KR102444121B1 - 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 측정대상물에 박막을 증착하는 내부 공간이 형성된 챔버, 상기 챔버 상에 형성되고, 상기 측정대상물이 상부에 안착되는 하부 지지대, 상기 측정대상물에 가스를 공급하는 샤워헤드 및 상기 하부 지지대에 형성되는 인덕턴스(inductance) 방식이 적용된 복수의 변위감지 센서부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 박막 증착 장치 및 이의 처리방법에 관한 것이다.
증착이나 식각 등과 같은 반도체 제조를 위한 각종 공정은, 외부와 격리된 챔버 내에 웨이퍼를 배치한 후에 각 공정에 적합한 공정가스를 샤워헤드를 통하여 웨이퍼로 분사함으로써 이루어진다.
일반적으로, 종래의 웨이퍼 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련되어 반응가스를 분사시키는 샤워헤드와, 상기 챔버 내의 하부에 마련되어 기판을 안착시키는 히터블럭과, 배기수단으로 구성되어 있다. 또, 상기 챔버의 일측벽 또는 양측벽에는 기판출입구가 형성되어, 상기 기판출입구를 통하여 기판이 이송수단에 의해 반입 및 반출된다.
여기서, 상기 웨이퍼 처리 장치에 기판을 삽입하기 전에 상기 샤워헤드가 상기 히트블럭 방향으로 하강하며 미리 설정된 거리를 갖는 위치로 배치되게 된다. 그러나, 상기 샤워헤드가 상기 히트블럭 방향으로 이동하는 과정에서 수평이 맞지 않거나 틀어지는 경우에 공차가 발생되어 재작업 및 이에 따른 공정상의 비용이 발생될 수 있으므로 상기 샤워헤드의 수평도와 정확한 위치로의 이동이 가능하게 할 수 있는 기술이 요구된다.
본 발명은 상기한 기술적 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 처리를 위한 샤워헤드의 챔버 내 이동에 따른 거리값에 대한 공차를 인덕턴스 방식이 적용된 복수의 센서부를 구성하여 미리 측정하여 보정하도록 함으로써, 웨이퍼 처리 과정에서 발생될 수 있는 재작업에 따른 공정상의 비용 발생을 근본적으로 방지할 수 있는 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일실시예는, 웨이퍼 처리를 위한 내부 공간이 형성된 챔버;
상기 챔버 상에 형성되고, 상기 웨이퍼가 상부에 안착되는 수평 지지대;
상기 웨이퍼에 소스를 공급하는 측정대상물; 및
상기 수평 지지대에 형성되는 인덕턴스(inductance) 방식이 적용된 복수의 변위감지 센서부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는,
상기 측정대상물의 인덕턴스를 발생시키는 센싱부;
상기 센서부를 구동하는 공진 구동부;
상기 측정대상물과 수평 지지대의 거리에 따라 전류를 제어하여 전압을 증폭하는 전압 증폭부;
온도를 측정하여 상기 온도에 따른 신호의 변화를 보상하기 위한 온도 센서부;
상기 거리에 따른 주파수 변화를 측정하는 주파수 측정부;를 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 일실시예에서, 상기 거리에 따른 디지털값을 변환하는 디지털 변화부; 및 외부 서버와 통신하는 무선 통신부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 상기 측정대상물로부터 상기 측정대상물과의 거리 측정값에 기초하여 전류값이 조절되도록 제어될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 웨이퍼 처리 장치는 상기 변위감지 센서부로부터 측정된 신호가 입력되는 제어부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 코일(coil) 타입일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 상기 측정대상물의 동심원을 기준으로 3개가 방사형으로 동일한 각도로 배치될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 상기 측정대상물의 동심원을 기준으로 서로 다른 이격 거리로 배치될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 외부에서 관찰이 불가능하도록 상기 측정대상물에 심재될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부는 고정 주파수값(F)을 갖는 코일 센서일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 수평 지지대의 외주면에는 금속 플레이트가 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 수평 지지대의 하부에는 전자기파 EMI (electromagnetic interference, 전자기파 간섭) 흡수부재가 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 측정대상물은 비금속재일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 수평 지지대는 서셉터일 수 있다.
또, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일실시예는, 측정대상물에 박막을 증착하는 내부 공간이 형성된 챔버;
상기 챔버 상에 형성되고, 상기 측정대상물이 상부에 안착되는 수평 지지대;
상기 측정대상물에 소스를 공급하는 측정대상물; 및
상기 수평 지지대에 형성되는 인덕턴스(inductance) 방식이 적용된 복수의 변위감지 센서부;를 포함하되,
상기 변위감지 센서부는,
상기 측정대상물의 인덕턴스를 발생시키는 센서부;
상기 센서부를 구동하는 공진 구동부;
상기 측정대상물과 측정대상물의 거리에 따라 전류를 제어하여 전압을 증폭하는 전압 증폭부;
온도를 측정하여 상기 온도에 따른 신호의 변화를 보상하기 위한 온도 센서부;
상기 거리에 따른 주파수 변화를 측정하는 주파수 측정부;
상기 거리에 따른 디지털값을 변환하는 디지털 변환부; 및
외부 서버와 통신하는 무선 통신부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 온도 센서부는 상기 디지털 변환부에 측정 신호를 직접 전송할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 웨이퍼 처리 장치를 이용한 처리방법을 제공하는 바, 수평 지지대 상에 안착되는 웨이퍼가 인입 및 인출되는 내부 처리 공간에서 측정대상물에 의한 처리가 이루어지는 웨이퍼 처리 방법으로써,
(1) 상기 내부 처리 공간인 챔버 상에 상기 측정대상물이 상기 수평 지지대 측으로 하강하는 단계;
(2) 상기 수평 지지대에 심재되며 인덕턴스(inductance) 방식이 적용된 복수의 변위감지 센서부에 의하여 상기 수평 지지대로부터 상기 측정대상물과의 거리 측정값이 측정되는 단계; 및
(3) 상기 거리 측정값에 따라서 기설정된 고정값으로 상기 변위감지 센서부의 전류값을 조절하는 단계;를 포함
본 발명의 일실시예에서, 상기 거리 측정값은 상기 복수의 변위감지 센서부마다 개별적으로 측정될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 변위감지 센서부의 온도 변화에 따른 드리프트(drift)를 반영하여 보정(calibration)되는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 보정은 하기 식(1)에 의하여 계산될 수 있다,
F = 1/(2
)
(F: 주파수, L: 인덕턴스, C: 캐패시턴스)
본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법은 웨이퍼 처리를 위한 샤워헤드의 챔버 내 이동에 따른 거리값에 대한 공차를 인덕턴스 방식이 적용된 복수의 센서부를 구성하여 미리 측정하여 보정하도록 함으로써, 웨이퍼 처리 과정에서 발생될 수 있는 재작업에 따른 작업비용 발생을 근본적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 수평 지지대의 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 개략적인 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서의 구성도이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 개략적인 사용 상태도이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 주파수 변화를 나타내는 그래프이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 전압 증폭 예를 나타내는 그래프들이고,
도 7 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 개략적인 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서의 구성도이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 개략적인 사용 상태도이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 주파수 변화를 나타내는 그래프이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 전압 증폭 예를 나타내는 그래프들이고,
도 7 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 흐름도이다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법의 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 도는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1에는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 하부 지지대의 평면도가 도시되어 있고, 도 2에는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 개략적인 단면도가 도시되어 있고, 도 3에는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성도가 도시되어 있으며, 도 4에는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 개략적인 사용 상태도가 모식적으로 도시되어 있다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치(300)는 챔버(C) 내에서 승하강하는 샤워헤드(50) 및 3개의 변위감지 센서(120, 130, 140)가 구비된 수평 지지대(100)를 포함할 수 있다.
챔버(C)는 공정 대상인 상기 웨이퍼에 대한 밀폐 공간으로 형성되고, 챔버(C)의 상부에는 상하 방향으로 승강이 가능하게 샤워헤드(50)가 배치될 수 있다. 챔버(C)의 하부에는 샤워헤드(50)에 대응하여 상기 웨이퍼가 안착되는 수평 지지대(100)가 형성될 수 있다.
수평 지지대(100)는 원형의 판재로 형성될 수 있고, 제1 변위감지 센서(110), 제2 변위감지 센서(120) 및 제3 변위감지 센서(130)가 수평 지지대(100)의 내부에 심재될 수 있다. 따라서, 외부 오염에 의한 변형을 방지할 수 있다. 또, 수평 지지대(100)는 제1 변위감지 센서(110), 제2 변위감지 센서(120) 및 제3 변위감지 센서(130)가 심재된 제1 영역과 상기 제1 영역의 외주면을 감싸는 금속 플레이트(150)가 형성될 수 있다. 금속 플레이트(150)는 외부 충격이나 회전력 등에 의한 외력에 의하여 변형되지 않도록 보호할 수 있다.
수평 지지대(100)의 하면에는, 본 발명의 도면에는 도시되어 있지 않지만, EMI(electromagnetic interference) 흡수체가 부착될 수 있다. 상기 EMI 흡수부재는 수평 지지대(100)에 심재되어 있는 제1 변위감지 센서(110), 제2 변위감지 센서(120) 및 제3 변위감지 센서(130)의 하부 측으로부터 발생될 수 있는 노이즈를 방지할 수 있다.
수평 지지대(100)에는 제1 변위감지 센서(110), 제2 변위감지 센서(120) 및 제3 변위감지 센서(130)가 형성될 수 있다. 제1 변위감지 센서(110), 제2 변위감지 센서(120) 및 제3 변위감지 센서(130)는 코일(coil) 센서로 형성될 수 있따. 이들은 수평 지지대(100)의 회전 중심을 기준으로 방사형으로 배치되되, 수평 지지대(100)의 동심원을 기준으로 동일한 각도를 갖는 위치에 배치될 수 있다. 본 발명에 따르면, 변위감지 센서(120, 130, 140)는 3개가 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 수평 지지대(100)의 중심부로부터 소정의 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다.
전술한 변위감지 센서(120, 130, 140) 중 제1 변위감지 센서(110)를 예로 하여 설명하면, 제 1 변위감지 센서(110)는 각각 샤워헤드(50)의 인덕턴스(inductance)를 발생시키는 인덕턴스 센서(111), 인덕턴스 센서(111)를 구동시키는 공진 구동부(112), 샤워헤드(50) 수평 지지대의 거리에 따라 전류를 제어하여 전압을 증폭하는 전압 증폭부(113), 상기 거리에 따른 주파수 변화를 측정하는 주파수 측정부(114), 상기 거리에 따른 디지털값을 변환하는 디지털 변화부(115), 외부 서버(미도시)와 통신하는 무선 통신부(116) 및 온도를 측정하여 상기 온도에 따른 신호의 변화를 보상하기 위한 온도 센서부(117)를 포함할 수 있다. 여기서, 변위감지 센서(120, 130, 140)는 제어부(200)에 의하여 제어가 가능할 수 있다.
따라서, 3개의 변위감지 센서(120, 130, 140)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 샤워헤드(50)가 정 위치되는 경우에 주파수를 발생시켜 상기 주파수에 따른 거리값을 각각 측정할 수 있다.
이하에서는 전술한 변위감지 센서를 포함하는 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치(300)의 구체적인 작동과정에 대해서 설명한다.
도 5에는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 주파수 변화를 나타내는 그래프가 도시되어 있고, 도 6에는 본 발명의 일실시예에 따른 변위감지 센서부의 거리 측정에 따른 전압 증폭 예를 나타내는 그래프들이 도시되어 있으며, 도 7 내지 도 8에는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 흐름도가 모식적으로 도시되어 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치의 제어방법은 샤워헤드 하강 단계(S10), 상기 샤워헤드와의 거리값 측정 단계(S20) 및 상기 거리값에 따라 전류값 및 온도 변화에 따른 옵셋 조절 단계(S30)포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어방법은 웨이퍼 처리 장치(300)의 챔버(C) 내에서 샤워헤드(50)가 하강하는 단계(S100), 수평 지지대(100)에 심재 되어 있는 변위감지 센서(110, 120, 130)에 의한 거리 측정단계(S110), 측정된 상기 거리의 기설정값에 대한 상기 측정된 거리값을 비교하여 공차발생 여부를 판단하는 단계(S120), 온도 센서부(117)에서 측정된 온도 변화 유무를 측정 및 보정(Calibration)하는 단계(S130) 및 웨이퍼(S) 로딩 단계(S150)을 포함할 수 있다.
먼저, 웨이퍼 처리 장치(300)의 챔버(C) 내에서 상측에 위치한 샤워헤드(50)가 기설정된 위치인 수평 지지대(100) 방향으로 하강할 수 있다(S100).
수평 지지대(100)의 내측에 심재되어 있는 3개의 변위감지 센서(120, 130, 140)는 대면하는 샤워헤드(50)의 3개의 지점(point)에 대한 각각의 거리값을 측정할 수 있다(S110). 이 때, 제 1 변위감지 센서(110)의 인덕턴스 센서(111)로부터 소정의 수치값을 갖는 인덕턴스(inductance)가 발생될 수 있다. 이어서 공진 구동부(112)는 공진 회로를 구성하여 소정의 파장을 갖는 주파수를 발생시킬 수 있고, 주파수 측정부(114)는 상기 거리에 따라 상기 주파수의 변화를 측정할 수 있다. 상기 주파수의 크기는, 도 5에 도시된 바와 같이, 거리에 반비례하여 변화될 수 있다.
주파수 측정부(114)에서 측정되는 상기 주파수는 샤워헤드(50)의 상기 3개의 지점의 거리값이 다르게 측정되는 경우에 다른 크기의 파장을 나타낼 수 있다. 이를 통하여 변위감지 센서부(110, 120, 130)로부터 샤워헤드(50)까지의 거리값, 즉 샤워헤드(50)의 수평도를 측정할 수 있다.
만약, 상기 주파수 파장의 피크(peak)에 해당하는 전압이, 도 6에 도시된 바와 같이, 고정전압 크기 보다 낮게 측정되는 경우에는 전류를 제어하여 상기 전압을 증폭시키고 고정전압 크기 보다 높에 측정되는 경우에는 상기 전압을 감소시키고 측정 전압 라인으로 측정하여 정밀한 계측을 수행할 수 있다(S120).
즉, 3개의 변위감지 센서부(110, 120, 130)의 각각에서 측정되는 샤워헤드(50)까지의 3개의 지점에 따른 거리가 다르게 측정되는 경우에 상기 주파수가 다르게 측정될 수 있다. 따라서, 상기 주파수 측정 결과값에 따라, 제어부(200)를 통하여 변위감지 센서부(110, 120, 130)의 전류를 제어하여 상기 전압을 조절할 수 있다.
한편, 추가적으로 변위감지 센서부(110, 120, 130)의 온도 센서부(117)에서 측정되는 신호의 미세한 드리프트(drift) 변화를 보상하기 위하여 오프셋(offset)을 조절하는 과정이 수행될 수 있다(S140).
최종적으로, 전술한 공차에 대한 보정이 수행된 후에 상기 웨이퍼의 에칭, 증착 등의 처리를 위하여 웨이퍼(50)가 수평 지지대(100)에 로딩되는 과정이 수행됨으로써, 상기 웨이퍼의 처리 과정이 진행될 수 있다(S150).
이상, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법에 대한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시예가 반드시 상술한 일 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 다양한 변형 및 균등한 범위에서의 실시가 가능함은 당연하다고 할 것이다. 그러므로, 본 발명의 진정한 권리범위는 후술하는 청구범위에 의하여 정해진다고 할 것이다.
10: PCB 센서 50: 샤워헤드
100: 수평 지지대 110: 제 1 센서부
111: 인덕턴스 센서 112: 공진 구동부
113: 자동 전압 증폭부 114: 무선 통신부
115: 디지털 변환부 116: 주파수 측정부
117: 온도 센서부 120: 제 2 센서부
130: 제 3 센서부 200: 제어부
300: 웨이퍼 처리 장치
100: 수평 지지대 110: 제 1 센서부
111: 인덕턴스 센서 112: 공진 구동부
113: 자동 전압 증폭부 114: 무선 통신부
115: 디지털 변환부 116: 주파수 측정부
117: 온도 센서부 120: 제 2 센서부
130: 제 3 센서부 200: 제어부
300: 웨이퍼 처리 장치
Claims (20)
- 웨이퍼 처리를 위한 내부 공간이 형성된 챔버;
상기 챔버 상에 형성되고, 상기 웨이퍼가 상부에 안착되는 수평 지지대;
상기 웨이퍼에 소스를 공급하는 측정대상물; 및
상기 수평 지지대에 형성되는 인덕턴스(inductance) 방식이 적용된 복수의 변위감지 센서부;를 포함하고,
상기 변위감지 센서부는,
상기 측정대상물의 인덕턴스를 발생시키는 센싱부;
상기 센서부를 구동하는 공진 구동부;
상기 측정대상물과 수평 지지대의 거리에 따라 전류를 제어하여 전압을 증폭하는 전압 증폭부;
온도를 측정하여 상기 온도에 따른 신호의 변화를 보상하기 위한 온도 센서부;
상기 거리에 따른 주파수 변화를 측정하는 주파수 측정부;를 포함하되, 상기 수평 지지대로부터 상기 측정대상물과의 거리 측정값에 기초하여 전류값이 조절되도록 제어되는 웨이퍼 처리 장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 거리에 따른 디지털값을 변환하는 디지털 변환부; 및
외부 서버와 통신하는 무선 통신부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 처리 장치는 상기 변위감지 센서부로부터 측정된 신호가 입력되는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부는 코일(coil) 타입인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부는 상기 측정대상물의 동심원을 기준으로 3개가 방사형으로 동일한 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부는 상기 측정대상물의 동심원을 기준으로 서로 다른 이격 거리로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부는 외부에서 관찰이 불가능하도록 상기 측정대상물에 심재되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부는 고정 주파수값(F)을 갖는 코일 센서인 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 수평 지지대의 외주면에는 금속 플레이트가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 수평 지지대의 하부에는 전자기파 EMI (electromagnetic interference, 전자기파 간섭) 흡수부재가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 측정대상물은 비금속재인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 수평 지지대는 서셉터인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 삭제
- 제 3 항에 있어서,
상기 온도 센서부는 상기 디지털 변환부에 측정 신호를 직접 전송하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. - 수평 지지대 상에 안착되는 웨이퍼가 인입 및 인출되는 내부 처리 공간에서 측정대상물에 의한 처리가 이루어지는 웨이퍼 처리 방법으로써,
(1) 상기 내부 처리 공간인 챔버 상에 상기 측정대상물이 상기 수평 지지대 측으로 하강하는 단계;
(2) 상기 수평 지지대에 심재되며 인덕턴스(inductance) 방식이 적용되고,
상기 측정대상물의 인덕턴스를 발생시키는 센싱부, 센서부를 구동하는 공진 구동부, 상기 측정대상물과 수평 지지대의 거리에 따라 전류를 제어하여 전압을 증폭하는 전압 증폭부, 온도를 측정하여 상기 온도에 따른 신호의 변화를 보상하기 위한 온도 센서부, 상기 거리에 따른 주파수 변화를 측정하는 주파수 측정부를 포함하되 기 측정대상물로부터 상기 측정대상물과의 거리 측정값에 기초하여 전류값이 조절되도록 제어되는 복수의 변위감지 센서부에 의하여 상기 수평 지지대로부터 상기 측정대상물과의 거리 측정값이 측정되는 단계; 및
(3) 상기 거리 측정값에 따라서 기설정된 고정값으로 상기 변위감지 센서부의 전류값을 조절하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 처리 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 거리 측정값은 상기 복수의 변위감지 센서부마다 개별적으로 측정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 변위감지 센서부의 온도 변화에 따른 드리프트(drift)를 반영하여 보정(calibration)되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 보정은 하기 식(1)에 의하여 계산되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
F = 1/(2)
(F: 주파수, L: 인덕턴스, C: 캐패시턴스)
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2020
- 2020-03-31 KR KR1020200039339A patent/KR102444121B1/ko active Active
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- 2021-03-19 WO PCT/KR2021/003458 patent/WO2021201478A1/ko active Application Filing
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