KR102404334B1 - 인덕터 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 지지부재, 상기 지지부재의 일면 상에 배치되며 제1 및 제2 인출부를 포함하는 제1 코일 및 상기 지지부재와 상기 제1 코일을 매립하는 자성 물질을 포함하는 바디; 상기 바디의 일면의 모서리 영역 각각에 형성되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각을 노출시키는 제1 및 제2 리세스부; 및 상기 제1 및 제2 리세스부 각각에 배치되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각과 연결되는 제1 및 제2 도전성 수지; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전성 수지 각각은 상기 제1 인출부 및 상기 제2 인출부 각각과 접하는 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 금속간 화합물을 포함하는 인덕터에 관한 것이다.
Description
본 개시는 인덕터에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화에 따라 전자기기에 포함되는 인덕터 등의 전자부품 역시 소형화가 요구된다. 한편, 인덕터의 전극 구조를 하면 전극 구조로 구현하는 기술의 경우, 박막형 인덕터에는 적용이 용이하지 않은 실정이다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 제품의 소형화가 가능한 인덕터를 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 다른 하나는 하면 전극 구조를 갖는 인덕터를 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 또 다른 하나는 낮은 직류 전류 저항(Rdc) 값을 갖는 인덕터를 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 또 다른 하나는 접속 신뢰성이 높은 인덕터를 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는, 지지부재, 상기 지지부재의 일면 상에 배치되며 제1 및 제2 인출부를 포함하는 제1 코일 및 상기 지지부재와 상기 제1 코일을 매립하는 자성 물질을 포함하는 바디; 상기 바디의 일면의 모서리 영역 각각에 형성되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각을 노출시키는 제1 및 제2 리세스부; 및 상기 제1 및 제2 리세스부 각각에 배치되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각과 연결되는 제1 및 제2 도전성 수지; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전성 수지 각각은 상기 제1 인출부 및 상기 제2 인출부 각각과 접하는 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 금속간 화합물을 포함하는 인덕터를 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 효과 중 일 효과로서, 제품의 소형화가 가능한 인덕터를 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 다른 일 효과로서, 하면 전극 구조를 갖는 인덕터를 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 또 다른 일 효과로서, 낮은 직류 전류 저항(Rdc) 값을 갖는 인덕터를 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 또 다른 일 효과로서, 접속 신뢰성이 높은 인덕터를 제공할 수 있다.
도 1은 일례에 따른 인덕터의 사시도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 일례에 따른 인덕터의 I- I'의 절단 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 5는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 7은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 8은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 9은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 일례에 따른 인덕터의 I- I'의 절단 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 5는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 7은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 8은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 9은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다. 또한, 도면에서 L 방향은 길이 방향, W 방향은 폭 방향, T 방향은 두께 방향으로 설명한다.
인덕터
도 1은 일례에 따른 인덕터의 사시도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 일례에 따른 인덕터의 I- I'의 절단 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 인덕터(1000A)는 지지부재(110), 지지부재(110)의 일면 상에 배치되며, 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123)를 포함하는 제1 코일(120), 및 지지부재(110)와 제1 코일(120)을 매립하는 자성 물질(140)을 포함하는 바디(100), 바디(100)의 일면의 모서리 영역 각각에 형성되어 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각을 노출시키는 제1 및 제2 리세스부(R) 및 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에 배치되어 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 연결되는 제1 및 제2 도전성 수지(200)를 포함한다.
바디(100)는, 서로 두께 방향(T)으로 마주하는 일면과 타면, 일면과 타면을 연결하며 서로 길이 방향(L) 마주하는 양 단면, 및 양 단면을 연결하며 서로 폭 방향(W)으로 마주하는 양 측면을 가질 수 있다. 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은, 바디(100)의 일면 및 바디(100)의 양 단면이 서로 만나는 모서리 영역 각각에 형성되며, 바디(100)의 일면에서 타면 방향으로 바디(100)의 일부를 관통할 수 있다.
한편, 바디(100)의 일면과 타면, 양 단면, 양 측면 중 적어도 일부는 플랫(flat)하지 않을 수 있다. 예컨대, 도면에 도시된 바와 같이, 바디(100)의 일면 및 양 단면은 제1 및 제2 리세스부(R)에 의하여 플랫(flat)하지 않을 수 있으며, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에는 제1 및 제2 도전성 수지(200)의 적어도 일부가 배치될 수 있다. 이 때, 바디(100)의 일면 및 양 단면 각각은 바디(100)로부터 최외측에 배치된 일면 및 양 단면일 수 있으며, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 바디(100)로부터 최외측에 배치된 바디(100)의 일면 및 양 단면 각각을 연장한 가상의 면이 서로 만나는 모서리 영역 각각에 형성된 것일 수 있다.
일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우, 제1 도전성 수지(200)는 제1 도전성 수지(200)의 일부가 바디(100) 및 후술하는 제1 외부전극(300) 사이에 배치되도록 바디(100)의 일면 상으로 연장되고, 제2 도전성 수지(200)는 제2 도전성 수지(200)의 일부가 바디(100) 및 후술하는 제2 외부전극(300) 사이에 배치되도록 바디(100)의 일면 상으로 연장될 수 있다. 제1 및 제2 도전성 수지(200)는 바디(100)의 일면 상에서 서로 접하지 않고 이격 될 수 있으며, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 사이의 영역에는 후술하는 제2 보호층(420)이 배치될 수 있다.
일례에 따른 인덕터(1000A)는 바디(100)의 일면 상에 서로 이격되어 배치되며, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각과 연결된 제1 및 제2 외부전극(300)을 더 포함할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 및 제2 외부전극(300)은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 와 연결됨으로써 제1 및 제2 도전성 수지(200)와 함께 하면 전극 구조를 구현할 수 있다. 제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 적어도 일부를 덮을 수 있으며, 예컨대 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
또한, 일례에 따른 인덕터(1000A)는 바디(100) 상에 배치된 제1 보호층(410)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 보호층(410)은 바디(100)의 타면, 양 단면 및 양 측면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다.
또한, 일례에 따른 인덕터(1000A)는 바디(100)의 일면 상에 배치된 제2 보호층(420)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 보호층(420)은 바디(100)의 일면 상으로 연장된 제1 및 제2 도전성 수지(200) 사이의 영역의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
한편, 일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우, 제1 및 제2 외부전극(300)은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 와 연결됨으로써 제1 및 제2 도전성 수지(200)와 함께 하면 전극 구조를 구현할 수 있다. 하면 전극 구조는 바디(100)의 타면, 양 단면 및 양 측면에는 외부전극이 배치되지 않고, 바디(100)의 일면에만 외부전극이 배치된 구조를 의미할 수 있다. 따라서, 바디(100)의 일면을 제외한 면에는 외부전극이 별도로 존재하지 않으므로 제품의 소형화가 가능한 효과를 가질 수 있다.
또한, 일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우, 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각을 통해 제1 및 제2 외부전극(300)각각과 연결될 수 있다. 이러한 구조를 통해 제1 인출부(122) 및 제2 인출부 각각 및 제1 및 제2 외부전극(300) 각각의 연결 경로를 최소화할 수 있으며, 인덕터는 낮은 직류 전류 저항(Rdc) 값을 가질 수 있다.
인덕터의 크기는 특별히 제한되지 않지만, 1608 (폭x길이 1.6mm x 0.8mm), 2012 (폭x길이 2.0mm x 1.2mm), 2016 (폭x길이 2.0mm x 1.6mm) 또는 1005 (폭x길이 1.0mm x 0.5mm) 사이즈(size)의 소형 인덕터일 수 있다. 일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우 고성능화 및 소형화가 가능한 효과를 가질 수 있다.
이하 일례에 따른 인덕터(1000A)의 각 구성에 대하여 보다 자세히 설명한다.
바디(100)는, 지지부재(110), 지지부재(110)의 일면 상에 배치된 제1 코일(120), 지지부재(110)의 타면 상에 배치된 제2 코일(130) 및 지지부재(110)와 제1 코일(120)을 매립하는 자성 물질(140)을 포함할 수 있다.
지지부재(110)는 절연 특성을 가질 수 있으며, 제1 코일(120) 및 제2 코일(130) 각각을 지지하는 역할을 수행할 수 있다. 지지부재(110)는 관통부(110H)를 가질 수 있으며, 지지부재(110)의 형상은 특별히 제한되지 않으나, 소정의 두께를 가지는 판형의 형상을 가질 수 있다.
지지부재(110)의 형성 재료로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지 또는 감광성 수지, 이러한 수지에 유리 섬유 및/또는 무기 필러와 같은 보강재가 함침된 수지 등을 사용할 수 있다. 예컨대, 지지부재(110)의 형성 재료로는 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 수지, PID(Photo Imagable Dielectric)등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
지지부재(110)는 제1 코일(120) 및 제2 코일(130)을 서로 연결하기 위한 비아를 형성하기 위한 비아홀을 더 포함할 수 있다. 비아홀은 복수의 비아홀로 구성될 수 있다. 비아홀의 형상은 지지부재(110)의 중심부에서 두께 방향(T)으로 멀어질수록 직경이 커지는 테이퍼드(tapered) 형상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 원통 형상 등의 공지된 형상일 수 있다.
제1 코일(120)은 제1 코일 패턴부(121), 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123)를 포함할 수 있다. 제1 코일 패턴부(121)는 전체적으로 스파이럴(spiral) 형상으로 권취될 수 있다. 제1 코일 패턴부(121), 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각의 단부는 바디(100)의 양 단면으로 노출될 수 있다. 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 중 어느 하나는 제1 코일 패턴부(121)와 접촉하여 연결되고, 다른 하나는 제1 코일 패턴부(121)와 접촉하지 않고 이격될 수 있다.
제1 코일(120)의 형성 재료로는 도전성 물질을 사용할 수 있으며, 예컨대 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
제2 코일(130)은 제2 코일 패턴부(131)를 포함하며, 제3 인출부(132) 및/또는 제4 인출부(133)를 더 포함할 수 있다. 제2 코일 패턴부(131)는 전체적으로 스파이럴(spiral) 형상으로 권취될 수 있다. 제2 코일 패턴부(131), 제3 인출부(132) 및 제4 인출부(133) 단부는 바디(100)의 양 단면으로 노출될 수 있다. 제3 인출부(132) 및 제4 인출부(133) 중 하나는 제2 코일 패턴부(131)와 접촉하여 연결되고, 다른 하나는 제2 코일 패턴부(131)와 접촉하지 않고 이격될 수 있다.
제2 코일(130)의 형성 재료로는 도전성 물질을 사용할 수 있으며, 예컨대 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
전술한 바와 같이 지지부재(110)는 복수의 비아홀을 더 포함할 수 있으며, 비아홀에 형성된 복수의 비아 각각을 통해 제1 코일 패턴부(121)는 제2 코일 패턴부(131)와 연결되고, 제1 인출부(122)는 제3 인출부(132)와 연결되며, 제2 인출부(123)는 제4 인출부(133)와 연결될 수 있다.
자성물질(140)은 자기 특성을 가지는 물질을 제한 없이 사용할 수 있다. 예컨대, 페라이트 또는 금속 자성 입자가 수지에 충진된 것을 사용할 수 있다. 또는, 페라이트와 같은 자성 물질로 이루어질 수도 있다. 페라이트는 Ni-Zn-Cu계 페라이트, Mn-Mg계 페라이트, Ba계 페라이트 또는 Li계 페라이트 등의 공지된 페라이트를 포함할 수 있다. 금속 자성 입자는 철(Fe), 실리 콘(Si), 크롬 (Cr), 알루미늄(Al), 및 니켈(Ni) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 바디(100)의 일면 모서리 영역 각각에 형성되어 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각을 노출시킨다. 도면에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각의 일부를 관통할 수 있다. 예컨대, 제1 리세스부(R)는 제1 인출부(122)를 관통할 수 으며, 제2 리세스부(R)는 제2 인출부(123)를 관통할 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 바디(100)만을 관통하여 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각을 노출시킬 수도 있다. 예컨대, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 두께 방향(T)으로 바디(100)와 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각의 계면까지 바디(100)를 관통할 수 있다.
제1 및 제2 리세스부(R) 각각의 크기는 특별히 제한되지는 않으나, 예컨대 2012 (폭x길이x두께 2.0mm x 1.2mm x 0.65mm) 사이즈의 인덕터의 경우, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각의 폭(w)은 20㎛ 내지 100㎛일 수 있으며, 깊이(d)는 130㎛ 내지 270㎛일 수 있다.
제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 코일바의 풀 다이싱(full-dicing) 수행 전 각 바디(100) 간의 경계선(다이싱 라인)에 대응되는 영역에 슬릿 다이싱(slit-dicing)을 수행함으로써 형성될 수 있다. 슬릿 다이싱(slit-dicing)에 이용되는 다이싱 팁(dicing tip)의 폭은 풀 다이싱(full-dicing) 라인의 폭보다 넓다. 여기서, 코일바는 바디(100)의 길이 방향과 폭 방향을 따라 복수의 바디(100)가 서로 연결되어 있는 상태를 의미한다. 또한, 풀 다이싱(full-dicing) 라인의 폭은 코일바를 싱귤레이션(singulation)하는 풀 다이싱(full-dicing)에 이용되는 풀 다이싱 팁(full-dicing tip)의 폭을 의미한다.
슬릿 다이싱(slit-dicing) 시 제1 및 제2 리세스부(R) 각각의 깊이는, 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각의 일부를 바디(100)의 일부와 함께 제거할 수 있도록 조절된다. 따라서, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각은 바디(100)의 일면에서 타면 방향으로 일부를 관통하며, 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각의 일부를 더 관통할 수도 있다. 이 때, 슬릿 다이싱(slit-dicing) 시 제1 및 제2 리세스부(R) 각각의 깊이는 코일바의 일면과 타면 전체을 관통하지는 않도록 조절된다. 이로 인해, 슬릿 다이싱(slit-dicing) 후에도 코일바는 복수의 바디(100)가 서로 연결되어 있는 상태로 유지될 수 있다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에 배치되어 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 연결된다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 접하는 제1 영역(210) 및 제1 영역(210)과 인접한 제2 영역(220)을 포함하고, 제1 영역(210)은 금속간 화합물(Intermetallic Compound, IMC)을 포함한다. 이 때, 제1 영역(210) 및 제2 영역(220)의 경계는 분명하지 않을 수 있다. 또한, 제1 영역(210) 및 제2 영역(220)의 경계의 형상은 특별히 제한되지 않는다.
도전성 수지(200)는 베이스 수지에 금속 입자들이 분산된 형태일 수 있다. 도전성 수지(200)는 도전성 페이스트(paste)를 건조 및/또는 경화시켜 형성할 수 있으며, 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste) 등일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 도전성 수지(200)에 포함된 금속 입자의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도전성 수지(200)는 제1 코일(120)의 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 접하는 영역에서 금속간 화합물(Intermetallic Compound, IMC)을 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각은 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 이 때 금속간 화합물(Intermetallic Compound, IMC)은 구리-주석(Cu-Sn), 은-주석(Ag-Sn) 및 니켈-주석(Ni-Sn) 중 적어도 하나를 포함 할 수 있다. 그러나, 금속간 화합물(Intermetallic Compound, IMC)의 종류가 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도전성 수지(200)의 제1 영역(210) 및 제2 영역(220)은 서로 다른 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 도전성 수지(200)의 제1 영역(210)은 구리(Cu) 및 주석(Sn)을 포함할 수 있으며, 도전성 수지(200)의 제2 영역(220)은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 또한, 도전성 수지(200)의 제2 영역(220)은 탄소(C)를 포함할 수도 있다. 그러나, 도전성 수지(200)의 제1 영역(210) 및 제2 영역(220) 각각에 포함되는 성분이 이에 제한되는 것은 아님은 물론이다.
제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 및 제2 외부전극(300) 각각의 구조가 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 단수의 금속층일 수도 있으며, 둘 이상의 금속층을 포함할 수도 있다. 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320) 각각의 형성 방법은 특별히 제한되지 않으나 공지의 도금 공정으로 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 금속층(151)은 니켈(Ni) 도금으로 형성하고, 제2 금속층(152)은 주석(Sn) 도금으로 형성할 수 있다.
제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320) 각각의 형성 재료로는 도전성 물질을 사용할 수 있으며, 예컨대 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 또한, 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제1 보호층(410) 및 제2 보호층(420) 각각은 인덕터를 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 제1 보호층(410) 및 제2 보호층(420) 각각은 절연층의 역할을 수행할 수 있다.
제1 보호층(410) 및 제2 보호층(420) 각각의 형성 재료로는 절연 물질을 사용할 수 있다. 예컨대, 제1 보호층(410) 및 제2 보호층(420) 각각의 형성 재료로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라서는, 감광성 절연(Photo Imagable Dielectric: PID) 수지를 사용할 수도 있다.
제1 보호층(410)은 바디(100) 상에 배치되어 바디(100)의 타면, 양 단면 및 양 측면 중 적어도 하나의 면의 각각의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예컨대, 제1 보호층(410)은 바디(100)의 타면, 양 단면 및 양 측면을 일체로 덮을 수 있다. 또한, 제1 보호층(410)은 제1 및 제2 도전성 수지(200)와 제1 및 제2 외부전극(300) 각각의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예컨대, 제1 보호층(410)은 바디(100)의 양 단면 및 측면 상에서 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 적어도 일부를 덮을 수 있으며, 제1 및 제2 외부전극(300) 각각의 측면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
제2 보호층(420)은 바디(100)의 일면 상에서 배치되어 바디(100)의 일면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예컨대, 제2 보호층(420)은 바디(100)의 일면 상으로 연장된 제1 및 제2 도전성 수지(200) 사이의 영역의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 따라서, 바디(100)의 일면 상에서 길이 방향(L)으로 제1 도전성 수지(200), 제2 보호층(420) 및 제2 도전성 수지(200)가 교대로 배치될 수 있다.
도 3은 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 인덕터(1000B)는 수지층(510) 및 금속층(520)을 포함하는 수지 부착 금속(500)을 더 포함한다. 수지 부착 금속(500)은 바디(100) 및 제1 외부전극(300) 사이에 배치된 제1 수지 부착 금속(500) 및 바디(100) 및 제2 외부전극(300) 사이에 배치된 제2 수지 부착 금속(500)을 포함할 수 있다.
제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500)은 서로 이격될 수 있으며, 제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500) 사이의 영역의 적어도 일부에는 제2 보호층(420)이 배치될 수 있다.
다른 일례에 따른 인덕터(1000B)는 슬릿 다이싱 수행 전에 바디(100)의 일면 상에 수지 부착 금속(500)을 배치함으로써 형성될 수 있다. 슬릿 다이싱 수행 시에, 바디(100)의 중심 영역에도 슬릿 다이싱을 수행하여 바디(100)의 일면을 노출시키면서 제1 및 제2 수지 부착 금속(500)을 길이 방향(L)으로 서로 이격 시킬 수 있다. 또한, 수지 부착 금속(500)은 RCC(Resin Coated Copper)를 바디(100) 상에 라미네이션(lamination)하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 도전성 수지(200), 제1 금속층(520) 및 제1 외부전극(300)은 서로 연결되고, 제2 도전성 수지(200), 제2 금속층(520) 및 제2 외부전극(300)은 서로 연결됨으로써 하면 전극 구조를 구현할 수 있다. 또한, 수지 부착 금속(500)을 포함함으로써, 접속 신뢰성이 개선될 수 있다.
수지층(510)의 형성 재료는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지에 무기 필러 및/또는 유리 섬유(Glass Cloth, Glass Fabric) 등의 보강재가 더 포함된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라서는, 감광성 절연(Photo Imagable Dielectric: PID) 수지를 사용할 수도 있다.
금속층(520)의 형성 재료는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 코일(120)의 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 접하는 영역 이외에 금속층(520)과 접하는 영역에서도 금속간 화합물 (intermetallic compound, IMC)을 포함하는 제1 영역(210)을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 금속층(520)의 측면과 접하는 영역에서도 금속간 화합물 (intermetallic compound, IMC)이 형성된 제1 영역(210)을 가질 수 있다.
한편, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에 충진되는 양을 조절함으로써, 제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각의 상면과 실질적으로 코플래너(coplanar)하도록 형성될 수 있다. 실질적으로 코플래너(coplanar)하다는 의미는 완벽히 코플래너(coplanar)한 경우뿐 아니라, 공정 상의 차이 등으로 인하여 발생하는 오차 범위를 포함하는 의미이다.
제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각과 제1 및 제2 금속층(520) 각각 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각과 제1 및 제2 금속층(520) 각각을 연속적으로 덮도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 외부전극(300)은 제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각과 제1 및 제2 금속층(520) 각각의 상면을 일체로 덮을 수 있다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 2와 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 4는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000C)는 다른 일례에 따른 인덕터(1000B)에 있어서, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각이 제1 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각 상으로 연장된다. 제1 도전성 수지(200)는 제1 수지 부착 금속(500)의 적어도 일부를 덮도록 제1 수지 부착 금속(500) 상으로 연장되고, 제2 도전성 수지(200)는 제2 수지 부착 금속(500)의 적어도 일부를 덮도록 제2 수지 부착 금속(500) 상으로 연장될 수 있다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 코일(120)의 제1 인출부(122) 및 제2 인출부(123) 각각과 접하는 영역 이외에 금속층(520)과 접하는 영역에서도 금속간 화합물 (intermetallic compound, IMC)을 포함하는 제1 영역(210)을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 금속층(520)의 상면과 접하는 영역에서도 금속간 화합물(Intermetallic Compound, IMC)이 형성된 제1 영역(210)을 가질 수 있다.
한편, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에 충진되는 양에 따라, 제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각 상으로 연장되어 형성될 수 있다. 도면 상으로 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각의 상면 전체를 덮는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 수지 부착 금속(500) 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각의 상면의 일부만을 덮을 수도 있다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 3과 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 5는 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000D)는 다른 일례에 따른 인덕터(1000B)에 있어서, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 두께가 일정하지 않으며, 상면이 플랫(flat)하지 않은 형상을 갖는다. 예컨대, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 두께는 바디(100)의 내측에서 외측 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 상면은 바디(100)의 내측에서 외측 방향으로 갈수록 하측으로 경사지도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 두께가 바디(100)의 내측에서 외측 방향으로 감소하다가 증가하거나 증가하다가 감소하는 영역을 가질 수도 있다.
제1 및 제2 도전성 수지(200)는 건조 및/또는 경화 공정에서 수축됨으로써 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000D)의 경우와 같이 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 두께가 일정하지 않으며, 상면이 플랫(flat)하지 않은 형상을 가질 수 있다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 최대 두께 및 최소 두께의 차이(t)는 특별히 제한되지는 않으나, 예컨대 2012 (폭x길이x두께 2.0mm x 1.2mm x 0.65mm) 사이즈의 인덕터의 경우, 50㎛ 이하일 수 있다.
제1 및 제2 외부전극(300) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 도면을 기준으로 제1 및 제2 외부전극(300) 각각의 상면은 바디(100)의 내측에서 외측 방향으로 갈수록 하측으로 경사지도록 형성될 수 있다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 4와 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 6은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000E)는 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000C)에 있어서, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각이 제1 및 제2 리세스부(R) 각각을 채우며, 바디(100)의 일면 상에서 제1 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각의 일부만을 덮도록 연장된다. 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 리세스부(R) 각각에 충진되는 양에 따라 제1 및 제2 수지 부착 금속(500) 각각의 상면의 일부만을 덮도록 형성될 수 있다.
또한, 바디(100)의 일면 상에서 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 두께는 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 중심부에서 주변부로 갈수록 감소할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각의 중심부에서 주변부로 갈수록 감소하다가 증가하거나 증가하다가 감소하는 영역을 가질 수도 있다.
제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 건조 및/또는 경화 공정에서 수축됨으로써 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000E)의 경우와 같이 제1 및 제2 도전성 수지(200)의 두께가 일정하지 않으며, 상면이 플랫(flat)하지 않은 형상을 가질 수 있다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 5와 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 7은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000F)는 일례에 따른 인덕터(1000A)에 있어서, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각의 두께 방향(T)으로의 최대 두께는 일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우보다 두껍다. 예컨대, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각의 두께는 제1 코일 패턴부(121)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각과 바디(100)의 일면 사이의 최소 거리는 제1 코일 패턴부(121)와 바디(100)의 일면 사이의 최소 거리보다 가까울 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리세스부(R) 각각의 깊이(d)는 일례에 따른 인덕터(1000A)의 경우보다 얕게 형성될 수 있다.
한편, 제2 코일(130)의 경우, 제2 코일 패턴부(131)의 두께는 제3 인출부(132) 및 제4 인출부(133) 각각의 두께보다 얇은 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 코일 패턴부(131)의 두께는 제3 인출부(132) 및 제4 인출부(133) 각각의 두께보다 두꺼울 수도 있으며, 제3 인출부(132) 및 제4 인출부(133) 각각의 두께와 실질적으로 동일할 수도 있다.
한편, 제1 및 제2 도전성 수지(200) 각각은 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각보다 높은 저항 값을 가지는 경우가 있을 수 있으며, 이 경우 인덕터 전체의 저항 값을 증가시키는 부작용이 있을 수 있다. 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000F)의 경우, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각의 두께를 두껍게 형성하고 제1 및 제2 리세스부(R)의 깊이를 얕게 조절함으로써, 제1 및 제2 도전성 수지(200)의 양을 줄일 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 도전성 수지(200)로 인한 저항 값의 증가를 개선할 수 있다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 6과 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 8은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000F)는 일례에 따른 인덕터(1000B)에 있어서, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각이 도 7에 개시된 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각의 구조를 갖는다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 7과 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 9은 또 다른 일례에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 또 다른 일례에 따른 인덕터(1000G)는 일례에 따른 인덕터(1000C)에 있어서, 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각이 도 7에 개시된 제1 및 제2 인출부(122, 123) 각각의 구조를 갖는다.
그 외에 다른 내용은 도 1 내지 도 7과 관련하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 상면, 상측, 하면, 하측 등의 용어는 도면을 기준으로 설명하였다.
본 명세서에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 개시에서 사용된 일례라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
Claims (9)
- 지지부재, 상기 지지부재의 일면 상에 배치되며 제1 및 제2 인출부를 포함하는 제1 코일 및 상기 지지부재와 상기 제1 코일을 매립하는 자성 물질을 포함하는 바디;
상기 바디의 일면의 모서리 영역 각각에 형성되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각을 노출시키는 제1 및 제2 리세스부; 및
상기 제1 및 제2 리세스부 각각에 배치되어 상기 제1 및 제2 인출부 각각과 연결되는 제1 및 제2 도전성 수지; 를 포함하고,
상기 제1 및 제2 도전성 수지 각각은 상기 제1 인출부 및 상기 제2 인출부 각각과 접하는 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역을 포함하고,
상기 제1 및 제2 도전성 수지의 제1 영역은,
금속간 화합물을 포함하며,
상기 제1 및 제2 도전성 수지의 제2 영역과 상기 제1 및 제2 인출부 각각과 다른 금속 조성을 포함하고,
상기 바디 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전성 수지의 적어도 일부를 각각 커버하며, 절연 물질을 포함하는 제1 보호층을 포함하는 인덕터.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 리세스부는 상기 제1 인출부의 일부를 관통하고,
상기 제2 리세스부는 상기 제2 인출부의 일부를 관통하는 인덕터.
- 제1 항에 있어서,
상기 바디의 일면 상에 서로 이격되어 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전성 수지 각각과 연결된 제1 및 제2 외부전극; 을 더 포함하는 인덕터.
- 제3 항에 있어서,
상기 제1 도전성 수지는 상기 제1 도전성 수지의 일부가 상기 바디 및 상기 제1 외부전극 사이에 배치되도록 상기 바디의 일면 상으로 연장되고,
상기 제2 도전성 수지는 상기 제2 도전성 수지의 일부가 상기 바디 및 상기 제2 외부전극 사이에 배치되도록 상기 바디의 일면 상으로 연장된 인덕터.
- 제3 항에 있어서,
상기 바디 및 상기 제1 외부전극 사이에 배치된 제1 수지 부착 금속; 및
상기 바디 및 상기 제2 외부전극 사이에 배치된 제2 수지 부착 금속; 을 더 포함하며,
상기 제1 및 제2 수지 부착 금속 각각은 수지층 및 금속층을 포함하는 인덕터.
- 제5 항에 있어서,
상기 제1 도전성 수지는 상기 제1 수지 부착 금속의 적어도 일부를 덮도록 상기 제1 수지 부착 금속 상으로 연장되고,
상기 제2 도전성 수지는 상기 제2 수지 부착 금속의 적어도 일부를 덮도록 상기 제2 수지 부착 금속의 상으로 연장된 인덕터.
- 제1 항에 있어서,
상기 금속간 화합물은 구리-주석(Cu-Sn), 은-주석(Ag-Sn) 및 니켈-주석(Ni-Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 인덕터.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 코일은 상기 제1 및 제2 인출부 사이에 배치된 코일 패턴부를 더 포함하며,
상기 제1 및 제2 인출부 각각과 상기 바디의 일면 사이의 최소 거리는 상기 코일 패턴부와 상기 바디의 일면 사이의 최소 거리보다 가까운 인덕터.
- 제3 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부전극 각각은 제1 금속층 및 제2 금속층을 포함하는 인덕터.
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