[go: up one dir, main page]

KR102568784B1 - 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102568784B1
KR102568784B1 KR1020180098762A KR20180098762A KR102568784B1 KR 102568784 B1 KR102568784 B1 KR 102568784B1 KR 1020180098762 A KR1020180098762 A KR 1020180098762A KR 20180098762 A KR20180098762 A KR 20180098762A KR 102568784 B1 KR102568784 B1 KR 102568784B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
substrate
light emitting
cover layer
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020180098762A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200023570A (ko
Inventor
변진수
코이치 스기타니
안수민
차광민
한세희
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180098762A priority Critical patent/KR102568784B1/ko
Priority to US16/407,488 priority patent/US10727444B2/en
Priority to CN201910782202.9A priority patent/CN110858606B/zh
Publication of KR20200023570A publication Critical patent/KR20200023570A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102568784B1 publication Critical patent/KR102568784B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/017—Head mounted
    • G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/017—Head mounted
    • G02B2027/0178—Eyeglass type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 디스플레이 기판, 디스플레이 기판 상에 배치된 발광소자, 디스플레이 기판 상에 배치되고 발광소자를 밀봉하는 봉지층, 봉지층 상의 충전층, 충전층 상의 제1 커버층, 제1 커버층 상의 대향기판, 및 대향기판의 일면 상에 위치한 회절격자층을 포함하고, 상기 회절격자층은 서로 일정간격 이격된 복수의 회절 패턴들을 포함하며, 상기 복수의 회절 패턴들은 상기 일면으로부터 상기 대향기판과 수직한 방향으로 돌출되고, 상기 일면은 상기 디스플레이 기판을 향하는 면인 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치 및 이의 제조 방법{Display device and manufacturing method thereof}
본 발명의 실시예들은, 헤드 마운트 디스플레이 장치에 사용될 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 지닌 다양한 디스플레이 장치들이 연구 및 개발되고 있다. 또한, 최근 웨어러블(wearable) 디바이스에 대한 관심이 높아지면서, 그 일환으로　헤드 마운트 디스플레이 장치가 소개되고 있다. 헤드 마운트 디스플레이 장치는 사용자의 머리나 눈에 착용되어 사용자의 눈 앞에 화상을 표시함으로써, 사용자로 하여금 가상현실이나 증강현실을 체험할 수 있도록 할 수 있다. 이와 같은 헤드 마운트 디스플레이 장치는, 사용자의 눈 앞에 화상을 표시하기 위해, 디스플레이 장치와 사용자의 눈 사이에 디스플레이 장치에서 구현되는 이미지를 확대하기 위한 렌즈를 포함할 수 있다. 그러나, 렌즈에 의한 이미지의 확대시, 디스플레이 장치의 비발광영역이 사용자에게 시인되는 모기장 효과(SDE: Screen Door Effect)가 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 헤드 마운트 디스플레이 장치의 구현시, 모기장 효과를 개선하여 고품질의 이미지를 제공할 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 디스플레이 기판; 상기 디스플레이 기판 상에 배치된 발광소자; 상기 디스플레이 기판 상에 배치되고 상기 발광소자를 밀봉하는 봉지층; 상기 봉지층 상의 충전층; 상기 충전층 상의 제1 커버층; 상기 제1 커버층 상의 대향기판; 및 상기 대향기판의 일면 상에 위치한 회절격자층;을 포함하고, 상기 회절격자층은 서로 일정간격 이격된 복수의 회절 패턴들을 포함하며, 상기 복수의 회절 패턴들은 상기 일면으로부터 상기 대향기판과 수직한 방향으로 돌출되고, 상기 일면은 상기 디스플레이 기판을 향하는 면인 디스플레이 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지층과 상기 충전층 사이에 제2 커버층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 커버층의 두께가 상기 제1 커버층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 커버층과 상기 제2 커버층은 서로 동일한 재질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 회절 패턴들은 서로 수직한 방향으로 교차하는 제1방향과 제2방향을 따라 동일한 주기를 가지고 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지층은 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광소자에서 발생된 광은 상기 회절격자층을 통과하며 발광영역이 확대될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 기판은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 위치하고 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 상기 화소전극 상의 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기발광소자일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판과 상기 대향기판은 각각 폴리이미드를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 회절 패턴들은 상기 발광소자로부터 출사되는 광을 회절시켜 기준 발광 패턴 및 복수의 복제 발광 패턴들을 생성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 디스플레이 기판 상에 발광소자를 형성하는 단계; 상기 발광소자를 밀봉하도록 상기 디스플레이 기판 상에 봉지층을 형성하는 단계; 대향기판의 일면 상에 회절격자층을 형성하는 단계; 상기 회절격자층 상에 제1 커버층을 형성하는 단계; 및 상기 회절격자층이 상기 디스플레이 기판을 향하도록 상기 대향기판을 배치한 후, 충전층에 의해 상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판을 부착하는 단계;를 포함하고, 상기 회절격자층은 상기 일면으로부터 상기 대향기판과 수직한 방향으로 돌출되고, 서로 이격된 복수의 회절 패턴들을 포함하며, 상기 제1 커버층은 상기 복수의 회절 패턴들 상 및, 복수의 회절 패턴들 사이의 상기 일면 상에 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 회절 패턴들은 서로 수직한 방향으로 교차하는 제1방향과 제2방향을 따라 동일한 주기를 가지도록 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판의 부착 전에, 상기 봉지층 상에 제2 커버층 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 커버층의 두께가 상기 제1 커버층의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 커버층과 상기 제2 커버층은 서로 동일한 재질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 기판은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 위치하고 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 베이스 기판은 제1 캐리어 기판 상에 형성되며, 상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판의 부착 후에, 상기 제1 캐리어 기판은 상기 베이스 기판과 분리될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 상기 화소전극 상의 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기발광소자일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 대향기판은 제2 캐리어 기판 상에 형성되며, 상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판의 부착 후에, 상기 제2 캐리어 기판과 상기 대향기판은 분리될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판과 상기 대향기판은 각각 폴리이미드를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지층은 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 회절 격자층에 의해 디스플레이 장치로부터 발생한 광의 회절을 유도하여 발광 영역을 증가시킴에 따라, 헤드 마운트 디스플레이 장치의 구동시, 모기장 효과를 개선하며 고품질의 이미지를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 디스플레이기판과 발광소자의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 회절격자층의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 회절격자층에 의한 발광영역 확대를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 도 1의 디스플레이 장치를 포함하는 헤드 마운트 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 도 8의 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 디스플레이기판과 발광소자의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 디스플레이기판(110), 디스플레이기판(110) 상에 배치된 발광소자, 발광소자 상의 봉지층(160), 봉지층(160) 상의 충전층(230), 충전층(230) 상의 제1 커버층(220), 제1 커버층(220) 상의 회절격자층(170), 및 회절격자층(170) 상의 대향기판(210)을 포함할 수 있다. 이하에서는 발광소자가 화소전극(121), 대향전극(150) 및 이들 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(141)을 갖는 유기발광소자(OLED)인 것으로 설명하기로 한다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 디스플레이 장치(100)는 다양한 종류의 발광소자를 포함할 수 있다.
디스플레이기판(110)은 베이스 기판(101), 베이스 기판(101) 상에 배치되고 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결된 박막트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 그 외 디스플레이기판(110)은 커패시터와 유기발광소자(OLED)의 구동에 필요한 전자소자들을 포함할 수 있다.
베이스 기판(101)은 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 베이스 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등일 수 있다.
또한, 디스플레이 장치(100)가 전면 발광형인 경우에는 베이스 기판(101)이 투명한 재질로 형성될 필요가 없으므로, 이 경우 금속으로 베이스 기판(101)을 형성할 수 있다. 금속으로 베이스 기판(101)을 형성할 경우 베이스 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금, Kovar 합금 등을 포함할 수 있다.
베이스 기판(101) 상에는 버퍼층(112)이 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 베이스 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 베이스 기판(101)을 통하여 침투하는 이물 등을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(112) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 위치한다. 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(A), 게이트전극(G), 소스전극(S) 및 드레인전극(D)을 포함한다.
반도체층(A)의 상부에는 게이트전극(G)이 배치되는데, 이 게이트전극(G)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(S)과 드레인전극(D)이 전기적으로 연결된다. 게이트전극(G)은 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디윰(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 이때 반도체층(A)과 게이트전극(G)의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물으로 형성되는 게이트절연층(113)이 반도체층(A)과 게이트전극(G) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(G)의 상부에는 층간절연층(114)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 단층 또는 다층구조를 갖도록 형성될 수 있다.
층간절연층(114)의 상부에는 소스전극(S) 및 드레인전극(D)이 배치된다. 소스전극(S) 및 드레인전극(D)은 층간절연층(114)과 게이트절연층(113)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(A)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(S) 및 드레인전극(D)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT) 등의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 보호막은 단층일 수도 있고 다층일 수도 있다.
박막트랜지스터(TFT) 상에는 평탄화층(115)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 2에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT) 보다 높은 위치에 유기발광소자(OLED)가 배치될 경우, 평탄화층(115)은 박막트랜지스터(TFT)를 덮어 박막트랜지스터(TFT)에 의한 굴곡을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(115)은 예컨대 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 도 2에서는 평탄화층(115)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 물론 본 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 보호막과 평탄화층(115)을 모두 가질 수도 있고 필요에 따라 평탄화층(115)만을 가질 수도 있다.
이와 같은 디스플레이기판(110) 상에는 화소전극(121), 대향전극(150) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(141)을 갖는 유기발광소자(OLED)가 배치된다. 구체적으로, 평탄화층(115)에는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(S) 및 드레인전극(D) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 소스전극(S) 및 드레인전극(D) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 화소전극(121)이 평탄화층(115) 상에 배치된다.
화소전극(121)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 화소전극(121)이 (반)투명 전극일 경우에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 포함할 수 있다. 화소전극(121)이 반사형 전극일 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 화소전극(121)은 다양한 재질을 포함할 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
평탄화층(115) 상부에는 화소정의막(130)이 배치될 수 있다. 화소정의막(130)은 적어도 화소전극(121)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같은 경우, 화소정의막(130)은 화소전극(121)의 가장자리를 덮음으로써, 화소전극(121)의 가장자리와 화소전극(121) 상부의 대향전극(150)과의 사이의 거리를 증가시켜 화소전극(121)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(130)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 중간층(141)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 또한, 중간층(141)은 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 중 적어도 어느 하나의 기능층을 포함할 수 있다. 이와 같은 기능층은 유기물질을 포함할 수 있다.
대향전극(150)은 복수개의 유기발광소자(OLED)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수 개의 화소전극(121)들에 대응할 수 있다. 이러한 대향전극(150)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 대향전극(150)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(150)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(150)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
대향전극(150) 상부에는 봉지층(160)이 위치한다. 봉지층(160)은 외부로부터의 수분이나 산소 등으로부터 유기발광소자(OLED)를 보호하는 역할을 한다. 봉지층(160)은 일 예로, 제1무기봉지층(161), 유기봉지층(162) 및 제2무기봉지층(163)을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(161)은 대향전극(150)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 이러한 제1무기봉지층(161)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 도 2에 도시된 것과 같이 그 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 유기봉지층(162)은 이러한 제1무기봉지층(161)을 덮으며 충분한 두께를 가져, 유기봉지층(162)의 상면은 실질적으로 평탄할 수 있다. 이러한 유기봉지층(162)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. 제2무기봉지층(163)은 유기봉지층(162)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 제2무기봉지층(163)은 유기봉지층(162) 외측으로 연장되어 제1무기봉지층(161)과 컨택함으로써, 유기봉지층(162)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.
이와 같이 봉지층(160)은 제1무기봉지층(161), 유기봉지층(162) 및 제2무기봉지층(163)을 포함하는바, 이와 같은 다층 구조를 통해 봉지층(160) 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1무기봉지층(161)과 유기봉지층(162) 사이에서 또는 유기봉지층(162)과 제2무기봉지층(163) 사이에서 그러한 크랙이 연결되지 않도록 할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 디스플레이 장치(100) 내부로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
한편, 대향전극(150)과 봉지층(160) 사이에는 유기발광소자(OLED)에서 발생된 광의 취출효율 등을 높이기 위한 캡핑층이 더 위치할 수 있다. 캡핑층은 일 실시예로 유기막 또는 무기막으로 형성될 수 있다.
봉지층(160) 상에는 충전층(230)이 위치한다. 충전층(230)은 유기발광소자(OLED)를 포함하는 디스플레이기판(110)과 회절격자층(170) 등이 형성된 대향기판(210)을 부착시킬 수 있다. 구체적으로, 충전층(230)은 봉지층(160)과 제1 커버층(220) 사이에 위치하여 이들을 부착시킬 수 있다. 이와 같은 충전층(230)은 실리콘계 접착제 또는 아크릴계 접착제 등으로 형성될 수 있고, 경화제, 가교제, 자외선 안정제 등을 더 포함할 수 있다. 충전층(230)은 감압 접착체(PSA), 광학 투명 접착제(OCA) 등일 수 있다. 충전층(230)은 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
제1 커버층(220)은 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170)을 일정 거리 이격시키기 위한 것이다. 후술하는 바와 같이, 회절격자층(170)에 의해 발생하는 복제 발광 패턴이 형성되는 영역은 유기발광소자(OLED)에서 발생하는 광의 회절 거리에 의해 결정되는데, 이와 같은 회절 거리는 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170) 간의 간격에 의해 영향을 받게 된다. 즉, 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170) 간의 간격이 너무 가까우면, 복제 발광 패턴이 형성되는 영역이 좁아지므로 헤드 마운트 디스플레이 장치의 구현시, 모기장 효과를 개선하기 어려울 수 있다. 반면에, 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170) 간의 간격이 너무 크면, 회절 거리가 지나치게 증가하여 인접한 유기발광소자(OLED)에서 발생한 광과의 혼색이 발생하는 블러링(Bluriing)이 발생할 수 있다. 일 예로, 디스플레이 장치(100)가 571ppi의 해상도를 가질 때, 제1 커버층(220)은 약 300㎛일 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 제1 커버층(220)의 두께는 복제 발광 패턴이 형성되는 영역을 증가시키되, 블러링에 대한 균형을 맞추기 위해 적절히 선택될 수 있다.
이와 같은 제1 커버층(220)은 고굴절율을 가지는 무기물 또는 유기물로 형성될 수 있다. 제1 커버층(220)이 무기물인 경우, 제1 커버층(220)은 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화아연(ZnO2), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐주석산화물(ITO), 및 인듐아연산화물(IZO) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 커버층(220)이 유기물인 경우, 제1 커버층(220)은 아크릴, Alq3, CuPc, CBP, 및 a-NPB 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 커버층(220) 상에는 대향기판(210)이 위치하며, 대향기판(210)의 일면 상에는 회절격자층(170)이 배치된다. 여기서, 회절격자층(170)은 디스플레이기판(110)을 향하는 대향기판(210)의 면 상에 형성될 수 있다.
대향기판(210)은 폴리이미드(Polyimide), 아크릴레이트(Acrylate) 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 대향기판(210)은 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate) 등과 같은 플라스틱재, 또는 금속재 등 다양한 재료로 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는, SUS(Steel Use Stainless)와 같은 얇은 금속 호일을 이용할 수도 있다.
회절격자층(170)은 서로 일정간격 이격된 복수의 회절 패턴(171)들을 포함하고, 유기발광소자(OLED)에서 방출된 광의 진행 경로 상에 배치되어, 방출된 광을 회절 시킴으로써 유기발광소자(OLED)의 발광 면적을 확대시킬 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 봉지층(160) 상에는 입력감지유닛이 더 위치할 수 있다. 입력감지유닛은 봉지층(160) 상에 직접 형성될 수 있고, 복수의 감지 전극들을 포함함으로써 사용자의 손 또는 펜과 같은 외부의 터치 입력수단의 접촉 등을 감지하여 입력신호를 생성할 수 있다. 이와 같이 봉지층(160) 상에 입력감지유닛이 더 배치된 경우, 충전층(230)은 입력감지유닛과 제1 커버층(220) 사이에 위치하게 된다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 회절격자층의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 회절 격자층에 의한 발광영역 확대를 설명하기 위한 모식도이다.
대향기판(210)의 일면 상에는 회절격자층(170)이 배치된다. 여기서, 회절격자층(170)이 형성된 대향기판(210)의 일면은 디스플레이기판(도 1의 110)을 향하는 면일 수 있다.
복수의 회절 패턴(171)들 각각은 대향기판(210)의 일면으로부터 대향기판(210)과 수직한 방향으로 돌출되며, 서로 동일한 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 복수의 회절 패턴(171)들 각각은 원기둥 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 회절 패턴(171)들 각각은 사각 기둥 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
복수의 회절 패턴(171)들 각각은 서로 일정간격 이격될 수 있다. 즉, 복수의 회절 패턴(171) 각각은 대향기판(210)의 일면에서 제1방향(X)과 제2방향(Y)을 따라 동일한 주기(DP1)를 가지고 배치될 수 있다. 제1방향(X)과 제2방향(Y)은 서로 수직한 방향일 수 있다. 또한, 주기(DP1)는 어느 하나의 회절 패턴(171)의 일측에서부터 이웃하는 회절 패턴(171)의 동일한 위치인 일측까지의 거리를 의미한다. 또는, 주기(DP1)는 어느 하나의 회절 패턴(171)의 중심과 이웃하는 회절 패턴(171)의 중심 사이의 거리로 이해될 수도 있다.
회절격자층(170) 상에는 제1 커버층(220)이 위치한다. 한편, 회절격자층(170)은 서로 이격된 복수의 복수의 회절 패턴(171)들을 포함하므로, 제1 커버층(220)은 회절 패턴(171)들 상에 위치할 뿐만 아니라, 회절 패턴(171)들 사이에서 대향기판(210)의 일면상에도 위치하게 된다. 즉, 복수의 회절 패턴(171)들은 제1 커버층(220)의 내부로 인입된 형상을 가질 수 있다.
이와 같은 복수의 회절 패턴(171)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광소자(OLED)에서 발생된 광의 발광 영역을 증가시킬 수 있다.
이하에서는, 유기발광소자(OLED)로부터 출사된 광(L1)에 의해 제1 영역(TA1)에 생성된 발광 패턴을 제1 발광 패턴(EP1)이라고 정의하고, 회절격자층(170)을 통과한 광(L2a, L2b, L2c)에 의해, 제2 영역(TA2)에 생성된 발광 패턴을 제2 발광 패턴(EP2)이라고 정의한다. 제1 영역(TA1)은 충전층(230)의 하부에 위치한 임의의 영역일 수 있으며, 제2 영역(TA2)은 회절격자층(170)의 상부에 위치한 영역일 수 있다. 또한, 유기발광소자(OLED)로부터 출사된 광(L1)을 '출사광'이라 지칭하며, 회절격자층(170)을 통과한 광(L2a, L2b, L2c)을 '회절광'으로 지칭하기로 한다.
출사광(L1)은 봉지층(160) 상에 위치하는 충전층(230) 및 제1 커버층(220)을 통과한 후 회절격자층(170)에 제공될 수 있다. 이때, 충전층(230)과 제1 커버층(220)의 굴절율에 의해, 출사광(L1)은 제1입사각(θ1)을 가지고 충전층(230)으로 입사될 수 있으며, 제2입사각(θ2)을 가지고 제1 커버층(220)으로 입사될 수 있다.
회절격자층(170)은 출사광(L1)을 회절 시켜 회절광(L2a, L2b, L2c)을 생성할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상 제1 내지 제3 회절광(L2a, L2b, L2c)을 대상으로 설명한다.
제1 내지 제3 회절광(L2a, L2b, L2c)은 각각 0차(order) 및 1차 회절 광을 포함할 수 있다. 여기서, 0차 회절 광은 회절격자층(170)에 의해 회절되기 전과 후의 광 경로가 동일한 광을 의미한다. 또한, 1차 회절 광은 광 경로가 회절격자층(170)에 의해 변경되되, 0차 회절 광을 기준으로 제2 회절각(θ2)을 갖는 광을 의미한다.
즉, 도면 부호 L2b1, L2a1 및 L2c1은 0차 회절 광이다. 또한, 도면 부호 L2b2, L2b3, L2a2, L2a3, L2c2 및 L2c3는 1차 회절 광이다. 다른 실시예로, 제1 내지 제3 회절 광(L2a, L2b, L2c)은 2차 이상의 회절 광을 더 포함할 수도 있으나, 본 명세서에서는 설명의 편의상 제1 내지 제3 회절 광(L2a, L2b, L2c)이 0차 회절 광 및 1차 회절 광을 포함하는 것으로 예를 들어 설명하기로 한다.
제1 내지 제3 회절 광(L2a, L2b, L2c)은 각각 디스플레이기판(110)에 수직 방향의 광 경로를 갖는 제1 내지 제3 유효 광(L2a1, L2b3, L2c2)을 포함할 수 있다. 여기서, 수직 방향은 디스플레이기판(110)을 기준으로 완전히 수직인 경우뿐만 아니라, 실질적으로 수직에 가까운 방향도 포함할 수 있다. 한편, 유효 광은 디스플레이기판(110)에 수직 방향의 광 경로를 갖는 경우라면, 회절 광의 차수는 제한되지 않는다. 즉, 유효 광은 수직 방향의 광 경로를 갖는 경우라면, 0차 회절 광 및 1차 회절 광을 모두 포함할 수도 있다.
회절격자층(170)은 유기발광소자(OLED)으로부터 출사된 광(L1)을 회절시킴으로써, 제1 내지 제3 유효 광(L2a1, L2b3, L2c2)들을 생성할 수 있다. 이에 따라, 제2 발광 패턴(EP2)은 기준 발광 패턴(Pref) 및 기준 발광 패턴(Pref)으로부터 복제된 복수의 복제 발광 패턴(P1 내지 P8)을 포함할 수 있다.
한편, 제1 영역(TA1)과 제2 영역(TA2)은 면적이 동일하다. 이에 반해, 제2 영역(TA2)에 포함되는 발광 패턴의 개수는 제1 영역(TA1)에 포함되는 발광 패턴의 개수보다 많다. 이는 곧, 제2 영역(TA2)의 발광 영역의 면적이 제1 영역(TA1)의 면적보다 넓은 것을 의미한다. 발광 영역의 면적이 넓은 것은 유효 발광 면적비가 큰 것으로 표현될 수 있다. 유효 발광 면적비는, 일 영역의 면적 대비, 일 영역 내에 존재하는 발광 패턴의 면적의 비로 정의된다. 여기서, 유효 발광 면적비를 계산하기 위한 발광 패턴은 기준 발광 패턴 및 복제 발광 패턴 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어 설명하면, 제2 영역(TA2)은 기준 발광 패턴(Pref) 및 복수의 복제 발광 패턴(P1 내지 P8)을 포함하여 9개의 발광 패턴이 존재하는데 반해, 제1 영역(TA1)은 1개의 발광 패턴이 존재한다. 이에 따라, 제2 영역(TA2)의 유효 발광 면적비는 제1 영역(TA1)의 유효 발광 면적비보다 크다.
유효 발광 면적비는 회절 거리(β)가 길어질 때 대체로 증가할 수 있는데, 회절 거리(β)는 유기발광소자(OLED)에서 방출하는 광의 파장, 충전층(230)의 두께와 굴절율, 제1 커버층(220)의 두께와 굴절율, 회절 패턴(171)의 주기(DP1) 등에 의해 영향을 받을 수 있다. 한편, 유기발광소자(OLED)에서 방출하는 광의 진행 경로는 봉지층(160)에 의해서도 영향을 받을 수 있으나, 이는 제1 커버층(220) 등에 의한 영향에 비해 미비하다. 따라서, 회절 거리(β)는 아래의 수학식 1로 표현될 수 있다.
여기서, z1은 충전층(230)의 두께를 의미하며, z2는 충전층(230)과 제1 커버층(220) 사이의 최단 거리를 의미한다. 전술한 바와 같이, θ1 및 θ2는 각각 충전층(230)과 제1 커버층(220)으로의 입사각도를 의미하며 이는 하기 수학식 2 및 수학식 3으로 각각 표현될 수 있다.
여기서, λ는 유기발광소자(OLED)에서 방출하는 광의 파장을 의미하고, n230은 충전층(230)의 굴절율을 의미한다.
여기서 n220은 제1 커버층(220)의 굴절율을 의미한다.
상기 수학식 1에 θ1 및 θ2를 대입하면, 회절 거리(β)는 아래의 수학식 4로 표현될 수 있다.
선택적 실시예로, 충전층(230)과 유기발광소자(OLED) 사이에 다른 구성, 예를 들어 봉지층(160)의 굴절율을 고려하여야 하는 경우라면, 다른 구성의 굴절율 및 두께를 고려하여 상기 회절 거리(β)가 변동될 수 있다.
다른 예로, 충전층(230)의 두께가 제1 커버층(220)의 두께보다 매우 작은 경우라면, 상기 수학식 4는 아래의 수학식 5로 간단히 표현될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)는 유기발광소자(OLED)의 발광 색, 제1 커버층(220)의 두께 및 굴절율, 회절 패턴(171)의 주기(DP1) 등을 조절함으로써 회절 거리(β)를 제어할 수 있고, 이에 의해 디스플레이 장치(도 1의 100)의 유효 발광 면적비를 최적화 시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)를 헤드 마운트 디스플레이 장치에 사용할 때, 렌즈에 의해 이미지를 확대하더라도 모기장 효과가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 도 1의 디스플레이 장치를 포함하는 헤드 마운트 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 헤드 마운트 디스플레이 장치(10)는 렌즈부(12) 및 렌즈부(12)로 이미지를 제공하는 디스플레이 장치(100)를 포함할 수 있다. 또한, 헤드 마운트 디스플레이 장치(10)는 카메라, 적외선 센서, 신호 처리부 및 사용자의 머리에 장착될 수 있는 형태의 프레임 등을 더 포함할 수 있다.
렌즈부(12)는 디스플레이 장치(100)와 사용자 사이에 배치되어, 디스플레이 장치(100)로부터 제공되는 이미지를 확대할 수 있다. 이와 같은 렌즈부(12)는 가상 현실을 구현하기 위해 불투명 렌즈로 구성되거나, 증강 현실을 구현하기 위해 투명 렌즈 또는 반투명 렌즈로 구성될 수 있다.
디스플레이 장치(100)는 전술한 바와 같이, 회절격자층(170)을 포함한다. 회절격자층(170)은 서로 일정 간격 이격된 회절 패턴(171)들을 포함함으로써, 유기발광소자(OLED)로부터 출사되고 충전층(230) 및 제1 커버층(220)를 통과하며 굴절된 광의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 디스플레이 장치(100)에서 표시되는 이미지를 렌즈부(12)에 의해 확대하더라도 사용자는 디스플레이 장치(100)의 비발광 영역을 쉽게 인지하지 못하게 되는바, 헤드 마운트 디스플레이 장치(10)의 구동시 모기장 효과를 개선하며 고품질의 이미지를 제공할 수 있다.
도 6 및 도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 디스플레이 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)와 봉지층(160)을 형성하는 단계, 대향기판(210)의 일면 상에 회절격자층(170)과 제1 커버층(220)을 형성하는 단계, 및 제1 커버층(220)이 디스플레이 기판(110)을 향하도록 상기 대향기판(210)을 위치시킨 후 충전층(230)에 의해 디스플레이 기판(110)과 대향기판(210)을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저 도 6에 도시된 바와 같이, 디스플레이 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)를 형성한 후, 이를 밀봉하기 위해 유기발광소자(OLED) 상에 봉지층(160)을 형성한다. 이때, 디스플레이 기판(110)에는 전술한 바와 같이 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(도 2의 TFT) 등이 형성된 상태일 수 있다.
한편, 디스플레이 기판(110)은 글라스 재질 등으로 형성된 제1 캐리어 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 디스플레이 기판(110)은 베이스 기판(도 2의 101)을 포함하고, 베이스 기판(도 2의 101)이 플렉서블한 특징을 가지는 재질로 이루어진 경우, 제1 캐리어 기판(10)은 얇은 두께의 베이스 기판(도 2의 101) 상에 박막 트랜지스터(도 2의 TFT) 및 유기발광소자(OLED)등을 형성할 때, 베이스 기판(도 2의 101)이 평평한 상태를 유지하도록 할 수 있다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 대향기판(210)의 일면 상에 순차적으로 회절격자층(170) 및 제1 커버층(220)을 형성한다. 대향기판(210)은 글라스 재질 등으로 형성된 제2 캐리어 기판(20) 상에 형성될 수 있다. 따라서, 대향기판(210)이 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 재질로 형성된 경우, 대향기판(210)의 일 면은 매우 평탄한 표면을 가질 수 있고, 대향기판(210) 상에 회절격자층(170)과 제1 커버층(220)을 형성할 때, 대향기판(210)의 휘어짐 등을 방지할 수 있다.
회절격자층(170)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 회절격자층(170)은 대향기판(210)의 일면 상에 증착 마스크를 위치시킨 후, 상기 재질들을 증착하여 형성할 수 있다. 증착 마스크는 복수의 개구들을 포함하며, 상기 개구들의 위치에서 회절격자층(170)의 회절 패턴(171)들이 형성될 수 있다. 다른 예로, 대향기판(210)의 일면 상에 회절격자층(170)을 형성하는 재질을 전체적으로 증착하여 성막한 후, 이를 패터닝함으로써, 복수의 회절 패턴(171)들을 형성할 수도 있다.
이어서, 회절격자층(170) 상에 제1 커버층(220)을 형성한다. 제1 커버층(220)은 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 커버층(220)이 유기물로 형성되는 경우, 제1 커버층(220)은 아크릴, Alq3, CuPc, CBP, 및 a-NPB 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제1 커버층(220)은 슬릿 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
다른 예로, 제1 커버층(220)이 무기물로 형성되는 경우, 제1 커버층(220)은 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화아연(ZnO2), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐주석산화물(ITO), 및 인듐아연산화물(IZO) 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 증착공정에 의해 형성될 수 있다. 특히, 제1 커버층(220)이 디스플레이 기판(110)과 이격된 상태에서 형성되므로, 제1 커버층(220)은 저온 증착 방식 외에 고온 증착 방식으로 형성되더라도 제1 커버층(220)의 형성과정 중, 열에 의해 디스플레이 기판(110)의 유기발광소자(OLED) 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제1 커버층(220)은 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2) 등과 같은 재질로 형성될 수 있다.
한편, 회절격자층(170)은 서로 이격된 복수의 복수의 회절 패턴(171)들을 포함하므로, 제1 커버층(220)은 회절 패턴(171)들 상에 위치할 뿐만 아니라, 회절 패턴(171)들 사이에서 대향기판(210)의 일면상에도 위치하게 된다. 즉, 복수의 회절 패턴(171)들은 제1 커버층(220)의 내부로 인입된 형상을 가질 수 있다.
다음으로, 제1 커버층(220)이 디스플레이 기판(110)을 향하도록 대향기판(210)을 배치한 다음, 제1 커버층(220)과 봉지층(160) 사이에 충전층(230)을 배치한 후, 대향기판(210)과 디스플레이 기판(110)을 부착한다. 충전층(230)은 봉지층(160) 또는 제1 커버층(220) 중 적어도 어느 하나의 면에 도포될 수 있다. 충전층(230)은 감압 접착체(PSA), 광학 투명 접착제(OCA) 등일 수 있고, 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
대향기판(210)과 디스플레이 기판(110)을 부착한 다음에는, 디스플레이 기판(110)으로부터 제1 캐리어 기판(10)을 분리하고, 대향기판(210)으로부터 제2 캐리어 기판(20)을 분리한다. 일 예로, 제1 캐리어 기판(10)은 디스플레이 기판(110)의 베이스 기판(도 2의 101)과 제1 캐리어 기판(10) 사이에 레이저를 조사함으로써 분리될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 캐리어 기판(20)은 대향기판(210)과 제2 캐리어 기판(20) 사이에 레이저를 조사함으로써 대향기판(210)과 분리될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8의 디스플레이 장치(100B)는 디스플레이기판(110), 디스플레이기판(110) 상에 배치된 유기발광소자(OLED), 유기발광소자(OLED) 상의 봉지층(160), 봉지층(160) 상의 제2 커버층(224), 제2 커버층(224) 상의 충전층(230), 충전층(230) 상의 제1 커버층(222), 제1 커버층(222) 상의 회절격자층(170), 및 회절격자층(170) 상의 대향기판(210)을 포함할 수 있다. 즉, 도 8의 디스플레이 장치(100B)는 도 1의 디스플레이 장치(100)와 비교할 때, 봉지층(160)과 충전층(230) 사이에 제2 커버층(224)을 더 포함한다.
디스플레이기판(110), 유기발광소자(OLED), 봉지층(160), 충전층(230), 및 대향기판(210)은 도 1 내지 도 4에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로 반복하여 설명하지 않는다.
제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170)을 일정 거리 이격시키기 위한 것으로, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)의 두께를 조절함으로써, 유기발광소자(OLED)에서 발생된 광의 발광 면적을 확대하면서 블러링이 발생되지 않도록 할 수 있다. 일 예로 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 서로 동일한 두께를 가질 수 있으며, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224) 사이에는 충전층(230)이 위치할 수 있다. 이에 따라, 충전층(230)의 어느 한 측에 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)이 연속적으로 형성된 경우에 비해, 디스플레이기판(110) 또는 대향기판(210)에 가해지는 응력이 감소하여, 디스플레이기판(110) 또는 대향기판(210)의 휨 발생을 방지 또는 최소화할 수 있다. 다른 예로, 제2 커버층(224)의 두께는 제1 커버층(222)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 디스플레이 기판(110) 보다 상대적으로 얇은 두께를 가지는 대향기판(210)에 가해지는 응력을 더욱 감소시켜, 대향기판(210)에 휨 등이 발생하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 무기물 또는 유기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)이 무기물인 경우, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화아연(ZnO2), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐주석산화물(ITO), 및 인듐아연산화물(IZO) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)이 유기물인 경우, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 아크릴, Alq3, CuPc, CBP, 및 a-NPB 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이와 같은 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 서로 동일한 재질을 포함할 수 있으며, 이에 따라 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)의 전체 두께가 커버층(도 1의 220)과 동일 또는 유사한 경우, 제2 커버층(224) 및 제1 커버층(222)에 의한 회절 거리는 도 1의 경우와 동일 또는 유사하게 유지될 수 있다.
도 9 및 도 10은 도 8의 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 디스플레이 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)와 봉지층(160)을 형성하는 단계, 봉지층(160) 상에 제2 커버층(224)을 형성하는 단계, 대향기판(210)의 일면 상에 회절격자층(170)과 제1 커버층(222)을 형성하는 단계, 및 충전층(230)에 의해 디스플레이 기판(110)과 대향기판(210)을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 디스플레이 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)를 형성한 후, 이를 밀봉하기 위해 유기발광소자(OLED) 상에 봉지층(160)을 형성한다. 이때, 디스플레이 기판(110)에는 전술한 바와 같이 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(도 2의 TFT) 등이 형성된 상태일 수 있다. 또한, 봉지층(160) 상에는 제2 커버층(224)이 더 형성될 수 있다. 제2 커버층(224)은 도 1에서 설명한 커버층(도 1의 220)과 동일한 재질을 포함할 수 있다.
한편, 디스플레이 기판(110)은 글라스 재질 등으로 형성된 제1 캐리어 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 디스플레이 기판(110)의 베이스 기판(도 2의 101)이 플렉서블한 특징을 가지는 재질로 이루어진 경우, 얇은 두께의 베이스 기판(도 2의 101) 상에 박막 트랜지스터(도 2의 TFT), 유기발광소자(OLED), 봉지층(160) 및 제2 커버층(224) 등을 형성할 때, 베이스 기판(도 2의 101)이 평평한 상태를 유지하도록 할 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 대향기판(210)의 일면 상에 순차적으로 회절격자층(170) 및 제1 커버층(222)을 형성한다.
대향기판(210)은 일 예로, 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있고, 글라스 재질 등으로 형성된 제2 캐리어 기판(20) 상에 형성될 수 있다. 따라서, 대향기판(210) 상에 회절격자층(170)과 제1 커버층(222)을 형성할 때, 대향기판(210)의 휘어짐 등을 방지할 수 있다.
회절격자층(170)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 회절격자층(170)은 대향기판(210)의 일면 상에 증착 마스크를 위치시킨 후, 상기 재질들을 증착하여 형성할 수 있다. 증착 마스크는 복수의 개구들을 포함하며, 상기 개구들의 위치에서 회절격자층(170)의 회절 패턴(171)들이 형성될 수 있다. 다른 예로, 대향기판(210)의 일면 상에 회절격자층(170)을 형성하는 재질을 전체적으로 증착하여 성막한 후, 이를 패터닝함으로써, 복수의 회절 패턴(171)들을 형성할 수도 있다.
제1 커버층(222)은 복수의 회절 패턴(171)을 덮도록 형성된다. 따라서, 제2 제1 커버층(220)은 회절 패턴(171)들 상에 위치할 뿐만 아니라, 회절 패턴(171)들 사이에서 대향기판(210)의 일면상에도 위치하게 된다. 즉, 복수의 회절 패턴(171)들은 제1 커버층(220)의 내부로 인입된 형상을 가질 수 있다.
제1 커버층(222)은 제2 커버층(224)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 한편, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)은 유기발광소자(OLED)와 회절격자층(170)을 일정 거리 이격시키기 위한 것으로, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)의 두께를 조절함으로써, 유기발광소자(OLED)에서 발생된 광의 발광 면적을 확대하면서 블러링이 발생되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)이 서로 동일한 재질을 포함하고, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)의 전체 두께가 커버층(도 1의 220)과 동일 또는 유사한 경우, 제2 커버층(224) 및 제1 커버층(222)에 의한 회절 거리는 도 1의 경우와 동일 또는 유사하게 유지될 수 있다.
일 예로, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)의 두께는 동일할 수 있다. 이에 따라, 충전층(230)의 어느 한 측에 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)이 연속적으로 형성된 경우에 비해, 디스플레이기판(110) 또는 대향기판(210)에 가해지는 응력이 감소하여, 디스플레이기판(110) 또는 대향기판(210)의 휨 발생을 방지 또는 최소화할 수 있다. 다른 예로, 제1 커버층(222)의 두께는 제2 커버층(224)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. 따라서, 디스플레이 기판(110) 보다 상대적으로 얇은 두께를 가지는 대향기판(210)에 가해지는 응력을 더욱 감소시켜, 대향기판(210)에 휨 등이 발생하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
다음으로, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224) 사이에 충전층(230)을 배치한 후, 제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)을 부착한다. 충전층(230)은 감압 접착체(PSA), 광학 투명 접착제(OCA) 등일 수 있고, 10㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
제1 커버층(222)과 제2 커버층(224)을 부착한 다음에는, 디스플레이 기판(110)으로부터 제1 캐리어 기판(10)을 분리하고, 대향기판(210)으로부터 제2 캐리어 기판(20)을 분리한다. 일 예로, 제1 캐리어 기판(10)은 디스플레이 기판(110)의 베이스 기판(도 2의 101)과 제1 캐리어 기판(10) 사이에 레이저를 조사함으로써 분리될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 캐리어 기판(20)은 대향기판(210)과 제2 캐리어 기판(20) 사이에 레이저를 조사함으로써 대향기판(210)과 분리될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 디스플레이 기판;
    상기 디스플레이 기판 상에 배치된 발광소자;
    상기 디스플레이 기판 상에 배치되고 상기 발광소자를 밀봉하는 봉지층;
    상기 봉지층 상의 충전층;
    상기 충전층 상의 제1 커버층;
    상기 봉지층과 상기 충전층 사이에 개재되는 제2 커버층;
    상기 제1 커버층 상의 대향기판; 및
    상기 대향기판의 일면 상에 위치한 회절격자층;을 포함하고,
    상기 회절격자층은 서로 일정간격 이격된 복수의 회절 패턴들을 포함하며,
    상기 복수의 회절 패턴들은 상기 일면으로부터 상기 대향기판과 수직한 방향으로 돌출되고, 상기 일면은 상기 디스플레이 기판을 향하는 면이고,
    상기 복수의 회절 패턴들은 상기 제1 커버층의 내부로 인입된 형상을 가지는, 디스플레이 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 커버층의 두께가 상기 제1 커버층의 두께보다 더 두꺼운 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 커버층과 상기 제2 커버층은 서로 동일한 재질을 포함하는 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 회절 패턴들은 서로 수직한 방향으로 교차하는 제1방향과 제2방향을 따라 동일한 주기를 가지고 배치되는 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층은 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자에서 발생된 광은 상기 회절격자층을 통과하며 발광영역이 확대되는 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 위치하고 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 발광소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 상기 화소전극 상의 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기발광소자인 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 대향기판은 각각 폴리이미드를 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 회절 패턴들은 상기 발광소자로부터 출사되는 광을 회절시켜 기준 발광 패턴 및 복수의 복제 발광 패턴들을 생성하는 디스플레이 장치.
  11. 디스플레이 기판 상에 발광소자를 형성하는 단계;
    상기 발광소자를 밀봉하도록 상기 디스플레이 기판 상에 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 봉지층 상에 제2 커버층을 형성하는 단계;
    대향기판의 일면 상에 회절격자층을 형성하는 단계;
    상기 회절격자층 상에 제1 커버층을 형성하는 단계; 및
    상기 회절격자층이 상기 디스플레이 기판을 향하도록 상기 대향기판을 배치한 후, 충전층에 의해 상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판을 부착하는 단계;를 포함하고,
    상기 회절격자층은 상기 일면으로부터 상기 대향기판과 수직한 방향으로 돌출되고, 서로 이격된 복수의 회절 패턴들을 포함하며,
    상기 제1 커버층은 상기 복수의 회절 패턴들 상 및, 복수의 회절 패턴들 사이의 상기 일면 상에 형성되고,
    상기 복수의 회절 패턴들은 상기 제1 커버층의 내부로 인입된 형상을 가지는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 회절 패턴들은 서로 수직한 방향으로 교차하는 제1방향과 제2방향을 따라 동일한 주기를 가지도록 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 커버층의 두께가 상기 제1 커버층의 두께보다 더 두껍게 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 커버층과 상기 제2 커버층은 서로 동일한 재질을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 위치하고 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 베이스 기판은 제1 캐리어 기판 상에 형성되며,
    상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판의 부착 후에, 상기 제1 캐리어 기판은 상기 베이스 기판과 분리되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 상기 화소전극 상의 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기발광소자인 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 대향기판은 제2 캐리어 기판 상에 형성되며,
    상기 대향기판과 상기 디스플레이 기판의 부착 후에, 상기 제2 캐리어 기판과 상기 대향기판은 분리되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 대향기판은 각각 폴리이미드를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 봉지층은 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층이 순차적으로 적층되어 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
KR1020180098762A 2018-08-23 2018-08-23 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 Active KR102568784B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180098762A KR102568784B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US16/407,488 US10727444B2 (en) 2018-08-23 2019-05-09 Display device and method of manufacturing the same
CN201910782202.9A CN110858606B (zh) 2018-08-23 2019-08-23 显示装置及制造该显示装置的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180098762A KR102568784B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200023570A KR20200023570A (ko) 2020-03-05
KR102568784B1 true KR102568784B1 (ko) 2023-08-22

Family

ID=69586407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180098762A Active KR102568784B1 (ko) 2018-08-23 2018-08-23 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10727444B2 (ko)
KR (1) KR102568784B1 (ko)
CN (1) CN110858606B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102675148B1 (ko) * 2023-11-20 2024-06-13 주식회사 대명디지털 Led 전광판

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11871623B2 (en) * 2019-12-03 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR20210077848A (ko) * 2019-12-17 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112259696B (zh) * 2020-10-21 2024-03-15 京东方科技集团股份有限公司 透光显示面板、透光显示面板的制造方法和电子装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009294604A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Asahi Glass Co Ltd 光変調液晶素子および可変光減衰器
JP2011044378A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
KR100563059B1 (ko) * 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
JP2005174700A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Toyota Industries Corp 電界発光デバイス
KR100683734B1 (ko) 2004-12-11 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US7579775B2 (en) 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
US7957621B2 (en) * 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
KR102245511B1 (ko) 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102044923B1 (ko) * 2013-04-15 2019-11-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20150011908A (ko) 2013-07-24 2015-02-03 엔라이팅 주식회사 고효율 광 추출 기판 및 그에 따른 디스플레이 소자 및 그들의 제조방법
US9356256B2 (en) * 2013-07-31 2016-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
KR101747268B1 (ko) 2015-11-30 2017-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
KR102469311B1 (ko) * 2016-03-31 2022-11-18 동우 화인켐 주식회사 유연성 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102375975B1 (ko) 2017-04-28 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치
KR102357521B1 (ko) 2017-06-02 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009294604A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Asahi Glass Co Ltd 光変調液晶素子および可変光減衰器
JP2011044378A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102675148B1 (ko) * 2023-11-20 2024-06-13 주식회사 대명디지털 Led 전광판

Also Published As

Publication number Publication date
US20200067020A1 (en) 2020-02-27
KR20200023570A (ko) 2020-03-05
US10727444B2 (en) 2020-07-28
CN110858606B (zh) 2025-03-04
CN110858606A (zh) 2020-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102621592B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102480091B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102568784B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102757334B1 (ko) 표시 패널
EP3866207B1 (en) Display device and electronic apparatus
KR102593535B1 (ko) 표시 장치
KR20180023097A (ko) 표시 장치
KR20230155375A (ko) 표시장치
KR102766477B1 (ko) 표시장치
KR20210032599A (ko) 표시 장치
KR102724701B1 (ko) 표시 장치의 제조방법
US11706945B2 (en) Display apparatus comprisng a partition wall on an organic insulating layer and method of manufacturing the same
US11974481B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20210020203A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114725306A (zh) 显示设备和制造该显示设备的方法
KR102698883B1 (ko) 표시장치 및 그의 제조방법
KR20230056853A (ko) 표시 장치
KR20220095399A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102784720B1 (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20240144621A (ko) 표시 장치
KR20230016766A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20240144620A (ko) 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20240031570A (ko) 표시 장치
KR20240144700A (ko) 표시 장치의 제조장 및 표시 장치의 제조방법
KR20240054475A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20180823

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210616

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20180823

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20221117

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230524

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20230816

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20230817

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration