KR102491421B1 - Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor - Google Patents
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Abstract
내부 전극층의 연속률 저하를 억제할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법을 제공한다.
적층 세라믹 콘덴서는, 세라믹을 주 성분으로 하는 유전체층과, 금속을 주 성분으로 하는 내부 전극층이 교대로 적층된 적층 구조를 구비하고, 상기 내부 전극층에, 세라믹을 주 성분으로 하는 입자가 존재하고, 상기 유전체층과 상기 내부 전극층의 적층 방향에 있어서의 상기 내부 전극층의 단면에 있어서, 상기 입자가 존재하는 면적 비율이 10% 이상인 것을 특징으로 한다.A multilayer ceramic capacitor capable of suppressing a decrease in the continuity rate of an internal electrode layer and a manufacturing method thereof are provided.
A multilayer ceramic capacitor has a laminated structure in which dielectric layers containing ceramic as a main component and internal electrode layers containing metal as a main component are alternately laminated, and particles containing ceramic as a main component are present in the internal electrode layers. It is characterized in that, in a cross section of the internal electrode layer in the stacking direction of the dielectric layer and the internal electrode layer, an area ratio in which the particles are present is 10% or more.
Description
본 발명은, 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor and a manufacturing method thereof.
근년, 스마트폰이나 휴대 전화 등의 전자 기기의 소형화에 수반하여, 탑재되는 전자 부품의 소형화가 급속하게 진행되고 있다. 예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서에 있어서는, 소정의 특성을 확보하면서, 칩 사이즈를 작게 하기 위해, 유전체층 및 내부 전극층의 박층화가 요구되고 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART In recent years, with the miniaturization of electronic devices, such as a smart phone and a mobile phone, the miniaturization of the electronic component mounted is progressing rapidly. For example, in multilayer ceramic capacitors, thinning of dielectric layers and internal electrode layers is required in order to reduce chip size while securing predetermined characteristics.
그러나, 내부 전극층의 금속과 유전체층의 세라믹의 소결 온도가 상이함으로써, 소결 후의 내부 전극층의 연속률이 저하되는 과제가 있다. 내부 전극층을 박층화하면 더한층의 연속률의 저하가 우려된다. 그래서, 수축 지연 효과를 가져오기 위해, 내부 전극층에 세라믹의 공재를 첨가하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).However, when the sintering temperatures of the metal of the internal electrode layer and the ceramic of the dielectric layer are different, there is a problem that the continuity rate of the internal electrode layer after sintering is lowered. If the internal electrode layer is thinned, there is a concern that the continuity rate of the layer will further decrease. Therefore, it is known to add a ceramic common material to the internal electrode layer in order to bring about a shrinkage delay effect (see
그러나 공재는, 소결 과정에서 유전체층으로 확산되는 경향이 있기 때문에, 내부 전극층의 연속률 저하를 충분히 억제하는 것은 곤란하다.However, since the common material tends to diffuse into the dielectric layer during the sintering process, it is difficult to sufficiently suppress the decrease in the continuity rate of the internal electrode layer.
본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것이며, 내부 전극층의 연속률 저하를 억제할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in light of the above problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor capable of suppressing a decrease in the continuity rate of internal electrode layers and a method for manufacturing the same.
본 발명에 관한 적층 세라믹 콘덴서는, 세라믹을 주 성분으로 하는 유전체층과, 금속을 주 성분으로 하는 내부 전극층이 교대로 적층된 적층 구조를 구비하고, 상기 내부 전극층에, 세라믹을 주 성분으로 하는 입자가 존재하고, 상기 유전체층과 상기 내부 전극층의 적층 방향에 있어서의 상기 내부 전극층의 단면에 있어서, 상기 입자가 존재하는 면적 비율이 10% 이상인 것을 특징으로 한다.A multilayer ceramic capacitor according to the present invention has a laminated structure in which dielectric layers containing ceramic as a main component and internal electrode layers containing metal as a main component are alternately laminated, and the internal electrode layers contain particles containing ceramic as a main component. present, and in a cross section of the internal electrode layer in the stacking direction of the dielectric layer and the internal electrode layer, an area ratio in which the particles exist is 10% or more.
상기 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 상기 내부 전극층의 주 성분 금속을 니켈로 해도 된다.In the above multilayer ceramic capacitor, the main component metal of the internal electrode layer may be nickel.
상기 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 상기 입자의 주 성분 세라믹을 티타늄산바륨으로 해도 된다.In the above multilayer ceramic capacitor, the main component ceramic of the particles may be barium titanate.
상기 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 상기 유전체층의 주 성분 세라믹을 티타늄산바륨으로 해도 된다.In the above multilayer ceramic capacitor, the main component ceramic of the dielectric layer may be barium titanate.
상기 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 상기 면적 비율은, 내부 전극층의 단면의 SEM 화상을 사용하여 임의로 선택한 10층의 내부 전극층의 전체의 면적과, 상기 10층의 내부 전극층 중의 상기 입자의 전체의 면적으로부터 구해도 된다.In the multilayer ceramic capacitor, the area ratio may be obtained from the total area of 10 internal electrode layers arbitrarily selected using SEM images of cross sections of internal electrode layers and the total area of the particles in the 10 internal electrode layers. do.
본 발명에 관한 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법은, 세라믹 분말을 포함하는 그린 시트 상에, 평균 입경이 100㎚ 이하이고 입도 분포의 표준 편차가 1.5 이하인 금속 분말을 주 성분으로 하고, 평균 입경이 10㎚ 이하이고 입도 분포의 표준 편차가 5 이하인 세라믹 분말을 공재로서 포함하는 금속 도전 페이스트의 패턴을 배치하는 제1 공정과, 상기 제1 공정에 의해 얻어진 적층 단위를 복수 적층하여 얻어진 세라믹 적층체를 소성함으로써, 상기 금속 분말의 소결에 의해 내부 전극층을 형성하고, 상기 그린 시트의 세라믹 분말의 소결에 의해 유전체층을 형성하는 제2 공정을 포함하고, 상기 내부 전극층과 상기 유전체층의 적층 방향에 있어서의 상기 내부 전극층의 단면에 있어서, 세라믹을 주 성분으로 하는 입자가 존재하는 면적 비율이 10% 이상으로 하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to the present invention contains, as a main component, metal powder having an average particle size of 100 nm or less and a standard deviation of particle size distribution of 1.5 or less on a green sheet containing ceramic powder, and an average particle size of 10 nm. A first step of arranging a pattern of a metal conductive paste containing, as a common material, a ceramic powder having a standard deviation of 5 or less and a standard deviation of particle size distribution of 5 or less, and firing a ceramic laminate obtained by laminating a plurality of laminated units obtained in the first step. and a second step of forming an internal electrode layer by sintering the metal powder and forming a dielectric layer by sintering ceramic powder of the green sheet, wherein the internal electrode layer and the dielectric layer are stacked in a stacking direction. It is characterized in that, in the cross section of, the area ratio in which particles containing ceramic as a main component are present is 10% or more.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 공정에 있어서, 실온으로부터 최고 온도까지의 평균 승온 속도를 30℃/분 이상 80℃/분 이하로 해도 된다.In the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor, in the second step, the average heating rate from room temperature to the maximum temperature may be 30°C/minute or more and 80°C/minute or less.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 분말은, 니켈을 주 성분으로 해도 된다.In the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor, the metal powder may contain nickel as a main component.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 상기 공재는, 티타늄산바륨을 주 성분으로 해도 된다.In the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor, the common material may be barium titanate as a main component.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 상기 그린 시트의 세라믹 분말은, 티타늄산바륨을 주 성분으로 해도 된다.In the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor, the ceramic powder of the green sheet may contain barium titanate as a main component.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 상기 면적 비율은, 내부 전극층의 단면의 SEM 화상을 사용하여 임의로 선택한 10층의 내부 전극층의 전체의 면적과, 상기 10층의 내부 전극층 중의 상기 입자의 전체의 면적으로부터 구해도 된다.In the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor, the area ratio is the ratio of the total area of the 10 internal electrode layers arbitrarily selected using SEM images of cross sections of the internal electrode layers to the total area of the particles in the 10 internal electrode layers. It can be obtained from area.
본 발명에 따르면, 내부 전극층의 연속률 저하를 억제할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a multilayer ceramic capacitor capable of suppressing a decrease in the continuity rate of internal electrode layers and a method for manufacturing the same.
도 1은 적층 세라믹 콘덴서의 부분 단면 사시도이다.
도 2는 연속률을 나타내는 도면이다.
도 3의 (a)는 결정 입경이 큰 경우의 내부 전극층을 예시하는 도면이고, (b)는 결정 입경이 작은 경우의 내부 전극층을 예시하는 도면이다.
도 4는 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법의 플로우를 예시하는 도면이다.
도 5의 (a)는 실시예 및 비교예에 있어서의 내부 전극 형성용 도전 페이스트의 주 성분 금속의 입도 분포를 나타내는 도면이고, (b)는 실시예 및 비교예에 있어서의 내부 전극 형성용 도전 페이스트의 공재의 입도 분포를 나타내는 도면이다.
도 6의 (a) 및 (b)는 유전체층과 내부 전극층의 적층 방향에 있어서의 단면의 SEM 사진을 묘화한 도면이고, (c)는 세라믹을 주 성분으로 하는 입자의 면적 비율을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 및 비교예의 결과를 나타내는 도면이다.
도 8은 유전율의 평가 결과를 나타내는 그래프이다.1 is a partial cross-sectional perspective view of a multilayer ceramic capacitor.
2 is a diagram showing a continuity rate.
3(a) is a diagram illustrating an internal electrode layer when the crystal grain size is large, and (b) is a diagram illustrating an internal electrode layer when the crystal grain size is small.
4 is a diagram illustrating a flow of a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor.
5(a) is a diagram showing the particle size distribution of the main component metal of the conductive paste for forming internal electrodes in Examples and Comparative Examples, and (b) is a diagram showing the conductive paste for forming internal electrodes in Examples and Comparative Examples. It is a figure showing the particle size distribution of common materials in the paste.
6(a) and (b) are SEM images of cross sections of dielectric layers and internal electrode layers in the stacking direction, and (c) is a diagram showing area ratios of particles mainly composed of ceramics.
7 is a diagram showing the results of Examples and Comparative Examples.
8 is a graph showing the evaluation results of permittivity.
이하, 도면을 참조하면서, 실시 형태에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described, referring drawings.
(실시 형태)(Embodiment)
도 1은, 실시 형태에 관한 적층 세라믹 콘덴서(100)의 부분 단면 사시도이다. 도 1에서 예시한 바와 같이, 적층 세라믹 콘덴서(100)는, 직육면체 형상을 갖는 적층 칩(10)과, 적층 칩(10)의 어느 대향하는 2 단부면에 설치된 외부 전극(20a, 20b)을 구비한다. 또한, 적층 칩(10)의 당해 2 단부면 이외의 4면 중, 적층 방향의 상면 및 하면 이외의 2면을 측면이라고 칭한다. 외부 전극(20a, 20b)은, 적층 칩(10)의 적층 방향의 상면, 하면 및 2 측면으로 연장되어 있다. 단, 외부 전극(20a, 20b)은 서로 이격되어 있다.1 is a partial cross-sectional perspective view of a multilayer
적층 칩(10)은, 유전체로서 기능하는 세라믹 재료를 주 성분으로 하는 유전체층(11)과, 비금속 재료 등의 금속 재료를 주 성분으로 하는 내부 전극층(12)이 교대로 적층된 구성을 갖는다. 각 내부 전극층(12)의 단부 테두리는, 적층 칩(10)의 외부 전극(20a)이 설치된 단부면과, 외부 전극(20b)이 설치된 단부면에 교대로 노출되어 있다. 그것에 의해, 각 내부 전극층(12)은, 외부 전극(20a)과 외부 전극(20b)에 교대로 도통하고 있다. 그 결과, 적층 세라믹 콘덴서(100)는, 복수의 유전체층(11)이 내부 전극층(12)을 통해 적층된 구성을 갖는다. 또한, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층체에 있어서, 적층 방향의 최외층에는 내부 전극층(12)이 배치되고, 당해 적층체의 상면 및 하면은, 커버층(13)에 의해 덮여 있다. 커버층(13)은, 세라믹 재료를 주 성분으로 한다. 예를 들어, 커버층(13)의 재료는, 유전체층(11)과 세라믹 재료의 주 성분이 동일하다.The
적층 세라믹 콘덴서(100)의 사이즈는, 예를 들어 길이 0.2㎜, 폭 0.125㎜, 높이 0.125㎜이고, 또는 길이 0.4㎜, 폭 0.2㎜, 높이 0.2㎜, 또는 길이 0.6㎜, 폭 0.3㎜, 높이 0.3㎜이고, 또는 길이 1.0㎜, 폭 0.5㎜, 높이 0.5㎜이고, 또는 길이 3.2㎜, 폭 1.6㎜, 높이 1.6㎜이고, 또는 길이 4.5㎜, 폭 3.2㎜, 높이 2.5㎜이지만, 이들 사이즈에 한정되는 것은 아니다.The size of the multilayer
내부 전극층(12)은, Ni(니켈), Cu(구리), Sn(주석) 등의 비금속을 주 성분으로 한다. 내부 전극층(12)으로서, Pt(백금), Pd(팔라듐), Ag(은), Au(금) 등의 귀금속이나 이들을 포함하는 합금을 주 성분으로 하여 사용해도 된다. 내부 전극층(12)의 두께는, 예를 들어 0.5㎛ 이하이고, 0.3㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 유전체층(11)은, 예를 들어 일반식 ABO3으로 나타내어지는 페로브스카이트 구조를 갖는 세라믹 재료를 주 성분으로 한다. 또한, 당해 페로브스카이트 구조는, 비화학 양론 조성의 ABO3 -α를 포함한다. 예를 들어, 당해 세라믹 재료로서, BaTiO3(티타늄산바륨), CaZrO3(지르콘산칼슘), CaTiO3(티타늄산칼슘), SrTiO3(티타늄산스트론튬), 페로브스카이트 구조를 형성하는 Ba1 -x- yCaxSryTi1 - zZrzO3(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) 등을 사용할 수 있다.The
적층 세라믹 콘덴서(100)의 소형 대용량화를 위해, 유전체층(11) 및 내부 전극층(12)의 박층화가 요구되고 있다. 그러나, 내부 전극층(12)을 박층화하려고 하면, 고연속률을 유지하는 것이 곤란해진다. 이것은, 이하의 이유 때문이다. 내부 전극층(12)을 금속 분말의 소성에 의해 얻는 경우, 소결이 진행되면 표면 에너지를 최소로 하기 위해 구상화한다. 유전체층(11)의 주 성분 세라믹보다 내부 전극층(12)의 금속 성분의 소결이 진행되기 쉽기 때문에, 유전체층(11)의 주 성분 세라믹이 소결될 때까지 온도를 올리면, 내부 전극층(12)의 금속 성분은 과소결이 되어, 구상화되려고 한다. 이 경우, 끊어지는 계기(결함)가 있으면, 당해 결함을 기점으로 내부 전극층(12)이 끊어져, 연속률이 저하된다. 유전체층(11) 및 내부 전극층(12)의 박층화가 진행되면, 연속률은 더욱 저하될 우려가 있다.In order to increase the size and capacity of the multilayer
그래서, 세라믹을 주 성분으로 하는 공재를 내부 전극층(12)에 첨가함으로써, 내부 전극층(12)의 수축을 지연시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 소결 과정에 있어서의 확산에 의해 공재가 유전체층(11)측으로 토출되면, 연속률 저하를 억제하는 것이 곤란하다. 또한, 공재가 유전체층(11)에 흡수됨으로써 유전체층(11) 중의 재료의 A/B비(페로브스카이트의 A 사이트와 B 사이트의 비율)나 조성의 차이, 유전율(ε)이 설계값과 상이한 값으로 되어, 목표 용량 값을 얻지 못할 우려가 있다.Therefore, it is conceivable to delay shrinkage of the
도 2는, 연속률을 나타내는 도면이다. 도 2에서 예시한 바와 같이, 어느 내부 전극층(12)에 있어서의 길이 L0의 관찰 영역에 있어서, 그 금속 부분의 길이 L1, L2, ···, Ln을 측정하여 합계하고, 금속 부분의 비율인 ΣLn/L0을 그 층의 연속률로 정의할 수 있다.2 is a diagram showing a continuity rate. As illustrated in FIG. 2 , in an observation area having a length L0 in a certain
그래서, 본 실시 형태에 있어서는, 내부 전극층(12)의 결정 입경을 작게 한다. 도 3의 (a)는, 결정 입경이 큰 경우의 내부 전극층(12)을 예시하는 도면이다. 도 3의 (b)는, 결정 입경이 작은 경우의 내부 전극층(12)을 예시하는 도면이다. 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에서 예시한 바와 같이, 결정립(14)이 작아지면, 내부 전극층(12)에 공재가 잔존하기 쉬워진다. 예를 들어, 결정립(14)이 작아짐에 따라 결정 입계(16)의 수가 많아지고, 당해 결정 입계(16)에 공재가 잔존함으로써, 내부 전극층(12) 전체에 있어서의 세라믹을 주 성분으로 하는 입자(15)가 많이 존재한다고 생각된다. 구체적으로는, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층 방향에 있어서의 내부 전극층(12)의 단면에 있어서, 입자(15)가 존재하는 면적 비율을 10% 이상으로 한다. 예를 들어, 당해 단면은, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층 방향과, 외부 전극(20a)과 외부 전극(20b)의 대향 방향이 이루는 평면에서의 단면이다. 이 구성에서는, 공재의 잔존량이 많아진다. 그것에 의해, 소결 시에 있어서의 내부 전극층(12)의 금속 성분의 과소결이 억제되어, 내부 전극층(12)의 끊어짐이 억제된다. 그 결과, 내부 전극층(12)의 연속률 저하를 억제할 수 있다. 또한, 유전체층(11)으로의 공재의 확산이 억제되고, 유전체층(11) 중의 재료의 A/B비나 조성의 차이, 유전율(ε)의 저하가 억제되어, 원하는 유전 특성을 확보할 수 있다. 그 결과, 바이어스 특성의 악화가 억제되어, 고용량이 얻어진다. 또한, 상기 면적 비율은, 12% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 14% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기한 면적 비율은, 내부 전극층(12)의 단면 SEM 화상 등을 사용하여, 예를 들어 임의로 선택한 10층의 내부 전극층(12)의 전체의 면적과, 당해 10층의 내부 전극층(12) 중의 세라믹을 주 성분으로 하는 입자(15)의 전체의 면적으로부터 구할 수 있다. 제조 오차 등에 기인하여, 서로 다른 2층의 내부 전극층(12)에서 당해 면적 비율에 변동이 발생할 우려는 있지만, 임의로 선택한 10층의 내부 전극층(12)을 사용하여 당해 면적 비율을 산출함으로써, 변동을 억제할 수 있다. 이러한 면적은, 화상 해석 소프트웨어를 사용하여 산출해도 된다.Therefore, in this embodiment, the crystal grain size of the
또한, 공재가 유전체층(11)으로 확산되지 않고 내부 전극층(12)에 충분히 존재하는 경우, 내부 전극층(12) 내에서 공재가 모이게 된다. 보다 구체적으로는, 내부 전극층(12)의 중앙부 부근의 공재가 주위의 공재를 모아 입성장해 간다고 생각된다. 그 결과, 내부 전극층(12)의 두께 방향의 중앙 부분에 잔존하게 된다. 이 경우, 내부 전극층(12)의 두께 방향에 있어서, 상하 5%씩에 입자(15)가 존재하지 않게 된다. 따라서, 내부 전극층(12)의 두께 방향에 있어서, 상하 5%씩의 영역에 입자(15)가 존재하지 않는 것이 바람직하다.In addition, when the common material sufficiently exists in the
계속해서, 적층 세라믹 콘덴서(100)의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 4는, 적층 세라믹 콘덴서(100)의 제조 방법의 플로우를 예시하는 도면이다.Next, a method for manufacturing the multilayer
(원료 분말 제작 공정)(raw material powder manufacturing process)
먼저, 도 4에서 예시한 바와 같이, 유전체층(11)을 형성하기 위한 유전체 재료를 준비한다. 유전체층(11)에 포함되는 A 사이트 원소 및 B 사이트 원소는, 통상은 ABO3의 입자의 소결체의 형태로 유전체층(11)에 포함된다. 예를 들어, BaTiO3은, 페로브스카이트 구조를 갖는 정방정 화합물이며, 높은 유전율을 나타낸다. 이 BaTiO3은, 일반적으로, 이산화티타늄 등의 티타늄 원료와 탄산바륨 등의 바륨 원료를 반응시켜 티타늄산바륨을 합성함으로써 얻을 수 있다. 유전체층(11)을 구성하는 세라믹의 합성 방법으로서는, 종래 다양한 방법이 알려져 있고, 예를 들어 고상법, 졸-겔법, 수열법 등이 알려져 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 이들 모두 채용할 수 있다.First, as illustrated in FIG. 4 , a dielectric material for forming the
얻어진 세라믹 분말에, 목적에 따라서 소정의 첨가 화합물을 첨가한다. 첨가 화합물로서는, Mn(망간), V(바나듐), Cr(크롬), 희토류 원소(Y(이트륨), Dy(디스프로슘), Tm(툴륨), Ho(홀뮴), Tb(테르븀), Yb(이테르븀), Sm(사마륨), Eu(유로퓸), Gd(가돌리늄), 및 Er(에르븀))의 산화물, 및 Co(코발트), Ni(니켈), Li(리튬), B(붕소), Na(나트륨), K(칼륨) 및 Si(실리콘)의 산화물 혹은 유리를 들 수 있다.To the obtained ceramic powder, a predetermined additive compound is added according to the purpose. As the additive compound, Mn (manganese), V (vanadium), Cr (chromium), rare earth elements (Y (yttrium), Dy (dysprosium), Tm (thulium), Ho (holmium), Tb (terbium), Yb (ytterbium) ), oxides of Sm (samarium), Eu (europium), Gd (gadolinium), and Er (erbium), and Co (cobalt), Ni (nickel), Li (lithium), B (boron), Na (sodium) ), oxides or glass of K (potassium) and Si (silicon).
본 실시 형태에 있어서는, 바람직하게는, 먼저 유전체층(11)을 구성하는 세라믹의 입자에 첨가 화합물을 포함하는 화합물을 혼합하여 820 내지 1150℃에서 하소를 행한다. 계속해서, 얻어진 세라믹 입자를 첨가 화합물과 함께 습식 혼합하고, 건조 및 분쇄하여 세라믹 분말을 조제한다. 예를 들어, 세라믹 분말의 평균 입경은, 유전체층(11)의 박층화의 관점에서, 바람직하게는 50 내지 300㎚이다. 예를 들어, 상기한 바와 같이 하여 얻어진 세라믹 분말에 대해, 필요에 따라서 분쇄 처리하여 입경을 조절하거나, 혹은 분급 처리와 조합함으로써 입경을 조정해도 된다.In this embodiment, preferably, first, a compound containing an additive compound is mixed with ceramic particles constituting the
(적층 공정)(lamination process)
다음으로, 얻어진 유전체 재료에, 폴리비닐부티랄(PVB) 수지 등의 바인더와, 에탄올, 톨루엔 등의 유기 용제와, 프탈산디옥틸(DOP) 등의 가소제를 첨가하여 습식 혼합한다. 얻어진 슬러리를 사용하여, 예를 들어 다이 코터법이나 닥터 블레이드법에 의해, 기재 상에 예를 들어 두께 0.8㎛ 이하의 띠 형상의 유전체 그린 시트를 도포 시공하여 건조시킨다.Next, to the obtained dielectric material, a binder such as polyvinyl butyral (PVB) resin, an organic solvent such as ethanol or toluene, and a plasticizer such as dioctyl phthalate (DOP) are added and wet mixed. Using the obtained slurry, for example, a strip-shaped dielectric green sheet having a thickness of 0.8 µm or less is coated on a substrate by, for example, a die coater method or a doctor blade method, and dried.
다음으로, 유전체 그린 시트의 표면에, 유기 바인더를 포함하는 내부 전극 형성용 금속 도전 페이스트를 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄 등에 의해 인쇄함으로써, 극성이 상이한 한 쌍의 외부 전극에 교대로 인출되는 내부 전극층 패턴을 배치한다. 금속 도전 페이스트의 금속 재료에는, 예를 들어 평균 입경이 100㎚ 이하인 것을 사용한다. 또한, 입경의 표준 편차는, 15 이하로 한다. 이에 의해, 샤프한 입도 분포가 얻어진다. 평균 입경은, 100㎚ 이하인 것이 바람직하고, 70㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 입경의 표준 편차는, 15 이하인 것이 바람직하고, 12 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 누적 입도 분포의 기울기는, 8 이상인 것이 바람직하다. 또한, 누적 입도 분포의 기울기는, 누적 입도 분포를 대수 플롯하여 D20과 D80 사이의 기울기(=1/(logD80-logD20))로 정의할 수 있다.Next, a metal conductive paste for forming internal electrodes containing an organic binder is printed on the surface of the dielectric green sheet by screen printing, gravure printing, etc., thereby forming internal electrode layer patterns alternately drawn out to a pair of external electrodes having different polarities. place For the metal material of the metal conductive paste, for example, one having an average particle diameter of 100 nm or less is used. In addition, the standard deviation of the particle size is 15 or less. In this way, a sharp particle size distribution is obtained. It is preferable that it is 100 nm or less, and, as for average particle diameter, it is more preferable that it is 70 nm or less. It is preferable that it is 15 or less, and, as for the standard deviation of a particle size, it is more preferable that it is 12 or less. Moreover, it is preferable that the gradient of a cumulative particle size distribution is 8 or more. In addition, the slope of the cumulative particle size distribution can be defined as the slope (= 1/(logD80-logD20)) between D20 and D80 by plotting the cumulative particle size distribution as a logarithm.
또한, 금속 도전 페이스트에는, 공재로서 세라믹 입자를 첨가한다. 세라믹 입자의 주 성분 세라믹은, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 유전체층(11)의 주 성분 세라믹과 동일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 티타늄산바륨을 균일하게 분산시켜도 된다. 공재에는, 예를 들어 평균 입경이 10㎚ 이하인 것을 사용한다. 또한, 입경의 표준 편차는, 5 이하로 한다. 이에 의해, 샤프한 입도 분포가 얻어진다. 평균 입경은, 15㎚ 이하인 것이 바람직하고, 10㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 입경의 표준 편차는, 5 이하인 것이 바람직하고, 3 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 누적 입도 분포의 기울기는, 7 이상인 것이 바람직하다. 또한, 누적 입도 분포의 기울기는, 누적 입도 분포를 대수 플롯하여 D20과 D80 사이의 기울기(=1/(logD80-logD20))로 정의할 수 있다.In addition, ceramic particles are added to the metal conductive paste as a common material. The main component ceramic of the ceramic particles is not particularly limited, but is preferably the same as the main component ceramic of the
그 후, 내부 전극층 패턴이 인쇄된 유전체 그린 시트를 소정의 크기로 펀칭하여, 펀칭된 유전체 그린 시트를, 기재를 박리한 상태에서, 내부 전극층(12)과 유전체층(11)이 엇갈리도록, 또한 내부 전극층(12)이 유전체층(11)의 길이 방향 양단부면에 단부 테두리가 교대로 노출되어 극성이 상이한 한 쌍의 외부 전극(20a, 20b)에 교대로 인출되도록 소정 층수(예를 들어, 100 내지 500층)만큼 적층한다. 적층한 유전체 그린 시트의 상하에 커버층(13)이 되는 커버 시트를 압착시켜, 소정 칩 치수(예를 들어, 1.0㎜×0.5㎜)로 커트하고, 그 후에 외부 전극(20a, 20b)의 하지층이 되는 금속 도전 페이스트를, 커트한 적층체의 양단부면에 침지법 등에 의해 도포하여 건조시킨다. 이에 의해, 적층 세라믹 콘덴서(100)의 성형체가 얻어진다.Thereafter, the dielectric green sheet on which the internal electrode layer pattern is printed is punched to a predetermined size, and the punched dielectric green sheet is further internally separated from the substrate so that the
(소성 공정)(firing process)
이와 같이 하여 얻어진 성형체를, 250 내지 500℃의 N2 분위기 중에서 탈바인더 처리한 후에, 산소 분압 10-5 내지 10-8atm의 환원 분위기 중에서 1100 내지 1300℃에서 10분 내지 2시간 소성함으로써, 각 화합물이 소결하여 입성장한다. 이와 같이 하여, 적층 세라믹 콘덴서(100)가 얻어진다. 또한, 소성 조건을 조정함으로써, 내부 전극층(12)에 잔존하는 공재의 잔존량을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 소성 공정에 있어서 승온 속도를 크게 함으로써, 공재가 금속 도전 페이스트로부터 토출되기 전에 주 성분 금속이 소결되기 때문에, 공재가 내부 전극층(12)에 잔존하기 쉬워진다. 예를 들어, 내부 전극층(12)에 있어서의 공재의 잔존량을 많게 하는 관점에서, 소성 공정에 있어서 실온으로부터 최고 온도까지의 평균 승온 속도는, 30℃/분 이상으로 하는 것이 바람직하고, 45℃/분 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 평균 승온 속도가 지나치게 크면, 성형체에 잔류하는 유기 성분의 배출이 충분히 행해지지 않고, 소성 공정 중에 크랙이 발생하는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 혹은, 성형체의 소결에 내외차가 발생함으로써 치밀화가 불충분해져, 정전 용량이 저하되는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 그래서, 평균 승온 속도를, 80℃/분 이하로 하는 것이 바람직하고, 65℃/분 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.The molded body obtained in this way is subjected to binder removal treatment in a N 2 atmosphere at 250 to 500 ° C., and then baked at 1100 to 1300 ° C. for 10 minutes to 2 hours in a reducing atmosphere with an oxygen partial pressure of 10 −5 to 10 −8 atm. The compound is sintered and grain grows. In this way, the multilayer
(재산화 처리 공정)(Re-oxidation treatment process)
그 후, N2 가스 분위기 중에서 600℃ 내지 1000℃에서 재산화 처리를 행해도 된다.Thereafter, a reoxidation treatment may be performed at 600°C to 1000°C in an N 2 gas atmosphere.
(도금 처리 공정)(Plating treatment process)
그 후, 도금 처리에 의해, 외부 전극(20a, 20b)의 하지층에, Cu, Ni, Sn 등의 금속 코팅을 행한다.Thereafter, a metal coating of Cu, Ni, Sn, or the like is applied to the base layer of the
본 실시 형태에 관한 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 의하면, 내부 전극층(12)을 구성하는 주 성분 금속 및 공재로서 입도 분포가 샤프한 소직경 재료를 사용함으로써 고분산의 금속 도전 페이스트가 제작된다. 또한, 부분적으로 큰 재료가 혼입되는 것이 억제된다. 이러한 금속 도전 페이스트를 사용함으로써, 소결 과정에 있어서 유전체층(11)으로의 공재의 확산이 억제되어, 공재가 내부 전극층(12) 내에 잔존하게 된다. 구체적으로는, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층 방향에 있어서의 내부 전극층(12)의 단면에 있어서, 세라믹을 주 성분으로 하는 입자(15)가 존재하는 면적 비율을 10% 이상으로 한다.According to the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to the present embodiment, a highly dispersed metal conductive paste is produced by using a small-diameter material having a sharp particle size distribution as the main component metal and co-material constituting the
내부 전극층(12) 내에 공재가 잔존하면, 소결 시에 있어서의 내부 전극층(12)의 금속 성분의 과소결이 억제되어, 내부 전극층(12)의 끊어짐이 억제된다. 그 결과, 내부 전극층(12)의 연속률 저하를 억제할 수 있다. 또한, 유전체층(11)으로의 공재의 확산이 억제되고, 유전체층(11)의 유전율(ε)의 저하가 억제되어, 원하는 유전 특성을 확보할 수 있다. 또한, 상기 면적 비율은, 12% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 14% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 내부 전극층(12)의 두께 방향에 있어서, 상하 5%씩의 영역에 세라믹을 주 성분으로 하는 입자(15)가 존재하지 않는 것이 바람직하다.If the common material remains in the
[실시예][Example]
이하, 실시 형태에 관한 적층 세라믹 콘덴서를 제작하고, 특성에 대해 조사하였다.Hereinafter, multilayer ceramic capacitors according to the embodiments were fabricated, and characteristics were investigated.
(실시예 1 내지 5)(Examples 1 to 5)
평균 입경이 100㎚(비표면적 10㎡/g)인 티타늄산바륨 분말에 필요한 첨가물을 첨가하고, 볼 밀에 의해 충분히 습식 혼합 분쇄하여 유전체 재료를 얻었다. 유전체 재료에 유기 바인더 및 용제를 첨가하여 닥터 블레이드법으로 유전체 그린 시트를 제작하였다. 유전체 그린 시트의 도포 시공 두께를 0.8㎛로 하고, 유기 바인더로서 폴리비닐부티랄(PVB) 등을 사용하고, 용제로서 에탄올, 톨루엔산 등을 첨가하였다. 그 밖에, 가소제 등을 첨가하였다.Required additives were added to barium titanate powder having an average particle diameter of 100 nm (specific surface area 10 m 2 /g), and wet mixing and grinding were sufficiently performed by a ball mill to obtain a dielectric material. A dielectric green sheet was prepared by adding an organic binder and a solvent to a dielectric material by a doctor blade method. The coating thickness of the dielectric green sheet was set to 0.8 μm, polyvinyl butyral (PVB) or the like was used as an organic binder, and ethanol, toluic acid or the like was added as a solvent. In addition, a plasticizer and the like were added.
다음으로, 내부 전극층(12)의 주 성분 금속(Ni)의 분말(Ni 고형분으로 50wt%)과, 공재(티타늄산바륨)를 10부와, 바인더(에틸셀룰로오스)를 5부와, 용제와, 필요에 따라서 기타 보조제를 포함하고 있는 내부 전극 형성용 도전 페이스트를 유성 볼 밀에 의해 제작하였다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 주 성분 금속의 분말에는, 평균 입경이 70㎚(비표면적 10㎡/g), 입경의 표준 편차가 12, 누적 입도 분포의 기울기가 8인 것을 사용하였다. 공재에는, 평균 입경이 8.6㎚(비표면적 110㎡/g), 입경의 표준 편차가 2.7, 누적 입도 분포의 기울기가 7인 것을 사용하였다.Next, the main component metal (Ni) powder of the internal electrode layer 12 (50 wt% in terms of Ni solid content), 10 parts of a common material (barium titanate), 5 parts of a binder (ethyl cellulose), a solvent, Conductive paste for forming internal electrodes containing other auxiliary agents as needed was produced by a planetary ball mill. As shown in Table 1, as the main component metal powder, those having an average particle diameter of 70 nm (specific surface area 10 m 2 /g), a standard deviation of particle diameter of 12, and a slope of cumulative particle size distribution of 8 were used. As the common material, one having an average particle diameter of 8.6 nm (specific surface area 110 m 2 /g), a standard deviation of particle diameter of 2.7, and a gradient of cumulative particle size distribution of 7 was used.
유전체 시트에 내부 전극 형성용 도전 페이스트를 스크린 인쇄하였다. 내부 전극 형성용 도전 페이스트를 인쇄한 시트를 250매 겹치고, 그 상하에 커버 시트를 각각 적층하였다. 그 후, 열압착에 의해 세라믹 적층체를 얻어, 소정의 형상으로 절단하였다.A conductive paste for forming internal electrodes was screen-printed on the dielectric sheet. 250 sheets printed with conductive paste for forming internal electrodes were overlapped, and cover sheets were laminated on top and bottom of each sheet. Thereafter, a ceramic laminate was obtained by thermal compression bonding and cut into a predetermined shape.
얻어진 세라믹 적층체를 N2 분위기 중에서 탈바인더한 후에, 세라믹 적층체의 양단부면으로부터 각 측면에 걸쳐, Ni를 주 성분으로 하는 금속 필러, 공재, 바인더, 용제 등을 포함하는 금속 페이스트를 도포하고, 건조시켰다. 그 후, 환원 분위기 중에서 1100℃ 내지 1300℃에서 10분 내지 2시간, 금속 페이스트를 세라믹 적층체와 동시에 소성하여 소결체를 얻었다. 실온으로부터 최고 온도까지의 평균 승온 속도는, 실시예 1에서는 30℃/분으로 하고, 실시예 2에서는 45℃/분으로 하고, 실시예 3에서는 55℃/분으로 하고, 실시예 4에서는 65℃/분으로 하고, 실시예 5에서는 80℃/분으로 하였다.After the obtained ceramic laminate is de-bindered in an N 2 atmosphere, a metal paste containing a metal filler containing Ni as a main component, a common material, a binder, a solvent, etc. is applied from both end faces to each side surface of the ceramic laminate, dried. Thereafter, the metal paste was fired simultaneously with the ceramic laminate at 1100° C. to 1300° C. for 10 minutes to 2 hours in a reducing atmosphere to obtain a sintered body. The average heating rate from room temperature to the maximum temperature was 30°C/min in Example 1, 45°C/min in Example 2, 55°C/min in Example 3, and 65°C/min in Example 4. /min, and in Example 5, it was set to 80°C/min.
얻어진 소결체의 형상 치수는, 길이 0.6㎜, 폭 0.3㎜, 높이 0.3㎜였다. 소결체를 N2 분위기하에서, 800℃의 조건에서 재산화 처리를 행한 후, 도금 처리하여 하지층의 표면에 Cu 도금층, Ni 도금층 및 Sn 도금층을 형성하여, 적층 세라믹 콘덴서(100)를 얻었다.The shape dimensions of the obtained sintered body were 0.6 mm in length, 0.3 mm in width, and 0.3 mm in height. The sintered body was subjected to reoxidation treatment under N 2 atmosphere at 800° C., and then plating was performed to form a Cu plating layer, a Ni plating layer, and a Sn plating layer on the surface of the base layer to obtain a multilayer
(비교예 1 내지 3)(Comparative Examples 1 to 3)
비교예 1 내지 3에 있어서는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 내부 전극 형성용 도전 페이스트의 주 성분 금속(Ni)의 분말에, 평균 입경이 120㎚, 입경의 표준 편차가 33, 누적 입도 분포의 기울기가 6인 것을 사용하였다. 공재에는, 평균 입경이 29㎚, 입경의 표준 편차가 8.7, 누적 입도 분포의 기울기가 5인 것을 사용하였다. 실온으로부터 최고 온도까지의 평균 승온 속도는, 비교예 1에서는 45℃/분으로 하고, 비교예 2에서는 55℃/분으로 하고, 비교예 3에서는 65℃/분으로 하였다. 그 밖의 조건은, 실시예와 마찬가지로 하였다.In Comparative Examples 1 to 3, as shown in Table 1, the main component metal (Ni) powder of the conductive paste for forming internal electrodes had an average particle diameter of 120 nm, a standard deviation of particle diameter of 33, and a gradient of cumulative particle size distribution. 6 was used. As the common material, one having an average particle size of 29 nm, a standard deviation of particle size of 8.7, and a gradient of cumulative particle size distribution of 5 was used. The average temperature increase rate from room temperature to the maximum temperature was 45°C/min in Comparative Example 1, 55°C/min in Comparative Example 2, and 65°C/min in Comparative Example 3. Other conditions were carried out similarly to the Example.
도 5의 (a)는, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3에 있어서의 내부 전극 형성용 도전 페이스트의 주 성분 금속의 입도 분포를 나타내는 도면이다. 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5에 있어서는, 평균 입경이 작고, 입도 분포가 샤프한 금속 분말을 사용하고 있음을 알 수 있다. 또한, 비교예 1 내지 3에 있어서는, 평균 입경이 크고, 입도 분포가 브로드한 금속 분말을 사용하고 있음을 알 수 있다. 도 5의 (b)는, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3에 있어서의 내부 전극 형성용 도전 페이스트의 공재의 입도 분포를 나타내는 도면이다. 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5에 있어서는, 평균 입경이 작고, 입도 분포가 샤프한 공재를 사용하고 있음을 알 수 있다. 또한, 비교예 1 내지 3에 있어서는, 평균 입경이 크고, 입도 분포가 브로드한 공재를 사용하고 있음을 알 수 있다.Fig. 5(a) is a diagram showing the particle size distribution of the main component metal of the conductive paste for forming internal electrodes in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3. As shown in Fig. 5(a), it is understood that in Examples 1 to 5, metal powder having a small average particle diameter and a sharp particle size distribution is used. Further, in Comparative Examples 1 to 3, it can be seen that metal powder having a large average particle diameter and a broad particle size distribution is used. Fig. 5(b) is a diagram showing the particle size distribution of common materials of the conductive paste for forming internal electrodes in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3. As shown in (b) of FIG. 5 , it can be seen that in Examples 1 to 5, a common material having a small average particle diameter and a sharp particle size distribution was used. Further, in Comparative Examples 1 to 3, it can be seen that a common material having a large average particle diameter and a broad particle size distribution was used.
(분석)(analyze)
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 폭 방향 중앙부에서의, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층 방향에 있어서의 단면의 SEM(주사형 전자 현미경) 사진을 묘화한 도면이다. 도 6의 (a)는 실시예 3의 SEM 사진이고, 도 6의 (b)는 비교예 2의 SEM 사진이다. 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)의 결과로부터, 유전체층(11)과 내부 전극층(12)의 적층 방향에 있어서의 내부 전극층(12)의 단면에 있어서, 세라믹을 주 성분으로 하는 입자(15)가 존재하는 면적 비율을 계측하였다. 구체적으로는, SEM 화상으로부터 입자(15)의 개수를 카운트하여, 각각의 입자 직경을 계측하고, 내부 전극층(12)의 총 면적(입자(15)를 포함함)에 대한 입자(15)의 면적을 산출함으로써, 면적 비율을 산출하였다. SEM 사진의 시야는 12.6㎛×8.35㎛로 하였다. 도 6의 (c) 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 실시예 1에서는 면적 비율이 12.0이고, 실시예 2에서는 14.5이고, 실시예 3에서는 16.2이고, 실시예 4에서는 17.3이고, 실시예 5에서는 18.0이었다. 비교예 1에서는 7.0이고, 비교예 2에서는 8.7이고, 비교예 3에서는 9.0이었다.6(a) and 6(b) show SEM (scanning electron microscope) photographs of cross sections in the stacking direction of the
또한, 얻어진 SEM 사진을 사용하여, 도 2에서 설명한 연속률을 측정하였다. 실시예 1 내지 5에 있어서는 연속률이 100%로 되었다. 비교예 1 내지 3에서는 연속률이 94 내지 96%로 되었다. 연속률에 대해서는, 수 매의 SEM 사진에 찍혀 있는 전체 내부 전극층의 연속률을 측정함으로써 평균값을 구하였다.In addition, the continuity rate described in FIG. 2 was measured using the obtained SEM photograph. In Examples 1 to 5, the continuity was 100%. In Comparative Examples 1 to 3, the continuity was 94 to 96%. Regarding the continuity rate, an average value was obtained by measuring the continuity rate of all internal electrode layers taken in several SEM photographs.
다음으로, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3에 관한 적층 세라믹 콘덴서의 샘플에 대해 유전율의 평가를 행하였다. 구체적으로는, 정전 용량을 휴렛 팩커드사의 LCR 미터 4284A를 사용하여 측정하였다. 이 측정값과, 샘플이 되는 적층 콘덴서의 내부 전극의 교차 면적, 유전체 세라믹층 두께 및 적층 매수로부터, 외관 유전율을 계산하였다. 샘플 수는 100개로 하였다.Next, the dielectric constant was evaluated for the samples of the multilayer ceramic capacitors according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3. Specifically, capacitance was measured using an LCR meter 4284A from Hewlett Packard. The apparent dielectric constant was calculated from this measured value, the intersection area of the internal electrodes of the multilayer capacitor serving as the sample, the thickness of the dielectric ceramic layer, and the number of laminated layers. The number of samples was 100.
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3에 대해 각각 100개의 샘플에 대해, 유전율의 평가를 행하였다. 도 8은, 유전율의 평가 결과를 나타내는 그래프이다. 도 8의 종축은, 각 샘플의 유전율을 나타내고 있다. 또한, 도 8에서는, 실시예 3에 관한 샘플의 유전율의 평균을 100%로 하여 규격화한 유전율을 나타내고 있다.Permittivity was evaluated for each of 100 samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3. 8 is a graph showing the evaluation results of permittivity. The vertical axis in Fig. 8 represents the permittivity of each sample. In addition, in FIG. 8, the dielectric constant normalized by taking the average of the dielectric constants of the samples according to Example 3 as 100% is shown.
도 8의 결과로부터, 실시예 1 내지 5에 있어서는, 비교예 1 내지 3에 대해 동일한 승온 속도에서의 유전율이 20% 이상 향상되었음을 알 수 있다. 이것은, 내부 전극 형성용 금속 도전 페이스트의 금속 재료로서 입도 분포가 샤프한 소직경 재료를 사용함으로써 소결 과정에 있어서 공재가 내부 전극층(12) 내에 잔존하여 유전체층(11)으로의 확산이 억제되어, 유전체층(11) 중의 재료의 A/B비나 조성의 차이 등이 억제되었기 때문이라고 생각된다.From the results of FIG. 8 , it can be seen that in Examples 1 to 5, the dielectric constant at the same heating rate was improved by 20% or more compared to Comparative Examples 1 to 3. This is because, by using a small-diameter material having a sharp particle size distribution as the metal material of the metal conductive paste for forming the internal electrode, the common material remains in the
이상, 본 발명의 실시예에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.Above, although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.
10 : 적층 칩
11 : 유전체층
12 : 내부 전극층
13 : 커버층
20a, 20b : 외부 전극
100 : 적층 세라믹 콘덴서10: laminated chip
11: dielectric layer
12: internal electrode layer
13: cover layer
20a, 20b: external electrode
100: multilayer ceramic capacitor
Claims (11)
상기 내부 전극층의 두께는, 0.3㎛ 이하이고,
상기 내부 전극층에, 세라믹을 포함하는 입자가 존재하고,
상기 유전체층과 상기 내부 전극층의 적층 방향에 있어서의 상기 내부 전극층의 단면에 있어서, 상기 입자가 존재하는 면적 비율이 10% 이상 100% 이하이고,
상기 내부 전극층에서 상기 입자가 존재하는 상기 면적 비율이 10% 이상 100% 이하로 되는 영역에 있어서, 인접하는 어느 유전체층과도 접촉하는 금속 결정 입자가 적어도 2개 존재하고, 상기 2개의 금속 결정 입자가 상기 내부 전극층의 연장 방향으로 접촉하여 늘어서 있고, 상기 2개의 금속 결정 입자에 의해, 인접하는 유전체층 사이에 걸쳐 연장하는 결정 입계가 형성되고, 상기 입자가 상기 결정 입계에 배치되어 있고,
상기 입자는, 내부 전극층의 두께 방향에 있어서 상하 5%씩의 영역에는 존재하지 않는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.A laminated structure in which dielectric layers containing ceramics and internal electrode layers containing metals are alternately laminated,
The thickness of the internal electrode layer is 0.3 μm or less,
Particles containing ceramic are present in the internal electrode layer,
In a cross section of the internal electrode layer in the stacking direction of the dielectric layer and the internal electrode layer, a ratio of an area in which the particles exist is 10% or more and 100% or less,
In the internal electrode layer, in the region where the particle is present and the area ratio is 10% or more and 100% or less, there are at least two metal crystal grains in contact with any adjacent dielectric layer, and the two metal crystal grains are a grain boundary extending between adjacent dielectric layers is formed by the two metal crystal grains, the grains being disposed in the grain boundary;
The multilayer ceramic capacitor characterized in that the particles do not exist in an area of 5% above and below each in the thickness direction of the internal electrode layer.
상기 내부 전극층에 포함된 금속은, 니켈인 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.According to claim 1,
The multilayer ceramic capacitor, characterized in that the metal included in the internal electrode layer is nickel.
상기 입자에 포함된 세라믹은, 티타늄산바륨인 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.According to claim 1,
A multilayer ceramic capacitor, characterized in that the ceramic included in the particles is barium titanate.
상기 유전체층에 포함된 세라믹은, 티타늄산바륨인 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.According to claim 1,
The ceramic included in the dielectric layer is a multilayer ceramic capacitor, characterized in that barium titanate.
상기 면적 비율은, 내부 전극층의 단면의 SEM 화상을 사용하여 임의로 선택한 10층의 내부 전극층의 전체의 면적과, 상기 10층의 내부 전극층 중의 상기 입자의 전체 면적으로부터 구해지는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.According to claim 1,
The area ratio is obtained from the total area of the 10 internal electrode layers arbitrarily selected using SEM images of cross-sections of the internal electrode layers and the total area of the particles in the 10 internal electrode layers. Condenser.
상기 제1 공정에 의해 얻어진 적층 단위를 복수 적층하여 얻어진 세라믹 적층체를 소성함으로써, 상기 금속 분말의 소결에 의해 내부 전극층을 형성하고, 상기 그린 시트의 세라믹 분말의 소결에 의해 유전체층을 형성하는 제2 공정을 포함하고,
상기 내부 전극층의 두께는, 0.3㎛ 이하이고,
상기 내부 전극층과 상기 유전체층의 적층 방향에 있어서의 상기 내부 전극층의 단면에 있어서, 세라믹을 포함하는 입자가 존재하는 면적 비율을 10% 이상 100% 이하로 하고,
상기 내부 전극층에서 상기 입자가 존재하는 상기 면적 비율이 10% 이상 100% 이하로 되는 영역에 있어서, 인접하는 어느 유전체층과도 접촉하는 금속 결정 입자가 적어도 2개 존재하고, 상기 2개의 금속 결정 입자가 상기 내부 전극층의 연장 방향으로 접촉하여 늘어서 있고, 상기 2개의 금속 결정 입자에 의해, 인접하는 유전체층 사이에 걸쳐 연장하는 결정 입계가 형성되고, 상기 입자가 상기 결정 입계에 배치되도록 상기 제2 공정을 행하고,
상기 입자를, 내부 전극층의 두께 방향에 있어서 상하 5%씩의 영역에는 존재하지 않게 하는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.On a green sheet containing ceramic powder, metal powder having an average particle diameter of 100 nm or less and a standard deviation of particle size distribution of 15 or less is included, and ceramic powder having an average particle diameter of 10 nm or less and a standard deviation of particle size distribution of 5 or less is included. A first step of arranging a pattern of a metal conductive paste containing as
A second step of firing a ceramic laminate obtained by laminating a plurality of laminate units obtained in the first step to form an internal electrode layer by sintering the metal powder and forming a dielectric layer by sintering the ceramic powder of the green sheet. including process,
The thickness of the internal electrode layer is 0.3 μm or less,
In a cross section of the internal electrode layer in the stacking direction of the internal electrode layer and the dielectric layer, an area ratio in which ceramic-containing particles exist is set to 10% or more and 100% or less,
In the internal electrode layer, in the region where the particle is present and the area ratio is 10% or more and 100% or less, there are at least two metal crystal grains in contact with any adjacent dielectric layer, and the two metal crystal grains are The second step is performed so that a grain boundary extending between adjacent dielectric layers is formed by the two metal crystal grains, which are aligned and in contact with each other in the extension direction of the internal electrode layer, and the grain is disposed at the grain boundary; ,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, characterized in that the particles are not present in an area of 5% above and below the internal electrode layer in the thickness direction.
상기 제2 공정에 있어서, 실온으로부터 최고 온도까지의 평균 승온 속도를 30℃/분 이상 80℃/분 이하로 하는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.According to claim 6,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor characterized in that in the second step, the average heating rate from room temperature to the maximum temperature is set to 30°C/min or more and 80°C/min or less.
상기 금속 분말은, 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.According to claim 6,
The method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor, characterized in that the metal powder contains nickel.
상기 공재는, 티타늄산바륨을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.According to claim 6,
The method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor, characterized in that the common material contains barium titanate.
상기 그린 시트의 세라믹 분말은, 티타늄산바륨을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.According to claim 6,
The method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor, characterized in that the ceramic powder of the green sheet contains barium titanate.
상기 면적 비율은, 내부 전극층의 단면의 SEM 화상을 사용하여 임의로 선택한 10층의 내부 전극층의 전체의 면적과, 상기 10층의 내부 전극층 중의 상기 입자의 전체의 면적으로부터 구해지는 것을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법.According to claim 6,
The area ratio is obtained from the total area of 10 internal electrode layers arbitrarily selected using SEM images of cross-sections of internal electrode layers and the total area of the particles in the 10 internal electrode layers, characterized in that Manufacturing method of ceramic capacitor.
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JP2004323866A (en) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Murata Mfg Co Ltd | Method for manufacturing nickel powder, and nickel powder |
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