KR102359530B1 - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 - Google Patents
기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102359530B1 KR102359530B1 KR1020140157386A KR20140157386A KR102359530B1 KR 102359530 B1 KR102359530 B1 KR 102359530B1 KR 1020140157386 A KR1020140157386 A KR 1020140157386A KR 20140157386 A KR20140157386 A KR 20140157386A KR 102359530 B1 KR102359530 B1 KR 102359530B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning
- substrate
- liquid
- processing
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 204
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 128
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 102
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 128
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 112
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 82
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 22
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
도 2는 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 용기 세정 유닛을 이용하여 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
850: 처리 용기 860: 회수컵
868: 회수 공간 870: 승강 유닛
880: 용기 세정 유닛 882: 세정 노즐
890: 제어기
Claims (12)
- 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계와;
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되,
상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판의 저면에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 기판을 제1속도로 회전시키는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시키는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 제2유량은 상기 제1유량에 비해 적게 제공되는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 상부면 및 상기 하부면 각각은 상부면 세정 단계 및 상기 하부면 세정 단계 각각에서 그 높이가 상이하게 위치되는 기판 처리 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하고,
상기 세정액은 상기 감광액을 희석시키는 솔벤트를 포함하는 기판 처리 방법. - 삭제
- 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수컵을 가지는 처리 용기와;
세정액을 공급하여 상기 회수 공간에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 세정 노즐을 가지는 용기 세정 유닛과;
상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 세정 노즐의 토출구는 상기 기판의 저면을 향하고,
상기 제어기는 상기 회수컵을 세정 처리 시 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
상기 제어기는 상기 기판의 회전 속도를 조절하여 상기 비산된 세정액의 탄착 위치를 조절하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 회수컵은,
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상단이 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 중간링과;
상기 중간 링의 아래에 위치되는 내측링을 포함하는 기판 처리 장치. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 놓이는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 지지하는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 구동기를 제어하여 상기 지지 플레이트의 회전 속도를 조절하는 기판 처리 장치. - 기판에 공급된 처리액을 회수하는 처리 용기를 세정 처리하는 방법에 있어서,
세정 노즐이 상기 기판의 저면으로 세정액을 공급하고, 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 처리액이 회수되는 회수 공간을 세정 처리하되,
상기 세정액은 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 순차적으로 세정 처리하고,
상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 용기 세정 방법. - 제10항에 있어서,
상기 상부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고,
상기 하부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되,
상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 용기 세정 방법. - 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140157386A KR102359530B1 (ko) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140157386A KR102359530B1 (ko) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160057036A KR20160057036A (ko) | 2016-05-23 |
KR102359530B1 true KR102359530B1 (ko) | 2022-02-10 |
Family
ID=56104071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140157386A Active KR102359530B1 (ko) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102359530B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102497794B1 (ko) * | 2016-06-27 | 2023-02-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법 |
KR101927696B1 (ko) | 2016-08-31 | 2019-02-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101935943B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2019-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 |
JP6890992B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-06-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102315667B1 (ko) * | 2017-08-25 | 2021-10-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR102099105B1 (ko) * | 2018-07-18 | 2020-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102081706B1 (ko) * | 2018-07-18 | 2020-02-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102624576B1 (ko) * | 2020-11-23 | 2024-01-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100253976B1 (ko) * | 1995-08-24 | 2000-04-15 | 이시다 아키라 | 기판의 회전처리 방법 및 그 장치 |
JP2000315671A (ja) | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100696739B1 (ko) | 2000-04-03 | 2007-03-19 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07171477A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3352304B2 (ja) * | 1995-12-05 | 2002-12-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2012019025A (ja) | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
-
2014
- 2014-11-12 KR KR1020140157386A patent/KR102359530B1/ko active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100253976B1 (ko) * | 1995-08-24 | 2000-04-15 | 이시다 아키라 | 기판의 회전처리 방법 및 그 장치 |
JP2000315671A (ja) | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100696739B1 (ko) | 2000-04-03 | 2007-03-19 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160057036A (ko) | 2016-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102359530B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 | |
KR101736441B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 안내판 세정 방법 | |
KR101689619B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비 | |
KR101842118B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR20180130864A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102388407B1 (ko) | 노즐 장치, 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20170070610A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101914480B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101654621B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102270937B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102175074B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
KR102533056B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR102343636B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102385268B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101757814B1 (ko) | 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20170061749A (ko) | 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR101968488B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20210125312A (ko) | 노즐 장치 및 기판 처리 장치 | |
KR102010261B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102289486B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101935943B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 | |
KR20210135391A (ko) | 노즐 이동 유닛 및 기판 처리 장치 | |
KR102298083B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR20190041160A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR102467056B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20141112 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20191008 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20141112 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210520 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220114 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220203 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220204 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250122 Start annual number: 4 End annual number: 4 |