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KR102534052B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR102534052B1
KR102534052B1 KR1020220062277A KR20220062277A KR102534052B1 KR 102534052 B1 KR102534052 B1 KR 102534052B1 KR 1020220062277 A KR1020220062277 A KR 1020220062277A KR 20220062277 A KR20220062277 A KR 20220062277A KR 102534052 B1 KR102534052 B1 KR 102534052B1
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이승규
곽원규
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 개시는 표시 장치에 관한 것으로, 한 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시 영역, 복수의 입력 패드를 포함하는 패드 영역, 그리고 상기 패드 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하며 크랙 감지 회로를 포함하는 회로 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 주위에 위치하는 부분 및 양단을 포함하고, 상기 양단은 상기 복수의 입력 패드 중 제1 입력 패드에 연결된 제1단, 그리고 제2단을 포함하는 크랙 감지선, 그리고 상기 복수의 화소와 연결되어 있는 복수의 데이터선을 포함하고, 상기 크랙 감지 회로는 상기 제2단과 연결되어 있는 정전기 방전 소자를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 등의 표시 장치는 영상을 표시할 수 있는 복수의 화소, 복수의 신호선을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 각 화소는 데이터 신호를 인가받는 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 적어도 하나의 트랜지스터에 연결되어 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 표시 패널은 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다.
표시 패널의 제조 과정에서, 표시 패널이 충격을 받아 기판 또는 그 위에 적층된 층에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 크랙은 시간이 지남에 따라 점점 더 커지거나 다른 층 또는 다른 영역으로 번져 표시 패널의 불량이 발생할 수 있다. 예를 들어 데이터선 또는 주사선과 같은 신호선에 크랙이 생겨 단선되거나 저항이 증가할 수도 있고, 크랙을 통해 표시 패널의 내부로 수분 등이 침투하여 소자 신뢰성이 떨어질 수 있다. 그러면, 표시 패널의 화소가 발광하지 않거나 오발광하는 등의 여러 문제가 발생할 수 있다.
특히, 최근에 개발되고 있는 플렉서블 표시 장치(flexible display device)는 제조 또는 사용 중에 휘어지거나 구부러질 수 있는데, 표시 패널의 기판 또는 적층된 층에 미세하게라도 크랙이 존재하면 처음에는 문제가 없더라도 시간이 지남에 따라 표시 패널의 휘어짐 또는 구부러짐으로 인해 미세한 크랙이 더 큰 크랙으로 발전할 수 있다.
본 기재의 실시예는 표시 패널에 발생할 수 있는 크랙 등 불량의 검출을 위한 회로 또는 전기 소자를 정전기로부터 보호하는 것이다. 또한, 본 기재의 실시예는 표시 패널에 대한 검사 시 불량 검출의 정확성을 높이기 위한 것이다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시 영역, 복수의 입력 패드를 포함하는 패드 영역, 그리고 상기 패드 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하며 크랙 감지 회로를 포함하는 회로 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 주위에 위치하는 부분 및 양단을 포함하고, 상기 양단은 상기 복수의 입력 패드 중 제1 입력 패드에 연결된 제1단, 그리고 제2단을 포함하는 크랙 감지선, 그리고 상기 복수의 화소와 연결되어 있는 복수의 데이터선을 포함하고, 상기 크랙 감지 회로는 상기 제2단과 연결되어 있는 정전기 방전 소자를 포함한다.
상기 회로 영역은 중앙에 위치하는 중앙 영역을 포함하고, 상기 정전기 방전 소자는 상기 중앙 영역에 위치할 수 있다.
상기 회로 영역은 상기 제1단과 연결되어 있는 입력 단자 및 상기 복수의 데이터선 중 제1 데이터선과 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 제1 스위칭 소자, 그리고 상기 제2단과 연결되어 있는 입력 단자 및 상기 복수의 데이터선 중 제2 데이터선과 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 제2 스위칭 소자를 포함하고, 상기 중앙 영역에는 상기 제1 및 제2 스위칭 소자가 위치하지 않을 수 있다.
상기 제1단과 상기 제1 스위칭 소자 사이를 연결하는 제1 검사 데이터선, 그리고 상기 제2단과 상기 제2 스위칭 소자 사이를 연결하는 제2 검사 데이터선을 더 포함할 수 있다.
상기 정전기 방전 소자는 상기 제1 검사 데이터선 및 상기 제2 검사 데이터선에 연결되어 있을 수 있다.
상기 정전기 방전 소자는 상기 제1 검사 데이터선에 연결된 제3단, 그리고 상기 제2 검사 데이터선에 연결된 제4단을 양 단자로 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 제2 검사 데이터선은 복수의 서브 배선을 포함하고, 상기 커패시터는 상기 복수의 서브 배선에 각각 연결되어 있는 복수의 서브 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 제1단과 연결되어 있으며 상기 제1 검사 데이터선에 대략 평행하게 연장된 연결 배선을 더 포함하고, 상기 정전기 방전 소자는 상기 연결 배선 및 상기 제2 검사 데이터선에 연결되어 있을 수 있다.
상기 정전기 방전 소자는 상기 연결 배선에 연결된 제3단, 그리고 상기 제2 검사 데이터선에 연결된 제4단을 양 단자로 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 제2 검사 데이터선은 복수의 서브 배선을 포함하고, 상기 커패시터는 상기 복수의 서브 배선에 각각 연결되어 있는 복수의 서브 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 기판은 상기 표시 영역과 상기 회로 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 더 포함하고, 상기 크랙 감지선은 상기 벤딩 영역에 위치하는 부분을 포함하고, 상기 표시 영역 주위를 따라 연장된 부분 및 상기 벤딩 영역을 지나는 부분을 포함하는 전압 전달선을 더 포함하며, 상기 벤딩 영역에서 상기 전압 전달선과 상기 크랙 감지선은 동일한 층에 위치할 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시 영역, 복수의 입력 패드를 포함하는 패드 영역, 그리고 상기 패드 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하며 크랙 감지 회로를 포함하는 회로 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 주위에 위치하는 부분 및 양단을 포함하고, 상기 양단은 상기 복수의 입력 패드 중 제1 입력 패드에 연결된 제1단, 그리고 제2단을 포함하는 크랙 감지선, 그리고 상기 복수의 화소와 연결되어 있는 복수의 데이터선을 포함하고, 상기 크랙 감지 회로는 상기 제1 입력 패드와 연결되어 있는 제3단 및 상기 제2단과 연결되어 있는 제4단을 양 단자로 포함하는 적어도 하나의 커패시터를 포함한다.
상기 회로 영역은 중앙에 위치하는 중앙 영역을 포함하고, 상기 커패시터는 상기 중앙 영역에 위치할 수 있다.
상기 회로 영역은 상기 제1단과 연결되어 있는 입력 단자 및 상기 복수의 데이터선 중 제1 데이터선과 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 제1 스위칭 소자, 그리고 상기 제2단과 연결되어 있는 입력 단자 및 상기 복수의 데이터선 중 제2 데이터선과 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 제2 스위칭 소자를 포함하고, 상기 중앙 영역에는 상기 제1 및 제2 스위칭 소자가 위치하지 않을 수 있다.
상기 제1단과 상기 제1 스위칭 소자 사이를 연결하는 제1 검사 데이터선, 그리고 상기 제2단과 상기 제2 스위칭 소자 사이를 연결하는 제2 검사 데이터선을 더 포함하고, 상기 제3단은 상기 제1 검사 데이터선에 연결되어 있고, 상기 제4단은 상기 제2 검사 데이터선에 연결되어 있을 수 있다.
상기 제1단과 상기 제1 스위칭 소자 사이를 연결하는 제1 검사 데이터선, 상기 제2단과 상기 제2 스위칭 소자 사이를 연결하는 제2 검사 데이터선, 그리고 상기 제1단과 연결되어 있으며 상기 제1 검사 데이터선에 대략 평행하게 연장된 연결 배선을 더 포함하고, 상기 제3단은 상기 연결 배선에 연결되어 있고, 상기 제4단은 상기 제2 검사 데이터선에 연결되어 있을 수 있다.
본 기재의 실시예들에 따르면, 표시 패널에 발생할 수 있는 크랙 등 불량의 검출을 위한 회로 또는 전기 소자를 정전기로부터 보호할 수 있고, 표시 패널에 대한 검사 시 불량 검출의 정확성을 높일 수 있다.
도 1은 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시 패널의 평면도이고,
도 2는 한 실시예에 따른 표시 패널이 벤딩된 상태를 나타낸 도면이고,
도 3, 도 4 및 도 5는 각각 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시 패널의 평면도이고,
도 6은 도 1에 도시한 표시 장치를 I-Ia 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 한 실시예에 따른 표시 패널의 회로 영역의 일부에 대한 평면 배치도이고,
도 8은 도 7에 도시한 실시예에 따른 표시 패널을 VII-VIIa 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9는 한 실시예에 따른 표시 패널의 회로 영역의 일부에 대한 평면 배치도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여 한 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치는 주로 영상을 표시하는 영역인 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 제외한 영역인 비표시 영역을 포함하는 표시 패널(1000)을 포함하고, 표시 패널(1000)은 기판(110)을 포함할 수 있다. 즉, 기판(110)은 표시 영역(DA)과 그 바깥쪽 영역을 포함할 수 있다.
기판(110)은 유리, 플라스틱 등을 포함할 수 있고, 유연성(flexibility)을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르술폰(PES) 또는 폴리이미드(PI) 등의 다양한 플라스틱, 금속 박막 또는 초박형 유리 등을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 x 방향 및 y 방향에 평행한 면 상에서 영상을 표시할 수 있다. 앞으로 x 방향 및 y 방향에 수직인 방향에서 보았을 때 관찰되는 구조를 평면상 구조라 하고, x 방향 및 y 방향에 수직인 방향으로 잘랐을 때 보이는 구조를 단면상 구조라 한다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX) 및 복수의 신호선을 포함한다.
신호선은 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(121) 및 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171)을 포함한다. 각 게이트선(121)은 표시 영역(DA)에서 대략 x 방향으로 뻗고 표시 영역(DA) 바깥의 게이트 구동부(440a, 400b)에 연결될 수 있다. 데이터선(171)은 표시 영역(DA)에서 대략 y 방향으로 뻗고 표시 영역(DA)의 바깥으로도 연장되어 있다.
화소(PX)는 적어도 하나의 스위칭 소자 및 이에 연결된 화소 전극을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시 패널(1000)에 집적되어 있는 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있다. 스위칭 소자는 게이트선(121)이 전달하는 게이트 신호에 따라 턴온 또는 턴오프되어 데이터 신호를 선택적으로 화소 전극에 전달할 수 있다.
색 표시를 구현하기 위해서 각 화소(PX)는 특정 색 중 하나를 표시할 수 있으며, 이들 특정 색들이 표시하는 영상의 합으로 원하는 색상의 영상이 인식될 수 있다. 복수의 화소(PX)가 표시하는 특정 색의 예로는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색, 또는 옐로우, 시안 및 마젠타 등의 삼원색 등을 들 수 있고, 이들 삼원색 외에 백색과 같은 적어도 하나의 다른 색을 더 포함할 수도 있다.
비표시 영역은 도 1에 도시한 바와 같이 표시 영역(DA)의 바깥쪽에 위치하는 영역으로서 비표시 영역이라 하였지만 필요에 따라 영상을 표시하는 영역을 포함할 수도 있다. 비표시 영역은 표시 영역(DA)의 주위에 위치하는 주변 영역(PA), 벤딩 영역(BDA), 회로 영역(650), 그리고 패드 영역(660) 등을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)의 주위에 위치하는 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)에 인접하며 표시 영역(DA)의 주위를 둘러싸는 영역일 수 있다. 벤딩 영역(BDA)은 표시 영역(DA)의 하측변 아래에 위치하며 표시 패널(1000)을 x 방향으로 가로지르며 연장될 수 있다. 패드 영역(660)은 벤딩 영역(BDA)보다 바깥쪽에 위치하여 표시 패널(1000) 또는 기판(110)의 하부 가장자리(110A)에 인접해 위치할 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)과 패드 영역(660) 사이에 벤딩 영역(BDA)이 위치할 수 있다. 회로 영역(650)은 트랜지스터 등의 복수의 전기 소자를 포함하며 표시 영역(DA)의 하측변 아래에 위치할 수 있다. 회로 영역(650)은 도 1에 도시한 바와 같이 벤딩 영역(BDA)과 패드 영역(660) 사이에 위치할 수 있으나, 이와 달리 표시 영역(DA)과 벤딩 영역(BDA) 사이에 위치하거나 표시 영역(DA)의 상측변 위의 주변 영역(PA)에 위치할 수도 있다.
주변 영역(PA)은 게이트 구동부(400a, 400b), 전압 전달선(177), 그리고 크랙 감지선(150M1, 150M2) 등을 포함할 수 있다.
게이트 구동부(400a, 400b)는 복수의 게이트선(121)과 연결되어 게이트 신호를 인가할 수 있다. 게이트 구동부(400a, 400b)는 표시 영역(DA)에 위치하는 복수의 신호선 및 스위칭 소자와 함께 기판(110) 위에 형성되어 있을 수 있다. 도 1은 표시 영역(DA)을 중심으로 좌우 양측에 게이트 구동부(400a, 400b)가 하나씩 위치하는 예를 도시하나 이에 한정되지 않고, 어느 한 게이트 구동부(400a, 400b)가 생략될 수도 있다.
전압 전달선(177)은 표시 영역(DA)의 좌우측변 및 상측변 등의 적어도 세 변을 따라 뻗으며 공통 전압(ELVSS)과 같은 일정한 전압을 전달할 수 있다.
각 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 일단(15a) 및 타단(15b)의 양단을 가지고, 일단(15a)과 타단(15b) 사이에서 표시 영역(DA)의 좌측변 및 일부 상측변, 또는 우측변과 일부 상측변의 주위를 따라 뻗는 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 크랙 감지선(150M1)은 표시 영역(DA) 좌측의 주변 영역(PA)에서 대략 y 방향으로 길게 뻗는 부분 및 표시 영역(DA)의 좌반부 위쪽의 주변 영역(PA)에서 대략 x 방향으로 길게 뻗는 부분을 포함하고, 크랙 감지선(150M2)은 표시 영역(DA)의 우측의 주변 영역(PA)에서 대략 y 방향으로 길게 뻗는 부분 및 표시 영역(DA)의 우반부 위쪽의 주변 영역(PA)에서 대략 x 방향으로 길게 뻗는 부분을 포함할 수 있다.
각 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 패드 영역(660)에 연결된 일단(15a)부터 시작하여 벤딩 영역(BDA)을 지나 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)의 주변을 따라 뻗고, 표시 영역(DA)의 좌우측 및/또는 상측의 주변 영역(PA)에서 1회 이상 왕복하여 적어도 하나의 굴곡부를 형성한 후 다시 벤딩 영역(BDA)을 지나 타단(15b)에서 회로 영역(650)에 연결될 수 있다. 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)은 패드 영역(660)과 연결되어 테스트 전압을 인가받을 수 있다.
벤딩 영역(BDA)에 위치하는 도전층의 단면상 위치와 주변 영역(PA)에 위치하는 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 단면상 위치가 동일하지 않은 경우, 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 벤딩 영역(BDA)의 상하 주변에 위치하는 적어도 하나의 컨택부를 포함할 수 있다. 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 컨택부를 기준으로 단면상 서로 다른 층에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 컨택부는 적어도 하나의 접촉 구멍을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BDA)에서 전압 전달선(177)과 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 서로 동일한 층에 위치할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 달리, 좌측 및 우측의 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 표시 영역(DA)의 상측에서 서로 연결되어 있을 수도 있다. 이 경우, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 회로 영역(650) 및/또는 패드 영역(660)과의 연결 관계는 달라질 수 있다.
평면상 뷰에서, 표시 영역(DA)의 좌우측에 위치하는 주변 영역(PA)에서, 표시 영역(DA)의 가장자리와 전압 전달선(177) 사이에 게이트 구동부(400a, 400b)가 위치하고, 게이트 구동부(400a, 400b)와 크랙 감지선(150M1, 150M2) 사이에 전압 전달선(177)이 위치하고, 전압 전달선(177)과 기판(110)의 가장자리 사이에 크랙 감지선(150M1, 150M2)이 위치할 수 있다. 그러나, 이들 구성 요소의 배치는 다르게 변경될 수도 있다.
표시 패널(1000)은 벤딩 영역(BDA)에서 구부러져 벤딩 영역(BDA)보다 바깥쪽에 위치하는 부분이 표시 패널(1000)의 뒤쪽으로 젖혀져 전면에서 보이지 않을 수 있다. 도 1은 표시 패널(1000)이 벤딩 영역(BDA)에서 구부러지지 않고 펼쳐진 상태를 도시하고, 도 2는 표시 패널(1000)이 벤딩 영역(BDA)에서 벤딩된 상태를 개략적으로 나타낸다. 벤딩 영역(BDA)에는 복수의 배선이 지나갈 수 있으며, 이러한 복수의 배선은 벤딩 영역(BDA)에서 대체로 y 방향으로 뻗을 수 있다. 벤딩 영역(BDA)에서 기판(110)의 적어도 일부가 제거되어 있을 수 있다.
벤딩 영역(BDA)은 표시 장치의 구조에 따라 생략될 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 패드 영역(660)은 구동칩(750) 및/또는 회로막(700)의 패드와 전기적으로 연결될 수 있는 복수의 패드들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 한 실시예에 따른 표시 장치는 패드 영역(660)을 통해 표시 패널(1000)과 전기적으로 연결되어 있는 구동칩(750) 및/또는 회로막(700)을 더 포함할 수 있다.
구동칩(750)은 도 2에 도시한 바와 같이 표시 패널(1000) 위에 위치하거나 회로막(700) 위에 위치할 수 있다. 구동칩(750)은 표시 패널(1000)을 구동하기 위한 구동 신호를 생성하는 구동부를 포함할 수 있다.
회로막(700)은 필름 형태일 수 있다. 도 2를 참조하면, 회로막(700)은 표시 패널(1000)이 벤딩되었을 때 벤딩 영역(BDA) 바깥쪽의 영역에 접속되어 있을 수 있다. 회로막(700)에는 구동부, 타이밍 콘트롤러 등이 위치할 수 있다.
패드 영역(660)이 포함하는 복수의 패드는 입력 패드(70a, 70b) 및 입력 패드(80a, 80b)를 포함할 수 있다.
회로 영역(650)은 크랙 감지선(150M1, 150M2)과 연결되어 있으며 주변 영역(PA)에서 기판(110) 또는 기판(110) 위에 적층된 층들에 발생하는 크랙, 들뜸 등의 불량을 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 저항 변화를 통해 감지할 수 있는 크랙 감지 회로를 포함한다. 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 저항 변화는 크랙 감지 회로를 통해 표시 영역(DA)의 점등 상태를 검사하여 확인할 수 있다.
크랙 감지 회로에 대해 구체적으로 설명하면, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)은 패드 영역(660)의 입력 패드(70a, 70b)에 연결되어 있고, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)은 검사 데이터선(91a, 91b)에 연결될 수 있다. 입력 패드(70a, 70b)에 연결된 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)은 검사 데이터선(71a, 71b)에 연결될 수 있다.
두 검사 데이터선(91a, 91b)은 서로 이격되어 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있고, 두 검사 데이터선(71a, 71b)도 서로 이격되어 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다. 각각의 검사 데이터선(71a, 71b, 91a, 91b)은 대체로 x 방향으로 뻗을 수 있으며, 데이터선(171)과 절연되어 교차할 수 있다.
회로 영역(650)의 크랙 감지 회로는 검사 게이트선(81) 및 이에 연결된 복수의 스위칭 소자(Q1, Q2)를 더 포함할 수 있다.
검사 게이트선(81)은 입력 패드(80a, 80b)에 연결되어 있으며, 회로 영역(650)에서 대체로 x 방향으로 뻗을 수 있다. 검사 게이트선(81)은 입력 패드(80a, 80b)를 통해 검사를 위한 게이트 신호를 인가받을 수 있다.
복수의 스위칭 소자(Q1, Q2)는 대체로 x 방향으로 연장된 하나 또는 복수의 행에 배열되어 있을 수 있고, 복수의 데이터선(171) 중 일부에 대응하여 배치되어 있을 수 있다. 도 1은 복수의 스위칭 소자(Q1, Q2)가 하나의 행에 일렬로 배열되어 있는 예를 도시한다. 스위칭 소자(Q1, Q2)는 x 방향으로 교대로 배열되어 있을 수 있으며, 각 스위칭 소자(Q1, Q2)는 각 데이터선(171)마다 하나씩 배치될 수 있다. 스위칭 소자(Q2)는 회로 영역(650)의 일부 영역, 예를 들어 회로 영역(650)의 좌측 일부 및 우측 일부의 영역에 위치하고, 나머지 영역에 스위칭 소자(Q1)가 배치될 수 있다. 도 1은 회로 영역(650)의 좌측 및 우측 각각에 하나의 스위칭 소자(Q2)가 위치하는 예를 도시하나 이와 달리, 회로 영역(650)의 좌측 및 우측 각각에 복수의 스위칭 소자(Q2)가 x 방향으로 인접하여 위치할 수도 있다. 이 밖에도, 스위칭 소자(Q1, Q2)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다.
각 스위칭 소자(Q1, Q2)의 게이트 단자는 검사 게이트선(81)에 연결되어 있고, 출력 단자는 대응하는 데이터선(171)에 연결되어 있다. 스위칭 소자(Q1)의 입력 단자는 검사 데이터선(71a, 71b)에 연결되어 있고, 스위칭 소자(Q2)의 입력 단자는 검사 데이터선(91a, 91b)에 연결되어 있다.
도 1을 참조하면, 입력 패드(70a, 70b)와 스위칭 소자(Q1)의 사이에 위치하는 검사 데이터선(71a, 71b)은 매칭 저항(R1, R2)을 포함할 수 있다. 입력 패드(70a, 70b)를 통해 인가된 테스트 전압은 매칭 저항(R1, R2)을 거쳐 제1 전압차만큼 감압된 후 스위칭 소자(Q1)의 입력 단자로 인가될 수 있다. 한편, 입력 패드(70a, 70b)를 통해 인가된 테스트 전압은 크랙 감지선(150M1, 150M2)으로 전달되고, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 배선 저항에 의해 제2 전압차만큼 감압된 전압이 검사 데이터선(91a, 91b)을 거쳐 스위칭 소자(Q2)의 입력 단자로 인가될 수 있다. 매칭 저항(R1, R2)의 저항값은 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 배선 저항과 동일하거나 유사할 수 있다. 또는, 매칭 저항(R1, R2)의 저항값은 크랙 감지선(150M1, 150M2)에 크랙이나 들뜸 등의 손상이 없어 정상 상태인 경우에 상기 제1 전압차와 상기 제2 전압차가 서로 실질적으로 동일하거나 대등할 수 있도록 정해질 수도 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 매칭 저항(R1, R2)의 저항값은 크랙 감지 감도 등에 따라 적절한 값으로 정해질 수 있다. 예를 들어, 매칭 저항(R1, R2)의 저항값은 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 배선 저항의 대략 1.5배로 정해질 수 있다.
데이터선(171)은 회로 영역(650)의 아래쪽으로도 연장되어 표시 영역(DA)의 불량을 검사하기 위한 점등 회로(755)와 연결되어 있을 수 있다. 점등 회로(755)는 복수의 트랜지스터 등의 전기 소자를 포함할 수 있다. 점등 회로(755)는 표시 영역(DA)의 아래쪽 또는 위쪽에 위치할 수 있다. 도 1은 점등 회로(755)가 패드 영역(660), 특히 구동칩(750)이 위치하는 영역에 위치하는 예를 도시한다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(1000)은 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)과 연결되어 있는 정전기 방전 소자(92a, 92b)를 더 포함한다. 구체적으로, 정전기 방전 소자(92a, 92b)은 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)과 연결된 배선, 예를 들어 각 검사 데이터선(91a, 91b)에 연결되어 있을 수 있다. 각 정전기 방전 소자(92a, 92b)는 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)으로 흘러 들어온 정전기를 저장하거나 소진 및 방전시킬 수 있는 전기 소자로서, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등의 형태일 수 있다. 본 실시예에서는 각 정전기 방전 소자(92a, 92b)가 커패시터인 경우를 예로 들어 설명한다.
각 정전기 방전 소자(92a, 92b)가 커패시터인 경우, 커패시터의 일단은 각 검사 데이터선(91a, 91b)에 연결되어 있고 타단은 입력 패드(70a, 70b)에 연결된 배선, 예를 들어 각 검사 데이터선(71a, 71b)에 연결되어 있을 수 있다. 즉, 한 실시예에서 각 정전기 방전 소자(92a, 92b)는 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)에 연결된 배선(예를 들어, 각 검사 데이터선(91a, 91b)) 및 입력 패드(70a, 70b)에 연결된 배선(예를 들어, 각 검사 데이터선(71a, 71b))과 연결되어 있을 수 있다.
정전기 방전 소자(92a, 92b)는 회로 영역(650) 중 대략 중앙에 위치하는 중앙 영역(650C)에 위치할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 회로 영역(650)의 좌우 양측에 복수의 스위칭 소자(Q1, Q2)가 위치하고, 중앙 영역(650C)에 스위칭 소자(Q1, Q2)가 위치하지 않는 빈 공간이 형성되어 있어, 이 곳에 정전기 방전 소자(92a, 92b)가 위치할 수 있다. 따라서, 각 검사 데이터선(91a, 91b)은 중앙 영역(650C)까지 연장되어 있고, 각 검사 데이터선(71a, 71b)도 중앙 영역(650C)까지 연장되어 있을 수 있다. 회로 영역(650)의 중앙 영역(650C)은 표시 패널(1000)의 대략 중앙에 위치할 수 있다.
만약, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)에 연결된 정전기 방전 소자(92a, 92b)가 없다면 비교적 큰 저항의 크랙 감지선(150M1, 150M2)이 안테나 역할을 하여 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)과 타단(15b) 사이에 큰 전위 차이가 발생하기 쉽다. 그러면, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)에 정전기가 모이기 쉬워서 크랙 감지선(150M1, 150M2)과 연결된 크랙 감지 회로가 정전기에 취약해질 수 있고, 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)에 연결된 스위칭 소자(Q2)에 누설 전류가 발생할 수 있다. 그러면, 주변 영역(PA)의 크랙 등의 불량을 검사하는 단계가 아닌 불량 검사 단계에서, 예를 들어 점등 회로(755)를 이용한 표시 영역(DA)의 불량 검사 단계에서 스위칭 소자(Q2)에 연결된 데이터선(171)에 연결된 화소(PX)의 점등 상태가 불량 상태로 잘못 나타날 수 있다. 즉, 스위칭 소자(Q2)에 연결된 데이터선(171) 또는 이에 연결된 화소(PX)에 불량이 없음에도 해당 데이터선(171)에 연결된 화소(PX) 열이 예를 들어 약암선으로 나타나 불량이 오검출될 수 있다.
그러나, 한 실시예에 따른 표시 패널(1000)은 앞에서 설명한 바와 같이 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 타단(15b)이 정전기 방전 소자(92a, 92b)에 연결되어 있으므로 정전기가 저장되거나 소진되거나 방전될 수 있다. 예를 들어, 정전기는 정전기 방전 소자(92a, 92b)의 커패시터에 저장되어 있다가 소진되거나 커패시터의 타단에 연결된 배선, 예를 들어 각 검사 데이터선(71a, 71b)을 통해 입력 패드(70a, 70b)로 방전될 수 있다. 따라서, 크랙 감지 회로의 스위칭 소자(Q2)의 정전기에 의한 손상을 방지할 수 있고, 스위칭 소자(Q2)의 누설 전류 발생이 방지되어 표시 영역(DA)의 불량 검사 단계에서 불량의 오검출을 막을 수 있다.
각 입력 패드(70a, 70b, 80a, 80b)에는 쇼팅 배선(72a, 72b, 82a, 82b)이 연결되어 있을 수 있다. 쇼팅 배선(72a, 72b, 82a, 82b)은 입력 패드(70a, 70b, 80a, 80b)부터 표시 패널(1000) 또는 기판(110)의 하부 가장자리(110A)까지 연장되어 있을 수 있다. 하부 가장자리(110A)에서 끝나는 쇼팅 배선(72a, 72b, 82a, 82b)의 끝 부분은 다른 도전체와 연결되어 있지 않고 플로팅 상태일 수 있다. 쇼팅 배선(72a, 72b, 82a, 82b)은 제조 공정 중에는 하부 가장자리(110A) 아래에 위치하는 쇼팅바에 연결되어 접지 전압 등 일정한 전압을 전달할 수 있다.
앞에서 설명한 도면들과 함께 도 3을 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시 패널(1000a)은 앞에서 설명한 도 1 및 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 패널(1000)과 대부분 동일하나, 각 정전기 방전 소자(92a, 92b)의 커패시터의 일단은 각 검사 데이터선(91a, 91b)에 연결되어 있고, 타단은 검사 데이터선(71a, 71b)과 별도의 배선인 연결 배선(73a, 73b)에 연결되어 있을 수 있다. 연결 배선(73a, 73b)은 입력 패드(70a, 70b) 및 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)에 연결되어 있을 수 있으며 회로 영역(650)에서 대략 x 방향에 평행하게, 즉 검사 데이터선(71a, 71b)에 대략 평행하게 뻗을 수 있다.
앞에서 설명한 도면들과 함께 도 4를 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시 패널(1000b)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a)과 대부분 동일하나, 크랙 감지 회로가 위치하는 회로 영역(650)이 표시 영역(DA)과 벤딩 영역(BDA) 사이에 위치할 수 있다.
이에 따라 크랙 감지선(150M1, 150M2)의 일단(15a)과 입력 패드(70a, 70b) 사이를 연결하는 배선과 검사 게이트선(81)과 입력 패드(80a, 80b) 사이를 연결하는 배선은 벤딩 영역(BDA)을 가로지를 수 있다. 이와 같이 벤딩 영역(BDA)을 가로지르는 배선들은 벤딩 영역(BDA)의 상하 주변에 위치하는 적어도 하나의 컨택부를 포함할 수 있다. 컨택부는 적어도 하나의 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 실시예에 따른 표시 패널(1000a, 1000b)의 이 밖의 구조 및 효과는 앞에서 설명한 표시 패널(1000)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
앞에서 설명한 도면들과 함께 도 5를 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시 패널(1000c)은 앞에서 설명한 여러 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b)과 대부분 동일하나, 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)을 포함할 수 있다.
벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)은 앞에서 설명한 크랙 감지선(150M1, 150M2)과 달리 벤딩 영역(BDA)의 크랙 등 불량 발생 여부를 감지하기 위한 것으로 벤딩 영역(BDA) 및 그 주변에 한정되어 위치할 수 있다. 구체적으로, 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)은 벤딩 영역(BDA)의 좌우 가장자리 영역에 위치하며, 패드 영역(660)에 연결된 일단(15c)부터 시작하여 대략 y 방향으로 연장되어 벤딩 영역(BDA) 내에서 1회 이상 왕복하여 굴곡부를 형성한 후 되돌아와 타단(15d)에서 회로 영역(650)에 연결될 수 있다. 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)의 일단(15c)은 패드 영역(660)과 연결되어 테스트 전압을 인가받을 수 있다.
벤딩 영역(BDA)에 위치하는 도전층의 단면상 위치와 벤딩 영역(BDA) 바깥에 위치하는 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)의 단면상 위치가 동일하지 않은 경우, 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)은 벤딩 영역(BDA)의 상하 주변에 위치하는 적어도 하나의 컨택부를 포함할 수 있다. 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)은 컨택부를 기준으로 단면상 서로 다른 층에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 컨택부는 적어도 하나의 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
도 5는 앞에서 설명한 크랙 감지선(150M1, 150M2)이 생략되고 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)만이 도시되어 있으나, 이와 달리 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)과 함께 크랙 감지선(150M1, 150M2)도 포함될 수 있다. 이 경우, 크랙 감지선(150M1, 150M2)이 연결되어 있는 추가적인 크랙 감지 회로가 더 형성될 수 있으며, 이러한 크랙 감지 회로의 구성은 회로 영역(650)의 크랙 감지 회로와 동일할 수 있다. 또한, 벤딩 영역(BDA) 내에서 좌측에 위치하는 벤딩 크랙 감지선(150M3)은 크랙 감지선(150M1)과 기판(110)의 가장자리 사이에 위치하고, 우측에 위치하는 벤딩 크랙 감지선(150M4)은 크랙 감지선(150M2)과 기판(110)의 가장자리 사이에 위치할 수 있다.
이 밖에, 본 실시예에 따른 표시 패널(1000c)의 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)과 회로 영역(650)과의 연결 관계 등의 구성과 효과는 앞에서 설명한 표시 패널(1000, 1000a, 1000b)의 크랙 감지선(150M1, 150M2)과 회로 영역(650)과의 관계 등의 구성 및 효과와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
그러면, 한 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 크랙 등 불량을 검사하는 방법에 대해 설명한다.
먼저, 패드 영역(660)을 통해 테스트 전압을 크랙 감지선(150M1, 150M2) 및/또는 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)의 일단(15a, 15c) 및 검사 데이터선(71a, 71b)에 인가한다. 이와 함께, 검사 게이트선(81)에 게이트 온 전압의 게이트 신호를 인가하면 회로 영역(650)의 스위칭 소자들(Q1, Q2)이 턴온되고, 검사 데이터선(71a, 71b)에 인가된 테스트 전압은 턴온된 스위칭 소자(Q1)를 통해 해당 데이터선(171)에 인가된다. 테스트 전압은 소정의 전압으로서 예를 들어 화소(PX)가 최저 계조를 표시하도록 하는 전압일 수 있고, 이 경우 대략 7V일 수 있다. 따라서, 턴온된 스위칭 소자(Q1)와 연결된 화소(PX)들은 블랙 등의 낮은 계조를 표시할 수 있다.
표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 주변 영역(PA) 및/또는 벤딩 영역(BDA)에 크랙, 들뜸 등이 발생하지 않아 크랙 감지선(150M1, 150M2) 및/또는 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)에 손상이 가해지지 않은 정상 상태이면, 크랙 감지선(150M1, 150M2) 및/또는 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)을 거쳐 회로 영역(650)의 검사 데이터선(91a, 91b)에 인가되는 전압은 검사 데이터선(71a, 71b)에 인가되는 전압과 실질적으로 동일할 수 있다. 이를 위해 매칭 저항(R1, R2)을 조절할 수 있다. 이 경우, 스위칭 소자(Q2)와 연결된 화소(PX)들도 스위칭 소자(Q1)와 연결된 화소(PX)들과 같이 블랙 등의 소정의 계조를 표시할 수 있다.
그러나, 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 주변 영역(PA) 및/또는 벤딩 영역(BDA)에서 크랙, 들뜸 등이 발생하여 크랙 감지선(150M1, 150M2) 및/또는 벤딩 크랙 감지선(150M3, 150M4)이 단선되거나 손상으로 배선 저항이 증가된 상태이면, 스위칭 소자(Q2)와 연결된 화소(PX)들에 블랙 데이터 전압이 인가되지 못하거나 충분한 블랙 데이터 전압이 인가되지 못한다. 따라서, 스위칭 소자(Q2)와 연결된 화소(PX)들의 열을 따라 강한 명선 또는 약한 명선이 시인될 수 있다. 이와 같이 시인된 명선을 통해 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 주변 영역(PA) 및/또는 벤딩 영역(BDA)에 발생한 크랙 등의 불량을 검출할 수 있다.
이제, 앞에서 설명한 도 1 내지 도 5와 함께 도 6을 참조하여 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면 구조에 대해 설명한다.
도 6을 참조하면, 기판(110) 위에 배리어층(120)이 위치할 수 있다. 배리어층(120)은 도시한 바와 같이 복수의 층을 포함할 수도 있고 단일층으로 이루어질 수도 있다.
배리어층(120) 위에는 액티브 패턴이 위치한다. 액티브 패턴은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 주변 영역(PA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(130, 130d) 각각은 소스 영역 및 드레인 영역과 그 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다. 액티브 패턴은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130, 130d) 위에는 제1 절연층(141)이 위치하고, 제1 절연층(141) 위에는 제1 도전층이 위치할 수 있다. 제1 도전층은 표시 영역(DA)에 위치하는 액티브 패턴(130)과 중첩하는 도전체(155), 주변 영역(PA)에 위치하는 액티브 패턴(130d)과 중첩하는 도전체(150d), 그리고 앞에서 설명한 복수의 게이트선(121), 검사 게이트선(81) 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130) 및 이와 중첩하는 제1 도전층의 도전체(155)는 함께 트랜지스터(TRa)를 형성하고, 액티브 패턴(130d) 및 이와 중첩하는 제1 도전층의 도전체(150d)는 함께 트랜지스터(TRd)를 형성할 수 있다. 트랜지스터(TRa)는 표시 영역(DA)에 위치하는 화소(PX)에 포함된 스위칭 소자로서 기능할 수 있고, 트랜지스터(TRd)는 예를 들어 게이트 구동부(400a, 400b)가 포함하는 스위칭 소자로서 기능할 수 있다.
제1 도전층 및 제1 절연층(141) 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있고, 제2 절연층(142) 위에는 제2 도전층이 위치할 수 있다. 제2 도전층은 앞에서 설명한 크랙 감지선(150M1, 150M2)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 크랙 감지선(150M1, 150M2)은 제1 도전층과 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
제2 도전층은 앞에서 설명한 검사 데이터선(71a, 71b, 91a, 91b) 등을 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 검사 데이터선(71a, 71b, 91a, 91b) 중 적어도 하나는 제1 도전층에 위치할 수도 있다.
제2 도전층 및 제2 절연층(142) 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 그리고 제3 절연층(160) 중 적어도 하나는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BDA)에서 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160) 중 적어도 하나의 전체 또는 일부가 제거되어 있을 수 있다.
제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)은 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 및/또는 드레인 영역 위에 위치하는 접촉 구멍(165, 165d)을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 제3 도전층은 접촉 구멍(165, 165d)을 통해 트랜지스터(TRa, TRd)의 소스 영역 또는 드레인 영역과 연결되어 있는 도전체(170, 170d), 전압 전달선(177), 그리고 앞에서 설명한 데이터선(171) 등을 포함할 수 있다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 이들의 합금 등 금속을 포함할 수 있다.
제3 도전층과 제3 절연층(160) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 무기 절연 물질 및/또는 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 보호막(180)의 윗면은 실질적으로 평탄할 수 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극층이 위치한다. 화소 전극층은 표시 영역(DA)의 각 화소(PX)에 대응하는 화소 전극(191), 그리고 주변 영역(PA)에 위치하는 전압 전달 전극(197)을 포함할 수 있다. 전압 전달 전극(197)은 전압 전달선(177)과 물리적, 전기적으로 연결되어 공통 전압(ELVSS)을 전달받을 수 있다. 화소 전극층은 반투과성 도전 물질 또는 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.
보호막(180) 및 화소 전극층 위에는 화소 정의층(350)이 위치한다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191) 위에 위치하는 개구부(351)를 가지고, 주변 영역(PA)에 위치하는 적어도 하나의 댐 부분(350d)을 더 포함할 수 있다. 댐 부분(350d)은 평면상 뷰에서 기판(110)의 가장자리에 나란하게 뻗을 수 있다. 댐 부분(350d) 위에는 스페이서(360d)가 더 위치할 수 있다.
크랙 감지선(150M1, 150M2)은 댐 부분(350d)을 기준으로 바깥쪽에 위치할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 정의층(350)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 감광성 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 화소 정의층(350)의 개구부(351) 안에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 주변 영역(PA)에 위치하며 화소 정의층(350) 위에 위치하는 적어도 하나의 더미 발광층(370d)을 더 포함할 수 있다. 발광층(370)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다.
발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 화소 정의층(350) 위에도 형성되어 복수의 화소(PX)에 걸쳐 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 공통 전극(270)은 주변 영역(PA)에서 전압 전달 전극(197)과 물리적, 전기적으로 연결되어 공통 전압(ELVSS)을 전달받을 수 있다. 공통 전극(270)은 도전성 투명 물질을 포함할 수 있다.
각 화소(PX)의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 함께 발광 다이오드(ED)를 이루며, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 하나가 캐소드(cathode)가 되고 나머지 하나가 애노드(anode)가 된다.
공통 전극(270) 위에는 발광 다이오드(ED)를 보호하며 밀봉하는 봉지부(380)가 위치할 수 있다. 봉지부(380)는 적어도 하나의 무기층(381, 383) 및 적어도 하나의 유기층(382)을 포함하며, 적어도 하나의 무기층(381, 383)과 적어도 하나의 유기층(382)은 교대로 적층되어 있을 수 있다. 유기층(382)은 유기 물질을 포함하며 평탄화 특성을 가질 수 있다. 무기층(381, 383)은 산화 알루미늄(AlOx), 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
유기층(382)의 평면상 면적보다 무기층(381, 383)의 평면상 면적이 더 넓어 주변 영역(PA)에서는 두 무기층(381, 383)이 상하로 서로 접촉할 수 있다. 무기층(381, 383) 중 가장 아래에 위치하는 무기층(381)은 주변 영역(PA)에서 제3 절연층(160)의 윗면과 접촉할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 주변 영역(PA)에서 무기층(381, 383)을 포함하는 봉지부(380)는 크랙 감지선(150M1, 150M2)과 중첩할 수 있다.
봉지부(380)가 포함하는 유기층(382)의 외곽 가장자리는 댐 부분(350d)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 댐 부분(350d)은 봉지부(380)의 유기층(382)을 형성할 때 유기 물질이 바깥쪽으로 흘러 넘치는 것을 막는 기능을 할 수 있으며, 이에 따라 봉지부(380)의 유기층(382)의 외곽 가장자리는 대체로 댐 부분(350d)보다 안쪽에 위치할 수 있다.
봉지부(380) 위에는 무기 절연 물질 또는/및 유기 절연 물질을 포함하는 버퍼층(389)이 위치할 수 있다. 버퍼층(389)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(389) 위에는 제4 도전층이 위치한다. 제4 도전층은 제1 터치 도전체(TEa)를 포함할 수 있다. 제4 도전층 위에는 제1 터치 절연층(391)이 위치하고, 그 위에 제5 도전층이 위치할 수 있다. 제5 도전층은 제2 터치 도전체(TEb)를 포함할 수 있다. 제5 도전층 위에는 제2 터치 절연층(392)이 위치할 수 있다. 제1 터치 도전체(TEa) 및/또는 제2 터치 도전체(TEb)는 용량식 터치 센서를 형성하여 외부 물체의 터치를 감지할 수 있다. 제1 터치 도전체(TEa)와 제2 터치 도전체(TEb) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
다음, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 7 및 도 8을 참조하여 앞에서 설명한 실시예들에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 정전기 방전 소자(92a, 92b)의 구체적인 구조의 예에 대하여 설명한다.
도 7은 앞에서 설명한 여러 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 회로 영역(650)의 중앙 영역(650C) 중 좌측 부분을 도시한다. 검사 데이터선(91a)은 복수의 서브 배선(91aa, 91ab)을 포함할 수 있고, 각 서브 배선(91aa, 91ab)은 중앙 영역(650C)에 위치하는 각 정전기 방전 소자(92aa, 92ab)에 연결되어 있다. 정전기 방전 소자(92aa, 92ab)는 앞에서 설명한 정전기 방전 소자(92a)에 포함된다.
각 정전기 방전 소자(92aa, 92ab)는 적어도 하나의 커패시터를 포함한다.
구체적으로, 정전기 방전 소자(92aa)는 검사 데이터선(91a)의 서브 배선(91aa)의 끝에 연결된 제1 단자(158), 검사 데이터선(71a)(또는 도 3에 도시한 연결 배선(73a))에 연결된 제2 단자(178), 그리고 제3 단자(131h)를 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 제1 단자(158)와 제2 단자(178)는 적어도 하나의 절연층, 예를 들어 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)을 사이에 두고 중첩하여 제1 커패시터(C1)를 이루어 정전기를 저장하고 소진할 수 있다. 제1 단자(158)와 제3 단자(131h)는 적어도 하나의 절연층, 예를 들어 제1 절연층(141)을 사이에 두고 중첩하여 제2 커패시터(C2)를 이루어 정전기를 저장하고 소진할 수 있다. 제1 단자(158)와 제2 단자(178)는 도전성이고 제3 단자(131h)는 반도체일 수 있다. 제1 단자(158)는 앞에서 설명한 제1 도전층에 위치할 수 있고, 제2 단자(178)는 앞에서 설명한 제3 도전층에 위치할 수 있고, 제3 단자(131h)는 앞에서 설명한 액티브 패턴(130, 130d)에 속할 수 있다. 제3 단자(131h)의 양쪽에는 도전 영역(136h, 137h)이 위치하고 도전 영역(136h, 137h)은 제3 단자(131h)에 연결되어 있을 수 있다. 제2 단자(178)는 절연층(141, 142, 160)이 가지는 접촉 구멍(66)을 통하여 도전 영역(136h, 137h)에 연결되어 있을 수 있다. 따라서, 도전 영역(136h, 137h)은 제2 단자(178)와 함께 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))이 전달하는 입력 패드(70a)의 전압을 전달받을 수 있다. 제2 단자(178)는 연결 배선(711)을 통해 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 연결될 수 있다.
이와 유사하게, 정전기 방전 소자(92ab)는 검사 데이터선(91a)의 서브 배선(91ab)의 끝에 연결된 제1 단자(158a), 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 연결된 제2 단자(178a), 그리고 제3 단자(131ha)를 포함할 수 있다.
단면 구조를 도시하지 않았으나, 제1 단자(158a)와 제2 단자(178a)도 적어도 하나의 절연층, 예를 들어 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)을 사이에 두고 중첩하여 제1 커패시터(C1a)를 이루어 정전기를 저장 및 소진하고, 제1 단자(158a)와 제3 단자(131ha)는 적어도 하나의 절연층, 예를 들어 제1 절연층(141)을 사이에 두고 중첩하여 제2 커패시터(C2a)를 이루어 정전기를 저장하고 소진할 수 있다. 제1 단자(158a)와 제2 단자(178a)는 도전성이고 제3 단자(131ha)는 반도체일 수 있다. 제1 단자(158a)는 제1 도전층에 위치할 수 있고, 제2 단자(178a)는 제3 도전층에 위치할 수 있고, 제3 단자(131ha)는 앞에서 설명한 액티브 패턴(130, 130d)에 속할 수 있다. 제3 단자(131ha)의 양쪽에는 도전 영역(136ha, 137ha)이 위치하고 도전 영역(136ha, 137ha)은 제3 단자(131ha)에 연결되어 있을 수 있다. 제2 단자(178a)는 절연층(141, 142, 160)이 가지는 접촉 구멍(66a)을 통하여 도전 영역(136ha, 137ha)에 연결되어 있을 수 있다. 따라서, 도전 영역(136ha, 137ha)은 제2 단자(178a)와 함께 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))이 전달하는 입력 패드(70a)의 전압을 전달받을 수 있다. 제2 단자(178a)는 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 직접 연결될 수 있다.
이와 같이, 정전기 방전 소자(92aa)는 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)를 포함하고, 정전기 방전 소자(92ab)는 제1 및 제2 커패시터(C1a, C2a)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 커패시터(C1, C1a, C2, C2a)는 각각 서브 커패시터라고도 한다.
제3 단자(131h, 131ha) 및 제2 커패시터(C2, C2a)는 생략될 수도 있다.
도 9는 앞에서 설명한 도 7 및 도 8의 실시예에 따른 구조와 다른 예의 구조를 도시하는 도면으로서, 여러 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b, 1000c)의 회로 영역(650)의 중앙 영역(650C) 중 좌측 부분을 도시한다. 검사 데이터선(91a)은 복수의 서브 배선(91ac, 91ad, 91ae, 91af)을 포함할 수 있다. 한 쌍의 서브 배선(91ac, 91af)은 연결 배선(714)을 통해 서로 연결되어 있고, 한 쌍의 서브 배선(91ad, 91ae)은 연결 배선(713)을 통해 서로 연결되어 있을 수 있다. 중앙 영역(650C)에서 서브 배선(91ac, 91af)은 정전기 방전 소자(92ac)에 연결되어 있고, 서브 배선(91ad, 91ae)은 정전기 방전 소자(92ad)에 연결되어 있다. 정전기 방전 소자(92ac, 92ad)는 앞에서 설명한 정전기 방전 소자(92a)에 포함된다.
각 정전기 방전 소자(92ac, 92ad)는 적어도 하나의 커패시터를 포함한다.
구체적으로, 정전기 방전 소자(92ac)는 검사 데이터선(91a)의 서브 배선(91ac, 91af)의 끝에 연결된 제1 단자(158b), 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 연결된 제2 단자(178b), 그리고 제3 단자(131hb)를 포함할 수 있다. 제1 단자(158b)와 제2 단자(178b)는 제1 커패시터(C1b)를 이루고 제1 단자(158b)와 제3 단자(131hb)는 제2 커패시터(C2b)를 이루어 정전기를 저장하고 소진할 수 있다. 제1 단자(158b)와 제2 단자(178b)는 도전성이고 제3 단자(131hb)는 반도체일 수 있다. 제3 단자(131hb)의 양쪽에는 도전 영역(136hb, 137hb)이 위치하고 도전 영역(136hb, 137hb)은 제3 단자(131hb)에 연결되어 있을 수 있다. 제2 단자(178b)는 접촉 구멍(66b)을 통하여 도전 영역(136hb, 137hb)에 연결되어 있을 수 있다.
이와 유사하게, 정전기 방전 소자(92ad)는 검사 데이터선(91a)의 서브 배선(91ad, 91ae)의 끝에 연결된 제1 단자(158c), 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 연결된 제2 단자(178c), 그리고 제3 단자(131hc)를 포함할 수 있다. 제1 단자(158c)와 제2 단자(178c)는 제1 커패시터(C1c)를 이루고 제1 단자(158c)와 제3 단자(131hc)는 제2 커패시터(C2c)를 이루어 정전기를 저장하고 소진할 수 있다. 제1 단자(158c)와 제2 단자(178c)는 도전성이고 제3 단자(131hc)는 반도체일 수 있다. 제3 단자(131hc)의 양쪽에는 도전 영역(136hc, 137hc)이 위치하고 도전 영역(136hc, 137hc)은 제3 단자(131hc)에 연결되어 있을 수 있다. 제2 단자(178c)는 접촉 구멍(66c)을 통하여 도전 영역(136hc, 137hc)에 연결되어 있을 수 있다. 제2 단자(178c)는 연결 배선(712)을 통해 검사 데이터선(71a)(또는 연결 배선(73a))에 연결될 수 있다.
이와 같이, 정전기 방전 소자(92ac)는 제1 및 제2 커패시터(C1b, C2b)를 포함하고, 정전기 방전 소자(92ad)는 제1 및 제2 커패시터(C1c, C2c)를 포함할 수 있다.
제3 단자(131hb, 131hc) 및 제2 커패시터(C2b, C2c)는 생략될 수도 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 유/무기 발광 표시 장치일 수 있으나 이에 한정되지 않고 액정 표시 장치 등의 다양한 표시 장치일 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (11)

  1. 복수의 화소를 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역 주변에 위치하는 주변 영역, 그리고 복수의 입력 패드를 포함하는 패드 영역을 포함하는 기판,
    상기 표시 영역과 상기 주변 영역에 위치하는 복수의 데이터선,
    상기 주변 영역에 위치하는 제1 크랙 감지선,
    상기 복수의 데이터선 중 적어도 하나의 제1 데이터선과 교차하는 제1 검사 데이터선, 그리고
    정전기 방전 소자를 포함하고,
    상기 제1 크랙 감지선은 상기 복수의 입력 패드 중 적어도 하나의 입력 패드에 연결되어 있고,
    상기 제1 검사 데이터선은 상기 정전기 방전 소자 및 상기 제1 크랙 감지선에 연결되어 있는
    표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 정전기 방전 소자는 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    제2 크랙 감지선, 그리고
    제2 검사 데이터선을 더 포함하고,
    상기 제2 검사 데이터선은 상기 복수의 데이터선 중 적어도 하나의 제2 데이터선과 교차하고, 상기 정전기 방전 소자 및 상기 제2 크랙 감지선에 연결되어 있는
    표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 검사 데이터선과 상기 제2 검사 데이터선은 서로 이격되어 있고 서로 전기적으로 연결되어 있지 않은 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 정전기 방전 소자는 상기 제1 검사 데이터선과 상기 제2 검사 데이터선 사이에 위치하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 검사 데이터선과 상기 제2 검사 데이터선은 제1 방향으로 서로 정렬되어 있는 표시 장치.
  7. 제3항에서,
    상기 제1 검사 데이터선과 상기 제2 검사 데이터선 각각은 상기 제1 크랙 감지선보다 짧은 표시 장치.
  8. 제3항에서,
    상기 정전기 방전 소자는 상기 제1 검사 데이터선에 연결된 제1 커패시터, 그리고 상기 제2 검사 데이터선에 연결된 제2 커패시터를 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 데이터선과 교차하고, 상기 제1 커패시터를 상기 제1 크랙 감지선에 연결하는 제3 검사 데이터선, 그리고
    상기 제2 데이터선과 교차하고, 상기 제2 커패시터를 상기 제2 크랙 감지선에 연결하는 제4 검사 데이터선
    을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제1 커패시터의 제1단은 상기 제1 검사 데이터선에 전기적으로 연결되어 있고,
    상기 제1 커패시터의 제2단은 상기 제3 검사 데이터선에 전기적으로 연결되어 있는
    표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제3 검사 데이터선 및 상기 제4 검사 데이터선은 서로 이격되어 있고 서로 전기적으로 연결되어 있지 않은 표시 장치.
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