KR102553073B1 - Substrate cleaning device and substrate cleaning method - Google Patents
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Abstract
제1 높이 위치에서 상측 유지 장치에 의해 기판의 외주 단부가 유지된다. 제1 높이 위치보다 하방의 제2 높이 위치에서 하측 유지 장치에 의해 기판의 하면 중앙 영역이 흡착 유지되고, 기판이 연직축 둘레로 회전된다. 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에서 수도 장치에 의해 기판이 반송된다. 상측 유지 장치 또는 하측 유지 장치에 의해 유지된 기판의 하면에 접촉하도록 세정구가 승강되고, 기판의 하면 중앙 영역, 또는 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역이 세정구에 의해 세정된다. 이상 발생시에 기판이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상측 유지 장치에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 기체 분출부에 의해 기체가 공급된다.The outer circumferential end of the substrate is held by the upper holding device at the first height position. At a second height position below the first height position, the lower surface central region of the substrate is adsorbed and held by the lower holding device, and the substrate is rotated about a vertical axis. The substrate is conveyed by the water transfer device between the first height position and the second height position. The cleaning tool is raised so as to come into contact with the lower surface of the substrate held by the upper holding device or the lower holding device, and the center area of the lower surface of the substrate or the outer area of the lower surface surrounding the lower surface center area is cleaned by the cleaning tool. When it is determined that the substrate is at the first height position when an abnormality occurs, a gas is supplied to a central region of the lower surface of the substrate held by the upper holding device by the gas ejection unit.
Description
본 발명은, 기판을 세정하는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for cleaning a substrate.
액정 표시 장치 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에 이용되는 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 반도체 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지 처리를 행하기 위해서, 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 기판을 세정하기 위해서는, 기판 세정 장치가 이용된다.Substrates for FPD (Flat Panel Display) used in liquid crystal displays or organic EL (Electro Luminescence) display devices, semiconductor substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, or In order to perform various treatments on various substrates such as substrates for solar cells, a substrate processing apparatus is used. To clean the substrate, a substrate cleaning apparatus is used.
일본국 특허 제5904169호 공보에 기재된 기판 세정 장치는, 웨이퍼의 이면 주연부를 유지하는 2개의 흡착 패드, 웨이퍼의 이면 중앙부를 유지하는 스핀 척, 및 웨이퍼의 이면을 세정하는 브러시를 구비한다. 2개의 흡착 패드가 웨이퍼를 유지함과 더불어 횡방향으로 이동한다. 이 상태에서, 웨이퍼의 이면 중앙부가 브러시로 세정된다. 그 후, 스핀 척이 흡착 패드로부터 웨이퍼를 수취하고, 스핀 척이 웨이퍼의 이면 중앙부를 유지하면서 회전한다. 이 상태에서, 웨이퍼의 이면 주연부가 브러시로 세정된다.A substrate cleaning apparatus disclosed in Japanese Patent No. 5904169 includes two suction pads holding the periphery of the back side of a wafer, a spin chuck holding the center portion of the back side of the wafer, and a brush for cleaning the back side of the wafer. Two suction pads move laterally while holding the wafer. In this state, the central portion of the back surface of the wafer is cleaned with a brush. After that, the spin chuck receives the wafer from the suction pad, and the spin chuck rotates while holding the central portion of the back surface of the wafer. In this state, the periphery of the back surface of the wafer is cleaned with a brush.
기판 세정 장치에 있어서, 이상이 발생한 경우, 기판 세정 장치로부터 기판이 회수된 후, 이상에 대한 대처가 행해진다. 그러나, 상기의 기판 세정 장치에서는, 기판이 복수의 위치로 반송되므로, 기판의 위치에 따라서는 적절히 기판을 회수하는 것은 용이하지 않다. 기판이 적절히 회수되지 않는 경우, 스핀 척 등의 기판 세정 장치의 구성 요소가 손상될 수 있다.In the substrate cleaning apparatus, when an abnormality occurs, a countermeasure for the abnormality is performed after the substrate is recovered from the substrate cleaning apparatus. However, since substrates are transported to a plurality of positions in the above substrate cleaning apparatus, it is not easy to appropriately collect the substrates depending on the positions of the substrates. If the substrate is not properly retrieved, components of the substrate cleaning apparatus, such as the spin chuck, may be damaged.
본 발명의 목적은, 이상 발생시에 기판을 적절히 회수하는 것이 가능한 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate cleaning device and a substrate cleaning method capable of appropriately recovering a substrate when an abnormality occurs.
(1) 본 발명의 일 국면에 따른 기판 세정 장치에 있어서는, 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서, 제1 높이 위치에서 기판의 외주 단부를 유지하는 제1 기판 유지부와, 제1 높이 위치보다 하방의 제2 높이 위치에서 기판의 하면 중앙 영역을 흡착 유지하여 기판을 연직축 둘레로 회전시키는 제2 기판 유지부와, 제1 높이 위치와 제2 높이 위치에서 기판을 반송하는 기판 반송부와, 기판의 하면 중앙 영역, 또는 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역을 세정하는 세정구와, 제1 또는 제2 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면에 접촉 가능하게 세정구를 승강시키는 세정구 승강부와, 기판의 하면을 향해 기체를 토출 가능한 기체 공급부와, 기판의 위치를 판정하는 기판 위치 판정부와, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판 위치 판정부에 의해 기판이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 기체가 공급되도록 기체 공급부를 제어하는 제어부를 구비한다.(1) A substrate cleaning apparatus according to one aspect of the present invention cleans a lower surface of a substrate, comprising: a first substrate holding portion holding an outer circumferential end of the substrate at a first height position; a second substrate holding unit that adsorbs and holds the center region of the lower surface of the substrate at a lower second height position and rotates the substrate around a vertical axis; and a substrate transport unit that transports the substrate at the first height position and the second height position; A cleaning tool that cleans the central region of the lower surface of the substrate or the outer region of the lower surface surrounding the central region of the lower surface, and a cleaning tool lifting unit that lifts the cleaning tool so as to come into contact with the lower surface of the substrate held by the first or second substrate holder. and a gas supply unit capable of discharging gas toward the lower surface of the substrate, a substrate position determination unit determining the position of the substrate, and a substrate position determination unit determining that the substrate is at the first height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus. In this case, a control unit controlling the gas supply unit so that gas is supplied to a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit is provided.
이 기판 세정 장치에서는, 제1 높이 위치와, 제1 높이 위치의 하방의 제2 높이 위치에서 기판이 기판 반송부에 의해 반송된다. 제1 높이 위치에서는, 제1 기판 유지부에 의해 기판의 외주 단부가 유지된다. 제2 높이 위치에서는, 기판의 하면 중앙 영역이 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지되고, 기판이 연직축 둘레로 회전된다.In this substrate cleaning apparatus, substrates are conveyed by the substrate conveying unit at a first height position and a second height position below the first height position. At the first height position, the outer circumferential end of the substrate is held by the first substrate holding portion. At the second height position, the center region of the lower surface of the substrate is adsorbed and held by the second substrate holder, and the substrate is rotated around the vertical axis.
제1 또는 제2 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면에 접촉 가능하게 세정구가 세정구 승강부에 의해 승강된다. 기판의 하면 중앙 영역, 또는 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역이 세정구에 의해 세정된다. 기판의 위치가 기판 위치 판정부에 의해 판정된다. 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판 위치 판정부에 의해 기판이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 기체가 기체 공급부에 의해 공급된다.The cleaning tool is moved up and down by the cleaning tool lifting portion so as to be able to contact the lower surface of the substrate held by the first or second substrate holding portion. The central region of the lower surface of the substrate or the outer region of the lower surface surrounding the central region of the lower surface of the substrate is cleaned by the cleaning tool. The position of the substrate is determined by the substrate position determination unit. When it is determined that the substrate is at the first height position by the substrate position determining unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, gas is supplied by the gas supply unit to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit.
이 구성에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 액체 성분이 부착되어 있는 경우에도, 기판의 하면 중앙 영역이 기체 공급부에 의해 공급되는 기체에 의해 건조된다. 그 때문에, 기판이 제2 높이 위치로 반송되어 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지된 경우에도, 제2 기판 유지부의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다. 이에 의해, 제2 기판 유지부가 손상되는 것이 방지된다. 그 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this configuration, even when a liquid component adheres to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning device, the central region of the lower surface of the substrate is exposed to the gas supplied by the gas supply unit. dried by Therefore, even when the substrate is conveyed to the second height position and is adsorbed and held by the second substrate holder, liquid components do not enter the adsorbing portion of the second substrate holder. This prevents the second substrate holding portion from being damaged. As a result, the substrate can be appropriately recovered from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(2) 기판 세정 장치는, 기판의 하면을 향해 처리액을 공급 가능한 처리액 공급부를 더 구비하고, 제어부는, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판 위치 판정부에 의해 기판이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 처리액이 공급되도록 처리액 공급부를 제어하고, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 하면 중앙 영역에 기체가 공급되도록 기체 공급부를 제어해도 된다.(2) The substrate cleaning apparatus further includes a processing liquid supply unit capable of supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate, and the control unit determines that the substrate is at the first height position by the substrate position determining unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus. If it is determined, the processing liquid supply unit is controlled so that the processing liquid is supplied to the central area of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit, and after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the processing liquid is supplied to the central area of the lower surface of the substrate. The gas supply unit may be controlled so that gas is supplied.
이 경우, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 중앙 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 하면 중앙 영역에 기체가 기체 공급부에 의해 공급되므로, 기판이 제2 높이 위치로 반송되어 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지된 경우에도, 제2 기판 유지부의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다. 그 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 보다 적절히 회수할 수 있다.In this case, when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the processing liquid is supplied to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign material adheres to the central area of the lower surface of the substrate, the foreign material is removed from the substrate. Further, when the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, since the gas is supplied to the center region of the lower surface of the substrate by the gas supply unit, the substrate is conveyed to the second height position and held by the second substrate holding unit by suction. Even in this case, the liquid component does not penetrate into the adsorption part of the second substrate holding part. As a result, it is possible to recover the substrate more appropriately from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(3) 제어부는, 하면 중앙 영역에 기체가 공급된 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 기판 반송부를 제어하고, 기판을 유지하면서 회전하도록 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 기판의 회전이 유지되도록 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 처리액 공급부를 제어해도 된다.(3) The control unit controls the substrate transport unit so that the substrate supplied with gas to the lower surface central region is held by the second substrate holder at the second height position, and controls the second substrate holder to rotate while holding the substrate; In addition, the processing liquid supply unit is controlled so that the processing liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate, and the processing liquid supply unit is controlled so that the supply of the processing liquid is stopped while controlling the second substrate holding unit so that the rotation of the substrate is maintained after a predetermined time. do.
이 경우, 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 더욱 적절히 회수할 수 있다.In this case, in a state in which the substrate is held at the second height position by the second substrate holder and rotated, the processing liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to more appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(4) 제어부는, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판 위치 판정부에 의해 기판이 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 기판을 유지하면서 회전하도록 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 기판의 회전이 유지되도록 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 처리액 공급부를 제어해도 된다.(4) The control unit controls the second substrate holding unit to rotate while holding the substrate when it is determined by the substrate position determination unit that the substrate is at the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, and also controls the lower surface of the substrate. The processing liquid supply unit may be controlled so that the processing liquid is supplied to the outer region, and after a predetermined time, the processing liquid supply unit may be controlled so that the supply of the processing liquid is stopped while controlling the second substrate holding unit so that the rotation of the substrate is maintained.
이 구성에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지되어 있는 경우, 기판이 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this configuration, when the substrate is adsorbed and held by the second substrate holder when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, processing is performed on the area outside the lower surface of the substrate in a rotated state while being held by the second substrate holder. A liquid is supplied by a treatment liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(5) 제어부는, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판 위치 판정부에 의해 기판이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 기판 반송부를 제어하고, 기판을 유지하면서 회전하도록 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 기판의 회전이 유지되도록 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 처리액 공급부를 제어해도 된다.(5) The control unit, when it is determined that the substrate is between the first height position and the second height position by the substrate position determination unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the substrate is moved to the second substrate holder at the second height position. In addition to controlling the second substrate holding part to rotate while holding the substrate, controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid to an area outside the lower surface of the substrate, and rotating the substrate after a predetermined period of time. The processing liquid supply unit may be controlled such that the supply of the processing liquid is stopped while controlling the second substrate holding unit so as to maintain this.
이 구성에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있는 경우, 기판이 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 기판 반송부에 의해 제2 높이 위치로 반송된다. 그 후, 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this configuration, when the substrate is between the first height position and the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the substrate is conveyed to the second height position by the substrate transport unit so that the substrate is held by the second substrate holding unit. do. Thereafter, in a state in which the substrate is held at the second height position by the second substrate holder and rotated, the processing liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(6) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판 세정 방법은, 기판 세정 장치에 의해 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 방법으로서, 제1 높이 위치에서 제1 기판 유지부에 의해 기판의 외주 단부를 유지하는 단계와, 제1 높이 위치보다 하방의 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 기판의 하면 중앙 영역을 흡착 유지하여 기판을 연직축 둘레로 회전시키는 단계와, 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에서 기판 반송부에 의해 기판을 반송하는 단계와, 제1 또는 제2 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면에 접촉하도록 세정구를 승강시키는 단계와, 기판의 하면 중앙 영역, 또는 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역을 세정구에 의해 세정하는 단계와, 기판의 위치를 판정하는 단계와, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 단계를 포함한다.(6) A substrate cleaning method according to another aspect of the present invention is a substrate cleaning method in which a lower surface of a substrate is cleaned by a substrate cleaning device, wherein an outer circumferential end of the substrate is held by a first substrate holder at a first height position. and rotating the substrate around a vertical axis by adsorbing and holding the lower surface of the substrate at a second height position lower than the first height position by a second substrate holder, and rotating the substrate around a vertical axis at the first height position and the second height position. a step of conveying the substrate by the substrate conveying unit between the steps of moving the cleaning tool so as to come into contact with the lower surface of the substrate held by the first or second substrate holding unit; cleaning the outer region of the lower surface surrounding the substrate with a cleaning tool; determining the position of the substrate; and, if it is determined that the substrate is at the first height position when an error occurs in the substrate cleaning device, a first substrate holding unit. and supplying gas by a gas supply unit to a central region of the lower surface of the substrate held by the substrate.
이 기판 세정 방법에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 액체 성분이 부착되어 있는 경우에도, 기판의 하면 중앙 영역이 기체 공급부에 의해 공급되는 기체에 의해 건조된다. 그 때문에, 기판이 제2 높이 위치로 반송되어 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지된 경우에도, 제2 기판 유지부의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다. 이에 의해, 제2 기판 유지부가 손상되는 것이 방지된다. 그 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this substrate cleaning method, even when a liquid component adheres to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the central region of the lower surface of the substrate is supplied by the gas supply unit. dried by gas. Therefore, even when the substrate is conveyed to the second height position and is adsorbed and held by the second substrate holder, liquid components do not enter the adsorbing portion of the second substrate holder. This prevents the second substrate holding portion from being damaged. As a result, the substrate can be appropriately recovered from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(7) 기판의 하면 중앙 영역에 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 단계는, 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 것과, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 하면 중앙 영역에 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 것을 포함해도 된다.(7) The step of supplying the gas to the central region of the lower surface of the substrate by the gas supply unit includes supplying the processing liquid to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the processing liquid supply unit, and It may also include supplying a gas to the center region of the lower surface of the substrate from a gas supply unit after the supply of the processing liquid by the .
이 경우, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 제1 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 하면 중앙 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 중앙 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 하면 중앙 영역에 기체가 기체 공급부에 의해 공급되므로, 기판이 제2 높이 위치로 반송되어 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지된 경우에도, 제2 기판 유지부의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다. 그 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 보다 적절히 회수할 수 있다.In this case, when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the processing liquid is supplied to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign material adheres to the central area of the lower surface of the substrate, the foreign material is removed from the substrate. Further, when the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, since the gas is supplied to the center region of the lower surface of the substrate by the gas supply unit, the substrate is conveyed to the second height position and held by the second substrate holding unit by suction. Even in this case, the liquid component does not penetrate into the adsorption part of the second substrate holding part. As a result, it is possible to recover the substrate more appropriately from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(8) 기판 세정 방법은, 하면 중앙 영역에 기체가 공급된 기판을 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지하는 단계와, 기판을 유지하는 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와, 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 기판의 하면 외측 영역에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 제2 기판 유지부에 의한 기판의 회전을 유지하면서 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함해도 된다.(8) A substrate cleaning method includes the steps of holding a substrate supplied with gas to a central region of the lower surface by a second substrate holding part at a second height position, rotating the second substrate holding part holding the substrate, and 2 supplying a processing liquid from a processing liquid supply unit to an area outside the lower surface of the substrate rotating by the substrate holding unit, and supplying the processing liquid from the processing liquid supply unit to a second substrate holding unit after a predetermined time has elapsed. The method may further include a step of stopping the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit while maintaining the rotation of the substrate by the processing liquid.
이 경우, 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 더욱 적절히 회수할 수 있다.In this case, in a state in which the substrate is held at the second height position by the second substrate holder and rotated, the processing liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to more appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(9) 기판 세정 방법은, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 기판을 유지하는 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와, 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 기판의 하면 외측 영역에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 제2 기판 유지부에 의한 기판의 회전을 유지하면서 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함해도 된다.(9) The substrate cleaning method includes, when it is determined that the substrate is at the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, rotating a second substrate holder holding the substrate; A step of supplying a processing liquid to an area outside the lower surface of the substrate by a processing liquid supply unit, and processing while maintaining rotation of the substrate by a second substrate holding unit after a predetermined time has elapsed since the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit has started. A step of stopping the supply of the treatment liquid by the liquid supply unit may be further included.
이 구성에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제2 기판 유지부에 의해 흡착 유지되어 있는 경우, 기판이 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this configuration, when the substrate is adsorbed and held by the second substrate holder when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, processing is performed on the area outside the lower surface of the substrate in a rotated state while being held by the second substrate holder. A liquid is supplied by a treatment liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
(10) 기판 세정 방법은, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 기판 반송부에 의해 제2 높이 위치로 기판을 반송하는 단계와, 기판을 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지하는 단계와, 기판을 유지하는 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와, 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 기판의 하면 외측 영역에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 제2 기판 유지부에 의한 기판의 회전을 유지하면서 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함해도 된다.(10) The substrate cleaning method includes, when it is determined that the substrate is between a first height position and a second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, conveying the substrate to the second height position by a substrate transport unit; A step of holding the substrate at a second height position by a second substrate holding part, a step of rotating the second substrate holding part holding the substrate, and a processing liquid in a region outside the lower surface of the substrate rotated by the second substrate holding part. supplying the processing liquid by the supply unit, and supplying the processing liquid by the processing liquid supply unit while maintaining rotation of the substrate by the second substrate holding unit after a predetermined time has elapsed since the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit has started. It may further include the step of stopping.
이 구성에 의하면, 기판 세정 장치의 이상 발생시에 기판이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있는 경우, 기판이 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 기판 반송부에 의해 제2 높이 위치로 반송된다. 그 후, 기판이 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판의 하면 외측 영역에 처리액이 처리액 공급부에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판의 회전이 유지되므로, 기판 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치로부터 기판이 반출되는 경우에도, 기판을 반출하는 기구에 액체 성분이 부착되는 일이 없다. 이에 의해, 이상 발생시에 기판 세정 장치로부터 기판을 적절히 회수할 수 있다.According to this configuration, when the substrate is between the first height position and the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the substrate is conveyed to the second height position by the substrate transport unit so that the substrate is held by the second substrate holding unit. do. Thereafter, in a state in which the substrate is held at the second height position by the second substrate holder and rotated, the processing liquid is supplied to the outer region of the lower surface of the substrate by the processing liquid supply unit. Therefore, even when a foreign substance adheres to the region outside the lower surface of the substrate, the foreign substance is removed from the substrate. In addition, since the rotation of the substrate is maintained after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished, the entire substrate is dried. Therefore, even when the substrate is unloaded from the substrate cleaning device, no liquid component adheres to the mechanism for unloading the substrate. This makes it possible to appropriately recover the substrate from the substrate cleaning device when an abnormality occurs.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 세정 장치의 모식적 평면도,
도 2는, 도 1의 기판 세정 장치의 내부 구성을 나타내는 외관 사시도,
도 3은, 기판 세정 장치의 제어 계통의 구성을 나타내는 블럭도,
도 4는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 5는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 6은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 7은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 8은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 9는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 10은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 11은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 12는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 13은, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 14는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 15는, 도 1의 기판 세정 장치의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도,
도 16은, 도 3의 제어 장치에 의한 기판 회수 처리를 나타내는 플로차트,
도 17은, 도 3의 제어 장치에 의한 기판 회수 처리를 나타내는 플로차트이다.1 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is an external perspective view showing the internal configuration of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
3 is a block diagram showing the configuration of a control system of the substrate cleaning apparatus;
4 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
5 is a schematic diagram for explaining a normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
6 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
7 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
8 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
9 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
10 is a schematic diagram for explaining a normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
11 is a schematic diagram for explaining a normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
12 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
13 is a schematic diagram for explaining a normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
14 is a schematic diagram for explaining the normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
15 is a schematic diagram for explaining a normal operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;
Fig. 16 is a flow chart showing a substrate recovery process by the control device of Fig. 3;
FIG. 17 is a flowchart showing a substrate recovery process performed by the control device in FIG. 3 .
이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판(웨이퍼), 액정 표시 장치 혹은 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판의 상면이 회로 형성면(표면)이고, 기판의 하면이 회로 형성면과 반대측의 면(이면)이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판은, 노치를 제외하고 원형상을 갖는다.Hereinafter, a substrate cleaning device and a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention will be described using drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate (wafer), a substrate for FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for optical disks, a substrate for magnetic disks, and a magneto-optical disk. A substrate for a photomask, a substrate for a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In this embodiment, the upper surface of the substrate is the circuit formation surface (surface), and the lower surface of the substrate is the surface opposite to the circuit formation surface (back surface). In this embodiment, the substrate has a circular shape except for the notch.
(1) 기판 처리 장치의 구성(1) Configuration of substrate processing apparatus
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 세정 장치의 모식적 평면도이다. 도 2는, 도 1의 기판 세정 장치(1)의 내부 구성을 나타내는 외관 사시도이다. 본 실시 형태에 따른 기판 세정 장치(1)에 있어서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 정의한다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도면에서는, X방향, Y방향 및 Z방향이 적절히 화살표로 나타내어진다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.1 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an external perspective view showing the internal configuration of the
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 세정 장치(1)는, 상측 유지 장치(10A, 10B), 하측 유지 장치(20), 대좌(臺座) 장치(30), 수도(受渡) 장치(40), 하면 세정 장치(50), 컵 장치(60), 상면 세정 장치(70), 단부 세정 장치(80) 및 개폐 장치(90)를 구비한다. 이들 구성 요소는, 유닛 하우징(2) 내에 설치된다. 도 2에서는, 유닛 하우징(2)이 점선으로 나타내어진다.As shown in FIG. 1 , the
유닛 하우징(2)은, 직사각형의 저면부(2a)와, 저면부(2a)의 4변으로부터 상방으로 연장되는 4개의 측벽부(2b, 2c, 2d, 2e)를 갖는다. 측벽부(2b, 2c)가 서로 대향하고, 측벽부(2d, 2e)가 서로 대향한다. 측벽부(2b)의 중앙부에는, 직사각형의 개구가 형성되어 있다. 이 개구는, 기판(W)의 반입 반출구(2x)이며, 유닛 하우징(2)에 대한 기판(W)의 반입시 및 반출시에 이용된다. 도 2에서는, 반입 반출구(2x)가 굵은 점선으로 나타내어진다. 이하의 설명에 있어서는, Y방향 중 유닛 하우징(2)의 내부로부터 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2)의 바깥쪽을 향하는 방향(측벽부(2c)로부터 측벽부(2b)를 향하는 방향)을 전방이라고 부르고, 그 반대의 방향(측벽부(2b)로부터 측벽부(2c)를 향하는 방향)을 후방이라고 부른다.The
측벽부(2b)에 있어서의 반입 반출구(2x)의 형성 부분 및 그 근방의 영역에는, 개폐 장치(90)가 설치되어 있다. 개폐 장치(90)는, 반입 반출구(2x)를 개폐 가능하게 구성된 셔터(91)와, 셔터(91)를 구동하는 셔터 구동부(92)를 포함한다. 도 2에서는, 셔터(91)가 굵은 이점 쇄선으로 나타내어진다. 셔터 구동부(92)는, 기판 세정 장치(1)에 대한 기판(W)의 반입시 및 반출시에 반입 반출구(2x)를 개방하도록 셔터(91)를 구동한다. 또한, 셔터 구동부(92)는, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 기판(W)의 세정시에 반입 반출구(2x)를 폐색하도록 셔터(91)를 구동한다.An opening/
저면부(2a)의 중앙부에는, 대좌 장치(30)가 설치되어 있다. 대좌 장치(30)는, 리니어 가이드(31), 가동 대좌(32) 및 대좌 구동부(33)를 포함한다. 리니어 가이드(31)는, 2개의 레일을 포함하고, 평면에서 볼 때 측벽부(2b)의 근방으로부터 측벽부(2c)의 근방까지 Y방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 가동 대좌(32)는, 리니어 가이드(31)의 2개의 레일 상에서 Y방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 대좌 구동부(33)는, 예를 들면 펄스 모터를 포함하고, 리니어 가이드(31) 상에서 가동 대좌(32)를 Y방향으로 이동시킨다.A
가동 대좌(32) 상에는, 하측 유지 장치(20) 및 하면 세정 장치(50)가 Y방향으로 나열되도록 설치되어 있다. 하측 유지 장치(20)는, 흡착 유지부(21) 및 흡착 유지 구동부(22)를 포함한다. 흡착 유지부(21)는, 이른바 스핀 척이며, 기판(W)의 하면을 흡착 유지 가능한 원형의 흡착면을 갖고, 상하 방향으로 연장되는 축(Z방향의 축)의 둘레로 회전 가능하게 구성된다. 이하의 설명에서는, 흡착 유지부(21)에 의해 기판(W)이 흡착 유지될 때에, 기판(W)의 하면 중 흡착 유지부(21)의 흡착면이 흡착해야 할 영역을 하면 중앙 영역이라고 부른다. 한편, 기판(W)의 하면 중 하면 중앙 영역을 둘러싸는 영역을 하면 외측 영역이라고 부른다.On the
흡착 유지 구동부(22)는 모터를 포함한다. 흡착 유지 구동부(22)의 모터는, 회전축이 상방을 향해 돌출하도록 가동 대좌(32) 상에 설치되어 있다. 흡착 유지부(21)는, 흡착 유지 구동부(22)의 회전축의 상단부에 부착된다. 또한, 흡착 유지 구동부(22)의 회전축에는, 흡착 유지부(21)에서 기판(W)을 흡착 유지하기 위한 흡인 경로가 형성되어 있다. 그 흡인 경로는, 도시하지 않는 흡기 장치에 접속되어 있다. 흡착 유지 구동부(22)는, 흡착 유지부(21)를 상기의 회전축의 둘레로 회전시킨다.The suction
가동 대좌(32) 상에는, 하측 유지 장치(20)의 근방에 추가로 수도 장치(40)가 설치되어 있다. 수도 장치(40)는, 복수(본 예에서는 3개)의 지지 핀(41), 핀 연결 부재(42) 및 핀 승강 구동부(43)를 포함한다. 핀 연결 부재(42)는, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)를 둘러싸도록 형성되며, 복수의 지지 핀(41)을 연결한다. 복수의 지지 핀(41)은, 핀 연결 부재(42)에 의해 서로 연결된 상태로, 핀 연결 부재(42)로부터 일정 길이 상방으로 연장된다. 핀 승강 구동부(43)는, 가동 대좌(32) 상에서 핀 연결 부재(42)를 승강시킨다. 이에 의해, 복수의 지지 핀(41)이 흡착 유지부(21)에 대하여 상대적으로 승강한다.On the
하면 세정 장치(50)는, 하면 브러시(51), 2개의 액 노즐(52), 기체 분출부(53), 승강 지지부(54), 이동 지지부(55), 하면 브러시 회전 구동부(55a), 하면 브러시 승강 구동부(55b) 및 하면 브러시 이동 구동부(55c)를 포함한다. 이동 지지부(55)는, 가동 대좌(32) 상의 일정 영역 내에서 하측 유지 장치(20)에 대하여 Y방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 이동 지지부(55) 상에, 승강 지지부(54)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 지지부(54)는, 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향(본 예에서는 후방)에 있어서 비스듬히 하방으로 경사진 상면(54u)을 갖는다.The lower
도 1에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)는, 기판(W)의 하면에 접촉 가능한 원형의 세정면을 갖는다. 또한, 하면 브러시(51)는, 세정면이 상방을 향하도록 또한 세정면이 당해 세정면의 중심을 지나 상하 방향으로 연장되는 축의 둘레로 회전 가능해지도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u)에 부착되어 있다. 하면 브러시(51)의 세정면의 면적은, 흡착 유지부(21)의 흡착면의 면적보다 크다.As shown in FIG. 1 , the
2개의 액 노즐(52)의 각각은, 하면 브러시(51)의 근방에 위치하고 또한 액체 토출구가 상방을 향하도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u) 상에 부착되어 있다. 액 노즐(52)에는, 하면 세정액 공급부(56)(도 3)가 접속되어 있다. 하면 세정액 공급부(56)는, 액 노즐(52)에 세정액을 공급한다. 액 노즐(52)은, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시에, 하면 세정액 공급부(56)로부터 공급되는 세정액을 기판(W)의 하면에 토출한다. 본 실시 형태에서는, 액 노즐(52)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용된다.Each of the two
기체 분출부(53)는, 일방향으로 연장되는 기체 분출구를 갖는 슬릿 형상의 기체 분사 노즐이다. 기체 분출부(53)는, 평면에서 볼 때 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21)의 사이에 위치하고 또한 기체 분사구가 상방을 향하도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u)에 부착되어 있다. 기체 분출부(53)에는, 분출 기체 공급부(57)(도 3)가 접속되어 있다. 분출 기체 공급부(57)는, 기체 분출부(53)에 기체를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 기체 분출부(53)에 공급되는 기체로서 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다. 기체 분출부(53)는, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시 및 후술하는 기판(W)의 하면의 건조시에, 분출 기체 공급부(57)로부터 공급되는 기체를 기판(W)의 하면에 분사한다. 이 경우, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21)의 사이에, X방향으로 연장되는 띠형상의 기체 커튼이 형성된다.The
하면 브러시 회전 구동부(55a)는, 모터를 포함하고, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시에 하면 브러시(51)를 회전시킨다. 하면 브러시 승강 구동부(55b)는, 스테핑 모터 또는 에어 실린더를 포함하고, 이동 지지부(55)에 대하여 승강 지지부(54)를 승강시킨다. 하면 브러시 이동 구동부(55c)는, 모터를 포함하고, 가동 대좌(32) 상에서 이동 지지부(55)를 Y방향으로 이동시킨다. 여기서, 가동 대좌(32)에 있어서의 하측 유지 장치(20)의 위치는 고정되어 있다. 그 때문에, 하면 브러시 이동 구동부(55c)에 의한 이동 지지부(55)의 Y방향의 이동시에는, 이동 지지부(55)가 하측 유지 장치(20)에 대하여 상대적으로 이동한다. 이하의 설명에서는, 가동 대좌(32) 상에서 하측 유지 장치(20)에 가장 가까워질 때의 하면 세정 장치(50)의 위치를 접근 위치라고 부르고, 가동 대좌(32) 상에서 하측 유지 장치(20)로부터 가장 멀어졌을 때의 하면 세정 장치(50)의 위치를 이격 위치라고 부른다.The lower brush
저면부(2a)의 중앙부에는, 추가로 컵 장치(60)가 설치되어 있다. 컵 장치(60)는, 컵(61) 및 컵 구동부(62)를 포함한다. 컵(61)은, 평면에서 볼 때 하측 유지 장치(20) 및 대좌 장치(30)를 둘러싸도록 또한 승강 가능하게 설치되어 있다. 도 2에서는, 컵(61)이 점선으로 나타내어진다. 컵 구동부(62)는, 하면 브러시(51)가 기판(W)의 하면에 있어서의 어느 부분을 세정하는지에 따라 컵(61)을 하부 컵 위치와 상부 컵 위치 사이에서 이동시킨다. 하부 컵 위치는 컵(61)의 상단부가 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)보다 하방에 있는 높이 위치이다. 또한, 상부 컵 위치는 컵(61)의 상단부가 흡착 유지부(21)보다 상방에 있는 높이 위치이다.A
컵(61)보다 상방의 높이 위치에는, 평면에서 볼 때 대좌 장치(30)를 사이에 끼고 대향하도록 한 쌍의 상측 유지 장치(10A, 10B)가 설치되어 있다. 상측 유지 장치(10A)는, 하부 척(11A), 상부 척(12A), 하부 척 구동부(13A) 및 상부 척 구동부(14A)를 포함한다. 상측 유지 장치(10B)는, 하부 척(11B), 상부 척(12B), 하부 척 구동부(13B) 및 상부 척 구동부(14B)를 포함한다.At a height position above the
하부 척(11A, 11B)은, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심을 지나 Y방향(전후 방향)으로 연장되는 연직면에 관하여 대칭으로 배치되고, 공통의 수평면 내에서 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 하부 척(11A, 11B)의 각각은, 기판(W)의 하면 주연부를 기판(W)의 하방으로부터 지지 가능한 2개의 지지편을 갖는다. 하부 척 구동부(13A, 13B)는, 하부 척(11A, 11B)이 서로 가까워지도록, 또는 하부 척(11A, 11B)이 서로 멀어지도록, 하부 척(11A, 11B)을 이동시킨다.The
상부 척(12A, 12B)은, 하부 척(11A, 11B)과 마찬가지로, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심을 지나 Y방향(전후 방향)으로 연장되는 연직면에 관하여 대칭으로 배치되고, 공통의 수평면 내에서 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 상부 척(12A, 12B)의 각각은, 기판(W)의 외주 단부의 두 부분에 맞닿아 기판(W)의 외주 단부를 유지 가능하게 구성된 2개의 유지편을 갖는다. 상부 척 구동부(14A, 14B)는, 상부 척(12A, 12B)이 서로 가까워지도록, 또는 상부 척(12A, 12B)이 서로 멀어지도록, 상부 척(12A, 12B)을 이동시킨다.The
유닛 하우징(2) 내에는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 기판(W)이 유지되어 있는지의 여부를 검출하는 센서 장치(15)가 설치된다. 본 예에서는, 센서 장치(15)는 상측 유지 장치(10A)에 부착되지만, 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 센서 장치(15)는, 상측 유지 장치(10B)에 부착되어도 되고, 상측 유지 장치(10A, 10B) 모두에 부착되어도 되고, 상측 유지 장치(10A, 10B)와는 별개로 배치되어도 된다.In the
센서 장치(15)는, 예를 들면 투광부와 수광부를 포함하는 비접촉식 센서이다. 투광부는 광을 출사하고, 수광부는 투광부로부터 출사된 광을 수광한 경우에 수광 신호를 출력한다. 투광부와 수광부는, 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있을 때, 기판(W)을 사이에 끼고 서로 대향하도록 배치된다. 이 배치에 있어서는, 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있지 않을 때, 센서 장치(15)로부터 수광 신호가 출력된다. 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있을 때, 센서 장치(15)로부터 수광 신호가 출력되지 않는다.The
또한, 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있을 때, 투광부에 의해 출사되고 또한 기판(W)에 의해 반사된 광이 수광부에 의해 수광되도록 투광부와 수광부가 배치되어도 된다. 이 배치에 있어서는, 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있을 때, 센서 장치(15)로부터 수광 신호가 출력된다. 상측 유지 장치(10A, 10B)가 기판(W)을 유지하고 있지 않을 때, 센서 장치(15)로부터 수광 신호가 출력되지 않는다. 또한, 센서 장치(15)는, 비접촉식 센서가 아니라, 물리적 접촉에 의해 기판(W)을 검출하는 접촉식 센서여도 된다.Further, even if the light transmitting unit and the light receiving unit are arranged such that light emitted by the light transmitting unit and reflected by the substrate W is received by the light receiving unit when the
도 1에 도시하는 바와 같이, 컵(61)의 일측방에 있어서는, 평면에서 볼 때 상측 유지 장치(10B)의 근방에 위치하도록, 상면 세정 장치(70)가 설치되어 있다. 상면 세정 장치(70)는, 회전 지지축(71), 아암(72), 스프레이 노즐(73) 및 상면 세정 구동부(74)를 포함한다.As shown in Fig. 1, on one side of the
회전 지지축(71)은, 저면부(2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 또한 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 상면 세정 구동부(74)에 의해 지지된다. 아암(72)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 유지 장치(10B)보다 상방의 위치에서, 회전 지지축(71)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암(72)의 선단부에는, 스프레이 노즐(73)이 부착되어 있다.The
스프레이 노즐(73)에는, 상면 세정 유체 공급부(75)(도 3)가 접속된다. 상면 세정 유체 공급부(75)는, 스프레이 노즐(73)에 세정액 및 기체를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 스프레이 노즐(73)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용되고, 스프레이 노즐(73)에 공급되는 기체로서 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다. 스프레이 노즐(73)은, 기판(W)의 상면의 세정시에, 상면 세정 유체 공급부(75)로부터 공급되는 세정액과 기체를 혼합하여 혼합 유체를 생성하고, 생성된 혼합 유체를 하방으로 분사한다.To the
상면 세정 구동부(74)는, 하나 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축(71)을 승강시킴과 더불어, 회전 지지축(71)을 회전시킨다. 상기의 구성에 의하면, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 상면 상에서, 스프레이 노즐(73)을 원호 형상으로 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면 전체를 세정할 수 있다.The upper surface cleaning
도 1에 도시하는 바와 같이, 컵(61)의 타측방에 있어서는, 평면에서 볼 때 상측 유지 장치(10A)의 근방에 위치하도록, 단부 세정 장치(80)가 설치되어 있다. 단부 세정 장치(80)는, 회전 지지축(81), 아암(82), 베벨 브러시(83) 및 베벨 브러시 구동부(84)를 포함한다.As shown in Fig. 1, on the other side of the
회전 지지축(81)은, 저면부(2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 또한 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 베벨 브러시 구동부(84)에 의해 지지된다. 아암(82)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 유지 장치(10A)보다 상방의 위치에서, 회전 지지축(81)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암(82)의 선단부에는, 하방을 향해 돌출하도록 또한 상하 방향의 축의 둘레로 회전 가능해지도록 베벨 브러시(83)가 설치되어 있다.The
베벨 브러시(83)는, 상반부가 역원뿔대 형상을 가짐과 더불어 하반부가 원뿔대 형상을 갖는다. 이 베벨 브러시(83)에 의하면, 외주면의 상하 방향에 있어서의 중앙 부분에서 기판(W)의 외주 단부를 세정할 수 있다.The
베벨 브러시 구동부(84)는, 하나 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축(81)을 승강시킴과 더불어, 회전 지지축(81)을 회전시킨다. 상기의 구성에 의하면, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 외주 단부에 베벨 브러시(83)의 외주면의 중앙 부분을 접촉시킴으로써, 기판(W)의 외주 단부 전체를 세정할 수 있다.The bevel
여기서, 베벨 브러시 구동부(84)는, 또한 아암(82)에 내장되는 모터를 포함한다. 그 모터는, 아암(82)의 선단부에 설치되는 베벨 브러시(83)를 상하 방향의 축의 둘레로 회전시킨다. 따라서, 기판(W)의 외주 단부의 세정시에, 베벨 브러시(83)가 회전함으로써, 기판(W)의 외주 단부에 있어서의 베벨 브러시(83)의 세정력이 향상한다.Here, the bevel
도 3은, 기판 세정 장치(1)의 제어 계통의 구성을 나타내는 블럭도이다. 도 3의 제어 장치(9)는, CPU(중앙 연산 처리 장치), RAM(랜덤 액세스 메모리), ROM(리드 온리 메모리) 및 기억 장치를 포함한다. RAM은, CPU의 작업 영역으로서 이용된다. ROM은, 시스템 프로그램을 기억한다. 기억 장치는, CPU에 후술하는 통상 동작을 실행시키기 위한 기판 세정 프로그램을 기억한다. 기판 세정 프로그램은, CPU에 후술하는 회수 동작을 실행시키기 위한 기판 회수 프로그램을 포함한다.3 is a block diagram showing the configuration of the control system of the
도 3에 도시하는 바와 같이, 제어 장치(9)는, 기능부로서, 척 제어부(9A), 흡착 제어부(9B), 대좌 제어부(9C), 수도 제어부(9D), 하면 세정 제어부(9E), 컵 제어부(9F), 상면 세정 제어부(9G), 베벨 세정 제어부(9H), 반입 반출 제어부(9I) 및 기판 위치 판정부(9J)를 포함한다. CPU가 기억 장치에 기억된 기판 세정 프로그램을 RAM 상에서 실행함으로써 제어 장치(9)의 기능부가 실현된다. 제어 장치(9)의 기능부의 일부 또는 전부가 전자 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.As shown in FIG. 3 , the
척 제어부(9A)는, 기판 세정 장치(1)에 반입되는 기판(W)을 수취하고, 제1 높이 위치에서 유지하기 위해서, 하부 척 구동부(13A, 13B) 및 상부 척 구동부(14A, 14B)를 제어한다. 흡착 제어부(9B)는, 제1 높이 위치의 하방의 제2 높이 위치에서 흡착 유지부(21)에 의해 기판(W)을 흡착 유지함과 더불어 흡착 유지된 기판(W)을 회전시키기 위해서, 흡착 유지 구동부(22)를 제어한다. 흡착 유지 구동부(22)는, 기판(W)이 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 있을 때, 기판(W)이 흡착 유지되어 있는 것을 나타내는 흡착 신호를 출력한다.The
대좌 제어부(9C)는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지되는 기판(W)에 대하여 가동 대좌(32)를 이동시키기 위해서, 대좌 구동부(33)를 제어한다. 수도 제어부(9D)는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지되는 기판(W)의 제1 높이 위치와, 흡착 유지부(21)에 의해 유지되는 기판(W)의 제2 높이 위치 사이에서 기판(W)을 이동시키기 위해서, 핀 승강 구동부(43)를 제어한다.The
하면 세정 제어부(9E)는, 기판(W)의 하면을 세정하기 위해서, 하면 브러시 회전 구동부(55a), 하면 브러시 승강 구동부(55b), 하면 브러시 이동 구동부(55c), 하면 세정액 공급부(56) 및 분출 기체 공급부(57)를 제어한다. 컵 제어부(9F)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 세정시에 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 컵(61)으로 받아내기 위해서, 컵 구동부(62)를 제어한다.In order to clean the lower surface of the substrate W, the lower surface
상면 세정 제어부(9G)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 상면을 세정하기 위해서, 상면 세정 구동부(74) 및 상면 세정 유체 공급부(75)를 제어한다. 베벨 세정 제어부(9H)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 외주 단부를 세정하기 위해서, 베벨 브러시 구동부(84)를 제어한다. 반입 반출 제어부(9I)는, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 기판(W)의 반입시 및 반출시에 유닛 하우징(2)의 반입 반출구(2x)를 개폐하기 위해서, 셔터 구동부(92)를 제어한다.The upper surface cleaning
기판 위치 판정부(9J)는, 센서 장치(15)로부터 출력되는 수광 신호 및 흡착 유지 구동부(22)로부터 출력되는 흡착 신호에 의거하여 기판(W)의 위치를 판정한다. 본 예에서는, 센서 장치(15)로부터 수광 신호가 출력되지 않는 경우, 기판(W)은 제1 높이 위치에 있다고 판정된다. 흡착 유지 구동부(22)로부터 흡착 신호가 출력되는 경우, 기판(W)은 제2 높이 위치에 있다고 판정된다. 기판(W)이 제1 및 제2 높이 위치 중 어느 쪽에도 있다고 판정되지 않는 경우, 기판(W)은 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된다.The substrate position determining unit 9J determines the position of the substrate W based on the light receiving signal output from the
(2) 기판 세정 장치의 통상 동작(2) Normal operation of the substrate cleaning device
도 4~도 15는, 도 1의 기판 세정 장치(1)의 통상 동작을 설명하기 위한 모식도이다. 도 4~도 15의 각각에 있어서는, 상단에 기판 세정 장치(1)의 평면도가 나타내어진다. 또한, 중단에 Y방향을 따라 본 하측 유지 장치(20) 및 그 주변부의 측면도가 나타내어지고, 하단에 X방향을 따라 본 하측 유지 장치(20) 및 그 주변부의 측면도가 나타내어진다. 중단의 측면도는 도 1의 A-A선 측면도에 대응하고, 하단의 측면도는 도 1의 B-B선 측면도에 대응한다. 또한, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 각 구성 요소의 형상 및 동작 상태의 이해를 용이하게 하기 위해서, 상단의 평면도와 중단 및 하단의 측면도의 사이에서는, 일부의 구성 요소의 확축률(擴縮率)이 상이하다. 또한, 도 4~도 15에서는, 컵(61)이 이점 쇄선으로 나타내어짐과 더불어, 기판(W)의 외형이 굵은 일점 쇄선으로 나타내어진다.4 to 15 are schematic diagrams for explaining the normal operation of the
기판 세정 장치(1)에 기판(W)이 반입되기 전의 초기 상태에서는, 개폐 장치(90)의 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 폐색하고 있다. 또한, 도 1에 도시되는 바와 같이, 하부 척(11A, 11B)은, 서로의 거리가 기판(W)의 직경보다 충분히 커지는 상태로 유지되어 있다. 또한, 상부 척(12A, 12B)도, 서로의 거리가 기판(W)의 직경보다 충분히 커지는 상태로 유지되어 있다. 또한, 대좌 장치(30)의 가동 대좌(32)는, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심이 컵(61)의 중심에 위치하도록 배치되어 있다. 또한, 가동 대좌(32) 상에서 하면 세정 장치(50)는, 접근 위치에 배치되어 있다. 또한, 하면 세정 장치(50)의 승강 지지부(54)는, 하면 브러시(51)의 세정면(상단부)이 흡착 유지부(21)보다 하방에 위치하는 상태에 있다. 또한, 수도 장치(40)에 있어서는, 복수의 지지 핀(41)이 흡착 유지부(21)보다 하방에 위치하는 상태에 있다. 또한, 컵 장치(60)에 있어서는, 컵(61)은 하부 컵 위치에 있다. 이하의 설명에서는, 평면에서 볼 때의 컵(61)의 중심 위치를 평면 기준 위치(rp)라고 부른다. 또한, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심이 평면 기준 위치(rp)에 있을 때의 저면부(2a) 상의 가동 대좌(32)의 위치를 제1 수평 위치라고 부른다.In the initial state before the substrate W is loaded into the
기판 세정 장치(1)의 유닛 하우징(2) 내에 기판(W)이 반입된다. 구체적으로는, 기판(W)의 반입 직전에 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 개방한다. 그 후, 도 4에 굵은 실선의 화살표 a1로 나타내는 바와 같이, 도시하지 않는 기판 반송 로봇의 핸드(기판 유지부)(RH)가 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2) 내의 대략 중앙의 위치에 기판(W)을 반입한다. 이때, 핸드(RH)에 의해 유지되는 기판(W)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 하부 척(11A) 및 상부 척(12A)과 하부 척(11B) 및 상부 척(12B)의 사이에 위치한다.A substrate W is loaded into the
다음에, 도 5에 굵은 실선의 화살표 a2로 나타내는 바와 같이, 하부 척(11A, 11B)의 복수의 지지편이 기판(W)의 하면 주연부의 하방에 위치하도록, 하부 척(11A, 11B)이 서로 가까워진다. 이 상태에서, 핸드(RH)가 하강하고, 반입 반출구(2x)로부터 퇴출한다. 그에 의해, 핸드(RH)에 유지된 기판(W)의 하면 주연부의 복수의 부분이, 하부 척(11A, 11B)의 복수의 지지편에 의해 지지된다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)는 반입 반출구(2x)를 폐색한다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a2 in FIG. 5 , the
다음에, 도 6에 굵은 실선의 화살표 a3으로 나타내는 바와 같이, 상부 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부에 맞닿도록, 상부 척(12A, 12B)이 서로 가까워진다. 상부 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부의 복수의 부분에 맞닿음으로써, 하부 척(11A, 11B)에 의해 지지된 기판(W)이 상부 척(12A, 12B)에 의해 더욱 유지된다. 또한, 도 6에 굵은 실선의 화살표 a4로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 평면 기준 위치(rp)로부터 소정 거리 벗어남과 더불어 하면 브러시(51)의 중심이 평면 기준 위치(rp)에 위치하도록, 가동 대좌(32)가 제1 수평 위치로부터 전방으로 이동한다. 이때, 저면부(2a) 상에 위치하는 가동 대좌(32)의 위치를 제2 수평 위치라고 부른다.Next, as indicated by the thick solid arrow a3 in FIG. 6 , the
다음에, 도 7에 굵은 실선의 화살표 a5로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 제1 높이 위치에서 기판(W)의 하면 중앙 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 또한, 도 7에 굵은 실선의 화살표 a6으로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 상하 방향의 축의 둘레로 회전(자전)한다. 그에 의해, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 부착되는 오염 물질이 하면 브러시(51)에 의해 물리적으로 박리된다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a5 in FIG. 7 , the elevating
도 7의 하단에는, 하면 브러시(51)가 기판(W)의 하면에 접촉하는 부분의 확대 측면도가 확대도 내에 나타내어진다. 그 말풍선 내에 나타내어지는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 기판(W)에 접촉하는 상태에서, 액 노즐(52) 및 기체 분출부(53)는, 기판(W)의 하면에 근접하는 위치에 유지된다. 이때, 액 노즐(52)은, 흰 화살표 a51로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51) 근방의 위치에서 기판(W)의 하면을 향해 세정액을 토출한다. 이에 의해, 액 노즐(52)로부터 기판(W)의 하면에 공급된 세정액이 하면 브러시(51)와 기판(W)의 접촉부로 인도됨으로써, 하면 브러시(51)에 의해 기판(W)의 이면으로부터 제거된 오염 물질이 세정액에 의해 씻어 내어진다. 이와 같이, 하면 세정 장치(50)에 있어서는, 액 노즐(52)이 하면 브러시(51)와 함께 승강 지지부(54)에 부착되어 있다. 그에 의해, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정 부분에 효율적으로 세정액을 공급할 수 있다. 따라서, 세정액의 소비량이 저감됨과 더불어 세정액의 과잉의 비산이 억제된다.At the bottom of FIG. 7 , an enlarged side view of a portion where the
여기서, 승강 지지부(54)의 상면(54u)은, 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향에 있어서 비스듬히 하방으로 경사져 있다. 이 경우, 기판(W)의 하면으로부터 오염 물질을 포함한 세정액이 승강 지지부(54) 상에 낙하할 경우에, 상면(54u)에 의해 받아내어진 세정액이 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향으로 인도된다.Here, the
또한, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에는, 기체 분출부(53)가, 도 7의 확대도 내에 흰 화살표 a52로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이의 위치에서 기판(W)의 하면을 향해 기체를 분사한다. 본 실시 형태에서는, 기체 분출부(53)는, 기체 분사구가 X방향으로 연장되도록 승강 지지부(54) 상에 부착되어 있다. 이 경우, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)의 하면에 기체가 분사될 때에는, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이에서 X방향으로 연장되는 띠형상의 기체 커튼이 형성된다. 그에 의해, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함한 세정액이 흡착 유지부(21)를 향해 비산하는 것이 방지된다. 따라서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함한 세정액이 흡착 유지부(21)에 부착되는 것이 방지되고, 흡착 유지부(21)의 흡착면이 청정하게 유지된다.In addition, when the lower surface of the substrate W is cleaned by the
또한, 도 7의 예에서는, 기체 분출부(53)는, 흰 화살표 a52로 나타내는 바와 같이, 기체 분출부(53)로부터 하면 브러시(51)를 향해 비스듬히 상방으로 기체를 분사하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 기체 분출부(53)는, 기체 분출부(53)로부터 하면 브러시(51)를 향해 Z방향을 따르도록 기체를 분사해도 된다.In the example of FIG. 7 , the
다음에, 도 7의 상태에서, 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 완료되면, 하면 브러시(51)의 회전이 정지되고, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한, 액 노즐(52)로부터 기판(W)에의 세정액의 토출이 정지된다. 이때, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)에의 기체의 분사는 계속된다.Next, in the state of FIG. 7 , when the cleaning of the central region of the lower surface of the substrate W is completed, the rotation of the
그 후, 도 8에 굵은 실선의 화살표 a7로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 평면 기준 위치(rp)에 위치하도록, 가동 대좌(32)가 후방으로 이동한다. 즉, 가동 대좌(32)는, 제2 수평 위치로부터 제1 수평 위치로 이동한다. 이때, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)에의 기체의 분사가 계속됨으로써, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 기체 커튼에 의해 순차적으로 건조된다.Then, as shown by the thick solid arrow a7 in FIG. 8 , the
다음에, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a8로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 흡착 유지부(21)의 흡착면(상단부)보다 하방에 위치하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a9로 나타내는 바와 같이, 상부 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부로부터 이격하도록, 상부 척(12A, 12B)이 서로 멀어진다. 이때, 기판(W)은, 하부 척(11A, 11B)에 의해 지지된 상태가 된다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a8 in FIG. 9 , the elevating
그 후, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a10으로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)의 상단부가 하부 척(11A, 11B)보다 약간 상방에 위치하도록, 핀 연결 부재(42)가 상승한다. 그에 의해, 하부 척(11A, 11B)에 의해 지지된 기판(W)이, 복수의 지지 핀(41)에 의해 수취된다.Then, as indicated by the thick solid arrow a10 in FIG. 9 , the
다음에, 도 10에 굵은 실선의 화살표 a11로 나타내는 바와 같이, 하부 척(11A, 11B)이 서로 멀어진다. 이때, 하부 척(11A, 11B)은, 평면에서 볼 때 복수의 지지 핀(41)에 의해 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는 위치까지 이동한다. 그에 의해, 상측 유지 장치(10A, 10B)는, 모두 초기 상태로 되돌아간다.Next, as indicated by the thick solid arrow a11 in Fig. 10, the
다음에, 도 11에 굵은 실선의 화살표 a12로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)의 상단부가 흡착 유지부(21)보다 하방에 위치하도록, 핀 연결 부재(42)가 하강한다. 그에 의해, 복수의 지지 핀(41) 상에 지지된 기판(W)이, 흡착 유지부(21)에 의해 수취된다. 이 상태에서, 흡착 유지부(21)는, 기판(W)의 하면 중앙 영역을 흡착 유지한다. 핀 연결 부재(42)의 하강과 동시 또는 핀 연결 부재(42)의 하강 완료 후, 도 11에 굵은 실선의 화살표 a13으로 나타내는 바와 같이, 컵(61)이 하부 컵 위치에서 상부 컵 위치까지 상승한다.Next, as indicated by the thick solid arrow a12 in FIG. 11 , the
다음에, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a14로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 상하 방향의 축(흡착 유지 구동부(22)의 회전축의 축심)의 둘레로 회전한다. 그에 의해, 흡착 유지부(21)에 흡착 유지된 기판(W)이 수평 자세로 회전한다.Next, as indicated by the thick solid arrow a14 in FIG. 12 , the
다음에, 상면 세정 장치(70)의 회전 지지축(71)이 회전하고, 하강한다. 그에 의해, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a15로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 기판(W)의 상방의 위치까지 이동하고, 스프레이 노즐(73)과 기판(W) 사이의 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 하강한다. 이 상태에서, 스프레이 노즐(73)은, 기판(W)의 상면에 세정액과 기체의 혼합 유체를 분사한다. 또한, 회전 지지축(71)이 회전한다. 그에 의해, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a16으로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 회전하는 기판(W)의 상방의 위치에서 이동한다. 기판(W)의 상면 전체에 혼합 유체가 분사됨으로써, 기판(W)의 상면 전체가 세정된다.Next, the
또한, 스프레이 노즐(73)에 의한 기판(W)의 상면의 세정시에는, 단부 세정 장치(80)의 회전 지지축(81)도 회전하고, 하강한다. 그에 의해, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a17로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시(83)가 기판(W)의 외주 단부의 상방의 위치까지 이동한다. 또한, 베벨 브러시(83)의 외주면의 중앙 부분이 기판(W)의 외주 단부에 접촉하도록 하강한다. 이 상태에서, 베벨 브러시(83)가 상하 방향의 축의 둘레로 회전(자전)한다. 그에 의해, 기판(W)의 외주 단부에 부착되는 오염 물질이 베벨 브러시(83)에 의해 물리적으로 박리된다. 기판(W)의 외주 단부로부터 박리된 오염 물질은, 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)에 분사되는 혼합 유체의 세정액에 의해 씻어 내어진다.Further, when the upper surface of the substrate W is cleaned by the
또한, 스프레이 노즐(73)에 의한 기판(W)의 상면의 세정시에는, 하면 브러시(51)의 세정면이 제2 높이 위치에서 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 또한, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a18로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 상하 방향의 축의 둘레로 회전(자전)한다. 또한, 액 노즐(52)은 기판(W)의 하면을 향해 세정액을 토출하고, 기체 분출부(53)는 기판(W)의 하면을 향해 기체를 분사한다. 이 상태에서, 또한 도 12에 굵은 실선의 화살표 a19로 나타내는 바와 같이, 이동 지지부(55)가 가동 대좌(32) 상에서 접근 위치와 이격 위치 사이를 진퇴 동작한다. 그에 의해, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 하면 외측 영역이 전체에 걸쳐 하면 브러시(51)에 의해 세정된다.In addition, when cleaning the upper surface of the substrate W by the
다음에, 기판(W)의 상면, 외주 단부 및 하면 외측 영역의 세정이 완료되면, 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)에의 혼합 유체의 분사가 정지된다. 또한, 도 13에 굵은 실선의 화살표 a20으로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 컵(61)의 일측방의 위치(초기 상태의 위치)까지 이동한다. 또한, 도 13에 굵은 실선의 화살표 a21로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시(83)가 컵(61)의 타측방의 위치(초기 상태의 위치)까지 이동한다. 또한, 하면 브러시(51)의 회전이 정지되고, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한, 액 노즐(52)로부터 기판(W)에의 세정액의 토출, 및 기체 분출부(53)로부터 기판(W)에의 기체의 분사가 정지된다. 이 상태에서, 흡착 유지부(21)가 고속으로 회전함으로써, 기판(W)에 부착되는 세정액이 떨쳐내어져, 기판(W) 전체가 건조된다.Next, when the cleaning of the upper surface, the outer circumferential end, and the outer area of the lower surface of the substrate W is completed, spraying of the mixed fluid from the
다음에, 도 14에 굵은 실선의 화살표 a22로 나타내는 바와 같이, 컵(61)이 상부 컵 위치에서 하부 컵 위치까지 하강한다. 또한, 새로운 기판(W)이 유닛 하우징(2) 내에 반입되는 것에 대비하여, 도 14에 굵은 실선의 화살표 a23으로 나타내는 바와 같이, 새로운 기판(W)을 지지 가능한 위치까지 하부 척(11A, 11B)이 서로 가까워진다.Next, as indicated by the thick solid arrow a22 in Fig. 14, the
마지막으로, 기판 세정 장치(1)의 유닛 하우징(2) 내로부터 기판(W)이 반출된다. 구체적으로는, 기판(W)의 반출 직전에 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 개방한다. 그 후, 도 15에 굵은 실선의 화살표 a24로 나타내는 바와 같이, 도시하지 않는 기판 반송 로봇의 핸드(기판 유지부)(RH)가 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2) 내에 진입한다. 계속해서, 핸드(RH)는, 흡착 유지부(21) 상의 기판(W)을 수취하고, 반입 반출구(2x)로부터 퇴출한다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)는 반입 반출구(2x)를 폐색한다.Finally, the substrate W is carried out from within the
(3) 기판 세정 장치의 회수 동작(3) Recovery operation of the substrate cleaning device
상기의 기판 세정 장치(1)의 통상 동작에 있어서, 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생한 경우, 통상 동작이 중지됨과 더불어, 기판 위치 판정부(9J)에 의해 기판(W)의 위치가 판정된다. 또한, 유닛 하우징(2)으로부터 기판(W)을 회수하기 위한 회수 동작이 실행된다. 기판 세정 장치(1)의 회수 동작은, 기판 위치 판정부(9J)에 의해 판정된 기판(W)의 위치에 따라 상이하다.In the normal operation of the
또한, 기판 세정 장치(1)에는, 도시하지 않는 1 이상의 누액 센서가 설치된다. 또한, 기판 세정 장치(1)에는, 모터 또는 실린더 등의 액츄에이터의 구동량을 검출하는 도시하지 않는 엔코더가 설치된다. 어느 하나의 누액 센서에 의해 누액이 검출된 경우, 또는 액츄에이터의 제어 구동값(예를 들면 펄스수)과 도시하지 않는 엔코더에 의해 검출된 액츄에이터의 구동량이 일치하지 않는 경우 등에, 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생했다고 판정된다.In addition, one or more liquid leakage sensors (not shown) are installed in the
기판 세정 장치(1)의 회수 동작에 있어서, 기판(W)이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판(W)은 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지되어 있음과 더불어, 가동 대좌(32)는 제2 수평 위치에 있다. 이 경우, 도 7에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 제1 높이 위치에서 기판(W)의 하면 중앙 영역에 접촉하도록 승강 지지부(54)가 상승함으로써, 액 노즐(52) 및 기체 분출부(53)가 기판(W)의 하면에 근접하는 위치에 유지된다.In the recovery operation of the
이 상태에서, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지된 기판(W)의 하면 중앙 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 세정된다. 여기서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 더 행해져도 된다. 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 기체가 기체 분출부(53)에 의해 공급된다. 다음에, 도 8에 도시하는 바와 같이, 가동 대좌(32)가 제1 수평 위치로 이동한다. 이때, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)에의 기체의 분사가 계속됨으로써, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 기체 커튼에 의해 순차적으로 건조된다.In this state, the processing liquid is supplied by the
그 후, 도 9 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한, 복수의 지지 핀(41)이 상승함으로써, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 지지된 기판(W)이 복수의 지지 핀(41)에 의해 수취된다. 다음에, 도 11에 도시하는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)이 하강함으로써, 복수의 지지 핀(41) 상에 지지된 기판(W)이 하측 유지 장치(20)에 의해 수취된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지된다. 또한, 컵(61)이 상부 컵 위치까지 상승한다.After that, as shown in FIGS. 9 and 10 , the elevating
계속해서, 도 12에 도시하는 바와 같이, 하측 유지 장치(20)에 의해 기판(W)이 회전된다. 또한, 하면 브러시(51)의 세정면이 제2 높이 위치에서 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 이 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정된다. 여기서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정이 더 행해져도 된다.Subsequently, as shown in FIG. 12 , the substrate W is rotated by the
소정 시간 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 유지되면서, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급이 정지된다. 이 경우, 기판(W)에 부착되는 세정액이 떨쳐내어짐으로써, 기판(W) 전체가 건조된다. 기판(W)의 건조 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한, 도 14에 도시하는 바와 같이, 컵(61)이 하부 컵 위치까지 하강한다.After a predetermined period of time, while the rotation of the substrate W by the
그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이, 반입 반출구(2x)가 개방됨으로써, 반입 반출구(2x)를 통해 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 의해 기판(W)이 유닛 하우징(2)으로부터 반출된다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)에 의해 반입 반출구(2x)가 폐색됨으로써, 기판 세정 장치(1)의 회수 동작이 종료된다.After that, as shown in FIG. 15 , when the loading/unloading
기판 세정 장치(1)의 회수 동작에 있어서, 기판(W)이 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 도 11에 도시하는 바와 같이, 기판(W)은 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되어 있음과 더불어, 가동 대좌(32)는 제1 수평 위치에 있다. 또한, 컵(61)은 상부 컵 위치에 있다. 이 경우, 도 12에 도시하는 바와 같이, 하측 유지 장치(20)에 의해 기판(W)이 회전된다. 또한, 하면 브러시(51)의 세정면이 제2 높이 위치에서 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 이 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정된다. 여기서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정이 더 행해져도 된다.In the recovery operation of the
소정 시간 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 유지되면서, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급이 정지된다. 이 경우, 기판(W)에 부착되는 세정액이 떨쳐내어짐으로써, 기판(W) 전체가 건조된다. 기판(W)의 건조 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한 도 14에 도시하는 바와 같이, 컵(61)이 하부 컵 위치까지 하강한다.After a predetermined period of time, while the rotation of the substrate W by the
그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이, 반입 반출구(2x)가 개방됨으로써, 반입 반출구(2x)를 통해 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 의해 기판(W)이 유닛 하우징(2)으로부터 반출된다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)에 의해 반입 반출구(2x)가 폐색됨으로써, 기판 세정 장치(1)의 회수 동작이 종료된다.After that, as shown in FIG. 15 , when the loading/unloading
기판 세정 장치(1)의 회수 동작에 있어서, 기판(W)이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 도 10에 도시하는 바와 같이, 기판(W)은 복수의 지지 핀(41)에 의해 유지되어 있음과 더불어, 가동 대좌(32)는 제1 수평 위치에 있다. 이 경우, 도 11에 도시하는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)이 하강함으로써, 복수의 지지 핀(41) 상에 지지된 기판(W)이 하측 유지 장치(20)에 의해 수취된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지된다. 또한, 컵(61)이 상부 컵 위치까지 상승한다.In the recovery operation of the
계속해서, 도 12에 도시하는 바와 같이, 하측 유지 장치(20)에 의해 기판(W)이 회전된다. 또한, 하면 브러시(51)의 세정면이 제2 높이 위치에서 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 이 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정된다. 여기서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정이 더 행해져도 된다.Subsequently, as shown in FIG. 12 , the substrate W is rotated by the
소정 시간 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 유지되면서, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급이 정지된다. 이 경우, 기판(W)에 부착되는 세정액이 떨쳐내어짐으로써, 기판(W) 전체가 건조된다. 기판(W)의 건조 후, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또한 도 14에 도시하는 바와 같이, 컵(61)이 하부 컵 위치까지 하강한다.After a predetermined period of time, while the rotation of the substrate W by the
그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이, 반입 반출구(2x)가 개방됨으로써, 반입 반출구(2x)를 통해 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 의해 기판(W)이 유닛 하우징(2)으로부터 반출된다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)에 의해 반입 반출구(2x)가 폐색됨으로써, 기판 세정 장치(1)의 회수 동작이 종료된다.After that, as shown in FIG. 15 , when the loading/unloading
(4) 기판 회수 처리(4) Substrate recovery process
도 16 및 도 17은, 도 3의 제어 장치(9)에 의한 기판 회수 처리를 나타내는 플로차트이다. 도 16 및 도 17의 기판 회수 처리는, 제어 장치(9)의 CPU가 기억 장치에 기억된 기판 회수 프로그램을 RAM 상에서 실행함으로써 행해진다. 기판 회수 처리는, 기판 세정 장치(1)에 도 4~도 15의 통상 동작을 실행시키는 기판 세정 처리와 병행하여 실행된다. 이하, 도 3의 제어 장치(9) 및 도 16 및 도 17의 플로차트를 이용하여 기판 회수 처리를 설명한다.16 and 17 are flowcharts showing a substrate recovery process by the
우선, 기판 위치 판정부(9J)는, 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다(단계 S1). 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생하지 않은 경우, 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생할 때까지 대기한다. 기판 세정 장치(1)에 이상이 발생한 경우, 기판 위치 판정부(9J)는, 기판(W)이 제1 높이 위치에 있는지의 여부를 판정한다(단계 S2). 이때, 기판 세정 처리는 정지된다. 기판(W)이 제1 높이 위치에 있는 경우, 하면 세정 제어부(9E)는, 하면 브러시(51)의 세정면이 제1 높이 위치에서 기판(W)의 하면 중앙 영역에 접촉하도록 승강 지지부(54)를 상승시킨다(단계 S3).First, the substrate position determination unit 9J determines whether an abnormality has occurred in the substrate cleaning apparatus 1 (step S1). When no abnormality occurs in the
다음에, 하면 세정 제어부(9E)는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지된 기판(W)의 하면 중앙 영역에 처리액을 액 노즐(52)에 의해 공급한다(단계 S4). 소정 시간 후, 하면 세정 제어부(9E)는, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급을 정지한다(단계 S5). 또한, 하면 세정 제어부(9E)는, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 기체를 기체 분출부(53)에 의해 공급한다(단계 S6).Next, the lower surface
계속해서, 대좌 제어부(9C)는, 가동 대좌(32)를 제1 수평 위치로 이동시킨다(단계 S7). 그 후, 하면 세정 제어부(9E)는, 기체 분출부(53)에 의한 기체의 공급을 정지한다(단계 S8). 또한, 하면 세정 제어부(9E)는, 승강 지지부(54)를 하강시킨다(단계 S9). 다음에, 수도 제어부(9D)는, 복수의 지지 핀(41)을 상승시킨 후, 하강시킴으로써 제1 높이 위치로부터 제2 높이 위치로 기판(W)을 반송한다(단계 S10).Subsequently, the
계속해서, 흡착 제어부(9B)는, 단계 S10에서 반송된 기판(W)을 하측 유지 장치(20)에 의해 유지한다(단계 S11). 또한, 컵 제어부(9F)는, 컵(61)을 상부 컵 위치까지 상승시킨다(단계 S12). 그 후, 흡착 제어부(9B)는, 하측 유지 장치(20)에 의해 기판(W)을 회전시킨다(단계 S13). 다음에, 하면 세정 제어부(9E)는, 하면 브러시(51)의 세정면이 제2 높이 위치에서 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록 승강 지지부(54)를 상승시킨다(단계 S14).Subsequently, the
계속해서, 하면 세정 제어부(9E)는, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액을 액 노즐(52)에 의해 공급한다(단계 S15). 소정 시간 후, 하면 세정 제어부(9E)는, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급을 정지한다(단계 S16). 이 경우, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W) 전체가 건조된다. 기판(W)의 건조 후, 하면 세정 제어부(9E)는, 하측 유지 장치(20)에 의한 기판(W)의 회전을 정지한다(단계 S17). 또한, 하면 세정 제어부(9E)는, 승강 지지부(54)를 하강시킨다(단계 S18). 또한, 컵 제어부(9F)는, 컵(61)을 하부 컵 위치까지 하강시킨다(단계 S19).Subsequently, the lower
그 후, 반입 반출 제어부(9I)는, 반입 반출구(2x)를 개방한다(단계 S20). 반입 반출구(2x)를 통해 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 의해 기판(W)이 유닛 하우징(2)으로부터 반출된 후, 반입 반출 제어부(9I)는, 셔터(91)에 의해 반입 반출구(2x)를 폐색한다(단계 S21).After that, the carry-in/out control unit 9I opens the carry-in/out
단계 S2에서 기판(W)이 제1 높이 위치에 없는 경우, 기판 위치 판정부(9J)는, 기판(W)이 제2 높이 위치에 있는지의 여부를 판정한다(단계 S22). 기판(W)이 제2 높이 위치에 있는 경우, 기판 위치 판정부(9J)는 단계 S12로 진행한다. 이 경우, 단계 S12~S21이 실행된다. 한편, 기판(W)이 제2 높이 위치에 없는 경우, 기판 위치 판정부(9J)는 단계 S10으로 진행한다. 이에 의해, 단계 S10~S21이 실행된다. 단계 S21이 실행된 후, 기판 회수 처리가 종료된다.When the substrate W is not at the first height position in step S2, the substrate position determination unit 9J determines whether or not the substrate W is at the second height position (step S22). When the substrate W is at the second height position, the substrate position determination section 9J proceeds to step S12. In this case, steps S12 to S21 are executed. On the other hand, if the substrate W is not at the second height position, the substrate position determination unit 9J proceeds to step S10. Thereby, steps S10 to S21 are executed. After step S21 is executed, the substrate recovery process ends.
(5) 효과(5) effect
본 실시 형태에 따른 기판 세정 장치(1)에 있어서는, 제1 높이 위치와 제2 높이 위치에서 기판(W)이 수도 장치(40)에 의해 반송된다. 제1 높이 위치에서는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 기판(W)의 외주 단부가 유지된다. 제2 높이 위치에서는, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지되고, 기판(W)이 연직축 둘레로 회전된다.In the
상측 유지 장치(10A, 10B) 또는 하측 유지 장치(20)에 의해 유지된 기판(W)의 하면에 접촉 가능하게 하면 브러시(51)가 하면 브러시 승강 구동부(55b)에 의해 승강된다. 기판(W)의 하면 중앙 영역 또는 하면 외측 영역이 하면 브러시(51)에 의해 세정된다. 기판(W)의 위치가 기판 위치 판정부(9J)에 의해 판정된다.When contact is made with the lower surface of the substrate W held by the
기판 세정 장치(1)의 이상 발생시에 기판(W)이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지된 기판(W)의 하면 중앙 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판(W)으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 기체가 기체 분출부(53)에 의해 공급된다. 따라서, 기판(W)이 제2 높이 위치로 반송되어 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지된 경우에도, 하측 유지 장치(20)의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다.When it is determined that the substrate W is at the first height position when an abnormality occurs in the
그 후, 기판(W)은, 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되도록 수도 장치(40)에 의해 제2 높이 위치로 반송된다. 다음에, 기판(W)이 제2 높이 위치에서 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판(W)의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판(W)으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판(W)의 회전이 유지되므로, 기판(W) 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치(1)로부터 기판(W)이 반출되는 경우에도, 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 액체 성분이 부착되는 일이 없다.Then, the board|substrate W is conveyed to the 2nd height position by the
기판 세정 장치(1)의 이상 발생시에 기판(W)이 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 기판(W)이 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판(W)의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판(W)으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판(W)의 회전이 유지되므로, 기판(W) 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치(1)로부터 기판(W)이 반출되는 경우에도, 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 액체 성분이 부착되는 일이 없다.When it is determined that the substrate W is at the second height position when an abnormality occurs in the
기판 세정 장치(1)의 이상 발생시에 기판(W)이 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 기판(W)은, 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되도록 수도 장치(40)에 의해 제2 높이 위치로 반송된다. 다음에, 기판(W)이 제2 높이 위치에서 하측 유지 장치(20)에 의해 유지되면서 회전된 상태에서, 기판(W)의 하면 외측 영역에 처리액이 액 노즐(52)에 의해 공급된다. 그 때문에, 기판(W)의 하면 외측 영역에 이물질이 부착되어 있는 경우에도, 기판(W)으로부터 이물질이 제거된다. 또한, 액 노즐(52)에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 기판(W)의 회전이 유지되므로, 기판(W) 전체가 건조된다. 따라서, 기판 세정 장치(1)로부터 기판(W)이 반출되는 경우에도, 기판 반송 로봇의 핸드(RH)에 액체 성분이 부착되는 일이 없다.When it is determined that the substrate W is between the first height position and the second height position when an abnormality occurs in the
이들 기판 회수 처리의 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치(1)로부터 기판(W)을 적절히 회수할 수 있다.As a result of these substrate recovery processes, the substrate W can be appropriately recovered from the
(6) 다른 실시 형태(6) other embodiments
(a) 상기 실시 형태에 있어서, 기판 세정 장치(1)의 통상 동작에서, 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정시에 액 노즐(52)로부터 기판(W)의 하면에 세정액이 공급되지만, 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 액 노즐(52)로부터 기판(W)의 하면에 세정액이 공급되는 것 대신에, 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정 전에, 하면 브러시(51)에 일정량의 세정액이 함침되어도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(1)에 액 노즐(52)이 설치되지 않아도 된다.(a) In the above embodiment, in the normal operation of the
또한, 기판 세정 장치(1)에 액 노즐(52)이 설치되지 않는 구성에 있어서는, 기판 세정 장치(1)의 이상 발생시에 기판(W)이 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지된 기판(W)의 하면 중앙 영역에 처리액이 공급되지 않는다. 이 구성에 있어서도, 기판 세정 장치(1)의 이상 발생시에 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지된 기판(W)의 하면 중앙 영역에 액체 성분이 부착되어 있는 경우, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 기체 공급부에 의해 공급되는 기체에 의해 건조된다.Further, in the configuration in which the
그 때문에, 하면 중앙 영역에 기체가 공급된 기판(W)이 제2 높이 위치로 반송되어 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지된 경우에도, 하측 유지 장치(20)의 흡착부에 액체 성분이 침입하는 일이 없다. 이에 의해, 하측 유지 장치(20)가 손상되는 것이 방지된다. 그 결과, 이상 발생시에 기판 세정 장치(1)로부터 기판(W)을 적절히 회수할 수 있다.Therefore, even when the substrate W, to which gas has been supplied to the lower surface central region, is transported to the second height position and held by the
(b) 상기 실시 형태에 있어서, 수도 장치(40)가 기판 반송부이며, 제1 높이 위치와 제2 높이 위치에서 기판(W)을 반송하지만, 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 상측 유지 장치(10A, 10B) 및 하측 유지 장치(20) 중 적어도 한쪽이 승강 가능하게 구성되는 경우에는, 수도 장치(40)는 설치되지 않아도 된다. 이 경우, 상측 유지 장치(10A, 10B) 및 하측 유지 장치(20) 중 적어도 한쪽이 기판 반송부이며, 당해 기판 반송부가 승강함으로써, 제1 높이 위치와 제2 높이 위치 사이에서 기판(W)이 반송된다.(b) In the above embodiment, the
(c) 상기 실시 형태에 있어서, 기판 세정 장치(1)의 통상 동작에서는, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 세정된 후에 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정되지만, 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치(1)의 통상 동작에서는, 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정된 후에 기판(W)의 하면 중앙 영역이 세정되어도 된다.(c) In the above embodiment, in the normal operation of the
이 경우, 기판 세정 장치(1)에 반입된 기판(W)은, 처음에 하측 유지 장치(20)에 의해 흡착 유지된 상태에서, 그 하면 중앙 영역, 외주 단부 및 상면이 세정된다. 그 후, 하측 유지 장치(20)에 의해 유지된 기판(W)이 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 수취되어, 유지된다. 이 상태에서, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 세정된다. 세정 후의 기판(W)은, 상측 유지 장치(10A, 10B)로부터 유닛 하우징(2)의 외부로 반출된다.In this case, the substrate W carried into the
혹은, 기판 세정 장치(1)의 통상 동작에서는, 기판(W)의 하면 중앙 영역 및 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정이 순차적으로 실행된 후에, 재차 기판(W)의 하면 중앙 영역이 세정되어도 된다.Alternatively, in the normal operation of the
(d) 상기 실시 형태에 있어서, 기판 회수 처리는 기판 세정 처리와 병행하여 실행되지만, 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 기판 회수 처리는, 사용자의 개시 지령에 응답하여 실행되어도 된다. 이 경우, 도 16의 기판 회수 처리에 있어서의 단계 S1은 생략된다.(d) In the above embodiment, the substrate recovery process is performed in parallel with the substrate cleaning process, but the embodiment is not limited to this. The substrate recovery process may be executed in response to a user's start command. In this case, step S1 in the substrate recovery process of FIG. 16 is omitted.
(7) 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각부의 대응 관계(7) Correspondence between each element of the claim and each part of the embodiment
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 이용할 수도 있다.Hereinafter, examples of correspondence between each constituent element of the claims and each element of the embodiment will be described, but the present invention is not limited to the following examples. As each element of the claim, various other elements having the constitution or function described in the claim may be used.
상기 실시 형태에 있어서는, 기판(W)이 기판의 예이며, 기판 세정 장치(1)가 기판 세정 장치의 예이며, 상측 유지 장치(10A, 10B)가 제1 기판 유지부의 예이다. 하측 유지 장치(20)가 제2 기판 유지부의 예이며, 수도 장치(40)가 기판 반송부의 예이며, 하면 브러시(51)가 세정구의 예이며, 하면 브러시 승강 구동부(55b)가 세정구 승강부의 예이다. 액 노즐(52)이 처리액 공급부의 예이며, 기체 분출부(53)가 기체 공급부의 예이며, 기판 위치 판정부(9J)가 기판 위치 판정부의 예이며, 제어 장치(9)가 제어부의 예이다.In the above embodiment, the substrate W is an example of the substrate, the
Claims (10)
제1 높이 위치에서 상기 기판의 외주 단부를 유지하는 제1 기판 유지부와,
상기 제1 높이 위치보다 하방의 제2 높이 위치에서 상기 기판의 하면 중앙 영역을 흡착 유지하여 상기 기판을 연직축 둘레로 회전시키는 제2 기판 유지부와,
상기 제1 높이 위치와 상기 제2 높이 위치에서 상기 기판을 반송하는 기판 반송부와,
상기 기판의 상기 하면 중앙 영역, 또는 상기 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역을 세정하는 세정구와,
상기 제1 또는 제2 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 하면에 접촉 가능하게 상기 세정구를 승강시키는 세정구 승강부와,
상기 기판의 하면을 향해 기체를 토출 가능한 기체 공급부와,
상기 기판의 위치를 판정하는 기판 위치 판정부와,
상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판 위치 판정부에 의해 상기 기판이 상기 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상기 제1 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 기체가 공급되도록 상기 기체 공급부를 제어하는 제어부를 구비하는, 기판 세정 장치.As a substrate cleaning device for cleaning the lower surface of the substrate,
a first substrate holding portion holding an outer circumferential end of the substrate at a first height position;
a second substrate holder for adsorbing and holding a central region of the lower surface of the substrate at a second height position below the first height position to rotate the substrate around a vertical axis;
a substrate conveying unit for conveying the substrate at the first height position and the second height position;
A cleaning tool for cleaning a central region of the lower surface of the substrate or an outer region of the lower surface surrounding the central region of the lower surface of the substrate;
a cleaning tool elevating portion for elevating the cleaning tool so as to be in contact with the lower surface of the substrate held by the first or second substrate holding portion;
a gas supply unit capable of discharging gas toward the lower surface of the substrate;
a substrate position determination unit for determining the position of the substrate;
When it is determined that the substrate is at the first height position by the substrate position determination unit when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, gas is supplied to the central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit. A substrate cleaning apparatus comprising a control unit for controlling the gas supply unit as much as possible.
상기 기판의 하면을 향해 처리액을 공급 가능한 처리액 공급부를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판 위치 판정부에 의해 상기 기판이 상기 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상기 제1 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 처리액이 공급되도록 상기 처리액 공급부를 제어하고, 상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 기체가 공급되도록 상기 기체 공급부를 제어하는, 기판 세정 장치.The method of claim 1,
A processing liquid supply unit capable of supplying a processing liquid toward the lower surface of the substrate is further provided;
The control unit may, when it is determined by the substrate position determination unit that the substrate is at the first height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus, the center region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit. and controls the gas supply unit to supply gas to a central region of the lower surface of the substrate after supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is finished. .
상기 제어부는, 상기 하면 중앙 영역에 기체가 공급된 상기 기판이 상기 제2 높이 위치에서 상기 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 상기 기판 반송부를 제어하고, 상기 기판을 유지하면서 회전하도록 상기 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 상기 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 상기 기판의 회전이 유지되도록 상기 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 상기 처리액 공급부를 제어하는, 기판 세정 장치.The method of claim 2,
The control unit may control the substrate carrying unit so that the substrate, to which gas is supplied to the central region of the lower surface, is held at the second height position by the second substrate holding unit, and rotate the second substrate while holding the substrate. In addition to controlling the holding unit, the processing liquid supply unit is controlled so that the processing liquid is supplied to an area outside the lower surface of the substrate, and the second substrate holding unit is controlled so that the rotation of the substrate is maintained after a predetermined period of time. A substrate cleaning device that controls the treatment liquid supply unit so that supply is stopped.
상기 제어부는, 상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판 위치 판정부에 의해 상기 기판이 상기 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상기 기판을 유지하면서 회전하도록 상기 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 상기 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 상기 기판의 회전이 유지되도록 상기 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 상기 처리액 공급부를 제어하는, 기판 세정 장치.According to claim 2 or claim 3,
The control unit controls the second substrate holding unit to rotate while holding the substrate when it is determined by the substrate position determining unit that the substrate is at the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus. , Controlling the processing liquid supply unit so that the processing liquid is supplied to an area outside the lower surface of the substrate, and controlling the second substrate holding unit so that the rotation of the substrate is maintained after a predetermined time, so that the supply of the processing liquid is stopped A substrate cleaning device that controls a liquid supply unit.
상기 제어부는, 상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판 위치 판정부에 의해 상기 기판이 상기 제1 높이 위치와 상기 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 상기 기판이 상기 제2 높이 위치에서 상기 제2 기판 유지부에 의해 유지되도록 상기 기판 반송부를 제어하고, 상기 기판을 유지하면서 회전하도록 상기 제2 기판 유지부를 제어함과 더불어, 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 처리액이 공급되도록 상기 처리액 공급부를 제어하고, 소정 시간 후, 상기 기판의 회전이 유지되도록 상기 제2 기판 유지부를 제어하면서 처리액의 공급이 정지되도록 상기 처리액 공급부를 제어하는, 기판 세정 장치.According to claim 2 or claim 3,
The control unit determines that the substrate is positioned at the second height position when it is determined by the substrate position determining unit that the substrate is between the first height position and the second height position when an abnormality occurs in the substrate cleaning apparatus. Controlling the substrate carrying unit to be held by the second substrate holding unit and controlling the second substrate holding unit to rotate while holding the substrate, and supplying the processing liquid to an area outside the lower surface of the substrate A substrate cleaning apparatus comprising: controlling a supply unit, and controlling the processing liquid supply unit to stop supply of the processing liquid while controlling the second substrate holding unit so that rotation of the substrate is maintained after a predetermined period of time.
제1 높이 위치에서 제1 기판 유지부에 의해 상기 기판의 외주 단부를 유지하는 단계와,
상기 제1 높이 위치보다 하방의 제2 높이 위치에서 제2 기판 유지부에 의해 상기 기판의 하면 중앙 영역을 흡착 유지하여 상기 기판을 연직축 둘레로 회전시키는 단계와,
상기 제1 높이 위치와 상기 제2 높이 위치 사이에서 기판 반송부에 의해 상기 기판을 반송하는 단계와,
상기 제1 또는 제2 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 하면에 접촉하도록 세정구를 승강시키는 단계와,
상기 기판의 상기 하면 중앙 영역, 또는 상기 하면 중앙 영역을 둘러싸는 하면 외측 영역을 상기 세정구에 의해 세정하는 단계와,
상기 기판의 위치를 판정하는 단계와,
상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판이 상기 제1 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상기 제1 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.A substrate cleaning method for cleaning the lower surface of a substrate by a substrate cleaning device, comprising:
holding an outer circumferential end of the substrate by a first substrate holder at a first height position;
rotating the substrate about a vertical axis by adsorbing and holding a central region of the lower surface of the substrate by a second substrate holder at a second height position below the first height position;
conveying the substrate by a substrate conveying unit between the first height position and the second height position;
elevating the cleaning tool so as to come into contact with the lower surface of the substrate held by the first or second substrate holding part;
cleaning a central region of the lower surface of the substrate or an outer region of the lower surface surrounding the central region of the lower surface by the cleaning tool;
determining the position of the substrate;
supplying gas by a gas supply unit to a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit when it is determined that the substrate is at the first height position when an abnormality of the substrate cleaning device occurs; Including, a substrate cleaning method.
상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 단계는,
상기 제1 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 것과,
상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급의 종료 후, 상기 기판의 상기 하면 중앙 영역에 상기 기체 공급부에 의해 기체를 공급하는 것을 포함하는, 기판 세정 방법.The method of claim 6,
The step of supplying gas to the central region of the lower surface of the substrate by a gas supply unit,
supplying a processing liquid by a processing liquid supply unit to a central region of the lower surface of the substrate held by the first substrate holding unit;
and supplying gas from the gas supply unit to a central region of the lower surface of the substrate after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit ends.
상기 하면 중앙 영역에 기체가 공급된 상기 기판을 상기 제2 높이 위치에서 상기 제2 기판 유지부에 의해 유지하는 단계와,
상기 기판을 유지하는 상기 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와,
상기 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 상기 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와,
상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 상기 제2 기판 유지부에 의한 상기 기판의 회전을 유지하면서 상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함하는, 기판 세정 방법.The method of claim 7,
holding the substrate supplied with gas to a central region of the lower surface at the second height position by the second substrate holder;
rotating the second substrate holding portion holding the substrate;
supplying a processing liquid by the processing liquid supply unit to an outer region of the lower surface of the substrate rotated by the second substrate holding unit;
A step of stopping the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit while maintaining the rotation of the substrate by the second substrate holding unit after a predetermined time after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is started; To, a substrate cleaning method.
상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판이 상기 제2 높이 위치에 있다고 판정된 경우, 상기 기판을 유지하는 상기 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와,
상기 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 상기 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와,
상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 상기 제2 기판 유지부에 의한 상기 기판의 회전을 유지하면서 상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함하는, 기판 세정 방법.According to claim 7 or claim 8,
rotating the second substrate holding portion holding the substrate when it is determined that the substrate is at the second height position when an abnormality of the substrate cleaning device occurs;
supplying a processing liquid by the processing liquid supply unit to an outer region of the lower surface of the substrate rotated by the second substrate holding unit;
A step of stopping the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit while maintaining the rotation of the substrate by the second substrate holding unit after a predetermined time after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is started; To, a substrate cleaning method.
상기 기판 세정 장치의 이상 발생시에 상기 기판이 상기 제1 높이 위치와 상기 제2 높이 위치 사이에 있다고 판정된 경우, 상기 기판 반송부에 의해 상기 제2 높이 위치로 상기 기판을 반송하는 단계와,
상기 기판을 상기 제2 높이 위치에서 상기 제2 기판 유지부에 의해 유지하는 단계와,
상기 기판을 유지하는 상기 제2 기판 유지부를 회전시키는 단계와,
상기 제2 기판 유지부에 의해 회전하는 상기 기판의 상기 하면 외측 영역에 상기 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급하는 단계와,
상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급이 개시되고 나서 소정 시간 후, 상기 제2 기판 유지부에 의한 상기 기판의 회전을 유지하면서 상기 처리액 공급부에 의한 처리액의 공급을 정지하는 단계를 더 포함하는, 기판 세정 방법.According to claim 7 or claim 8,
conveying the substrate to the second height position by the substrate conveying unit when it is determined that the substrate is between the first height position and the second height position when an abnormality of the substrate cleaning device occurs;
holding the substrate at the second height position by the second substrate holder;
rotating the second substrate holding portion holding the substrate;
supplying a processing liquid by the processing liquid supply unit to an outer region of the lower surface of the substrate rotated by the second substrate holding unit;
A step of stopping the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit while maintaining the rotation of the substrate by the second substrate holding unit after a predetermined time after the supply of the processing liquid by the processing liquid supply unit is started; To, a substrate cleaning method.
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