KR102502409B1

KR102502409B1 - Solar cell panel

Info

Publication number: KR102502409B1
Application number: KR1020180028739A
Authority: KR
Inventors: 이현호; 장재원; 김진성
Original assignee: 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드
Priority date: 2018-03-12
Filing date: 2018-03-12
Publication date: 2023-02-22
Anticipated expiration: 2038-03-12
Also published as: KR20190107461A

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 복수의 태양 전지 그룹(group); 및 상기 복수의 태양 전지 그룹에 연결되며 비수광 위치에 위치하는 태양 전지 셀로 구성되는 바이패스 다이오드(bypass diode)를 포함한다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes a plurality of solar cell groups; and a bypass diode connected to the plurality of solar cell groups and composed of solar cells positioned at non-receiving positions.

Description

Solar cell panel {SOLAR CELL PANEL}

본 발명은 태양 전지 패널에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 바이패스 다이오드(bypass diode)를 포함하는 태양 전지 패널에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell panel, and more particularly, to a solar cell panel including a bypass diode.

태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의하여 직렬 또는 병렬로 연결되고, 복수의 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 태양 전지 패널의 형태로 제조된다. A plurality of solar cells are connected in series or parallel by an interconnector, and are manufactured in the form of a solar cell panel through a packaging process for protecting the plurality of solar cells.

복수의 태양 전지가 직렬로 연결된 복수의 태양 전지 스트링을 구비하는 태양 전지 패널에서 일부 태양 전지가 불량 또는 쉐이딩(shading) 등에 의하여 정상 작동하지 않으면, 해당 부분에서 전류가 집중되어 핫 스팟(hot spot) 등의 문제가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위하여 불량 또는 쉐이딩(shading) 등에 의하여 정상 작동하지 않는 태양 전지 스트링으로 흐를 전류를 우회시켜 흐르게 하는 바이패스 다이오드를 태양 전지 패널에 설치하였다. In a solar cell panel having a plurality of solar cell strings in which a plurality of solar cells are connected in series, if some of the solar cells do not operate normally due to defects or shading, current is concentrated in the corresponding part, resulting in a hot spot problems may occur. In order to prevent this, a bypass diode is installed in the solar cell panel to bypass and flow current to the solar cell string that does not operate normally due to defects or shading.

종래의 태양 전지 패널에서는 바이패스 다이오드가 태양 전지와 전혀 다른 구조를 가지는 반도체 소자로 구성되어 정션 박스 내부에 위치하는바, 구조가 복잡해지고 태양 전지 패널을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 원가를 상승시키는 원인이 되었다. In a conventional solar cell panel, the bypass diode is composed of a semiconductor device having a structure completely different from that of the solar cell and is located inside the junction box, which complicates the structure and increases the manufacturing cost of the solar cell module including the solar cell panel. It caused.

본 발명은 간단한 구조를 가지며 제조 비용을 절감할 수 있는 태양 전지 패널을 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a solar cell panel that has a simple structure and can reduce manufacturing costs.

특히, 본 발명은 구조가 단순하고 제조 원가가 저렴하며 우수한 특성을 가지는 바이패스 다이오드를 구비하는 태양 전지 패널을 제공하고자 한다. Particularly, an object of the present invention is to provide a solar cell panel having a bypass diode having a simple structure, low manufacturing cost, and excellent characteristics.

이때, 태양 전지 패널은 바이패스 다이오드를 정션 박스가 아닌 태양 전지 패널에 위치시켜 구조를 최대한 단순화하고자 한다. At this time, the solar cell panel tries to simplify the structure as much as possible by locating the bypass diode in the solar cell panel instead of the junction box.

상기 복수의 태양 전지 그룹이 제1 태양 전지 그룹 및 상기 제1 태양 전지 그룹에 직렬 연결되는 제2 태양 전지 그룹을 구비할 수 있다. 상기 바이패스 다이오드는 상기 제1 태양 전지 그룹에 병렬 연결되는 제1 바이패스 다이오드 및 상기 제2 태양 전지 그룹에 병렬 연결되는 제2 바이패스 다이오드를 포함할 수 있다. The plurality of solar cell groups may include a first solar cell group and a second solar cell group connected in series to the first solar cell group. The bypass diode may include a first bypass diode connected in parallel to the first solar cell group and a second bypass diode connected in parallel to the second solar cell group.

상기 복수의 태양 전지 그룹이 상기 제2 태양 전지 그룹에 직렬 연결되는 제3 태양 전지 그룹을 더 포함하고, 상기 바이패스 다이오드는 상기 제3 태양 전지 그룹에 병렬 연결되는 제3 바이패스 다이오드를 더 포함할 수 있다. The plurality of solar cell groups further include a third solar cell group connected in series to the second solar cell group, and the bypass diode further includes a third bypass diode connected in parallel to the third solar cell group. can do.

상기 태양 전지 그룹을 밀봉하는 밀봉재; 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지 그룹의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재; 및 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지 그룹의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재를 포함할 수 있다. 상기 바이패스 다이오드가 상기 태양 전지 그룹과 상기 제2 커버 부재 사이에 위치하거나 상기 제2 커버 부재에 고정될 수 있다. a sealing material for sealing the solar cell group; a first cover member positioned on one surface of the solar cell group on the sealant; and a second cover member positioned on the other surface of the solar cell group on the sealant. The bypass diode may be positioned between the solar cell group and the second cover member or fixed to the second cover member.

상기 태양 전지 그룹은 적어도 하나의 태양 전지를 포함하고, 상기 태양 전지와 상기 바이패스 다이오드가 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. The solar cell group may include at least one solar cell, and the solar cell and the bypass diode may have the same stacked structure.

상기 복수의 태양 전지 그룹에 전기적으로 연결되는 인터커넥터 부재를 더 포함하고, 상기 바이패드 다이오드가 연결 부재를 통하여 상기 인터커넥터 부재에 연결될 수 있다. An interconnector member electrically connected to the plurality of solar cell groups may be further included, and the biped diode may be connected to the interconnector member through a connection member.

상기 태양 전지가 반도체 기판, 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역, 그리고 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역을 구비할 수 있다. 상기 바이패스 다이오드가 서브 반도체 기판, 그리고 상기 제1 도전형을 가지는 제1 서브 도전형 영역 및 상기 제2 도전형을 가지는 제2 서브 도전형 영역을 구비할 수 있다. 상기 인터커넥터부가 상기 태양 전지 그룹의 일측에서 상기 제1 도전형 영역에 연결되는 제1 인터커넥터 부재 및 상기 태양 전지 그룹의 타측에서 상기 제2 도전형 영역에 연결되는 제2 인터커넥터 부재를 구비할 수 있다. 상기 연결 부재는, 상기 제1 인터커넥터 부재에 상기 제1 서브 도전형 영역을 전기적으로 연결하는 제1 연결 부재, 그리고 상기 제2 인터커넥터 부재에 상기 제2 서브 도전형 영역을 전기적으로 연결하는 제2 연결 부재를 포함할 수 있다. The solar cell may include a semiconductor substrate, a first conductivity type region having a first conductivity type, and a second conductivity type region having a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The bypass diode may include a sub semiconductor substrate, a first sub conductivity type region having the first conductivity type, and a second sub conductivity type region having the second conductivity type. The interconnector may include a first interconnector member connected to the first conductivity type region at one side of the solar cell group and a second interconnector member connected to the second conductivity type region at the other side of the solar cell group. can The connecting member may include a first connecting member electrically connecting the first sub-conductive type region to the first interconnect member, and a first connecting member electrically connecting the second sub-conductive type region to the second interconnect member. 2 may include a connecting member.

상기 태양 전지 그룹과 상기 바이패스 다이오드가 연결 부재에 의하여 서로 연결되고, 상기 바이패스 다이오드 및 상기 연결 부재가 상기 태양 전지 그룹의 후면에 위치할 수 있다. The solar cell group and the bypass diode may be connected to each other by a connecting member, and the bypass diode and the connecting member may be positioned on a rear surface of the solar cell group.

상기 태양 전지 그룹과 상기 바이패스 다이오드 사이에 절연을 위한 절연층이 위치할 수 있다. An insulating layer for insulation may be positioned between the solar cell group and the bypass diode.

상기 복수의 태양 전지 그룹 중 적어도 하나는 서로 병렬로 연결되는 복수의 태양 전지 스트링을 포함하고, 상기 복수의 태양 전지 스트링 중 적어도 하나는 서로 직렬로 연결되는 복수의 태양 전지를 포함할 수 있다. At least one of the plurality of solar cell groups may include a plurality of solar cell strings connected to each other in parallel, and at least one of the plurality of solar cell strings may include a plurality of solar cells connected to each other in series.

상기 태양 전지가 장축 및 단축을 가질 수 있다. 상기 복수의 태양 전지에서 서로 이웃한 두 개의 태양 전지는 서로 중첩되는 중첩부를 가지고, 상기 중첩부에서 상기 이웃한 두 개의 태양 전지 사이에 위치하여 상기 이웃한 두 개의 태양 전지를 연결하는 접착 부재를 더 포함할 수 있다. The solar cell may have a major axis and a minor axis. In the plurality of solar cells, two adjacent solar cells have an overlapping portion overlapping each other, and an adhesive member positioned between the two adjacent solar cells in the overlapping portion to connect the two adjacent solar cells is further provided. can include

본 실시예에 따르면, 태양 전지 셀을 바이패스 다이오드로 사용하여 바이패스 다이오드에 해당하는 제조 원가를 절감할 수 있으며, 태양 전지와의 연결 구조 또한 기존에 태양 전지에 적용되던 연결 구조를 그대로 사용할 수 있어 구조를 단순화할 수 있다. 특히, 바이패스 다이오드를 태양 전지 패널의 외부에 위치하던 정션 박스가 아닌 태양 전지 패널 내부에 위치시켜 구조를 최대한 단순화할 수 있다. 이와 같이 구조가 단순하고 제조 원가가 저렴하며 우수한 특성을 가지는 바이패스 다이오드에 의하여 태양 전지 패널의 제조 비용을 절감하고 구조를 단순화할 수 있다. According to this embodiment, the manufacturing cost corresponding to the bypass diode can be reduced by using the solar cell as a bypass diode, and the connection structure with the solar cell can also be used as it is in the existing connection structure applied to the solar cell. structure can be simplified. In particular, the structure can be simplified as much as possible by placing the bypass diode inside the solar cell panel instead of the junction box located outside the solar cell panel. As such, the manufacturing cost of the solar cell panel can be reduced and the structure can be simplified by the bypass diode having a simple structure, low manufacturing cost, and excellent characteristics.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함되는 하나의 태양 전지 그룹 및 이에 연결된 인터커넥터 부재의 일부를 개략적으로 펼쳐서 도시한 전면 전개도이다.
도 3은 도 2에 도시한 태양 전지 그룹에 포함되는 태양 전지 스트링에 포함되며 접착 부재에 의하여 서로 연결되는 두 개의 태양 전지 및 인터커넥터 부재 및 연결 부재를 통하여 이에 연결된 바이패스 다이오드를 펼쳐서 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지의 일 예를 도시한 전면 및 후면 평면도이다.
도 5는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함된 복수의 태양 전지 그룹, 그리고 이에 연결된 인터커넥터 부재, 연결 부재 및 바이패스 다이오드를 일부 펼쳐서 개략적으로 도시한 후면 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시한 복수의 태양 전지 그룹 및 이에 연결되는 바이패스 다이오드의 개략적인 회로도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함되며 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드에서 광이 입사되지 않은 상태의 전류-전압 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함되며 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드가 구비된 경우에 쉐이딩이 있는 태양 전지의 개수의 비율에 따른 전류-전압 그래프이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함된 복수의 태양 전지 그룹, 그리고 이에 연결된 인터커넥터 부재, 연결 부재 및 바이패스 다이오드를 일부 펼쳐서 개략적으로 도시한 후면 평면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a solar cell panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front exploded view schematically unfolding a portion of one solar cell group included in the solar cell panel shown in FIG. 1 and an interconnector member connected thereto.
FIG. 3 is a schematic view of two solar cells included in a solar cell string included in the solar cell group shown in FIG. 2 and connected to each other by an adhesive member, and a bypass diode connected to the interconnector member and a bypass diode connected thereto through an adhesive member; FIG. It is one section.
FIG. 4 is a front and rear plan view illustrating an example of a solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 1 .
FIG. 5 is a rear plan view schematically illustrating a plurality of solar cell groups included in the solar cell panel shown in FIG. 1 , and an interconnector member, a connection member, and a bypass diode connected thereto by partially unfolding them.
FIG. 6 is a schematic circuit diagram of a plurality of solar cell groups shown in FIG. 5 and a bypass diode connected thereto.
7 is a current-voltage graph in a state in which no light is incident on a bypass diode included in a solar cell panel and composed of solar cells according to an embodiment of the present invention.
8 is a current-voltage graph according to the ratio of the number of solar cells with shading when a bypass diode included in a solar cell panel according to an embodiment of the present invention and composed of solar cells is provided.
9 is a rear plan view schematically illustrating a plurality of solar cell groups included in a solar cell panel according to another embodiment of the present invention, and an interconnector member, a connection member, and a bypass diode connected thereto with partially unfolded parts.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified in various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, in order to clearly and briefly describe the present invention, the illustration of parts not related to the description is omitted, and the same reference numerals are used for the same or extremely similar parts throughout the specification. In addition, in the drawings, the thickness, width, etc. are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. And when a certain part "includes" another part throughout the specification, it does not exclude other parts unless otherwise stated, and may further include other parts. In addition, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” another part, this includes not only the case where it is “directly on” the other part, but also the case where another part is located in the middle. When a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "directly on" another part, it means that there are no intervening parts.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 상세하게 설명한다.Hereinafter, a solar cell panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)을 도시한 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a solar cell panel 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)은, 복수의 태양 전지 그룹(103)과, 복수의 태양 전지 그룹(103)에 연결되며 비수광 위치에 위치하는 태양 전지 셀로 구성되는 바이패스 다이오드(bypass diode)(200)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , a solar cell panel 100 according to the present embodiment is composed of a plurality of solar cell groups 103 and solar cell cells connected to the plurality of solar cell groups 103 and located in a non-light-receiving position. It includes a bypass diode 200 that becomes.

여기서, 각 태양 전지 그룹(103)에 바이패스 다이오드(200)가 각기 하나씩 병렬로 연결될 수 있다. 일 예로, 본 실시예에서 복수의 태양 전지 그룹(103)이 제1 태양 전지 그룹(도 5의 참조부호 103a, 이하 동일) 및 이에 직렬 연결되는 제2 태양 전지 그룹(도 5의 참조부호 103b, 이하 동일)을 구비하고, 바이패스 다이오드(200)는 제1 태양 전지 그룹(103a)에 병렬 연결되는 제1 바이패스 다이오드(도 5의 참조부호 200a, 이하 동일) 및 제2 태양 전지 그룹(103b)에 병렬 연결되는 제2 바이패스 다이오드(도 5의 참조부호 200b, 이하 동일)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 바이패스 다이오드(200a, 200b) 각각이 비수광 위치에 위치하는 태양 전지 셀로 구성될 수 있다. 여기서, 복수의 태양 전지 그룹(103) 중 적어도 하나(일 예로, 각각)은 서로 병렬로 연결되는 복수의 태양 전지 스트링(102)을 구비할 수 있다. Here, one bypass diode 200 may be connected in parallel to each solar cell group 103 . For example, in this embodiment, the plurality of solar cell groups 103 are a first solar cell group (reference numeral 103a in FIG. 5, hereinafter the same) and a second solar cell group (reference numeral 103b in FIG. hereinafter the same), and the bypass diode 200 includes a first bypass diode (reference numeral 200a in FIG. 5 , hereinafter the same) and a second solar cell group 103b connected in parallel to the first solar cell group 103a. ) may include a second bypass diode (reference numeral 200b in FIG. 5, hereinafter the same) connected in parallel to. In this case, each of the first and second bypass diodes 200a and 200b may be configured as a solar cell positioned at a non-light-receiving position. Here, at least one (for example, each) of the plurality of solar cell groups 103 may include a plurality of solar cell strings 102 connected in parallel with each other.

그리고 태양 전지 패널(200)은, 태양 전지 그룹(103)을 외부(일 예로, 외부 회로) 또는 다른 태양 전지(10)에 연결하는 인터커넥터 부재(104), 적어도 태양 전지 그룹(103)을 둘러싸서 밀봉하는 밀봉재(130)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(10)의 일면에 위치하는 제1 커버 부재(110)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(10)의 타면에 위치하는 제2 커버 부재(120)를 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. And the solar cell panel 200 surrounds the interconnector member 104 that connects the solar cell group 103 to the outside (eg, an external circuit) or to another solar cell 10, at least around the solar cell group 103. A sealing material 130 wrapped and sealed, a first cover member 110 positioned on one surface of the solar cell 10 on the sealing material 130, and a second cover member 110 positioned on the other surface of the solar cell 10 on the sealing material 130 A cover member 120 may be further included. This will be explained in more detail.

제1 커버 부재(110)는 밀봉재(130)(일 예로, 제1 밀봉재(131)) 상에 위치하여 태양 전지 패널(100)의 일면(일 예로, 전면)을 구성하고, 제2 커버 부재(120)는 밀봉재(130)(이 예로, 제2 밀봉재(132)) 상에 위치하여 태양 전지 패널(100)의 타면(일 예로, 후면)을 구성한다. 제1 커버 부재(110) 및 제2 커버 부재(120)는 각기 외부의 충격, 습기, 자외선 등으로부터 태양 전지(10)를 보호할 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. 그리고 제1 커버 부재(110)는 광이 투과할 수 있는 투광성 물질로 구성되고, 제2 커버 부재(120)는 투광성 물질, 비투광성 물질, 또는 반사 물질 등으로 구성되는 시트로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 커버 부재(110)가 우수한 내구성, 우수한 절연 특성 등을 가지는 유리 기판으로 구성될 수 있고, 제2 커버 부재(120)가 필름 또는 시트 등으로 구성될 수 있다. 제2 커버 부재(120)는 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입을 가지거나, 또는 베이스 필름(예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET))의 적어도 일면에 형성된 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지층을 포함할 수 있다. The first cover member 110 is positioned on the sealing material 130 (eg, the first sealing material 131) to form one side (eg, the front surface) of the solar cell panel 100, and the second cover member ( 120 is positioned on the sealant 130 (eg, the second sealant 132) to form the other surface (eg, the rear surface) of the solar cell panel 100. Each of the first cover member 110 and the second cover member 120 may be made of an insulating material capable of protecting the solar cell 10 from external impact, moisture, ultraviolet rays, and the like. Also, the first cover member 110 may be made of a light-transmitting material through which light may pass, and the second cover member 120 may be made of a sheet made of a light-transmitting material, a non-transmissive material, or a reflective material. For example, the first cover member 110 may be made of a glass substrate having excellent durability and insulating properties, and the second cover member 120 may be made of a film or sheet. The second cover member 120 has a TPT (Tedlar/PET/Tedlar) type, or is formed on at least one surface of a base film (eg, polyethylene terephthalate (PET)), polyvinylidene fluoride, PVDF) resin layer.

밀봉재(130)는, 태양 전지(10) 또는 태양 전지 그룹(103)의 전면에 위치하는 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(10) 또는 태양 전지 그룹(103)의 후면에 위치하는 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 수분과 산소의 유입되는 것을 방지하며 태양 전지 패널(100)의 각 요소들을 화학적으로 결합한다. 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 투광성 및 접착성을 가지는 절연 물질로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)로 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)를 이용한 라미네이션 공정 등에 의하여 제2 커버 부재(120), 제2 밀봉재(132), 태양 전지 스트링(102) 및 인터커넥터 부재(104), 제1 밀봉재(131), 제1 커버 부재(110)가 일체화되어 태양 전지 패널(100)을 구성할 수 있다. The sealing material 130 includes a first sealing material 131 located on the front side of the solar cell 10 or the solar cell group 103 and a second sealing material 131 located on the rear side of the solar cell 10 or the solar cell group 103. A sealant 132 may be included. The first sealing material 131 and the second sealing material 132 prevent moisture and oxygen from entering and chemically bond each element of the solar cell panel 100 . The first and second sealing materials 131 and 132 may be made of an insulating material having light transmission and adhesive properties. For example, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, a silicon resin, an ester-based resin, or an olefin-based resin may be used as the first sealing material 131 and the second sealing material 132 . The second cover member 120, the second sealant 132, the solar cell string 102 and the interconnector member 104, the first sealant ( 131), the first cover member 110 may be integrated to form the solar cell panel 100.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132), 제1 커버 부재(110), 또는 제2 커버 부재(120)가 상술한 설명 이외의 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 커버 부재(110) 또는 제2 커버 부재(120)가 다양한 형태(예를 들어, 기판, 필름, 시트 등) 또는 물질을 가질 수 있다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second sealants 131 and 132, the first cover member 110, or the second cover member 120 may include various materials other than those described above and may have various shapes. For example, the first cover member 110 or the second cover member 120 may have various shapes (eg, substrates, films, sheets, etc.) or materials.

본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)에 포함되는 태양 전지 그룹(103) 및 이에 포함되는 태양 전지(10)를 도 1과 함께 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세하게 설명한다. The solar cell group 103 included in the solar cell panel 100 according to the present embodiment and the solar cell 10 included therein will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4 together with FIG. 1 .

도 2는 도 1에 도시한 태양 전지 패널(100)에 포함되는 하나의 태양 전지 그룹(103) 및 이에 연결된 인터커넥터 부재(104)의 일부를 개략적으로 펼쳐서 도시한 전면 전개도이다. 도 3은 도 2에 도시한 태양 전지 그룹(103)에 포함되는 태양 전지 스트링(102)에 포함되며 접착 부재(142)에 의하여 서로 연결되는 두 개의 태양 전지(10) 및 인터커넥터 부재(104) 및 연결 부재(204)를 통하여 이에 연결된 바이패스 다이오드(200)를 펼쳐서 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널(100)에 포함되는 태양 전지(10)의 일 예를 도시한 전면 및 후면 평면도이다. 명확하고 간략한 도시를 위하여 도 2에서는 제1 전극(42) 및 제2 전극(44) 및 접착 부재(142)를 도시하지 않았으며, 인터커넥터 부재(104)에 연결된 바이패스 다이오드(200)를 도시하지 않았다. 그리고 도 4의 좌측에는 제1 태양 전지(10a)의 전면을 도시한 전면 평면도를, 우측에는 이에 연결되는 제2 태양 전지(10b)의 후면을 도시한 후면 평면도를 도시하였다. FIG. 2 is a front exploded view schematically unfolding a portion of one solar cell group 103 included in the solar cell panel 100 shown in FIG. 1 and an interconnector member 104 connected thereto. FIG. 3 shows two solar cells 10 and an interconnector member 104 included in a solar cell string 102 included in the solar cell group 103 shown in FIG. 2 and connected to each other by an adhesive member 142. And a cross-sectional view schematically showing the bypass diode 200 connected thereto through the connecting member 204 by unfolding it. FIG. 4 is a front and rear plan view illustrating an example of the solar cell 10 included in the solar cell panel 100 shown in FIG. 1 . For clarity and simplicity, FIG. 2 does not show the first electrode 42 and the second electrode 44 and the adhesive member 142, and the bypass diode 200 connected to the interconnector member 104 is shown. Did not do it. In addition, the left side of FIG. 4 shows a front plan view showing the front side of the first solar cell 10a, and the right side shows a rear side plan view showing the back side of the second solar cell 10b connected thereto.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 태양 전지(10)가 모 태양 전지(mother solar cell)로부터 절단되어 장축 및 단축을 가질 수 있다. 즉, 하나의 모 태양 전지를 절단하여 장축 및 단축을 가지는 복수의 태양 전지(10)를 제조하여 이를 단위 태양 전지로 사용한다. 이와 같이 절단된 복수의 태양 전지(10)를 연결하여 태양 전지 패널(100)을 제조하면, 태양 전지 패널(100)의 출력 손실(cell to module loss, CTM loss)을 줄일 수 있다. Referring to FIGS. 2 to 4 , in the present embodiment, a solar cell 10 is cut from a mother solar cell and may have a long axis and a short axis. That is, a plurality of solar cells 10 having major and minor axes are manufactured by cutting one mother solar cell and used as a unit solar cell. When the solar cell panel 100 is manufactured by connecting the plurality of solar cells 10 cut in this way, output loss (cell to module loss, CTM loss) of the solar cell panel 100 can be reduced.

상술한 출력 손실은 각 태양 전지(10)에서 전류의 제곱에 저항을 곱한 값을 가지게 되고, 복수 개의 태양 전지(10)를 포함하는 태양 전지 패널(100)의 출력 손실은 상기 각 태양 전지의 전류의 제곱에 저항을 곱한 값에 태양 전지(10)의 개수를 곱한 값을 가지게 된다. 그런데 각 태양 전지(10)의 전류 중에는 태양 전지의 면적 자체에 의하여 발생되는 전류가 있어, 태양 전지(10)의 면적이 커지면 해당 전류도 커지고 태양 전지(10)의 면적이 작아지면 해당 전류도 작아지게 된다. The above-described output loss has a value obtained by multiplying the resistance by the square of the current in each solar cell 10, and the output loss of the solar cell panel 100 including a plurality of solar cells 10 is the current of each solar cell. It has a value obtained by multiplying the square of the resistance by the number of solar cells 10. However, among the currents of each solar cell 10, there is a current generated by the area of the solar cell itself. As the area of the solar cell 10 increases, the corresponding current increases and as the area of the solar cell 10 decreases, the corresponding current also decreases. will lose

따라서, 모 태양 전지를 절단하여 제조된 태양 전지(10)를 이용하여 태양 전지 패널(100)을 형성하면, 태양 전지(10)의 전류가 면적에 비례하여 줄고 태양 전지(10)의 개수는 이와 반대로 증가하게 된다. 예를 들어, 모 태양 전지로부터 제조된 태양 전지(10)가 네 개인 경우에는 각 태양 전지(10)에서의 전류가 모 태양 전지의 전류의 4분의 1로 줄게 되고, 태양 전지(10)의 개수가 모 태양 전지의 네 배가 된다. 전류는 제곱으로 반영되고 개수는 그대로 반영되므로, 출력 손실 값은 4분의 1로 작아지게 된다. 이에 따라 본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)의 출력 손실을 줄일 수 있다. Therefore, when the solar cell panel 100 is formed using the solar cell 10 manufactured by cutting the parent solar cell, the current of the solar cell 10 is reduced in proportion to the area, and the number of solar cells 10 is reduced accordingly. conversely increases. For example, when there are four solar cells 10 manufactured from the mother solar cell, the current in each solar cell 10 is reduced to a quarter of the current of the mother solar cell, and the solar cell 10 The number is four times that of the parent solar cell. Since the current is reflected as a square and the number is reflected as it is, the output loss value is reduced to 1/4. Accordingly, the output loss of the solar cell panel 100 according to the present embodiment can be reduced.

본 실시예에서는 기존과 같이 모 태양 전지를 제조한 후에 이를 절단하여 태양 전지(10)을 형성한다. 이에 의하면 기존에 사용하던 설비, 이에 따라 최적화된 설계 등을 그대로 이용하여 모 태양 전지를 제조한 후에 이를 절단하여 태양 전지(10)를 제조할 수 있다. 이에 따라 설비 부담, 공정 비용 부담이 최소화된다. 반면, 모 태양 전지의 크기 자체를 줄여서 제조하게 되면 사용하던 설비를 교체하거나 설정을 변경하는 등의 부담이 있다. In this embodiment, the solar cell 10 is formed by manufacturing a mother solar cell as in the prior art and then cutting it. According to this, the solar cell 10 can be manufactured by manufacturing a mother solar cell by using existing equipment, a design optimized according to the equipment, and the like, and then cutting it. As a result, the burden of equipment and process costs is minimized. On the other hand, if the size of the mother solar cell itself is reduced and manufactured, there is a burden of replacing equipment used or changing settings.

좀더 구체적으로, 모 태양 전지 또는 이의 반도체 기판은 대략적인 원형 형상의 잉곳(ingot)으로부터 제조되어 원형, 정사각형 또는 이와 유사하게 서로 직교하는 두 개의 방향(도면의 x축 및 y축 방향)에서의 길이가 서로 동일하거나 거의 유사하다. 일 예로, 모 태양 전지의 반도체 기판은 대략적인 정사각형의 형상에서 네 개의 모서리 부분에 경사부를 가지는 팔각형 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상을 가지면 동일한 잉곳으로부터 최대한 넓은 면적의 반도체 기판을 얻을 수 있다. 참조로, 도 2에서 상부로부터 순서대로 서로 인접한 네 개의 태양 전지(10)가 각기 하나의 모 태양 전지에서 제조된 것일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 모 태양 전지에서 제조된 태양 전지(10)의 개수 등은 다양하게 변형될 수 있다. More specifically, the parent solar cell or its semiconductor substrate is manufactured from an ingot having a substantially circular shape and has a length in two directions (x-axis and y-axis directions in the drawing) orthogonal to each other, such as a circular shape, a square shape, or the like. are identical or nearly similar to each other. For example, the semiconductor substrate of the parent solar cell may have an octagonal shape having four corner portions in an approximate square shape. With this shape, a semiconductor substrate with a maximum area can be obtained from the same ingot. For reference, four solar cells 10 sequentially adjacent to each other in FIG. 2 may be manufactured from one mother solar cell. However, the present invention is not limited thereto, and the number of solar cells 10 manufactured from one mother solar cell may be variously modified.

이와 같이 모 태양 전지는 대칭적인 형상을 가지며, 최대 가로폭(반도체 기판의 중심을 지나는 가로폭)과 최대 세로폭(반도체 기판의 중심을 지나는 세로폭)이 동일한 거리를 가진다. As described above, the parent solar cell has a symmetrical shape, and the maximum horizontal width (the horizontal width passing through the center of the semiconductor substrate) and the maximum vertical width (the vertical width passing through the center of the semiconductor substrate) have the same distance.

이러한 모 태양 전지를 일 방향(일 예로, 도면의 y축 방향)으로 연장된 절단선을 따라 절단하여 형성된 태양 전지(10)는 장축과 단축을 가질 수 있다. 이와 같이 제조된 복수의 태양 전지(10)는 중첩부(OP)에 위치한 접착 부재(142)를 이용하여 서로 전기적으로 연결되어 태양 전지 스트링(102)을 구성하고, 태양 전지 스트링(102)의 단부(좀더 정확하게는, 태양 전지 스트링(102)의 단부에 위치한 단부 태양 전지(10c, 10d))에 인터커넥터 부재(104)가 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 복수의 태양 전지 스트링(102)이 인터커넥터 부재(104)에 의하여 병렬로 전기적으로 연결되어 하나의 태양 전지 그룹(103)을 형성할 수 있는데, 이를 추후에 좀더 상세하게 설명한다. The solar cell 10 formed by cutting the parent solar cell along a cutting line extending in one direction (eg, the y-axis direction in the drawing) may have a major axis and a minor axis. The plurality of solar cells 10 manufactured in this way are electrically connected to each other using the adhesive member 142 located at the overlapping portion OP to form the solar cell string 102, and the end of the solar cell string 102 (More precisely, the end solar cells 10c and 10d located at the ends of the solar cell string 102) to which the interconnector member 104 can be connected. In this embodiment, a plurality of solar cell strings 102 may be electrically connected in parallel by an interconnector member 104 to form one solar cell group 103, which will be described in more detail later.

이하에서는, 먼저 도 3 및 도 4를 참조하여 태양 전지(10)의 구조를 설명한 다음, 도 1 내지 도 4를 참조하여 복수의 태양 전지(10)의 연결 구조 및 태양 전지(10)와 인터커넥터 부재(104)의 연결 구조를 좀더 상세하게 설명한다. Hereinafter, the structure of the solar cell 10 is first described with reference to FIGS. 3 and 4 , and then the connection structure of the plurality of solar cells 10 and the solar cell 10 and the interconnector are described with reference to FIGS. 1 to 4 . The connection structure of the member 104 will be described in more detail.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(10)는, 반도체 기판(12)과, 반도체 기판(12)에 또는 반도체 기판(12) 위에 형성되는 도전형 영역(20, 30)과, 도전형 영역(20, 30)에 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 즉, 본 실시예에 따른 태양 전지(10)는 반도체 기판(12)을 기반으로 하는 결정질 태양 전지일 수 있다. 일 예로, 도전형 영역(20, 30)은 서로 다른 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있고, 전극(42, 44)은 제1 도전형 영역(20)에 연결되는 제1 전극(42)과 제2 도전형 영역(30)에 연결되는 제2 전극(44)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the solar cell 10 according to the present embodiment includes a semiconductor substrate 12, conductive regions 20 and 30 formed on or on the semiconductor substrate 12, It includes electrodes 42 and 44 connected to the conductive regions 20 and 30 . That is, the solar cell 10 according to the present embodiment may be a crystalline solar cell based on the semiconductor substrate 12 . For example, the conductivity type regions 20 and 30 may include a first conductivity type region 20 and a second conductivity type region 30 having different conductivity types, and the electrodes 42 and 44 may have a first conductivity type region 20 and a second conductivity type region 30 . A first electrode 42 connected to the conductive region 20 and a second electrode 44 connected to the second conductive region 30 may be included.

반도체 기판(12)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하여 제1 또는 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(14)을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(14)은 제2 도전형을 가질 수 있다. 베이스 영역(14)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단일 결정질 반도체(예를 들어, 단일 단결정 또는 다결정 반도체, 일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘, 특히 단결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 이와 같이 결정성이 높아 결함이 적은 베이스 영역(14) 또는 반도체 기판(12)을 기반으로 한 태양 전지(10)는 전기적 특성이 우수하다. 이때, 반도체 기판(12)의 전면 및 후면 중 적어도 하나에는 반사를 최소화할 수 있도록 피라미드 등의 형태의 요철을 가지는 텍스쳐링(texturing) 구조 또는 반사 방지 구조가 구비될 수 있다. The semiconductor substrate 12 may include a base region 14 having a first or second conductivity type by including a first or second conductivity type dopant at a relatively low doping concentration. For example, the base region 14 may have a second conductivity type. The base region 14 may be formed of a single crystalline semiconductor (eg, a single crystalline or polycrystalline semiconductor, eg, single crystalline or polycrystalline silicon, in particular, single crystalline silicon) including a first or second conductivity type dopant. The solar cell 10 based on the semiconductor substrate 12 or the base region 14 having fewer defects due to its high crystallinity has excellent electrical characteristics. In this case, at least one of the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 12 may be provided with a texturing structure or an anti-reflection structure having irregularities in the shape of a pyramid or the like to minimize reflection.

도전형 영역(20, 30)은, 반도체 기판(12)의 일면(일 예로, 전면) 쪽에 위치하며 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과, 반도체 기판(12)의 다른 일면(일 예로, 타면) 쪽에 위치하며 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있다. 도전형 영역(20, 30)은 베이스 영역(14)과 다른 도전형을 가지거나, 베이스 영역(14)보다 높은 도핑 농도를 가질 수 있다. 본 실시예에서는 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(12)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성되어, 베이스 영역(14)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. 이때, 제1 도전형 영역(20) 또는 제2 도전형 영역(30)는 균일한 구조(homogeneous structure), 선택적 구조(selective structure) 또는 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. The conductive regions 20 and 30 are located on one surface (eg, the front surface) of the semiconductor substrate 12 and have a first conductivity type region 20 and the other surface of the semiconductor substrate 12 (For example, the other surface) may include a second conductivity type region 30 having a second conductivity type. The conductive regions 20 and 30 may have a conductivity type different from that of the base region 14 or may have a higher doping concentration than that of the base region 14 . In this embodiment, the first and second conductivity type regions 20 and 30 are formed as doped regions constituting a part of the semiconductor substrate 12, so that bonding characteristics with the base region 14 can be improved. In this case, the first conductivity type region 20 or the second conductivity type region 30 may have a homogeneous structure, a selective structure, or a local structure.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 적어도 하나가 반도체 기판(12)의 위에서 반도체 기판(12)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(12) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(12)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층(예를 들어, 비정질 반도체층, 미세 결정 반도체층, 또는 다결정 반도체층, 일 예로, 비정질 실리콘층, 미세 결정 실리콘층 또는 다결정 실리콘층)으로 구성될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and at least one of the first and second conductive regions 20 and 30 may be formed separately from the semiconductor substrate 12 on the semiconductor substrate 12 . In this case, a semiconductor layer having a crystal structure different from that of the semiconductor substrate 12 (eg, an amorphous semiconductor layer, A microcrystalline semiconductor layer or a polycrystalline semiconductor layer, for example, an amorphous silicon layer, a microcrystalline silicon layer, or a polycrystalline silicon layer).

제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(14)과 다른 도전형을 가지는 하나의 영역은 에미터 영역의 적어도 일부를 구성한다. 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(14)과 동일한 도전형을 가지는 다른 하나는 전계(surface field) 영역의 적어도 일부를 구성한다. 일 예로, 본 실시예에서는 베이스 영역(14) 및 제2 도전형 영역(30)이 제2 도전형으로 n형을 가지고, 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가질 수 있다. 그러면, 베이스 영역(14)과 제1 도전형 영역(20)이 pn 접합을 이룬다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(12)의 후면 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(12)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(12)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 효율이 향상될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(14) 및 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. 또한, 베이스 영역(14)이 제2 도전형 영역(30)과 동일하고 제1 도전형 영역(20)과 반대되는 도전형을 가질 수 있다. Among the first and second conductivity type regions 20 and 30, one region having a conductivity type different from that of the base region 14 constitutes at least a portion of the emitter region. Among the first and second conductivity type regions 20 and 30 , another one having the same conductivity type as the base region 14 constitutes at least a part of the surface field region. For example, in this embodiment, the base region 14 and the second conductivity type region 30 may have n-type as the second conductivity type, and the first conductivity type region 20 may have p-type. Then, the base region 14 and the first conductivity type region 20 form a pn junction. When light is irradiated to such a pn junction, electrons generated by the photoelectric effect move toward the rear surface of the semiconductor substrate 12 and are collected by the second electrode 44, and holes move toward the front surface of the semiconductor substrate 12 to be removed. 1 is collected by the electrode 42. As a result, electrical energy is generated. Then, holes moving at a slower speed than electrons may move to the front surface of the semiconductor substrate 12 instead of the rear surface, so that efficiency may be improved. However, the present invention is not limited thereto, and it is possible that the base region 14 and the second conductivity type region 30 have a p-type and the first conductivity type region 20 has an n-type. In addition, the base region 14 may have the same conductivity type as the second conductivity type region 30 and a conductivity type opposite to that of the first conductivity type region 20 .

이때, 제1 또는 제2 도전형 도펀트로는 n형 또는 p형을 나타낼 수 있는 다양한 물질을 사용할 수 있다. p형 도펀트로는 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소를 사용할 수 있다. n형일 경우에는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소를 사용할 수 있다. 일 예로, p형 도펀트가 보론(B)이고 n형 도펀트가 인(P)일 수 있다. In this case, as the first or second conductivity-type dopant, various materials capable of exhibiting n-type or p-type may be used. As the p-type dopant, a Group 3 element such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), or indium (In) may be used. In the case of the n-type, a group 5 element such as phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), and antimony (Sb) may be used. For example, the p-type dopant may be boron (B) and the n-type dopant may be phosphorus (P).

그리고 반도체 기판(12)의 전면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 전면에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위)에 제1 절연막인 제1 패시베이션막(22) 및/또는 반사 방지막(24)이 위치(일 예로, 접촉)할 수 있다. 그리고 반도체 기판(12)의 후면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 후면에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위)에 제2 절연막인 제2 패시베이션막(32)이 위치(일 예로, 접촉)할 수 있다. 제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 및 제2 패시베이션막(32)은 다양한 절연 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 또는 제2 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, 실리콘 탄화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. And, on the entire surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the first conductive region 20 formed on the entire surface of the semiconductor substrate 12), a first passivation film 22 that is a first insulating film and/or an antireflection film (24) can be positioned (eg, contacted). And, on the back surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the second conductive region 30 formed on the back surface of the semiconductor substrate 12), a second passivation film 32, which is a second insulating film, is positioned (for example, , contact). The first passivation layer 22, the anti-reflection layer 24, and the second passivation layer 32 may be formed of various insulating materials. For example, the first passivation film 22, the antireflection film 24 or the second passivation film 32 may include a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, a silicon carbide film, MgF2, Any single layer selected from the group consisting of ZnS, TiO 2 and CeO 2 may have a multi-layer structure in which two or more layers are combined. However, the present invention is not limited thereto.

제1 전극(42)은 제1 절연막을 관통하는 개구부를 통하여 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(44)은 제2 절연막을 관통하는 개구부를 통하여 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 전극(42, 44)은 다양한 전도성 물질(일 예로, 금속)으로 구성되며 다양한 형상을 가질 수 있다. The first electrode 42 is electrically connected to the first conductive region 20 through an opening penetrating the first insulating film, and the second electrode 44 is a second conductive type through an opening penetrating the second insulating film. It is electrically connected to region 30 . The first and second electrodes 42 and 44 are made of various conductive materials (eg, metal) and may have various shapes.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 전극(42)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 제1 핑거 전극(42a)을 포함할 수 있다. 도 4에서는 제1 핑거 전극(42a)이 단축 방향으로 연장되어 서로 평행하며 반도체 기판(12)의 일 가장자리에 평행한 것을 예시하였다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the first electrode 42 may include a plurality of first finger electrodes 42a spaced apart from each other with a constant pitch. 4 illustrates that the first finger electrodes 42a extend in the direction of the short axis and are parallel to each other and parallel to one edge of the semiconductor substrate 12 .

그리고 제1 전극(42)은 제1 핑거 전극(42a)의 단부를 연결하면서 단축 방향과 교차(일 예로, 직교)하는 장축 방향(도면의 y축 방향)으로 연장되는 제1 버스바 전극(42b)을 포함할 수 있다. 이러한 제1 버스바 전극(42b)은 다른 태양 전지(10)와 중첩되는 중첩부(OP) 내에 위치하여 이웃한 태양 전지(10)를 연결하는 접착 부재(142)가 직접 위치하게 될 부분이다. 이때, 제1 핑거 전극(42a)의 폭보다 제1 버스바 전극(42b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 버스바 전극(42b)의 폭이 제1 핑거 전극(42a)의 폭과 동일하거나 그보다 작은 폭을 가질 수 있다. 그리고 중첩부(OP) 내에 위치하는 제1 버스바 전극(42b)을 구비하지 않는 것도 가능하다. And the first electrode 42 connects the end of the first finger electrode 42a and extends in a long axis direction (y-axis direction in the drawing) intersecting (for example, orthogonal to) the short axis direction. A first bus bar electrode 42b ) may be included. The first bus bar electrode 42b is located in the overlapping portion OP overlapping with another solar cell 10 and is a portion where the adhesive member 142 connecting the adjacent solar cell 10 is directly positioned. At this time, the width of the first bus bar electrode 42b may be larger than the width of the first finger electrode 42a, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the width of the first bus bar electrode 42b may be equal to or smaller than that of the first finger electrode 42a. Also, it is possible not to include the first bus bar electrode 42b located in the overlapping portion OP.

단면에서 볼 때, 제1 전극(42)의 제1 핑거 전극(42a) 및 제1 버스바 전극(42b)은 모두 제1 절연막을 관통하여 형성될 수도 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 제1 핑거 전극(42a)이 제1 절연막을 관통하여 형성되고, 제1 버스바 전극(42b)은 제1 절연막 위에 형성될 수 있다. When viewed in cross section, both the first finger electrode 42a and the first bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may be formed through the first insulating layer. However, the present invention is not limited thereto. As another example, the first finger electrode 42a of the first electrode 42 may be formed through the first insulating layer, and the first bus bar electrode 42b may be formed on the first insulating layer.

이와 유사하게, 제2 전극(44)은 복수의 제2 핑거 전극(44a)을 포함하고, 복수의 제2 전극(44a)의 단부를 연결하는 제2 버스바 전극(44b)을 포함할 수 있다. 다른 기재가 없으면 제2 전극(44)에 대해서는 제1 전극(42)에 대한 내용이 그대로 적용될 수 있고, 제1 전극(42)과 관련한 제1 절연막의 내용이 제2 전극(44)과 관련하여 제2 절연막에 그대로 적용될 수 있다. 이때, 제1 전극(42)의 제1 핑거 전극(42a) 및 제1 버스바 전극(42b)의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 제2 핑거 전극(44a) 및 제2 버스바 전극(44b)의 폭, 피치 등과 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수 있다. Similarly, the second electrode 44 may include a plurality of second finger electrodes 44a and a second bus bar electrode 44b connecting ends of the plurality of second electrodes 44a. . Unless otherwise specified, the content of the first electrode 42 may be applied as it is to the second electrode 44, and the content of the first insulating film related to the first electrode 42 may be applied to the second electrode 44. It may be applied to the second insulating film as it is. At this time, the width and pitch of the first finger electrode 42a and the first bus bar electrode 42b of the first electrode 42 are the same as those of the second finger electrode 44a and the second bus bar of the second electrode 44. The width and pitch of the electrodes 44b may be the same as or different from each other.

본 실시예에서는 일 예로, 제1 버스바 전극(42b)이 제1 핑거 전극(42a)의 일측 단부에서 하나 구비되고 제2 버스바 전극(44b)이 제2 핑거 전극(44a)의 타측 단부에서 하나 구비되는 것을 예시하였다. 좀더 구체적으로, 제1 버스바 전극(42b)이 반도체 기판(12)의 단축 방향의 일측에서 반도체 기판(12)의 장축 방향(도면의 y축 방향)을 따라 길게 이어지고, 제2 버스바 전극(44b)이 반도체 기판(12)의 단축 방향의 타측에서 반도체 기판(12)의 장축 방향을 따라 길게 이어질 수 있다. In this embodiment, for example, one first bus bar electrode 42b is provided at one end of the first finger electrode 42a and a second bus bar electrode 44b is provided at the other end of the second finger electrode 44a. It is illustrated that one is provided. More specifically, the first bus bar electrode 42b extends along the long axis direction (y axis direction in the drawing) of the semiconductor substrate 12 from one side of the short axis direction of the semiconductor substrate 12, and the second bus bar electrode ( 44b) may extend along the long axis direction of the semiconductor substrate 12 on the other side of the short axis direction of the semiconductor substrate 12 .

이와 같은 구조를 가지면, 태양 전지(10)를 연결할 때 하나의 태양 전지(10)의 일측에 위치한 제1 버스바 전극(42b)과 이에 이웃한 태양 전지(10)의 타측에 위치한 제2 버스바 전극(44b)이 중첩부(OP)에서 서로 인접하여 위치하므로, 이들을 접착 부재(142)로 접합하는 것에 의하여 이웃한 태양 전지(10)를 안정적으로 연결할 수 있다. 그리고 일측에만 제1 및 제2 버스바 전극(42b, 44b)을 형성하여 제1 및 제2 전극(42, 44)의 재료 비용을 절감하고 제조 공정을 단순화할 수 있다. With this structure, when the solar cells 10 are connected, the first bus bar electrode 42b located on one side of one solar cell 10 and the second bus bar located on the other side of the solar cell 10 adjacent thereto Since the electrodes 44b are positioned adjacent to each other in the overlapping portion OP, adjacent solar cells 10 can be stably connected by bonding them with the adhesive member 142 . In addition, by forming the first and second bus bar electrodes 42b and 44b only on one side, the material cost of the first and second electrodes 42 and 44 can be reduced and the manufacturing process can be simplified.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 및 제2 버스바 전극(42b, 44b)을 포함하지 않거나, 상술한 제1 및 제2 핑거 전극(42a, 44a)과 다른 형상을 가지는 전극을 형성할 수도 있다. 또한, 상술한 바와 달리 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 평면 형상이 서로 전혀 다르거나 유사성을 가지지 않는 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, electrodes may be formed that do not include the first and second bus bar electrodes 42b and 44b or have a different shape from those of the first and second finger electrodes 42a and 44a described above. In addition, unlike the above, it is possible that the planar shapes of the first electrode 42 and the second electrode 44 are completely different from each other or have no similarity, and various other modifications are possible.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 각기 장축 및 단축을 가지는 복수의 태양 전지(10)가 중첩부(OP) 및 접착 부재(142)를 이용하여 일 방향으로 길게 이어질 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 4 , in the present embodiment, a plurality of solar cells 10 each having a major axis and a minor axis may be extended in one direction using an overlapping portion OP and an adhesive member 142 .

좀더 구체적으로, 복수의 태양 전지(10)에서 서로 이웃한 두 개의 태양 전지(즉, 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b))의 일부가 서로 중첩되는 중첩부(OP)를 구비한다. 즉, 단축 방향에서의 제1 태양 전지(10a)의 일측에서의 일부 부분과 제2 태양 전지(10b)의 타측에서의 일부 부분이 중첩되어 중첩부(OP)를 형성하고, 중첩부(OP)가 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b)의 장축 방향을 따라 길게 이어진다. 중첩부(OP)에서 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b)의 사이에 접착 부재(142)가 위치하여 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b)가 연결된다. 접착 부재(142)는 중첩부(OP)를 따라 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b)의 장축 방향을 따라 길게 이어질 수 있다. 이에 의하여, 중첩부(OP)에 위치한 제1 태양 전지(10a)의 제1 전극(42)과 중첩부(OP)에 위치한 제2 태양 전지(10b)의 제2 전극(44)이 전기적으로 연결된다. 이와 같이 연결되면, 단축 및 장축을 가지는 태양 전지(10)에서 접착 부재(142)가 장축 방향으로 길게 이어지도록 위치하므로, 연결 면적을 충분하게 확보하여 안정적으로 연결할 수 있다. More specifically, in the plurality of solar cells 10, portions of two adjacent solar cells (ie, first and second solar cells 10a and 10b) have overlapping portions OP overlapping each other. That is, a partial portion on one side of the first solar cell 10a and a partial portion on the other side of the second solar cell 10b in the uniaxial direction overlap to form an overlapping portion OP, and the overlapping portion OP is It extends along the long axis direction of the first and second solar cells 10a and 10b. An adhesive member 142 is positioned between the first and second solar cells 10a and 10b in the overlapping portion OP to connect the first and second solar cells 10a and 10b. The adhesive member 142 may extend along the long axis direction of the first and second solar cells 10a and 10b along the overlapping portion OP. Accordingly, the first electrode 42 of the first solar cell 10a positioned on the overlapping portion OP and the second electrode 44 of the second solar cell 10b positioned on the overlapping portion OP are electrically connected. do. When connected in this way, since the adhesive member 142 is positioned so as to extend in the direction of the long axis in the solar cell 10 having a short axis and a long axis, a sufficient connection area can be secured and the connection can be made stably.

상술한 바와 같은 이웃한 제1 및 제2 태양 전지(10a, 10b)의 연결 구조가 서로 인접한 두 개의 태양 전지(10)에 연속적으로 반복되어 복수의 태양 전지(10)가 제1 방향(도면의 x축 방향) 또는 태양 전지(10)의 단축 방향을 따라 직렬로 연결되어 하나의 열(列)로 구성된 태양 전지 스트링(102)을 구성할 수 있다. 이와 같은 태양 전지 스트링(102)은 다양한 방법 또는 장치에 의하여 형성될 수 있다. As described above, the connection structure of the first and second adjacent solar cells 10a and 10b is continuously repeated for the two adjacent solar cells 10 to form a plurality of solar cells 10 in a first direction (shown in the drawing). x-axis direction) or the solar cell 10 may be connected in series along the short axis direction to form a solar cell string 102 composed of one column. Such a solar cell string 102 may be formed by various methods or devices.

접착 부재(142)는 접착 물질을 포함할 수 있는데, 접착 물질로는 전기 전도성 및 접착 특성을 가져 두 개의 태양 전지(10)를 전기적 및 물리적으로 연결할 수 있는 다양한 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(142)가 전도성 접착 물질(electrical conductive adhesive, ECA), 솔더 등으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 접착 부재(142)는 전도성 접착 물질로 구성될 수 있다. The adhesive member 142 may include an adhesive material. As the adhesive material, various materials capable of electrically and physically connecting the two solar cells 10 due to electrical conductivity and adhesive properties may be used. For example, the adhesive member 142 may be made of electrical conductive adhesive (ECA), solder, or the like. For example, the adhesive member 142 may be made of a conductive adhesive material.

전도성 접착 물질은 전도성 물질, 바인더, 용매 등을 포함하는 점도가 있는 액상 또는 페이스트 상태의 물질로서, 노즐 등에 의하여 도포된 후에 일정 온도에서 경화되어 전도성 물질에 의한 전기적 연결이 이루어지도록 한다. 경화 과정에서 용매는 대부분 제거될 수 있다. 이러한 전도성 접착 물질은 우수한 부착력을 가질 수 있도록 그 두께, 형태 등을 다양하게 적용할 수 있으며 간단한 공정에 의하여 도포 및 경화될 수 있다. The conductive adhesive material is a viscous liquid or paste material containing a conductive material, a binder, a solvent, and the like, and is cured at a certain temperature after being applied by a nozzle or the like so that electrical connection is made by the conductive material. Most of the solvent can be removed during the curing process. Such a conductive adhesive material can be applied in various thicknesses, shapes, etc. to have excellent adhesion, and can be applied and cured by a simple process.

이렇게 형성된 태양 전지 스트링(102)의 단부(좀더 구체적으로는, 태양 전지 스트링(102)의 단부에 위치한 단부 태양 전지(10c. 10d)의 단부)에는 다른 태양 전지 스트링(102) 또는 외부(일 예로, 외부 회로, 예를 들어, 정션 박스)와의 연결을 위한 인터커넥터 부재(104)가 전기적으로 연결된다. 인터커넥터 부재(104)는 복수의 태양 전지 스트링(102)를 병렬로 연결하여 태양 전지 그룹(103)을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 인터커넥터 부재(104)가 하나의 태양 전지 스트링(102)에 연결되어 하나의 태양 전지 스트링(102)이 태양 전지 그룹(103)을 형성할 수도 있다. The end of the thus formed solar cell string 102 (more specifically, the end of the end solar cell 10c. 10d located at the end of the solar cell string 102) has another solar cell string 102 or an external (for example , an interconnector member 104 for connection with an external circuit, for example, a junction box, is electrically connected. The interconnector member 104 may form a solar cell group 103 by connecting a plurality of solar cell strings 102 in parallel. However, the present invention is not limited thereto, and the interconnector member 104 may be connected to one solar cell string 102 so that one solar cell string 102 may form a solar cell group 103 .

인터커넥터 부재(104)는, 태양 전지 스트링(102) 또는 이의 단부에 위치한 단부 태양 전지(10c, 10d)의 단부에 대응하여 연결되는 제1 인터커넥터(105)와, 제1 인터커넥터(105)와 별개의 구조를 가지며 제1 인터커넥터(105)에 연결되는 제2 인터커넥터(106)를 포함한다. 제1 인터커넥터(105)는 각 태양 전지 스트링(102)에 대응하여 개별적으로 위치하며 태양 전지 스트링(102)의 연장 방향(즉, 제1 방향(도면의 x축 방향) 또는 태양 전지(10)의 단축 방향)과 평행한 방향으로 외부로 돌출되고, 제2 인터커넥터(106)는 태양 전지 스트링(102)의 연장 방향(즉, 제1 방향 또는 태양 전지(10)의 단축 방향)과 교차(일 예로, 직교)하는 제2 방향으로 연장되는 부분을 포함할 수 있다. 이때, 제2 인터커넥터(106)는 복수의 태양 전지 스트링(102) 중 적어도 일부를 연결하도록(즉, 복수의 태양 전지 스트링(102)에 대응하는 복수의 제1 인터커넥터(105)에 연결되도록) 배치될 수 있는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The interconnector member 104 includes a first interconnector 105 connected to correspond to the ends of the solar cell string 102 or the ends of the solar cells 10c and 10d located at the ends thereof, and the first interconnector 105 and a second interconnector 106 having a separate structure and connected to the first interconnector 105 . The first interconnector 105 is individually positioned to correspond to each solar cell string 102 and extends in the extension direction of the solar cell string 102 (that is, in the first direction (x-axis direction in the drawing) or the solar cell 10). The second interconnector 106 protrudes outward in a direction parallel to the minor axis direction of the solar cell 102, and the second interconnector 106 intersects the extension direction of the solar cell string 102 (ie, the first direction or the minor axis direction of the solar cell 10) ( For example, it may include a portion extending in a second direction orthogonal to each other. At this time, the second interconnector 106 connects at least some of the plurality of solar cell strings 102 (ie, to be connected to the plurality of first interconnectors 105 corresponding to the plurality of solar cell strings 102). ), but the present invention is not limited thereto.

제1 인터커넥터(105)는 각 태양 전지 스트링(102)의 일단부 및 타단부에 각기 하나씩 위치할 수 있는데, 각 태양 전지 스트링(102)의 일단부에서는 태양 전지(10)의 전면에서 제1 전극(42)에 연결되고 타단부에서는 태양 전지(10)의 후면에서 제2 전극(44)에 연결될 수 있다. 태양 전지 스트링(102)의 양 단부에 위치하는 두 개의 제1 인터커넥터(105)는 제1 방향(도면의 x축 방향)을 따라 연장되어 외부로 돌출될 수 있다. The first interconnector 105 may be located at one end and the other end of each solar cell string 102, respectively. At one end of each solar cell string 102, the first interconnector 105 is connected to the front surface of the solar cell 10. It is connected to the electrode 42 and the other end may be connected to the second electrode 44 at the back of the solar cell 10 . The two first interconnectors 105 positioned at both ends of the solar cell string 102 may extend in a first direction (x-axis direction in the drawing) and protrude to the outside.

그리고 제2 인터커넥터(106)는 제2 방향으로 길게 연장되는 부분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 태양 전지 스트링(102)의 일단부에 위치한 제1 단부 태양 전지(10c)에서는 제1 인터커넥터(105)가 제1 전극(42)에 연결되도록 전면에 위치하고, 타단부에 위치한 제2 단부 태양 전지(10d)에서는 제1 인터커넥터(105)가 제2 전극(44)에 연결되도록 후면에 위치한다. 그리고 일측에서 제2 인터커넥터(106)가 제1 단부 태양 전지들(10c)의 제1 전극들(42)에 연결되면서 일측으로 돌출된 제1 인터커넥터(105)를 연결하고, 타측에서 제2 인터커넥터(106)가 제2 단부 태양 전지들(10d)의 제2 전극들(44)에 연결되면서 타측으로 돌출된 제1 인터커넥터(105)를 연결한다. 이에 의하면 복수의 태양 전지 스트링(102)이 제2 인터커넥터(106)에 의하여 서로 병렬 연결되어 하나의 태양 전지 그룹(103)을 형성할 수 있다. 제1 및 제2 인터커넥터(105, 106)의 구조, 이들의 연결 구조로는 그 외 다양한 구조가 적용될 수 있다. Also, the second interconnector 106 may include a portion extending in the second direction. For example, in the first end solar cell 10c located at one end of each solar cell string 102, the first interconnector 105 is located at the front so as to be connected to the first electrode 42, and located at the other end. In the second end solar cell 10d, the first interconnector 105 is located on the back so as to be connected to the second electrode 44. In addition, the second interconnector 106 is connected to the first electrodes 42 of the first end solar cells 10c at one side and the first interconnector 105 protrudes to one side, and at the other side, the second interconnector 106 is connected to the first electrodes 42 of the first end solar cells 10c. The interconnector 106 connects the first interconnector 105 protruding to the other side while being connected to the second electrodes 44 of the second end solar cells 10d. According to this, a plurality of solar cell strings 102 may be connected in parallel to each other by the second interconnector 106 to form one solar cell group 103 . Various other structures may be applied as the structure of the first and second interconnectors 105 and 106 and their connection structure.

제1 및 제2 인터커넥터(105, 106)는 굽힘 선(BL)을 따라 접혀서 태양 전지 그룹(103)의 후면에 위치할 수 있는데, 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. The first and second interconnectors 105 and 106 may be folded along the bending line BL and positioned on the rear surface of the solar cell group 103, which will be described in detail later.

본 실시예에서는 복수의 태양 전지 그룹(103)이 서로 직렬로 연결되고, 각 태양 전지 그룹(103)에 바이패스 다이오드(200)가 하나씩 병렬로 연결될 수 있다. 이러한 바이패스 다이오드(200)를 도 1 내지 도 4와 함께 도 5를 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. In this embodiment, a plurality of solar cell groups 103 may be connected in series to each other, and one bypass diode 200 may be connected in parallel to each solar cell group 103 one by one. This bypass diode 200 will be described in more detail with reference to FIG. 5 together with FIGS. 1 to 4 .

도 5는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함된 복수의 태양 전지 그룹(103), 그리고 이에 연결된 인터커넥터 부재(104), 연결 부재(204) 및 바이패스 다이오드(200)를 일부 펼쳐서 개략적으로 도시한 후면 평면도이다. 도 6은 도 5에 도시한 복수의 태양 전지 그룹(103) 및 이에 연결되는 바이패스 다이오드(200)의 개략적인 회로도이다. 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함되며 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드에서 광이 입사되지 않은 상태의 전류-전압 그래프이다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널에 포함되며 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드가 구비된 경우에 쉐이딩이 있는 태양 전지의 개수의 비율에 따른 전류-전압 그래프이다. FIG. 5 schematically unfolds a plurality of solar cell groups 103 included in the solar cell panel shown in FIG. 1, and an interconnector member 104, a connecting member 204, and a bypass diode 200 connected thereto. It is a rear plan view shown. FIG. 6 is a schematic circuit diagram of the plurality of solar cell groups 103 shown in FIG. 5 and the bypass diode 200 connected thereto. 7 is a current-voltage graph in a state in which no light is incident on a bypass diode included in a solar cell panel and composed of solar cells according to an embodiment of the present invention. 8 is a current-voltage graph according to the ratio of the number of solar cells with shading when a bypass diode included in a solar cell panel according to an embodiment of the present invention and composed of solar cells is provided.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에서는 바이패스 다이오드(200)가 태양 전지 셀로 구성된다. 예를 들어, 바이패스 다이오드(200)가 태양 전지(10)의 반도체 기판(12)에 대응하도록 서브 베이스 영역(214)을 포함하는 서브 반도체 기판(212), 그리고 태양 전지(10)의 제1 도전형 영역(20)에 대응하는 제1 서브 도전형 영역(220) 및 태양 전지(10)의 제2 도전형 영역(30)에 대응하는 제2 서브 도전형 영역(230)을 구비할 수 있다. 그리고 바이패스 다이오드(200)는 태양 전지(10)의 제1 및 제2 전극(42, 44), 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24)에 각기 대응하는 제1 및 제2 서브 전극(242, 244), 제1 및 제2 서브 패시베이션막(222, 232), 서브 반사 방지막(224)를 더 포함할 수 있다. 바이패스 다이오드(200)의 서브 반도체 기판(212), 제1 및 제2 서브 도전형 영역(220, 230), 제1 및 제2 서브 전극(242, 244), 제1 및 제2 서브 패시베이션막(222, 232), 서브 반사 방지막(224)에 대해서는 태양 전지(10)의 반도체 기판(12), 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30), 제1 및 제2 전극(42, 44), 제1 및 제2 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24)에 대한 내용이 각기 그대로 적용될 수 있는바, 상세한 설명을 생략한다. 일 예로, 태양 전지(10)와 바이패스 다이오드(200)의 태양 전지 셀이 동일한 구조(일 예로, 동일한 적층 구조 및 평면 형상)를 가질 수 있다.1 to 6, in this embodiment, the bypass diode 200 is composed of a solar cell. For example, the sub-semiconductor substrate 212 including the sub-base region 214 so that the bypass diode 200 corresponds to the semiconductor substrate 12 of the solar cell 10, and the first semiconductor substrate 212 of the solar cell 10 A first sub-conduction type region 220 corresponding to the conductivity-type region 20 and a second sub-conduction type region 230 corresponding to the second conductivity-type region 30 of the solar cell 10 may be provided. . In addition, the bypass diode 200 includes first and second electrodes 42 and 44 , first and second passivation films 22 and 32 , and antireflection films 24 of the solar cell 10 , respectively. and second sub electrodes 242 and 244 , first and second sub passivation films 222 and 232 , and a sub anti-reflective film 224 . Sub-semiconductor substrate 212 of bypass diode 200, first and second sub-conductive regions 220 and 230, first and second sub-electrodes 242 and 244, and first and second sub-passivation films 222 and 232, the semiconductor substrate 12 of the solar cell 10, the first and second conductive regions 20 and 30, and the first and second electrodes 42 and 44 for the sub anti-reflection film 224 ), the first and second passivation films 22 and 32, and the antireflection film 24 may be applied as they are, respectively, and detailed descriptions thereof are omitted. For example, the solar cells of the solar cell 10 and the bypass diode 200 may have the same structure (eg, the same stacked structure and planar shape).

이때, 태양 전지 그룹(103)에 포함된 태양 전지(10)(일 예로, 제1 단부 태양 전지(10c))의 제1 도전형 영역(20)과 바이패스 다이오드(200)의 제1 서브 도전형 영역(220)이 서로 전기적으로 연결되고, 태양 전지 그룹(103)에 포함된 태양 전지(10)(일 예로, 제2 단부 태양 전지(10d))의 제2 도전형 영역(30)과 바이패스 다이오드(200)의 제2 서브 도전형 영역(230)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 태양 전지(10)와 바이패스 다이오드(200)는 인터커넥터 부재(104) 및 연결 부재(204)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. At this time, the first conductive region 20 of the solar cell 10 included in the solar cell group 103 (eg, the first end solar cell 10c) and the first sub-conductive of the bypass diode 200 The conductive region 220 is electrically connected to each other, and the second conductive region 30 and the bi of the solar cell 10 included in the solar cell group 103 (eg, the second end solar cell 10d) The second sub-conductive region 230 of the pass diode 200 may be electrically connected to each other. At this time, the solar cell 10 and the bypass diode 200 may be electrically connected to each other through the interconnector member 104 and the connection member 204 .

일 예로, 제1 단부 태양 전지(10c)의 제1 도전형 영역(20)과 바이패스 다이오드(200)의 제1 서브 도전형 영역(220)은 제1 전극(42), 인터커넥터 부재(104), 연결 부재(204) 및 제1 서브 전극(242)를 통하여 서로 전기적으로 연결되고, 제2 단부 태양 전지(10d)의 제2 도전형 영역(30)과 바이패스 다이오드(200)의 제2 서브 도전형 영역(230)은 제2 전극(44), 인터커넥터 부재(104), 연결 부재(204) 및 제2 서브 전극(244)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 바이패스 다이오드(200)는 태양광이 입사되지 않는 비수광 영역에 위치할 수 있다. For example, the first conductive region 20 of the first end solar cell 10c and the first sub-conductive region 220 of the bypass diode 200 include the first electrode 42, the interconnector member 104 ), and are electrically connected to each other through the connecting member 204 and the first sub-electrode 242, and the second conductive region 30 of the second end solar cell 10d and the second conductive region 30 of the bypass diode 200 The sub-conductive region 230 may be electrically connected to each other through the second electrode 44 , the interconnector member 104 , the connection member 204 and the second sub-electrode 244 . And, the bypass diode 200 may be located in a non-light-receiving area where no sunlight is incident.

도 1 및 도 3에서는 인터커넥터 부재(104)와 연결 부재(204)가 서로 별개의 구조를 가지는 다른 몸체로 형성한 후에 이들을 서로 접착 및 고정한 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 도 5에 도시한 바와 같이, 인터커넥터 부재(104)와 연결 부재(204)의 적어도 일부가 하나의 몸체로 구성되어 인터커넥터 부재(104)와 연결 부재(204)의 적어도 일부를 접착 및 고정하는 공정을 생략할 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. 1 and 3 illustrate that the interconnector member 104 and the connection member 204 are formed into different bodies having separate structures and then bonded and fixed to each other. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, as shown in FIG. 5, at least a portion of the interconnector member 104 and the connecting member 204 is composed of a single body, and at least a portion of the interconnector member 104 and the connecting member 204 are bonded and fixed. step may be omitted. Various other variations are possible.

이러한 바이패스 다이오드(200)는 태양 전지 그룹(103)에 병렬 연결되어 일정 방향으로 전류가 흐르도록 하는 다이오드의 역할을 할 수 있다. 즉, 태양 전지(10)에서는 광이 입사되면, 광전 변환에 의하여 n형 영역(일 예로, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 어느 하나)에서 p형 영역(일 예로, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 다른 하나)로 전류가 흐르게 된다. 반면, 태양 전지 셀의 구조를 가지되 광이 입사되지 않는 바이패스 다이오드(200)에서는 p형 영역에서 n형 영역으로 전류가 흐르게 된다. 이에 따라 태양 전지(10)가 정상 작동하여 바이패스 다이오드(200)에 일정 전압 이상의 전압이 인가되지 않으면 턴-오프(turn-off)되어 전류가 흐르지 못한다. 반면, 태양 전지(10)가 쉐이딩, 불량 등에 의하여 정상 작동되지 않으면 바이패스 다이오드(200)에 일정 전압 이상의 전압이 인가되어 턴-온(turn-on)되어 전류가 흐르게 된다. 이에 따라 정상 작동되지 않는 태양 전지(10)를 포함하는 태양 전지 스트링(102)에 흐를 전류가 바이패스 다이오드(200)를 따라 흘러서 다른 태양 전지 스트링(102) 또는 다른 태양 전지 그룹(103)에 전류가 집중되어 핫 스팟(hot spot) 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. The bypass diode 200 may serve as a diode that is connected in parallel to the solar cell group 103 and allows current to flow in a certain direction. That is, in the solar cell 10, when light is incident, the n-type region (eg, any one of the first and second conductivity type regions 20 and 30) is converted into a p-type region (eg, the second conductivity type region) by photoelectric conversion. A current flows to the other one of the first and second conductivity type regions 20 and 30). On the other hand, in the bypass diode 200 having the structure of a solar cell but not receiving light, current flows from the p-type region to the n-type region. Accordingly, when the solar cell 10 operates normally and a voltage higher than a certain voltage is not applied to the bypass diode 200, it is turned off and current does not flow. On the other hand, if the solar cell 10 is not normally operated due to shading, defects, etc., a voltage higher than a certain voltage is applied to the bypass diode 200 to turn it on and allow current to flow. Accordingly, the current to flow in the solar cell string 102 including the non-normally operating solar cell 10 flows along the bypass diode 200 to generate current in another solar cell string 102 or another solar cell group 103. It is possible to prevent a hot spot or the like from being concentrated.

도 7을 참조하면, 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드(200)가 일정 전압(즉, 도 7의 A) 이상일 경우에 턴-온되고, 일정 전압 이하에서는 턴-오프되어 다이오드의 역할을 충분하게 수행할 수 있음을 알 수 있다. 그리고 도 8을 참조하면, 쉐이딩이 발생한 태양 전지(10)의 개수의 비율에 따라 전류가 이에 비례하여 줄어드는 것으로 보아 바이패스 다이오드(200)가 정상 작동하지 않는 태양 전지(10)를 포함하는 태양 전지 스트링(102) 또는 태양 전지 그룹(103)으로 흐를 전류를 바이패스하는 바이패스 다이오드의 역할을 충분하게 수행할 수 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 7 , the bypass diode 200 composed of solar cells is turned on when the voltage is higher than a certain voltage (ie, A in FIG. 7 ), and is turned off when the voltage is lower than the certain voltage, thereby sufficiently performing the role of a diode. know you can do it. Referring to FIG. 8 , the solar cell including the solar cell 10 in which the bypass diode 200 does not operate normally, considering that the current decreases in proportion to the ratio of the number of solar cells 10 in which shading has occurred. It can be seen that the role of the bypass diode bypassing the current flowing to the string 102 or the solar cell group 103 can be sufficiently performed.

이에 따라 복수의 태양 전지 그룹(103)이 직렬로 연결된 경우에 하나의 태양 전지 그룹(103) 내의 태양 전지(10)가 비정상 작동하는 경우에도 바이패스 다이오드(200)로 전류가 우회하여 흐를 수 있도록 한다. 그리고 각 태양 전지 그룹(103)이 병렬로 연결된 복수의 태양 전지 스트링(102)을 구비하는 경우에 하나의 태양 전지 스트링(102) 중 하나의 태양 전지(10)가 비정상 작동하는 경우에 이에 흐를 전류가 바이패스 다이오드(200)를 통하여 흐르도록 하여 다른 태양 전지 스트링(102)에 전류가 집중되어 발생할 수 있는 핫 스팟 등의 문제를 방지할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 패널(100)의 손상 또는 출력 저하를 효과적으로 방지할 수 있다. Accordingly, when a plurality of solar cell groups 103 are connected in series, even when the solar cell 10 in one solar cell group 103 operates abnormally, current can bypass and flow through the bypass diode 200. do. And when each solar cell group 103 has a plurality of solar cell strings 102 connected in parallel, current to flow thereto when one solar cell 10 of one solar cell string 102 operates abnormally It is possible to prevent problems such as hot spots that may occur due to concentration of current in other solar cell strings 102 by allowing A to flow through the bypass diode 200 . Accordingly, damage to the solar cell panel 100 or reduction in output can be effectively prevented.

이와 같이 태양 전지 셀로 구성된 바이패스 다이오드(200)가 비수광 영역에 위치하면 다이오드 역할을 충분하게 수행할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 패널(100)에 적용하기 위하여 제조된 다수의 태양 전지 중 효율이 일정 수준 이하거나 일부 색상이 변화된 부분이 있거나 일부 부분에 손상 또는 균열이 있어 불량으로 판별된 태양 전지 셀을 그대로 바이패스 다이오드(200)로 사용할 수 있다. 엄격한 조건을 만족하지 못하여 불량으로 판별된 태양 전지 셀이라 하여도 일정한 방향으로 전류가 흐르도록 하는 다이오드의 역할은 충분히 수행할 수 있는바, 이러한 태양 전지 셀을 바이패스 다이오드(200)로 사용하더라도 바이패스 다이오드(200)에 의한 효과는 충분히 구현할 수 있다. 이에 따라 불량으로 판단되어 사용하지 못하고 폐기해야 했던 태양 전지 셀을 바이패스 다이오드(200)로 사용하여 바이패스 다이오드(200)에 해당하는 제조 원가를 절감할 수 있으며, 태양 전지(10)와의 연결 구조 또한 기존에 사용하던 태양 전지(10) 사이의 연결 구조를 그대로 사용할 수 있어 연결 구조를 단순화할 수 있다. 또한, 바이패스 다이오드(200)를 태양 전지 패널(10)의 내부에 위치시키거나 태양 전지 패널(10)에 부착 또는 고정하는 것에 의하여 설치할 수 있다. 이에 따라 기존에 태양 전지 패널(10)과 별도로 제조된 정션 박스 내에 위치하는 별도의 바이패스 다이오드를 구비하지 않아도 되므로 구조를 최대한 단순화할 수 있다. 이와 같이 태양 전지 패널(100)의 구조를 단순화할 수 있고 제조 원가가 저렴하며 우수한 특성을 가지는 바이패스 다이오드(200)를 적용하여 태양 전지 패널(100)의 제조 비용을 절감하고 구조를 단순화할 수 있다.In this way, when the bypass diode 200 composed of solar cells is located in the non-light-receiving region, it can sufficiently perform the role of the diode. Accordingly, among a plurality of solar cells manufactured to be applied to the solar cell panel 100, the solar cell that is determined to be defective because its efficiency is below a certain level, some color is changed, or some portion is damaged or cracked is bought as it is. It can be used as the pass diode 200. Even a solar cell that does not satisfy the strict conditions and is determined to be defective can sufficiently perform the role of a diode that allows current to flow in a certain direction. Even if such a solar cell is used as the bypass diode 200, The effect of the pass diode 200 can be sufficiently implemented. Accordingly, the manufacturing cost corresponding to the bypass diode 200 can be reduced by using the solar cell, which was determined to be defective and had to be discarded, as the bypass diode 200, and the connection structure with the solar cell 10 In addition, since the existing connection structure between the solar cells 10 can be used as it is, the connection structure can be simplified. In addition, the bypass diode 200 may be installed by locating the inside of the solar cell panel 10 or by attaching or fixing it to the solar cell panel 10 . Accordingly, since a separate bypass diode located in a junction box manufactured separately from the existing solar cell panel 10 does not need to be provided, the structure can be simplified as much as possible. In this way, the structure of the solar cell panel 100 can be simplified, the manufacturing cost is low, and the bypass diode 200 having excellent characteristics can be applied to reduce the manufacturing cost of the solar cell panel 100 and simplify the structure. there is.

좀더 구체적으로, 복수의 태양 전지 그룹(103)이 인터커넥터 부재(104)에 의하여 직렬로 연결될 수 있다. 그리고 각 태양 전지 그룹(103)에는 제2 방향으로 이격되며 제2 인터커넥터(106)에 의하여 병렬로 연결되는 복수의 태양 전지 스트링(102)이 구비될 수 있다. More specifically, a plurality of solar cell groups 103 may be connected in series by an interconnector member 104 . Also, each solar cell group 103 may include a plurality of solar cell strings 102 spaced apart in the second direction and connected in parallel by the second interconnector 106 .

이때, 제1 태양 전지 그룹(103a)의 일측에서 복수의 태양 전지 스트링(102)의 제1 전극(42) 또는 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결되는 제1 인터커넥터 부재(104a)와 타측에서 복수의 태양 전지 스트링(102)의 제2 전극(44) 또는 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결되는 제2 인터커넥터 부재(104b)를 구비할 수 있다. 그리고 제2 태양 전지 그룹(103b)의 일측에서 복수의 태양 전지 스트링(102)의 제1 전극(42) 또는 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결되는 제1 인터커넥터 부재(104a)와 타측에서 복수의 태양 전지 스트링(102)의 제2 전극(44) 또는 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결되는 제2 인터커넥터 부재(104b)를 구비할 수 있다. 도면에서는 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 대응하는 제2 인터커넥터(106)와 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 대응하는 제2 인터커넥터(106)가 하나의 공통의 제2 인터커넥터(106)로 구성되어 구조를 단순화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 대응하는 제2 인터커넥터(106)와 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 대응하는 제2 인터커넥터(106)가 별개로 형성되고, 이들을 연결하는 별도의 인터커넥터가 위치할 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. At this time, a first interconnector member 104a electrically connected to the first electrode 42 or the first conductive region 20 of the plurality of solar cell strings 102 at one side of the first solar cell group 103a. and a second interconnector member 104b electrically connected to the second electrode 44 or the second conductive region 30 of the plurality of solar cell strings 102 on the other side. And a first interconnector member 104a electrically connected to the first electrode 42 or the first conductivity type region 20 of the plurality of solar cell strings 102 at one side of the second solar cell group 103b. On the other side, a second interconnector member 104b electrically connected to the second electrode 44 or the second conductive region 30 of the plurality of solar cell strings 102 may be provided. In the figure, the second interconnector 106 corresponding to the second interconnector member 104b of the first solar cell group 103a and the first interconnector member 104a corresponding to the second solar cell group 103b The second interconnector 106 may be configured with one common second interconnector 106 to simplify the structure. However, the present invention is not limited thereto, and the second interconnector 106 corresponding to the second interconnector member 104b of the first solar cell group 103a and the first interconnect of the second solar cell group 103b The second interconnector 106 corresponding to the connector member 104a may be formed separately, and a separate interconnector connecting them may be positioned. Various other variations are possible.

각 바이패스 다이오드(200)(즉, 제1 및 제2 바이패스 다이오드(200a, 200b)에 대응하여, 연결 부재(204)는 제1 인터커넥터 부재(104a)와 제1 서브 도전형 영역(220)을 전기적으로 연결하는 제1 연결 부재(2042), 그리고 제2 인터커넥터 부재(104b)와 제2 서브 도전형 영역(230)을 전기적으로 연결하는 제2 연결 부재(2044)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 바이패스 다이오드(200a)에 대응하여, 제1 연결 부재(2042)가 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 연결되고 제2 연결 부재(2044)가 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 연결될 수 있다. 그리고 제2 바이패스 다이오드(200b)에 대응하여, 제1 연결 부재(2042)가 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 연결되고 제2 연결 부재(2044)가 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 연결될 수 있다. 그리고 제1 바이패스 다이오드(200a)와 제2 바이패스 다이오드(200b)는 직렬 연결될 수 있다. Corresponding to each bypass diode 200 (ie, the first and second bypass diodes 200a and 200b), the connection member 204 includes the first interconnector member 104a and the first sub-conductive region 220 ), and a second connection member 2044 electrically connecting the second interconnector member 104b and the second sub-conductive type region 230. That is, corresponding to the first bypass diode 200a, the first connecting member 2042 is connected to the first interconnector member 104a of the first solar cell group 103a and the second connecting member 2044 may be connected to the second interconnector member 104b of the first solar cell group 103a, and corresponding to the second bypass diode 200b, the first connection member 2042 may be connected to the second solar cell group ( 103b) may be connected to the first interconnector member 104a and the second connecting member 2044 may be connected to the second interconnector member 104b of the second solar cell group 103b, and the first bypass diode (200a) and the second bypass diode (200b) may be connected in series.

좀더 구체적으로, 제1 연결 부재(2042)는 바이패스 다이오드(200)에 중첩하는 제1 중첩 부분 및 이로부터 외부로 돌출되어 제2 부분(2042b)에 연결되는 제1 연결 부분을 포함하는 제1 부분(2042a)과, 제1 부분(2042a)과 제1 인터커넥터 부재(104a)를 연결하는 제2 부분(2042b)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 중첩 부분과 바이패스 다이오드(200)에서 제1 서브 도전형 영역(220)에 연결된 제1 서브 전극(242)은 이들 사이에 위치하는 접착 부재(142)에 의하여 고정 및 연결(일 예로, 물리적 및 전기적 연결)될 수 있다. 그리고 제1 부분(2042a)와 제2 부분(2042b)은 솔더링에 의하여 연결될 수 있다. More specifically, the first connecting member 2042 includes a first overlapping portion overlapping the bypass diode 200 and a first connecting portion protruding outward from the first overlapping portion and connecting to the second portion 2042b. It may include a portion 2042a and a second portion 2042b connecting the first portion 2042a and the first interconnect member 104a. For example, the first overlapping portion and the first sub-electrode 242 connected to the first sub-conductive region 220 in the bypass diode 200 are fixed and connected by an adhesive member 142 positioned therebetween ( For example, physical and electrical connection). Also, the first part 2042a and the second part 2042b may be connected by soldering.

이와 유사하게 제2 연결 부재(2044)는 바이패스 다이오드(200)에 중첩하는 제2 중첩 부분 및 이로부터 외부로 돌출되어 제2 부분(2044b)에 연결되는 제2 연결 부분을 포함하는 제1 부분(2044a)과, 제1 부분(2044a)과 제2 인터커넥터 부재(104b)를 연결하는 제2 부분(2044b)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제2 중첩 부분과 바이패스 다이오드(200)에서 제2 도전형 영역(230)에 연결된 제2 서브 전극(244)은 이들 사이에 위치하는 접착 부재(142)에 의하여 고정 및 연결(일 예로, 물리적 및 전기적 연결)될 수 있다. 그리고 제1 부분(2044a)와 제2 부분(2044b)은 솔더링에 의하여 연결될 수 있다.Similarly, the second connecting member 2044 has a first portion including a second overlapping portion overlapping the bypass diode 200 and a second connecting portion protruding outward from the second overlapping portion and being connected to the second portion 2044b. 2044a and a second portion 2044b connecting the first portion 2044a and the second interconnect member 104b. For example, the second overlapping portion and the second sub-electrode 244 connected to the second conductivity type region 230 in the bypass diode 200 are fixed and connected by the adhesive member 142 positioned therebetween (one eg, physical and electrical connections). Also, the first part 2044a and the second part 2044b may be connected by soldering.

이에 의하면, 제1 및 제2 중첩 부분에 의하여 연결 부재(204)와 바이패스 다이오드(200)와의 연결 면적을 충분하게 확보하여 연결 특성을 향상할 수 있다. 그리고 부분적으로 돌출되며 복수로 구비된 제1 및 제2 연결 부분에 의하여 재료 비용을 절감하면서도 안정적인 연결이 가능하도록 할 수 있다. According to this, a sufficient connection area between the connection member 204 and the bypass diode 200 may be secured by the first and second overlapping portions, thereby improving connection characteristics. In addition, it is possible to achieve stable connection while reducing material costs by partially protruding and provided with a plurality of first and second connection parts.

도면에서는 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 연결되는 제2 연결 부재(2044)의 제2 부분(2042b)과 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 연결되는 제1 연결 부재(2042)의 제2 부분(2044b)이 하나의 공통의 제2 부분(2044b)로 구성되어 구조를 단순화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 태양 전지 그룹(103a)의 제2 인터커넥터 부재(104b)에 연결되는 제2 연결 부재(2044)의 제2 부분(2042b)과 제2 태양 전지 그룹(103b)의 제1 인터커넥터 부재(104a)에 연결되는 제1 연결 부재(2042)의 제2 부분(2044b)이 별개로 형성되고, 이들을 연결하는 별도의 인터커넥터가 위치할 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the figure, the second part 2042b of the second connection member 2044 connected to the second interconnector member 104b of the first solar cell group 103a and the first interconnector of the second solar cell group 103b The second portion 2044b of the first connecting member 2042 connected to the member 104a is composed of one common second portion 2044b to simplify the structure. However, the present invention is not limited thereto, and the second part 2042b of the second connection member 2044 connected to the second interconnector member 104b of the first solar cell group 103a and the second solar cell group The second portion 2044b of the first connecting member 2042 connected to the first interconnector member 104a of 103b may be separately formed, and a separate interconnector connecting them may be positioned. Various other variations are possible.

이때, 인터커넥터 부재(104)는 인터커넥터 부재(104)의 일부를 굽힘 선(BL)을 따라서 접어서 인터커넥터 부재(104)의 적어도 일부, 연결 부재(204) 및 바이패스 다이오드(200)가 태양 전지 그룹(103)의 후면에 위치하도록 할 수 있다. 그러면, 태양 전지 패널(100)에서 광전 변환에 직접 관여하지 않는 비유효 영역(non-active area)의 면적을 최소화하고 외관을 향상하며 바이패스 다이오드(200)의 역할을 수행할 수 있도록 바이패스 다이오드(200)에 광이 입사되지 않도록 할 수 있다. 이때, 굽힘 선(BL)이 제1 인터커넥터(104)의 돌출 부분에 위치하면 굽힘 선(BL)에 따라 쉽게 접을 수 있다. At this time, the interconnector member 104 is formed by folding a portion of the interconnector member 104 along the bending line BL so that at least a portion of the interconnector member 104, the connecting member 204, and the bypass diode 200 are formed in the sun. It may be located on the rear side of the battery group 103. Then, in the solar cell panel 100, the area of the non-active area not directly involved in photoelectric conversion is minimized, the appearance is improved, and the bypass diode 200 can perform its role. It is possible to prevent light from being incident on (200). At this time, if the bending line BL is positioned at the protruding portion of the first interconnector 104, it can be easily folded along the bending line BL.

이때, 태양 전지 그룹(103)과, 바이패스 다이오드(200) 및 연결 부재(204), 그리고 인터커넥터 부재(104) 사이에는 이들을 절연시키기 위한 절연층(108)이 위치할 수 있다. In this case, an insulating layer 108 may be positioned between the solar cell group 103, the bypass diode 200, the connection member 204, and the interconnector member 104 to insulate them.

이러한 절연층(108)은 바이패스 다이오드(200) 및 연결 부재(204), 그리고 인터커넥터 부재(204)에 각기 대응하도록 형성될 수도 있고, 바이패스 다이오드(200) 및 연결 부재(204), 그리고 인터커넥터 부재(204)의 전체에 걸쳐서 형성될 수도 있다. 그 외의 다양한 형상을 가질 수도 있다. 이때, 절연층(108)은 투명한 색을 가질 수도 있고, 바이패스 다이오드(200)에 광이 입사되는 것을 효과적으로 방지할 수 있도록 광을 흡수하는 불투명한 색을 가질 수도 있다. The insulating layer 108 may be formed to correspond to the bypass diode 200, the connecting member 204, and the interconnector member 204, respectively, and the bypass diode 200 and the connecting member 204, and It may also be formed over the entirety of the interconnector member 204 . It may have other various shapes. At this time, the insulating layer 108 may have a transparent color or may have an opaque color that absorbs light to effectively prevent light from being incident on the bypass diode 200 .

절연층(108)은 알려진 다양한 절연 물질(일 예로, 수지)을 포함할 수 있고, 필름, 시트 등의 다양한 형태로 형성될 수 있다. 절연층(108)는 인터커넥터 부재(104) 등과 별도로 제조한 후에 인터커넥터 부재(104) 등을 접을 때 태양 전지 그룹(103)과 바이패스 다이오드(200), 연결 부재(204), 인터커넥터 부재(104) 등의 사이에 위치시킬 수 있다. The insulating layer 108 may include various known insulating materials (eg, resin) and may be formed in various forms such as films and sheets. The insulating layer 108 is manufactured separately from the interconnector member 104 and the like, and then the solar cell group 103, the bypass diode 200, the connection member 204, and the interconnector member when the interconnector member 104 is folded. (104) can be placed between the back.

도면에서는 바이패스 다이오드(200), 연결 부재(204), 그리고 인터커넥터 부재(104)가 태양 전지 그룹(103)과 제2 커버 부재(120) 사이(좀더 구체적으로, 태양 전지 그룹(103)과 밀봉재(130)) 사이에 위치하는 것을 예시하였다. 그러나 바이패스 다이오드(200), 연결 부재(204), 그리고 인터커넥터 부재(104) 중 적어도 하나가 밀봉재(130) 및/또는 제2 커버 부재(120)의 후면에 위치할 수도 있다. 이러한 경우에 별도의 절연층(108)이 위치하지 않고 밀봉재(130) 또는 제2 커버 부재(120)가 절연층의 역할을 수행할 수 있다. 일 예로, 바이패스 다이오드(200) 및 연결 부재(204)가 제2 커버 부재(120)의 후면에 부착되어 고정될 수 있다. 이에 따라 바이패스 다이오드(200)가 태양 전지 패널(100)에 내장 또는 일체화되므로 바이패스 다이오드(200)를 수용하기 위한 별도의 구성(예를 들어, 정션 박스)이 구비되지 않아도 된다. 이에 의하여 태양 전지 패널(100)의 구조를 크게 단순화할 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the figure, the bypass diode 200, the connection member 204, and the interconnector member 104 are between the solar cell group 103 and the second cover member 120 (more specifically, the solar cell group 103 and It is illustrated that it is located between the sealing material 130). However, at least one of the bypass diode 200 , the connection member 204 , and the interconnector member 104 may be located on the rear surface of the sealant 130 and/or the second cover member 120 . In this case, a separate insulating layer 108 is not located and the sealant 130 or the second cover member 120 may serve as an insulating layer. For example, the bypass diode 200 and the connection member 204 may be attached to and fixed to the rear surface of the second cover member 120 . Accordingly, since the bypass diode 200 is embedded or integrated into the solar cell panel 100, a separate configuration (eg, junction box) for accommodating the bypass diode 200 does not need to be provided. Accordingly, the structure of the solar cell panel 100 can be greatly simplified. Various other variations are possible.

연결 부재(204), 제1 인터커넥터(105) 및/또는 제2 인터커넥터(106)는 코어층, 그리고 코어층의 표면 위에 형성되는 솔더층을 포함할 수 있다. 코어층은 다양한 금속을 포함할 수 있고, 솔더층은 다양한 솔더 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 솔더층은 Sn, SnAgCu, SnPb, SnBiCuCo, SnBiAg, SnPbAg, SnAg, SnBi 또는 SnIn을 포함할 수 있다. 이에 의하면 솔더링 등의 간단한 방법에 의하여 서로 연결될 수 있다. 이에 의하면, 연결 부재(204)의 연결, 및/또는 제1 인터커넥터(105)와 제2 인터커넥터(106)의 연결을 솔더링에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 이들을 낮은 온도에서 수행될 수 있는 단순한 공정으로 우수한 전기적 특성을 가지도록 연결할 수 있다.The connecting member 204 , the first interconnector 105 and/or the second interconnector 106 may include a core layer and a solder layer formed on a surface of the core layer. The core layer may include various metals, and the solder layer may include various solder materials. For example, the solder layer may include Sn, SnAgCu, SnPb, SnBiCuCo, SnBiAg, SnPbAg, SnAg, SnBi or SnIn. According to this, they can be connected to each other by a simple method such as soldering. According to this, the connection of the connecting member 204 and/or the connection of the first interconnector 105 and the second interconnector 106 may be formed by soldering. Accordingly, they can be connected to have excellent electrical properties by a simple process that can be performed at a low temperature.

본 실시예에 의하면, 구조가 단순하고 제조 원가가 저렴하며 우수한 특성을 가지는 바이패스 다이오드(200)를 적용하여 태양 전지 패널(100)의 제조 비용을 절감하고 구조를 단순화할 수 있다. 그리고 바이패스 다이오드(200)를 구비하는 별도의 정션 박스를 생략할 수 있어 태양 전지 패널(100)을 포함하는 태양 전지 모듈의 구조를 크게 단순화할 수 있다. According to the present embodiment, the manufacturing cost of the solar cell panel 100 can be reduced and the structure can be simplified by applying the bypass diode 200 having a simple structure, low manufacturing cost, and excellent characteristics. Also, since a separate junction box including the bypass diode 200 can be omitted, the structure of the solar cell module including the solar cell panel 100 can be greatly simplified.

상술한 설명 및 이와 관련된 도면에서는 복수의 태양 전지 그룹(103)이 제1 및 제2 태양 전지 그룹(103a, 103b)을 구비한 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 도 9에 도시한 바와 같이, 복수의 태양 전지 그룹(103)이 제1 및 제2 태양 전지 그룹(103a, 103b) 이외에 제2 태양 전지 그룹(103b)에 직렬 연결되는 제3 태양 전지 그룹(103c)을 더 포함하고, 바이패스 다이오드(200)는 제1 내지 제3 태양 전지 그룹(103a, 103b, 103c)에 각기 병렬 연결되는 제1 내지 제3 바이패스 다이오드(200a, 200b, 200c)를 포함할 수 있다. 제3 태양 전지 그룹(103c) 및 제3 바이패스 다이오드(200c)에 대해서는 제1 또는 제2 태양 전지 그룹(103a, 103b) 및 제1 또는 제2 바이패스 다이오드(200a, 200b)의 설명이 그대로 적용될 수 있는바 상세한 설명을 생략한다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 태양 전지 그룹(103)이 4개 이상의 태양 전지 그룹을 구비할 수도 있다. In the above description and related drawings, it has been exemplified that the plurality of solar cell groups 103 include first and second solar cell groups 103a and 103b. However, the present invention is not limited thereto. In another embodiment, as shown in FIG. 9 , a plurality of solar cell groups 103 are connected in series to the second solar cell group 103b in addition to the first and second solar cell groups 103a and 103b. A solar cell group 103c is further included, and the bypass diode 200 includes first to third bypass diodes 200a and 200b connected in parallel to the first to third solar cell groups 103a, 103b, and 103c, respectively. , 200c). With regard to the third solar cell group 103c and the third bypass diode 200c, the descriptions of the first or second solar cell group 103a or 103b and the first or second bypass diode 200a or 200b are used as they are. As it can be applied, detailed descriptions are omitted. The present invention is not limited thereto, and the plurality of solar cell groups 103 may include four or more solar cell groups.

그리고 상술한 설명에서는 복수의 바이패스 다이오드(200)가 모두 태양 전지 셀로 구성된 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 따라 복수의 바이패스 다이오드(200) 중 적어도 하나만이 태양 전지 셀로 구성될 수도 있다. And, in the above description, it has been exemplified that the plurality of bypass diodes 200 are all composed of solar cells, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, at least one of the plurality of bypass diodes 200 may be configured as a solar cell.

상술한 설명 및 도면에서는 본 실시예에서는 태양 전지(10)가 장축 및 단축을 가지는 컷셀 구조를 가지고 이웃한 태양 전지(10)가 중첩부(OP) 및 접착 부재(142)에 의하여 연결되며, 바이패스 다이오드(200)가 장축 및 단축을 가지는 컷셀 구조를 가지는 것을 예시하였다. 이에 의하면 태양 전지(10)와 바이패스 다이오드(200)가 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 실질적으로 동일한 면적을 가진다고 하면, 10% 이내의 오차를 가지거나, 경사부가 구비되거나 구비되지 않은 정도의 차이만을 가지는 것을 의미할 수 있다. In the above description and drawings, in this embodiment, the solar cell 10 has a cut cell structure having a long axis and a short axis, and adjacent solar cells 10 are connected by an overlapping portion OP and an adhesive member 142, and It is exemplified that the pass diode 200 has a cut cell structure having a long axis and a short axis. According to this, the solar cell 10 and the bypass diode 200 may have substantially the same area. Having substantially the same area may mean having an error of less than 10% or having only a difference in degree of whether or not an inclined portion is provided.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 태양 전지(10)가 절단되지 않은 모 태양 전지로 구성될 수도 있다. 그리고 바이패스 다이오드(200)는, 컷셀 구조를 가지거나, 또는 절단되지 않은 모 태양 전지로 구성될 수도 있다. 일 예로, 바이패스 다이오드(200)를 구성하는 태양 전지 셀은 태양 전지(10)와 실질적으로 동일하거나 그보다 작은 면적을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto. The solar cell 10 may also consist of an uncut mother solar cell. In addition, the bypass diode 200 may have a cut cell structure or may be composed of an uncut mother solar cell. For example, a solar cell constituting the bypass diode 200 may have an area substantially equal to or smaller than that of the solar cell 10 . However, the present invention is not limited thereto and various other modifications are possible.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, etc. according to the above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 태양 전지 패널
10: 태양 전지
10c: 단부 태양 전지
104: 인터커넥터 부재
142: 접착 부재
200: 바이패스 다이오드100: solar panel
10: solar cell
10c: end solar cell
104: interconnector member
142: adhesive member
200: bypass diode

Claims

a plurality of solar cell groups; and
A bypass diode connected to the plurality of solar cell groups and composed of solar cells located in a non-receiving position;
The solar cell group includes at least one solar cell,
The solar cell and the bypass diode have the same stacked structure,
The solar cell includes a semiconductor substrate, a first conductivity type region having a first conductivity type, and a second conductivity type region having a second conductivity type opposite to the first conductivity type,
The solar cell panel of claim 1 , wherein the bypass diode includes a sub-semiconductor substrate, a first sub-conduction type region having the first conductivity type, and a second sub-conduction type region having the second conductivity type.

According to claim 1,
The plurality of solar cell groups include a first solar cell group and a second solar cell group connected in series to the first solar cell group,
The bypass diode includes a first bypass diode connected in parallel to the first solar cell group and a second bypass diode connected in parallel to the second solar cell group.

According to claim 2,
The plurality of solar cell groups further include a third solar cell group connected in series to the second solar cell group,
The solar cell panel of claim 1 , wherein the bypass diode further includes a third bypass diode connected in parallel to the third solar cell group.

According to claim 1,
a sealing material for sealing the solar cell group;
a first cover member positioned on one surface of the solar cell group on the sealant; and
A second cover member positioned on the other surface of the solar cell group above the sealing material,
The solar cell panel wherein the bypass diode is positioned between the solar cell group and the second cover member or fixed to the second cover member.

delete

According to claim 1,
Further comprising an interconnector member electrically connected to the plurality of solar cell groups,
The solar cell panel wherein the bypass diode is connected to the interconnector member through a connecting member.

According to claim 6,
The interconnector includes a first interconnector member connected to the first conductivity type region at one side of the solar cell group and a second interconnector member connected to the second conductivity type region at the other side of the solar cell group, ,
The connecting member may include a first connecting member electrically connecting the first sub-conductive type region to the first interconnect member, and a first connecting member electrically connecting the second sub-conductive type region to the second interconnect member. 2 A solar panel comprising a connecting member.

According to claim 1,
The solar cell group and the bypass diode are connected to each other by a connecting member,
A solar cell panel in which the bypass diode and the connecting member are positioned on a rear surface of the solar cell group.

According to claim 8,
A solar cell panel in which an insulating layer for insulation is positioned between the solar cell group and the bypass diode.

According to claim 1,
At least one of the plurality of solar cell groups includes a plurality of solar cell strings connected in parallel with each other,
At least one of the plurality of solar cell strings includes a plurality of solar cells connected in series with each other.

According to claim 10,
The solar cell has a major axis and a minor axis,
In the plurality of solar cells, two adjacent solar cells have an overlapping portion overlapping each other, and an adhesive member positioned between the two adjacent solar cells in the overlapping portion to connect the two adjacent solar cells is further provided. Solar panels included.