[go: up one dir, main page]

KR102571523B1 - 배기구조를 포함하는 기판 처리장치 - Google Patents

배기구조를 포함하는 기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102571523B1
KR102571523B1 KR1020210120968A KR20210120968A KR102571523B1 KR 102571523 B1 KR102571523 B1 KR 102571523B1 KR 1020210120968 A KR1020210120968 A KR 1020210120968A KR 20210120968 A KR20210120968 A KR 20210120968A KR 102571523 B1 KR102571523 B1 KR 102571523B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bowl
compartment
duct
exhaust
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020210120968A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230037879A (ko
Inventor
이택엽
이준환
방만제
Original Assignee
(주)디바이스이엔지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)디바이스이엔지 filed Critical (주)디바이스이엔지
Priority to KR1020210120968A priority Critical patent/KR102571523B1/ko
Priority to US17/562,746 priority patent/US12146216B2/en
Priority to CN202210062454.6A priority patent/CN115799106A/zh
Priority to TW111102175A priority patent/TWI819469B/zh
Publication of KR20230037879A publication Critical patent/KR20230037879A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102571523B1 publication Critical patent/KR102571523B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00—Methods preventing fouling
    • B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
    • B08B17/025—Prevention of fouling with liquids by means of devices for containing or collecting said liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0264—Splash guards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Joints Allowing Movement (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 배기구조를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로서, 기판이 설치되는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지장치, 상기 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 기판 지지장치를 감싸며 반경방향 외측으로 중첩되게 배치되는 복수의 바울을 포함하는 바울 조립체, 상기 바울 조립체를 승강시키는 승강 유닛 및, 상기 기판 지지장치, 유체 공급 유닛, 바울 조립체 및 승강 유닛을 수용하는 챔버를 포함하되, 상기 챔버에는 상기 바울 조립체의 내부로부터 배기하기 위한 복수의 공정배기부와 상기 바울 조립체의 외부로부터 배기하기 위한 환경배기부가 설치되어, 상기 바울 조립체로 유입되는 처리액의 종류에 따라 별도로 액적을 배기하여 모으는 것이 가능하게 되므로 처리액에서 발생하는 가스를 분리하여 후처리함으로써 그 비용이 크게 절감되는 장점이 있다.

Description

배기구조를 포함하는 기판 처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING EXHAUST STRUCTURE}
본 발명은 배기구조를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 바울 조립체의 내부와 외부에서 분리되어 배기가 이루어지도록 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조되며, 이를 위하여 증착 공정, 포토리소그래프 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.
이 중 세정 공정과 건조 공정은, 상기 기판 상에 존재하는 이물질이나 파티클 등을 제거한 후 건조하는 공정으로서, 기판을 스핀 헤드(척 베이스) 상에 지지한 상태에서 고속으로 회전시키면서 기판의 표면이나 이면에 처리액을 공급함으로써 이루어진다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 기판 처리장치(1)는, 유체 공급 유닛(300), 바울(bowl) 조립체(100), 승강 유닛(600), 및 스핀 헤드(210)를 포함하는 기판 지지장치(200)를 가진다.
상기 유체 공급 유닛(300)은 기판을 처리하기 위한 처리액(약액)이나 가스를 기판(W)으로 공급한다.
그리고, 기판 지지장치(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 회전시키는 기능을 수행한다.
또한, 상기 바울 조립체(100)는 공정에 사용된 약액 및 공정시 발생된 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지하도록 수용하는 구성요소로서 적층식으로 구성되어 기판에 대하여 통로에 따라 따라 다른 약액 및 흄이 구별되어 유입되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 승강 유닛(600)은 기판 지지장치(200) 또는 바울 조립체(100)를 상하로 승강시키며, 바울 조립체(100) 내에서 바울 조립체(100)와 기판 지지장치(200) 사이의 상대 높이를 변화시킨다.
한편, 상기 유체 공급 유닛(300), 바울 조립체(100), 승강 유닛(600), 및 스핀 헤드(210)를 포함하는 기판 지지장치(200)는 챔버(800) 내에 수용되며, 상기 챔버(800)의 외부와 연결되는 배기 부재(400)를 통해 바울 조립체(100)로 유입되는 처리액의 액적에서 발생하는 흄(fume)을 배기하게 된다.
상기 챔버(800)의 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치되어 챔버(800) 외부의 공기를 내부로 공급하게 되어 있다.
그러나, 이러한 종래기술에 따른 기판 처리장치(1)에서는, 다단 바울(110,120,130)에서 발생하는 흄을 배기턱트(190)와 배기라인(410)을 통해 일괄적으로 배기하는 구성만이 개시되어 있었다.
또한, 바울 조립체(100)의 외부에 존재하는 흄을 별도로 배기하는 구조가 마련되지 않아 상기 배기 부재(400)를 통해 일괄 배기되므로 전술한 문제점이 더욱 악화하는 단점이 있었다.
이와 같이, 처리액의 종류와는 상관없이 배기되어 한 곳에 모여 섞이게 되므로 이를 후처리하기 위한 비용이 증가하게 되는 단점이 있었다.
공개특허공보 제10-2014-0071312호 (2014.06.11)
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 복수의 바울로 구성된 바울 조립체로부터 처리액의 흄을 분리하는 것과 함께 바울 조립체 외부의 흄도 분리 배기할 수 있어 처리액의 후처리 비용을 크게 절감할 수 있는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 배기구조를 포함하는 기판 처리장치는,
기판이 설치되는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지장치;
상기 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛;
상기 기판 지지장치를 감싸며 반경방향 외측으로 중첩되게 배치되는 복수의 바울을 포함하는 바울 조립체;
상기 바울 조립체를 승강시키는 승강 유닛; 및,
상기 기판 지지장치, 유체 공급 유닛, 바울 조립체 및 승강 유닛을 수용하는 챔버;
를 포함하되,
상기 챔버에는 상기 바울 조립체의 내부로부터 배기하기 위한 복수의 공정배기부와 상기 바울 조립체의 외부로부터 배기하기 위한 환경배기부가 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 바울 조립체의 외주면에는 상기 환경배기부와 연통하는 환형의 제1 덕트가 감싸여져 있는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 덕트의 상면에는 챔버 내에 존재하는 처리액의 기체가 유입되는 제1 유입공이 상기 환형의 둘레를 따라 복수개 이격되게 배치되는 것을 특징으로 한다.
삭제
삭제
상기 바울 조립체의 외주면에는 상기 환경배기부와 연통하는 환형의 제1 덕트가 감싸여져 있고, 상기 제1 덕트의 아래쪽에 환형의 제2 덕트가 인접하게 배치되어 있되, 상기 제2 덕트는 상기 외측의 바울로부터 상기 반경방향 외측으로 돌출되게 형성되고, 상기 제2 덕트에는 상기 기판 지지장치를 향하는 내측면에 상기 외측의 바울과 중간 바울 사이의 통로와 연통되는 제2 유입공이 형성되어 있으며, 상기 제2 덕트는 상기 공정배기부를 형성하는 제1 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 바울 중 가장 내측의 바울은 외측에 상하방향으로 형성되는 환형의 유입홈과, 상기 유입홈의 내측벽을 사이에 두고 내측에 형성되는 환형의 제1 격실을 포함하되, 상기 유입홈의 내측벽에는 상기 제1 격실과 연통되는 제1 연결공이 형성되고, 상기 제1 격실의 바닥에는 제1 배출공이 형성되며, 상기 제1 배출공은 상기 공정배기부를 구성하는 제2 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 연결공은 그 입구로부터 출구를 향해 상향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 배출공은 가장 내측의 바울의 둘레를 따라 연장되는 장공으로 이루어지며 복수개가 이격되게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 격실로부터 이격된 내측의 하부에는 상하방향으로 인접 배치되는 환형의 제2 격실과 제3 격실이 형성되되, 상기 제2 격실의 외벽에는 상기 제1 배출공으로부터 배출된 기체가 유입되는 도입공이 형성되고, 상기 제2 격실의 바닥에는 상기 제3 격실과 연통되는 제2 연결공이 형성되며, 상기 제3 격실에는 상기 제2 공정배기부와 연통하는 제2 배출공이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 바울 조립체는 내측의 바울, 중간 바울 및 외측의 바울로 이루어지며, 중간 바울로부터 아래쪽으로 환형의 중간벽이 형성되어 제1 공정배기부와 제2 공정배기부가 분리되고, 상기 내측의 바울과 중간 바울 사이의 통로는 상기 제1 배출공 및 제2 배출공과 연통되어 상기 제2 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 배기구조를 포함하는 기판 처리장치에 따르면, 기판이 설치되는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지장치, 상기 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 기판 지지장치를 감싸며 반경방향 외측으로 중첩되게 배치되는 복수의 바울을 포함하는 바울 조립체, 상기 바울 조립체를 승강시키는 승강 유닛 및, 상기 기판 지지장치, 유체 공급 유닛, 바울 조립체 및 승강 유닛을 수용하는 챔버를 포함하되, 상기 챔버에는 상기 바울 조립체의 내부로부터 배기하기 위한 복수의 공정배기부와 상기 바울 조립체의 외부로부터 배기하기 위한 환경배기부가 설치되어, 상기 바울 조립체로 유입되는 처리액의 종류에 따라 별도로 액적을 배기하여 모으는 것이 가능하게 되므로 처리액에서 발생하는 가스(기체)를 분리하여 후처리함으로써 그 비용이 크게 절감되는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 바울 조립체의 외주면에는 상기 환경배기부와 연통하는 환형의 제1 덕트가 감싸여져 있고, 상기 제1 덕트의 상면에는 챔버 내에 존재하는 처리액의 기체가 유입되는 제1 유입공이 상기 환형의 둘레를 따라 복수개 이격되게 배치되어 있으므로, 챔버 중 상기 바울 조립체의 외부에서 발생하는 액적을 용이하게 배출할 수 있고, 상기 제1 덕트가 원형의 기판에 최적화된 형상으로 배치되어 있어 챔버 상단의 팬필터유닛으로부터 청정공기가 내려올 때 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 바울 조립체의 외주면에는 상기 환경배기부와 연통하는 환형의 제1 덕트가 감싸여져 있고, 상기 제1 덕트의 아래쪽에 환형의 제2 덕트가 인접하게 배치되어 있되, 상기 제2 덕트는 상기 유입공과 상기 제1 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 하므로, 한층 콤팩트한 조립 구조를 형성할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 복수의 바울 중 가장 내측의 바울은 외측에 상하방향으로 형성되는 환형의 유입홈과, 상기 유입홈의 내측벽을 사이에 두고 내측에 형성되는 환형의 제1 격실을 포함하되, 상기 유입홈의 내측벽에는 상기 제1 격실과 연통되는 제1 연결공이 형성되고, 상기 제1 격실의 바닥에는 제1 배출공이 형성되며, 상기 제1 배출공은 상기 공정배기부를 구성하는 제2 공정배기부에 연통하는 등 다소 복잡한 통로를 통해 미스트 상의 처리액의 액적이 통과하게 되므로 액적을 구성하는 액체와 기체(가스)가 용이하게 분리되어 별도로 배출되는 것이 가능하게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 제1 연결공은 그 입구로부터 출구를 향해 상향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하므로, 통과하는 처리액의 액적이 날카로운 제1 연결공의 상단을 접촉하면서 통과할 때 기액분리가 한층 용이하게 이루어질 수 있게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 제1 격실로부터 이격된 내측의 하부에는 상하방향으로 인접 배치되는 환형의 제2 격실과 제3 격실이 형성되되, 상기 제2 격실의 외벽에는 상기 제1 배출공으로부터 배출된 기체가 유입되는 도입공이 형성되고, 상기 제2 격실의 바닥에는 상기 제3 격실과 연통되는 제2 연결공이 형성되며, 상기 제3 격실에는 상기 제2 공정배기부와 연통하는 제2 배출공이 형성되는 것을 특징으로 하므로 추가적인 경로 확보를 통해 한층 확실한 기액 분리효과를 얻을 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 배기구조를 포함하는 기판 처리장치를 나타내는 정단면도이다.
도 3a는 도 2에서 바울 조립체의 외측 통로를 통한 배기 기류를 나타내는 구성도이다.
도 3b는 도 2에서 바울 조립체의 중간 통로를 통한 배기 기류를 나타내는 구성도이다.
도 3c는 도 2에서 바울 조립체의 내측 통로를 통한 배기 기류를 나타내는 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따른 배기구조를 포함하는 기판 처리장치를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 배기구조를 포함하는 기판 처리장치의 일부 저면 단면 사시도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 배기구조를 포함하는 기판 처리장치(1000)는, 기판(W)이 설치되는 스핀 헤드(110)를 포함하는 기판 지지장치(100), 상기 기판(W)에 약액이나 가스 등의 유체를 공급하는 유체 공급 유닛(200), 상기 기판 지지장치(100)를 감싸며 반경방향 외측으로 중첩되게 배치되는 복수의 바울(310,320,330)을 포함하는 바울 조립체(300), 및 상기 바울 조립체(300)를 승강시키는 승강 유닛(400)을 포함한다.
특히, 상기 바울 조립체(300)를 구성하는 복수의 바울(310,320,330)은 각각 별도로 승강 이동 가능하므로, 상기 바울 사이에 형성되는 중간 통로(352)와 외측 통로(353)의 간격을 상황에 맞게 적절히 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 내측 통로(351)는 내측 바울(310) 자체에 형성되어 있다.
도면에서, 상기 바울 조립체(300)는 3개의 바울(310,320,330)로 이루어져 있으나 경우와 용도에 따라 2개, 또는 4개 이상으로 구성되는 것 또한 가능하다.
상기 기판 지지장치(100), 유체 공급 유닛(200), 바울 조립체(300) 및 승강 유닛(400)은 챔버(800)에 의해 수용된다.
또한, 상기 챔버(800)에는 상기 바울 조립체(300)의 내부에 유입되는 처리액의 액적을 배기하기 위한 복수의 공정배기부(810)와, 상기 바울 조립체(300)의 외부에 존재하는 액적을 챔버(800)로부터 배기하기 위한 환경배기부(820)가 각각 설치된다.
따라서, 상기 바울 조립체(300)로 유입되는 처리액의 종류에 따라 별도로 배기하여 모으는 것이 가능하게 되므로 처리액에서 발생하는 가스(기체)를 분리하여 후처리함으로써 그 비용이 크게 절감되는 장점이 있다.
상기 바울 조립체(300)의 외주면에는 상기 환경배기부(820)와 연통하는 환형의 제1 덕트(510)가 인접하여 감싸여져 있어 챔버(800) 중 상기 바울 조립체(300)의 외부에서 발생하는 액적을 용이하게 배출할 수 있게 되어 있다.
구체적으로, 상기 제1 덕트(510)의 상면에는 챔버(800) 내에 존재하는 기체가 유입되는 제1 유입공(511)이 상기 환형의 둘레를 따라 복수개 이격되게 배치되어 있어 효율적으로 기체를 환경배기부(820)를 통해 배출할 수 있게 된다.
상기 환경배기부(820)는 상기 제1 덕트(510)의 외주면 일측에 형성되어 처리액의 기체를 배기할 수 있게 되어 있다.
이와 같이, 상기 제1 덕트(510)가 원형의 기판(W)에 최적화된 형상으로 배치되어 있어 챔버(800) 상단의 팬필터유닛(850)으로부터 청정공기가 내려올 때 와류가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 상기 와류로 인한 소음 및 진동을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제1 덕트(510)의 아래쪽에는 환형의 제2 덕트(530)가 인접하게 배치되되 상기 제2 덕트(530)의 상기 기판 지지장치(100)를 향하는 내측면(520)에는 상기 외측의 바울(330)과 중간 바울(320) 사이의 통로와 연통하는 제2 유입공(521)이 형성되어, 상기 외측의 바울(330)과 내측으로 이웃하는 중간 바울(320) 사이의 통로를 통해 유입되는 처리액의 기체가 상기 제2 유입공(521)을 지나 상기 공정배기부(810)를 구성하는 제1 공정배기부(811)를 통해 배기된다.
또한, 도시된 바와 같이, 상기 제2 덕트(530)는 상기 외측의 바울(330)로부터 상기 반경방향 외측으로 돌출되게 형성된다.
이와 같이, 상기 제1 덕트(510)의 아래쪽에는 환형의 제2 덕트(530)가 인접하게 배치되되, 상기 제2 덕트(530)는 상기 제2 유입공(521)과 상기 제1 공정배기부(811)에 연통하도록 함으로써 콤팩트한 구조를 형성할 수 있다.
물론, 상기 제1 덕트(510)와 제2 덕트(530)는 완전히 분리되므로 유체가 서로 혼합되는 경우는 없다.
한편, 상기 복수의 바울(310,320,330) 중 가장 내측의 바울(310)은 외측에 상하방향으로 형성되는 환형의 유입홈(540)과, 상기 유입홈(540)의 내측벽(541)을 사이에 두고 내측에 형성되는 환형의 제1 격실(610)을 포함하되, 상기 유입홈(540)의 내측벽(541)에는 상기 제1 격실(610)과 연통되는 제1 연결공(542)이 형성되고, 상기 제1 격실(610)의 바닥에는 제1 배출공(611)이 형성되며, 상기 제1 배출공(611)은 상기 공정배기부(810)를 구성하는 제2 공정배기부(812)에 연통하도록 할 수 있다.
이러한 다소 복잡한 통로를 통해 미스트 상의 처리액의 액적이 통과하게 되므로 액적을 구성하는 액체와 기체(가스)가 용이하게 분리되어 별도로 배출되는 것이 가능하게 된다.
즉, 처리액 내에 포함된 액체 성분은 바닥(B)으로 떨어져 별도로 드레인되고 기체 성분은 상기 제2 공정배기부(812)를 통해 외부로 배출되어 별도로 저장된다.
따라서, 처리액의 후처리 공정이 단순해지고 그 후처리 비용 또한 크게 절감되는 효과를 얻을 수 있다.
특히, 상기 제1 연결공(542)은 그 입구로부터 출구를 향해 상향 경사지게 형성되어 있어 통과하는 처리액의 액적이 날카로운 제1 연결공(542)의 상단을 접촉하면서 통과할 때 기액분리가 한층 용이하게 이루어질 수 있게 된다.
상기 유입홈(540), 제1 연결공(542) 및 제1 배출공(611)을 지나는 경로는 대략 "N"자 형태를 이루는 형상적 특징이 있다.
또한, 상기 제1 배출공(611)은 가장 내측의 바울(310)의 둘레를 따라 연장되는 장공으로 이루어지며 복수개가 이격되게 형성될 수 있어 둘레방향을 따라 균일하게 배출도록 함으로써 압력 차이에 따른 진동 등의 발생을 방지하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 격실(610)로부터 이격된 내측의 하부에는 상하방향으로 인접 배치되는 환형의 제2 격실(620)과 제3 격실(630)이 형성되되, 상기 제2 격실(620)의 외벽(621)에는 상기 제1 배출공(611)으로부터 배출된 처리액의 액적이 유입되는 도입공(622)이 형성되고, 상기 제2 격실(620)의 바닥에는 상기 제3 격실(630)과 연통되는 제2 연결공(623)이 형성되며, 상기 제3 격실(630)에는 상기 제2 공정배기부(812)와 연통하는 제2 배출공(631)이 형성될 수 있다.
이에 따라, 추가적인 경로 확보를 통해 한층 확실한 기액 분리효과를 얻을 수 있다.
도 5에는 처리액이 바울 조립체(300)의 내측 통로(351)와 환형의 유입홈(540)으로 유입되어 제1 연결공(542)을 통해 제1 격실(610)을 향하고, 이어서 상기 제1 격실(610)의 바닥에 형성된 제1 배출공(611)을 통해 제2 격실(620)과 제3 격실(630)로 유입되는 구성이 구체적으로 개시되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 제2 배출공(631)과 제2 공정배기부(812)를 연결하기 위해 상기 제3 격실(630)에는 상기 제1 덕트(510)를 가로질러 통과하는 연결 포트(639)가 형성될 수 있다.
한편, 상기 바울 조립체(300)는 내측의 바울(310), 중간 바울(320) 및 외측의 바울(330)로 이루어지며, 상기 중간 바울(320)로부터 아래쪽으로 환형의 중간벽(550)이 형성되어 제1 공정배기부(811)와 제2 공정배기부(812)가 분리되고, 상기 내측의 바울(310)과 중간 바울(320) 사이의 통로는 상기 제1 배출공(611) 및 제2 배출공(631)과 연통되어 상기 제2 공정배기부(812)에 연통된다.
즉, 바울 조립체(300)가 3개의 바울(310,320,330)로 구성될 경우, 외측의 바울(330)과 중간 바울(320) 사이에서 유입되는 처리액의 액적은 제1 공정배기부(811)를 통해 배기되고, 내측의 바울(310), 및 내측의 바울(310)과 중간 바울(320) 사이에서 유입되는 처리액의 액적은 모두 제2 공정배기부(812)를 통해 배기된다.
도 3a 내지 도 3c에는 도 2에서 바울 조립체의 외측 통로(352), 중간 통로(352), 내측 통로(351)를 통한 공정배기의 기류가 각각 도시되어 있다.
상기 제1 공정배기부(811)에는 처리액으로 IPA(이소프로필알콜)이 적용될 때 기액분리용 자동 댐퍼가 설치될 수 있다.
본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다
100... 기판 지지장치
110... 스핀 헤드
200.. 유체 공급 유닛
300... 바울 조립체
310... 내측 바울
320... 중간 바울
330... 외측 바울
351... 내측 통로
352... 중간 통로
353... 외측 통로
400... 승강 유닛
510... 제1 덕트
511,,, 제1 유입공
510... 제2 덕트
520... 내측면
521... 제2 유입공
530... 제2 덕트
540... 유입홈
541... 내측벽
542... 제1 연결공
550... 중간벽
610... 제1 격실
611... 제1 배출공
620... 제2 격실
621... 제2 격실의 외벽
622... 도입공
623... 제2 연결공
630... 제3 격실
631... 제2 배출공
800... 챔버
810... 공정배기부
811... 제1 공정배기부
812... 제2 공정배기부
820... 환경배기부
850... 팬필터유닛
1000... 기판 처리장치
B... 바닥
W... 기판

Claims (10)

  1. 기판이 설치되는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지장치;
    상기 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛;
    상기 기판 지지장치를 감싸며 내측의 바울, 중간 바울 및 외측의 바울이 반경방향 외측으로 중첩되게 배치되는 구성의 바울 조립체;
    상기 바울 조립체를 승강시키는 승강 유닛; 및,
    상기 기판 지지장치, 유체 공급 유닛, 바울 조립체 및 승강 유닛을 수용하는 챔버;
    를 포함하며,
    상기 챔버에는 상기 바울 조립체의 내부로부터 배기하기 위한 제1 공정배기부 및 제2 공정배기부와, 상기 바울 조립체의 외부로부터 배기하기 위한 환경배기부가 각각 설치되되,
    상기 바울 조립체의 외주면에는 상기 환경배기부와 연통하는 환형의 제1 덕트가 인접하여 감싸여져 있고, 상기 제1 덕트의 상면에는 챔버 내의 바울 조립체 외부에 존재하는 처리액의 기체가 유입되는 제1 유입공이 상기 환형의 둘레를 따라 복수개 이격되게 배치되며,
    상기 제1 덕트의 아래쪽에 상기 제1 공정배기부와 연통하는 환형의 제2 덕트가 인접하게 배치되어 있되, 상기 제2 덕트는 상기 외측의 바울로부터 상기 반경방향 외측으로 돌출되게 형성되고, 상기 제2 덕트에는 상기 기판 지지장치를 향하는 내측면에 상기 외측의 바울과 중간 바울 사이의 통로와 연통되는 제2 유입공이 형성되며,
    상기 제1 덕트의 외측면은 환경배기부와 연통되며, 제2 덕트의 외측면은 상기 제1 공정배기부와 연통되고, 상기 내측의 바울과 중간 바울 사이의 통로는 상기 제2 공정배기부와 연통되는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 바울 중 가장 내측의 바울은 외측에 상하방향으로 형성되는 환형의 유입홈과, 상기 유입홈의 내측벽을 사이에 두고 내측에 형성되는 환형의 제1 격실을 포함하되, 상기 유입홈의 내측벽에는 상기 제1 격실과 연통되는 제1 연결공이 형성되고, 상기 제1 격실의 바닥에는 제1 배출공이 형성되며, 상기 제1 배출공은 상기 공정배기부를 구성하는 제2 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 연결공은 그 입구로부터 출구를 향해 상향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 배출공은 가장 내측의 바울의 둘레를 따라 연장되는 장공으로 이루어지며 복수개가 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 격실로부터 이격된 내측의 하부에는 상하방향으로 인접 배치되는 환형의 제2 격실과 제3 격실이 형성되되, 상기 제2 격실의 외벽에는 상기 제1 배출공으로부터 배출된 기체가 유입되는 도입공이 형성되고, 상기 제2 격실의 바닥에는 상기 제3 격실과 연통되는 제2 연결공이 형성되며, 상기 제3 격실에는 상기 제2 공정배기부와 연통하는 제2 배출공이 형성되는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바울 조립체는 내측의 바울, 중간 바울 및 외측의 바울로 이루어지며, 중간 바울로부터 아래쪽으로 환형의 중간벽이 형성되어 제1 공정배기부와 제2 공정배기부가 분리되고, 상기 내측의 바울과 중간 바울 사이의 통로는 상기 제1 배출공 및 제2 배출공과 연통되어 상기 제2 공정배기부에 연통하는 것을 특징으로 하는 배기구조를 포함하는 기판 처리장치.
KR1020210120968A 2021-09-10 2021-09-10 배기구조를 포함하는 기판 처리장치 Active KR102571523B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210120968A KR102571523B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 배기구조를 포함하는 기판 처리장치
US17/562,746 US12146216B2 (en) 2021-09-10 2021-12-27 Substrate treatment apparatus having exhaust structure
CN202210062454.6A CN115799106A (zh) 2021-09-10 2022-01-19 包括排气结构的基板处理装置
TW111102175A TWI819469B (zh) 2021-09-10 2022-01-19 包括排氣結構的基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210120968A KR102571523B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 배기구조를 포함하는 기판 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230037879A KR20230037879A (ko) 2023-03-17
KR102571523B1 true KR102571523B1 (ko) 2023-08-29

Family

ID=85431054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210120968A Active KR102571523B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 배기구조를 포함하는 기판 처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12146216B2 (ko)
KR (1) KR102571523B1 (ko)
CN (1) CN115799106A (ko)
TW (1) TWI819469B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI829100B (zh) * 2021-02-26 2024-01-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
KR102682806B1 (ko) * 2023-08-08 2024-07-08 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치
KR20250081489A (ko) 2023-11-29 2025-06-05 세메스 주식회사 배기장치 및 기판처리장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201233297A (en) 2011-01-24 2012-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electronic device
US9355835B2 (en) * 2012-06-29 2016-05-31 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate
KR20140003988A (ko) 2012-06-29 2014-01-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102030038B1 (ko) * 2012-08-21 2019-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6026241B2 (ja) 2012-11-20 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6461617B2 (ja) 2015-01-20 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6482972B2 (ja) 2015-07-08 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6665042B2 (ja) 2016-06-21 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
KR102470463B1 (ko) * 2017-12-20 2022-11-25 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220406605A1 (en) * 2019-10-30 2022-12-22 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing method and substrate liquid processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230037879A (ko) 2023-03-17
TW202312314A (zh) 2023-03-16
US12146216B2 (en) 2024-11-19
US20230080325A1 (en) 2023-03-16
TWI819469B (zh) 2023-10-21
CN115799106A (zh) 2023-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102571523B1 (ko) 배기구조를 포함하는 기판 처리장치
RU2323675C1 (ru) Циклонный пылесос (варианты)
US10707099B2 (en) Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
TWM505052U (zh) 流體製程處理裝置
JP2016054170A (ja) 基板液処理装置
CN112736019B (zh) 一种用于提升单晶圆背面清洁度的装置
KR20220108560A (ko) 기판 처리 장치
KR100757846B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4621038B2 (ja) 半導体ウエハの洗浄方法及び半導体ウエハの洗浄装置
CN207602532U (zh) 旋转式漂洗干燥装置
TWI808967B (zh) 於半導體晶圓處理循環中分離多種液體之收集室設備
CN215838847U (zh) 一种用于清洁机的风机模块及清洁机
KR20180077542A (ko) 습식 원심 집진 장치
WO2015092149A1 (en) Method and wet scrubber for removing particles from gases
TW578252B (en) Annular receptacle for a rotating carrier
KR101677037B1 (ko) 스핀식 헹굼 건조 장치
KR102771914B1 (ko) 기판처리장치
KR102041303B1 (ko) 에어클리닝 장치
CN220024936U (zh) 一种用于清洁机的分离装置及清洁机
KR20250065095A (ko) 기판 세정 장치
CN107754544B (zh) 一种油烟净化装置
CN220344331U (zh) 用于清洁机的分离装置及清洁机
KR102724389B1 (ko) 기판 처리용 바울 및 이를 포함하는 기판처리장치
CN207381372U (zh) 自旋式冲洗干燥装置
JP2018113481A (ja) 基板液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20210910

PA0201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20230220

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20210910

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230518

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230817

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20230823

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20230823

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration