lifespan of the organic light emitting display device 100 is improved by minimizing outgassing in the planarization film 150 and simultaneously slowing the diffusion of the outgassing, and in addition, the organic light emitting display device 100 Deterioration in efficiency can be minimized. Accordingly, the organic light emitting display device 100 of the present invention is suitable for use in electronic products that are frequently used outdoors.

나아가, 본 발명에 따르면 평탄화막(150)에 신규 물질을 도입하지 않고 기존의 물질을 이용한 UV 차단층(160)을 구성하여 유기 발광 표시 장치(100)의 UV 수명을 개선하므로 재료 개발비를 절감할 수 있다.Furthermore, according to the present invention, the UV blocking layer 160 is formed using existing materials rather than introducing new materials into the planarization film 150, thereby improving the UV lifespan of the organic light emitting display device 100, thereby reducing material development costs. You can.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3의 UV 차단 금속층, 절연층 및 애노드와의 배치 구성을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다. 도 3 및 도 4a 내지 도 4c 에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)는 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여, UV 차단 금속층(355), 절연층(360) 및 제1 및 제2 홀(H1, H2)만 변경되었을 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4C are schematic plan views for explaining the arrangement of the UV blocking metal layer, insulating layer, and anode of FIG. 3. . Compared to the organic light emitting display device 100 shown in FIGS. 1, 2A, and 2B, the organic light emitting display device 300 shown in FIGS. 3 and 4A to 4C has a UV blocking metal layer 355 and an insulating layer. Only 360 and the first and second holes H1 and H2 are changed, and other components are substantially the same, so redundant description will be omitted.

도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(110), 박막 트랜지스터(TFT), 평탄화막(150), UV 차단 금속층(355), 절연층(360) 및 유기 발광 소자(170)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the organic light emitting display device 300 includes a substrate 110, a thin film transistor (TFT), a planarization film 150, a UV blocking metal layer 355, an insulating layer 360, and an organic light emitting element 170. Includes.

UV 차단 금속층(355)은 평탄화막(150) 상에 배치된다. UV 차단 금속층(355)은 외부로부터 입사된 광 중 적어도 일부의 UV를 반사시키는 특성을 가지는 금속 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, UV 차단 금속층(355)은 반사 가능한 금속, 금속 합금 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, UV 차단 금속층(355)은 Mo, Ti, Al, Ag, Mg 등의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 금속 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 반드시 한정되지 않고, 통상의 증착 가능한 금속 물질이 제한 없이 채용될 수 있다.The UV blocking metal layer 355 is disposed on the planarization film 150. The UV blocking metal layer 355 may include a metal material that reflects at least some UV of light incident from the outside. Specifically, the UV blocking metal layer 355 may be made of a reflective metal, a metal alloy, or a combination thereof. For example, the UV blocking metal layer 355 may be made of a metal such as Mo, Ti, Al, Ag, Mg, or a metal alloy containing these metals, but is not necessarily limited thereto, and may be a conventional metal material that can be deposited. Can be employed without restrictions.

또한, UV 차단 금속층(355)은 애노드(172)의 반사 전극으로 이루어지고, 반사 전극 상에는 투명 전도성 산화물(TCO)층을 더 포함하여 구성될 수도 있다.In addition, the UV blocking metal layer 355 is made of a reflective electrode of the anode 172, and may further include a transparent conductive oxide (TCO) layer on the reflective electrode.

UV 차단 금속층(355)은 외부로부터 입사된 광 중 적어도 일부의 UV를 반사시킬 수 있는 두께로 형성된다. 예를 들어, UV 차단 금속층(355)은 적어도 100Å 이상의 두께로 형성될 수 있다. 이때, UV 차단 금속층(355)의 두께가 100Å 미만으로 너무 얇으면 UV 차단 효과가 불충분할 수 있다.The UV blocking metal layer 355 is formed to have a thickness capable of reflecting at least some UV of light incident from the outside. For example, the UV blocking metal layer 355 may be formed to have a thickness of at least 100Å or more. At this time, if the thickness of the UV blocking metal layer 355 is too thin, less than 100 Å, the UV blocking effect may be insufficient.

절연층(360)은 UV 차단 금속층(355)과 애노드(172)와의 단락(Short)을 방지하기 위한 층으로서, UV 차단 금속층(355)의 상면과 측면을 커버하도록 UV 차단 금속층(355) 및 평탄화막(150) 상에 배치된다. 그 결과, UV 차단 금속층(355)은 평탄화막(350) 및 절연층(360)에 의해 둘러싸이게 된다. 도 4a 및 도 4b를 참조하면, UV 차단 금속층(355)은 드레인 전극(145)을 노출시키는 제1 홀(H1)을 제외한 평탄화막(150) 상에 배치되고, 절연층(360)은 제1 홀(H1)보다 작은 크기의 제2 홀(H2)을 제외한 UV 차단 금속층(355) 상에 배치된다.The insulating layer 360 is a layer to prevent short circuit between the UV blocking metal layer 355 and the anode 172, and is formed by flattening the UV blocking metal layer 355 to cover the top and sides of the UV blocking metal layer 355. It is disposed on the membrane 150. As a result, the UV blocking metal layer 355 is surrounded by the planarization film 350 and the insulating layer 360. Referring to FIGS. 4A and 4B, the UV blocking metal layer 355 is disposed on the planarization film 150 excluding the first hole H1 exposing the drain electrode 145, and the insulating layer 360 is the first hole H1. It is disposed on the UV blocking metal layer 355 except for the second hole (H2) having a smaller size than the hole (H1).

UV 차단 금속층(355)과 애노드(172)와의 단락(Short) 방지 향상 관점에서, 절연층(360)의 두께는 UV 차단 금속층(355)의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다.From the viewpoint of improving prevention of short circuit between the UV blocking metal layer 355 and the anode 172, the thickness of the insulating layer 360 may be thicker than the thickness of the UV blocking metal layer 355.

절연층(360)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지고, 단일층으로 이루어지거나 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 절연층(360)은 복수의 무기막, 복수의 유기막, 또는 복수의 무기막과 유기막의 혼합막으로 구성될 수 있다. 절연층(360)이 복수의 무기막과 유기막의 혼합막으로 구성될 경우, 상대적으로 유기막에 비해 아웃개싱 방지 성능이 우수한 무기막이 최외곽층에 배치될 수 있다.The insulating layer 360 includes at least one of an inorganic insulating material and an organic insulating material, and may be made of a single layer or multiple layers. For example, the insulating layer 360 may be composed of a plurality of inorganic films, a plurality of organic films, or a mixture of a plurality of inorganic films and organic films. When the insulating layer 360 is composed of a mixed film of a plurality of inorganic films and organic films, the inorganic film, which has relatively better outgassing prevention performance than the organic film, may be disposed on the outermost layer.

도 3을 다시 참조하면, 절연층(360) 상에 애노드(172)가 배치된다. 도 4c를 참조하면, 애노드(172)는 제1 및 제2 홀(H1, H2) 및 일부 절연층(360) 상에 화소별로 이격되어 배치된다. 도 4c는 UV 차단 금속층(355), 절연층(360) 및 애노드(172)와의 배치 구성을 설명하기 위해 일 실시예로서 도시된 것을 뿐, 원하는 설계에 따라 애노드(172)의 배치 및 형상은 다양한 구조로 변형될 수 있다.Referring again to FIG. 3, the anode 172 is disposed on the insulating layer 360. Referring to FIG. 4C, the anode 172 is disposed on the first and second holes H1 and H2 and a portion of the insulating layer 360 to be spaced apart for each pixel. Figure 4c is only shown as an example to explain the arrangement of the UV blocking metal layer 355, the insulating layer 360, and the anode 172, and the arrangement and shape of the anode 172 can vary depending on the desired design. The structure can be transformed.

한편, 도면으로 도시하지는 않았으나, 유기 발광 표시 장치(300)는 캐소드(176)와 전기적으로 연결되는 공통 전압 라인(Vss)을 더 포함하고, UV 차단 금속층(355)은 공통 전압 라인(Vss)과 전기적으로 연결되어 DC를 차폐할 수도 있다.Meanwhile, although not shown in the drawing, the organic light emitting display device 300 further includes a common voltage line (Vss) electrically connected to the cathode 176, and the UV blocking metal layer 355 is connected to the common voltage line (Vss). It can also be electrically connected to shield DC.

이와 같은 구성의 유기 발광 표시 장치(300) 역시 UV 차단 금속층(355)을 포함하여, 전술한 유기 발광 표시 장치(100)와 동일한 원리에 의해 UV 수명 개선 및 효율저하 억제라는 동일한 효과를 가질 수 있다.The organic light emitting display device 300 of this configuration also includes a UV blocking metal layer 355, and can have the same effect of improving UV lifespan and suppressing efficiency degradation by the same principle as the organic light emitting display device 100 described above. .

본 발명의 예시적인 실시예는 다음과 같이 설명될 수 있다.Exemplary embodiments of the present invention may be described as follows.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막, 평탄화막 상의 UV 차단층, 및 UV 차단층 상에 배치되고, 애노드, 애노드 상의 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다.In order to solve the above-described problem, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, a planarization film covering the thin film transistor, a UV blocking layer on the planarization film, and a UV blocking layer. It is disposed and includes an organic light-emitting device including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, UV 차단층은 실리카(Silica), 지르코니아(ZrO2), 타이타니아(TiO2) 및 알루미나(Al2O3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the UV blocking layer is characterized in that it includes at least one of silica (Silica), zirconia (ZrO 2 ), titania (TiO 2 ), and alumina (Al 2 O 3 ).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, UV 차단층은 적어도 100Å 이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the UV blocking layer is characterized by having a thickness of at least 100 Å or more.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화막은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하고, UV 차단층은 콘택홀을 제외한 평탄화막 상에 배치된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the planarization film includes a contact hole exposing the source electrode or drain electrode of the thin film transistor, and the UV blocking layer is disposed on the planarization film excluding the contact hole.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 접속되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode is connected to the source electrode or drain electrode of the thin film transistor through a contact hole.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막, 평탄화막 상의 일부 영역에 배치된 UV 차단 금속층, UV 차단 금속층을 커버하는 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치되고, 애노드, 애노드 상의 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다.In order to solve the problems described above, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor on the substrate, a planarization film covering the thin film transistor, a UV blocking metal layer disposed in a portion of the planarization film, and a UV blocking metal layer. It includes an insulating layer covering the blocking metal layer, and an organic light-emitting element disposed on the insulating layer and including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 절연층은 UV 차단 금속층의 측면을 커버하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the insulating layer covers the side surface of the UV blocking metal layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화막은 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하고, 절연층은 콘택홀을 제외한 평탄화막 상에 배치되며, UV 차단 금속층은 평탄화막 및 절연층에 의해 둘러싸이는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the planarization film includes a contact hole exposing the source electrode or drain electrode of the thin film transistor, the insulating layer is disposed on the planarization film excluding the contact hole, and the UV blocking metal layer is formed on the planarization film and the insulating film. It is characterized by being surrounded by layers.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, UV 차단 금속층은 애노드의 반사 전극으로 이루어지고, 반사 전극 상에는 투명 전도성 산화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the UV blocking metal layer is made of a reflective electrode of the anode, and further includes a transparent conductive oxide layer on the reflective electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 절연층의 두께는 UV 차단 금속층의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the thickness of the insulating layer is thicker than the thickness of the UV blocking metal layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 절연층은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the insulating layer includes at least one of an inorganic insulating material and an organic insulating material.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 절연층은 복수의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the insulating layer is characterized by being composed of a plurality of layers.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 공통 전압 라인을 더 포함하고, UV 차단 금속층은 공통 전압 라인과 연결되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, it further includes a common voltage line electrically connected to the cathode, and the UV blocking metal layer is connected to the common voltage line.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

100, 300 : 유기 발광 표시 장치 110 : 기판
120 : 액티브층 125 : 게이트 절연층
130 : 게이트 전극 135 : 층간 절연층
140 : 소스 전극 145 : 드레인 전극
150 : 평탄화막 160 : UV 차단층
170 : 유기 발광 소자 172 : 애노드
174 : 유기 발광층 176 : 캐소드
180 : 뱅크 190 : 스페이서
355 : UV 차단 금속층 360 : 절연층
TFT : 박막 트랜지스터 CH : 콘택홀
H2 : 제1 홀 H2 : 제2 홀
100, 300: organic light emitting display device 110: substrate
120: active layer 125: gate insulating layer
130: Gate electrode 135: Interlayer insulating layer
140: source electrode 145: drain electrode
150: Flattening film 160: UV blocking layer
170: Organic light emitting device 172: Anode
174: organic light emitting layer 176: cathode
180: Bank 190: Spacer
355: UV blocking metal layer 360: Insulating layer
TFT: Thin film transistor CH: Contact hole
H2: 1st hole H2: 2nd hole

Claims (13)

기판;
상기 기판 상의 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막;
상기 평탄화막 상의 UV 차단층;
상기 UV 차단층 상에 배치되고, 애노드, 상기 애노드 상의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 공통 전압 라인을 포함하고,
상기 UV 차단층은 상기 공통 전압 라인과 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
Board;
a thin film transistor on the substrate;
a planarization film covering the thin film transistor;
a UV blocking layer on the planarization film;
an organic light-emitting device disposed on the UV blocking layer and including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer; and
Includes a common voltage line electrically connected to the cathode,
The UV blocking layer is connected to the common voltage line.
제1항에 있어서,
상기 UV 차단층은 실리카(Silica), 지르코니아(ZrO2), 타이타니아(TiO2) 및 알루미나(Al2O3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The UV blocking layer includes at least one of silica, zirconia (ZrO 2 ), titania (TiO 2 ), and alumina (Al 2 O 3 ).
제1항에 있어서,
상기 UV 차단층은 적어도 100Å 이상의 두께를 가지는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The organic light emitting display device wherein the UV blocking layer has a thickness of at least 100 Å or more.
제1항에 있어서,
상기 평탄화막은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하고,
상기 UV 차단층은 상기 콘택홀을 제외한 상기 평탄화막 상에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 1,
The planarization film includes a contact hole exposing the source electrode or drain electrode of the thin film transistor,
The UV blocking layer is disposed on the planarization film excluding the contact hole.
제4항에 있어서,
상기 애노드는 상기 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 접속되는, 유기 발광 표시 장치.
According to paragraph 4,
The anode is connected to a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor through the contact hole.
기판;
상기 기판 상의 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄화막;
상기 평탄화막 상의 일부 영역에 배치된 UV 차단 금속층;
상기 UV 차단 금속층을 커버하는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되고, 애노드, 상기 애노드 상의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상의 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 공통 전압 라인을 포함하고,
상기 UV 차단 금속층은 상기 공통 전압 라인과 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
Board;
a thin film transistor on the substrate;
a planarization film covering the thin film transistor;
a UV blocking metal layer disposed in a portion of the planarization film;
an insulating layer covering the UV blocking metal layer;
an organic light-emitting device disposed on the insulating layer and including an anode, an organic light-emitting layer on the anode, and a cathode on the organic light-emitting layer; and
Includes a common voltage line electrically connected to the cathode,
The UV blocking metal layer is connected to the common voltage line.
제6항에 있어서,
상기 절연층은 상기 UV 차단 금속층의 측면을 커버하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 6,
The insulating layer covers a side of the UV blocking metal layer.
제6항에 있어서,
상기 평탄화막은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 포함하고,
상기 절연층은 상기 콘택홀을 제외한 상기 평탄화막 상에 배치되며,
상기 UV 차단 금속층은 상기 평탄화막 및 상기 절연층에 의해 둘러싸이는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 6,
The planarization film includes a contact hole exposing the source electrode or drain electrode of the thin film transistor,
The insulating layer is disposed on the planarization film excluding the contact hole,
The UV blocking metal layer is surrounded by the planarization film and the insulating layer.
제6항에 있어서,
상기 UV 차단 금속층은 상기 애노드의 반사 전극으로 이루어지고,
상기 반사 전극 상에는 투명 전도성 산화물층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 6,
The UV blocking metal layer is made of a reflective electrode of the anode,
The organic light emitting display device further includes a transparent conductive oxide layer on the reflective electrode.
제6항에 있어서,
상기 절연층의 두께는 상기 UV 차단 금속층의 두께보다 더 두꺼운, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 6,
The thickness of the insulating layer is thicker than the thickness of the UV blocking metal layer.
제6항에 있어서,
상기 절연층은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 6,
The insulating layer includes at least one of an inorganic insulating material and an organic insulating material.
제11항에 있어서,
상기 절연층은 복수의 층으로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
According to clause 11,
An organic light emitting display device, wherein the insulating layer is made of a plurality of layers.
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