KR102377465B1 - Display device and fabrication method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는 용접(welding)을 위한 리페어라인이 필요없는 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 스캔신호들이 공급되는 스캔라인들, 데이터전압들이 공급되는 데이터라인들, 기준전압이 공급되는 기준전압 라인들, 및 상기 스캔라인들, 상기 데이터라인들, 및 상기 기준전압 라인들 중에서 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 및 동일한 기준전압 라인에 접속되는 복수의 서브화소들을 포함하는 화소를 구비한다.Embodiments of the present invention relate to a display device that does not require a repair line for welding. A display device according to an embodiment of the present invention includes scan lines to which scan signals are supplied, data lines to which data voltages are supplied, reference voltage lines to which a reference voltage is supplied, and the scan lines, the data lines, and Among the reference voltage lines, a pixel includes a same scan line, a same data line, and a plurality of sub-pixels connected to the same reference voltage line.
Description
본 발명의 실시예는 표시장치에 관한 것이다.
Embodiments of the present invention relate to a display device.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 다양한 평판표시장치들(flat display devices)이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치들로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat display devices have been developed that can reduce the weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. These flat panel displays include liquid crystal displays, field emission displays, and organic light emitting displays.
평판표시장치는 데이터라인들, 게이트라인들, 데이터라인들과 게이트라인들의 교차부에 형성된 다수의 화소들을 구비하는 표시패널, 게이트라인들에 게이트신호들을 공급하는 게이트 구동부, 및 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 다수의 화소들 각각은 게이트라인으로부터 게이트신호가 공급될때 데이터라인으로부터 데이터전압을 공급받으며, 데이터전압에 따라 소정의 밝기로 발광한다. 예를 들어, 액정표시장치의 화소들 각각은 화소전극에 공급되는 데이터전압과 공통전극에 공급되는 공통전압의 전계에 따라 액정층의 액정을 구동하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 투과시킴으로써 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 또한, 유기발광표시장치의 화소들 각각은 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 데이터전압에 따라 유기발광다이오드로 흐르는 전류를 제어함으로써 유기발광다이오드를 소정의 밝기로 발광시킬 수 있다.A flat panel display device includes a display panel including data lines, gate lines, a plurality of pixels formed at the intersection of the data lines and the gate lines, a gate driver that supplies gate signals to the gate lines, and data to the data lines. It includes a data driver that supplies voltages. Each of the plurality of pixels receives a data voltage from the data line when a gate signal is supplied from the gate line, and emits light with a predetermined brightness according to the data voltage. For example, each pixel of a liquid crystal display device drives the liquid crystal of the liquid crystal layer according to the electric field of the data voltage supplied to the pixel electrode and the common voltage supplied to the common electrode, thereby transmitting light incident from the backlight unit to achieve a predetermined brightness. It can emit light. Additionally, each pixel of the organic light emitting display device can control the current flowing to the organic light emitting diode according to the data voltage supplied to the gate electrode of the driving transistor, thereby causing the organic light emitting diode to emit light at a predetermined brightness.
한편, 평판표시장치의 제조공정 중에 이물 등의 물질로 인해 화소가 휘점 또는 암점으로 동작하는 불량이 발생할 수 있다. 이 경우, 레이저 공정을 통해 불량화소를 리페어하는 방법이 알려져 있다.Meanwhile, during the manufacturing process of a flat panel display device, defects such as pixels operating as bright points or dark points may occur due to substances such as foreign substances. In this case, a method of repairing defective pixels through a laser process is known.
도 1은 불량화소를 그에 인접한 화소를 이용하여 리페어하는 방법을 보여주는 일 예시도면이다. 도 1에서는 제2 화소(P2)가 불량이고, 제1 및 제3 화소(P1, P3)들이 정상인 것을 예시하였다. 또한, 도 1에서는 화소들(P1, P2, P3)이 유기발광표시장치의 화소들인 것을 예시하였다.Figure 1 is an example diagram showing a method of repairing a defective pixel using pixels adjacent to it. In Figure 1, the second pixel (P2) is defective, and the first and third pixels (P1 and P3) are normal. Additionally, Figure 1 illustrates that the pixels P1, P2, and P3 are pixels of an organic light emitting display device.
도 1을 참조하면, 화소들(P1, P2, P3) 각각은 구동 트랜지스터(DT)와 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 제1 화소(P1)는 리페어라인(RL)을 통해 제2 화소(P2)와 연결되며, 제2 화소(P2)는 리페어라인(RL)을 통해 제3 화소(P3)와 연결된다. 리페어라인(RL)은 절단 영역(CA)에서 절단되어 있으며, 레이저로 절단 영역(CA)을 용접(welding)하는 경우 리페어라인(RL)은 절단 영역(CA)에서 연결될 수 있다.Referring to FIG. 1, each of the pixels P1, P2, and P3 includes a driving transistor (DT) and an organic light emitting diode (OLED). The first pixel (P1) is connected to the second pixel (P2) through the repair line (RL), and the second pixel (P2) is connected to the third pixel (P3) through the repair line (RL). The repair line (RL) is cut in the cutting area (CA), and when the cutting area (CA) is welded with a laser, the repair line (RL) can be connected to the cutting area (CA).
제2 화소(P2)의 구동 트랜지스터(DT)가 불량으로 인해 정상적으로 동작하지 못하는 경우, 레이저를 이용하여 제2 화소(P2)의 유기발광다이오드(OLED)와 구동 트랜지스터(DT) 사이를 커팅(cutting)한다. 그리고 나서, 레이저를 이용하여 제3 화소(P3)로부터 연장된 리페어라인(RL)의 절단 영역(CA)을 용접한다. 이로 인해, 리페어라인(RL)은 절단 영역(CA)에서 연결되므로, 제2 화소(P2)의 유기발광다이오드(OLED)는 제3 화소(P3)에 접속될 수 있다. 따라서, 제2 화소(P2)의 유기발광다이오드(OLED)는 제3 화소(P3)의 구동 트랜지스터(DT)로부터 구동전류를 공급받을 수 있으므로, 제2 화소(P2)는 리페어될 수 있다. 하지만, 도 1과 같이 불량화소를 리페어하는 경우, 용접을 위한 리페어라인(RL)을 추가적으로 설계하여야 하는 문제가 있다.
If the driving transistor (DT) of the second pixel (P2) does not operate normally due to a defect, cutting between the organic light emitting diode (OLED) and the driving transistor (DT) of the second pixel (P2) is performed using a laser. )do. Then, the cut area CA of the repair line RL extending from the third pixel P3 is welded using a laser. Because of this, the repair line RL is connected at the cut area CA, so the organic light emitting diode OLED of the second pixel P2 can be connected to the third pixel P3. Accordingly, since the organic light emitting diode (OLED) of the second pixel (P2) can receive driving current from the driving transistor (DT) of the third pixel (P3), the second pixel (P2) can be repaired. However, when repairing a defective pixel as shown in FIG. 1, there is a problem in that a repair line RL for welding must be additionally designed.
본 발명의 실시예는 용접(welding)을 위한 리페어라인이 필요없는 표시장치를 제공한다.
Embodiments of the present invention provide a display device that does not require a repair line for welding.
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 스캔신호들이 공급되는 스캔라인들, 데이터전압들이 공급되는 데이터라인들, 기준전압이 공급되는 기준전압 라인들, 및 상기 스캔라인들, 상기 데이터라인들, 및 상기 기준전압 라인들 중에서 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 및 동일한 기준전압 라인에 접속되는 복수의 서브화소들을 포함하는 화소를 구비한다.
A display device according to an embodiment of the present invention includes scan lines to which scan signals are supplied, data lines to which data voltages are supplied, reference voltage lines to which a reference voltage is supplied, and the scan lines, the data lines, and Among the reference voltage lines, a pixel includes a same scan line, a same data line, and a plurality of sub-pixels connected to the same reference voltage line.
본 발명의 실시예는 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 동일한 기준전압 라인에 접속된 복수의 서브화소들을 포함하는 화소를 구비한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 복수의 서브화소들 중 어느 하나가 불량인 경우 불량 서브화소를 레이저를 이용하여 절단함으로써, 화소를 수리할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 레이저 절단만을 이용하여 화소를 간단하게 수리할 수 있으므로, 용접(welding)을 위한 리페어라인을 설계할 필요가 없는 장점이 있다.An embodiment of the present invention includes a pixel including a plurality of sub-pixels connected to the same scan line, the same data line, and the same reference voltage line. As a result, in an embodiment of the present invention, when one of a plurality of subpixels is defective, the pixel can be repaired by cutting the defective subpixel using a laser. That is, the embodiment of the present invention has the advantage of not having to design a repair line for welding because the pixel can be simply repaired using only laser cutting.
또한, 본 발명의 실시예는 불량 서브화소를 포함하는 화소에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터에 소정의 보상 데이터를 추가함으로써, 제1 디지털 비디오 데이터를 제2 디지털 비디오 데이터로 변환한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 불량 서브화소를 포함하는 화소의 휘도를 정상적으로 발광하는 복수의 서브화소들을 포함하는 화소의 휘도와 균일하게 맞출 수 있다.
Additionally, an embodiment of the present invention converts first digital video data into second digital video data by adding predetermined compensation data to the first digital video data to be supplied to the pixel including the defective subpixel. As a result, the embodiment of the present invention can uniformly match the luminance of a pixel including a defective subpixel with the luminance of a pixel including a plurality of subpixels that normally emit light.
도 1은 불량화소를 그에 인접한 화소를 이용하여 리페어하는 방법을 보여주는 일 예시도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 블록도.
도 3은 도 2의 타이밍 제어부의 일 예를 보여주는 블록도.
도 4는 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 제1 서브화소가 불량인 경우 레이저 절단 위치를 보여주는 예시도면들.
도 6은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 또 다른 회로도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도.1 is an example diagram showing a method of repairing a defective pixel using pixels adjacent to it.
Figure 2 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing an example of the timing control unit of FIG. 2.
Figure 4 is a circuit diagram showing the pixel of Figure 2 in detail.
FIGS. 5A and 5B are exemplary diagrams showing laser cutting positions when the first subpixel of FIG. 4 is defective.
Figure 6 is another circuit diagram showing the pixel of Figure 2 in detail.
7 is a flowchart showing a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. Like reference numerals refer to substantially the same elements throughout the specification. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. Additionally, the component names used in the following description may have been selected in consideration of ease of specification preparation, and may be different from the component names of the actual product.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 타이밍 제어부(40) 및 디지털 데이터 변환부(50)를 포함한다.Figure 2 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a display device according to an embodiment of the present invention includes a
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 스캔신호들을 스캔신호들에 순차적으로 공급하는 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 데이터전압들을 공급하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)로 구현되는 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않으며, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중에 어느 하나로 구현될 수도 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 표시장치가 유기발광 표시장치로 구현된 것을 중심으로 예시하였지만, 본 발명의 표시장치는 유기발광 표시장치에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.A display device according to an embodiment of the present invention may include any display device that supplies data voltages to pixels through line sequential scanning, which sequentially supplies scan signals to scan signals. The display device according to an embodiment of the present invention is preferably implemented as an Organic Light Emitting Display, but is not limited thereto, and may include a Liquid Crystal Display or a Field Emission Display. , may be implemented as one of the electrophoresis displays. Although the present invention is exemplified in the following embodiments where the display device is implemented as an organic light emitting display device, it should be noted that the display device of the present invention is not limited to an organic light emitting display device.
표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rm), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수) 및 센싱신호라인들(SEN1~SENn)이 형성된다. 데이터라인들(D1~Dm) 및 기준전압 라인들(R1~Rm)은 스캔라인들(S1~Sn) 및 센싱신호라인들(SEN1~SENn)과 교차되도록 형성될 수 있다. 데이터라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rm)은 서로 나란하게 형성될 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn)과 센싱신호라인들(SEN1~SENn)은 서로 나란하게 형성될 수 있다. 한편, 센싱신호라인들(SEN1~SENn)에 공급되는 센싱신호들이 스캔라인들(S1~Sn)에 공급되는 스캔신호들과 동일할 수 있으며, 이 경우 센싱신호라인들(SEN1~SENn)은 생략될 수 있다.The
표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준전압 라인들(R1~Rm) 중 어느 하나, 스캔라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호라인들(SEN1~SENn) 중 어느 하나에 접속된다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 복수의 서브화소들을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 도 2와 같이 화소(P)들 각각이 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 본 발명의 실시예는 화소(P)들 각각이 3 개 이상의 서브화소들을 포함할 수도 있다. 또한, 도 2에서는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)이 상하로 배치된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)은 도 4 및 도 6과 같이 좌우로 배치될 수 있다.Each of the pixels (P) of the
두 개의 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 데이터라인, 동일한 기준전압 라인, 동일한 스캔라인, 및 동일한 센싱신호라인에 접속될 수 있다. 이로 인해, 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 데이터전압, 동일한 기준전압, 동일한 스캔신호, 동일한 센싱신호를 입력받는다. 따라서, 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)은 서로 동일한 밝기로 발광할 수 있다.The two sub-pixels SP1 and SP2 may be connected to the same data line, the same reference voltage line, the same scan line, and the same sensing signal line. Because of this, the two sub-pixels (SP1, SP2) receive the same data voltage, the same reference voltage, the same scan signal, and the same sensing signal. Accordingly, the two sub-pixels SP1 and SP2 may emit light with the same brightness.
한편, 본 발명의 실시예는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2) 중 어느 하나에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 서브화소를 비발광하도록 만든다. 본 발명의 실시예는 화소(P)가 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하기 때문에, 두 개의 서브화소들(SP1, SP2) 중 어느 하나가 불량이라서 비발광하더라도, 다른 하나는 정상적으로 발광할 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)에 대한 자세한 설명은 도 4 및 도 6을 결부하여 후술한다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, when a defect occurs in one of the two sub-pixels SP1 and SP2, the sub-pixel in which the defect occurs is made to not emit light. In an embodiment of the present invention, since the pixel P includes two sub-pixels (SP1, SP2), even if one of the two sub-pixels (SP1, SP2) is defective and does not emit light, the other one is normally It can emit light. A detailed description of the pixels P of the
데이터 구동부(20)는 적어도 하나의 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit 이하 "IC"라 칭함, 21) 및 센싱부(22)를 포함한다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 하나의 소스 드라이브 IC(21)를 예시하였지만, 이에 한정되지 않으며, 데이터 구동부(20)는 복수의 소스 드라이브 IC(21)들을 포함할 수 있다.The
소스 드라이브 IC(21)는 데이터라인들(D1~Dm)에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 구체적으로, 소스 드라이브 IC(21)는 타이밍 제어부(40)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 타이밍 제어신호(DCS)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(21)는 소스 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다.The source drive
소스 드라이브 IC(21)는 표시기간 동안 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1) 또는 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)를 데이터 전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1) 및 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2) 각각은 화소(P)의 유기발광다이오드를 발광하기 위해 공급되는 데이터이다.The
또한, 소스 드라이브 IC(21)는 센싱기간 동안 제3 디지털 비디오 데이터(DATA3)를 데이터 전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 제3 디지털 비디오 데이터(DATA3)는 센싱기간 동안 화소(P)의 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱하기 위한 데이터이다.Additionally, the
센싱부(22)는 기준전압 라인들(R1~Rm)에 접속된다. 센싱부(22)는 표시기간 동안 기준전압 라인들(R1~Rm)에 기준전압을 공급한다. 기준전압은 화소(P)의 구동 트랜지스터의 소스 전극을 초기화하기 위한 전압이다. 센싱부(22)는 센싱기간 동안 기준전압 라인들(R1~Rm)에 프리차징 전압을 공급한 후 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱한다. 프리차징 전압 역시 화소(P)의 구동 트랜지스터의 소스 전극을 초기화하기 위한 전압이다. 센싱부(22)는 센싱된 전압을 아날로그 디지털 컨버터(analog to digital converter)를 이용하여 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환하여 디지털 데이터 변환부(50)로 출력한다.The
스캔 구동부(30)는 스캔신호 구동부와 센싱신호 구동부를 포함한다. 스캔신호 구동부는 스캔라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 구체적으로, 스캔신호 구동부는 타이밍 제어부(40)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 공급한다. 스캔신호 구동부는 표시기간 동안 스캔라인들(S1~Sn)에 순차적으로 스캔신호들을 공급하고, 센싱기간 동안 어느 한 스캔라인에 스캔신호를 공급할 수 있다.The
센싱신호 구동부는 센싱신호라인들(SEN1~SENn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 구체적으로, 센싱신호 구동부는 타이밍 제어부(40)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 센싱신호라인들(SEN1~SENn)에 센싱신호들을 공급한다. 센싱신호 구동부는 표시기간 동안 센싱신호라인들(SEN1~SENn)에 순차적으로 센싱신호들을 공급하고, 센싱기간 동안 어느 한 센싱라인에 센싱신호를 공급할 수 있다.The sensing signal driver is connected to the sensing signal lines (SEN1 to SENn) and supplies scan signals. Specifically, the sensing signal driver supplies sensing signals to the sensing signal lines (SEN1 to SENn) according to the scan timing control signal (SCS) input from the
타이밍 제어부(40)는 디지털 데이터 변환부(50)로부터 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 입력받는다. 타이밍 제어부(40)는 소스 드라이브 IC(21) 및 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 소스 드라이브 IC(21)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS) 및 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 포함한다.The
타이밍 제어부(40)는 표시기간 동안 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)와 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)의 타이밍에 따라 생성한 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(40)는 센싱기간 동안 내부의 메모리에 저장된 제3 디지털 비디오 데이터(DATA3)와 제3 디지털 비디오 데이터(DATA3)의 타이밍에 따라 생성한 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(40)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔 구동부(30)로 출력한다.The
한편, 본 발명의 실시예는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2) 중 어느 하나에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 서브화소(이하 "불량 서브화소"라 칭함)를 비발광하도록 만든다. 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)는 하나의 서브화소만이 발광하는 반면에, 불량 서브화소를 포함하지 않는 화소(P)는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)이 발광한다. 따라서, 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도는 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도보다 낮아지게 된다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, when a defect occurs in one of the two sub-pixels SP1 and SP2, the defective sub-pixel (hereinafter referred to as “defective sub-pixel”) is made to not emit light. In the pixel P containing a defective subpixel, only one subpixel emits light, while in the pixel P containing no defective subpixel, two subpixels SP1 and SP2 emit light. Accordingly, the luminance of the pixel P including the defective subpixel becomes lower than the luminance of the pixel P including the two normally emitting subpixels SP1 and SP2.
타이밍 제어부(40)는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도와 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도를 균일하게 맞추기 위해, 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)로 변환하는 데이터 변환부를 포함할 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(40)는 표시기간 동안 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)와 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)의 타이밍에 따라 생성한 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(40)의 데이터 변환부에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.The
디지털 데이터 변환부(50)는 외부로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력받는다. 또한, 디지털 데이터 변환부(50)는 센싱부(22)로부터 센싱 데이터(SD)를 입력받는다. 디지털 데이터 변환부(50)는 입력된 센싱 데이터(SD)로부터 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있는 문턱전압 보상 데이터를 산출할 수 있다. 디지털 데이터 변환부(50)는 디지털 비디오 데이터(DATA)에 문턱전압 보상 데이터를 적용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)로 변환할 수 있다. 디지털 데이터 변환부(50)는 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 타이밍 제어부(40)로 출력한다. 디지털 데이터 변환부(50)는 타이밍 제어부(50)에 포함될 수 있다.
The
도 3은 도 2의 타이밍 제어부의 일 예를 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 타이밍 제어부(40)는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도와 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도를 균일하게 만들기 위해, 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 변환하는 데이터 변환부(41)와 메모리(42)를 포함할 수 있다.FIG. 3 is a block diagram showing an example of the timing control unit of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the
메모리(42)는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 좌표값을 포함하는 좌표 데이터(CD)와 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 보상하기 위한 보상 데이터(AD)를 저장하고 있다. 메모리(42)는 좌표 데이터(CD)와 보상 데이터(AD)를 데이터 변환부(41)로 출력한다.The
데이터 변환부(41)는 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 입력받고, 메모리(42)로부터 좌표 데이터(CD)를 입력받는다. 데이터 변환부(41)는 좌표 데이터(CD)에 포함된 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 좌표값에 따라 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 변환한다. 특히, 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도는 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도보다 낮기 때문에, 데이터 변환부(41)는 수학식 1과 같이 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)에 소정의 보상 데이터(AD)를 추가함으로써, 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)로 변환할 수 있다. 데이터 변환부(41)는 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)를 데이터 구동부(20)로 출력한다.The
수학식 1에서, DATA1(x,y)는 (x,y) 좌표의 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터, CD는 보상 데이터, DATA2(x,y)는 (x,y) 좌표의 화소(P)에 공급될 제2 디지털 비디오 데이터를 의미한다. 보상 데이터(CD)는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도를 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도와 균일하게 맞추기 위한 데이터로서, 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다.In
한편, 메모리(42)는 불량 서브화소가 없는 경우, 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 좌표값을 저장하지 않는다. 따라서, 데이터 변환부(41)는 불량 서브화소가 없는 경우, 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 그대로 데이터 구동부(20)로 출력한다.Meanwhile, when there is no defective subpixel, the
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)에 공급될 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)에 보상 데이터(CD)를 추가함으로써, 제1 디지털 비디오 데이터(DATA1)를 제2 디지털 비디오 데이터(DATA2)로 변환한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 불량 서브화소를 포함하는 화소(P)의 휘도를 정상적으로 발광하는 두 개의 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 화소(P)의 휘도와 균일하게 맞출 수 있다.
As discussed above, the embodiment of the present invention adds compensation data (CD) to the first digital video data (DATA1) to be supplied to the pixel (P) including the defective subpixel, thereby generating the first digital video data (DATA1). ) is converted into second digital video data (DATA2). As a result, the embodiment of the present invention can uniformly match the luminance of the pixel P including the defective sub-pixel with the luminance of the pixel P including the two sub-pixels SP1 and SP2 that normally emit light. .
도 4는 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 4를 참조하면, 화소(P)들 각각은 두 개의 서브화소들, 즉 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)을 포함한다.FIG. 4 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail. Referring to FIG. 4, each of the pixels P includes two subpixels, that is, first and second subpixels SP1 and SP2.
제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 스캔라인, 동일한 센싱신호라인, 동일한 데이터라인, 동일한 기준전압 라인에 접속된다. 예를 들어, 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 도 4와 같이 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔라인(Sk), 제k 센싱신호라인(SENk), 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 및 제j 기준전압 라인(Rj)에 접속될 수 있다. 이로 인해, 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 스캔신호, 동일한 센싱신호, 동일한 데이터전압, 동일한 기준전압을 입력받는다. 따라서, 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 밝기로 발광한다.The first and second subpixels SP1 and SP2 are connected to the same scan line, the same sensing signal line, the same data line, and the same reference voltage line. For example, the first and second sub-pixels (SP1, SP2) have a k-th (k is a positive integer satisfying 1≤k≤n) scan line (Sk), and a k-th sensing signal line as shown in FIG. 4. (SENk), the jth (j is a positive integer satisfying 1≤j≤m) data line (Dj), and the jth reference voltage line (Rj). Because of this, the first and second subpixels SP1 and SP2 receive the same scan signal, the same sensing signal, the same data voltage, and the same reference voltage. Accordingly, the first and second subpixels SP1 and SP2 emit light with the same brightness.
제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 서로 다른 고전위전압라인에 접속된다. 예를 들어, 도 4와 같이 제1 서브화소(SP1)는 제i 고전위전압라인(VDDLi)에 접속되고, 제2 서브화소(SP2)는 제i+1 고전위전압라인(VDDLi+1)에 접속될 수 있다.The first and second subpixels SP1 and SP2 are connected to different high potential voltage lines. For example, as shown in FIG. 4, the first sub-pixel (SP1) is connected to the ith high potential voltage line (VDDLi), and the second sub-pixel (SP2) is connected to the i+1 high potential voltage line (VDDLi+1). can be connected to.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 화소(P)는 동일한 스캔라인, 동일한 센싱신호라인, 동일한 데이터라인, 동일한 기준전압 라인에 접속된 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)을 포함한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2) 중 어느 하나가 불량인 경우 도 5a 및 도 5b와 같이 불량 서브화소를 레이저를 이용하여 절단함으로써, 화소(P)를 수리할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 레이저 절단만을 이용하여 화소(P)를 간단하게 수리할 수 있으며, 용접(welding)을 위한 리페어라인을 설계할 필요가 없는 장점이 있다.As discussed above, the pixel P according to the embodiment of the present invention includes first and second subpixels (SP1, SP2) connected to the same scan line, the same sensing signal line, the same data line, and the same reference voltage line. ) includes. As a result, in an embodiment of the present invention, when any one of the first and second sub-pixels SP1 and SP2 is defective, the defective sub-pixel is cut using a laser as shown in FIGS. 5A and 5B, thereby cutting the pixel P ) can be repaired. That is, the embodiment of the present invention has the advantage that the pixel P can be easily repaired using only laser cutting, and there is no need to design a repair line for welding.
이하에서는, 도 4를 결부하여 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)의 실시예를 살펴본다.Hereinafter, embodiments of the first and second subpixels SP1 and SP2 will be looked at in conjunction with FIG. 4 .
먼저, 제1 서브화소(SP1)는 제1 구동 트랜지스터(DT1), 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2), 제1 커패시터(C1), 및 제1 유기발광다이오드(OLED1)를 포함한다.First, the first sub-pixel SP1 includes a first driving transistor DT1, first and second transistors T1 and T2, a first capacitor C1, and a first organic light-emitting diode OLED1. .
제1 구동 트랜지스터(DT1)는 게이트 전극의 전압에 따라 제1 유기발광다이오드(OLED1)에 공급되는 전류량을 제어한다. 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되고, 소스 전극은 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위전압이 공급되는 제i(i는 양의 정수) 고전위전압라인(VDDi)에 접속될 수 있다.The first driving transistor DT1 controls the amount of current supplied to the first organic light emitting diode OLED1 according to the voltage of the gate electrode. The gate electrode of the first driving transistor (DT1) is connected to the source electrode of the first transistor (T1), the source electrode is connected to the anode electrode of the first organic light emitting diode (OLED1), and the drain electrode is supplied with a high potential voltage. It can be connected to the i-th (i is a positive integer) high potential voltage line (VDDi).
제1 유기발광다이오드(OLED1)는 제1 구동 트랜지스터(DT1)를 통해 공급되는 전류의 양에 따라 발광한다. 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 애노드 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위전압보다 낮은 저전위전압이 공급되는 저전위전압라인(VSSL)에 접속될 수 있다.The first organic light emitting diode (OLED1) emits light according to the amount of current supplied through the first driving transistor (DT1). The anode electrode of the first organic light-emitting diode (OLED1) is connected to the source electrode of the first driving transistor (DT1), and the cathode electrode is connected to the low-potential voltage line (VSSL) to which a low-potential voltage lower than the high-potential voltage is supplied. You can.
제1 트랜지스터(T1)는 제k 스캔라인(Sk)의 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)의 데이터 전압을 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 공급한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 소스 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first transistor T1 is turned on by the scan signal of the kth scan line Sk and supplies the data voltage of the jth data line Dj to the gate electrode of the first driving transistor DT1. The gate electrode of the first transistor (T1) is connected to the kth scan line (Sk), the source electrode is connected to the gate electrode of the first driving transistor (DT1), and the drain electrode is connected to the jth data line (Dj). It can be.
제2 트랜지스터(T2)는 제k 센싱신호라인(SENk)의 센싱신호에 응답하여 제j 기준전압 라인(Rj)을 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제k 센싱신호라인(SENk)에 접속되고, 소스 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제j 기준전압 라인(Rj)에 접속될 수 있다.The second transistor T2 connects the jth reference voltage line Rj to the source electrode of the first driving transistor DT1 in response to the sensing signal of the kth sensing signal line SENk. The gate electrode of the second transistor (T2) is connected to the kth sensing signal line (SENk), the source electrode is connected to the source electrode of the first driving transistor (DT1), and the drain electrode is connected to the jth reference voltage line (Rj). can be connected to.
제1 커패시터(C1)는 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다.The first capacitor C1 is formed between the gate electrode and the source electrode of the first driving transistor DT1.
도 4에서는 제1 구동 트랜지스터(DT1)와 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 즉, 제1 구동 트랜지스터(DT1)와 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 또한, 도 4에서 제1 트랜지스터(T1)는 제k 스캔라인(Sk)에 접속된 트랜지스터이므로, "스캔 트랜지스터"로 통칭될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)는 제k 센싱신호라인(SENk)에 접속된 트랜지스터이므로, "센싱 트랜지스터"로 통칭될 수 있다.In FIG. 4, the description focuses on the fact that the first driving transistor DT1 and the first and second transistors T1 and T2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but it should be noted that the transistor is not limited thereto. do. That is, the first driving transistor DT1 and the first and second transistors T1 and T2 may be formed of a P-type MOSFET. Additionally, in FIG. 4, the first transistor T1 is a transistor connected to the kth scan line (Sk), so it can be collectively referred to as a “scan transistor,” and the second transistor (T2) is a transistor connected to the kth sensing signal line (SENk). Since it is a transistor connected to , it can be collectively referred to as a “sensing transistor.”
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 제1 서브화소(SP1)는 제1 유기발광다이오드(OLED1)에 구동전류를 공급하기 위한 제1 구동 트랜지스터(DT1), 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하기 위한 제1 트랜지스터(T1), 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스 전극에 기준전압을 공급하거나 프리차징 전압을 공급하기 위한 제2 트랜지스터(T2), 및 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차를 유지하기 위한 제1 커패시터(C1)를 포함한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 표시기간 동안 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 발광을 위한 데이터전압을 공급하고 소스 전극에 기준전압을 공급함으로써, 제1 유기발광다이오드(OLED1)를 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 센싱기간 동안 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 센싱을 위한 데이터전압을 공급하고 소스 전극에 프리차징 전압을 공급함으로써, 기준전압 라인을 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스전압을 센싱할 수 있다.As described above, the first sub-pixel (SP1) according to an embodiment of the present invention includes a first driving transistor (DT1) for supplying a driving current to the first organic light-emitting diode (OLED1), and a first driving transistor (DT1). ), a first transistor (T1) for supplying a data voltage to the gate electrode of 1 It includes a first capacitor C1 to maintain a voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT1. As a result, the embodiment of the present invention supplies a data voltage for light emission to the gate electrode of the first driving transistor (DT1) and a reference voltage to the source electrode during the display period, thereby setting the first organic light emitting diode (OLED1) to a predetermined level. It can emit light with a brightness of . In addition, an embodiment of the present invention supplies a data voltage for sensing to the gate electrode of the first driving transistor (DT1) and a precharging voltage to the source electrode during the sensing period, so that the first driving transistor (DT1) uses a reference voltage line. The source voltage of (DT1) can be sensed.
두 번째로, 제2 서브화소(SP2)는 제2 구동 트랜지스터(DT1), 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4), 제2 커패시터(C2), 및 제2 유기발광다이오드(OLED2)를 포함한다.Second, the second subpixel SP2 includes a second driving transistor DT1, third and fourth transistors T3 and T4, a second capacitor C2, and a second organic light emitting diode OLED2. Includes.
제2 구동 트랜지스터(DT2)는 게이트 전극의 전압에 따라 제2 유기발광다이오드(OLED2)에 공급되는 전류량을 제어한다. 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극은 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극에 접속되고, 소스 전극은 제2 유기발광다이오드(OLED2)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위전압이 공급되는 제i+1 고전위전압라인(VDDi+1)에 접속될 수 있다.The second driving transistor DT2 controls the amount of current supplied to the second organic light emitting diode OLED2 according to the voltage of the gate electrode. The gate electrode of the second driving transistor (DT2) is connected to the source electrode of the third transistor (T3), the source electrode is connected to the anode electrode of the second organic light-emitting diode (OLED2), and the drain electrode is supplied with a high potential voltage. It can be connected to the i+1th high potential voltage line (VDDi+1).
제2 유기발광다이오드(OLED2)는 제2 구동 트랜지스터(DT2)를 통해 공급되는 전류의 양에 따라 발광한다. 제2 유기발광다이오드(OLED2)의 애노드 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 저전위전압라인(VSSL)에 접속될 수 있다.The second organic light emitting diode (OLED2) emits light according to the amount of current supplied through the second driving transistor (DT2). The anode electrode of the second organic light emitting diode (OLED2) may be connected to the source electrode of the second driving transistor (DT2), and the cathode electrode may be connected to the low potential voltage line (VSSL).
제3 트랜지스터(T3)는 제k 스캔라인(Sk)의 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)의 데이터 전압을 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 공급한다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 소스 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다.The third transistor T3 is turned on by the scan signal of the kth scan line Sk and supplies the data voltage of the jth data line Dj to the gate electrode of the second driving transistor DT2. The gate electrode of the third transistor T3 is connected to the kth scan line Sk, the source electrode is connected to the gate electrode of the second driving transistor DT2, and the drain electrode is connected to the jth data line Dj. It can be.
제4 트랜지스터(T4)는 제k 센싱신호라인(SENk)의 센싱신호에 응답하여 제j 기준전압 라인(Rj)을 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스 전극에 접속시킨다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제k 센싱신호라인(SENk)에 접속되고, 소스 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제j 기준전압 라인(Rj)에 접속될 수 있다.The fourth transistor T4 connects the jth reference voltage line Rj to the source electrode of the second driving transistor DT2 in response to the sensing signal of the kth sensing signal line SENk. The gate electrode of the fourth transistor (T4) is connected to the kth sensing signal line (SENk), the source electrode is connected to the source electrode of the second driving transistor (DT2), and the drain electrode is connected to the jth reference voltage line (Rj). can be connected to.
제2 커패시터(C2)는 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다.The second capacitor C2 is formed between the gate electrode and the source electrode of the second driving transistor DT2.
도 4에서는 제2 구동 트랜지스터(DT2)와 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 즉, 제2 구동 트랜지스터(DT2)와 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 또한, 도 4에서 제3 트랜지스터(T3)는 제k 스캔라인(Sk)에 접속된 트랜지스터이므로, 제1 트랜지스터(T1)와 같이 "스캔 트랜지스터"로 통칭될 수 있고, 제4 트랜지스터(T4)는 제k 센싱신호라인(SENk)에 접속된 트랜지스터이므로, 제3 트랜지스터(T3)와 같이 "센싱 트랜지스터"로 통칭될 수 있다.In FIG. 4, the description focuses on the fact that the second driving transistor DT2 and the third and fourth transistors T3 and T4 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but it should be noted that the transistor is not limited thereto. do. That is, the second driving transistor DT2 and the third and fourth transistors T3 and T4 may be formed of a P-type MOSFET. Additionally, in FIG. 4, the third transistor T3 is a transistor connected to the kth scan line Sk, so it can be collectively referred to as a “scan transistor” like the first transistor T1, and the fourth transistor T4 is Since it is a transistor connected to the kth sensing signal line (SENk), it can be collectively referred to as a “sensing transistor” like the third transistor (T3).
또한, 본 발명의 실시예에 따른 제2 서브화소(SP2)는 제2 유기발광다이오드(OLED2)에 구동전류를 공급하기 위한 제2 구동 트랜지스터(DT2), 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 데이터전압을 공급하기 위한 제3 트랜지스터(T3), 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스 전극에 기준전압을 공급하거나 프리차징 전압을 공급하기 위한 제4 트랜지스터(T4), 및 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차를 유지하기 위한 제2 커패시터(C2)를 포함한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 표시기간 동안 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 발광을 위한 데이터전압을 공급하고 소스 전극에 기준전압을 공급함으로써, 제2 유기발광다이오드(OLED2)를 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 센싱기간 동안 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 센싱을 위한 데이터전압을 공급하고 소스 전극에 프리차징 전압을 공급함으로써, 기준전압 라인을 이용하여 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스전압을 센싱할 수 있다.In addition, the second sub-pixel (SP2) according to an embodiment of the present invention includes a second driving transistor (DT2) for supplying a driving current to the second organic light-emitting diode (OLED2), and a gate electrode of the second driving transistor (DT2). a third transistor (T3) for supplying a data voltage to the source electrode of the second driving transistor (DT2), a fourth transistor (T4) for supplying a reference voltage or a pre-charging voltage to the source electrode of the second driving transistor (DT2), and a second driving transistor ( It includes a second capacitor (C2) to maintain the voltage difference between the gate electrode and the source electrode of DT2). As a result, the embodiment of the present invention supplies a data voltage for light emission to the gate electrode of the second driving transistor (DT2) and a reference voltage to the source electrode during the display period, thereby setting the second organic light emitting diode (OLED2) to a predetermined level. It can emit light with a brightness of . In addition, an embodiment of the present invention supplies a data voltage for sensing to the gate electrode of the second driving transistor (DT2) and a precharging voltage to the source electrode during the sensing period, thereby driving the second driving transistor using the reference voltage line. The source voltage of (DT2) can be sensed.
한편, 본 발명의 실시예는 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)이 하나의 기준전압 라인을 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스전압과 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스전압을 센싱하기 때문에, 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스전압과 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 소스전압의 평균 전압을 센싱하게 된다. 본 발명의 실시예에 따른 디지털 데이터 변환부(50)는 평균 전압을 이용하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터들(DT1, DT2)의 문턱전압을 보상할 수 있는 문턱전압 보상 데이터를 산출할 수 있으며, 문턱전압 보상 데이터를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 변환함으로써, 제1 및 제2 구동 트랜지스터들(DT1, DT2)의 문턱전압을 보상할 수 있다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, the first and second subpixels (SP1, SP2) use one reference voltage line to apply the source voltage of the first driving transistor (DT1) and the source voltage of the second driving transistor (DT2). Because the voltage is sensed, the average voltage of the source voltage of the first driving transistor (DT1) and the source voltage of the second driving transistor (DT2) is sensed. The
한편, 본 발명의 실시예에 따른 화소(P)의 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)의 화소 구조는 도 4에 도시된 바에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 화소(P)의 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)의 화소 구조는 당업자가 변경 가능한 범위 내에서 이미 공지된 다른 화소 구조로 변경될 수 있음에 주의하여야 한다.
Meanwhile, it should be noted that the pixel structure of the first and second sub-pixels SP1 and SP2 of the pixel P according to the embodiment of the present invention is not limited to that shown in FIG. 4. That is, the pixel structure of the first and second sub-pixels SP1 and SP2 of the pixel P according to the embodiment of the present invention can be changed to another known pixel structure within the range that can be changed by a person skilled in the art. Be careful.
도 5a는 도 4의 제1 서브화소가 불량인 경우 절단 위치를 보여주는 일 예시도면이다. 도 5a에는 화소(P)의 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2) 중에서 제1 서브화소(SP1)가 불량인 경우 화소(P)를 수리(repair)하기 위해 레이저로 절단하는 위치가 나타나 있다.FIG. 5A is an example diagram showing a cutting location when the first subpixel of FIG. 4 is defective. In FIG. 5A , when the first sub-pixel (SP1) is defective among the first and second sub-pixels (SP1, SP2) of the pixel (P), the position where the pixel (P) is cut with a laser to repair it is shown. It appears.
도 5a를 참조하면, 제1 서브화소(SP1)가 불량인 경우, 레이저를 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극을 절단한다. 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극을 단선하는 경우, 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극과 제i 고전위전압라인(VDDLi)의 연결은 끊어진다. 이로 인해, 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극에는 고전위전압이 공급되지 않으므로, 제1 유기발광다이오드(OLED1)에는 구동전류가 공급되지 않는다.Referring to FIG. 5A, when the first sub-pixel (SP1) is defective, the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the gate electrode of the first transistor (T1), and the second transistor (T2) are damaged using a laser. Cut the gate electrode. When the drain electrode of the first driving transistor DT1 is disconnected, the connection between the drain electrode of the first driving transistor DT1 and the ith high potential voltage line VDDLi is disconnected. Because of this, since the high potential voltage is not supplied to the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the driving current is not supplied to the first organic light emitting diode (OLED1).
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극을 절단하는 경우, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제k 스캔라인(Sk)의 연결은 끊어진다. 이로 인해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 스캔신호가 공급되지 않으므로, 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온되지 않는다. 따라서, 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 데이터전압이 공급되지 않는다.When the gate electrode of the first transistor T1 is cut, the connection between the gate electrode of the first transistor T1 and the kth scan line Sk is disconnected. Because of this, since the scan signal is not supplied to the gate electrode of the first transistor (T1), the first transistor (T1) is not turned on. Accordingly, the data voltage of the jth data line Dj is not supplied to the gate electrode of the first driving transistor DT1.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극을 절단하는 경우, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 제k 센싱신호라인(SENk)의 연결은 끊어진다. 이로 인해, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 센싱신호가 공급되지 않으므로, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온되지 않는다. 따라서, 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 소스 전극에는 제j 기준전압 라인(Rj)의 기준전압 또는 프리차징 전압이 공급되지 않는다.When the gate electrode of the second transistor T2 is cut, the connection between the gate electrode of the second transistor T2 and the kth sensing signal line SENk is disconnected. Because of this, since the sensing signal is not supplied to the gate electrode of the second transistor (T2), the second transistor (T2) is not turned on. Accordingly, the reference voltage or precharging voltage of the jth reference voltage line Rj is not supplied to the source electrode of the first driving transistor DT1.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 도 5a와 같이 레이저를 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극을 절단함으로써, 제1 서브화소(SP1)를 비발광화소로 만들 수 있다. 본 발명의 실시예는 불량 서브화소인 제1 서브화소(SP1)를 비발광화소로 만들더라도, 제2 서브화소(SP2)가 정상적으로 발광하기 때문에 화소(P)를 정상적으로 발광시킬 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 레이저 절단만을 이용하여 화소(P)를 간단하게 수리할 수 있으므로, 용접(welding)을 위한 리페어라인을 설계할 필요가 없는 장점이 있다.As discussed above, the embodiment of the present invention uses a laser as shown in FIG. 5A to connect the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the gate electrode of the first transistor (T1), and the gate of the second transistor (T2). By cutting the electrode, the first sub-pixel SP1 can be made into a non-emission pixel. In an embodiment of the present invention, even if the first sub-pixel (SP1), which is a defective sub-pixel, is made a non-emission pixel, the pixel (P) can emit light normally because the second sub-pixel (SP2) emits light normally. As a result, the embodiment of the present invention has the advantage of not having to design a repair line for welding because the pixel P can be simply repaired using only laser cutting.
또한, 본 발명의 실시예는 도 5a와 같이 레이저를 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극을 절단하는 경우, 불량이 발생한 서브화소(SP1)에 어떠한 전압도 인가되지 않으므로, 불량이 발생한 서브화소(SP1)에 인가된 전압에 의해 인접한 화소가 불특정하게 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.
In addition, an embodiment of the present invention uses a laser to cut the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the gate electrode of the first transistor (T1), and the gate electrode of the second transistor (T2), as shown in FIG. 5A. In this case, since no voltage is applied to the defective subpixel SP1, it is possible to prevent adjacent pixels from being unspecifically affected by the voltage applied to the defective subpixel SP1.
도 5b는 도 4의 제1 서브화소가 불량인 경우 레이저 절단 위치를 보여주는 일 예시도면이다. 도 5b에는 화소(P)의 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2) 중에서 제1 서브화소(SP1)가 불량인 경우 화소(P)를 수리(repair)하기 위해 레이저로 절단하는 위치가 나타나 있다.FIG. 5B is an example diagram showing a laser cutting position when the first subpixel of FIG. 4 is defective. In FIG. 5B, when the first sub-pixel (SP1) is defective among the first and second sub-pixels (SP1, SP2) of the pixel (P), the position where the pixel (P) is cut with a laser to repair is shown. It appears.
도 5b를 참조하면, 제1 서브화소(SP1)가 불량인 경우, 레이저를 이용하여 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 애노드 전극 사이를 절단한다. 이로 인해, 제1 유기발광다이오드(OLED1)에는 구동전류가 공급되지 않으므로, 제1 유기발광다이오드(OLED1)는 발광하지 않는다.Referring to FIG. 5B, when the first sub-pixel SP1 is defective, a laser is used to cut between the drain electrode of the driving transistor DT and the anode electrode of the first organic light-emitting diode OLED1. Because of this, since the driving current is not supplied to the first organic light emitting diode (OLED1), the first organic light emitting diode (OLED1) does not emit light.
결국, 본 발명의 실시예는 레이저를 이용하여 도 5b와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 애노드 전극 사이를 절단함으로써, 제1 서브화소(SP1)를 비발광화소로 만들 수 있다. 본 발명의 실시예는 불량 서브화소인 제1 서브화소(SP1)를 비발광화소로 만들더라도, 제2 서브화소(SP2)가 정상적으로 발광하기 때문에 화소(P)를 정상적으로 발광시킬 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 레이저 절단만을 이용하여 화소(P)를 간단하게 수리할 수 있으므로, 용접(welding)을 위한 리페어라인을 설계할 필요가 없는 장점이 있다.
Ultimately, the embodiment of the present invention uses a laser to cut between the drain electrode of the driving transistor (DT) and the anode electrode of the first organic light-emitting diode (OLED1), as shown in FIG. 5B, thereby forming the first sub-pixel (SP1). It can be made into a light-emitting pixel. In an embodiment of the present invention, even if the first sub-pixel (SP1), which is a defective sub-pixel, is made into a non-emission pixel, the pixel (P) can emit light normally because the second sub-pixel (SP2) emits light normally. As a result, the embodiment of the present invention has the advantage of not having to design a repair line for welding because the pixel P can be simply repaired using only laser cutting.
도 6은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 또 다른 회로도이다. 도 6을 참조하면, 화소(P)들 각각은 두 개의 서브화소들, 즉 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)을 포함한다.FIG. 6 is another circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail. Referring to FIG. 6, each pixel P includes two subpixels, that is, first and second subpixels SP1 and SP2.
제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 고전위전압라인에 접속된다. 예를 들어, 도 6과 같이 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 제j 고전위전압라인(VDDLj)에 접속될 수 있다. 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 고전위전압라인에 접속되기 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)이 서로 다른 고전위전압라인에 접속되는 경우보다 화소(P)를 통과하는 배선의 개수를 줄일 수 있기 때문에, 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)의 설계 면적을 늘릴 수 있고, 개구율을 높일 수 있는 장점이 있다.The first and second subpixels SP1 and SP2 are connected to the same high potential voltage line. For example, as shown in FIG. 6 , the first and second subpixels SP1 and SP2 may be connected to the jth high potential voltage line VDDLj. Since the first and second sub-pixels (SP1, SP2) are connected to the same high potential voltage line, the first and second sub-pixels (SP1, SP2) have different high potential voltages, as shown in FIG. Since the number of wires passing through the pixel P can be reduced compared to when connected to a line, the design area of the first and second sub-pixels SP1 and SP2 can be increased, and the aperture ratio can be increased. there is.
도 6에 도시된 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)은 동일한 고전위전압라인에 접속되는 것을 제외하고는 도 4에 도시된 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 6에 도시된 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.The first and second subpixels (SP1, SP2) shown in FIG. 6 are similar to the first and second subpixels (SP1, SP2) shown in FIG. 4, except that the first and second subpixels (SP1, SP2) shown in FIG. 6 are connected to the same high potential voltage line. are substantially the same. Therefore, a detailed description of the first and second subpixels SP1 and SP2 shown in FIG. 6 will be omitted.
또한, 도 6에 도시된 화소(P)의 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2) 중 제1 서브화소(SP1)가 불량인 경우, 화소(P)를 수리(repair)하기 위해 레이저로 절단하는 위치 역시 도 5a 및 도 5b를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
In addition, when the first sub-pixel (SP1) among the first and second sub-pixels (SP1, SP2) of the pixel (P) shown in FIG. 6 is defective, a laser is used to repair the pixel (P). The cutting position is also substantially the same as described in conjunction with FIGS. 5A and 5B. Therefore, detailed description thereof will be omitted.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 제1 내지 제5 단계들을 포함한다. 이하에서는, 도 4, 도 5a, 도 5b, 및 도 7을 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 상세히 설명한다.Figure 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes first to fifth steps. Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4, 5A, 5B, and 7.
첫 번째로, 하부기판상에 화소(P)들의 트랜지스터들을 형성한다. 화소(P)들은 도 4와 같이 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 동일한 기준전압 라인에 접속되는 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)을 포함할 수 있다. 이 경우, 하부기판상에 도 4와 같이 제1 및 제2 구동 트랜지스터들(DT1, DT2), 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1~T4), 및 제1 및 제2 커패시터들(C1, C2)이 형성될 수 있다.First, transistors of pixels (P) are formed on the lower substrate. The pixels P may include first and second sub-pixels SP1 and SP2 connected to the same scan line, the same data line, and the same reference voltage line as shown in FIG. 4 . In this case, as shown in FIG. 4 on the lower substrate, first and second driving transistors (DT1, DT2), first to fourth transistors (T1 to T4), and first and second capacitors (C1, C2) ) can be formed.
제1 및 제2 구동 트랜지스터들(DT1, DT2)과 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1~T4) 각각은 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 구동 트랜지스터들(DT1, DT2)과 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1~T4) 각각의 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 절연하기 위해 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막이 형성되고, 게이트 절연막상에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성될 수 있다. 게이트 절연막과 소스 전극 및 드레인 전극상에는 보호막이 형성될 수 있다. (S101)Each of the first and second driving transistors DT1 and DT2 and the first to fourth transistors T1 to T4 may include a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. A gate insulating film covering the gate electrode is formed to electrically insulate the gate electrode, source electrode, and drain electrode of each of the first and second driving transistors (DT1, DT2) and the first to fourth transistors (T1 to T4). And, a source electrode and a drain electrode can be formed on the gate insulating film. A protective film may be formed on the gate insulating film, the source electrode, and the drain electrode. (S101)
두 번째로, 화소(P)들의 트랜지스터들이 정상적으로 동작하는지 검사하고, 비정상적으로 동작하는 트랜지스터를 포함하는 화소를 제1 불량화소로 판정한다. 하부기판에 마련되는 검사 패드들을 통해 트랜지스터들에 전류를 흐르게함으로써 트랜지스터들이 정상적으로 동작하는지 검사할 수 있다. (S102)Second, it is checked whether the transistors of the pixels P are operating normally, and the pixel containing the transistor operating abnormally is determined to be the first defective pixel. It is possible to check whether the transistors are operating normally by flowing current through the test pads provided on the lower substrate. (S102)
세 번째로, 레이저를 이용하여 제1 불량화소에 포함된 트랜지스터들의 전극들을 절단함으로써, 제1 불량화소를 수리한다. 예를 들어, 도 5a와 같이 제1 서브화소가 불량인 경우, 레이저를 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극이 절단될 수 있다. 또한, 제1 불량화소가 제2 서브화소인 경우, 레이저를 이용하여 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 드레인 전극, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극, 및 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극이 절단될 수 있다. (S103)Third, the first defective pixel is repaired by cutting the electrodes of the transistors included in the first defective pixel using a laser. For example, if the first sub-pixel is defective as shown in FIG. 5A, the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the gate electrode of the first transistor (T1), and the second transistor (T2) are damaged using a laser. The gate electrode may be cut. In addition, when the first defective pixel is the second sub-pixel, the drain electrode of the second driving transistor (DT2), the gate electrode of the third transistor (T3), and the gate electrode of the fourth transistor (T4) are connected using a laser. It can be cut. (S103)
네 번째로, 화소(P)들의 유기발광다이오드들을 형성한다. 화소(P)들이 도 4와 같이 제1 및 제2 서브화소들(SP1, SP2)을 포함하는 경우, 제1 및 제2 유기발광다이오드들(OLED1, OLED2)이 형성될 수 있다.Fourth, organic light emitting diodes of pixels (P) are formed. When the pixels P include first and second sub-pixels SP1 and SP2 as shown in FIG. 4, first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 may be formed.
제1 및 제2 유기발광다이오드들(OLED1, OLED2) 각각은 애노드 전극, 유기발광층 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 애노드 전극은 보호막을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속될 수 있다. 애노드 전극상에는 유기발광층이 형성될 수 있으며, 유기발광층상에는 캐소드 전극이 형성될 수 있다. 유기발광층은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 캐소드 전극상에는 봉지층이 형성될 수 있다. 봉지층은 유기발광층과 캐소드 전극에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층은 적어도 하나의 유기막 및 무기막을 포함할 수 있다. (S104)Each of the first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 may include an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode. The anode electrode may be connected to the source electrode of the driving transistor through a contact hole penetrating the protective film. An organic light-emitting layer may be formed on the anode electrode, and a cathode electrode may be formed on the organic light-emitting layer. The organic light emitting layer may include a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer. In this case, when voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the light-emitting layer through the hole transport layer and electron transport layer, respectively, and combine with each other in the light-emitting layer to emit light. An encapsulation layer may be formed on the cathode electrode. The encapsulation layer serves to prevent oxygen or moisture from penetrating into the organic light emitting layer and the cathode electrode. The encapsulation layer may include at least one organic layer and at least one inorganic layer. (S104)
다섯 번째로, 화소(P)들의 유기발광다이오드들이 정상적으로 점등하는지 검사하고, 비정상적으로 점등하는 유기발광다이오드를 포함하는 화소를 제2 불량화소로 판정한다. 하부기판에 마련되는 검사 패드들을 통해 소정의 신호들을 인가함으로써, 유기발광다이오드들이 정상적으로 점등하는지 검사할 수 있다. (S105)Fifth, it is checked whether the organic light emitting diodes of the pixels P are lit normally, and the pixel containing the organic light emitting diode that is abnormally lit is determined to be a second defective pixel. By applying predetermined signals through inspection pads provided on the lower substrate, it is possible to check whether the organic light emitting diodes are lit normally. (S105)
여섯 번째로, 레이저를 이용하여 제2 불량화소에 포함된 트랜지스터들의 전극들을 절단함으로써, 제2 불량화소를 수리할 수 있다. 예를 들어, 도 5a와 같이 제1 서브화소가 불량인 경우, 레이저를 이용하여 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극이 절단될 수 있다. 또한, 제1 불량화소가 제2 서브화소인 경우, 레이저를 이용하여 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 드레인 전극, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극, 및 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극이 절단될 수 있다.Sixth, the second defective pixel can be repaired by cutting the electrodes of the transistors included in the second defective pixel using a laser. For example, if the first sub-pixel is defective as shown in FIG. 5A, the drain electrode of the first driving transistor (DT1), the gate electrode of the first transistor (T1), and the second transistor (T2) are damaged using a laser. The gate electrode may be cut. In addition, when the first defective pixel is the second sub-pixel, the drain electrode of the second driving transistor (DT2), the gate electrode of the third transistor (T3), and the gate electrode of the fourth transistor (T4) are connected using a laser. It can be cut.
또는, 레이저를 이용하여 제2 불량화소에 포함된 유기발광다이오드의 애노드 전극을 절단함으로써, 제2 불량화소를 수리할 수 있다. 예를 들어, 도 5b와 같이 제1 서브화소가 불량인 경우, 레이저를 이용하여 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 애노드 전극이 절단될 수 있다. 또한, 제1 불량화소가 제2 서브화소인 경우, 레이저를 이용하여 제2 유기발광다이오드(OLED2)의 애노드 전극이 절단될 수 있다. (S106)Alternatively, the second defective pixel can be repaired by cutting the anode electrode of the organic light emitting diode included in the second defective pixel using a laser. For example, if the first sub-pixel is defective as shown in FIG. 5B, the anode electrode of the first organic light-emitting diode OLED1 may be cut using a laser. Additionally, when the first defective pixel is the second sub-pixel, the anode electrode of the second organic light emitting diode (OLED2) may be cut using a laser. (S106)
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 및 동일한 기준전압 라인에 접속되는 제1 및 제2 서브화소들을 포함하는 화소(P)들을 형성하고, 제조 공정 중에 화소(P)들 중에 불량화소가 있는지를 판단하며, 불량화소를 레이저를 이용하여 절단함으로써 화소를 수리할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 레이저 절단만을 이용하여 화소를 간단하게 수리할 수 있으므로, 용접(welding)을 위한 리페어라인을 설계할 필요가 없는 장점이 있다.As discussed above, the embodiment of the present invention forms pixels P including first and second sub-pixels connected to the same scan line, the same data line, and the same reference voltage line, and pixels P are formed during the manufacturing process. It is determined whether there is a defective pixel among the (P)s, and the pixel can be repaired by cutting the defective pixel using a laser. As a result, the embodiment of the present invention has the advantage of not having to design a repair line for welding because the pixel can be simply repaired using only laser cutting.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Through the above-described content, those skilled in the art will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to what is described in the detailed description of the specification, but should be defined by the scope of the patent claims.
10: 표시패널 20: 데이터 구동부
21: 소스 드라이브 IC 22: 센싱부
30: 스캔 구동부 40: 타이밍 제어부
41: 데이터 변환부 42: 메모리
50: 디지털 데이터 변환부 P: 화소
SP1: 제1 서브화소 SP2: 제2 서브화소
DT1: 제1 구동 트랜지스터 OLED1: 제1 유기발광다이오드
DT2: 제2 구동 트랜지스터 OLED2: 제2 유기발광다이오드
T1: 제1 트랜지스터 T2: 제2 트랜지스터
T3: 제3 트랜지스터 T4: 제4 트랜지스터10: display panel 20: data driver
21: source drive IC 22: sensing unit
30: scan driver 40: timing control unit
41: data conversion unit 42: memory
50: digital data conversion unit P: pixel
SP1: 1st subpixel SP2: 2nd subpixel
DT1: first driving transistor OLED1: first organic light emitting diode
DT2: second driving transistor OLED2: second organic light emitting diode
T1: first transistor T2: second transistor
T3: third transistor T4: fourth transistor
Claims (8)
데이터전압들이 공급되는 데이터라인들;
기준전압이 공급되는 기준전압 라인들; 및
상기 스캔라인들, 상기 데이터라인들, 및 상기 기준전압 라인들 중에서 동일한 스캔라인, 동일한 데이터라인, 및 동일한 기준전압 라인에 접속되는 복수의 서브화소들을 포함하는 화소를 구비하며,
상기 복수의 서브화소들이 모두 정상적으로 구동할 때, 상기 복수의 서브화소들 각각은 제 1 디지털 비디오 데이터를 입력 받고, 상기 복수의 서브화소들 중 어느 하나가 불량 서브화소일 때, 나머지 서브화소들은 상기 제 1 디지털 비디오 데이터와 상이한 값인 제 2 디지털 비디오 데이터를 입력 받는, 표시장치.scan lines to which scan signals are supplied;
data lines to which data voltages are supplied;
Reference voltage lines supplied with a reference voltage; and
A pixel including a plurality of sub-pixels connected to the same scan line, the same data line, and the same reference voltage line among the scan lines, the data lines, and the reference voltage line,
When all of the plurality of subpixels operate normally, each of the plurality of subpixels receives first digital video data, and when one of the plurality of subpixels is a defective subpixel, the remaining subpixels receive the first digital video data. A display device that receives second digital video data having a different value from the first digital video data.
센싱신호들이 공급되는 센싱신호라인들을 더 구비하고,
상기 복수의 서브화소들은 상기 센싱신호라인들 중에서 동일한 센싱신호라인에 접속되는 표시장치.According to claim 1,
Further comprising sensing signal lines through which sensing signals are supplied,
A display device wherein the plurality of sub-pixels are connected to the same sensing signal line among the sensing signal lines.
제1 전원전압이 공급되는 제1 전원전압 라인들을 더 구비하고,
상기 복수의 서브화소들은 상기 제1 전원전압 라인들 중에서 동일한 제1 전원전압 라인에 접속되는 표시장치.According to claim 2,
Further comprising first power voltage lines supplied with a first power voltage,
A display device wherein the plurality of subpixels are connected to the same first power voltage line among the first power voltage lines.
제1 전원전압이 공급되는 제1 전원전압 라인들을 더 구비하고,
상기 복수의 서브화소들은 상기 제1 전원전압 라인들 중에서 서로 다른 제1 전원전압 라인들에 접속되는 표시장치.According to claim 2,
Further comprising first power voltage lines supplied with a first power voltage,
A display device wherein the plurality of subpixels are connected to different first power voltage lines among the first power voltage lines.
상기 복수의 서브화소들 각각은,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드와 상기 제1 전원전압 라인에 접속된 구동 트랜지스터;
게이트 전극이 제k(k는 양의 정수) 스캔라인에 접속되고, 소스 전극이 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극이 제j(j는 양의 정수) 데이터라인에 접속된 스캔 트랜지스터;
게이트 전극이 제k 센싱신호라인에 접속되고, 소스 전극이 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되며, 드레인 전극이 제j 기준전압 라인에 접속된 센싱 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극에 접속된 커패시터를 포함하는 표시장치.According to claim 3 or 4,
Each of the plurality of subpixels,
organic light emitting diode;
a driving transistor connected to the organic light emitting diode and the first power voltage line;
A scan transistor whose gate electrode is connected to the kth (k is a positive integer) scan line, the source electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor, and the drain electrode is connected to the jth (j is a positive integer) data line. ;
a sensing transistor whose gate electrode is connected to a kth sensing signal line, a source electrode connected to the source electrode of the driving transistor, and a drain electrode connected to a jth reference voltage line; and
A display device including a capacitor connected to a gate electrode and a source electrode of the driving transistor.
상기 불량 서브화소는 비발광하는 표시장치.According to claim 5,
A display device in which the defective subpixel does not emit light.
상기 복수의 서브화소들 중 어느 하나가 불량 서브화소일 때,
상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제1 전원전압 라인 간의 연결은 끊어지고, 상기 스캔 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제k 스캔라인 간의 연결은 끊어지며, 상기 센싱 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제k 센싱신호라인 간의 연결은 끊어진 표시장치.According to claim 5,
When one of the plurality of subpixels is a defective subpixel,
The connection between the drain electrode of the driving transistor and the first power voltage line is disconnected, the connection between the gate electrode of the scan transistor and the kth scan line is disconnected, and the gate electrode of the sensing transistor and the kth sensing signal line are disconnected. The connection between the display devices is broken.
상기 스캔라인들에 상기 스캔신호들을 공급하는 스캔신호 구동부;
상기 데이터라인들에 상기 데이터전압들을 공급하고, 상기 기준전압 라인들에 상기 기준전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 센싱신호라인들에 상기 센싱신호들을 공급하는 센싱신호 구동부를 더 구비하는 표시장치.According to claim 2,
a scan signal driver that supplies the scan signals to the scan lines;
a data driver that supplies the data voltages to the data lines and the reference voltage to the reference voltage lines; and
A display device further comprising a sensing signal driver that supplies the sensing signals to the sensing signal lines.
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