[go: up one dir, main page]

KR102446726B1 - 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102446726B1
KR102446726B1 KR1020150128907A KR20150128907A KR102446726B1 KR 102446726 B1 KR102446726 B1 KR 102446726B1 KR 1020150128907 A KR1020150128907 A KR 1020150128907A KR 20150128907 A KR20150128907 A KR 20150128907A KR 102446726 B1 KR102446726 B1 KR 102446726B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
substrate
central region
disposed
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020150128907A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170031827A (ko
Inventor
이남훈
서정우
신중한
오병주
이정민
박기남
이종현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150128907A priority Critical patent/KR102446726B1/ko
Priority to US15/203,399 priority patent/US10269594B2/en
Publication of KR20170031827A publication Critical patent/KR20170031827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102446726B1 publication Critical patent/KR102446726B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/205—Neutral density filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 투명 플레이트, 및 그를 포함하는 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 챔버와, 챔버 아래의 램프와, 챔버 내의 기판을 수납하는 플레이트를 포함한다. 플레이트는 제 1 투과율을 갖는 중심 영역과, 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함한다.

Description

투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치{transparent plate and substrate processing apparatus}
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 상세하게는 투명 플레이트 및 그를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 증착(deposition) 공정, 확산(diffusion) 공정, 열처리(annealing) 공정, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정, 연마(polishing) 공정, 식각(etching) 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 열처리 공정은 기판을 고온으로 가열하는 공정일 수 있다. 기판 내의 도전성 불순물은 안정화될 수 있다.
본 발명의 일 과제는 기판 가장자리의 열처리 불량을 방지할 수 있는 투명 플레이트 및 그를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 챔버; 상기 챔버 아래에 배치된 램프; 및 상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 플레이트를 포함한다. 여기서, 상기 플레이트는: 제 1 투과율을 갖는 중심 영역; 및 상기 중심 영역을 둘러싸고, 상기 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 투명 플레이트는, 제 1 투과율을 갖는 중심 영역; 및 상기 중심 영역의 외곽에 배치되고, 상기 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버의 아래에 배치되는 램프; 상기 챔버 내에 배치되는 플레이트; 및 상기 플레이트 상에 배치되고, 기판을 지지하는 핀들을 포함한다. 여기서, 상기 핀들은 상기 기판 반지름의 3/5 내지 2/3 지점에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 아래에 배치된 하부 램프; 상기 챔버 내에 배치된 플레이트; 및 상기 플레이트 상에 배치되고, 상기 기판을 지지하는 핀들을 포함한다. 여기서, 상기 플레이트는: 제 1 투과율을 갖고, 상기 핀들 사이에 배치된 중심 영역; 및 상기 핀들을 고정하는 핀 홀들을 갖고, 상기 제 1 투과율과 다른 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 에지 영역에 비해 낮은 투과율을 갖는 중심 영역의 플레이트를 포함할 수 있다. 플레이트는 중심 영역으로 집중되는 광을 산란시켜 기판을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다. 따라서, 기판 가장자리의 열처리 불량은 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 열처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 일반적인 단일 투과율의 플레이트 상의 기판의 온도를 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 다른 도 3의 플레이트 상의 기판의 온도를 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 3의 플레이트와 지지 핀들의 분해 단면도이다.
도 7은 도 3의 플레이트의 평면도이다.
도 8은 도 7의 기판의 중심으로부터 70mm 내지 약 130mm 지점들을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판의 다른 위치들에서 시간에 따른 변위를 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 7의 기판의 중심으로부터 70mm 내지 약 130mm 지점에서의 변위의 표준 편차를 보여준다.
도 11은 도 7의 지지 핀들 상의 기판의 배치 방향을 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 2의 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 2의 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 2의 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 15 및 도 16은 도 2의 플레이트의 일 예를 보여주는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 플라즈마, 윈도우, 블록, 지그, 전극, 및 플레이트는 일반적인 반도체 제조 설비 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 장치(10)를 개략적으로 보여준다.
도 1을 참조하면, 반도체 소자의 제조 장치(10)는 기판(W)의 단위 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 단위 공정은 이온주입공정 및 열처리 공정(thermal process)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 단위 공정은 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 확산 공정, 연마 공정, 세정 공정, 및 에싱 공정을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 반도체 소자의 제조 장치(10)는 이온주입장치(20), 열처리 장치(30), 및 반송 장치(40)를 포함할 수 있다. 이온주입장치(20)는 기판(W)에 도전성 불순물을 이온 주입할 수 있다. 기판(W)은 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판(W)은 글래스 또는 플라스틱의 투명 기판을 포함할 수 있다. 열처리 장치(30)는 기판(W)을 고온으로 가열할 수 있다. 도전성 불순물은 활성화(activated)될 수 있다. 이와 달리, 반도체 소자의 제조 장치(10)는 이온주입장치(20)없이 열처리 장치(30) 단독으로 구성될 수도 있다. 반송 장치(40)는 이온주입 장치(20)와 열처리 장치(30) 사이에 배치될 수 있다. 반송 장치(40)는 기판(W)을 반송할 수 있다.
이하, 열처리 장치(30)에 대해 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 열처리 장치(30)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 열처리 장치(30)는 고속 어닐링(Rapidly Thermal Annealing: RTA) 장치를 포함할 수 있다. 이와 달리, 열처리 장치(30)는, 고속 열 프로세스(Rapidly Thermal Process: RTP) 장치, 열 증착(thermal deposition) 장치 및 확산 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 열처리 장치(30)는 챔버(100), 하부 램프들(110), 하부 반사 하우징(120), 상부 램프들(130), 상부 반사 하우징(140), 플레이트(150), 및 지지 핀들(160)을 포함할 수 있다. 기판(W)은 챔버(100) 내에 제공될 수 있다. 하부 램프들(110)과 상부 램프들(130)은 기판(W)에 하부 광(112)과 상부 광(132)을 각각 제공할 수 있다. 하부 반사 하우징(120) 및 상부 반사 하우징(140)은 하부 광(112)과 상부 광(132)을 각각 기판(W)으로 반사할 수 있다.
챔버(100)는 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 대기압의 질소(N2) 가스로 충진될 수 있다. 이와 달리, 챔버(100)는 대기압보다 낮은 진공도를 가질 수 있다. 예를 들어, 챔버(100)는 하부 벽(102), 상부 벽(104), 및 측벽(106)을 포함할 수 있다. 하부 벽(102) 및 상부 벽(104)은 투명할 수 있다. 예를 들어, 하부 벽(102)과 상부 벽(104)은 글래스를 포함할 수 있다. 하부 벽(102) 및 상부 벽(104)은 하부 광(112)과 상부 광(132)을 각각 투과시킬 수 있다. 측벽(106)은 하부 벽(102)과 상부 벽(104) 사이를 연결할 수 있다. 측벽(106)은 하부 광(112)과 상부 광(132)을 기판(W)으로 반사할 수 있다. 측벽(106)은 금속을 포함할 수 있다. 이와 달리, 측벽(106)은 글래스와, 상기 글래스 상의 반사 코팅 층을 포함할 수 있다.
하부 램프들(110)은 챔버(100)의 하부 벽(102) 아래에 배치될 수 있다. 하부 램프들(110) 각각은 아크 램프를 포함할 수 있다. 하부 램프(110)의 하부 광(112)은 하부 벽(102)과 플레이트(150)를 투과할 수 있다. 하부 광(112)은 기판(W)의 하부 면으로 제공될 수 있다. 기판(W)은 하부 광(112)에 의해 수 초 내지 수십 초 동안 상온에서 약 500℃ 이상으로 가열될 수 있다.
하부 반사 하우징(120)은 하부 램프(110)의 아래에 배치될 수 있다. 하부 반사 하우징(120)은 하부 광(112)을 하부 벽(102)과 플레이트(150) 상의 기판(W)으로 반사할 수 있다.
상부 램프들(130)은 챔버(100)의 상부 벽(104) 위에 배치될 수 있다. 상부 램프들(130) 각각은 아크 램프를 포함할 수 있다. 상부 램프(130)의 상부 광(132)은 상부 벽(104)을 투과할 수 있다. 상부 광(132)은 기판(W)의 상부 면으로 제공될 수 있다. 기판(W)은 상부 광(132)에 의해 약 수 미리 초(milliseconds) 내지 수십 미리 초 동안에 약 1000℃ 내지 약 1500℃로 가열될 수 있다.
상부 반사 하우징(140)은 상부 램프(130) 상에 배치될 수 있다. 상부 반사 하우징(140)은 상부 광(132)을 챔버(100) 내의 기판(W)으로 반사할 수 있다.
플레이트(150)는 챔버(100) 내의 측벽 프레임들(wall frames, 101) 상에 지지될 수 있다. 기판(W)은 플레이트(150) 상에 제공될 수 있다. 플레이트(150)는 기판(W)을 수납할 수 있다. 일 예에 따르면, 플레이트(150)는 투명할 수 있다. 플레이트(150)는 하부 광(112)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 플레이트(150)는 퀄츠 또는 사파이어를 포함할 수 있다.
지지 핀들(160)은 플레이트(150) 상에 배치될 수 있다. 지지 핀들(160)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판(W)은 플레이트(150)과 평행할 수 있다. 예를 들어, 지지 핀들(160)은 플레이트(150)와 동일한 퀄츠 또는 사파이어를 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 핀들(160)은 테프론, 에폭시 수지, 또는 탄성체를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 플레이트(150)의 일 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 플레이트(150)는 중심 영역(152)과 에지 영역(154)을 포함할 수 있다. 중심 영역(152)은 지지 핀들(160) 사이에 배치될 수 있다. 에지 영역(154)은 중심 영역(152)을 둘러쌀 수 있다.
에지 영역(154)은 지지 핀들(160)의 외곽에 배치될 수 있다. 예를 들어, 에지 영역(154)은 평탄 영역(154a), 리세스 영역(154b), 및 경사 영역(153a)을 포함할 수 있다. 평탄 영역(154a)은 중심 영역(152)에 인접하여 배치될 수 있다. 평탄 영역(154a)은 중심 영역(152)과 동일한 레벨의 상부 면을 가질 수 있다. 리세스 영역(154b)은 중심 영역(152)과 이격하여 배치될 수 있다. 리스세 영역(154b)은 중심 영역(152)보다 리세스될 수 있다. 경사 영역(153a)은 평탄 영역(154a)과 리세스 영역(154b)사이에 배치될 수 있다. 경사 영역(153a)은 기판(W)의 가장자리 아래에 정렬될 수 있다. 기판(W)은 하부 광(112) 및 상부 광(132)의 고열에 의해 위 아래로 휘어질 수 있다. 휘어진 기판(Wb)의 가장자리는 경사 영역(153a)의 경사면(153)을 따라 접촉될 수 있다. 경사면(153)은 휘어진 기판(Wb)의 가장자리의 손상을 최소화할 수 있다.
중심 영역(152)과 에지 영역(154)의 투과율은 다를 수 있다. 일 예에 따르면, 중심 영역(152)의 제 1 투과율은 에지 영역(154)의 제 2 투과율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 중심 영역(152)은 사파이어를 포함하고, 에지 영역(154)은 퀄츠를 포함할 수 있다. 사파이어는 퀄츠보다 낮은 투과율을 가질 수 있다. 이와 달리, 중심 영역(152)과 에지 영역(154)는 동일한 퀄츠를 포함할 수 있다. 중심 영역(152)은 불투명한 불순물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 불투명한 불순물은 금속, 또는 유색 물질을 포함할 수 있다. 중심 영역(152)과 에지 영역(154)이 불투명한 불순물을 가질 경우, 중심 영역(152)의 불투명한 불순물의 농도는 에지 영역(154)의 불투명한 불순물의 농도보다 높을 수 있다. 따라서, 플레이트(150)는 이중 투과율을 가질 수 있다. 이와 달리, 플레이트(150)는 다중 투과율을 가질 수도 있다.
도 4는 일반적인 단일 투과율의 플레이트 상의 기판(W)의 온도를 보여준다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 단일 투과율의 일반적인 플레이트는 불균일하게 가열될 수 있다. 예를 들어, 단일 투과율의 일반적인 플레이트는 기판(W)의 중심의 온도는 기판(W)의 가장자리의 온도보다 높을 수 있다. 단일 투과율의 일반적인 플레이트는 하부 광(112)을 균일하게 투과할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 하부 광(112)은 기판(W)의 중심으로 집중될 수 있다. 하부 램프들(110)은 주로 중심 영역(152)의 아래에 배치되기 때문이다. 이와 달리, 하부 광(112)은 하부 반사 하우징(120)의 반사에 의해 기판(W)의 중심으로 집중될 수 있다. 기판(W)의 중심은 가장자리보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 기판(W)의 중심은 약 1200℃ 정도로 가열되고, 기판(W)의 가장자리는 약 1150℃ 정도로 가열될 수 있다. 따라서, 단일 투과율의 일반적인 플레이트는 기판(W) 가장자리의 열처리 불량을 발생시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 플레이트(150) 상의 기판(W)의 온도를 보여준다.
도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 플레이트(150)는 기판(W)을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다. 플레이트(150)의 중심 영역(152)은 기판(W)의 중심으로 향하는 하부 광(112)의 일부를 산란 시킬 수 있다. 이와 달리, 중심 영역(152)은 기판(W)의 중심으로 향하는 하부 광(112)의 일부를 흡수할 수 있다. 하부 광(112)은 중심 영역(152)과 에지 영역(154)에서 동일한 세기로 투과할 수 있다. 기판(W)은 약 1200℃의 온도로 균일하게 가열될 수 있다. 따라서, 기판(W) 가장자리의 열처리 불량은 방지될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 지지 핀들(160)은 중심 영역(152)에 인접한 에지 영역(154)의 평탄 영역(154a) 상에 배치될 수 있다. 이와 달리, 지지 핀들(160)은 에지 영역(154)에 인접한 중심 영역(152) 상에 배치될 수 있다.
도 6은 도 3의 플레이트(150)와 지지 핀들(160)의 분해 단면도이다.
도 6을 참조하면, 플레이트(150)는 핀 홀들(151)을 가질 수 있다. 지지 핀들(160)은 플레이트(150)의 핀 홀들(151) 내에 삽입될 수 있다. 지지 핀들(160)과 핀 홀들(151)은 일대일 대응될 수 있다. 핀 홀들(151)은 지지 핀들(160)을 고정할 수 있다. 핀 홀들(151)은 에지 영역(154)의 평탄 영역(154a) 상에 배치될 수 있다. 이와 달리, 핀 홀들(151)은 중심 영역(152) 상에 배치될 수도 있다.
도 7은 도 3의 플레이트(150)의 평면도이다.
도 7을 참조하면, 지지 핀들(160)은 4개일 수 있다. 4개의 지지 핀들(160)은 정사각형의 꼭지점에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리, 지지 핀들(160)은 3개, 5개, 또는 6개일 수 있다. 예를 들어, 지지 핀들(160) 각각은 기판(W)의 중심으로부터 약 70mm 내지 약 130mm에 배치될 수 있다. 기판(W)은 약 150mm의 반경을 가질 수 있다. 기판(W)은 열처리 시에 위 아래로 요동(fluctuate)칠 수 있다.
도 8은 도 7의 기판(W)의 중심(o)으로부터 70mm 내지 약 130mm 지점들(a-f)을 보여준다. 도 9는 도 8의 기판(W)의 다른 위치들에서 시간에 따른 변위(displacement)를 보여준다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 기판(W)의 중심으로부터 70mm 내지 약 130mm 지점들(a-f)은 위 아래 방향의 변위(displacement)로 요동칠 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 중심으로부터 70mm의 지점(a)은 0.01초 동안에 위 방향으로 최대 약 1.2mm로부터 아래 방향으로 최대 약 -0.6mm까지 모두(total) 약 1.8mm 정도의 변위로 요동칠 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)은 위 방향으로 최대 약 0.8mm로부터 아래 방향으로 최대 약 -0.3mm까지의 약 1.1mm 정도의 변위로 요동칠 수 있다. 기판(W)이 150mm의 반경을 가질 때, 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)은 기판(W) 반지름의 3/5 위치에 대응될 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 100mm의 지점(c)은 위 방향으로 최대 0.8mm로부터 아래 방향으로 최대 약 -0.35mm까지의 약 1.15mm의 변위로 요동칠 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 100mm의 지점(b)은 기판(W) 반지름의 2/3 위치에 대응될 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 110mm의 지점(d)은 위 방향으로 최대 약 1mm에서부터 아래 방향으로 최대 약 -0.6mm까지의 약 1.6mm정도의 변위로 요동칠 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 120mm의 지점(e)은 위 방향으로 최대 약 1.1mm에서부터 아래 방향으로 최대 약 -1mm까지의 약 2.1mm의 변위로 요동칠 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 130mm의 지점(f)은 위 방향으로 최대 약 1.2mm에서부터 아래 방향으로 최대 약 -1.6mm까지의 약 2.8mm의 변위로 요동칠 수 있다.
따라서, 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)과, 100mm의 지점(c)은 70mm의 지점(a), 110mm의 지점(d), 120mm의 지점(e), 및 130mm의 지점(f)에 비해 작은 변위로 요동칠 수 있다.
다시 도 7 내지 도 9를 참조하면, 지지 핀들(160)은 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)과, 100mm의 지점(c) 사이의 플레이트(150) 상에 배치될 경우, 기판(W)은 열처리 공정 시 가장 안정할 수 있다. 즉, 지지 핀들(160)이 기판(W) 반지름의 3/5 위치와 2/3 위치 사이에 배치될 때, 기판(W)은 안정할 수 있다. 더불어, 핀 홀들(151)은 기판(W) 반지름의 3/5 내지 2/3의 플레이트(150) 상에 배치될 수 있다.
도 10은 도 7의 기판(W)의 중심으로부터 70mm 내지 약 130mm 지점들(a-f)의 변위들의 표준 편차를 보여준다.
도 10을 참조하면, 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)과, 100mm의 지점(c)의 변위들의 표준 편차는 70mm의 지점(a), 110mm의 지점(d), 120mm의 지점(e), 및 130mm의 지점(f)의 변위들의 표준 편차보다 작을 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 중심으로부터 70mm의 지점(a)의 변위의 표준 편차는 0.38일 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 90mm의 지점(b)의 변위의 표준 편차는 0.27일 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 100mm의 지점(c)의 변위의 표준 편차는 0.27일 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 110mm의 지점(d)의 변위의 표준 편차는 0.34일 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 120mm 지점(e)의 변위의 표준 편차는 0.44일 수 있다. 기판(W)의 중심으로부터 130mm 지점(f)의 변위의 표준 편차는 0.58일 수 있다. 표준 편차가 작아질수록, 기판(W)은 지지 핀(160) 상에 안정적으로 지지될 수 있다. 따라서, 기판(W)은 그의 반지름의 3/5과 2/3 사이의 지지 핀들(160) 상에서 가장 안정할 수 있다.
도 11은 도 7의 지지 핀들(160) 상의 기판(W)의 배치 방향을 보여준다.
도 11을 참조하면, 기판(W)의 노치(180)의 연장선(170)은 지지 핀들(160) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 노치(180)는 기판(W)의 중심에서 실리콘 웨이퍼의 <110> 결정 방향에 대응될 수 있다. 지지 핀들(160)이 기판(W)의 노치(180)의 연장선(170) 상에 배치될 경우, 기판(W)은 지지 핀들(160)에 의해 쉽게 파손될 수 있다. 때문에, 기판(W)은 지지 핀들(160)과 노치(180)의 연장선(170)이 오버랩하지 않도록 제공될 수 있다.
도 12는 도 2의 플레이트(150)의 일 예를 보여준다.
도 12를 참조하면, 플레이트(150)가 단일 투명 재질로 이루어질 경우, 중심 영역(152)의 표면 거칠기는 에지 영역(154)의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 일 예에 따르면, 중심 영역(152)과 에지 영역(154)은 제 1 요철들(152a)과 제 2 요철들(154c)을 각각 가질 수 있다. 제 1 요철들(152a)과 제 2 요철들(154c) 중 적어도 하나는 샌드 에칭 방법으로 형성될 수 있다. 제 1 요철들(152a)의 크기는 제 2 요철들(154c)의 크기보다 클 수 있다. 이와 달리, 제 1 요철들(152a)의 밀도는 제 2 요철들(154c)의 밀도보다 클 수 있다. 중심 영역(152)은 제 1 요철들(152a)과 제 2 요철들(154c)은 하부 광(112)을 산란시킬 수 있다. 제 1 요철들(152a)은 하부 광(112)을 제 2 요철들(154c)보다 많이 산란시킬 수 있다. 제 1 요철들(152a)은 중심 영역(152)으로 집중된 하부 광(112)의 일부를 산란시킬 수 있다. 하부 광(112)의 투과 세기는 중심 영역(152)과 에지 영역(154)에서 동일할 수 있다. 이와 달리, 제 1 요철들(152a)과 제 2 요철들(154c)은 하부 광(112)을 반사할 수 있다. 제 1 요철들(152a)은 하부 광(112)을 제 2 요철들(154c)보다 많이 반사할 수 있다. 제 1 요철들(152a)은 중심 영역(152)로 집중되는 하부 광(112)의 일부를 반사할 수 있다. 하부 광(112)은 중심 영역(152)과 에지 영역(154)의 플레이트(150)을 일정한 광량으로 투과할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 플레이트(150)는 가장자리 불량 없이 기판(W)을 균일한 온도로 가열시킬 수 있다.
도 13은 도 2의 플레이트(150)의 일 예를 보여준다.
도 13을 참조하면, 플레이트(150)는 중심 영역(152) 상의 광 흡수 패턴(156)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 광 흡수 패턴(156)은 반 투과 박막(transflective film), 또는 나노 패턴(nano-pattern)일 수 있다. 예를 들어, 광 흡수 패턴(156)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiN), 탄소나노튜브, 그래핀, 또는 그라파이트를 포함할 수 있다. 이와 달리, 광 흡수 패턴(156)은 금속, 유전체, 및 폴리머의 나노 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 흡수 패턴(156)은 플레이트(150) 상부 면에 배치될 수 있다. 이와 달리, 광 흡수 패턴(156)은 플레이트(150)의 하부 면에 배치될 수도 있다. 광 흡수 패턴(156)은 중심 영역(152)으로 집중된 하부 광(112)의 일부를 흡수할 수 있다.
도 14는 도 2의 플레이트(150)의 일 예를 보여준다.
도 14를 참조하면, 플레이트(150)가 단일 투명 재질로 이루어질 경우, 플레이트(150)의 중심 영역(152)은 에지 영역(154)보다 두꺼울 수 있다. 일 예에 따르면, 중심 영역(152)의 하부 면(155)은 에지 영역(154)의 하부 면(157)보다 낮을 수 있다. 플레이트(150)의 투과율은 두께에 반비례할 수 있다. 중심 영역(152)의 투과율은 에지 영역(154)의 투과율보다 낮을 수 있다. 중심 영역(152)은 기판(W)의 중심으로 집중되는 하부 광(112)의 일부를 흡수할 수 있다. 하부 광(112)의 투과 세기는 중심 영역(152)과 에지 영역(154)에서 동일할 수 있다.
도 15 및 도 16은 도 2의 플레이트(150)의 일 예를 보여준다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 플레이트(150)의 중심 영역(152)은 트렌치(158)를 가질 수 있다. 트렌치(158)는 지지 핀들(160) 사이에 배치될 수 있다. 트렌치(158)는 지지 핀들(160) 사이의 휘어진 기판(Wb)과 플레이트(150)의 접촉을 최소화할 수 있다. 즉, 트렌치(158)는 열처리 시 기판(W)의 충돌 손상을 방지할 수 있다. 트렌치(158)의 폭은 지지 핀들(160)의 높이 및 거리에 따라 달라질 수 있다. 일 예에 따르면, 지지 핀들(160)의 높이가 증가할수록 트렌치(158)의 폭은 줄어들 수 있다. 예를 들어, 지지 핀들(160)이 약 1.2mm의 높이를 가질 때, 트렌치({158}는 약 80mm의 폭을 가질 수 있다. 지지 핀들(160)이 약 1.4mm의 높이를 가질 때, 트렌치(158)는 약 40mm의 폭을 가질 수 있다. 이와 달리, 지지 핀들(160) 사이의 거리가 줄어들수록 트렌치(158)의 폭은 줄어들 수 있다.
트렌치(158) 내부와 트렌치(1158) 외곽의 중심 영역(152)은 하부 광(112)에 대해 제 1 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 트렌치(158) 바닥과 트렌치(158)의 외곽의 불투명한 불순물 농도는 서로 다를 수 있다. 이와 달리, 트렌치(158) 내부와 트렌치(158) 외곽의 표면 거칠기는 다를 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버 아래에 배치된 램프; 및
    상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 수납하는 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는:
    제 1 투과율을 갖는 중심 영역; 및
    상기 중심 영역을 둘러싸고, 상기 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함하되,
    상기 중심 영역과 상기 에지 영역은 불투명 불순물을 포함하되,
    상기 불투명 불순물의 농도는 상기 에지 영역보다 상기 중심 영역에서 높은 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트 상에 배치되고 상기 기판을 지지하는 복수개의 핀들을 더 포함하되,
    상기 플레이트는 상기 에지 영역 상에 배치되고 상기 핀들을 고정하는 복수개의 핀 홀들을 갖는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 핀들은 상기 기판 반지름의 3/5와 2/3 사이의 상기 플레이트 상에 배치되는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 에지 영역은:
    상기 중심 영역에 인접하여 배치되고, 상기 중심 영역과 동일한 레벨의 상부 면을 갖는 평탄 영역;
    상기 중심 영역에 이격하여 배치되고, 상기 중심 영역보다 리세스된 리세스 영역; 및
    상기 리세스 영역과 상기 평탄 영역 사이에 배치되고, 상기 기판의 가장자리에 오버랩되는 경사 영역을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 핀 홀들은 상기 평탄 영역 상에 배치되는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 불투명 불순물은 금속 또는 유색 물질을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 중심 영역의 표면 거칠기는 상기 에지 영역의 표면 거칠기보다 큰 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 광 흡수 패턴을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 상기 에지 영역보다 두껍고, 상기 중심 영역의 하부 면은 상기 에지 영역의 하부 면보다 낮은 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 트렌치를 갖는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 투과율을 갖는 중심 영역; 및
    상기 중심 영역의 외곽에 배치되어 상기 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함하되,
    상기 중심 영역은 사파이어를 포함하고,
    상기 에지 영역은 퀄츠를 포함하는 투명 플레이트.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 영역은 복수개의 핀 홀들을 포함하는 투명 플레이트.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 핀 홀들은 상기 투명 플레이트 상에 제공되는 기판의 반지름의 3/5 내지 2/3의 상기 에지 영역 상에 배치되는 투명 플레이트.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 에지 영역은:
    상기 중심 영역에 인접하여 상기 핀 홀들을 갖고, 상기 중심 영역과 동일한 레벨의 상부 면을 갖는 평탄 영역;
    상기 중심 영역에 이격하여 배치되고, 상기 중심 영역보다 리세스된 리세스 영역; 및
    상기 리세스 영역과 상기 평탄 영역 사이에 배치되는 경사 영역을 포함하는 투명 플레이트.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 트렌치를 포함하는 투명 플레이트.
  16. 챔버;
    상기 챔버의 아래에 배치되는 램프; 및
    상기 램프 상의 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 수납하는 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는:
    제 1 투과율을 갖는 중심 영역; 및
    상기 중심 영역의 외곽에 배치되어 상기 제 1 투과율보다 높은 제 2 투과율을 갖는 에지 영역을 포함하되,
    상기 중심 영역은 사파이어를 포함하고,
    상기 에지 영역은 퀄츠를 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 삭제
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 에지 영역은:
    상기 중심 영역에 인접하여 배치되고, 상기 중심 영역과 동일한 레벨의 상부 면을 갖는 평탄 영역;
    상기 중심 영역에 이격하여 배치되고, 상기 중심 영역보다 리세스된 리세스 영역; 및
    상기 리세스 영역과 상기 평탄 영역 사이에 배치되고, 상기 기판의 가장자리에 오버랩되는 경사 영역을 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 상기 중심 영역을 불투명하게 하는 불순물을 갖는 기판 처리 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 플레이트 상에 배치되고, 기판을 지지하는 핀들을 더 포함하되
    상기 핀들은 정사각형의 꼭지점들에 대응하는 4개를 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020150128907A 2015-09-11 2015-09-11 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 Active KR102446726B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150128907A KR102446726B1 (ko) 2015-09-11 2015-09-11 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US15/203,399 US10269594B2 (en) 2015-09-11 2016-07-06 Transparent plate and substrate processing system therewith

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150128907A KR102446726B1 (ko) 2015-09-11 2015-09-11 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170031827A KR20170031827A (ko) 2017-03-22
KR102446726B1 true KR102446726B1 (ko) 2022-09-26

Family

ID=58238939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150128907A Active KR102446726B1 (ko) 2015-09-11 2015-09-11 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10269594B2 (ko)
KR (1) KR102446726B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11104996B2 (en) 2017-11-27 2021-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heating stage and apparatus having the same
CN112236850B (zh) * 2018-03-20 2024-08-20 玛特森技术公司 热处理系统中用于局部加热的支撑板
JP7355607B2 (ja) * 2019-11-05 2023-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス サセプタの製造方法、サセプタおよび熱処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045944A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板保持装置、基板受渡し方法とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4480354B2 (ja) * 2003-06-23 2010-06-16 京セラ株式会社 ウェハ加熱装置
US8454356B2 (en) 2006-11-15 2013-06-04 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
US20130203269A1 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
US20140270734A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Light irradiation type heat treatment apparatus and heat treatment method

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586031B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-10 株式会社東芝 サセプタおよび熱処理装置および熱処理方法
US6449428B2 (en) * 1998-12-11 2002-09-10 Mattson Technology Corp. Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system
JP2002158178A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US7070660B2 (en) * 2002-05-03 2006-07-04 Asm America, Inc. Wafer holder with stiffening rib
US20030209326A1 (en) 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
JP4437641B2 (ja) * 2002-08-21 2010-03-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7062161B2 (en) * 2002-11-28 2006-06-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Photoirradiation thermal processing apparatus and thermal processing susceptor employed therefor
US20050284371A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Mcfadden Robert S Deposition apparatus for providing uniform low-k dielectric
KR100657501B1 (ko) 2004-08-19 2006-12-13 주식회사 테라세미콘 고온공정용 반도체 제조공정에서의 웨이퍼 지지방법 및고온공정용 반도체 제조장치의 웨이퍼 홀더
JP4317883B2 (ja) 2007-04-18 2009-08-19 国立大学法人東北大学 支持ピンの製造方法、支持ピン、熱処理装置および基板焼成炉
KR101411385B1 (ko) 2007-10-10 2014-06-25 주성엔지니어링(주) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US10192760B2 (en) * 2010-07-29 2019-01-29 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate supporting unit, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate supporting unit
JP5346484B2 (ja) 2008-04-16 2013-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理方法および熱処理装置
CN102089873A (zh) 2008-05-16 2011-06-08 加拿大马特森技术有限公司 工件破损防止方法及设备
KR20100079168A (ko) 2008-12-30 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 급속 열처리 방법
US8461033B2 (en) * 2009-01-13 2013-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light-irradiation
KR20110064421A (ko) 2009-12-08 2011-06-15 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 지지 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 열처리 장치
US8344300B2 (en) * 2010-06-14 2013-01-01 Tokyo Electron Limited Device to reduce shadowing during radiative heating of a substrate
TWI467660B (zh) 2011-03-14 2015-01-01 Screen Holdings Co Ltd Heat treatment method and heat treatment device
JP5977038B2 (ja) 2012-02-15 2016-08-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP5964626B2 (ja) 2012-03-22 2016-08-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US9330949B2 (en) 2012-03-27 2016-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light
JP5955658B2 (ja) 2012-06-15 2016-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR20140007523A (ko) 2012-07-09 2014-01-20 주식회사 나래나노텍 가변 파장을 이용한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
JP6234674B2 (ja) 2012-12-13 2017-11-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP5868905B2 (ja) * 2013-07-03 2016-02-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク
KR102508832B1 (ko) * 2014-07-11 2023-03-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터의 정렬을 위한 장치 및 방법
JP2017017277A (ja) * 2015-07-06 2017-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045944A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板保持装置、基板受渡し方法とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4480354B2 (ja) * 2003-06-23 2010-06-16 京セラ株式会社 ウェハ加熱装置
US8454356B2 (en) 2006-11-15 2013-06-04 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
US20130203269A1 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
US20140270734A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Light irradiation type heat treatment apparatus and heat treatment method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170031827A (ko) 2017-03-22
US10269594B2 (en) 2019-04-23
US20170076965A1 (en) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0155545B1 (ko) 기판의 열처리 장치
KR101877183B1 (ko) 기판 처리 방법
KR100999002B1 (ko) 반도체 웨이퍼 처리 방법 및 장치
JP2010166085A (ja) ウェハチャックおよびそれを用いた露光装置ならびに半導体装置の製造方法
KR102446726B1 (ko) 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
JP4437641B2 (ja) 熱処理装置
KR20200042012A (ko) 기판 배면 손상을 감소시키기 위한 기판 지지부
US20190096737A1 (en) Substrate treatment apparatus
TWI483286B (zh) Excimer lamp and excimer light irradiation device
US11315810B2 (en) Apparatus for wafer processing
JP6426057B2 (ja) クラック検知方法、クラック検知装置および基板処理装置
KR101167692B1 (ko) 웨이퍼 안착 장치 제조방법
KR101074455B1 (ko) 서셉터 수용장치
JP6486775B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
CN1822345A (zh) 通过精确的晶片定位对准消除系统处理的成品率下降
KR101209882B1 (ko) 기판 움직임을 방지하는 엔드 이펙터를 가지는 로봇암
WO2024252783A1 (ja) 光加熱方法、ＳｉＣ半導体用の光加熱装置、ＬＥＤ光源装置
KR100709713B1 (ko) 건식 식각 장비
KR102725357B1 (ko) 리테이너링 및 이를 포함하는 기판 연마 장치
KR20040035031A (ko) 반도체 기판을 베이킹 하는 장치
KR20070025092A (ko) 웨이퍼 리프트 유닛의 리프트핑거
JP2005252042A (ja) 基板保持装置
TW202349536A (zh) 藉由圖案化uv固化之晶圓翹曲補償
KR101496552B1 (ko) 웨이퍼 건조 장치
KR100426274B1 (ko) 램프가열을 이용한 반도체 웨이퍼 애싱장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150911

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20200909

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20150911

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220110

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220621

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20220920

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20220921

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration