[go: up one dir, main page]

KR102317419B1 - 발광 표시 장치 - Google Patents

발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102317419B1
KR102317419B1 KR1020170083811A KR20170083811A KR102317419B1 KR 102317419 B1 KR102317419 B1 KR 102317419B1 KR 1020170083811 A KR1020170083811 A KR 1020170083811A KR 20170083811 A KR20170083811 A KR 20170083811A KR 102317419 B1 KR102317419 B1 KR 102317419B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
curved pattern
curved
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170083811A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190003216A (ko
Inventor
김수강
구원회
장지향
조소영
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020170083811A priority Critical patent/KR102317419B1/ko
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to CN201810696558.6A priority patent/CN109216579B/zh
Priority to CN202010565691.5A priority patent/CN111640777B/zh
Priority to US16/023,106 priority patent/US10522789B2/en
Priority to CN202010566724.8A priority patent/CN111640778B/zh
Publication of KR20190003216A publication Critical patent/KR20190003216A/ko
Priority to US16/672,476 priority patent/US10903455B2/en
Priority to KR1020210139920A priority patent/KR102520549B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102317419B1 publication Critical patent/KR102317419B1/ko
Priority to KR1020230045334A priority patent/KR102735475B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H01L51/5275—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H01L27/3211—
    • H01L27/322—
    • H01L27/3258—
    • H01L27/3262—
    • H01L51/5253—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2003—Display of colours
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 출원은 발광 표시 장치에 마련된 화소들의 광 추출 효율을 향상시키고, 화소들 각각의 광 추출 효율을 극대화시키는 것으로, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 기판의 제 1 영역 상에 마련된 제 1 굴곡 패턴과 기판의 제 2 영역 상에 마련된 제 2 굴곡 패턴을 갖는 평탄화 코팅층, 및 제 1 굴곡 패턴과 제 2 굴곡 패턴 상에 마련된 발광 소자를 포함하며, 제 1 굴곡 패턴과 중첩되는 평탄화 코팅층의 두께와 제 2 굴곡 패턴과 중첩되는 평탄화 코팅층의 두께는 상이하며, 제 1 굴곡 패턴과 제 2 굴곡 패턴 각각은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는 복수의 볼록부들을 포함할 수 있다.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 출원은 발광 표시 장치에 관한 것이다.
발광 표시 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원이 필요하지 않는 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.
발광 표시 장치는 2개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 발광 소자의 발광을 통해서 영상을 표시한다. 이때, 발광 소자의 발광에 따라 발생되는 광은 전극과 기판 등을 통해서 외부로 방출된다.
그러나, 발광 표시 장치는 발광층에서 발광된 광 중 일부가 발광층과 전극 사이의 계면 또는 기판과 공기층 사이의 계면에서의 전반사 등으로 인하여 외부로 방출되지 못함에 따라 광 추출 효율이 감소하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 장치는 낮은 광 추출 효율로 인하여 휘도가 저하되고, 소비 전력이 증가하게 된다.
본 출원의 과제는 발광 표시 장치에 마련된 화소들의 광 추출 효율을 향상시키고, 화소들 각각의 광 추출 효율을 극대화하는 것이다.
본 출원에 따른 발광 표시 장치는 제 1 영역과 제 2 영역을 갖는 기판, 기판 상에 마련되고 제 1 영역 상에 마련된 제 1 굴곡 패턴과 제 2 영역 상에 마련된 제 2 굴곡 패턴을 갖는 평탄화 코팅층, 및 제 1 굴곡 패턴과 제 2 굴곡 패턴 상에 마련된 발광 소자를 포함하며, 제 1 굴곡 패턴과 중첩되는 평탄화 코팅층의 두께와 제 2 굴곡 패턴과 중첩되는 평탄화 코팅층의 두께는 상이하며, 제 1 굴곡 패턴과 제 2 굴곡 패턴 각각은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는 복수의 볼록부들을 포함할 수 있다.
본 출원은 발광 표시 장치에 마련된 화소들의 광 추출 효율을 향상시키고, 화소들 각각의 광 추출 효율을 극대화시킬 수 있다.
위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 출원에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 화소를 나타내는 등가 회도로이다.
도 3은 도 1에 도시된 제 1 내지 제 3 화소의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 제 4 화소의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 A 부분의 확대도이다.
도 6은 도 3에 도시된 제 1 굴곡 패턴의 평면 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 도 4에 도시된 B 부분의 확대도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 굴곡 패턴을 형성하기 위한 마스크 구조를 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 도 1에 도시된 제 1 내지 제 3 화소의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 1에 도시된 제 4 화소의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다
도 1은 본 출원에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 화소 어레이부(10), 제어 회로(30), 데이터 구동 회로(50), 및 게이트 구동 회로(70)를 포함할 수 있다.
상기 화소 어레이부(10)는 기판 상에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL), 및 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되는 화소 영역에 형성된 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함한다.
상기 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 인접한 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 게이트 신호와 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 영상을 표시한다. 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 게이트 라인(GL)에 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 화소 영역에 마련된 화소 회로와 화소 회로에 연결된 발광 소자를 포함한다. 각 화소(12a, 12b, 12c, 12d)의 화소 회로는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 각 화소(12a, 12b, 12c, 12d)의 발광 소자는 화소 회로로부터 제공되는 데이터 신호에 의해 자체 발광하여 영상을 표시하는 자발광 소자를 포함할 수 있다. 여기서, 자발광 소자는 유기 발광 소자, 양자점 발광 소자, 또는 무기 발광 소자 등이 될 수 있다.
상기 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있으며, 서브 화소로 표현될 수 있다. 서로 인접한 적어도 4개의 화소(12a, 12b, 12c, 12d)는 컬러 표시를 위한 하나의 단위 화소(12)를 구성할 수 있다. 일 예로, 하나의 단위 화소(12)는 게이트 라인(GL)의 길이 방향을 따라 서로 인접하게 배열된 제 1 내지 제 4 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함할 수 있다. 다른 예로, 하나의 단위 화소(12)는 데이터 라인(DL)의 길이 방향을 따라 서로 인접하게 배열된 제 1 내지 제 4 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함할 수 있으며, 이러한 단위 화소(12)의 경우, 상대적으로 단순한 회로 구성을 갖는 게이트 구동 회로(70)에 연결되는 게이트 라인들(GL)의 개수가 증가하지만 상대적으로 복잡한 데이터 구동 회로(50)에 연결되는 데이터 라인들(DL)의 개수가 감소하게 된다. 또 다른 예로, 하나의 단위 화소(12)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)을 따라 서로 인접하게 배열된 제 1 내지 제 4 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 화소(12a)는 적색 화소, 제 2 화소(12b)는 녹색 화소, 제 3 화소(12b)는 청색 화소, 및 제 4 화소(12d)는 백색 화소일 수 있다.
상기 제어 회로(30)는 영상 신호를 기반으로 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각에 대응되는 화소별 화소 데이터를 생성한다. 예를 들어, 제어 회로(30)는 영상 신호, 즉 각 단위 화소(12)의 적색 입력 데이터와 녹색 입력 데이터 및 청색 입력 데이터를 기반으로 백색 화소 데이터를 추출하고, 적색 입력 데이터와 녹색 입력 데이터 및 청색 입력 데이터 각각에서 백색 화소 데이터를 차감하여 적색 화소 데이터와 녹색 화소 데이터 및 청색 화소 데이터를 각각 산출하고, 산출된 적색 화소 데이터, 녹색 화소 데이터, 청색 화소 데이터, 및 백색 화소 데이터를 화소 배열 구조에 알맞도록 정렬해 데이터 구동 회로(50)에 공급한다.
상기 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 데이터 제어 신호를 생성해 데이터 구동 회로(50)에 제공한다. 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 스타트 신호, 복수의 게이트 클럭 신호를 포함하는 게이트 제어 신호를 생성해 게이트 구동 회로(70)에 제공한다.
상기 데이터 구동 회로(50)는 화소 어레이부(10)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 연결된다. 데이터 구동 회로(50)는 제어 회로(30)로부터 제공되는 화소별 화소 데이터와 데이터 제어 신호를 수신하고, 전원 회로로부터 제공되는 복수의 기준 감마 전압을 수신한다. 데이터 구동 회로(50)는 데이터 제어 신호와 복수의 기준 감마 전압을 이용하여 화소별 화소 데이터를 아날로그 형태의 화소별 데이터 신호로 변환하고, 변환된 화소별 데이터 신호를 해당 데이터 라인(DL)에 공급한다.
상기 게이트 구동 회로(70)는 화소 어레이부(10)에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 연결된다. 게이트 구동 회로(70)는 제어 회로(30)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 정해진 순서에 따라 게이트 신호를 생성하여 해당하는 게이트 라인(GL)에 공급한다.
일 예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 박막 트랜지스터의 제조 공정에 따라 기판의 일측 가장자리 또는 양측 가장자리에 집적되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다. 일 예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 집적 회로에 구성되어 기판에 실장되거나 연성 회로 필름에 실장되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 화소를 나타내는 등가 회도로이다.
도 2를 참조하면, 본 예에 따른 발광 표시 장치의 제 1 화소(12a)는 화소 회로(PC) 및 발광 소자(ED)를 포함한다.
상기 화소 회로(PC)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 의해 정의된 화소 영역의 회로 영역에 마련되고, 인접한 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 및 제 1 구동 전원(VDD)에 연결된다. 이러한 화소 회로(PC)는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 온 신호(GS)에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광 소자(ED)의 발광을 제어한다. 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함한다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 게이트 온 신호(GS)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급한다.
상기 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 제 2 소스/드레인 전극에 연결된 게이트 전극, 제 1 구동 전원(VDD)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극(또는 드레인 전극), 및 발광 소자(ED)에 연결된 제 1 소스/드레인(또는 소스 전극)을 포함한다. 이러한 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)로부터 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 기반으로 하는 게이트-소스 전압에 따라 턴-온되어 제 1 구동 전원(VDD)으로부터 발광 소자(ED)에 공급되는 데이터 신호를 제어한다.
상기 커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 접속되어 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 박막 트랜지스터(DT)의 턴-온시킨다. 이때, 커패시터(Cst)는 다음 프레임에서 스위칭 박막 트랜지스터(ST)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 공급될 때까지 구동 박막 트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 유지시킨다.
상기 발광 소자(ED)는 화소 영역의 발광 영역에 마련되고 화소 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 발광한다. 일 예로서, 발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 연결된 제 1 전극, 제 2 구동 전원(VSS)에 연결된 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 마련된 발광층을 포함할 수 있다. 여기서, 발광층은 유기 발광층, 무기 발광층, 및 양자점 발광층 중 어느 하나를 포함하거나, 유기 발광층(또는 무기 발광층)과 양자점 발광층의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.
이와 같은, 본 예에 따른 발광 표시 장치의 제 1 화소(12a)는 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 전압에 따라 발광 소자(ED)에 공급되는 데이터 신호를 제어하여 발광 소자(ED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시하게 된다. 이와 마찬가지로, 제 2 내지 제 4 화소(12a, 12b, 12c)는 제 1 화소(12a)와 동일한 구성을 갖는다.
도 3은 도 1에 도시된 제 1 내지 제 3 화소의 구조를 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 제 4 화소의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3 및 도 4를 도 1과 결부하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 기판(100), 트랜지스터층, 컬러 필터층(150), 평탄화 코팅층(170), 및 발광 소자(ED)를 포함한다.
상기 기판(100)은 주로 유리 재질로 이루어지지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱 재질, 예로서, 폴리이미드 재질로 이루어질 수 있다. 플라스틱 재질을 기판(100)의 재질로 이용할 경우에는, 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. 이러한 기판(100)의 전면(前面) 전체는 1 이상의 버퍼층(110)에 의해 덮일 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 박막 트랜지스터의 제조 공정 중 고온 공정시 기판(100)에 함유된 물질이 트랜지스터층으로 확산되는 것을 차단하는 역할을 한다. 또한, 버퍼층(110)은 외부의 수분이나 습기가 발광 소자 쪽으로 침투하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 이와 같은, 버퍼층(110)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(110)은 경우에 따라서 생략될 수도 있다.
기판(100)은 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한다.
상기 표시 영역은 제 1 영역(A1) 및 제 1 영역(A1)에 인접한 제 2 영역(A2)을 갖는 복수의 단위 화소 영역을 포함한다.
상기 제 1 영역(A1)은 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c) 각각이 마련되는 제 1 내지 제 3 서브 영역(SA1, SA2, SA3)을 포함한다. 제 1 화소(12a)는 제 1 서브 영역(SA1) 상에 마련되고, 제 2 화소(12b)는 제 2 서브 영역(SA2) 상에 마련되며, 제 3 화소(12c)는 제 3 서브 영역(SA3) 상에 마련될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 서브 영역(SA1, SA2, SA3) 각각은 회로 영역(CA) 및 발광 영역(또는 개구 영역)(EA)을 포함한다.
상기 제 2 영역(A2)은 제 4 화소(12d)가 마련되는 제 4 서브 영역(SA4)을 포함한다.
상기 제 1 내지 제 4 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4) 각각은 회로 영역(CA) 및 발광 영역(EA)을 포함한다.
상기 트랜지스터층은 제 1 내지 제 4 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4) 각각에 정의된 회로 영역(CA)에 마련된 구동 박막 트랜지스터(DT)를 포함한다.
일 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(DT)는 액티브층(111), 게이트 절연막(113), 게이트 전극(115), 보호층(117), 드레인 전극(119d), 및 소스 전극(119s)을 포함한다.
상기 액티브층(111)은 기판(100) 또는 버퍼층(110) 상에 정의된 회로 영역(CA)의 구동 박막 트랜지스터 영역에 형성된 채널 영역(111c)과 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s)을 포함한다. 이러한 액티브층(111)은 게이트 절연막(113)의 에칭 공정시 에칭 가스에 의해 도체화되는 드레인 영역(111d)과 소스 영역(111s), 및 도체화되지 않은 채널 영역(111c)을 포함한다. 이때, 드레인 영역(111d)과 소스 영역(111s)은 채널 영역(111c)을 사이에 두고 서로 나란하도록 이격될 수 있다.
일 예에 따른 액티브층(111)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나로 이루어진 반도체 물질로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 출원에 따른 액티브층(111)은 Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, 또는 In-Sn Oxide 등의 산화물로 이루어지거나, 산화물에 Al, Ni, Cu, Ta, Mo, Zr, V, Hf 또는 Ti 물질의 이온이 도핑된 산화물로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(113)은 액티브층(111)의 채널 영역(111c) 상에 형성된다. 이러한 게이트 절연막(113)은 액티브층(111)을 포함하는 기판(100) 또는 버퍼층(110)의 전면(前面) 전체에 형성되지 않고, 액티브층(111)의 채널 영역(111c) 상에만 섬 형태로 형성된다.
상기 게이트 전극(115)은 액티브층(111)의 채널 영역(111c)과 중첩되도록 게이트 절연막(113) 상에 형성된다. 게이트 전극(115)은 에칭 공정을 이용한 게이트 절연막(113)의 패터닝 공정시 에칭 가스에 의해 액티브층(111)의 채널 영역(111c)이 도체화되지 않도록 하는 마스크 역할을 한다. 이러한 게이트 전극(115)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.
상기 보호층(117)은 게이트 전극(115)과 액티브층(111)의 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s) 상에 형성된다. 즉, 보호층(117)은 기판(100) 또는 버퍼층(110)의 전면(前面) 전체에 형성되어 게이트 전극(115)과 액티브층(111)의 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s)을 덮는다. 이러한 보호층(117)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어지거나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene) 또는 포토 아크릴(photo acryl)과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 보호층(117)은 층간 절연막의 용어로 표현될 수도 있다.
상기 드레인 전극(119d)은 액티브층(111)의 드레인 영역(111d)과 중첩되는 보호층(117)에 마련된 제 1 콘택홀을 통해 액티브층(111)의 드레인 영역(111d)에 전기적으로 연결된다.
상기 소스 전극(119s)은 액티브층(111)의 소스 영역(111s)과 중첩되는 보호층(117)에 마련된 제 2 콘택홀을 통해 액티브층(111)의 소스 영역(111s)에 전기적으로 연결된다.
상기 드레인 전극(119d)과 소스 전극(111s) 각각은 동일한 금속 재질로 이루어지며, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.
추가적으로, 회로 영역은 스위칭 박막 트랜지스터 및 커패시터를 더 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터와 동일한 구조를 가지도록 회로 영역(CA) 상에 마련되므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 커패시터는 보호층(117)을 사이에 두고 서로 중첩되는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(115)과 소스 전극(119s) 사이의 중첩 영역에 마련된다.
부가적으로, 회로 영역(CA)에 마련된 트랜지스터는 광에 의해 문턱 전압이 쉬프트되는 특성을 가질 수 있는데, 이를 방지하기 위하여, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 액티브층(111)의 아래에 마련된 차광층(101)을 더 포함할 수 있다.
상기 차광층(101)은 기판(100)과 액티브층(111) 사이에 마련되어 기판(100)을 통해서 액티브층(111) 쪽으로 입사되는 광을 차단함으로써 외부 광에 의한 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화 내지 방지한다. 이러한 차광층(101)은 버퍼층(110)에 의해 덮인다. 선택적으로, 차광층(101)은 트랜지스터의 소스 전극에 전기적으로 연결되어 해당 트랜지스터의 하부 게이트 전극의 역할을 할 수도 있으며, 이 경우 광에 의한 특성 변화뿐만 아니라 바이어스 전압에 따른 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화 내지 방지한다.
상기 절연층(130)은 트랜지스터층을 덮도록 기판(100) 전체에 마련된다. 즉, 절연층(130)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(119d)과 소스 전극(119s) 및 보호층(117)을 덮는다. 일 예에 따른 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 절연층(130)은 패시베이션층의 용어로 표현될 수도 있다.
상기 컬러 필터층(150)은 제 1 영역(A1)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 절연층(130) 상에 마련된다. 즉, 컬러 필터층(150)은 제 1 내지 제 3 서브 영역(SA1, SA2, SA3) 각각의 발광 영역(EA)과 중첩되는 절연층(130) 상에 섬 형태로 마련된다. 이러한 컬러 필터층(150)은 발광 소자(ED)로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 백색 광을 해당 화소에 설정된 색상의 광으로 변환한다.
일 예에 따른 컬러 필터층(150)은 발광 소자(ED)로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 백색 광 중 화소에 설정된 색상의 파장만을 투과시키는 컬러 필터를 포함한다. 예를 들어, 컬러 필터층(150)은 제 1 서브 영역(SA1)(또는 제 1 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 적색 컬러 필터, 제 2 서브 영역(SA2)(또는 제 2 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 녹색 컬러 필터, 및 제 3 서브 영역(SA3)(또는 제 3 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 청색 컬러 필터를 포함할 수 있다.
다른 예에 따른 컬러 필터층(150)는 발광 소자(ED)로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 백색 광에 따라 재발광하여 화소에 설정된 색상의 광을 방출하는 크기를 갖는 양자점층을 포함할 수 있다. 여기서, 양자점층은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, GaAs, GaP, GaAs-P, Ga-Sb, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, 또는 AlSb 등에서 선택된 양자점을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브 영역(SA1)(또는 제 1 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 양자점층은 CdSe 또는 InP의 양자점을 포함하고, 제 2 서브 영역(SA2)(또는 제 2 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 양자점층은 CdZnSeS의 양자점을 포함하며, 제 3 서브 영역(SA2)(또는 제 3 화소)의 발광 영역(EA) 상에 마련된 양자점층은 ZnSe의 양자점을 포함할 수 있다. 이와 같이, 컬러 필터층(150)이 양자점층으로 이루어지는 경우, 발광 표시 장치는 높은 색재현율을 가질 수 있다.
또 다른 예에 따른 컬러 필터층(150)은 양자점을 함유하는 컬러 필터로 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 컬러 필터층(150)은 제 2 영역(A2), 즉 제 4 서브 영역(SA4)에 형성되지 않는다. 즉, 제 4 화소(12d)는 단위 화소(12)의 백색 휘도를 향상시키기 위해 추가되는 백색의 서브 화소이므로, 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c)와 달리 컬러 필터층(150)을 필요로 하지 않기 때문에 컬러 필터층(150)은 제 4 화소(12d)에 배치되지 않는다.
상기 평탄화 코팅층(170)은 절연층(130)과 컬러 필터층(150)을 덮도록 기판(100) 전체에 마련된다. 이러한 평탄화 코팅층(170)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 형성되어 기판(100) 상에 평탄면을 제공하는 역할을 한다. 일 예에 따른 평탄화 코팅층(170)은 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene), 폴리 이미드(polyimide), 및 불소 수지 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
본 출원에 따른 평탄화 코팅층(170)은 평탄면, 제 1 굴곡 패턴(180-1), 및 제 2 굴곡 패턴(180-2)을 포함한다.
상기 평탄면은 제 1 영역(A1)과 제 2 영역(A2) 중 발광 영역(EA)을 제외한 나머지 회로 영역(CA)을 덮는 평탄화 코팅층(170)의 전면(또는 상면)에 마련된다.
상기 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 제 1 영역(A1), 즉 제 1 내지 제 3 서브 영역(SA1, SA2, SA3) 각각의 발광 영역(EA)에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 전면에 마련된다.
상기 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 해당 화소의 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)에 굴곡(또는 요철) 형태를 가짐으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 변경하여 화소의 광 추출 효율을 증가시킨다. 이때, 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 컬러 필터층(150)을 덮도록 마련되기 때문에 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)은 회로 영역(CA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)의 두께보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
일 예에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 발광 소자(ED)와 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 복수의 제 1 볼록부(181) 및 복수의 제 1 오목부(183)를 포함한다.
상기 복수의 제 1 볼록부(181) 각각은 컬러 필터층(150)과 중첩되는 발광 영역(EA) 상의 평탄화 코팅층(170)에 볼록하게 마련된다. 이러한 복수의 제 1 볼록부들(181)은 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 기판(100) 쪽으로 변경함으로써 해당 화소에 마련된 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 광 추출 효율을 증가시킨다. 이를 위해, 복수의 제 1 볼록부들(181)은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는다. 여기서, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비는 제 1 볼록부(181)의 반너비(또는 반지름)(D1)에 대한 높이(H1)의 비를 의미한다. 이러한 복수의 제 1 볼록부들(181)에 대한 보다 상세한 설명은 후술하기로 한다.
상기 복수의 제 1 오목부(183) 각각은 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)으로부터 오목하게 마련된다. 즉, 복수의 제 1 오목부(183) 각각은 제 1 볼록부들(181) 사이사이 또는 제 1 볼록부들(181)에 의해 둘러싸일 수 있다. 이때, 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)을 기준으로, 복수의 제 1 오목부(183) 각각은 서로 동일한 깊이를 가질 수 있지만, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 패터닝 공정시 공정 오차로 인하여 복수의 제 1 오목부(183) 중 일부는 다른 깊이를 가질 수 있다.
복수의 제 1 오목부(183) 각각의 바닥면(또는 최하면)은 컬러 필터층(150)으로부터 설정된 간격만큼 이격된다. 이때, 제 1 오목부(183)의 깊이로 인하여 컬러 필터층(150)의 전면(前面)이 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것을 방지하기 위하여, 제 1 오목부(183)의 바닥면으로부터 컬러 필터층(150) 사이의 최단 거리는 0.1 내지 3 마이크로미터(㎛)로 설정될 수 있다. 이 경우, 제 1 오목부(183)의 바닥면과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)은 0.1 내지 3 마이크로미터의 두께를 갖는다.
상기 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 제 3 영역(A2), 즉 제 4 서브 영역(SA4)의 발광 영역(EA)에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 전면에 마련된다.
상기 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 제 4 화소의 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)에 굴곡(또는 요철) 형태를 가짐으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 변경하여 화소의 광 추출 효율을 증가시킨다. 이때, 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 제 4 서브 영역(SA4)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 절연층(130)을 덮도록 마련되기 때문에 제 2 굴곡 패턴(180-2)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)은 제 1 영역(A1)의 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 굴곡 패턴(1801-)의 바닥면과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 두께는 제 2 굴곡 패턴(180-2)의 바닥면과 기판(170) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 두께보다 얇을 수 있다.
일 예에 따른 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 복수의 제 2 볼록부(185) 및 복수의 제 2 오목부(187)를 포함한다.
상기 복수의 제 2 볼록부(185) 각각은 제 4 서브 영역(SA4)의 발광 영역(EA) 상의 평탄화 코팅층(170)에 볼록하게 마련된다. 이러한 복수의 제 2 볼록부들(185)은 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 기판(100) 쪽으로 변경함으로써 제 4 화소에 마련된 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 광 추출 효율을 증가시킨다. 이를 위해, 상기 복수의 제 2 볼록부(185) 각각은 제 1 영역(A1)에 마련된 복수의 제 1 볼록부들(181)과 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하지만, 패터닝 공정시 공정 오차 범위 내에 상이한 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 본 출원에 따른 복수의 제 2 볼록부들(185)은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는다. 이러한 복수의 제 2 볼록부들(185)에 대한 보다 상세한 설명은 후술하기로 한다.
상기 복수의 제 2 오목부(187) 각각은 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)으로부터 오목하게 마련된다. 즉, 복수의 제 2 오목부(187) 각각은 제 2 볼록부들(185) 사이사이 또는 제 2 볼록부들(185)에 의해 둘러싸일 수 있다. 이때, 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)을 기준으로, 복수의 제 2 오목부(187) 각각은 서로 동일한 깊이를 가질 수 있지만, 제 2 굴곡 패턴(180-2)의 패터닝 공정시 공정 오차로 인하여 복수의 제 2 오목부(187) 중 일부는 다른 깊이를 가질 수 있다.
상기 발광 소자(ED)는 하부 발광(bottom emission) 방식에 따라 기판(100) 쪽으로 광을 방출한다. 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 제 1 전극(E1), 발광층(EL), 및 제 2 전극(E2)을 포함한다.
상기 제 1 전극(E1)은 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)에 마련된 제 1 굴곡 패턴(180-1) 상에 섬 형태로 형성되고, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s)에 전기적으로 연결된다. 이때, 회로 영역(CA)에 인접한 제 1 전극(E1)의 일단은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s) 상으로 연장되고 평탄화 코팅층(170)과 절연층(130)에 마련된 컨택홀(CH)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제 1 전극(E1)은 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 직접적으로 접촉하기 때문에 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상을 따르는 형상의 굴곡 패턴을 포함한다.
상기 제 1 전극(E1)은 발광 소자(ED)의 애노드 전극이 될 수 있다. 일 예에 따른 제 1 전극(E1)은 발광층(EL)에서 방출되는 광이 기판(100) 쪽으로 투과될 수 있도록 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같은 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide), 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있다.
상기 발광층(EL)은 제 1 영역(A1)과 제 2 영역(A2) 전체에 형성되고 제 1 전극(E1)과 전기적으로 연결된다. 이때, 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 발광층(EL)은 제 1 전극(E1)의 전면(前面)에 직접적으로 접촉되므로, 제 1 전극(E1)의 전면 형상을 따르는 형상의 굴곡 패턴을 포함한다. 이로 인하여, 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 발광층(EL)은 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상을 따르는 형상의 굴곡 패턴을 포함한다.
일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위한 2 이상의 발광부를 포함한다. 예를 들어, 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 발광부는 제 1 광을 방출하는 것으로 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제 2 발광부는 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 중 제 1 광의 보색 관계를 갖는 광을 방출하는 발광부를 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 상에 형성되어 발광층(EL)과 전기적으로 연결된다. 이때, 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)의 전면(前面)에 직접적으로 접촉되므로, 발광층(EL)의 전면 형상을 따르는 형상의 굴곡 패턴을 포함한다. 이로 인하여, 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 제 2 전극(E2)은 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상을 따르는 형상의 굴곡 패턴을 포함한다.
일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 발광 소자(ED)의 캐소드 전극이 될 수 있다. 일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)에서 방출되어 입사되는 광을 기판(100) 쪽으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(E2)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.
이와 같은, 발광 소자(ED)는 제 1 전극(E1)에 공급되는 데이터 신호에 따른 발광층(EL)의 발광에 의해 백색 광을 방출한다. 이때, 발광 영역(EA) 상의 발광 소자(ED)가 굴곡 패턴(180-1, 180-2)의 형상에 대응되는 형상을 가짐으로써 제 1 전극(E1)과 굴곡 패턴(180-1, 180-2) 사이의 계면에 입사되는 백색 광 중에서 전반사 임계각 이하로 입사되는 광은 그대로 기판(100) 쪽으로 추출되고, 전반사 임계각 이상으로 입사되는 광은 굴곡 패턴(180-1, 180-2)의 볼록부(181, 185)와 오목부(183, 187)에 의해 광의 진행 경로가 변경되어 기판(100) 쪽으로 추출될 수 있다. 이에 따라, 본 출원은 각 화소의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
본 출원에 따른 발광 표시 장치는 뱅크층(190) 및 봉지층(200)을 더 포함할 수 있다.
상기 뱅크층(190)은 제 1 영역(A1)과 제 2 영역(A2)에 마련된 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4)의 발광 영역(EA)을 정의하는 것으로, 각 서브 영역(SA1, SA2, SA3, SA4) 중 발광 영역(EA)을 제외한 회로 영역(CA) 상에 마련된 제 1 전극(E1)의 가장자리와 평탄화 코팅층(170)을 덮는다. 뱅크층(190)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 유기물로 형성할 수 있다. 또는, 뱅크층(190)은 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 뱅크층(190)은 차광 부재의 역할을 하게 된다.
상기 발광 소자(ED)의 발광층(EL)과 제 2 전극(E2) 각각은 뱅크층(190) 상에 형성된다. 즉, 발광층(EL)은 제 1 전극(E1)과 뱅크층(190)이 마련된 기판(100) 전체에 형성되고, 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)을 덮도록 형성된다.
상기 봉지층(encapsulation layer)(200)은 제 2 전극(E2), 즉 화소 전체를 덮도록 기판(100) 상에 형성된다. 이러한 봉지층(200)은 외부 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 발광 소자(ED) 등을 보호하고, 수분이 발광 소자로 침투하는 것을 방지한다.
선택적으로, 봉지층(200)은 화소 전체를 둘러싸는 충진재로 변경될 수 있으며, 이 경우, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 충진재를 매개로 하여 기판(100) 상에 부착되는 봉지 기판(300)을 더 포함한다. 봉지 기판(300)은 금속 재질로 이루어질 수 있다.
추가적으로, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 기판(100)의 후면(또는 광 추출면)에 부착된 편광 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 편광 필름은 화소에 마련된 박막 트랜지스터 및/또는 라인들 등에 의해 반사된 외부 광을 원편광 상태로 변경하여 발광 표시 장치의 시인성과 명암비를 향상시킨다.
이와 같은, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 각 화소(12a, 12b, 12c, 12c)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)에 마련된 굴곡 패턴(180-1, 180-2)을 포함함으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 경로가 굴곡 패턴(180-1, 180-2)에 의해 변경되어 각 화소(12a, 12b, 12c, 12c)의 광 추출 효율이 향상되고, 이로 인하여 휘도가 향상되고 소비 전력이 감소될 수 있다. 또한, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 각 화소(12a, 12b, 12c, 12c)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(170)에 마련된 굴곡 패턴(180-1, 180-2)이 동일한 형상 또는 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는 복수의 블록부(181, 185)를 포함함으로써 각 화소(12a, 12b, 12c, 12c)의 광 추출 효율이 극대화될 수 있다.
도 5는 도 3에 도시된 A 부분의 확대도로서, 이는 본 출원의 일 예에 따른 제 1 굴곡 패턴과 발광 소자의 단면 구조를 설명하기 위한 도면이며, 도 6은 도 3에 도시된 제 1 굴곡 패턴의 평면 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5 및 도 6을 도 3과 결부하면, 본 출원의 일 예에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 복수의 제 1 볼록부(181) 및 복수의 제 1 오목부(183)을 포함한다.
상기 복수의 제 1 볼록부(181) 각각은 컬러 필터층(150) 상에 볼록한 형태로 돌출된 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제 1 볼록부(181)는 볼록 렌즈 또는 마이크로 렌즈 형태의 단면 구조를 가질 수 있다. 이러한 복수의 제 1 볼록부(181)는 발광 소자(ED)에서 방출되어 입사되는 광의 진행 경로를 기판 쪽으로 변경함으로써 화소의 광 추출 효율을 증가시킨다.
상기 복수의 제 1 볼록부(181)는 평면적으로 육각 띠 형태를 가지도록 배치된다. 하지만, 본 출원에서 있어서, 제 1 볼록부(181)는 평면적으로 원형 띠, 타원 띠 형태, 또는 다각띠 형태 등의 다양한 형태를 가지도록 배치될 수 있다.
상기 복수의 제 1 볼록부(181) 각각은 컬러 필터층(150)과 나란한 단면적을 가지는데, 이러한 복수의 제 1 볼록부(181) 각각의 단면적은 입사되는 광의 진행 경로를 변경하여 화소의 광 추출 효율을 증가시키기 위해, 컬러 필터층(150)에 인접할수록 점점 증가할 수 있다.
일 예에 따른 복수의 제 1 볼록부(181) 각각은 밑면부(181a), 정상부(181b), 및 옆면부(181c)를 포함할 수 있다.
상기 밑면부(181a)는 컬러 필터층(150)에 인접한 제 1 볼록부(181)의 바닥면으로 정의될 수 있다. 즉, 밑면부(181a)는 컬러 필터층(150)의 전면(前面)으로부터 0.1 내지 3 마이크로미터만큼 이격될 수 있다. 즉, 밑면부(181a)는 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 전면일 수 있다.
상기 밑면부(181a)의 직경(또는 폭)(D1)은 정상부(181b)보다 상대적으로 큰 크기를 갖는 범위 내에서 제 1 볼록부(181)의 높이(H1)와 밑면 직경을 기반으로 하는 제 1 볼록부(181)의 종횡비에 따라 설정될 수 있다.
인접한 제 1 볼록부(181)의 밑면부(181a)는 서로 연결되어 제 1 오목부(183), 즉 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a)을 형성할 수 있다. 이 경우, 인접한 제 1 볼록부(181) 간의 피치(P)는 밑면부(181a)의 직경(또는 폭)(D1)과 동일하게 설정될 수 있다.
상기 정상부(181b)는 밑면부(181a)로부터 설정된 높이만큼 이격된다. 정상부(181b)는 볼록 형태를 갖는 제 1 볼록부(181)의 정점으로 정의될 수 있다. 이때, 정상부(181b)는 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)에 위치하거나 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a) 아래에 위치할 수 있다.
상기 옆면부(181c)는 밑면부(181a)와 정상부(181b) 사이에 마련된다.
일 예에 따른 옆면부(181c)는 입사되는 광의 진행 경로를 변경하여 화소의 광 추출 효율을 증가시키기 위해, 밑면부(181a)와 정상부(181b) 사이에 곡선 형태로 마련될 수 있다. 이때, 옆면부(181c)는 화소의 광 추출 효율을 극대화하기 위하여, 변곡점(IP)을 포함하는 곡선 형태를 가질 수 있다. 이 경우, 본 출원에 따른 옆면부(181c)는 변곡점(IP)을 포함하는 변곡부(IPP), 변곡부(IPP)와 밑면부(181a) 사이의 제 1 곡선부(CP1), 및 변곡부(IPP)와 정상부(181b) 사이의 제 2 곡선부(CP2)를 포함할 수 있다.
상기 변곡부(IPP)는 변곡점(IP)과 제 1 곡선부(CP1) 사이에 마련된 오목면 및 변곡점(IP)과 제 2 곡선부(CP2) 사이에 마련된 볼록면을 포함한다. 이에 따라, 변곡부(IPP)에 입사되는 광의 진행 경로가 오목면과 블록면 각각에 의해 다양한 각도로 변경될 수 있고, 이로 인하여 화소의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
상기 제 1 곡선부(CP1)는 변곡부(PIP)과 밑면부(183a) 사이에 오목한 형태로 마련될 수 있다. 상기 제 2 곡선부(CP2)는 변곡부(PIP)과 정상부(183b) 사이에 볼록한 형태로 마련될 수 있다.
상기 제 1 볼록부(181)의 높이(H1)를 기준으로, 제 1 곡선부(CP1)의 높이(h1), 변곡부(IPP)의 높이(h2), 및 제 2 곡선부(CP2)의 높이(h3)에 대한 비율(h1:h2:h3)은 1:3:1으로 설정될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 제 1 곡선부(CP1)의 높이(h1)와 제 2 곡선부(CP2)의 높이(h3) 각각은 변곡부(IPP)의 높이(h2)보다 낮은 범위 내에서 서로 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 상기 옆면부(181c)의 길이를 기준으로, 변곡부(IPP)의 곡선 길이는 제 1 곡선부(CP1)와 제 2 곡선부(CP2) 각각의 길이보다 길며, 1 곡선부(CP1)와 제 2 곡선부(CP2) 각각의 길이는 서로 동일하거나 서로 다르게 설정될 수 있다. 이때, 제 2 곡선부(CP2)의 길이는 제 1 곡선부(CP1)의 길이보다 길게 설정될 수 있다. 이러한 제 1 곡선부(CP1), 변곡부(IPP), 및 제 2 곡선부(CP2) 각각의 높이 또는 곡선 길이는 제 1 볼록부(181)의 광 경로 변경에 따른 광 추출 효율의 향상을 위해 설정되는 제 1 볼록부(181)의 종횡비에 따라 설정될 수 있다.
이와 같은 일 예에 따른 옆면부(181c)의 변곡부(IPP)와 제1 곡선부(CP1) 및 제 2 곡선부(CP2)는 정상부(181b)를 중심으로 대칭 구조를 가짐으로써 본 출원의 일 예에 따른 볼록부들(181)은 벨(bell) 또는 가우시안 곡선의 단면 구조를 가질 수 있다.
상기 복수의 제 1 오목부(183) 각각은 일정한 간격을 가지도록 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)으로부터 오목하게 마련된다. 즉, 하나의 제 1 오목부(183)는 평면적으로 육각 띠 형태를 갖는 제 1 볼록부(181) 내에 마련될 수 있다. 이에 따라, 발광 영역(EA) 상에 마련되는 제 1 볼록부들(181)과 제 1 오목부들(183)은 평면적으로 육각 형태의 벌집 구조를 가질 수 있다.
복수의 제 1 오목부(183) 각각은 일정한 간격을 가지도록 제 1 방향을 따라 나란하게 배치되고 제 2 방향을 따라 지그재그 형태로 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제 1 오목부(183) 각각은 일정한 간격을 갖는 격자 형태로 배치되되, 제 2 방향으로 따라 인접한 제 1 오목부들(183)끼리 엇갈리게 배치될 수 있다. 이에 따라, 인접한 3개의 오목부들(183) 각각의 중심부는 삼각 형태(TS)를 이룰 수 있다.
복수의 제 1 오목부(183) 각각은 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)을 기준으로, 서로 동일한 깊이를 가질 수 있지만, 복수의 제 1 오목부(183) 중 일부는 패터닝 공정시 공정 오차로 인하여 다른 깊이를 가질 수 있다.
복수의 제 1 오목부(183) 각각의 바닥면(또는 최하면)(183a)은 컬러 필터층(150)으로부터 설정된 간격만큼 이격된다. 즉, 제 1 오목부들(183)의 바닥면(181a)은 평탄화 코팅층(170)을 사이에 두고 컬러 필터층(150)의 전면(150a)과 마주한다. 이때, 제 1 오목부들(183)의 바닥면과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)은 제 1 오목부(183)의 형성시 컬러 필터층(150)의 전면(前面) 일부가 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것을 방지하기 위하여, 0.1 마이크로미터 이상의 두께를 갖는다. 여기서, 제 1 오목부(183)의 형성시 제 1 오목부들(183)과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)는 그 두께가 두꺼울수록 컬러 필터층(150)의 전면(150a) 일부가 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있지만, 제조 공정의 측면에서 평탄화 코팅층(170)의 재료비, 공정 시간 및 발광 표시 장치의 두께가 증가하게 된다. 이에 따라, 제 1 오목부(183)의 깊이로 인하여 컬러 필터층(150)의 전면(前面)이 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것을 방지하면서 평탄화 코팅층(170)의 재료비, 공정 시간 및 발광 표시 장치의 두께 각각의 증가를 최소화하기 위하여, 제 1 오목부들(183)의 바닥면과 컬러 필터층(150) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 최대 두께는 3 마이크로미터 이하로 설정된다. 따라서, 복수의 제 1 오목부(183) 중에서 컬러 필터층(150)의 전면(150a)과의 최단 거리는 0.1 마이크로미터일 수 있고, 복수의 제 1 오목부(183) 중에서 컬러 필터층(150)의 전면(150a)과의 최장 거리는 3 마이크로미터일 수 있다.
제 1 오목부들(183)과 컬러 필터층(150) 사이의 최단 거리가 0.1 마이크로미터 미만일 경우, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형성을 위한 평탄화 코팅층(170)의 패터닝 공정시 컬러 필터층(150)의 전면(前面) 일부가 제거되어 함몰되거나 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출될 수 있다. 컬러 필터층(150)이 평탄화 코팅층(170)에 의해 덮이지 않고 제 1 오목부(183)에 노출될 경우에 컬러 필터층(150)의 함몰 부위에서 암점(dark spot) 불량이 발생될 수 있고, 컬러 필터층(150)의 아웃개싱(outgassing)에 의한 수분 등이 발광 소자(ED)로 확산되어 발광 소자(ED)의 특성과 신뢰성 및 수명이 저하될 수 있으며, 발광 소자(ED)의 제 1 전극(E1)과 컬러 필터층(150)의 직접적인 접촉으로 인한 제 1 전극(E1)의 열화되고, 제 1 전극(E1)의 열화에 따라 컬러 필터층(150)이 손상되는 문제점이 있다. 따라서, 컬러 필터층(150)이 평탄화 코팅층(170)에 의해 덮이지 않고 제 1 오목부(183)에 노출될 경우에, 발광 표시 장치의 발광 특성과 신뢰성 및 수명이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위하여, 복수의 제 1 오목부(183) 각각의 바닥면(181a)과 컬러 필터층(150)의 전면(150a) 사이에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 두께(T1)는 0.1 내지 3 마이크로미터의 범위로 설정된다.
본 출원의 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 제 1 굴곡 패턴(180-1)에 순차적으로 적층된 제 1 전극(E1)과 발광층(EL) 및 제 2 전극(E2)을 포함한다. 이러한 발광 소자(ED)는 제 1 굴곡 패턴(180-1)에 마련된 제 1 볼록부들(181)과 제 1 오목부들(183)의 형상을 따르는 형상을 가질 수 있다. 이로 인하여, 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로가 제 1 굴곡 패턴(180-1)에 의해 기판 쪽으로 변경됨에 따라 광 추출 효율이 증가될 수 있다.
본 출원에 따른 발광 소자(ED)는 제 1 볼록부(181)와 제 1 오목부(183)에 형성되는 위치에 따라 다른 두께를 가질 수 있다. 구체적으로, 증착 방식을 이용한 발광 소자(ED)의 형성 공정에서, 발광 소자(ED)의 증착 물질은 직진성을 가지면서 평탄면이 아닌 제 1 굴곡 패턴(180-1) 상에 증착된다. 이에 따라, 발광 소자(ED)는 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b)와 변곡부(IPP) 및 제 1 오목부(183) 각각에서 각기 다른 두께(t1, t2, t3)를 가질 수 있다. 즉, 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b)와 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a) 각각은 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP) 대비 큰 곡률 또는 제 1 볼록부(181)의 밑면부(181a)를 기준으로 작은 기울기를 갖는다. 이에 따라, 발광 소자(ED)는 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a) 상에 제 1 두께(t1), 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b) 상에 제 1 두께(t1)와 같거나 다른 제 2 두께(t2), 및 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP) 상에 제 1 및 제 2 두께(t1, t2) 각각보다 얇은 제 3 두께(t3)를 가지도록 형성될 수 있다.
발광 소자(ED)의 발광층(EL)이 유기 발광층으로 이루어지는 경우, 발광층(EL)의 발광은 주로 높은 전류 밀도를 갖는 영역에서 일어나게 되는데, 본 출원에 따른 발광 소자(ED)는 상대적으로 얇은 제 3 두께(t3)를 갖는 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP) 상의 발광층(EL)에서 상대적으로 강한 메인 발광이 일어나게 되고, 제 3 두께(t3)보다 상대적으로 두꺼운 제 1 두께(t1)를 갖는 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a) 상의 발광층(EL)에서 메인 발광보다 약한 제 1 서브 발광이 일어나게 되고, 제 3 두께(t3)보다 상대적으로 두꺼운 제 2 두께(t2)를 갖는 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b) 상의 발광층(EL)에서 메인 발광보다 약한 제 2 서브 발광이 일어나게 된다. 이때, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상에 따라 메인 발광이 일어나는 영역은 메인 광 추출 영역으로 정의될 수 있고, 서브 발광이 일어나는 영역은 서브 광 추출 영역으로 정의될 수 있다. 이에 따라, 제 1 굴곡 패턴(180-1) 상의 휘도는 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP)와 중첩되는 영역에서 상대적으로 높은 휘도를 갖는 반면에 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a)와 중첩되는 영역에서 상대적으로 낮은 휘도를 갖게 된다.
제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상을 따라 형성되는 발광 소자(ED)의 두께를 고려하면, 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b)는 서브 발광 영역으로서 높은 광 추출 효율을 가지지만 낮은 전류 밀도를 가질 수 있다. 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a)은 서브 발광 영역으로서 가장 낮은 광 추출 효율을 가지면서 가장 낮은 전류 밀도를 가질 수 있다. 반면에, 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP)는 메인 발광 영역으로서 높은 광 추출 효율을 가지면서 높은 전류 밀도를 가질 수 있다. 이에 따라, 단위 면적당 발광 소자(ED)의 발광량을 기준으로, 제 1 볼록부(181)의 변곡부(IPP) 상의 발광량은 상대적으로 가장 많고, 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a) 상의 발광량은 상대적으로 가장 적을 수 있으며, 제 1 볼록부(181)의 정상부(181b) 상의 발광량은 제 1 오목부(183)의 바닥면(183a) 상의 발광량과 같거나 많을 수 있다. 이에 따라, 제 1 볼록부(181)의 옆면부(181c)에 있어서, 변곡부(IPP)가 차지하는 비율이 높으면 높을수록 광 추출 효율이 증가할 수 있으며, 제 1 곡선부(CP1)가 차지하는 비율이 낮으면 낮을수록 소비전력이 감소할 수 있다. 따라서, 본 출원에 따른 제 1 볼록부(181)는 높이(H1)를 기준으로, 제 1 곡선부(CP1)의 높이(h1), 변곡부(IPP)의 높이(h2), 및 제 2 곡선부(CP2)의 높이(h3)에 대한 비율(h1:h2:h3)이 1:3:1로 설정됨으로써 광 추출 효율이 증가될 수 있다.
일 예에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형성 공정은 포토 레지스트를 평탄화 코팅층(170)에 일정한 두께로 도포하고, 포토리소그래피 공정을 통해 평탄화 코팅층(170)을 굴곡 형태로 패터닝하여 복수의 제 1 볼록부(181)와 복수의 오목부(183)를 갖는 제 1 굴곡 패턴(180-1)을 형성한다. 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 마스크는 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 대응되는 복수의 광투과부와 복수의 광차단부를 포함한다. 이때, 복수의 광투과부 각각의 형상은 컬러필터층(150) 상의 평탄화 코팅층(170)의 두께, 노광량, 제 1 볼록부(181)의 직경, 및 제 1 볼록부(181) 간의 피치 등을 기반으로 컬러필터층(150)이 노출되지 않는 범위 내에서 설정된다.
다른 예에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 포토리소그래피 공정 및 열처리 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형성 공정은 포토 레지스트를 평탄화 코팅층(170)에 일정한 두께로 도포하고, 포토리소그래피 공정을 통해 평탄화 코팅층(170)을 굴곡 형태로 패터닝하여 복수의 제 1 볼록부(181)와 복수의 오목부(183)를 갖는 제 1 굴곡 패턴(180-1)을 형성한 후, 열처리 공정을 통해 최적 형상의 제 1 볼록부들(181)을 형성할 수 있다. 이때, 열처리 공정은 한번만 수행되지 않고, 적어도 2단계에 걸쳐 단계적으로 수행된다. 예를 들어, 열처리 공정은 제 1 열처리 온도를 이용한 1차 열처리 공정, 및 제 1 열처리 온도보다 높은 상대적으로 높은 제 2 열처리 온도를 이용한 2차 열처리 공정을 포함할 수 있다. 여기서, 1차 열처리 공정은 제 1 열처리 온도와 공정 시간의 제어를 통해 제 1 볼록부들(181)의 형상을 결정하게 된다.
제 1 굴곡 패턴(180-1)의 형상에 따른 광 추출 효율은 제 1 볼록부(181)의 높이(H1)와 직경(D1)을 기반으로 하는 제 1 볼록부(181)의 종횡비에 영향을 받는다. 여기서, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비(H/(D/2))는 제 1 볼록부(181)의 높이(H1)를 밑면부(181a)의 반직경(D1/2)으로 나눈 값으로 정의될 수 있다. 본 출원에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 제 1 볼록부들(181)은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는다.
제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 ~ 0.6의 범위를 가질 경우, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 미만이거나 0.6을 초과하는 경우보다 광 추출 효율이 증가하게 된다. 즉, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 미만일 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 너무 낮아짐으로써 발광 소자(ED)로부터 입사되는 광이 기판 쪽으로 진행하지 못하고 발광 소자(ED) 내에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 그리고, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.6을 초과하는 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 너무 높아짐으로써 반사율이 증가하여 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 특히, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.6을 초과하는 경우 전류 효율 상승률이 저하되는 경향성을 가지는 반면에, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 ~ 0.6의 범위를 가질 경우, 발광 소자(ED)의 전류 효율 상승률은 최대 값을 갖게 된다. 따라서, 제 1 볼록부들(181)의 종횡비는 화소의 광 추출 효율을 극대화시키기 위해 0.4 ~ 0.6로 설정되는 것이 바람직하다.
제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 ~ 0.6을 가질 경우, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 패터닝을 위한 마스크의 해상도를 기반으로, 밑면부(181a)의 직경(D1)은 4 내지 12 마이크로미터로 설정될 수 있고, 밑면부(181a)의 높이(H1)는 0.8 내지 3.6 마이크로미터로 설정될 수 있다. 이때, 밑면부(181a)의 직경(D1)이 4 마이크로미터이면서 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 0.8 마이크로미터일 때, 제 1 볼록부들(181)은 0.4의 종횡비를 가질 수 있다. 또한, 밑면부(181a)의 직경(D1)이 12 마이크로미터이면서 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 3.6 마이크로미터일 때, 제 1 볼록부들(181)은 0.6의 종횡비를 가질 수 있다.
제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 0.8 마이크로미터 미만일 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이가 너무 낮아져 종횡비가 감소함에 따라 제 1 굴곡 패턴(180-1)이 평탄화됨으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광이 발광 소자(ED) 내에 갇혀 기판 쪽으로 추출되는 광량이 감소하게 된다. 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 3.6 마이크로미터를 초과하는 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 너무 높아져 종횡비가 증가함에 따라 전류 효율 상승률이 저하되고 반사율이 증가될 수 있다.
제 1 볼록부들(181)의 밑면부(181a) 직경(D1)이 4 마이크로미터 미만일 경우, 패터닝 공정시 공정 제어가 어렵고, 12 마이크로미터를 초과하는 경우, 제 1 볼록부들(181)의 최적 높이(H1)인 3.6 마이크로미터를 초과하게 되어 공정성이 저하된다.
추가적으로, 제 1 볼록부들(181)에 증착된 발광 소자(ED)는 기울기가 가장 큰 위치, 즉 최대 기울기에서 최대의 발광량을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 볼록부들(181)의 밑면부(181a)를 기준으로, 옆면부(181c) 또는 변곡부(IPP)에서 최대 기울기를 가질 경우, 발광 소자(ED)에서 발광된 광은 전반사 임계각보다 작은 각도로 진행할 수 있고, 이로 인한 다중 반사에 의해 외부 발광 효율이 증가함에 따라 최대의 외부 광 추출 효율을 가질 수 있다.
제 1 볼록부들(181)의 옆면부(181c) 또는 변곡부(IPP)에서의 기울기는 제 1 볼록부들(181)의 종횡비에 대한 반높이 종횡비(H1/F)에 의해 결정될 수 있다. 여기서, 반높이 종횡부(H1/F)는 제 1 볼록부(181)의 반높이 너비(F)에 대한 높이(H1)의 비를 의미하며, 반높이 너비(F)는 높이(H1)의 절반(H1/2) 위치에서의 폭을 의미한다.
본 출원에 따른 제 1 볼록부들(181)의 종횡비가 0.4 ~ 0.6을 가질 경우, 제 1 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(H1/F)는 0.45 내지 0.7의 범위를 가질 수 있다. 여기서, 제 1 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(H1/F)가 0.45 미만일 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 너무 낮아짐으로써 발광 소자(ED)로부터 입사되는 광이 기판 쪽으로 진행하지 못하고 발광 소자(ED) 내에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 그리고, 제 1 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(H1/F)가 0.7을 초과하는 경우, 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)가 너무 높아짐으로써 반사율이 증가하여 광 추출 효율이 저하될 수 있다.
본 출원에 따른 제 1 굴곡 패턴(180-1)은 제 1 볼록부들(181)이 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 가짐으로써 제 1 내지 제 3 화소의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 제 1 볼록부들(181)이 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비(H1/F)를 가짐으로써 제 1 내지 제 3 화소의 광 추출 효율을 극대화할 수 있다.
도 7은 도 4에 도시된 B 부분의 확대도로서, 이는 본 출원의 일 예에 따른 제 2 굴곡 패턴과 발광 소자의 단면 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 도 4와 결부하면, 본 출원의 일 예에 따른 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 절연층(130) 상에 마련된 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)에 마련된 복수의 제 2 볼록부(185) 및 복수의 제 2 오목부(187)을 포함한다.
상기 복수의 제 2 볼록부(185) 각각은 절연층(130) 상에 볼록한 형태로 돌출된 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제 2 볼록부(185)는 볼록 렌즈 또는 마이크로 렌즈 형태의 단면 구조를 가질 수 있다.
복수의 제 2 볼록부(185) 각각은 제 4 화소의 광 추출 효율이 제 1 내지 제 3 화소 각각의 동일 광 추출 효율과 동일하도록 0.4 ~ 0.6의 종횡비(H2/(D2/2))를 갖는다. 이러한 복수의 제 2 볼록부(185) 각각은 제 1 볼록부(181)와 동일하게, 밑면부(181a), 정상부(181b), 및 옆면부(181c)를 포함하도록 구성되므로, 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 이와 같은, 복수의 제 2 볼록부(185)는 발광 소자(ED)에서 방출되어 입사되는 광의 진행 경로를 기판 쪽으로 변경함으로써 제 4 화소의 광 추출 효율을 증가시킨다.
상기 복수의 제 2 오목부(187) 각각은 일정한 간격을 가지도록 평탄화 코팅층(170)의 전면(170a)으로부터 오목하게 마련된다. 이러한 복수의 제 2 오목부(187) 각각은 바닥면(187a)이 절연체(130)로부터 설정된 간격만큼 이격되는 것을 제외하고는 복수의 제 1 오목부(183)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
본 출원에 따른 제 2 굴곡 패턴(180-2)은 제 2 볼록부들(185)이 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 가짐으로써 제 4 화소의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 제 2 볼록부들(182)이 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비(H2/F)를 가짐으로써 제 4 화소의 광 추출 효율을 극대화할 수 있다.
결과적으로, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 제 1 내지 제 3 화소 각각의 발광 영역에 마련된 제 1 굴곡 패턴과 제 4 화소의 발광 영역에 마련된 제 2 굴곡 패턴이 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 갖는 볼록부들을 포함함으로써 단위 화소를 구성하는 각 화소의 광 추출 효율이 향상될 뿐만 아니라 극대화될 수 있다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 굴곡 패턴을 형성하기 위한 마스크 구조를 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 8a를 참조하면, 제 1 및 제 2 굴곡 패턴(180-1, 180-2)을 형성하기 위한 제 1 노광용 마스크(500)는 입사되는 광을 제 1 굴곡 패턴(180-1)이 형성될 평탄화 코팅층(170)의 제 1 영역(170b)으로 투과시키는 복수의 제 1 광 투과부(510), 복수의 제 1 광 투과부(510) 사이에 마련된 복수의 제 1 광 차단부(512), 입사되는 광을 제 2 굴곡 패턴(180-2)이 형성될 평탄화 코팅층(170)의 제 2 영역(170c)으로 투과시키는 복수의 제 2 광 투과부(530), 및 복수의 제 2 광 투과부(530) 사이에 마련된 복수의 제 2 광 차단부(532)를 포함한다.
제 1 노광용 마스크(500)에서, 인접한 제 1 광 투과부(510)의 중심부 간의 거리에 대응되는 제 1 광 투과부(510)의 피치(P1)와 인접한 제 2 광 투과부(530)의 중심부 간의 거리에 대응되는 제 2 광 투과부(530)의 피치(P1)는 서로 동일하며, 복수의 제 1 광 투과부(510)와 복수의 제 2 광 투과부(530) 각각의 폭(또는 직경)(W1)은 서로 동일하게 설정된다. 복수의 제 1 및 제 2 광 차단부(512, 532) 각각의 폭(또는 갭)(G1)은 서로 동일하게 설정된다. 이러한 제 1 및 제 2 광 투과부들(510, 530)의 피치(P1)와 폭(W1) 및 제 1 및 제 2 광 차단부들(512, 532)의 폭(G1) 각각은 평탄화 코팅층(170)에 형성될 제 1 굴곡 패턴(180-2)의 오목부(183) 바닥면이 컬퍼 필터층(150)으로부터 0.1 내지 3 마이크로미터만큼 이격될 수 있는 범위로 설정된다.
이와 같은, 제 1 노광용 마스크(500)를 이용한 포토리소그라피 공정을 수행함으로써 복수의 볼록부(181)와 복수의 오목부(183)를 갖는 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 제 2 굴곡 패턴(180-2)을 평탄화 코팅층(170)의 제 1 영역(170b)과 제 2 영역(170c)에 각각 형성하게 된다.
그러나, 포토리소그라피 공정 중 노광 공정시, 제 2 굴곡 패턴(180-2)의 제 2 볼록부들(185)은 컬러 필터층(150)의 부재로 인하여 상대적으로 두꺼운 평탄화 코팅층(170)의 제 2 영역(170c)에 형성되기 때문에 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)보다 상대적으로 낮은 높이(H0)를 갖게 된다. 즉, 평탄화 코팅층(170)에서, 제 2 영역(170c)은 컬러 필터층(150)이 배치되지 않는 절연층(130) 상에 형성됨에 따라 기 때문에 컬러 필터층(150) 상에 형성되는 제 1 영역(170b)의 두께(T3)보다 두꺼운 두께(T4)를 가지며, 이로 인하여 노광 공정시 제 2 영역(170c)에 조사되는 광이 분산됨에 따라 제 2 영역(170c)에 형성되는 제 2 볼록부들(185)의 높이(H0)는 제 1 볼록부들(181)의 높이(H1)보다 낮게 된다. 이로 인하여, 제 2 볼록부들(185)은 낮은 높이(H0)로 인하여 0.4 미만의 종횡비를 가질 수 있다. 따라서, 제 1 노광용 마스크(500)를 이용하여 평탄화 코팅층(170)에 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 제 2 굴곡 패턴(180-2)을 형성할 경우, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 볼록부들(181)과 제 2 굴곡 패턴(180-2)의 볼록부들(185) 간의 높이(H1, H0) 차이로 인하여, 제 1 내지 제 3 화소의 광 추출 효율 대비 제 4 화소의 광 추출 효율이 낮아진다는 문제점이 있다.
다음으로, 도 8b를 참조하면, 제 1 및 제 2 굴곡 패턴(180-1, 180-2)을 형성하기 위한, 본 출원에 따른 제 2 노광용 마스크(600)는 제 1 노광용 마스크(500)와 동일하게, 제 1 광 투과부들(610), 제 1 광 차단부들(612), 제 2 광 투과부들(630), 및 제 2 광 차단부들(632)을 포함하되, 제 1 광 투과부들(610)과 제 2 광 투과부들(630)이 서로 다른 피치(P1, P2)를 갖는다.
일 예에 따른 제 2 노광용 마스크(600)에서, 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 피치(P2)는 제 1 광 투과부들(610)의 제 1 피치(P1)보다 큰 값을 갖는다. 이를 위해, 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W2)은 제 1 광 투과부들(610)의 제 1 폭(또는 직경)(W1)보다 큰 값을 가지며, 제 2 광 차단들(632)의 제 2 폭(또는 갭)(G2)과 제 1 광 차단부들(612)의 제 1 폭(또는 갭)(G1)은 서로 동일한 값을 갖는다. 즉, 제 2 노광용 마스크(600)는 제 1 노광용 마스크(500) 대비 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W2)이 증가됨으로써 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 피치(P2)가 증가될 수 있다. 이러한 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W2)은 평탄화 코팅층(170)의 제 2 영역(170c)에 형성되는 제 2 볼록부들(185)이 제 1 볼록부들(181)과 동일한 종횡비와 반높이 종횡비를 가질 수 있도록 설정된다. 즉, 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W2)은 제 2 볼록부들(185)이 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 가질 수 있도록 설정되며, 나아가 제 2 볼록부들(185)이 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 가질 수 있도록 설정된다.
다른 예에 따른 제 2 노광용 마스크(600)는 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 피치(P2)는, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W2) 대신에 제 2 광 차단들(632)의 제 2 폭(또는 갭)(G2)의 증가를 통해 제 1 광 투과부들(610)의 제 1 피치(P1)보다 큰 값을 가질 수 있다. 즉, 제 2 광 차단들(632)의 제 2 폭(또는 갭)(G2)은 제 1 광 차단부들(612)의 제 1 폭(또는 갭)(G1)보다 큰 값을 가지며, 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 폭(또는 직경)(W1)과 제 1 광 투과부들(610)의 제 1 폭(또는 직경)(W1)은 서로 동일한 값을 갖는다. 즉, 제 2 노광용 마스크(600)는 제 1 노광용 마스크(500) 대비 제 2 광 차단부들(632)의 제 2 폭(또는 직경)(G2)이 증가됨으로써 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 피치(P2)가 증가될 수 있다. 이러한 제 2 광 차단부들(632)의 제 2 폭(또는 직경)(G2)은 평탄화 코팅층(170)의 제 2 영역(170c)에 형성되는 제 2 볼록부들(185)이 제 1 볼록부들(181)과 동일한 종횡비와 반높이 종횡비를 가질 수 있도록 설정된다. 즉, 제 2 광 차단부들(632)의 제 2 폭(또는 직경)(G2)은 제 2 볼록부들(185)이 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 가질 수 있도록 설정되며, 나아가 제 2 볼록부들(185)이 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 가질 수 있도록 설정된다.
이와 같은, 제 2 노광용 마스크(600)는 제 2 광 투과부들(630)의 제 2 피치(P2)가 제 1 광 투과부들(610)의 제 1 피치(P1)보다 큰 값을 가짐으로써 제 2 볼록부들(185)의 종횡비를 제 1 볼록부들(181)의 종횡부와 동일하게 형성할 수 있으며, 나아가 제 2 볼록부들(185)의 반높이 종횡비 역시 제 1 볼록부들(181)의 반높이 종횡비와 동일하게 형성할 수 있다.
따라서, 제 2 노광용 마스크(600)를 이용하여 평탄화 코팅층(170)에 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 제 2 굴곡 패턴(180-2)을 형성할 경우, 제 1 굴곡 패턴(180-1)의 볼록부들(181)과 제 2 굴곡 패턴(180-2)의 볼록부들(185)은 0.4 ~ 0.6의 종횡비를 가질 수 있고, 나아가 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 가질 수 있고, 이로 인하여 제 1 내지 제 3 화소의 광 추출 효율과 제 4 화소의 광 추출 효율의 균일도가 향상될 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 제 1 내지 제 3 화소의 구조를 나타내는 단면도이며, 도 10은 도 1에 도시된 제 4 화소의 구조를 나타내는 단면도로서, 이는 도 1 내지 도 7에 도시된 발광 표시 장치에 배리어층을 추가로 구성한 것이다. 이에 따라, 이하에서는 배리어층 및 이와 관련된 구성을 제외한 나머지 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하며, 본 예에 따른 배리어층(160)은 컬러 필터층(150)을 덮도록 기판(100) 상에 마련된다. 즉, 배리어층(160)은 평탄화 코팅층(180)과 컬러 필터층(150) 사이 및 평탄화 코팅층(180)과 절연층(130) 사이에 마련된다. 이러한 배리어층(160)은 각 화소의 발광영역(EA)과 중첩되는 평탄화 코팅층(180)에 제 1 및 제 2 굴곡 패턴(180-1, 180-2)의 형성 공정시, 컬러 필터층(150) 상에서 에치 스토퍼의 역할을 함으로써 컬러 필터층(150)이 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것을 방지하여 컬러 필터층(150)의 노출로 인한 문제점을 원천적으로 방지한다.
일 예에 따른 배리어층(160)은 0.1 내지 3 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 배리어층(160)이 0.1 마이크로미터 미만의 두께를 가질 경우, 컬러 필터층(150)에 포함된 입자가 배리어층(160)을 관통하여 발광 소자(ED)를 손상시킬 수 있다. 또한, 배리어층(160)의 두께는 그 두께가 두꺼울수록 컬러 필터층(150)의 노출을 방지하는데 더욱 효과적이지만, 제조 공정의 측면에서 배리어층(160)의 재료비, 공정 시간 및 발광 표시 장치의 두께가 증가하기 때문에 3 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(150)의 입자가 0.1 마이크로미터 미만의 크기를 가질 경우, 배리어층(160)은 적어도 0.1 마이크로미터의 두께로 형성될 수 있다.
일 예에 따른 배리어층(160)은 평탄화 코팅층(170)의 패터닝 공정시 사용되는 현상 물질(또는 식각 물질)에 의해 제거되지 않는 물질로 이루어질 수 있다.
다른 예에 따른 배리어층(160)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 배리어층(160)은 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어지며, 예를 들어 배리어층(160)과 절연층(130)은 SiO2의 물질로 이루어질 수 있다.
제 1 및 제 2 굴곡 패턴(180-1, 180-2)의 형성 공정 이후에는, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s) 일부를 노출시키기 위한 컨택홀(CH)을 형성하는 공정이 수행될 수 있다. 이러한 컨택홀(CH)의 형성 공정을 고려하여, 배리어층(160)을 절연층(130)과 동일한 물질로 형성할 경우, 한 번의 패터닝 공정을 통해서 배리어층(160)과 절연층(130)에 컨택홀(CH)을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 발광 표시 장치의 제조 공정의 단순화를 위해, 배리어층(160)은 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이와 같은 본 예에 따른 발광 표시 장치는 단위 화소를 구성하는 각 화소의 광 추출 효율이 향상될 뿐만 아니라 극대화될 수 있으며, 제 1 굴곡 패턴(180-1)과 컬러 필터층(150) 사이에 에치 스토퍼 역할을 하는 배리어층(160)이 형성됨으로써 컬러 필터층(150)이 제 1 오목부(183)에 직접적으로 노출되는 것이 방지되고, 이로 인해 컬러 필터층(150)의 노출에 따라 발생되는 발광 소자(ED)의 특성 저하가 방지될 수 있다.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 화소 어레이부 12: 단위 화소
12a: 제 1 화소 12b: 제 2 화소
12c: 제 3 화소 12d: 제 4 화소
100: 기판 130: 절연층
150: 컬러 필터층 160: 배리어층
170: 평탄화 코팅층 180-1: 제 1 굴곡 패턴
180-2: 제 2 굴곡 패턴 181: 제 1 볼록부
183: 제 1 오목부 185: 제 2 볼록부
187: 제 2 오목부 190: 뱅크

Claims (17)

  1. 제 1 영역과 제 2 영역을 갖는 기판;
    상기 기판 상에 마련되고 상기 제 1 영역 상에 마련된 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 영역 상에 마련된 제 2 굴곡 패턴을 갖는 평탄화 코팅층; 및
    상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 굴곡 패턴 상에 마련된 발광 소자를 포함하며,
    상기 제 1 굴곡 패턴과 중첩되는 상기 평탄화 코팅층의 두께와 상기 제 2 굴곡 패턴과 중첩되는 상기 평탄화 코팅층의 두께는 상이하며,
    상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 굴곡 패턴 각각은 0.4 내지 0.6의 종횡비를 갖는 복수의 볼록부들을 포함하는, 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 마련된 적색 화소와 녹색 화소 및 청색 화소; 및
    상기 제 2 영역에 마련된 백색 화소를 더 포함하는, 발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부들은 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 갖는, 발광 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부들은 4 내지 12 마이크로미터의 피치와 0.8 내지 3.6 마이크로미터의 높이를 갖는, 발광 표시 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부들은,
    상기 기판에 인접한 밑면부;
    상기 밑면부로부터 설정된 높이만큼 이격된 정상부; 및
    상기 밑면부와 상기 정상부 사이의 옆면부를 포함하는, 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 옆면부는 변곡점을 포함하는 곡선 형태를 갖는, 발광 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 굴곡 패턴은 복수의 오목부를 더 포함하고,
    상기 복수의 볼록부들의 밑면부는 서로 연결되며,
    상기 복수의 오목부 각각은 상기 복수의 볼록부에 의해 둘러싸이는, 발광 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 굴곡 패턴 상에 순차적으로 적층된 제 1 전극과 발광층 및 제 2 전극을 포함하며,
    상기 제 1 전극과 상기 발광층 및 상기 제 2 전극 각각은 상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 제 2 굴곡 패턴 각각의 형상을 따르는 형상을 갖는, 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 옆면부는,
    상기 변곡점을 포함하는 변곡부;
    상기 변곡부와 상기 밑면부 사이의 제 1 곡선부; 및
    상기 변곡부와 상기 정상부 사이의 제 2 곡선부를 포함하며,
    상기 변곡부를 덮는 발광 소자의 두께는 상기 제 1 곡선부와 상기 제 2 곡선부 각각을 덮는 발광 소자의 두께보다 얇은, 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 볼록부의 높이를 기준으로, 상기 제 1 곡선부와 상기 변곡부 및 상기 제 2 곡선부 각각의 높이 비율은 1:3:1인, 발광 표시 장치.
  11. 제 2 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제 1 굴곡 패턴 사이에 마련된 컬러 필터층을 더 포함하며,
    상기 제 1 영역은 상기 적색 화소를 갖는 적색 서브 영역과 상기 녹색 화소를 갖는 녹색 서브 영역 및 상기 청색 화소를 갖는 청색 서브 영역을 포함하며,
    상기 컬러 필터층은 상기 적색 서브 영역에 마련된 적색 컬러 필터와 상기 녹색 서브 영역에 마련된 녹색 컬러 필터 및 상기 청색 서브 영역에 마련된 청색 컬러 필터를 구비하는, 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 굴곡 패턴의 바닥면과 상기 컬러 필터층 사이에 마련된 상기 평탄화 코팅층의 두께는 상기 제 2 굴곡 패턴의 바닥면과 상기 기판 사이에 마련된 상기 평탄화 코팅층의 두께보다 얇은, 발광 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 컬러 필터층 사이의 최단 거리는 0.1 내지 3 마이크로미터인, 발광 표시 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 상에 마련된 배리어층을 더 포함하며,
    상기 배리어층은 상기 제 1 영역에서 상기 제 1 굴곡 패턴과 상기 컬러 필터층 사이에 마련되며, 상기 제 2 영역에서 상기 제 2 굴곡 패턴과 상기 기판 사이에 마련된, 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 배리어층은 0.1 내지 3 마이크로미터의 두께를 갖는, 발광 표시 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 상에 마련된 박막 트랜지스터층; 및
    상기 박막 트랜지스터층을 덮으면서 상기 컬러 필터층을 지지하도록 상기 기판 상에 마련된 절연층을 더 포함하며,
    상기 배리어층은 상기 컬러 필터층과 절연층을 덮는, 발광 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 절연층과 동일한 물질로 이루어진, 발광 표시 장치.
KR1020170083811A 2017-06-30 2017-06-30 발광 표시 장치 Active KR102317419B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083811A KR102317419B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 발광 표시 장치
CN202010565691.5A CN111640777B (zh) 2017-06-30 2018-06-29 发光显示装置
US16/023,106 US10522789B2 (en) 2017-06-30 2018-06-29 Light emitting display device
CN202010566724.8A CN111640778B (zh) 2017-06-30 2018-06-29 发光显示装置
CN201810696558.6A CN109216579B (zh) 2017-06-30 2018-06-29 发光显示装置
US16/672,476 US10903455B2 (en) 2017-06-30 2019-11-03 Organic light emitting diode display device for improving light extraction efficiency of pixels
KR1020210139920A KR102520549B1 (ko) 2017-06-30 2021-10-20 발광 표시 장치
KR1020230045334A KR102735475B1 (ko) 2017-06-30 2023-04-06 발광 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083811A KR102317419B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 발광 표시 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210139920A Division KR102520549B1 (ko) 2017-06-30 2021-10-20 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190003216A KR20190003216A (ko) 2019-01-09
KR102317419B1 true KR102317419B1 (ko) 2021-10-25

Family

ID=64739135

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170083811A Active KR102317419B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 발광 표시 장치
KR1020210139920A Active KR102520549B1 (ko) 2017-06-30 2021-10-20 발광 표시 장치
KR1020230045334A Active KR102735475B1 (ko) 2017-06-30 2023-04-06 발광 표시 장치

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210139920A Active KR102520549B1 (ko) 2017-06-30 2021-10-20 발광 표시 장치
KR1020230045334A Active KR102735475B1 (ko) 2017-06-30 2023-04-06 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10522789B2 (ko)
KR (3) KR102317419B1 (ko)
CN (3) CN111640778B (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020351B2 (en) * 2016-06-24 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescence display device
KR102717868B1 (ko) 2016-09-13 2024-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102710997B1 (ko) * 2016-12-02 2024-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102774266B1 (ko) 2016-12-07 2025-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US10916607B2 (en) 2017-01-12 2021-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
KR102540135B1 (ko) * 2017-12-19 2023-06-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN108400153B (zh) * 2018-04-03 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及其制备方法、显示装置
US10991914B2 (en) * 2018-06-26 2021-04-27 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device
KR102497287B1 (ko) * 2018-08-16 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN109148489B (zh) * 2018-08-30 2022-06-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
US11335868B2 (en) * 2019-01-11 2022-05-17 Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Flexible substrate, method of preparing the same, and display panel
KR102678189B1 (ko) * 2019-01-24 2024-06-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109873088A (zh) * 2019-02-20 2019-06-11 湖畔光电科技（江苏）有限公司 一种有机电致发光二极管及制作方法
TWI691109B (zh) * 2019-05-09 2020-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN110389685A (zh) 2019-07-23 2019-10-29 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制作方法、和显示装置
CN110797384B (zh) * 2019-11-22 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
KR20210079007A (ko) 2019-12-19 2021-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN111384297A (zh) * 2020-03-19 2020-07-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN111430414A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及制备方法、显示装置
CN114005853A (zh) * 2020-07-28 2022-02-01 群创光电股份有限公司 显示装置
KR20220025986A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220029966A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN112635691B (zh) * 2020-12-31 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制作方法
WO2022188116A1 (zh) 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示面板和显示装置
KR20230102346A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20230102609A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
EP4495920A1 (en) * 2022-03-16 2025-01-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device
KR20240102585A (ko) * 2022-12-26 2024-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100525558C (zh) * 2004-04-30 2009-08-05 三洋电机株式会社 发光显示器
KR101288427B1 (ko) * 2006-08-07 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그 제조방법
KR102014885B1 (ko) * 2012-12-26 2019-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6115274B2 (ja) * 2013-04-11 2017-04-19 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR20150077261A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102227462B1 (ko) * 2014-04-22 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101805552B1 (ko) * 2015-08-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102285918B1 (ko) * 2015-08-31 2021-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10008697B2 (en) * 2015-08-31 2018-06-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
KR101818423B1 (ko) * 2015-09-23 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101808715B1 (ko) * 2015-09-23 2017-12-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
EP3151281B1 (en) * 2015-09-30 2021-04-28 LG Display Co., Ltd. Substrate for organic light emitting display device and organic light emitting display device
KR101749147B1 (ko) * 2015-10-30 2017-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101739771B1 (ko) * 2015-11-30 2017-05-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200083482A1 (en) 2020-03-12
US10903455B2 (en) 2021-01-26
CN109216579B (zh) 2020-07-24
US20190006626A1 (en) 2019-01-03
KR20230050307A (ko) 2023-04-14
CN111640778B (zh) 2024-08-06
KR20210130121A (ko) 2021-10-29
KR102735475B1 (ko) 2024-11-27
KR102520549B1 (ko) 2023-04-10
CN109216579A (zh) 2019-01-15
US10522789B2 (en) 2019-12-31
CN111640777A (zh) 2020-09-08
CN111640778A (zh) 2020-09-08
KR20190003216A (ko) 2019-01-09
CN111640777B (zh) 2024-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102520549B1 (ko) 발광 표시 장치
CN109216419B (zh) 发光显示装置
EP3301721B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102659854B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11417809B2 (en) Light emitting display apparatus
KR102411565B1 (ko) 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10991914B2 (en) Light emitting display device
US10991727B2 (en) Light emitting display device
US20210066643A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20220029193A (ko) 발광 표시 장치
KR20160042679A (ko) 유기전계 발광소자
KR102574597B1 (ko) 발광 표시 장치
KR102765865B1 (ko) 발광 표시 장치
KR20240093193A (ko) 발광 표시 장치
CN119053192A (zh) 显示面板及显示装置
KR20240091630A (ko) 발광 표시 장치
KR20200001716A (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20170630

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20200520

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20170630

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210130

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210724

GRNT Written decision to grant
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20211020

Patent event code: PA01071R01D

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20211020

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20211020

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240919

Start annual number: 4

End annual number: 4