[go: up one dir, main page]

KR102406913B1 - 발광 모듈 - Google Patents

발광 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR102406913B1
KR102406913B1 KR1020170038322A KR20170038322A KR102406913B1 KR 102406913 B1 KR102406913 B1 KR 102406913B1 KR 1020170038322 A KR1020170038322 A KR 1020170038322A KR 20170038322 A KR20170038322 A KR 20170038322A KR 102406913 B1 KR102406913 B1 KR 102406913B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diode
wavelength conversion
conversion layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170038322A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180109162A (ko
Inventor
이종민
김방현
이재호
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020170038322A priority Critical patent/KR102406913B1/ko
Priority to US16/498,818 priority patent/US11171264B2/en
Priority to PCT/KR2018/003175 priority patent/WO2018182215A1/ko
Priority to CN201911238325.2A priority patent/CN111048493B/zh
Priority to CN201880005589.0A priority patent/CN110168722B/zh
Publication of KR20180109162A publication Critical patent/KR20180109162A/ko
Priority to US17/504,541 priority patent/US11688836B2/en
Priority to KR1020220067857A priority patent/KR102587740B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102406913B1 publication Critical patent/KR102406913B1/ko
Priority to US18/201,743 priority patent/US20230299243A1/en
Priority to US18/358,435 priority patent/US12237448B2/en
Priority to KR1020230132399A priority patent/KR102808657B1/ko
Priority to US19/021,400 priority patent/US20250160070A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H01L33/36—
    • H01L33/50—
    • H01L33/58—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 모듈이 제공된다. 상기 발광 모듈은 베이스 기판; 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 베이스 기판상에 위치하되, 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 제2 발광 영역은 제1 발광 영역으로부터 이격되어 제1 발광 영역을 둘러싼다.

Description

발광 모듈{LIGHT EMITTING MODULE}
본 발명은 발광 모듈에 관한 것으로, 구체적으로 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 발광 모듈은, 단일 LED 칩 상에 단일 파장변환층이 형성되는 발광부와, 상기 발광부 상에 렌즈가 배치되는 구조를 갖는다. 이러한 종래 기술에 따른 발광 모듈은 지향각 및 색온도(color temperature, CCT)조절이 어렵다.
또한 종래 기술에 따른 발광 모듈은 출사되는 광의 지향각이 광각 또는 협각과 같이 단일하게 구현되므로, 단일의 발광 모듈을 통해 넓은 지향각 및 좁은 지향각을 동시에 지원하는 것이 어렵다.
이 때문에, 광각 카메라와 협각 카메라를 포함하는 모바일 디바이스 등에서 단일의 카메라 플래시를 이용하여 광각 및 협각 카메라를 위한 조명을 동시에 제공하지 못한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 출사되는 광의 지향각을 조절할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상대적으로 넓은 지향각 및 상대적으로 좁은 지향각을 갖는 광을 모두 출사할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 색온도(color temperature)를 조절할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싸는 발광 모듈이 제공된다.
발광 모듈은 서로 이격되어 위치하는 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함하고, 제1 및 제2 발광 다이오드가 각각 독립적으로 구동 가능한 제1 발광 영역 및 제1 발광 영역을 둘러싸는 구조의 제2 발광 영역을 포함하는 것에 따라 출사되는 광의 지향각을 제어할 수 있다. 또한, 발광 모듈은 제1 및 제2 발광 다이오드를 통해 서로 다른 지향각을 갖는 광을 출사 할 수 있으며, 그 지향각의 제어가 가능하다. 또한, 각 발광 다이오드가 파장 변환층을 더 포함할 수 있고, 그에 따라 발광 모듈은 출사되는 광의 색온도를 제어할 수 있다.
도 1a는 일 실시예에 따른 발광 모듈의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 2a는 도 1에 포함된 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 절취선 B-B'를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 발광 모듈에서 출사되는 광의 지향각을 나타내는 하나의 예시이다.
도 4는 본 발명의 발광 모듈(1000)을 포함하는 디바이스의 일 예를 나타난다.
도 5a는 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이고, 도 5b는 도 6a의 절취선 C-C'를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 모듈의 제조 방법을 나타낸다.
아래 소개되는 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본원 발명에 따른 발광 모듈은 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싼다.
이때, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 즉, 상기 베이스 기판은 전극 패턴을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 각각 상기 전극 패턴에 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
제1 및 제2 발광 다이오드가 포함하는 제1 및 제2 발광 영역 각각은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 여기서 제1 및 제2 발광 영역 또한 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 발광 영역이 동일한 중심을 공유하는 구조를 갖고 그에 따라, 제1 및 제2 발광 다이오드는 지향각의 가변(제어)이 가능하다.
즉, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 지향각을 제어할 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각과 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각은 서로 다르거나 또는 서로 동일하게 제어될 수 있다.
또한 상기 발광 모듈에서, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역을 덮는 파장 변환층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 파장변환층은 상기 제1 및 제2 발광 영역에서 동일한 형광체를 포함하할 수 있고 또는 상기 파장 변환층은 상기 제1 발광 영역에 대응되며 제1 형광체를 포함하는 제1 파장변환층; 및 상기 제2 발광 영역에 대응되며 제2 형광체를 포함하는 제2 파장변환층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 파장변환층은 상기 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층 사이에 위치하는 장벽층을 더 포함할 수 있다. 장벽층은 광의 확산을 촉진 시킬 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도를 제어할 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도 및 지향각을 동시에 제어할 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
또한, 상기 발광 모듈은 상기 제2 발광 영역의 측면을 덮는 측면 반사층을 더 포함할 수 있다. 즉, 측면 반사층은 제1 및 제2 발광 다이오드가 포함하는 제2 발광 영역을 측면을 덮고 그에 따라 측면으로 출사되는 광을 차단할 수 있다. 즉, 측면 반사층은 출사되는 광의 지향각을 특정 범위 내로 제한할 수 있다.
또한 상기 발광 모듈은 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 상에 위치하는 렌즈를 더 포함할 수 있고, 여기서 상기 렌즈는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 이때 두 개의 초점은 각각 제1 및 제2 발광 다이오드의 광축에 대응될 수 있다.
또한 상기 발광 모듈은 상기 베이스 기판 상에 위치하되, 캐비티를 포함하는 하우징을 더 포함할 수 있고, 이때 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 상기 캐비티 내에 위치할 수 있다. 하우징은 제1 및 제2 발광 다이오드를 보호할 수 있고, 렌즈를 고정하는 역할을 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 발명의 실시예에 따른 발광 모듈(1000)을 나타낸다. 구체적으로 도 1a는 발광 모듈(1000)의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 모듈(1000)은 베이스 기판 (100), 제1 발광 다이오드(200a), 제2 발광 다이오드(200b), 하우징(300) 및 렌즈(400)를 포함할 수 있다.
먼저, 베이스 기판 (100)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 절연 기판은 세라믹 기판일 수 있으며, 예를 들어 AlN 기판을 포함할 수 있다. AlN 기판은 고온 내구성이 좋고 방열 특성이 우수하다. 도 3에 도시되지 않았지만, 베이스 기판 (100)은 전극 패턴을 포함할 수 있다.
제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 상기 베이스 기판 (100)상에 위치할 수 있다. 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 서로 일정 거리 이격될 수 있고, 각각 베이스 기판 (100)이 포함하는 전극 패턴에 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
도 2를 참조하여 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 상세히 설명한다. 도 2는 도 1의 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 설명하기 위한 것으로, 도 2a는 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 절취선 B-B'를 따라 취해진 단면도이다. 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 동일한 구성 및 구조를 가질 수 있다. 따라서, 이하 도 2를 통해 설명되는 발광 다이오드의 구성 및 구조는 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 모두 적용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(10), 상기 기판(10)상에 위치하는 발광 구조물(20), 상기 발광 구조물(20)을 덮는 파장변환층(30)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드는 상기 발광 구조물(20)의 측면을 감싸는 측면 반사층(40) 및 상기 파장변환층(30)의 상면을 덮는 광확산층(50)을 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기에 적합한 기판이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다. 또한, 기판(10)은 광이 투과될 수 있는 투명기판일 수 있으며, 그 상면에 요철 패턴을 가질 수 있다.
발광 구조물(20)은 도 2에서는 구체적으로 도시되지 않았지만, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층은 기판(10)상에서 순차적으로 적층될 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 n형 불순물, 예컨대 Si이 도핑된 질화갈륨계 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층은 p형 불순물, 예컨대 Mg이 도핑된 질화갈륨계 반도체층일 수 있고, 또는 그 반대에 해당할 수 있다. 활성층은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조를 가질 수 있다. 활성층 내에서 우물층의 조성 및 두께는 생성되는 광의 파장을 결정한다. 특히, 우물층의 조성을 조절함으로써 자외선, 청색광 또는 녹색광을 생성하는 활성층을 제공할 수 있다.
발광 구조물(20)은 복수의 발광 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)을 포함할 수 있다. 제2 발광 영역(23)은 제1 발광 영역(21)과 이격되어 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다. 각 발광 영역은 발광셀로 지칭될 수 있다. 비록 도 2에는 두 개의 발광 영역만이 개시되어 있지만, 발광 구조물(20)은 중심을 공유하는 복수 3개 이상의 발광 영역을 포함할 수 있다.
제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 분리홈(22)을 통해 정의될 수 있다. 제2 발광 영역(23)은 제1 발광 영역(21)과 분리홈(22)에 의해 이격되어 위치할 수 있다. 분리홈(22)은 발광 구조물(20)의 상면 즉, 제2 도전형 반도체층, 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출 시킬 수 있다. 또는 분리홈(22)은 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 통해 기판(10)의 일부를 노출 시킬 수 있다.
분리홈(22)은 발광 구조물(20) 상면의 내부 영역에서 원형 또는 사각형의 폐 루프(closed loop) 구조를 가질 수 있다. 폐 루프 구조의 분리홈(22)을 기준으로 그 내측에 제1 발광 영역(21)이 위치할 수 있고, 그 외측에 제2 발광 영역(23)이 위치할 수 있다.
또는 다른 실시예에 따라 제2 발광 영역(23)이 발광 구조물(20)의 식각을 통해 형성되고, 제1 발광 영역(21)이 외부에서 별도로 형성되어 제2 발광 영역(23)과 결합되거나 또는 그 반대일 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(21)이 결합되기 위한 영역을 정의하기 위해, 폐루프 구조의 분리홈(22) 내측 영역이 식각 공정을 통해 제거될 수 있고, 식각 공정을 통해 제거된 내부 영역에 제1 발광 영역(21)이 결합되어 복수의 발광 영역을 포함하는 발광 구조물(20)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)은 동일한 높이로 형성될 수 있다.
또는 반대로 제1 발광 영역(21)이 발광 구조물(20)의 식각을 통해 형성되고 외부에서 별도로 형성된 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)과 결합될 수 있다.
이와 같은 제조 방법을 통해 형성된 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)에서 동일하거나 서로 다른 파장대의 광을 방출할 수 있다. 즉, 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)이 포함하는 활성층은 서로 다른 조성을 가질 수 있고, 그에 따라 방출되는 광의 파장이 서로 다를 수 있다.
제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 분리홈(22)의 형상에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어 분리홈(22) 폐루프 구조의 사각형 형상을 갖는 경우, 그 내측에 위치하는 제1 발광 영역(21)은 사각형 형상을 갖게되고 제2 발광 영역(23)은 분리홈(22)을 경계로 제1 발광 영역을 둘러싸게 된다.
도 2를 참조하면, 제1 발광 영역(21)은 발광 구조물(20)의 중앙에 위치할 수 있다. 제1 발광 영역(21)의 외주부를 따라 분리홈(22)이 위치하고, 상기 분리홈(22)을 경계로 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)과 이격되어 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다. 또한 분리홈(22)에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다. 절연층은 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)의 의도하지 않은 전기적 연결을 차단할 수 있다. 상기 절연층에 의해 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적이 동작하는 발광 다이오드의 신뢰성이 향상될 수 있다.
발광 구조물(20)이 포함하는 각 발광 영역, 즉 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 독립적으로 동작 할 수 있다. 즉, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 서로 동일하거나 다른 전류 및/또는 전압의 크기를 공급 받아 서로 동일하거나 다른 파워를 출력할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역(21)에 제2 발광 영역(23)보다 큰 전압 및/또는 전류가 공급되는 경우, 발광 구조물(20)의 중앙에 위치하는 제1 발광 영역(21)의 파워가 제2 발광 영역(23)의 파워보다 더 크게 되고, 이에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 광의 지향각이 비교적 좁게 형성될 수 있다.
다른 예로, 제2 발광 영역(23)에 제1 발광 영역(21)보다 큰 전압 및/또는 전류가 공급되는 경우, 발광 구조물(20)의 외각에 위치하는 제2 발광 영역(23)의 파워가 제1 발광 영역(21)의 파워보다 크게 되고, 이에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 광의 지향각이 비교적 넓게 형성될 수 있다.
즉, 본원 발명에 따른 발광 다이오드는 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조에 기인하여, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)에 공급되는 전압 및/또는 전류의 크기를 조정하는 것에 따라 방출되는 광의 지향각이 가변될 수 있다.
위와 같이, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적으로 동작하기 위해, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)이 포함하는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극쌍을 포함할 수 있고, 또한 제2 발광 영역(23)이 포함하는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극쌍을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 발광 영역(21)은 제1 전극쌍을 통해 외부로부터 전압 및/또는 전류를 공급 받아 제2 발광 영역(23)과 독립적으로 동작할 수 있고, 또한 제2 발광 영역(23)은 제2 전극쌍을 통해 외부로부터 다른 전압 및/또는 전류를 공급 받아 제1 발광 영역(21)과 독립적으로 동작할 수 있다.
또는 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적으로 동작하기 위해, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)에 모두에 전기적으로 연결되는 공통 전극을 포함할 수 있다.
예를 들어, 공통 전극은 제1 발광 영역(21)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 제2 발광 영역(23)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)에 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 발광 영역(23)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
다른 예로, 공통 전극은 제1 발광 영역(21)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 제2 발광 영역(23)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)에 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 발광 다이오드(200b)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
파장변환층(30)은 발광 구조물(20)의 상면을 덮는다. 여기서, 발광 구조물(20)의 상면은 광의 주 출사면을 의미한다. 도 2b를 참조하면, 기판(10)은 발광 구조물(20)의 광의 주 출사면, 즉 상면에 위치한다. 이 경우, 기판(10)은 투명 기판일 수 있고, 파장변환층(30)은 기판(10)을 덮을 수 있다. 다만, 다른 실시예에 따라 기판(10)은 발광 구조물(20) 하부에 위치하고, 이 경우 발광 구조물(20)의 광의 주 출사면은 기판(10)이 형성된 반대 면이 될 수 있다. 또한 파장변환층(30)은 발광 구조물(20) 상에 위치할 수 있다.
파장변환층(30)은 형광체(미도시)를 포함하고, 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 파장변환층(30)은 형광체가 외부에 노출되어 변형 및/또는 변색되는 것을 방지하기 위해, 일정 크기 이상의 두께를 갖는다.
측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 제2 발광 영역(23)의 측면을 덮을 수 있다. 또한, 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 상면을 덮는 파장변환층(30)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면으로 방사되는 광을 반사시켜, 발광 구조물(20)의 상면으로 향하게 할 수 있다. 측면 반사층(40)에 의해 발광 다이오드에서 방사되는 광의 지향각이 제한될 수 있다.
측면 반사층(40)은 수지 재질의 화이트 월을 포함할 수 있다. 측면 반사층(40)이 수지 재질의 화이트 월을 포함하는 경우, 발광 구조물(20)의 측면으로 향하는 광의 차단 또는 반사에 대한 신뢰성을 높이기 위해 측면 반사층(40)은 일정 크기 이상의 두께를 가질 수 있다. 이는 측면 반사층(40)의 두께가 작은 경우, 광의 일부가 수지 재질의 측면 반사층(40)을 투과할 수 있기 때문이다. 예를 들어, 측면 반사층(40)은 50㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.
또는, 측면 반사층(40)은 광 반사율이 높은 Ag 또는 Al의 금속 반사층을 포함할 수 있다. 금속 반사층을 포함하는 측면 반사층(40)은 수 마이크로미터 이하의 두께에서도 광을 차단 및 반사할 수 있다. 예를 들어, 측면 반사층(40)은 5㎛ 이하, 구체적으로 1~2㎛의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 금속 반사층을 포함하는 측면 반사층(40)은 수지로 구성되는 화이트 월과는 달리 금속 재질로 구성되기 때문에 크랙의 위험성이 낮은 이점이 있다.
광확산층(50)은 발광 구조물(20) 상에 위치하는 파장변환층(30)의 상면을 덮을 수 있다. 또한 광확산층(50)은 수평 방향으로 더 연장되어 측면 반사층(40)의 상면까지 덮을 수 있다. 광확산층(50)은 발광 다이오드에서 출사되는 광의 확산을 도울 수 있으며, 그 농도를 제어하여 광의 확산 정도를 결정할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 하우징(300)은 발광 다이오드들(200a, 200b)이 실장되는 영역을 정의하기 위한 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 발광 모듈(1000)의 중앙에 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 측벽으로 둘러싸인다. 측벽은 베이스 기판(100)을 기준으로 수직하게 형성될 수 있다. 또는 측벽은 발광 다이오드들(200a, 200b)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 캐비티(C)는 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 특히 원형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 130도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 다만, 캐비티(C)의 형상은 원형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
렌즈(400)는 상기 발광 다이오드들(200a, 200b) 상에 위치할 수 있다. 렌즈(400)는 상기 하우징(300)에 고정되어 상기 발광 다이오드들 상에 위치할 수 있다. 렌즈(400)는 프레즈넬 렌즈(Fresnel Lens)를 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면 렌즈(400)는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 앞서 언급된 것처럼 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 각각은 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 갖는다. 즉, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 중심이 동일하므로, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b) 각각은 하나의 초점을 통해 광을 모을 수 있다. 그에 따라 발광 모듈(1000)은 두 개의 초점을 포함하는 렌즈(400)를 통해 구현될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 렌즈(400)가 포함하는 두 개의 초점이, 각각 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)에 대응될 수 있다. 상기 두 개의 초점은 각각 제1 발광 다이오드(200a)의 광축(L1) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 광축(L2)과 대응되도록 위치할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 베이스 기판(100) 상에 서로 이격되어 배치되되, 지향각의 제어가 가능한 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)를 포함한다. 여기서, 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)에서 출사되는 광의 지향각은 서로 동일하거나 다르게 제어될 수 있다.
도 3은 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 지향각을 나타내는 하나의 예시이다. 도 3을 참조하면, 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00001
)은 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00002
)에 비해 비교적 좁을 수 있다. 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00003
)은 전극을 통해 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비율을 제2 발광 영역(23)에 인가되는 것에 비해 높게 하여 좁게 형성될 수 있다. 이때, 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비율이 높은 수록 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00004
)은 좁아 질 수 있다.
반대로 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00005
)은 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00006
)에 비해 비교적 넓을 수 있다. 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00007
)은 전극을 통해 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비율을 제1 발광 영역(21)에 인가되는 것에 비해 높게 하여 넓게 형성될 수 있다. 이때, 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원이 비율이 높을수록 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00008
)은 넓어질 수 있다.
다만, 도 3에 개시된 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00009
,
Figure 112017029788354-pat00010
)은 단지 설명을 위해 제시된 일 예이며, 실시예의 제한으로 이해되어서는 안 된다. 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00011
) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00012
)은 동일할 수 있고, 또는 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00013
)이 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00014
) 보다 넓을 수 있다.
제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00015
,
Figure 112017029788354-pat00016
)이 서로 다른 경우, 베이스 기판(100)을 통해 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 인가되는 전원의 비를 서로 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 출사되는 광의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00017
)이 비교적 넓은 제2 발광 다이오드(200b)에 인가되는 전원을 제1 발광 다이오드보다 높게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 제1 발광 다이오드(200a)의 파장변환층(30)과 제2 발광 다이오드(200b)의 파장변환층(300)이 포함하는 형광체 조합을 달리하여, 서로 다른 색온도(color temperature)의 백색광을 구현할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)의 파장변환층(30)은 제1 발광 다이오드(200a)에서 출사되는 광의 파장을 변화시켜 결과적으로 웜 화이트(warm white) 계열의 광을 구현할 수 있다. 또한 제2 발광 다이오드(200b)의 파장변환층(30)은 제2 발광 다이오드(200b)에서 출사되는 광의 파장을 변화시켜 결과적으로 쿨 화이트(cool white) 계열의 광을 구현할 수 있다. 또는 그 반대의 실시예도 가능하다.
또한, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 파장변환층(30)이 포함하는 형광체 조합이 상이한 경우, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 출력을 조절하여 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 색온도를 조절할 수 있다. 즉, 제1 발광 다이오드(200a)의 웜 화이트 계열의 광과 제2 발광 다이오드(200b)의 쿨 화이트 계열의 광은 서로 혼합될 수 있고, 이 경우 제1 발광 다이오드(200a)의 출력과 제2 발광 다이오드(200b)의 출력을 서로 다르게 하여 궁극적으로 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 색온도를 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)의 출력을 제2 발광 다이오드(200b) 보다 높게 하는 경우, 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광은 웜 화이트 계열에 가까운 색온도를 가질 수 있다. 반대로 제2 발광 다이오드(200b)의 출력을 제1 발광 다이오드(200a) 보다 높게 하는 경우, 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광은 쿨 화이트 계열에 가까운 색온도를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 넓은 지향각 및 좁은 지향각을 동시에 필요로 하는 장치에 이용될 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 서로 다른 색온도를 갖는 광을 필요로 하는 장치에 이용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 발광 모듈(1000)을 포함하는 디바이스의 일 예를 나타난다. 도 4에 개시된 디바이스는 광각 카메라(2000a), 협각 카메라(2000b) 및 발광 모듈(1000)을 포함하는 모바일 디바이스이다. 이때 발광 모듈(1000)은 앞서 도 1 내지 3에 개시된 발광 모듈(1000)일 수 있고, 광각 카메라(2000a) 및 협각 카메라(2000b)의 플래시로 이용될 수 있다.
즉, 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 발광 다이오드(200a)는 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 좁은 지향각(
Figure 112017029788354-pat00018
)의 광을 출사할 수 있다. 이에 따라 제1 발광 다이오드(200a)는 협각 카메라(2000a)의 플래시로 이용될 수 있다. 또한 발광 모듈(1000)이 포함하는 제2 발광 다이오드(200b)는 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 넓은 지향각(
Figure 112017029788354-pat00019
)의 광을 출사할 수 있다. 이에 따라 제2 발광 다이오드(200b)는 광각 카메라(2000b)의 플래시로 이용될 수 있다.
또한, 베이스 기판(100)의 전극 패턴을 통해 접속된 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 인가되는 전원의 비를 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 앞서 언급된 것처럼 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00020
)이 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure 112017029788354-pat00021
) 보다 넓은 경우, 제2 발광 다이오드(200b)에 인가되는 전원을 제1 발광 다이오드(200a) 보다 높게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸다. 도 5a는 본 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이고, 도 5b는 도 5a의 절취선 C-C'를 따라 취해진 단면도이다. 도 5에 개시된 발광 다이오드는 도 3에 개시된 발광 다이오드와 대부분의 구성이 동일하며, 다만 파장변환층(30)의 형상 있어서 다소 차이가 존재한다. 도 5의 발광 다이오드는 도 1의 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 일 수 있다. 이하 차이점을 중심으로 설명한다.
도 5를 참조하면, 파장변환층(30)은 발광 구조물(20)이 두 개의 발광 영역을 포함하는 것에 대응하여, 두 개의 영역을 포함할 수 있다. 즉, 파장변환층(30)은 제1 발광 영역(21)에 대응되는 제1 파장변환층(31) 및 제2 발광 영역(23)에 대응되는 제2 파장변환층(33)을 포함할 수 있다. 따라서, 파장변환층(30)은 발광 영역들의 구조와 유사하게, 제1 파장변환층(31)이 중심 부분에 위치하고, 제2 파장변환층(33)이 제1 파장변환층(30)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다.
또한, 파장변환층(30)은 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33) 사이에 위치하는 장벽층(32)을 더 포함할 수 있다. 장벽층(32)은 광의 확산을 촉진시키기 위한 것으로, 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)에서 방사되는 서로 다른 파장의 광의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 장벽층(32)에 의해 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)의 경계에서 색편차나 광변화가 급격하게 발생되는 것을 최소화 할 수 있다. 장벽층(32)은 광 확산을 촉진시키기 위한 목적 범위 내에서 그 재료가 제한되지 않는다. 장벽층(32)은 상기 발광 구조물(20)이 포함하는 분리홈(22) 상에 배치될 수 있다.
파장변환층(30)은 스크린 프린팅 방식 등을 이용하여 하나의 시트로 제작될 수 있다. 예를 들어, 제1 파장변환층(31) 시트가 준비되고, 제2 파장변환층(33)을 위한 영역을 정의 하기 위해 제1 파장변환층(31) 시트의 일부가 제거될 수 있다. 그리고, 제1 파장변환층(31) 시트의 일부가 제거된 영역에 제2 파장변환층(33)이 형성되어, 단일의 파장변환층(30) 시트가 제작될 수 있다.
또는, 그 반대로, 제2 파장변환층(33) 시트가 준비되고, 제1 파장변환층(31)을 위한 영역을 정의 하기 위해 제2 파장변환층(33) 시트의 일부가 제거될 수 있다. 그리고, 제2 파장변환층(33) 시트의 일부가 제거된 영역에 제1 파장변환층(31)이 형성되어, 단일의 파장변환층(30) 시트가 제작될 수 있다.
제1 파장변환층(31)은 제1 형광체를 포함하고, 제2 파장변환층(33)은 제2 형광체를 포함할 수 있고, 제1 형광체와 제2 형광체는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체는 제1 발광 영역(21)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 2700K 내지 3500K의 색온도를 갖는 웜 화이트(warm white) 계열의 백색 광이 구현될 수 있다. 또한 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체는 제2 발광 영역(23)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 5000K 내지 6500K의 색온도를 갖는 쿨 화이트(cool white) 계열의 백색광이 구현될 수 있다.
또한, 그 반대의 실시예도 가능하다. 즉, 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체는 제1 발광 영역(21)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 5000K 내지 6500K의 색온도를 갖는 쿨 화이트 계열의 백색 광이 구현될 수 있다. 또한 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체는 제2 발광 영역(23)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 2700K 내지 3500K의 색온도를 갖는 웜 화이트 계열의 백색광이 구현될 수 있다.
앞서 언급된 것처럼, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 독립적으로 동작할 수 있고, 그에 따라 서로 다른 파워를 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(21)의 광이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 웜 화이트 계열의 광이 구현되고, 제2 발광 영역(23)의 광이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 쿨 화이트 계열의 광이 구현되는 경우(또는 그 반대의 경우), 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)의 입력 전압 및/또는 전류의 값을 조절하여 발광 다이오드에서 구현되는 광의 색온도 또는 상관색온도(correlated color temperature, CCT)를 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역(21)이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 웜 화이트 계열의 광이 구현되고, 제2 발광 영역(23)이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 쿨 화이트 계열의 광이 구현되는 경우, 제1 발광 영역(21)에 대해 외부 전원이 인가되고, 제2 발광 영역(23)에는 외부 전원이 인가되지 않은 경우, 발광 다이오드에서 구현되는 백색광은 2700K 내지 3500K의 색온도를 가질 수 있다.
반대로, 제2 발광 영역(23)에 대해 외부 전원이 인가되고, 제1 발광 영역(21)에 외부 전원이 인가되지 않은 경우 발광 다이오드에서 구현되는 백색광은 5000K 내지 6500K의 색온도를 가질 수 있다. 또는 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23) 모두에 대해 외부 전원이 인가되는 경우, 발광 다이오드에서 구현되는 광은 웜 화이트와 쿨 화이트의 중간 영역에 해당하는 색온도를 가질 수 있다. 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조에 기인하여, 두 광의 색 혼합이 효율적을 이루어 질 수 있다.
광확산층(50)은 색온도가 상이한 광을 혼합할 수 있다. 예를 들어, 광확산층(50)은 제1 발광 영역(21)이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 구현되는 웜 화이트 계열의 광과 제2 발광 영역(23)이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 구현되는 쿨 화이트 계열의 광을 혼합할 수 있다. 여기서, 광확산층(50)의 농도에 따라 색 혼합의 정도가 조절될 수 있다. 즉, 광확산층(50)의 농도가 짙은 경우 웜 화이트 계열의 광과 쿨 화이트 계열의 광의 혼합의 정도가 높고, 반대로 광확산층(50)의 농도가 옅은 경우 웜 화이트 계열의 광과 쿨 화이트 계열의 광의 혼합의 정도가 낮을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)를 포함하며, 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 도 5에 개시된 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
이에 따라 발광 모듈(1000)은 앞서 언급된 도 1의 발광 모듈(1000)과 동일하게 좁은 지향각 및 넓은 지향각을 동시에 지원할 수 있으며, 또한 목적에 따라 지향각의 제어(변화)가 가능할 수 있다.
또한, 이에 더하여 발광 모듈(1000)은 색온도의 제어가 가능하다. 즉, 앞서 언급된 것처럼 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 각각 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)에 인가되는 전원의 비를 조절하여 색온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(1000)을 제1 발광 다이오드(200a)를 통해 웜 화이트 계열의 광을 구현할 수 있고, 제2 발광 다이오드(200b)를 통해 쿨 화이트 계열의 광을 구현할 수 있다. 또는 그 반대의 실시예도 가능하다.
또한, 발광 모듈(1000)은 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 지향각 및 색온도 제어를 동시에 할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)는 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 지향각을 좁게 할 수 있고, 또한 제1 발광 다이오드(200a)는 좁은 지향각을 갖는 것과 동시에 특정 색온도를 구현해 낼 수 있다. 이때 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체의 종류에 따라 제1 발광 다이오드(200a)에서 구현되는 광의 색온도가 결정될 수 있다.
다른 예로, 제2 발광 다이오드(200b)는 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비를 높게하여 지향각을 넓게 할 수 있고, 또한 제2 발광 다이오드(200b)가 넓은 지향각을 갖는 것과 동시에 특정 색온도를 구현해 낼 수 있다. 이때 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체의 종류에 따라 제2 발광 다이오드(200b)에서 구현되는 광의 색온도가 결정될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 모듈의 제조 방법을 나타낸다. 구체적으로 도 6a 내지 도 6e는 발광 다이오드의 제조 방법과 관련되며, 도 6f 내지 도 6g는 상기 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈의 제조 방법과 관련된다.
본 실시예에서, 발광 모듈이 포함하는 발광 다이오드는 도 5에 개시된 발광 다이오드를 나타낸다. 다만, 발광 모듈이 도 2의 발광 다이오드를 포함하는 경우에도 그 제조 방법은 크게 다르지 않으며, 다만 파장변환층 형성 방법에 있어서 일부 차이가 있을 수 있다.
도 6a를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 발광 구조물(20)이 형성된 두 개의 발광 다이오드 칩이 준비된다. 이들 발광 다이오드 칩들은 동일한 기판(10)을 이용하여 함께 제작될 수 있으며, 또는 서로 다른 기판 상에서 제작될 수도 있다. 발광 구조물(20)은 복수의 발광 영역을 포함할 수 있다. 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21)과 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 제2 발광 영역(23)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)은 기판 상에서 서로 이격되어 위치할 수 있다. 제1 및 제2 발광 영역(21, 23) 사이에 분리홈(22)이 위치할 수 있다. 분리홈(22)은 발광 구조물(20)의 상면 즉, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출 시킬 수 있다. 또는 분리홈(22)은 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 통해 기판(10)의 일부를 노출 시킬 수 있다.
다만, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 도 6의 개시에 한정되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 본 발명의 목적에 따라 제1 및 제2 발광 영역(21,23)이 중심을 공유하는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각의 기판(10)상에 제1 파장변환층(31) 이 형성될 수 있다. 이때, 기판(10)은 투명 기판이며 발광 구조물(20)에서 출사된 광은 기판을 거쳐 외부로 방사된다. 다만, 다른 실시예에 기판(10)이 발광 구조물(20) 하부에 위치하며 제1 파장변환층(31)이 발광 구조물(20) 상에 위치할 수도 있다. 또한 기판(10)은 생략될 수 있다.
제1 파장변환층(31)은 기판(10)을 사이에 두고 발광 구조물(20)의 제1 발광 영역(21) 상에 위치할 수 있다. 제1 파장변환층(31)은 형광체 조합(미도시)을 포함할 수 있으며, 이를 통해 제1 발광 영역(21)에서 출사되는 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 또한 두 발광 다이오드 칩의 제1 파장변환층(31)은 동일하거나 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 제1 파장변환층(31)을 둘러싸는 제2 파장변환층(33)이 형성될 수 있다. 제2 파장변환층(33)은 발광 구조물(20)의 제2 발광 영역(23)에 대응될 수 있다. 제2 파장 변환층(33)은 상기 제1 파장변환층(31)과 서로 동일하거나 또는 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다. 또한 두 발광 다이오드 칩의 제2 파장변환층(33)은 서로 동일하거나 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다.
또한, 제1 파장변환층(31)과 제2 파장변환층(33) 사이에 장벽층(32)이 더 형성될 수 있다. 장벽층(32)은 광의 확산을 촉진시키기 위한 것으로, 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)에서 방사되는 서로 다른 파장의 광의 혼합을 촉진시킬 수 있다.
제1 파장변환층(31)의 형상 및 넓이는 제1 발광 영역(21)의 형상 및 크기와 동일 또는 유사하고, 제2 파장변환층(33)의 형상 및 넓이는 제2 발광 영역(23)의 형상 및 크기와 동일 또는 유사할 수 있다.
파장변환층(30)은 하나의 시트로 제작될 수 있고, 이 파장변환층(30) 시트는 프린팅(printing) 공정을 통해 형성될 수 있다. 파장변환층(30)은 발광 구조물(20) 상에 직접 형성될 수도 있고, 또는 외부에서 제작된 후 발광 구조물(20) 상에 부착될 수도 있다.
다만, 파장변환층(30)이 제1 및 제2 파장변환층(31, 33)에서 동일한 형광체 조합을 포함하는 경우(또한 장벽층을 포함하지 않은 경우), 도 6b 및 도 6c의 공정은 단일 공정으로 통합될 수 있다.
도 6d를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 발광 구조물(20)의 측면을 덮는 측면 반사층(40)이 형성될 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면뿐만 아니라 발광 구조물(20)의 상면을 덮는 파장변환층(30)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 수지 재질의 화이트 월을 포함할 수 있다. 또는 측면 반사층(40)은 반사도가 높은 Al 또는 Ag와 같은 금속 반사층을 포함할 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면으로 방사되는 광을 차단 및 반사시켜 발광 다이오드의 지향각을 제한할 수 있다.
도 6e를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 파장변환층(30)의 상면을 덮는 광확산층(50)이 형성될 수 있다. 광확산층(50)은 파장변환층(30)의 상면뿐만 아니라 수평 방향으로 더 연장되어 측면 반사층(40)의 상면까지 덮도록 형성될 수 있다. 광확산층(50)은 색 온도가 상이한 두 가지의 광을 혼합할 수 있다.
결과적으로, 도 6a 내지 도 6e의 공정을 통해 두 발광 다이오드(200a, 200b)가 제조 될 수 있다.
도 6f를 참조하면, 베이스 기판(100)을 준비하고, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 상기 베이스 기판(100) 상에 실장 시킬 수 있다. 이때 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 일정거리 이격될 수 있다.
베이스 기판(100)은, 비록 도 6f에서 도시되지 않았지만, 전극 패턴을 포함할 수 있다. 베이스 기판(100)에 실장된 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 상기 전극 패턴에 접속될 수 있고, 그에 따라 외부에서 전원을 인가 받을 수 있다. 또한 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 개별적으로 구동되어 서로 다른 지향각을 갖는 광을 방출할 수 있고, 또한 서로 다른 색온도를 갖는 광을 방출할 수 있다.
도 6g를 참조하면, 상기 베이스 기판(100) 상에 하우징(300)이 형성될 수 있다. 또한 상기 발광 다이오드(200a, 200b) 상에 렌즈(400)가 형성될 수 있다. 이때, 렌즈(400)는 상기 하우징(300)의 측벽에 고정될 수 있다.
하우징(300)은 발광 다이오드(200a, 200b)가 실장되는 영역을 정의하기 위한 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 발광 모듈(1000)의 중앙에 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 측벽으로 둘러싸인다. 측벽은 베이스 기판(100)을 기준으로 수직하게 형성될 수 있다. 또는 측벽은 발광 다이오드(200a, 200b)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 캐비티(C)는 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 특히 원형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 130도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 다만, 캐비티(C)의 형상은 원형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
렌즈(400)는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 두 개의 초점은 각각 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 상에 위치할 수 있다. 즉, 제1 발광 다이오드(200a)의 광축(L1) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 광축(L2)는 각각 렌즈(400)가 포함하는 두 개의 초점과 일치할 수 있다.

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및
    상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고,
    상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싸고,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 서로 독립적으로 구동되며,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도를 제어하는 발광 모듈.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스 기판은 전극 패턴을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 각각 상기 전극 패턴에 접속되는 발광 모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 영역 각각은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 서로 독립적으로 구동되는 발광 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 영역은 동일한 중심을 공유하는 발광 모듈.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 지향각을 제어하는 발광 모듈.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역을 덮는 파장 변환층을 더 포함하는 발광 모듈.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 파장변환층은 상기 제1 및 제2 발광 영역에서 동일한 형광체를 포함하는 발광 모듈.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 파장변환층은,
    상기 제1 발광 영역에 대응되며 제1 형광체를 포함하는 제1 파장변환층; 및
    상기 제2 발광 영역에 대응되며 제2 형광체를 포함하는 제2 파장변환층을 포함하는 발광 모듈.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 파장변환층은 상기 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층 사이에 위치하는 장벽층을 더 포함하는 발광 모듈.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 서로 다른 발광 모듈.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 동일한 발광 모듈.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 발광 영역의 측면을 덮는 측면 반사층을 더 포함하는 발광 모듈.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020170038322A 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈 Active KR102406913B1 (ko)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038322A KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈
US16/498,818 US11171264B2 (en) 2017-03-27 2018-03-19 Light emitting module
PCT/KR2018/003175 WO2018182215A1 (ko) 2017-03-27 2018-03-19 발광 모듈
CN201911238325.2A CN111048493B (zh) 2017-03-27 2018-03-19 发光模块
CN201880005589.0A CN110168722B (zh) 2017-03-27 2018-03-19 发光模块
US17/504,541 US11688836B2 (en) 2017-03-27 2021-10-19 Light emitting module
KR1020220067857A KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
US18/201,743 US20230299243A1 (en) 2017-03-27 2023-05-24 Light emitting module
US18/358,435 US12237448B2 (en) 2017-03-27 2023-07-25 Light emitting module
KR1020230132399A KR102808657B1 (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈
US19/021,400 US20250160070A1 (en) 2017-03-27 2025-01-15 Light emitting module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038322A KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220067857A Division KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180109162A KR20180109162A (ko) 2018-10-08
KR102406913B1 true KR102406913B1 (ko) 2022-06-10

Family

ID=63676611

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170038322A Active KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈
KR1020220067857A Active KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
KR1020230132399A Active KR102808657B1 (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220067857A Active KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
KR1020230132399A Active KR102808657B1 (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈

Country Status (4)

Country Link
US (5) US11171264B2 (ko)
KR (3) KR102406913B1 (ko)
CN (2) CN111048493B (ko)
WO (1) WO2018182215A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11946637B2 (en) 2021-04-05 2024-04-02 Nichia Corporation Light source device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110032724A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing same, lighting fixture, and lighting system
US20160153622A1 (en) * 2013-08-26 2016-06-02 Shenzhen University Led lamp
WO2016062834A3 (en) * 2014-10-22 2016-06-16 Infiniled Limited Sub-pixel for a display with controlable viewing angle

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6956553B2 (en) * 2001-04-27 2005-10-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device
JP4366923B2 (ja) * 2002-04-10 2009-11-18 日亜化学工業株式会社 照明装置およびその制御方法
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
TWI332273B (en) * 2005-03-18 2010-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light-emitting diodes, light-emitting diodes modules and backlight system
WO2007023415A1 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination module
KR20080054402A (ko) 2005-09-19 2008-06-17 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 가변 컬러 발광 장치와, 그를 포함하는 조명 시스템, 조명시스템 네트워크 및 어셈블리, 및 그를 위한 제어기 및제어 방법
WO2009019836A2 (en) * 2007-08-03 2009-02-12 Panasonic Corporation Light-emitting device
JP2009135485A (ja) 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
WO2009095866A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. A light emitting device
EP3045965B1 (en) 2008-02-07 2020-05-27 Mitsubishi Chemical Corporation Red emitting fluoride phosphor activated by mn4+
JP5332673B2 (ja) * 2008-02-07 2013-11-06 三菱化学株式会社 半導体発光装置、バックライトおよびカラー画像表示装置
US20100202129A1 (en) * 2009-01-21 2010-08-12 Abu-Ageel Nayef M Illumination system utilizing wavelength conversion materials and light recycling
KR101202168B1 (ko) * 2009-07-03 2012-11-19 서울반도체 주식회사 고전압 발광 다이오드 패키지
WO2011002208A2 (ko) 2009-07-03 2011-01-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN101859859B (zh) * 2010-05-04 2012-12-19 厦门市三安光电科技有限公司 高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法
JP5264836B2 (ja) * 2010-07-12 2013-08-14 三菱電機株式会社 発光ユニット及び発光装置
KR20120013758A (ko) 2010-08-06 2012-02-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102376832A (zh) * 2010-08-10 2012-03-14 艾笛森光电股份有限公司 白光发光二极管
JP3164061U (ja) * 2010-08-31 2010-11-11 柏友照明科技股▲フン▼有限公司 発光ダイオードモジュール及び照明装置
TWI452739B (zh) * 2010-10-20 2014-09-11 Macroblock Inc 發光二極體封裝結構及發光二極體立體顯示裝置
KR20120064838A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
TW201225740A (en) * 2010-12-14 2012-06-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Led light source module
CN102563383A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管光源模组
US20130093362A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing tunable light emitting device with remote wavelength conversion
JP2014160772A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
US8916896B2 (en) * 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
TWI485844B (zh) * 2013-05-02 2015-05-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體模組
KR102098135B1 (ko) * 2013-07-12 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP6236999B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6156213B2 (ja) * 2013-09-17 2017-07-05 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US10304998B2 (en) 2013-09-27 2019-05-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip and light emitting device having the same
KR102020895B1 (ko) * 2013-10-31 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105830238A (zh) * 2013-12-19 2016-08-03 皇家飞利浦有限公司 具有均匀磷光体光照的led模块
TW201532312A (zh) * 2014-02-10 2015-08-16 Edison Opto Corp 可調光ｌｅｄ封裝結構
JP2016162693A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102263041B1 (ko) * 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
TWI603507B (zh) * 2016-03-11 2017-10-21 柏友照明科技股份有限公司 混光式多晶片封裝結構
KR102374223B1 (ko) * 2017-09-19 2022-03-14 엘지디스플레이 주식회사 다중 발광 양자점과 이를 포함하는 양자점 필름, 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110032724A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing same, lighting fixture, and lighting system
US20160153622A1 (en) * 2013-08-26 2016-06-02 Shenzhen University Led lamp
WO2016062834A3 (en) * 2014-10-22 2016-06-16 Infiniled Limited Sub-pixel for a display with controlable viewing angle

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230147573A (ko) 2023-10-23
CN111048493B (zh) 2024-06-11
CN110168722B (zh) 2024-06-18
US20230299243A1 (en) 2023-09-21
US11171264B2 (en) 2021-11-09
KR102808657B1 (ko) 2025-05-20
US12237448B2 (en) 2025-02-25
US20200066944A1 (en) 2020-02-27
KR102587740B1 (ko) 2023-10-11
WO2018182215A1 (ko) 2018-10-04
KR20220083989A (ko) 2022-06-21
KR20180109162A (ko) 2018-10-08
CN110168722A (zh) 2019-08-23
US20220109088A1 (en) 2022-04-07
US20230369548A1 (en) 2023-11-16
CN111048493A (zh) 2020-04-21
US20250160070A1 (en) 2025-05-15
US11688836B2 (en) 2023-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102171847B (zh) 半导体颜色可调谐宽带光源和全色微显示器
US11510294B2 (en) Lumiphoric arrangements for light emitting diode packages
US11804571B2 (en) Light emitting diode and light emitting module comprising the same
US20250160070A1 (en) Light emitting module
EP4136684A1 (en) Light-altering material arrangements for light-emitting devices
US20240088326A1 (en) Light emitting diode and light emitting module comprising the same
US20250089407A1 (en) Multi-planarity of light emitting surfaces in led components
US20240162391A1 (en) Lumiphoric material arrangements for cover structures of light-emitting diode packages
US20240304609A1 (en) Multiple-layered cover structure for beamshaping for light-emitting diode devices
KR102308692B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법, 반도체 소자 패키지, 객체 검출 장치
TWI588406B (zh) 發光裝置
KR20190019991A (ko) 반도체 소자
TW201728854A (zh) 發光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20170327

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20200325

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20170327

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210322

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210907

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220302

PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20220602

Patent event code: PA01071R01D

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20220603

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20220607

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration