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KR102405058B1 - 이미지 센서 - Google Patents

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KR102405058B1
KR102405058B1 KR1020150136120A KR20150136120A KR102405058B1 KR 102405058 B1 KR102405058 B1 KR 102405058B1 KR 1020150136120 A KR1020150136120 A KR 1020150136120A KR 20150136120 A KR20150136120 A KR 20150136120A KR 102405058 B1 KR102405058 B1 KR 102405058B1
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양윤희
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에스케이하이닉스 주식회사
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 기술은 성능이 향상된 이미지 센서를 제공한다. 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 광전변환소자 상부에 형성된 컬러필터를 포함하고, 상기 복수의 픽셀들 중 어느 하나의 픽셀과 상기 어느 하나의 픽셀과 인접하고 동일한 색상의 컬러필터를 포함하는 다른 하나의 픽셀 중 어느 하나는 입사광 제어패턴을 포함할 수 있다.

Description

이미지 센서{IMAGE SENSOR}
본 발명은 반도체 장치 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 노이즈 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 장치이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임 기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 로보트 등 다양한 분야에서 집적도 및 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대되고 있다.
본 발명의 실시예는 성능이 향상된 이미지 센서를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 광전변환소자 상부에 형성된 컬러필터를 포함하고, 상기 복수의 픽셀들 중 어느 하나의 픽셀과 상기 어느 하나의 픽셀과 인접하고 동일한 색상의 컬러필터를 포함하는 다른 하나의 픽셀 중 어느 하나는 입사광 제어패턴을 포함할 수 있다.
상기 복수의 픽셀들은 컬럼방향으로 인접한 두 픽셀이 하나의 플로팅디퓨전영역을 공유할 수 있다. 상기 어느 하나의 픽셀의 대각선상에 상기 다른 하나의 픽셀이 위치할 수 있다. 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩되는 위치는 상기 어느 하나의 픽셀과 상기 다른 하나의 픽셀이 서로 상이할 수 있다. 상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자의 가장자리를 따라 형성된 링타입 형태를 가질 수 있다. 상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자를 덮는 평판 형태, 슬릿 형태 및 매트릭스 구조로 배열된 도트 형태로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서는 상기 기판과 상기 입사광 제어패턴 사이에 게재된 반사방지막; 및 상기 전송 게이트를 덮도록 상기 기판상에 형성된 층간절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 광전변환소자를 덮도록 상기 기판상에 형성되고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되며, 상기 반사방지막 및 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 내에 위치할 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 층간절연막 상에 형성되고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성될 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 광전변환소자를 덮도록 상기 기판상에 형성되어 상기 층간절연막 내에 위치하고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 제1픽셀, 제2픽셀, 제3픽셀 및 제4픽셀이 2×2 매트릭스 구조로 배열된 복수의 픽셀그룹들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 제1픽셀 내지 상기 제4픽셀 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 광전변환소자 상부에 형성된 컬러필터를 포함하고, 상기 복수의 픽셀그룹 각각에서, 상기 제1픽셀 내지 상기 제3픽셀은 서로 다른 색상의 컬러필터를 포함하고, 상기 제4픽셀은 상기 제1픽셀과 동일한 색상의 컬러필터를 포함하며, 상기 제1픽셀 또는 상기 제4픽셀 중 어느 하나는 입사광 제어패턴을 포함할 수 있다.
동일 컬럼에 배치된 상기 제1픽셀과 상기 제3픽셀이 플로팅디퓨전영역을 공유하고, 또 다른 동일 컬럼에 배치된 상기 제2픽셀과 상기 제4픽셀이 플로팅디퓨전영역을 공유할 수 있다. 상기 제1픽셀의 대각선상에 상기 제4픽셀이 위치할 수 있다. 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩되는 위치는 상기 제1픽셀과 상기 제4픽셀이 서로 상이할 수 있다. 상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자의 가장자리를 따라 형성된 링타입 형태를 가질 수 있다. 상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자를 덮는 평판 형태, 슬릿 형태 및 매트릭스 구조로 배열된 도트 형태로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상
또한, 실시예에 따른 이미지 센서는 상기 기판과 상기 입사광 제어패턴 사이에 게재된 반사방지막; 및 상기 전송 게이트를 덮도록 상기 기판상에 형성된 층간절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 광전변환소자를 덮도록 상기 기판상에 형성되고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되며, 상기 반사방지막 및 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 내에 위치할 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 층간절연막 상에 형성되고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성될 수 있다. 상기 반사방지막은 상기 광전변환소자를 덮도록 상기 기판상에 형성되어 상기 층간절연막 내에 위치하고, 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 상에 형성될 수 있다.
상술한 과제의 해결 수단을 바탕으로 하는 본 기술은 입사광 제어패턴을 구비함으로써, 공유 픽셀 구조를 갖는 이미지 센서에서 입사광량의 편차 즉, 픽셀신호 차이에 기인한 노이즈 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 블럭도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀그룹을 도시한 평면도.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 3b 및 도 3c는 도 3a에 도시된 이미지 센서의 변형예를 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예들에 적용할 수 있는 입사광 제어패턴의 변형예를 도시한 평면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치를 간략히 도시한 도면.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1층이 제2층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1층이 제2층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1층과 제2층 사이 또는 제1층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
후술하는 본 발명의 실시예는 성능이 향상된 이미지 센서를 제공하기 위한 것이다. 여기서, 성능이 향상된 이미지 센서는 노이즈 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서를 의미할 수 있다. 이때, 노이즈는 공유 픽셀 구조를 갖는 이미지 센서에서 발생하는 출력신호 차이에 기인한 것일 수 있다.
구체적으로, 이미지 센서의 집적도가 증가함에 따라 각 픽셀의 물리적 사이즈가 지속적으로 감소하고 있다. 이로 인해, 광전변환소자(photoelectric conversion element)의 필 펙터(Fill Factor) 및 감도(Sensitivity)가 열화되는 것을 방지하기 위해 각 픽셀에 배치되는 픽셀 트랜지스터를 공유하는 공유 픽셀 구조(shared pixel structure)를 갖는 이미지 센서가 도입되었다. 픽셀 트랜지스터를 공유하는 구조는 광전변환소자 주변에 배치되는 트랜지스터 즉, 전송 트랜지스터(transfer transistor)의 비대칭으로 인해 입사광의 각도에 따라 입사광이 편차가 발생하는 단점이 있다. 이로 인해, 각 픽셀의 출력신호 즉, 픽셀신호의 차이가 발생하게 된다. 특히, 서로 인접하고 동일한 색상의 컬러필터를 갖는 픽셀들 사이에서 발생하는 픽셀신호 차이는 후처리 예컨대, 컬러 보간 처리(color interpolation process)를 거치면서 미로 효과(maze effect)라는 노이즈 형태로 나타나게 된다.
따라서, 후술하는 실시예는 공유 픽셀 구조를 갖는 이미지 센서에서 픽셀신호 차이에 기인한 노이즈 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서를 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 블럭도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이(pixel array, 100), 상관 이중 샘플링(correlated double sampling, CDS, 120), 아날로그-디지털 컨버터(analog digital converter, ADC, 130), 버퍼(Buffer, 140), 로우 드라이버(row driver, 150), 타이밍 제너레이터(timing generator, 160), 제어 레지스터(control register, 170) 및 램프 신호 제너레이터(ramp signal generator, 180)를 포함할 수 있다.
픽셀 어레이(100)는 복수의 픽셀들 예컨대, 제1픽셀(111), 제2픽셀(112), 제3픽셀(113) 및 제4픽셀(114)이 2×2 매트릭스 구조로 배열된 복수의 픽셀그룹(110)이 2차원 배열된 것일 수 있다. 이때, 복수의 픽셀그룹(100) 각각은 레드픽셀(R), 그린픽셀(Gr, Gb) 및 블루픽셀(B)이 반복적으로 배치되는 베이어 패턴 형태(bayer pattern)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1픽셀(111)은 제1그린픽셀(Gr), 제2픽셀(112)은 레드픽셀(R), 제3픽셀(113)은 블루픽셀(B), 제4픽셀(114)은 제2그린픽셀(Gb)일 수 있다.
타이밍 제너레이터(160)는 로우 드라이버(150), 상관 이중 샘플링(120), 아날로그-디지털 컨버터(130) 및 램프 신호 제너레이터(180) 각각의 동작을 제어하기 위한 하나 이상의 제어 신호를 생성할 수 있다. 제어 레지스터(170)는 램프 신호 제너레이터(180), 타이밍 제너레이터(160) 및 버퍼(140) 각각의 동작을 제어하기 위한 하나 이상의 제어 신호를 생성할 수 있다.
로우 드라이버(150)는 픽셀 어레이(100)를 로우라인(row line) 단위로 구동할 수 있다. 예를 들어, 로우 드라이버(150)는 복수의 로우라인(row line)들 중에서 어느 하나의 로우라인(row line)을 선택할 수 있는 선택 신호를 생성할 수 있다. 복수의 픽셀들(111, 112, 113, 114)들 각각은 입사광을 감지하여 이미지 리셋 신호와 이미지 신호를 컬럼라인(column line)을 통해 상관 이중 샘플링(120)으로 출력할 수 있다. 상관 이중 샘플링(120)은 수신된 이미지 리셋 신호와 이미지 신호 각각에 대하여 샘플링을 수행할 수 있다.
아날로그-디지털 컨버터(130)는 램프 신호 제너레이터(180)로부터 출력된 램프 신호와 상관 이중 샘플링(120)으로부터 출력되는 샘플링 신호를 서로 비교하여 비교 신호를 출력할 수 있다. 타이밍 제너레이터(160)로부터 제공되는 클럭 신호에 따라 비교 신호의 레벨 전이(transition) 시간을 카운트하고, 카운트 값을 버퍼(140)로 출력할 수 있다. 램프 신호 제너레이터(180)는 타이밍 제너레이터(160)의 제어 하에 동작할 수 있다.
버퍼(140)는 아날로그-디지털 컨버터(130)로부터 출력된 복수의 디지털 신호 각각을 저장한 후 이들 각각을 감지 증폭하여 출력할 수 있다. 따라서, 버퍼(140)는 메모리(미도시)와 감지증폭기(미도시)를 포함할 수 있다. 메모리는 카운트 값을 저장하기 위한 것이며, 카운트 값은 복수의 픽셀들(111, 112, 113, 114)들로부터 출력된 신호에 연관된 카운트 값을 의미한다. 감지증폭기는 메모리로부터 출력되는 각각의 카운트 값을 감지하여 증폭할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀그룹을 도시한 평면도이다. 도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도이고, 도 3b 및 도 3c는 그 변형예이다. 그리고, 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예들에 적용할 수 있는 입사광 제어패턴의 변형예를 도시한 평면도이다.
도면들에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이(100)에서 복수의 픽셀들 각각은 기판(200)에 형성된 광전변환소자(PD), 광전변환소자(PD) 일부와 중첩되고 기판(200) 상에 형성된 전송 게이트(Tx), 광전변환소자(PD) 상부에 형성된 컬러필터(210)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 픽셀들 중 어느 하나의 픽셀과 어느 하나의 픽셀에 인접하고 동일한 색상의 컬러필터(210)를 구비한 다른 하나의 픽셀 중 어느 하나는 입사광 제어패턴(204)을 포함할 수 있다. 이때, 다른 하나의 픽셀은 어느 하나의 픽셀 대각선상에 위치할 수 있다.
구체적으로, 제1픽셀(111) 내지 제4픽셀(114)이 2×2 매트릭스 구조로 배열된 복수의 픽셀그룹(110)이 2차원 배열된 픽셀 어레이(100)에서 제1픽셀(111) 내지 제3픽셀(113)은 서로 다른 색상의 컬러필터(210)를 포함할 수 있다. 즉, 제1픽셀(111)은 제1그린픽셀(Gr), 제2픽셀(112)은 레드픽셀(R), 제3픽셀(113)은 블루픽셀(B)일 수 있다. 그리고, 제4픽셀(114)은 제1픽셀(111) 내지 제3픽셀(113) 중 어느 하나와 동일한 색상의 컬러필터(210)를 포함할 수 있다. 즉, 제4픽셀(114)은 제1픽셀(111)과 동일한 그린컬러를 갖는 제2그린픽셀(Gb)일 수 있다. 이때, 동일한 색상의 컬러필터(210)를 포함하는 제1픽셀(111)과 제4픽셀(114) 중 어느 하나의 픽셀은 입사광 제어패턴(204)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1픽셀(111)은 제4픽셀(114)의 대각선상에 위치할 수 있다.
이하, 각각의 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2을 참조하면, 각각의 픽셀그룹(110)에서 컬럼방향으로 두 개의 광전변환소자(PD)가 하나의 플로팅디퓨전영역(FD)을 공유하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬럼방향으로 제1픽셀(111)과 제3픽셀(113)이 하나의 플로팅디퓨전영역(FD)을 공유하고, 제2픽셀(112) 및 제4픽셀(114)이 또 다른 플로팅디퓨전영역(FD)을 공유하도록 배치될 수 있다. 로우방향으로 플로팅디퓨전영역(FD)의 일측에는 리셋 게이트(Rx)를 포함한 리셋 트랜지스터(reset transistor)가 배치될 수 있다. 컬럼방향으로 하나의 플로팅디퓨전영역(FD)을 공유하는 두 개의 광전변환소자(PD) 일측에 플로팅디퓨전영역(FD)과 전기적으로 연결되는 소스 팔로워 게이트(SFx)를 포함한 소스 팔로워 트랜지스터(source follower transister) 및 선택 게이트(Sx)를 포함한 선택 트랜지스터(selection transistor)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬럼방향으로 제1픽셀(111) 및 제2픽셀(112) 위쪽으로 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터가 각각 배치될 수 있다. 그리고, 하나의 플로팅디퓨전영역(FD)을 공유하는 두 개의 광전변환소자(PD), 리셋 트랜지스터, 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택 트랜지스터를 포함한 공유 픽셀 블럭 두 개가 로우방향으로 나란히 배치될 수 있다.
제1픽셀(111) 내지 제4픽셀(114)의 모서리에는 광전변환소자(PD) 일부과 중첩되는 전송 게이트(Tx)가 위치할 수 있다. 제1픽셀(111)의 제1전송 게이트(Tx1) 및 제2픽셀(112)의 제2전송 게이트(Tx2)는 각각 광전변환소자(PD)의 우측 하단 모서리에 위치하여 서로 동일한 형태를 가질 수 있다. 제3픽셀(113)의 제3전송 게이트(Tx3) 및 제4픽셀(114)의 제4전송 게이트(Tx4)는 각각 광전변환소자(PD)의 우측 상단 모서리에 위치하여 서로 동일한 형태를 가질 수 있다. 그리고, 컬럼방향으로 제1전송 게이트(Tx1)와 제3전송 게이트(Tx3)가 서로 대칭적인 형태를 가질 수 있고, 제2전송 게이트(Tx2) 및 제4전송 게이트(Tx4)가 서로 대칭적인 형태를 가질 수 있다.
각각의 픽셀그룹(110)에서 서로 인접하게 배치되고 동일한 색상의 컬러필터(210)를 포함하는 제1픽셀(111)의 제1전송 게이트(Tx1)와 제4픽셀(114)의 제4전송 게이트(Tx4)는 비대칭적인 형태를 가질 수 있다. 이로 인해, 동일한 입사광에 대해 제1픽셀(111)에서의 픽셀신호와 제4픽셀(114)에서의 픽셀신호 사이에 차이가 발생할 수 있다. 픽셀신호 차이를 해소하기 위해 실시예에 따른 이미지 센서는 제1픽셀(111) 또는 제4픽셀(114) 중 어느 하나가 입사광 제어패턴(204)을 포함할 수 있다. 참고로, 실시예에서는 제1픽셀(111)에서의 픽셀신호보다 제4픽셀(114)에서의 픽셀신호가 더 큰 경우 즉, 제1픽셀(111)에서의 입사광량이 제4픽셀(114)에서의 입사광량보다 작은 경우를 예시하여 설명하기로 한다.
입사광 제어패턴(204)은 인접하게 배치되어 동일한 색상의 컬러필터(210)를 포함하는 제1픽셀(111)과 제4픽셀(114) 사이에서 상대적으로 입사광량이 큰 제4픽셀(114)의 입사광량을 제한하는 역할을 수행할 수 있다. 제4픽셀(114)의 입사광량을 제한함으로써, 제1픽셀(111)과 제4픽셀(114)에서의 입사광량 편차 즉, 픽셀신호 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이때, 입사광량의 제한은 입사광 제어패턴(204)을 이용하여 광전변환소자(PD)의 수광면적을 감소시키거나, 입사광 제어패턴(204)이 입사광을 일부 흡수하여 광량을 감소시키는 방법, 또는 입사광 제어패턴(204)이 입사광의 투과율을 제어하는 방법을 사용할 수 있다. 따라서, 입사광 제어패턴(204)은 입사광을 반사시킬 수 있는 물질, 입사광의 투과율을 제어할 수 있는 물질 및 입사광을 흡수할 수 있는 물질 모두를 사용할 수 있다. 예를 들어, 입사광 제어패턴(204)은 금속성물질, 산화물, 절연물, 탄소함유물 등 다양한 물질을 사용할 수 있다.
제1픽셀(111)과 제4픽셀(114) 사이에서 입사광량의 편차만을 제거하기 위해 입사광 제어패턴(204)은 광전변환소자(PD)의 가장자리를 따라 형성된 링타입 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 링타입 형태를 갖는 입사광 제어패턴(204)은 카메라의 조리개와 같은 형상일 수 있다. 또한, 입사광 제어패턴(204)은 도 4a에 도시된 광전변환소자(PD)의 전면을 덮는 평판 형태, 도 4b에 도시된 슬릿 형태 및 도 4c에 도시된 매트릭스 구조로 배열된 도트 형태로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수도 있다.
다음으로, 도 3a를 참조하여 입사광 제어패턴(204)이 형성된 제4픽셀(114)의 단면을 살펴보면, 기판(200)에 형성된 광전변환소자(PD), 광전변환소자(PD)를 덮도록 기판(200)상에 형성된 반사방지막(202), 반사방지막(202) 상에 형성된 입사광 제어패턴(204), 기판(200) 전면에 형성된 제1층간절연막(206), 제1층간절연막(206) 상에 형성된 컬러필터(210) 및 컬러필터(210) 상에 형성된 집광부재(212)를 포함할 수 있다. 상술한 구조는 반사방지막(202)이 광전변환소자(PD) 상에 형성되기 때문에 반사방지 효율을 극대화시킬 수 있다. 그리고, 광전변환소자(PD)와 인접하여 입사광 제어패턴(204)이 형성되기 때문에 입사광 제어패턴(204)의 효율을 향상시킬 수 있고, 수직방향으로 광전변환소자(PD)와 입사광 제어패턴(204) 사이의 간격이 없기 때문에 회절과 같은 부수적인 광학 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 3b를 참조하면, 기판(200)에 형성된 광전변환소자(PD), 기판(200) 상에 형성된 제1층간절연막(206), 제1층간절연막(206) 상에 형성된 반사방지막(202), 반사방지막(202) 상에 형성된 입사광 제어패턴(204), 제1층간절연막(206) 상에 형성된 제2층간절연막(208), 제2층간절연막(208) 상에 형성된 컬러필터(210) 및 컬러필터(210) 상에 형성된 집광부재(212)를 포함할 수 있다. 상술한 구조는 제1층간절연막(206) 상에 반사방지막(202) 및 입사광 제어패턴(204)이 형성되기 때문에 공정난이도를 감소시킬 수 있다. 이는, 광전변환소자(PD) 일부와 중첩되는 제4전송 게이트(Tx4)가 제1층간절연막(206) 내 기판(200)상에 형성되기 때문이다. 즉, 제4전송 게이트(Tx4)가 형성되는 층과 입사광 제어패턴(204)이 형성되는 층을 분리하여 각각의 형성공정에 대한 난이도를 감소시킬 수 있다.
다음으로, 도 3c를 참조하면, 기판(200)에 형성된 광전변환소자(PD), 광전변환소자(PD)를 덮도록 기판(200)상에 형성된 반사방지막(202), 반사방지막(202) 상에 형성된 제1층간절연막(206), 제1층간절연막(206) 상에 형성된 입사광 제어패턴(204), 제1층간절연막(206) 상에 형성된 제2층간절연막(208), 제2층간절연막(208) 상에 형성된 컬러필터(210) 및 컬러필터(210) 상에 형성된 집광부재(212)를 포함할 수 있다. 상술한 구조는 반사방지막(202)이 광전변환소자(PD) 상에 형성되기 때문에 반사방지 효율을 극대화시킬 수 있고, 제1층간절연막(206) 상에 입사광 제어패턴(204)이 형성되기 때문에 공정난이도를 감소시킬 수 있다. 아울러, 입사광 제어패턴(204) 형성공정시 기형성된 반사방지막(202)이 손상되는 것을 방지할 수도 있다.
도 3a 내지 도 3c에서 기판(200)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태(Single crystal state)일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(200)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 광전변환소자(PD)는 포토다이오드를 포함할 수 있다. 포토다이오드는 서로 상보적인 도전형을 갖는 불순물영역들이 수직하게 적층된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 이온주입공정을 통해 기판(200)에 형성된 P형 불순물영역과 N형 불순물영역이 적층된 형태를 가질 수 있다. 반사방지막(202)은 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 물질막들이 적층된 다층막일 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1물질막과 제2물질막이 복수회 교벅 적층된 다층막일 수 있다. 집광부재(212)는 디지털 렌즈 또는 반구형 렌즈를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 입사광 제어패턴(204)을 구비함으로써, 공유 픽셀 구조를 갖는 이미지 센서에서 입사광량의 편차 즉, 픽셀신호 차이에 기인한 노이즈 발생을 방지할 수 있다.
상술한 실시예에 따른 이미지 센서는 다양한 전자장치 또는 시스템에 이용될 수 있다. 이하에서는, 도 5를 참조하여 카메라에 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 적용한 경우를 예시하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치를 간략히 도시한 도면이다.
도 5를 참조하여, 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치는 정지영상 또는 동영상을 촬영할 수 있는 카메라일 수 있다. 전자장치는 광학 시스템(310, 또는, 광학 렌즈), 셔터 유닛(311), 이미지 센서(300) 및 셔터 유닛(311)을 제어/구동하는 구동부(313) 및 신호 처리부(312)를 포함할 수 있다.
광학 시스템(310)은 피사체로부터의 이미지 광(입사광)을 이미지 센서(300)의 픽셀 어레이(도 1의 도면부호 '100' 참조)로 안내한다. 광학 시스템(310)은 복수의 광학 렌즈로 구성될 수 있다. 셔터 유닛(311)은 이미지 센서(300)에 대한 광 조사 기간 및 차폐 기간을 제어한다. 구동부(313)는 이미지 센서(300)의 전송 동작과 셔터 유닛(311)의 셔터 동작을 제어한다. 신호 처리부(312)는 이미지 센서(300)로부터 출력된 신호에 관해 다양한 종류의 신호 처리를 수행한다. 신호 처리 후의 이미지 신호(Dout)는 메모리 등의 저장 매체에 저장되거나, 모니터 등에 출력된다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 픽셀그룹 111 : 제1픽셀
112 : 제2픽셀 113 : 제3픽셀
114 : 제4픽셀 PD : 광전변환소자
FD : 플로팅디퓨전영역 Tx1 : 제1전송 게이트
Tx2 : 제2전송 게이트 Tx3 : 제3전송 게이트
Tx4 : 제4전송 게이트 200 : 기판
202 : 반사방지막 204 : 입사광 제어패턴
206 : 제1층간절연막 208 : 제2층간절연막
210 : 컬러필터 212 : 집광부재

Claims (20)

  1. 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하고,
    상기 복수의 픽셀들 각각은,
    기판 상에 형성된 광전변환소자;
    상기 광전변환소자의 일부와 중첩되고 상기 기판 상에 형성된 전송 게이트; 및
    상기 광전변환소자 상의 컬러 필터를 포함하고,
    상기 복수의 픽셀들은 동일한 컬러필터를 갖는 인접한 두 개의 픽셀들을 포함하고,
    상기 인접한 두 픽셀들 중 하나는 상기 복수의 픽셀들로 입사하는 입사광의 양을 제어하여 상기 인접한 두 픽셀들 사이의 입사광의 양의 편차가 발생하는 것을 방지하는 입사광 제어 패턴을 포함하고, 및
    상기 인접한 두 픽셀들 중 다른 하나는 상기 입사광 제어 패턴을 포함하지 않는 이미지 센서.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 복수의 픽셀들은 컬럼방향으로 인접하고 하나의 플로팅디퓨전영역을 공유하는 이미지 센서.
  3. ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 동일한 컬러필터를 갖는 상기 두 인접한 픽셀들은 대각선 상에 위치하는 이미지 센서.
  4. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 두 인접한 픽셀들 중 상기 하나의 픽셀의 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩하는 위치는 상기 다른 픽셀의 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩하는 위치와 상이한 이미지 센서.
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자의 가장자리를 따라 형성된 링타입 형태를 갖는 이미지 센서.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자 상에 형성되고, 평판 형태, 슬릿 형태, 또는 도트 형태를 갖고,
    상기 평판 형태는 상기 광전변환소자를 덮고, 및
    상기 도트 형태는 매트릭스 구조로 배열된 이미지 센서.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 입사광 제어패턴 사이에 개재된 반사방지막; 및
    상기 전송 게이트를 덮도록 상기 기판 상에 형성된 층간절연막을 더 포함하는 이미지 센서.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제7항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 기판 상에 형성되고 및 상기 광전변환소자를 덮고,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되고, 및
    상기 반사방지막 및 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 내에 위치하는 이미지 센서.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제7항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 층간절연막 상에 형성되고, 및
    상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되는 이미지 센서.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제7항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 기판 상에 형성되고, 상기 광전변환소자를 덮고, 및 상기 층간절연막 내에 위치하고, 및
    상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 상에 형성되는 이미지 센서.
  11. 복수의 픽셀 그룹들을 포함하는 픽셀 어레이를 포함하고,
    상기 복수의 픽셀 그룹들 각각은 2X2 매트릭스 구조 및 2차원 배열된 제1 픽셀, 제2 픽셀, 제3 픽셀, 및 제4 픽셀을 포함하고,
    상기 제1 내지 제4 픽셀들 각각은:
    기판 내에 형성된 광전변환소자;
    상기 기판 내에 형성되고 상기 광전변환소자의 일부와 중첩하는 전송 게이트; 및
    상기 광전변환소자 상에 형성된 컬러필터를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 픽셀들은 서로 다른 컬러필터를 포함하고,
    상기 제4 픽셀은 상기 제1 픽셀과 동일한 컬러필터를 포함하고,
    상기 제1 픽셀 및 상기 제4 픽셀 중 하나는 상기 제1 내지 제4 픽셀들 중 하나로 입사하는 입사광의 양을 제어하여 상기 제1 픽셀과 상기 제4 픽셀 사이의 상기 입사광의 양의 편차가 발생하는 것을 방지하는 입사광 제어패턴을 포함하고, 및
    상기 제1 픽셀 및 상기 제4 픽셀 중 다른 하나는 상기 입사광 제어 패턴을 포함하지 않는 이미지 센서.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 제1 픽셀 및 상기 제3 픽셀은 동일 컬럼에 배열되고 및 제1 플로팅디퓨전영역을 공유하고, 및
    상기 제2 픽셀 및 상기 제4 픽셀은 다른 동일 컬럼에 배치되고 제2 플로팅디퓨전영역을 공유하는 이미지 센서.
  13. ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 제4 픽셀은 상기 제1 픽셀과 대각선상에 위치하는 이미지 센서.
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 제1 픽셀의 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩하는 위치는 상기 제4 픽셀의 상기 광전변환소자와 상기 전송 게이트가 중첩하는 위치와 상이한 이미지 센서.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자의 가장자리를 따라 형성된 링타입 형태를 갖는 이미지 센서.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 광전변환소자 상에 형성되고, 평판 형태, 슬릿 형태, 또는 도트 형태를 갖고,
    상기 평판 형태는 상기 광전변환소자를 덮고, 및
    상기 도트 형태는 매트릭스 구조로 배열된 이미지 센서.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 기판과 상기 입사광 제어패턴 사이에 개재된 반사방지막; 및
    상기 전송 게이트를 덮도록 상기 기판 상에 형성된 층간절연막을 더 포함하는 이미지 센서.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 기판 상에 형성되고 및 상기 광전변환소자를 덮고,
    상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되고, 및
    상기 반사방지막 및 상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 내에 위치하는 이미지 센서.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 층간절연막 상에 형성되고, 및
    상기 입사광 제어패턴은 상기 반사방지막 상에 형성되는 이미지 센서.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 반사방지막은 상기 기판 상에 형성되고, 상기 광전변환소자를 덮고, 및 상기 층간절연막 내에 위치하고, 및
    상기 입사광 제어패턴은 상기 층간절연막 상에 형성되는 이미지 센서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170070685A (ko) * 2015-12-14 2017-06-22 삼성전자주식회사 하이브리드 컬러필터를 포함한 이미지 센서
JP7005886B2 (ja) * 2016-03-31 2022-01-24 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、および電子機器
KR102701855B1 (ko) 2016-12-28 2024-09-02 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR102551862B1 (ko) * 2018-01-29 2023-07-06 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
EP4057352A4 (en) * 2019-11-08 2023-03-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation SEMICONDUCTOR IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
KR20210145405A (ko) * 2020-05-25 2021-12-02 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20220020587A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199668A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3204216B2 (ja) * 1998-06-24 2001-09-04 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR20070006982A (ko) * 2005-07-09 2007-01-12 삼성전자주식회사 수광 효율이 향상된 독출 소자 공유 이미지 센서
KR100825810B1 (ko) 2007-02-27 2008-04-29 삼성전자주식회사 줌 렌즈 용 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR20080104589A (ko) 2007-05-28 2008-12-03 삼성전자주식회사 Ｇｒ/Ｇｂ 감도 차이를 제거할 수 있는 씨모스 이미지센서의 배치구조 및 배치방법
US8008695B2 (en) * 2008-05-29 2011-08-30 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with backside passivation and metal layer
JP2012059865A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
KR101305608B1 (ko) 2011-11-22 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 이미지 센서
US9711553B2 (en) * 2014-04-28 2017-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor including a pixel having photoelectric conversion elements and image processing device having the image sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199668A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器

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