KR102537444B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 D 부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 선 및 도 2의 B-B' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 선 및 C-C' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 1의 D부분을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 도 9의 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
EP2: 제2끝단 d13: 제13거리
P1: 제1부분 P2: 제2부분
100: 기판 110: 버퍼층
121,122: 제1,2게이트절연막 131: 층간절연막
140, 150: 제1,2절연막 210, 220: 박막트랜지스터
310, 320: 디스플레이소자
Claims (18)
- 제1가장자리와, 상기 제1가장자리 반대편에 위치한 제2가장자리와, 상기 제1가장자리의 일측과 상기 제2가장자리의 일측을 연결하는 제3가장자리를 갖는, 기판;
상기 기판의 가장자리들 중 적어도 하나를 따라 연장되며, 상기 기판의 중앙부 방향의 내측 가장자리가, 상기 제3가장자리에 평행한 제1부분과, 상기 제1부분과 교차하는 방향으로 연장되며 상기 기판의 중앙부로부터 멀어지는 방향으로 연장된 제2부분을 갖는, 배선;
상기 기판의 일부로서 상기 배선보다 상기 기판의 중앙부에 더 가까운 부분과, 상기 배선의 상기 제2부분의 일부와 상기 제1부분을 덮도록 상기 배선의 일부를 덮으며, 상기 배선 상에서 제1끝단을 갖는, 제1절연막; 및
상기 제1절연막을 덮고 상기 배선 상에서 제2끝단을 가지며, 상기 배선의 상기 제1부분을 덮는 부분에서 상기 제1끝단과 상기 제2끝단 사이의 제1거리가, 상기 배선의 상기 제2부분을 덮는 부분에서 상기 제1끝단과 상기 제2끝단 사이의 제2거리와 상이한, 제2절연막;
을 구비하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 배선 외측에서의 상기 제1절연막의 끝단과 상기 제2절연막의 끝단 사이의 제3거리는 상기 제1거리와 같은, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2거리는 상기 제1거리보다 긴, 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2거리는 5um 이상인, 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2거리는 10um 이상인, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1절연막의 상기 제1끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 제1곡률반경을 갖고, 상기 제2절연막의 상기 제2끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 제1곡률반경보다 큰 제2곡률반경을 갖는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1절연막의 상기 제1끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 배선 상에서 상기 제1가장자리 및 상기 제3가장자리와 교차하는 방향으로 연장된 제1직선부를 갖고, 상기 제2절연막의 상기 제2끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 배선 상에서 상기 제1가장자리 및 상기 제3가장자리와 교차하는 방향으로 연장되며 상기 제1직선부보다 긴 제2직선부를 갖는, 디스플레이 장치. - 제1가장자리와, 상기 제1가장자리 반대편에 위치한 제2가장자리와, 상기 제1가장자리의 일측과 상기 제2가장자리의 일측을 연결하는 제3가장자리를 갖는, 기판;
상기 기판의 가장자리들 중 적어도 하나를 따라 연장되며, 상기 기판의 중앙부 방향의 내측 가장자리가, 상기 제3가장자리에 평행한 제1부분과, 상기 제1부분과 교차하는 방향으로 연장되며 상기 기판의 중앙부로부터 멀어지는 방향으로 연장된 제2부분을 갖는, 배선;
상기 기판의 일부로서 상기 배선보다 상기 기판의 중앙부에 더 가까운 부분과, 상기 배선의 상기 제2부분의 일부와 상기 제1부분을 덮도록 상기 배선의 일부를 덮으며, 상기 배선 상에서 제1끝단을 갖는, 제1절연막; 및
상기 제1절연막을 덮고 상기 배선 상에서 제2끝단을 갖는, 제2절연막;
을 구비하고,
상기 배선의 상기 제1부분을 덮는 부분에서 상기 제1끝단과 상기 제2끝단 사이의 제1거리와 상기 배선의 상기 제2부분을 덮는 부분에서 상기 제1끝단과 상기 제2끝단 사이의 제2거리 중 적어도 어느 하나는, 상기 배선의 상기 기판의 중앙부 방향의 가장자리를 따라서 서로 상이한 제1값과 제2값을 교번하여 갖는, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1거리와 상기 제2거리 중 어느 하나만이, 상기 배선의 상기 기판의 중앙부 방향의 가장자리를 따라서 서로 상이한 제1값과 제2값을 교번하여 갖는, 디스플레이 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1거리와 상기 제2거리 중 다른 하나는, 상기 배선의 상기 기판의 중앙부 방향의 가장자리를 따라서 일정한, 디스플레이 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제2거리가 상기 배선의 상기 기판의 중앙부 방향의 가장자리를 따라서 서로 상이한 제1값과 제2값을 교번하여 갖는, 디스플레이 장치. - 제11항에 있어서,
상기 배선 외측에서의 상기 제1절연막의 끝단과 상기 제2절연막의 끝단 사이의 제3거리는 상기 제1거리와 같은, 디스플레이 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1값과 상기 제2값 중 더 큰 값은 상기 제1거리와 상기 제2거리 중 다른 하나보다 큰, 디스플레이 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제1값과 상기 제2값 중 더 작은 값은 상기 제1거리와 상기 제2거리 중 다른 하나와 같은, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1값과 상기 제2값 중 더 큰 값은 5um 이상인, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1값과 상기 제2값 중 더 큰 값은 10um 이상인, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1절연막의 상기 제1끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 제1곡률반경을 갖고, 상기 제2절연막의 상기 제2끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 제1곡률반경보다 큰 제2곡률반경을 갖는, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1절연막의 상기 제1끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 배선 상에서 상기 제1가장자리 및 상기 제3가장자리와 교차하는 방향으로 연장된 제1직선부를 갖고, 상기 제2절연막의 상기 제2끝단의 일부로서 상기 배선의 상기 제2부분을 가로지르도록 절곡된 부분은 상기 배선 상에서 상기 제1가장자리 및 상기 제3가장자리와 교차하는 방향으로 연장되며 상기 제1직선부보다 긴 제2직선부를 갖는, 디스플레이 장치.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180062902A KR102537444B1 (ko) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 디스플레이 장치 |
US16/375,063 US10868101B2 (en) | 2018-05-31 | 2019-04-04 | Display apparatus |
EP19175774.9A EP3579278B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-05-21 | Display apparatus |
CN201910461619.5A CN110556385B (zh) | 2018-05-31 | 2019-05-30 | 显示装置 |
US17/095,857 US11329121B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-11-12 | Display apparatus |
US17/728,474 US11832485B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-04-25 | Display apparatus |
US18/519,742 US12178100B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-11-27 | Display apparatus |
US18/967,944 US20250098462A1 (en) | 2018-05-31 | 2024-12-04 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180062902A KR102537444B1 (ko) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190137206A KR20190137206A (ko) | 2019-12-11 |
KR102537444B1 true KR102537444B1 (ko) | 2023-05-30 |
Family
ID=66630154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180062902A Active KR102537444B1 (ko) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 디스플레이 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10868101B2 (ko) |
EP (1) | EP3579278B1 (ko) |
KR (1) | KR102537444B1 (ko) |
CN (1) | CN110556385B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102537444B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN112838110B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-09-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN116018022A (zh) * | 2021-10-20 | 2023-04-25 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100573132B1 (ko) * | 2004-02-14 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
JP4466550B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4762749B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-08-31 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
KR100843214B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 칩과 프로세서 칩이 관통전극을 통해 연결된 플래너멀티 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 |
KR101532012B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-06-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
KR101701978B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2017-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US8801948B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-08-12 | Apple Inc. | TFT mask reduction |
JP5197873B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2013-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 液晶表示装置 |
WO2014092041A1 (ja) | 2012-12-13 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法 |
KR102151752B1 (ko) | 2013-08-05 | 2020-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102282996B1 (ko) | 2013-10-30 | 2021-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR102188985B1 (ko) * | 2014-02-10 | 2020-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법 |
KR102213223B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2021-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102334393B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2021-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102314470B1 (ko) | 2015-03-09 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102404577B1 (ko) | 2015-03-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102370352B1 (ko) | 2015-07-29 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101763616B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2017-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102366975B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2022-02-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102490626B1 (ko) | 2015-12-16 | 2023-01-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR102560703B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN106019725A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板、显示面板及显示装置 |
KR102648401B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2024-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102781934B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2025-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102354247B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2022-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
KR102420079B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US10707284B2 (en) * | 2018-04-19 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel and manufacturing method thereof |
KR102610254B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2023-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102537444B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102632614B1 (ko) * | 2018-07-06 | 2024-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102560102B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2023-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102580659B1 (ko) * | 2018-10-01 | 2023-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102559089B1 (ko) * | 2018-12-19 | 2023-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 신축성 표시 장치 |
KR20210082309A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN210954556U (zh) * | 2020-01-02 | 2020-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及显示面板 |
TWI819582B (zh) * | 2022-04-26 | 2023-10-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其基板結構 |
KR20240044589A (ko) * | 2022-09-28 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20240095556A (ko) * | 2022-11-30 | 2024-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2018
- 2018-05-31 KR KR1020180062902A patent/KR102537444B1/ko active Active
-
2019
- 2019-04-04 US US16/375,063 patent/US10868101B2/en active Active
- 2019-05-21 EP EP19175774.9A patent/EP3579278B1/en active Active
- 2019-05-30 CN CN201910461619.5A patent/CN110556385B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-12 US US17/095,857 patent/US11329121B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-25 US US17/728,474 patent/US11832485B2/en active Active
-
2023
- 2023-11-27 US US18/519,742 patent/US12178100B2/en active Active
-
2024
- 2024-12-04 US US18/967,944 patent/US20250098462A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210083039A1 (en) | 2021-03-18 |
US11329121B2 (en) | 2022-05-10 |
US10868101B2 (en) | 2020-12-15 |
US11832485B2 (en) | 2023-11-28 |
US20250098462A1 (en) | 2025-03-20 |
US20190371876A1 (en) | 2019-12-05 |
US12178100B2 (en) | 2024-12-24 |
EP3579278A1 (en) | 2019-12-11 |
CN110556385B (zh) | 2024-08-02 |
EP3579278B1 (en) | 2024-04-03 |
KR20190137206A (ko) | 2019-12-11 |
US20220246713A1 (en) | 2022-08-04 |
US20240090289A1 (en) | 2024-03-14 |
CN110556385A (zh) | 2019-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180531 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210420 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20180531 Comment text: Patent Application |
|
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230228 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230523 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230524 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |