KR102453921B1

KR102453921B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR102453921B1
Application number: KR1020150124943A
Authority: KR
Inventors: 정지영; 김아롱; 박정선; 방현성; 최진백; 권영길; 이덕중
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-09-03
Filing date: 2015-09-03
Publication date: 2022-10-13
Anticipated expiration: 2035-09-03
Also published as: US20170069695A1; CN106505084A; KR20170028497A; CN106505084B; US10038037B2

Abstract

본 발명의 일 실시예는 제1화소영역 및 제2화소영역을 구비하는 기판과, 제1 및 제2 화소영역마다 배치된 화소전극들과, 기판 상에 위치하며, 제1화소영역과 대응하는 제1개구, 제2화소영역과 대응하는 제2개구를 포함하는 화소정의막과, 제1개구에 배치되며 제1화소영역에 대응하는 제1중간층과, 제1중간층 위에 위치하는 제1대향전극과, 제2개구에 배치되며 제2화소영역에 대응하는 제2중간층과, 제2중간층 위에 위치하며 제1대향전극과 상호 이격된 제2대향전극과, 제1화소영역 및 제2화소영역을 커버하도록 화소정의막 위에 위치하며 제1대향전극과 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결전극층, 및 화소정의막과 연결전극층 사이에 개재되고 화소정의막과 접촉하는 도전성 접착층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{Organic light emitting display and manufacturing method thereof}

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 넓은 시야각, 빠른 응답속도 및 적은 소비 전력 등의 장점으로 인하여 차세대 표시 장치로서 주목받고 있다.

한편, 풀 컬러(full color)를 구현하는 유기 발광 표시 장치의 경우, 각 화소영역 마다 서로 다른 색의 빛이 방출되며, 각 화소영역마다 유기 발광층이 패터닝될 수 있다.

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예는, 제1화소영역 및 제2화소영역을 구비하는 기판; 상기 제1 및 제2 화소영역마다 배치된 화소전극들; 상기 기판 상에 위치하며, 상기 제1화소영역과 대응하는 제1개구, 제2화소영역과 대응하는 제2개구를 포함하는 화소정의막; 상기 제1개구에 배치되며, 상기 제1화소영역에 대응하는 제1중간층; 상기 제1중간층 위에 위치하는 제1대향전극; 상기 제2개구에 배치되며, 상기 제2화소영역에 대응하는 제2중간층; 상기 제2중간층 위에 위치하며, 상기 제1대향전극과 상호 이격된 제2대향전극; 상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역을 커버하도록 상기 화소정의막 위에 위치하며, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결전극층; 및 상기 화소정의막과 상기 연결전극층 사이에 개재되고, 상기 화소정의막과 접촉하는 도전성 접착층;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

본 실시예에서, 상기 화소정의막은 상기 제1개구 및 상기 제2개구 사이에 위치하는 뱅크를 포함하고, 상기 뱅크의 제1지점은 제1유기물을 포함하고, 상기 뱅크의 상면은 상기 제1유기물과 다른 제2유기물을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제2유기물은 플루오린계 폴리머를 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 도전성 접착층은 상기 뱅크의 상면과 직접 접촉할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 뱅크의 제1지점은 상기 뱅크의 상면의 아래에 위치할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 도전성 접착층의 두께는 상기 연결전극층의 두께 보다 작을 수 있다.

본 실시예에서, 상기 연결전극층은 제1금속원소를 포함하고, 상기 도전성 접착층은 상기 제1금속원소와 다른 제2금속원소를 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제1금속원소는 은, 및 마그네슘 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다

본 실시예에서, 상기 제2금속원소는 알루미늄, 인듐, 또는 텅스텐을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 도전성 접착층은 투광성을 갖는 금속층을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 도전성 접착층은 투광성을 갖는 산화 금속층을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예는, 제1화소영역 및 제2화소영역들을 구비하는 기판을 준비하는 단계; 상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역 각각에 대응하는 화소전극들을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 위치하며 상기 화소전극들 각각을 노출하는 제1개구 및 제2개구를 구비하는 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 제1화소영역에 대응하는 제1중간층을 형성하는 단계; 상기 제1중간층 위에 위치하는 제1대향전극을 형성하는 단계; 상기 제2화소영역에 대응하는 제2중간층을 형성하는 단계; 상기 제2중간층 위에 위치하는 제2대향전극을 형성하는 단계; 상기 화소정의막과 접촉하는 도전성 접착층을 형성하는 단계; 상기 제1대향전극 및 상기 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결전극층을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.

본 실시예에서, 상기 화소정의막은 상기 제1개구 및 상기 제2개구 사이에 위치하는 뱅크를 포함하고, 상기 도전성 접착층을 형성하는 단계에서, 상기 도전성 접착층은 상기 뱅크의 상면과 직접 접촉하고, 상기 뱅크의 상면은 상기 뱅크의 제1지점에 포함된 제1유기물과 다른 제2유기물을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제1중간층을 형성하는 단계 및 제1대향전극을 형성하는 단계는, 제1마스킹 패턴을 이용하고, 상기 제1마스킹 패턴은, 상기 제1개구와 인접한 화소정의막의 상면에 직접 접촉하며, 상기 제1개구와 대응되는 제1개방영역을 포함하는 제1매개층; 및 상기 제1매개층 위에 위치하며, 상기 제1개방영역과 대응되는 제2개방영역을 포함하는 제1감광패턴층;을 구비할 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제1개방영역의 크기는 상기 제2개방영역의 크기보다 클 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제1마스킹 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1마스킹 패턴을 제거하는 단계는 용매를 이용하여 상기 제1매개층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명의 실시예들은, 비교적 간단한 공정을 통해 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있으며, 각 화소영역에 대응하며 상호 이격되도록 배치된 대향전극들의 전기적 연결을 안정적으로 수행할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ을 확대한 TEM(transmission electron microscope)이미지이다.
도 4 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 공정 단면도들이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 화소영역들(P1, P2, P3)을 포함한다. 화소영역들(P1, P2, P3) 각각은 화소에 대응하며, 각 화소는 서로 다른 빛을 방출한다. 제1 내지 제3화소영역들(P1, P2, P3) 중 어느 하나의 화소영역은 적색을, 다른 하나는 녹색을, 나머지 하나는 청색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 화소영역들(P1, P2, P3) 각각은 적색, 녹색 및 청색을 구현하는 화소일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1화소영역(P1)에서 적색을 구현하고, 제2화소영역(P2)에서 녹색을 구현하며, 제3화소영역(P3)에서 청색을 구현하는 것을 예로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 풀 컬러(full color)를 구현할 수 있는 것이라면, 적색, 녹색, 및 청색의 조합이 아닌, 다른 색의 조합도 가능하다. 또 다른 실시예로, 풀 컬러를 구현할 수 있는 것이라면, 본 실시예와 같이 세 개의 화소영역(P1, P2, P3)의 조합이 아니더라도, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 네 개의 조합으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.

각 화소영역(P1, P2, P3)에는 상호 이격된 적층구조들이 위치한다. 적층구조 각각은 화소전극(210), 중간층(221, 222, 223) 및 대향전극(231, 232, 233)을 포함할 수 있다. 상호 이격된 대향전극들(231, 232, 233)은 연결전극층(250)에 의해 전기적으로 연결되며, 연결전극층(250)의 아래에는 도전성 접착층(240)이 개재된다.

화소전극(210)은 기판(100)상에 형성된 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있으며, 각 화소영역(P1, P2, P3)에 구비된 화소전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소회로(PC)는 상면이 대략 평평한 절연막(150)에 의해 덮인다.

기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 기판(100)이 플라스틱재 또는 금속재로 형성된 경우에는 글라스재로 형성된 경우 보다 가요성을 향상시킬 수 있다. 기판(100)상에는 불순물이 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 SiO₂ 및/또는 SiNx 등으로 형성된 버퍼층(미도시)이 구비될 수 있다.

화소전극들(210)은 아일랜드 타입으로 상호 이격되어 배치된다. 화소전극(210)은 애노드 전극이며, 반사전극으로 형성된다. 일 실시예로서, 화소전극(210)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr) 또는 이들을 함유하는 합금으로 형성된 단일의 반사형 금속층으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 화소전극(210)은 전술한 단일의 반사형 금속층의 상부 및/또는 하부에 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)층이 더 구비된 이중 또는 삼중 층일 수 있다.

화소정의막(180)은 각 화소영역들(P1, P2, P3)와 대응하는 개구들(OP1, OP2, OP3), 및 이웃하는 개구들(OP1, OP2, OP3)사이에 위치하는 뱅크(181)를 포함한다. 화소정의막(180)은 절연막이며, 탄소계 유기물을 포함할 수 있다. 개구들(OP1, OP2, OP3) 각각을 통해 화소전극(210)이 노출될 수 있다. 화소전극(210)의 가장자리는 뱅크(181)에 의해 덮힐 수 있다. 뱅크(181)는 화소전극(210)의 단부와 대향전극(231, 232, 233) 및/또는 화소전극(210)의 단부와 연결전극층(250)사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

화소영역들(P1, P2, P3) 각각에는 중간층(221, 222, 223), 및 제3대향전극(231, 232, 233)이 위치한다. 이하, 제1화소영역(P1)에 대응하는 중간층(221)을 제1중간층이라 하고, 제2화소영역(P2)에 대응하는 중간층(222)을 제2중간층이라 하며, 제3화소영역(P3)에 대응하는 중간층(223)을 제3중간층이라 한다. 그리고, 제1화소영역(P1)에 대응하는 대향전극(231)을 제1대향전극이라 하고, 제2화소영역(P2)에 대응하는 중간층(232)을 제2대향전극이라 하며, 제3화소영역(P3)에 대응하는 대향전극(233)을 제3대향전극이라 한다.

제1 내지 제3중간층(221, 222, 223)은 상호 이격되어 배치되고, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 상호 이격되어 배치된다.

제1중간층(221)은 제1발광층(221b)을 포함하며, 제1발광층(221b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(221a) 및 제2기능층(221c)이 배치될 수 있다. 제1발광층(221b)은 적색의 빛을 방출하는 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(221a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제1발광층(221b)에 포함된 물질에 따라 제1기능층(221a)은 정공수송층의 단일층이거나, 정공수송층 및 정공주입층의 다층일 수 있다. 제2기능층(221c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 본 발명의 비제한적인 실시예로서, 후술할 제1대향전극(231)이 Ag 함량이 높은 (반)투과 금속층인 경우, 제2기능층(221c)은 이터븀(Yb) 등을 구비하는 전자주입층을 포함할 수 있다.

제1대향전극(231)은 캐소드 전극으로 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제1대향전극(231)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제1대향전극(231)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제1대향전극(231)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제1대향전극(231)의 단부는 제1대향전극(231)의 아래에 구비된 제1중간층(221)의 단부를 커버할 수 있다. 제1발광층(221b)은 제1기능층(221a)의 단부를 커버하고, 제2기능층(221c)은 제1발광층(221b)의 단부를 커버하며, 제1대향전극(231)은 제2기능층(221c)의 단부를 커버할 수 있다.

제1대향전극(231)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)이므로, 도전성 접착층(240)이 제1대향전극(231)의 단부와 뱅크(181)의 연결 부분에서 끊어지거나 손상받는 것을 방지할 수 있다.

제2중간층(222)은 제2발광층(222b)을 포함하며, 제2발광층(222b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)이 배치될 수 있다. 제2발광층(222b)은 녹색의 빛을 방출하는 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(222a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제2발광층(222b)에 포함된 물질에 따라 제1기능층(222a)은 정공수송층의 단일층이거나, 정공수송층 및 정공주입층의 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 본 발명의 비제한적인 실시예로서, 후술할 제2대향전극(232)이 Ag 함량이 높은 (반)투과 금속층인 경우, 제2기능층(222c)은 이터븀(Yb) 등을 구비하는 전자주입층을 포함할 수 있다.

제2대향전극(232)은 캐소드 전극으로 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제2대향전극(232)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제2대향전극(232)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제2대향전극(232)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제2대향전극(232)의 단부는 제2대향전극(232)의 아래에 구비된 제2중간층(222)의 단부를 커버할 수 있다. 제2발광층(222b)은 제1기능층(222a)의 단부를 커버하고, 제2기능층(222c)은 제2발광층(222b)의 단부를 커버하며, 제2대향전극(232)은 제2기능층(222c)의 단부를 커버할 수 있다.

제2대향전극(232)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)이므로, 도전성 접착층(240)이 제2대향전극(232)의 단부와 뱅크(181)의 연결 부분에서 끊어지거나 손상받는 것을 방지할 수 있다.

제3중간층(223)은 제3발광층(223b)을 포함하며, 제3발광층(223b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(223a) 및 제2기능층(223c)이 배치될 수 있다. 제3발광층(223b)은 청색의 빛을 방출하는 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(223a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제3발광층(223b)에 포함된 물질에 따라 제1기능층(223a)은 정공수송층의 단일층이거나, 정공수송층 및 정공주입층의 다층일 수 있다. 제2기능층(223c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 본 발명의 비제한적인 실시예로서, 후술할 제3대향전극(233)이 Ag 함량이 높은 (반)투과 금속층인 경우, 제2기능층(223c)은 이터븀(Yb) 등을 구비하는 전자주입층을 포함할 수 있다.

제3대향전극(233)은 캐소드 전극으로 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제3대향전극(233)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제3대향전극(233)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제3대향전극(233)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제3대향전극(233)의 단부는 제3대향전극(233)의 아래에 구비된 제3중간층(223)의 단부를 커버할 수 있다. 제3발광층(223b)은 제1기능층(223a)의 단부를 커버하고, 제2기능층(223c)은 제3발광층(223b)의 단부를 커버하며, 제3대향전극(233)은 제2기능층(223c)의 단부를 커버할 수 있다.

제3대향전극(233)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)이므로, 도전성 접착층(240)이 제3대향전극(233)의 단부와 뱅크(181)의 연결 부분에서 끊어지거나 손상받는 것을 방지할 수 있다.

연결전극층(250)은 상호 이격된 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)을 전기적으로 연결한다. 연결전극층(250)은 제1 내지 제3화소영역(P1, P2, P3)을 커버하도록 기판(100)의 전면(全面)에 일체로 형성된다.

연결전극층(250)은 투광성을 갖는다. 일 실시예로, 연결전극층은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 연결전극층(250)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함할 수 있다.

연결전극층(250)은 보호층(260)으로 덮일 수 있다. 보호층(260)은 예컨대, 유기물일 수 있다.

도전성 접착층(240)은 연결전극층(250)의 아래에 위치한다. 도전성 접착층(240)은 제1 내지 제3화소영역(P1, P2, P3)을 커버하도록 기판(100)의 전면(全面)에 일체로 형성될 수 있다. 도전성 접착층(240)의 두께(t1)는 연결전극층(250)의 두께(t2)보다 작게 형성될 수 있다.

도전성 접착층(240)은 투광성을 갖는다. 도전성 접착층(240)은 연결전극층(250)과 다른 금속원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 도전성 접착층은 알루미늄(Al), 인듐(In), 텅스텐(W)을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 도전성 접착층(240)은 알루미늄(Al)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 도전성 접착층(240)은 인듐(In), 또는 텅스텐(W)을 포함하는 산화 금속층일 수 있다. 도전성 접착층(240)은 ITO, IZO, InOx, 또는 WOx를 포함할 수 있다.

도전성 접착층(240)의 일부 영역은 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233) 및 연결전극층(250)사이에 개재되고, 도전성 접착층(240)의 나머지 영역은 화소정의막(180)과 연결전극층(250)사이에 개재된다.

뱅크(181)의 상면은 뱅크(181)를 형성하는 유기물과 다른 유기물을 포함할 수 있다. 도 1의 확대된 부분을 참조하면, 뱅크(181)의 제1지점(181a), 예컨대 두께 방향을 따르는 뱅크의 중심지점에 포함된 유기물과 다른 유기물이 뱅크(181)의 상면(181s)에 포함될 수 있다. 일 실시예로서, 뱅크(181)의 제1지점(181a)은 탄소계 유기물을 포함하고, 뱅크(181)의 상면(181s)은 탄소계 유기물뿐만 아니라 불소계 유기물을 포함할 수 있다. 불소계 유기물은 후술할 제1 내지 제3중간층(221, 222, 223) 및 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 형성 공정에서 사용되는 물질일 수 있다.

도 2는 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ에 해당하는 TEM(transmission electron microscope)이미지이다.

본 발명의 비교예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)과 직접 접촉하도록 연결전극층(250')이 형성되는 경우, 불소계 유기물을 포함하는 뱅크(181)의 상면(181s)은 표면 에너지가 증가하여, 도 3에 도시된 바와 같이 뱅크(181)의 상면(181s)에 형성되는 연결전극층(250')이 끊어지는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 연결전극층(250')의 면저항이 증가되는 문제가 있다. 연결전극층(250')의 끊어짐을 방지하기 위해 연결전극층(250')을 두껍게 형성하는 방법을 사용할 수 있으나, 이 경우 연결전극층(250')의 광 흡수율이 증가하여 투과도가 저하되는 문제가 있다.

그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 화소정의막(180)과 연결전극층(250)사이에 접착력이 우수한 도전성 접착층(240)이 개재되므로 연결전극층(250)의 끊어짐을 방지할 수 있다. 따라서, 면저항 증가 또는 광 투과도 등의 문제를 해소할 수 있다.

도 4 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 공정 단면도들이다.

도 4를 참조하면, 제1 내지 제3 화소영역(P1, P2, P3)을 포함하는 기판(100)을 준비한다. 기판(100)상에는 불순물 침투를 방지하는 버퍼층(미도시)이 형성되고, 버퍼층 상에는 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 화소회로(PC)가 형성된다. 화소회로(PC)는 제1 내지 제3화소영역(P1, P2, P3)마다 형성되며, 상면이 대략 평평한 절연막(150)에 의해 덮인다.

이 후, 절연막(150)상에 금속막(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 제1 내지 제3화소영역(P1, P2, P3)에 대응하는 화소전극들(210)을 형성한다. 화소전극(210)은 반사 전극이다. 일 실시예에서, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr) 또는 이들을 함유하는 합금으로 형성된 단일의 반사형 금속층일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 화소전극(210)은 전술한 단일의 반사형 금속층의 상부 및/또는 하부에 ITO 또는 IZO층이 더 구비된 이중 또는 삼중 층으로 형성될 수 있다.

다음으로, 화소전극들(210)이 형성된 기판(100) 상에 유기절연막(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 화소정의막(180)을 형성한다. 화소정의막(180)은 화소전극(210)을 노출하는 제1 내지 제3개구(OP1, OP2, OP3), 및 이웃하는 개구들(OP1, OP2, OP3)사이에 위치하는 뱅크(181)를 포함한다. 화소정의막(180)은 예컨대, 탄소계 유기물로 형성될 수 있다.

도 5를 참조하면, 제1화소영역(P1)을 남기고 제2 및 제3화소영역들(P2, P3)을 덮는 제1마스킹 패턴(300)을 형성한다. 제1마스킹 패턴(300)은 제1개구영역(OR1)을 갖는 제1매개층(310) 및 제2개구영역(OR2)을 갖는 제1감광패턴층(320)을 포함할 수 있다.

제1마스킹 패턴(300)은 기판(100)상에 비감광성 불소계 유기물을 포함하는 제1유기물막(미도시) 및 제1감광층(미도시)을 순차적으로 형성하고, 노광, 현상 및 에칭을 통해 형성될 수 있다.

먼저, 기판(100)상에 제1유기물막 및 제1감광층을 순차적으로 형성하고, 제1화소영역(P1)과 대응되는 제1감광층의 일부 영역을 노광한다. 이후, 제1감광층을 현상함으로써 제2개구영역(OR2)을 갖는 제1감광패턴층(320)을 형성한다. 다음으로, 제2개구영역(OR2)을 통해 노출된 제1유기물막의 일부를 에칭함으로써, 제1개구영역(OR1)을 갖는 제1매개층(310)을 형성한다. 에칭 공정을 통해 제1개구영역(OR1)의 크기는 제2개구영역(OR2)의 크기 보다 크게 형성될 수 있다.

제1 및 제2개구영역(OR1, OR2)은 화소정의막(180)의 제1개구(OP1)와 대응된다. 제1 및 제2개구영역(OR1, OR2)을 통해 제1개구(OP1)가 노출된다.

도 6을 참조하면, 제1마스킹 패턴(300)이 형성된 기판(100)상에 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)을 순차적으로 형성한다. 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다. 제1중간층(221)은 제1발광층(221b) 및 제1발광층(221b)의 위와 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(221a, 221c)을 포함할 수 있다.

일 실시예로서, 제1마스킹 패턴(300)이 형성된 기판(100)의 전면(全面)에 제1기능층(221a), 제1발광층(221b), 제2기능층(221c) 및 제1대향전극(231)이 순차적으로 형성될 수 있다.

제1발광층(221b)은 예컨대, 적색의 빛을 방출할 수 있는 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(221a)은 정공수송층 및/또는 정공주입층을 포함할 수 있으며, 제2기능층(221c)은 전자주입층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있다. 정공수송층, 정공주입층, 전자주입층 및 전자수송층은 제1발광층(221b)의 물질 및/또는 제1대향전극(231)의 물질에 따라 선택적으로 형성될 수 있다.

제1대향전극(231)은 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제1대향전극(231)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제1대향전극(231)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제1대향전극(231)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)의 증착 공정에서 증착 물질들은, 기판(100)에 수직인 방향뿐만 아니라 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제1중간층(221)의 단부 및 제1대향전극(231)의 단부는 제1감광패턴층(320)과 일부 중첩되도록 제1감광패턴층(320)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 다만, 제1중간층(221)의 단부 및 제1대향전극(231)의 단부는 제1매개층(310)과 접촉하지 않도록 형성된다. 만약, 제1중간층(221)의 단부 및 제1대향전극(231)의 단부가 제1매개층(310)과 접촉한다면, 후술할 리프트 오프 공정 시 제1중간층(221)의 단부 및 제1대향전극(231)의 단부가 뱅크(181)로부터 분리되는 들뜸 현상이 발생할 수 있다.

전술한 증착 공정에 의해, 제1대향전극(231)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)일 수 있다.

순차적으로 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)이 증착되면서, 제1중간층(221)의 단부는 제1대향전극(231)에 의해 커버될 수 있다. 일 실시예로, 제1대향전극(231)은 제2기능층(221c)의 단부를 커버하고, 제2기능층(221c)은 제1발광층(221b)의 단부를 커버하며, 제1발광층(221b)은 제1기능층(221a)의 단부를 커버할 수 있다.

도 7을 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제1마스킹 패턴(300)을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 제1유기물막이 패터닝되면서 형성된 제1매개층(310)은 불소계 유기물을 포함하므로, 불소계 용매를 이용하여 제1매개층(310)을 제거할 수 있다. 제1매개층(310)위의 제1감광패턴층(320), 및 제1감광패턴층(320)상에 적층된 제1중간층(221)과 제1대향전극(231)은 제1매개층(310)이 제거되면서 기판(100)으로부터 분리될 수 있다.

제1마스킹 패턴(300)이 제거되면서, 제1화소영역(P1)에는 아일랜드 형상을 갖는 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)이 남는다.

도 8을 참조하면, 제2화소영역(P2)을 남기고 제1 및 제3화소영역들(P1, P3)을 덮는 제2마스킹 패턴(400)을 형성한다. 제2마스킹 패턴(400)은 제2화소영역(P2)과 대응되는 제3개구영역(OR3)을 갖는 제2매개층(410) 및 제4개구영역(OR4)을 갖는 제2감광패턴층(420)을 포함할 수 있다.

제2마스킹 패턴(400)은 기판(100)상에 비감광성 불소계 유기물을 포함하는 제2유기물막(미도시) 및 제2감광층(미도시)을 순차적으로 형성하고, 노광, 현상 및 에칭을 통해 형성될 수 있다.

먼저, 기판(100)상에 제2유기물막 및 제2감광층을 순차적으로 형성하고, 제2화소영역(P2)과 대응되는 제2감광층의 일부 영역을 노광한다. 이후, 제2감광층을 현상함으로써 제4개구영역(OR4)을 갖는 제2감광패턴층(420)을 형성한다. 다음으로, 제4개구영역(OR4)을 통해 노출된 제2유기물막의 일부를 에칭함으로써, 제3개구영역(OR3)을 갖는 제2매개층(410)을 형성한다. 에칭 공정을 통해 제3개구영역(OR3)의 크기는 제4개구영역(OR4)보다 크게 형성될 수 있다.

제3 및 제4개구영역(OR3, OR4)은 화소정의막(180)의 제2개구(OP2)와 대응된다. 제3 및 제4개구영역(OR3, OR4)을 통해 제2개구(OP2)가 노출된다.

도 9를 참조하면, 제2마스킹 패턴(400)이 형성된 기판(100)상에 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)을 순차적으로 형성한다. 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다. 제2중간층(222)은 제2발광층(222b) 및 제2발광층(222b)의 위와 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(222a, 222c)을 포함할 수 있다.

일 실시예로서, 제2마스킹 패턴(400)이 형성된 기판(100)의 전면(全面)에 제1기능층(222a), 제2발광층(222b), 제2기능층(222c) 및 제2대향전극(232)이 순차적으로 형성될 수 있다.

제2발광층(222b)은 예컨대, 녹색의 빛을 방출할 수 있는 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(222a)은 정공수송층 및/또는 정공주입층을 포함할 수 있으며, 제2기능층(222c)은 전자주입층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있다. 정공수송층, 정공주입층, 전자주입층 및 전자수송층은 제2발광층(222b)의 물질 및/또는 제2대향전극(232)의 물질에 따라 선택적으로 형성될 수 있다.

제2대향전극(232)은 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제2대향전극(232)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제2대향전극(232)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제2대향전극(232)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)의 증착 공정에서 증착 물질들은, 기판(100)에 수직인 방향뿐만 아니라 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제2중간층(222)의 단부 및 제2대향전극(232)의 단부는 제2감광패턴층(420)과 일부 중첩되도록 제2감광패턴층(420)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 다만, 제2중간층(222)의 단부 및 제2대향전극(232)의 단부는 제2매개층(410)과 접촉하지 않도록 형성된다. 만약, 제2중간층(222)의 단부 및 제2대향전극(232)의 단부가 제2매개층(410)과 접촉한다면, 후술할 리프트 오프 공정 시 제2중간층(222)의 단부 및 제2대향전극(232)의 단부가 뱅크(181)로부터 분리되는 들뜸 현상이 발생할 수 있다.

전술한 증착 공정에 의해, 제2대향전극(232)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)일 수 있다.

순차적으로 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)이 증착되면서, 제2중간층(222)의 단부는 제2대향전극(232)에 의해 커버될 수 있다. 일 실시예로, 제2대향전극(232)은 제2기능층(222c)의 단부를 커버하고, 제2기능층(222c)은 제2발광층(222b)의 단부를 커버하며, 제2발광층(222b)은 제1기능층(222a)의 단부를 커버할 수 있다.

도 10을 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제2마스킹 패턴(400)을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 제2유기물막이 패터닝되면서 형성된 제2매개층(410)은 불소계 유기물을 포함하므로, 불소계 용매를 이용하여 제2매개층(410)을 제거할 수 있다. 제2매개층(410)위의 제2감광패턴층(420) 및 제2감광패턴층(420)상에 적층된 제2중간층(222)과 제2대향전극(232)은 제2매개층(410)이 제거되면서 기판(100)으로부터 분리될 수 있다.

제2마스킹 패턴(400)이 제거되면서, 제2화소영역(P2)에는 아일랜드 형상을 갖는 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)이 남는다.

도 11을 참조하면, 제3화소영역(P3)을 남기고 제1 및 제2화소영역(P1, P2)을 덮는 제3마스킹 패턴(500)을 형성한다. 제3마스킹 패턴(500)은 제5개구영역(OR5)을 갖는 제3매개층(510) 및 제6개구영역(OR6)을 갖는 제3감광패턴층(520)을 포함할 수 있다.

제3마스킹 패턴(500)은 기판(100)상에 비감광성 불소계 유기물을 포함하는 제3유기물막(미도시) 및 제3감광층(미도시)을 순차적으로 형성하고, 노광, 현상 및 에칭을 통해 형성될 수 있다.

먼저, 기판(100)상에 제3유기물막 및 제3감광층을 순차적으로 형성하고, 제3화소영역(P3)과 대응되는 제3감광층의 일부 영역을 노광한다. 이후, 제3감광층을 현상함으로써 제6개구영역(OR6)을 갖는 제3감광패턴층(520)을 형성한다. 다음으로, 제6개구영역(OR6)을 통해 노출된 제3유기물막의 일부를 에칭함으로써, 제5개구영역(OR5)을 갖는 제3매개층(510)을 형성한다. 에칭 공정을 통해 제5개구영역(OR5)의 크기는 제6개구영역(OR6)보다 크게 형성될 수 있다.

제5 및 제6개구영역(OR5, OR6)은 화소정의막(180)의 제3개구(OP3)와 대응된다. 제5 및 제6개구영역(OR5, OR6)을 통해 제3개구(OP3)가 노출된다.

도 12를 참조하면, 제3마스킹 패턴(500)이 형성된 기판(100)상에 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)을 순차적으로 형성한다. 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다. 제3중간층(223)은 제3발광층(223b) 및 제3발광층(223b)의 위와 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(223a, 223c)을 포함할 수 있다.

일 실시예로서, 제3마스킹 패턴(500)이 형성된 기판(100)의 전면(全面)에 제1기능층(223a), 제3발광층(223b), 제2기능층(223c) 및 제3대향전극(233)이 순차적으로 형성될 수 있다.

제3발광층(223b)은 예컨대, 청색의 빛을 방출할 수 있는 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 제1기능층(223a)은 정공수송층 및/또는 정공주입층을 포함할 수 있으며, 제2기능층(223c)은 전자주입층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있다. 정공수송층, 정공주입층, 전자주입층 및 전자수송층은 제3발광층(223b)의 물질 및/또는 제3대향전극(233)의 물질에 따라 선택적으로 형성될 수 있다.

제3대향전극(233)은 투광성을 갖는다. 일 실시예로서, 제3대향전극(233)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 제3대향전극(233)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금으로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제3대향전극(233)은 ITO, IZO와 같은 투광성 도전 산화물(TCO: Transparent conductive oxide)을 포함하는 투명도전막일 수 있다.

제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)의 증착 공정에서 증착 물질들은, 기판(100)에 수직인 방향뿐만 아니라 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제3중간층(223)의 단부 및 제3대향전극(233)의 단부는 제3감광패턴층(520)과 일부 중첩되도록 제3감광패턴층(520)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 다만, 제3중간층(223)의 단부 및 제3대향전극(233)의 단부는 제3매개층(510)과 접촉하지 않도록 형성된다. 만약, 제3중간층(223)의 단부 및 제3대향전극(233)의 단부가 제3매개층(510)과 접촉한다면, 후술할 리프트 오프 공정 시 제3중간층(223)의 단부 및 제3대향전극(233)의 단부가 뱅크(181)로부터 분리되는 들뜸 현상이 발생할 수 있다.

전술한 증착 공정에 의해, 제3대향전극(233)의 단부는 경사면을 가질 수 있다. 경사면은 역테이퍼 형상(reverse taper shape)이 아닌, 뱅크(181)의 상면과 자연스럽게(smoothly) 연결되는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)일 수 있다.

순차적으로 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)이 증착되면서, 제3중간층(223)의 단부는 제3대향전극(233)에 의해 커버될 수 있다. 일 실시예로, 제3대향전극(233)은 제2기능층(223c)의 단부를 커버하고, 제2기능층(223c)은 제3발광층(223b)의 단부를 커버하며, 제3발광층(223b)은 제1기능층(223a)의 단부를 커버할 수 있다.

도 13을 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제3마스킹 패턴(500)을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 제3유기물막이 패터닝되면서 형성된 제3매개층(510)은 불소계 유기물을 포함하므로, 불소계 용매를 이용하여 제3매개층(510)을 제거할 수 있다. 제3매개층(510)위의 제3감광패턴층(520) 및 제3감광패턴층(520)상에 적층된 제3중간층(223)과 제3대향전극(233)은 제3매개층(510)이 제거되면서 기판(100)으로부터 분리될 수 있다.

제3마스킹 패턴(500)이 제거되면서, 제3화소영역(P3)에는 아일랜드 형상을 갖는 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)이 남는다.

제1 내지 제3마스킹 패턴(300, 400, 500)을 이용한 증착 및 리프트 오프 공정에 의해, 제1 내지 제3매개물(310, 410, 510)을 형성하는 불소계 유기물의 일부가 뱅크(181)의 상면을 형성할 수 있다. 도 13의 확대도를 참조하면, 뱅크(181)의 제1지점(181a), 예컨대 두께 방향을 따르는 뱅크의 중심지점은 탄소계 유기물을 포함하는데 반해 뱅크(181)의 상부, 예컨대 상면(181s)은 탄소계 유기물뿐만 아니라 불소계 유기물을 포함할 수 있다.

도 14를 참조하면, 기판(100)상에 도전성 접착층(240) 및 연결전극층(250)을 형성한다. 이 후, 연결전극층(250)상에 유기물을 포함하는 보호층(260)이 더 형성될 수 있다.

연결전극층(250)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 예컨대, 연결전극층(250)은 은(Ag) 함량이 마그네슘(Mg) 함량보다 높은 은(Ag)-마그네슘(Mg) 합금을 포함할 수 있다.

앞서 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 연결전극층(250')이 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)과 직접 접촉하도록 형성될 때, 연결전극층(250')은 뱅크(181)상에서 끊어지는 현상이 발생할 수 있고 따라서 연결전극층(250')의 면저항이 증가되는 문제가 있다. 연결전극층(250')의 끊어짐을 방지하기 위해 두께를 두껍게 형성할 수 있으나, 이 경우 연결전극층(250')의 광 흡수율이 증가하여 투과도가 저하되는 문제가 있다.

그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 접착력이 우수한 도전성 접착층(240)을 형성한 후 연결전극층(250)을 형성하므로 연결전극층(250)의 끊어짐 현상 및 면저항 증가의 문제를 방지할 수 있다.

도전성 접착층(240)은 접착력이 우수한 금속층 또는 산화 금속층을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 도전성 접착층(240)은 알루미늄(Al)을 포함하는 (반)투과 금속층일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 도전성 접착층은 인듐(In), 또는 텅스텐(W)을 포함하는 투명 도전성 산화 금속층일 수 있다. 예를 들어, 도전성 접착층은 ITO, IZO, InOx, 또는 WOx를 포함할 수 있다.

도전성 접착층(240)의 일부 영역은 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233) 및 연결전극층(250)사이에 개재되고, 도전성 접착층(240)의 나머지 영역은 뱅크(181)와 연결전극층(250)사이에 개재된다. 도전성 접착층(240)은 접착력이 우수하므로 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 상면뿐만 아니라 뱅크(181)의 상면(181s)에도 잘 부착된다.

아래의 [표 1]은 본 발명의 비교예 및 실시예들에 따른 저항값을 나타낸다.

(도전성 접착층/연결전극층)	비교예 (Yb/AgMg)	실시예1 (Al/Yb-AgMg)	실시예2 (Al/ AgMg)
면저항(ohm/sq)	∞	23	24

[표 1]에서 비교예는 도전층 접착층이 Yb를 포함하는 반투과 금속층이고 연결전극층이 Ag와Mg의 합금인 경우를 나타낸다. 실시예1은 도전층 접착층이 Al을 포함하는 반투과 금속층이고 연결전극층이 Yb로 형성된 제1층 및 Ag와Mg의 합금인 제2층으로 형성된 경우를 나타낸다. 실시예2는 도전층 접착층이 Al을 포함하는 반투과 금속층이고 연결전극층이 Ag와Mg의 합금인 경우를 나타낸다.

[표 1]을 참조하면, 도전성 접착층으로 알루미늄을 포함하는 반투과 금속층을 사용한 경우 면저항이 우수하게 나타난 것을 확인할 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100: 기판 180: 화소정의막
181: 뱅크 210: 화소전극
221: 제1중간층 222: 제2중간층
223: 제3중간층 231: 제1대향전극
232: 제2대향전극 233: 제3대향전극
240: 도전성 접착층 250: 연결전극층
260: 보호층 300: 제1마스킹 패턴
310: 제1매개층 320: 제1감광패턴층
400: 제2마스킹 패턴 410: 제2매개층
420: 제2감광패턴층 500: 제3마스킹 패턴
510: 제3매개층 520: 제3감광패턴층

Claims

제1화소영역 및 제2화소영역을 구비하는 기판;
상기 제1 및 제2 화소영역마다 배치된 화소전극들;
상기 기판 상에 위치하며, 상기 제1화소영역과 대응하는 제1개구, 제2화소영역과 대응하는 제2개구를 포함하는 화소정의막;
상기 제1개구에 배치되며, 상기 제1화소영역에 대응하는 제1중간층;
상기 제1중간층 위에 위치하는 제1대향전극;
상기 제2개구에 배치되며, 상기 제2화소영역에 대응하는 제2중간층;
상기 제2중간층 위에 위치하며, 상기 제1대향전극과 상호 이격된 제2대향전극;
상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역을 커버하도록 상기 화소정의막 위에 위치하며, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결전극층; 및
상기 제1중간층과 상기 제1대향전극의 적층 구조 및 상기 제2중간층과 상기 제2대향전극의 적층 구조의 위에 배치되되 상기 연결전극층의 아래에 배치되고, 투광성을 갖는, 도전성 접착층;을 포함하고,
상기 도전성 접착층의 일부는 상기 화소정의막과 상기 연결전극층 사이에 개재되는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 화소정의막은 상기 제1개구 및 상기 제2개구 사이에 위치하는 뱅크를 포함하고,
상기 뱅크의 제1지점은 제1유기물을 포함하고, 상기 뱅크의 상면은 상기 제1유기물과 다른 제2유기물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 제2유기물은 플루오린계 폴리머를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 도전성 접착층의 상기 일부는 상기 뱅크의 상면과 직접 접촉하는, 유기 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 뱅크의 제1지점은 상기 뱅크의 상면의 아래에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 접착층의 두께는 상기 연결전극층의 두께 보다 작은, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 연결전극층은 제1금속원소를 포함하고,
상기 도전성 접착층은 상기 제1금속원소와 다른 제2금속원소를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1금속원소는 은, 및 마그네슘 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제2금속원소는 알루미늄, 인듐, 또는 텅스텐을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 투광성을 갖는 금속층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 투광성을 갖는 산화 금속층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제1화소영역 및 제2화소영역을 구비하는 기판을 준비하는 단계;
상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역 각각에 대응하는 화소전극들을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 위치하며 상기 화소전극들 각각을 노출하는 제1개구 및 제2개구를 구비하는 화소정의막을 형성하는 단계;
상기 제1화소영역에 대응하는 제1중간층을 형성하는 단계;
상기 제1중간층 위에 위치하는 제1대향전극을 형성하는 단계;
상기 제2화소영역에 대응하는 제2중간층을 형성하는 단계;
상기 제2중간층 위에 위치하는 제2대향전극을 형성하는 단계;
상기 화소정의막 상에 도전성 접착층을 형성하는 단계; 및
상기 제1대향전극 및 상기 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 도전성 접착층은,
상기 제1중간층과 상기 제1대향전극의 적층 구조 및 상기 제2중간층과 상기 제2대향전극의 적층 구조의 위에 배치되되 상기 연결전극층의 아래에 배치되고,
상기 도전성 접착층의 일부는 상기 화소정의막과 상기 연결전극층 사이에 개재되는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제12항에 있어서,
상기 화소정의막은 상기 제1개구 및 상기 제2개구 사이에 위치하는 뱅크를 포함하고,
상기 도전성 접착층을 형성하는 단계에서, 상기 도전성 접착층은 상기 뱅크의 상면과 직접 접촉하고, 상기 뱅크의 상면은 상기 뱅크의 제1지점에 포함된 제1유기물과 다른 제2유기물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 제2유기물은 플루오린계 폴리머를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제12항에 있어서,
상기 제1중간층을 형성하는 단계 및 제1대향전극을 형성하는 단계는, 제1마스킹 패턴을 이용하고,
상기 제1마스킹 패턴은,
상기 제1개구와 인접한 화소정의막의 상면에 직접 접촉하며, 상기 제1개구와 대응되는 제1개방영역을 포함하는 제1매개층; 및
상기 제1매개층 위에 위치하며, 상기 제1개방영역과 대응되는 제2개방영역을 포함하는 제1감광패턴층;을 구비하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제15항에 있어서,
상기 제1개방영역의 크기는 상기 제2개방영역의 크기보다 큰, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제15항에 있어서,
상기 제1마스킹 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1마스킹 패턴을 제거하는 단계는 용매를 이용하여 상기 제1매개층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제12항에 있어서,
상기 연결전극층은 제1금속원소를 포함하고,
상기 도전성 접착층은 상기 제1금속원소와 다른 제2금속원소를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서,
상기 제1금속원소는 은, 및 마그네슘 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제18항에 있어서,
상기 제2금속원소는 알루미늄, 인듐, 또는 텅스텐을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.