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KR102393740B1 - Control of the amplitude and phase of diffraction orders using a polarized target and polarized illumination - Google Patents

Control of the amplitude and phase of diffraction orders using a polarized target and polarized illumination Download PDF

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KR102393740B1
KR102393740B1 KR1020187019468A KR20187019468A KR102393740B1 KR 102393740 B1 KR102393740 B1 KR 102393740B1 KR 1020187019468 A KR1020187019468 A KR 1020187019468A KR 20187019468 A KR20187019468 A KR 20187019468A KR 102393740 B1 KR102393740 B1 KR 102393740B1
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South Korea
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target
phase shift
scatterometry
illumination
metrology
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블라디미르 레빈스키
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케이엘에이 코포레이션
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Abstract

계측 스캐터로메트리 타겟, 광학 시스템 및 대응하는 계측 툴, 및 측정 방법이 제공된다. 타겟 및/또는 광학 시스템은, 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성함으로써, 스캐터로메트리 타겟으로부터의 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호들을 향상시키도록 설계된다. 예를 들어, 타겟은 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제1 위상 시프트를 생성함으로써 편광 조명에 응답하도록 설계될 수도 있고, 광학 시스템들은 편광 조명에 의해 타겟을 조명하고 결과적인 회절 신호를 분석하여, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이의 제2 위상 시프트를 야기하도록 설계될 수도 있다. 0° 와 180° 사이의 위상 시프트로, 0 차 회절 신호를 상쇄하기 위해 위상 시프트는 180°까지 가산된다. Metrology scatterometry targets, optical systems and corresponding metrology tools, and measurement methods are provided. The target and/or optical system generates a phase shift of 180° between the 0th order diffraction signals upon illumination of the scatterometry target, whereby the 1st order diffraction signal relative to the 0th order diffraction signal from the scatterometry target designed to improve For example, a target may be designed to respond to polarized illumination by creating a first phase shift between the zeroth order diffraction signals upon illumination, and optical systems illuminate the target with polarized illumination and analyze the resulting diffraction signal Thus, it may be designed to cause a second phase shift between the 0th order diffraction signals upon illumination. With a phase shift between 0° and 180°, the phase shift is added up to 180° to cancel the 0th order diffraction signal.

Figure R1020187019468
Figure R1020187019468

Description

편광 타겟 및 편광 조명을 사용한 회절 차수의 진폭 및 위상의 제어 Control of the amplitude and phase of diffraction orders using a polarized target and polarized illumination

관련 출원에 대한 상호 참조 CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS

본 출원은 2015년 12월 8일자로 출원된 미국 가출원 제62/264,514호의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에 그 전체가 참조로서 포함된다.This application claims the benefit of US Provisional Application No. 62/264,514, filed December 8, 2015, which is incorporated herein by reference in its entirety.

본 발명은 계측(metrology)의 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 계측 툴의 광학 시스템에서 편광 타겟 및 대응하는 편광 제어에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to the field of metrology, and more particularly to the control of polarization targets and corresponding polarizations in optical systems of metrology tools.

광학 오버레이 측정을 위한 현재의 방법은 두 가지 주요 기술, 이미징(Imaging)과 스캐터로메트리(Scatterometry)에 의존한다. 이미징에서, 주기적 타겟의 위치는 광학 시스템의 시야에서 측정되고, 오버레이(overlay, OVL)는 상이한 층들에 프린트된 타겟의 위치로부터 추론된다. 스캐터로메트리는 상이한 층들에 프린트된 주기적인 오버레이 마크(주기적 구조물을 가진 타겟)에 의해 산란된 전자기(electromagnetic, EM) 파들 사이의 간섭을 사용하여, 층들의 상대적 변위를 추론한다. 두 경우 모두, 산란된 EM 파의 회절 차수(diffraction order)의 진폭 및 위상에 대한 제어는 오버레이 측정의 정확도 및 정밀도에 결정적인 영향을 줄 수도 있다.Current methods for optical overlay measurements rely on two main techniques, Imaging and Scatterometry. In imaging, the position of a periodic target is measured in the field of view of the optical system, and an overlay (OVL) is inferred from the position of the target printed in different layers. Scatterometry uses interference between electromagnetic (EM) waves scattered by periodic overlay marks (targets with periodic structures) printed on different layers to infer the relative displacement of the layers. In either case, the control over the amplitude and phase of the diffraction order of the scattered EM wave may have a decisive effect on the accuracy and precision of the overlay measurement.

다음은 본 발명의 초기 이해를 제공하는 간략한 요약이다. 요약은 반드시 핵심 구성 요소를 식별하는 것도 아니고 본 발명의 범위를 제한하는 것도 아니며, 단지 다음의 설명을 소개하는 역할을 할 뿐이다.The following is a brief summary to provide an initial understanding of the present invention. The Summary does not necessarily identify key components nor limit the scope of the invention, but merely serves to introduce the following description.

본 발명의 일 양태는, 본 발명의 일 양태는, 스캐터로메트리 타겟을 설계하고 및/또는 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 계측 툴의 광학 시스템을 구성함으로써, 조악한(coarse) 피치를 갖는 스캐터로메트리 타겟으로부터의 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호를 향상하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.One aspect of the present invention provides that a scatterometry target is designed and/or instrumented to produce a 180° phase shift between zeroth order diffraction signals upon illumination of the scatterometry target. There is provided a method comprising enhancing a first order diffraction signal with respect to a zero order diffraction signal from a scatterometry target having a coarse pitch by configuring the optical system of the tool.

본 발명의 이러한, 부가적인, 및/또는 다른 양태들 및/또는 이점들은 다음의 상세한 설명에 제시되고; 가능하면 상세한 설명으로부터 추론할 수 있고; 및/또는 본 발명의 실시에 의해 학습 가능하다.These, additional, and/or other aspects and/or advantages of the present invention are set forth in the detailed description that follows; Where possible, it can be inferred from the detailed description; and/or learnable by practice of the present invention.

본 발명의 실시예를 더 잘 이해하고 그 실시예가 어떻게 수행될 수 있는지를 나타내기 위해, 순전히 예로서, 이제 첨부 도면을 참조할 것이며, 첨부 도면에서 유사한 도면 부호는 전체에 걸쳐 대응하는 엘리먼트 또는 섹션을 나타낸다.
첨부 도면에서,
도 1a는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 0 차 회절 신호를 상쇄하기 위한 편광 위상 제어를 구현하는 계측 시스템(105)의 하이 레벨 개략도이다.
도 1b, 1c, 2a 및 2c는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 스캐터로메트리 타겟의 하이 레벨 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 광학 시스템의 하이 레벨 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 방법을 나타내는 하이 레벨 흐름도이다.
In order to better understand an embodiment of the invention and to show how the embodiment may be practiced, reference will now be made to the accompanying drawings, purely by way of example, in which like reference numerals refer throughout to corresponding elements or sections. indicates
In the attached drawing,
1A is a high-level schematic diagram of a metrology system 105 implementing polarization phase control to cancel a zero-order diffraction signal, in accordance with some embodiments of the present invention.
1B, 1C, 2A, and 2C are high level schematic diagrams of scatterometry targets, in accordance with some embodiments of the present invention.
3 is a high level schematic diagram of an optical system, in accordance with some embodiments of the present invention.
4 is a high-level flow diagram illustrating a method, in accordance with some embodiments of the present invention.

이하의 설명에서, 본 발명의 다양한 양태가 설명된다. 설명을 위해, 특정 구성 및 세부 사항이 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 당업자에게는 본 발명이 본 명세서에 제공된 특정 세부 사항 없이 실시될 수 있음이 또한 명백할 것이다. 또한, 잘 알려진 특징들은 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해 생략되거나 단순화되었을 수 있다. 도면을 구체적으로 언급하면, 도시된 세부 사항은 단지 예시적이고 본 발명의 설명적인 논의를 위한 목적일 뿐이며, 발명의 원리들 및 개념적 측면들의 가장 유용하고 쉽게 이해될 수 있는 설명인 것으로 믿어지는 것을 제공하기 위해 제시된다는 점이 강조된다. 이와 관련하여, 본 발명의 근본적인 이해를 위해 필요한 것보다 본 발명의 구조적 상세 사항을 보다 상세하게 나타내려는 시도는 없으며, 도면으로 설명하는 것은 본 발명의 여러 형태가 실제로 어떻게 구현될 수 있는지를 당업자에게 명백하게 할 것이다.In the following description, various aspects of the present invention are set forth. For purposes of explanation, specific configurations and details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will also be apparent to one skilled in the art that the present invention may be practiced without the specific details provided herein. Also, well-known features may be omitted or simplified in order not to obscure the present invention. With specific reference to the drawings, it is provided that the details shown are illustrative only and for purposes of descriptive discussion of the invention, what is believed to be the most useful and easily understood description of the principles and conceptual aspects of the invention. It is emphasized that it is presented to In this regard, no attempt is made to show structural details of the invention in more detail than are necessary for a fundamental understanding of the invention, and the description of the drawings will help those skilled in the art understand how the various aspects of the invention may be embodied in practice. will make it clear

본 발명의 적어도 하나의 실시예가 상세히 설명되기 전에, 본 발명은 그 적용에 있어서 이하의 설명에서 제시되거나 도면에서 도시된 컴포넌트의 구성 및 배열의 상세에 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 본 발명은 개시된 실시예들의 조합뿐만 아니라 다양한 방식으로 실시되거나 수행될 수 있는 다른 실시예들에 적용 가능하다. 또한, 여기에서 사용된 어법(phraseology) 및 용어는 설명의 목적을 위한 것이며 제한적으로 간주되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다.Before at least one embodiment of the present invention is described in detail, it is to be understood that the present invention, in its application, is not limited to the details of construction and arrangement of components set forth in the following description or shown in the drawings. The invention is applicable not only to combinations of the disclosed embodiments, but also to other embodiments that may be practiced or carried out in various ways. Also, it is to be understood that the phraseology and terminology used herein is for the purpose of description and should not be regarded as limiting.

다르게 특정하게 언급되지 않는 한, 다음의 설명으로부터 명백한 바와 같이, "처리(proceessing)", "컴퓨팅(computing)", "계산(calculating)", "결정(determining)", "향상(enhancing)" 등과 같은 용어를 이용하는 논의는 명세서 전반에 걸쳐 컴퓨팅 시스템의 레지스터 및/또는 메모리 내의 전자적 양과 같이 물리적인 양으로 표현된 데이터를, 컴퓨팅 시스템의 메모리, 레지스터 또는 다른 그러한 정보 저장, 송신 또는 디스플레이 디바이스 내의 물리적 양으로서 유사하게 표현된 다른 데이터로 조작하고/하거나 변환하는 컴퓨터 또는 컴퓨팅 시스템, 또는 유사한 전자 컴퓨팅 디바이스의 동작 및/또는 프로세스를 지칭한다는 것이 인식된다.Unless specifically stated otherwise, "processing", "computing", "calculating", "determining", "enhancing", as apparent from the following description, Discussions using terms such as, etc., refer throughout this specification to refer to data expressed in physical quantities, such as electronic quantities in registers and/or memory of a computing system, to physical quantities in memory, registers or other such information storage, transmission, or display devices of the computing system. It is recognized that it refers to the operation and/or process of a computer or computing system, or similar electronic computing device, that manipulates and/or transforms other data that is similarly expressed as a quantity.

본 발명자들은 타겟 비대칭이 존재할 때, 타겟 비대칭 증폭의 메카니즘이 스캐터로메 트리 OVL의 경우에 제1 회절 차수들 사이의 지형(topographic) 위상에서의 차이 값에 연결된다는 것(상부 및 하부 격자들로부터의 +1 및 -1)과, 타겟 비대칭 증폭의 메카니즘이 이미징 OVL의 경우에 제1 및 제로 회절 차수 사이의 지형 위상에서의 차이의 값에 연결된다는 것(상부 및 하부 격자로부터의 ± 1 및 0)을 발견하였다. 지형 위상 제어를 위한 어떤 하드웨어(HW) 가능성은 OVL 측정의 정확도를 크게 향상시킬 수도 있다.We show that when target asymmetry is present, the mechanism of target asymmetry amplification is linked to the difference value in topographic phase between the first diffraction orders in the case of scatterometry OVL (from the upper and lower gratings). +1 and -1) and that the mechanism of target asymmetric amplification is linked to the value of the difference in topographical phase between the first and zero diffraction orders in the case of imaging OVL (±1 and 0 from the upper and lower gratings). ) was found. Some hardware (HW) possibilities for terrain phase control may greatly improve the accuracy of OVL measurements.

본 발명자들은 추가로, 다른 상대적으로 공통적인 측정 문제가 0의 진폭과 다른 회절 차수 사이에 큰 차이가 있어 매우 낮은 이미지 콘트라스트를 야기할 때 발생한다는 것을 발견하였다. 2 개의 측정된 층으로부터의 제1 회절 차수의 진폭이 크기의 차수보다 크게 차이날 때, 동일한 문제가 스케터로메트리 OVL에 나타난다. 이러한 경우, 적절한 회절 차수의 진폭을 줄이면 측정의 정밀도와 정확도가 크게 향상될 수 있다.The inventors have further discovered that another relatively common measurement problem arises when there is a large difference between an amplitude of zero and other diffraction orders, resulting in very low image contrast. The same problem appears in scatterometry OVL when the amplitude of the first diffraction order from the two measured layers differs by more than the order of magnitude. In this case, reducing the amplitude of the appropriate diffraction order can greatly improve the precision and accuracy of the measurement.

그 전체가 본 명세서에 참고로 통합된 다음의 관련 문서는, 정확도의 상호 향상을 달성하기 위해 본 개시 내용과 통합될 수도 있으며, 이러한 조합은 본 발명의 부분으로 간주된다. (i) WIPO 특허 공보 No. PCT/US15/62523호는 레시피 파라미터(들)에 대한 계측 메트릭(들)(metrology metric)의 부분적으로 연속적인 의존성을 유도하고, 유도된 의존성을 분석하고, 분석에 따라 계측 레시피를 결정하고, 계측 측정(들)을 결정된 레시피에 따라 결정한다는 것을 개시한다. (ⅱ) 미국 특허 출원 제62/222724호는 지형 위상 제어를 위한 상이한 접근법(주로 HW 옵션)을 개시하고, 가장 적절한 레시피 설정을 선택하기 위한 실용적인 기준을 제공한다. (iii) 내부 문서는 오버레이 측정의 정밀도 및 정확도를 향상시키기 위해 제로 회절 차수의 진폭 및 위상을 제어하는 것을 개시하다. 예를 들어, 이 문서는 누설 차단기, 적응형 광학 엘리먼트의 사용 및 간섭 제어를 포함하여 제로 회절 차수 제어를 위한 HW 옵션의 구현을 개시한다. 본 개시는 편광 타겟 및 편광 제어 HW를 사용하여 회절 차수 파라미터에 대한 추가적인 제어 레벨을 제공하는데 초점을 둔다. 또한, 본 개시는 비교적 단순한 HW를 사용하고, 타겟 디자인 절차와 연관되며, 제1 회절 차수 신호에 대해 비제한적인 방식으로 예시되었지만, 임의의 회절 차수에 적용될 수 있다.The following related documents, which are hereby incorporated by reference in their entirety, may also be incorporated with the present disclosure to achieve mutual improvement in accuracy, and such combinations are considered a part of the present invention. (i) WIPO Patent Publication No. PCT/US15/62523 describes deriving a partially continuous dependence of metrology metric(s) on recipe parameter(s), analyzing the derived dependence, determining a metrology recipe according to the analysis, and measuring It discloses determining the measurement(s) according to the determined recipe. (ii) US Patent Application No. 62/222724 discloses different approaches (mainly HW options) for terrain topology control, and provides practical criteria for selecting the most appropriate recipe settings. (iii) The internal document discloses controlling the amplitude and phase of the zero diffraction order to improve the precision and accuracy of overlay measurements. For example, this document discloses the implementation of HW options for zero diffraction order control, including the use of leak blockers, adaptive optical elements, and interference control. This disclosure focuses on providing an additional level of control over the diffraction order parameters using a polarization target and a polarization control HW. Also, although the present disclosure uses relatively simple HW, is associated with a target design procedure, and is illustrated in a non-limiting manner with respect to a first diffraction order signal, it may be applied to any diffraction order.

계측 스캐터로메트리 타겟, 광학 시스템 및 대응하는 계측 툴, 및 측정 방법이 제공된다. 타겟 및/또는 광학 시스템은, 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성함으로써, 스캐터로메트리 타겟으로부터의 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호들을 향상시키도록 설계된다. 예를 들어, 타겟은 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제1 위상 시프트를 생성함으로써 편광 조명에 응답하도록 설계될 수도 있고, 광학 시스템들은 편광 조명에 의해 타겟을 조명하고 결과적인 회절 신호를 분석하여, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이의 제2 위상 시프트를 야기하도록 설계될 수도 있다. 0°와 180°사이의 위상 시프트로, 0 차 회절 신호를 상쇄하기 위해 위상 시프트는 180°까지 가산된다. Metrology scatterometry targets, optical systems and corresponding metrology tools, and measurement methods are provided. The target and/or optical system generates a phase shift of 180° between the 0th order diffraction signals upon illumination of the scatterometry target, whereby the 1st order diffraction signal relative to the 0th order diffraction signal from the scatterometry target designed to improve For example, a target may be designed to respond to polarized illumination by creating a first phase shift between the zeroth order diffraction signals upon illumination, and optical systems illuminate the target with polarized illumination and analyze the resulting diffraction signal Thus, it may be designed to cause a second phase shift between the 0th order diffraction signals upon illumination. With a phase shift between 0° and 180°, the phase shift is added up to 180° to cancel the zero-order diffraction signal.

도 1a는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 0 차 회절 신호를 상쇄하기 위한 편광 위상 제어를 구현하는 계측 시스템(105)의 하이 레벨 개략도이다. 계측 시스템(105)은 스캐터로메트리 계측 타겟(100) 및 광학 시스템(150)을 갖는 계측 툴을 포함한다. 스캐터로메트리 계측 타겟(100)은 조악한 피치를 가지며, 그 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제1 위상 시프트(121)를 생성하도록 구성된다. 광학 시스템(150)은 2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 타겟(100)을 조명하고, 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향에서 결과적인 회절 신호를 분석하여 그 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제2 위상 시프트(122)를 생성하도록 구성된다. 제1 위상 시프트(121) 및 제2 위상 시프트(122)의 합은 0 차 회절 신호를 상쇄시키기 위해 180°이다. 도 1a는 회절 차수의 편광을 개략적으로 나타내는데, 0 차 성분은 180°위상의 추가에 의해 상쇄되는 반면에, 제1 회절 차수는 +1 차 성분에 180° 위상이 추가된 -1 차 성분의 추가에 의해 향상된다. 계측 시스템(105)은 아래에 설명된 바와 같이, 타겟 설계만으로, 광학 시스템 설계만으로, 또는 타겟 설계 및 광학 시스템 설계에 대한 조합된 조정에 의해, 0 차 회절 신호를 상쇄하도록 구성될 수도 있다.1A is a high-level schematic diagram of a metrology system 105 implementing polarization phase control to cancel a zero-order diffraction signal, in accordance with some embodiments of the present invention. Metrology system 105 includes a metrology tool having a scatterometry metrology target 100 and an optical system 150 . The scatterometry metrology target 100 has a coarse pitch and is configured to create a first phase shift 121 between the zeroth order diffraction signals upon illumination of the target. The optical system 150 illuminates the target 100 by two vertically polarized illumination components and analyzes the resulting diffraction signals in two vertically polarized directions that complement the two vertically polarized illumination components to illuminate the target. and generate a second phase shift 122 between the zero-order diffraction signals at the time. The sum of the first phase shift 121 and the second phase shift 122 is 180° to cancel the zero-order diffraction signal. Figure 1a schematically shows the polarization of the diffraction order, where the 0th order component is canceled by the addition of 180° phase, while the 1st diffraction order is the +1st order component with the addition of the −1st order component with 180° phase added. is improved by Metrology system 105 may be configured to cancel the zero-order diffraction signal, as described below, by target design alone, optical system design alone, or combined adjustments to the target design and optical system design.

도 1b는 본 발명의 일부 실시 예에 따른, 스캐터로메트리 타겟(100)의 하이 레벨 개략도이다. 타겟(100)은 조명에 대해 회절 신호의 편광을 변화시키도록 구성되며, 따라서 편광 타겟으로 지칭된다. 타겟(100)은 강건한 하드웨어 편광 제어를 제공하도록 구성된 광학 시스템과 관련하여 회절 신호를 제공하도록 측정될 수도 있다(예시적인 비제한적인 옵션으로서 이하의 시스템(150)을 참조). 타겟(100)은 메트롤로지 툴(예를 들어, 1000-2000nm)에 의해 잘 결정되는 조악한 피치(P1)를 갖는다. 타겟(100)은 180° 위상 시프트를 생성하기 위해 조악한 피치의 절반으로 수직 편광 엘리먼트(103)를 가짐으로써, 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된다. 조악한 피치 영역의 부분(110), 예를 들어 그 절반은, 미세한, 미분해된 피치(P2)에 의해 한 방향(예를 들어, X 방향)으로 분할되는 반면에, 다른 부분(115), 예를 들어 조악한 피치 영역의 나머지 절반은, 제1 방향에 수직인 방향(예를 들어, Y 방향)으로 동일 미세 분할 피치(P2)로 분할된다. 그 결과, 타겟 유닛 셀(101, 102)이 피치(P1)의 절반만큼 시프트되기 때문에, X 및 Y 방향의 편광 조명으로부터의 제1 회절 차수 신호는 180°(π)의 위상차를 갖는다. 그러므로, 셀(101 및 102)로부터의 0 차 신호는 서로 상쇄되며, 셀(101 및 102)로부터의 1 차 신호는 +1 회절 차수 신호와 -1 회절 차수 신호 사이의 180°(π)의 고유 위상으로 인해 합산된다. 2λ보다 큰 피치들에 대하여, 제2 회절 차수 및 그 보다 큰 회절 차수가 포함될 수 있으며, 위상차가 그 피치들을 제거/향상시키는데 또한 사용될 수도 있다(예를 들어, 180° 위상차는 우수(even) 회절 차수를 제거하고, 기수(odd) 회절 차수를 향상시킴).1B is a high level schematic diagram of a scatterometry target 100 in accordance with some embodiments of the present invention. The target 100 is configured to change the polarization of the diffraction signal with respect to illumination and is therefore referred to as a polarization target. The target 100 may be measured to provide a diffraction signal in connection with an optical system configured to provide robust hardware polarization control (see system 150 below as an exemplary, non-limiting option). The target 100 has a coarse pitch P1 well determined by a metrology tool (eg 1000-2000 nm). The target 100 is configured to create a 180° phase shift between the 0th order diffraction signals upon illumination of the target, by having the vertically polarizing elements 103 at half coarse pitch to produce a 180° phase shift. . A portion 110 , eg half of, of the coarse pitch region is divided in one direction (eg X direction) by a fine, unresolved pitch P2 , while another portion 115 , eg For example, the other half of the coarse pitch region is divided into the same fine division pitch P2 in a direction perpendicular to the first direction (eg, Y direction). As a result, since the target unit cells 101 and 102 are shifted by half the pitch P1, the first diffraction order signal from the polarized illumination in the X and Y directions has a phase difference of 180° (π). Therefore, the 0th order signals from cells 101 and 102 cancel each other out, and the 1st order signals from cells 101 and 102 have an inherent 180° (π) between the +1 diffraction order signal and the -1 diffraction order signal. They are summed due to phase. For pitches greater than 2λ, a second diffraction order and a higher diffraction order may be included, and a phase difference may also be used to remove/enhance those pitches (eg, a 180° phase difference even diffracts remove orders, enhance odd diffraction orders).

도 1c는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 스캐터로메트리 타겟(100)의 하이 레벨 개략도이다. 타겟(100)은 프로세스 호환성을 향상시키기 위해 양 방향으로 분할될 수도 있다. 수직으로 편광된 엘리먼트(103)는 미세한 피치로 분할될 수도 있다. 도 1c에서, 피치(P3)를 갖는 추가적인 분할이 도 1b에 도시된 타겟 설계에 추가된다. 2 차 편광 효과 및 타겟 서브 셀(101, 102) 사이의 대칭성의 파괴를 피하기 위해, 두 미세한 피치 분할은, X 및 Y 방향으로 동일한 피치로 수행될 수도 있다.1C is a high level schematic diagram of a scatterometry target 100 , in accordance with some embodiments of the present invention. The target 100 may be partitioned in both directions to improve process compatibility. The vertically polarized elements 103 may be divided into fine pitches. In FIG. 1C , an additional division with pitch P 3 is added to the target design shown in FIG. 1B . In order to avoid the secondary polarization effect and the destruction of symmetry between the target sub-cells 101 and 102, the two fine pitch divisions may be performed with the same pitch in the X and Y directions.

타겟 피치들(예를 들어, P1, P2, P3 중 임의의 것), 필드 필(fill) 팩터(듀티 사이클), 분할 타입 등을 선택함으로써, 타겟(100)이 구성될 수도 있다. 나란히 있는 이미징 타겟의 경우에, 다른 층의 주기적 구조물을 측정하기 위해 하나의 층에서 분해되지 않은 주기적 구조물을 사용하여, 타겟 설계를 최적화하는 추가 피처를 구성할 수도 있다(예를 들어, 하부 격자 측정을 위하여 상부 층에서의 미분해된 주기 구조물을 사용함 및 그 반대)Target 100 may be constructed by selecting target pitches (eg, any of P 1 , P 2 , P 3 ), field fill factor (duty cycle), segmentation type, and the like. In the case of side-by-side imaging targets, the use of non-resolved periodic structures in one layer to measure periodic structures in other layers may be used to construct additional features to optimize target design (e.g., lower grating measurements). for the use of undissolved periodic structures in the upper floors and vice versa)

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일부 실시 예에 따른, 스캐터로메트리 타겟(100)의 하이 레벨 개략도이다. 타겟(100)은 초기 비편광 구조물(90)(분해(resovled) 피치(P1)를 가짐) 및 적어도 하나의 편광 구조물(146)(더 미세한, 분해되지 않은 피치 P2 < P1, 더미 구조물이라고도 함)를 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층(145)을 포함하며, 상기 추가 타겟 층(145)은, 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된다. 예를 들어, 추가 타겟 층(들)(145)은 초기 층(90) 위 또는 아래에 있을 수도 있다(각각 도 2a 및 2b에 도시됨). 미분해된 피치(P2)는 예를 들어, 분해된 피치(P1)의 절반일 수도 있다. 미분해된 피치(P2) 및 층(90)에 대한 층(145)의 위치 및 거리는, 180°일 수 있는 특정 제1 위상 시프트(121)를 생성하도록 선택될 수도 있지만, 0 차 회절 차수를 상쇄시키기 위하여 180°의 전체적인 위상 시프트를 생성하도록 광학 시스템(150)의 제2 위상 시프트(122)에 의해 보완되는 다른 값을 가질 수도 있다. 도시된 방식으로, 임의의 중간 또는 하부 층에서의 미분해된 주기 구조물은, 사이드-바이-사이드 및 격자-오버-격자 타겟에 대한 타겟 설계 최적화에 사용될 수도 있다. 2A and 2B are high-level schematic diagrams of a scatterometry target 100 , in accordance with some embodiments of the present invention. The target 100 includes an initial non-polarizing structure 90 (with a resolved pitch P1) and at least one polarizing structure 146 (finer, unresolved pitch P 2 < P 1 , also referred to as a dummy structure). at least one additional target layer (145) having For example, additional target layer(s) 145 may be above or below the initial layer 90 (shown in FIGS. 2A and 2B , respectively). The unresolved pitch P2 may be, for example, half of the resolved pitch P 1 . The unresolved pitch P2 and the position and distance of the layer 145 relative to the layer 90 may be selected to produce a specific first phase shift 121 , which may be 180°, but cancels the zeroth diffraction order. may have other values that are complemented by the second phase shift 122 of the optical system 150 to produce an overall phase shift of 180°. In the manner shown, the unresolved periodic structure in any intermediate or lower layer may be used for target design optimization for side-by-side and grating-over-grating targets.

층(145) 내의 미분해된 주기 구조물(146)은 이들이 배치되는 층의 유효 유전율을 변화시키고, 따라서 전체 스택 내에서 회절 차수의 생성 및 전파에 영향을 미친다. 이에 따라, 설계 룰 피치에 가까운 피치에서의 미분해된 더미 구조물 및 분할은, 측정된 타겟의 편광에 대한 감도를 향상시킬 수도 있다. 미분해된 더미 구조물(145)의 필드 필 팩터는 또한 조명 편광에 대한 타겟의 응답을 제어하도록 수정되거나 설계될 수도 있다. 타겟[층(90)]과 상보적인 층[더미(145)] 내의 더미 구조물 사이의 발생 가능한 누화(cross-talk)를피하기 위해, 더미 구조 엘리먼트(146)는 측정된 타겟 주기 방향에 직교하는 방향으로 분할되게 설계될 수도 있다. 편광 구조물(들)(145)은 초기 비편광 구조물(90)의 분할 방향에 수직인 방향을 따라 분할될 수도 있다. 따라서, 추가적인 층(145)은 도 2a 및 도 2b의 도시된 X 방향 분할을 따르기 보다는 Y 방향을 따라 분할될 수도 있다.Unresolved periodic structures 146 in layer 145 change the effective permittivity of the layer in which they are disposed, thus affecting the generation and propagation of diffraction orders within the overall stack. Accordingly, unresolved dummy structures and divisions at pitches close to the design rule pitch may improve the measured target's sensitivity to polarization. The field fill factor of the unresolved dummy structure 145 may also be modified or designed to control the response of the target to the illumination polarization. To avoid possible cross-talk between the target (layer 90) and the dummy structures in the complementary layer (dummy 145), the dummy structural element 146 is oriented orthogonal to the measured target period direction. It may be designed to be divided into The polarizing structure(s) 145 may be divided along a direction perpendicular to the division direction of the initial non-polarizing structure 90 . Accordingly, the additional layer 145 may be partitioned along the Y-direction rather than following the X-direction partitioning shown in FIGS. 2A and 2B .

개시된 스캐터로메트리 계측 타겟(100)의 타겟 설계 파일은, 본 개시의 일부분으로 간주된다. The target design file of the disclosed scatterometry metrology target 100 is considered part of this disclosure.

도 3은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 광학 시스템(150)의 하이 레벨 개략도이다. 광학 시스템(150)은 조명 소스(75)를 갖는 조명 암(161), 조명을 편광시키도록(예를 들어, 연속적으로) 배치된 편광기(160), 및 파장 판 파라미터(각도 및 지연)를 사용하여, 2 개의 직교하는 편광 방향들 사이의 위상 시프트(122A)를 결정하도록 배치된 제1 파장 판(165)을 포함한다. 광학 시스템(150)은, 웨이퍼(60) 상의 타겟(100) 상의 대물 렌즈(70)를 통해 조명을 지향시키고 대물 렌즈(70)를 통과하는 타겟(100)으로부터의 회절 신호를 수집(collection) 암(171)에 지향시키도록 구성된 (비편광 또는 편광) 빔 스플리터(80)를 더 포함한다. 수집 암(171)은 수집 편광 각도(122B)의 제2 파장 판 (175), 분석기(170), 및 검출기(85)를 포함한다. 조명 및 수집 편광 각도(122A, 122B)는, 타겟 및 시스템 구성의 유형에 따라 제2 위상 시프트(122)를 제공하도록 구성될 수도 있다.3 is a high level schematic diagram of an optical system 150 , in accordance with some embodiments of the present invention. The optical system 150 uses an illumination arm 161 having an illumination source 75 , a polarizer 160 positioned to polarize the illumination (eg, continuously), and wave plate parameters (angle and retardation). thus comprising a first wave plate 165 arranged to determine a phase shift 122A between two orthogonal polarization directions. The optical system 150 directs illumination through an objective lens 70 on a target 100 on a wafer 60 and collects a diffraction signal from the target 100 passing through the objective lens 70 in a collection arm. and a (non-polarized or polarized) beam splitter 80 configured to direct to 171 . The collection arm 171 includes a second wave plate 175 of a collection polarization angle 122B, an analyzer 170 , and a detector 85 . Illumination and collection polarization angles 122A, 122B may be configured to provide a second phase shift 122 depending on the type of target and system configuration.

예를 들어, 도 1b 및 도 1c에 도시된 편광 타겟(100) 및 1/2 파장 판(165, 175)을 사용하여, 180°의 전체 위상 시프트가 전술한 바와 같이 타겟에 의해 제공되기 때문에, 각도(122A, 122B)가 동일(예를 들어, 45°)하다고 말하면 충분하다. 다른 실시예에서, 도 2a 및 2b에 도시된 편광 타겟(100)을 사용하여, 각도(122A, 122B)가 비편광 타겟(90)으로의 층(145)의 추가에 의해 제공되는 제1 위상 시프트 (121)에 추가될 제2 위상 시트프(122)를 제공하기에 상이할 수도 있다고 말하면 충분하다.For example, using the polarizing target 100 and half-wave plates 165 and 175 shown in FIGS. 1B and 1C , since an overall phase shift of 180° is provided by the target as described above, It is sufficient to say that the angles 122A and 122B are equal (eg, 45°). In another embodiment, using the polarizing target 100 shown in FIGS. 2A and 2B , the angles 122A, 122B are a first phase shift provided by the addition of the layer 145 to the non-polarizing target 90 . Suffice it to say that it may be different to provide a second phase shift 122 to be added to 121 .

편광 빔-스플리터(80)는 파장 판(165, 175) 대신에 또는 그에 부가하여 사용될 수도 있고, 대안적으로 또는 상보적으로, 제어가능한 위상 시프트를 제공하기 위해 임의의 광학 엘리먼트가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 편광 빔-스프리터(80)를 사용하여, 광학 시스템(150)은 2 개의 수직 편광의 광학 경로를 분리하고, 위상 지연기 또는 임의의 다른 광학 엘리먼트를 추가함으로써 2 개의 편광 사이의 광 경로 차를 제공하고, 또한 양 편광을 함께 결합하고, 추가적인 빔-스플리터를 사용하여 회절 차수의 위상에 대한 제어가 달성될 수 있도록 구성된다.Polarizing beam-splitter 80 may be used in place of or in addition to wave plates 165 , 175 , or alternatively or complementary, any optical element may be used to provide a controllable phase shift. For example, using a polarizing beam-splitter 80 , the optical system 150 separates the optical path of the two vertically polarized light and light between the two polarized light by adding a phase retarder or any other optical element. It is configured such that control over the phase of the diffraction order can be achieved by providing a path difference, also combining both polarizations together, and using an additional beam-splitter.

광학 시스템(150)은 광 경로(161, 171) 중 하나에 있고 편광의 상대 진폭을 제어하도록 구성되는 ND(neutral density) 필터를 포함할 수도 있다. Optical system 150 may include a neutral density (ND) filter in one of optical paths 161 , 171 and configured to control the relative amplitude of polarization.

임의의 실시예에서, 파장 판(165, 175) 중 하나만이, 제2 위상 시프트(122)를 제공하는데 사용될 수도 있다. 임의의 실시예에서, 편광기(160) 및 분석기(170)는 임의의 파장 판(165, 175)을 사용하지 않고, 각각 선형 편광된 조명 및 회절 신호를 제공하고 수신하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 편광기(160) 및 분석기(170)는 도 1b 및 도 1c에 도시된 것과 같은 타겟을 측정하기 위해, 대응하여 45° 및 135°의 각도로 설정될 수도 있다. 따라서, 광학 시스템(150)은 완전한 0 차 회절 상쇄 및 제1 회절 차수 진폭 배가(doubling)를 제공하도록 구성될 수도 있다. 도 3은 종래 기술에서와 같이 퓨필(pupil) 평면에서 블로커를 사용하는 것과 관련하여 시스템을 유리하게 만드는, 유한 타겟 크기로 인한 모든 로브와 함께, 제로 회절 차수의 완전한 억제를 허용하는 매우 일반적이며 강고한 광학 방식을 도시한다. 임의의 실시예에서, 발명자는 준정상(quasi-normal) 조명과 함께 풀(full) 0 차 억제가 정확도 및 정밀도 관점 모두로부터 최상의 측정 조건을 제공한다는 것을 발견하였다.In some embodiments, only one of the wave plates 165 , 175 may be used to provide the second phase shift 122 . In some embodiments, polarizer 160 and analyzer 170 may be configured to provide and receive linearly polarized illumination and diffraction signals, respectively, without the use of any wave plates 165 and 175 . For example, polarizer 160 and analyzer 170 may be set at angles of 45° and 135°, correspondingly, to measure targets such as those shown in FIGS. 1B and 1C . Accordingly, the optical system 150 may be configured to provide full 0th order diffraction cancellation and 1st diffraction order amplitude doubling. Figure 3 is very general and robust allowing complete suppression of the zero diffraction order, with all lobes due to the finite target size, which makes the system advantageous with respect to using a blocker in the pupil plane as in the prior art; An optical scheme is shown. In certain embodiments, the inventors have found that full zero-order suppression in combination with quasi-normal illumination provides the best measurement conditions from both an accuracy and precision standpoint.

조명 경로(161) 내의 편광기(165) 및 수집 경로(171) 내의 분석기(170)는 결합된 신호의 각각의 편광의 가중 인자를 제어하도록 구성될 수도 있다. 타겟(100)은 1 차 회절 신호를 향상시킬 뿐만 아니라 상이한 회절 차수 간의 분화를 개선하기 위해, 편광 차이에 대한 타겟 응답의 큰 감도를 제공하도록 구성될 수도 있다. 또한, 광학 시스템(150) 및 타겟(100)은 제1 회절 차수의 진폭에 중요한 영향을 미치지 않고 제로 회절 차수의 진폭을 제어하고, 및/또는 제로 회절 차수와 제1 회절 차수 사이의 위상을 제어하도록 본 명세서에서 설명된 바와 같이 구성될 수도 있다. 본 발명자들은 전자의 경우 이미징 콘트라스트 향상이 달성되는 반면에, 후자의 경우에는 이미징 정확도 향상이 달성된다는 것을 발견하였다. 스캐터로메트리[예를 들어, SCOL-스캐터로메트리 오버레이(overlay)]에서, 광학 시스템(150) 및 타겟(100)은 제1 회절 차수들 사이의 위상을 제어하여 감도 및 정확도를 향상시키도록 구성될 수도 있다. 스캐터로메트리 타겟의 경우에, 상이한 층의 타겟 셀계는 편광 방향의 변화에 대해 상이한 응답을 제공하도록 설계될 수도 있다.Polarizer 165 in illumination path 161 and analyzer 170 in collection path 171 may be configured to control a weighting factor of each polarization of the combined signal. The target 100 may be configured to provide great sensitivity of the target response to polarization differences, to enhance the first-order diffraction signal as well as to improve differentiation between different diffraction orders. Further, the optical system 150 and target 100 control the amplitude of the zero diffraction order without significantly affecting the amplitude of the first diffraction order, and/or control the phase between the zero diffraction order and the first diffraction order. It may be configured as described herein to The inventors have found that in the former case an improvement in imaging contrast is achieved, whereas in the latter case an improvement in imaging accuracy is achieved. In scatterometry (eg, SCOL-scatterometry overlay), optical system 150 and target 100 control the phase between first diffraction orders to improve sensitivity and accuracy. It may also be configured to In the case of scatterometry targets, different layers of target cell systems may be designed to provide different responses to changes in polarization direction.

임의의 실시예의 광학 시스템(150) 및 스캐터로메트리 타겟(100)을 결합하는 계측 시스템은, 본 개시의 일부분으로 간주된다. 특히, 계측 시스템이 제공되며, 이러한 계측 시스템은, 조악한 피치를 가지며, 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제1 위상 시프트를 생성하도록 구성된 스캐터로메트리 계측 타겟(100)과, 2 개의 수직으로 편광된 조명 성분에 의해 타겟을 조명하고 2 개의 수직으로 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향에서 결과적인 회절 신호를 분석하여, 타겟의 조명시에 0 차 회절 사이에 제2 위상 시프트를 생성하도록 구성된 광학 시스템(150)을 갖는 계측 툴을 포함하며, 여기서 상기 제1 및 제2 위상 시프트들의 합은 0 차 회절 신호들을 상쇄시키기 위해 180° 이다.A metrology system that combines the optical system 150 and the scatterometry target 100 of any embodiment is considered part of the present disclosure. In particular, a metrology system is provided, the metrology system comprising: a scatterometry metrology target 100 having a coarse pitch and configured to produce a first phase shift between zero-order diffraction signals upon illumination of the target; Illuminating the target by two vertically polarized illumination components and analyzing the resulting diffraction signals in two perpendicular polarization directions that complement the two vertically polarized illumination components, the second between the 0th order diffraction upon illumination of the target A metrology tool having an optical system (150) configured to generate a phase shift, wherein the sum of the first and second phase shifts is 180° to cancel zero-order diffraction signals.

도 4는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 방법(200)을 나타내는 하이 레벨 흐름도이다. 방법(200)은 적어도 하나의 컴퓨터 프로세서에 의해, 예컨대 계측 모듈에서 적어도 부분적으로 구현될 수도 있다. 어떤 실시예는 컴퓨터 판독 가능한 매체와 함께 구현되고 방법(200)의 관련 단계를 수행하도록 구성된 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 갖는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 포함한다. 어떤 실시예는 방법(200)의 실시예에 의해 설계된 각각의 타겟의 타겟 설계 파일을 포함한다.4 is a high level flow diagram illustrating a method 200, in accordance with some embodiments of the present invention. Method 200 may be implemented at least in part by at least one computer processor, such as in a metrology module. Some embodiments include a computer program product including a computer readable storage medium embodied with a computer readable medium and having a computer readable program configured to perform the relevant steps of the method 200 . Some embodiments include a target design file for each target designed by an embodiment of the method 200 .

방법(200)은, 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 것, 및/또는 계측 툴의 광학 시스템을 구성하여 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성하는 것에 의해, 조악한 피치를 갖는 스캐터로메트리 타겟으로부터의 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호를 향상시키는 단계를 포함한다(단계 201). 예를 들어, 방법(200)은 타겟 설계에 의한 제1 위상 시프트와 광학 시스템 구성에 의한 제2 위상 시프트를 결합하는 단계를 포함할 수도 있으며, 제1 및 제2 위상 시프트는 180°까지 합산된다(단계 202).Method 200 includes designing a scatterometry target, and/or configuring an optical system of a metrology tool to generate a 180° phase shift between zeroth order diffraction signals upon illumination of the scatterometry target. and enhancing the 1st order diffraction signal for the 0th order diffraction signal from a scatterometry target having a coarse pitch (step 201). For example, method 200 may include combining a first phase shift by a target design and a second phase shift by an optical system configuration, wherein the first and second phase shifts are summed up to 180° (Step 202).

방법(200)은 스캐터로메트리 및/또는 이미징 타겟 뿐만 아니라 설계된 타겟을 측정하기 위한 대응하는 광학 시스템을 설계하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법(200)은 편광 조명에 대한 응답에 의해 1 차 회절 신호를 향상시키는 편광 감지 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계(단계 205) 및 추가 회절 차수 파라미터를 제공하기 위하여 편광 제어 하드웨어와 편광 타겟을 결합하는 단계(단계 210)를 포함할 수도 있다. 방법(200)은 설계된 타겟(들)을 생성하는 단계(단계 230) 및/또는 스캐터로메트리 방식으로 설계된 타겟(들)을 측정하는 단계(단계 235)를 더 포함할 수도 있다. 방법(200)은 직교 분할 영역으로부터의 신호들 사이를, 조명 편광을 사용하여, 분리하도록 광학 시스템을 구성하는 단계(단계 240)와, 조명 및/또는 검출 광 경로에서 편광 위상을 제어하는 단계(단계 245)를 더 포할할 수도 있다. 방법(200)은 조명 편광을 사용하여, 직교 분할 영역들로부터의 신호들 사이를 분리하도록 계측 툴의 광학 시스템을 구성하는 단계(단계 242)를 포함할 수도 있다.Method 200 may include designing a scatterometry and/or imaging target as well as a corresponding optical system for measuring the designed target. Method 200 includes designing a polarization sensing scatterometry target that enhances a first order diffraction signal in response to polarized illumination (step 205) and using polarization control hardware and polarization target to provide additional diffraction order parameters. It may also include a step of combining (step 210). Method 200 may further comprise generating the designed target(s) (step 230) and/or measuring the designed target(s) in a scatterometric manner (step 235). The method 200 comprises configuring the optical system to separate, using illumination polarization, between signals from orthogonal partitioning regions (step 240), and controlling the polarization phase in the illumination and/or detection light path (step 240). Step 245) may be further included. Method 200 may include configuring an optical system of a metrology tool to separate between signals from orthogonal partitioned regions using illumination polarization (step 242 ).

방법(200)은 대응하는 스캐터로메트리 계측 툴에 의해 분해되는 적어도 하나의 조악한 피치를 갖는 적어도 하나의 주기적 구조물의 복수의 타겟 엘리먼트를, 대응하는 계측 툴에 의해 분해되지 않는 적어도 하나의 미세 피치로 분할하는 단계(단계 220)를 포함할 수도 있으며, 여기서 미세 분할은 적어도 일부 엘리먼트 내에서 적어도 2 개의 방향에 관한 것이고 적어도 2 개의 방향에서 동일한 0 차 회절 파라미터를 유지한다. 방법(200)은 이에 따라 상이한 방향들에서 동일한 0 차 회절 파라미터들을 유지하는 단계(단계 222)를 포함할 수도 있다. 방법(200)은 180° 위상 시프트를 생성하기 위해 조악한 피치의 절반으로 수직 편광 엘림먼트를 갖도록 스캐터로메트리 타겟을 설계할 수도 있다(단계 221). The method 200 includes a plurality of target elements of at least one periodic structure having at least one coarse pitch resolved by a corresponding scatterometry metrology tool, at least one fine pitch not resolved by a corresponding metrology tool. partitioning (step 220), wherein the fine-segmentation relates to at least two directions within at least some elements and maintains the same zero-order diffraction parameter in the at least two directions. Method 200 may thus include maintaining the same zeroth order diffraction parameters in different directions (step 222 ). Method 200 may design the scatterometry target to have vertically polarized elements at half coarse pitch to produce a 180° phase shift (step 221).

방법(200)은 적어도 하나의 여전히 미세한 피치에 수직하게 미세 세그먼트를 추가로 분할하는 단계(단계 225)를 더 포함할 수도 있다. The method 200 may further include dividing the fine segment perpendicular to the at least one still fine pitch (step 225 ).

방법(200)은 적어도 2 개의 미세 분할 방향에 대응하는 2 이상의 편광 조명을 사용하여 측정을 수행하는 단계(단계 240)를 포함할 수도 있고, 적어도 2 개의 방향에 대해 0 차 회절 신호를 간섭적으로 억제하고, 그로부터의 1차 회절 신호를 향상시키는 단계(단계 250)를 포함한다. 방법(200)은 0 차 회절 신호를 간섭적으로 상쇄시키고, 적어도 2 개의 방향에 대해 1 차 회절 신호를 충분히 추가하는 단계(단계 255)를 더 포함할 수 있다.Method 200 may include performing measurements using two or more polarized illuminations corresponding to at least two fine segmentation directions (step 240), coherently distributing the zero-order diffraction signal for at least two directions. suppressing and enhancing the first-order diffraction signal therefrom (step 250). The method 200 may further include coherently canceling the 0th order diffraction signal and sufficiently adding the 1st order diffraction signal for at least two directions (step 255).

방법(200)은 대응하는 파장 판을 사용하여 편광 조명 및 회절 신호를 제어 하는 단계(단계 260)와, 가능하게는 수집된 데이터를 최적화하기 위하여 편광된 신호의 가중치를 할당 및 제어하는 단계(단계 265)를 더 포함할 수도 있다.Method 200 comprises the steps of controlling the polarized illumination and diffraction signals using corresponding waveplates (step 260), and possibly assigning and controlling weights of the polarized signals to optimize the collected data (steps). 265) may be further included.

방법(200)은 2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 스캐터로메트리 타겟을 조명하도록 계측 툴의 광학 시스템을 구성하는 단계(단계 270)와, 0 차 회절 신호을 상쇄시키기 위하여 2 개의 수직으로 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향에서 회절 신호를 분석하는 단계(단계 275)를 포함할 수도 있다.The method 200 includes configuring an optical system of a metrology tool to illuminate a scatterometry target with two vertically polarized illumination components (step 270), comprising the steps of: It may also include analyzing the diffraction signals in two perpendicular polarization directions that complement the illumination component (step 275).

방법(200)은, 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 가지도록, 비편광 구조물을 갖는 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계(단계 280), 및 추가 타겟 층(들)을 비편광 구조물 위 및/또는 아래에 있도록 설계하는 단계를 포함할 수도 있다.The method 200 includes designing a scatterometry target having a non-polarizing structure (step 280) to have at least one additional target layer having at least one polarizing structure configured to produce a phase shift of 180° (step 280). , and designing the additional target layer(s) to be above and/or below the non-polarizing structure.

유리하게는, 편광 제어 하드웨어[광학 시스템(150)] 및 편광 타겟[타겟(100)]을 결합시키는 것은 회절 차수 파라미터의 추가 제어 레벨을 제공한다. 타겟(100)에서, 상보적인 층 또는 임의의 이용가능한 중간 층은, 측정된 타겟의 편광 특성의 제어 또는 향상을 목적으로 분할된 더미 구조물을 도입하는데 사용될 수도 있다. 편광 제어 HW와 편광 타겟을 결합하는 것은 오버레이 측정의 정확도와 정밀도를 증대시키는 것으로 알려졌다. 광학 시스템(150) 및 타겟(100)은 다양한 계측 플랫폼에서 구현될 수 있고, 디바이스와 같은 타겟들을 생성하는 능력을 향상시킬 수도 있다.Advantageously, coupling the polarization control hardware (optical system 150) and the polarization target (target 100) provides an additional level of control of the diffraction order parameters. In target 100, a complementary layer or any available intermediate layer may be used to introduce a segmented dummy structure for the purpose of controlling or enhancing the measured polarization properties of the target. Combining a polarization control HW with a polarization target is known to increase the accuracy and precision of overlay measurements. Optical system 150 and target 100 may be implemented on a variety of metrology platforms and may enhance the ability to create targets, such as devices.

본 명세서에 개시된 설계 원리는, 임의의 회절 차수의 위상 및/또는 진폭을 제어할 수 있고, 따라서 0 차 소거를 넘어 추가적인 이점을 제공한다는 것을 강조한다.It is emphasized that the design principles disclosed herein can control the phase and/or amplitude of any diffraction order, thus providing additional advantages over zero-order cancellation.

본 발명의 양태는 본 발명의 실시예에 따른 방법, 장치(시스템) 및 컴퓨터 프로그램 제품의 흐름도 및/또는 부분도를 참조하여 위에서 설명되었다. 흐름도 및/또는 부분도의 각 부분, 및 흐름도 및/또는 부분도의 부분들의 조합은 컴퓨터 프로그램 명령어들에 의해 구현될 수 있음을 이해할 것이다. 이들 컴퓨터 프로그램 명령어들은 범용 컴퓨터, 특수 목적 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치의 프로세서에 제공되어, 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능한 데이터 처리 장치의 프로세서를 통해 실행되는 명령어들이 흐름도 및/또는 부분도 또는 그 일부에서 특정된 기능/동작을 구현하기 위한 수단을 생성하도록 머신을 생성할 수 있다.Aspects of the present invention have been described above with reference to flowcharts and/or partial diagrams of methods, apparatus (systems) and computer program products according to embodiments of the present invention. It will be understood that each portion of the flowcharts and/or partial diagrams, and combinations of portions of the flowcharts and/or partial diagrams, may be implemented by computer program instructions. These computer program instructions may be provided to a processor of a general purpose computer, special purpose computer, or other programmable data processing device, such that the instructions executed by the processor of the computer or other programmable data processing device are shown in flowcharts and/or partial diagrams or portions thereof. A machine may be created to create means for implementing a specified function/action.

또한, 이들 컴퓨터 프로그램 명령어들은 컴퓨터 판독 가능한 매체에 저장되어, 컴퓨터 판독 가능한 매체에 저장된 명령어들이 흐름도 및/또는 부분도 또는 그 일부에서 특정된 기능/동작을 구현하는 명령어들을 포함하는 제조 물품을 생성하도록 컴퓨터, 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치 또는 다른 디바이스에게 특정 방식으로 기능하도록 지시할 수 있다.Further, these computer program instructions are stored on a computer readable medium, such that the instructions stored on the computer readable medium create an article of manufacture including instructions for implementing the functions/acts specified in the flowcharts and/or partial diagrams or portions thereof. It may instruct a computer, other programmable data processing apparatus, or other device to function in a particular way.

컴퓨터 프로그램 명령어들은 또한 컴퓨터, 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치, 또는 다른 디바이스에 로딩되어, 컴퓨터, 다른 프로그램 가능 장치 또는 다른 디바이스 상에서 일련의 동작 단계들이 수행되게 하여, 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 장치에서 실행되는 명령어들이 흐름도 및/또는 부분도 또는 그 일부에서 특정된 기능/동작을 구현하기 위한 프로세스를 제공하도록 컴퓨터 구현된 프로세스를 생성한다.Computer program instructions may also be loaded into a computer, other programmable data processing apparatus, or other device to cause a series of operational steps to be performed on the computer, other programmable apparatus, or other device, such that the instructions are executed on the computer or other programmable apparatus. Create a computer-implemented process to provide a process for implementing the functions/acts specified in the flowcharts and/or partial diagrams or portions thereof.

전술한 흐름도 및 다이어그램은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품의 가능한 구현의 아키텍처, 기능 및 동작을 도시한다. 이와 관련하여, 흐름도 또는 부분도의 각 부분은 지정된 논리 기능(들)을 구현하기 위한 하나 이상의 실행 가능 명령어들을 포함하는 모듈, 세그먼트 또는 코드 부분을 나타낼 수 있다. 또한, 일부 대체 구현 예에서, 상기 부분에서 언급된 기능들은 도면들에서 언급된 순서를 벗어나 발생할 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 연속적으로 도시된 2개의 부분은 사실상 실질적으로 동시에 실행될 수 있거나, 또는 관련된 기능에 따라 때로는 역순으로 실행될 수 있다. 부분도 및/또는 흐름도의 각 부분, 부분도 및/또는 흐름도의 일부의 조합은 지정된 기능 또는 동작을 수행하는 특수 목적 하드웨어 기반 시스템, 또는 특수 목적 하드웨어 및 컴퓨터 명령어들의 조합에 의해 구현될 수 있음을 또한 유의해야 할 것이다. The foregoing flowcharts and diagrams illustrate the architecture, functionality, and operation of possible implementations of systems, methods, and computer program products in accordance with various embodiments of the present invention. In this regard, each portion of a flowchart or partial diagram may represent a module, segment, or portion of code that includes one or more executable instructions for implementing the specified logical function(s). It should also be noted that, in some alternative implementations, the functions recited in the above sections may occur out of the order recited in the figures. For example, two portions shown in succession may in fact be executed substantially simultaneously, or may sometimes be executed in reverse order depending on the functions involved. Each part of the partial diagrams and/or flowcharts, and combinations of portions of the partial diagrams and/or flowcharts, may be implemented by special-purpose hardware-based systems, or combinations of special-purpose hardware and computer instructions, that perform specified functions or operations. You should also take note.

상기 설명에서, 실시예는 본 발명의 일례 또는 구현 예이다. "일 실시예(one embodiment)", "실시예(an embodiment)", "특정 실시예(certain embodiments)" 또는 "일부 실시예(some embodiments)"의 다양한 모습은 반드시 모두 동일한 실시예들을 지칭하는 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징이 단일 실시예의 콘텍스트에서 기술될 수 있지만, 특징들은 또한 개별적으로 또는 임의의 적절한 조합으로 제공될 수 있다. 반대로, 본 발명은 명확성을 위해 개별적인 실시예의 콘텍스트에서 본 명세서에 설명될 수 있지만, 본 발명은 또한 단일 실시예로 구현될 수 있다. 본 발명의 특정 실시예들은 위에서 개시된 상이한 실시예들로부터의 특징들을 포함할 수 있고, 특정 실시예들은 위에서 개시된 다른 실시예들로부터의 요소를 포함할 수 있다. 특정 실시예의 콘텍스트에서 본 발명의 요소들의 개시는 그 특정 실시예 단독에서 그 사용을 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다. 또한, 본 발명은 다양한 방식으로 수행되거나 실시될 수 있으며, 상기 설명에 간략히 서술된 것들 이외의 특정 실시예들에서 본 발명이 구현될 수 있음이 이해되어야 한다.In the above description, an embodiment is an example or implementation example of the present invention. Various appearances of “one embodiment,” “an embodiment,” “certain embodiments,” or “some embodiments,” are not necessarily all referring to the same embodiments. it is not Although various features of the invention may be described in the context of a single embodiment, the features may also be provided individually or in any suitable combination. Conversely, while the invention may, for clarity, be described herein in the context of separate embodiments, the invention may also be embodied in a single embodiment. Certain embodiments of the invention may include features from different embodiments disclosed above, and certain embodiments may include elements from other embodiments disclosed above. The disclosure of elements of the invention in the context of a particular embodiment should not be construed as limiting its use in that particular embodiment alone. Moreover, it is to be understood that the invention may be practiced or practiced in various ways, and that the invention may be embodied in specific embodiments other than those briefly set forth in the above description.

본 발명은 이들 도면 또는 대응하는 설명에 한정되지 않는다. 예를 들어, 플로우는 각각의 예시된 박스 또는 상태를 통해 또는 도시되고 설명된 것과 정확히 동일한 순서로 이동할 필요는 없다. 본 명세서에 사용된 기술적 및 과학적 용어의 의미는 달리 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해될 것이다. 본 발명은 제한된 수의 실시예와 관련하여 설명되었지만, 이들은 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 되며, 오히려 바람직한 실시예 중 일부의 예시로서 해석되어야 한다. 다른 가능한 변형들, 수정들 및 응용들 또한 본 발명의 범위 내에 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 지금까지 설명된 것에 의해 한정되어서는 안 되며, 첨부된 청구 범위 및 그 균등물에 의해 제한되어야 한다.The invention is not limited to these drawings or the corresponding description. For example, the flow need not move through each illustrated box or state or in exactly the same order as shown and described. The meanings of technical and scientific terms used herein will be commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. While the present invention has been described in connection with a limited number of embodiments, these should not be construed as limiting the scope of the invention, but rather as illustrative of some of the preferred embodiments. Other possible variations, modifications and applications are also within the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by what has heretofore been described, but rather by the appended claims and their equivalents.

Claims (24)

방법에 있어서,
스캐터로메트리 타겟(scatterometry target)을 설계하는 것 및 계측 툴의 광학 시스템을 구성하는 것 중 적어도 하나에 의해, 상기 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록, 조악한(coarse) 피치를 갖는 상기 스캐터로메트리 타겟으로부터의 상기 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호를 향상시키는 단계; 및
2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 상기 스캐터로메트리 타겟을 조명하도록 상기 계측 툴의 광학 시스템을 구성하고, 상기 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 상기 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 0 차 회절 신호를 상쇄하는 단계
를 포함하는 방법
In the method,
A phase of 180° between the 0th order diffraction signals upon illumination of the scatterometry target by at least one of designing a scatterometry target and configuring an optical system of a metrology tool. enhancing a first order diffraction signal with respect to the zero order diffraction signal from the scatterometry target having a coarse pitch to produce a shift; and
configure the optical system of the metrology tool to illuminate the scatterometry target with two vertically polarized illumination components, and resolve the diffraction signal into two vertically polarized directions that complement the two vertically polarized illumination components (analyze), canceling the zero-order diffraction signal
how to include
제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 상기 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계를 더 포함하고,
상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 방법.
2. The method of claim 1, further comprising designing the scatterometry target to have a polarizer at half the coarse pitch to produce a phase shift of 180°;
wherein the polarizer is configured to be vertically polarized.
제1항에 있어서, 타겟 설계에 의한 제1 위상 시프트와 광학 시스템 구성에 의한 제2 위상 시프트를 결합하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 위상 시프트와 상기 제2 위상 시프트의 합이 180°인 방법.The method according to claim 1, further comprising the step of combining a first phase shift by a target design and a second phase shift by an optical system configuration, wherein the sum of the first phase shift and the second phase shift is 180° Way. 제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 가지도록, 비편광 구조물을 갖는 상기 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계를 더 포함하는 방법.2. The method of claim 1, further comprising: designing the scatterometry target having a non-polarizing structure to have at least one additional target layer having at least one polarizing structure configured to produce the 180° phase shift. How to include. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 위에 있는 것인 방법.5. The method of claim 4, wherein the at least one additional target layer is over the non-polarizing structure. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 아래에 있는 것인 방법.5. The method of claim 4, wherein said at least one additional target layer is under said non-polarizing structure. 조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성되는 스캐터로메트리 계측 타겟으로서,
상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제1 부분은 한 방향으로 분할되고, 상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제2 부분은 제1 영역의 방향에 대해 수직 방향으로 분할되고, 상기 타겟은 초기 비편광 구조물, 및 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 가지는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
A scatterometry metrology target having a coarse pitch and configured to, upon illumination, produce a phase shift of 180° between zero-order diffraction signals, the target comprising:
a first portion of the coarsely pitched region is divided in one direction, a second portion of the coarsely pitched region is divided in a direction perpendicular to the direction of the first region, the target comprising an initial non-polarizing structure, and and at least one additional target layer having at least one polarizing structure configured to produce a phase shift of 180°.
제7항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 설계되고, 상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.8. The scatterometry metrology target of claim 7, wherein the polarizer is designed to have a polarizer at half of the coarse pitch to produce a phase shift of 180°, the polarizer configured to be vertically polarized. 제8항에 있어서, 상기 편광기는 미세 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.9. The scatterometry metrology target of claim 8, wherein the polarizer is divided into fine pitches. 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 편광 구조물은 미세한 미분해된(unresolved) 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.8. The scatterometry metrology target of claim 7, wherein the at least one polarizing structure is divided into fine unresolved pitches. 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 편광 구조물은 상기 초기 비편광 구조물의 분할 방향에 수직인 방향을 따라 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.The scatterometry metrology target of claim 10 , wherein the at least one polarizing structure is split along a direction perpendicular to a splitting direction of the initial non-polarizing structure. 제7항에 있어서, 상기 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 위에 있는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.8. The scatterometry metrology target of claim 7, wherein said additional target layer is over said non-polarizing structure. 제7항에 있어서, 상기 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 아래에 있는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.8. The scatterometry metrology target of claim 7, wherein the additional target layer is below the non-polarizing structure. 2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 비편광 스캐터로메트리 타겟을 조명하고, 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 결과적인 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 스캐터로메트리 타겟으로부터의 동일 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 상기 조명 및 상기 분해를 구성함으로써, 0 차 회절 신호를 상쇄하도록 구성된 광학 시스템을 갖는 계측 툴.Illuminating an unpolarized scatterometry target by means of two vertically polarized illumination components and analyzing the resulting diffraction signal into two vertically polarized directions complementary to the two vertically polarized illumination components so that the scatter A metrology tool having an optical system configured to cancel a zero-order diffraction signal by configuring the illumination and the decomposition to produce a phase shift of 180° between identical zero-order diffraction signals from a lometry target. 제14항에 있어서, 상기 광학 시스템은, 상기 조명 및 상기 회절 신호의 편광을 제어하기 위해, 편광기 및 분석기, 적어도 하나의 파장 판, 적어도 하나의 편광 빔 스플리터, 및 적어도 하나의 ND(neutral density) 필터, 중 적어도 하나를 포함하는 것인 계측 툴.15. The system of claim 14, wherein the optical system comprises: a polarizer and an analyzer, at least one wave plate, at least one polarizing beam splitter, and at least one neutral density (ND) to control the polarization of the illumination and the diffraction signal. A metrology tool comprising at least one of a filter. 계측 시스템에 있어서,
조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 제1 위상 시프트를 생성하도록 구성된 스캐터로메트리 계측 타겟과,
2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 상기 타겟을 조명하고, 상기 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 결과적인 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제2 위상 시프트를 생성하도록 구성된 광학 시스템을 갖는 계측 툴
을 포함하며,
상기 제1 위상 시프트와 상기 제2 위상 시프트의 합은, 상기 0 차 회절 신호들을 상쇄시키기 위해 180°인 것인 계측 시스템.
A measurement system comprising:
a scatterometry metrology target having a coarse pitch and configured to, upon illumination, produce a first phase shift between zero-order diffraction signals;
Illuminates the target by two vertically polarized illumination components and analyzes the resulting diffraction signal into two vertically polarized directions that complement the two vertically polarized illumination components, resulting in zero upon illumination of the target. Metrology tool having an optical system configured to create a second phase shift between difference diffraction signals
includes,
and the sum of the first phase shift and the second phase shift is 180° to cancel the zero-order diffraction signals.
제16항에 있어서, 상기 광학 시스템은 상기 조명 및 상기 회절 신호의 편광을 제어하기 위해, 편광기 및 분석기, 적어도 하나의 파장 판, 적어도 하나의 편광 빔 스플리터, 및 적어도 하나의 ND 필터, 중 적어도 하나를 포함하는 것인 계측 시스템.17. The system of claim 16, wherein the optical system comprises at least one of a polarizer and an analyzer, at least one wave plate, at least one polarizing beam splitter, and at least one ND filter, for controlling the polarization of the illumination and the diffraction signal. A measurement system comprising a. 제16항에 있어서, 상기 제1 위상 시프트는 180°이고, 상기 제2 위상 시프트는 0인 것인 계측 시스템.17. The metrology system of claim 16, wherein the first phase shift is 180° and the second phase shift is zero. 제18항에 있어서, 상기 스캐터로메트리 계측 타겟은 상기 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성되는 것인 계측 시스템.19. The metrology system of claim 18, wherein the scatterometry metrology target is configured to produce a phase shift of 180° between zeroth order diffraction signals upon illumination of the target. 제19항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 타겟의 조악한 피치의 절반에서 편광기를 가지도록 설계되며, 상기 편광기는 수직 편광되도록 구성되는 것인 계측 시스템.20. The metrology system of claim 19, wherein the system is designed to have a polarizer at half the coarse pitch of the target to produce a phase shift of 180°, the polarizer configured to be vertically polarized. 제16항에 있어서, 상기 타겟은 초기 비편광 구조물, 및 상기 제1 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 가지는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 포함하는 것인 계측 시스템.17. The metrology system of claim 16, wherein the target comprises an initial non-polarizing structure and at least one additional target layer having at least one polarizing structure configured to produce the first phase shift. 조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 스캐터로메트리 계측 타겟으로서,
상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제1 부분은 한 방향으로 분할되고, 상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제2 부분은 제1 영역의 방향에 대해 수직 방향으로 분할되고, 상기 스캐터로메트리 계측 타겟은 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 설계되며, 상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
A scatterometry metrology target having a coarse pitch and configured to, upon illumination, produce a phase shift of 180° between a zero-order diffraction signal, the target comprising:
a first portion of the coarse pitched region is divided in one direction, a second portion of the coarse pitched region is divided in a direction perpendicular to the direction of the first region, and wherein the scatterometry metrology target is A scatterometry metrology target designed to have a polarizer at half the coarse pitch to produce a phase shift of 180°, the polarizer configured to be vertically polarized.
제22항에 있어서, 상기 편광기는 미세 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.23. The scatterometry metrology target of claim 22, wherein the polarizer is divided into fine pitches. 삭제delete
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